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    公开号:WO1989001237A1
    申请号:PCT/EP1988/000526
    申请日:1988-06-14
    公开日:1989-02-09
    发明作者:Siegfried Birkle；Johann Kammermaier；Rolf Schulte；Albrecht Winnacker；Gerhard Rittmayer
    申请人:Siemens Aktiengesellschaft；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    [0001] Halbleitergrundmaterial
    [0002] Die Erfindung betrifft ein neues Halbleitergrundmaterial mit hohem Halbleitereigenschaftspotential aus Dünnschichten aus amorphem, wasserstoffhaltigem Kohlenstoff (a-C:H) sowie ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleitergrund- materials.
    [0003] Als Halbleitergrundmaterialien sind insbesondere einkristalli¬ nes Silicium (Si) und Galliumarsenid (GaAs) mit sehr hohen n- und p-Ladungsträgerbeweglichkeiten bekannt (»1 cm 2.V"1.s~1). Nachteilig ist bei diesen Materialien, daß sie nicht als Dünn¬ schichten nach einer Bandtechnologie mit flexiblen Trägern her¬ gestellt werden können und daß zu ihrer Herstellung und Verar¬ beitung Hochtemperaturprozesse erforderlich sind.
    [0004] Als Halbleitergrundmaterial ist ferner amorphes, wasserstoff- haltiges Silicium (a-Si:H) bekannt. Dieses Material ist zwar auf Dünnschichtbasis herstellbar, seine n- und p-Ladungsträger- beweglichkeit liegt aber in der Regel weit unter 1 cm 2.V-1.s-1
    [0005] (siehe dazu: 3 . Dresner in "Se iconductors and Semimetals", Vol. 21, Part C (1984), Seiten 193 ff.).
    [0006] In der japanischen Offenlegungsschrift 59-26906 (vom 13.2.1984) ist ein amorphes Kohlenstoffmaterial beschrieben, welches - in Form von Dünnschichteπ - nach dem Plasma-CVD-Verfahren (CVD = Chemical Vapour Deposition) aus Kohlenwasserstoffen unter Ein¬ wirkung eines RF-Hochftequenzfeldes hergestellt wird. Dieses Material weist Lumineszenz- und- Halbleitereigenschaften sowie eine hohe Härte auf. Der Lumineszenz-Peak liegt dabei bei 2,6 eV und der optische Bandabstand beträgt 3,0 eV (bei einem aus Propan bei einem Druck von 40 mTorr hergestellten Mate- rial), bei einem vergleichsweise hohen elektrischen Widerstand von 1012 oder 1013ü.cm.
    [0007] Aus "IDR - Industrie Diamanten Rundschau", Bd. 18 (1984), Nr. 4, Seiten 249 ff. ist es andererseits bekannt, daß amorpher, was- serstoffhaltiger Kohlenstoff (a-C:H), der einen relativ hohen Wasserstoffgehalt von 13 bis 38 Atom-X aufweist, einen elektri¬ schen Widerstand von 10 12.cm und einen optischen Bandabstand von 0,8 bis 1,8 eV besitzt. Die a-C:H-Schichten werden dabei beispielsweise durch Plasmaabscheidung aus Benzoldampf bei Drük- ken von 1 bis 5 Pa mittels Hochfrequenzentladung hergestellt.
    [0008] Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleitergrundmaterial anzu¬ geben, das in Dünnschichttechnologie unter Einsatz von Bandpro- zessen und ohne Hochtemperaturprozesse hergestellt werden kann, und das - in undotiertem Zustand - eine mit kristallinen Halb¬ leitermaterialien, wie Si und GaAs, vergleichbare hohe Beweg¬ lichkeit der n- und p-Ladungsträger aufweist, wobei die La¬ dungsträgerbeweglichkeit bei Raumtemperatur wenigstens 1 cm2.V-1.s_1 betragen soll.
    [0009] Dies wird erfindungsgemäß durch ein Halbleitergrundmaterial er¬ reicht, das aus Dünnschichteπ aus amorphem, wasserstoffhaltigem Kohlenstoff (a-C:H) mit einem spezifischen elektrischen Wider- stand zwischen 10 und 10 il.cm und einer Ladungsträgerkonzen¬ tration (n + p) zwischen 10 und 10 cm" , jeweils bei Raum¬ temperatur, besteht.
    [0010] Halbleitende Dünnschichten mit einer n- und p-Ladungsträgerbe- weglichkeit von über 1 cm 2.V 1.s 1, wie sie das erfindungsge¬ mäße Material aufweist, sind bislang bei amorphen Halbleitern - im undotierten Zustand - nicht bekannt.
    [0011] In einem halbleitenden Material liegt eine für viele Anwendun- gen bedeutsame hohe Beweglichkeit der beiden Ladungsträgerarten -3- dann vor, wenn das Verhältnis der entsprechenden Hall-Konstan¬ ten zum spezifischen elektrischen Widerstand möglichst groß ist. Dies ist beim Halbleitergrundmaterial nach der Erfindung, d.h. speziellem a-C:H, der Fall. Bei diesem Material, bei dem deutlich weniger als 68 % der Kohlenstoffatome diamantgleiche tetraedrische Bindungen (sp -Hybridisierung) und deutlich mehr als 30 % graphitische trigonale Bindungen (sp -Hybridisierung) aufweisen und das einen Wasserstoffgehalt von 10 bis 30 Atom-% besitzt, wird die Forderung nach einer hohen Ladungsträgerbe- weglichkeit über eine bestimmte Konzentration der n- und p- Ladungsträger und einen bestimmten spezifischen elektrischen Widerstand gezielt erfüllt, und zwar bis zu einem Optimum. Mit abnehmendem Zahlenwert des Produktes aus Ladungsträgerkonzen¬ tration und spezifischem elektrischen Widerstand ergibt sich ein wachsendes Verhältnis von Hall-Konstante zu spezifischem elektrischen Widerstand und damit eine steigende Beweglichkeit der Ladungsträger in der a-C:H-Schicht.
    [0012] Vorteilhaft weist das Halbleitermaterial nach der Erfindung einen spezifischen elektrischen Widerstand etwa zwischen 10 und 5.10 il.cm auf. Ein derartiges Material besitzt eine Beweg- lichkeit der n- und p-Ladungstrager von über 10 2 cm2.V-1.s 1.
    [0013] Vorzugsweise liegt der spezifische elektrische Widerstand etwa zwischen 5.10 und 5.10 12.cm. Bei einem derartigen Material erreicht die n- und p-Ladungsträgerbeweglichkeit Werte über 10 3 cm2.V~1.s~1. Im übrigen weist das erfindungsgemäße Halblei¬ termaterial einen optischen Bandabstand zwischen 1,4 und 2,4 eV auf.
    [0014] Bei a-C:H-Schichten mit einem optischen Bandabstand <£ 1,4 eV und einem spezifischen elektrischen Widerstand * 10 fl.cm ist die Beweglichkeit der Ladungsträger aufgrund einer niedrigen Hall-Konstante deutlich geringer, so daß derartige Materia¬ lien - im Sinne der vorliegenden Erfindung - nicht als Halb- leitergrundmaterialien in Frage kommen. Andererseits wirkt bei a-C:H-Schichten mit einem spezifischen elektrischen Widerstand ■> 10 il.cm der Widerstand einer Erhöhung der Hall-Beweglich¬ keit der Ladungsträger entgegen. Derartige a-C:H-Schichten sind bezüglich des elektrischen Widerstandes vergleichbar mit a-Si:H-Schichten, bei denen die Ladungsträgerbeweglichkeit unterhalb 1 cm 2.V-1.s-1 liegt.
    [0015] Die Erfindung betrifft ferner amorphen, wasserstoffhaltigen
    [0016] Kohlenstoff, d.h. a-C:H, welcher eine Hall-Beweglichkeit der n- und p-Ladungsträger ≥ 1 cm 2.V 1.s 1 aufweist. Ein derartiges
    [0017] Halbleitergrundmaterial kann durch Hochfrequenz-Plas aabschei- dung gasförmiger Kohlenwasserstoffe bei einer mittleren Ver¬ weilzeit der Kohlenwasserstoffe im Plasma von mindestens 15 ms erhalten werden; die Verweilzeit ist dabei definiert als Quotient aus dem Produkt von Plasmavolumen und Gasdruck und dem Massedurchfluß.
    [0018] Das Halbleitergrundmaterial nach der Erfindung, d.h. der amor¬ phe, wasserstoffhaltige Kohlenstoff, wird durch Hochfrequenz- Plasmaabscheidung gasförmiger Kohlenwasserstoffe hergestellt. Dabei ist erfindungswesentlich, daß die mittlere Verweilzeit der Kohlenwasserstoffe im Plasma mindestens 15 ms beträgt. Die
    [0019] Verweilzeit dabei ist p m = Massedu
    [0020] Halbleitende a-C:H-Schichten mit einer Ladungsträgerbeweglich- keit ≥ 1 cm 2.V-1.s—1 (im undotierten Zustand) sind, wie vor¬ stehend bereits ausgeführt, bislang nicht bekannt. Entsprechend ist bislang auch kein Verfahren zur Herstellung derartiger
    [0021] Schichten bekannt, und es fehlen somit auch Hinweise auf rele¬ vante Prozeßparameter. Insbesondere findet sich im Stand der Technik kein Hinweis darauf, daß zur Erzielung einer bestimm¬ ten Hall-Beweglichkeit der Ladungsträger in a-C:H-Schichten das zur Plasmaabscheidung dienende Reaktionsgas, d.h. die Kohlen- Wasserstoffe, im Plasma eine ganz bestimmte Verweilzeit auf¬ weisen muß, d.h. eine Verweilzeit von mindestens 15 ms. Bei einer Verweilzeit . 15 ms werden nämlich Ladungsträgerbeweg- lichkeiten •>- 1 cm 2.V 1.s~1 erreicht. Vorzugsweise beträgt die Verweilzeit der Kohlenwasserstoff-Moleküle in der Plasmazone zwischen 50 und 500 ms.
    [0022] Eine Verweilzeit in der vorstehend genannten Größenordnung läßt sich - bei einem gegebenen Querschnitt des zur Plasmaabschei- düng dienenden Reaktionsgefäßes - nur bei einem bestimmten Ver¬ hältnis zwischen Gasdruck, d.h. Partiaidruck des Reaktionsga¬ ses, und Massedurchfluß erreichen. Beim erfindungsgemäßen Ver¬ fahren beträgt der Gasdruck deshalb vorteilhaft 5 bis 400 Pa, vorzugsweise 20 bis 200 Pa, und der Massedurchfluß vorteilhaft 0,05 bis 2.10 5 Pa.cm3.s-1. Ferner ist beim erfindungsgemäßen
    [0023] Verfahren wesentlich, daß das Substrat, auf dem a-C:H abge¬ schieden wird, nicht beheizt wird.
    [0024] Zur Herstellung der halbleitenden a-C:H-Schichten nach der Erfindung mit einem - aufgrund hoher Ladungsträgerbeweglich¬ keiten - hohen Halbleitereigenschaftspotential dient ein Plas¬ maabscheideverfahren mit HF-Anregung (HF = Hochfrequenz). Vor¬ zugsweise erfolgt die Plasmaabscheidung dabei mittels Radio¬ frequenz (RF), d.h. im Bereich zwischen 0,1 und 100 MHz, bei- spielsweise bei 13,46 MHz. Die Plasmaabscheidung kann aber auch mittels Mikrowellen (MW) erfolgen, d.h. im Bereich zwischen 0,1 und 1000 GHz, beispielsweise bei 2,45 GHz.
    [0025] Als gasförmige Kohlenwasserstoffe dienen beim erfindungsgemäßen Verfahren vorzugsweise Alkane, d.h. gesättigte aliphatische
    [0026] Kohlenwasserstoffe, wie Methan, Etnan und Propan. Daneben kön¬ nen aber auch Alkene, d.h. ungesättigte aliphatische Kohlen¬ wasserstoffe, wie Ethen und Propen, eingesetzt werden, sowie Acetylen, Cycloalkane, d.h. gesättigte cyclische Kohleπwasser- stoffe, wie Cyclohexan, und - im dampfförmigen Zustand - aroma- " tische Kohlenwasserstoffe in Form von Benzol und Benzolderiva¬ ten. Die Kohlenwasserstoffe der vorstehend genannten Art können einzeln oder im Gemisch zum Einsatz gelangen. Den Kohlenwasser¬ stoffen können ferner Wasserstoff und/oder Edelgase, wie Helium und Argon, zugegeben werden.
    [0027] In HF-Entladungen, insbesondere mit RF-Anregung, bildet sich bei unterschiedlich großen Innenelektroden der Eπtladungsein- richtung (Flächenverhältnis -s- 0,5, vorzugsweise zwischen 0,25 und 0,05) - aufgrund von Raumladungen - eine im Takt der Hoch¬ frequenz pulsierende Gleichstrom-Spannungskomponente (Vorspan¬ nung bzw. "seif bias potential") bis zu etwa 1 kV aus. Diese DC-Spannungskomponente überlagert sich der HF-Wechselspannung und macht die kleinere Elektrode zur Kathode. Dadurch werden die geladenen C H -Teilchen, die durch Ionisierung und Fragmen¬ tierung des Reaktionsgases entstehen, zur Kathode hin beschleu¬ nigt und auf dem vor der Kathode angeordneten Substrat mit hoher kinetischer Energie - unter Bildung von a-C:H - abge¬ schieden. Ein "seif bias"-Effekt der vorstehend genannten Art ist, wenngleich - wegen des Fehlens von Innenelektroden - in sehr viel geringerem Ausmaß, auch bei MW-induzierten Abscheide¬ plasmen wirksam, weil zwischen Plasma und Substratfläche in je¬ dem Fall eine Potentialdifferenz besteht.
    [0028] In Plasmen zur a-C:H-Abscheidung bestimmt die Vorspannung im starken Maße die passiven physikalisch-chemischen Eigenschaften der gebildeten Schichten, wie Härte, Kratzfestigkeit und Brech¬ zahl, jedoch weniger die Beweglichkeit der n- und p-Ladungsträ- ger. Eine für viele Anwendungen anzustrebende Hall-Beweglich- keit der Ladungsträger über 1 cm .V .s in undotiertem a-C:H wird vielmehr dann erreicht, wenn - entsprechend der Erfindung - das Verhältnis von Hall-Konstante zu spezifischem elektrischen Widerstand groß ist.
    [0029] Die vorstehend genannte Bedingung kann durch eine bestimmte chemische Struktur der a-C:H-Schichten gezielt erfüllt werden, insbesondere durch ein bestimmtes Verhältnis von sp 2- zu sp3-
    [0030] Biπdungsanteilen der C-Atome unter Absättigung freier C-Valen- zen ("dangling bonds") durch H-At'ome. Die chemische Struktur der a-C:H-Schichten wiederum hängt von der relativen Konzentra¬ tion der Spezies H, C2 und CH im Plasma ab, die durch die Plas¬ mabedingungen, insbesondere eingespeiste elektrische Leistung, Frequenz der HF-Anregung, Elektrodenform und -große, Partial- druck des Reaktionsgases, Massedurchfluß und Beimengung von Inertgasen, beeinflußt und gesteuert werden kann. Zur Erzielung einer ausreichenden Konzentration an den Spezies H, C und CH im Plasma wird diesem beim erfindungsgemäßen Verfahren deshalb vorzugsweise eine elektrische Leistung zwischen 0,2 und
    [0031] 10 W.cm" zugeführt,
    [0032] Anhand von Beispielen wird die Erfindung noch näher erläutert.
    [0033] In eine Apparatur zur Plasmaabscheidung mittels Hochfrequenz¬ entladung, d.h. in deren zylindrische Vakuumkammer aus Glas, wird Methan (CH,) als Reaktionsgas eingeleitet. Das Reaktioπs- gas gelangt über einen engen Ringspalt in das sich zwischen zwei unterschiedlich großen plaπaren Elektroden ausbildende Plasmavolumen von ca. 45 cm (Flächenverhältnis der Elektroden: 1:4). Die beiden Elektroden, d.h. die Masseelektrode (Anode) und die HF-Elektrode (Kathode), sind mit einem RF-Generator (13,56 MHz) verbunden. Bei einer HF-Leistungsdichte von ca. 8 W.cm- im Plasmavolumen entsteht zwischen den beiden Elek¬ troden eine Vorspannung von ca. 1 kV. Die kleinere der beiden Elektroden wird dabei Kathode, an der die a-C:H-Abscheidung erfolgt.
    [0034] Unter den vorstehend genannten Bedingungen und bei unbeheiztem
    [0035] Substrat erhält man - bei einem Partialdruck des Reaktionsgases
    [0036] 5 3 -1 von 100 Pa und einem Massedurchfluß von 0,88.10^ Pa.cm .s - bei einer Verweilzeit von 51 ms halbleitende a-C:H-Schichten -6- mit einer Hall-Beweglichkeit der n-Ladungsträger über
    [0037] In die zylindrische, aus Glas bestehende Vakuumkammer einer Apparatur zur Plasmaabscheidung wird - über eine zentrale Zu¬ führung - Methan als Reaktionsgas eingeleitet. Die Kathode ist planar, während die Anode topfförmig ausgebildet ist; das Flä¬ chenverhältnis der Elektroden beträgt 1:6. Die a-C:H-Abschei- dung erfolgt mittels Radiofrequenz (13,56 MHz) bei folgenden Bedingungen: Partialdruck des Reaktionsgases: 20 Pa; Plasmavo¬ lumen: 400 cm ; Massedurchfluß: 0,32.10 Pa.cm ,s~ . Bei einer Verweilzeit von 250 ms und einer Leistungsdichte im Plasma von 0,8 W.cm" werden dabei - bei unbeheiztem Substrat - halblei¬ tende a-C:H-Schichten mit einer Hall-Beweglichkeit der n-La- dungsträger von ca. 10 3 cm2.V-1.s-1 erhalten.
    [0038] In Figur 1 ist die Hall-Beweglichkeit μH der n- und p-Ladungs- träger der a-C:H-Schichten nach der Erfindung als Funktion des spezifischen elektrischen Widerstandes dargestellt. Daneben sind auch die Werte für kristallines Si und GaAs sowie für a-Si:H wiedergegeben.
    权利要求:
    ClaimsPatentansprüche
    1. Halbleitergrundmaterial mit hohem Halbleitereigenschafts¬ potential, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß es aus Dünnschichten aus amorphem, wasserstoffhaltigem Kohlenstoff (a-C:H) mit einem spezifischen elektrischen Wider- stand zwischen 10 und 10 fl.cm und einer Ladungsträgerkonzen¬ tration (n + p) zwischen 10 und 10 cm" , jeweils bei Raum¬ temperatur, besteht.
    2. Halbleitergrundmaterial nach Anspruch 1, g e k e n n ¬ z e i c h n e t durch einen spezifischen elektrischen Wider- stand etwa zwischen 10 2 und 5.107 il.cm.
    3. Halbleitergrundmaterial nach Anspruch 2, g e k e n n ¬ z e i c h n e t durch einen spezifischen elektrischen Wider¬ stand etwa zwischen 5.10 und 5.10 il.cm.
    4. Amorpher, wasserstoffhaltiger Kohlenstoff (a-C:H) mit einer Hall-Beweglichkeit der n- und p-Ladungstrager > 1 cm 2.V-1.s-1, erhältlich durch Hochfrequenz-Plasmaabscheidung gasförmiger Kohlenwasserstoffe bei einer mittleren Verweilzeit der Kohlen¬ wasserstoffe im Plasma von mindestens 15 ms, wobei die Verweil¬ zeit definiert ist als Quotient aus dem Produkt von Plasmavolu- men und Gasdruck und dem Massedurchfluß.
    5. Verfahren zur Herstellung von amorphem, wasserstoffhaltigem Kohlenstoff durch Hochfrequenz-Plasmaabscheidung gasförmiger Kohlenwasserstoffe, d a d u r c h g e k e n n z e i c h - n e t , daß die mittlere Verweilzeit der Kohlenwasserstoffe im Plasma mindestens 15 ms beträgt, wobei die Verweilzeit defi¬ niert ist als Quotient aus dem Produkt von Plasmavolumen und Gasdruck und dem Massedurchfluß.
    6. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n ¬ z e i c h n e t , daß die mittlere Verweilzeit zwischen 50 und 500 ms beträgt.
    7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, d a d u r c h g e ¬ k e n n z e i c h n e t , daß der Gasdruck 5 bis 400 Pa, vor¬ zugsweise 20 bis 200 Pa, beträgt.
    8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, d a d u r c h
    5 g e k e n n z e i c h n e t , daß der Massedurchfluß 0,05.10 bis 2.10 5 Pa.cm3.s-1 beträgt.
    9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 5 bis 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Lei- stungsdichte im Plasma zwischen 0,2 und 10 W.cm" beträgt.
    10. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 5 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Plasma¬ abscheidung mittels Radiofrequenz erfolgt.
    11. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 5 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß als Kohlen¬ wasserstoffe Alkane eingesetzt werden.
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    同族专利:
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    IN169551B|1991-11-09|
    BR8807641A|1990-06-26|
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    EP0362275B1|1993-12-22|
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    KR970004837B1|1997-04-04|
    JPH02504446A|1990-12-13|
    ES2007979A6|1989-07-01|
    CN1012775B|1991-06-05|
    CN1031298A|1989-02-22|
    GR880100402A|1989-05-25|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1989-02-09| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AU BR JP KR SU US |
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    1989-12-11| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1988905202 Country of ref document: EP |
    1990-04-11| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1988905202 Country of ref document: EP |
    1993-12-22| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1988905202 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DEP3725700.5||1987-08-03||
    DE3725700A|DE3725700A1|1987-08-03|1987-08-03|Neues halbleitergrundmaterial|BR888807641A| BR8807641A|1987-08-03|1988-06-14|Novo material de base semicondutor|
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