台湾专利TW201318492A 用於高性能射頻應用之傳輸線

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专利摘要:
本發明揭示一種用於高性能射頻(RF)應用之傳輸線。此一傳輸線可包含經組態以接收RF信號之一接合層、一障壁層、一擴散障壁層及接近於該擴散障壁層之一導電層。該擴散障壁層可具有一厚度以容許所接收之一RF信號穿透該擴散障壁層而至該導電層。在某些實施方案中，該擴散障壁層可為鎳。在此等實施方案之若干者中，該傳輸線可包含一金接合層、一鈀障壁層及一鎳擴散障壁層。
公开号:TW201318492A
申请号:TW101131951
申请日:2012-08-31
公开日:2013-05-01
发明作者:Sandra Louise Petty-Weeks；Guohao Zhang；Hardik Bhupendra Modi
申请人:Skyworks Solutions Inc；
IPC主号:H01L24-00

专利说明:
用於高性能射頻應用之傳輸線
本技術係關於用於高性能射頻應用之傳輸線。
本申請案主張名稱為「DIFFUSION BARRIER LAYER FOR USE IN A RADIO FREQUENCY TRANSMISSION LINE」之2011年9月2日申請之美國臨時專利申請案第61/530,915號、名稱為「DIFFUSION BARRIER LAYER FOR USE IN A RADIO FREQUENCY TRANSMISSION LINE」之2011年9月6日申請之美國臨時專利申請案第61/531,553號、名稱為「FINISH PLATING FOR HIGH PERFORMANCE RADIO FREQUENCY APPLICATIONS」之2011年11月18日申請之美國臨時專利申請案第61/561,742號、名稱為「TRANSMISSION LINE FOR HIGH PERFORMANCE RADIO FREQUENCY APPLICATIONS」之2012年5月4日申請之美國專利申請案第13/464,775號及名稱為「TRANSMISSION LINE FOR HIGH PERFORMANCE RADIO FREQUENCY APPLICATIONS」之2012年5月7日申請之國際專利申請案第PCT/US2012/036836號之優先權。此等申請案之各者之揭示內容之全文以引用方式併入本文中。
可在各種背景下(諸如封裝基板或印刷電路板(PCB)上)實施傳輸線。射頻(RF)應用中廣泛使用多層層壓PCB或封裝基板。
已使用半導體技術來實施RF電路，諸如功率放大器、低雜訊放大器(LNA)、混頻器、電壓控制振盪器(VCO)、濾波器、開關及一體式收發器。然而，在RF模組(例如一RF前端模組，其包含功率放大器、開關及/或濾波器)中，單晶片整合會因以不同半導體技術實施不同區塊而不實用。例如，可藉由一GaAs製程而形成一功率放大器，同時可在藉由一CMOS製程而形成相關控制及/或偏壓電路。
長傳輸線及/或其他晶片上被動元件可佔用大片晶片面積。因此，可使用多晶片模組(MCM)及/或系統級封裝(SiP)組裝技術來實現RF模組之低成本、小尺寸及/或高性能。可將層壓技術用於MCM組裝，其中在一層壓基板上實施傳輸線。此等傳輸線中之導體損耗可對MCM中之任何元件之性能產生重要影響。相應地，層壓電鍍技術可明顯影響RF性能。
層壓技術之成本可取決於根據性能及/或組裝要求而選擇之材料。使用金(Au)接線來將RF電路元件連接至傳輸線之RF SiP可使用各種不同的精加工鍍層，諸如較低損耗之較昂貴NiAu(例如由於較厚之Au)或較高損耗之較廉價NiPdAu。相應地，RF傳輸線需要具成本效益之高性能技術。
技術方案中所述之新發明各具有若干態樣，該等態樣之單一者無法獨自負責其期望屬性。現將在不限制本發明之範疇之情況下簡要地論述一些主要特徵。
本發明之一態樣為一種經組態以用在一射頻(RF)電路中之射頻(RF)傳輸線。該RF傳輸線包含一接合層、一障壁層一擴散障壁層及一導電層。該接合層具有一接合表面且經組態以接收一RF信號。該障壁層經組態以防止一污染物進入該接合層。該障壁層接近於該接合層。該擴散障壁層經組態以防止污染物進入該接合層。該擴散障壁層接近於該障壁層。該擴散障壁層具有一厚度以容許所接收之RF信號穿透該擴散障壁層而至該擴散障壁層接近處之一導電層。
在一些實施方案中，接合層、障壁層及擴散障壁層可體現為一精加工鍍層。
根據某些實施方案，接合層可包含金。
在各種實施方案中，接合表面可經組態以用於引線接合。
根據諸多實施方案，障壁層可包含鈀。
根據某些實施方案，擴散障壁層可包含鎳。在一些實施方案中，擴散障壁層之厚度可在自約0.04微米(μm)至約0.7微米之範圍內。根據諸多實施方案，擴散障壁層之厚度可不大於約0.5微米。根據各種實施方案，擴散障壁層之厚度可不大於約0.35微米。根據某些實施方案，擴散障壁層之厚度可不大於約0.75微米。在一些實施方案中，在約0.45千兆赫(GHz)之一頻率處，擴散障壁層之厚度可小於鎳之集膚深度。
根據一些實施方案，在約0.45千兆赫之一頻率處，擴散障壁層之厚度可小於擴散障壁層之集膚深度。
根據諸多實施方案，導電層可包含銅、鋁或銀之一或多者。例如，在某些實施方案中，導電層可包含銅。
在各種實施方案中，所接收之實質上全部RF信號可在導電層中傳播。
根據某些實施方案，接合層可為金，障壁層可為鈀且擴散障壁層可為鎳。在此等實施方案之若干者中，擴散障壁層之厚度可在自約0.04微米至約0.7微米之範圍內。根據諸多實施方案，擴散障壁層之厚度可不大於約0.5微米。根據某些實施方案，擴散障壁層之厚度可不大於約0.35微米。根據一些實施方案，擴散障壁層之厚度可不大於約0.75微米。
本發明之另一態樣為一種經組態以用在一RF傳輸線中之擴散障壁層。該擴散障壁層包含一材料且具有一厚度。該擴散障壁層之厚度足夠小以容許一RF信號穿透該擴散障壁層。
在某些實施方案中，材料包含鎳。根據此等實施方案之若干者，擴散障壁層之厚度可在自約0.04微米至約0.7微米之範圍內。根據諸多實施方案，擴散障壁層之厚度可不大於約0.5微米。根據一些實施方案，擴散障壁層之厚度可不大於約0.35微米。根據某些實施方案，擴散障壁層之厚度可不大於約0.75微米。在各種實施方案中，在約0.45千兆赫之一頻率處，擴散障壁層之厚度可小於鎳之集膚深度。
根據諸多實施方案，在約0.45千兆赫之一頻率處，擴散障壁層之厚度可小於材料之集膚深度。
根據一些實施方案，穿透擴散障壁層之實質上全部RF信號可在擴散障壁層接近處之一導電層中行進。
在各種實施方案中，擴散障壁層之材料及/或厚度可防止污染物穿過擴散障壁層。
本發明之另一態樣為一種包含一傳輸線、一天線及一電池之行動器件。該傳輸線包含一接合層、一障壁層、一擴散障壁層及一導電層。該接合層具有一接合表面。該障壁層接近於該接合層。該擴散障壁層接近於該障壁層。該導電層接近於該擴散障壁層。該障壁層及該擴散障壁層經組態以防止來自該導電層之導電材料進入該接合層。該擴散障壁層具有一足夠小之厚度以容許一RF信號穿透該擴散障壁層且在該導電層中傳播。該天線係耦合至該傳輸線且經組態以傳輸一RF輸出信號。該傳輸線經組態以延長該電池之放電時長
根據某些實施方案，行動器件可包含一功率放大器，其具有耦合至傳輸線之一輸出。在此等實施方案之若干者中，該功率放大器之一輸出可經由一接線而耦合至傳輸線。根據各種實施方案，傳輸線可經組態以將RF信號自該功率放大器傳輸至一RF開關。根據一些實施方案，傳輸線可經組態以將RF信號自該功率放大器傳輸至一濾波器。
根據諸多實施方案，行動器件可包含一濾波器，其具有耦合至傳輸線之一輸出。在一些實施方案中，傳輸線可經組態以將RF信號自該濾波器傳輸至一RF開關。根據各種實施方案，傳輸線可經組態以將RF信號自該濾波器傳輸至天線。
根據一些實施方案，行動器件可包含一RF開關，其具有耦合至傳輸線之一輸出。在某些實施方案中，傳輸線經組態以將RF信號自該RF開關傳輸至天線。根據各種實施方案，傳輸線經組態以將RF信號自該RF開關傳輸至一濾波器。
根據某些實施方案，擴散障壁層可包含鎳。在此等實施方案之若干者中，擴散障壁層之厚度可在自約0.04微米至約0.7微米之範圍內。在諸多實施方案中，擴散障壁層之厚度可不大於約0.5微米。在一些實施方案中，擴散障壁層之厚度可不大於約0.35微米。在某些實施方案，擴散障壁層之厚度可不大於約0.75微米。在各種實施方案中，在約0.45千兆赫之一頻率處，擴散障壁層之厚度可小於鎳之集膚深度。
在諸多實施方案中，在約0.45千兆赫之一頻率處，擴散障壁層之厚度可小於材料之集膚深度。
根據某些實施方案，實質上全部RF信號可在傳輸線之導電層中行進。
根據一些實施方案，接合層、障壁層及擴散障壁層可體現為一精加工鍍層。
本發明之另一態樣為一種包含一基板之層壓面板。該基板包含經組態以傳輸一RF信號之一傳輸線。該傳輸線具有一接合層、一障壁層、一擴散障壁層及一導電層。該接合層具有經組態以接合與該導電層分離之一導體之一接合表面。該障壁層經組態以防止一污染物進入該接合層。該擴散障壁層包含一材料且具有一厚度以防止污染物穿過該擴散障壁層且擴散於該導電層與該接合層之間。該擴散障壁層之厚度足夠小以容許來自該導體之RF信號穿透至該導電層。
根據某些實施方案，擴散障壁層可為鎳。在此等實施方案之若干者中，在約0.45千兆赫之一頻率處，擴散障壁層可具有比鎳之集膚深度小之一厚度。
在諸多實施方案中，接合層可包含金，障壁層可包含鈀且擴散障壁層可包含鎳。在此等實施方案之若干者中，擴散障壁層之厚度可小於約0.75微米。
本發明之另一態樣為一種包含一基板、一第一RF組件及一第二RF組件之模組。該基板包含一導體及一傳輸線。該傳輸線具有一接合層、一障壁層、一擴散障壁層及一導電層。該接合層具有經組態以與該導體接合之一接合表面。該障壁層及該擴散障壁層經組態以防止一污染物進入該接合層。該擴散障壁層之厚度足夠小以容許來自該導體之一RF信號穿透至該導電層。該第一RF組件係耦合至該基板且經組態以產生該RF信號。該第二RF組件係耦合至該基板且經組態以經由該傳輸線而自該第一RF組件接收該RF信號。
在某些實施方案中，基板係一層壓基板。根據此等實施方案之若干者，基板可包含一精加工鍍層，該精加工鍍層包含接合層、障壁層及擴散障壁層。
根據諸多實施方案，擴散障壁層可包含鎳。在諸多實施方案中，擴散障壁層之厚度可不大於約0.7微米。在一些實施方案中，厚度可不大於約0.35微米。在某些實施方案中，擴散障壁層之厚度可不大於約0.75微米。在各種實施方案中，在約0.45千兆赫之一頻率處，擴散障壁層之厚度可小於鎳之集膚深度。根據某些實施方案，導電層可包含銅。
在一些實施方案中，在約0.45千兆赫之一頻率處，擴散障壁層之厚度可小於材料之集膚深度。
根據各種實施方案，接合層可經組態以用於引線接合且導體可經由一接線而電耦合至接合層。
根據某些實施方案，實質上全部RF信號可在導電層中自第一RF組件傳播至第二RF組件。
在各種實施方案中，第一RF組件可包含一功率放大器。根據此等實施方案之若干者，第二RF組件可包含一濾波器及/或一RF開關。
在一些實施方案中，第一RF組件可包含一RF開關。根據此等實施方案之若干者，第二RF組件可包含一功率放大器及/或一濾波器。
在某些實施方案中，第一RF組件可包含一濾波器。根據此等實施方案之若干者，第二RF組件包含一功率放大器及/或一RF開關。
根據諸多實施方案，障壁層可定位於接合層與擴散障壁層之間。
本發明之又一態樣為一種包含一導電層及該導電層上之精加工鍍層之RF傳輸線。該精加工鍍層包含金層、接近於該金層之鈀層及接近於該鈀層之鎳層。該鎳層具有一厚度以容許該金層處所接收之一RF信號穿透該鎳層且在該導電層中傳播。
在某些實施方案中，金層可經組態以用於引線接合。
在一些實施方案中，鎳層之厚度可在自約0.04微米至約0.7微米之範圍內。根據諸多實施方案，鎳層之厚度可不大於約0.5微米。根據某些實施方案，鎳層之厚度可不大於約0.35微米。根據一些實施方案，鎳層之厚度可不大於約0.75微米。
根據某些實施方案，在約0.45千兆赫之一頻率處，鎳層之厚度可小於鎳之集膚深度。
根據一些實施方案，導電層可包含銅、鋁或銀之一或多者。例如，導電層可包含銅。
根據諸多實施方案，實質上全部RF信號可在導電層中傳播。
本文中已描述本發明之某些態樣、優點及新穎特徵以概述本發明。應瞭解，未必可根據本發明之任何特定實施例而實現全部此等優點。因此，可以實現或最佳化一優點或優點群組(如本文中所教示)且無需實現其他優點(如本文中所教示或建議)之一方式體現或實施本發明。
本文中所提供之標題僅為了便利且未必影響本發明之範疇或內涵。
一般而言，本發明之態樣係關於一種包含一擴散障壁層之射頻(RF)傳輸線。該擴散障壁層可包含一材料且具有一厚度以防止污染物擴散且穿過該擴散障壁層。該擴散障壁層之厚度可足夠小以使一RF信號穿透該擴散障壁層且在一導電層中傳播。例如，在一RF範圍內之一頻率處(例如，在選自約0.45千兆赫至20千兆赫之範圍之一頻率處)，該擴散障壁層之厚度可小於材料之集膚深度。在一些實施方案中，該擴散障壁層可為鎳。根據此等實施方案之若干者，該鎳擴散障壁層可具有選自約0.04微米至0.5微米之一範圍之一厚度。該RF傳輸線亦可包含一接合層、用於防止一污染物進入該接合層之一障壁層及其中傳播該RF信號之該導電層。
可實施本發明中所述標的之特定實施方案以尤其實現以下潛在優點之一或多者。使用本文中所述之系統、裝置及方法之一或多個特徵，電子系統(諸如包含一功率放大器之系統及/或經組態以傳輸及/或接收射頻(RF)信號之系統)可更具效率地操作及/或消耗更少功率。替代地或另外，可改良此等系統中之RF信號之信號品質。在一些實施方案中，可在電性能不明顯降級之情況下減少用以實施一傳輸線之金之數量。事實上，根據某些實施方案，模擬資料及實驗資料指示：可減少用在該傳輸線上之金之數量且可改良電性能。
可在包含一多層層壓板之一封裝基板或印刷電路板(PCB)上體現一傳輸線。多層層壓PCB或封裝基板可廣泛用在RF業中。可使用半導體技術來實施大多數RF區塊，諸如低雜訊放大器(LNA)、混頻器、電壓控制振盪器(VCO)、濾波器、開關及一體式收發器。
然而，在RF模組(例如，包含功率放大器、開關、濾波器、類似者或以上各者之任何組合之一RF前端模組)中，單晶片整合會因以不同半導體技術實施不同區塊而不實用。例如，可藉由一GaAs製程而形成一功率放大器，同時可在藉由一CMOS製程而形成相關控制及/或偏壓電路。電磁相互作用可使區塊之電性能降級以可導致一系統無法實現電性能規格。在多個晶片中實施一RF模組之一原因在於：晶片上被動元件(諸如長傳輸線、電感器、平衡-不平衡轉換器、變壓器、類似者或以上各者之任何組合)可具有低品質因數及/或可佔用大片晶片面積。因此，可使用多晶片模組(MCM)及/或系統級封裝(SiP)組裝技術來實現RF模組應用之低成本、小尺寸及/或高性能。
出於成本效益及/或導體性能考量，層壓技術可用於MCM組裝。該層壓技術可包含用在一傳輸線中之銅。可因銅之物理性質而期望使用銅來傳播電信號。可在一層壓基板上實施高品質傳輸線、電感器、變壓器、類似者或以上各者之任何組合。例如，功率放大器模組、輸出匹配網路、諧波濾波器、耦合器、類似者或以上各者之任何組合可耦合至一層壓基板。電感器損耗可對此等元件之任何者之性能產生重要影響。相應地，層壓電鍍技術可明顯影響RF損耗。
一層壓板之外層上之銅跡線可在不期望與外部組件互連之區中覆蓋有一阻焊劑、氧化物或其他適合材料。此等互連可包含組件之焊料接合及/或至晶粒之引線接合連接。在可焊性及/或引線可接合性受保護之區中，銅跡線可覆蓋有一有機保焊劑(OSP)或精加工鍍層。該精加工鍍層之冶金及/或金屬層厚度可取決於曝露區(諸如一焊接表面及/或一引線接合表面)之功能。一惰性無氧化物表面可維持可焊性及/或引線可接合性。
精加工鍍層之此等冶金通常包含一擴散障壁以防止銅擴散至電鍍表面及由組裝期間曝露於空氣及/或高溫引起之後續氧化。取決於所使用之化學性質，擴散障壁可例如為電鍍鎳(Ni)或無電鍍Ni(P)。習知地，已將具有約2.5微米至約8微米之一厚度之鎳確定為層壓基板之一足夠厚擴散障壁層以在MCM及/或SiP組裝期間所遭遇之熱偏移期間維持可焊性。對於金(Au)引線接合，可使用電解或無電鍍Au來形成具有選自約0.4微米至0.9微米範圍之一厚度之金接合層。然而，Ni上之較薄浸Au層一般無法在高容積組裝操作中提供可靠Au引線接合表面。無電鍍Ni/無電鍍鈀(Pd)/浸Au已變為可用於焊接及引線接合(其包含Au引線接合)。此可因Au厚度減小而實現成本效益。無電鍍Ni/無電鍍Pd/浸Au可尤其在較高頻率處增加曝露(精加工電鍍)區中之導體損耗。
當前，電解或無電鍍NiAu或NiPdAu電鍍技術與層壓基板一起使用。雖然電特性之損耗更多，但已成功實施無電鍍NiPdAu。一些RF模組仍使用電解或無電鍍NiAu，雖然由較厚金引起之成本更高，但尤其在較高頻率處(例如，在約1.9千兆赫或更大之頻率處)電解或無電鍍NiAu之模組性能受損更低。傳輸線
圖1A繪示根據一些實施例之一傳輸線1之一橫截面。圖1A中所展示之橫截面可表示傳輸線1之部分或全部橫截面。傳輸線1可包含一接合層2、一障壁層4、一擴散障壁層6及一導電層8。傳輸線1可在一RF電路中被實施且經組態以傳輸RF信號。可在一層壓基板上體現傳輸線1。根據一些實施方案，可將接合層2、障壁層4及擴散障壁層6視為精加工鍍層且可將導電層8可視為一導線。在一些實施方案中，傳輸線1可為至少約5微米、10微米、15微米、20微米、25微米、50微米、75微米、100微米、250微米或500微米長。
在某些實施方案中，傳輸線1可包含金接合層、鈀障壁層、鎳擴散障壁層及銅導電層。例如，在此等實施方案之若干者中，傳輸線1可包含具有約0.1微米之一厚度之金接合層、具有約0.1微米之一厚度之鈀障壁層、具有選自約0.04微米至0.5微米之一範圍之一厚度之鎳擴散障壁層及具有約20微米之一厚度之銅導電層。可藉由在該銅導電層上無電地電鍍鎳，在該鎳上無電地電鍍鈀及在該鈀上浸鍍金而形成傳輸線1之精加工鍍層。替代地，可實施形成此一傳輸線之精加工鍍層之其他適合製程及/或子製程。例如，可將鎳擴散障壁層電鍍於銅導電層上。
雖然在某些實施方案中傳輸線1包含金接合層、鈀障壁層、鎳擴散障壁層及銅導電層，但應瞭解其他材料可替代地用以實施傳輸線1之一或多個層。
傳輸線1之接合層2可具有經組態以用於焊接及/或引線接合之一接合表面。接合層2可經組態以在該接合表面處接收一RF信號。根據一些實施方案，一晶粒之一接針可接合至接合層2之該接合表面。例如，一功率放大器晶粒之一輸出可接合至接合層2之該接合表面且經由傳輸線1而傳輸至一或多個RF組件，諸如一濾波器及/或一RF開關。接合層2可包含金。在一些實施方案中，金接合層之一厚度可選自約0.05微米至0.15微米之一範圍。根據某些實施方案，金接合層之厚度可為約0.1微米。
傳輸線1之障壁層4可防止一污染物進入接合層2。障壁層4可接近於接合層2。在圖1A之定向中，接合層2係佈置於障壁層4上。在一些實施方案中，障壁層4之一主表面可直接接觸接合層2之一主表面，例如圖1A中所展示。如圖1A中所繪示，障壁層4可介於接合層2與擴散障壁層6之間。障壁層4可包含鈀。在一些實施方案中，鈀障壁層之一厚度可選自約0.03微米至0.15微米之一範圍。根據某些實施方案，鈀障壁層之厚度可為約0.1微米。
傳輸線1之擴散障壁層6可經組態以防止一污染物進入接合層2及/或障壁層4。例如，在一些實施方案中，擴散障壁層6可防止來自銅導電層之銅擴散至金接合層。擴散障壁層6可提供一黏著表面給導電層8。根據某些實施方案，擴散障壁層6之該黏著表面可黏著至銅導電層。
擴散障壁層6可具有一足夠小厚度以容許一RF信號在導電層8中傳播。例如，在RF範圍內之一頻率處(例如，在選自約0.9千兆赫至20千兆赫之範圍之一頻率處)，擴散障壁層6之厚度可小於擴散障壁層6之集膚深度。此可容許一RF信號穿透擴散障壁層6。就具有一材料且在RF範圍內之一期望頻率處具有小於該材料之集膚深度之一厚度之一擴散障壁層6而言，實質上全部RF信號應在傳輸線1之導電層8中行進，假定RF信號亦穿透接合層2及障壁層4。對於穿透接合層2之RF信號，在RF範圍內之該期望頻率處，接合層2之厚度可小於形成接合層2之材料之集膚深度。類似地，對於穿透障壁層4之RF信號，在RF範圍內之該期望頻率處，障壁層4之厚度可小於形成障壁層4之材料之集膚深度。
擴散障壁層6可介於接合層2與導電層8之間。在圖1A之定向中，障壁層4係佈置於擴散障壁層6上且擴散障壁層6係佈置於導電層8上。在一些實施方案中，障壁擴散層6之一主表面可直接接觸障壁層4及/或導電層8之一主表面，例如圖1A中所展示。
擴散障壁層6可包含鎳。在一些實施方案中，擴散障壁層6可為鎳。鎳擴散障壁層亦可防止來自導電層之銅擴散至金接合層。在RF範圍內之一頻率處，鎳障壁層之一厚度可小於鎳之集膚深度。例如，在選自約0.45千兆赫至20千兆赫之一範圍之一頻率處，鎳之厚度可小於鎳之集膚深度。此可容許一RF信號穿透擴散障壁層6而至導電層8。根據一些實施方案，在約0.3千兆赫、0.35千兆赫、0.4千兆赫、0.45千兆赫、0.5千兆赫、0.6千兆赫、0.7千兆赫、0.8千兆赫、0.9千兆赫、1千兆赫、2千兆赫、5千兆赫、6千兆赫、10千兆赫、12千兆赫、15千兆赫或20千兆赫處，鎳擴散障壁層之厚度可小於鎳之集膚深度。當使用一替代材料來取代擴散障壁層之鎳時，此一擴散障壁層之厚度可在約0.3千兆赫、0.35千兆赫、0.4千兆赫、0.45千兆赫、0.5千兆赫、0.6千兆赫、0.7千兆赫、0.8千兆赫、0.9千兆赫、1千兆赫、2千兆赫、5千兆赫、6千兆赫、10千兆赫、12千兆赫、15千兆赫或20千兆赫處小於該替代材料之集膚深度。
在一些實施方案中，鎳擴散障壁層之厚度可小於約2微米、1.75微米、1.5微米、1.25微米、1微米、0.95微米、0.9微米、0.85微米、0.8微米、0.75微米、0.7微米、0.65微米、0.6微米、0.55微米、0.5微米、0.45微米、0.4微米、0.35微米、0.3微米、0.25微米、0.2微米、0.15微米、0.1微米、0.09微米、0.05微米或0.04微米。在某些實施方案中，鎳擴散障壁層之厚度可選自以下範圍之一者：約0.04微米至0.7微米、約0.05微米至0.7微米、約0.1微米至0.7微米、約0.2微米至0.7微米、約0.04微米至0.5微米、約0.05微米至0.5微米、約0.09微米至0.5微米、約0.04微米至0.16微米、約0.05微米至0.15微米、約0.1微米至0.75微米、約0.2微米至0.5微米、約0.14微米至0.23微米、約0.09微米至0.21微米、約0.04微米至0.2微米、約0.05微米至0.5微米、約0.15微米至0.5微米或約0.1微米至0.2微米。作為一實例，鎳擴散障壁層之厚度可為約0.1微米。在全部此等繪示性實施方案中，鎳擴散障壁層具有一非零厚度。
一RF信號可在傳輸線1之導電層8中傳播。例如，該RF信號可穿透接合層2、障壁層4及擴散障壁層6以在導電層8中傳播。實質上全部RF信號可在傳輸線1之導電層8中傳播。導電層8可黏著至擴散障壁層6之黏著表面。導電層8可包含適合於沿傳輸線1傳播一RF信號之任何材料。例如，導電層可包含銅、鋁、銀、類似者或以上各者之任何組合。在某些實施方案中，導電層8可為銅。根據某些實施方案，導電層8之厚度可選自約10微米至50微米之一範圍。在此等實施方案之若干者中，導電層之厚度可選自約15微米至30微米之一範圍。
圖1B示意性繪示圖1A之例示性傳輸線。根據某些實施方案，一傳輸線1可包含多個傳輸線1以將一RF信號自一節點傳輸至另一節點。例如，圖1B中所繪示之傳輸線1可一起實施為圖3之傳輸線1。圖1B中之傳輸線1用作一介質以將一RF信號自一第一節點RF_輸入傳輸至一第二節點RF_輸出。一或多個傳輸線1可具有耦合至一電源軌(諸如電源(例如Vcc))或接地之一端部。如圖所繪示，一傳輸線1可經由一電容器C₁、C₂或C₃而耦合至接地。集膚深度計算
如早先所提及，傳輸線1之擴散障壁層6可包含一材料且具有一足夠小厚度以容許一RF信號在一導電層中傳播。相應地，在一期望頻率處，擴散障壁層6可具有比材料之一集膚深度小之一厚度。可由方程式1表示集膚深度。
在方程式1中，δ可表示集膚深度(以米為單位)，μ₀可表示具有每米4π×10^-7亨利(約1.2566370614×10^-6亨利/米)之一值之自由空間之磁導率(亦被稱為真空磁導率或磁性常數)，μ_r可表示介質之一相對磁導率，ρ可表示介質之電阻率(以歐姆‧米為單位)(其可等於介質之電導率之倒數)，且f可表示傳播通過介質之一電流之頻率(以赫茲為單位)。
下表1包含三個傳輸線之各種層之電鍍厚度。表1中之資料對應於具有NiAu精加工鍍層之一傳輸線及含具有不同鎳層厚度之NiPdAu精加工鍍層之兩個不同傳輸線。具有NiPdAu精加工鍍層之傳輸線之一者具有5微米之鎳厚度且具有NiPdAu精加工鍍層之另一傳輸線具有0.1微米之鎳厚度。5微米之鎳厚度係在習知已使用之可接受鎳厚度之一範圍(例如，自2.5微米至8微米)內。在與表1中之資料對應之全部三個傳輸線中，導電層為銅。具有NiPdAu精加工鍍層之傳輸線可具有如圖1A中所展示之一橫截面。具有NiAu精加工鍍層之傳輸線可具有類似於圖1A之一橫截面(但不具有障壁層4)，其中金層接合層直接位於鎳擴散障壁層上且鎳層直接位於銅導電層上。
可使用方程式1及下表2中所包含之材料性質來計算此等三個傳輸線之集膚深度。鎳之相對磁導率可根據用以形成鎳層之一製程而變動。例如，一無電鍍鎳製程中之磷含量可影響鎳之相對磁導率。表2中所列之鎳磁導率之範圍可收集鎳磁導率之典型範圍。
下表3中展示銅、鎳、鈀及金在RF範圍內之六個不同頻率處之計算集膚深度。
表3中所展示之資料指示：具有0.45千兆赫、0.9千兆赫、1.9千兆赫、5千兆赫、12千兆赫或20千兆赫之一頻率之一信號之大部分應在具有NiAu精加工鍍層之傳輸線之鎳中行進。因為金之厚度(即，0.4微米)小於金之集膚深度(即，0.45千兆赫處之3.70微米、0.9千兆赫處之2.62微米、1.9千兆赫處之1.8微米、5千兆赫處之1.11微米、12千兆赫處之0.72微米及20千兆赫處之0.56微米)且鎳之厚度(即，5微米)大於鎳之集膚深度(即，0.45千兆赫處之0.29微米至0.7微米、0.9千兆赫處之0.2微米至0.5微米、1.9千兆赫處之0.14微米至0.34微米、5千兆赫處之0.09微米至0.21微米、12千兆赫處之0.06微米至0.14微米及20千兆赫處之0.04微米至0.11微米)，0.45千兆赫、0.9千兆赫、1.9千兆赫、5千兆赫、12千兆赫及20千兆赫處之信號應在金層與鎳層兩者中行進。因為在自約0.45千兆赫至20千兆赫之頻率範圍內鎳之厚度大於集膚深度，所以此頻率範圍內之信號不應穿透鎳層。因為在更高頻率處集膚深度應更小，所以大於20千兆赫之頻率處之信號不應穿透鎳層。因為金在具有NiAu精加工鍍層之傳輸線中之厚度(即，0.4微米)大於其在具有NiPdAu精加工鍍層(其具有5微米之鎳厚度)之傳輸線中之厚度(即，0.1微米)，所以，NiAu傳輸線之金對鎳中傳導之信號多於具有5微米鎳之NiPdAu傳輸線之金對鎳中之信號以使NiAu傳輸線之損耗相對較少。
表3中所展示之資料亦指示：具有0.45千兆赫、0.9千兆赫、1.9千兆赫、5千兆赫、12千兆赫或20千兆赫之一頻率之一信號之大部分應在具有NiPdAu精加工鍍層之傳輸線之鎳中行進，其中鎳厚度為5微米。因為金之厚度(即，0.1微米)與鈀之厚度(0.09微米)兩者小於其等之各自集膚深度(即：對於金而言，0.45千兆赫處之3.70微米、0.9千兆赫處之2.62微米、1.9千兆赫處之1.8微米、5千兆赫處之1.11微米、12千兆赫處之0.72微米及20千兆赫處之0.56微米；對於鈀而言，0.45千兆赫處之7.73微米、0.9千兆赫處之5.47微米、1.9千兆赫處之3.76微米、5千兆赫處之2.32微米、12千兆赫處之1.50微米及20千兆赫處之1.16微米)且鎳之厚度(即，5微米)大於鎳之集膚深度(即，0.45千兆赫處之0.29微米至0.7微米、0.9千兆赫處之0.2微米至0.5微米、1.9千兆赫處之0.14微米至0.34微米、5千兆赫處之0.09微米至0.21微米、12千兆赫處之0.06微米至0.14微米及20千兆赫處之0.04微米至0.11微米)，所以0.45千兆赫、0.9千兆赫、1.9千兆赫、5千兆赫、12千兆赫或20千兆赫處之信號之大部分應在鎳中行進。因為在自約0.45千兆赫至20千兆赫之頻率範圍內鎳之厚度大於集膚深度，所以在此頻率範圍內之信號不應穿透鎳層。因為在更高頻率處集膚深度應更小，所以在大於20千兆赫之頻率處之信號亦不應穿透鎳層。因此，經由金接合表面而與具有0.5微米之鎳厚度之NiPdAu傳輸線電耦合之一RF信號之大部分應在鎳中傳播。
相比而言，表3中所展示之資料指示：具有0.45千兆赫、0.9千兆赫、1.9千兆赫、5千兆赫、12千兆赫或20千兆赫之一頻率之一信號之大部分應在具有NiPdAu精加工鍍層(其具有0.1微米之鎳厚度)之傳輸線之銅中行進。因為金、鈀及鎳之厚度各小於其等之各自集膚深度，所以0.45千兆赫、0.9千兆赫、1.9千兆赫、5千兆赫、12千兆赫或20千兆赫處之信號之大部分應穿透至銅。因為在更高頻率處集膚深度更小，所以大於20千兆赫之頻率處之信號亦應穿透至銅。因此，經由金接合表面而與具有0.1微米鎳厚度之NiPdAu傳輸線電耦合之一RF信號之大部分應在銅中傳播。
如表2中所展示，銅具有約為鎳之電阻率之五分之一之一電阻率。相應地，當傳輸具有0.45千兆赫或更大之一頻率之信號時，具有NiPdAu精加工鍍層(其具有0.1微米之鎳厚度)之傳輸線應具有與表1及表3中之資料對應之三個傳輸線之最小電阻損耗。表3中之資料亦指示：具有20千兆赫之一頻率之一信號可穿透具有小於0.11微米之一厚度之鎳，具有12千兆赫之一頻率之一信號可穿透具有小於0.14微米之一厚度之鎳，具有5千兆赫之一頻率之一信號可穿透具有小於0.2微米之一厚度之鎳，具有1.9千兆赫之一頻率之一信號可穿透具有小於0.34微米之一厚度之鎳，具有0.9千兆赫之一頻率之一信號可穿透具有小於0.5微米之一厚度之鎳，且具有0.45千兆赫之一頻率之一信號可穿透具有小於0.7微米之一厚度之鎳。因此，若在信號之各自頻率處金及鈀厚度小於集膚深度，則此等信號應在具有NiPdAu精加工鍍層(其具有0.1微米之鎳厚度)之傳輸線之銅中傳播。基於方程式1及表1與表2中之資料，具有至多約22千兆赫之一頻率之一信號應能夠穿透至具有約0.1微米之一厚度之鎳。引線接合
在一些實施方案中，傳輸線1可經由一接線而電耦合至一晶粒之一接針。一導體(諸如一導線)可將一RF信號提供至傳輸線1。圖2A繪示至圖1A之傳輸線1之一接線之一實例。如圖2A中所繪示，一基板22上可包含傳輸線1。一晶粒24亦可耦合至基板22。一導線10可將傳輸線1之接合層2之一接合表面電連接至晶粒24。以此方式，傳輸線1可在接合層2之該接合表面處接收一RF信號。導線10可包含一球形接合件11、一頸部12、一過渡段13、一尾部14、一縫合接合件15(或替代地一楔形接合件)或以上各者之任何組合。
一些接線規格規定：導線10應具有一最小拉伸強度且不會經歷(若干)特定失效。例如，在一些應用中，一接線規格規定：導線應在熱曝露(例如，回焊或烘烤@ 175℃達12小時)之後具有至少3 g之一拉伸強度且不具有縫合提升(stitch lift)失效模式。
收集20微米厚之Au導線及20微米厚之Cu導線之實驗資料。測試三個不同傳輸線中之Au導線：具有NiAu精加工鍍層之一傳輸線及具有NiPdAu精加工鍍層之兩個不同傳輸線(其等具有不同鎳層厚度(5微米及0.1微米))。亦測試三個不同傳輸線中之Cu導線：具有NiAu精加工鍍層之一傳輸線及具有NiPdAu精加工鍍層之兩個不同傳輸線(其等具有不同鎳層厚度(5微米及0.1微米))。精加工鍍層對應於表1中所展示之NiAu及NiPdAu之值。實驗之取樣條件包含引線接合(表面安裝附接及電漿)之前之標準組裝製程及極熱曝露以測試影響導線可接合性(表面安裝附接及烘烤與電漿)之穿過Ni擴散障壁層之Cu擴散。標準組裝製程之實驗資料指示：在熱曝露之後，全部Au導線應根據導線直徑而超過3 g至4 g拉伸強度規格。雖然製程參數未被最佳化，但標準組裝製程之實驗資料亦指示Cu導線之大多數應超過3 g至4 g拉伸強度規格。極熱曝露下所測試之全部導線拉伸符合或超過3 g拉伸強度規格且不符合或不超過縫合提升失效模式準則。相應地，實驗資料確認：對於MCM而言，具有0.1微米Ni厚度之NiPdAu精加工鍍層之導線可接合性係可行的。基板及陣列
圖2B繪示一基板22之一實例，其包含圖1之傳輸線1。基板22可包含一或多個傳輸線1。基板22可包含本文中所述基板之特徵之任何組合。例如，基板22可為包含NiPdAu精加工鍍層之一層壓基板。
可利用相同處理設備來同時製造多個基板22。圖2C繪示一陣列23之一實例，其包含圖2B之多個基板22。在一些實施方案中，陣列23可為一層壓面板，其包含具有經組態以傳輸一RF信號之一傳輸線1之一基板22。雖然圖2C中所展示之陣列23包含二十五個基板22，但在其他實施方案中陣列23可包含任何適合數目之基板22。例如，可在包含本文中所述之精加工電鍍技術之特徵之任何組合之製程中形成多個基板22上之傳輸線1。接著，在形成傳輸線1之後，例如藉由雷射切割、金剛石鋸或任何其他適合方法而使個別基板22彼此分離。電鍍技術
具有0.1微米鎳厚度之NiPdAu電鍍技術可減少成本。此電鍍技術亦可改良RF性能或具有最小RF性能影響。如由早先所論述之資料及計算所指示，在具有0.1微米鎳厚度之NiPdAu鍍層中，可減少在金層、鈀層及鎳層中行進之RF信號之數量且增大及/或最大化層壓板上之一導電層(諸如銅層)中之RF能量，同時維持可焊性及/或導線可接合性。其他實驗資料指示：精加工鍍層(其中全部信號在銅層中行進)不提供最低插入損耗。
NiPdAu電鍍技術之一實例為無電鍍NiPdAu。例如由早先所論述之計算及資料所指示，對於無電鍍NiPdAu，若在信號之一頻率處鎳層比集膚深度厚，則RF信號無法穿透通過鎳層。若鎳厚度被減至小於鎳之集膚深度(例如，被減至約0.1微米)，則一RF信號可穿透通過鎳鍍層、鈀鍍層及金鍍層。因此，RF信號能量之主要部分應位於銅層中。銅具有比金、鈀及鎳明顯更低之RF損耗。具有NiPdAu精加工鍍層(其具有0.1微米厚之鎳)之一傳輸線中之RF損耗可小於具有電解NiAu及/或無電鍍NiAu精加工鍍層之一可供比較傳輸線中之RF損耗。因此，可藉由使用具有0.1微米厚鎳之NiPdAu精加工鍍層而改良總體電性能。在一些實施方案中，可在1.9千兆赫處將輸出匹配網路損耗自約0.8分貝(dB)減小至0.5分貝以可使PA功率附加效率改良約3%。此可轉化為包含具有0.1微米厚鎳之NiPdAu精加工鍍層之產品之明顯產率改良及/或競爭力增強。
對於RF損耗特性，在一輸出匹配網路中集合實驗資料與兩個不同阻抗(6歐姆及4歐姆)。對於6歐姆輸出匹配網路，實驗資料指示損耗被改良約0.2分貝。對於4歐姆輸出匹配網路，實驗資料指示損耗被改良約0.3分貝。包含具有0.1微米厚Ni之無電鍍NiPdAu精加工鍍層之傳輸線具有比具有標準無電鍍NiPdAu(其具有5微米厚之Ni)之可供比較傳輸線或無電鍍NiAu傳輸線低之損耗。模組
圖3係一模組20之一示意性方塊圖，其可包括圖1A之傳輸線1。在一些實施方案中，模組20可被稱為多晶片模組及/或功率放大器模組。模組20可包含一基板22(例如一封裝基板)、一晶粒24(例如一功率放大器晶粒)、一匹配網路25、類似者或以上各者之任何組合。雖然圖中未繪示，但在一些實施方案中，模組20可包含耦合至基板22之一或多個其他晶粒及/或一或多個電路元件。該一或多個其他晶粒可例如包含一控制器晶粒，該控制器晶粒可包含一功率放大器偏壓電路及/或一直流轉直流(DC-DC)轉換器。安裝於該封裝基板上之(若干)例示性電路元件可例如包含(若干)電感器、(若干)電容器、(若干)阻抗匹配網路、類似者或以上各者之任何組合。
模組20可包含安裝於模組20之基板22上及/或與模組20之基板22耦合之複數個晶粒及/或其他組件。在一些實施方案中，基板22可為一多層基板，其經組態以支撐該等晶粒及/或組件且在模組20係安裝於一電路板(諸如一電話板)上時將電連接性提供至外部電路。基板22可包含具有精加工鍍層之一層壓板，其例如包含本文中所述之層壓板及/或精加工鍍層之特徵之任何組合。基板22可提供經由一傳輸線1(其包含本文中所述傳輸線之特徵之任何組合)之組件之間之電連接性。例如，如圖所繪示，傳輸線1可將功率放大器晶粒24電連接至輸出匹配網路25。
功率放大器晶粒24可在模組20之一輸入接針RF_IN處接收一RF信號。功率放大器晶粒24可包含一或多個功率放大器，其例如包含經組態以放大該RF信號之多級功率放大器。功率放大器晶粒24可包含一輸入匹配網路30、一第一級功率放大器32(其可被稱為一驅動器放大器(DA))、一級間匹配網路34、一第二級功率放大器36(其可被稱為一輸出放大器(OA))、經組態以使第一級功率放大器32偏壓之一第一級偏壓電路38、經組態以使第二級功率放大器36偏壓之一第二級偏壓電路40或以上各者之任何組合。一功率放大器可包含第一級功率放大器32及第二級功率放大器36。可經由輸入匹配網路30而將RF輸入信號提供至第一級功率放大器32。第一級功率放大器32可放大RF輸入且經由級間匹配網路34而將放大之RF輸入提供至第二級功率放大器36。第二級功率放大器36可產生放大之RF輸出信號。
可經由一輸出匹配網路25而將放大之RF輸出信號提供至功率放大器晶粒24之一輸出接針RF_OUT。本文中所述之傳輸線1之任何者可經實施以將一功率放大器之一輸出(例如，由第二級功率放大器36產生之放大RF輸出信號)及/或功率放大器晶粒24之一輸出耦合至另一組件。相應地，亦可根據一功率放大器之一輸出及/或功率放大器晶粒24之一輸出而實施本文中所述擴散障壁層6之特徵之任何組合。匹配網路25可設置於模組20上以輔助減少信號反射及/或其他信號失真。功率放大器晶粒24可為任何適合晶粒。在一些實施方案中，功率放大器晶粒24為砷化鎵(GaAs)晶粒。在此等實施方案之若干者中，該GaAs晶粒具有使用一異質接面雙極電晶體(HBT)製程來形成之電晶體。
模組20亦可包含電連接至(例如)功率放大器晶粒24之一或多個電源供應器接針。在一些實施方案中，該一或多個電源供應器接針可將供應電壓(諸如具有不同電壓位準之V_供應1及V_供應2)提供至功率放大器。模組20可包含可例如由多晶片模組上之一跡線形成之(若干)電路元件，諸如(若干)電感器。該(等)電感器可充當一扼流圈電感器且可佈置於供應電壓與功率放大器晶粒24之間。在一些實施方案中，該(等)電感器經表面安裝。另外，該(等)電路元件可包含(若干)電容器，其(等)與(若干)電感器並聯電連接且經組態以在與接針RF_IN上所接收之一信號之頻率接近之一頻率處諧振。在一些實施方案中，該(等)電容器可包含一表面安裝電容器。
模組20可經修改以包含更多或更少組件，其例如包含額外功率放大器晶粒、電容器及/或電感器。例如，模組20可包含一或多個額外匹配網路25。作為另一實例，模組20可包含一額外功率放大器晶粒以及一額外電容器及電感器，該額外電容器及電感器經組態以充當安置於模組20之額外功率放大器晶粒與電源供應器接針之間之一並聯LC電路。諸如在其中將一單獨電源供應器提供至佈置於功率放大器晶粒24上之一輸入級之實施方案及/或其中模組20通過複數個頻帶而操作之實施方案中，模組20可經組態以具有額外接針。
模組20可：具有約3.2伏特至4.2伏特之一低電壓正偏壓供應、良好線性度、高效率(例如，在28.25分貝毫瓦(dBm)處PAE為約40%)、大動態範圍、一小的低輪廓封裝(例如具有一10襯墊組態之3毫米×3毫米×0.9毫米)、電源切斷控制；支援低集極電壓操作、數位賦能；無需一參考電壓、CMOS相容控制信號、一整合定向耦合器；或以上各者之任何組合。
在一些實施方案中，模組20為一功率放大器模組，其為針對寬頻分碼多重存取(WCDMA)應用而開發之一全匹配10襯墊表面安裝模組。此小的有效率模組可將1920兆赫至1980兆赫頻寬涵蓋區全部封裝成一單一緊湊型封裝。模組20可因整個功率範圍內所獲得之高效率而給予行動電話期望通話時間優點。模組20可符合具有高功率附加效率之高速下行鏈路封包存取(HSDPA)、高速上行鏈路封包存取(HSUPA)及長期演進(LTE)資料傳輸之嚴格光譜線性度要求。一定向耦合器可整合至模組20中且因此無需一外部耦合器。
晶粒24可為一功率放大器晶粒，其體現為包含模組20之全部主動式電路之一單一砷化鎵(GaAs)微波單片積體電路(MMIC)。該MMIC可包含板上偏壓電路以及輸入匹配網路30及級間匹配網路34。一輸出匹配網路25可具有一50歐姆負載，其體現為與模組20之封裝內之晶粒24分離以增加及/或最佳化效率及功率性能。
可利用提供全部正電壓DC供應操作之一GaAs異質接面雙極電晶體(HBT)BiFET製程來製造模組20，同時維持高效率及良好線性度。可將初級偏壓直接供應至模組20，或自具有選自約3.2伏特至4.2伏特之範圍之一輸出之任何三節式Ni-Cd電池、一單節式Li離子電池或其他適合電池、經由一中間組件而將初級偏壓供應至模組20。在一些實施方案中，無需參考電壓。可藉由將一賦能電壓設定為零伏特而完成電源切斷。根據一些實施方案，因為在自電池供應全初級電壓之情況下典型之「斷接」洩漏為數微安培，所以無需外部供應側開關。模組資料
圖4A至圖4D為若干圖，其等繪示圖1A之傳輸線與圖3之模組中所實施之其他傳輸線之間之關係。測試具有以上參考表1至表3而描述之三個傳輸線之一模組，該模組之功能類似於圖3中所繪示且參考圖3而描述之模組20。NiAu傳輸線具有5.5微米之鎳厚度。兩個NiPdAu傳輸線精加工鍍層分別具有6微米及0.1微米之不同鎳厚度。所測試之傳輸線包含具有約25微米之一厚度之銅導電層。否則，所測試之傳輸線具有以上參考表1至表3而描述之層厚度及其他性質。
如圖4A至圖4D之圖中所展示，具有NiPdAu精加工鍍層及0.1微米之鎳厚度之傳輸線具有三種類型之傳輸線測試之最佳性能，如由品質因數(FOM)所量測。另外，下表4中所包含之資料指示：具有NiPdAu精加工鍍層(其具有0.1微米之鎳厚度)之傳輸線與具有NiPdAu精加工鍍層(其具有6微米之鎳厚度)之傳輸線之產率相當。
可基於諸多度量(諸如鄰近通道功率比(ACPR)、功率附加效率(PAE)、品質因數(FOM)、類似者或以上各者之任何組合)而定級功率放大器。ACPR為評估一功率放大器之線性度之一度量。PAE為評估一功率放大器之功率效率之一度量。例如，一較低PAE可減少包含一功率放大器之一電子器件(諸如一行動電話)之電池壽命。FOM為以一功率放大器之總體品質為特徵之一方式。
圖4A及圖4B分別為模組20之功率放大器之ACPR及PAE之圖，其等用於與三種類型之傳輸線對應之高功率、高頻率操作。表5概述來自圖4A及圖4B之資料之部分。
圖4C及圖4D分別為模組20之功率放大器之ACPR及PAE之圖，其等用於與三種類型之傳輸線對應之高功率、低頻率操作。表6概述來自圖4C及圖4D之資料之部分。
表5及表6中之資料指示：具有NiPdAu精加工鍍層(其具有0.1微米厚之鎳)之傳輸線具有所測試傳輸線之最佳FOM。表5之資料指示：具有NiPdAu精加工鍍層(其具有0.1微米厚之鎳)之傳輸線之平均FOM比具有NiAu鍍層之可供比較傳輸線之平均FOM更佳0.35且比具有NiPdAu鍍層(其具有6微米厚之鎳)之可供比較傳輸線之平均FOM更佳2.42。表6中之資料指示：具有NiPdAu精加工鍍層(其具有0.1微米厚之鎳)之傳輸線之平均FOM比具有NiAu鍍層之可供比較傳輸線之平均FOM更佳2.27且比具有NiPdAu鍍層(其具有6微米厚之鎳)之可供比較傳輸線之平均FOM更佳1.34。
表7概述具有三種類型之測試傳輸線之模組20之高功率靜態集極電流I_QCC之資料。資料指示：包含各類型之傳輸線之模組具有類似DC性能。
表8概述與三種類型之測試傳輸線對應之模組20中之功率放大器之高功率、高頻率增益之資料。表8中之資料指示：具有傳輸線(其具有含0.1微米厚鎳之NiPdAu精加工鍍層)之模組中之功率放大器具有一最低插入損耗，此係因為此等功率放大器具有最高平均增益。
由RF傳輸線耦合之例示性組件
圖5為經由圖1A之傳輸線1而彼此耦合之兩個射頻(RF)組件之一示意性方塊圖。圖6A至圖6F為可經由圖1A之傳輸線1而彼此電耦合之各種組件之示意性方塊圖。所繪示之組件可耦合至包含一基板22(其包含本文中所述基板之特徵之任何組合)，例如結合圖3所述。作為一實例，基板22可具有精加工鍍層。替代地或另外，一行動器件(諸如參考圖7而描述之行動器件101)中可包含各種組件。
如圖5中所展示，傳輸線1可將一第一RF組件52電耦合至一第二RF組件54。第一RF組件52可包含任何適合電路元件，其經組態以傳輸一RF信號、接收一RF信號、處理一RF信號、調整一RF信號、類似操作或以上各者之任何組合。類似地，第二RF組件54可包含任何適合電路元件，其經組態以傳輸一RF信號、接收一RF信號、處理一RF信號、調整一RF信號、類似操作或以上各者之任何組合。RF組件之非限制性實例包含功率放大器、RF開關、濾波器及天線。
如圖6A及圖6B中所繪示，一功率放大器105可具有與基板22上所包含之傳輸線1電耦合之一輸出。例如，功率放大器105之該輸出可引線接合至傳輸線1。在圖6A所展示之實施方案中，傳輸線1經組態以將功率放大器105之該輸出傳輸至一RF開關56。RF開關56可為經組態以在接通時傳遞一RF信號且在斷接時阻斷該RF信號之任何適合開關。在圖6B所展示之實施方案中，傳輸線1經組態以將功率放大器105之該輸出傳輸至一濾波器58。濾波器58可為經組態以過一濾RF信號之任何適合濾波器。例如，濾波器58可為一低通濾波器、一帶通濾波器或一高通濾波器。
如圖6C及圖6D中所繪示，一RF開關56可具有與基板22上所包含之傳輸線1電耦合之一輸出。例如，RF開關56之該輸出可引線接合至傳輸線1。在圖6C所展示之實施方案中，傳輸線1經組態以將RF開關56之該輸出傳輸至一天線104。在圖6D所展示之實施方案中，傳輸線1經組態以將RF開關56之該輸出傳輸至一濾波器58。
如圖6E及圖6F中所繪示，一濾波器58可具有與基板22上所包含之傳輸線1電耦合之一輸出。例如，濾波器58之該輸出可引線接合至傳輸線1。在圖6E所展示之實施方案中，傳輸線1經組態以將濾波器58之該輸出傳輸至一RF開關56。在圖6F所展示之實施方案中，傳輸線1經組態以將濾波器58之該輸出傳輸至一天線104。行動器件
可在各種電子器件(諸如一行動器件，其亦可被稱為一無線器件)中實施本文中所述系統、方法及裝置之任何者。圖7係一例示性行動器件101之一示意性方塊圖，其包含圖1A之傳輸線。行動器件101之實例包含(但不限於)一蜂巢式電話(例如，一智慧型電話)、一膝上型電腦、一平板型電腦、一個人數位助理(PDA)、一電子書閱讀器及一可攜式數位媒體播放器。例如，行動器件101可為經組態以例如使用全球行動通信系統(GSM)、分碼多重存取(CDMA)、3G、4G及/或長期演進(LTE)來通信之一多頻帶及/或多模式器件，諸如一多頻帶/多模式行動電話。
在某些實施例中，行動器件101可包含一切換組件102、一收發器組件103、一天線104、若干功率放大器105、一控制組件106、一電腦可讀媒體107、一處理器108、一電池109及供應控制區塊110之一或多者。可在行動器件101之各種位置中實施本文中所述傳輸線1之任何者。例如，如圖7中所繪示，一傳輸線1可將一功率放大器105之一輸出電連接至切換組件102及/或將切換組件102電連接至天線104。
收發器組件103可產生經由天線104而傳輸之RF信號。此外，收發器組件103可自天線104接收輸入之RF信號。
應瞭解，可由圖7中被集體表示為收發器103之一或多個組件實現與RF信號之傳輸及接收相關聯之各種功能。例如，一單一組件可經組態以提供傳輸與接收功能兩者。在另一實例中，可由單獨組件提供傳輸及接收功能。
類似地，應瞭解，可由圖7中被集體表示為天線104之一或多個組件實現與RF信號之傳輸及接收相關聯之各種天線功能。例如，一單一天線可經組態以提供傳輸與接收功能兩者。在另一實例中，可由單獨組件提供傳輸及接收功能。在又一實例中，與行動器件101相關聯之不同頻帶可具有不同天線。
在圖7中，來自收發器103之一或多個輸出信號被描繪為經由一或多個傳輸路徑而提供至天線104。在所展示實例中，不同傳輸路徑可表示與不同頻帶及/或不同功率輸出相關聯之輸出路徑。例如，所展示之兩個例示性功率放大器105可表示與不同功率輸出組態(例如低功率輸出及高功率輸出)相關聯之放大及/或與不同頻帶相關聯之放大。
在圖7中，來自天線104之一或多個偵測信號被描繪為經由一或多個接收路徑而提供至收發器103。在所展示實例中，不同接收路徑可表示與不同頻帶相關聯之路徑。例如，所展示之四個例示性路徑可表示一些行動器件101具有之四頻帶容量。
為促進接收路徑與傳輸路徑之間之切換，切換組件102可經組態以將天線104電連接至一選定傳輸或接收路徑。因此，切換組件102可提供與行動器件101之一操作相關聯之諸多切換功能。在某些實施例中，切換組件102可包含諸多開關，其等經組態以提供與(例如)不同頻帶之間之切換、不同功率模式之間之切換、傳輸模式與接收模式之間之切換或以上各者之某一組合相關聯之功能。切換組件102亦可經組態以提供額外功能(其包含信號之過濾)。例如，切換組件102可包含一或多個雙工器。
行動器件101可包含一或多個功率放大器105。可使用RF功率放大器來升高具有一相對較低功率之一RF信號之功率。其後，經升高之RF信號可用於各者用途，其包含驅動一傳輸器之天線。電子器件(諸如行動器件)中可包含功率放大器105以放大待傳輸之一RF信號。例如，在具有依據3G及/或4G通信標準而通信之一架構之行動電話中，可使用一功率放大器來放大一RF信號。因為一期望傳輸功率位準可取決於使用者與一基地台及/或行動環境之遠近程度，所以可期望管理該RF信號之放大。亦可採用功率放大器來輔助隨時間逝去而調節該RF信號之功率位準以便在指派接收時槽期間防止信號干擾傳輸。一功率放大器模組可包含一或多個功率放大器。
圖7展示：在某些實施例中，可提供一控制組件106，且此一組件可包含經組態以提供與切換組件102、功率放大器105、供應控制110及/或(若千)其他操作組件之操作相關聯之各種控制功能之電路。
在某些實施例中，一處理器108可經組態以促進本文中所述各種功能之實施。可將與本文中所述組件之任何者之操作相關聯之電腦程式指令儲存於可指導處理器108之一電腦可讀記憶體107中，使得儲存於電腦可讀記憶體中之指令產生一製品，其包含實施本文中所述行動器件、模組等等之各種操作功能之指令。
所繪示之行動器件101亦包含可用以將一電源供應器提供至一或多個功率放大器105之供應控制區塊110。例如，供應控制區塊110可包含一DC轉DC轉換器。然而，在某些實施例中，供應控制區塊110可包含其他區塊，諸如(例如)一封包追蹤器，其經組態以基於待放大之RF信號之一封包而變動提供至供應放大器105之供應電壓。
供應控制區塊110可電連接至電池109，且供應控制區塊110可經組態以基於一DC-DC轉換器之一輸出電壓而變動提供至功率放大器105之電壓。電池109可為用在行動器件101中之任何適合電池，其例如包含鋰離子電池。利用傳輸路徑之一傳輸線1(其包含一擴散障壁層，該擴散障壁層由一材料(諸如鎳)製成且在RF範圍內之一頻率處具有比該材料之集膚深度小之一厚度)，可減少電池109之功率消耗及/或可改良信號品質以藉此改良行動器件101之性能。應用
上述實施例之若干者已提供與包含功率放大器之模組及/或電子器件(諸如行動電話)有關之實例。然而，實施例之原理及優點可用於需要一高性能RF傳輸線之任何其他系統或裝置。
可在各種電子器件中實施用以實施本發明之一或多個態樣之系統。電子器件之實例可包含(但不限於)消費型電子產品、消費型電子產品之部件、電子測試設備等等。更明確言之，經組態以實施本發明之一或多個態樣之電子器件可包含(但不限於)一RF傳輸器件、具有一功率放大器之任何可攜式器件、一行動電話(例如一智慧型電話)、一電話、一基地台、一家用基地台、一雷達、經組態以根據WiFi及/或藍芽標準而通信之一器件、一電視、一電腦監視器、一電腦、一掌上型電腦、一平板型電腦、一膝上型電腦、一個人數位助理(PDA)、一微波、一電冰箱、一汽車、一立體聲系統、一DVD播放器、一CD播放器、一VCR、一MP3播放器、一收音機、一攝錄影機、一攝像機、一數位攝像機、一可攜式記憶體晶片、一洗衣機、一乾衣機、一洗衣機/乾衣機、一影印機、一傳真機、一掃描器、一多功能周邊器件、一腕錶、一時鐘等等。消費型電子產品之部件可包含一多晶片模組(其包含一RF傳輸線)、一功率放大器模組、一積體電路(其包含一RF傳輸線)、一基板(其包含一傳輸線)、類似者或以上各者之任何組合。再者，電子器件之其他實例亦可包含(但不限於)記憶體晶片、記憶體模組、光學網路或其他通信網路之電路及磁碟驅動器電路。此外，電子器件可包含粗加工產品。結論
若內文無明確要求，則在整個描述及申請專利範圍中，用語「包括」及類似者應被解釋為意指包含，其與意指排他或窮舉相反；換言之，意指「包含(但不限於)」。如本文中一般所使用，用語「耦合」、「連接」及類似者意指兩個或兩個以上元件可直接連接或藉由一或多個中間元件而連接。另外，本申請案中所使用之用語「本文中」、「上方」、「下方」及類似含義用語應意指整個申請案且非意指本申請案之任何特定部分。當內文允許時，以上[實施方式]中之單數或複數用語亦可分別包含複數或單數。用語「或」涉及兩個或兩個以上項之一清單，該用語涵蓋用語之以下全部解譯：清單中項之任何者、清單中項之全部及清單中項之任何組合。本文中所提供之全部數值意欲包含一量測誤差內之近似值。
再者，若無另外明確說明或非被理解為在所使用之內文內，則本文中所使用之條件用語(尤其諸如「可」、「例如」、「諸如」及類似者)一般意欲表達：某些實施例包含某些特徵、元件及/或狀態，而其他實施例不包含該等特徵、元件及/或狀態。因此，此條件用語一般不意欲隱含：一或多個實施例無條件需要特徵、元件及/或狀態；或無論作者是否輸入或提示，該一或多個實施例均必須包含用於在任何特定實施例中判定此等特徵、元件及/或狀態被包含或應被執行之邏輯。
以上實施例詳細描述不意欲具窮舉性或將本發明限於以上所揭示之精確形式。雖然上文中已為了繪示而描述本發明之特定實施例及實例(例如，雖然已依一給定順序呈現製程或方塊)，但替代實施例可依一不同順序執行具有動作之常式或採用具有方塊之系統，且可刪除、移動、添加、細分、組合及/或修改一些製程或方塊。可以各種不同方式實施此等製程或方塊之各者。再者，雖然製程或方塊有時被展示為被連續執行，但此等製程或方塊可代以被並行執行或可在不同時間被執行。
雖然已描述本發明之某些實施例，但此等實施例已僅以舉例方式被呈現且不意欲限制本發明之範疇。例如，各種等效修改可在本發明之範疇內，如熟習技術者所認知。再者，可組合上述各種實施例之元件及動作以提供另外實施例。其實，本文中所述之方法、系統、裝置及製品可體現為各種其他形式；此外，可在不背離本發明之精神之情況下作出呈本文中所述方法、系統、裝置及製品之形式之各種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其等效物意欲涵蓋落在本發明之範疇及精神內之此等形式或修改。
1‧‧‧傳輸線
2‧‧‧接合層
4‧‧‧障壁層
6‧‧‧擴散障壁層
8‧‧‧導電層
10‧‧‧導線
11‧‧‧球形接合件
12‧‧‧頸部
13‧‧‧過渡段
14‧‧‧尾部
15‧‧‧縫合接合件
20‧‧‧模組
22‧‧‧基板
23‧‧‧陣列
24‧‧‧功率放大器(PA)晶粒
25‧‧‧輸出匹配網路
30‧‧‧輸入匹配網路
32‧‧‧第一級功率放大器/驅動器放大器(DA)
34‧‧‧級間匹配網路
36‧‧‧第二級功率放大器/輸出放大器(OA)
38‧‧‧第一級偏壓電路
40‧‧‧第二級偏壓電路
52‧‧‧第一射頻(RF)組件
54‧‧‧第二RF組件
56‧‧‧RF開關
58‧‧‧濾波器
101‧‧‧行動器件
102‧‧‧切換組件
103‧‧‧收發器組件
104‧‧‧天線
105‧‧‧功率放大器
106‧‧‧控制組件
107‧‧‧電腦可讀媒體/電腦可讀記憶體
108‧‧‧處理器
109‧‧‧電池
110‧‧‧供應控制區塊
圖1A繪示根據一些實施例之一傳輸線之一橫截面。
圖1B示意性繪示圖1之例示性傳輸線。
圖2A繪示至圖1之傳輸線之一接線之一實例。
圖2B繪示包含圖1之傳輸線之一基板之一實例。
圖2C繪示包含圖2B之多個基板之一陣列之一實例。
圖3係包含圖1之傳輸線之一例示性模組之一示意性方塊圖。
圖4A至圖4D係繪示圖1之傳輸線與圖3之模組中所實施之其他傳輸線之間之關係之若干圖。
圖5係經由圖1之傳輸線而彼此耦合之兩個射頻(RF)組件之一示意性方塊圖。
圖6A至圖6F係可經由圖1之傳輸線而彼此電耦合之各種例示性RF組件之若干示意性方塊圖。
圖7係包含圖1之傳輸線之一例示性行動器件之一示意性方塊圖。
1‧‧‧傳輸線
2‧‧‧接合層
4‧‧‧障壁層
6‧‧‧擴散障壁層
8‧‧‧導電層

权利要求:
Claims (78)
[1] 一種模組，其包括：一基板，其包含一導體及一傳輸線，該傳輸線具有一接合層、一障壁層、一擴散障壁層及一導電層，該接合層具有經組態以與該導體接合之一接合表面，該障壁層及該擴散障壁層經組態以防止一污染物進入該接合層，該擴散障壁層具有一足夠小之厚度以允許來自該導體之一射頻(RF)信號穿透至該導電層；一第一RF組件，其耦合至該基板，該第一RF組件經組態以產生該RF信號；及一第二RF組件，其耦合至該基板，該第二RF組件經組態以經由該傳輸線而自該第一RF組件接收該RF信號。
[2] 如請求項1之模組，其中該基板係一層壓基板。
[3] 如請求項2之模組，其中該基板包含一精加工鍍層，該精加工鍍層包含該接合層、該障壁層及該擴散障壁層。
[4] 如請求項1之模組，其中該擴散障壁層包含鎳。
[5] 如請求項4之模組，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.5微米。
[6] 如請求項4之模組，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.35微米。
[7] 如請求項4之模組，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.75微米。
[8] 如請求項4之模組，其中在約0.45千兆赫之一頻率處，該擴散障壁層之該厚度小於鎳之集膚深度。
[9] 如請求項4之模組，其中該導電層包含銅。
[10] 如請求項1之模組，其中在約0.45千兆赫之一頻率處，該擴散障壁層之該厚度小於形成該擴散障壁層之一材料之集膚深度。
[11] 如請求項1之模組，其中該接合層經組態以用於引線接合且該導體經由一接線而電耦合至該接合層。
[12] 如請求項1之模組，其中該RF信號之實質上全部在該導電層中自該第一RF組件傳播至該第二RF組件。
[13] 如請求項1之模組，其中該第一RF組件包含一功率放大器。
[14] 如請求項13之模組，其中該第二RF組件包含一濾波器或一RF開關之至少一者。
[15] 如請求項1之模組，其中該第一RF組件包含一RF開關。
[16] 如請求項15之模組，其中該第二RF組件包含一功率放大器或一濾波器之至少一者。
[17] 如請求項1之模組，其中該第一RF組件包含一濾波器。
[18] 如請求項17之模組，其中該第二RF組件包含一功率放大器或一RF開關之至少一者。
[19] 如請求項1之模組，其中該障壁層定位於該接合層與該擴散障壁層之間。
[20] 一種經組態以用在一射頻(RF)電路中之RF傳輸線，該RF傳輸線包括：一接合層，其具有一接合表面，該接合表面經組態以接收一RF信號；一障壁層，其接近於該接合層；一擴散障壁層，其接近於該障壁層，該擴散障壁層及該障壁層經組態以防止污染物進入該接合層；及一導電層，其接近於該擴散障壁層，該擴散障壁層具有一厚度以容許所接收之該RF信號穿透該擴散障壁層而至該導電層。
[21] 如請求項20之RF傳輸線，其中該接合層、該障壁層及該擴散障壁層體現為一精加工鍍層。
[22] 如請求項20之RF傳輸線，其中該接合層包含金。
[23] 如請求項20之RF傳輸線，其中該接合表面經組態以用於引線接合。
[24] 如請求項20之RF傳輸線，其中該障壁層包含鈀。
[25] 如請求項20之RF傳輸線，其中該擴散障壁層包含鎳。
[26] 如請求項25之RF傳輸線，其中該擴散障壁層之該厚度係在自約0.04微米至約0.7微米之範圍內。
[27] 如請求項25之RF傳輸線，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.5微米。
[28] 如請求項25之RF傳輸線，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.35微米。
[29] 如請求項25之RF傳輸線，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.75微米。
[30] 如請求項25之RF傳輸線，其中在約0.45千兆赫之一頻率處，該擴散障壁層之該厚度小於鎳之集膚深度。
[31] 如請求項20之RF傳輸線，其中在約0.45千兆赫之一頻率處，該擴散障壁層之該厚度小於該擴散障壁層之集膚深度。
[32] 如請求項20之RF傳輸線，其中該導電層包含銅、鋁或銀之一或多者。
[33] 如請求項20之RF傳輸線，其中該導電層包含銅。
[34] 如請求項20之RF傳輸線，其中所接收之該RF信號之實質上全部在該導電層中傳播。
[35] 如請求項20之RF傳輸線，其中該接合層係金，該障壁層係鈀且該擴散障壁層係鎳。
[36] 如請求項35之RF傳輸線，其中該擴散障壁層之該厚度係在自約0.04微米至約0.7微米之範圍內。
[37] 如請求項35之RF傳輸線，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.5微米。
[38] 如請求項35之RF傳輸線，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.35微米。
[39] 如請求項35之RF傳輸線，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.75微米。
[40] 一種經組態以用在一RF傳輸線中之擴散障壁層，該擴散障壁層包括一材料且具有一厚度，該擴散障壁層之該厚度足夠小以允許一RF信號穿透該擴散障壁層。
[41] 如請求項40之擴散障壁層，其中該材料包含鎳。
[42] 如請求項41之擴散障壁層，其中該擴散障壁層之該厚度係在自約0.04微米至約0.7微米之範圍內。
[43] 如請求項41之擴散障壁層，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.5微米。
[44] 如請求項41之擴散障壁層，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.35微米。
[45] 如請求項41之擴散障壁層，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.75微米。
[46] 如請求項41之擴散障壁層，其中在約0.45千兆赫之一頻率處，該擴散障壁層之該厚度小於鎳之集膚深度。
[47] 如請求項40之擴散障壁層，其中在約0.45千兆赫之一頻率處，該擴散障壁層之該厚度小於該材料之集膚深度。
[48] 如請求項40之擴散障壁層，其中穿透該擴散障壁層之該RF信號之實質上全部在接近於該擴散障壁層之一導電層中行進。
[49] 一種行動器件，其包括：一傳輸線，其包含具有一接合表面之一接合層、接近於該接合層之一障壁層、接近於該障壁層之一擴散障壁層及接近於該擴散障壁層之一導電層，該障壁層及該擴散障壁層經組態以防止來自該導電層之導電材料進入該接合層，該擴散障壁層具有一足夠小之厚度以容許一RF信號穿透該擴散障壁層且在該導電層中傳播；一天線，其耦合至該傳輸線，該天線經組態以傳輸一RF輸出信號；及一電池，該傳輸線經組態以延長該電池之放電時長。
[50] 如請求項49之行動器件，其進一步包含具有與該傳輸線耦合之一輸出之一功率放大器。
[51] 如請求項50之行動器件，其中該功率放大器之一輸出經由一接線而耦合至該傳輸線。
[52] 如請求項50之行動器件，其中該傳輸線經組態以將該RF信號自該功率放大器傳輸至一RF開關。
[53] 如請求項50之行動器件，其中該傳輸線經組態以將該RF信號自該功率放大器傳輸至一濾波器。
[54] 如請求項49之行動器件，其進一步包含具有與該傳輸線耦合之一輸出之一濾波器。
[55] 如請求項54之行動器件，其中該傳輸線經組態以將該RF信號自該濾波器傳輸至一RF開關。
[56] 如請求項54之行動器件，其中該傳輸線經組態以將該RF信號自該濾波器傳輸至該天線。
[57] 如請求項49之行動器件，其進一步包含具有與該傳輸線耦合之一輸出之一RF開關。
[58] 如請求項57之行動器件，其中該傳輸線經組態以將該RF信號自該RF開關傳輸至該天線。
[59] 如請求項57之行動器件，其中該傳輸線經組態以將該RF信號自該RF開關傳輸至一濾波器。
[60] 如請求項49之行動器件，其中該擴散障壁層包含鎳。
[61] 如請求項60之行動器件，其中該擴散障壁層之該厚度係在自約0.04微米至約0.7微米之範圍內。
[62] 如請求項60之行動器件，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.5微米。
[63] 如請求項60之行動器件，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.35微米。
[64] 如請求項60之行動器件，其中該擴散障壁層之該厚度不大於約0.75微米。
[65] 如請求項60之行動器件，其中在約0.45千兆赫之一頻率處，該擴散障壁層之該厚度小於鎳之集膚深度。
[66] 如請求項49之行動器件，其中在約0.45千兆赫之一頻率處，該擴散障壁層之該厚度小於形成該擴散障壁層之一材料之集膚深度。
[67] 如請求項49之行動器件，其中該RF信號之實質上全部在該傳輸線之該導電層中行進。
[68] 如請求項49之行動器件，其中該接合層、該障壁層及該擴散障壁層體現為一精加工鍍層。
[69] 一種RF傳輸線，其包括一導電層及該導電層上之精加工鍍層，該精加工鍍層包含金層、接近於該金層之鈀層及接近於該鈀層之鎳層，該鎳層具有一厚度以容許該金層處所接收之一RF信號穿透該鎳層且在該導電層中傳播。
[70] 如請求項69之RF傳輸線，其中該金層經組態以用於引線接合。
[71] 如請求項69之RF傳輸線，其中該鎳層之該厚度係在自約0.04微米至約0.7微米之範圍內。
[72] 如請求項69之RF傳輸線，其中該鎳層之該厚度不大於約0.5微米。
[73] 如請求項69之RF傳輸線，其中該鎳層之該厚度不大於約0.35微米。
[74] 如請求項69之RF傳輸線，其中該鎳層之該厚度不大於約0.75微米。
[75] 如請求項69之RF傳輸線，其中在約0.45千兆赫之一頻率處，該鎳層之該厚度小於鎳之集膚深度。
[76] 如請求項69之RF傳輸線，其中該導電層包含銅、鋁或銀之一或多者。
[77] 如請求項69之RF傳輸線，其中該導電層包含銅。
[78] 如請求項69之RF傳輸線，其中該RF信號之實質上全部在該導電層中傳播。

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TWI641298B|2018-11-11|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

US5521406A|1994-08-31|1996-05-28|Texas Instruments Incorporated|Integrated circuit with improved thermal impedance|

US6448648B1|1997-03-27|2002-09-10|The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy|Metalization of electronic semiconductor devices|

US6028011A|1997-10-13|2000-02-22|Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.|Method of forming electric pad of semiconductor device and method of forming solder bump|

US6201454B1|1999-03-30|2001-03-13|The Whitaker Corporation|Compensation structure for a bond wire at high frequency operation|

US6362089B1|1999-04-19|2002-03-26|Motorola, Inc.|Method for processing a semiconductor substrate having a copper surface disposed thereon and structure formed|

JP3859403B2|1999-09-22|2006-12-20|株式会社東芝|半導体装置及びその製造方法|

FR2799337B1|1999-10-05|2002-01-11|St Microelectronics Sa|Procede de realisation de connexions electriques sur la surface d'un boitier semi-conducteur a gouttes de connexion electrique|

US6445069B1|2001-01-22|2002-09-03|Flip Chip Technologies, L.L.C.|Electroless Ni/Pd/Au metallization structure for copper interconnect substrate and method therefor|

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