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    • 专利摘要:
    提供一種用以產生極紫外光的系統，其中，在一腔室裡面的目標材料會被一雷射射束照射用以變成電漿。該系統包含：一第一雷射設備，其會被配置成用以輸出一第一雷射射束；一第二雷射設備，其會被配置成用以輸出一射束基底(pedestal)與一第二雷射射束；以及一控制器，其會被連接至該等第一雷射設備與第二雷射設備並且會被配置成用以讓該第一雷射射束最先被輸出，該射束基底會在該第一雷射射束後面被輸出，而能量高於該射束基底的第二雷射射束則會在該射束基底後面被輸出。
    公开号:TW201316843A
    申请号:TW101135203
    申请日:2012-09-26
    公开日:2013-04-16
    发明作者:Hitoshi Nagano；Yasunori Wada；Tatsuya Yanagida；Osamu Wakabayashi
    申请人:Gigaphoton Inc；
    IPC主号:H05G2-00
    专利说明:
    產生極紫外光的系統和方法
    本發明係關於一種用以產生極紫外(Extreme UltraViolet，EUV)光的系統和方法。 相關申請案之交叉參考
    本申請案主張2011年10月5日所提申之日本專利申請案第2011-220911號以及2012年6月15日所提申之日本專利申請案第2012-135472號的優先權。
    近年來，因為光微影術朝向更精細製造快速發展的關係，半導體生產製程已經能夠生產具有越來越精細之特徵元件尺寸的半導體裝置。在下一世代的半導體生產製程中需要微型製作60nm至45nm的特徵元件尺寸，且更進一步的係，需要微型製作32nm甚至更小的特徵元件尺寸。為符合微型製作32nm甚至更小的特徵元件尺寸的需求，舉例來說，需要用到一結合下面兩種系統的曝光設備：一種用以產生波長約13nm之EUV光的系統；以及一種小型的投射反射式光學系統。
    已知有三種用以產生EUV光的系統，大體上來說，它們包含：雷射激發電漿(Laser Produced Plasma，LPP)型系統，其中，電漿係藉由一雷射射束照射一目標材料而產生；放電激發電漿(Discharged Produced Plasma，DPP)型系統，其中，電漿係藉由電氣放電而產生；以及同步加速器輻射(Synchrotron Radiation，SR)型系統，其中，會使用軌道輻射來產生電漿。
    根據本發明的其中一項觀點提供一種用以產生極紫外光的系統，其中，在一腔室裡面的目標材料會被一雷射射束照射用以變成電漿，該系統可能包含：一第一雷射設備，其會被配置成用以輸出一第一雷射射束；一第二雷射設備，其會被配置成用以輸出一射束基底(pedestal)與一第二雷射射束；以及一控制器，其會被連接至該等第一雷射設備與第二雷射設備並且會被配置成用以讓該第一雷射射束最先被輸出，該射束基底會在該第一雷射射束後面被輸出，而能量高於該射束基底的第二雷射射束則會在該射束基底後面被輸出。
    根據本發明的另一項觀點提供一種用以產生極紫外光的方法，其中，在一腔室裡面的目標材料會被一雷射射束照射用以變成電漿，該方法可能包含利用一第一雷射射束、一第二雷射射束、以及一能量高於該第二雷射射束的第三雷射射束來照射一目標材料。
    下文中將參考隨附的圖式來詳細說明本發明的選定實施例。下面要說明的實施例僅具有解釋的性質，並沒有限制本發明的範疇。進一步言之，每一個實施例之中所述的配置與操作未必係施行本發明的必要條件。應該注意的係，相同的元件符號與字元係表示相同的元件，而且本文中將會省略它們的重複說明。本發明之實施例將會依照下面的內容表來作說明。
    內容
    1.概述
    2. EUV光產生系統之概述
    2.1配置
    2.2操作
    3.包含射束基底控制裝置的EUV光產生系統：第一實施例
    3.1配置
    3.2操作
    3.3主脈衝雷射射束之射束基底和轉換效率之間的關係
    3.4流程圖
    3.4.1射束基底控制流程
    3.4.1.1以射束基底比值為基礎的控制流程
    3.4.1.1.1射束基底控制子標準程序
    3.4.1.1.2射束基底控制子標準程序：第一修正例
    3.4.1.1.3射束基底比值計算子標準程序
    3.4.1.1.4射束基底穩定化子標準程序
    3.4.1.1.5射束基底比值計算子標準程序：修正例
    3.4.1.1.6調整必要性判斷子標準程序
    3.4.1.1.7調整必要性判斷子標準程序：第一修正例
    3.4.1.2以射束基底能量為基礎的控制流程
    3.4.1.2.1射束基底控制子標準程序：第二修正例
    3.4.1.2.2射束基底控制子標準程序：第三修正例
    3.4.1.2.3射束基底能量計算子標準程序
    3.4.1.2.4射束基底穩定化子標準程序：修正例
    3.4.1.2.5射束基底能量計算子標準程序：修正例
    3.4.1.2.6調整必要性判斷子標準程序：第二修正例
    3.4.1.2.7調整必要性判斷子標準程序：第三修正例
    4.射束基底控制裝置
    4.1光學遮光器
    4.2光學遮光器與飽和吸收器裝置(saturable absorber device)
    4.3結合主振盪器中的波卡爾單元(Pockels cell)
    4.3.1結合飽和吸收器裝置
    4.3.2結合光學遮光器
    4.4主振盪器包含至少兩個半導體雷射的實施例
    5.藉由控制主脈衝雷射射束之射束基底來控制EUV光的能量：第二實施例
    5.1配置
    5.2操作
    5.3效果
    5.4流程圖
    5.4.1以射束基底比值為基礎的控制流程
    5.4.1.1射束基底控制流程
    5.4.1.2射束基底控制子標準程序
    5.4.2以射束基底能量為基礎的控制流程
    5.4.2.1射束基底控制流程
    5.4.2.2射束基底控制子標準程序
    6.光學遮光器
    6.1結合波卡爾單元與偏振板
    6.2光學遮光器之變化例
    6.2.1第一修正例
    6.2.2第二修正例
    6.2.3第三修正例
    6.2.4第四修正例
    7.飽和吸收器裝置
    7.1調整飽和吸收氣體的濃度
    7.2調整穿過飽和吸收氣體的光學路徑長度
    8.補充說明
    8.1擴散目標物
    8.1.1擴散目標物之產生
    8.2主脈衝雷射射束的延遲時間和轉換效率之間的關係
    8.3預脈衝雷射射束的能量密度和擴散目標物的形狀之間的關係
    8.4再生放大器 1.概述
    在下面即將說明的EUV光產生系統的特定實施例中，一目標材料可能會被一預脈衝雷射射束照射，從而會被轉換成一擴散目標物，而且該擴散目標物可能會被一主脈衝雷射射束照射。此種EUV光產生系統可能包含一被配置成用以控制該主脈衝雷射射束之射束基底的裝置。藉由控制該主脈衝雷射射束之射束基底的能量，便可以控制要在前面所述之EUV光產生系統之中被產生的EUV光的能量。 2. EUV光產生系統之概述 2.1配置
    圖1概略地顯示一示範性LPP類型的EUV光產生系統的配置。一LPP類型的EUV光產生設備1可能會配合至少一雷射設備3來使用。下文中，一種包含該EUV光產生設備1以及該雷射設備3的系統可能會被稱為EUV光產生系統11。如圖1中所示以及下面的詳細說明，該EUV光產生系統11可能包含一腔室2以及一目標物供應單元。該目標物供應單元可能系一目標物產生器26。該腔室2可能會被氣密式密封。該目標物供應單元可能會被鑲嵌在該腔室2之上，舉例來說，以便深入該腔室2的壁部。一要由該目標物供應單元來供應的目標材料可能包含，但是並不受限於：錫、鋱(terbium)、釓(gadolinium)、鋰、氙、或是前述的任何組合。
    腔室2可能會在其壁部之中形成至少一個貫穿孔或開口，而脈衝雷射射束31則可以行進通過該腔室2之中的該貫穿孔/開口。或者，該腔室2可能會有一視窗21，該脈衝雷射射束31可能會經由該視窗行進至該腔室2之中。舉例來說，一具有一類球體表面的EUV收集器面鏡23可能會被提供在該腔室2內部。該EUV收集器面鏡23可能會在其類球體表面上形成一多層式反射膜。該反射膜可能包含交錯層疊的一鉬層以及一矽層。該EUV收集器面鏡23可能會有一第一焦點以及一第二焦點，並且可能會被定位成使得該第一焦點落在一由一外部設備(例如，曝光設備6)的規格所定義的中間焦點(Intermediate Focus，IF)區292之中。該EUV收集器面鏡23可能會在其中心處形成一貫穿孔24，而且該脈衝雷射射束31可以行進通過該貫穿孔24，朝電漿產生區25前進。
    EUV光產生系統11可能還進一步包含一EUV光產生控制器5以及一目標物感測器4。該目標物感測器4可能具有成像功能並且會偵測一目標物27之存在、軌道、以及位置之中的至少其中一者。
    進一步言之，該EUV光產生系統11可能包含一連接部件29，以便允許腔室2的內部和曝光設備6的內部進行交換。一具有一孔徑的壁部291可能會被提供在該連接部件29的內側，而且該壁部291可能會被定位成使得該EUV收集器面鏡23的第二焦點落在該形成於壁部291之中的孔徑之中。
    該EUV光產生系統11可能還包含一雷射射束方向控制單元34、一雷射射束聚焦面鏡22、以及一用以收集目標物27的目標物收集器28。該雷射射束方向控制單元34可能包含：一光學元件(圖中並未分開顯示)，用以定義該脈衝雷射射束31要行進進入的方向；以及一致動器(圖中並未分開顯示)，用以調整該光學元件的位置以及方位或姿態。 2.2操作
    繼續參考圖1，從雷射設備3處所輸出的脈衝雷射射束31可能會通過該雷射射束方向控制單元34並且會在它的方向視情況被調整之後從該處被輸出。該脈衝雷射射束31可能會行進穿過視窗21並且進入腔室2。該脈衝雷射射束31可能會沿著至少一條射束路徑從該雷射設備3處行進至腔室2內部，其會被該雷射射束聚焦面鏡22反射，並且撞擊至少一目標物27。
    該目標物供應單元可能會被配置成用以朝位於腔室2內部的電漿產生區25處輸出該(等)目標物27。該目標物27可能會被該脈衝雷射射束31中的至少一脈衝照射。在被該脈衝雷射射束31照射時，該目標物27可能會變成電漿，而且包含EUV光252的光線251可能會從該電漿處被射出。光251之中所包含的至少EUV光252可能會選擇性地被EUV收集器面鏡23反射。被EUV收集器面鏡23反射的EUV光252可能會行進通過中間焦點區292並且會被輸出曝光設備6。此處，該目標物27可能會被該脈衝雷射射束31之中所包含的多道脈衝照射。
    EUV光產生控制器5可能會被配置成以集成的方式來控制該EUV光產生系統11。該EUV光產生控制器5可能會被配置成用以處理被該目標物感測器4所捕捉到之目標物27的影像資料。進一步言之，該EUV光產生控制器5可能還會被配置成用以控制下面至少其中一者：目標物27被輸出的時序；以及目標物27被輸出的方向。再者，該EUV光產生控制器5還可能會被配置成用以控制下面至少其中一者：雷射設備3振盪的時序；脈衝雷射射束31行進的方向；以及脈衝雷射射束31被聚焦的位置。應該明白的係，上面所提的各種控制方式僅為範例，必要時，亦可加入其它控制方式。 3.包含射束基底控制裝置的EUV光產生系統：第一實施例
    現在將參考圖式來詳細說明根據本發明第一實施例的EUV光產生系統。在下面的說明中將會解釋一種EUV光產生系統11A作為範例，其中，一目標材料會被多道脈衝雷射射束照射。 3.1配置
    圖2概略地顯示EUV光產生系統11A的示範性配置。如圖2中所示，該EUV光產生系統11A可能包含一主脈衝雷射設備3A、一高反射面鏡341、一雙分色面鏡(dichroic mirror)342、一預脈衝雷射設備40、高反射面鏡401與402、一波形偵測單元350、一腔室2A、以及一EUV光產生控制器5A。
    主脈衝雷射設備3A可能包含一主振盪器310、一射束基底控制裝置320、放大器331、332、333、以及一雷射控制器301。該雷射控制器301可能會被配置成用以控制該主振盪器310、該射束基底控制裝置320、以及該等放大器331至333中的每一者。
    該主振盪器310可能會被配置成用以在一事先決定的重複率處輸出一脈衝雷射射束。該射束基底控制裝置320可能會被配置成用以轉換來自該主振盪器310的脈衝雷射射束的波形。該等放大器331至333中的每一者可能含有CO2氣體作為增益介質。一已放大的脈衝雷射射束可能會從該主脈衝雷射設備3A處被輸出作為一主脈衝雷射射束31。該主脈衝雷射射束31的中心波長可能為約10.6μm。
    高反射面鏡341以及雙分色面鏡342可以構成一射束傳送單元。該高反射面鏡341可能會被一被配置成以高反射係數來反射該主脈衝雷射射束31的薄膜塗佈。該射束傳送單元可能還進一步包含一致動器(圖中並未分開顯示)，用以調整該高反射面鏡341的位置與方位。入射在該高反射面鏡341上的主脈衝雷射射束31可能會朝雙分色鏡342被反射。
    預脈衝雷射設備40可能會被配置成用以輸出一中心波長約1.06μm的預脈衝雷射射束41。舉例來說，該預脈衝雷射設備40可能係一釔鋁石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)雷射設備。該預脈衝雷射射束41的脈衝時間持續長度可能為約5ns。來自該預脈衝雷射設備40的預脈衝雷射射束41可能會依序被該等高反射面鏡401與402反射並且接著會入射在該雙分色面鏡342上。該等高反射面鏡401與402中的每一者可能都會被一被配置成以高反射係數來反射該預脈衝雷射射束41的薄膜塗佈。進一步言之，該等高反射面鏡401與402中的每一者可能都包含一致動器(圖中並未分開顯示)，用以調整個別高反射面鏡401與402的位置與方位。
    雙分色面鏡342可以充當一射束軸調整器，用以調整進入腔室2A的主脈衝雷射射束31的射束軸以及預脈衝雷射射束41的射束軸。該雙分色面鏡342的第一表面可能會被一被配置成以高反射係數來反射該主脈衝雷射射束31並且以高透射係數來透射該預脈衝雷射射束41的薄膜塗佈。該雙分色面鏡342的第二表面可能會被一被配置成以高透射係數來透射該預脈衝雷射射束41的薄膜塗佈。該雙分色面鏡342可能會被定位成使得該主脈衝雷射射束31會入射在它的第一表面上而該預脈衝雷射射束41會入射在它的第二表面上。舉例來說，該雙分色面鏡342的基板可能係由鑽石構成。
    腔室2A可能包含一視窗21、一雷射射束聚焦光學系統22A、一目標物產生器26、一目標物感測器4、一EUV收集器面鏡23、一能量感測器90、一射束匯集器100、以及一連接部件29。
    經由視窗21進入腔室2A的主脈衝雷射射束31與預脈衝雷射射束41之中的每一者可能會進入該雷射射束聚焦光學系統22A。視窗21可能會被一反反射膜塗佈。該雷射射束聚焦光學系統22A可能包含一雷射射束聚焦面鏡71以及一高反射面鏡72。該雷射射束聚焦光學系統22A可能還進一步包含一移動平板73、一平板移動裝置74、以及面鏡固持器71a與72a。面鏡固持器72a可能具備一自動傾斜機制(圖中並未分開顯示)。雷射射束聚焦面鏡71可能係一偏軸拋物狀面鏡。該雷射射束聚焦面鏡71可能會經由面鏡固持器71a被固定至該移動平板73。該高反射面鏡72可能會經由面鏡固持器72a被固定至該移動平板73。平板移動裝置74可能會被配置成用以移動該雷射射束聚焦光學系統22A與該高反射面鏡72以及該移動平板73。
    已進入該雷射射束聚焦光學系統22A的主脈衝雷射射束31與預脈衝雷射射束41之中的每一者可能會先被該雷射射束聚焦面鏡71朝該高反射面鏡72反射。該高反射面鏡72可能會被定位成用以將該主脈衝雷射射束31與該預脈衝雷射射束41之中的每一者朝電漿產生區25反射。接著，該主脈衝雷射射束31與該預脈衝雷射射束41之中的每一者便可能會被聚焦在該電漿產生區25之中。
    平板移動裝置74可能會移動該移動平板73，從而調整該主脈衝雷射射束31與該預脈衝雷射射束41之中的每一者在Z方向之中的焦點位置。面鏡固持器72a可以調整該高反射面鏡72的傾斜角度，從而調整該主脈衝雷射射束31與該預脈衝雷射射束41之中的每一者在XY平面之中的焦點位置。上面的調整可以由EUV光產生控制器5A來控制，稍後會作說明。
    目標物產生器26可能會被配置成用以朝電漿產生區25輸出目標物27。該目標物產生器26可能具備一雙軸移動裝置(圖中並未分開顯示)。該雙軸移動裝置可能會被配置成用以移動該目標物產生器26，從而調整該目標物27被供應的位置。
    已經抵達該電漿產生區25的目標物27可能會依序被該預脈衝雷射射束41以及該主脈衝雷射射束31照射。該預脈衝雷射射束41以及該主脈衝雷射射束31可能會經由一被形成在該EUV收集器面鏡23之中的貫穿孔24來撞擊該目標物27。當被預脈衝雷射射束41照射時，該目標物27可能會變成一擴散目標物。此擴散目標物接著可能會被主脈衝雷射射束31照射，從而轉變成電漿。包含EUV光252的光251可能會從該電漿處被發射。
    該預脈衝雷射射束41以及該主脈衝雷射射束31中通過該電漿產生區25的部分可能會被射束匯集器100吸收。該射束匯集器100可能會經由一支撐器101被固定至腔室2A。
    能量感測器90可以偵測在電漿產生區25之中被發射的EUV光252的能量。被偵測到的能量可能會被輸入至該EUV光產生控制器5A之中。
    波形偵測單元350可能包含一射束分歧器351、一聚焦透鏡352、以及一波形偵測器353。該射束分歧器351可能會反射該主脈衝雷射射束31的一部分並且透射其餘的部分。該聚焦透鏡352可能會被定位成用以將被該射束分歧器351反射的主脈衝雷射射束31聚焦在該波形偵測器353的一光敏表面上。該波形偵測器353可以監視被成像在該光敏表面上的主脈衝雷射射束31的波形。或者，一擴散板可能會被提供用以取代該聚焦透鏡352。該波形偵測器353可能會接著監視被該擴散板擴散的主脈衝雷射射束31的波形。於其它實施例中，一具有一貫穿孔的平板可能會被提供用以取代該聚焦透鏡352。該波形偵測器353可能會接著監視穿過前述之貫穿孔的主脈衝雷射射束31的波形。於又一實施例中，被該射束分歧器351反射的主脈衝雷射射束31可能會直接入射在該波形偵測器353的該光敏表面上。一被該波形偵測器353偵測到的波形可能係反映該主脈衝雷射射束31之波形的一部分。該被偵測到的波形可能接著會被輸入至該EUV光產生控制器5A。此處，該波形偵測器353可能會被配置成用以偵測該主脈衝雷射射束31之能量中隨著時間的變化，並且可以由任何合宜的能量感測器來取代，只要能夠取得反映該主脈衝雷射射束31之波形的數值即可。
    該EUV光產生控制器5A可能包含一EUV光產生位置控制器51、一參考時脈產生器52、一目標物控制器53、一目標物產生驅動器54、一延遲電路55、以及一射束基底控制器56。該EUV光產生位置控制器51可能會被連接至下面之中的每一者：該參考時脈產生器52、該目標物控制器53、該射束基底控制器56、以及一曝光設備控制器61。該EUV光產生位置控制器51可能會進一步經由延遲電路55而被連接至主脈衝雷射設備3A以及預脈衝雷射設備40中的每一者。該目標物控制器53可能會被連接至該目標物感測器4以及該目標物產生驅動器54中的每一者。該目標物產生驅動器54可能會被連接至該目標物產生器26。該射束基底控制器56可能會被連接至該主脈衝雷射設備3A的射束基底控制裝置320並且會被連接至能量感測器90。
    腔室2A的內部可能會被一隔板80分成上游空間與下游空間。該電漿產生區25可能會被設置在該下游空間之中。隔板80可以用來減少在下游空間之中被產生而進入該上游空間之中的目標材料之碎屑的數量。隔板80之中可能會形成一貫穿孔，該主脈衝雷射射束31以及該預脈衝雷射射束41可以經由該貫穿孔朝電漿產生區25行進。隔板80可能會被定位成使得該隔板80之中的該貫穿孔會對齊該EUV收集器面鏡23之中的貫穿孔24。該EUV收集器面鏡23可能會經由一固持器23a被固定至該隔板80。 3.2操作
    現在將說明圖2中所示之EUV光產生系統11A的操作。該EUV光產生系統11A可能會被配置成用以在該EUV光產生控制器5A的控制下進行操作。該EUV光產生控制器5A可能會從曝光設備控制器61處接收一關於光251要被產生之位置或是關於該電漿產生區25的請求。該EUV光產生控制器5A可能接著會控制每一個器件，俾使得光251會在來自該曝光設備控制器61的請求所指示的EUV光產生請求位置之中被產生。或者，該EUV光產生控制器5A可能會控制每一個器件，俾使得來自該曝光設備控制器61的請求所指示的EUV光產生請求位置會與該電漿產生區25相符。
    該EUV光產生位置控制器51可能會被配置成用以控至該雷射射束聚焦光學系統22A。該EUV光產生位置控制器51可能會分別發送驅動信號給面鏡固持器72a以及平板移動裝置74。該面鏡固持器72a可以根據一來自該EUV光產生位置控制器51的驅動信號在θ x方向與θ y方向之中控制該高反射面鏡72的傾斜角度。該平板移動裝置74可以根據一來自該EUV光產生位置控制器51的驅動信號在Z方向之中移動移動平板73。
    該EUV光產生控制器5A可能會從曝光設備控制器61處接收一EUV光產生請求信號，用以請求EUV光252的產生。在接收該EUV光產生請求信號時，該EUV光產生控制器5A可能會輸入一EUV光產生請求信號至目標物控制器53。在接收該EUV光產生請求信號時，該目標物控制器53可能會發送一目標物27的輸出信號至目標物產生器26。
    目標物感測器4可能會被配置成用以偵測該目標物27抵達該電漿產生區25的位置以及時序。偵測結果可能會被輸入至目標物控制器53。該目標物控制器53可以根據該等被輸入的偵測結果來控制該目標物產生器26的雙軸移動裝置(圖中並未分開顯示)。進一步言之，該目標物控制器53可能會被配置成用以根據該等被輸入的偵測結果來調整該延遲電路55之中的延遲時間。該主脈衝雷射設備3A以及該預脈衝雷射設備40可能會被配置成用以在該延遲電路55之中所設定之延遲時間定義的時序處分別輸出該主脈衝雷射射束31以及該預脈衝雷射射束41。
    該主脈衝雷射射束31的波形可以由波形偵測單元350來偵測。該波形偵測單元350可能會發送一已偵測到的波形至射束基底控制器56。該射束基底控制器56可能會在該EUV光產生位置控制器51的控制之下根據被輸入的主脈衝雷射射束31的波形來對該主脈衝雷射設備3A的射束基底控制裝置320實行回授控制。
    被能量感測器90偵測到的EUV光252的能量可能會被輸入至射束基底控制器56。該射束基底控制器56可能會根據被輸入的EUV光252的能量來對該主脈衝雷射設備3A的射束基底控制裝置320實行回授控制。
    藉由控制該主脈衝雷射射束31的射束基底的能量，可以改善從該主脈衝雷射射束31轉換成該EUV光252的能量轉換效率。 3.3主脈衝雷射射束之射束基底和轉換效率之間的關係
    此處將參考圖式來詳細討論一主脈衝雷射射束之射束基底和轉換效率之間的關係。轉換效率為一LPP類型的EUV光產生設備之中的被發射的EUV光的能量和一脈衝雷射射束的能量的比值。圖3所示的係具有一射束基底的主脈衝雷射射束的波形的一範例。圖4所示的係介於射束基底比值和轉換效率之間的關係的範例。圖5所示的係介於射束基底能量和轉換效率之間的關係的範例。此處，射束基底比值為一射束基底的能量和一主脈衝雷射射束之總能量的比值。
    如圖3中所示，該主脈衝雷射射束31的波形可能包含一射束基底31p以及一尖峰部分31m。舉例來說，該射束基底31p可能會逐漸地上升，而該尖峰部分31m則可能會在該射束基底31p上升之後的約略100ns中上升。射束基底31p的射束強度相對於尖峰部分31m的射束強度可能非常的小。
    如圖4中所示，射束基底比值係落在1%至10%的範圍之中，其會達到約為2.7%至3.3%之非常高的轉換效率。藉由改變射束基底比值便可以改變轉換效率。也就是，藉由控制射束基底比值便可以控制被發射的EUV光的能量。
    如圖5中所示，射束基底的能量係落在1mJ至10mJ的範圍之中，其會達到約為2.7%至3.3%之非常高的轉換效率。藉由改變射束基底的能量便可以改變轉換效率。也就是，藉由控制射束基底的能量便可以控制被發射的EUV光的能量。 3.4流程圖
    現在將參考圖式來詳細說明根據第一實施例的EUV光產生系統11A的操作。 3.4.1射束基底控制流程
    圖6所示的係根據第一實施例的射束基底控制器的整體操作的一範例的流程圖。
    如圖6中所示，射束基底控制器56可能會在其從該EUV光產生位置控制器51處接收一EUV光產生開始信號之前一直保持待命(步驟S101；否)。在接收一EUV光產生開始信號時(步驟S101；是)，該射束基底控制器56便可能會告知該EUV光產生位置控制器51射束基底控制開始(步驟S102)。接著，該射束基底控制器56便可能會實行一射束基底控制子標準程序，用以控制射束基底控制裝置320，俾使得該主脈衝雷射射束31的射束基底比值或是一射束基底的能量會變成所希的射束基底比值或是能量(步驟S103)。
    當該射束基底控制裝置320的控制結束時，該射束基底控制器56便可能會告知該EUV光產生位置控制器51控制結束(步驟S104)。接著，該射束基底控制器56便可能會實行一射束基底穩定化子標準程序，用以穩定該主脈衝雷射射束31的射束基底(步驟S105)。此處，該主脈衝雷射射束31可能會在一預設的重複率處被輸出。
    而後，該射束基底控制器56便可能會實行一調整必要性判斷子標準程序，用以判斷是否需要調整該等射束基底(步驟S106)。接著，該射束基底控制器56便可以該調整必要性判斷子標準程序的結果為基礎來判斷該射束基底是否需要被調整(步驟S107)。當需要調整該射束基底時(步驟S107；是)，該射束基底控制器56便可能會回到步驟S102並且重複進行接續的步驟。相反地，當不需要調整該射束基底時(步驟S107；否)，該射束基底控制器56則可能會接著判斷是否已經收到EUV光產生暫停信號(步驟S108)。當收到一EUV光產生暫停信號時(步驟S108；是)，該射束基底控制器56便可能會終止該操作。相反地，當沒有收到一EUV光產生暫停信號時(步驟S108；否)，該射束基底控制器56則可能會回到步驟S105並且重複進行接續的步驟。
    利用上面所述的操作，具有所希之射束基底比值或是能量的射束基底的主脈衝雷射射束31便可以穩定地從該主脈衝雷射設備3A處被輸出。 3.4.1.1以射束基底比值為基礎的控制流程
    圖6中所示之射束基底控制之中的每一個子標準程序皆可以利用射束基底比值作為一參數來實行(參見圖4)或是利用射束基底能量作為一參數來實行(參見圖5)。首先將參考圖圖式來詳細討論利用射束基底比值作為一參數而實行的子標準程序。 3.4.1.1.1射束基底控制子標準程序
    圖7所示的係圖6的步驟S103之中的一射束基底控制子標準程序的一範例。圖8所示的係在說明圖7中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底比值和轉換效率之間的關係的範例。
    參考圖7，在射束基底控制子標準程序之中，射束基底控制器56可能會先在變數N之中設定「0」(步驟S111)。接著，該射束基底控制器56則可能會將變數N遞增1(N=N+1)(步驟S112)。
    接著，該射束基底控制器56可能會發送一控制數值P至射束基底控制裝置320(步驟S113)。如稍後的更詳細說明，舉例來說，該控制數值P可能包含要被供應至一波卡爾單元的電壓數值、一用以表示前述電壓要被施加之時序的數值。當該射束基底控制子標準程序第一次被實行時，可能會發送最小或最大的控制數值P=P給該射束基底控制裝置320作為初始控制數值。而後，一控制數值P=P+(N-1)‧△Pstp則可能會在每一個預設的變化數額△Pstp中被送往該射束基底控制裝置320。該控制數值P可以持續地被送往該射束基底控制裝置320，直到該控制數值P抵達其測量範圍的上限或下限(P=P+(k-1)‧△Pstp)為止。此處，k可能係一自然數以及測量點數的上限，而且k可以經由實驗被事先決定。
    隨後，該射束基底控制器56可能會實行一射束基底比值計算子標準程序，用以計算一射束基底比值R(步驟S114)。此處，在實行射束基底比值計算子標準程序時所保留的變數N的數值可以作為該射束基底比值計算子標準程序之中的一參數。
    接著，該射束基底控制器56可能會判斷變數N是否已經抵達或是超過預設的上限k(步驟S115)。當變數N小於該上限k時(步驟S115；否)，該射束基底控制器56可能會回到步驟S112並且重複進行接續的步驟。相反地，當變數N已經抵達或是超過該上限k時(步驟S115；是)，該射束基底控制器56則可能會取得一下限為RL而上限為RH的範圍俾使得該射束基底比值R於此範圍內會滿足必要的轉換效率(步驟S116)。此時，可能還決定一可達到最大轉換效率CE的射束基底比值Rc。而後，該射束基底控制器56便可回到圖6中所示的操作。
    當重複進行圖7中所示的步驟S112至S115時可能會取得k個射束基底比值R以及k個轉換效率CE。也就是，可以取得數值R1至Rk以及數值CE1至CEk。利用此等數值可以取得如圖8中所示之介於射束基底比值R和轉換效率CE之間的關係。在圖8中，(R1,CE1)點表示測量範圍的下限，而(Rk,CEk)點表示測量範圍的上限。如圖8中所示，轉換效率CE在該射束基底比值R的測量範圍的下限與上限之間會有一尖峰值。於此情況中可以計算出一對應於該轉換效率CE中之尖峰的射束基底比值Rc。進一步言之，當所需要的轉換效率CE的最小數值CEL被事先設定時，該轉換效率CE之數值會超過該最小數值CEL的範圍便可被設為該射束基底比值R的控制範圍。從此控制範圍中可以計算出該射束基底比值R之控制範圍的下限RL與上限RH。舉例來說，介於該射束基底比值R和該轉換效率CE之間的關係曲線可能係一利用最小平方方式所算出的近似曲線。 3.4.1.1.2射束基底控制子標準程序：第一修正例
    轉換效率CE在該射束基底比值R的測量範圍內可能不會有一尖峰值。因此，現在將討論該轉換效率CE在該射束基底比值R的測量範圍內沒有尖峰值之情況中的射束基底控制子標準程序。圖9所示的係圖6的步驟S103之中的射束基底控制子標準程序的第一修正例。圖10所示的係在說明圖9中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底比值和轉換效率之間的關係的範例。
    如圖9中所示，於該射束基底控制子標準程序的第一修正例之中可能會實行步驟S111至S115，它們雷同於圖7中所示的步驟S111至S115。此處將省略其詳細的說明。而後，該射束基底控制器56便可能會取得對應於該測量範圍裡面該轉換效率CE之最大數值的射束基底比值Rc。進一步言之，可以取得該轉換效率CE位於該所需要的轉換效率CE之最小數值CEL處或以上的位置點處的射束基底比值R用以決定該控制範圍之中的上限RH(步驟S216)。而後，該射束基底控制器56便可回到圖6中所示的操作。
    當該轉換效率CE在該射束基底比值R的測量範圍之中沒有尖峰值時，圖9中所示的步驟S112至S115可能會被重複執行，並且可以取得k個射束基底比值R以及k個轉換效率CE。也就是，可以取得數值R1至Rk以及數值CE1至CEk。利用此等數值可以取得如圖10中所示之介於射束基底比值R和轉換效率CE之間的關係。在圖10中，(R1,CE1)點表示測量範圍的下限，而(Rk,CEk)點表示測量範圍的上限。如圖10中所示，轉換效率CE可能會從該射束基底比值R之測量範圍的下限處單調遞減至該上限。於此情況中，轉換效率CE在該射束基底比值R之測量範圍的下限處可能為最高。因此，在該測量範圍之下限處的射束基底比值R可被設為一最佳數值Rc。進一步言之，當所需要的轉換效率CE的最小數值CEL被事先設定時，從該測量範圍之下限處至該轉換效率CE之數值會超過該最小數值CEL之位置點處的範圍便可被設為該射束基底比值R的控制範圍。從此控制範圍中可以計算出該射束基底比值R之控制範圍的上限RH。舉例來說，介於該射束基底比值R和該轉換效率CE之間的關係曲線可能係一利用最小平方方式所算出的近似曲線。 3.4.1.1.3射束基底比值計算子標準程序
    圖11所示的係圖7與9的步驟S114之中的射束基底比值計算子標準程序的一範例。圖12所示的係在說明圖11中所示之射束基底比值計算子標準程序之中所使用到之介於一主脈衝雷射射束的總能量和一射束基底的能量之間的關係的範例。
    如圖11中所示，於該射束基底比值計算子標準程序之中，該射束基底控制器56可能會先從波形偵測單元350處接收該主脈衝雷射射束31的一被偵測到的波形(步驟S121)。接著，該射束基底控制器56則可能會從能量感測器90處接收EUV光252之被偵測到的能量Eeuv(步驟S122)。
    隨後，該射束基底控制器56則可以從該已接收到之主脈衝雷射射束31的波形處計算單一脈衝的總能量Et(步驟S123)。如圖12中所示，能量Et可能為一射束基底之能量Ep和一尖峰部分之能量Em的集成數值。
    接著，該射束基底控制器56便可以計算該射束基底的能量Ep(步驟S124)。能量Ep可以被計算為該尖峰部分之上升部前面一部分的能量。或者，能量Ep可以總能量Et扣除該尖峰部分的能量Em而獲得。該尖峰部分之上升部可以該射束強度是否已經超過一預設的臨界數值為基礎來決定。
    而後，該射束基底控制器56便可以該主脈衝雷射射束31之總能量Et為基準來計算射束基底能量比值Rn，其中，Rn=Ep/Et(步驟S125)。此處，可以利用在處理進入該射束基底比值計算子標準程序時所保留的變數N的數值作為參數N。也就是，能量比值Rn之中的n可能係一和該變數N相同的序數。隨後，該射束基底控制器56便可以前面所述之EUV光252的能量Eeuv以及該尖峰部分之已算出的能量Em為基礎來計算從該主脈衝雷射射束31至該EUV光252的轉換效率CEn(步驟S126)。此處，轉換效率CEn之中的n可能係一和該變數N相同的序數。而後，該射束基底控制器56則可能會回到圖7或9中所示的射束基底控制子標準程序。 3.4.1.1.4射束基底穩定化子標準程序
    於一射束基底穩定化子標準程序之中，該射束基底比值R可能會因而被調整成使得該射束基底比值R接近對應於轉換效率CE之最大數值的射束基底比值Rc。圖13所示的係圖6的步驟S105之中的射束基底穩定化子標準程序的一範例。
    參考圖13，在該射束基底穩定化子標準程序之中，該射束基底控制器56可能會在該主脈衝雷射射束31的波形被該波形偵測單元350偵測到且該EUV光252的能量被該能量感測器90偵測到之前一直保持待命(步驟S141；否)。當該主脈衝雷射射束31的波形以及該EUV光252的能量被偵測到時(步驟S141；是)，該射束基底控制器56則可能會實行一射束基底比值計算子標準程序的修正例(步驟S142)。該射束基底比值計算子標準程序修正例可能雷同於參考圖11所述的射束基底比值計算子標準程序。
    接著，該射束基底控制器56便可以計算對應於該轉換效率CE之最大數值的射束基底比值Rc和在該射束基底比值計算子標準程序之中所獲得的射束基底比值R之間的差異值△R，其中，△R=Rc-R(步驟S143)。隨後，該射束基底控制器56可能會發送該控制數值的一變化數額△P給該射束基底控制裝置320，俾便該差異值△R會遞減(步驟S144)。該變化數額△P可能係一預設的變化數額△Pstp或是一根據該差異值△R所算出的數值。
    接著，該射束基底控制器56可能會再次實行該射束基底比值計算子標準程序的修正例(步驟S145)。隨後，該射束基底控制器56可能會以在該射束基底比值計算子標準程序的修正例之中所算出的轉換效率CE來覆寫目前的轉換效率CE(CE=CE)。同樣地，目前的射束基底比值R則可能會被一新算出的射束基底比值R覆寫(R=R)(步驟S146)。舉例來說，該等個別數值CE與R可被使用在圖6之步驟S106中的調整必要性判斷子標準程序之中。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖6中所示的操作。 3.4.1.1.5射束基底比值計算子標準程序：修正例
    圖14所示的係射束基底比值計算子標準程序的修正例。該射束基底比值計算子標準程序的修正例可以被使用在參考圖13所述的射束基底穩定化子標準程序之中。
    參考圖14，該射束基底比值計算子標準程序的修正例可能雷同於圖11中所示的射束基底比值計算子標準程序。為簡化說明，下面將僅說明和圖11中所示不同的操作。
    在該射束基底比值計算子標準程序的修正例之中，在步驟S135與S136之中可能不會引用到變數N。也就是，在實行射束基底比值計算子標準程序之修正例時的能量比值R和轉換效率CE可能會被算出。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖13中所示的射束基底控制子標準程序。 3.4.1.1.6調整必要性判斷子標準程序
    圖15所示的係圖6的步驟S106之中的調整必要性判斷子標準程序的一範例。
    參考圖15，在該調整必要性判斷子標準程序之中，該射束基底控制器56可能會判斷一被設定在該射束基底比值R之中的數值是否落在從下限RL(含)至上限RH(含)的範圍裡面並且判斷一被設定在該轉換效率CE之中的數值是否等於或高於最小數值CEL(步驟S151)。當該射束基底比值R落在從下限RL(含)至上限RH(含)的範圍裡面且轉換效率CE等於或高於最小數值CEL時(步驟S151；是)，該射束基底控制器56便可能會判斷該射束基底不需要調整(步驟S152)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖6中所示的操作。相反地，當該射束基底比值R沒有落在從下限RL(含)至上限RH(含)的範圍裡面或者轉換效率CE小於最小數值CEL時(步驟S151；否)，該射束基底控制器56則可能會判斷該射束基底需要調整(步驟S153)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖6中所示的操作。 3.4.1.1.7調整必要性判斷子標準程序：第一修正例
    當轉換效率CE在射束基底比值R之測量範圍裡面沒有一尖峰值時，如下面所述的調整必要性判斷子標準程序修正例便可能會被實行。圖16所示的係圖6的步驟S106之中的調整必要性判斷子標準程序的第一修正例。
    參考圖16，於該調整必要性判斷子標準程序的第一修正例之中，該射束基底控制器56可能會判斷一被設定在該射束基底比值R之中的數值是否等於或低於該上限RH並且判斷一被設定在該轉換效率CE之中的數值是否等於或高於最小數值CEL(步驟S251)。當該射束基底比值R等於或低於該上限RH且轉換效率CE等於或高於最小數值CEL時(步驟S251；是)，該射束基底控制器56便可能會判斷該射束基底不需要調整(步驟S252)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖6中所示的操作。相反地，當該射束基底比值R超過該上限RH或者轉換效率落在該最小數值CEL以下時(步驟S251；否)，該射束基底控制器56則可能會判斷該射束基底需要調整(步驟S253)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖6中所示的操作。 3.4.1.2以射束基底能量為基礎的控制流程
    現在將參考圖式來詳細說明利用射束基底能量Ep作為參數的子標準程序。 3.4.1.2.1射束基底控制子標準程序：第二修正例
    圖17所示的係圖6的步驟S103之中的射束基底控制子標準程序的第二修正例。圖18所示的係在說明圖17中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底能量和轉換效率之間的關係的範例。
    如圖17中所示，在該射束基底控制子標準程序的第二修正例之中係使用射束基底能量Ep作為參數，其可能會實行一和圖7中所示之射束基底控制子標準程序雷同的操作。圖17的步驟S311至S315可能對應於圖7的步驟S111至S115，而且此處將會省略步驟S311至S315的詳細說明。然而，在步驟S314之中，該射束基底控制器56可能會實行一稍後將作說明的射束基底能量計算子標準程序，以便計算該射束基底能量Ep。
    當重複執行圖17的步驟S312至S315時，可以取得如圖18中所示之介於射束基底能量Ep和轉換效率CE之間的關係曲線。在圖18中，(Ep1,CE1)點表示測量範圍的下限，而(EPk,CEk)點表示測量範圍的上限。如圖18中所示，轉換效率CE在該射束基底能量Ep的測量範圍的下限與上限之間會有一尖峰值。於此情況中可以計算出一對應於該轉換效率CE之尖峰的射束基底能量Epc。當所需要的轉換效率CE的最小數值CEL被事先設定時，該轉換效率CE之數值會超過該最小數值CEL的範圍便可被設為該射束基底能量Ep的控制範圍。從此控制範圍中可以計算出該射束基底能量Ep之控制範圍的下限EpL與上限EpH。舉例來說，介於該射束基底能量Ep和該轉換效率CE之間的關係曲線可能係一利用最小平方方式所算出的近似曲線。 3.4.1.2.2射束基底控制子標準程序：第三修正例
    轉換效率CE在該射束基底能量Ep的測量範圍內可能不會有一尖峰值。因此，現在將討論該轉換效率CE在該射束基底能量Ep的測量範圍內沒有尖峰值之情況中的射束基底控制子標準程序。圖19所示的係圖6的步驟S103之中的射束基底控制子標準程序的第三修正例。圖20所示的係在說明圖19中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底能量和轉換效率之間的關係的範例。
    參考圖19，在該射束基底控制子標準程序的第三修正例之中係使用射束基底能量Ep作為參數，其可能會實行和圖17中所示之步驟S311至S315雷同的步驟S311至S315。接著，該射束基底控制器56可能會在該測量範圍裡面取得對應於該轉換效率CE之最大數值的射束基底能量Epc。進一步言之，該射束基底控制器56可以取得該所需要的轉換效率CE等於或是高於該最小數值CEL處的射束基底能量Ep的上限(步驟S416)。而後，該射束基底控制器56便可回到圖6中所示的操作。
    當該轉換效率CE在該射束基底能量Ep的測量範圍之中沒有尖峰值時，藉由重複執行圖19的步驟S312至S315可以取得如圖20中所示之介於射束基底能量Ep和轉換效率CE之間的關係曲線。在圖20中，(Ep1,CE1)點表示測量範圍的下限，而(EPk,CEk)點表示測量範圍的上限。如圖20中所示，轉換效率CE可能會從該射束基底能量Ep之測量範圍的下限處單調遞減至該上限。於此情況中，轉換效率CE在該射束基底能量Ep之測量範圍的下限處可能為最高。因此，在該測量範圍之下限處的射束基底能量Ep可被設為一最佳數值Epc。當所需要的轉換效率CE的最小數值CEL被事先設定時，從該測量範圍之下限處至該轉換效率CE之數值會超過該最小數值CEL之位置點處的範圍便可被設為該射束基底能量Ep的控制範圍。從此控制範圍中可以計算出該射束基底能量Ep之控制範圍的上限EpH。舉例來說，介於該射束基底能量Ep和該轉換效率CE之間的關係曲線可能係一利用最小平方方式所算出的近似曲線。 3.4.1.2.3射束基底能量計算子標準程序
    圖21所示的係圖17與19的步驟S314之中的射束基底能量計算子標準程序的一範例。此處，舉例來說，主脈衝雷射射束之總能量和該射束基底之能量之間的關係可能和圖12中所示者相同。
    參考圖21，圖21中所示之實施例的射束基底能量計算子標準程序可能包含和圖11中所示之射束基底比值計算子標準程序雷同的步驟。因此，下面將僅會討論圖21之射束基底能量計算子標準程序中和圖11中所示之射束基底比值計算子標準程序中的操作不同的操作。S321至S323對應於圖11中的步驟S121至S123，而且此處將會省略它們的說明。在步驟S324之中，該射束基底控制器56可能會計算該主脈衝雷射射束31的射束基底能量Epn。此處，當該處理從該射束基底控制子標準程序中移動時所保留的變數N的數值可以作為參數n。也就是，射束基底能量Epn之中的n可能係一和該變數N相同的序數。
    在步驟S325之中，該射束基底控制器56可能會計算該主脈衝雷射射束31的波形之中的尖峰部分的能量Em。能量Em可能係該波形中對應於該尖峰部分之上升部之後的預設時間持續長度的部分的能量。或者，該能量Em亦可以藉由該主脈衝雷射射束31的總能量Et扣除該射束基底能量Epn而獲得。該尖峰部分之上升部可以該射束強度是否已經超過一預設的臨界數值為基礎來決定。
    步驟S326可能雷同於圖11中所示的步驟S126。而後，該射束基底控制器56便可回到圖17或19之中所示的射束基底控制子標準程序。 3.4.1.2.4射束基底穩定化子標準程序：修正例
    於該射束基底穩定化子標準程序的一修正例之中，該射束基底能量Ep可被相應調整，俾使得射束基底能量Ep會接近最佳數值Epc。圖22所示的係圖6的步驟S105之中的射束基底穩定化子標準程序的修正例。
    參考圖22，在圖21中所示之實施例的射束基底穩定化子標準程序的修正例之中係使用射束基底能量Ep作為參數，該修正例可能包含和圖13中所示之射束基底穩定化子標準程序中的步驟雷同的步驟。因此，下面將僅會討論圖21的射束基底穩定化子標準程序的修正例中和圖13中所示之射束基底穩定化子標準程序中的操作不同的操作。步驟S341和S342雖然可能雷同於圖13的步驟S141和S142；然而，在步驟S342之中卻可能會實行參考圖23所述之射束基底能量計算子標準程序的一修正例。
    在步驟S343之中，該射束基底控制器56可能會計算一差異值△Ep，其中，△Ep=Epc-Ep，其為對應於轉換效率CE之最大數值的射束基底能量Epc和在該射束基底能量計算子標準程序的修正例之中所獲得的射束基底能量Ep之間的差異值。隨後，該射束基底控制器56可能會發送該控制數值P的一變化數額△P給該射束基底控制裝置320，俾便該差異值△Ep會遞減(步驟S344)。該變化數額△P可能係一預設的變化數額△Pstp或是一根據該差異值△Ep所算出的數值。
    接著，該射束基底控制器56可能會再次實行該射束基底能量計算子標準程序的修正例(步驟S345)。而後，該射束基底控制器56可能會以在該射束基底能量計算子標準程序的修正例之中所算出的轉換效率CE來覆寫目前的轉換效率CE(CE=CE)。同樣地，目前的能量Ep則可能會被新算出的能量Ep覆寫(Ep=Ep)(步驟S346)。舉例來說，該等個別數值CE與Ep可被使用在圖6之步驟S106中的調整必要性判斷子標準程序之中。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖6中所示的操作。 3.4.1.2.5射束基底能量計算子標準程序：修正例
    圖23所示的係該射束基底能量計算子標準程序的修正例。該射束基底能量計算子標準程序的修正例可以使用在參考圖22所述的射束基底穩定化子標準程序之中。
    參考圖23，圖23中所示之實施例的射束基底能量計算子標準程序的修正例可能包含和圖21中所示之射束基底能量計算子標準程序中的步驟雷同的步驟。因此，下面將僅會討論圖23的射束基底能量計算子標準程序的修正例中和圖21中所示之射束基底能量計算子標準程序的修正例中的操作不同的操作。
    在該射束基底能量計算子標準程序的修正例之中，在步驟S334與S336之中可能不會引用到變數N。也就是，在實行射束基底能量計算子標準程序之修正例時的射束基底能量Ep和轉換效率CE可能會被算出。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖22中所示的射束基底控制子標準程序。 3.4.1.2.6調整必要性判斷子標準程序：第二修正例
    圖24所示的係圖6的步驟S106之中的調整必要性判斷子標準程序的第二修正例。
    參考圖24，於該調整必要性判斷子標準程序的第二修正例之中係使用射束基底能量Ep作為參數，該射束基底控制器56可能會判斷一被設定在該射束基底能量Ep之中的數值是否落在從下限EpL(含)至上限EpH(含)的範圍裡面並且判斷一被設定在該轉換效率CE之中的數值是否等於或高於最小數值CEL(步驟S351)。當該射束基底能量Ep落在從下限EpL(含)至上限EpH(含)的範圍裡面且轉換效率CE等於或高於最小數值CEL時(步驟S351；是)，該射束基底控制器56便可能會判斷該射束基底不需要調整(步驟S352)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖6中所示的操作。相反地，當該射束基底能量Ep沒有落在從下限EpL(含)至上限EpH(含)的範圍裡面或者轉換效率CE小於最小數值CEL時(步驟S351；否)，該射束基底控制器56則可能會判斷該射束基底需要調整(步驟S353)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖6中所示的操作。 3.4.1.2.7調整必要性判斷子標準程序：第三修正例
    當轉換效率CE在射束基底能量Ep之測量範圍裡面沒有一尖峰值時，如下面所述的調整必要性判斷子標準程序的第三修正例便可能會被實行。圖25所示的係圖6的步驟S106之中的調整必要性判斷子標準程序的第三修正例。
    參考圖25，於該調整必要性判斷子標準程序的第三修正例之中係使用射束基底能量Ep作為參數，該射束基底控制器56可能會判斷一被設定在該射束基底能量Ep之中的數值是否等於或低於該上限EpH並且判斷一被設定在該轉換效率CE之中的數值是否等於或高於最小數值CEL(步驟S451)。當該射束基底能量Ep等於或低於該上限EpH且轉換效率CE等於或高於最小數值CEL時(步驟S451；是)，該射束基底控制器56便可能會判斷該射束基底不需要調整(步驟S452)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖6中所示的操作。相反地，當該射束基底能量Ep超過該上限RH或者轉換效率落在該最小數值CEL以下時(步驟S451；否)，該射束基底控制器56則可能會判斷該射束基底需要調整(步驟S453)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖6中所示的操作。 4.射束基底控制裝置
    現在將參考圖式來詳細說明根據第一實施例的射束基底控制裝置的特定範例。 4.1光學遮光器
    圖26概略地顯示一主脈衝雷射設備的示範性配置，其中，一光學遮光器會被用來作為一射束基底控制裝置。如圖26中所示，一主脈衝雷射設備3B可能包含至少一光學遮光器321，其係充當射束基底控制裝置320。其它配置可能雷同於圖2中所示之主脈衝雷射設備3A的配置。
    該光學遮光器321可能會被提供在來自主振盪器310的一脈衝雷射射束的一射束路徑之中。該光學遮光器321可能會被配置成用以根據該射束基底控制器56的控制來改變穿透其中的透射係數。該射束基底控制器56可能會同步於該脈衝雷射射束進入該光學遮光器321的時序來控制該光學遮光器321的透射係數。該脈衝雷射射束進入該光學遮光器321的時序可以藉由一光學感測器(圖中並未分開顯示)來偵測。舉例來說，該光學感測器可會偵測從該主振盪器310處被輸出的脈衝雷射射束的散射光線。
    該光學遮光器321可能會被提供在該主振盪器310以及放大器331之間的一射束路徑之中。或者，該光學遮光器321可能會被提供在該放大器331的下游處。
    當該主脈衝雷射射束31的射束基底比值R沒有因單一個光學遮光器321而下降至所希數值時，可以使用複數個光學遮光器321。該等複數個光學遮光器321可能會被提供在一介於該主振盪器310以及放大器331之間的射束路徑之中；不過，本發明並不受限於此，而且該(等)光學遮光器321可能會被提供在一介於放大器331與放大器332之間的射束路徑之中，或者，可能會被提供在一介於放大器332與放大器333之間的射束路徑之中。或者，該(等)光學遮光器321可能會被提供在放大器333的下游處。
    圖27至29所示的係在圖26中的個別位置(a)至(c)處的一脈衝雷射射束的波形。如圖27中所示，一具有波形Ws的脈衝雷射射束(其包含一具有非常高射束基底比值R或非常高射束基底能量Ep的射束基底)可能會從該主振盪器310處被輸出。接著，如圖28中所示，在透射穿過該光學遮光器321的脈衝雷射射束的波形形狀中，波形Ws的前端部分的射束強度會下降。此波形可能包含：一射束基底Wp1，該處的射束基底能量Ep非常低；以及一尖峰部分Wm1，其係波形Ws之中以高透射係數透射穿過該光學遮光器321的部分。隨後，如圖29中所示，在放大器331至333之中被放大的脈衝雷射射束的波形形狀可能係被放大之圖28中所示的波形。和圖28中所示的波形雷同，圖29中所示的波形可能包含：一射束基底Wp2，該處的射束基底能量Ep非常低；以及一尖峰部分Wm2，其係波形Ws之中以高透射係數透射穿過該光學遮光器321的部分。 4.2光學遮光器與飽和吸收器裝置
    圖30概略地顯示一主脈衝雷射設備的示範性配置，其中，一光學遮光器與一飽和吸收器裝置會共同被用來作為一射束基底控制裝置。如圖30中所示，一主脈衝雷射設備3C可能包含至少一光學遮光器321以及至少一飽和吸收器裝置，它們係共同充當射束基底控制裝置320。該光學遮光器321可能雷同於圖26中所示的光學遮光器321。
    飽和吸收器裝置322可能係一在其內部含有飽和吸收氣體的氣室(gas cell)。該飽和吸收器裝置322可能會被配置成使得可以調整其內部之飽和吸收氣體的濃度或是穿過該飽和吸收氣體的光學路徑長度。
    該飽和吸收器裝置322可能會被提供在來自主振盪器310的一脈衝雷射射束的一射束路徑之中。該飽和吸收器裝置322可能會被提供在一介於該主振盪器310以及該放大器331之間的射束路徑之中。或者，該飽和吸收器裝置322可能會被提供在放大器331的下游處。
    該飽和吸收器裝置322可能會被提供在光學遮光器321的下游處。利用此種排列可以有效地調整由該光學遮光器321所產生的射束基底的射束基底能量Ep。端視該等放大器331至333的放大特徵而定，射束基底的增益可能會高於該尖峰部分的增益。於此情況中，所希的射束基底比值可能無法僅藉由該光學遮光器321來獲得。據此，該射束基底能量Ep可以藉由該飽和吸收器裝置322來降低，接著，便可以達成所希的射束基底比值R。然而，該飽和吸收器裝置322亦可能被提供在光學遮光器321的上游處。
    圖31至34所示的係在圖30之個別位置(a)至(d)處的一脈衝雷射射束的波形。如圖31與32中所示，在來自該主振盪器310的脈衝雷射射束通過該光學遮光器321之前與之後的波形變化可能雷同於參考圖27與28所述之波形的變化。接著，如圖33中所示，已經通過飽和吸收器裝置322的脈衝雷射射束的波形形狀中的射束基底能量Ep會進一步下降或者射束基底比值R會進一步下降。於此時點處，波形Ws的尾部的能量可能會因該飽和吸收氣體而下降。此時點處的波形可能包含：一射束基底Wp12，該處的射束強度很低；以及一尖峰部分Wm12，該處的射束強度很高。另外，如圖34中所示，在放大器331至333中被放大之後的脈衝雷射射束的波形形狀可能係被放大之圖33中所示的波形。和圖33中所示的波形雷同，圖34中所示的波形可能包含：一射束基底Wp13，該處的射束強度很低；以及一尖峰部分Wm13，該處的射束強度很高。 4.3結合主振盪器中的波卡爾單元
    當一主振盪器包含一波卡爾單元時，該波卡爾單元可作為一射束基底控制裝置的一部件。下文中將利用特定的範例來說明在該射束基底控制裝置之中使用該主振盪器之波卡爾單元的情況。 4.3.1結合飽和吸收器裝置
    圖35概略地顯示一主脈衝雷射設備的示範性配置，其中，一主振盪器之中的一波卡爾單元與一飽和吸收器裝置會共同被用來作為一射束基底控制裝置。如圖35中所示，一主脈衝雷射設備3D可能包含一主振盪器311、一高反射面鏡317、以及飽和吸收器裝置322。
    該主振盪器311可能包含一由高反射面鏡312與316所形成的共振器、一放大部件313、一偏振射束分歧器314、以及一波卡爾單元315。該波卡爾單元315可以根據雷射控制器301所施加的電壓來改變一正在通過的脈衝雷射射束的偏振方向。由雷射控制器301施加至該波卡爾單元315的電壓可能會受到射束基底控制器56的控制。藉由在一脈衝雷射射束從該主振盪器311處被輸出時調整被施加至該波卡爾單元315的電壓，一波形形狀中該波形之前方部分的射束強度減低的脈衝雷射射束便可從該主振盪器311處被輸出。也就是，一已經降低射束基底比值R或是射束基底能量Ep的脈衝雷射射束可以從該主振盪器311處被輸出。
    從該主振盪器311處被輸出的脈衝雷射射束可能會被高反射面鏡317反射並且進入飽和吸收器裝置322。該飽和吸收器裝置322可能雷同於圖30之中所示的飽和吸收器裝置322。當來自該主振盪器311的脈衝雷射射束通過該飽和吸收器裝置322時，其射束基底能量Ep可被有效地調整。
    圖36至38所示的係在圖35之個別位置(a)至(c)處的一脈衝雷射射束的波形。如圖36中所示，一波形中前方部分的射束強度減低的脈衝雷射射束可能會從該主振盪器311處被輸出。此波形可能包含：一射束基底Wp21，該處的射束基底比值R或射束基底能量Ep非常低；以及一尖峰部分Wm21，該處的能量Em非常高。舉例來說，射束基底Wp21可能係藉由降低被施加至該波卡爾單元315的電壓所產生。進一步言之，舉例來說，尖峰部分Wm21可能係藉由提高被施加至該波卡爾單元315的電壓所產生。當一非常低的電壓被施加至該波卡爾單元315時，透射穿過該波卡爾單元315的脈衝雷射射束的偏振方向變化可能會很小。因此，被偏振射束分歧器314反射的脈衝雷射射束的射束強度可能會非常低。相反地，當一非常高的電壓被施加至該波卡爾單元315時，透射穿過該波卡爾單元315的脈衝雷射射束的偏振方向變化可能會接近90度。因此，被偏振射束分歧器314反射的脈衝雷射射束的射束強度可能會非常高。接著，如圖37中所示，已經通過飽和吸收器裝置322的脈衝雷射射束的波形形狀中的射束基底能量Ep會進一步下降或者射束基底比值R會進一步下降。此脈衝波形可能包含：一射束基底Wp22，該處的射束強度很低；以及一尖峰部分Wm22，該處的射束強度很高。於此時點處，尖峰部分Wm22的尾部的能量可能會因該飽和吸收氣體而下降。另外，如圖38中所示，在放大器331至333中被放大之後的脈衝雷射射束的波形形狀可能係被放大之圖37中所示的波形。和圖37中所示的波形雷同，圖38中所示的波形可能包含：一射束基底Wp23，該處的射束強度很低；以及一尖峰部分Wm23，該處的射束強度很高。 4.3.2結合光學遮光器
    圖39概略地顯示一主脈衝雷射設備的示範性配置，其中，一主振盪器之中的一波卡爾單元與一光學遮光器會共同被用來作為一射束基底控制裝置。如圖39中所示，一主脈衝雷射設備3E的配置雖然可能雷同於圖35中所示之主脈衝雷射設備3D；然而，在主脈衝雷射設備3E之中，該飽和吸收器裝置322可能會被光學遮光器321取代。該光學遮光器321可能雷同於圖26之中所示的光學遮光器321。當一從該主振盪器311處被輸出的脈衝雷射射束通過該光學遮光器321時，該脈衝雷射射束的射束基底能量Ep可藉由調整被施加至該光學遮光器321的電壓而有效地被調整。 4.4主振盪器包含至少兩個半導體雷射的實施例
    一主脈衝雷射設備的一主振盪器可能包含至少兩個半導體雷射。於此情況中，該等半導體雷射中的至少其中一者可被用來作為一射束基底控制裝置。
    圖40概略地顯示一主脈衝雷射設備的示範性配置，其中，一主振盪器包含至少兩個半導體雷射。圖40中所示的一主脈衝雷射設備3F的配置雖然可能雷同於圖26中所示之主脈衝雷射設備3B；然而，在主脈衝雷射設備3F之中，該主振盪器310可能會被一主振盪器410取代。進一步言之，該主脈衝雷射設備3F可能還包含一再生放大器430。
    該主振盪器410可包含半導體雷射411與412以及一射束路徑調整器413。舉例來說，該等半導體雷射411與412中的每一者都可能係一量子級聯雷射(quantum cascade laser)。該等半導體雷射411與412可能會被配置成用以在雷射控制器301的控制下進行共振。射束路徑調整器413可能會被定位成用以調整從該等個別半導體雷射411與412處所輸出的脈衝雷射射束的射束路徑，以便實質上彼此一致。
    舉例來說，該雷射控制器301可能會控制半導體雷射412，用以在半導體雷射411共振之後進行共振。於此情況中，來自半導體雷射411的脈衝雷射射束的波形的一部分可能會重疊來自半導體雷射412的脈衝雷射射束的波形的一部分。於其它實施例中，來自半導體雷射411的脈衝雷射射束的波形可能會和來自半導體雷射412的脈衝雷射射束的波形暫時分離。
    來自半導體雷射411的脈衝雷射射束的能量可能實質上小於來自半導體雷射412的脈衝雷射射束的能量。當此等脈衝雷射射束結合而使得較低能量的脈衝雷射射束超前較高能量的脈衝雷射射束時，一實質上包含一射束基底的脈衝雷射射束便可從該主振盪器410處被輸出。
    接著，從該主振盪器410處被輸出的脈衝雷射射束便可能會在該再生放大器430之中被放大。該已放大的脈衝雷射射束可能會進入該光學遮光器321。圖40中所示的光學遮光器321可能雷同於圖26之中所示的光學遮光器321；不過，於此範例中，該光學遮光器321係被提供在該再生放大器430的下游處，該光學遮光器321可能係被提供在一介於該主振盪器410以及該再生放大器430之間的射束路徑之中。藉由在來自該主振盪器410的脈衝雷射射束通過該光學遮光器321時調整被施加至該光學遮光器321的電壓，該脈衝雷射射束的射束基底能量Ep便可以有效地被調整。此處，即使係在來自半導體雷射411的脈衝雷射射束在於該等放大器331至333之中被放大之後藉由調整該脈衝雷射射束的能量所獲得的射束基底能量Ep才變成所希的射束基底能量，仍可省略該光學遮光器321。
    圖41至44所示的係在圖40之個別位置(a)至(d)處的一脈衝雷射射束的波形。如圖41中所示，舉例來說，來自該主振盪器410的脈衝雷射射束的一波形可能包含：一波形Wp31，該處的能量非常低；以及一波形Wm31，該處的能量Em非常高。舉例來說，波形Wp31可能係來自半導體雷射411的脈衝雷射射束的波形。舉例來說，波形Wm31可能係來自半導體雷射412的脈衝雷射射束的波形。接著，來自該主振盪器410的脈衝雷射射束便可能會在該再生放大器430之中被放大。於此情況中，如圖42中所示，來自該再生放大器430的脈衝雷射射束的一波形可能包含：一波形Wp32，該處的能量非常低；以及一波形Wm32，該處的能量Em非常高。隨後，如圖43中所示，透射穿過該光學遮光器321的脈衝雷射射束的一波形可能包含：一射束基底Wp33，在該處，來自半導體雷射411的脈衝雷射射束的能量會被該光學遮光器321降低，而且射束基底比值R或射束基底能量Ep會非常低；以及一尖峰部分Wm33，該處的能量Em非常高。另外，如圖44中所示，在放大器331至333中被放大之後的脈衝雷射射束的波形形狀可能係被放大之圖43中所示的波形。和圖43中所示的波形雷同，圖44中所示的波形可能包含：一射束基底Wp34，該處的射束基底比值R非常低或射束基底能量Ep非常低；以及一尖峰部分Wm34，該處的能量Em非常高。 5.藉由控制主脈衝雷射射束之射束基底來控制EUV光的能量：第二實施例
    在上面所述的EUV光產生系統之中，該射束基底控制裝置會經過調整以便符合所需要的轉換效率。然而，本發明並不受限於此。舉例來說，EUV光的能量可以藉由調整該主脈衝雷射射束的射束基底比值或是射束基底能量而受到控制。下文中將詳細說明一種EUV光產生系統作為本發明的第二實施例，其會被配置成藉由調整該射束基底控制裝置來控制EUV光的能量。 5.1配置
    第二實施例的EUV光產生系統可能會被配置成雷同於第一實施例的EUV光產生系統11A。 5.2操作
    第二實施例的EUV光產生系統的操作雖然可能雷同於第一實施例的EUV光產生系統11A的操作；然而，在第二實施例之中，該EUV光的目標能量Eeuvt則可能係從一外部設備(例如，曝光設備控制器61)處被輸入至該EUV光產生控制器5A。於此情況中，該EUV光產生控制器5A可以控制該射束基底控制裝置320，俾使得該被射出的EUV光的能量會接近該目標能量Eeuvt。 5.3效果
    藉由控制該射束基底控制裝置320以便調整轉換效率CE，便可以控制該EUV光252的能量。據此，不需要大幅地改變主脈衝雷射設備3A的輸出功率便可以控制該EUV光252的能量。因此，可以減少被提供在一介於該主脈衝雷射設備3A以及該電漿產生區25之間的射束路徑之中的光學元件上的熱負載變異。結果，此等光學元件便可達到熱穩定。據此，該主脈衝雷射射束31的聚焦效能可以穩定，而且該EUV光252的輸出穩定性亦可獲得改善。 5.4流程圖 5.4.1以射束基底比值為基礎的控制流程
    根據第二實施例的EUV光產生系統11A的操作可能係以射束基底比值R為基礎(參見圖4)或是以射束基底能量Ep為基礎(參見圖5)。首先將參考圖式來詳細討論以射束基底比值R為基礎的操作。 5.4.1.1射束基底控制流程
    圖45所示的係根據第二實施例的一射束基底控制器的整體操作的一範例的流程圖。
    參考圖45，該射束基底控制器56可能會先保持待命，直到其從一外部設備(例如，曝光設備控制器61)處收到該EUV光252的目標EUV能量Eeuvt為止(步驟S501；否)。當收到目標EUV能量Eeuvt時(步驟S501；是)，該射束基底控制器56可能會接著保持待命，直到其從該EUV光產生位置控制器51處收到一觸發信號為止(步驟S502；否)。該觸發信號可能係一用以產生該EUV光252的一信號脈衝的觸發。該等觸發信號可能會在要產生該EUV光252時以一事先決定的重複率被輸入至該射束基底控制器56。
    當收到該觸發信號時(步驟S502；是)，該射束基底控制器56便可以接收由該能量感測器90所偵測到之該EUV光252的EUV能量Eeuv(步驟S503)。隨後，該射束基底控制器56便可以實行一射束基底比值計算子標準程序，用以計算該射束基底比值R(步驟S504)。該射束基底比值計算子標準程序可能雷同於參考圖13所述之射束基底比值計算子標準程序的修正例。
    接著，該射束基底控制器56便可以實行一射束基底控制子標準程序，用以控制該射束基底控制裝置320，俾使得該主脈衝雷射射束31的射束基底會達到所希的射束基底比值R(步驟S505)。
    而後，該射束基底控制器56便可以判斷是否要停止產生該EUV光252(步驟S506)。舉例來說，此判斷可以在步驟S505之中的射束基底控制子標準程序之中來完成。
    當要繼續產生該EUV光252時(步驟S506；否)，該射束基底控制器56便可能會回到步驟S502並且重複進行接續的步驟。相反地，當要停止產生該EUV光252時(步驟S506；是)，該射束基底控制器56便可能會終止該操作。
    利用上面所述的操作可以根據該目標EUV能量Eeuvt來調整該主脈衝雷射射束31的射束基底比值R。結果，不需要大幅地改變該主脈衝雷射射束31的輸出功率便可以達到該目標EUV能量Eeuvt。 5.4.1.2射束基底控制子標準程序
    圖46所示的係圖45的步驟S505之中的一射束基底控制子標準程序的一範例。圖47所示的係在說明圖46中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底比值和轉換效率之間的關係的範例。
    參考圖46，於該射束基底控制子標準程序之中，該射束基底控制器56可能會計算一介於被偵測到之EUV能量Eeuv和該目標EUV能量Eeuvt之間的差異值△E，其中，△E=Eeuv-Eeuvt(步驟S511)。接著，該射束基底控制器56可能會計算對應於該已算出之差異值△E的射束基底比值R變化數額△R(步驟S512)。為從該差異值△E處計算該變化數額△R，可能會使用到被用來取得圖47中所示之介於射束基底比值R和轉換效率CE之間的關係的主脈衝雷射射束的一射束基底比值Rn和總能量Et之間的關係。該主脈衝雷射射束的射束基底比值Rn和總能量Et之間的關係可以藉由實行參考圖7或9所述的射束基底控制子標準程序來取得。隨後，該射束基底控制器56便可以從目前的射束基底比值R和該已算出的變化數額△R之中來計算一經過修正的射束基底比值R(R=R+△R)(步驟S513)。
    接著，該射束基底控制器56便可能會判斷該經算出的射束基底比值R是否於射束基底比值R的測量範圍之中落在該轉換效率CE的單調遞減區裡面(步驟S514)。該轉換效率CE的單調遞減區可能係該轉換效率CE會隨著該射束基底比值R的增加而以相對單調的方式減少的區域，如圖47之中所示。前面所述的判斷可以該射束基底比值R的數值為基礎來完成。此處，如圖47中所示之介於射束基底比值R和轉換效率CE之間的關係曲線較佳的係可以事先取得。此關係可以藉由實行參考圖7或9所述的射束基底控制子標準程序來取得。於其它實施例中，經由實驗而事先取得之介於射束基底比值R和轉換效率CE之間的關係可以被儲存並且據以引用。
    當該射束基底比值R落在該轉換效率CE的單調遞減區裡面時(步驟S514；是)，該射束基底控制器56便可以計算該射束基底控制裝置320的一控制數值P，以便達到該所希的射束基底比值R(步驟S515)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖45中所示的操作。相反地，當該射束基底比值R沒有落在該轉換效率CE的單調遞減區裡面時(步驟S514；否)，該射束基底控制器56便可能會指示該EUV光產生控制器5A終止該用以控制該EUV光252之能量所進行的射束基底之控制(步驟S516)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖45中所示的操作。 5.4.2以射束基底能量為基礎的控制流程
    現在將參考圖式來詳細說明以射束基底能量為基礎的操作。 5.4.2.1射束基底控制流程
    圖48所示的係根據第二實施例的一修正例的一射束基底控制器的整體操作的一範例的流程圖。
    在如圖48中所示的射束基底控制流程之中係使用射束基底能量Ep作為參數，其可能包含雷同於參考圖45所述之射束基底控制流程之步驟的步驟。因此，下面將僅會討論圖48的射束基底控制流程中和圖45中所示之射束基底控制流程中的操作不同的操作。步驟S601至S603可能雷同於圖45的步驟S501至S503。在步驟S604之中，該射束基底控制器56可能會實行一射束基底能量計算子標準程序，用以計算該射束基底能量Ep。步驟S604之中的射束基底能量計算子標準程序可能雷同於參考圖22所述之射束基底能量計算子標準程序的修正例。
    接著，該射束基底控制器56便可以實行一射束基底控制子標準程序，用以控制該射束基底控制裝置320，俾使得該主脈衝雷射射束31的射束基底會達到所希的射束基底能量Ep(步驟S605)。
    圖48的步驟S606雖然可能雷同於圖45的步驟S506；然而，當步驟S606之中的判斷為否時，該射束基底控制器56則可能會回到步驟S602並且重複進行接續的步驟。
    利用上面所述的操作可以根據該目標EUV能量Eeuvt來控制該主脈衝雷射射束31的射束基底能量Ep。結果，不需要大幅地改變該主脈衝雷射射束31的輸出功率便可以達到該目標EUV能量Eeuvt。 5.4.2.2射束基底控制子標準程序
    圖49所示的係圖48的步驟S605之中的一射束基底控制子標準程序的一範例。圖50所示的係在說明圖49中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底能量和轉換效率之間的關係的範例。
    參考圖49，於該射束基底控制子標準程序之中，該射束基底控制器56可能會計算一介於被偵測到之EUV能量Eeuv和該目標EUV能量Eeuvt之間的差異值△E，其中，△E=Eeuv-Eeuvt(步驟S611)。接著，該射束基底控制器56可能會計算對應於該已算出之差異值△E的射束基底能量Ep變化數額△Ep(步驟S612)。隨後，該射束基底控制器56便可以從目前的射束基底能量Ep和該已算出的變化數額△Ep之中來計算一經過修正的射束基底能量Ep(Ep=Ep+△Ep)(步驟S613)。
    接著，該射束基底控制器56便可能會判斷該經算出的射束基底能量Ep是否於射束基底Ep的測量範圍之中落在該轉換效率CE的單調遞減區裡面(步驟S614)。該轉換效率CE的單調遞減區可能係該轉換效率CE會隨著該射束基底能量Ep的增加而以相對單調的方式減少的區域，如圖50之中所示。上面的判斷可以該射束基底能量Ep的數值為基礎來完成。此處，如圖50中所示之介於射束基底能量Ep和轉換效率CE之間的關係曲線較佳的係可以事先取得。此關係可以藉由實行參考圖17或19所述的射束基底控制子標準程序來取得。於其它實施例中，經由實驗而事先取得之介於射束基底能量Ep和轉換效率CE之間的關係可以被儲存並且據以引用。
    當該射束基底能量Ep落在該轉換效率CE的單調遞減區裡面時(步驟S614；是)，該射束基底控制器56便可以計算該射束基底控制裝置320的一控制數值P，以便達到該所希的射束基底能量Ep(步驟S615)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖48中所示的操作。相反地，當該射束基底能量Ep沒有落在該轉換效率CE的單調遞減區裡面時(步驟S614；否)，該射束基底控制器56便可能會指示該EUV光產生控制器5A終止該用以控制該EUV光252之能量所進行的射束基底之控制(步驟S616)。而後，該射束基底控制器56便可能會回到圖48中所示的操作。 6.光學遮光器
    現在將利用特定的範例來說明上面所述之實施例的光學遮光器。 6.1結合波卡爾單元與偏振板
    圖51所示的係一光學遮光器的一範例，其包含兩個偏振板和一個波卡爾單元。一波卡爾單元的響應時間通常為數奈秒並且被視為適合在一需要高速切換的雷射設備之中作為光學遮光器。
    在圖51中所示的配置之中，一偏振板501可能會透射一入射其上之雷射射束的Y偏振分量並且藉由反射或吸收該雷射射束的X偏振分量而阻隔X偏振分量。相反地，一偏振板502則可能會透射一入射其上之雷射射束的X偏振分量並且藉由反射或吸收該雷射射束的Y偏振分量而阻隔Y偏振分量。依此方式，該等偏振板501與502可以被排列成用以透射不同的偏振分量。於此範例中，該等偏振板501與502可能會被排列成使得透射穿過該偏振板501的雷射射束的偏振方向會與透射穿過該偏振板502的雷射射束的偏振方向相差90度。
    一高電壓脈衝可能會在該射束基底控制器56的控制之下由一高電壓電源504施加至一波卡爾單元503。舉例來說，該波卡爾單元503可能會在該高電壓脈衝被施加至其上時旋轉正在進入之雷射射束的偏振方向。於此範例中，一具有用以將該正在進入之雷射射束入射射束的偏振方向旋轉一預設數額之數值的高電壓脈衝可能會由該高電壓電源504施加至該波卡爾單元503。
    當從主振盪器310處被輸出之含有主要為Y偏振分量的一脈衝雷射射束L1進入被配置成如上面所述般的光學遮光器321時，該脈衝雷射射束L1可能會先入射在偏振板501之上。該偏振板501可能會透射該脈衝雷射射束L1的一Y偏振分量。已透射穿過該偏振板501的脈衝雷射射束L1可能接著會進入該波卡爾單元503。
    當一高電壓脈衝沒有被施加至該波卡爾單元503時，該脈衝雷射射束L1可能會逕自從該波卡爾單元503處被輸出，其偏振方向並不會被旋轉。該被輸出的脈衝雷射射束L1可能接著會入射在偏振板502之上，而且於此案例中，該偏振板502可能會阻隔該脈衝雷射射束L1。結果，該脈衝雷射射束L1可能會被該光學遮光器321阻隔。
    同時，當一高電壓脈衝被施加至該波卡爾單元503時，進入該波卡爾單元503的脈衝雷射射束L1的偏振方向則可能會被旋轉一預設的數額。該被輸出的脈衝雷射射束L1可能接著會入射在偏振板502之上，而且該偏振板502可以透射該脈衝雷射射束L1的X偏振分量。結果，該脈衝雷射射束L1的一部分可能會從該光學遮光器321處被輸出。
    如圖52中所示，一脈衝時間持續長度約20ns的脈衝雷射射束L1可能會進入該光學遮光器321。接著，如圖53中所示，一具有某個時間持續長度(其中，該脈衝雷射射束L1的時間抖動會被吸收)的高電壓脈衝可能會被施加至該波卡爾單元503。舉例來說，當該脈衝雷射射束L1的脈衝時間持續長度為20ns而時間抖動為10ns時，該高電壓脈衝G1的時間持續長度可能為約40ns。
    進一步言之，該高電壓脈衝G1可能具有類梯階的脈衝形狀，其中，該脈衝雷射射束L1中要產生射束基底Lp的部分的電壓很低，而其餘部分的電壓則很高以便產生一尖峰部分Lm。藉由施加一具有此種脈衝形狀的高電壓脈衝至該波卡爾單元503，該脈衝雷射射束L1的波形便可以轉換成含有射束基底Lp和尖峰部分Lm的波形，如圖54之中所示。
    於此範例中，該等偏振板501與502雖然係被排列成使得透射穿過該偏振板501的脈衝雷射射束L1的偏振方向會與透射穿過該偏振板502的脈衝雷射射束L1的偏振方向相差90度；然而，本發明並不受限於此。舉例來說，該等偏振板501與502可能會被排列成使得透射穿過該偏振板501的脈衝雷射射束L1的偏振方向可能會與透射穿過該偏振板502的脈衝雷射射束L1的偏振方向相同。於此情況中，當一高電壓脈衝沒有被施加至該波卡爾單元503時，該光學遮光器321可以透射該脈衝雷射射束L1。 6.2光學遮光器之變化例 6.2.1第一修正例
    圖55概略地顯示一第一修正例的一光學遮光器的一示範性配置。於一光學遮光器321-1之中，舉例來說，反射式偏振板511與512可能會被用來取代透射式偏振板501與502。吸收薄膜式反射板(Absorbing Thin-Film Reflector，ATFR)之類的偏振板可以用來作為該等偏振板511與512中的每一者。即使利用此種配置，仍可以達到和圖51中所示之光學遮光器321的功能雷同的功能。在圖55之中，高電壓電源504已被省略。 6.2.2第二修正例
    圖56概略地顯示一第二修正例的一光學遮光器的一示範性配置。如圖56中所示，於一光學遮光器321-2之中，四個反射式偏振板521與524可能會被提供在波卡爾單元503的上游處，而四個反射式偏振板525與528可能會被提供在波卡爾單元503的下游處。一ATFR可以用來作為該等偏振板521與528中的每一者。舉例來說，該等偏振板521與524可能會被排列成用以反射該脈衝雷射射束L1的Y偏振分量並且吸收其另一個偏振分量。舉例來說，該等偏振板525與528可能會被排列成用以反射該脈衝雷射射束L1的X偏振分量並且吸收其另一個偏振分量。當分別在該波卡爾單元503的上游處與下游處提供會反射相同偏振分量並且吸收另一個偏振分量的複數個偏振板時，可以增加要被吸收之偏振分量的總吸收係數。因此，可以增加一給定偏振分量的純度。 6.2.3第三修正例
    圖57概略地顯示一第三修正例的一光學遮光器的一示範性配置。如圖57中所示，一光學遮光器321-3可能包含兩個波卡爾單元503a與503b。該等波卡爾單元503a與503b中的每一者可能雷同於圖55或是56的波卡爾單元503。波卡爾單元503a可能係被提供在波卡爾單元503b的上游處。舉例來說，被提供在波卡爾單元503a之上游處的反射式偏振板531與532以及被提供在波卡爾單元503b之下游處的反射式偏振板539與540可能會反射該脈衝雷射射束L1的Y偏振分量並且吸收另一個偏振分量。反射式偏振板534至537可能係被提供在一介於波卡爾單元503a以及波卡爾單元503b之間的射束路徑之中。舉例來說，該等反射式偏振板534至537可能會反射該脈衝雷射射束L1的Z偏振分量並且吸收另一個偏振分量。一高反射面鏡533可能會被提供在波卡爾單元503a的下游處，而一高反射面鏡538則可能會被提供在波卡爾單元503b的上游處。當該等複數個波卡爾單元503a與503b被使用時，可以增加要被吸收之偏振分量的總吸收係數。因此，可以增加一特定偏振分量的純度。 6.2.4第四修正例
    圖58概略地顯示一第四修正例的一光學遮光器的一示範性配置。如圖58中所示的光學遮光器321-4的配置可能雷同於圖55之中所示的光學遮光器321-1，但是不同的係，該等偏振板511與512可能分別具被冷卻裝置551。一從該冷卻裝置551處供應的冷卻介質可能會流經一流動通道552並且流入該等偏振板511與512中每一者的一內部流動通道之中。該等偏振板511與512中的每一者可能皆具備一內部流動通道，以便允許該冷卻介質在一反射表面後面有效地流動。以有效並且平衡的方式冷卻該等偏振板511與512的反射表面可以抑制該等個別反射表面之中的熱變形。結果，其可以穩定透射穿過該等光學遮光器321-4的脈衝雷射射束L1的方向與波前。應該注意的係，一冷卻裝置亦可被提供在該波卡爾單元503之上，用以防止該波卡爾單元503之中發生過熱。 7.飽和吸收器裝置
    現在將利用特定的範例來說明上面所述實施例的飽和吸收器裝置。 7.1調整飽和吸收氣體的濃度
    現在將參考圖式來說明一種飽和吸收氣體之濃度能夠被調整的飽和吸收器裝置。圖59概略地顯示此種飽和吸收器裝置的一示範性配置。
    如圖59之中所示，一飽和吸收器裝置322A可能包含一飽和吸收氣體室601、一熱交換器622、一氣體溫度控制器620、以及一飽和吸收氣體室控制器610。該飽和吸收氣體室控制器610可以根據一來自該射束基底控制器56的信號來控制該飽和吸收器裝置322A中的每一個器件。
    該飽和吸收氣體室601可能包含多個視窗602與603，該脈衝雷射射束L1可以行進穿過該等視窗。一壓力感測器611可能會被連接至該飽和吸收氣體室601，用以測量該飽和吸收氣體室601內部的壓力。該壓力感測器611可能會被連接至該飽和吸收氣體室控制器610。該飽和吸收氣體室601的內部可以經由一氣體管路621來與該熱交換器622進行交換。一氣體唧筒623可能會被提供在該氣體管路621之中，以便允許該氣體管路621之中的飽和吸收氣體在該飽和吸收氣體室601和該熱交換器622之間循環流通。進一步言之，一溫度感測器624可能會被提供在該氣體管路621之中，用以偵測正在該氣體管路621之中循環流通的飽和吸收氣體的溫度。氣體溫度控制器620可能會被連接至該溫度感測器624。該氣體溫度控制器620可能會以一來自該飽和吸收氣體室控制器610的信號為基礎來驅動該熱交換器622，從而控制該正在循環流通的飽和吸收氣體的溫度。
    該飽和吸收氣體室控制器610可能會被連接至該氣體唧筒623。該飽和吸收氣體室控制器610可以控制該氣體唧筒623的循環次數，從而控制正在該氣體管路621之中循環流通的飽和吸收氣體的流動速率。
    一SF6氣體汽缸631可能會經由閥門633與632被連接至該氣體管路621。進一步言之，一緩衝氣體汽缸634可能會經由閥門633與635被連接至該氣體管路621。緩衝氣體可能係N2、He、或是類似氣體。再者，一排氣唧筒637可能會經由一閥門636被連接至該氣體管路621。該等閥門632、633、635、以及636可能會被連接至該飽和吸收氣體室控制器610。該排氣唧筒637可能也會被連接至該飽和吸收氣體室控制器610。該飽和吸收氣體室控制器610可以適當地調整該等閥門632、633、635、以及636的張開以及該排氣唧筒637的循環次數，從而調整該氣體管路621之中的氣體壓力以及該飽和吸收氣體的濃度。
    藉由調整該飽和吸收氣體室601之中的飽和吸收氣體的濃度，可以調整正在通過該飽和吸收器裝置322A的脈衝雷射射束L1的射束基底能量。 7.2調整穿過飽和吸收氣體的光學路徑長度
    現在將參考圖式來說明一種穿過飽和吸收氣體的光學路徑長度能夠被調整的飽和吸收器裝置。圖60概略地顯示此種飽和吸收器裝置的一示範性配置。
    如圖60之中所示，一飽和吸收器裝置322B的配置雖然可能雷同於圖59之中所示的飽和吸收器裝置322A；然而，圖60的飽和吸收器裝置322B則可能包含一飽和吸收氣體室701來取代該飽和吸收氣體室601。
    如圖60之中所示，該飽和吸收氣體室701可能包含一視窗702，該脈衝雷射射束L1可以行進穿過該視窗。高反射面鏡711與712可能會被提供在該飽和吸收氣體室701內部，用以彎折該脈衝雷射射束L1的射束路徑。該等高反射面鏡711與712可能會被定位成使得正在經由視窗702進入該飽和吸收氣體室701的脈衝雷射射束L1會依序被該等高反射面鏡711與712反射，以便經由該視窗702被輸出。
    該等高反射面鏡711與712可能會被固定至一移動平台713。該移動平台713可以沿著被提供在該飽和吸收氣體室701之中的軌道714移動。該等軌道714可能延伸在平行於該脈衝雷射射束L1之行進方向的方向之中。
    進一步言之，一移動裝置715可能會被提供在該飽和吸收氣體室701之中，以便沿著該等軌道714來移動該移動平台713。該移動裝置715可能會被連接至一驅動器720。該射束基底控制器56可以經由該驅動器720來控制該移動裝置715用以移動該移動平台713，從而調整該飽和吸收氣體室701內部的光學路徑長度。
    藉由調整該飽和吸收氣體室701內部的光學路徑長度，可以調整正在通過該飽和吸收器裝置322B的脈衝雷射射束L1的射束基底能量。 8.補充說明 8.1擴散目標物
    在前面的說明中，一擴散目標物可能係一處於粒子(該等粒子含有由一目標材料所組成的下面至少其中一者：原子、分子、團束、細微的小滴)以霧狀或是氣體形式被擴散之狀態中的目標物。一擴散目標物可能含有一會部分被轉換成電漿的目標材料。
    圖61所示的係一被一預脈衝雷射射束照射的目標物。如圖61之中所示，當一目標物27被一預脈衝雷射射束41照射時便可能會產生一擴散目標物271。當該球狀或是小滴狀的目標物27被一預脈衝雷射射束41照射時，一圓形突起狀或是圓盤狀的擴散目標物271便可能會被產生。 8.1.1擴散目標物之產生
    現在將參考圖62至64來詳細說明一擴散目標物的產生過程。圖62所示的係一被一預脈衝雷射射束照射的目標物，該圖係從垂直於該預脈衝雷射射束之行進方向的方向中所看見的結果。圖63所示的係一被一主脈衝雷射射束照射的擴散目標物，該擴散目標物係當一目標物被一預脈衝雷射射束照射時所產生，該圖係從垂直於該主脈衝雷射射束之行進方向的方向中所看見的結果。圖64所示的係一被一主脈衝雷射射束照射的擴散目標物，該擴散目標物係當一目標物被一預脈衝雷射射束照射時所產生，該圖係從該主脈衝雷射射束的行進方向中所看見的結果。
    如圖62中所示，當目標物27被預脈衝雷射射束41照射時，藉由對被該預脈衝雷射射束41照射的目標物27的一側邊進行雷射燒蝕便可能會產生電漿。當該電漿擴散時，在與該雷射燒蝕進行反應時所產生的一衝擊波(shock wave)S1可能會傳播至該目標物27之中。結果，該目標物27可能會崩解，並且可能會產生該擴散目標物271。
    如圖63中所示，該擴散目標物271可能通常會在和該預脈衝雷射射束41之行進方向相同的方向D1之中移動一分量。該主脈衝雷射射束31可能會被聚焦以便通過一包含該擴散目標物271會在裡面移動及/或擴散之範圍的空間。舉例來說，如圖64之中所示，在該電漿產生區25之中的主脈衝雷射射束31的直徑Dm可能會大於在一圓形突起形狀之中或是在一圓盤形狀之中被擴散的擴散目標物271的擴散範圍Dd。 8.2主脈衝雷射射束的延遲時間和轉換效率之間的關係
    圖65所示的係介於轉換效率和從利用一預脈衝雷射射束來照射一目標物直到利用一主脈衝雷射射束來照射該目標物為止之延遲時間之間的關係的範例。在圖65所顯示的情況中，預脈衝雷射射束41的波長為1.06μm，脈衝時間持續長度為5ns，而能量密度為490mJ/cm2，且其中，該主脈衝雷射設備3A為CO2雷射，該主脈衝雷射射束31的脈衝時間持續長度為20ns，而且射束強度為6.0x109W/cm2。
    在圖65之中，在直線D12顯示的情況中，目標物27的直徑為12μm；在直線D20顯示的情況中，目標物27的直徑為20μm；在直線D30顯示的情況中，目標物27的直徑為30μm；以及在直線D40顯示的情況中，目標物27的直徑為40μm。
    當目標物27的直徑為12μm時，該主脈衝雷射射束31相對於該預脈衝雷射射束41的延遲時間可能係在0.5μs至2.0μs的範圍之中。於其它範例中，延遲時間可能係在0.6μs至1.5μs的範圍之中。又，於其它範例中，延遲時間可能係在0.7μs至1.0μs的範圍之中。
    當目標物27的直徑為20μm時，該主脈衝雷射射束31相對於該預脈衝雷射射束41的延遲時間可能係在0.5μs至2.5μs的範圍之中。於其它範例中，延遲時間可能係在1.0μs至2.0μs的範圍之中。又，於其它範例中，延遲時間可能為1.3μs。
    當目標物27的直徑為30μm時，該主脈衝雷射射束31相對於該預脈衝雷射射束41的延遲時間可能係在0.5μs至4.0μs的範圍之中。於其它範例中，延遲時間可能係在1.5μs至3.5μs的範圍之中。又，於其它範例中，延遲時間可能係在2.0μs至3.0μs的範圍之中。
    當目標物27的直徑為40μm時，該主脈衝雷射射束31相對於該預脈衝雷射射束41的延遲時間可能係在0.5μs至6.0μs的範圍之中。於其它範例中，延遲時間可能係在1.0μs至5.0μs的範圍之中。又，於其它範例中，延遲時間可能係在2.0μs至4.0μs的範圍之中。 8.3預脈衝雷射射束的能量密度和擴散目標物的形狀之間的關係
    現在將參考圖式來詳細討論一預脈衝雷射射束的能量密度和一擴散目標物的形狀之間的關係。
    圖66至69所示的係在預脈衝雷射射束之能量密度為480mJ/cm2的情況中所觀察到的擴散目標物和電漿的形狀。圖66所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為0μs處的情況。圖67所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為0.5μs處的情況。圖68所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為1.0μs處的情況。圖69所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為1.5μs處的情況。
    圖70至73所示的係在預脈衝雷射射束之能量密度為96mJ/cm2的情況中所觀察到的擴散目標物和電漿的形狀。圖70所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為0μs處的情況。圖71所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為0.5μs處的情況。圖72所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為1.0μs處的情況。圖73所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為1.5μs處的情況。
    圖74至77所示的係在預脈衝雷射射束之能量密度為19.5mJ/cm2的情況中所觀察到的擴散目標物和電漿的形狀。圖74所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為0μs處的情況。圖75所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為0.5μs處的情況。圖76所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為1.0μs處的情況。圖77所示的係在利用該預脈衝雷射射束進行照射之後經過時間為1.5μs處的情況。
    進一步言之，在圖66至77所示的情況中係使用Sn作為該目標材料，目標物27的直徑為20μm，它們係使用YAG雷射作為該預脈衝雷射設備40，而且該預脈衝雷射射束41的脈衝時間持續長度為5ns。在圖66至77的每一個圖式中，該預脈衝雷射射束41都係從紙面的右側開始撞擊該目標物27。
    如圖66、70、以及74之中所示，在利用該預脈衝雷射射束41進行照射之後經過時間為0μs的位置點處，當該目標物27被該預脈衝雷射射束41時並不會觀察到擴散目標物271，而僅係觀察到該目標材料的電漿。
    如圖67至69之中所示，當該預脈衝雷射射束41的能量密度為480mJ/cm2時，在利用該預脈衝雷射射束41進行照射之後經過時間為0.5μs至1.5μs的範圍之中會觀察到該圓形突起形狀的擴散目標物271。當該已經過的時間大於或等於1.5μs時，倘若該主脈衝雷射射束31的光點尺寸為約300μm的話，該擴散目標物271中的大部分都可被該主脈衝雷射射束31照射。
    如圖71至73以及75至77之中所示，當該預脈衝雷射射束41的能量密度為96mJ/cm2或是19.5mJ/cm2時，在利用該預脈衝雷射射束41進行照射之後經過時間為0.5μs至1.5μs的範圍之中會觀察到該圓盤形狀的擴散目標物271。進一步言之，當該已經過的時間增加時，該擴散目標物271的擴散範圍也會增加。相較於該預脈衝雷射射束41的能量密度為19.5mJ/cm2時的情況，當該預脈衝雷射射束41的能量密度為96mJ/cm2時，該擴散目標物271的擴散範圍會比較大。
    在圖66至77之中所示的任何一種情況中，當該擴散目標物271及/或該電漿272被該主脈衝雷射射束31照射時便會產生該EUV光252。 8.4再生放大器
    圖78概略地顯示一再生放大器的一示範性配置。該再生放大器430可能包含一偏振射束分歧器431、一CO2氣體放大部件432、波卡爾單元433與436、一四分之一波板434、共振器面鏡435與437。
    舉例來說，該偏振射束分歧器431可能係由一薄膜偏振板所構成。舉例來說，該偏振射束分歧器431可以反射一入射於其上的雷射射束的S偏振分量並且透射P偏振分量。當主要含有相對於該偏振射束分歧器431為S偏振分量的脈衝雷射射束L1進入該再生放大器430時，該脈衝雷射射束L1可能會先被該偏振射束分歧器431反射。因此，該脈衝雷射射束L1可能會進入由該等共振器面鏡435與437所形成的共振器之中。進入該共振器之中的脈衝雷射射束L1可能會通過該CO2氣體放大部件432時被放大。該脈衝雷射射束L1可能會通過波卡爾單元433(其上並沒有施加電壓)、透射穿過該四分之一波板434、被共振器面鏡435反射、並且再次透射穿過該四分之一波板434。利用此種配置，該脈衝雷射射束L1的偏振方向便可以被旋轉90度。
    而後，該脈衝雷射射束L1可能會再次通過該波卡爾單元433(其上並沒有施加電壓)。於此時點處，一預設的電壓可能會在該脈衝雷射射束L1通過之後被施加至該波卡爾單元433。該波卡爾單元433(其上已被施加一電壓)可能會賦予通過其中的脈衝雷射射束L1一四分之一波的相位偏移。據此，當該預設電壓被施加至該波卡爾單元433時，入射在該偏振射束分歧器431之上的脈衝雷射射束L1的偏振方向可能主要包含以相對於它為P偏振的分量。因此，該脈衝雷射射束L1可能會在該共振器之中受到抑制。
    接著，於該脈衝雷射射束L1要被輸出的時序處，一預設的電壓可能會被施加至波卡爾單元436。在該共振器之中來回行進的脈衝雷射射束L1可能會先透射穿過該偏振射束分歧器431並且接著會在通過該波卡爾單元436時經歷四分之一波的相位偏移。接著，該線性偏振的脈衝雷射射束L1可能會被轉換成圓形偏振的脈衝雷射射束L1。而後，該脈衝雷射射束L1可能會被共振器面鏡437反射並且再次通過該波卡爾單元436。因此，該圓形偏振的脈衝雷射射束L1可能會被轉換成線性偏振的脈衝雷射射束L1。此時點處的脈衝雷射射束L1可能主要包含以相對於該偏振射束分歧器431為S偏振的分量並且因而會被反射。據此，該脈衝雷射射束L1可以從該再生放大器430處被輸出。
    上面所述的實施例及它們的修正例僅係用以施行本發明的範例，而且本發明並不受限於此。根據說明書進行各式各樣的修正或是類似的動作皆落在本發明的範疇裡面，而且其它各種實施例亦可能落在本發明的範疇裡面。舉例來說，針對前面實施例中的特殊實施例所解釋的修正例亦可套用至其它實施例(包含本文中所述的其它實施例在內)。
    本說明書以及隨附申請專利範圍之中所使用到的術語應被解釋為「非限制性」。舉例來說，「包含」以及「被包含」等術語應被解釋為「包含所提及之元件，但是，並不受限於所提及之元件」。「具有」一詞應被解釋為「具有所提及之元件，但是，並不受限於所提及之元件」。進一步言之，「其中一(一)」飾詞應被解釋為「至少其中一者」或是「一或多者」。
    1‧‧‧LPP類型的EUV光產生設備
    2‧‧‧腔室
    2A‧‧‧腔室
    3‧‧‧雷射設備
    3A‧‧‧主脈衝雷射設備
    3B‧‧‧主脈衝雷射設備
    3C‧‧‧主脈衝雷射設備
    3D‧‧‧主脈衝雷射設備
    3E‧‧‧主脈衝雷射設備
    3F‧‧‧主脈衝雷射設備
    4‧‧‧目標物感測器
    5‧‧‧EUV光產生控制器
    5A‧‧‧EUV光產生控制器
    6‧‧‧曝光設備
    11‧‧‧EUV光產生系統
    11A‧‧‧EUV光產生系統
    21‧‧‧視窗
    22‧‧‧雷射射束聚焦面鏡
    22A‧‧‧雷射射束聚焦光學系統
    23‧‧‧EUV收集器面鏡
    23a‧‧‧固持器
    24‧‧‧貫穿孔
    25‧‧‧電漿產生區
    251‧‧‧包含EUV光252的光
    252‧‧‧EUV光
    26‧‧‧目標物產生器
    27‧‧‧目標物
    271‧‧‧擴散目標物
    272‧‧‧電漿
    28‧‧‧目標物收集器
    29‧‧‧連接部件
    291‧‧‧壁部
    292‧‧‧中間焦點(IF)區
    31‧‧‧脈衝雷射射束
    31p‧‧‧射束基底
    31m‧‧‧尖峰部分
    34‧‧‧雷射射束方向控制單元
    40‧‧‧預脈衝雷射設備
    41‧‧‧預脈衝雷射射束
    51‧‧‧EUV光產生位置控制器
    52‧‧‧參考時脈產生器
    53‧‧‧目標物控制器
    54‧‧‧目標物產生驅動器
    55‧‧‧延遲電路
    56‧‧‧射束基底控制器
    61‧‧‧曝光設備控制器
    71‧‧‧雷射射束聚焦面鏡
    71a‧‧‧面鏡固持器
    72‧‧‧高反射面鏡
    72a‧‧‧面鏡固持器
    73‧‧‧移動平板
    74‧‧‧平板移動裝置
    80‧‧‧隔板
    90‧‧‧能量感測器
    100‧‧‧射束匯集器
    101‧‧‧支撐器
    301‧‧‧雷射控制器
    310‧‧‧主振盪器
    311‧‧‧主振盪器
    312‧‧‧高反射面鏡
    313‧‧‧放大部件
    314‧‧‧偏振射束分歧器
    315‧‧‧波卡爾單元
    316‧‧‧高反射面鏡
    317‧‧‧高反射面鏡
    320‧‧‧射束基底控制裝置
    321‧‧‧光學遮光器
    321-1‧‧‧光學遮光器
    321-2‧‧‧光學遮光器
    321-3‧‧‧光學遮光器
    321-4‧‧‧光學遮光器
    322‧‧‧飽和吸收器裝置
    322A‧‧‧飽和吸收器裝置
    322B‧‧‧飽和吸收器裝置
    331‧‧‧放大器
    332‧‧‧放大器
    333‧‧‧放大器
    341‧‧‧高反射面鏡
    342‧‧‧雙分色面鏡
    350‧‧‧波形偵測單元
    351‧‧‧射束分歧器
    352‧‧‧聚焦透鏡
    353‧‧‧波形偵測器
    401‧‧‧高反射面鏡
    402‧‧‧高反射面鏡
    410‧‧‧主振盪器
    411‧‧‧半導體雷射
    412‧‧‧半導體雷射
    413‧‧‧射束路徑調整器
    430‧‧‧再生放大器
    431‧‧‧偏振射束分歧器
    432‧‧‧CO2氣體放大部件
    433‧‧‧波卡爾單元
    434‧‧‧四分之一波板
    435‧‧‧共振器面鏡
    436‧‧‧波卡爾單元
    437‧‧‧共振器面鏡
    501‧‧‧透射式偏振板
    502‧‧‧透射式偏振板
    503‧‧‧波卡爾單元
    503a‧‧‧波卡爾單元
    503b‧‧‧波卡爾單元
    504‧‧‧高電壓電源
    511‧‧‧反射式偏振板
    512‧‧‧反射式偏振板
    521‧‧‧反射式偏振板
    522‧‧‧反射式偏振板
    523‧‧‧反射式偏振板
    524‧‧‧反射式偏振板
    525‧‧‧反射式偏振板
    526‧‧‧反射式偏振板
    527‧‧‧反射式偏振板
    528‧‧‧反射式偏振板
    531‧‧‧反射式偏振板
    532‧‧‧反射式偏振板
    533‧‧‧高反射面鏡
    534‧‧‧反射式偏振板
    535‧‧‧反射式偏振板
    536‧‧‧反射式偏振板
    537‧‧‧反射式偏振板
    538‧‧‧高反射面鏡
    539‧‧‧反射式偏振板
    540‧‧‧反射式偏振板
    551‧‧‧冷卻裝置
    552‧‧‧流動通道
    601‧‧‧飽和吸收氣體室
    602‧‧‧視窗
    603‧‧‧視窗
    610‧‧‧飽和吸收氣體室控制器
    611‧‧‧壓力感測器
    620‧‧‧氣體溫度控制器
    621‧‧‧氣體管路
    622‧‧‧熱交換器
    623‧‧‧氣體唧筒
    624‧‧‧溫度感測器
    631‧‧‧SF6氣體汽缸
    632‧‧‧閥門
    633‧‧‧閥門
    634‧‧‧緩衝氣體汽缸
    635‧‧‧閥門
    636‧‧‧閥門
    637‧‧‧排氣唧筒
    701‧‧‧飽和吸收氣體室
    702‧‧‧視窗
    711‧‧‧高反射面鏡
    712‧‧‧高反射面鏡
    713‧‧‧移動平台
    714‧‧‧軌道
    715‧‧‧移動裝置
    720‧‧‧驅動器
    L1‧‧‧脈衝雷射射束
    S1‧‧‧衝擊波
    上文中已經參考隨附的圖式，說明過本發明的選定實施例。要注意的係，本說明書之中的偏振板可能係一光學濾波器的一範例。
    圖1概略地顯示一示範性EUV光產生系統的配置。
    圖2概略地顯示根據本發明的第一實施例的一EUV光產生系統的示範性配置。
    圖3所示的係根據第一實施例之具有一射束基底的主脈衝雷射射束的波形的一範例。
    圖4所示的係根據第一實施例之介於射束基底比值和轉換效率之間的關係的範例。
    圖5所示的係根據第一實施例之介於射束基底能量和轉換效率之間的關係的範例。
    圖6所示的係根據第一實施例的一射束基底控制器的整體操作的一範例的流程圖。
    圖7所示的係圖6的步驟S103之中的一射束基底控制子標準程序的一範例。
    圖8所示的係在說明圖7中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底比值和轉換效率之間的關係的範例。
    圖9所示的係圖6的步驟S103之中的射束基底控制子標準程序的第一修正例。
    圖10所示的係在說明圖9中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底比值和轉換效率之間的關係的範例。
    圖11所示的係圖7與9的步驟S114之中的射束基底比值計算子標準程序的一範例。
    圖12所示的係在說明圖11中所示之射束基底比值計算子標準程序之中所使用到之介於一主脈衝雷射射束的總能量和該主脈衝雷射射束的一射束基底的能量之間的關係的範例。
    圖13所示的係圖6的步驟S105之中的射束基底穩定化子標準程序的一範例。
    圖14所示的係圖13的步驟S142與S145之中的射束基底比值計算子標準程序的一修正例。
    圖15所示的係圖6的步驟S106之中的調整必要性判斷子標準程序的一範例。
    圖16所示的係圖6的步驟S106之中的調整必要性判斷子標準程序的第一修正例。
    圖17所示的係圖6的步驟S103之中的射束基底控制子標準程序的第二修正例。
    圖18所示的係在說明圖17中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底能量和轉換效率之間的關係的範例。
    圖19所示的係圖6的步驟S103之中的射束基底控制子標準程序的第三修正例。
    圖20所示的係在說明圖19中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底能量和轉換效率之間的關係的範例。
    圖21所示的係圖17與19的步驟S314之中的射束基底能量計算子標準程序的一範例。
    圖22所示的係圖6的步驟S105之中的射束基底穩定化子標準程序的一修正例。
    圖23所示的係圖22的步驟S342與S345之中的射束基底能量計算子標準程序的一修正例。
    圖24所示的係圖6的步驟S106之中的調整必要性判斷子標準程序的第二修正例。
    圖25所示的係圖6的步驟S106之中的調整必要性判斷子標準程序的第三修正例。
    圖26概略地顯示一主脈衝雷射設備的示範性配置，其中，一光學遮光器會被用來作為根據第一實施例之射束基底控制裝置。
    圖27所示的係在圖26之位置(a)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖28所示的係在圖26之位置(b)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖29所示的係在圖26之位置(c)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖30概略地顯示一主脈衝雷射設備的示範性配置，其中，一光學遮光器與一飽和吸收器裝置會共同被用來作為根據第一實施例之射束基底控制裝置。
    圖31所示的係在圖30之位置(a)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖32所示的係在圖30之位置(b)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖33所示的係在圖30之位置(c)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖34所示的係在圖30之位置(d)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖35概略地顯示一主脈衝雷射設備的示範性配置，其中，一主振盪器之中的一波卡爾單元與一飽和吸收器裝置會共同被用來作為根據第一實施例之射束基底控制裝置。
    圖36所示的係在圖35之位置(a)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖37所示的係在圖35之位置(b)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖38所示的係在圖35之位置(c)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖39概略地顯示一主脈衝雷射設備的示範性配置，其中，一主振盪器之中的一波卡爾單元與一光學遮光器會共同被用來作為根據第一實施例之射束基底控制裝置。
    圖40概略地顯示一主脈衝雷射設備的示範性配置，其中，一主振盪器包含根據第一實施例的至少兩個半導體雷射。
    圖41所示的係在圖40之位置(a)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖42所示的係在圖40之位置(b)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖43所示的係在圖40之位置(c)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖44所示的係在圖40之位置(d)處的一脈衝雷射射束的波形。
    圖45所示的係根據第二實施例的一射束基底控制器的整體操作的一範例的流程圖。
    圖46所示的係圖45的步驟S505之中的一射束基底控制子標準程序的一範例。
    圖47所示的係在說明圖46中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底比值和轉換效率之間的關係的範例。
    圖48所示的係根據第二實施例的一修正例的一射束基底控制器的整體操作的一範例的流程圖。
    圖49所示的係圖48的步驟S605之中的一射束基底控制子標準程序的一範例。
    圖50所示的係在說明圖49中所示之射束基底控制子標準程序之中所使用到之介於射束基底能量和轉換效率之間的關係的範例。
    圖51所示的係一光學遮光器的一範例，其包含兩個偏振板和一個波卡爾單元。
    圖52所示的係一進入圖51中所示之光學遮光器的脈衝雷射射束的一範例。
    圖53所示的係一被施加至圖51中所示之光學遮光器之中的波卡爾單元的一高電壓脈衝的一範例。
    圖54所示的係當圖53所示的高電壓脈衝被施加至圖51中所示的波卡爾單元時從該光學遮光器處所輸出的一脈衝雷射射束的一範例。
    圖55概略地顯示一光學遮光器的一第一修正例的一示範性配置。
    圖56概略地顯示一光學遮光器的一第二修正例的一示範性配置。
    圖57概略地顯示一光學遮光器的一第三修正例的一示範性配置。
    圖58概略地顯示一光學遮光器的一第四修正例的一示範性配置。
    圖59概略地顯示一飽和吸收器裝置的一示範性配置，其中，一飽和吸收氣體的濃度係可調整的。
    圖60概略地顯示一飽和吸收器裝置的一示範性配置，其中，一穿過飽和吸收氣體的光學路徑長度係可調整的。
    圖61所示的係一被一預脈衝雷射射束照射的目標物。
    圖62所示的係一被一預脈衝雷射射束照射的目標物，該圖係從垂直於該預脈衝雷射射束之行進方向的方向中所看見的結果。
    圖63所示的係一被一主脈衝雷射射束照射的擴散目標物，該擴散目標物係當一目標物被一預脈衝雷射射束照射時所產生，該圖係從垂直於該主脈衝雷射射束之行進方向的方向中所看見的結果。
    圖64所示的係一被一主脈衝雷射射束照射的擴散目標物，該圖係從該主脈衝雷射射束的行進方向中所看見的結果。
    圖65所示的係介於轉換效率和從利用一預脈衝雷射射束來照射一目標物至利用一主脈衝雷射射束來進行照射之延遲時間之間的關係的範例。
    圖66所示的係在一目標物被一具有480mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的0μs處所觀察到的一目標材料的電漿。
    圖67所示的係在一目標物被一具有480mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的0.5μs處所觀察到的一目標材料的擴散目標物與電漿。
    圖68所示的係在一目標物被一具有480mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的1.0μs處所觀察到的一目標材料的擴散目標物與電漿。
    圖69所示的係在一目標物被一具有480mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的1.5μs處所觀察到的一目標材料的擴散目標物與電漿。
    圖70所示的係在一目標物被一具有96mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的0μs處所觀察到的一目標材料的電漿。
    圖71所示的係在一目標物被一具有96mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的0.5μs處所觀察到的一目標材料的擴散目標物與電漿。
    圖72所示的係在一目標物被一具有96mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的1.0μs處所觀察到的一目標材料的擴散目標物與電漿。
    圖73所示的係在一目標物被一具有96mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的1.5μs處所觀察到的一目標材料的擴散目標物與電漿。
    圖74所示的係在一目標物被一具有19.5mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的0μs處所觀察到的一目標材料的電漿。
    圖75所示的係在一目標物被一具有19.5mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的0.5μs處所觀察到的一目標材料的擴散目標物與電漿。
    圖76所示的係在一目標物被一具有19.5mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的1.0μs處所觀察到的一目標材料的擴散目標物與電漿。
    圖77所示的係在一目標物被一具有19.5mJ/cm2之能量密度的預脈衝雷射射束照射之後的1.5μs處所觀察到的一目標材料的擴散目標物與電漿。
    圖78概略地顯示一再生放大器的一示範性配置。
    1‧‧‧LPP類型的EUV光產生設備
    2‧‧‧腔室
    3‧‧‧雷射設備
    4‧‧‧目標物感測器
    5‧‧‧EUV光產生控制器
    6‧‧‧曝光設備
    11‧‧‧EUV光產生系統
    21‧‧‧視窗
    22‧‧‧雷射射束聚焦面鏡
    23‧‧‧EUV收集器面鏡
    24‧‧‧貫穿孔
    25‧‧‧電漿產生區
    251‧‧‧包含EUV光252的光
    252‧‧‧EUV光
    26‧‧‧目標物產生器
    27‧‧‧目標物
    28‧‧‧目標物收集器
    29‧‧‧連接部件
    291‧‧‧壁部
    292‧‧‧中間焦點(IF)區
    31‧‧‧脈衝雷射射束
    34‧‧‧雷射射束方向控制單元
    权利要求:
    Claims (34)
    [1] 一種用以產生極紫外光的系統，其中，在一腔室裡面的目標材料會被一雷射射束照射用以變成電漿，該系統包括：一第一雷射設備，其會被配置成用以輸出一第一雷射射束；一第二雷射設備，其會被配置成用以輸出一射束基底與一第二雷射射束；以及一控制器，其會被連接至該等第一雷射設備與第二雷射設備並且會被配置成用以讓該第一雷射射束最先被輸出，該射束基底會在該第一雷射射束後面被輸出，而能量高於該射束基底的第二雷射射束則會在該射束基底後面被輸出。
    [2] 如申請專利範圍第1項的系統，其進一步包括一射束基底控制裝置，其會被配置成用以控制該射束基底的能量。
    [3] 如申請專利範圍第2項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被配置成用以控制該射束基底和該第二雷射射束之能量的能量比值。
    [4] 如申請專利範圍第2項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被配置成用以控制該射束基底的能量，俾使得該能量比值會落在1%至10%的範圍裡面。
    [5] 如申請專利範圍第2項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被配置成用以控制該射束基底的能量，俾使得該射束基底的能量會落在1mJ至10mJ的範圍裡面。
    [6] 如申請專利範圍第2項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被排列在該第二雷射設備中的一射束路徑之中，並且包含一或多個光學遮光器，該等光學遮光器會被配置成用以根據一外加電壓數值來改變它的透射係數。
    [7] 如申請專利範圍第2項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被排列在該第二雷射設備中的一射束路徑之中，並且包含一或多個飽和吸收器裝置，該等飽和吸收器裝置含有一飽和吸收氣體。
    [8] 如申請專利範圍第6項的系統，其中，該等一或多個光學遮光器包含：一或多個光學元件，它們會被配置成用以根據一外加電壓數值來改變一入射雷射射束的偏振方向；以及一偏振光學元件，其會被配置成用以反射一已透射穿過該等一或多個光學元件的雷射射束的一預設的偏振分量並且透射另一個偏振分量。
    [9] 如申請專利範圍第2項的系統，其進一步包括一波形偵測裝置，其會被配置成用以偵測該射束基底與該第二雷射射束的脈衝波形，其中，該控制器會被配置成用於以被該波形偵測裝置偵測到的該等脈衝波形為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [10] 如申請專利範圍第9項的系統，其中，該控制器會被配置成用以：從被該波形偵測裝置偵測到的該等脈衝波形中來計算該射束基底的能量比值或是能量；以及以該經算出的該射束基底的能量比值或是能量為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [11] 如申請專利範圍第2項的系統，其進一步包括一能量偵測器，其會被配置成用以偵測極紫外光的能量，其中，該控制器會被配置成用於以被該能量偵測器偵測到之極紫外光的能量為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [12] 如申請專利範圍第2項的系統，其進一步包括：一波形偵測裝置，其會被配置成用以偵測該射束基底與該第二雷射射束的脈衝波形；以及一能量偵測器，其會被配置成用以偵測極紫外光的能量，其中，該控制器會被配置成用於：以被該波形偵測裝置偵測到的脈衝波形以及被該能量偵測器偵測到的能量為基礎來計算轉換成該極紫外光的能量轉換效率，以及以該經算出的能量轉換效率為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [13] 如申請專利範圍第12項的系統，其中，該控制器會被配置成用於：從被該波形偵測裝置偵測到的脈衝波形中來計算該射束基底的能量比值或能量，以便控制該射束基底控制裝置；以及計算第一範圍裡面之複數個位置點處對應於該射束基底之能量比值或能量之轉換成該極紫外光的能量轉換效率，於該第一範圍裡面係以該射束基底的能量比值或能量作為參數來控制該射束基底控制裝置俾使得該射束基底的能量比值或能量會落在一第二範圍裡面，其中，該經算出的能量轉換效率在該第二範圍裡面會等於或高於預設的能量轉換效率。
    [14] 一種用以產生極紫外光的方法，其中，在一腔室裡面的目標材料會被一雷射射束照射用以變成電漿，該方法包括：利用一第一雷射射束、一第二雷射射束、以及一能量高於該第二雷射射束的第三雷射射束來照射一目標材料。
    [15] 如申請專利範圍第14項的方法，其進一步包括：偵測該第二雷射射束與該第三雷射射束的脈衝波形；以及以該等已偵測到的脈衝波形為基礎來控制該第二雷射射束的能量。
    [16] 如申請專利範圍第14項的方法，其進一步包括：偵測該極紫外光的能量；以及以該等已偵測到的極紫外光的能量為基礎來控制該第二雷射射束的能量。
    [17] 如申請專利範圍第2項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被配置成用以控制該射束基底和該第二雷射射束之能量的能量比值。
    [18] 如申請專利範圍第3項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被配置成用以控制該射束基底的能量，俾使得該能量比值會落在1%至10%的範圍裡面。
    [19] 如申請專利範圍第3項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被配置成用以控制該射束基底的能量，俾使得該射束基底的能量會落在1mJ至10mJ的範圍裡面。
    [20] 如申請專利範圍第3項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被排列在該第二雷射設備中的一射束路徑之中，並且包含一或多個光學遮光器，該等光學遮光器會被配置成用以根據一外加電壓數值來改變它的透射係數。
    [21] 如申請專利範圍第4項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被排列在該第二雷射設備中的一射束路徑之中，並且包含一或多個光學遮光器，該等光學遮光器會被配置成用以根據一外加電壓數值來改變它的透射係數。
    [22] 如申請專利範圍第5項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被排列在該第二雷射設備中的一射束路徑之中，並且包含一或多個光學遮光器，該等光學遮光器會被配置成用以根據一外加電壓數值來改變它的透射係數。
    [23] 如申請專利範圍第3項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被排列在該第二雷射設備中的一射束路徑之中，並且包含一或多個飽和吸收器裝置，該等飽和吸收器裝置含有一飽和吸收氣體。
    [24] 如申請專利範圍第4項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被排列在該第二雷射設備中的一射束路徑之中，並且包含一或多個飽和吸收器裝置，該等飽和吸收器裝置含有一飽和吸收氣體。
    [25] 如申請專利範圍第5項的系統，其中，該射束基底控制裝置會被排列在該第二雷射設備中的一射束路徑之中，並且包含一或多個飽和吸收器裝置，該等飽和吸收器裝置含有一飽和吸收氣體。
    [26] 如申請專利範圍第3項的系統，其進一步包括一波形偵測裝置，其會被配置成用以偵測該射束基底與該第二雷射射束的脈衝波形，其中，該控制器會被配置成用於以被該波形偵測裝置偵測到的該等脈衝波形為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [27] 如申請專利範圍第4項的系統，其進一步包括一波形偵測裝置，其會被配置成用以偵測該射束基底與該第二雷射射束的脈衝波形，其中，該控制器會被配置成用於以被該波形偵測裝置偵測到的該等脈衝波形為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [28] 如申請專利範圍第5項的系統，其進一步包括一波形偵測裝置，其會被配置成用以偵測該射束基底與該第二雷射射束的脈衝波形，其中，該控制器會被配置成用於以被該波形偵測裝置偵測到的該等脈衝波形為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [29] 如申請專利範圍第3項的系統，其進一步包括一能量偵測器，其會被配置成用以偵測極紫外光的能量，其中，該控制器會被配置成用於以被該能量偵測器偵測到之極紫外光的能量為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [30] 如申請專利範圍第4項的系統，其進一步包括一能量偵測器，其會被配置成用以偵測極紫外光的能量，其中，該控制器會被配置成用於以被該能量偵測器偵測到之極紫外光的能量為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [31] 如申請專利範圍第5項的系統，其進一步包括一能量偵測器，其會被配置成用以偵測極紫外光的能量，其中，該控制器會被配置成用於以被該能量偵測器偵測到之極紫外光的能量為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [32] 如申請專利範圍第3項的系統，其進一步包括：一波形偵測裝置，其會被配置成用以偵測該射束基底與該第二雷射射束的脈衝波形；以及一能量偵測器，其會被配置成用以偵測極紫外光的能量，其中，該控制器會被配置成用於：以被該波形偵測裝置偵測到的脈衝波形以及被該能量偵測器偵測到的能量為基礎來計算轉換成該極紫外光的能量轉換效率，以及以該經算出的能量轉換效率為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [33] 如申請專利範圍第4項的系統，其進一步包括：一波形偵測裝置，其會被配置成用以偵測該射束基底與該第二雷射射束的脈衝波形；以及一能量偵測器，其會被配置成用以偵測極紫外光的能量，其中，該控制器會被配置成用於：以被該波形偵測裝置偵測到的脈衝波形以及被該能量偵測器偵測到的能量為基礎來計算轉換成該極紫外光的能量轉換效率，以及以該經算出的能量轉換效率為基礎來控制該射束基底控制裝置。
    [34] 如申請專利範圍第5項的系統，其進一步包括：一波形偵測裝置，其會被配置成用以偵測該射束基底與該第二雷射射束的脈衝波形；以及一能量偵測器，其會被配置成用以偵測極紫外光的能量，其中，該控制器會被配置成用於：以被該波形偵測裝置偵測到的脈衝波形以及被該能量偵測器偵測到的能量為基礎來計算轉換成該極紫外光的能量轉換效率，以及以該經算出的能量轉換效率為基礎來控制該射束基底控制裝置。
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