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    公开号:WO1987007792A1
    申请号:PCT/DE1987/000216
    申请日:1987-05-09
    公开日:1987-12-17
    发明作者:Walter Kohl；Karl Nagel
    申请人:Robert Bosch Gmbh；
    IPC主号:H04B15-00
    专利说明:
    [0001] Schutzvorrichtung gegen Störsignale
    [0002] Stand der Technik
    [0003] Die Erfindung geht aus von einer Schutzvorrichtung gegen Störsignale für eine elektrische Schaltungsanordnung nach der Gattung des Haupt- anspruchs.
    [0004] Eine derartige Vorrichtung ist bereits aus der DE-OS 28 32 766 be¬ kannt. Sie weist eine Kapazität auf, durch die im wesentlichen die Zeitkonstante eines gegen höherfrequente Störsignale oder Störimpul¬ se wirkenden Tiefpaßfilters bestimmt wird. Das Tiefpaßfilter besteht dabei im wesentlichen aus einem Transistor, der bei Auftreten eines Störimpulses über die Kapazität leitend geschaltet wird und die Stδrquelle damit niederohmig belastet. Niederfrequente Signale füh¬ ren nicht zu einem Ansprechen des Transistors, so daß die Gesamtan¬ ordnung wie ein Tiefpaßfilter wirkt.
    [0005] Ein wesentlicher Nachteil dieser bekannten Schutzvorrichtung besteht darin, daß eine sehr große Kapazität benötigt wird, die es nicht ohne weiteres erlaubt, die Schutzvorrichtung monolithisch zu inte¬ grieren. Denn die in integrierten Schaltungen mit vertretbarem Auf- wand realisierbaren Kapazitäten liegen in der Größenordnung von 100 pF. Weiterhin können Ströme nur bis herab zur Größenordnung von 0,5 .uA sinnvoll realisiert werden. Für noch kleinere Ströme ist die Grenze durch Sperrströme gesetzt, die insbesondere bei hohen Temperaturen stark ansteigen. Daher ist der Realisierung von inte¬ grierten Tiefpaßfiltern in monolithisch integrierter Technik eine praktikable Grenze gesetzt, ab der aus Aufwands- oder Kostengründen mit einer von außen an die integrierte restliche Schutzvorrichtung anzuschließenden großen Kapazität gearbeitet wird.
    [0006] Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Schutzvorrichtung gegen Störsignale zu finden, die mit vertretbarem Aufwand voll monolithisch integrierbar ist und dennoch eine hohe Filterwirkung gegen Störsignale aufweist.
    [0007] Gelöst wird die Aufgabe durch die erfindungsgemäße Schutzvorrichtung gegen Störsignale mit den Merkmalen des Hauptanspruchs.
    [0008] Vorteile der Erfindung
    [0009] Die erfindungsgemäße Schutzvorrichtung gegen Störsignale mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat den besonderen Vor¬ teil, einen besonders geringen Bauelementeaufwand zu erfordern. Da¬ mit ist die Integration besonders kostengünstig, da die integrierte Schutzvorrichtung besonders wenig Fläche benötigt. Weiterhin weist die erfindungsgemäße Schutzvorrichtung eine besonders geringe Tempe¬ raturempfindlichkeit auf. Die monolithisch integrierte Ausführung liefert für den Emitterfolger und die Diode nahezu idealen Gleich¬ lauf, so daß bei der Übertragung eines Gleichspannungspegels beson¬ ders geringe Fehler auftreten. Weitere besondere Vorteile und Ausgestaltungen der erfinduhgsgemäßen Schutzvorrichtung gegen Störsignale sind in den Unteransprüchen an¬ gegeben und ergeben sich aus der Beschreibung der nachfolgenden Aus- fUhrungsbeispiele.
    [0010] Zeichnung
    [0011] Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in der folgenden Beschreibung mit Hilfe der Zeichnung näher erläutert.
    [0012] Figur 1 zeigt ein Prinzipschaltbild einer erfindungsgemäßen Schutz¬ vorrichtung, die einem Eingang einer nachfolgenden Schaltungsanord¬ nung vorgeschaltet ist; Figur 2 zeigt eine besonders einfache Aus¬ führungsform, die für eine vollmonolithische Integration geeignet ist; Figur 3 zeigt eine Möglichkeit zur Vergrößerung der Kondensa¬ torwirkung einer integrierten Sperrschichtkapazität; Figur 4 zeigt eine Ausführungsform mit besonders großer Kondensatorwirkung.
    [0013] Beschreibung der Ausführungsbeispiele
    [0014] In Figur 1 ist das Prinzipschaltbild einer möglichen erfindungsgemä- ßen Schutzvorrichtung mit einem Signaleingang 1 dargestellt, die zwischen einer Versorgungsspannungsleitung 2 und einer Masseleitung 3 betrieben wird. Das an den Signaleingang 1 anzulegende Signal führt auf die Basis eines Transistors, der als Emitterfolger 4 wirkt. Ein Basisspannungsteiler aus zwei Widerständen 5, 6 ist wei¬ terhin zwischen die Versorgungsspannungsleitung 2 und die Masselei¬ tung 3 geschaltet. Der Emitter des Emitterfolgers 4 führt über eine Emitterstromquelle 7 zur Masseleitung 3- Weiterhin ist er mit der Kathode einer Diode 8 verbunden, deren Anode über eine Ladestrom¬ quelle 9 zur Versorgungsspannungsleitung 2 führt. Zwischen den Ver¬ bindungspunkt der Diode 8 und der Ladestromquelle 9 ist eine Kapa- zität 10 gegen die Masseleitung 3 geschaltet. Der Verbindungspunkt ist weiterhin mit dem Eingang eines Schmitt-Triggers 11 verbunden, dessen Ausgang mit- dem Eingang 12 einer aus Vereinfachungsgründen nicht weiter dargestellten Schaltungsanordnung 13 verbunden ist.
    [0015] Im Ruhezustand der Schutzvorrichtung, d.h., wenn kein Signal am Si¬ gnaleingang 1 anliegt, ist das Potential an der Basis des Emitter- folgers 4 durch das Teilerverhältnis des Basisspannungsteilers 5> 6 und das Potential der Versorgungsspannung festgelegt. Da der Span¬ nungsabfall an der Basis-Emitter-Diode des Emitterfolgers 4 durch den gleichgroßen Spannungsabfall an der Diode 8 kompensiert wird, liegt am Eingang des Schmitt-Triggers 11 im wesentlichen das gleiche Potential an, wie an der Basis des Emitterfolgers 4. Die Hysterese¬ kennlinie des Schmitt-Triggers 11 ist so bemessen, daß im Ruhezu¬ stand am Eingang 12 ein eindeutiges Ruhepotential anliegt, das an¬ nähernd gleich dem an der Masseleitung anliegenden Potential ist.
    [0016] Bei einem pötzlichen positiven Sprungsignal am Signaleingang 1 folgt das Potential am Emitter des Emitterfolgers 4 dem Sprungsignal ent¬ sprechend. Da das Potential an der Kapazität 10 und damit an der An¬ ode der Diode 8 durch das vorherige Potential festgelegt ist, wird die Diode 8 gesperrt. Der Emitterfolger 4 übernimmt somit den gesam¬ ten Strom der Emitterstromquelle 7> während der gesamte Strom der Ladestromquelle 9 durch die Kapazität 10 integriert wird. Dies ge¬ schieht solange, bis die Spannung an der Kapazität 10 gleich dem Po¬ tential am Signaleingang 1 geworden ist.
    [0017] Bei einem plötzlichen negativen Sprungsignal am Signaleingang 1 bleibt dagegen das Potential am Emitter des Emitterfolgers 4 beste¬ hen, da es nicht unter die um die Durchflußspannung der Diode 8 ver¬ ringerte Spannung an der Kapazität 10 sinken kann. Der den Emitter- folger 4 bildende Transistor wird also gesperrt. Der Kapazität 10 wird daraufhin durch die Stromquelle 7 über die Diode 8 solange Strom entzogen, bis das Potential am Eingang des Schmitt-Triggers 11 gleich dem Potential am Signaleingang 1 wird.
    [0018] Bei einem rechteckfδrmigen Eingangssignal am Signaleinang 1 der Schutzvorrichtung nach Figur 1 entsteht also am Eingang des Schmitt-Triggers 11 ein entsprechendes trapezförmiges Signal. Die Flankensteilheiten des trapezförmigen Signals am Eingang des Schmitt-Triggers 11 sind durch die von der Emitterstromquelle 7 und der Ladestromquelle 9 gelieferten Ströme und die Größe der Kapazität
    [0019] 10 abhängig. Das trapezförmige Spannungssignal ist genau dann sym¬ metrisch, wenn die Stromstärke des durch die Emitterstromquelle 7 fließenden Stroms genau doppelt so groß ist wie die Stromstärke des durch die Ladestromquelle 9 fließenden Stroms. Der Schmitt-Trigger
    [0020] 11 antwortet auf ein trapezförmiges Eingangssignal in bekannter Wei¬ se so, daß an seinem Ausgang ein gegenüber dem Eingangssignal verzö¬ gertes Rechtecksignal erscheint, das zur Ansteuerung der Schaltungs¬ anordnung 13 herangezogen wird.
    [0021] Die gesamte dargestellte Schutzvorrichtung wirkt also wie ein Tief¬ paßfilter, das vor den Eingang 12 der Schaltungsanordnung 13 ge¬ schaltet ist. Es bietet daher einen besonders guten Schutz gegen im- pulsfδrmige Störsignale für die Schaltungsanordnung, wie sie beim Betrieb in einem Kraftfahrzeug häufig auftreten. Eine Anwendung der erfindungsgemäßen Schutzvorrichtung liegt daher hauptsächlich bei integrierten Reglern für Drehstromgeneratoren an Bord eines Kraft¬ fahrzeugs. Die erfindungsgemäße Schutzvorrichtung ist aber univer¬ sell einse'tzbar und sowohl für analoge als auch digitale Nutzsignale geeignet. Eine besonders für eine monolithische Integration geeignete einfache Schaltungsanordnung gemäß dem in Figur 1 dargestellten Prinzip¬ schaltbild ist in Figur 2 gezeigt. Zur Vereinfachung der Darstellung ist gegenüber der Figur 1 kein Basisspannungsteiler und auch kein Schmitt-Trigger samt nachfolgender Schaltungsanordnung dargestellt.
    [0022] Die in Figur 2 gezeigte Schutzvorrichtung weist einen Signaleingang 1 auf und wird zwischen einer Versorgungsspannungsleitung 2 und ei¬ ner Masseleitung 3 betrieben. Das Eingangssignal führt wir in Figur
    [0023] 1 auf die Basis eines Transistors, der als Emitterfolger 4 wirkt. Die Diode 8 wird durch ein Transistor realisiert, dessen Kollektor und Basis miteinander kurzgeschlossen sind, um so die Anode der Dio¬ de 8 zu bilden. Die Kapazität 10 wird nun durch eine Kapazität 101 gebildet, die gegen die Masseleitung 3 geschaltet ist, und durch ei¬ ne Kapazität 102 gebildet, die gegen die Versorgungsspannungsleitung
    [0024] 2 geschaltet ist. Die Gesamtkapazität setzt sich also additiv aus den Einzelkapapzitäten 101, 102 zusammen.
    [0025] Die Emitterstromquelle 7 und die Ladestromquelle 9 gemäß Figur 1 werden nun bei der in Figur 2 gezeigten Schutzvorrichtung aus einer einzigen Stromquelle 70 abgeleitet. Die Stromquelle 70 wird in ein¬ fachster Ausführungsform durch einen einzigen ohmschen Widerstand gebildet. Sie liefert einen Strom von der Versorgungsspannungslei¬ tung 2 über einen als Eingangsdiode einer Stromspiegelanordnung ge¬ schalteten Transistor 71 zur Masseleitung 3- Die Stromspiegelanord¬ nung besitzt zwei Ausgangstransistoren 72, 73- Der Strom durch den Kollektor des Ausgangstransistors 72 dient zur Ansteuerung der Lade¬ stromquelle 9« Der Strom durch den Kollektor des Ausgangstransistors 73 stellt den Strom der Emitterstromquelle 7 dar, wozu der Kollektor des Ausgangstransistors 73 mit dem Emitter des Emitterfolgers 4 ver¬ bunden ist. Die Emitterflächen der Transistoren 71» 72, 73 sind so dimensioniert, daß der Ausgangsstrom durch den Transistor 73 doppelt so groß ist wie der Ausgangsstrom durch den Transistor 72. Die Ladestromquelle 9 wird in bekannter Weise durch eine Stromquelle mit drei Transistoren 91» 92, 93 gebildet. Der Steuerstrom dieser Stromquelle wird, wie bereits gesagt, durch den Ausgangstransistor 72 bereitgestellt. Die Emitter der Transistoren 91» 92 sind mit der Versorgungsspannungsleitung 2 verbunden. Der Kollektor des Transi¬ stors 91 ist mit dem Kollektor des Transistors 72 und der Basis des Transistors 93 verbunden. Der Emitter des Transistors 93 ist mit dem Kollektor des Transistors 92 und den Basen der Transistoren 91 » 92 verbunden. Der Kollektor des Transistors 93 wiederum führt auf die Anode der Diode 8.
    [0026] Das Verhalten dieser in Figur 2 gezeigten Schaltungsanordnung ent¬ spricht dem der in Figur 1 gezeigten Prinzipanordnung, so daß aus Vereinfachungsgründen hier eine wiederholte Beschreibung unterblei¬ ben kann.
    [0027] Die Kapazität 10 bzw. die Kapazitäten 101, 102 können in integrier¬ ter Technik in beliebigen Varianten realisiert werden, beispielswei¬ se in MOS-Technologie oder als Sperrschichtkapazitäten. Bei der Re¬ alisierung als Sperrschichtkapazitäten ist die Verwendung von zwei Kapazitäten gemäß der Anordnung nach Figur 2 besonders vorteilhaft, da die Sperrschichtkapazitäten von der angelegten Spannung abhängig sind. Dieser Effekt wird bei der Parallelschaltung zweier Kapazitä¬ ten 101, 102 kompensiert. Von besonderem Vorteil ist ebenfalls die Kompensation der gegenseitigen Sperrströme. Weiterhin werden Störun¬ gen auf der Versorgungsspannungsleitung 2 durch die kapazitive Span¬ nungsteilung am Eingang des in Figur 1 dargestellten Schmitt-Trig¬ gers 11 nur verringert wirksam
    [0028] Eine Maßnahme zur Vergrößerung der Kondensatorwirkung einer Sperr¬ schichtkapazität ist in Figur 3 dargestellt. Die Sperrschichtkapazi¬ tät ist hierfür als in Sperrspannungsrichtung betriebene Kapazitäts- diode 103 dargestellt, die in Serie zur Emitter-Kollektor-Strecke eines als Eingangsdiode 104 eines Stromspiegels 104, 105 wirkenden Transistors geschaltet ist. Das Stromverhältnis des Stromspiegels 104, 105 wird durch die Emitterflächen einestellt. Wenn das Verhält¬ nis der Fläche des Emitters der Eingangsdiode 104 zur Fläche des Emitters der Transistors 105 gleich 1/n gewählt ist, erscheint der in Figur 3 dargestellte Zweipol durch die Ladestromverstärkung als eine Sperrschichtkapazität mit der n+1-fachen Größe der Sperr¬ schichtkapazität 103«
    [0029] Zur Entladung der Sperrschichtkapazität 103 ist eine Diode 106 vor¬ gesehen, die antiparallel zu den Basis-Emitter-Dioden des Stromspie¬ gels 104, 105 geschaltet ist. Dabei erscheint die Sperrschichtkapa¬ zität 103 natürlich nicht um den Faktor n+1 verstärkt. Bei mono¬ lithischer Integration von Stromspiegeln mit npn-Transistoren kann die Diode 106 durch die Kollektor-Substrat-Diode der Eingangsdiode 104 gebildet werden.
    [0030] Diese durch die Basis-Emitter-Spannungen des Stromspiegels oder der Diode verursachten Ansprechschwellen der Kapazitätsverstärkung kön¬ nen bei Verwendung der Schutzvorrichtung für analoge Nutzsignale zu einer Verfälschung des Ausgangssignals führen, was nicht erwünscht ist. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, das diese nachteiligen Ansprechschwellen der Kapazitätsverstärkung nicht aufweist, ist in Figur 4 dargestellt.
    [0031] Die in Figur 4 gezeigte Schutzvorrichtung ist wie bei den bisherigen Figuren 1 und 2 mit einem Signaleingang 1 versehen und wird zwischen einer Versorgungsspannungsleitung 2 und einer Masseleitung 3 betrie¬ ben. Das Eingangssignal wird in bereits beschriebener Weise auf ei¬ nen Emitterfolger 4 geführt, dessen Emitter mit der Kathode einer Diode 8 verbunden ist. Die Anode der Diode 8 führt auf zwei Sperr¬ schichtkapazitäten 101, 102 entsprechend der in Figur 2 gezeigten Darstellung. Die Sperrschichtkapazität 101 führt von der Anode der Diode 8 über die Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors 716 zur Masseleitung 3. Die Basis des Transistors 716 ist mit der Basis eines Transistors 73 verbunden, dessen Kollektor-Emitter-Strecke vom Emitter des Emit¬ terfolgers 4 zur Masseleitung 3 führt. Der Kollektor des Transistors 716 ist über die Basis-Emitter-Diode eines Transistors 715 mit der Basis des Transistors 73 verbunden. Der Kollektor des Transistors 715 ist dagegen an die Versorgungsspannungsleitung 2 angeschlossen. Die Transistoren 716, 73 bilden also einen Stromspiegel, wobei der Transistor 715 in bekannter Weise als Basisstromverstärker dient, um eine verbesserte Gleichlaufeigenschaft zwischen den Transistoren 716, 73 zu erreichen. In den Eingangsstrompfad des Stromspiegels 716, 73 ist die Sperrschichtkapazität 101 geschaltet, während der Ausgangsstrompfad mit dem Emitterfolger 4 bzw. der Diode 8 verbunden ist.
    [0032] In hierzu vollkommen symmetrischer Weise wird die Sperrschichtkapa¬ zität 102 betrieben, die über die Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors 718 mit der Versorgungsspannungsleitung 2 verbunden ist. Als Stromverstärker dient ein Transistor 717, dessen Basis-Emitter- Diode parallel zur Kollektor-Basis-Strecke des Transistors 718 ge¬ schaltet ist und dessen Kollektor zur Masseleitung 3 führt. Durch einen Transistor 94 wird ein Stromspiegel 718, 94 gebildet, dessen Ausgangsstrompfad mit der Anode der Diode 8 verbunden ist.
    [0033] Ein Vergleich der in den Figuren.4 und 1 gezeigten Darstellungen macht deutlich, daß der Transistor 94 in Figur 4 der Ladestromquelle 9 in Figur 1 entspricht, während der Transistor 73 in Figur 4 der Emitterstromquelle 7 in Figur 1 entspricht. Weiterhin ist in der Be¬ schreibung zur in Figur 1 gezeigten Darstellung weiter oben ausge¬ führt, daß ein besonders symmetrisches Betriebsverhalten der erfin- dungsgemäßen Schutzvorrichtung damit erreicht wird, wenn die Stärke des von der Emitterstromquelle 7 gelieferten Stromes etwa doppelt so groß ist wie die Stromstärke des von der Ladestromquelle 9 geliefer¬ ten Stromes. Dieses Verhalten wird auch bei der in Figur 4 gezeigten Schutzvorrichtgung eingestellt, indem dem der Transistor 718 mit ei¬ nem Konstantstrom I beaufschlagt wird, während der Transistor 716 mit einem weiteren Konstantstrom 21 beaufschlagt wird, der die dop¬ pelte Stärke des ersten Konstantstromes I besitzt. Diese beiden Kon¬ stantströme I, 21 werden in bekannter Weise durch Kaskadierung meh¬ rerer Stromspiegel aus einer einzigen Stromquelle 700 erzeugt. Die Stromquelle 700 kann in einfachster Ausführungsform durch einen ein¬ zigen ohmschen Widerstand realisiert werden. Der Strom der Strom¬ quelle 700 fließt hierfür von der Versorgungsspannungsleitung 2 über einen als Eingangsdiode 710 einer Stromspiegelanordnung geschalteten Transistor zur Masseleitung 3. Die Stromspiegelanordnung besitzt zwei Ausgangstransistoren 711, 712, deren Emitter jeweils mit der Masseleitung 3 verbunden sind. Der Kollektor des Ausgangstransistors 712 ist mit der Basis des Basisstromverstärkers 717 verbunden. Der Kollektor des Ausgangstransistors 711 führt auf einen von der Ver¬ sorgungsspannungsleitung 2 betriebenen Stromspiegel 713, 714, wobei der Transistor 713 als Eingangsdiode vom Kollektorstrom des Transi¬ stors 711 betrieben wird. Der Kollektor des Ausgangstransistors 714 führt auf den Basisstromverstärker 715. Die Emitterflächen des Stromspiegels 713» 714 und der Stromspiegelanordnung 710, 711, 712 sind so eingestellt, daß der Ausgangsstrora 21 des Transistors 714 genau doppelt so stark ist wie der Ausgangsstrom I des Transistors 712.
    [0034] Bei der in Figur 4 gezeigten Darstellung erscheinen die Kapazitäten jeweils um das Übersetzungsverhältnis der Stromspiegel 718, 94 bzw. 716, 73 verstärkt. Die in Figur 4 gezeigte Anordnung ist ständig von Strom durchflössen. Potentialänderungen an der Anode der Diode 8 führen über die geladenen Sperrschichtkapazitäten 101, 102 direkt zu einer zusätzlichen Ansteuerung der Stromspiegel. Da dies an einem Schaltungsknoten durch Stromaddition sowohl bei Potentialanstieg als auch Potentialabfall an der Anode der Diode 8 geschieht, weist die Anordnung in Figur 4 nicht die bezüglich der Figur 3 geschilderten nachteiligen Ansprechschwellen für die Kapazitätsverstärkung auf.
    权利要求:
    Claims

    Ansprüche
    1. Schutzvorrichtung gegen Störsignale für eine elektrische Schal¬ tungsanordnung (13)
    - mit einer Kapazität (10), durch die im wesentlichen die Zeitkon¬ stante eines gegen Störsignale wirkenden Tiefpaßfilters bestimmt wird, gekennzeichnet,
    - durch einen Transistor (4), über den als Emitterfolger Nutzsignale und Störsignale in die Schutzvorrichtung eingekoppelt werden,
    - durch eine erste Stromquelle (7), die mit dem Emitter des Transi¬ stors (4) verbunden ist,
    - durch eine Diode (8), die mit einem Anschluß parallel zur Basis— Emitter-Diode mit dem Emitter des Transistors (4) verbunden ist und
    - durch eine zweite Stromquelle (9), die mit dem anderen Anschluß der Diode (8) und der Kapazität (10) verbunden ist.
    2. Schutzvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke des durch die erste Stromquelle (7) fließenden Stroms et¬ wa doppelt so groß ist wie die Stärke des durch die zweite Strom¬ quelle (9) fließenden Stroms. . 3» Schutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da¬ durch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Stromquelle (7, 9) durch Stromspiegelung aus einer gemeinsamen Stromquelle (70) ge¬ bildet werden.
    4. Schutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da¬ durch gekennzeichnet, daß die Kapazität (10) aus einer ersten Kapa¬ zität (101), die gegen ein niederes Versorgungspotential (3) ge¬ schaltet ist, und einer zweiten Kapazität (102), die gegen ein hohes Versorgungspotential (2) geschaltet ist, gebildet wird.
    5. Schutzvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kapazität (101) mit der Eingangsdiode (716) eines ersten Stromspiegels verbunden ist, dessen Ausgangstransistor (73) die er¬ ste Stromquelle (7) bildet, und der mit einem ersten Konstantstrom (21) beaufschlagt wird, und daß die zweite Kapazität (102) mit der Eingangsdiode (718) eines zweiten Stromspiegels verbunden ist, des¬ sen Ausgangstransistor (94) die zweite Stromquelle (9) bildet, und der mit einem zweiten Konstantstrom (I) beaufschlagt wird.
    6. Schutzvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke des ersten Konstantstroms (21) etwa doppelt so groß ist wie die Stärke des zweiten Konstantstroms (I).
    7. Schutzvorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Konstantstrom (21) und der zweite Konstantstrom (I) durch Stromspiegelung aus einer gemeinsamen Stromquelle (700) gebil¬ det werden.
    8. Schutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da¬ durch gekennzeichnet, daß die Kapazität (10) durch Verstärkung des durch sie fließenden Stromes virtuell vergrößert wird. - 1*f -
    3. Schutzvorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität (103) in den Eingangsstrompfad eines Stromspiegels (104, 105) geschaltet ist, wobei eine Entladediode (106) antiparal¬ lel zur Eingangsdiode (104) des Stroraspiegels (104, 105) geschaltet ist.
    10. Schutzvorrichtung nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß die Entladediode (106) durch die Kollektor-Substrat-Diode der Ein¬ gangsdiode (104) des Stromspiegels (104, 105) gebildet wird.
    11. Schutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da¬ durch gekennzeichnet, daß die Diode (8) durch die Basis-EmitterDiode eines Transistors gebildet wird.
    12. Schutzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da¬ durch gekennzeichnet, daß zwischen die Schutzvorrichtung und einen Eingang der elektrischen Schaltungsanordnung (13) hochohmige Verbin¬ dungsmittel, vorzugsweise ein Schmitt-Trigger (11), geschaltet sind, und daß der Transistor (4), über den als Emitterfoler Nutzsignale und Störsignale in die Schutzvorrichtung eingekoppelt werden, einen Basisspannungsteiler (5, 6) aufweist.
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    1987-12-17| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AU JP US |
    1987-12-17| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LU NL SE |
    1988-11-10| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1987902433 Country of ref document: EP |
    1989-04-05| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1987902433 Country of ref document: EP |
    1991-01-30| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1987902433 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DE19863619098|DE3619098A1|1986-06-06|1986-06-06|Schutzvorrichtung gegen stoersignale|
    DEP3619098.5||1986-06-06||DE19873767883| DE3767883D1|1986-06-06|1987-05-09|Schutzvorrichtung gegen stoersignale.|
    JP50285387A| JPH07120965B2|1986-06-06|1987-05-09|電気回路|
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