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    本發明之目的係提供一種雷射加工性優異，且在隨後之蝕刻中，在厚度方向獲得均一蝕刻速度之電解銅合金箔。為達成該目的，而採用藉由使電解液電解獲得之電解銅合金箔，且該電解銅合金箔係特徵為錫含量係8質量%~25質量%之電解銅合金箔。該電解銅合金箔之結晶組織中之結晶粒較好為朝厚度方向伸長之柱狀結晶。
    公开号:TW201321561A
    申请号:TW101144967
    申请日:2012-11-30
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Mitsuyoshi Matsuda；Kazuhiro Yoshikawa；Takao Fujimoto
    申请人:Mitsui Mining & Smelting Co；
    IPC主号:C25D1-00
    专利说明:
    電解銅合金箔及具備承載箔之電解銅合金箔
    本發明係關於電解銅合金箔，尤其關於適於印刷配線板之用途之電解銅合金箔。
    近年來，隨著電子及電氣設備之高功能化、小型化，電信號之供給所使用之印刷配線板等裝置空間也有狹小化之傾向，亦要求對應於印刷配線板之小型高密度設計。因此，為獲得適於該高密度化之印刷配線板之層間導通，已廣泛進行導通孔之形成。
    此種印刷配線板係將雷射直接照射於銅箔上，而形成通孔，但由於銅箔於雷射波長區域之吸收率亦極低，而難以藉雷射施以加工。因此，需要對銅箔之表面進行用以提高雷射吸收率之處理。
    例如，專利文獻1(日本專利申請案：特開2001-226796號公報)中，係以提供可開孔加工之雷射穿孔之加工用銅箔為目的，而揭示「於銅箔之雷射照射側之表面形成有由以Sn與Cu作為主體之合金或金屬Sn之任一種或二者所成之表面層之雷射穿孔加工用銅箔」之技術。進而，專利文獻1中揭示相較於單獨Sn之表面層，較好的是使銅箔表面上形成之金屬Sn層進行擴散處理，形成以Sn與Cu作為主體之合金層，成為由以Sn與Cu作為主體之合金與金屬Sn所成之表面層，或成為以Sn與Cu作為主體之合金層。據此，專利文獻1中揭示藉由於該銅箔之雷射照射側之表面上形成雷射吸收率比Cu高之金屬或合金之表面層，而使該表面層與銅箔可一次性地進行雷射穿孔。
    又，專利文獻2(日本專利申請案：特開2001-068816號公報)中揭示藉由使銅箔之表面進行黑化處理，而提高雷射光之初期吸收效率之技術。而且，揭示藉由提高此種銅箔表面之黑化處理雷射光之初期吸收效率，而使以雷射產生之初期孔洞之形狀成為均勻且平整者，可更良好地進行雷射穿孔加工。
    然而，專利文獻1中揭示之方法，由於使銅箔表面上形成之金屬Sn層進行擴散處理，使Sn與Cu合金化(亦即，形成以Sn與Cu作為主體之合金層)，故該合金層在厚度方向之組成變得不均一。結果，於隨後之蝕刻中，厚度方向之蝕刻速度產生偏差，而有難以形成所需配線電路圖型之問題。
    進而，藉如上述專利文獻1及專利文獻2所示之以往方法，由於需要對銅箔表面進行用以提高雷射吸收率之處理，故導致製造步驟之步驟數增加，而難以實現製造成本之降低。
    因此，本發明之目的係提供一種雷射加工性優異，且在隨後之蝕刻中，可獲得厚度方向均一之蝕刻速度之電解銅合金箔。
    本發明人等進行積極研究之結果，發現藉由採用以下之電解銅合金箔可達成上述目的。 [本發明之電解銅合金箔]
    本發明之電解銅合金箔為藉由使電解液電解而獲得之電解銅合金箔，該電解銅合金箔之特徵為錫含量為8質量%~25質量%。 [本發明之具備承載箔之電解銅合金箔]
    本發明之具備承載箔之電解銅合金箔為具備上述記載之電解銅合金箔者，其特徵為具備承載箔/剝離層/電解銅合金箔之層構成。亦即，該電解銅合金箔之特徵為錫含量為8質量%~25質量%。 [本發明之施以表面處理之電解銅合金箔]
    於本發明之電解銅合金箔之情況中，其特徵為其係於上述記載之電解銅合金箔之表面施以粗化處理、防銹處理、矽烷偶合劑處理之至少一種者。
    而且，本發明之具備承載箔之電解銅合金箔之情況，較好對構成具備承載箔之電解銅合金箔之電解銅合金箔表面施以粗化處理、防銹處理、矽烷偶合劑處理之至少一種。 [本發明之貼附金屬積層板]
    本發明之金屬積層板為使上述施以表面處理之電解銅合金箔與絕緣層構成材料貼合而得者。
    且，本發明之金屬積層板，係使上述施以表面處理之具備承載箔之電解銅合金箔與絕緣層構成材料貼合，隨後，去除承載箔而獲得。


    本發明之電解銅合金箔由於以上述含量含有錫之銅-錫合金所構成，故雷射開孔之加工性優異，且，在該電解銅合金箔之厚度方向可以均勻蝕刻速度進行蝕刻。本發明之電解銅合金箔之情況，並未進行黑化處理等之用以提高雷射吸收效率之事後處理，而可實現與施以用以提高雷射吸收效率之處理之電解銅箔同等以上之雷射開孔加工性。
    而且，使用本發明之電解銅合金箔，實施以對其表面之防銹處理為目的之表面處理、用以提高與基材樹脂之密著性之粗化處理、矽烷偶合劑處理等，而獲得施以表面處理之電解銅合金箔。據此，施以該表面處理之電解銅合金箔亦成為雷射開孔加工性優異者。
    又，於將本發明之電解銅合金箔作為厚度7μm以下之極薄電解銅合金箔而提供之情況下，亦可以具備承載箔之電解銅合金箔之形態使用。
    以下，依序對本發明之電解銅合金箔、具備載體箔之電解銅合金箔、施以表面處理之電解銅合金箔之個別較佳形態加以說明。 [電解銅合金箔之形態]
    本發明之電解銅合金箔為藉由使電解液電解獲得之電解銅合金箔，該電解銅合金箔之特徵為錫含量為8質量%~25質量%。
    較好使電解銅合金箔之錫含量設在上述範圍內之理由可由以下所示之雷射開孔加工性與電解銅合金箔之蝕刻速度獲得理解。圖1中顯示改變錫含量製作之厚度3μm之電解銅合金箔之雷射開孔加工性。該圖1係採用加工能量6.9mJ之脈衝能量，且以脈衝寬度16微秒(μsec)、雷射束徑120μm對電解銅合金施以雷射開孔加工者。該雷射開孔之條件為採用在對厚度3μm之電解銅箔之雷射照射面施以黑化處理時，可形成頂部口徑80μm之孔之條件者。又，此處所謂之頂部口徑為雷射照射側之表面之孔之開口徑。
    如由圖1所了解，錫之含量未達8質量%之電解銅合金箔，與對雷射照射面側施以黑化處理之電解銅箔相比，可知由於雷射開孔加工性差故較不佳。相對於此，錫之含量為8質量%以上之電解銅合金箔，該電解銅合金箔之雷射吸收率高，可知可獲得與對雷射照射面側施以黑化處理之電解銅箔同等以上之開孔加工性。據此，藉由使電解銅合金箔之錫含量成為8質量%以上，而成為可容易形成目標之頂部口徑80μm之孔之電解銅合金箔。
    另一方面，上述錫含量超過25質量%時，電解銅合金箔之蝕刻速度由於比以往之電解銅箔更慢故較不佳。此處於圖2中，顯示電解銅合金箔之錫含量與蝕刻速率之關係。該圖2中之蝕刻速率係由下述所得者：製作錫含量不同之電解銅合金箔，將各電解銅合金箔浸漬在硫酸-過氧化氫系蝕刻液中30秒，經水洗、乾燥後，利用剖面觀察測定厚度，且由因蝕刻而減少之厚度求得該電解銅合金箔之減量，換算成蝕刻速度者。
    如由圖2所理解，相較於使用電解銅合金箔中之錫含量為0質量%之電解銅箔之情況，可知僅含有錫之電解銅合金箔者之蝕刻速度變快。另外，電解銅合金箔之蝕刻速度以電解銅合金箔中之錫含量為2質量%左右時最快速，隨後，隨著錫含量之增加，蝕刻速度變慢。因此，可知錫之含量超過2.5質量%時，比僅以銅成分構成之以往之電解銅箔之蝕刻速度更慢。
    該蝕刻速度之降低對於印刷配線板之生產效率造成較大影響，同時對於電解銅合金箔之厚度方向之蝕刻狀態亦產生偏差故而不佳。具體而言，使用電解銅合金箔，形成所需配電電路圖型時，蝕刻速度較慢時，難以形成蝕刻因子優異之配線電路圖型。據此，本發明之電解銅合金箔藉由使錫含量成為25質量%以下，與以往之僅以銅成分構成之電解銅箔相比蝕刻速度較快，可獲得蝕刻因子優異之良好配線電路圖型。
    如上述，可謂藉由使電解銅合金箔之錫含量成為8質量%~25質量%，可形成雷射開孔加工性優異，且在隨後之蝕刻中蝕刻因子優異之良好配線電路圖型。
    又，本發明之電解銅合金箔較好為結晶組織中之結晶粒為朝厚度方向伸長之柱狀結晶。如此，具備結晶組織中之結晶粒朝厚度方向伸長之柱狀結晶之電解銅合金箔可適於雷射開孔加工性。亦即，藉雷射照射，使電解銅合金箔中形成之孔之延伸方向與柱狀結晶之伸長方向幾乎一致，故藉由雷射開孔加工，可在電解合金銅箔之厚度方向形成具備凹凸較少之內壁面之孔。
    另外，作為金屬材之一般性質，有自結晶粒界優先進行蝕刻之傾向。因此，若為如上述之結晶組織中具有結晶粒朝厚度方向伸長之柱狀結晶之電解銅合金箔，則蝕刻開始之表面之結晶粒界密度高，初期蝕刻速度變快，使厚度方向之蝕刻順利進行，認為亦使蝕刻速度變快者。
    關於以上所述之電解銅合金箔，其厚度並無特別限制。考慮一般製造之製品時，認為0.5μm~18μm範圍之厚度即已足夠。然而，使用電解銅合金箔作為雷射開孔加工用時，電解銅合金箔之厚度較薄者較佳，更好為0.5μm~7μm之範圍之厚度。而且，使用本發明之電解銅合金薄作為厚度7μm以下之極薄箔時，較好以如下所述之具備承載箔之電解銅合金箔之形態使用，以使其不會引起皺摺、破裂等之於作業時之缺陷。 [具備承載箔之電解銅合金箔之形態]
    本發明之具備承載箔之電解銅合金箔為具備上述電解銅合金箔者，其特徵為具備承載箔/剝離層/電解銅合金箔之層構成。此處所稱的承載箔為輔助因較薄故機械強度較弱之電解銅合金箔之作業性者。該承載箔只要係在其表面上形成剝離層，且可藉電析於其剝離層上形成電解銅合金箔之方式，而具備導電性者，則其材質並無特別限制。承載箔可使用例如鋁箔、銅箔、表面經金屬塗覆之樹脂膜等，但使用銅箔時，在剝離後之回收及處理上較容易故較佳。作為該載體箔使用之銅箔之厚度並無特別限制。一般而言，係使用12μm~100μm之銅箔。
    另外，此處所稱之剝離層為可撕離承載箔且去除之可剝離型之具備承載箔之電解銅合金箔所必須者。該剝離層採用無機剝離層(所謂稱為無機之概念，係記載為含鉻、鎳、鉬、鉭、釩、鎢、鈷、或該等之氧化物者)、有機剝離層之任一種均可。而且，採用有機剝離層時，較好使用混合由含氮有機化合物、含硫有機化合物、羧酸中選出之一種或兩種以上而成之有機劑。其中，採用使用具有取代基之三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑(以下稱為「CBTA」)、N’,N’-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等形成之有機剝離層時，由於去除承載箔時之去除作業容易故較佳。
    又，本發明之具備承載箔之電解銅合金箔較好成為在承載箔與剝離層之間，或剝離層與電解銅合金箔之間形成耐熱金屬層之承載箔/耐熱金屬層/剝離層/電解銅合金箔之層構成，或成為承載箔/剝離層/耐熱金屬層/電解銅合金箔之層構成。 [可應用之表面處理之形態]
    本發明之施以表面處理之電解銅合金箔之特徵為在上述電解銅合金箔之表面施以粗化處理、防銹處理、矽烷偶合劑處理之至少一種。此處所稱之表面處理係考慮用途別之要求特性，以賦予接著強度、耐要品性、耐熱性等為目的而於電解銅合金箔之上面實施之粗化處理、防銹處理、矽烷偶合劑處理等。
    此處所謂粗化處理為用於物理性提高施以表面處理之電解銅合金箔與絕緣層構成材料之密著性之處理，於電解銅合金箔之一面或兩面上實施。更具體例示時，係採用於電解銅合金箔之表面附著形成微細金屬粒，或以蝕刻法形成粗化表面等之方法。而且，在電解銅合金箔之表面附著形成微細金屬粉時，一般係組合實施使微細金屬粒析出附著之燒鍍步驟，及用於防止微細金屬粉脫落之被覆鍍敷步驟。
    接著，針對防銹處理加以說明。該防銹處理為用以實現電解銅合金箔、具備承載箔之電解銅合金箔之長期儲存性或用以防止因使用該電解銅合金箔製造貼合金屬積層板時之積層壓製時之負荷熱造成之氧化等而實施之處理。另外，使用防銹處理，亦可獲得經表面處理之電解銅合金箔與絕緣層構成材料之密著性之提高效果。該防銹處理可使用三唑、苯并三唑等作為有機防銹成分、鋅、鋅合金、鎳、鎳合金、鉻、鉻合金等金屬系防銹成分，鉻酸鹽處理等氧化物系防銹成分等作為無機防銹成分。採用任一種防銹成分均沒有問題，只要依使用目的選擇認為最適之處理即可。
    而且，所謂矽烷偶合劑處理為用以化學性提高粗化處理、防銹處理等結束後之電解銅合金與絕緣層構成材料之密著性之處理。此處所謂矽烷偶合劑處理中使用之矽烷偶合劑並不需要特別限制。考慮使用之絕緣層構成材料、於印刷配線板製造步驟中使用之鍍敷浴等性狀，可由環氧系矽烷偶合劑、胺基系矽烷偶合劑、巰系矽烷偶合劑等任意選擇。而且，形成矽烷偶合劑層時，可使用含有矽烷偶合劑之溶液，採用浸漬、塗佈、淋洗塗佈、電塗等方法。
    又，考慮施以表面處理之電解銅合金箔與絕緣層構成材料之密著性時，較好於施以表面處理之電解銅合金箔之表面設置底塗樹脂層。此時之底塗樹脂層為發揮對於施以表面處理之電解銅合金箔與絕緣層構成材料二者之接著力者，使確保施以表面處理之電解銅合金箔與絕緣層構成材料之良好密著性變得容易。該底塗樹脂層只要可發揮上述效果者即無特別限制，較好為例如由含有環氧樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物之樹脂組成物所成之層。
    以上所述之所有各種表面處理對於具備承載箔之電解銅合金箔之電解銅合金箔表面亦可以相同之方法實施。對具備承載箔之電解銅合金箔之電解銅合金箔表面施以該表面處理時，係在具備承載箔之電解銅合金箔之電解銅合金箔與基材貼合之面上施以表面處理。又，上述各種表面處理對具備承載箔之電解銅合金箔之承載箔背面(未與承載箔之剝離層接觸之面)亦可藉相同方法實施。
    接著，關於上述電解銅合金箔之製造方法，只要使用含有構成電解銅合金箔之銅與錫之供給源的銅離子與錫離子之電解液，於鈦板或鈦滾筒等之陰極面上，電解析出特定厚度之銅合金膜，藉剝離該銅合金膜，獲得錫含量為8質量%~25質量%之電解銅合金箔者即可，其製造條件並無特別限制。因此，本發明之具備承載箔之電解銅合金箔之情況，只要使用含有構成電解銅合金箔之銅與錫之供給源的銅離子與錫離子之電解液，使承載箔分極成陰極，於設置於承載箔之表面之剝離層表面上形成相當於錫含量為8質量%~25質量%之電解銅合金箔之電解銅合金層即可，其製造條件並無特別限制。
    以下列示實施例更具體說明本發明。又，本發明並不受以下實施例之限制。 〈實施例1〉
    該實施例係藉以下所述之方法製作具備承載箔之電解銅合金箔，隨後製作貼合金屬積層板，且使用該貼合金屬積層板進行雷射開孔加工評價。以下依此順序描述。 [具備承載箔之電解銅合金箔之製作]
    此實施例中之具備承載箔之電解銅合金箔係經過以下之步驟1~步驟4而製作。以下說明每一步驟。
    步驟1：該步驟1中，使用厚度18μm之電解銅箔作為承載箔，且於其表面粗糙度(Rzjis)為0.6μm之一面側上，形成剝離層。又，該表面粗糙度之測定係依據JIS B 0601，以使用前端曲率半徑為2μm之鑽石筆(diamond stylus)之觸針式表面粗糙度計測定。
    該剝離層之形成係將載體箔於含有硫酸為150g/l、銅濃度為10g/l、CBTA濃度為800ppm、液溫30℃之有機劑之稀硫酸水溶液中浸漬30秒後上拉，酸洗去除附在電解銅箔上之污染成分，同時使CBTA吸附於表面，於承載箔之表面形成剝離層，成為具備剝離層之承載箔。
    步驟2：該步驟2中，係於含金屬成分之電解液中，使具備該剝離層之承載箔經陰極分極，於剝離層之表面形成耐熱金屬層，成為具備耐熱金屬層與剝離層之承載箔。此處，使用硫酸鎳(NiSO4．6H2O)為330g/l、氯化鎳(NiCl．6H2O)為45g/l、硼酸為30g/l、pH3之濕式浴作為鎳電解液，在液溫45℃、電流密度0.4A/dm2下電解，於剝離層表面形成鎳層，製作具備耐熱金屬層與剝離層之承載箔。
    步驟3：該步驟3中，係在銅電解液中，使具備該耐熱金屬層與剝離層之承載箔經陰極分極，於耐熱金屬層之表面形成電解銅合金箔，獲得具備承載箔之電解銅合金箔。該電解銅合金箔之形成係以下述組成之銅-錫鍍敷浴及條件進行電解，形成厚度3μm之電解銅合金箔，獲得可剝離型之具備載體箔之電解銅合金箔。 [銅-錫鍍敷浴之組成及電解條件]
    CuSO4．5H2O：157g/l(換算Cu為40g/L)
    SnSO4：127g/l(換算Sn為70g/L)
    C6H11O7Na：70g/l
    H2SO4：70g/l
    液溫：45℃
    電流密度：30A/dm2
    步驟4：該步驟4中，對步驟3獲得之具備載體箔之電解銅合金箔之電解銅合金箔表面施以表面處理。此處之表面處理並未施以粗化處理，而係形成鋅-鎳合金防銹層，且施以電解鉻酸鹽處理、胺基系矽烷偶合劑處理，獲得具備載體箔之電解銅合金箔。
    該具備承載箔之電解銅合金箔之電解銅合金箔之錫含量為16.0質量%。又，使用集束離子束加工觀察裝置(FIB-SIM)觀察以相對於結晶之成長方向(厚度方向)平行切斷所得電解銅合金箔而成之剖面結晶組織之狀態獲得之FIB-SIM影像示於圖3。如由圖3所了解，所得電解銅合金箔之結晶組織中之結晶粒為朝厚度方向伸長之柱狀結晶。又，本發明之以FIB-SIM進行之觀察係在對貼合金屬積層板加工後進行者。 [貼合金屬積層板之製作]
    使用上述之具備承載箔之電解銅合金箔，藉熱壓製加工，於電解銅合金箔之表面貼合厚度100μm之FR-4之預浸片作為絕緣樹脂層構成材。接著，同時剝離去除具備承載箔之電解銅合金箔之承載箔與剝離層，藉此獲得貼合金屬積層板。 [雷射開孔加工性能之評價]
    雷射開孔加工性能之評價係使用二氧化碳氣體雷射。此時之以二氧化碳氣體雷射進行之開孔加工條件係以加工能量6.9mJ、脈衝寬度16微秒、雷射束束徑120μm之條件進行。結果，藉雷射開孔加工形成之孔之頂部口徑為92.1μm。 [蝕刻性之評價]
    接著，顯示進行所得電解銅合金箔之蝕刻性評價之結果。該蝕刻性之評價係使用於前述貼合金屬積層板之電解銅合金箔之表面上形成厚度20μm之鍍銅層之試料進行。
    接著，將上述施以鍍銅之試料在硫酸-過氧化氫系蝕刻液(三菱瓦斯化學股份有限公司製造之CPE800)於液溫30℃之條件下浸漬120秒，經水洗後乾燥。乾燥後之該試料之蝕刻面狀態示於圖4。圖4顯示自圖中箭頭方向對試料施以蝕刻之狀態。 〈實施例2〉
    該實施例係將前述實施例1之步驟3之銅-錫鍍敷浴之組成及電解條件變更為以下條件，形成厚度3μm之電解銅合金箔。其他均與實施例1相同，獲得可剝離型之具備載體箔之電解銅合金箔。 [銅-錫鍍敷浴之組成及電解條件]
    CuSO4．5H2O：79g/l(換算Cu為20g/L)
    SnSO4：72g/l(換算Sn為40g/L)
    C6H11O7Na：70g/l
    H2SO4：70g/l
    液溫：45℃
    電流密度：15A/dm2
    該具備承載箔之電解銅合金箔之電解銅合金箔之錫含量為12.9質量%。且，使用集束離子束加工觀察裝置(FIB-SIM)觀察以相對於結晶之成長方向(厚度方向)平行切斷所得電解銅合金箔而成之剖面結晶組織之狀態獲得之FIB-SIM影像示於圖5。如由圖5所了解，所得電解銅合金箔之結晶組織中之結晶粒為朝厚度方向伸長之柱狀結晶。
    進而，使用所得具備承載箔之電解銅合金箔，以與實施例1相同之方法，獲得貼附金屬積層板後，與實施例1同樣，進行雷射開孔加工性能之評價。其結果，形成之孔之平均頂部口徑為82.5μm。 [比較例1]
    該比較例1中，除將實施例1之電解銅合金箔之製作條件變更為以下條件以外，餘與實施例1同樣，製作具備載體箔之電解銅箔。亦即，該比較例1中，係採用通常之電解銅箔替換實施例1之電解銅合金箔者。該比較例1中，在前述實施例1之步驟3中，藉以下銅鍍敷液及電解條件，形成厚度3μm之電解銅箔，獲得具備承載箔之電解銅箔。 [銅鍍敷浴之組成及電解條件]
    CuSO4．5H2O：255g/l
    H2SO4：70g/l
    液溫：45℃
    電流密度：30A/dm2
    使用如此獲得之具備承載箔之電解銅箔，以與實施例1相同之方法，獲得貼附金屬積層板後，與實施例1同樣，進行雷射開孔加工性能之評價。其結果，該金屬積層板上並無法開孔。因此，可知使用該比較例1之具備承載箔之電解銅箔製作貼附金屬積層板時，若未對銅箔表面施以任何提高雷射光之吸收效率之處理時，以實施例1所記載之雷射照射條件無法施以開孔加工。 [比較例2]
    接著，比較例2中，係使用比較例1之具備載體箔之電解銅箔，以與實施例1相同之方法獲得貼附金屬積層板。接著，使用市售之無電解錫鍍敷液，於該貼附金屬積層板之電解銅箔之表面，形成厚度0.4μm之金屬錫層。隨後，以200℃×30分鐘之條件加熱處理形成該金屬錫層之貼附金屬積層板，引起電解銅箔之銅成分與金屬錫層之錫成分之間相互擴散，而於該電解銅箔上獲得具備以錫-銅作為主體之之擴散合金層之貼附金屬積層板。圖6顯示使用實施例1所記載之裝置及方法觀察相對於電解銅箔之結晶成長方向(厚度方向)平行切斷該貼附金屬積層板之擴散合金層時之剖面結晶組織之狀態之FIB-SIM影像。
    接著，使用具備以上述錫-銅作為主體之擴散合金層之貼附金屬積層板，且與實施例1同樣，進行雷射開孔加工性能之評價。其結果，形成之孔之頂部口徑為99.5μm。
    又，以與實施例1相同之方法，對具備所得擴散合金層之電解銅箔進行蝕刻性評價。圖7顯示具備該擴散合金層之電解銅箔之蝕刻面之狀態。又，圖7顯示自圖中之箭頭方向對試料施以蝕刻之狀態。 [參考例]
    該參考例中，準備於使用比較例1之具備載體箔之電解銅箔所得之貼附金屬積層板之電解銅箔層表面形成黑化處理層者。此時之黑化處理係使用羅門哈斯電子材料股份有限公司之PROBOND80，在液溫85℃、處理時間10分鐘之條件下進行。
    接著，使用具備該黑化處理層之貼附金屬積層板，與實施例1同樣，進行雷射開孔加工性能之評價。其結果，形成之孔之頂部口徑為82.9μm。 〈實施例與比較例之比對〉
    針對雷射開孔加工性能：由雷射開孔加工性能之觀點觀之，進行實施例與比較例之比對。實施例1及實施例2之電解銅合金箔之情況，可在脈衝寬度16微秒之條件下形成滿足80μm之頂部口徑之孔。此處，觀察作為參考例列示之具備黑化處理層之電解銅箔之雷射開孔加工性能時，可理解為於實施例1及實施例2之電解銅合金箔之情況，與具備黑化處理層之電解銅箔有相等以上之雷射開孔性能。而且，在現實之印刷配線板製造之現場中，如同參考例中記載之「具備黑化處理層之電解銅箔」，若考慮於貼銅積層板之銅箔層表面上形成黑化處理層，進行雷射開孔加工，則實施例1及實施例2之電解銅合金箔亦可進行現實上使用之雷射開孔加工，可理解為實用上並無問題。
    相對於此，於比較例1之情況中，如上述，無法施以開孔加工。而且，於比較例2之情況，若僅觀察以雷射開孔加工形成之孔之頂部口徑則為99.5μm，可理解為與實施例1及實施例2之電解銅合金箔之情況同樣，獲得與具備黑化處理層之電解銅箔同等以上之雷射開孔性能。然而，比較例2之情況中，由於接受雷射光照射之最外層中存在錫層，故於接受雷射光之最表層上存在熔點低之錫層，故導致飛濺現象發生之可能性高。產生該飛濺現象時，因雷射光之照射而飛散之液滴附著在孔之開口周圍，該部分成為突起狀，在形成貫穿孔時進行施加銅鍍敷層之形成時，會於突起部分引起鍍敷層之異常析出等之問題故較不佳。
    由結晶組織所見之探討：首先，參考圖3、圖5、圖6，描述關於實施例1及實施例2之電解銅合金箔，與比較例2之具備擴散合金層之電解銅箔之剖面構造之差異。圖3及圖5所示之實施例之電解銅合金箔之剖面構造遍及箔之厚度方向之全區域中可觀察到均一之合金組織。若作為如此箔之於厚度方向具備均一組織，則自蝕刻開始直至結束前，蝕刻速度均無變化，可容易地設定蝕刻條件，成為亦適於微細間距電路之形成者。
    相對於此，圖6所示之比較例2之具備擴散合金層之電解銅箔之情況，可知其最表面側殘留不會引起相互擴散之金屬錫層，且金屬錫層與銅箔層之間存在擴散合金層(銅-錫合金層)。亦即，可知比較例2之具備擴散合金層之電解銅箔之情況，嚴格而言，成為錫層/銅-錫合金層/銅箔層之三層構造。使用同一銅蝕刻液時，認為隨著「錫層」、「銅-錫合金層」、「銅箔層」之各者而蝕刻速度有所不同。尤其，位在最外層之錫層難以使用銅蝕刻液而溶解，而導致蝕刻速度下降，故在進行微細間距電路之形成時較不佳。
    因此，參考圖4與圖7，針對與實施例1及實施例2與比較例2有關之蝕刻性進行比對。圖7中顯示使比較例2之「錫層/銅-錫合金層/銅箔層」之成為三層構造之金屬箔，自圖7之箭頭所示之剖面方向，碰觸銅蝕刻液而使剖面溶解時之形態。由圖7所了解，可理解為自銅箔之上部附近進行蝕刻之錫層突出成鬚狀而殘留。假定，使錫層與銅箔層完全相互擴散，即使僅存在擴散合金層，該擴散合金層亦成為在厚度方向之合金成分濃度變化傾斜之合金層，藉由使用銅蝕刻液予以溶解，蝕刻速度於箔之厚度方向產生變化，故難以精密控制蝕刻。相對於此，實施例1及實施例2之情況，由於具備均一之合金組織，故自剖面方向碰觸銅蝕刻液使剖面溶解時，亦如圖4所示，成為平坦之蝕刻面。據此，實施例1及實施例2之情況，朝向厚度方向之蝕刻均以均一蝕刻速度進行，故可理解可較好地用於蝕刻因子優異之微細間距電路之形成。 [產業上之可能利用性]
    如上述藉由使用本發明之電解銅合金箔，可提供雷射加工性優異，且隨後之蝕刻中，在厚度方向獲得均一蝕刻速度之電解銅合金箔。而且，可利用二氧化碳氣體雷射使貼附金屬積層板之電解銅合金箔層進行直接開孔加工，不需要用於提高雷射光吸收效率之輔助金屬層或電解銅合金箔之黑化處理等，藉步驟數減少而可使總製造成本顯著下降。
    圖1為顯示本發明之電解銅合金箔之錫含量與在該電解銅合金箔上藉雷射開孔加工形成之孔之頂部口徑之關係之圖。
    圖2為顯示本發明之電解銅合金箔之錫含量與蝕刻速率之關係之圖。
    圖3為觀察實施例1之電解銅合金箔之剖面結晶組織之狀態之FIB-SIM影像。
    圖4為顯示對實施例1之電解銅合金箔施以蝕刻時之蝕刻狀態之剖面圖。
    圖5為顯示觀察實施例2之電解銅合金箔之剖面結晶組織之狀態之FIB-SIM像。
    圖6為顯示觀察比較例2之電解銅合金箔之剖面結晶組織之狀態之FIB-SIM像。
    圖7為顯示對比較例2之電解銅合金箔施以蝕刻時之蝕刻狀態之剖面圖。
    权利要求:
    Claims (8)
    [1] 一種電解銅合金箔，其係使電解液電解獲得之電解銅合金箔，其特徵為：該電解銅合金箔之錫含量為8質量%~25質量%。
    [2] 如申請專利範圍第1項之電解銅合金箔，其中結晶組織中之結晶粒為朝厚度方向伸長之柱狀結晶。
    [3] 一種電解銅合金箔，其係對如申請專利範圍第1項之電解銅合金箔表面施以粗化處理、防銹處理、矽烷偶合劑處理之至少一種者。
    [4] 一種具備承載箔之電解銅合金箔，其為具備承載箔/剝離層/銅合金箔之層構成之具備承載箔之銅合金箔，其特徵為該銅合金箔係錫含量為8質量%~25質量%之電解銅合金箔。
    [5] 如申請專利範圍第4項之具備承載箔之電解銅合金箔，其中前述電解銅合金箔之結晶組織中之結晶粒為朝厚度方向伸長之柱狀結晶。
    [6] 如申請專利範圍第4項之具備承載箔之電解銅合金箔，其係對前述電解銅合金箔表面施以粗化處理、防銹處理、矽烷偶合劑處理之至少一種。
    [7] 一種貼附金屬積層板，其特徵為其係使如申請專利範圍第1~3項中任一項之電解銅合金箔與絕緣層構成材料貼合而獲得。
    [8] 一種貼附金屬積層板，其特徵為其係使如申請專利範圍第4~6項中任一項之具備承載箔之電解銅合金箔與絕緣層構成材料貼合，隨後去除承載箔而獲得。
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