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    公开号:WO1988001425A1
    申请号:PCT/JP1987/000620
    申请日:1987-08-21
    公开日:1988-02-25
    发明作者:Kunihiko Mizumoto；Hirokazu Kajiura；Yuji Togami；Nobuo Saito
    申请人:Mitsui Petrochemical Industries, Ltd.；Nippon Hoso Kyokai；
    IPC主号:G11B11-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書 光磁気記録媒休ぉょびその製造方法 技 術 分 野
    [0002] 本発明は、 光磁気記録媒体ぉょびその製造方法に鬨し、 さ らに詳しくは、 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶 質合金薄膜からなる光磁気記録媒体ぉょびその製造方法に閧 する。
    [0003] 背 景 技 術
    [0004] 鉄、 コバルトなどの遷移金属 -と、 テルビゥム （T b ) 、 ガ ドリニゥム,:（ G d ) などの希土類元素との合金からなる非晶 質薄膜は、 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、 ー方向に 全面磁化された膜面にこの全面磁化方向とは途向きの小さな 反転磁区を形成することができることが知られてぃる。 この 反転磁区の有無を 「 1」 、 「0」 に対応させることにょって、 上記のょぅな非晶質薄腠にデジタル信号を記録させることが 可能となる。
    [0005] このょぅな光磁気記録媒休として用ぃられる遷移金属と希 土類元素とからなる非晶質薄膜としては、 たとぇば特公 ¾
    [0006] 5 7— 2 0 6 9 1号公報に 1 5〜3 0 a t。 の丁 を含 む T b — F e系合金非晶賓薄膜が譖示されてぃる， この非晶 質薄膜に用ぃられてぃる希土類元素としての T bは、 希土鑲 元素のぅちではぃゎゅる重希土菜元素に分類されてぃる。 こ の J ぅな重希土類元素と、 鉄、 コバルトなどの遷移金属との 合金からなる光磁気記録媒体は広く研究されてぃる。
    [0007] ところが同じ希土類元素でぁっても E u以下のぃゎゅる軽 希土類元素と遷移金属との合金からなる光磁気記録媒体は、 ぁまり研究されてぉらず、 ゎずかに Nd_Fe系合金非晶質 薄膜、 N d— F e— C o系合金非晶.質薄膜が光磁気記録媒体 と して用ぃられぅることが、 たとぇば Appし Phys.57 3906 ( 1 85 ) などに報告されてぃるにすぎなぃ。 こ の N d— F e系ぁるぃは N d— F e— C o系合金非晶質薄膜 からなる光磁気記録媒体は、 Ndが比較的安僳でぁるととも に、 カー回転角^ k が大きく虔れた読み出し性能（CZN比） を有してぉり、 光磁気記録媒体として期待されてぃる。
    [0008] ところがこの Nd— Fe系ぁるぃは Nd— Fe— C o系合 金非晶質薄膜は、 その成膜時に基板温度を高めなぃと、 基板 上に、 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜を 形成することができなぃとぃぅ問題点がぁった。 （ （洌：電 気学会マグネティ ックス研究会資料 MAG— 5 1 -91 P L 7 ( 1985 ) 〉 もし基扳を加熱した状憨にしなければ、 基板上に垂直磁化膜を形成することができなぃと、 たとぇば プラスチ、 クスなどの耐煞性に劣る有檨材料からなる基板上 には垂直磁化膜を形成することができなぃ。
    [0009] またこの Nd— Fe系ぁるぃは Nd— F e— C o系合金非 晶質薄膜は、 優れた磁気特性を有してぃるが、 さらに垂直磁 気異方性ェネルギー K u、 保磁カ HC 、 ぉょび饞和磁化 Ms の改良が望まれてぃた。
    [0010] さらにこの N d— F e系ぁるぃは N d— F e— C o系合金 非晶質薄膜は、 そのー成分として F eを含有するため、 酸化 劣化にょりその磁気特性が低下するとぃぅ恐れがぁるとぃぅ 問題点がぁった。
    [0011] ところで特開昭ら 1 ー 1 6'ョ 84 7号公報には、 組成式 ( S m , N d . P r . C e 〉 】_χ
    [0012] ( T b , G d , D y ] y ( F e， C o , N i 〉 ト、， （式 中〇< ^ 0. 5. 0. l≤ y≤ 0. 4でぁる〉 で表ゎされ る、 軽希土類金属 Sm. Nd, P r , C eのぅち 1種類以上、 遷移金属 F e , i , C οのぅち 1種類以上ぉょび重希土類 金属 T b , Gd, Dyのぅち 1種類以上からなる光磁気記録 媒体が開示されてぃる。 してこの公報では、 実施例として ( Ndx DV1_J Λ 5F eA からなる光磁気記録媒休が開 示されてぃる。
    [0013] ところが上記特開昭 6 1 - 1 6 5847号公報には N d— D y - F e系光磁気記録媒体しか具体的に開示されてぉらず、 また特に N d - D y— C o系光磁気記録媒体では上記組成範 囲の場合に、 カー回転角にっぃては满足のぃく値を有してぃ るが、 保磁カが小さく、 このため外部磁気の影響を受けて記 録が消滅する恐れがぁるとぃぅ大きな問題点がぁることが本 発明者らにょって見出された。
    [0014] 本発明者らは、 上記のょぅな問題点をー挙に解決すべく鋭 意研究したところ、 N d— F e系または N d— F e— C o系 合金にさらに特定の重希土類元素を特定量で含有させてなる 光磁気記録媒 、 ぁるぃは新たな N'd— Dy— C o系の合金 非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体では、 上記の問題点が解 決されることを見岀して、 本発明を完成するに至った，
    [0015] 本発明は、 上記のょぅな従来技術に伴ぅ問題点を解決しょ ぅとするものでぁって、 酸化劣化にょる磁気1性の低下の恐 れがなく、 しかも成膜時に基扳温度を高めなくとも基扳上に 慶れた磁気特性を有する垂直磁化膜を形成でき、 しかも保磁 カに慶れた、 合金非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体ならび にその製這方法を提供することを目的としてぃる。
    [0016] 発明の開示
    [0017] 本発明に係る第 1の光磁気記録媒体は、 膜面に垂直な方向 に磁化容易軸を有する Nd— Dy— C o系合金薄膜からなり、 この合金薄膜の組成を Ndx Dyy Co, として表ゎした場 合に、 xZ y+Z (原子比〉 が 0. 01〜0. 2でぁるとと もに y. x÷y （原子比〉 が 0. L-0. 3でぁり、 かっ x /y (原子比) が 1未潢でぁることを特徴としてぃる。
    [0018] 本発明に係る第 2の光磁気記録媒体は、 膜面に垂直な方向 に磁化容易軸を有する？ d— M— F e系合金薄膜（式中 は Tb、 Dyまたは Hoでぁる） からなり、 この合金薄膜組成 を Ndx My Fe7 として表ゎした場合に、 X/Z (原子比〉 が 0. 5未溝でぁるとともに y/x+y+z (原子比〉が 0. 1〜 0. 3でぁり、 かっ Zy (原子比〉 が 1未溝でぁることを 特徴としてぃる。 本発明に係る第 3の光磁気記録媒 ^は、 膜面に垂直な方向 に磁化容易軸を有する Nd—: VI— F e - C o系合金薄獏 （式 中 Mは Tb、 Dyまたは Hoでぁる〉 からなり、 この合金薄 獏組成を Nc y F e z C として表ゎした場合に、 X/ ζ-Ώ (原子比〉 が ο . 5未潢でぁるとともに y.'x y- oi (原 子比〉 が 0. ι〜ο. 3でぁり、 かっ X s (原子比〉 が 1 未満でぁることを特徴としてぃる。
    [0019] さらに本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法は、 基扳温 度を 15 (TC以下に保ちながら、 基扳上に、 上記のょぅな ： d - Dy— C o系合金薄膜、 ぁるぃは上記のょぅな — M— F e系合金薄膜または N d - - F e - C o系合金薄膜 (式中 Mは Tb、 Dyまたは Hoでぁる〉 を被着させること を特徴としてぃる。
    [0020] 本発明に係る光磁気記録媒体は、 膜面に垂直な方向に磁化 容易軸を有する特定組成の Nd - Dy— C o系合金薄膜、 ぁ る 、は特定組成の N d-M-F e系合金薄膜または N d- ー F e—C o系合金薄膜からなってぃるので、 酸化劣化にょ る磁気持性の低下の恐れがなく、 しかも基扳上に該薄膜を成 膜するに際して、 基扳を加熟する必要がなく、 したがって、 プラスチックスなどの有機材料からなる基扳上にも前記合金 薄膜を形成することができる。 しカ >も、 本発明に係る合金薄 膜からなる光磁気記録媒体は、 垂直磁気異方性ェネルギー、 保磁カならびに飽和磁化などの点、 特に保磁カの点で優れた 磁気特性を有してぃる。 - 面の簡阜な説ョ月
    [0021] 第 1図ぉょび第 2図は、 本発明に係る光磁気記録媒体の カ一 . ヒステリシスループを示す図でぁる。
    [0022] 発 g月を実旃するための最良の形態
    [0023] 以下本発明に係る光磁気記録媒体ぉょびその製造方法にっ ぃて具体的に説明する。
    [0024] 本発明に係る第 1の光磁気記録媒体は、 膜面に垂直な方向 に磁化容易軸を有する > d— D y— C o系合金、薄膜からなっ てぃる。
    [0025] d— Co系合金薄膜からなる垂直磁化膜に、 Dyを添加 することにょって、 この薄膜を基板上に成膜するに際して、 基板温度を上げる必要がなく、 室温程度の温度にぉぃても基 板上に上記薄膜を成膜することができる。
    [0026] また N d— C o系にひ yを添加すると、 得られる垂直磁化 膜の垂直磁気異方性ェネルギー Kuが大きくなるとともに鉋 和磁化 M sは小さくなり、 しかも保磁方 H cは大きくなつて、 微小磁区が安定に存在できるょぅになる 3 このため、 この垂 直磁化膜を補償温度記録材料として用ぃることが可能となり、 高密度磁気記録をすることカ^可能となる。
    [0027] この N'd— D y— C o系合金薄膜の組成を Ndx Dyy C o z として表ゎした場合に、 Ndの舍有率でぁる x/x+y+z (原子比〉 は 0 . 0 1〜0. 2好ましくは 0. 0 5〜 〇 . 18でぁるとともに D yの含有率でぁる y/X +Z (原子 比〉 は◦ . 1〜0. 3でぁり、 かっ Ndと Dyとの原子比で ぁる -x/y (原子比〉 は 1未満でぁる
    [0028] 上記のょぅな組成範囲で — Dy— C o系合金薄膜を形 成すると、 カー ' ヒステリシスが良好な角形ループを示し、 しかも保磁カに優れた垂直磁化膜が得られる 3
    [0029] さらに場合にょっては、 N d— Dy—C o系合金薄膜に、 第 4成分として、 他の重希土頜元素を加ぇることも可能でぁ る， このょぅな重希土頷元素としては、 Gd、 Tb、 Hoな どが用ぃられる 重希土類元素を加ぇることにょって、 キュ リ一温度 （Tc〉 ぉょび補償温度 （Tc omp〉 を制御する ことができる。
    [0030] さらにまた場合にょっては、 Nd— Dy— C o系合金薄膜 に、 第 4成分として、 T i、 C rなどの金属を加ぇることも 可能でぁり、 このょぅな金属を加ぇることにょって、 合金薄 膜の耐腐食性を向上させることができる。
    [0031] 本発明に係る第 2の光磁気記録.媒 は、 膜面に垂直な方向 に磁化容易軸を有する N d-M-Fe系合金薄膜 （式中、 ： VI は Tb、 Dyまたは Hoでぁる〉 からなってぃる
    [0032] Nd— Fe系合金薄膜からなる垂直磁化膜に、 Tb、 Dy または H oを添加することにょって、 この薄膜を基板上に成 膜するに際して、 基板温度を上げる必要がなく、 室温程度の 温度にぉぃても基板上に上記薄膜を成膜することができる。
    [0033] また N d— F e系に T b、 D yまたは H oを特定量で添加 すると、 得られる垂直磁化膜の垂直磁気異方性ェネルギー uが大き <なるとともに飽和磁化 M sは小さくなり、 か も保磁カ H cは大きくなって、 微小磁区が安定に存在できる ょぅになる。 このため、 この垂直磁化膜に高密度磁気記録を することが可能となる，
    [0034] この Nd— M— F e系合金薄膜を Ndx Mv F e 7 として 表ゎした場合に、 N dz^F e (原子比〉 でぁる：/Z は◦ . 5 未満好ましくは◦ . 1〜 0. ·4でぁると 'と に Μの含有率で ぁる y/x （原子比》 は◦ . 1〜0. 3でぁる。 また N d と との原子比でぁる X / y (原子比 ) は 1未溝でぁる。 も し x/'y (原子比〉 が 1以上でぁると、 得られる光磁気記録 媒体の保磁カは 1 K〇e未潢と小さく、 外部磁気の影嚳を受 けて記録が消滅する恐れがぁると.ぃぅ大きな問題点を生じて しまぅ。
    [0035] さらに Mが D yまたは H oでぁる場合には、 N dの含有率 でぁる x/x+y+Z (原子比〉 は 0. 1〜0. 4でぁることが好 ましく、 Mが Tbでぁる場合には、 N dの含有率でぁる Y-Z (原子比〉 は 0. 05〜0. 3でぁることが好ましぃ。
    [0036] 上記のょぅな組成範囲で N d— M— F e系合金薄膜を形成 すると、 カー · ヒステリシスが良好な角形ループを示すとと もに、 保磁カに镊れた垂直磁化膜が得られる。
    [0037] 本発明に係る第 3の光磁気記録媒体は、 膜面に垂直な方向 に磁化容易軸を有する Nd— M_F e—C o系合金薄腠 (式 中、 Mは Tb、 D yまたは Hoでぁる） からなってぃる。
    [0038] Nd-M- F e系合金薄膜に、 C oを添加することにょっ て、 得られる薄膜のカー回転角 を大きくすることができ る。 - この Nd— F e— C o系合金薄膜は、 Nd— M— F e 系合金薄膜と同様に、 この薄膜を基板上に成膜するに際して、 基板温度を上げる必要がなく、 室温程度の温度にぉぃても基 板上に上記薄膜を成膜することができる。
    [0039] この N d— M— F e— C o系合金薄膜を N d X My F e z C 0 (n として表ゎした場合に、 NdZF e +C o (原子比〉 でぁる X/Z は 0. 5未満でぁるとともに Mの含有率でぁる (原子比〉 は◦ . ι〜ο. 3でぁる。 また Ndと
    [0040] Mとの原子比でぁる xZy (原子比） は 1未潢でぁる。 もし κ y (原子比〉 が 1以上でぁると-、 得られる光磁気記録媒 体の保磁カは 1 K〇e未満と小さく、 外都磁気の影響を受け て記録が消滅する恐れがぁるとぃぅ大きな問題点を生じてし まぅ。
    [0041] さらに Mが Dyまたは Hoでぁる場合には、 Ndの含有率 でぁる x/x+y+z+m (原子比〉 は◦ . 1〜0. 4でぁることが 好ましく、 ： VIが Tbでぁる場合には、 Ndの含有率でぁる X/ x + z (原子比〉 は 0. 05〜0. 3でぁることが好まし ぃ。
    [0042] 上記のょぅな組成範囲で Nd— M—F e— C o系合金薄膜 を形成すると、 カ一， ヒステリシスが良好な角形ルーァを示 す垂直磁化膜が得られる。
    [0043] また Nd— F e— C o系に Tb、 Dyまたは Hoを上記の ょぅな特定量で添加すると、 得られる垂直磁化膜の垂直磁気 異方性ェネルギー K Liが大きくなるとともに飽和磁化 M sは 小さくなり、 しかも保磁カ Heは大きくなって、 微小磁区が 安定に存在できるょぅになる。 このため、 この垂直磁化膜に 高密度磁気記録をすることが可能となる。
    [0044] なぉ、 本明細書にぉぃて、 カー ' ヒステリシス （最大外部 磁塲 1 O Oe；磁場掃引周波数◦.. 04 H z〉 が良好な角 形ルーァを示すか否かの判定は、 以下のょぅにして行なぅ。 本発明に係る光磁気記録媒体のカー ' ヒステリシスを図示し た場合に、 最大外部磁場にぉけるカー回転角でぁる飽和カー 回転角 （ ( k ) と外部磁場ゼロにぉけるカー回転角でぁる 残留カー回転角 （ ^k > との比 //< k1 が 0. 8以 上でぁる場合に良好でぁると判定し、 が 0. 8未潢でぁる場合に不良でぁると判定した。
    [0045] 次に、 本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法にっぃて說 明する。
    [0046] 本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法では、 基板温度を
    [0047] 15 CTC以下、 場合にょっては 20〜30°Cに保ちながら、 基板上に、 上記のょぅな Nd— Dy— Co系合金薄膜、 ぁる ぃは上記のょ な] NT d— M— F e系合金薄膜または N d— M —Fe— Co系合金薄膜（式中 は、 Tb、 Dyまたは Ho でぁる〉 を被着させる。 Nd— Dy— Co系合金薄腠、 ぁる ぃは Nd— M— Fe系合金薄膜または Nd— M— F e— C o 系合金薄膜を基板上に被着させるには、 スパックリング法ぁ る、 は電子ビ一ム蒸着法など従来公知の成胰条件を採用する こどができる
    [0048] このょぅに本発明では、 基板温度を 1 5 (TC以下、 竭合に ょっては 2 0〜 3 0。C程度に保っても、 基板上に、 N d— D y - C o系合金薄膜ぁるぃは N d— M— F e系合金薄膜ま たは N d— M— F e - C o系合金薄膜からなる垂直磁化膜を 形成することができるため、 ポリカーボネ一卜、 ポリァクリ ルぁるぃはェホ。キシに代表されるプラスチックスなどの有機 材料からなる基板上にも上記の垂直磁化膜を形成することも できる。 なぉ本発明では、 耐熟性基板を用ぃる場合には、 基 板温度を上げた状態でも基板上に上記のょぅな垂直磁化膜を 形成することができる。
    [0049] スパッタリング法で基板上に垂直磁化膜を被着させるに際 して、 基板温度を 1 5 0。C以下、 場合にょっては 2 0〜3〇 程度に保っには、 通常水などにょって基板を積極的に冷却 することが好ましぃ。
    [0050] またスパッタリング時に、 基扳を負電位になるょぅにバィ ァスすることもできる。 このょぅにすると、 電界で加速され たァ /レゴンなどの不话性ガスィォンはターゲット物質ばかり でなく成膜されっっぁる垂直磁化膜をもたたくことになり、 優れた特性を有する垂直磁化膜が得られることがぁる。
    [0051] 発明の効果
    [0052] 本発明に係る光磁気記録媒体は、 膜面に垂直な方向に磁化 容易軸を有する特定組成の N d - D y - C o系合金薄膜ぁる ぃは特定組成の N' d— M - F e系合金薄膜または特定組成の d-— M— F e— C o系合金薄膜からなってぃるので、 酸化 劣化にょる磁気特性の低下の恐れがなく、 かっ基扳上に該薄 膜を成腠するに際して、 基扳を加煞する必要がなく、 した がってプラスチツクスなどの有機材料からなる基板上にも前 記合金薄膜を形成することができる。 しかも、 本発明に係る 合金薄膜からなる光磁気記録媒体は： '垂直磁気異 -方性ェネル ギー、 保磁カならびに鉋和磁化などの点、 特に保磁カの点で 優れた磁気特性を有してぃる。
    [0053] 以下本発明を実施例にょり説明するが、 本発明はこれら実 施例に.限定されるものではなぃ。
    [0054] 実施洌 1
    [0055] タ一ゲッ卜として： Coターゲッ卜上に Nd、 Dyのチッ プを所定割^：で配置した複合ターデツ卜を用ぃ、 ガラス基板 上に Nd— Dy— Co三元合金膜からなる垂直磁化膜を被着 させた。 成膜条件としては、 基板を水冷しながら 20〜3◦ 'Cに保ち、 ァルゴン圧 1 mTo r rの下でマグネトロン · ス パッタリング法を探用して行なった。
    [0056] その結杲、 以下のょぅな極めて良好な磁気光学特性を有す る膜が得られた。
    [0057] 膜組成比… Nd Dy2SC oS3 (原子比〉
    [0058] 保磁カ He…： L. OKOe
    [0059] カ一回転角 k ···〇· 28°
    [0060] カー ' ヒステリシスル一プの角形性…良好
    [0061] なぉ、 '膜組成比は、 I CP発光分析にょり求め、 カー回転 角はガラス基扳 ϋから測定した残留カー回転角の値でぁる。 なぉ、 第 1図にカー ' ヒステリシスループを示す，
    [0062] 実施例 2〜 5
    [0063] 実施例 1と同様にして、 組成の異なる N d D y C ο三 元合金膜を基板上に被着させた， 得られた膜の膜組成ぉょび 磁気光学特性を表 1に示す
    [0064] _ 1
    [0065] 1〜2
    [0066] 以下のょぅな耝成を有する N d— D y— C o三元合金膜を 実施例 1と同樣にして、 基板上に被着させた。
    [0067] 得られた膜の膜組成ぉょび磁気光学特性を表 2に示す。
    [0068] 2
    [0069]
    [0070] この比較例 Lでは、 N dの含有率でぁる X/X ÷Z (原子比〉 が◦ . 2以上でぁるため、 カー ' ヒステリシスル一プの角形 性に乱れが生じてぃた。 また比較例 2では D yの含有率でぁ る y/x （原子比) が 0 . 3以上でぁるため、 カー . ヒス テリシスルーァの角形性に乱れが生じてぃた。 ー 1
    [0071] 比糊 3
    [0072] ターゲットとして、 C oターゲッ 卜上に N dのチッァを所 定割合で配置した複合ターゲッ 卜を用ぃ、 基板を水冷しなが ら 20〜30。Cに保って、 実施例 Iと同様にしてガラス基扳 上に N d— C o合金膜を被着させた。
    [0073] 得られた N' d - C o合金膜は、 容易磁化の方向が膜面に平 行になってぃることが振動試料型磁カ計 （ VSM ) にょって 確認された
    [0074] 結果を表 3に示す。
    [0075] 表 3
    [0076]
    [0077] 夷議 6
    [0078] タ一ゲットとして、 F eタ一ゲッ ト ト.に>^ d、 T b、 C o のチ プを所定劄合で配置した複合ターゲットを用ぃ、 ガラ ス基板上に Nd— Tb_Fe— C o四元合金膜からなる垂直 磁化嫫を被着させた。 成胰条件としては、 基坂を水冷しなが ら 20〜 30。Cに保ち、 基板にバィァス電位一 30 Vを印加 し、 ァルゴン圧 Ι ΟιηΤο r rの下でスパッタリング法を採 用して行なった。
    [0079] その結果、 以下のょぅな極めて良好な磁気光学特性を有す る膜が得られた。
    [0080] 膜組成比ー1^(119丁ヒ21 643( 013 (原子比〉 - 保磁カ Hc〜： L . 4KOe
    [0081] カ一回転角 <9k… 26。
    [0082] カー . ヒステリシスループの角形性…良好
    [0083] なぉ、 膜組成比は、 I CP発光分析にょり求め、 カー回転 角はガラス基板側から測定した残啻カー回転角の値でぁる。
    [0084] なぉ、 第 2図にカー · ヒステリシスループを示す。
    [0085] '実施例 7〜8
    [0086] 実施洌 6と同様にして、 組成の異なる Nd— Tb— Fe— C o四元合金膜を基板上に被着させた。 得られた膜の膜組成 ぉょび磁気光学特性を表 4に示す。
    [0087] 比較例 4〜 5 ·
    [0088] 実施例 6と同様にして、 xZy (原子比） が Lょり大きぃ Nd-Tb-Fe-Co四元合金膜を基板上に被着させた。 得られた膜の膜組成ぉょび磁気光学特性を表 4に示す。
    [0089]
    [0090] tt 6〜ァ
    [0091] 実施洌 6と同様にして、 xZy (原子比） が 1ょり大きぃ Nd Tb Fe C o四元合金膜を基板上に成膜した。 な ぉ、 バィァス電位に関しては、 OVとした。
    [0092] 得られた膜の膜組成ぉょび磁気光学特性を表 5に示す。 表
    [0093] s〜9
    [0094] Nd/Fe+Co>l//2となるょぅにNd— Tb— Fe ー C o四元合金膜を実施例 6と同様に基板上に成膜した。
    [0095] 得られた膜の膜組成ぉょび磁気光学特性を表 6に示す。
    [0096] 比
    [0097] 腠 組 成 比 He (KOe) <9k (：。 ） 角形性 例
    [0098] 8 Nd28Tb17Fe39Co16 0. 32 0. 14 X
    [0099] 9 Nd30Tb2 Fe32Co14 0. 30 0. 12 X この場合には、 カー . ヒテリシスが良好な角形ループを示 さなくなってしまぅ。
    [0100] 比鮫例 10
    [0101] T b/N d+T b + F e +C oが◦ . 3ょり大となる Nd -Tb-F e -C o四元合金膜を実施例 6と同様に基板上に 成膜した。
    [0102] 得られた膜の膜組成ぉょび磁気光学特性を表 7に示す。 表 7
    [0103]
    [0104] この場合には、 カー · ヒステリシスが良好な角形ループを 示さなくなってしまぅ。
    [0105] 実旄例 9〜10
    [0106] ターゲッ卜として、 F eターゲッ卜上に Nd、 Tbのチッ プを所定割合で配置した複合ターゲットを用ぃ、 ガラス基板 上に — Tb— Fe三元合金膜からなる垂直磁化膜を被着 させた。 成膜条件としては、 基梗を水冷しながら 20〜30 。(：に保ち、 基板にバィァス電位一30Vを印加し、 ァルゴン 圧 1 OmTo r rの下でスパッタリング法を採用して行なっ た。
    [0107] - 得られた光磁気-記録媒体の膜組成比、 保磁カ He (KOe ) カー回転角^ k 〉 ぉょびカー ' ヒステリシスループの角 形性を測定した。
    [0108] 結果を表 8に示す。 表 S
    [0109]
    [0110] 比較例 1 1-13 .
    [0111] Nd/Fe> 1Z2となるょぅに Nd— Tb— Fe合金澳 を実旛洌 9と同様に基板上に成膜した。
    [0112] 得られた膜の膜組成ぉょび磁気光学特性を表 9に示す, 表 Q
    [0113] 比
    [0114] 膜 組 成 比 He ( Oe ) (° ) 角形性 例
    [0115] 11 a28rb19Fe53 X
    [0116] 12 Nd27Tb Fe51 x
    [0117] 13 Nd26Tb24Fe50 x
    [0118] ¾施例 1 1
    [0119] ターゲットとして、 Feターゲット上に Nd、 Dyのチッ プを所定割合で配置した複合ターゲットを用ぃ、 ガラス基板 上に N d— D y— F e三元合金膜からなる垂直磁化胰を被着 させた。 成膜条件としては、 基板を水冷しながら 20〜30 °Cに保ち、 基板にバィァス電位ー30Vを印加し、 ァルゴン 圧 1 OmTo r rの下でスパッタリング法を採用して行なっ た。
    [0120] 得られた光磁気記録媒体の膜組成比、 保磁カ H c ( K〇 e〉 カ一回転角 <9k (。 〉 ぉょび ー ' ヒステリシスルーァの角 形性を測定した
    [0121] 锆果を表 10に示す。 表 _ιο
    [0122]
    [0123] 実施例 12
    [0124] ターゲットとして、 Feターゲット上に Nd、 Dy、 Co のチップを所定割合で記置した複合 タ一ゲットを用ぃ、 ガ ラス基板上に N d-Dy-Fe-C o四元合金膜からなる垂 直磁化膜を被着させた。成膜条件としては、 基坂を水冷しな がら 20〜3 CTCに保ち、 基板にバィァス鼋位ー 30 Vを印 カ Bし、 ァルゴン圧 1 OinT o r rの下でスパッタリング法を 採用して行なった。 7. 得られた光磁気記録媒体の膜組成比、 保磁カ He O e ) カー回転角 (9 k 〉 ぉょびカー ' ヒステリシスル フ。の角 形性を澍定した。
    [0125] 結果を表 1 1に示す。
    [0126]
    [0127] 実麵 1 3
    [0128] ターゲットとして、 Feターゲット上に Nd、 Ho、 C o のチッァを所定割合で配置した複合タ一ゲットを用ぃ、 ガラ ス基板上に Nd— Ho— F e—C o四元合金膜からなる垂直 磁化胰を被着させた。 成膜条件としては、 基板を水冷しなが ら 20〜30 Cに保ち、 基板にバィァス電位—30Vを印加 し、 ァルゴン圧 1 OmTo r rの下でスパッタリング法を採 用して行なった。
    [0129] 得られた光磁気記録媒体の膜組成比、 保磁カ He (KOe ) カー回転角^ k 〉 ぉょびカー ' ヒステリシスルーァの角 形性を澍定した。
    [0130] 結杲を表 12に示す。 表 12
    [0131]
    [0132] 比較例 4
    [0133] ターゲットとして、 Feターゲット上に Ndのチップを所 定割合で配置した複合タ一ゲットを用ぃ、 基扳を水冷しなが ら 20〜 30°Cに保って、 実旄例 6と同様にしてガラス基板 上に N d— F e合金腠を被着させた。
    [0134] 得られた N d- F e合金胰は、 容易磁化の方向が膜面に平 行になってぃることが振動試料型磁カ計 （ V S M〉 にょって 確 15された。
    [0135] 鲛例 15
    [0136] ターゲットとして、 Feタ一ゲット上に Nd、 Coのチッ — — プ 所定割合で配置した複合ターゲットを用ぃ、 基扳を水冷 しながら 20〜3 CTCに保って、 実施例 6と同様にしてガラ ス基板上に Nd— F e— C ο合金膜を被着させた。
    [0137] 得られた Nd— F e— C o合金膜は、 容易磁化の方向が獏 面に平行になってぃることが振動試料型磁カ計 （ VSM) に ょって確認された-
    权利要求:
    Claims

    請求の範囲
    1) 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する Nd— Dy— Co系合金薄嫫からなり、 この合金薄胰の組成を Ndx D y C o7 と して表ゎした場合に、 x/x+y+z (原子比〉 が y
    05 0. ο ι〜ο. 2でぁるとともに y/x+y÷z (原子比〉 が
    0. 1〜0. 3でぁり、 かっ xZy (原子比） が 1未潢でぁ ることを特徴とする光磁気記録媒体
    2) 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する N d— : VI— F e 系合金薄膜（式中 Mは Tb、 Dyまたは Hoでぁる）からな
    10 り、 この合金薄膜の組成を Ndx My Fe7 として表ゎした 場合に、 X ZZ (原子^：) が 0. 5未潢でぁるとともに y/ y+z (原子比） が◦ . 1〜0. 3でぁり、 かっ x Zy (原子 比〉 が 1未満でぁることを特徴とする光磁気記録媒体。
    3) Nd— M— F e系合金薄膜の組成を Mdx My Fez と
    T5 して表ゎし、 Mが Dyまたは Hoでぁる場合に、 x/ + +z (原子比〉 が 0·， 1〜0. 4でぁる特許請求の範囲第 1項に 記載の光磁気記録媒体。
    4) Nd— M— Fe系合金薄膜の組成を Ndx My Fez と して表ゎし、 Mが Tbでぁる場合に、 (原子比〉 が 0 0. 05〜0. 3でぁる特許請求の範囲第 2項に記载の光磁 気記録媒体。
    5) 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する N d— M— F e -Co系合金薄膜（式中 Mは T b、 D yまたは H oでぁる） からなり、 この合金薄膜の組成を Ndx Μχ Fez C o^と して表ゎした場合に、 x/z- (原子比〉 が◦ . 5未満でぁる とともに y/xty+z+si (原子比〉 が 0. ι〜ο. 3でぁり、 か っ X /y (原子比〉 が 1未满でぁることを特徴とする光磁気 記録媒体。
    6) Nd - M— F e— C o系合金薄膜の組成を Ndx My F e 7 C om として表ゎし、 Mが Dyまたは Hoでぁる場合 に、 xzx ，Z (原子比〉 が◦ . 1〜0. 4でぁる特許請求 の範囲第 5項に記载の光磁気記録媒体。
    7) N d-M-F e -C o系合金薄膜の組成を N d χ My F ez C として表ゎし、 Mが Tbでぁる場合に、
    (原子比） が◦ . 05〜0. 3でぁる特許請求の範囲第 5項に記载の光磁気記録媒体。
    8) 基板温度を 150て以下に保ちながら、 基扳上に Nd— D y - C o系合金薄膜を被着させることを特徴とする光磁気 記録媒体製遣方法。
    9) N d - D y - C o系合金薄膜の組成を N dリ D yy C o 7 と して表ゎした場合に、 (原子比〉 が
    0. ο ι〜ο. 2でぁるとともに y/x+y （原子比〉 が
    〇. 1〜0. 3でぁり、 かっ xZy (原子比〉 が 1未满でぁ る特許請求の範囲第 8項に記载の光磁気記録媒体製造方法。
    10) 基板温度を 15 (TC以下に保ちながら、 基板上に Nd— M-Fe系合金または N d-M-Fe-Co系合金薄膜 （式 中 Mは、 Tb、 Dyまたは Hoでぁる〉 を被着させることを 特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 11) -Nd— M— F e系合金薄膜の組成を Ndx y F e z と して表ゎした場合に、 X ZZ (原子比)が 0. 5未潢でぁる とともに y/χ y+z (原子比〉 が ο. ι〜ο. 3でぁり、 かっ
    X ハ (原子比〉 が 1未潢でぁる特許請求の範囲第 10項 記载の光磁気記録媒体の製造方法。
    12) N d— M— F e系合金薄膜の組成を (± χ My F ez と して表ゎし . Mが D yまたは H oでぁる場合に、 X/X÷y+Z (原子比〉 が 0. 1〜0. 4でぁる特許請求の範囲第 10項 に記载の光磁気記録媒体の製造方法。
    13) N d— M— F e系合金薄膜の組成を N dx My F e z と して表ゎし、 Mが Tbでぁる場合に、 (原子比〉 が ◦ . ◦ 5〜0. 3でぁる特許請求の範囲第 1◦項に記載の光 磁気記録媒体の製造方法。
    14) N d— M— F e _C o系合金薄膜の組成を N dx My F e z C om として表ゎした場合に、 (原子比〉 が 〇. 5未潢でぁるとともに y/;+y+z (原子比） が 0. 1〜 〇 3でぁり、 かっ X Zy (原子比〉 が 1未満でぁる特許請 求の範囲第 ]_ 0項に記载の光磁気記録媒体の製造方法。
    15) N d— M— F e— C o系合金薄膜の組成を Ndx Mv F ez C o^ として表ゎし、 Mが D yまたは Hoでぁる場合 に、 X/X (原子比〉 が◦. 1〜0. 4でぁる特許請求 の範囲第 10項に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
    16) N d— M— F e— C o系合金薄膜の組成を N d My F e, C として表ゎし、 Mが Tbでぁる場合に、 x/X+y+ - (原子比〉 が0. 05〜0. 3でぁる特許請求の範囲第 項に記载の光磁気記録媒体の製造方法。
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0324854A4|1990-02-06|
    DE3788069T2|1994-06-01|
    US5053287A|1991-10-01|
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1988-02-25| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): US |
    1988-02-25| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE FR GB |
    1988-04-22| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1987905476 Country of ref document: EP |
    1989-07-26| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1987905476 Country of ref document: EP |
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    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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