台湾专利TW201318858A 軟性電子裝置及其製作方法

专利PDF首页>>台湾专利

专利附录

专利说明

权利要求

类似技术

同族专利

引用文献

法律状态

优先权

专利摘要:
一種軟性電子裝置之製作方法包含：形成第一層於基材上，以定義第一區域與圍繞第一區域之第二區域，以至少局部地暴露出第一區域中之基材，且第一層係位於第二區域中；形成第二層於第一區域與第二區域上方之第一層上，因而第二層與第一區域中之基材間的附著力較第二層與第二區域中之第一層間的附著力弱；形成電子裝置層(Electronic Device Layer；EDL)於第一區域上方之第二層上，EDL定義出邊界，此邊界係投影地位於第一區域中；以及藉由沿著輪廓切穿第一層與第二層的方式，將EDL與基材分離，此輪廓係位於第一區域中但不小於邊界。
公开号:TW201318858A
申请号:TW100149228
申请日:2011-12-28
公开日:2013-05-16
发明作者:Chun-Hsiang Fang；Yu-Ling Lin
申请人:Au Optronics Corp；
IPC主号:H01L27-00

专利说明:
軟性電子裝置及其製作方法
本發明一般係有關於一種軟性電子裝置，特別是有關於一種軟性電子裝置之製作方法。
有兩種方法主要用以製造軟性顯示器：捲對捲(roll to roll)以及貼附軟性基材至玻璃基材。對於後者的方法，已證明從玻璃基材分離軟性基材以便完成軟性顯示器之製造過程係一艱鉅之事。一種習知離型方法係將犧牲層插入軟性基材與玻璃基材之間，其中犧牲層之材料係氧化物，此氧化物可吸收某些波長之雷射的能量。藉著雷射掃掠玻璃基材之背面，氧化層吸收穿透玻璃基材之雷射能量，如此一來軟性基材與玻璃基材分離。然而，雷射之使用增加成本且對電子零件造成損傷。
另一方法係設置一有機離型層於軟性基材與玻璃基材之間。然而，於製造有機離型層之期間可能形成小島結構，此些小島結構可能造成孔洞形成於軟性基材中、以及軟性基材的非均勻厚度。
因此，在此領域中，存在一個至今仍未提出的需求，以對付上述缺陷與不足。
在本發明之一態樣中，一種軟性電子裝置的製作方法，包含：提供基材；形成第一層於基材上，以於基材中定義出第一區域與第二區域，第二區域係圍繞第一區域，以至少局部地暴露出第一區域中之基材，且第一層至少部分位於第二區域中；形成第二層於第一區域與第二區域上方之第一層上，因而第二層與第一區域中之基材間的附著力較第二層與第二區域中之第一層間的附著力弱；形成電子裝置層於第一區域上方之第二層上，其中電子裝置層於第一區域上定義出邊界，且此邊界係投影地位於第一區域中；以及藉由沿著輪廓切穿第二層的方式，將電子裝置層和部分之第二層與基材分離，此輪廓係相等於或大於電子裝置層之邊界，但不超出第一區域。
在本發明之另一態樣中，一種軟性電子裝置的製作方法，包含：提供基材，此基材具有第一表面與相對之第二表面；塗佈第一聚醯胺酸(Polyamic Acid；PAA)於基材之第一表面上，以形成第一聚亞醯胺(Polyimide)層，藉以於基材中定義出第一區域與第二區域，其中第一聚亞醯胺層係形成於第一區域上，且第二區域係圍繞第一區域；塗佈第二聚醯胺酸於基材之第一區域中的第一聚亞醯胺層與基材之第二區域上，以形成第二聚亞醯胺層於第一聚亞醯胺層與第二區域上，其中第二聚醯胺酸係以有機矽烷合成，如此第一聚亞醯胺層與第一區域中之基材間的附著力較第二聚亞醯胺層與第二區域中之基材間的附著力弱；形成電子裝置層於第一區域上方之第二聚亞醯胺層上，其中電子裝置層於第一區域上定義出邊界，且此邊界係投影地位於第一區域中；以及藉由沿著輪廓切穿第二聚亞醯胺層與第一聚亞醯胺層的方式，將電子裝置層、部分之第二聚亞醯胺層和部分之第一聚亞醯胺層與基材分離，此輪廓係相等於或大於電子裝置層之邊界，但不超出第一區域。
在本發明之又一態樣中，本發明係關於一種依照以上所揭露之方法所製作之軟性電子裝置。
本發明的這些與其他態樣從結合下列圖式所做的較佳實施例的描述中將變得更明顯，然而在不偏離本揭露之新觀念的精神與範圍下，可變更其中的變化與變異。
以下將參考圖式而更充分地描述本發明，其中圖式繪示出本發明之示範實施例。然而，本發明可以許多不同形式加以體現，且不應理解為限制於此所提出之實施例。相反地，由於此些實施例的提供，因而此揭露可對熟習此技藝者徹底、完全且完整表達本發明之範圍。相同之參考數字在各處代表相同之元件。
可理解的是當稱一元件位於另一元件「上(on)」時，其可為直接位於其他元件上、或介於中間之元件可出現在其間。相反地，當稱一元件直接位於另一元件「上(directly on)」時，並無介於中間之元件出現。如於此所使用，用語(terms)「和/或(and/or)」包含一個或多個相關之列出項目的任一與所有組合。
可理解的是，雖然在此可使用用語第一(first)，第二(second)與第三(third)等來描述各種元件、零件、區域、層和/或部分，但此些用語不應限制此些元件、零件、區域、層和/或部分。此些用語僅用以區別一元件、零件、區域、層和/或部分與另一元件、零件、區域、層和/或部分。因此，可在不偏離本發明之教示的情況下，將以下討論之第一元件、零件、區域、層和/或部分稱為第二元件、零件、區域、層和/或部分。
於此使用之術語僅用於描述特定實施例之目的，並非用以限制本發明。如於此所使用，除非內容清楚指定，單數形式「一(a)」與「該(the)」亦欲包含複數形式。將進一步了解的是，用語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」、或「包含(includes)」及/或「包含(including)」、或「具有(has)」及/或「具有(having)」應用在說明書中時，明確說明所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元素、及/或構件的存在，但並未排除一或更多其他特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、零件及/或其族群的存在或加入。
此外，相對用語，例如：「下(lower)」或「底部(bottom)」和「上(upper)」或「頂部(top)」於此可用以描述如圖中所繪示之一元件與另一元件的關係。可理解的是，除了圖中所描繪之方位外，相對用語意欲包含元件之不同方位。例如：若圖中之元件翻轉，被描述為在此另一元件之「下」側的元件接下來將位於此另一元件的「上」側的方位。因此，例示性用語「下」根據圖之特定方位可包含「下」和「上」之兩方位。相同地，若圖中之元件翻轉，被描述為在另一元件「之下(below)」或「下方(beneath)」的元件則接下來將位於此另一元件之「上方(above)」的方位。因此，例示性用語「之下」或「下方」可包含上方及下方兩方位。
除非特別定義，否則在此所使用之所有用語(包含科技與科學用語)具有相同於熟習本發明所屬技術領域者所廣為了解的意義。將可進一步了解的是，用語，例如以常用辭典定義之用語，應解釋成具有與它們在相關領域和本揭露之上下文中之意義一致的意義，且將不會以理想化或過度正式的意義來加以解讀，除非在此這樣特別定義。
如在此所使用的用語「大約(around)」、「約(about)」或「近乎(approximately)」應大體上意味在給定值或範圍的20%以內，較佳係在10%以內，更佳係在5%內。在此所提供之數量為近似的，因此意味著若無特別陳述，可以用語「大約」、「約」或「近乎」加以表示。
可了解如在此所使用的用語「包含(comprising)」、「包含(including)」、「具有(having)」、「含有(containing)」、「包含(involving)」等等，為開放性的(open-ended)，即意指包含但不限於。
於此所使用之用語「層(layer)」指薄片或薄膜。
關於本發明之實施例將結合附圖第1A-1G圖、第2A-2H圖與第3A-3H圖進行描述。依照本發明之目的，如同在此體現與概括描述的，在一態樣中，本發明係關於一種軟性電子裝置的製作方法。
現在請參考第1A-1G圖，其係繪示根據本發明之一實施例之一種軟性電子裝置的製作方法。此方法包含以下步驟：首先，提供基材110，基材110具有第一(平坦)表面112與相對之第二表面114。基材110可為玻璃、石英、塑膠、陶瓷、金屬或其他類似材料之平坦基材。在一示範實施例中，基材110係平坦之玻璃基材。
然後，以助黏材料形成助黏層120於基材110之第一表面112上，如第1B圖所示。在一例子中，助黏材料係有機矽烷。可理解的是其他助黏材料亦可用以實施本發明。
在一實施例中，形成助黏層120時包含以下步驟：以含有有機矽烷之助黏材料塗佈基材110之第一表面112，及於第一溫度下烘烤塗佈於基材110之有機矽烷第一段時間，以形成助黏層120於基材110上，如第1B圖所示。塗佈製程包含塗過量之有機矽烷溶液至平坦基材110之第一表面112，如第1A圖所示，然後於高轉速下旋轉有機矽烷溶液，以散開有機矽烷溶液，而形成塗佈有有機矽烷的基材。在一實施例中，第一溫度之範圍介於約50℃至250℃，且第一段時間之範圍係介於約5分鐘至10分鐘。烘烤(第一)溫度和時間較佳係約120℃與約5分鐘，或約200℃與約1分鐘。
在另一實施例中，形成助黏層120時包含氣相塗佈助黏材料於基材110之第一表面112，以形成助黏層120，如第1B圖所示。氣相塗佈製程可為物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition；PVD)製程、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition；CVD)製程或其他類似之製程。
此外，對助黏層120進行圖案化製程，以於基材110中定義出第一區域111與第二區域113，第二區域113係圍繞第一區域111。在一實施例中，圖案化製程包含轉印具有對應於第一區域111與第二區域113之圖案的光罩126於助黏層120上，以及於空氣或氧氣之環境中，例如烘箱，以紫外(Ultraviolet；UV)光128處理助黏層120與基材110，如此UV光照射第一區域111上之助黏層120，而第二區域113上的助黏層120則被遮蔽而不受UV光照射，如第1C圖所示。於第二溫度下進行圖案化製程第二段時間。第二溫度之範圍係介於約25℃至300℃，且第二段時間之範圍係介於約1分鐘至10分鐘。第二溫度與第二段時間較佳係約200℃與約5分鐘。此外，利用UV光移除第一區域111上之助黏層120的部分，如此暴露出第一區域111中之基材110的第一表面112，而助黏層120僅位於第二區域113上，如第1D圖所示。
接著，形成塑膠層130於第一區域111及第二區域113上方之助黏層120上，如第1E圖所示。例如：聚亞醯胺之塑膠層130係軟性的，且作為軟性電子零件和/或裝置之基礎。在一實施例中，形成塑膠層之步驟包含以聚醯胺酸塗佈第一區域111及第二區域113上方之助黏層120，以於第一區域111與助黏層120上形成聚醯胺酸層，以及固化(curing)此聚醯胺酸層，以形成塑膠層130。如此一來，塑膠層130與第一區域111中之基材110間的附著力比塑膠層130與第二區域113中之助黏層120間的附著力弱。可理解的是其他材料亦可使用來形成軟性塑膠層。
此外，電子裝置層140係形成於第一區域111上方之塑膠層130上，其中電子裝置層140於第一區域111上界定出邊界142，如第1F圖所示。邊界142係投影地位於第一區域111中。電子裝置層140可為一個或多個薄膜電晶體(Thin Film Transistors；TFTs)或任何其他電子零件。
然後，藉由沿著一輪廓來切穿塑膠層130，而將電子裝置層140和部分塑膠層130與基材110分離，此輪廓係相等於或大於電子裝置層140之邊界142，但不超出第一區域111，如第1G圖所示。由於塑膠層130與第一區域111中之基材110間的附著力比塑膠層130與第二區域113中之助黏層120間的附著力弱，因此將很容易的從基材110分離電子裝置層140與第一區域111中之塑膠層130。
第2A-2H圖係繪示根據本發明之一實施例的一種軟性電子裝置的製作方法。相同地，需要平坦基材210，例如：玻璃、石英、塑膠、陶瓷或金屬基材，來製造軟性電子裝置。基材210通常具有平坦上(第一)表面212與相對之第二表面214。
此方法始於以抗剝離材料形成抗剝離層220於基材210之平坦上表面212上，此抗剝離材料包含金屬氧化物，如第2A圖所示。在一實施例中，形成抗剝離層220之步驟包含濺鍍抗剝離材料於基材210之平坦上表面212上。在另一實施例中，形成抗剝離層220之步驟包含氣相塗佈抗剝離材料於基材210之平坦上表面212上。在一實施例中，抗剝離材料包含氧化銦錫(Indium Tin Oxide；ITO)。可理解的是其他抗剝離材料與其他材料沉積製程亦可用以實施本發明。
下一步驟係圖案化抗剝離層220，以在基材210中定義出第一區域211與第二區域213，第二區域213係圍繞第一區域211。在一實施例中，圖案化抗剝離層220之步驟包含定義抗剝離層220上方之具有對應於第一區域211與第二區域213之圖案的光阻226；以蝕刻劑或電漿228蝕刻第一區域211上之抗剝離層；及移除第二區域213上之光阻226，如第2B圖與第2C圖所示。此製程係以光學微影或其他類似方式進行。
在一實施例中，圖案化第一區域211中之抗剝離層220，以完全地暴露基材210之上表面212，如第2C圖所示，因而抗剝離層220係僅位於第二區域213上。
在另一實施例中，圖案化第一區域211中之抗剝離層220，以局部地暴露出基材210之上表面212，如第2D圖所示。如此，抗剝離層220不僅係於第二區域213上，且具有圖案222之部分也位於第一區域211上，此圖案222改善介於塑膠層230(描述如下)與基材210間之結合，以便調整介於其間之附著力。如第2D圖所示，圖案222係網紋圖案。亦可使用其他圖案，例如狹縫圖案與島型圖案。在一實施例中，第一區域211之未暴露部分(即圖案化後的部分)約為第一區域211的0.1%至30.0%，且第二區域213之面積係大於第一區域211之未暴露部分的面積。
在又一實施例中，如第2E圖所示，圖案化抗剝離層220，以局部地暴露出基材210之上表面212，藉以於第一區域211與第二區域213上分別形成抗剝離層220之圖案222與圖案224。此些圖案222與223改善介於塑膠層230(描述如下)與基材210間之結合，以便調整介於其間之附著力。如第2E圖所示，圖案222與224均為網紋圖案。在其他實施例中，亦可使用其他圖案，例如狹縫圖案與島型圖案。在一實施例中，第二區域213之未暴露部分的密度(即第二區域213之單位面積中，圖案224的面積)大於第一區域211之未暴露部分的密度(即第一區域211之單位面積中，圖案222的面積)。在一實施例中，第二區域213中之抗剝離層220的總面積可大於第一區域211中之抗剝離層220的總面積。在另一實施例中，第二區域213中之抗剝離層220的總面積亦可等於或小於第一區域211中之抗剝離層220的總面積。
再者，以聚亞醯胺形成塑膠層230於第一區域211與第二區域213上方之抗剝離層220上，如第2F圖所示。因此，塑膠層230與第一區域211中之基材210間的附著力較塑膠層230與第二區域213中之抗剝離層220間的附著力弱。在一實施例中，形成塑膠層230之步驟包含以聚醯胺酸塗佈第一區域211及第二區域213上之抗剝離層220，以於第一區域211與抗剝離層220上形成聚醯胺酸層；及固化此塗佈之聚醯胺酸層，以形成塑膠層230。
於塑膠層230上，形成電子裝置層240於第一區域211上，其中電子裝置層240於第一區域211上界定出邊界242，如第2G圖所示。邊界242投影地位於第一區域211中。電子裝置層240可為一或多個TFTs或任何其他電子零件。
然後，藉由沿著一輪廓來切穿塑膠層230，而將電子裝置層240和塑膠層230與基材210分離，此輪廓係相等於或大於電子裝置層240之邊界242，但不超出第一區域211，如第2H圖所示。由於塑膠層230與第一區域211中之基材210間的附著力比塑膠層230與第二區域213中之抗剝離層220間的附著力弱，因此將很容易的從基材210分離電子裝置層240與第一區域211中之塑膠層230。
現在請參考第3A-3H圖，其係繪示根據本發明之一實施例之一種軟性電子裝置的製作方法。此方法包含以下步驟：首先，提供基材310，基材310具有平坦之上表面312與相對之第二表面314。相同地，基材310可為玻璃、石英、塑膠、陶瓷、金屬或類似材料之基材。
下一步驟係塗佈第一聚醯胺酸於基材310之平坦上表面312上，以形成第一聚亞醯胺層320，藉此定義出基材310中之第一區域311與第二區域313(詳述於後)，第一聚亞醯胺層320係形成於第一區域311上，且第二區域313圍繞第一區域311，如第3B圖與第3C圖所示。進行塗佈步驟時可藉由施加過量之聚醯胺酸溶液至平坦基材310之上表面312，如第3A圖所示，然後於高轉速下旋轉聚醯胺酸溶液與基材310，以散開聚醯胺酸溶液，而形成塗佈於基材310上之第一聚醯胺酸層，於約70℃至250℃的溫度下，對塗佈後之聚醯胺酸層進行約5分鐘至30分鐘的烘烤，較佳係於約150℃下烘烤約10分鐘，然後於約200℃至400℃的溫度下，對烘烤後之聚醯胺酸層進行固化約30分鐘至60分鐘，較佳係於約300℃下進行約60分鐘，以形成第一聚亞醯胺層320。此外，可藉由切割製程，亦即沿著輪廓311A切穿第一聚亞醯胺層320，來定義出第一區域311與第二區域313，藉以定義出位於輪廓311A內之第一區域311、與圍繞第一區域311之第二區域313；以及剝除第二區域313上之第一聚亞醯胺層320的部分，如第3C圖與第3D圖所示。如此一來，第一聚亞醯胺層320僅位於第一區域311上，而暴露出第二區域313中之基材310。
然後，將含有有機矽烷之第二聚醯胺酸塗佈於基材310之第一區域311中的第一聚亞醯胺層320上、與基材310之第二區域313上，以於第一聚亞醯胺層320與第二區域313上形成第二聚亞醯胺層330，如第3E圖與第3F圖所示。藉此，第一聚亞醯胺層320與第一區域311之基材310間之附著力較第二聚亞醯胺層330與第二區域313中之基材310間之附著力弱。相同地，進行塗佈步驟時係藉由施加一些含有機矽烷的第二聚醯胺酸至第一聚亞醯胺層320之上表面322，如第3E圖所示，然後於高轉速下旋轉第二聚醯胺酸與基材310，以散開此混合物，而形成含有機矽烷之第二聚醯胺酸層且塗佈於第一聚亞醯胺層320上，於約70℃至250℃間之溫度下，對上述之結構烘烤約5分鐘至30分鐘，較佳係於約150℃下烘烤10分鐘，然後於約200℃至400℃間之溫度下，對第二聚醯胺酸層進行約30分鐘至60分鐘的固化，較佳係於約300℃進行約60分鐘的固化，以形成第二聚亞醯胺層330。第一聚醯胺酸與第二聚醯胺酸可相同或彼此實質上不同。
於第二聚亞醯胺層330上，形成電子裝置層340於第一區域311上，其中電子裝置層340於第一區域311上界定出邊界342，如第3G圖所示。邊界342係投影地位於第一區域311內。電子裝置層340可為一或多個TFTs或任何其他電子零件。
接著，藉由沿著一輪廓來切穿第一聚亞醯胺層320與第二聚亞醯胺層330，而將電子裝置層340、第一聚亞醯胺層320和第二聚亞醯胺層330與基材310分離，此輪廓係相等於或大於電子裝置層340之邊界342，但不超出第一區域311，如第3H圖所示。由於第一聚亞醯胺層320與第一區域311之基材310間的附著力較第二聚亞醯胺層330與第二區域313中之基材310間的附著力弱，因此將很容易從基材310分離電子裝置層340、第一聚亞醯胺層320與第一區域311中之第二聚亞醯胺層330。
在本發明之一態樣中，一種軟性電子裝置之製作方法，包含：提供基材，此基材具有第一表面與相對之第二表面；形成第一層於基材之第一表面上，以於基材中定義出第一區域與第二區域，第二區域係圍繞第一區域，如此基材於第一區域中之第一表面至少部分暴露出來，且第一層至少部分位於第二區域內；形成第二層於第一區域與第二區域上方之第一層上，如此第二層與第一區域中之基材間之附著力較第二層與第二區域中之第一層間之附著力弱；形成電子裝置層於第一區域上方之第二層上，其中電子裝置層於第一區域上定義出邊界，且此邊界係投影地位於第一區域中；以及藉由沿著一輪廓切穿第二層的方式，將電子裝置層和第二層與基材分離，此輪廓係相等於或大於電子裝置層之邊界，但不超出第一區域。
在一實施例中，形成第一層之步驟包含形成由助黏材料組成之助黏層於基材之第一表面上的步驟，其中助黏材料包含有機矽烷。
在一實施例中，形成助黏層之步驟包含步驟：塗佈助黏材料於基材之第一表面，以及於第一溫度下烘烤塗佈有助黏材料之基材第一段時間，以形成助黏層，其中第一溫度之範圍介於約50℃至250℃，且第一段時間之範圍介於約5分鐘至10分鐘。在另一實施例中，形成第一層之步驟包含氣相塗佈助黏材料於基材之第一表面的步驟，以形成助黏層。
在一實施例中，形成第一層之步驟更包含步驟：形成具有圖案之光罩於助黏層上的步驟，此圖案係對應於第一區域與第二區域；於空氣或氧氣之環境中，以UV光處理光罩，如此UV光照射第一區域上之助黏層，而第二區域上之助黏層則被遮蔽而不受UV光照射；以及移除第一區域上之助黏層的部分。在一實施例中，處理步驟係於第二溫度下且於烘箱中進行第二段時間，其中第二溫度之範圍介於約25℃至300℃，且第二段時間之範圍介於約1分鐘至10分鐘。
在另一實施例中，形成第一層之步驟包含形成由抗剝離材料組成之抗剝離層於基材之第一表面上的步驟，抗剝離材料包含金屬氧化物，其中抗剝離材料包含氧化銦錫。在一實施例中，形成抗剝離層之步驟包含濺鍍或氣相塗佈抗剝離材料於基材之第一表面上的步驟。
在一實施例中，形成第一層之步驟更包含步驟：定義抗剝離層上之具有圖案的光阻，此圖案係對應於第一區域與第二區域；以蝕刻劑或電漿蝕刻第一區域上之抗剝離層，藉以至少部分地暴露出第一區域中之基材；以及移除光阻。在一實施例中，圖案化第一區域，以使第一區域之未暴露部分約為第一區域的0.1%至30.0%，且第二區域之面積係大於第一區域之未暴露部分的面積，其中第一區域之未暴露部分經圖案化以具有狹縫圖案、島型圖案或網紋圖案。
在一實施例中，形成第二層之步驟包含步驟：以聚醯胺酸塗佈第一區域與第二區域上方之第一層上，以於第一區域與第一層上形成塗佈之聚醯胺酸層；以及固化塗佈之聚醯胺酸層，以形成由聚亞醯胺所組成之第二層。
本發明之示範實施例的上述描述僅作為舉例說明與描述之用，並非無所不包，也非用以將本發明限制在所揭示之刻板型式。根據上述教示，可有許多修飾與變化。
實施例之選擇與描述係為了解釋本發明之原理及其實際應用，藉以使其他熟習此技藝者來利用本發明、各實施例、與各種適用於預期之特定使用的修飾。與本發明有關且未脫離其精神與範圍之替代實施例，對於熟習此技藝者而言是顯而易見的。因此，本發明之範圍係由所附申請專利範圍所界定，而非上述描述與在此所描述之示範實施例。
110．．．基材
111．．．第一區域
112．．．第一表面
113．．．第二區域
114．．．第二表面
120．．．助黏層
126．．．光罩
128．．．紫外光
130．．．塑膠層
140．．．電子裝置層
142．．．邊界
210．．．基材
211．．．第一區域
212．．．上表面
213．．．第二區域
214．．．第二表面
220．．．抗剝離層
222．．．圖案
224．．．圖案
226．．．光阻
228．．．電漿
230．．．塑膠層
240．．．電子裝置層
242．．．邊界
310．．．基材
311．．．第一區域
311A．．．輪廓
312．．．上表面
313．．．第二區域
314．．．第二表面
320．．．第一聚亞醯胺層
322．．．上表面
330．．．第二聚亞醯胺層
340．．．電子裝置層
342．．．邊界
所附圖式繪示出本發明之一或多個實施例，連同所載描述，用以解釋本發明之原理。只要有可能，相同參考符號應用於整個圖式中，以表示一實施例之相同或相似元件，其中：
第1A至1G圖繪示根據本發明之一實施例的一種軟性電子裝置之製作製程的示意圖；
第2A至2H圖繪示根據本發明之另一實施例的一種軟性電子裝置之製作製程的示意圖；以及
第3A至3H圖繪示根據本發明之又一實施例的一種軟性電子裝置之製作製程的示意圖。
310．．．基材
311．．．第一區域
320．．．第一聚亞醯胺層
330．．．第二聚亞醯胺層
340．．．電子裝置層
342．．．邊界

权利要求:
Claims (24)
[1] 一種軟性電子裝置之製作方法，包含：(a)提供一基材，該基材具有一第一表面及相對之一第二表面；(b)形成一第一層於該基材之該第一表面上，以於該基材中定義出一第一區域及一第二區域，該第二區域圍繞該第一區域，如此至少局部地暴露出該第一區域中之該基材之該第一表面，且該第一層至少部分位於該第二區域中；(c)形成一第二層於該第一區域與該第二區域上方之該第一層上，如此該第二層與該第一區域中之該基材的一附著力較該第二層與該第二區域中之該第一層的一附著力弱；(d)形成一電子裝置層於該第一區域上方之該第二層上，其中該電子裝置層於該第一區域上定義出一邊界，且該邊界係投影地位於該第一區域中；以及(e)藉由沿著一輪廓切穿該第二層的方式，將該電子裝置層與部分之該第二層與該基材分離，其中該輪廓係相等於或大於該電子裝置層之該邊界但不超出該第一區域。
[2] 如請求項1所述之方法，其中形成該第一層之步驟包含形成由一助黏材料所組成之一助黏層於該基材之該第一表面上。
[3] 如請求項2所述之方法，其中該助黏材料包含有機矽烷。
[4] 如請求項2所述之方法，其中形成該助黏層之步驟包含：以該助黏材料塗佈該基材之該第一表面；以及於一第一溫度下烘烤該助黏材料塗佈之該基材一第一段時間，以形成該助黏層。
[5] 如請求項4所述之方法，其中該第一溫度之範圍介於50℃至250℃，且該第一段時間之範圍介於5分鐘至10分鐘。
[6] 如請求項2所述之方法，其中形成該助黏層之步驟包含以該助黏材料氣相塗佈該基材之該第一表面，以形成該助黏層。
[7] 如請求項2所述之方法，其中形成該第一層之步驟更包含：轉印具有一圖案之一光罩於該助黏層上，其中該圖案對應於該第一區域與該第二區域；於空氣或氧氣之一環境中，以一紫外光處理該光罩，藉以使該紫外光照射該第一區域上之該助黏層，且該第二區域上之該助黏層被遮蔽而不受該紫外光照射；以及於照射該紫外光後，移除該第一區域上之部分該助黏層。
[8] 如請求項7所述之方法，其中該處理步驟係於一第二溫度且於一烘箱中進行一第二段時間。
[9] 如請求項8所述之方法，其中該第二溫度之範圍介於25℃至300℃，且該第二段時間之範圍介於1分鐘至10分鐘。
[10] 如請求項1所述之方法，其中形成該第一層之步驟包含形成由一抗剝離材料組成之一抗剝離層於該基材之該第一表面上，其中該抗剝離材料包含一金屬氧化物。
[11] 如請求項10所述之方法，其中該抗剝離材料包含氧化銦錫。
[12] 如請求項10所述之方法，其中形成該抗剝離層之步驟包含濺鍍或氣相塗佈該抗剝離材料於該基材之該第一表面上的步驟。
[13] 如請求項10所述之方法，其中形成該第一層之步驟更包含：定義該抗剝離層上之具有一圖案之一光阻，其中該圖案對應於該第一區域與該第二區域；蝕刻該第一區域上之該抗剝離層，藉以至少局部地暴露出該第一區域中之該基材；以及移除該光阻。
[14] 如請求項13所述之方法，其中圖案化該第一區域上之該抗剝離層，以使該第一區域之一未暴露部分為該第一區域的0.1%至30.0%，且該第二區域之面積大於該第一區域之該未暴露部分之面積。
[15] 如請求項14所述之方法，其中圖案化該第一區域上之該抗剝離層，以使圖案化後之該抗剝離層具有一狹縫圖案、一島型圖案或一網紋圖案。
[16] 如請求項1所述之方法，其中該第一層之另一部分位於該第一區域中，該第二區域之一單位面積上之該第一層之該部分的面積大於該第一區域之一單位面積上之該第一層之該另一部分的面積，且該第二區域之該第一層之面積大於該第一區域之該第一層之面積。
[17] 如請求項1所述之方法，其中該第一層之另一部分位於該第一區域中，該第二區域之一單位面積上之該第一層之該部分的面積大於該第一區域之一單位面積上之該第一層之該另一部分的面積，且該第二區域之該第一層之面積等於或小於該第一區域之該第一層之面積。
[18] 如請求項1所述之方法，其中形成該第二層之步驟包含：以聚醯胺酸塗佈該第一區域與該第二區域上方之該第一層上，以形成一塗佈之聚醯胺酸層於該第一區域上與該第一層上；以及固化該塗佈之聚醯胺酸層，以形成由聚亞醯胺組成之該第二層。
[19] 一種根據請求項1所述之方法製造之軟性電子裝置。
[20] 一種軟性電子裝置之製作方法，包含：(a)提供一基材，該基材具有一第一表面與相對之一第二表面；(b)塗佈一第一聚醯胺酸於該基材之該第一表面上，以形成一第一聚亞醯胺層，藉以於該基材中定義出一第一區域，其中該第一聚亞醯胺層係形成於該第一區域上，且一第二區域圍繞該第一區域；(c)塗佈含有機矽烷之一第二聚醯胺酸於該基材之該第一區域中之該第一聚亞醯胺層與該基材之該第二區域上，以形成一第二聚亞醯胺層於該第一聚亞醯胺層與該第二區域上，藉此該第一聚亞醯胺層與該第一區域中之該基材間的一附著力較該第二聚亞醯胺層與該第二區域中之該基材的一附著力弱；(d)形成一電子裝置層於該第一區域上之該第二聚亞醯胺層上，其中該電子裝置層於該第一區域上定義出一邊界，且該邊界係投影地位於該第一區域中；以及(e)藉由沿著一輪廓切穿該第二聚亞醯胺層與該第一聚亞醯胺層的方式，將該電子裝置層、部分之該第二聚亞醯胺層和部分之該第一聚亞醯胺層與該基材分離，其中該輪廓係相等於或大於該電子裝置層之該邊界，但不超出該第一區域。
[21] 如請求項20所述之方法，其中每一該些步驟(b)與(c)更包含：於一第一溫度下烘烤該塗佈層一第一段時間；以及於一第二溫度下固化該塗佈層一第二段時間。
[22] 如請求項21所述之方法，其中該第一溫度之範圍介於70℃至250℃，且該第一段時間之範圍介於5分鐘至30分鐘，其中該第二溫度之範圍介於200℃至400℃，且該第二段時間之範圍介於30分鐘至60分鐘。
[23] 如請求項20所述之方法，其中該步驟(b)更包含：沿著一輪廓切穿該第一聚亞醯胺層，藉以定義出該輪廓內之該第一區域與圍繞該第一區域之該第二區域；以及剝除該第二區域上之該第一聚亞醯胺層的一部分。
[24] 一種根據請求項20所述之方法製造之軟性電子裝置。

类似技术:

公开号 | 公开日 | 专利标题

TWI444293B|2014-07-11|軟性電子裝置及其製作方法

KR20120106659A|2012-09-26|플렉서블 장치의 제조 방법

CN104838485B|2017-12-12|在载板上的可卸式基板

TWI432835B|2014-04-01|可撓性顯示面板及其製造方法

TW200618303A|2006-06-01|Thin film etching method and method of fabricating liquid crystal display device using the same

TWI673167B|2019-10-01|積層體及可撓性裝置之製造方法

JP2007001289A|2007-01-11|ソフトモールドの製造方法

JP5899585B2|2016-04-06|マスクの製造方法

US10249527B2|2019-04-02|Method of manufacturing flexible display device

TWI703477B|2020-09-01|薄膜觸控感測器及其製造方法

WO2015100797A1|2015-07-09|柔性oled面板的制作方法

US8017285B2|2011-09-13|Masking process using photoresist

JP2002158192A|2002-05-31|半導体デバイス製造におけるパターン転写法

JP2012004235A|2012-01-05|樹脂膜形成方法およびパターン形成方法

JP2004230471A|2004-08-19|セラミック微細パターン形成方法

TWI232493B|2005-05-11|Method for photo-resistor coating

KR100795802B1|2008-01-17|평판 표시 장치의 제조방법

CN107845606B|2020-05-05|一种tft基板的制备方法以及tft基板

JP2020165996A|2020-10-08|有機電子デバイスの製造方法

KR101345750B1|2013-12-27|나노 전자소자 제조방법

KR20080001029A|2008-01-03|패턴 형성방법 및 이를 이용한 컬러필터기판 제조방법

KR101055750B1|2011-08-11|전도성 고분자 패터닝 방법

TW202034489A|2020-09-16|金屬蔭罩及其製備方法

JP2003100625A|2003-04-04|半導体デバイス製造におけるパターン転写方法

WO2018218937A1|2018-12-06|掩模板及其制造方法、柔性衬底剥离设备及柔性衬底剥离方法

同族专利:

公开号 | 公开日

EP2592653B1|2016-11-30|

EP2592653A1|2013-05-15|

US20130115426A1|2013-05-09|

TWI444293B|2014-07-11|

CN102629593A|2012-08-08|

CN102629593B|2014-04-02|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

US9388278B2|2013-10-04|2016-07-12|Industrial Technology Research Institute|Release layer, substrate structure, and method for manufacturing flexible electronic device|

TWI555637B|2013-10-04|2016-11-01|財團法人工業技術研究院|離型層、基板結構、與軟性電子元件製程|FR2625450B1|1988-01-05|1992-05-07|Corning Glass Works|Article muni d'un revetement anti-adherent presentant une adhesion audit substrat et une durabilite ameliorees, sa fabrication et composition mise en oeuvre|

US7449372B2|2004-12-17|2008-11-11|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Manufacturing method of substrate having conductive layer and manufacturing method of semiconductor device|

US7968382B2|2007-02-02|2011-06-28|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Method of manufacturing semiconductor device|

WO2009104371A1|2008-02-20|2009-08-27|シャープ株式会社|フレキシブル半導体基板の製造方法|

CN101903974B|2008-02-28|2012-07-25|夏普株式会社|薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法|

KR101009415B1|2008-11-18|2011-01-19|삼성모바일디스플레이주식회사|플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치|

KR101617280B1|2009-10-21|2016-05-03|엘지디스플레이 주식회사|플라스틱 기판을 이용한 표시장치 제조 방법|US9991311B2|2008-12-02|2018-06-05|Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University|Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same|

JP5899220B2|2010-09-29|2016-04-06|ポスコ|ロール状の母基板を利用したフレキシブル電子素子の製造方法、フレキシブル電子素子及びフレキシブル基板|

US9871228B2|2012-11-30|2018-01-16|Lg Display Co., Ltd.|Organic light emitting device comprising flexible substrate and method for preparing thereof|

US10381224B2|2014-01-23|2019-08-13|Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University|Method of providing an electronic device and electronic device thereof|

JP2017518638A|2014-05-13|2017-07-06|アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・フォー・アンド・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティＡｒｉｚｏｎａＢｏａｒｄＯｆＲｅｇｅｎｔｓＦｏｒＡｎｄＯｎＢｅｈａｌｆＯｆＡｒｉｚｏｎａＳｔａｔｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ|電子デバイスを提供する方法およびその電子デバイス|

US10446582B2|2014-12-22|2019-10-15|Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University|Method of providing an imaging system and imaging system thereof|

US9741742B2|2014-12-22|2017-08-22|Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University|Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device|

WO2017034645A2|2015-06-09|2017-03-02|ARIZONA BOARD OF REGENTS, a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY|Method of providing an electronic device and electronic device thereof|

US10418237B2|2016-11-23|2019-09-17|United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force|Amorphous boron nitride dielectric|

CN107507916B|2017-08-11|2020-04-03|京东方科技集团股份有限公司|一种pi基板及其制备方法、显示装置|

法律状态:

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

US13/292,599|US20130115426A1|2011-11-09|2011-11-09|Method of manufacturing flexible electronic device|

[返回顶部]