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    公开号:WO1988004470A1
    申请号:PCT/CH1987/000166
    申请日:1987-12-07
    公开日:1988-06-16
    发明作者:Urs Staufer；Roland Wiesendanger；Lukas Eng；Lukas Rosenthaler；Hans Rudolf Hidber；Peter Gruetter；Hans-Joachim Guentherodt
    申请人:Lasarray Holding Ag；
    IPC主号:B82Y15-00
    专利说明:
    [0001] Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Materialstrukturen im Bereich atomarer Dimensionen
    [0002] Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung υon Oberflächenstrukturen auf elektrisch leitenden oder halbleitenden MaterialoberflMchen im Bereich atomarer Dimensionen mit einem feinen Elektronenstrahl, unter Verwendung eines Rastertunnelmikroskops, gemäss dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.
    [0003] Anwendungsgebiete für das Verfahren und die Vorrichtung sind insbesondere die Herstellung, Beeinflussung oder Änderung von überflächenstrukturen auf elektrisch leitenden oder halbleitenden Materialoberflachen im atomaren Bereich, also in der Grössenordnung einiger Nanometer. Strukturen können oberflächenerhöhungen, -vertiefungen oder lokal begrenzte unterschiedliche Eigenschaften anderer Art sein , z.B. amorph/kristallin, magnetisch/unmagnetisch, supraleitend/ nicht supraleitend. Zur kommerziellen Herstellung von Strukturen auf einem Substrat, z.B. von Leiterbahnen bei der Halbleiterherstellung, liegen die Grössenordnungen der Strukturbreiten im Bereich von einigen Mikrometern. Die Herstellung solcher Strukturen erfolgt mit dem Elektronenstrahl eines Elektronenmikroskops entweder mit der Plaskentechnik oder im Direktschreibeverfahren. Aus verschiedenen Gründen werden Bemühungen unternommen, die Grössenordnungen solcher Strukturen zu verkleinern und entsprechende Herstellungsverfahren bereitzustellen.
    [0004] Im Zusammenhang mit dem Rastertunnelmikroskop (Scanning Tunneling Microscope) ist eine rasterförmige Abtastung von Oberflächen im Nanometer-Bereich zur Bestimmung der Oberflächentopographie von Probenoberflächen bekannt (Helv. Phys. Acta, Vol 55, 1982, S. 198). Ferner sind aus EP-A- 0'166'308 und EP-A-0'166'119 Verfahren bzw. Vorrichtungen bekannt zum gezielten Aufbringen von Platerialstrukturen unter hohen elektrischen Feldern bei einer Distanz von einigen 10 nm zwischen Abtastspitze und Substratoberfläche. Es sollen dabei Materialstrukturen im Nanometerbereich realisierbar sein. Dabei soll das aufzubringende Material entweder aus der Gasphase gewonnen werden, oder das Aufbringen soll durch Felddesorption erfolgen. Beide Alternativen sind nur begrenzt einsetzbar, da sie bezüglich der technischen Anwendungsmöglichkeit zu wenig flexibel sind. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein weiteres Verfahren und eine weitere Anordnung anzugeben, mit denen sich auf einfache, zuverlässige und praxisgerechte Weise Strukturen im Nanometerbereich auf leitenden oder halbleitenden Materialien (Substraten) herstellen lassen.
    [0005] Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss durch die in den Patentansprüchen definierten Merkmale gelöst.
    [0006] Die dort definierten Massnahmen erlauben die Herstellung von Strukturen unter Einsatz eines Rastertunnelmikroskops durch thermisch eingeleitete Phasenumwandlungen im Bereich von Nanometern, erzeugt durch eine hohe lokale Stromdichte von Tunnelelektronen im Elektronenvoltbereich. Für die Entstehung der Strukturen kann die hohe elektrischen Feldstärke von Bedeutung sein. Die hohe Leistung, welche in ein kleines Volumen nahe der Substratoberfläche gesteckt wird, hat eine lokale Temperaturerhöhung zur Folge. Diese kann allgemein eine Phasenumwandlung in Bereichen von nm einleiten, z.B. kristallin/amorph, magnetisch/unmagnetisch, supraleitend/ nicht supraleitend. Die zusätzlich zur lokalen Temperaturerhöhung vorhandene hohe lokale elektrische Feldstärke kann zur topographischen Beeinflussung der Oberfläche an den aufgeschmolzenen Stellen benutzt werden, so dass sich eine Erscheinung ähnlich dem Taylorkegel bildet, wie er von einer Flüssigmetall-Ionenquelle bekannt ist. Nach Erstarren des behandelten Materials bleibt die topographische Modifikation als Nanometerstruktur bestehen. Geeignete Substrate sind beispielsweise ionengeätzte metallische Gläser, da sie nach dem Ätzen für die Weiterbehandlung besonders geeignete atomar flache Oberflächen aufweisen. Bevorzugte, für diese Verwendung geeignete Materialien sind unter anderem metallische oder metalloxidische
    [0007] Bänder oder Folien, welche durch rasche Abschreckung direkt aus der Schmelze hergestellt wurden ("Rapidly Quenched Metals").
    [0008] Mit dem beschriebenen Verfahren lassen sich neben topographischen Modifikationen in kleinen Dimensionen auch Nanometerstrukturen herstellen, deren physikalische Eigenschaften sich von dem sie umgebenden Substrat unterscheiden. Beispielsweise lassen sich ferromagnetische Nanometerstrukturen erzeugen, für welche sich amorphes Material als Substrat besonders gut eignet. Die erzeugten kristallinen Nanometerstrukturen mit den geänderten magnetischen Eigenschaften lassen sich mit magnetischen Sensoren, z.B. in einem magnetischen Kraftmikroskop, nachweisen.
    [0009] Im folgenden werden Einzelheiten und Ausführungsbeispiele der Erfindung mit Hilfe der Zeichnungen näher erläutet. Es zeigen:
    [0010] Fig.1 die schematische Darstellung einer Tunnelspitze über einem Substrat, mit verschiedenen Positionen 1-4, Fig.2 das Schreiberbild der Substratoberfläche gemäss Fig.1, nach Erzeugung einer Struktur an der Position 1,
    [0011] Fig.3 das Schreiberbild der Substratoberfläche nach Erzeugung einer zusätzlichen Struktur an der Position 2,
    [0012] Fig.4 das Schreiberbild der Substratoberfläche nach Erzeugung einer weiteren Struktur an der Position 3, Fig.5 das Schreiberbild der Substratoberfläche nach Erzeugung einer vierten Struktur an der Position 4,
    [0013] Fig.6 den Weg der Tunnelspitze bei der Herstellung einer Linienstruktur,
    [0014] Fig.7 das Schreiberbild der Substratoberfläche nach Erzeugung einer Linienstruktur,
    [0015] Fig.8 eine Vorrichtung zur Positionierung der wegklappbaren Tunnelspitze, mit Einrichtungen zur Steuerung der Vorrichtung und zur Erfassung der Messwerte, und
    [0016] Fig.9 die perspektivische Ansicht der Vorrichtung nach Fig.8.
    [0017] Als ein wesentliches Hilfsmittel für die Herstellung der erwähnten Material-Strukturen im atomaren Bereich dienen Elemente eines an sich bekannten Rastertunnelmikroskops. Wie aus der schematischen Darstellung der Fig. 1 zu erkennen ist, wird ein Substrat 1 unter der Tunnelspitze 2 eines Rastertunnelmikroskops (RTM) positioniert. Die Anordnung befindet sich beispielsweise in einem Ultrahochvakuum (UHV). Das Substrat 1 und die Tunnelspitze 2 sind mit Positionier- und Messeinrichtungen verbunden, wie sie in Zusammenhang mit Fig. 7 dargestellt sind. Auf die Funktion des Rastertunnelmikroskops wird hier nicht im einzelnen eingegangen, da sie an sich bekannt ist.
    [0018] Das Verfahren zur Erzeugung von Strukturen auf der Substratoberfläche setzt, wie erwähnt, möglichst homogene Eigenschaften des Substrats voraus, damit sich die erzeugten Strukturen im Nanometerbereich an dem umgebenden Bereich des Substrats erkennbar abheben. Als Beispiel für eine Substratpräparation bei der Erzeugung topographischer Modifikationen wird das sogenannte Ionenätzen angewendet, in dessen Verlauf Ar-Ionen mit einer Energie von 5 keV während 35 min bei einem Emissionsstrom von 10 mA und einem Druck von 10E-8 mbar im Rezipienten auf die Oberfläche des Substrats geschossen werden. Als Substrat wurde für die hier erwähnten Messwerte Rh25Zr75 gewählt. Die sich durch die Behandlung einstellende Oberflächenrauhigkeit wird anschliessend vom RTM gemessen. Aus den oben erwähnten Gründen muss sie kleiner sein als die kleinsten Abmessungen der zu erzeugenden Nanometerstrukturen. Als Beispiel wurde eine RMS- Rauhigkeit nach dem Ionenätzen gemessen, welche kleiner war als 0,1 nm. Dem Präparationsverfahren schliesst sich das eigentliche Herstellungsverfahren zur Erzeugung der gewünschten Strukturen auf der Substratoberfläche an. Dazu wird die Tunnelspitze 1, beispielsweise eine Wolfram-Spitze, im normalen Tunnelbetrieb an den Ort über dem Substrat gefahren, an welchem die Struktur entstehen soll. In Fig. 1 ist dies mit Position 1 angedeutet. Ist die gewünschte Position erreicht, was durch Ausmessen und Vergleich mit Hilfe des RTM und der angeschlossenen rechnergestützten Steuergeräte erfolgt, wird die zwischen dem Substrat 1 und der Tunnelspitze 2 anliegende Tunnelspannung vom Millivoltbereich in den Voltbereich erhöht. Gleichzeitig wird bei konstant gehaltenem Tunnelstrom IT der Abstand zwischen dem Substrat 1 und der Tunnelspitze 2 vergrössert.
    [0019] Anschliessend wird die Tunnelspitze 2 bei konstant gehaltener Tunnelspannung UT so weit dem Substrat 1 angenähert, dass ein bestimmter Tunnelstrom, im Beispiel 315 nA, fliesst. Typische Tunnelgap-Widerstände während der Herstellung der Strukturen liegen bei 107 bis 108 Ohm. Als Ergebnis dieser Behandlung entsteht eine im Beispiel etwa halbkugelförmige Struktur von 35 nm Durchmesser und 10 nm Erhöhung. Diese Masse lassen sich mit dem RTM aus anschliessend aufgenommenen topographischen Bildern entnehmen.
    [0020] Nach Erfassung und Abspeicherung der Messwerte lassen sich diese auf verschiedene Weise, z.B. als topographische Aufsicht darstellen. Nach einer gesteuerten Lateralverschiebung der Tunnelspitze 2 von der Position 1 auf die Position 2 gemäss Fig. 1 wird dort eine weitere Struktur erzeugt, wie dies aus Fig.3 in einer Gesamtdarstellung der beiden Strukturen ersichtlich ist. Die mittlere Distanz zwischen den beiden Positionen 1 und 2 beträgt im Beispiel 85 nm. Die Herstellung der zweiten Struktur an der Position 2 erfolgt nach der gleichen Methode, wie für die erste Struktur an Position 1 beschrieben wurde.
    [0021] Auf die gleiche Weise lässt sich auch eine dritte Struktur an der Position 3 gemäss Fig. 1 erzeugen, wie aus Fig.4 ersichtlich ist. In Weiterführung dieses Verfahrens lassen sich beliebig viele Einzelstrukturen auf der Oberfläche des Substrats erzeugen, wobei die Grosse eines entsprechenden Strukturfeldes nur durch die Positioniermöglichkeiten des Rastertunnelmikroskops begrenzt ist .
    [0022] Basierend auf dem geschilderten grundsätzlichen Verfahren lassen sich die folgenden 4 Verfahrensvarianten durchführen:
    [0023] 1. Das Substrat wird an den ausgewählten Positionen geschmolzen und anschliessend sehr rasch wieder abgekühlt, so dass sich eine amorphe Struktur bildet oder erhält. 2. Das Substrat wird geschmolzen und langsam abgekühlt, so dass sich eine kristalline Struktur bildet oder eine solche erhalten bleibt.
    [0024] 3. Unter dem Einfluss elektrostatischer Effekte lässt sich das Substrat im geschmolzenen Zustand an den ausgewählten Positionen zur Tunnelspitze anziehen.
    [0025] 4. Werden als Substrat Legierungen gewählt, kann mindestens eine Legierungskomponente im geschmolzenen Zustand an den ausgewählten Positionen zum Segregieren oder Migrieren an die Oberfläche veranlasst werden.
    [0026] Insbesondere in Zusammenhang mit der Durchführung des Verfahrens gemäss der Alternative 3 lassen sich vorhandene Strukturen auf der Substratoberfläche auch überschreiben.
    [0027] Ferner können ausser den erwähnten halbkugelförmigen Stukturen auch linienförmige Strukturen erzeugt werden, wie dies für ein Beispiel anhand von Fig. 8 und 7 gezeigt ist. In Fig. 6 bedeutet A die Ausgangsposition der Tunnelspitze, von der aus eine Linie auf der Substratoberfläche geschrieben werden soll. Während die Tunnelspitze entlang einer vorgegebenen Linie über die Substartoberflache geführt wird, müssen zur Erzeugung einer Struktur ab der Position A die Spannung und der Tunnelstrom auf die vorerwähnten Werte erhöht werden. Dabei wird die Tunnelspitze mit einer Geschwindigkeit von etwa 3 nm/sec in Pfeilrichtung längs der vorgegebenen Linie bewegt. Auf diese Weise erzeugte Linien haben z.B. eine Länge von 100 nm, eine Breite von 20 nm und eine Höhe von 2 nm.
    [0028] Alle diese Prozesse hinterlassen Strukturen an der Substratoberfläche oder veranlassen deren Überschreiben. Das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein von Strukturen an vorgegebenen Positionen oder längs definierter Bahnen lassen sich ohne weitere Behandlung des Substrats direkt mit demselben RTM nachweisen, mit dem sie erzeugt wurden. Die Verfahren eignen sich z.B. zur Herstellung von Informations- Massenspeichern, insbesondere von ROM's (Read Only Memories), oder von Leiterstrukturen bei der Herstellung hochintegrierter elektrischer Schaltungen.
    [0029] Anstelle einer einzelnen Tunnelspitze können auch Gruppen solcher Spitzen gleichzeitig verwendet werden, wodurch die Herstellung von Arrays mit separierten Nanometerstrukturen möglich ist.
    [0030] Wird der Abstand zwischen der Substratoberfläche und der Tunnelspitze im Bereich einiger Angström (0,1 nm) gehalten, und wird als Spitze ein Material gewählt, welches sich leichter aufschmelzen lässt als das Substrat, so lässt sich durch die hohe lokale elektrische Feldstärke Material aus dem verflüssigten Teil der Tunnelspitze auf dem Substrat als Nanometerstruktur deponieren. Gemäss einem besonderen Ausführungsbeispiel wird ein ferromagnetisches Material für die Tunnelspitze gewählt, so dass sich auf der Substratoberflache ferromagnetische Nanometerstrukturen ergeben. Solche Strukturen lassen sich durch magnetische Kraftmessung nachweisen,
    [0031] Zur Durchführung des beschriebenen Verfahrens eignet sich z.B. eine Positionier- und Rastervorrichtung, wie sie anhand der Figuren 7 und 8 im folgenden beschrieben wird.
    [0032] Danach ist im wesentlichen ein Linearmotor, bestehend aus einer Spule 40 und einem Magnet 41 mit einem Keil 42 vorgesehen, wobei der Keil eine Klappvorrichtung betätigt mit dem darauf befindlichen Substrat oder dem Werkstück 49. Die auf einer horizontalen Achse B gelagerte Klappvorrichtung schwenkt je nach Position des Keils 42 in vertikaler Richtung und lässt sich so durch entsprechende Steuerung der
    [0033] Spule 40 sehr präzis an die Tunnelspitze 2 annähern oder von ihr entfernen. Das Substrat oder das Werkstück 49 liegen auf einem Substrathalter 48, der mit einem weiteren Linearmotor verbunden ist. Er besteht aus einem weiteren Permanentmagneten 43 und einer Spule 44 und dient zur eindimensionalen horizontalen Verschiebung des Substrathalters 48.
    [0034] Zur Führung des Keils 42 auf der Basis 51 und gegenüber der Klappvorrichtung sind an den Gleitflächen zwischen diesen Teilen Kugeln 52 und 53 vorgesehen. Auf der Oberseite der Klappvorrichtung kann eine weitere Bewegungsvorrichtung angebracht sein, um eine zweldimensionale horizontale Bewegung des Substrathalters 48 relativ zur Tunnelspitze zu erreichen. Die Tunnelspitze 2 ist über einen Piezostab 46 an einem um eine Achse A umklappbaren Rasterkopf 45 befestigt. Die Klappvorrichtung erlaubt ein einfaches Manipulieren am Substrathalter nach Wegklappen des Rasterkopfes 45.
    [0035] Die Permanentmagnete 41 und 43 sind im Beispiel aus Cobalt- Samarium gefertigt. Der Keile 53 besteht Im Beispiel aus Glaskeramik (z.B. "MACOR"). Als Antriebsimpulse für die Spule wurden z.B. Spannungsimpulse von 15 Volt und einer Pulsbreite von 150 μs verwendet. Die typische Pulsfolgefrequenz lag zwischen 50 und 500 Hz.
    [0036] Mit Hilfe der beschriebenen Bewegungsvorrichtung lässt sich die Tunnelspitze 2 gemäss Fig. 1 reproduzierbar bis auf den Nanometerbereich an die Substratoberfläche 1 annähern.
    [0037] Die Bearbeitung grösserer Flächenelemente erfolgt durch Vorpositionieren des Substrats im μm-Bereich mit Hilfe der magnetischen Antriebe 43, 44 und anschliessende Fein- Positionierung im nm-Bereich mittels piezoelektrischer Elemente. Der Substrathalter 48 wird durch den magnetischen Antrieb 40 im μm-Bereich relativ zur Tunnelspitze 2 eingestellt. Die Feinpositionierung im nm-Bereich erfolgt durch das Piezoelement 45, gemäss den Betriebskriterien für ein Tunnelmikroskop fein nachgestellt. Fig. 9 zeigt eine perspektivische Ansicht der beschriebenen Bauteile. Es ist die um die Achse B horizontal gelagerte Klappvorichtung für den Substrathalter 48 zu erkennen. Der Keil ist verdeckt. Nur die Spule 40 ist zu sehen. Dargestellt wurde auch die Einrichtung für die eindimensionale horizontale Bewegung des Substrathalters 48, bestehend aus der Spule 44 und dem Permanentmagneten 43. Weiter sind der um die Achse A wegklappbare Rasterkopf mit x-y-Raster- einrichtung 47 zu erkennen, sowie der z-Piezostab 46, an dem die Tunnelspitze 2 befestigt ist.
    [0038] Der gesamte Abtast-, Mess- und Regelvorgang der bisher beschriebenen Vorrichtung wird durch die im folgenden dargestellten Elemente unterstützt, die um einen zentralen Rechner 60 gruppiert sind und mit diesem zusammenwirken.
    [0039] Die das Tunnelmikroskop betreffende Regelung erfolgt in einem Regelsystem 62, welches den Tunnelstrom IT zwischen der Tunnelspitze 2 und dem Substrat 1 laufend misst und ihn durch Nachregeln der Position der Tunnelspitze 2 über die Piezospannung Up für das Piezoelement 46 konstant hält. Dieses Nachführsignal wird auch als Messsignal M verwendet. Es enthält die Information über die Höhe der Abtastspitze über der Materialoberflache. Das Signal M wird dem Rechner 60 zugeführt und dort mit den Koordinatenwerten für den Verlauf der Rasterbewegung zwischen der Tunnelspitze 2 und der Oberfläche des Substrats 1 in Beziehung gebracht, so dass sich eine vollständige Darstellung des Höhenprofils auf dem Substrat 1 ergibt.
    [0040] Zur Ableitung entsprechender koordinatenbezogener Piezospannungen UPx und UPy für die Steuerung der piezoelektrischen Positioniereinrichtung 47 zur rasterförmigen Abtastung des Substrats 1 in X- und Y-Richtung dient eine PiezoSteuerung 68. Die als Stellsignale ausgelegten Piezospannungen werden aus entsprechenden Steuersignalen abgeleitet, welche vom Rechner 60 geliefert werden.
    [0041] Zur Steuerung der weiter oben erwähnten Grobpositionierung des Substrats 1 bezüglich seiner Höhendistanz zur Tunnelspitze 2 mit Hilfe des elektromagnetischen Linearantriebs Ist eine Antriebssteuerung 64 vorgesehen, welche aus den vom Rechner 60 erhaltenen Signalen Stellsignale, vorzugsweise Stellimpulse, für die Magnetspule 40 ableitet.
    [0042] Am Rechner 60 sind Ausgabe-Einrichtungen 66 angeschlossen zur Anzeige, zum Ausdrucken oder zum Abspeichern der erhaltenen Höhendistanzprofile bzw. der Positionen von Strukturen.
    [0043] Mit der beschriebenen Anordnung konnte eine laterale Auflösung im Bereich von ca. 0,1 bis 100 nm erreicht werden.
    权利要求:
    Claims
    P A T E N T A N S P R Ü C H E 1. Verfahren zur Erzeugung von Oberflächenstrukturen auf elektrisch leitenden oder halbleitenden Substratoberflächen im Bereich atomarer Dimensionen mit einem feinen Elektronen strahl, unter Verwendung eines Rastertunnelmikroskops, dadurch gekennzeichnet, dass an ausgewählten Bereichen der Substratoberfläche,welche in Nanometerdimensionenliegen, hohe lokale Stromdichten von Tunnelelektronen im Elektronen voltbereich erzeugt und damit Phasenumwandlungen thermisch eingeleitet werden. 2.
    Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Substratoberflächean den ausgewählten Positionen durch Anwendung des Tunneleffekts geschmolzen und anschliessend so rasch wieder abgekühlt wird, dass sich amorphe Strukturen bilden oder erhalten. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Substratoberflächean den ausgewählten Positionen durch Anwendung des Tunneleffekts geschmolzen und so langsam abge kühlt wird, dass sich kristalline Strukturen bilden oder erhalten bleiben. 4.
    Verfahren nach Anspruch 1',-dadurch gekennzeichnet, dass die Substratoberflächean den ausgewählten Positionen durch Anwendung des Tunneleffekts geschmolzen und im geschmolzenen Zustand elektrischen Feldern ausgesetzt wird, wodurch die Substratoberflächean diesen Positionen durch Auftreten elektrostatischer Effekte von der Tunnelspitze angezogen wird, und dass die verformte Substratoberflächedaraufhin zum Erstarren gebracht wird. 5.
    Verfahren nach Anspruch 1, angewendet auf eine Legierung, dadurch gekennzeichnet, dass die Substratoberflächean den ausgewählten Positionen durch Anwendung des Tunneleffekts geschmolzen wird und im geschmolzenen Zustand mindestens eine Legierungskomponente zum Segregieren oder Migrerenan die Oberfläche veranlasst wird. 6. Verfahren nach Anspruch 4,- dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlung auf Strukturen- angewendet wird, die auf der Substratoberflächebereits vorhanden sind, wodurch diese ganz oder teilweise überschrieben werden. 7.
    Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Tunnelspitze, die einen niedrigeren Schmelzpunkt auf weist als das zu behandelnde Substrat, an ihrer der Substrat oberfläche zugewandten äussersten Spitze durch Anwendung des Tunneleffekts zum Schmelzen gebracht wird und dass unter dem Einfluss des elektrischen Feldes geschmolzenes Tunnelspitzen material auf der Substratoberflächedeponiert wird. B. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Tunnelspitze ferromagnetischesmaterialenthält.
    9. Substratoberfläche,behandelt nach dem Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, dass sie an den behandelten Positionen eine höhere Magnetisierung aufweist als auf der umgebenden Oberfläche. 10.
    Vorrichtung mit einem Raster-Tunnelmikroskopund einer Tunnelspitze zur Erzeugung von Oberflächenstrukturen auf elektrisch leitenden oder halbleitenden Substratoberflächen im Bereich atomarer Dimensionen mit einem feinen Elektronen strahl, dadurch gekennzeichnet, dass die Tunnelspitze (2) mit einer steuerbaren Positioniervorrichtung(40, 41, 46, 62) zum gegenseitigen Annähern zwischen Substratoberfläche (1) und der Tunnelspitze (2) bis auf Nanometerdistanzver bunden ist, dass die Positioniervorrichtungmit einem vom Tunnelstrom ITbeeinflussten Regelsystem (62, 64, 2) zur Nachführung der Tunnelspitze (2)
    in Verbindung steht und dass eine messsignaleinrichtung(62) zum Ableiten eines Messsignals(M)aus dem Nachführsignalfür die Tunnelspitze (2) an einen Rechner (60) zur Zuordnung der Messwertezu entsprechend:en.-Abtastpositionenangeschlossen ist. 11. Vorrichtung nach Anspruch 1-, dadurch gekennzeichnet, dass dass impulsgesteuert angetriebene Bewegungselemente (40, 41; 43, 44) über- mechanische Koppelglieder (42, 53) mit dem Sübstrathalter(48) oder der Tunnelspitze (2) in Ver bindung, stehen. 12.
    Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die mechanischen Koppelglieder (42, 53) mit Mitteln (53) zur Weguntersetzungversehen sind. 13. Vorrichtungmit einem Raster-Tunnelmikroskopund einer Tunnelspitze zur Erzeugung von Oberflächenstrukturen auf elektrisch leitenden oder halbleitenden Substratoberflächen im Bereich atomarer Dimensionen mit einem feinen Elektronen strahl, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erreichung einer gesteuerten Relativbewegung zwischen den am Tunneleffekt beteiligten Elementen (1, 2) eine um eine horizontale Achse (B) gelagerte Klappe (43, 64, 68.)vorgesehen ist, welche eines der--amTunneleffekt beteiligten Elemente (1)
    aufnimmt, und dass zur Verstellungder Klappe relativ zum zweiten am Tunneleffekt beteiligten Element (2) ein gesteuert ver schiebbarer und an der Klappe angreifenderKeil (62) vor gesehen ist. 14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Keil (62) mit einem Permanentmagneten (41) ver bunden ist, der in eine Spule (40) ragt und durch Strom impulse bewegbar ist. 15. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Klappe eine Bewegungsvorrichtung für eine zweidimensionale horizontale Bewegung eines der am Tunnel effekt beteiligten Elemente angebracht ist. 16. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Klappe ein Substrathalter(68) angebracht ist. 17.
    Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Tunnelspitze (2) an einem um eine Achse (A) vom Substrathalter(68) wegklappbaren Rasterkopf (45, 46, 47) angebracht ist. 18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Rasterkopf (45, 46, 47) auswechselbar ist. 19. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Tunnelspitze (2) aus einem ferromagnetischen Material besteht.
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    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    CH486886||1986-12-07||
    CH4868/86-1||1986-12-07||AT87907732T| AT66092T|1986-12-07|1987-12-07|Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von materialstrukturen im bereich atomarer dimensionen.|
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