• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    本發明係提供一種場效電晶體，係包括：一閘極；一源極；一汲極；一半導體主動層，係連接於該源極以及該汲極；以及一介電層，係含有變性卵蛋白，且設置於該閘極以及該半導體主動層之間，提供良好的介電性質。藉此，本發明之場效電晶體產生優異電性表現。
    公开号:TW201320337A
    申请号:TW100140850
    申请日:2011-11-09
    公开日:2013-05-16
    发明作者:Tzung-Fang Guo；Jer-Wei Chang；Ten-Chin Wen
    申请人:Univ Nat Cheng Kung；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    含變性卵蛋白介電層的場效電晶體
    本發明係一種場效電晶體，特別係關於一種利用變性卵蛋白作為介電層，且具備良好的介電性質，並產生優異電性表現的場效電晶體。
    目前，場效電晶體大多是利用單一元素半導體材料、複合元素半導體材料或有機化合物半導體材料組合而成。除了上述材料外，近年來，許多生物材料也開始被廣泛地應用在場效電晶體中。
    根據過去的報導指出：如，β-胡蘿蔔素(β-carotene)已被作為場效電晶體中的半導體主動層，詳情請見Synth. Met. 2004,146,43；又如，去氧核糖核酸-氯化十六烷基三甲基銨(Deoxyribonucleic acid-hexadecyltrimethylammonium chloride，DNA-CTMA)已被作為場效電晶體中的介電層，詳情請見J. Appl. Phys. 2006,100,024514、Appl. Phys. Lett. 2009,95,263304、Appl. Phys. Lett. 2010,96,103307；再如，核鹼基(Nucleobase)已被作為場效電晶體中的介電層，詳情請見Org. Electron. 2010,11,1974；更如，絲綢(Silk)已被作為場效電晶體中的介電層或基板，詳情請見Adv Mater. 2011,23,1630、Nat. Mater. 2010,9,511；另如，聚乳酸-甘醇酸(Poly(L-lactide-co-glycolide)，PLGA))已被作為場效電晶體中的基板，詳情請見Adv Mater. 2010,22,651。
    本質上，生物材料具有可被生物降解、可被生物吸收、生物相容、環保以及不須化學合成反應等優勢。而且，生物材料取得容易，簡化了場效電晶體的製程及節省了其製程的成本。確實有必要開發更多生物材料應用於場效電晶體中，期降低場效電晶體製程的成本，並提供等效或更優於習用之場效電晶體的電性表現。
    本發明之目的在於提供一種場效電晶體，其係利用變性卵蛋白作為其介電層。由於該變性卵蛋白具良好的介電性質，使得本發明之場效電晶體產生優異的電性表現。
    為實現上述及/或其他目的，本發明提供一種場效電晶體，其包括：一閘極；一源極；一汲極；一半導體主動層，係連接於該源極以及該汲極；以及一介電層，係含有變性卵蛋白，且設置於該閘極以及該半導體主動層之間。
    經實驗後得知，由於該介電層係設置於該閘極及該半導體主動層之間，且該介電層之變性卵蛋白提供該閘極及該半導體主動層間絕佳的介電效果，使得本發明之場效電晶體產生優異的電性表現。
    另外，於本發明，由於該介電層含有該變性卵蛋白，本發明之場效電晶體可恣意地配置於一硬性基板或一軟性基板上，而設計成不可彎折的電子裝置或可撓性的電子裝置。
    請參看圖1，原生蛋白質(Native protein)係指存在於自然狀態下的蛋白質。在變性因子(如：高溫、介面活性劑)作用下，該原生蛋白質的二級、三級結構將受到破壞，而形成未摺疊蛋白質(Unfolded protein)。另一方面，在變性因子作用下，部分或少數未摺疊蛋白質中的半胱胺酸(Cystein)之間會產生雙硫鍵結(Disulfide bond)，而形成交聯蛋白質(Crosslinked protein)。由於未摺疊蛋白質及交聯蛋白質的結構、性質異於原生蛋白質，未摺疊蛋白質、交聯蛋白質或其混合均可謂為變性蛋白質。
    本發明係根據原生蛋白質於變性因子作用下，會改變其結構、性質所得到的發現。
    本發明係提供一種場效電晶體，其中發現變性卵蛋白可被作為該場效電晶體中的介電層，藉此，提供該場效電晶體絕佳的介電效果，使得該場效電晶體產生優異的電性表現。
    請參看圖2，係為本發明場效電晶體之一實施樣態。於本實施樣態，該場效電晶體係為一下閘極上接觸式場效電晶體，其包括：一閘極(11)；一源極(12)；一汲極(13)；一半導體主動層(14)，係連接於該源極(12)以及該汲極(13)；以及一介電層(15)，係含有變性卵蛋白，且設置於該閘極(11)以及該半導體主動層(14)之間；其中，該閘極(11)以及該介電層(15)係設置於該源極(12)、該汲極(13)以及該半導體主動層(14)之下方，且該半導體主動層(14)係設置於該源極(12)、該汲極(13)以及該介電層(15)之間，以構成該下閘極上接觸式場效電晶體。
    於本實施樣態，該場效電晶體更包括一基板(16)，該基板(16)係配置於該閘極(11)之下方。依照後續不同的應用，當該場效電晶體設計成不可彎折的電子裝置時，該基板(16)係為一硬性基板，如玻璃基板或矽基板，但不限於此；當該場效電晶體設計成可撓性的電子裝置時，該基板(16)係為一軟性基板，如聚2、6-萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate，PEN)基板，但不限於此。
    於本實施樣態，該半導體主動層(14)係為金屬半導體、金屬氧化物半導體或有機半導體，但不限於此。較佳地，該半導體主動層(14)係為五環素(Pentacene)或碳60。
    於本實施樣態，該介電層(15)之變性卵蛋白係源自於鳥禽類的原生卵蛋白。另外，該變性卵蛋白係經加熱處理而得；較佳地，該加熱處理之加熱溫度係為80至200℃。
    更具體地說，於本實施樣態，該原生卵蛋白係先塗佈於該半導體主動層(14)之下方或該閘極(11)之上方，再對該原生卵蛋白加熱，使得該原生卵蛋白轉變為該變性卵蛋白。
    值得一提的是，該變性卵蛋白係為疏水性，且該變性卵蛋白之疏水性、水接觸角(Water contact angle)以及表面平整度係可透過前述加熱處理之加熱溫度、加熱時間控制。經實驗後得知，該160℃加熱處理後之變性卵蛋白的水接觸角約為60-80度，而該100℃加熱處理後之變性卵蛋白的水接觸角約為40-60度；因此，相較之下，該160℃加熱處理後之變性卵蛋白較為疏水性。
    請參看圖3，係為本發明場效電晶體之又一實施樣態。於本實施樣態，該場效電晶體係為一下閘極下接觸式場效電晶體，其包括：一閘極(11)；一源極(12)；一汲極(13)；一半導體主動層(14)，係連接於該源極(12)以及該汲極(13)；以及一介電層(15)，係含有變性卵蛋白，且設置於該閘極(11)以及該半導體主動層(14)之間；其中，該閘極(11)以及該介電層(15)係設置於該源極(12)、該汲極(13)以及該半導體主動層(14)之下方，且該半導體主動層(14)係覆蓋於該源極(12)、該汲極(13)以及該介電層(15)之上方，以構成該下閘極下接觸式場效電晶體。
    於本實施樣態，該場效電晶體更包括一基板(16)，該基板(16)係配置於該閘極(11)之下方。依照後續不同的應用，當該場效電晶體設計成不可彎折的電子裝置時，該基板(16)係為一硬性基板，如玻璃基板或矽基板，但不限於此；當該場效電晶體設計成可撓性的電子裝置時，該基板(16)係為一軟性基板，如聚2、6-萘二甲酸乙二醇酯基板，但不限於此。
    於本實施樣態，該半導體主動層(14)係為金屬半導體、金屬氧化物半導體或有機半導體，但不限於此。較佳地，該半導體主動層(14)係為五環素或碳60。
    於本實施樣態，該介電層(15)之變性卵蛋白係源自於鳥禽類的原生卵蛋白。另外，該變性卵蛋白係經加熱處理而得；較佳地，該加熱處理之加熱溫度係為80至200℃。
    更具體地說，於本實施樣態，該原生卵蛋白係先塗佈於該源極(12)、該汲極(13)以及該半導體主動層(14)之下方或該閘極(11)之上方，再對該原生卵蛋白加熱，使得該原生卵蛋白轉變為該變性卵蛋白。
    值得一提的是，該變性卵蛋白係為疏水性，且該變性卵蛋白之疏水性、水接觸角以及表面平整度係可透過前述加熱處理之加熱溫度、加熱時間控制。經實驗後得知，該160℃加熱處理後之變性卵蛋白的水接觸角約為60-80度，而該100℃加熱處理後之變性卵蛋白的水接觸角約為40-60度；因此，相較之下，該160℃加熱處理後之變性卵蛋白較為疏水性。
    請參看圖4，係為本發明場效電晶體之另一實施樣態。於本實施樣態，該場效電晶體係為一上閘極下接觸式場效電晶體，其包括：一閘極(11)；一源極(12)；一汲極(13)；一半導體主動層(14)，係連接於該源極(12)以及該汲極(13)；以及一介電層(15)，係含有變性卵蛋白，且設置於該閘極(11)以及該半導體主動層(14)之間；其中，該閘極(11)以及該介電層(15)係設置於該源極(12)、該汲極(13)以及該半導體主動層(14)之上方，且該半導體主動層(14)係覆蓋於該源極(12)以及該汲極(13)之上方，以構成該上閘極下接觸式場效電晶體。
    於本實施樣態，該場效電晶體更包括一基板(16)，該基板(16)係配置於該源極(12)、該汲極(13)以及該半導體主動層(14)之下方。依照後續不同的應用，當該場效電晶體設計成不可彎折的電子裝置時，該基板(16)係為一硬性基板，如玻璃基板或矽基板，但不限於此；當該場效電晶體設計成可撓性的電子裝置時，該基板(16)係為一軟性基板，如聚2、6-萘二甲酸乙二醇酯基板，但不限於此。
    於本實施樣態，該半導體主動層(14)係為金屬半導體、金屬氧化物半導體或有機半導體，但不限於此。較佳地，該半導體主動層(14)係為五環素或碳60。
    於本實施樣態，該介電層(15)之變性卵蛋白係源自於鳥禽類的原生卵蛋白。另外，該變性卵蛋白係經加熱處理而得；較佳地，該加熱處理之加熱溫度係為80至200℃。
    更具體地說，於本實施樣態，該原生卵蛋白係先塗佈於該閘極(11)之下方或該半導體主動層(14)之上方，再對該原生卵蛋白加熱，使得該原生卵蛋白轉變為該變性卵蛋白。
    值得一提的是，該變性卵蛋白係為疏水性，且該變性卵蛋白之疏水性、水接觸角以及表面平整度係可透過前述加熱處理之加熱溫度、加熱時間控制。經實驗後得知，該160℃加熱處理後之變性卵蛋白的水接觸角約為60-80度，而該100℃加熱處理後之變性卵蛋白的水接觸角約為40-60度；因此，相較之下，該160℃加熱處理後之變性卵蛋白較為疏水性。
    請參看圖5，係為本發明場效電晶體之再一實施樣態。於本實施樣態，該場效電晶體係為一上閘極上接觸式場效電晶體，其包括：一閘極(11)；一源極(12)；一汲極(13)；一半導體主動層(14)，係連接於該源極(12)以及該汲極(13)；以及一介電層(15)，係含有變性卵蛋白，且設置於該閘極(11)以及該半導體主動層(14)之間；其中，該閘極(11)以及該介電層(15)係設置於該源極(12)、該汲極(13)以及該半導體主動層(14)之上方，且該半導體主動層(14)係覆蓋於該源極(12)、該汲極(13)以及該介電層(15)之下方，以構成該上閘極上接觸式場效電晶體。
    於本實施樣態，該場效電晶體更包括一基板(16)，該基板(16)係配置於該半導體主動層(14)之下方。依照後續不同的應用，當該場效電晶體設計成不可彎折的電子裝置時，該基板(16)係為一硬性基板，如玻璃基板或矽基板，但不限於此；當該場效電晶體設計成可撓性的電子裝置時，該基板(16)係為一軟性基板，如聚2、6-萘二甲酸乙二醇酯基板，但不限於此。
    於本實施樣態，該半導體主動層(14)係為金屬半導體、金屬氧化物半導體或有機半導體，但不限於此。較佳地，該半導體主動層(14)係為五環素或碳60。
    於本實施樣態，該介電層(15)之變性卵蛋白係源自於鳥禽類的原生卵蛋白。另外，該變性卵蛋白係經加熱處理而得；較佳地，該加熱處理之加熱溫度係為80至200℃。
    更具體地說，於本實施樣態，該原生卵蛋白係先塗佈於該閘極(11)下方或該源極(12)、該汲極(13)以及該半導體主動層(14)上方，再對該原生卵蛋白加熱，使得該原生卵蛋白轉變為該變性卵蛋白。
    值得一提的是，該變性卵蛋白係為疏水性，且該變性卵蛋白之疏水性、水接觸角以及表面平整度係可透過前述加熱處理之加熱溫度、加熱時間控制。經實驗後得知，該160℃加熱處理後之變性卵蛋白的水接觸角約為60-80度，而該100℃加熱處理後之變性卵蛋白的水接觸角約為40-60度；因此，相較之下，該160℃加熱處理後之變性卵蛋白較為疏水性。
    請參看圖6(A)至6(D)，係說明本發明場效電晶體之一實施例的輸出特性及轉換特性；其中，本實施例為一下閘極上接觸式場效電晶體，且其介電層之變性卵蛋白係經加熱至100℃，持溫10分鐘；又經加熱至120℃，持溫10分鐘；以及再經加熱至140℃，持溫10分鐘而得。由此可以得到，當本實施例中的半導體主動層為五環素時，本實施例具有下列參數：(1)當閘極電壓為-25V時，輸出電流為-1.6 10-6A；(2)起始電壓為-8V；(3)開關比為104；(4)漏電流為1010A。由此也可以得到，當本實施例中的半導體主動層為碳60時，本實施例具有下列參數：(1)當閘極電壓為25V時，輸出電流為5 10-6A；(2)起始電壓為1.5V；(3)開關比為104；(4)漏電流為1010A。由上可知，於本實施例，無論其半導體主動層為五環素或碳60，其均產生優異的電性表現。
    此外，延滯(Hysteresis)現象是影響場效電晶體應用的一大課題。如圖6(B)、6(D)所示，本實施例均無延滯現象。
    另一方面，介電層的介電常數咸被認為和場效電晶體的輸出特性有關。為瞭解本發明場效電晶體之介電層的介電效果，將該變性卵蛋白設置於二金屬間，形成一金屬-絕緣層-金屬(Metal-insulator-metal)構型，進行檢測。請參看圖7，係說明該變性卵蛋白於電壓25V、驅動頻率200-106Hz下測得的電容。由此可知，和習用之場效電晶體的介電層：聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethacerylate，PMMA)及聚苯乙烯(Polysterene，PS)相較，該變性卵蛋白的電容為12.45-13.25nF/cm2，而聚甲基丙烯酸甲酯的電容為7.0-7.9nF/cm2及聚苯乙烯的電容為6.5nF/cm2。由此可進一步推估，該變性卵蛋白之介電常數約為聚甲基丙烯酸甲酯及聚苯乙烯的二倍。請再參看圖7，更說明在同一場效電晶體中配置不同介電層後的輸出特性。當場效電晶體之介電層為變性卵蛋白時，其輸出電流約為介電層為聚甲基丙烯酸甲酯及聚苯乙烯之場效電晶體的二倍。由上可知，本發明場效電晶體之變性卵蛋白確實帶來良好的介電效果，並產生優異的電性表現。
    再者，為瞭解本發明場效電晶體之介電層於不同濕度環境下的電容變化，將該變性卵蛋白設置於二金屬間，形成一金屬-絕緣層-金屬構型，再置入不同環境中進行檢測。請參看圖8，係說明該變性卵蛋白於不同濕度環境下，當偏壓為10V、驅動頻率為5 103Hz測得的歸一化電容比率。由此可知，在不同濕度環境下，該變性卵蛋白之電容無明顯的變化，更確認該變性卵蛋白的穩定以及良好的介電效果。
    請參看圖9(A)至9(C)，係說明本發明場效電晶體之另一實施例彎折前後的輸出特性，其中本實施例為一下閘極上接觸式場效電晶體，且利用一聚2、6-萘二甲酸乙二醇酯基板作為其基板。
    如圖9(A)所示，本實施例可被輕易地以任何角度彎折。
    再如圖9(B)所示，本實施例之輸出特性和前述實施例的輸出特性相似。
    又如圖9(C)所示，當本實施例彎折成半徑5mm之構型數次後，其輸出電流與彎折前並無明顯的變化，惟其開關比有減少之趨勢，主因在於：本實施例經數次彎折後，其漏電流有增加所致。
    綜上所述，本發明之場效電晶體利用變性卵蛋白作為其介電層。由於該變性卵蛋白具良好的介電性質，使得本發明之場效電晶體產生優異的電性表現。
    惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例，但不能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
    (11)．．．閘極
    (12)．．．源極
    (13)．．．汲極
    (14)．．．半導體主動層
    (15)．．．介電層
    (16)．．．基板
    圖1係說明原生蛋白質於變性因子作用下，其結構、性質改變的示意圖。
    圖2係本發明之場效電晶體一實施樣態的剖面示意圖。
    圖3係本發明之場效電晶體又一實施樣態的剖面示意圖。
    圖4係本發明之場效電晶體另一實施樣態的剖面示意圖。
    圖5係本發明之場效電晶體再一實施樣態的剖面示意圖。
    圖6(A)至6(D)係說明本發明場效電晶體之一實施例的輸出特性及轉換特性。
    圖7係說明本發明場效電晶體之變性卵蛋白於電壓25V、驅動頻率200-106Hz下測得的電容。
    圖8係說明本發明場效電晶體之變性卵蛋白於不同濕度環境下，當偏壓為10V、驅動頻率為5 103Hz測得的歸一化電容比率。
    圖9(A)係本發明場效電晶體之另一實施例彎折後的照片圖。
    圖9(B)至9(C)係說明圖9(A)之場效電晶體彎折前後的輸出特性。
    权利要求:
    Claims (11)
    [1] 一種場效電晶體，係包括：一閘極；一源極；一汲極；一半導體主動層，係連接於該源極以及該汲極；以及一介電層，係含有變性卵蛋白，且設置於該閘極以及該半導體主動層之間。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之場效電晶體，其中該變性卵蛋白係源自於鳥禽類的原生卵蛋白。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之場效電晶體，其中該半導體主動層係為金屬半導體、金屬氧化物半導體或有機半導體。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之場效電晶體，其中該半導體主動層係為五環素(Pentacene)或碳60。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述之場效電晶體，其中該變性卵蛋白係經加熱處理而得。
    [6] 如申請專利範圍第5項所述之場效電晶體，其中該加熱處理之加熱溫度係為80至200℃。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述之場效電晶體，其中該變性卵蛋白係為疏水性。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述之場效電晶體，其中該閘極以及該介電層係設置於該源極、該汲極以及該半導體主動層之下方，且該半導體主動層係設置於該源極、該汲極以及該介電層之間，以構成一下閘極上接觸式場效電晶體。
    [9] 如申請專利範圍第1項所述之場效電晶體，其中該閘極以及該介電層係設置於該源極、該汲極以及該半導體主動層之下方，且該半導體主動層係覆蓋於該源極、該汲極以及該介電層之上方，以構成一下閘極下接觸式場效電晶體。
    [10] 如申請專利範圍第1項所述之場效電晶體，其中該閘極以及該介電層係設置於該源極、該汲極以及該半導體主動層之上方，且該半導體主動層係覆蓋於該源極以及該汲極之上方，以構成一上閘極下接觸式場效電晶體。
    [11] 如申請專利範圍第1項所述之場效電晶體，其中該閘極以及該介電層係設置於該源極、該汲極以及該半導體主動層之上方，且該半導體主動層係覆蓋於該源極、該汲極以及該介電層之下方，以構成一上閘極上接觸式場效電晶體。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    Chang et al.2011|Chicken albumen dielectrics in organic field‐effect transistors
    Jo et al.2018|High-mobility and hysteresis-free flexible oxide thin-film transistors and circuits by using bilayer sol–gel gate dielectrics
    Liu et al.2019|Polyelectrolyte dielectrics for flexible low‐voltage organic thin‐film transistors in highly sensitive pressure sensing
    Xu et al.2010|Organic field-effect transistors with cross-linked high-k cyanoethylated pullulan polymer as a gate insulator
    JP2012257213A5|2015-06-25|
    Valentini et al.2014|Cellulose nanocrystals thin films as gate dielectric for flexible organic field-effect transistors
    Wang et al.2019|New floating gate memory with excellent retention characteristics
    Dezieck et al.2010|Threshold voltage control in organic thin film transistors with dielectric layer modified by a genetically engineered polypeptide
    Liu et al.2014|Proton conducting sodium alginate electrolyte laterally coupled low-voltage oxide-based transistors
    JP2012239161A5|2015-03-05|コンパレータ
    Raghuwanshi et al.2019|Solution-processed organic field-effect transistors with high performance and stability on paper substrates
    TWI478342B|2015-03-21|含變性卵蛋白介電層的場效電晶體
    Hsieh et al.2013|Enhanced mobility of organic thin film transistors by water absorption of collagen hydrolysate gate dielectric
    Zhou et al.2019|Artificial synapse emulated through fully aqueous solution-processed low-voltage In2O3 thin-film transistor with Gd2O3 Solid Electrolyte
    Tang et al.2020|Strategy for Selective Printing of Gate Insulators Customized for Practical Application in Organic Integrated Devices
    US20130181192A1|2013-07-18|Organic floating gate memory device having protein and method of fabricating the same
    TW201330242A|2013-07-16|含生物高分子材料之電子裝置及其製造方法
    Guo et al.2015|Biodegradable junctionless transistors with extremely simple structure
    Qiang Zhu et al.2013|Laser directly written junctionless in-plane-gate neuron thin film transistors with AND logic function
    US20140327001A1|2014-11-06|Method for manufacturing oxide semiconductor thin film transistor, and active operating display device and active operating sensor device using same
    Singh et al.2017|Origin of switching current transients in TIPS-pentacene based organic thin-film transistor with polymer dielectric
    JP2011119712A5|2013-11-28|評価方法、半導体装置の作製方法
    Zhu et al.2012|Transparent in-plane-gate junctionless oxide-based TFTs directly written by laser scribing
    CN103855305B|2016-09-07|一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法
    Yu et al.2021|Multi-functional logic circuits composed of ultra-thin electrolyte-gated transistors with wafer-scale integration
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    KR20130051389A|2013-05-20|
    TWI478342B|2015-03-21|
    KR101367007B1|2014-02-24|
    US8618534B2|2013-12-31|
    US20130112967A1|2013-05-09|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    US4238757A|1976-03-19|1980-12-09|General Electric Company|Field effect transistor for detection of biological reactions|
    US6842657B1|1999-04-09|2005-01-11|E Ink Corporation|Reactive formation of dielectric layers and protection of organic layers in organic semiconductor device fabrication|
    JP4635410B2|2002-07-02|2011-02-23|ソニー株式会社|半導体装置及びその製造方法|
    JP2006352083A|2005-05-18|2006-12-28|Ricoh Co Ltd|有機薄膜トランジスタ及びアクティブマトリックス表示装置|
    TWI344216B|2007-08-14|2011-06-21|Ind Tech Res Inst|Organic thin-film transistor and method for controlling surface energy of polymer layer|
    TWI362488B|2008-02-13|2012-04-21|Ind Tech Res Inst|Transistor type pressure sensor and method for making the same|
    US20100140596A1|2008-12-08|2010-06-10|Electronics And Telecommunications Research Institute|Organic thin film transistor and method of manufacturing the same|
    JP4415062B1|2009-06-22|2010-02-17|富士フイルム株式会社|薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法|
    US8129716B2|2010-03-18|2012-03-06|National Tsing Hua University|OTFT and MIM capacitor using silk protein as dielectric material and methods for manufacturing the same|KR102093502B1|2018-03-27|2020-03-25|연세대학교 산학협력단|생분해성 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법|
    KR102211320B1|2019-05-10|2021-02-03|성균관대학교산학협력단|시냅스 소자 및 이의 제조 방법|
    法律状态:
    2018-12-21| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    TW100140850A|TWI478342B|2011-11-09|2011-11-09|含變性卵蛋白介電層的場效電晶體|TW100140850A| TWI478342B|2011-11-09|2011-11-09|含變性卵蛋白介電層的場效電晶體|
    KR1020120010731A| KR101367007B1|2011-11-09|2012-02-02|내부에 변성 알부민을 포함하는 유전체층을 구비한 전계 효과 트랜지스터|
    US13/367,892| US8618534B2|2011-11-09|2012-02-07|Field-effect transistor with a dielectric layer having therein denatured albumen|
    [返回顶部]