台湾专利TW201314833A 基座

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一種基座，包含一第一本體及一第二本體，該第一本體包含複數第一孔洞，該第二本體包含複數第二孔洞。依據一種配置，該第二本體自該第一本體間隔以形成一間距，該間距允許一氣體自第二孔洞通過至第一孔洞。依據此種或另一種配置，該第一本體被可移除地或可旋轉地耦合至該第二本體，或為兩者。該第二本體藉由一第一群或在一第一方向上之旋轉促使至少一第一孔洞與至少一第二孔洞對位。再者，該第二本體藉由一第二群或在一第二方向上之旋轉造成一錯位發生於該等孔洞之間。
公开号:TW201314833A
申请号:TW101130230
申请日:2012-08-21
公开日:2013-04-01
发明作者:Yu-Jin Kang；Young-Su Ku
申请人:Lg Siltron Inc；
IPC主号:F17D3-00

专利说明:
基座
本發明所描述之一個或以上之實施例係關於晶圓製程。
半導體晶圓係利用多種技術而被形成。一種技術係涉及以刀具將一圓柱晶錠(利用丘克拉斯基法(Czochralski method)長晶)切割成薄圓盤形狀，且接著化學性地及機械性地研磨其表面。
具結晶方位排列在利用丘克拉斯基法生長之單晶矽晶圓的表面上之高純度晶層的形成方法係指如一外延生長方法或，更簡潔地，一外延方法。利用此方法形成之一層被稱為一外延層或一磊晶層，且包含一磊晶層之晶圓被稱為一外延晶圓。外延方法之一種類型係藉由一反應器而被執行，該反應器在高溫條件下操作且其包含一基座，該基座上放置一晶圓以生長一磊晶層。
外延方法已被證實具有缺點。例如，n型或p型離子可在基座與拋光晶圓的上表面之間遷移。因此，晶圓的邊緣可能摻雜有離子達到非理想的高濃度。此被稱為自動摻雜。另一缺點係關於無法以一清洗氣體自晶圓完全地移除一自然氧化層。因此，於外延沉積的期間中，反應氣體可能被沉積在晶圓之後表面上，此稱為暈環。
自動摻雜及暈環顯著地降低晶圓品質與相應由該晶圓所製成半導體晶片之等級。
另一缺點係關於在晶片製程的期間中經由加熱源所產生之熱能。此熱能施加熱應力於晶圓上，接著可能導致滑動錯位且增加晶圓後表面之表面粗糙度，兩者可能降級晶圓之奈米品質。此外，密集且受熱應力的區域可能導致缺陷發生於裝置程序中。
基座之另一缺點係關於使用期間中之磨損。更具體地，由於晶圓在加熱程序期間中被放置於一基座上，基座可能因摩擦而磨損。縱使形成於基座上之碳化矽塗覆層的一小部份可能因摩擦而受損，該基座仍應被取代換新。否則，自該基座移除之材料，如石墨，可能導致一外延反應器故障。此增加外延反應器之操作成本。
有鑑於先前技術之晶圓缺陷及基座磨損等問題，本發明之一目的在於揭示一種基座，包含一第一本體及一第二本體，該第一本體包含複數第一孔洞，該第二本體包含複數第二孔洞。依據一種配置，該第二本體自該第一本體間隔以形成一間距，該間距允許一氣體自第二孔洞通過至第一孔洞。依據此種或另一種配置，該第一本體被可移除地或可旋轉地耦合至該第二本體，或為兩者。該第二本體藉由一第一群或在一第一方向上之旋轉促使至少一第一孔洞與至少一第二孔洞對位。再者，該第二本體藉由一第二群或在一第二方向上之旋轉造成一錯位發生於該等孔洞之間。
而依據本發明所描述之一個或以上實施例，自動摻雜及/或暈環可被控制，且熱應力可被抑制。此外，因為僅基座之一部分(一個主體，如，第二本體)可被替換成新的，而未替換整體基座，外延反應器之維護成本可被降低。因此，利用外延反應器而形成的晶圓之成本可較低。
此外，本發明之另一目的在於揭示一種製造半導體裝置的至少一部分之方法，包含：提供一處理設備，其包含一基座；放置一晶圓於該基座之上；及導入一氣體至包含該晶圓及該基座之處理設備之一位置中。
而依據一個或以上之本發明實施例，滑動錯位、邊緣應力、MCLT、自動摻雜及暈環可被控制。此外，外延反應器之操作成本可被降低。自動摻雜或其他非均勻效應可被控制，例如，藉由離子或摻雜物通過第一本體及第二本體中之孔洞以避免，例如，在晶圓之任一區域摻雜過高的濃度。
第1圖表示一外延反應器之第一實施例，該外延反應器包含一個或以上之提升銷1、一提升銷支撐桿2及一板5。該板5被用作裝載一晶圓6至一反應器及自該反應器卸載該晶圓6。當該板被取出時，該提升銷支撐桿2推升該提升銷1以自該晶圓之下表面支撐該晶圓。當複數提升銷被包含時，該提升銷1被彼此間隔分離以提供晶圓之支撐。
該反應器亦包含一基座3。如所示者，該晶圓6被放置於該基座3上。當外延反應器被操作時，該基座3加熱該晶圓6。一基座支撐桿4向上及向下方向移動該基座且自基座下側支撐該基座3。依據第2圖中所示之一實施例，基座3可包含兩部分，即作為一主要框架之一第一本體31及放置於該第一本體31上或上方之一第二本體32。
在操作中，當該板5裝載該晶圓6至該外延反應器中，該提升銷1被向上移動以支撐該晶圓6，接著，板5被移除。之後，該提升銷1被向下移動且該晶圓6被放置在藉由基座支撐桿4所支撐之基座3。接著，包含有一基座加熱程序之一系列程序被執行以生長一單晶層。
第2圖表示在第1圖中基座3之截面圖。如所示者，晶圓6被放置於第二本體32之上方，且第一本體31自第二本體下側支撐該第二本體32。該基座3具有提升銷孔洞以允許提升銷1之垂直移動。該第一本體31可被提供有向下凹陷之一座位部分38，且該第二本體32可被安裝以鄰近該座位部分。第一本體31及第二本體32包含孔洞33及孔洞34以允許氣體移動至其下側。該等孔洞33及孔洞34減少或抑制自動摻雜及暈環。
一固定件可被提供以固定該第二本體32在相對於第一本體31之一預定位置上。該固定件可包含一固定銷35。依據一實施例，該固定銷35被安置於第二本體32之一孔洞與第一本體31之凹口兩者之中，以藉此固定第一本體31與第二本體32之間的相對位置。依據相同或另一實施例，兩個固定銷35可被提供。如第2圖所示，固定銷35可被設置在第二本體32之一邊緣以藉此有利基座3之安裝。
在操作期間中，氣體可以多種方式進入在第二本體32中之孔洞。例如，晶圓6可為薄但並非完全地平坦。在此態樣中，在晶圓上之起伏可產生空間，其可允許處理氣體(如，排放氣體、清洗氣體等)在晶圓之下傳遞以進入第二本體之孔洞。
此外，或替代性地，來自加熱源之熱能可造成晶圓暫時地變形以藉此產生空間，用於允許氣體進入下方第二本體之孔洞。此外，或替代性地，第二本體之上表面可被部分地或整體地彎曲。此將允許空間形成在晶圓之底表面與第二本體之頂表面之間，該空間將允許氣體進入第二本體孔洞。
此外，或替代性地，晶圓6之寬度可不與第二本體之寬度共同延伸。因此，沿著第二本體之圓周邊緣之孔洞可保持未被晶圓覆蓋，藉此允許氣體進入第二本體之孔洞中。
依據一個或以上之實施例，特定的一間距可存在於第一本體31與第二本體32之間。因此，排放至第二本體32之下側的氣體可在第一本體31與第二本體32之間流動。在第一本體31與第二本體32之間流動的氣體可被排放通過該第一本體31。依據一實施例，在第一本體31與第二本體32之間的一間距結構可具有一彎曲表面。在其他實施例中，該間距結構可具有平坦或不同形狀的表面。
第3圖至第6圖表示用於維持基座之第一本體與第二本體之間的特定間距之多種結構的截面圖。參照第3圖，一第一本體41具有一凸頂表面，且一第二本體42具有一凸底表面。該等凸表面彼此面對。藉此一結構，氣體可在第一本體41與第二本體42的彎曲表面之間的空間中流動。
參照第4圖，一第一本體51具有一凹頂表面，且一第二本體52具有一凹底表面，其係面對第一本體之凹表面。藉此結構，氣體可在第一本體51與第二本體52的表面之間的空間中流動。
參照第5圖，一第一本體61具有一平頂表面，且一第二本體62具有一凸底表面，其係面對第一本體之平頂表面。藉此結構，氣體可在第一本體61與第二本體62的相對表面之間的空間中流動。
參照第6圖，一第一本體71具有一平頂表面，且一第二本體72具有一凹底表面，其係面對第一本體之平頂表面。藉此結構，氣體可在第一本體71與第二本體72的相對表面之間的空間中流動。
依據另一實施例，一第二本體可具有一平底表面，且一第一本體可具有一凹或凸頂表面。再者，在此態樣中，反應氣體可在第一本體與第二本體之間的空間中有效地流動，藉此抑制自動摻雜及暈環，且釋放熱應力。
依據任一上述之實施例，在第一本體及第二本體中之孔洞33及孔洞34可具有預定的尺寸。例如，依據一實施例，孔洞33(亦意指為第一孔洞)可具有介於約0.3 mm至約10 mm之尺寸，且孔洞34(亦意指為第二孔洞)可具有介於約0.3 mm至約1.5 mm之尺寸。
若孔洞34係小於孔洞33，來自由孔洞34(在此實施例中其即被設置於晶圓之底表面的下方)直接施加於晶圓的熱應力之損傷可被減低或消除。孔洞尺寸與損傷之間的關係可為成正比，即，當孔洞尺寸減少時，源自熱應力之損傷係減低。
為避免自動摻雜，孔洞33及孔洞34可被設置在一預定區域中。依據一實施例，該預定區域係由晶圓之邊緣向內間隔一特定量(如，約2 mm)之基座3的一部分延伸至基座3之中心或中心區域。
孔洞33及孔洞34設置於其中之區域現將更詳細地被描述。在第一本體中之孔洞33可被設置由該第一本體31之一部分放射地向內間隔自其邊緣約50 mm。依據一實施例，在第二本體中之孔洞34被設置遍佈對應於該第二本體32的整個區域。替代地，孔洞33可被設置由該第一本體31之一部分放射地向內間隔自其邊緣約80 mm，且孔洞34可由該第二本體32之一部分放射地向內間隔自其邊緣約20 mm。依據此配置，第一本體其中孔洞被設置之區域及第二本體其中孔洞被設置之區域可不降級氣體之排放效率。
雖然在上述實施例中第一本體及第二本體中之孔洞33及孔洞34被設置於第一本體31及第二本體32中，但在其他實施例中第一本體31及第二本體32兩者可未具有孔洞。
再者，在任一上述之實施例或該等無孔洞之實施例中，第一本體及第二本體可被形成以使第二本體32可被替換成一新的第二本體32而未取代第一本體31。此可確保優點，例如，當第二本體在使用期間中已經損耗時，但第一本體係仍為良好狀態。形成第一本體及第二本體以使該第二本體係可以此方式被替換以減緩不便及必需替換整體基座之成本。
在無孔洞之實施例中，雖經由在基座中之孔洞排放氣體之能力可能未被達成，但分離地僅替換基座的兩個主體之一者的能力可確保優點。相對於第一本體而移除該第二本體之能力可被達成，例如，藉由利用固定件35，其係可移除以允許在基座中之第二本體的替換。
表1表示基座之不同實施例所可能產生之效果的範例，尤其關於第二本體之配置。

在第1圖至第6圖之實施例中，在第一本體及第二本體中之孔洞33及孔洞34被揭示成垂直地延伸。在其他實施例中，孔洞可以預定的角度在第一本體之一者或兩者中延伸。在此等實施例中之傾斜角度可變動。例如，在第一本體中孔洞之傾斜角度可相同或不同於在第二本體中孔洞之傾斜角度。再者，在某些實施例中，少於在第一本體及/或第二本體中之所有孔洞可被傾斜，而在第一本體及/或第二本體中之其他孔洞可朝向垂直。在上述某些實施例中，第一本體之上表面及第二本體之下表面並未彼此接觸。依據一替代實施例，此等表面可在一點或多點上彼此接觸。例如，第3圖及第5圖之一替代實施例關於第一本體及第二本體彼此接觸在一中心區域，如，第一本體及第二本體之表面觸碰於一點，其實質地對應於該等主體之中心。此觸碰可有效地定義兩個間距或空間，用於允許氣體自第二本體中之孔洞通過至第一本體中之孔洞。
如第4圖及第6圖之另一替代實施例，第一本體及第二本體之各個邊緣可彼此接觸。當以截面表示時，此等邊緣可對應於該等本體之右側及左側。再者，在另一實施例中，該等本體可彼此接觸於位在該等本體中心及末端之間的一或以上其它點。
第7圖表示依據基座之一實施例在第一本體及第二本體中孔洞之傾斜角度的一範例之截面圖。參照第7圖，一第二本體82被放置於一第一本體81之上，且孔洞被設置於第一本體81及第二本體82中。該等孔洞之其中兩者或以上具有不同的傾斜角度，且其他孔洞可為垂直。例如，孔洞A及孔洞a為垂直、孔洞B及孔洞b為陡峭地傾斜而孔洞C及孔洞c為更和緩地傾斜。
因此，在此範例中，第一本體81及第二本體82之孔洞具有多種傾斜角度。再者，第二本體中之一個或以上孔洞可與第一本體中之一個或以上孔洞對位。如第7圖所示，第二本體82之一孔洞(以大寫字母表示)可與第一本體81之一孔洞(以小寫字母表示)，如，孔洞A係實質地與孔洞a對位。其它孔洞(如，具有一非垂直角度者)可被錯位。
為了避免來自到達晶圓6之燈熱經過第二本體82通過第一本體81，在第一本體81及第二本體82中之孔洞，其係以非垂直角度傾斜，可未被對位或可以其他方式位於不同的非對應位置。在其他實施例中，在第一本體中所有的孔洞，包含垂直者，可被錯位或位在相對於第二本體中孔洞之不同位置。
在一替代實施例中，第二本體可被永久地固定至第一本體，且第二本體之孔洞可與第一本體之孔洞錯位。在此態樣中，雖然可能難以替換第二本體，但自動摻雜、暈環及熱應力可被減少或抑制。
基座之孔洞的尺寸、密度及位置可利用程序變數而被控制，而因此，依據任一在此描述之實施例係不限制成數值量。例如，在第二本體32中孔洞之尺寸可大於或相同於第一本體中之孔洞。
依據在此所描述之一個或以上實施例，自動摻雜及/或暈環可被控制，且熱應力可被抑制。此外，因為僅基座之一部分(一個主體，如，第二本體)可被替換成新的，而未替換整體基座，外延反應器之維護成本可被降低。因此，利用外延反應器而形成的晶圓之成本可較低。
在其他實施例中，包含一第一本體及一第二本體之一基座可被用作具有孔洞之多孔性基座及無孔洞之一般基座兩者。
第8圖表示依據一第二實施例之第二本體，且第9圖表示該第二實施例之第一本體的平面圖。參照第8圖及第9圖，一第二本體210包含一座位部分212(晶圓放置於其上)及設置於該座位部分212中之孔洞214。一第一本體220包含一座位凹口222(第二本體210被放置於其中)及在第一本體中之孔洞224(設置於該座位凹口222之底表面中)。該第二本體210經由單旋轉桿可被耦合至該第一本體220，使得第二本體210可被順時針或逆時針旋轉於第一本體220上。該第一本體220可被固定。
第二本體210之孔洞214及第一本體220之孔洞224可被排列成相同或不同的放射形狀。當排列成相同的放射形狀時，孔洞214藉由旋轉第二本體210而可與孔洞224對位。錯位可藉由進一步旋轉該第二本體而被達成。
第10圖表示在第二本體中之具有孔洞之基座被移動且對位於第一本體中之孔洞的圖式。在此等圖中，第二本體210之孔洞214係與第一本體220之孔洞224對位，且基座200係以一多孔性基座之形式被提供。該多孔性基座可藉由順時針或逆時針旋轉第二本體210直到孔洞214與孔洞224對位而被形成。
不似第10圖，第二本體中之孔洞214可與第一本體中之孔洞224部分地對位，或孔洞214與孔洞224可被完全地錯位。若，例如，第一本體中之孔洞相對於第二本體中之孔洞而具有不同之放射形狀或間隔，該等孔洞可被部分地錯位。例如，在該等主體的其中之一者的孔洞之間的角度間隔可為在另一主體的孔洞之間的角度間隔之兩倍。依據此等實施例，孔洞性基座可減少或抑制暈環及自動摻雜，如上所述。
第11圖表示一基座之圖式，該基座中在第二本體中之孔洞被移動且錯位於在第一本體中之孔洞。參照第11圖，第二本體210之孔洞214係與第一本體220之孔洞224錯位。當以此方式導向時，基座200可有效地操作成如無孔洞之基座。此可藉由順時針或逆時針選轉該第二本體210直到第二本體中之孔洞214與第一本體中之孔洞224錯位而被達成。在此態樣中，孔洞214可完全地或實質地與孔洞224錯位。
有效地操作成如無孔洞之基座可控制滑動錯位、邊緣應力及少數載子生命期(MCLT)。尤其，由於雜質可更有效地被排放通過一般基座，MCLT可被更有效地控制。
基座200可藉由更改第二本體210之孔洞214的配置而被多樣地利用。
第12圖表示一結構，其中第二本體僅在其邊緣區域中具有孔洞，且第13圖表示一結構，其中第二本體僅在一中心部分中而非在邊緣具有孔洞。
在第12圖之基座中，在晶圓之邊緣與中心之間的阻力偏差可被降低，考量晶圓之邊緣可有自動摻雜。此外，依據在邊緣之熱輻射及熱應力可在晶圓之邊緣最大化，晶圓之溫度梯度可實質地以放射方向產生。因此，滑動錯位可自晶圓之邊緣擴展至其中心。
在第13圖之基座中，基座之第二本體210僅在其中心部分具有孔洞，藉以避免來自加熱燈之熱能被直接地放射至晶圓之邊緣。
第14圖表示包含於製造半導體裝置之至少一部分的方法中之操作，其中該部分可包含用於該裝置中之一晶圓或基材。該裝置可包含一處理器、記憶體、匯流排結構、光發射器或任一可利用半導體技術製造之裝置。
該方法包含提供一處理設備，該處理設備包含一基座。(方塊601)。該處理設備可為一處理腔室，其導入一排放氣體至晶圓附近以作為製備用於進一步半導體製程之晶圓的用途。
此外，或替代性的，該腔室可導入一清洗氣體以作為在排放及/或另一類型之處理操作被執行之前或之後清洗晶圓的用途。
一第二操作包含放置一晶圓於基座上。(方塊602)。此可被達成，例如，藉由一機器手臂或板將該晶圓放置於基座之上方及/或上。例如，如第2圖所示，該板可將晶圓放置在基座之一凹口中於該等孔洞上方之位置。
一第三操作包含導入一氣體至包含該晶圓及該基座之腔室之一位置中。(方塊603)。該氣體可為，例如，任一上述之氣體或另一氣體，且該基座可具有依據在此所描述之任一實施例的配置。
依據一個或以上之上述實施例，具有雙容量之基座係被提供。當第二本體被旋轉以使第一本體與第二本體中之孔洞錯位時，該基座可操作成如無孔洞之基座。再者，當第二本體被旋轉以對位第一本體與第二本體中之孔洞時，該基座可操作成如具有孔洞之基座。
依據一個或以上之上述實施例，滑動錯位、邊緣應力、MCLT、自動摻雜及暈環可被控制。此外，外延反應器之操作成本可被降低。自動摻雜或其他非均勻效應可被控制，例如，藉由離子或摻雜物通過第一本體及第二本體中之孔洞以避免，例如，在晶圓之任一區域摻雜過高的濃度。
依據一實施例，一基座包含一第一本體及一第二本體，該第一本體包括複數第一孔洞，該第二本體包括複數第二孔洞，其中：該第二本體係自該第一本體被間隔以形成一間距，該間距允許一氣體自第二孔洞通過至第一孔洞，且該第二本體具有一第一表面及在該第一表面與該第一本體之間的一第二表面，其中該等第二孔洞在第二本體之第一表面與第二表面之間延伸。
該等第一孔洞與第二孔洞可被錯位，可為實質地對位或第一孔洞之一第一群可與第二孔洞之一第一群實質的對位且第一孔洞之一第二群可與第二孔洞之一第二群錯位。
該第一本體可具有一第一表面及在該第二本體與該第一本體的第一表面之間的一第二表面，且該等第一孔洞在第一本體之第一表面與第二表面之間延伸。第一本體及第二本體之第二表面可彼此面對，且該等第二表面可具有不同的截面形狀。該等截面形狀可選自由在一凸方向上之直線、曲線及在一凹方向上之曲線所組成之群。
該等第一孔洞及第二孔洞可實質地朝向一垂直方向、該等第一孔洞及第二孔洞可朝向不同角度或第一孔洞或第二孔洞之其中一者被實質地朝向一垂直方向，且第一孔洞或第二孔洞之其中另一者被朝向一個或以上之傾斜角度。
再者，第一孔洞之一第一群及第二孔洞之一第一群可被實質地朝向一第一角度，且第一孔洞之一第二群及第二孔洞之一第二群可被朝向不同於該第一角度的一個或以上之第二角度。該第一角度可為垂直。
再者，第一孔洞之第一群及第二孔洞之第一群可為實質的對位，且其中第一孔洞之第二群及第二孔洞之第二群被錯位。
再者，該第一本體係可移除地耦合至相對的第二本體，且該第一本體可藉由可移除的一緊固件而可移除地耦合至相對的第二本體。該緊固件可沿著重疊於該第一本體的第二本體之一圓周邊緣而被設置。該緊固件可被設置於該第二本體的第二孔洞之至少一者。
再者，該第二本體係可旋轉地耦合至相對的第一本體。藉由一第一群或第一方向，該第一本體或該第二本體之其中一者相對於該第一本體或該第二本體之其中另一者的旋轉造成一個或以上之第一孔洞係與一個或以上之第二孔洞實質的對位，且藉由一第二群或第二方向，該第一本體或該第二本體之其中一者相對於該第一本體或該第二本體之其中另一者的旋轉造成至少一第一孔洞係與所有第二孔洞錯位。該等第一孔洞及第二孔洞可具有不同的尺寸。
依據另一實施例，一種基座，包含一第一本體，具有配置成一第一圖案之複數第一孔洞；及一第二本體，具有配置成一第二圖案之複數第二孔洞，其中：該第二本體相對於該第一本體旋轉，該第二本體藉由一第一群或第一方向之旋轉造成一個或以上之第一孔洞係與一個或以上之第二孔洞實質的對位，且該第二本體藉由一第二群或第二方向之旋轉造成一個或以上之第一孔洞係與一個或以上之第二孔洞錯位。該第一圖案係不同於該第二圖案。
該第一圖案可具有在第一孔洞的相鄰者之間的一第一間隔，且該第二圖案具有在第二孔洞的相鄰者之間的一第二間隔，且其中該第一間隔係不同於該第二間隔。該等第一圖案及第二圖案可為不同於所述第一間隔及第二間隔之圖案的放射狀圖案。
該第一本體之一位置係被固定。再者，該第二本體係可移除地耦合至相對的第一本體。該等第二孔洞可被設置於一第一區域中且無第二孔洞被設置於該第二本體之一第二區域中。再者，該第一區域可為該第二本體的一中心區域或一圓周區域之其中一者，且該第二區域可為該第二本體的中心區域或圓周區域之其中另一者。
依據另一實施例，一種製造半導體裝置的至少一部分之方法，包含：提供一處理設備，其包含一基座；放置一晶圓於該基座之上；及導入一氣體至包含該晶圓及該基座之處理設備之一位置中。
該基座包含：一第一本體，包含複數第一孔洞；及一第二本體，包含複數第二孔洞，其中：該第二本體自該第一本體間隔以形成一間距，該間距允許一氣體自該等第二孔洞通過至該等第一孔洞，且該第二本體具有一第一表面及在該第一表面與該第一本體之間的一第二表面，其中該等第二孔洞在該第二本體之第一表面及該第二表面之間延伸。該半導體裝置之至少一部份可包含一晶圓。該氣體可為一排放氣體或一清洗氣體。
依據另一實施例，一種製造半導體裝置的至少一部份之方法，包含：提供一處理設備，其包含一基座；放置一晶圓於該基座之上；及導入一氣體至包含該晶圓及該基座之處理設備之一位置中。
該基座包含：一第一本體，具配置成一第一圖案之複數第一孔洞；及一第二本體，具有配置成一第二圖案之複數第二孔洞，其中：該第二本體相對於該第一本體旋轉，該第二本體藉由一第一群或第一方向之旋轉造成一個或以上之第一孔洞係與一個或以上之第二孔洞實質的對位，且該第二本體藉由一第二群或第二方向之旋轉造成一個或以上之第一孔洞係與一個或以上之第二孔洞錯位。該半導體裝置之至少一部份可包含一晶圓。該氣體可為一排放氣體或一清洗氣體。
在說明書中任一參照至「一個實施例」、「一實施例」、「範例實施例」等等，意指被描述與該實施例連結之一特定特徵、結構或特性係被包含於本發明之至少一實施例中。此類詞彙在說明書多個位置中之表述係非必然地皆指涉至相同之實施例。此外，當一特定特徵、結構或特性被描述與任一實施例連結時，係表示其落入本發明所屬技術領域中具有通常知識者應用此類特徵、結構或特性以連結於實施例之其他者之範疇。一個實施例之特徵可與一個或以上其它實施例之特徵結合。
雖實施例已被描述成參照多個闡述性實施例，應了解的是，藉由本發明所屬技術領域中具有通常知識者而可思及之多種其他更改及實施例係將落入本發明原理之精神與範疇中。尤其，在主體結合配置之元件部分及/或組態中之多種變換及更改係可能落入說明書、圖式及所附申請專利範圍之範疇中。除在元件部分及/或組態中之變換及更改之外，替代性之利用亦將為本發明所屬技術領域中具有通常知識者所知悉。
1‧‧‧提升銷
2‧‧‧提升銷支撐桿
3‧‧‧基座
31‧‧‧第一本體
32‧‧‧第二本體
33‧‧‧孔洞
34‧‧‧孔洞
35‧‧‧固定銷
38‧‧‧座位部分
4‧‧‧基座支撐桿
41‧‧‧第一本體
42‧‧‧第二本體
5‧‧‧板
51‧‧‧第一本體
52‧‧‧第二本體
6‧‧‧晶圓
61‧‧‧第一本體
62‧‧‧第二本體
71‧‧‧第一本體
72‧‧‧第二本體
81‧‧‧第一本體
82‧‧‧第二本體
200‧‧‧基座
210‧‧‧第二本體
212‧‧‧座位部分
214‧‧‧孔洞
220‧‧‧第一本體
222‧‧‧座位凹口
224‧‧‧孔洞
601~603‧‧‧流程步驟
A‧‧‧孔洞
B‧‧‧孔洞
C‧‧‧孔洞
a‧‧‧孔洞
b‧‧‧孔洞
c‧‧‧孔洞
第1圖表示外延反應器之一實施例。
第2圖表示在第1圖中基座之截面圖。
第3圖至第6圖表示間距如何可被形成於基座的本體之間。
第7圖表示基座之孔洞的傾斜角度之圖。
第8圖表示依據一實施例之第二本體。
第9圖表示依據一實施例之第一本體。
第10圖表示具有第一配置孔洞之基座。
第11圖表示具有第二配置孔洞之基座。
第12圖表示具有在第二本體之邊緣區域中的孔洞之基座。
第13圖表示具有在第二本體之中心部份中的孔洞之基座。
第14圖表示製造半導體裝置之方法。
3‧‧‧基座
31‧‧‧第一本體
32‧‧‧第二本體
33‧‧‧孔洞
34‧‧‧孔洞
35‧‧‧固定銷
38‧‧‧座位部分

权利要求:
Claims (34)
[1] 一種基座，包含：一第一本體，包含複數第一孔洞；及一第二本體，包含複數第二孔洞，其中：該第二本體自該第一本體間隔以形成一間距，該間距允許一氣體自該等第二孔洞通過至該等第一孔洞，且該第二本體具有一第一表面及在該第一表面與該第一本體之間的一第二表面，其中該等第二孔洞在該第二本體之第一表面及第二表面之間延伸。
[2] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該等第一孔洞及該等第二孔洞被錯位。
[3] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該等第一孔洞及該等第二孔洞係為實質的對位。
[4] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中第一孔洞之一第一群係與第二孔洞之一第一群對位，且其中第一孔洞之一第二群係與第二孔洞之一第二群錯位。
[5] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該第一本體具有一第一表面及在該第二本體與該第一本體的第一表面之間的一第二表面，且其中該等第一孔洞在該第一本體之第一表面及第二表面之間延伸。
[6] 如申請專利範圍第5項所述之基座，其中：該等第一本體及第二本體之第二表面彼此面對，且該等第二表面具有不同的截面形狀。
[7] 如申請專利範圍第6項所述之基座，其中該等截面形狀係選自由在一凸方向上之直線、曲線及在一凹方向上之曲線所組成之群。
[8] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該等第一孔洞及第二孔洞被實質地朝向一垂直方向。
[9] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該等第一孔洞及第二孔洞被朝向不同角度。
[10] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中第一孔洞或第二孔洞之其中一者被實質地朝向一垂直方向，且第一孔洞或第二孔洞之其中另一者被朝向一個或以上之傾斜角度。
[11] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中：第一孔洞之一第一群及第二孔洞之一第一群被實質地朝向一第一角度，且第一孔洞之一第二群及第二孔洞之一第二群被朝向不同於該第一角度的一個或以上之第二角度。
[12] 如申請專利範圍第11項所述之基座，其中該第一角度係為垂直。
[13] 如申請專利範圍第11項所述之基座，其中第一孔洞之第一群及第二孔洞之第一群係為實質的對位，且其中第一孔洞之第二群及第二孔洞之第二群被錯位。
[14] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該第一本體係可移除地耦合至相對的第二本體。
[15] 如申請專利範圍第14項所述之基座，其中該第一本體藉由可移除的一緊固件而可移除地耦合至相對的第二本體。
[16] 如申請專利範圍第15項所述之基座，其中該緊固件係沿著重疊於該第一本體的第二本體之一圓周邊緣而被設置。
[17] 如申請專利範圍第15項所述之基座，其中該緊固件被設置於該第二本體的第二孔洞之至少一者。
[18] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該第二本體係可旋轉地耦合至相對的第一本體。
[19] 如申請專利範圍第18項所述之基座，其中：藉由一第一群或第一方向，該第一本體或該第二本體之其中一者相對於該第一本體或該第二本體之其中另一者的旋轉造成一個或以上之第一孔洞係與一個或以上之第二孔洞實質的對位，且藉由一第二群或第二方向，該第一本體或該第二本體之其中一者相對於該第一本體或該第二本體之其中另一者的旋轉造成至少一第一孔洞係與所有第二孔洞錯位。
[20] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該等第一孔洞及第二孔洞具有不同的尺寸。
[21] 一種基座，包含：一第一本體，具有配置成一第一圖案之複數第一孔洞；及一第二本體，具有配置成一第二圖案之複數第二孔洞，其中：該第二本體相對於該第一本體旋轉，該第二本體藉由一第一群或第一方向之旋轉造成一個或以上之第一孔洞係與一個或以上之第二孔洞實質的對位，且該第二本體藉由一第二群或第二方向之旋轉造成一個或以上之第一孔洞係與一個或以上之第二孔洞錯位。
[22] 如申請專利範圍第21項所述之基座，其中該第一圖案係不同於該第二圖案。
[23] 如申請專利範圍第22項所述之基座，其中該第一圖案具有在第一孔洞的相鄰者之間的一第一間隔，且該第二圖案具有在第二孔洞的相鄰者之間的一第二間隔，且其中該第一間隔係不同於該第二間隔。
[24] 如申請專利範圍第23項所述之基座，其中該等第一圖案及第二圖案係兩者為不同於所述第一間隔及第二間隔之圖案的放射狀圖案。
[25] 如申請專利範圍第21項所述之基座，其中該第一本體之一位置係被固定。
[26] 如申請專利範圍第21項所述之基座，其中該第二本體係可移除地耦合至相對的第一本體。
[27] 如申請專利範圍第1項所述之基座，其中該等第二孔洞被設置於一第一區域中且無第二孔洞被設置於該第二本體之一第二區域中。
[28] 如申請專利範圍第27項所述之基座，其中該第一區域係為該第二本體的一中心區域或一圓周區域之其中一者，且該第二區域係為該第二本體的中心區域或圓周區域之其中另一者。
[29] 一種製造半導體裝置的至少一部分之方法，包含：提供一處理設備，其包含一基座；放置一晶圓於該基座之上；及導入一氣體至包含該晶圓及該基座之處理設備之一位置中，其中該基座包含：一第一本體，包含複數第一孔洞；及一第二本體，包含複數第二孔洞，其中：該第二本體自該第一本體間隔以形成一間距，該間距允許一氣體自該等第二孔洞通過至該等第一孔洞，且該第二本體具有一第一表面及在該第一表面與該第一本體之間的一第二表面，其中該等第二孔洞在該第二本體之第一表面及該第二表面之間延伸。
[30] 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該半導體裝置之至少一部份包含一晶圓。
[31] 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該氣體係為一排放氣體或一清洗氣體。
[32] 一種製造半導體裝置的至少一部份之方法，包含：提供一處理設備，其包含一基座；放置一晶圓於該基座之上；及導入一氣體至包含該晶圓及該基座之處理設備之一位置中，其中該基座包含：一第一本體，具配置成一第一圖案之複數第一孔洞；及一第二本體，具有配置成一第二圖案之複數第二孔洞，其中：該第二本體相對於該第一本體旋轉，該第二本體藉由一第一群或第一方向之旋轉造成一個或以上之第一孔洞係與一個或以上之第二孔洞實質的對位，且該第二本體藉由一第二群或第二方向之旋轉造成一個或以上之第一孔洞係與一個或以上之第二孔洞錯位。
[33] 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中該半導體裝置之至少一部份包含一晶圓。
[34] 如申請專利範圍第32項所述之方法，其中該氣體係為一排放氣體或一清洗氣體。

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US9638376B2|2017-05-02|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

US4275282A|1980-03-24|1981-06-23|Rca Corporation|Centering support for a rotatable wafer support susceptor|

US4721462A|1986-10-21|1988-01-26|The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration|Active hold-down for heat treating|

DE3809157A1|1988-03-18|1989-09-28|Schako Metallwarenfabrik|Deckenauslass|

US5698070A|1991-12-13|1997-12-16|Tokyo Electron Limited|Method of etching film formed on semiconductor wafer|

US5310453A|1992-02-13|1994-05-10|Tokyo Electron Yamanashi Limited|Plasma process method using an electrostatic chuck|

US5665167A|1993-02-16|1997-09-09|Tokyo Electron Kabushiki Kaisha|Plasma treatment apparatus having a workpiece-side electrode grounding circuit|

US5542559A|1993-02-16|1996-08-06|Tokyo Electron Kabushiki Kaisha|Plasma treatment apparatus|

US6033480A|1994-02-23|2000-03-07|Applied Materials, Inc.|Wafer edge deposition elimination|

US5522937A|1994-05-03|1996-06-04|Applied Materials, Inc.|Welded susceptor assembly|

US5480678A|1994-11-16|1996-01-02|The B. F. Goodrich Company|Apparatus for use with CVI/CVD processes|

US5558717A|1994-11-30|1996-09-24|Applied Materials|CVD Processing chamber|

US5895530A|1996-02-26|1999-04-20|Applied Materials, Inc.|Method and apparatus for directing fluid through a semiconductor processing chamber|

US5873781A|1996-11-14|1999-02-23|Bally Gaming International, Inc.|Gaming machine having truly random results|

US5849092A|1997-02-25|1998-12-15|Applied Materials, Inc.|Process for chlorine trifluoride chamber cleaning|

JP3758009B2|1998-07-01|2006-03-22|日本エー・エス・エム株式会社|半導体処理用の基板保持装置|

US6063196A|1998-10-30|2000-05-16|Applied Materials, Inc.|Semiconductor processing chamber calibration tool|

US6617553B2|1999-05-19|2003-09-09|Applied Materials, Inc.|Multi-zone resistive heater|

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US6761796B2|2001-04-06|2004-07-13|Axcelis Technologies, Inc.|Method and apparatus for micro-jet enabled, low-energy ion generation transport in plasma processing|

JP2002351082A|2001-05-24|2002-12-04|Adtec Engineeng Co Ltd|露光装置用基板ステージ|

US6962732B2|2001-08-23|2005-11-08|Applied Materials, Inc.|Process for controlling thin film uniformity and products produced thereby|

EP1460679A1|2001-11-30|2004-09-22|Shin-Etsu Handotai Co., Ltd|Susceptor, gaseous phase growing device, device and method for manufacturing epitaxial wafer, and epitaxial wafer|

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