• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統。該系統具有一處理模組機架，其具有複數個處理元件，以處理該基板表面，而不會接觸該基板表面。基板夾具組件具有許多基板夾具，該基板夾具之每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構成固持一基板。該處理模組機架具有對齊部件，其以可重複對齊方式相對於該複數個處理元件中之每一處理元件對齊該基板夾具組件中之每一基板夾具，使該複數個處理元件中之每一處理元件被定位在該等基板之間。
    公开号:TW201314830A
    申请号:TW101119965
    申请日:2012-06-04
    公开日:2013-04-01
    发明作者:Arthur Keigler；Daniel Goodman；David Guarnaccia；Freeman Fisher；Jonathan Haynes；Mehran Asdigha
    申请人:Tel Nexx Inc；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    平行的單一基板處理系統
    此申請案主張來自標題為“基板處理系統”與2011年6月3日提出的美國臨時專利申請案序號第61/493,183號、及標題為“平行單基板處理系統”與2012年1月23日提出的美國臨時專利申請案序號第61/589,697號、及標題為“馬輪固力(MARANGONI)乾燥機設備”與2012年1月24日提出的美國臨時專利申請案序號第61/590,199號之利益及優先權，所有該等申請案係在此中全部以引用的方式併入本文中。
    該示範實施例大致上有關基板處理系統，且更特別有關直立流體平行的單一晶圓處理系統。
    在其他製程之中，流體處理被用作一製造技術，用於薄膜及材料之施加至各種結構及表面、諸如半導體晶圓及矽工件或基板或由其移除。
    於直立定向中之流體處理允許待處理基板之完全浸入及靠近該晶圓的表面之流體的操縱。一問題發生，在此基板於直立定向中之運送及處理需要精確定位，於運送或處理期間具有損害該基板之極小風險。另一問題發生，在此基板由水平定向至直立定向之運送及處理需要高可靠性及高速運送系統。據此，對於用以在直立定向中運送及處理基板之新的及改良的方法及設備有一渴望。
    圖1說明按照所揭示實施例的態樣之平行的單一基板處理系統。雖然所揭示實施例的態樣將參考該圖面被敘述，應了解所揭示實施例的態樣可在很多形式中被具體化。此外，元件或材料之任何合適的尺寸、形狀或型式可被使用。
    現在參考圖1，顯示有一示範平行的單一基板處理系統200之等角視圖。亦參考圖2，顯示有一示範平行的單一基板處理系統200之俯視圖。亦參考圖3，顯示有一示範平行的單一基板處理系統200之俯視圖。亦參考圖4，顯示有一示範平行的單一基板處理系統200之側視圖。基板處理機200可適合用於使用本揭示實施例之製造製程。
    所揭示實施例可被提供於電鍍、清洗或蝕刻系統中，並可與電沈積機、諸如來自馬薩諸塞州比勒瑞卡市之NEXX系統的Stratus結合地使用。於該揭示實施例之另外態樣中，系統200及模組210可與任何合適之基板處理系統結合地被使用。系統200及模組210可併入如在該專利合作條約之下發表及具有2005年5月12日的公告日期之國際申請案WO 2005/042804 A2中所揭示、及如在2005年8月14日發表且標題為“用於流體處理工件之方法及設備”的美國公告第2005/0167275號中所揭示之特色，其二者在此中係全部以引用的方式併入本文中。系統200被顯示為一示範系統。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少模組可被提供，具有不同組構及位置。機器200可具有如在2011年6月3日提出且標題為“基板處理系統”的美國臨時專利申請案第61/493,183中所揭示之特色，其在此中係全部以引用的方式併入本文中。機器200可含有載入口206，諸如被以光阻劑佈圖事先地處理、或以別的方式處理之基板藉由該等載入口插入該系統及由該系統縮回。載入站204可具有一機械人的手臂276，該手臂間接或直接地傳送基板278進入晶圓載入器模組274，在此晶圓載入器模組274可將晶圓載入至夾具270、272。載入器模組274可為具有一梭動機構之批量交換載入器，該梭動機構設有輸入274'、載入/卸載274"、及輸出274'''位置，如將在下面更為詳細地敘述者。於所揭示實施例之另外態樣中，載入器模組274可具有部件，而允許用於轉動夾具270及夾緊與鬆開於平行夾具270或選擇性夾具270的任一者中之一個以上的晶圓。於所揭示實施例之另外態樣中，機械人的手臂276可運送單一晶圓、一批晶圓、或其一組合。於所揭示實施例之另外態樣，超過一個載入器模組274可被平行地提供至載入夾具270、272、或將晶圓載入至不同型式之夾具上，在此夾具270、272可具有不同特色或被使用於不同型式之製程。於所揭示實施例之另外態樣中，載入站204可具有機械人的手臂276，其直接傳送基板278進入基板-夾具270、272，該等基板-夾具接著藉由運送機280於平行地、接連地、或以平行與接連之組合的任一者中被傳送至模組210及處理。於該揭示實施例的一態樣中，運送機280或分開之夾具支撐件可具有特色，而允許晶圓由機器人276直接交遞至夾具270，在此運送機280譬如將具有特色，而允許轉動夾具270及夾緊與鬆開於平行夾具270或選擇性夾具270的任一者中之一個以上的晶圓。雖然一運送機280被顯示，平行或以別的方式操作之更多運送機可被提供。經由範例，基板夾具270、272能以單一晶圓或批量晶圓撓曲部部晶圓固持機件為其特色，如在隨後所揭示實施例中進一步敘述者。於所揭示實施例之另外態樣中，夾具270、272可為如進一步敘述之撓曲部部晶圓固持機件、及如在相對於來自馬薩諸塞州比勒瑞卡市中之NEXX系統的Stratus系統的前述公告中所揭示之晶圓夾具的一組合。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適夾具之組合可被利用在系統200內。處理模組210可具有如在隨後所揭示實施例中進一步敘述之特色，譬如，在此模組210可為適合用於電鍍晶圓、陽極處理晶圓、諸如光阻劑之液體剝除的清洗晶圓、種晶層蝕刻、一般晶圓清洗或以別的方式。於所揭示實施例中，晶圓夾具及該相關之製程設備利用以撓曲部部為基礎之晶圓固持機件來處理直立定向中之晶圓，且藉此利用流體處理用之直立定向的各種態樣，以允許用於該晶圓之完全浸入一液槽，並促進擾動靠近該晶圓的表面之流體，譬如獨自或與各種接近該晶圓表面之噴嘴組合地藉著接近該晶圓表面之剪力板擾動，當晶圓係由被浸入狀態直立地縮回進入周圍大氣之非浸入狀態時，用於在該晶圓表面噴灑液體或氣體、或用於經由該馬輪固力效果乾燥之任一者，或用於經由將諸如清潔之乾燥氮的氣體吹經線性噴嘴或複數個噴嘴朝該晶圓表面來乾燥。所揭示實施例涵括單一晶圓直立處理及批量晶圓直立處理兩者、或單一及批量晶圓直立處理之組合。譬如，單一晶圓夾具可於單一晶圓製程中被處理，且隨後接著集合在一起供一個以上的批量處理。交替地，系統200可具有所有單一或所有批量晶圓處理。於所揭示實施例之另外態樣中，該以撓曲部部為基礎之晶圓夾具可被以任何合適之直立、水平定向、或以別的方式使用於處理中。於單一或批量濕式處理工具之任一者中，如將更為詳細地被敘述，用於晶圓表面相對該流體處理元件的精確位置之製備被進一步揭示，在此該等流體處理元件可為一個以上的擾動槳或構件(例如剪力板擾動構件)、線性流體排出口、線性噴嘴空氣或N2刀、用於晶圓夾具陣列之馬輪固力乾燥線性噴嘴及噴嘴陣列、掃描噴嘴陣列、或其他方面者。控制器220可被設在每一站或模組內，以按順序排好該站或模組內之製程及/或運送機。系統控制器222可被設在該系統200內，以按順序排好該等站或處理模組間之基板，並協調系統作用、諸如主機通信、批載入及卸載或在其他方面者，與那些需要控制該系統200之作用。於所揭示實施例之另外態樣中，處理模組210可包含清洗與電沈積模組之組合。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少合適組合中之更多或較少模組可被以任何合適之組合提供。如此，系統200組構之所有此等變化、另外選擇及修改被包括。
    現在參考圖8，顯示有批量晶圓處理系統或平行的單一基板處理系統240。亦參考圖9，顯示有批量晶圓處理系統或平行的單一基板處理系統240之側視圖。亦參考圖10，顯示有批量晶圓處理系統或平行的單一基板處理系統240的端視圖。於所揭示實施例中，在該工具中可有三層次：(1)運送機256，(2)處理258，及馬輪固力乾燥機260。於所示實施例中，運送機(未示出)可譬如沿著軸線272、274處理在處理模組262、264、266、268、270間之多數個晶圓夾具244、246。於所示實施例中，六個晶圓夾具被顯示在每一陣列244、246中。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適數目之晶圓夾具可被使用於每一陣列中，譬如1、13或任何合適之數目。晶圓夾具之虛擬陣列244可在處理之間藉由該運送機被移動經過該工具。如將在下面相對於圖7所示實施例更為詳細地被敘述，梭動機構可被提供具有一載入/卸載位置250、一輸入位置及/或陣列248、及一輸出位置及/或陣列252。經由範例，待處理之晶圓可譬如由晶圓載具或FOUP被載入陣列248、運輸至載入位置250及傳送至待處理之夾具246。經由另一範例，已被處理之晶圓可在卸載位置250被由夾具246傳送至輸出陣列252及運輸至待卸載之輸出位置252供後處理或將被傳送至晶圓載具或FOUP或其他方面。於所揭示實施例之另外態樣中，單一梭動機構陣列可被使用，以由夾具246承接經處理之晶圓及將未處理之晶圓供給至夾具246，如將被敘述者。雖然於所示實施例中，夾具陣列246被顯示為水平的，於所揭示實施例之另外態樣中，陣列246可為於直立定向中。於所揭示實施例之另外態樣中，陣列246可被由位置250運輸至位置252或由位置248運輸至位置250，用於晶圓之直接傳送至機器人或由機器人傳送晶圓，而沒有使用中介陣列。再者，於所揭示實施例之另外態樣中，分開之載入及卸載站可被提供，譬如，與與輸入及輸出站248、252一致或與該處理模組一致。再者，於所揭示實施例之另外態樣中，用於載入及/卸載，該晶圓夾具可被插入一載入站，其將該整個陣列旋轉90度，以允許水平之晶圓傳送。在此，載入站250可被提供，以降下該晶圓夾具246刃片離開進入一可旋轉90度之吊架，以水平地呈現該等晶圓，且提供一簡單之凸輪傳動致動，以撬開該等撓曲部部而允許晶圓傳送。小的第二動作可被要求，以補償上及下晶圓接觸表面間之動作中的差異。於所揭示實施例中，該運送機可承載一陣列之晶圓夾具，而不會將該陣列裝入任何種類之“卡匣”，且代替地僅只處理該晶圓夾具當作一刃片，其每次被形成為一陣列，它們之多數個係藉由該運送機所拾取。相對於處理模組262-268，該流體線於該隨後步驟、譬如溶劑洗滌及DIW洗滌中之高度可為較高的，使於該最後之洗滌及乾燥步驟期間，該液位係高於該晶圓夾具之頂部。如將在下面被更為詳細地敘述及顯示，該晶圓夾具上之有角度的表面可被提供，以使將以別的方式發生在水平表面上之捕捉減至最小流體，並允許該晶圓夾具之完成洗滌。於該揭示實施例中，系統240可具有一運送機，該運送機設有晶圓夾具握爪，該握爪可偶而拾取及釋放6晶圓夾具之陣列。於所揭示實施例之另外態樣中，該系統可為能建構的，以於不同處理模組中處理夾具之陣列，該陣列具有更多或較少之基板或具有不同數目的夾具。再者及如將更為詳細地被敘述，馬輪固力乾燥機模組290及剪力板擾動流體模組262-268可被提供，其承接多數個晶圓夾具。於所揭示實施例中，六個單側晶圓夾具可在約1"至1.5"間距被隔開或以別的方式組成陣列244。用於馬輪固力乾燥製程及確實避免DFR微粒再次沈積於該晶圓背部上，該等個別之晶圓夾具譬如允許接近至晶圓的後表面。該系統240之潛在應用可被以於水平或直立平面中之批量載入、於水平或直立平面中之單一晶圓載入、或具有製程及/或夾具型式之任何合適組合的單一及/或批量載入之組合的任一者具體化。於所揭示實施例中，示範系統規劃被顯示用於批量或平行的單一基板處理、譬如用於去光阻劑。在此，用於直立晶圓流體處理工具之實施例的一範例係乾燥薄膜光阻劑之批量移除。經由範例，模組262-268、290可為批量剪力板攪動預先浸泡槽、批量剪力板擾動抗蝕劑分解槽、批量剪力板擾動IPA清潔槽及/或批量馬輪固力IPA乾燥機槽290、或一個以上的處理模組之任何另一合適組合的一個以上。如所示，有4或5個處理站，在此該最後DI水洗滌可被結合進入該馬輪固力乾燥機290之處理站。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少模組可被加入，以消除該處理中之任何瓶頸，在此不同步驟亦可具有相同或不同的被獨自使用之批量尺寸或與其他批量尺寸組合。據此，所揭示實施例係意欲包括所有此等組合。
    現在參考圖7，顯示有一示範平行的單一晶圓處理系統300之俯視圖。亦參考圖5，顯示有一批量平行的單一晶圓處理系統300之局部等角視圖。亦參考圖6，顯示有一平行的單一晶圓處理系統300之局部側視圖。於該實施例中，系統300具有晶圓運送部份304、批量載入及卸載部份306、處理部份308、及儲存或動力分配部份302。在此，基板運送機系統於處理模組340、342、346、344及載具312之間運送基板。在此，及如將被更為詳細地敘述，系統300具有一陣列之晶圓夾具，該陣列之晶圓夾具具有個別之夾具，其可移動及可相對於該陣列夾具中之其他夾具獨立地定位。運送機326被設計成適於由處理模組340、342至一載入器324運送該陣列夾具當作一單元，在此載入器324被設計成適於由該陣列夾具卸載基板，及於一快速之調換操作中將新的晶圓載入至該陣列夾具。基板運送機器人314於該載入器324及該等載具312之間運送該等基板。晶圓310可由轂罩門開啟機構312藉由機器人314被運送至輸入梭動機構陣列322或輸出梭動機構陣列320或由輸入梭動機構陣列322或輸出梭動機構陣列320運送。機器人314可具有譬如單一支臂及末端作用器或二支臂及/或二末端作用器，以同時地載入輸入晶圓及移除輸出晶圓。載入器及卸載器306具有梭動機構，其可由輸入位置332至載入位置330選擇性地定位輸入梭動機構陣列322。載入器及卸載器306具有梭動機構，其可由輸出位置334至卸載位置330選擇性地定位輸出梭動機構陣列320。如將在下面更為詳細地敘述者，在載入及/或卸載位置330，運送機326可將晶圓夾具陣列324運送至載入及/或卸載位置330，以由輸入梭動機構陣列322至晶圓夾具陣列324載入一批待處理之晶圓，或由晶圓夾具陣列324至輸出梭動機構陣列320卸載一批已被處理的晶圓。一個以上的梭動機構陣列320、322可被提供，在此梭動機構陣列320、322可具有與晶圓夾具陣列324相同數目之夾具位置，或交替地可具有更多位置，如將在下面被更為詳細地敘述者，譬如，在此梭動機構陣列320係能夠同時地固持一批輸入及輸出晶圓兩者，用於與晶圓夾具陣列324快速調換。於所揭示實施例之另外態樣中，梭動機構306可不被設有梭動機構陣列，譬如，在此晶圓夾具陣列324係藉由梭動機構306運送至位置330、332、334或在其他方面，在此梭動機構可具有重新定向及/或致動夾具324之構件的能力，並促進晶圓於機器人314及晶圓夾具陣列324間之直接運送。於所揭示實施例之另外態樣中，額外及/或分開之載入及卸載位置可被提供，且更多或較少的輸入及/或輸出位置可被提供。譬如，單一位置或梭動機構陣列可被使用於輸入及輸出、或分開之載入及卸載位置可被提供。該梭動機構可譬如具有單一梭動機構軸線或多數軸線，以獨立地定位一個以上的梭動機構陣列。批量陣列可被採用於該揭示實施例中，以能夠更快地傳送，譬如，每小時250塊晶圓之機械產量，譬如，其可被使用於前端清潔、去除清潔或在其他方面者，並提供改良之工具規劃及進出。於所示實施例中，側面安裝式運送機機器人326被顯示，譬如具有較低地安裝在工具300的側面上之主要軸承及自動機械。使用梭動機構320、322，系統300利用直立晶圓傳送，允許藉由晶圓機器人314用於梭動機構320、322之預先載入或後來卸載，在此機器人314可具有仰轉手腕，以致傳送至梭動機構陣列320、322可為在直立定向中完成。在此，13塊晶圓的一批晶圓夾具324可被交換，譬如，於30中在運送機326及梭動機構320、322之間由運送機326致動斷開該前端晶圓機器人314。再者及如將被更為詳細地敘述者，用於槽自動化之懸臂式結構被顯示用於剪力板模組340、342及344與馬輪固力模組346。系統300被顯示具有一寬廣之工具結構，涵括4個FOUP前端304及允許用於該直立傳送載入器330及該側面機器人326兩者。該晶圓平面被顯示為平行於經過該工具的移動之Y軸。經加熱之蓋件可被提供接近該晶圓區段上，且在該晶圓夾具的把手區段之下，於晶圓夾具陣列被插入處理槽之後，藉此避免該晶圓夾具橫樑上之熱剝離液的凝結或其他化學現象。如將被敘述者，批量馬輪固力乾燥346可具有被同時地平衡之13個新月形介面。於所示實施例中，具有平行於晶圓表面之行進方向(Y方向)的13個元件晶圓夾具批量被顯示。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適數目之晶圓或元件或行進之定向可被提供。於圖5及圖6中，二晶圓夾具批量被顯示，一批量在該載入器330中之處理位置324'中，且一批量於該運送位置324中，在此326於該二位置之間以及於該y軸方向中運送該晶圓夾具陣列。馬輪固力乾燥機模組346被顯示為較高的，且可具有一整合式舉起。該晶圓夾具陣列批量324係藉由運送機326所存放進入之載入站330係使得該晶圓夾具批量324被載入器330固持在固定位置中，在此運送機326可釋放晶圓夾具陣列324及移離至另一活動。約20"之Z動作或在其他方面者可藉由運送機326所要求。於所揭示實施例之另外態樣中，運送機326可另具有x軸或一個以上的合適之轉軸，以於任何合適之定向中選擇性定位晶圓夾具陣列324，譬如，在此更多或更少之載入站或處理或後處理模組可被提供於不同位置或在其他方面。致動裝置可被設在載入站330上，其推開晶圓夾具324的支腳，以釋放該等晶圓。X動作梭動機構可被提供，其具有用於輸入晶圓322及輸出晶圓320之位置，譬如，用於該晶圓夾具批量中之每一晶圓的三個位置。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適數目之可選擇位置可被設在相同或不同動作軸線上之一個以上的獨立梭動機構上。經由範例，用於該晶圓夾具批量324中之1.5"間距，這指示一可選擇之間距，譬如，該梭動機構上之0.5"間距，使得該梭動機構移動+/-X達約0.5"，如將被敘述者。梭動機構陣列322、320上之頂部突指及底部吊架的致動裝置可為設在該梭動機構上，使得這些晶圓接觸元件可由該中心晶圓邊緣徑向地往外移動譬如達2-3毫米，藉此允許該梭動機構於X方向中(亦即垂直於該晶圓表面)移動，而不會接觸藉由晶圓夾具批量324中之晶圓夾具固持在中心的晶圓。經由範例，用於13個位置之梭動機構晶圓夾具批量320、322，這總計2x2x13=52個致動器，很可能為電磁開關，其可成對地移動至與該機器人314末端作用器交換晶圓、或所有52個致動器同時與該載入器330晶圓夾具批量組件324嚙合之任一者。在此，該梭動機構需要最小之動作，譬如，用於1.5"間距晶圓夾具批量僅只約+/-0.5"。再者，以該末端作用器的中心傳送避免該晶圓由該晶圓夾具“掉入”該梭動機構吊架的風險；代替地，該晶圓同時藉由該末端作用器及該梭動機構兩者在其任一者放開之前被夾緊。在此，2-3毫米之“掉落”可被提供。於單一梭動機構被提供之案例中，當該批量傳送被做成時，機器人314將被閒置。相反地，當使用二梭動機構時，如在圖8所視，機器人314能以該另一梭動機構持續載入/卸載。在此，經由範例，藉由該第二梭動機構所提供之增益用於較小批量晶圓夾具陣列尺寸可為較大的。
    現在參考圖11，顯示有示範平行的單一基板處理系統200之局部等角視圖。亦參考圖12A，顯示有示範平行的單一基板處理系統200之局部正面圖。參考圖12B，顯示有示範平行的單一基板處理系統200之局部後視圖。亦參考圖12C，顯示有示範平行的單一基板處理系統200之局部側視圖。參考圖12D，顯示有示範平行的單一基板處理系統200之局部側視圖。於所揭示實施例中，系統200可具有處理側面346及緩衝側面。在此，譬如，處理側面346被顯示具有處理模組210及馬輪固力乾燥機模組290，而緩衝側面348被顯示具有緩衝站350、352、354、358、360'。於所揭示實施例之另外態樣中，側面346、348可包含所有處理模組或處理模組、緩衝模組或其他方面者之任何組合，並可被建構成具有處理模組、緩衝模組或其他方面者之任何組合。在此，運送機280可被建構成移動一個以上的夾具陣列359至側面346或348上之任何合適位置，並可被以X軸或轉軸T或任何合適之軸線建構，以由側面346至側面348或任何合適之處理位置、緩衝位置、或其他方面者移動夾具359之陣列。
    現在參考圖13，顯示有單一晶圓夾具360。夾具360被顯示為具有把手區段362及晶圓區段364。把手區段362具有耦接晶圓區段364的左及右撓曲部368、370之橫桿366。左突指372及374被顯示為耦接至左撓曲部368。右突指376、378被顯示為耦接至右撓曲部370。亦參考圖15A，晶圓380被顯示在中心，使撓曲部368、370關閉及夾持以突指372、374、376、378所捕捉之晶圓380。亦參考圖15B，顯示有晶圓夾具360，使晶圓380仍然在中心及使撓曲部368、370打開382譬如.070"或其他方面。亦參考圖15C，顯示有晶圓夾具360，使晶圓380下移譬如.180"或其他方面，並此撓曲部368、370打開382譬如.070"或其他方面。在此，撓曲部368、370被顯示為打開382，使晶圓380譬如相對晶圓夾具360下移384，以便允許垂直於該晶圓表面平移，使該等晶圓夾具頂部突指接觸件372、376具有足夠之間隙。於所揭示實施例之另外態樣中，該晶圓不須下移，以清除該等接觸件。在此，該晶圓夾具陣列之支撐件可為能夠於Z及X兩者中相對該等晶圓的支撐件移動(在此X係垂直該晶圓表面)。該撓曲晶圓夾具之頂部至底部的不對稱相對於載入/卸載之打開位置係亦於該載入器中相當輕易地克服，並獲得該系統的剩餘部分中之晶圓夾具陣列的簡單性及硬度。亦參考圖15D，晶圓380係被顯示以撓曲部368、370位在中心，但垂直於該視圖偏置，使得該等突指不會捕捉晶圓380。在此，撓曲部368、370係於一鬆弛狀態中及在晶圓380的邊緣內側關閉，使晶圓380不被以突指372、374、376、378捕捉。該撓曲機架可由諸如不銹鋼SS316、PEEK之材料或任何合適的材料所製成。在此，以撓曲部為基礎之動作可被用來載入及夾緊晶圓，當作一用於相對該晶圓夾具於其偏折狀態中顯示晶圓位置的組件。圖15A圖像顯示於一晶圓固持狀態中之樑，反之圖15B顯示譬如2.5"長或其他方面撓曲部之0.070"示範偏折，其可為足以清除用於該上接觸塊體的捕捉邊緣及造成該晶圓掉出該下接觸塊體。此型式之致動裝置可需要(1)該載入站，以於打開該撓曲部/接觸塊體組件之前對該晶圓提供支撐或(2)該下接觸塊體在晶圓的後側面上具有更寬闊的表面，以當該撓曲部被偏折打開時支撐該晶圓之任一者。於基板之表面的直立流體處理期間，撓曲晶圓固持機件或晶圓夾具360固持及夾持基板380，在此夾具360具有一機架，該機架設有一支撐構件355及設有第一支腳368與第二支腳370，該等支腳耦接至機架366，且分別由具有第一柔順撓曲部384及第二柔順撓曲部386之支撐構件懸垂。在此，第一及第二柔順撓曲部被建構，以致該等支腳之至少一者係可相對另一者移動。第一支腳368被顯示為具有第一接觸突指或構件372、374，其被顯示為嚙合基板380之第一邊緣388。第二支腳370被顯示為具有第二接觸突指或構件376、378，其被設計成適於嚙合基板552之第二邊緣390，以致基板380被該等支腳所支撐。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少接觸突指可被提供，譬如在一支腳上之單一接觸突指及在該相向支腳上之多數接觸突指。於該第一及第二柔順撓曲部之偏折時，該第一及第二支腳係可於大體上相反之方向中移動，使該第一及第二接觸突指由基板380之第一及第二邊緣脫離。在此，於該第一及第二柔順撓曲部之偏折時，第一及第二支腳間之相對移動實現該第一及第二接觸構件與該基板之第一及第二邊緣的嚙合、和該第一及第二接觸構件由該基板之第一及第二邊緣的脫離。於該實施例中，該撓曲晶圓固持機件在晶圓380的周邊上之數點處接觸該晶圓380，使得該固持力可為故障自趨安全、簡單及小巧的。在此，故障自趨安全可意指360之運送遍及一自動系統，具有掉落或損壞晶圓或基板380之極小風險。在此，簡單可意指該基板嚙合機件之簡單性以及能夠讓複數個晶圓夾具集合成一批量、譬如六個或其他方面的晶圓夾具批量之能力，以經過該處理工具提供較高的晶圓產量。在此，小巧可意指能夠使各種流體處理機件很接近地抵達該晶圓表面，而不會被該晶圓固持機件所阻礙，譬如能夠使剪力板擾動機件在由該晶圓表面隔0.5毫米的距離處、或交替地任何另一合適之機件、距離或其他方面工作。基板夾具550可譬如會同任何合適之流體處理機件被使用，並可包含流體噴嘴陣列、氮氣刀及馬輪固力乾燥噴嘴組件或其他方面者。於所揭示實施例中，撓曲晶圓夾具360可被用來提供該晶圓相對這些流體、或氣體、處理元件之精確位置及移動，同時充份利用直立定向，以提供有利之流體流動。如此，用於該晶圓夾具之名稱為一精確對齊載具(PAC)晶圓夾具。於該實施例中，該等接觸突指可為不對稱的，以致流體處理元件可被定位成比該後側較靠近晶圓380的前表面，譬如在該晶圓的前表面之0.5毫米或其他方面。於所示實施例中，晶圓夾具支腳368、370可離該把手368或橫桿提供某一分開距離，以致該晶圓380可被浸入液槽，而不會弄濕該把手。支腳368、370可被打開及關閉，以允許晶圓之插入及移除，如在下面所更詳細地涵蓋者。載入致動機件(未示出)分開支腳368、370，譬如藉由推抵靠著每一支腳的下部之內表面，以張開該等支腳遠離該晶圓夾具中線，使得將該支腳連接至該把手之撓曲部384、386係充分地偏折，以允許該晶圓380移出該等接觸突指表面。當該等晶圓夾具支腳係於關閉位置中時，如圖15A所示，該等四個接觸突指372、374、376、378界定一圓，其係大約與該晶圓相同直徑，且此圓可被考慮為界定該晶圓夾具之額定中心點基準，該晶圓中心係當該晶圓被晶圓夾具360所捕捉時與該基準對齊。當該晶圓夾具支腳被偏折時，該四個接觸突指界定第二圓，其可為大於該晶圓的直徑數毫米或其他方面，且用於此，，由於該撓曲支腳組合之偏折此第二圓的中心可被位移數毫米遠離基準中心；如果該晶圓被平移，使得其中心與該第二圓的中心對齊，該晶圓380可被舉出該等接觸突指，並由該晶圓夾具360移除。於所揭示實施例之另外態樣中，該晶圓夾具之撓曲設計可為使得該第一及第二圓中線可為大體上相同的，使得於插入夾具360或由夾具360引出期間，該晶圓引出不會採用晶圓及夾具間之相對平移。該揭示實施例的一態樣係該等接觸突指上之晶圓捕捉表面的詳細形狀，及該晶圓於載入及卸載期間的動作能夠讓該固持機件很牢固且對該晶圓表面又具有最小之接觸及造成最小之滴液或其他不想要的流體處理人工製品之方式，如在下面於水平定向中相對於傳送該晶圓進入該晶圓夾具所更詳細地敘述者，由此點，具有晶圓之晶圓夾具被旋轉進入一供處理之直立定向。另一實施例使用類似原理，以允許於直立定向中將該晶圓傳送進入該晶圓夾具。於所示實施例中及以此型式之致動裝置，載入站可被使用於在打開該撓曲部/接觸塊體組件之前對該晶圓提供支撐，或交替地當該撓曲部被偏折打開時，該等下接觸塊體374、378可為比圖14所示者、譬如在該晶圓380的後側面上設有更寬廣表面以支撐件該表面的任一者。如圖15C所視，藉由直立地偏置該晶圓380譬如達0.180吋，大約將其定心在該接觸塊體之開口中(當該等撓曲部被偏折達0.070吋或其他方面時)，該晶圓現在至該捕捉區段具有譬如，0.11"間隙，且仍然係在該後支撐表面之上。於載入站中之此動作可為如下：1.使用運送機280直立地插入WH陣列360。2.將吊架旋轉至離開垂線10度，以致晶圓係藉由重力偏向抵靠著該接觸塊體的後表面。3.施加10Nts之力，以彎曲該WH之撓曲支腳(亦即部分地打開它們)，這將造成晶圓於Z中往下滑動達0.18"，同時藉由該等下接觸塊體所停止，且向後傾斜抵靠著該等上接觸塊體的後面。4.向上移動一載入站直立舉起元件達0.2"，以於Z方向中支撐晶圓(這僅只是一對平行於晶圓軸線以接觸在該晶圓邊緣上之棒件，而不遮掩該EE插入)，在此點，該晶圓在該頂部微弱地被限制於Z中，故某一超程將被容忍。5.施加20Nts之力，以彎曲撓曲支腳至打開位置，這可為晶圓提供2.5毫米間隙至該等接觸塊體前面捕捉邊緣之每一者，以致晶圓360具有沿著其軸線舉出之適當間隙。6.將吊架旋轉至水平面；晶圓被微弱地限制免於在Z方向中藉由該等接觸塊體之傾斜表面向上移動。7.使用簡單之EE獲得及實現動作，以拾取被完成之晶圓及以新的晶圓替換。如將被敘述，於所揭示實施例之另外態樣中，該載入站能包含交錯之台架組，在晶圓周邊具有3點接觸，其在該WH陣列被直立地插入及旋轉至水平面之後舉起晶圓，使得該晶圓當撓曲部被打開時掉落至該等接觸點上；當撓曲部關閉時，接觸塊體之有角度的背部表面舉起晶圓進入該晶圓夾具550之抓住表面。於圖14中，顯示有下接觸塊體378之視圖，該塊體378具有一接觸基板380的外周圍邊緣390之邊緣晶圓支撐表面550。下接觸塊體378另具有在基板380的表面上之外周圍邊緣接觸第一表面380'的第一支撐部份552。下接觸塊體378另具有在基板380的表面上之外周圍邊緣接觸相向於該第一表面之第二表面380"的第二支撐部份554。當升高離開處理模組、譬如馬輪固力或剪力板擾動模組的其中一者時，晶圓接觸部件378被顯示為設計成不截留流體，在此被截留在該晶圓及該接觸件之間的任何液體能夠於乾燥之後再沈積至該晶圓上，造成水斑。在此，該晶圓的兩側可被隔開553、555超過一毛細管長度(2毫米)，以致地心引力超過該表面接觸力，且該流體回頭滴入該浴槽，而非以該升高之PAC停留。PAC晶圓接觸件、譬如接觸突指372、374、376、378可為由足夠硬而於與該堅銳邊緣斜角接觸時不磨損、但足夠柔軟而不會磨損該矽晶圓的材料所構成，藉此防止微粒產生。一示範材料係PEEK或任何合適之替換物。以此方式，每一突指372、374、376、378組合地夾持基板380。於所揭示實施例之另外態樣中，該等突指可譬如相對於晶圓380的表面具有部件、諸如有角度的部份，使得當於一打開位置中支撐該晶圓時，僅只該晶圓的外底部或後面邊緣接觸該表面，使得當夾具360係打開時，晶圓可藉由夾具360被支撐於水平定向中。於所揭示實施例之另外態樣中，錐形表面可被提供及相對於晶圓380的表面為有角度的，並可接觸該晶圓的外邊緣，譬如，於一翹曲晶圓之夾緊及捕捉中或其他方面。部份552、554之長度及尺寸可被減至最小，以使與晶圓380的正面之流體處理的相互作用減至最小。於所揭示實施例之另外態樣中，半徑鼻部可另被提供，以防止晶圓掛吊或其他方面。交替地，任何合適之接觸塊體幾何形狀可被獨自或於任何合適之組合中應用。如圖13所視，接觸塊體或突指378可為一可移除之接觸塊體。在此，二個3毫米或其他合適之栓銷可定位該接觸塊體，且多餘M2.5毫米扁頭螺絲556、558或其他合適之緊固件可將塊體378固持在適當位置中。於該等附接表面的水噴射切割及銑切之前，撓曲部370之機架可被由316不銹鋼切割且退火及機械打磨平坦及平行的。交替地，任何合適之材料或裝配技術可被使用。以撓曲部為基礎之夾具360的支腳368、370可為充分寬廣，以譬如提供充分遠離該晶圓或製程化學之引入及輪滾動表面。組件360之質量可為2.3磅或其他方面，並可被減至最小，使重心靠近晶圓380的頂部。在此，錐形表面560、562、564可被提供，且譬如被顯示在夾具368、370支腳的下端(前面、後面、側面)上，以促進晶圓夾具360之對齊，以導引流體處理模組中之部件，如將在下面被更為詳細地敘述及顯示者。於所揭示實施例中，夾具360提供用於對齊晶圓之結構，以處理流體元件。為能夠有平行的單一晶圓處理，晶圓夾具可完成數個功能：故障自趨安全相對於處理模組中之參考表面精確地固持晶圓；能夠載入及卸載晶圓；能夠與位於多數個處理模組中之充分高精確度平行地運送一陣列之WH's；及具有最小滴液之直立處理。同時之雙重晶圓尺寸、譬如300毫米及200毫米可藉由在該晶圓夾具之底部(亦即200毫米與300毫米之底部邊緣係相切)定位該200毫米晶圓被提供，以致用於200毫米之載入器機件不會妨礙200毫米之載入器機件，用於打開該晶圓夾具之動作距離對於300毫米及200毫米載入器可為不同的。同理，該300毫米及200毫米夾具的外側尺寸可為完全相同，故相同之剪力板或其他處理嵌套可被使用於200及300毫米夾具。於所示實施例中，軟墊接觸件可被提供及可為設有額外之部件、譬如第三邊緣夾緊部，或增加該捕捉緊度，以包含撓性或易碎的晶圓或基板。於圖14所示實施例中，夾具360採用進入不同元件之分開的徑向及軸向晶圓接觸表面，而非使用提供對齊之部件的一組合之“V形溝槽”型式，如在下面更為詳細地討論者，及支撐部件之能力，諸如晶圓邊緣清潔或其他方面。如將被敘述，全氟化橡膠墊可被使用於晶圓徑向接觸件，避免高點接觸力及來自磨耗之相關微粒產生；在此矽/玻璃黏合晶圓或其他易碎的基板之安全處理可被提供。在此，該橡膠墊可被模製至該等接觸突指上。在310毫米或其他適當寬廣之行進區566的外側用於該馬輪固力噴嘴或其他處理元件所需的具有附接部件之薄的、大約2-3毫米或其他合適尺寸設計之突指元件372、374、376、378可被提供，藉此允許該線性馬輪固力或其他噴嘴之較接近的均勻趨近。軸向限制部件可被直接地機器加工成這些零件，以便避免一接合點，其係一滴液形成機會，且多半可能增加厚度及妨礙馬輪固力噴嘴或其他處理元件。夾具360可為由多數被刺穿之配件所製成，及/或熱收縮裝配在一起，或另一合適之製造技術可被提供。於所示實施例中，為該頂部372、376及底部374、378突指提供不同幾何形狀，以致滴液係藉由重力往下拉離該晶圓380。於所示實施例中，側面撓曲支腳368、370可為與頂部橫桿368分開之元件。亦參考圖16A，顯示有突指378'。突指378'具有支撐該徑向負載之橡膠墊570，在此不銹鋼具有一軸向地(亦即進/出該頁面)限制該晶圓位置的凹槽572。晶圓380被顯示為具有抗蝕劑574，並設有2毫米之邊緣除外部576。在此，突指378'被顯示為停留在該邊緣除外區內的下或底部突指。亦參考圖16B，顯示有突指376'。頂部接觸突指376'被顯示為具有不同幾何形狀578，其允許流體滴液往下流動遠離晶圓380。在該晶圓之最小突指截面接觸面積使藉由表面張力所保持之流體的體積減至最小。於所示實施例中，在該SS或PEEK突指元件中之晶圓厚度方向中有一間隙，在此該間隙可為緊到足以避免該晶圓由於動作、譬如剪力板擾動構件所造成之流體動作的嘎嘎地行進。引入可被提供於部份該等接觸突指中，譬如，減少至約1/2毫米，其可能藉由使用該交換載入器機件所容忍，在此該晶圓可藉由該載入器握爪被精確地定位，使得該等間隙不需要被折返進入晶圓夾具360，藉此允許該等處理元件、譬如剪力板及馬輪固力處理元件或其他方面之較接近的鄰近度。
    現在參考圖17，顯示有一陣列之晶圓夾具586。亦參考圖18A，顯示有晶圓夾具360之局部視圖。亦參考圖18B，顯示有晶圓夾具360之局部視圖。個別晶圓夾具360未彼此附接以形成一“批量”586，代替地，它們藉由該運送機之致動被暫時地形成為一“批量”，該運送機於該工具中由一處理站至下一處理站舉起、運送、及存放晶圓夾具586的一“虛擬陣列”586。晶圓夾具360上之許多部件能夠當作一虛擬陣列586適當的運送及精確對齊個別晶圓與模組內之處理元件。在此，該運送機於Z中舉起及支撐該陣列586。於運送期間，於Y(平行於晶圓表面)中加速，由於重心與該舉起表面之偏置，故結果之主要扭矩係很穩定的，該偏置譬如達15"或該晶圓夾具360之另一合適寬度588。於運送期間，尤其舉起及下降，扭矩590需要為穩定的，且有極小之槓桿作用來如此做，因為晶圓夾具陣列間距592係1.5"或其他方面。如此，部件594可被設在每一夾具360上，其使用此1.5"長度之大部份。於晶圓變得靠近SP(剪力板擾動構件)或LINEW(馬輪固力)表面之前，下區域引入可譬如藉由延伸支腳368、370的下邊緣而被提供。上區域引出、或穩定作用可被提供，譬如，其保持晶圓夾具被對齊在該馬輪固力LINEW陣列升降器元件中。頂部塊體594被顯示為具有一寬闊之板件，其允許藉由運送機所拾取、及被使用於在運送期間穩定該晶圓夾具兩者，在此該拾取機件可夾住該晶圓夾具向上進入一固定板件。夾住作用於線性加速期間可為緊的，且在由處理模組下降及上昇期間為較鬆的，藉此避免過度約束及允許該晶圓夾具360於所給與的處理模組或運送模組中之發現其精確位置。該頂部塊體594中之第二部件可為一水平短柱596，其在該處理模組中支撐該晶圓夾具重量，這限制該下位置，以致該較高板部件594係可進出至該運送機，用於拾取及放下。此短柱595之頂部表面可被使用於SP模組中，以往下夾住該晶圓夾具360，以抵抗藉由擾動所造成之剪力板擾動構件拉力。
    現在參考圖19，顯示有一載入器模組808之等角視圖。亦參考圖20，顯示有載入器模組808之側視圖。亦參考圖21，顯示有載入器模組808之側視圖。於該揭示實施例中，載入器808具有梭動機構910，在此用於單一梭動機構808，梭動機構載台910可在X方向中具有約略1"行程，反之加上第二梭動機構808'，譬如，用於較高產量，以致一梭動機構可被載入/卸載，而另一者正做一陣列傳送；這將需要兩梭動機構具有用於6個晶圓陣列818之約20"行程。在此，載入器808承接晶圓夾具陣列586進入機架916，該機架具有該需要之動作，以打開該晶圓夾具撓曲部818，在此該“Y字型”動作可為繞著晶圓夾具(WH)818中心及梭動機構910中心線約0.070"對稱(亦即總共0.14"動作)。於所示實施例中，“陣列交換載入器”808之元件被顯示為用於6塊晶圓陣列586尺寸。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適之數目可被提供。載入器808具有梭動機構910，該梭動機構具有一陣列之CWG-握爪元件920、一元件用於每一輸入及輸出位置，被安裝在線性軸承922上，該線性軸承被安裝至該底板924。晶圓夾具站台916承接該WH陣列586及造成數度之樞轉動作930、932，以打開該WH's供交換，且造成4至6毫米之直立平移936，以在該CWG-握爪晶圓固持突指位置上定心該WH打開突指位置(動作軸承組件與致動器被顯示用於這些動作之任一者)。在此，晶圓於旋後定向中被擷取及插入經過該晶圓夾具站台916的側壁中之凹槽。運送機握爪板946亦被顯示。於圖20中，WH陣列586被顯示為藉由該載入器及運送機元件支撐於打開位置中，如將為緊接在該WH陣列586掉落之後或在其拾取之前的案例。於圖21中，該WH's 586被顯示為打開及定位，以致該梭動機構/CWG-握爪組件910、920可垂直於該晶圓表面移動，用於CWG-握爪及WH元件間之傳送，如於圖24A-M及圖25A-E的表格中所更詳細地顯示。該WH-站台916的側面元件可樞轉，以作成此動作，且該WH-站台可被舉起達4-6毫米，以於該打開位置中移動該等WH陣列突指至中心上，使該CWG-握爪920中之晶圓位在該梭動機構910上。在此，在該載入器內的更詳細之移動順序係在圖24A-M及圖25A-E的表格中所給與。亦參考圖22B及22A，快速平行的交換被顯示，使已完成處理之晶圓被插入該載入器梭動機構及外出之未處理晶圓係藉由該WH陣列所移除。在此，該梭動機構陣列位置係用於CWG-握爪之二位置及一用於WH's之空的位置。這些位置分配大約1.5"之陣列間距，用於該外出或經處理之晶圓，它們被稱為“A”，用於該進來或未處理之晶圓，它們被稱為“B”，且“C”不是以CWG-握爪元件居住，這些係該等WH陣列元件被插入之位置。於該交換製程期間，該梭動機構大約水平地移動加或減0.75"吋。該WH陣列係藉由該運送機直立地移動達大約20"，以進入及離開圍繞該等晶圓握爪陣列之WH-站台。
    現在參考圖22A，顯示有一批量交換載入器400，其由夾具陣列324'至梭動機構陣列320'傳送6塊經處理之晶圓402。亦參考圖22B，顯示有批量交換載入器400，其在由夾具陣列324'至梭動機構陣列320'傳送6塊經處理的晶圓402之後，由梭動機構陣列320'至夾具陣列324'傳送6塊未處理之晶圓404。在此，載入器400可具有如相對於載入器808所敘述之部件，且陣列324'可具有如相對於陣列586所敘述之部件。在此，載入器400可如將被敘述地以“快速調換”之方式於梭動機構陣列320'及夾具陣列324'之間傳送基板。於所示實施例中，載入器400具有梭動機構陣列320'、梭動機構軸線410、用於捕捉晶圓夾具陣列324'之吊架或支撐件、用於擴展夾具陣列324'之撓曲部的致動器、及用於擴展梭動機構陣列320'之晶圓夾住部件的致動器。於每一案例中，載入器400可用晶圓夾具陣列324'或梭動機構陣列320'之任一者選擇性抓住一個以上的晶圓，譬如，如將相對於下面之卸載及載入順序所敘述。載入器400可承接晶圓夾具陣列324'進入一機架，其具有該需求之動作，以打開該晶圓夾具撓曲部，譬如，約0.070"或其他方面的“Y字型”動作，並繞著該晶圓夾具中心及梭動機構中心線對稱(亦即總共0.14"動作)。在此，圖22A及圖22B顯示用於6塊晶圓批量尺寸之“批量交換載入器”的主要元件之等角視圖，在此圖22A顯示已完成處理之晶圓402被插入該載入器梭動機構400，且圖22B顯示外出之未處理的晶圓係藉由晶圓夾具陣列324'所移除。晶圓402指示外出之經處理、或以光阻劑剝離之晶圓，且晶圓404指示進來之晶圓、譬如將於該工具之處理區段中被剝離。梭動機構陣列320'具有被使用於該外出或經處理之晶圓402的6處位置“A”。梭動機構陣列320'另具有與該6處位置“A”交錯的6處位置“B”，其被使用於該進來或未處理之晶圓404。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少位置可被提供。在此，載入器400被提供，其被改造成卸載晶圓及載入晶圓至一陣列之晶圓夾具324'。於所示實施例中，載入器400具有第一及第二交換夾具陣列320' “B”及320' “A”，每一者具有相對於彼此交替及交錯之交換夾具。在此，第一交換夾具陣列320' “B”具有載入或進來之晶圓，且該陣列晶圓夾具324'具有卸載或外出之晶圓。該等卸載晶圓被當作一群組地由該陣列夾具324'移動至該第二交換夾具陣列320' “A”，且該等載入晶圓被當作一群組地由第一交換夾具陣列320' “B”移動至該陣列之夾具324'，如將被敘述。於所示實施例中，六個元件晶圓夾具陣列(WH陣列)324'、亦已知為一精確對齊載具(PAC)陣列可為由運送機(未示出)懸置，且梭動機構陣列320'之二陣列晶圓握爪“A”及“B”被承載在下面的梭動機構機件410(未示出)上，一握爪用於輸入晶圓及一握爪用於輸出晶圓。於該交換處理期間，該晶圓握爪/梭動機構320'、410大約水平地移動一吋或其他方面，且同時該WH陣列可藉由該運送機或以別的方式被直立地移動達大約20"或其他方面，以進入及離開藉由該晶圓握爪陣列所佔有之包跡。該等晶圓握爪可將該等晶圓固持於相當精確之位置中，譬如該晶圓可被定位在離理想中心位置大約+/-0.4毫米之包跡內。另外，每一晶圓握爪能以某一柔順性固持該晶圓，以致在該交換步驟期間，在此該晶圓被該晶圓夾具及梭動機構320'之晶圓握爪兩者所接觸，由於二組接觸表面間之小的固有之末校準，沒有施加至該晶圓之任何相當可觀的力。此等握爪被標以柔順晶圓握爪(CWG)。梭動機構320'可為設有12個晶圓握爪機件420，譬如，如在美國專利第6,174,011號中所敘述，其據此全部被以引用的方式併入本文中。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適之晶圓握爪機件可被使用。該握爪機件亦可由一端部被致動，譬如，如在此所示，被安裝在該梭動機構(未示出)中之晶圓握爪的下端，由於該晶圓握爪之撓曲系統的偏折，在此單一致動裝置提供抓住部件之精確動作。如將相對於圖24-25被敘述，批量交換程序在該等梭動機構320' “B”位置已藉由該前端晶圓機器人(其同時將由該等梭動機構320' “A”位置移除任何已完成之晶圓)被載入之後發生，且該晶圓夾具陣列324'已經過該工具濕式處理與乾燥區段被處理。在此，藉由市售晶圓機器人於該工具的前端以一邊緣抓住末端作用器及旋後能力，晶圓被傳送至該載入器及由該載入器傳送，該旋後能力係於該進來之卡匣或FOUP中由水平定向旋轉該晶圓至適合用於插入該晶圓握爪/梭動機構320'之直立定向的能力。用於高速系統，具有二個此末端作用器之市售晶圓機器人將被使用。於所揭示實施例之另外態樣中，同時之雙重晶圓尺寸、譬如300及200或其他方面能力可藉由將該200毫米晶圓定位在該晶圓夾具之底部(亦即該底部邊緣，在此200毫米及300毫米晶圓係相切)所處理，以致用於200毫米之載入器機件不會妨礙300毫米之載入器機件。對於該300及200毫米尺寸，用於打開該晶圓夾具之動作距離可為不同的。在此，外側尺寸可為大體上類似或相同的，故該相同之剪力板嵌套，馬輪固力乾燥機零組件或其他處理或後處理零組件可被使用於200及300毫米尺寸兩者。
    現在參考圖23A，顯示有經過處理區域308之處理工具300的截面。於所示實施例中，運送機326將PAC晶圓夾具陣列324運送至示範處理模組340及由示範處理模組340運送。處理模組340可具有能移動之經加熱的蓋件430(顯未打開)，於一流體處理位置中，其在處理模組340的液位434上方及在被顯示為324'的晶圓夾具陣列之橫桿432下面關閉，加熱蓋件430在此流體處理位置被提供，以防止譬如凝結在該晶圓夾具陣列上或其他方面。過濾器風扇單元438可被設在系統300之封圍件442內，以維持一清潔之迷你環境，在此，譬如，運送機區域436可被提供，以容置運送機327之移動零組件及由此經過排氣空間440排出空氣。現在參考圖23B，顯示有示範批量交換載入器400之截面。載入器400可具有梭動機構陣列320'、晶圓夾具陣列支撐件460及梭動機構464。於所示實施例中，梭動機構陣列320'係能夠固持經處理及未處理之晶圓兩者，如上面所述。於所揭示實施例之另外態樣中，梭動機構陣列320'可為僅只能夠固持經處理或未處理之晶圓。交替地，梭動機構陣列320'可不被提供，譬如，在晶圓夾具陣列324'係能夠譬如被來回移動至輸入或輸出位置之處，且晶圓係藉由該晶圓處理機人直接地傳送至晶圓夾具陣列324'及由晶圓夾具陣列324'直接地傳送，而沒有使用一中介之梭動機構陣列。於所示實施例中，梭動機構464被顯示為單一梭動機構。於所揭示實施例之另外態樣中，第二或更多梭動機構可被設在動作之相同或不同軸線上，為被耦接或獨立地與可選擇地定位及可操作之任一者，且能夠處理一額外之梭動機構陣列、一額外之晶圓夾具陣列或其他方面者。再者，於所揭示實施例之另外態樣中，梭動機構464可為設有將梭動機構陣列320'、晶圓夾具陣列324'或其他方面者可選擇地重新定向至任何合適定向之能力，譬如，由直立定向至水平定向或其他方面者。運送機326可將晶圓夾具陣列324'運送至載入器400及由載入器400運送，在此載入器400可為設有部件，以會同運送機326將晶圓載入至晶圓夾具陣列324'及由該晶圓夾具陣列324'卸載晶圓，譬如，在此運送機326被使用於直立動作及於傳送期間保持晶圓夾具陣列324'相對該梭動機構或梭動機構陣列固定不動。於所揭示實施例之另外態樣中，載入器400可操作及能夠傳送晶圓至晶圓夾具陣列324'及由晶圓夾具陣列324'傳送晶圓，而與運送機326無關，譬如，在此運送機326可正在製程之間或其他方面運送其他PC晶圓夾具陣列，而與載入器400載入基板至基板夾具陣列324'及/或由基板夾具陣列324'卸載基板之操作平行。運送機326可具有握爪部份470，該握爪部份具有藉由致動器476所致動之第一及第二握爪472、474，在此致動器476可選擇性地夾緊或釋放一晶圓運送陣列。握爪部份472、474可具有任何合適之抓住部件478、480，其嚙合晶圓夾具陣列324'中之咬扣部件482、484。握爪部份472、474及抓住部件478、480可如所需為堅硬或柔順的，並可具有引入部件、栓銷及插座部件或任何合適之部件，以相對晶圓夾具陣列確實地定位握爪470。支撐件460可被提供，譬如，在運送機於一晶圓批量交換期間係不需要之處，在此支撐件460可被接地至機架480或移動梭動機構464。一或二軸致動器482、484可被提供，以直立地、水平地、或在其他方面移動支撐件460，以支撐晶圓的批量傳送，譬如獨立地或會同運送機326，在此致動器482、484可被接地至機架480或移動梭動機構464。引入部件486、488可被提供於支撐件460中，以於插入或其他方面期間促進晶圓夾具陣列324'之導引。夾子(未示出)可被提供，以確實地耦接晶圓夾具陣列324'，以支撐460。致動器490、492可被提供，以用晶圓夾具陣列324'選擇性地釋放或抓住晶圓，在此致動器490、492可被接地至支撐件460、機架480或其他方面。梭動機構464可被接地至具有滑動件494、498、梭動機構支撐台500及致動器502之機架480，在此驅動器502可為一導螺桿驅動器或任何合適之線性驅動器，其可相對於地面480選擇性定位支撐台500。梭動機構陣列320'可藉由梭動機構支撐台500所直接地支撐，並可具有致動器406，其相對於梭動機構陣列320'選擇性抓住或鬆開一個以上的晶圓(可為獨立地或當作一群組)。於所揭示實施例之另外態樣中，梭動機構陣列320'可為藉由中介支撐件510所支撐，該中介支撐件能為譬如以致動器512、514可相對梭動機構支撐台500移動，該致動器可為一或二軸致動器、譬如直立及/或水平致動器，以促進晶圓之批量傳送。於所揭示實施例之另外態樣中，支撐件、致動器或其他方面的任何合適之組合可被使用，以促進晶圓之批量傳送。現在參考圖23C，顯示有PAC晶圓夾具324'橫桿432的截面。於所示實施例中，孔腔可被提供，以減少重量，且平滑之使滴液減至最小的表面可被提供，以使用於滴液之潛在性減至最小。再者，塗層可被提供，以消除或減少凝結，以防止承載在製程之間的凝結液。潛在滴液表面另可被偏置，譬如，由該晶圓表面或以別的方式偏置。
    現在參考圖24A-24B，顯示有一示範載入順序。現在參考圖24A，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含藉由PAC WH陣列324'往下進入該梭動機構320'之直立動作，且被顯示譬如在該Z對齊位置上方1吋處。在此，該WH陣列324'被顯示為充滿外出之晶圓及被關閉的接觸表面。在此，梭動機構A位置被顯示為空的，使接觸表面於打開位置中，且梭動機構B位置被顯示為充滿進來之晶圓，使接觸表面於關閉位置中。亦參考圖24B，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含藉由WH陣列324'往下進入該梭動機構320'之直立動作，且被顯示在該Z對齊位置中。在此，該PAC WH陣列324'被顯示為充滿外出之晶圓及被關閉的接觸表面。在此，梭動機構A位置被顯示為空的，使接觸表面於打開位置中，且梭動機構B位置被顯示為充滿進來之晶圓，使接觸表面於關閉位置中。亦參考圖24C，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含藉由梭動機構320'之水平動作，以對齊“A”位置與WH陣列324'晶圓。在此，WH陣列324'被顯示為充滿外出之晶圓及被關閉的接觸表面。在此，梭動機構A位置被顯示為於打開位置中充滿接觸表面，且梭動機構B位置被顯示為充滿進來之晶圓，使接觸表面於關閉位置中。亦參考圖24D，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含在該外出晶圓上之梭動機構“A”位置撓曲部關閉。在此，WH陣列324'被顯示為充滿外出之晶圓及被關閉的接觸表面。在此，梭動機構A位置被顯示為充滿，使接觸表面於關閉位置中，且梭動機構B位置被顯示為充滿進來之晶圓，使接觸表面於關閉位置中。亦參考圖24E，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含打開之WH陣列324'撓曲部，以釋放該外出之晶圓。在此，WH陣列324'被顯示為充滿外出之晶圓及被打開的接觸表面。在此，梭動機構A位置被顯示為充滿，使接觸表面於關閉位置中，且梭動機構B位置被顯示為充滿進來之晶圓，使接觸表面於關閉位置中。亦參考圖24F，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含在此WH陣列324'上移譬如0.180"，以允許梭動機構320'移動外出之晶圓通過其接觸表面。在此，WH陣列324'被顯示為空的，使接觸表面被打開。在此，梭動機構A位置被顯示為充滿外出之晶圓，使接觸表面於關閉位置中，且梭動機構B位置被顯示為充滿進來之晶圓，使接觸表面於關閉位置中。亦參考圖24G，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含在此梭動機構320'水平地移動，以對齊進來之晶圓與WH陣列324'接觸表面。在此，WH陣列324'被顯示為空的與向上，使接觸表面被打開。在此，梭動機構A位置被顯示為充滿外出之晶圓，使接觸表面於關閉位置中，且梭動機構B位置被顯示為充滿進來之晶圓，使接觸表面於關閉位置中。亦參考圖24H，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含在此WH陣列324'往下移動譬如達0.180"，以與梭動機構320'對齊。在此，WH陣列324'被顯示為空的與向下，使接觸表面被打開。在此，梭動機構A位置被顯示為充滿外出之晶圓，使接觸表面於關閉位置中，且梭動機構B位置被顯示為充滿進來之晶圓，使接觸表面於關閉位置中。亦參考圖24I,J，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含在此WH陣列324'撓曲部接近至捕捉進來之晶圓。在此，WH陣列324'被顯示為充滿與向下，使接觸表面被關閉。在此，梭動機構A位置被顯示為充滿外出之晶圓，使接觸表面於關閉位置中，且梭動機構B位置被顯示為充滿進來之晶圓，使接觸表面於關閉位置中。亦參考圖24K，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含在此梭動機構B位置接觸表面打開，以釋放進來之晶圓。在此，WH陣列324'被顯示為充滿與向下，使接觸表面被關閉。在此，梭動機構A位置被顯示為充滿外出之晶圓，使接觸表面於關閉位置中，且梭動機構B位置被顯示為充滿進來之晶圓，使接觸表面於打開位置中。亦參考圖24L，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含在此梭動機構320'水平地移動，以允許用於WH陣列324'之間隙被擷取。在此，WH陣列324'被顯示為充滿進來之晶圓與向下，使接觸表面被關閉。在此，梭動機構A位置被顯示為充滿外出之晶圓，使接觸表面於關閉位置中，且梭動機構B位置被顯示為空的，使接觸表面於打開位置中。亦參考圖24M，顯示有夾具陣列324'及梭動機構陣列320'之側視圖。在此，該動作及狀態包含在此WH陣列324'直立地移出該載入器及持續進行至處理該等進來之晶圓。在此，WH陣列324'被顯示為充滿進來之晶圓與向上移動，使接觸表面被關閉。在此，梭動機構A位置被顯示為充滿外出之晶圓，使接觸表面於關閉位置中，且梭動機構B位置被顯示為空的，使接觸表面於打開位置中。於所揭示實施例之另外態樣中，該載入器可直立地移動梭動機構陣列320'，以嚙合及脫離晶圓夾具陣列324'；代替地，譬如，該運送機或其他方面者直立地移動晶圓夾具陣列324'。再者，於所揭示實施例之另外態樣中，晶圓夾具陣列324的上下移動不能被要求。
    現在參考圖25A-25E，顯示有表格，於載入/卸載操作期間在該晶圓位準具有藉由該載入器WH-站台808及該WH陣列818(586)所作成之主要直立及樞轉動作。圖25A-25E中所示之表格可參考圖24A-24M的表格中所顯示之順序被使用，其為被使用卸載一WH陣列及重新載入該WH陣列的梭動機構移動之示範順序。
    現在參考圖26，顯示有載入器模組之梭動機構陣列320"的局部等角視圖，顯示所揭示實施例之另外態樣。亦參考圖27，顯示有梭動機構陣列320"的局部等角視圖。於所示實施例中，陣列320"具有一陣列之支撐件602，每一支撐件602具有三個晶圓支撐件604、606、608。該等晶圓支撐件之每一者具有如先前所述對應於梭動機構陣列之A及B位置的二溝槽610、612。晶圓支撐件604、606、608配合，以於一直立定向中支撐外出之晶圓612及進來之晶圓(未示出)，如先前相對於梭動機構320'所述或如先前所述之其他方面者。參考圖30A，顯示有載入器模組400及夾具陣列324'之局部正面圖。亦參考圖30B，顯示有載入器模組400及夾具陣列324'之局部正面圖。圖30A顯示PAC 324'於該插入/移除位置中，反之圖30B顯示PAC 324'被打開，在此該被打開之PAC已相對載入器模組400被舉起達1.5毫米。
    現在參考圖28A，顯示有夾具陣列之等角視圖。亦參考圖28B，顯示有夾具陣列之側視圖。亦參考圖28C，顯示有夾具陣列之局部等角視圖。亦參考圖28D，顯示有夾具陣列之局部等角視圖。圖28A-D顯示夾具818、運送機握爪946、及處理模組支撐件996。運送機946及該WH's 950間之相互作用的示範部件被顯示於圖28A-28B中，且更詳細地列出在圖29A-29H中所示表格中。在此，運送機拾取機件946可包含接觸該晶圓夾具950之二主要零件；固定至於該運送機之自動化架台及夾子1008對的頂板1004，該對夾子相對該頂板於直立及水平方向兩者中移動。每一處理站可包含一結構996，以支撐WH's 950及將它們與該模組內之重要元件對齊，一般化的支撐結構996被顯示為一對板件，該WH陣列586被存放進入該對板件或由該對板件拾取該WH陣列586。在此，當藉由該運送機946及該WH's 950所承載者可絕未藉由固定式機構真正地彼此附接時，個別之WH's 950形成一“虛擬陣列”586或WH陣列586，該固定式機構能夠使每一晶圓與譬如馬輪固力、剪力板、N2氣刀、及其他或類似零組件之處理元件單獨地對齊，如將於靠近每一晶圓表面中更為詳細地被敘述。
    現在參考圖29A-H，顯示有一運送機及陣列運動與狀態表格，顯示用於運送機拾取及晶圓夾具陣列818之放下的移動之順序，譬如在一處理模組或其他方面者。在此，該表格顯示運送機及處理位置、或處理站間之交換的主要元件之示範順序，該處理站可為載入器、剪力板模組、馬輪固力模組、氣刀模組、流體噴流模組、或另一型式處理模組。在此，WH元件950被由站至站地運送，如該運送機中之“虛擬陣列”818，且當該運送機將它們存放進入適當位置時，WH元件藉由該個別站所分別變得精確對齊。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少之步驟可於任何合適之組合中被提供。
    現在參考圖31，顯示有適合與系統800一起使用的剪力板擾動模組1050之等角視圖。模組1050提供該個別SP刃片1060及該晶圓856表面間之關閉及可重複對齊、與使用10毫米的SP刃片間距而越過約+/-20毫米(總共40毫米)之範圍的未重複振動(亦即20毫米=2＊刃片時期之主要振動時期，及20毫米之同等移動式振動)。剪力板(SP)及晶圓、或晶圓夾具(WH)間之二示範的對齊型式可盡可能包含SP至模組機架及WH至模組機架、或WH直接直接至SP及SP至模組機架。該第一項具有更少容差堆疊及晶圓表面與SP擾動表面間之更緊的對齊之優點，而該第二項具有不使用供移動對齊之WH表面的優點，藉此在該WH對齊部件之表面處理上移除一些製造限制。以包含剝除之熱流體處理的問題係在該流體上方於水平表面上之凝結，且避免來自此凝結液之污染。具有凹槽之可移動的蓋件可被使用來含有該SP模組1050內之此蒸氣，並可使用相同之動作，以將該WH's直立地夾住在適當位置中，以抵抗藉由該剪力板賦予至該晶圓表面的振動直立力量。將晶圓夾具對齊至該模組機架結構而非至該剪力板不需要該SP之6赫茲輪動作，以跨騎抵靠著WH表面。於所示實施例中，貯槽1062裝盛該處理流體、譬如光阻劑剝離液、IPA、或DIW，該剪力板組件被浸入在該貯槽中，且該WH陣列586被插入該貯槽及移除。內部機架1066支撐該WH陣列586，且包含精確地定位之導引輪。一系列之導引輪組相對該機架對齊該等剪力板，且一系列導引輪組相對該機架對齊WH's。合適之線性馬達及軸承組件(未示出)可上下驅動該剪力板1060，以緊接在該等晶圓表面的前面攪動該流體。合適之自動化機件可直立地移動該WH's 586進入用於處理之處理模組，及當處理被完成時直立地移除它們。現在參考圖32A-C，顯示有剪力板模組1050的前面視圖。在此，圖32A顯示一正面圖，使剪力板位於下面位置；剪力板在圖32B中位於中心位置，且在圖32C中位於上面位置，典型總共有40毫米之衝程，其係適合用於剪力板動作輪廓，並具有+/-10毫米之主要衝程及+/-10毫米之第二輪廓。於所揭示實施例之另外態樣中，其他合適之輪廓或衝程可被提供。於所示實施例中，用於每一剪力板1060，四組導引輪可限制水平地平行於其表面及垂直於其表面之位置，而允許在平行於其表面的方向中直立地動作。同樣地，在每一側面上有五個輪子之十輪組同樣地在水平及垂直方向中限制WH's 950之每一者，而允許直立地動作以插入及移除WH's 586之群組。該WH及剪力板引導引輪組間之精確對齊可被製造進入該機架元件，使得該晶圓上之所有點被定位至離該剪力板表面在0.5及1.0毫米間之加或減內，或交替地0.3毫米或其他方面。該WH對齊可包含更多輪組(10對4)，以便提供引入距離，以在該晶圓係靠近該剪力板之前充分地對齊每一WH 950與每一晶圓856，藉此避免該晶圓及該剪力板間之碰撞。亦參考圖33A-C，顯示有插入剪力板模組1050之晶圓夾具陣列586。用於該WH's 950之導引輪係在該機架至圖33A-C中之右側的內側1070上，且用於該剪力板1050之導引輪係在每一機架元件至圖33A-C中之左側的外側1072上。在每一導引點，一對輪子在垂直於該晶圓表面之方向中對齊該WH，且單一輪子在平行於該晶圓表面之方向中限制該WH位置；在相向之平行導引點的一對輪子組在垂直及平行方向兩者中充分地限制該WH，而允許用於WH插入及移除之動作的垂直自由度。同理，在用於該剪力板的4個導引點之每一者，一對導引輪在垂直於其表面之方向中限制該剪力板，一對導引輪在平行於其表面之方向中限制該剪力板，且該對相向的輪子組在平行於其表面之方向中充分地限制該剪力板。亦參考圖34，顯示有模組1050之端部區段視圖。參考圖35，顯示有模組1050之等角剖視圖。浸入流體處理的一態樣係確保至每一晶圓之均勻的宏觀流體流動，在此新的溶液被注射進入該處理槽之底部，且溢出一靠近該處理槽1062之頂部的溢流堰1080，在此該溢流堰設定該槽中之溶液液位。圖34顯示靠近該晶圓的頂部之詳細截面，在此個別之流體溢出溢流堰1080載送用過的流體遠離每一個別晶圓之區域。圖35顯示經過該槽1062之全高的截面，流體輸入歧管及孔洞被顯示在用於每一SP 1060的容器之底部。剪力板1060可藉由一個以上之線性馬達所驅動，或可為懸臂安裝至譬如在該工具的處理管系側面上之軸承，且藉由線性驅動馬達、滾珠螺桿或其它方面所驅動。圖35顯示該結構之底部，在此該等溢流堰通過該底板724，並可於焊接在該輸入歧管1100上之前由該底板的底部被焊接，該輸入歧管1100藉由一陣列之尺寸0.06"左右的孔洞1102沿著該Y方向在每一晶圓夾具之下耦接至該個別之晶圓夾具。所示之溢流堰-箱盒結構可被附接至該工具-機架，並將該等晶圓夾具對齊至該運送機，在此此結構因此可由該剪力板擾動取得該線性動作慣性負載，並可為1/4"不銹鋼箱盒或其他方面。對於化學性質恢復使用重力意指這安置在流體貯存器中。該溢流堰高度可藉由在該剪力板上方所決定，以避免飛濺，且流體高度可相當接近該溢流堰，以使溢流堰通道內側上之氧化減至最小。與使用1"厚固體晶圓夾具之電解槽比較，具有最小截面積的晶圓夾具之插入未能位移幾乎同樣多的流體，故載入及卸載間之流體變化可為最小的。細網格不銹鋼濾器之漏勺型式可被放置於該等溢流堰中，以捕捉抗蝕劑微粒，並充份利用該溢流堰之有效高度。如所示，該溢流堰開口可為僅只0.5"或其他方面，在此該開口對於漏勺可為緊的，交替地，一單元可具有堅硬的鋼側面，設有一焊接在適當位置中之濾器網孔當作平坦板件。於所示實施例中，分開之流體輸入被提供於該槽之底部區段及流體溢流堰中，且排洩口被提供於該槽之頂部區段中，並具有用於每一晶圓之個別的輸入及輸出。晶圓特定輸入與排洩口之組合由每一晶圓以可重複的方式移除被溶解的材料。於另一實施例中，僅只單一輸入歧管可被提供越過該整個槽之底部，且在該槽之一或二頂部邊緣的單一溢出溢流堰排洩口可被提供。於所示實施例中，個別之溢出溢流堰1104被定位於該等晶圓夾具的每一者之間，以較佳確保流體流動之晶圓至晶圓可重複性。該溢流堰高度可為藉由在該剪力板上方所決定，以避免飛濺，且在此該流體高度可為相當接近該溢流堰，以使該等溢流堰通道內側上之氧化減至最小。傳感器可被提供，譬如，位準或壓力感測器或其他方面者，以用於當改變及清潔該漏勺時提供一自動信號。於所揭示實施例之另外態樣中，模組1050之部件可同樣單獨或組合之任一者地被應用至涉及噴嘴陣列、單一個或批量馬輪固力乾燥、浸沒及浸泡或其他方面者的處理應用。
    現在參考圖36A，顯示有批量晶圓夾具421及批量處理模組471。亦參考圖36B，顯示有批量晶圓夾具421及批量處理模組471。該直立流體處理471的一實施例併入用於該移除不想要之光阻劑殘留物的設備。該處理模組可包含剪力板組件473，其係藉由線性馬達483相對該流體槽481移動。如將被顯示，該等晶圓夾具421係藉由被安裝在該剪力板組件473上之輪子對齊至該剪力板。於此實施例中，僅只每一晶圓的前側、或帶有抗蝕劑側面被剪力板所攪動，反之定位在每一晶圓的背部者係一流體溢出排洩隔間，其導引該流體通過一篩網，以捕捉由該附近晶圓的正面所移除之大的抗蝕劑微粒及碎物。圖36B顯示被定位在剪力板處理模組471之上的六個晶圓夾具421之批量421，在此圖36A顯示該六個晶圓夾具之批量421被插入該剪力板處理模組471及被定位供處理。該處理模組471包含具有輸入及排洩歧管的外槽481、具有導引輪485之剪力板陣列473、及被定位在該槽之各角落的線性馬達483，該等馬達以選擇性受控制之直立往復式圖案驅動該剪力板陣列473。所揭示實施例之一態樣係在此該等個別之晶圓夾具被對齊至該剪力板組件473，如更詳細地探討者。
    現在參考圖37A，顯示有剪力板擾動模組1050之局部等角視圖。參考圖37B，顯示有剪力板擾動模組1050之局部等角視圖。圖37A及37B顯示晶圓夾具陣列586被插入該內部機架或由該內部機架擷取，在此每一夾具950分開地嚙合三個導引輪子組1076，在此額外之導引輪組1076被定位在該上三個，以相對每一個別之剪力板1060確實地定位該陣列夾具586中之每一夾具950，而與該夾具陣列586中之其他夾具無關。如將被更為詳細地敘述，每一剪力板1060可為獨立地位在分開之導引輪組上，並可於該直立方向中相對於其他剪力板獨立地移動。亦參考圖38A，顯示有剪力板擾動模組1050之局部等角視圖。參考圖38B，顯示有剪力板擾動模組1050之局部等角視圖。每一導引輪組1076具有嚙合夾具950的支腳之正面、側面及後面的三個導引輪1078、1080及1082。在此，夾具950具有彈頭尖端式或引入部件，並具有提供於此案例中之正面錐體1086、側面錐體1088、及後面錐體1090，於夾具950之插入機架1066期間有未對準。亦參考圖39A，顯示有導引輪組件1080之等角視圖。亦參考圖39B，顯示有導引輪組件1078之等角視圖。現在參考圖40A及圖40B，顯示有剪力板模組1050的正面圖。在此，圖40B顯示具有剪力板1060於下面位置之正面圖，且圖40A於上面位置，用於40毫米之典型總衝程，其係適合用於具有+/-10毫米之主要衝程的剪力板動作輪廓及+/-10毫米之第二輪廓。於所揭示實施例之另外態樣中，其他合適之輪廓或衝程可被提供。亦參考圖41，顯示有剪力板擾動模組1050之局部等角視圖。圖41顯示導引輪組1108，其可具有類似於導引輪組1076之部件。在此，導引輪組1108可被提供，以導引剪力板擾動構件1060。多數導引輪組1108可被提供，譬如，在導引輪組1108上方及在機架1066之相向側面上，以相對於該對應夾具950確實地定位剪力板擾動構件1060。在此，每一夾具係可獨立地移動及相對於夾具陣列586中之其他夾具定位，在此每一夾具係相對於機架1066內之每一擾動構件950確實地及個別地定位。
    現在參考圖42A，顯示有剪力板1060。亦參考圖42B，顯示有剪力板1060的一部份。剪力板製造可包含10毫米或其他方面之刃片1110間距及1毫米或其他方面的厚度，且刃片1110之打開範圍係340毫米或其他方面，使該幾何形狀亦進一步界定該板1060之高度及寬度。譬如，基於具有10毫米第二循環的20毫米主要循環之動作，用於離中心總共加或減15毫米動作，於每一頂部及底部半邊中可有17塊刃片。於所揭示實施例之另外態樣中，刃片衝程、刃片之數目可譬如被最佳化，以於刃片之間提供額外之擾動及留下足夠的空間，以確保抗蝕劑“皮膚”不被誘捕在該剪力板結構內。該板1060可為譬如由不銹鋼316所製成，在此每一刃片可重達1.63磅。輕量之孔洞可被提供於該底部及頂部邊緣中，且譬如彼此與離該棒之邊緣可具有0.15毫米最小距離。側面棒1112、1114可為約0.4吋寬或其他方面。用於至該晶圓夾具前側導引輪之間隙，刻槽可被提供於該側面棒中，在此這些部件之定位可由該剪力板嵌套/陣列組件所驅動，在此該等側板可界定該等輪子位置。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適之剪力板擾動構件幾何形狀可被提供。參考圖43A及43B，機架組件1066被顯示，使夾具陣列586準備用於插入槽組件1062。亦參考圖43C，機架1134上之槽組件1062的等角視圖被顯示，設有剪力板擾動構件驅動組件1120。於所示實施例中，驅動組件具有主要振動驅動器1122及次要振動驅動器1124。在此，該主要振動驅動器1122於一高頻主要振動動作中移動每一剪力板950，反之該次要振動驅動器1124於較低頻率之次要振動動作中移動該群組之剪力板950。該主要及次要振動動作可為正弦式、經修改之正弦式、階梯式、或任何合適之選擇性振動動作。主要動作驅動器1122被顯示為具有在機架1132上耦接至凸輪裝置1128之伺服致動器1126，在此凸輪裝置1128具有8個分開之偏心器，每一偏心器連結至個別之耦接部件1130，在此該耦接部件1130將該凸輪裝置偏心器耦接至每一剪力板擾動構件1060。於所示實施例中，每一偏心器係譬如45度異相，在此該高頻率主要動作使每一剪力板擾動構件同樣地在45度異相相對於該鄰接之擾動構件操作。交替地，任何合適相位或相位之組合可被提供。再者，如果不同數目之夾具被建構，每一者間之相對相位遲延可為夾具之數目除以360度或其他方面者。第二動作驅動器1124被顯示為具有機架1134上之伺服致動器1136，使伺服致動器1136藉由正時皮帶或以別的方式耦接至第一及第二驅動軸桿1138、1140。第一及第二驅動軸桿1138、1140之每一者具有二偏心器，其將機架1134耦接至機架1132，使得該第一及第二驅動軸桿1138、1140之旋轉造成機架1132相對機架1134直立地移動，且因此造成具有剪力板1060的主要驅動器1122當作一群組地移動。在此，主要驅動器1122在高頻移動該剪力板擾動構件1060，使構件1060在不同相位角，反之第二驅動器1124在較低頻率移動該剪力板擾動構件1060，使構件1060當作一群組在該較低頻率被一起同相地移動。於所揭示實施例之另外態樣中，不同驅動器可被提供，譬如，線性馬達驅動器或其他方面者。譬如，於所揭示實施例之另外態樣中，線性馬達驅動器可被提供來驅動一個以上的擾動構件，在此該主要及第二動作可藉由該線性馬達驅動器所提供。於所揭示實施例之另外態樣中，所有該等擾動構件可被一起同相或以相對相位之任何組合地驅動。
    現在參考圖44，顯示有馬輪固力乾燥機模組290之概要視圖。如將被更為詳細地敘述，示範之馬輪固力乾燥系統290允許晶圓夾具上之晶圓的清潔乾燥。當晶圓被拉出去離子水(DI)之水浴槽時，馬輪固力乾燥系統靠近晶圓之吃水線噴灑諸如異丙醇(IPA)或其他方面者的溶劑蒸氣之噴流。水及該溶劑間之表面張力中的差異使該新月形變薄，且由該晶圓拉動該水退入該浴槽。於所示實施例中，馬輪固力乾燥系統290具有IPA蒸氣輸送系統及處理模組1310。模組1310具有連接至馬達控制器302及模組控制器220'之線性馬達1300，其可由DI水浴槽1306選擇性及可控制地緩慢向上拉動晶圓夾具270'。於所揭示實施例之另外態樣中，其他合適之驅動器可被使用。於所揭示實施例之另外態樣中，夾具270'可為固定不動的，在此模組310之零組件可為能移動的。於所揭示實施例之另外態樣中，夾具270'及/或模組310可相對彼此被個別地或分開地或獨立地移動。如將以一示範實施例被顯示，晶圓夾具270'可固持二相向的晶圓(A與B)。因此，處理模組310及蒸氣輸送系統1308可為能夠在該A 1312及B 1314側面晶圓兩者引導IPA蒸氣。於所揭示實施例之另外態樣中，蒸氣可被引導至單一晶圓或晶圓的一側面或單一晶圓的相反側面。同理，馬輪固力模組310可具有其他子系統，該等子系統之每一者可具有A及B側面。再者，且如將在下面更為詳細地被敘述，系統290可於平行的單一晶圓乾燥組構中支撐多數晶圓乾燥，在此多數模組或模組310及/或1308之子零組件可被提供，以用平行的方式處理多數晶圓夾具中之多數晶圓。去離子水(DIW)浴槽1306具有溢流堰1316及排洩口1318。在此，該DIW以平滑之方式流動在溢流堰1316之上。IPA蒸氣注射系統1322剛好在溢流堰1316上方引導IPA蒸氣。氮淨化系統1326可被使用，以當該晶圓被降低進入該DIW浴槽1306時防止晶圓氧化。氮氣刀1330可能用來由該部份晶圓夾具270'在該晶圓上方吹掉水滴液，以致掉落物稍後不會落在該清潔乾燥之晶圓表面上。晶圓夾具動作系統1300可具有線性馬達，被使用於譬如迅速地降低晶圓夾具270'進入該DI浴槽1306及溢流堰1316，與緩慢地向上拉動晶圓夾具270'。IPA蒸氣輸送系統(VDS)1308可為市售化學或蒸氣輸送系統，譬如，如藉由紐約州索格蒂斯市之精確流動技術公司所供給者。IPA蒸氣輸送系統1308可具有能被手動地或以別的方式再填充之IPA貯存器或槽、及可為容器內之容器的IPA起泡器。VDS 1308將該IPA保持在恆溫，以於該流動之97% N2液流1354中維持不變之3%的IPA濃度。於所揭示實施例之另外態樣中，具有不同蒸氣及氣體組合的不同濃度可被使用。如將被敘述者，溶劑排出口1334被連接至文氏管1340，其係藉由CDA供給源1338所供給，在此溶劑排出口1334排出排流1358、1360。N2供給源1362供給用於IPA VDS 1308之氮，當作用於3% IPA蒸氣1354中之97% N2濃度的來源。N2供給源1342及1346分別支撐N2氣刀1330及N2淨化分配管326。DI水供給源1350亦可被提供當作用於DIW浴槽1306之DI水來源。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少部件及子系統可被提供。經由範例，N2淨化分配及/或N2氣刀可不被提供。藉由另一範例，多重IPA蒸氣注射歧管可被提供於一組構中，以在平行的單一晶圓組構中乾燥每一基板的一側或兩側，在此具有多數晶圓的多數夾具被多重IPA蒸氣注射歧管所乾燥。如此，任何合適之組合或組構可被提供。
    現在參考圖45，顯示有用於馬輪固力乾燥之處理流程圖1380，而適合在平臺200內與圖44所示之馬輪固力系統290一起使用。於執行處理流程1380之前，系統290可被初始化1384，包含確保CDA供給源1338係開啟及在確保該IPA蒸氣被排入該溶劑排出歧管的壓力。當不足或過度之溢流堰流動可中斷該馬輪固力處理時，另一DI溢流堰1316流動可被啟動及被檢查在範圍內。再者，該VDS系統1308可被如需要地加溫，以確保適當的IPA蒸氣百分比。步驟1386在該頂部位置初始化線性馬達1300，且確保該LinMot系統1300係在該頂部位置及預備好承接晶圓夾具270'。啟動N2淨化之步驟1388提供在運送機動作之前啟動該淨化，並給予充分之時間，以用N2充滿該處理室。在此，步驟1388之目的係避免該晶圓於降低夾具270'期間之氧化。步驟1390運送該晶圓夾具至該處理室，譬如，經由運送機自動化裝置280，且傳遞晶圓夾具270'至LinMot系統1300。步驟1392降低該晶圓夾具至該氮氣刀位置。在此及於此位置，該晶圓可被局部地浸入於該DI水中。夾具270'可在此LinMot系統300位置被短暫地中止。步驟1394啟動N2氣刀1330。步驟1396截止N2淨化1326。步驟1398持續將晶圓夾具270'降低至該底部位置。在此，氣刀1330將於此處理步驟期間乾燥該晶圓夾具之最頂端部份。步驟1400截止該N2氣刀1330。步驟1402對於中等之升高設定LinMot 1300值，且準備LinMot 1300用於一中等速率的舉昇操作。步驟1404升高該晶圓夾具至一位置，在此該IPA蒸氣係稍微在該晶圓底部上方。步驟1406對於緩慢的升高設定LinMot 1300值，以減少該晶圓舉昇速率，以變緩慢，以便改善靠近該晶圓邊緣的WH 270'之基底面積及該晶圓夾具270'在該晶圓的邊緣之接觸環密封唇部的乾燥。於所揭示實施例之另外態樣中，晶圓夾具可不具有一接觸環密封件，譬如利用一夾具，在此該晶圓被固持在該晶圓的邊緣之部份，且在此該晶圓被完全地浸入DIW浴槽1306中。步驟1408升高晶圓夾具270'至該頂部位置。在此，該晶圓及晶圓夾具將為乾燥的，且該晶圓乾燥製程係完成。步驟1410截止DI溢流堰1316流動，且亦可截止其他如馬輪固力乾燥機系統290所需要之合適的子零組件。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少步驟可被提供，以支撐系統290之個別及/或多數零組件及子零組件，並與該(等)揭示實施例有關。於所揭示實施例之另外態樣中，相同、更多或較少的步驟可被以任何合適之類似或不同的步驟順序所提供。
    現在參考圖46A與46B，分別顯示有溢流堰1316'的一部份之等角及俯視圖。亦參考圖47A、47B及47C，分別顯示有示範平行的單一晶圓處理模組310'之等角及雙邊視圖。亦參考圖48A、48B及48C，分別顯示有示範平行的單一晶圓處理模組310'之二等角剖面及俯視圖。亦參考圖49A及49B，顯示有示範平行的單一晶圓處理模組310'的側視圖。於示範平行的單一晶圓處理系統310之實施例中，圖47A、47B、48A及49A顯示將單一晶圓固持於升高位置中之多數個平行的晶圓夾具，反之圖47C、48B及49B顯示將單一晶圓固持於降低位置中之多數平行的晶圓夾具。於該實施例中，所示之平行的單一晶圓馬輪固力乾燥模組310'、多數N2/IPA/DIW歧管1450可在相對槽1454之位置中浮動，並可被與槽1454無關地對齊。如將在下面更為詳細地被敘述，歧管1450併入IPA/N2蒸氣注射部份，該蒸氣注射部份於靠近DIW溢流堰中併入線性噴嘴；及溶劑排氣部份，以促進晶圓1456的兩側之乾燥。系統310'係譬如使用以撓曲部為基礎之晶圓夾具1460來顯示，如所敘述。交替地，任何合適之晶圓夾具可被使用。以夾具1460，比譬如層雲型密封式晶圓夾具，更少之水可被該撓曲型夾具所位移。在每一晶圓的每一乾燥或處理位置之充分的溢流堰流動可被提供，以便確保IPA蒸氣飽和水在該(等)乾燥位置之充分稀釋。充分之流動藉此維持用於高產量馬輪固力乾燥所需要之濃度梯度。增進溢流堰流動越過所有處理位置之示範設計部件可包含平衡高度溢流堰，譬如，在大約1毫米或其他方面內。增進溢流堰流動越過所有處理位置之另一示範設計部件可包含溢流堰設計，其中該等溢流堰之所有或一顯著部分被永久地弄濕。藉由範例，這可在平行及垂直於該晶圓之兩方向中被以凹口式溢流堰完成，如於圖46A及46B中所示，如此對於具有稍微較低溢流堰高度之處理位置增進溢流堰流動均勻。增進溢流堰流動越過所有處理位置之另一示範設計部件可包含機件1464，以於該共用貯槽中產生流體擾動，增進溢流堰流動均勻，用於乾燥具有稍微降低溢流堰高度之處理位置。在此，機件1464可為振動板、非軸對稱的轉動系統、振動風箱、活塞、具有致動閥之泵浦或任何另一合適之方法，以建立波浪及流體動作，以增進限局性的溢流堰流動。於所示實施例中，夾具1460之8塊晶圓陣列被顯示，其可被增減至任何合適之數目，譬如，用於較高產量放大至13塊或其他方面。於所示實施例中，用於運送夾具至載入器274及模組210與馬輪固力乾燥機310'與由載入器274及模組210與馬輪固力乾燥機310'運送夾具，行程282之運送機280方向可被該載入器所設定，使得該運送機行程282可為平行於晶圓。於所揭示實施例之另外態樣中，行程之任何合適定向或方向可被提供。如所視，被顯示於該向上或升高位置中之模組310'的Z架台1470由運送機280承接具有晶圓1456之夾具1460。在此，Z架台1470可具有耦接至直立機台之夾具支撐件1472，該機台被導引件1476所導引及藉由合適之驅動器、諸如線性馬達驅動器或任何合適之驅動器於該直立方向1478中驅動。如以被顯示於下面位置中之Z架台1470所視，並使晶圓1456完全被浸入DIW 1482，由此Z架台1470可緩慢地擷取晶圓經過該線性IPA噴嘴排出口與溢流堰(LINEW)組件1450。於所示實施例中，由每一LINEW之端部，處理管道(為清楚故未示出)可於X方向1484中伸出該模組310'之側面，並可造成轉彎90度朝工具200之背面進入處理支撐件區域284。於所示實施例中，夾具支撐件1472可提供柔順性及/或允許每一個別夾具與該群組夾具1460間之相對移動，在此每一個別夾具不被耦接至夾具陣列1460之任何另一個別夾具。交替地，夾具陣列1460可為在每一個別夾具之間設有柔順性。在此及如將在下面被更為詳細地敘述，相對於歧管1450之個別夾具的對應零組件，在夾具陣列1460內之每一個別夾具可被獨立地定位在模組310'內。譬如，且如將被顯示，晶圓夾具1460可為與建入該LINEW陣列1450之對齊輪子嚙合，使得在陣列1460內之每一WH係與該陣列中之每一LINEW元件精確地對齊。在此，至夾具支撐件1472之運送機280下降動作可包含與該等對齊輪子之柔順嚙合，藉此避免對於Z架台吊架之需要，以限制繞著θ-X軸之旋轉(亦即繞著一平行於該晶圓表面之軸線旋轉)。於圖1所示實施例中，用於工具200之XY基準可為運送機280及Z驅動器1470間之切換位置，在此用於該乾燥機模組310'之槽1454可接著為低於用在其他處理模組、譬如剪力板模組或其他合適之模組的槽。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適之模組可被提供，譬如，氣刀模組、N2淨化分配模組或其他方面。
    現在參考圖50A-C，顯示有線性IPA噴嘴排出口與溢流堰(LINEW)組件1450之剖視圖。於所示實施例中，線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件1450具有歧管1510、1512及1514，每一歧管具有N2/IPA輸入部份1520、N2/IPA蒸氣注射部份1522、DIW溢流堰1524、N2/IPA輸出部份1526、及DIW輸出部份1528。於所示實施例中，輸入及輸出部份係與每一歧管或該陣列歧管的個別LINEW上之二相反N2/IPA蒸氣注射部份及二相反DIW溢流堰部份連通及與其分享。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少部份可被分享或孤立。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少歧管可被提供。於所示實施例中，在DIW位準1530之DIW溢流堰溢流直接流入該LINEW歧管本身，藉此避免需要提供一往下進入第二容器之分開的DIW返回路徑。於圖50A中，顯示液體及N2/IPA蒸氣流經LINEW歧管1510、1512、1514，譬如用於一或二個晶圓夾具陣列。在此，歧管的LINEW陣列正安置在DIW 1582之槽1454中，使得該DIW之輸入泵吸1532造成液體及N2/IPA蒸氣向上流動1534、1536、1538、1540經過歧管之LINEW陣列的凹槽1542、1544、及在藉由下LINEW歧管元件1552的溢流堰邊緣1550所形成之個別溢流堰1524之上1556，使得該DIW位準1530係僅只稍微在該溢流堰邊緣1550上方。DIW輸出流經一陣列之凹槽1560及進入一橫孔562，其被連接至每一LINEW歧管的端部上之一管。IPA/N2蒸氣由該LINEW歧管的一端部進入，且係沿著該噴嘴藉由形成於LINEW歧管的頂部1570及中間1572元件間之孔腔水平地分配(亦即於圖50B中之頁面的進/出)。一陣列之橫向凹槽1574用作一分配歧管，以在其外部邊緣將該IPA/N2均勻地餵入該射出器凹槽1576，其可為該頂部1570及中間1572 LINEW歧管元件間之譬如0.01"或另一合適的間隙。經過藉由該上中間572及下中間1553 LINEW歧管元件間之圍起的孔腔所形成的水平通道1580，排氣流動係拉出該LINEW歧管，在此通道可為1580而與通道1562連通。在此，沿著該LINEW歧管長度之排氣流動均勻性係藉由該下面元件1552中之凹槽1560的相同陣列所調節，其由溢流堰邊緣1550運送該DIW 1550至流體輸出通道1562。水大多數掉出該排氣液流進入該排洩管通道1562，而IPA/N2隨同周圍大氣氣體(空氣)藉由該排氣通道1582被排氣負壓所拉出該LINEW歧管。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適之歧管組構可被提供。亦參考圖52，顯示有歧管陣列1450之剖視圖。於所示實施例中，一陣列之螺栓1600被顯示為使用來將該LINEW歧管1514的四個部份1570、1572、1552、1553夾在一起，以用鎖緊進入下面元件1552之螺栓1600形成該輸入IPA/N2通道及該排氣通道。於所揭示實施例之另外態樣中，具有更多或較少部份的任何合適之夾住或製造方法可被使用。亦參考圖51A，顯示有線性IPA噴嘴排出口與溢流堰歧管組件1450之等角視圖。亦參考圖51B，顯示有線性IPA噴嘴排出口與溢流堰歧管組件1450之剖視圖。組件1450具有溢流堰排洩板1552及頂板1570。IPA/N2入口1630係與每一注射器之IPA入口通道1520連通。IPA排出口1632係與每一注射器之IPA排出通道1526連通。排水道1643、1636、1638、1640係與排洩通道1562連通，該等排洩通道1562係與每一溢流堰的排洩通道1528連通。亦參考圖51C，顯示有溢流堰排洩板1552之俯視圖。亦參考圖51D，顯示有溢流堰排洩板1552之剖視圖。在此，溢流堰排洩板1552用作一結構支撐件及提供溢流堰/DIW排出。如圖51C所視，排水道1643、1636、1638、1640係與排洩通道1562連通，該等排洩通道1562係進一步與每一溢流堰1524之排洩通道1528連通，在此DIN流動在每一溢流堰1524的邊緣1550之上，且係經過排洩口1634、1636、1638、1640排洩。於所揭示實施例之另外態樣中，每一溢流堰可在邊緣1644及1646被降低，以促進排洩。在此，每一溢流堰可被倒退切割、變尖或其他方面。以此降低之邊緣，該流動係平行於該晶圓表面引導，在此該溢流堰可在該晶圓的直徑之外於該等邊緣排洩。如圖51D所視，二位準溢流堰1524被顯示於所揭示實施例之另外態樣中。溢流堰1524被顯示為具有主要溢流堰1550及次要溢流堰1650。水流動於該主要溢流堰1550之上而充填通道1652，且接著流動於次要溢流堰1650之上進入排洩通道1528與接著至排洩通道1562。通道1652用作被限局於該主要及次要溢流堰間之水的貯存器，在此該主要及次要溢流堰間之高度中的差異可為少於一毛細管長度或大約2毫米或在其他方面者。這允許該主要水源及該貯存器間之流體連通，並增進該主要溢流堰之潤濕及增加該溢流堰之上的流動之均勻性。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適之溢流堰幾何形狀可被提供。現在參考圖53A，顯示有線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件中之夾具的等角視圖。參考圖53B，顯示有線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件1450中之夾具的等角視圖。於所示實施例中，3陣列之3個滾子1620的每一者被設置，以限制夾具270'之每一支腳，使得該晶圓1456的表面保持在離線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件1450之IPA蒸氣注射及溢流堰部份達一預定距離。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少滾子或夾具270'及/或晶圓1456相對於該IPA蒸氣注射及線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件1450之IPA蒸氣注射及溢流堰部份的另一合適之導引及定位可被提供。
    現在參考圖54，顯示有適合與夾具706一起使用的馬輪固力乾燥模組700之等角視圖。亦參考圖54，顯示有適合與夾具706一起使用的馬輪固力乾燥模組700之截面圖。在所示實施例中，夾具706可在夾具706之相反兩側上支撐二晶圓，在此該二晶圓之每一者僅只具有暴露至該DIW浴槽的單一外部表面，譬如，在此二接觸環密封件(CRS)係設有夾具706，以密封抵靠著該等晶圓的外部邊緣，且由該DIW浴槽隔絕該等晶圓的內表面以及夾具706的內部。馬輪固力乾燥模組700具有LinMot直立驅動器710，該驅動器710設有平衡塊712，其用配重平衡一傳動吊架與夾具，以在想要之可選擇的比率及動作輪廓選擇性升高及/或降低夾具706。馬輪固力乾燥模組700具有相反的IPA注射器模組716、720；相反的N2淨化分配模組724、726、及相反的氣刀模組730、732。托架736可被提供用於控制閥。於所示實施例中，該等N2淨化歧管被顯示在該IPA注射器上方，具有在IPA注射器的入口及排出口上之世偉洛克(Swagelok)配件。N2淨化歧管724被顯示為一管，具有均勻地隔開之洞746。該管被顯示為經由安裝凸緣用螺栓鎖至該容器板748之側面，且被顯示為具有在一端部連接之設有螺紋的管子。公連接器世偉洛克配件被顯示用於該IPA注射器入口750及排出口754。在此，該配件可在該IPA歧管被用螺栓鎖至該容器支撐板之後被安裝。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適之歧管幾何形狀、配件或連接件或其他方面可被提供。所示之N2淨化模組724、726於來自該被淨化之圍起運送環境的晶圓之切換期間防止氧化。對於馬輪固力乾燥模組700中之DIW浴槽，底板760具有(2)DIW/溶劑排出洞762、764及用於DI水入口之單一洞766，如將被進一步敘述者。圖54顯示馬輪固力乾燥模組700，使夾具706於一降低位置中；然而，使平衡塊712於線性馬達710之致動時降低，夾具706可被升高至一升高傳送位置。圖55亦顯示乾燥模組700，使夾具706於一降低位置中。底板760被顯示為具有用於DI水入口之入口中心管766，具有用於DI排水道之側面管762、764。用於結構之硬度，外部容器板780、782被密封至底部760及側面板748、768，並防止排洩DI水滲漏出底板760。內部容器板784、786被密封至底部760及側面板748、768，且延伸直至IPA注射器716、720，以隔絕供給源DIW與排洩DIW。氣刀730、732被顯示為定位在該IPA注射歧管716、720上方。機器HDPE塊體790、792被顯示在該頂板794上，以於適當位置中導引晶圓夾具706。亦參考圖56A，顯示有IPA注射器噴嘴720之等角視圖，該噴嘴具有IPA輸入配件754及IPA蒸氣排出配件754。亦參考圖56B及56C，分別顯示有IPA注射器716、720與氣刀730及732之截面，在此該等IPA注射歧管及氣刀兩者分別清除晶圓夾具706及CRS 805、807。亦參考圖57A，顯示有模組700中之底板760的等角局部剖視圖。在此，該DI水入口被顯示為一板件813，具有耦接至底板760的一系列平均地隔開之洞。亦參考圖57B，顯示有板件784之等角視圖，並具有用於將板件784耦接至IPA注射器噴嘴720的短釘871。亦參考圖58，顯示有IPA注射器噴嘴716、720之剖視圖，使夾具706於一降低位置中。IPA注射器噴嘴720具有頂部區段841、中間區段843、及下方區段844，且提供一使用主要歧管表面及第二凹槽來展開該進來或外出之流體或氣體流動的類似概念，而用於三流動：(1)被迫進來之N2/IPA 851及被動之空氣流動853；(2)外出的N2/空氣855；(3)DIW 856溢出該溢流堰及進入下方區段845中之一陣列的洞859。該3區段841、843、845可藉由從該頂部插入之螺絲861被固持在一起，允許底部區段845用螺栓鎖至該溢流堰壁，並與該溢流堰865之上的流體流動之全視持平。區段841、843可接著被往下用螺栓鎖定，以界定該N2/IPA流動間隙及該排氣孔腔。頂部至中間區段841、843可為在Y中藉由0.04"寬之線性凸部/凹槽組合或其他方面者與該中間至下方區段843、845對齊，該中間至下方區段843、845藉由該螺栓軸桿及該扁平部或其他方面所對齊。頂部至中間對齊界定一間隙、諸如0.01+-0.02"寬之氣隙。內部溢流堰板784及IPA注射器720之間的內部流體圍堵被作成連續的、或可接受地液密，使該注射器組件720使用該溢流堰板784上之短釘焊接式設有螺紋的短釘871，注射器720被用螺栓鎖至該溢流堰板，並將該注射器拉動緊靠著該溢流堰板，以造成一合理地防漏之流體密封。調整能力可被提供：(1)θ-Y：(亦即造成該溢流堰垂直於鉛錘線，故流體流動厚度係均勻的；其意指平行於該頂板附接表面，其將在安裝進入該工具之後被垂直地調整)可藉由該等短釘至其洞上之鬆弛裝配被完成；(2)Z及X位置：(亦即造成左側與右側完全相同)與θ-Y相同；(3)Y由WH偏置：墊板或其他方面者；(4)θ-Z及θ-X：沒有調整，這些可藉由該溢流堰板之熔接件所設定。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少之調整可被提供。於所示實施例中，流體容器可藉由夾住該注射器組件720抵靠著該溢流堰板784被作成，該溢流堰板可被焊接進入該機架。現在參考圖59，顯示有N2氣刀部份之截面，並顯示CRS 805、807間之間隙。氣刀732具有用螺栓879鎖至下部877的上部875，在此上部875及下部877的相反表面間之間隙881形成一由N2壓力來源883越過基板的表面之流體噴流。現在參考圖60A-C，顯示有夾具706之剖視圖，該夾具706具有於馬輪固力乾燥模組700中之二晶圓W。夾具706具有定位部件線性突出部份887，其與該模組機架中之導引部件889咬合。在此，導引部件亦可包含一引入輪廓，如圖60A所示。於所揭示實施例之另外態樣中，更多或較少部件可被提供。
    現在參考圖61A，顯示有晶圓夾具2400及線性噴嘴2430之視圖。亦參考圖61B，顯示有晶圓夾具2400及線性噴嘴2430的視圖。亦參考圖61C，顯示有晶圓2300及線性噴嘴2430之視圖。於所示實施例中，線性噴嘴2430提供均勻之氣體流動至一個以上的晶圓表面2302、2302'。一實施例可具有一直立的處理工具，其可包含一處理模組，該處理模組在該晶圓表面上提供均勻、及盡可能高速率之氣體流動撞擊。此實施例可例如與氮氣體流動一起使用，用於乾燥晶圓，即所謂之“氣刀”組構。交替地，此實施例可被使用於在電沈積之前將帶有稀釋氣體的塗層施加至晶圓表面。所揭示實施例之撓曲晶圓夾具及處理模組對齊元件提供能力，以接近該晶圓表面定位線性噴嘴，如在下面所揭示。於所揭示實施例之另外態樣中，所揭示之線性噴嘴及精確對齊技術可為與一被密封之晶圓夾具一起使用，用於電鍍應用，譬如，如於美國專利第7,445,697號、美國專利第7,722,747號、美國專利第7,727,336號中所敘述，所有該等專利據此係全部以引用的方式併入本文中。於所示實施例中，晶圓夾具2400係藉由處理模組對齊導引件(未示出)相對線性噴嘴2430定位，該導引件亦相對該晶圓夾具2400移動該線性噴嘴2430(或該晶圓夾具相對該噴嘴)，以致由噴嘴2430所放射之氣體噴流係由底部移動至頂部，並覆蓋與通過該(等)晶圓表面2302、2302'。圖61C顯示靠近該晶圓表面之線性噴嘴部份2430的特寫截面。於所示實施例中，在約30度之角度的大約0.25毫米厚線性間隙2432、2432'係分別相對該晶圓表面2302、2302'提供，且被定位離該晶圓前側表面約1毫米，並在高速率射出該氣體朝該晶圓表面2302，藉此以充分之能量撞擊在該表面上以位移大部分流體，以致流體之薄剩餘層接著藉由蒸發迅速乾燥。於所揭示實施例之另外態樣中，其他合適之幾何形狀可被提供。於所揭示實施例之另外態樣中，該均勻之精確對齊的線性氣體噴流可被使用，以施加帶有氣體之材料或其他方面至該晶圓表面上。第二線性噴嘴2432'可被定位離該晶圓背部表面約5毫米，且亦可造成該背部表面的乾燥及亦避免施加一顯著之淨氣體壓力，該氣體壓力可不利地使該晶圓偏折。於所揭示實施例中，示範之線性噴嘴結構被顯示。二裝配件2434、2436被用螺栓鎖緊或以環氧基樹脂接合在一起，以形成一連串之主要及次要歧管，其餵入該狹窄之線性間隙2432，該間隙界定該噴嘴孔隙，如圖61A-C所示。分離塊體2438可被設在該歧管內，以確保均勻之壓力及流動分配。
    現在參考圖62A，顯示有晶圓夾具2400及處理模組2450。亦參考圖62B，顯示有晶圓夾具2400及處理模組2450。亦參考圖63A-C，顯示有晶圓夾具2400及處理模組2450。於所示實施例中，晶圓2300相對於流體處理元件2430的精確對齊被提供，在此模組2450使用被附著至該處理模組機架2454的導引輪2452，使該導引輪2452於該晶圓接近該流體處理元件2430之前嚙合該晶圓夾具支腳元件的下區段。於該示範實施例中，圖62顯示於嚙合該線性噴嘴處理元件2430之前具有晶圓2300的晶圓夾具2400，在此圖62B顯示已通過該線性噴嘴2430的晶圓夾具2400。再者，圖63A-C漸進地顯示在此晶圓夾具2400被移入適當位置，且於該處理期間藉由該等陣列之導引輪2452與直立地被導引在相反側面上，並藉由系統自動化零組件，經由範例，該系統自動化零組件可為線性馬達模組、運送機280、或另一合適之設備(未示出)。於所示實施例中，在該晶圓2300要與該線性噴嘴2430接近之前，晶圓夾具2400被導引輪2452所嚙合，藉此避免該晶圓2300接觸至該線性噴嘴2430及對該晶圓表面造成損壞的風險，同時於該直立動作之處理相位期間獲得該線性噴嘴2430至該晶圓2300之接近間距的特色。在此，於該晶圓2300進入該線性噴嘴2430的緊密間隙2456之前，附著至該處理機架2454之輪子2452導引該晶圓夾具2400進入最後位置。交替地或會同所揭示實施例，處理機架導引元件可被使用於其他實施例中、諸如於剪力板流體浸入及擾動、馬輪固力乾燥、及掃描噴嘴陣列中，在此該導引態樣亦可適用於一批量之晶圓夾具、諸如先前所述之六個晶圓夾具批量，譬如，於光阻劑剝除系統或其他方面者中。相對於批量應用，單一導引元件可被提供用於該批量內之個別夾具，或交替地更少的導引元件可被提供。
    現在參考圖64，顯示有晶圓夾具陣列2500及處理模組2545中之線性噴嘴陣列2530的視圖。亦參考圖65A，顯示有晶圓夾具陣列2500及線性噴嘴陣列2530的視圖。亦參考圖65B，顯示有被擷取或插入線性噴嘴陣列2530的晶圓陣列2300'之視圖。亦參考圖65C，顯示有線性噴嘴陣列2530所通過之晶圓陣列2300'的視圖。於所示實施例中，線性噴嘴2530提供均勻之氣體流動至一個以上的晶圓表面2302"、2302'''。一實施例可具有一直立處理工具，其可包含一處理模組，該處理模組在該晶圓表面上提供均勻、及盡可能高速率之氣體流動撞擊。此實施例可例如與氮氣體流動一起使用，用於乾燥晶圓，即所謂之“氣刀”組構。交替地，此實施例可被使用於在電沈積之前將帶有稀釋氣體的塗層施加至晶圓表面。所揭示實施例之撓曲晶圓夾具及處理模組對齊元件提供能力，以接近該晶圓表面定位線性噴嘴。於所揭示實施例之另外態樣中，所揭示之線性噴嘴及精確對齊技術可為與一被密封之晶圓夾具一起使用，用於電鍍應用，譬如，如於美國專利第7,445,697號、美國專利第7,722,747號、美國專利第7,727,336號中所敘述，所有該等專利據此係全部以引用的方式併入本文中。於所示實施例中，晶圓夾具陣列2500中之每一夾具係藉由處理模組對齊導引件(未示出)相對線性噴嘴2530中之每一線性噴嘴定位，該導引件亦相對該晶圓夾具2400移動該線性噴嘴2530(或該晶圓夾具相對該噴嘴)，以致由噴嘴2530所放射之氣體噴流係由底部移動至頂部，並覆蓋與通過該(等)晶圓表面2302"、2302"。圖65D及65E顯示靠近該晶圓表面之線性噴嘴部份2530的特寫截面。於所示實施例中，在約45度之角度的大約0.25毫米厚線性間隙2532、2532'係分別相對該晶圓表面2302"、2302'''提供，且被定位離該晶圓表面約1-4毫米，並在高速率射出該氣體朝該晶圓表面，藉此以充分之能量撞擊在該表面上以位移大部分流體，以致流體之薄剩餘層接著藉由蒸發迅速乾燥。於所揭示實施例之另外態樣中，其他合適之幾何形狀可被提供。於所揭示實施例之另外態樣中，該均勻之精確對齊的線性氣體噴流可被使用，以施加帶有氣體之材料或其他方面者至該晶圓表面上。第二線性噴嘴2532'可被定位離該晶圓背部表面約5毫米，且亦可造成該背部表面的乾燥及亦避免施加一顯著之淨氣體壓力，該氣體壓力可不利地使該晶圓偏折。於所揭示實施例中，示範之線性噴嘴結構被顯示。二裝配件2534、2536被用螺栓鎖緊或以環氧基樹脂接合在一起，以形成一連串之主要及次要歧管2537，其餵入該狹窄之線性間隙2532，該間隙界定該噴嘴孔隙。分離塊體2538可被設在該歧管內，以確保均勻之壓力及流動分配。於所示實施例中，該陣列晶圓2300'相對於流體處理元件2530的精確對齊係被提供，在此模組2545使用被附著至該處理模組機架2554的導引輪2552，使該導引輪2552於該晶圓接近該流體處理元件2530之前嚙合該晶圓夾具支腳元件的下區段。於所示實施例中，在該晶圓2300'要與該線性噴嘴陣列2530接近之前，晶圓夾具2500被導引輪2552所嚙合，藉此避免該晶圓2300接觸至該線性噴嘴2530及對該晶圓表面造成損壞的風險，同時於該直立動作之處理相位期間獲得該線性噴嘴陣列2530至該晶圓陣列2300'之接近間距的特色。在此，於該晶圓陣列2300'中之每一晶圓進入該線性噴嘴陣列2530的緊密間隙2556之前，附著至該處理機架2554之輪子2552導引該晶圓夾具陣列2500中之每一夾具進入最後位置。交替地或會同所揭示實施例，處理機架導引元件可被使用於其他實施例中、諸如於剪力板流體浸入及擾動、馬輪固力乾燥、及掃描噴嘴陣列中，在此該導引態樣亦可適用於一批量之晶圓夾具、諸如先前所述之六個晶圓夾具批量，譬如，於光阻劑剝除系統或其他方面者中。相對於批量應用，單一導引元件可被提供用於該批量內之個別夾具，或交替地更少的導引元件可被提供。
    現在參考圖66，顯示有流體噴流平行之單一晶圓處理模組1300的側視圖。在此，流體處理模組1300可平行地處理複數個基板夾具，在此模組1300具有對應於流體處理槽中之複數個基板夾具的複數個線性噴嘴，並使該複數個基板夾具之每一者相對於該複數個線性噴嘴之每一者的一對應噴嘴被對齊與定位，而與其他基板夾具無關。流體噴流可在高速率賦予流體至一晶圓表面。流體噴流、亦即在高速率經過被限制之間隙或噴嘴所噴灑的流體造成該流體以相當可觀之速率撞擊在該晶圓表面上，這可被用來克服表面張力及弄濕該晶圓表面或由該晶圓表面上之微尺度部件逐出及帶走不想要之微粒或碎物。在此該晶圓至流體噴流介面係藉由諸如空氣或氮之氣體所圍繞，該液流中之能量係可用的，以克服表面張力及潤濕力。被浸入該周圍流體中之流體噴流組件亦可被使用來改善在該晶圓表面之混合，但其大部份能量可被該環繞之周圍流體所吸收。用於使被浸入流體中之晶圓表面的前面中之流體邊界層變薄，藉此增加經過反應物至該晶圓表面之邊界層的運送比率及藉由遠離該晶圓表面之產物的反應，雖然剪力板流體擾動係有用的，其大體上不會使用流體能量，以克服潤濕阻抗或有利地逐出晶圓表面上之微粒。平行的單一晶圓(PSW)流體噴流處理利用模組1300具有一陣列1310之流體噴流1314，其被接近地隔開及精確地對齊至該晶圓856表面，藉此對於處理有效性及可重複性提供有效率之流體能量傳送。一陣列1310或數個陣列之流體噴流可被提供，以同時地處理夾具陣列818內之每一晶圓表面，而提供高生產力。於模組1300中，直立定向造成流體排洩遠離該噴流至晶圓撞擊線1320，藉此確保該流體能量不會藉由撞擊在一層流體上所浪費，譬如，如將在一大體上水平定向中發生者。於模組1300中，一陣列之晶圓可在單一處理模組中被同時地處理，藉此提供分享流體泵吸、流體圍堵、及其他流體處理系統元件之經濟利益、以及使用自動化子系統之單一動作的經濟利益，該自動化子系統用於運送多數個晶圓進入及離開該處理模組。亦參考圖67，顯示有流體噴流之平行的單一晶圓處理模組1300之局部等角剖視圖。圖66顯示一正面圖，使該流體圍堵容器的前壁1326被移除，反之圖67顯示一經過該流體噴流處理模組1300之截面。晶圓856被晶圓夾具950所固持，該等夾具已當作一陣列818被輸送至該流體噴流處理單元1300。一陣列之流體噴流噴嘴陣列1310係相對於該WH陣列精確地定位，且被上下直立地掃描，如將在下面被更為詳細地顯示。當其往下滴而離開該晶圓表面及返回至泵吸及過濾系統之流體時，槽件1326可裝盛該流體，該泵吸及過濾系統泵吸該流體退入該噴嘴陣列。亦參考圖68A-C，顯示有流體噴流之平行的單一晶圓處理模組1300之局部等角剖視圖。圖68A-C顯示流體噴流模組1300截面，其描述由該等晶圓856的底部(圖68A)掃描至該頂部(圖68C)之噴嘴陣列1310。在該掃描之每一端部上，該陣列典型移至一稍微超出該晶圓的邊緣之“過度掃描”位置，藉此確保流體噴流處理至該晶圓表面之完全涵蓋範圍。傳統於該直立方向中掃描該噴嘴陣列的上下驅動器可被使用，譬如同步操作的一組四個之線性馬達，每一馬達被設置在該長方形陣列之四個角落的其中一者上；合適之製造廠係來自威斯康辛州埃爾克霍恩市的LinMot。合適之導引、譬如藉由導引輪或以別的方式可被使用來相對於其個別之噴嘴1314精確地定位每一獨立的夾具950。參考圖69，顯示有流體噴流之平行的單一晶圓處理模組1300之局部等角剖視圖，使WH陣列818被插入該流體噴流模組1300。亦參考圖70，顯示有流體噴流之平行的單一晶圓處理模組1300之側視圖，使WH陣列818被插入該流體噴流模組1300。於所示實施例中，WH陣列818被該系統自動化的元件946所固持，在此支撐該WH陣列818之重量及相對該流體噴流模組1300上之部件對齊該WH陣列818的運送機，具有將相對於該噴嘴陣列1310該WH's導引進入精確位置之作用。當該運送機放開該WH's 950時，該等WH元件950之每一者係與該噴嘴陣列1320中之其個別的噴嘴歧管1314自由地造成對齊，且相對於每一對應噴嘴1314被獨立地定位。亦參考圖71，顯示有流體噴流噴嘴陣列1310之局部等角剖視圖。亦參考圖72，顯示有在噴嘴1314內之流體噴流噴嘴陣列1326的等角視圖。圖71及72顯示該區域的一特寫截面，該等流體噴流在該區域中撞擊至該晶圓上。在此，晶圓856被該WH 950所固持，該WH 950被精確地對齊至該等噴嘴歧管1314。個別之噴嘴1328可為市售的，譬如來自Lechler公司者，或可為定製者。譬如去離子水、溶劑、或蝕刻劑之處理流體1330被泵吸進入該噴嘴歧管1314，且沿著該歧管孔腔分配及進入每一個別之噴嘴1328，以顯現為一高速率流體噴流1330。在該等圖面中所描述者為商業噴嘴，其以V形風扇圖案放射一噴流。交替地，任何合適之圖案可被使用。圖72顯示於一噴嘴歧管1314中之噴嘴1326的水平陣列，該噴嘴歧管1314被定位在一晶圓856的頂部邊緣上方、亦即於該“過度掃描”位置中。如所示，被定位成直立地隔開達數毫米及交替橫側之噴嘴1328的二平行陣列可被提供，以致由每一噴嘴發出之流體噴流液流於攔截來自其他噴嘴的液流之前不會干預及大體上撞擊在該晶圓表面上。亦參考圖73A-C，顯示有另一實施例流體噴流平行的單一晶圓處理模組1300'之局部等角剖視圖。模組1300'使用直立地分開之複數個1340水平噴嘴陣列1342、1344，以致較小的直立掃描距離被需求，以充分地覆蓋該晶圓表面，被顯示於圖73A-C，即分別用在對於每一晶圓具有二噴嘴陣列之組構的底部、中間、及頂部掃描位置。於所揭示實施例之另外態樣中，任何合適之組合可被提供。
    按照該揭示實施例的一態樣，用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統被提供，其具有一處理模組機架，該處理模組機架具有複數個處理元件，以處理該基等板表面，而不會接觸該等基板表面；及一基板夾具組件，具有許多基板夾具，及基板夾具組件，具有許多基板夾具，其每一者係可移除地耦接至該處理區段機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構成固持一基板；該處理區段機架具有對齊部件，以可重複對齊方式相對於該複數個處理元件中之每一處理元件，對齊該基板夾具組件中之每一基板夾具與被定位在該等基板間之該複數個處理元件中之每一處理元件。
    按照所揭示實施例之另一態樣，該複數個處理元件包括一陣列之擾動構件，其攪動鄰接該基板表面之流體，而不會接觸該等基板表面。
    按照所揭示實施例之另一態樣，該等基板之表面係於大體上直立定向中。
    按照所揭示實施例之另一態樣，該處理模組機架包括流體槽。
    按照所揭示實施例之另一態樣，該等對齊部件包括直立導引件，且其中該基板夾具組件中之每一基板夾具具有一體式定位部件，該定位部件與每一直立導引件之對接部件配合。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板夾具組件係可當作一單元由該處理模組機架移除。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該等對齊部件包括軸承。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有：處理模組機架，其具有複數個處理元件，以流體處理該等基板表面，而不會接觸該等基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，其每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構成固持一基板；該處理模組機架具有直立導引件，以可重複對齊方式相對於該複數個處理元件中之對應處理元件，對齊該基板夾具組件中之每一基板夾具與被定位在該等基板間之該複數個處理元件中之每一處理元件，而與該複數個處理元件中之其他處理元件無關。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有：處理模組機架，其具有複數個處理元件，以流體處理該等基板表面，而不會接觸該等基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，其每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構成固持一基板；該處理模組機架具有直立導引件，以可重複對齊方式相對於該複數個處理元件中之對應處理元件，對齊該基板夾具組件中之每一基板夾具與被定位在該等基板間之該複數個處理元件中之每一處理元件，而與該複數個處理元件中之其他處理元件無關，且其中該等直立導引件將該等基板表面維持於平行對齊與直立定向中。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有：處理模組機架，其具有複數個處理元件，以處理該等基板表面，而不會接觸該等基板表面；基板夾具組件，具有許多基板夾具，其每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構成固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；及該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個處理元件中之每一處理元件可重複對齊，使該複數個處理元件中之每一處理元件被定位在該等基板之間。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該處理模組機架另包括對齊部件，以可重複對齊方式相對於該複數個處理元件中之每一處理元件對齊該基板夾具組件中之每一基板夾具，其中該對齊部件包括直立導引件，且其中該基板夾具組件中之每一基板夾具具有一體式定位部件，其與該等直立導引件之每一者的對接部件配合。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板夾具組件中之每一基板夾具係可由該處理模組機架移除，而與該基板夾具組件中之其他夾具無關。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有：處理模組機架，其具有複數個處理元件，以流體處理該等基板表面，而不會接觸該等基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，其每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構成固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個處理元件中之對應處理元件與被定位在該等基板間之該複數個處理元件中之每一處理元件可重複對齊，而與該複數個處理元件中之其他處理元件無關。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有：處理模組機架，其具有複數個處理元件，以流體處理該等基板表面，而不會接觸該等基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，其每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構成固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個處理元件中之對應處理元件與被定位在該等基板間之該複數個處理元件中之每一處理元件可重複對齊，而與該複數個處理元件中之其他處理元件無關，且其中該等基板表面被維持於平行對齊與直立定向中。
    按照所揭示實施例的另一態樣，被設計成適於在基板的表面之直立流體處理期間固持及夾持該基板的基板夾具被提供，該晶圓夾具具有：機架；第一支腳，藉由第一柔順撓曲部耦接至該機架，該第一支腳具有被建構成嚙合該基板之第一邊緣的第一接觸構件；及第二支腳，藉由第二柔順撓曲部被耦接至該機架，該第二支腳具有被建構成嚙合該基板之第二邊緣的第二接觸構件；其中，於該第一及第二柔順撓曲部之偏折時，該第一及第二支腳係可於實質上相反的方向中移動，使該第一及第二接觸突指分別由該基板的第一及第二邊緣脫離。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該第一接觸構件包括第一及第二接觸突指，嚙合該基板之第一邊緣的不同部份。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該第一接觸構件包括第一、第二及第三接觸點，該第一接觸點嚙合該基板之第一邊緣，該第二接觸點嚙合該基板之表面，該第三接觸點在該基板之相反側面上嚙合該基板之另一表面。
    按照所揭示實施例之另一態樣，該第一及第二支腳係可於相同平面中移動。
    按照所揭示實施例之另一態樣，該第一及第二支腳另包括第一及第二一體式定位部件，其被建構成與對接定位部件配合。
    按照所揭示實施例之另一態樣，該第一及第二支腳另包括第一及第二錐形前緣，其被建構成與對接定位部件嚙合。
    按照所揭示實施例之另一態樣，該第一柔順撓曲部包括第一及第二撓曲元件，該第一撓曲元件大體上平行於該第二撓曲元件。
    按照所揭示實施例之另一態樣，被設計成適於在基板的表面之直立流體處理期間固持及夾持該基板的基板夾具被提供，該晶圓夾具具有：機架；第一支腳，藉由第一柔順撓曲部耦接至該機架，該第一支腳具有被建構成嚙合該基板之第一邊緣的第一接觸構件；第二支腳，藉由第二柔順撓曲部被耦接至該機架，該第二支腳具有被建構成嚙合該基板之第二邊緣的第二接觸構件；及處理部件，被耦接至該機架，該處理部件具有一大體上垂直於該第一及第二支腳的夾具運送機介接表面；其中，於該第一及第二柔順撓曲部之偏折時，該第一及第二支腳係可於實質上相反的方向中移動，使該第一及第二接觸突指分別由該基板的第一及第二邊緣脫離。
    按照所揭示實施例的另一態樣，被設計成適於在基板的表面之直立流體處理期間固持及夾持該基板的基板夾具被提供，該晶圓夾具具有：機架；第一支腳，藉由第一柔順撓曲部耦接至該機架，該第一支腳具有第一接觸構件，該第一接觸構件具有被建構成嚙合該基板之第一邊緣的不同部份之第一及第二接觸突指；及第二支腳，藉由第二柔順撓曲部被耦接至該機架，該第二支腳具有第二接觸構件，該第二接觸構件具有被建構成嚙合該基板之第二邊緣的不同部份之第三及第四接觸突指；其中，於該第一及第二柔順撓曲部之偏折時，該第一及第二支腳係可於實質上相反的方向中移動，使該第一及第二接觸突指分別由該基板的第一及第二邊緣脫離。
    按照所揭示實施例的另一態樣，被設計成適於由複數個被排列的基板夾具卸載複數個經處理之基板及將複數個未處理之基板載入至該複數個被排列的基板夾具之基板卸載及載入設備被提供，該基板卸載及載入設備具有機架；複數個經處理基板支撐件，被耦接至該機架且被建構來支撐該複數個經處理之基板；複數個未處理基板支撐件，被耦接至該機架且被建構來支撐該複數個未處理之基板，該複數個未處理之基板的每一者相對於該複數個經處理之基板支撐件的每一者交錯及交插；及夾具釋放器，被耦接至該機架及被建構成嚙合該複數個被排列的基板夾具，該夾具釋放器具有第一狀態，在此該複數個被排列的基板夾具由該複數個被排列的基板夾具釋放該複數個經處理之基板，該夾具釋放器具有第二狀態，在此該複數個被排列的基板夾具以該複數個被排列的基板夾具捕捉該複數個未處理之基板；其中，該複數個經處理之基板係由該複數個被排列的基板夾具卸載至於該第一狀態中的該複數個經處理之基板支撐件，且其中該複數個未處理之基板係由該複數個未處理基板支撐件載入至於該第二狀態中之該複數個被排列的基板夾具。
    按照所揭示實施例之另一態樣，該複數個經處理之基板係由該複數個被排列的基板夾具卸載，同時於直立定向中，且其中該複數個未處理之基板被載入至該複數個被排列的基板夾具，同時於直立定向中。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該複數個經處理基板支撐件及該複數個未處理基板支撐件係以一指示器耦接至該機架，其中該指示器同時地由第一位置移動該複數個經處理基板支撐件及該複數個未處理基板支撐件，在此該複數個經處理之基板係由該複數個被排列的基板夾具卸載至第二位置，該複數個未處理之基板在此第二位置被載入至該複數個被排列的基板夾具。
    按照所揭示實施例的另一態樣，當於該第一狀態中時，該夾具釋放器由該複數個經處理之基板的邊緣脫離該複數個被排列的基板夾具之基板邊緣支撐構件，且其中當於該第二狀態中時，該夾具釋放器將該基板邊緣支撐構件嚙合至該複數個未處理之基板的邊緣。
    按照所揭示實施例的另一態樣，藉由該複數個未處理基板支撐件所支撐的複數個未處理基板之每一者，係相對於藉由該複數個經處理基板支撐件所支撐之複數個經處理基板的每一者交錯及交插。
    按照所揭示實施例之另一態樣，藉由該複數個未處理基板支撐件所支撐的該複數個未處理基板之每一者，係相對於藉由該複數個經處理基板支撐件所支撐的該複數個經處理基板之每一者軸向地對齊。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該複數個未處理基板之邊緣係藉由該複數個未處理基板支撐件所支撐，且其中該複數個經處理基板之邊緣係藉由該複數個經處理基板支撐件所支撐。
    按照所揭示實施例之另一態樣，被設計成適於由複數個被排列的基板夾具卸載複數個經處理之基板及將複數個未處理之基板載入至該複數個被排列的基板夾具之基板卸載及載入設備被提供，該基板卸載及載入設備具有機架；複數個經處理基板支撐件，被耦接至該機架且被建構來支撐該複數個經處理之基板；複數個未處理基板支撐件，被耦接至該機架且被建構來支撐該複數個未處理之基板，該複數個未處理基板支撐件的每一者相對於該複數個經處理基板支撐件的每一者交錯及交插；及夾具釋放器，被耦接至該機架及被建構成嚙合該複數個被排列的基板夾具，該夾具釋放器具有第一狀態，在此該複數個被排列的基板夾具由該複數個被排列的基板夾具釋放該複數個經處理之基板，該夾具釋放器具有第二狀態，在此該複數個被排列的基板夾具以該複數個被排列的基板夾具捕捉該複數個未處理之基板；其中，該複數個經處理之基板係當作經處理基板群組由該複數個被排列的基板夾具同時卸載至於該第一狀態中的該複數個經處理之基板支撐件，且其中該複數個未處理之基板係當作未處理基板群組由該複數個未處理基板支撐件同時載入至於該第二狀態中之該複數個被排列的基板夾具。
    按照所揭示實施例的另一態樣，被設計成適於由複數個被排列的基板夾具卸載複數個經處理之基板及將複數個未處理之基板載入至該複數個被排列的基板夾具之基板卸載及載入設備被提供，該基板卸載及載入設備具有機架；複數個經處理基板支撐件，被耦接至該機架且被建構來支撐該複數個經處理之基板；複數個未處理基板支撐件，被耦接至該機架且被建構來支撐該複數個未處理之基板，該複數個未處理基板支撐件的每一者相對於該複數個經處理基板支撐件的每一者交錯及交插；複數個夾具支撐件，被耦接至該機架且被建構來支撐及對齊該複數個被排列的基板夾具之每一夾具，而與該複數個被排列的基板夾具中之其他夾具無關；及夾具釋放器，被耦接至該機架及被建構成嚙合該複數個被排列的基板夾具，該夾具釋放器具有第一狀態，在此該複數個被排列的基板夾具由該複數個被排列的基板夾具釋放該複數個經處理之基板，該夾具釋放器具有第二狀態，在此該複數個被排列的基板夾具以該複數個被排列的基板夾具捕捉該複數個未處理之基板；其中，該複數個經處理之基板係由該複數個被排列的基板夾具卸載至於該第一狀態中的該複數個經處理之基板支撐件，且其中該複數個未處理之基板係由該複數個未處理基板支撐件載入至於該第二狀態中之該複數個被排列的基板夾具。
    按照所揭示實施例之另一態樣，用於處理複數個基板之表面的系統被提供，該系統具有一處理模組，該處理模組具有一處理模組機架及具有複數個處理元件，以處理該等基板表面，而不會接觸該等基板表面；複數個基板夾具組件，每一基板夾具組件具有許多基板夾具，該等基板夾具之每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構來固持一基板；該處理模組機架具有對齊部件，以可重複對齊方式相對於該複數個處理元件中之每一處理元件，對齊該基板夾具組件中之每一基板夾具與被定位在該等基板間之該複數個處理元件中之每一處理元件；載入器模組，被建構來由該等基板夾具組件之每一者卸載複數個經處理之基板、及將複數個未處理之基板載入至該等基板夾具組件的每一者；及運送機，被建構來運送該等基板夾具組件之每一者至該處理模組及該載入器模組、與由該處理模組及該載入器模組運送該等基板夾具組件之每一者。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該系統另具有第二處理模組，其中該運送機被建構來運送該等基板夾具組件之每一者至該處理模組、該第二處理模組及該載入器模組、與由該處理模組、該第二處理模組及該載入器模組運送該等基板夾具組件之每一者。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該系統另具有基板運送前端，被建構成由基板載具至該載入器模組運送該等未處理之基板，且進一步被建構成由該載入器模組至該等基板載具運送經處理之基板。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該等基板之表面係於大體上直立定向中。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該複數個處理元件包括一陣列之擾動構件，其攪動一鄰近該基板表面之流體，而不會接觸該等基板表面。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板夾具組件係可當作一單元由該處理模組機架移除。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板夾具組件中之每一基板夾具係可由該處理模組機架移除，而與該基板夾具組件中之其他夾具無關。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於處理複數個基板之表面的系統被提供，該系統具有一處理模組機架，該處理模組機架具有複數個處理元件，以處理該等基板表面，而不會接觸該等基板表面；基板夾具組件，具有許多基板夾具，該等基板夾具之每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構來固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個處理元件中之每一處理元件可重複對齊，使該複數個處理元件中之每一處理元件被定位在該等基板之間；載入器模組，被建構來由該等基板夾具組件之每一者卸載複數個經處理之基板、及將複數個未處理之基板載入至該等基板夾具組件的每一者；及運送機，被建構來運送該等基板夾具組件之每一者至該處理模組及該載入器模組、與由該處理模組及該載入器模組運送該等基板夾具組件之每一者。
    按照所揭示實施例之另一態樣，用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有一處理模組機架，該處理模組機架具有複數個處理元件，以處理該等基板表面，而不會接觸該等基板表面；基板夾具組件，具有許多基板夾具，該等基板夾具之每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構來固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個處理元件中之對應處理元件與被定位在該等基板間之該複數個處理元件中之每一處理元件可重複對齊，而與該複數個處理元件中之其他處理元件無關，且其中該等基板表面被維持於平行對齊與直立定向中；載入器模組，被建構來由該等基板夾具組件之每一者卸載複數個經處理之基板、及將複數個未處理之基板載入至該等基板夾具組件的每一者；及運送機，被建構來運送該等基板夾具組件之每一者至該處理模組及該載入器模組、與由該處理模組及該載入器模組運送該等基板夾具組件之每一者。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有一處理模組機架，該處理模組機架具有複數個擾動構件，以在該等基板表面攪動該流體，而不會接觸該等基板表面；基板夾具組件，具有許多基板夾具，該等基板夾具之每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構來固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；及該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個擾動構件中之每一擾動構件可重複對齊，使該複數個擾動構件中之每一擾動構件被定位在該等基板之間。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該複數個擾動構件中之每一擾動構件係可直立地移動，而與該複數個擾動構件中之其他擾動構件無關。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該等基板之表面係於大體上直立定向中。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該處理模組機架包括一流體槽。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該處理模組機架另包括對齊部件，以可重複對齊方式相對於該複數個處理元件中之每一擾動構件對齊該基板夾具組件中之每一基板夾具；其中該等對齊部件包括直立導引件，且其中該基板夾具組件中之每一基板夾具具有一體式定位部件，該定位部件與每一直立導引件之對接部件配合。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板夾具組件係可當作一單元由該處理模組機架移除。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板夾具組件中之每一基板夾具係可由該處理模組機架移除，而與該基板夾具組件中之其他夾具無關。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有一處理模組機架，該處理模組機架具有複數個擾動構件，以流體處理該等基板表面，而不會接觸該等基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，該等基板夾具之每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構來固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；及該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個擾動構件中之對應擾動構件可重複對齊，而與該複數個擾動構件中之其他擾動構件無關，使該複數個擾動構件中之每一擾動構件被定位在該等基板之間。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有一處理模組機架，該處理模組機架具有複數個擾動構件，以流體處理該等基板表面，而不會接觸該等基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，該等基板夾具之每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構來固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個擾動構件中之對應擾動構件可重複對齊，而與該複數個擾動構件中之其他處理元件無關，使該複數個擾動構件中之每一擾動構件被定位在該等基板之間，且其中該等基板表面被維持於平行對齊與直立定向中。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於乾燥在液體中之基板的表面之一寬度的基板乾燥設備被提供，該基板乾燥設備具有一裝盛該液體之液體槽；耦接至該液體槽之注射噴嘴，該注射噴嘴具有一越過該基板之表面的寬度之連續式刀緣注射表面；及被耦接至該注射噴嘴之排洩口，該排洩口具有大體上平行於該連續式刀緣注射表面及越過該基板的表面之寬度的連續式排洩表面；其中，該液體在該連續式排洩表面及該基板之表面的寬度之間形成新月形，且其中該注射噴嘴在該新月形引導蒸氣。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板係於大體上直立定向中。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板被耦接至夾具，該夾具及該基板可相對該注射噴嘴及該排洩口移動。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該連續式排洩表面形成一大體上被永久地潤濕之溢流堰。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該連續式排洩表面形成一溢流堰，其在平行及垂直於該晶圓表面之兩方向中呈凹口式。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板乾燥設備另具有一被設計成適於補充該液體之液體貯存器，該液體貯存器具有一擾動該液體之流體擾動機件。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該排洩口包括一具有下液體排洩部份及上蒸氣排出部份的排洩歧管。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於乾燥在液體中之基板的表面之一寬度的馬輪固力乾燥機設備被提供，該馬輪固力乾燥機設備具有被耦接至一組合液體及蒸氣排洩口之注射噴嘴；該注射噴嘴具有一連續式刀緣注射表面；該組合液體及蒸氣排洩口具有一大體上平行於該連續式刀緣注射表面之連續式排洩表面；該連續式刀緣注射表面及該連續式排洩表面係連續式越過該晶圓的寬度；其中，蒸氣係沿著該連續式刀緣注射表面之長度注射至該基板的表面及該組合液體與蒸氣排洩口之間所形成的新月形，且其中該液體及蒸氣流入該組合液體及蒸氣排洩口。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於乾燥在液體中之多數個基板的相反表面之多數個基板乾燥設備被提供，該多數個基板乾燥設備具有一裝盛該液體之液體槽；複數個歧管，每一歧管鄰近該等基板之相反表面的每一者；每一歧管具有一耦接至該液體槽之注射噴嘴，該注射噴嘴具有一越過該基板之表面的寬度之連續式刀緣注射表面；及每一歧管具有一耦接至該注射噴嘴的排洩口，該排洩口具有一大體上平行於該連續式刀緣注射表面及越過該基板之表面的寬度之連續式排洩表面；其中，該液體在每一連續式排洩表面與該等基板之每一表面的寬度之間形成一新月形，且其中該注射噴嘴在該新月形引導蒸氣。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在處理模組中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有處理模組機架，其具有複數個流體噴流元件，以在該等基板表面注射一流體，而不會接觸該等基板表面；基板夾具組件，具有許多基板夾具，該等基板夾具之每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構來固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對於該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；及該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個流體噴流元件中之每一流體噴流元件可重複對齊，使該複數個流體噴流元件中之每一流體噴流元件被定位在該等基板之間。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該複數個流體噴流元件係可當作一群組地相對該基板夾具組件移動。
    按照所揭示實施例之另一態樣，該等基板之表面係於大體上直立定向中。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該處理模組機架包括一流體槽。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該處理模組機架另包括對齊部件，以可重複對齊方式相對於該複數個流體噴流元件中之每一流體噴流元件對齊該基板夾具組件中之每一基板夾具，其中該等對齊部件包括直立導引件，且其中該基板夾具組件中之每一基板夾具具有一體式定位部件，該定位部件與每一直立導引件之對接部件配合。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板夾具組件係可當作一單元地由該處理模組機架移除。
    按照所揭示實施例的另一態樣，該基板夾具組件中之每一基板夾具係可由該處理模組機架移除，而與該基板夾具組件中之其他夾具無關。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在處理模組中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有處理模組機架，其具有複數個流體噴流元件，以在該等基板表面注射一流體，而不會接觸該等基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，該等基板夾具之每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構來固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對於該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個流體噴流元件中之對應流體噴流元件可重複對齊，而與該複數個流體噴流元件中之其他流體噴流元件無關，使該複數個流體噴流元件中之每一流體噴流元件被定位在該等基板之間。
    按照所揭示實施例的另一態樣，用於流體處理被排列在處理模組中之一個以上的基板表面之系統被提供，該系統具有處理模組機架，其具有複數個流體噴流元件，以在該等基板表面注射一流體，而不會接觸該等基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，該等基板夾具之每一者係可移除地耦接至該處理模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構來固持一基板，該基板夾具組件中之每一基板夾具可相對於該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位；該基板夾具組件中之每一基板夾具相對於該複數個流體噴流元件中之對應流體噴流元件可重複對齊，而與該複數個流體噴流元件中之其他流體噴流元件無關，使該複數個流體噴流元件中之每一流體噴流元件被定位在該等基板之間，且其中該等基板表面被維持於平行對齊與直立定向中。
    應了解該前面之敘述僅只為所揭示實施例之說明性態樣。各種另外選擇及修改能被那些熟諳該技藝者所想出，而未由所揭示實施例之態樣脫離。據此，所揭示實施例之態樣係意欲涵括所有此等落在所附申請專利之範圍內的另外選擇、修改及差異。再者，在彼此不同的申請專利範圍附屬項或獨立項中所引用之不同特色的僅有事實不會指示這些特色之組合不能被有利地使用，此一組合保留在本發明之態樣的範圍內。
    200‧‧‧單一基板處理系統
    204‧‧‧載入站
    206‧‧‧載入口
    210‧‧‧模組
    220‧‧‧控制器
    220'‧‧‧控制器
    222‧‧‧系統控制器
    240‧‧‧單一基板處理系統
    244‧‧‧晶圓夾具
    246‧‧‧晶圓夾具
    248‧‧‧陣列
    250‧‧‧卸載位置
    252‧‧‧陣列
    256‧‧‧運送機
    258‧‧‧處理
    260‧‧‧乾燥機
    262‧‧‧處理模組
    264‧‧‧處理模組
    266‧‧‧處理模組
    268‧‧‧處理模組
    270‧‧‧夾具
    270'‧‧‧夾具
    272‧‧‧夾具
    274‧‧‧晶圓載入器模組
    274'‧‧‧輸入
    274"‧‧‧載入/卸載
    274'''‧‧‧輸出
    276‧‧‧機械人的手臂
    278‧‧‧基板
    280‧‧‧運送機
    282‧‧‧行程
    284‧‧‧處理支撐件區域
    290‧‧‧乾燥機模組
    300‧‧‧單一晶圓處理系統
    302‧‧‧儲存或動力分配部份
    304‧‧‧晶圓運送部份
    306‧‧‧批量載入及卸載部份
    308‧‧‧處理部份
    310‧‧‧晶圓
    310'‧‧‧單一晶圓處理模組
    312‧‧‧載具
    314‧‧‧機器人
    320‧‧‧輸出梭動機構陣列
    320'‧‧‧梭動機構陣列
    320"‧‧‧梭動機構陣列
    322‧‧‧輸入梭動機構陣列
    324‧‧‧載入器
    324'‧‧‧處理位置
    326‧‧‧運送機
    327‧‧‧運送機
    330‧‧‧載入位置
    332‧‧‧輸入位置
    334‧‧‧輸出位置
    340‧‧‧處理模組
    342‧‧‧處理模組
    344‧‧‧處理模組
    346‧‧‧處理模組
    348‧‧‧緩衝側面
    350‧‧‧緩衝站
    352‧‧‧緩衝站
    354‧‧‧緩衝站
    355‧‧‧支撐構件
    356‧‧‧緩衝站
    358‧‧‧緩衝站
    359‧‧‧夾具
    360‧‧‧夾具
    360'‧‧‧緩衝站
    362‧‧‧把手區段
    364‧‧‧晶圓區段
    366‧‧‧橫桿
    368‧‧‧撓曲部
    370‧‧‧撓曲部
    372‧‧‧突指
    374‧‧‧突指
    376‧‧‧突指
    376'‧‧‧突指
    378‧‧‧突指
    378'‧‧‧突指
    380‧‧‧晶圓
    380'‧‧‧第一表面
    380"‧‧‧第二表面
    382‧‧‧打開
    384‧‧‧第一順應撓曲部
    386‧‧‧第二順應撓曲部
    388‧‧‧第一邊緣
    390‧‧‧第二邊緣
    400‧‧‧載入器
    402‧‧‧晶圓
    404‧‧‧晶圓
    406‧‧‧致動器
    410‧‧‧梭動機構軸線
    420‧‧‧晶圓握爪機件
    421‧‧‧晶圓夾具
    430‧‧‧蓋件
    432‧‧‧橫桿
    434‧‧‧液位
    436‧‧‧運送機區域
    438‧‧‧風扇單元
    440‧‧‧排氣空間
    442‧‧‧封圍件
    460‧‧‧支撐件
    464‧‧‧梭動機構
    470‧‧‧握爪部份
    471‧‧‧處理模組
    472‧‧‧第一握爪
    473‧‧‧剪力板組件
    474‧‧‧第二握爪
    476‧‧‧致動器
    478‧‧‧抓住部件
    480‧‧‧抓住部件
    481‧‧‧流體槽
    482‧‧‧咬扣部件
    483‧‧‧線性馬達
    484‧‧‧咬扣部件
    485‧‧‧導引輪
    486‧‧‧部件
    488‧‧‧部件
    490‧‧‧致動器
    492‧‧‧致動器
    494‧‧‧滑動件
    498‧‧‧滑動件
    500‧‧‧支撐台
    502‧‧‧驅動器
    510‧‧‧中介支撐件
    512‧‧‧致動器
    514‧‧‧致動器
    550‧‧‧基板夾具
    552‧‧‧基板
    553‧‧‧隔開
    554‧‧‧第二支撐部份
    555‧‧‧隔開
    556‧‧‧螺絲
    558‧‧‧螺絲
    560‧‧‧錐形表面
    562‧‧‧錐形表面
    564‧‧‧錐形表面
    566‧‧‧行進區
    570‧‧‧橡膠墊
    572‧‧‧凹槽
    574‧‧‧抗蝕劑
    576‧‧‧邊緣除外部
    578‧‧‧幾何形狀
    586‧‧‧陣列
    588‧‧‧寬度
    590‧‧‧扭矩
    592‧‧‧間距
    594‧‧‧部件
    602‧‧‧支撐件
    604‧‧‧支撐件
    606‧‧‧支撐件
    608‧‧‧支撐件
    610‧‧‧溝槽
    612‧‧‧溝槽
    700‧‧‧乾燥模組
    706‧‧‧夾具
    710‧‧‧直立驅動器
    712‧‧‧平衡塊
    716‧‧‧注射器模組
    720‧‧‧注射器模組
    724‧‧‧底板
    726‧‧‧淨化分配模組
    730‧‧‧氣刀模組
    732‧‧‧氣刀模組
    736‧‧‧托架
    746‧‧‧洞
    748‧‧‧容器板
    750‧‧‧注射器入口
    754‧‧‧排出口
    760‧‧‧底板
    762‧‧‧洞
    764‧‧‧洞
    766‧‧‧洞
    768‧‧‧側面板
    780‧‧‧容器板
    782‧‧‧容器板
    784‧‧‧容器板
    786‧‧‧容器板
    790‧‧‧塊體
    792‧‧‧塊體
    794‧‧‧頂板
    800‧‧‧系統
    805‧‧‧接觸環密封件
    807‧‧‧接觸環密封件
    808‧‧‧載入器模組
    808'‧‧‧第二梭動機構
    813‧‧‧板件
    818‧‧‧晶圓陣列
    841‧‧‧頂部區段
    843‧‧‧中間區段
    844‧‧‧下方區段
    845‧‧‧下方區段
    856‧‧‧晶圓
    859‧‧‧洞
    861‧‧‧螺絲
    865‧‧‧溢流堰
    871‧‧‧短釘
    875‧‧‧上部
    877‧‧‧下部
    881‧‧‧間隙
    883‧‧‧壓力來源
    889‧‧‧導引部件
    910‧‧‧梭動機構
    916‧‧‧機架
    920‧‧‧CWG-握爪元件
    922‧‧‧線性軸承
    924‧‧‧底板
    930‧‧‧樞轉動作
    932‧‧‧樞轉動作
    936‧‧‧平移
    946‧‧‧運送機握爪板
    950‧‧‧晶圓夾具
    996‧‧‧處理模組支撐件
    1004‧‧‧頂板
    1008‧‧‧夾子
    1050‧‧‧擾動模組
    1060‧‧‧剪力板刃片
    1062‧‧‧貯槽
    1066‧‧‧內部機架
    1070‧‧‧內側
    1072‧‧‧外側
    1076‧‧‧導引輪組
    1078‧‧‧導引輪
    1080‧‧‧溢流堰
    1082‧‧‧導引輪
    1086‧‧‧錐體
    1088‧‧‧錐體
    1090‧‧‧錐體
    1100‧‧‧輸入歧管
    1102‧‧‧孔洞
    1104‧‧‧溢流堰
    1108‧‧‧導引輪組
    1110‧‧‧剪力板
    1112‧‧‧側面棒
    1114‧‧‧側面棒
    1120‧‧‧驅動組件
    1122‧‧‧主要振動驅動器
    1124‧‧‧次要振動驅動器
    1126‧‧‧伺服致動器
    1128‧‧‧凸輪裝置
    1130‧‧‧耦接部件
    1132‧‧‧機架
    1134‧‧‧機架
    1136‧‧‧伺服致動器
    1138‧‧‧驅動軸桿
    1140‧‧‧驅動軸桿
    1300‧‧‧線性馬達
    1300'‧‧‧處理模組
    1306‧‧‧水浴槽
    1308‧‧‧蒸氣輸送系統
    1310‧‧‧模組
    1312‧‧‧側面
    1314‧‧‧側面
    1316‧‧‧溢流堰
    1316'‧‧‧溢流堰
    1318‧‧‧排洩口
    1320‧‧‧晶圓撞擊線
    1322‧‧‧蒸氣注射系統
    1326‧‧‧氮淨化系統
    1328‧‧‧噴嘴
    1330‧‧‧氮氣刀
    1334‧‧‧溶劑排出口
    1338‧‧‧CDA供給源
    1340‧‧‧文氏管
    1342‧‧‧氮供給源
    1344‧‧‧溶劑排出口
    1346‧‧‧氮供給源
    1350‧‧‧去離子水供給源
    1354‧‧‧氮系統
    1358‧‧‧排流
    1360‧‧‧排流
    1362‧‧‧氮供給源
    1380‧‧‧流程圖
    1450‧‧‧歧管
    1454‧‧‧槽
    1456‧‧‧晶圓
    1460‧‧‧晶圓夾具
    1464‧‧‧機件
    1470‧‧‧Z架台
    1472‧‧‧夾具支撐件
    1476‧‧‧導引件
    1478‧‧‧直立方向
    1482‧‧‧去離子水
    1484‧‧‧X方向
    1510‧‧‧歧管
    1512‧‧‧歧管
    1514‧‧‧歧管
    1520‧‧‧輸入部份
    1522‧‧‧蒸氣注射部份
    1524‧‧‧DIW溢流堰
    1526‧‧‧輸出部份
    1528‧‧‧DIW輸出部份
    1530‧‧‧DIW位準
    1532‧‧‧輸入泵吸
    1534‧‧‧向上流動
    1536‧‧‧向上流動
    1538‧‧‧向上流動
    1540‧‧‧向上流動
    1542‧‧‧凹槽
    1544‧‧‧凹槽
    1550‧‧‧溢流堰邊緣
    1552‧‧‧歧管元件
    1553‧‧‧歧管元件
    1560‧‧‧凹槽
    1562‧‧‧通道
    1570‧‧‧頂部元件
    1572‧‧‧中間元件
    1574‧‧‧橫向凹槽
    1576‧‧‧射出器凹槽
    1580‧‧‧水平通道
    1582‧‧‧去離子水
    1600‧‧‧螺栓
    1620‧‧‧滾子
    1630‧‧‧入口
    1632‧‧‧排出口
    1636‧‧‧排水道
    1638‧‧‧排水道
    1640‧‧‧排水道
    1643‧‧‧排水道
    1644‧‧‧邊緣
    1646‧‧‧邊緣
    1650‧‧‧次要溢流堰
    1652‧‧‧通道
    2300‧‧‧晶圓
    2300'‧‧‧晶圓陣列
    2302‧‧‧晶圓表面
    2302'‧‧‧晶圓表面
    2302"‧‧‧晶圓表面
    2302"'‧‧‧晶圓表面
    2400‧‧‧晶圓夾具
    2430‧‧‧線性噴嘴
    2432‧‧‧線性間隙
    2432'‧‧‧線性間隙
    2434‧‧‧裝配件
    2436‧‧‧裝配件
    2438‧‧‧分離塊體
    2450‧‧‧處理模組
    2452‧‧‧導引輪
    2454‧‧‧處理模組機架
    2456‧‧‧間隙
    2500‧‧‧晶圓夾具
    2530‧‧‧線性噴嘴陣列
    2532‧‧‧線性間隙
    2532'‧‧‧線性間隙
    2534‧‧‧裝配件
    2536‧‧‧裝配件
    2537‧‧‧歧管
    2538‧‧‧分離塊體
    2545‧‧‧處理模組
    2552‧‧‧導引輪
    2554‧‧‧處理模組機架
    2556‧‧‧間隙
    該等揭示實施例的前面態樣及其他特色係在以下之敘述中會同所附圖面被說明，其中：圖1顯示一示範平行的單一基板處理系統之等角視圖；圖2顯示一示範平行的單一基板處理系統之俯視圖；圖3顯示一示範平行的單一基板處理系統之俯視圖；圖4顯示一示範平行的單一基板處理系統之側視圖；圖5顯示一示範平行的單一基板處理系統之局部等角視圖；圖6顯示一示範平行的單一基板處理系統之局部側視圖；圖7顯示一示範平行的單一基板處理系統之俯視圖；圖8顯示一示範平行的單一基板處理系統之局部等角視圖；圖9顯示一示範平行的單一基板處理系統之局部側視圖；圖10顯示一示範平行的單一基板處理系統之局部端視圖；圖11顯示一示範平行的單一基板處理系統之局部等角視圖；圖12A顯示一示範平行的單一基板處理系統之局部正面圖；圖12B顯示一示範平行的單一基板處理系統之局部後視圖；圖12C顯示一示範平行的單一基板處理系統之局部側視圖；圖12D顯示一示範平行的單一基板處理系統之局部側視圖；圖13顯示一晶圓夾具；圖14顯示一晶圓夾具指部；圖15A顯示一晶圓夾具；圖15B顯示一晶圓夾具；圖15C顯示一晶圓夾具；圖15D顯示一晶圓夾具；圖16A顯示晶圓夾具的一部份；圖16B顯示晶圓夾具的一部份；圖17顯示一陣列之晶圓夾具；圖18A顯示晶圓夾具的一部份；圖18B顯示晶圓夾具的一部份；圖19顯示載入器模組之等角視圖；圖20顯示載入器模組之端視圖；圖21顯示載入器模組之端視圖；圖22A顯示載入器模組及夾具陣列之等角視圖；圖22B顯示載入器模組及夾具陣列之等角視圖；圖23A顯示載入器模組及夾具陣列在運送機上之正面圖；圖23B顯示載入器模組及夾具陣列與運送機之側視圖；圖23C顯示夾具橫構件之剖視圖；圖24A顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24B顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24C顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24D顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24E顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24F顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24G顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24H顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24I顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24J顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24K顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24L顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖24M顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖25A顯示載入器運動之表格；圖25B顯示載入器運動之表格；圖25C顯示載入器運動之表格；圖25D顯示載入器運動之表格；圖25E顯示載入器運動之表格；圖26顯示載入器模組之局部等角視圖；圖27顯示載入器模組之局部等角視圖；圖28A顯示夾具陣列之等角視圖；圖28B顯示夾具陣列之側視圖；圖28C顯示夾具陣列之局部等角視圖；圖28D顯示夾具陣列之局部側視圖；圖29A顯示運送機及陣列運動與狀態表格；圖29B顯示運送機及陣列運動與狀態表格；圖29C顯示運送機及陣列運動與狀態表格；圖29D顯示運送機及陣列運動與狀態表格；圖29E顯示運送機及陣列運動與狀態表格；圖29F顯示運送機及陣列運動與狀態表格；圖29G顯示運送機及陣列運動與狀態表格；圖29H顯示運送機及陣列運動與狀態表格；圖30A顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖30B顯示載入器模組及夾具陣列之局部正面圖；圖31顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖32A顯示剪力板擾動模組之側視圖；圖32B顯示剪力板擾動模組之側視圖；圖32C顯示剪力板擾動模組之側視圖；圖33A顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖33B顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖33C顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖34顯示剪力板擾動模組之端視圖；圖35顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖36A顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖36B顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖37A顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖37B顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖38A顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖38B顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖39A顯示導引滾輪之等角視圖；圖39B顯示導引滾輪之剖視圖；圖40A顯示剪力板擾動模組之正面圖；圖40B顯示剪力板擾動模組之正面圖；圖41顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖42A顯示剪力板擾動構件之等角視圖；圖42B顯示剪力板擾動構件之等角視圖；圖43A顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖43B顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖43C顯示剪力板擾動模組之等角視圖；圖44係馬輪固力乾燥機模組之概要圖；圖45係一製程流程圖；圖46A係溢流堰的一部份之等角視圖；圖46B係溢流堰的一部份之俯視圖；圖47A係平行的單一晶圓處理模組之等角視圖；圖47B係平行的單一晶圓處理模組之側視圖；圖47C係平行的單一晶圓處理模組之側視圖；圖48A係平行的單一晶圓處理模組之等角視圖；圖48B係平行的單一晶圓處理模組之等角視圖；圖48C係平行的單一晶圓處理模組之俯視圖；圖49A係平行的單一晶圓處理模組之側視圖；圖49B係平行的單一晶圓處理模組之側視圖；圖50A係線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件之剖視圖；圖50B係線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件之剖視圖；圖50C係線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件之剖視圖；圖51A係線性IPA噴嘴排出口與溢流堰歧管組件之等角視圖；圖51B係線性IPA噴嘴排出口與溢流堰歧管組件之側視圖；圖51C係溢流堰排水板之俯視圖；圖51D係溢流堰排水板之剖視圖；圖52係線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件之剖視圖；圖53A係線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件中之夾具的等角視圖；圖53B係線性IPA噴嘴排出口與溢流堰組件中之夾具的俯視圖；圖54係馬輪固力乾燥模組之等角視圖；圖55係馬輪固力乾燥模組之剖視圖；圖56A係IPA注射器歧管之等角視圖；圖56B係IPA注射器歧管之剖視圖；圖56C係IPA注射器歧管之剖視圖；圖57A係底板之等角剖視圖；圖57B係一板件之等角視圖；圖58係IPA注射器噴嘴歧管及N2淨化歧管之等角視圖；圖59係氣刀之剖視圖；圖60A係夾具及馬輪固力乾燥模組之剖視圖；圖60B係夾具及馬輪固力乾燥模組之剖視圖；圖60C係夾具及馬輪固力乾燥模組之剖視圖；圖61A係線性噴嘴之等角視圖；圖61B係線性噴嘴之等角視圖；圖61C係線性噴嘴之等角視圖；圖62A係晶圓夾具及處理模組於第一位置中之側視圖；圖62B係晶圓夾具及處理模組於第二位置中之側視圖；圖63A係晶圓夾具及處理模組之剖視圖；圖63B係晶圓夾具及處理模組之剖視圖；圖63C係晶圓夾具及處理模組之剖視圖；圖64係一陣列晶圓夾具及一處理模組之側視圖；圖65A係一陣列晶圓夾具及一處理模組之剖視圖；圖65B係一陣列晶圓夾具及一處理模組之剖視圖；圖65C係一陣列晶圓夾具及一處理模組之剖視圖；圖65D係噴嘴歧管之剖視圖；圖65E係一陣列晶圓夾具及一處理模組之剖視圖；圖66顯示流體噴流之平行的單一晶圓處理模組之側視圖；圖67顯示流體噴流之平行的單一晶圓處理模組之等角局部剖視圖；圖68A顯示流體噴流之平行的單一晶圓處理模組之等角局部剖視圖；圖68B顯示流體噴流之平行的單一晶圓處理模組之等角局部剖視圖；圖68C顯示流體噴流之平行的單一晶圓處理模組之等角局部剖視圖；圖69顯示流體噴流之平行的單一晶圓處理模組之等角局部剖視圖；圖70顯示流體噴流之平行的單一晶圓處理模組之側視圖；圖71顯示流體噴流噴嘴陣列之等角局部剖視圖；圖72顯示流體噴流噴嘴陣列之等角視圖；圖73A顯示流體噴流之平行的單一晶圓處理模組之等角局部剖視圖；圖73B顯示流體噴流之平行的單一晶圓處理模組之等角局部剖視圖；及圖73C顯示流體噴流之平行的單一晶圓處理模組之等角局部剖視圖。
    200‧‧‧單一基板處理系統
    204‧‧‧載入站
    206‧‧‧載入口
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，該系統包括：處理區段，設有機架，具有複數個處理元件，以處理該基板表面，而不會接觸該基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，且被建構用於在該處理區段及另一位置之間運送當作一單元的一個以上之基板，該基板夾具組件及該基板夾具之每一者被建構用於可移除地耦接至該處理區段機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構成固持該基板之至少一者；該處理區段機架具有對齊部件，設置該對齊部件，以致在該基板夾具組件與該處理區段機架耦接時，該對齊部件與該基板夾具組件之每一基板夾具介接，並在每一基板夾具及該處理區段機架之對應耦接處，相對於該處理區段之預定部件以可重複對齊方式定位每一基板夾具。
    [2] 如申請專利範圍第1項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該預定部件包括該處理元件之每一者，使該複數個處理元件中之每一處理元件係位於該等基板之間。
    [3] 如申請專利範圍第1項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該對齊部件包括直立導引件，其相對於該複數個處理元件中之對應處理元件以可重複對齊方式對齊該基板夾具組件中之每一基板夾具，其中該基板夾具組件中之每一基板夾具具有一體式定位部件，該定位部件與該等直立導引件之每一者的對接部件配合。
    [4] 如申請專利範圍第1項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該夾具組件包括耦接至機架的該數目之基板夾具，其中該機架包括一耦接至運送機之末端作用器，及其中該運送機被建構成移動該基板夾具組件至該處理模組與由該處理模組移動該基板夾具組件，且其中該運送機被建構來移動具有該夾具機架之不同的基板夾具組件至該處理模組及由該處理模組移動該基板夾具組件。
    [5] 如申請專利範圍第1項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該基板夾具組件中之每一基板夾具係可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位。
    [6] 如申請專利範圍第1項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該基板夾具組件中之每一基板夾具係與該基板夾具組件中之其他基板夾具無關地相對於該處理區段之預定部件可重複對齊。
    [7] 如申請專利範圍第1項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該基板夾具組件中之每一基板夾具係相對於該複數個處理元件中之對應處理元件可重複對齊，並與該複數個處理元件中之其他處理元件無關。
    [8] 一種用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，該系統包括：處理設備，具有一模組，該模組設有機架及複數個處理元件，以流體處理該基板表面，而不會接觸該基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，且被建構用於基板之當作一單元的批次運送，該基板夾具組件及該基板夾具之每一者被建構用於可移除地耦接至該模組機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構成固持一基板；其中，該模組機架具有插入導引件，且每一基板夾具具有由每一基板夾具懸垂及對應於該插入導引件之咬扣導引件，該插入引導及咬扣導引件被建構，以致在該基板夾具與該模組機架之耦接時，該插入導引件承納每一基板夾具之對應咬扣導引件，而以可重複對齊方式相對於該複數個處理元件中之對應處理元件對齊該基板夾具組件之每一基板夾具。
    [9] 如申請專利範圍第8項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該複數個處理元件中之每一處理元件係位於該等基板之間。
    [10] 如申請專利範圍第8項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該插入導引件包括直立導引件，其以可重複對齊方式相對於該複數個處理元件中之對應處理元件對齊該基板夾具組件之每一基板夾具。
    [11] 如申請專利範圍第8項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該夾具組件包括耦接至一機架的該多個基板夾具，其中該機架包括一耦接至運送機的末端作用器，且其中該運送機被建構來移動該基板夾具組件至該處理設備及由該處理設備移動該基板夾具組件，及其中該運送機被建構來以該夾具機架移動不同的基板夾具組件至該處理設備及由該處理設備移動不同的基板夾具組件。
    [12] 如申請專利範圍第8項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該基板夾具組件中之每一基板夾具係可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位。
    [13] 如申請專利範圍第8項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該基板夾具組件中之每一基板夾具係相對於該複數個處理元件中之對應處理元件可重複對齊，而與該基板夾具組件中之其他基板夾具無關。
    [14] 如申請專利範圍第8項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該基板夾具組件中之每一基板夾具係相對於該複數個處理元件中之對應處理元件可重複對齊，並與該複數個處理元件中之其他處理元件無關。
    [15] 一種用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，該系統包括：流體處理區段，設有機架，具有複數個處理元件，以處理該基板表面，而不會接觸該基板表面；及基板夾具組件，具有許多基板夾具，且被建構用於在直立定向中運送一個以上之基板且在該處理區段及另一位置之間當作一單元，該基板夾具組件及該基板夾具之每一者被建構用於可移除地耦接至該處理區段機架，該基板夾具組件中之每一基板夾具被建構成固持該基板之至少一者；該處理區段機架具有直立對齊部件，設置該直立對齊部件，以致在該基板夾具組件與該處理區段機架耦接時，該對齊部件與該基板夾具組件之每一基板夾具介接，並在每一基板夾具及該處理區段機架之對應耦接處，相對於該處理區段之預定部件以可重複對齊方式定位每一基板夾具，使該預定部件之每一者被定位在該等基板之間。
    [16] 如申請專利範圍第15項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該預定部件之每一者包括每一處理元件，使該複數個處理元件中之每一處理元件被定位在該等基板之間。
    [17] 如申請專利範圍第15項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該對齊部件包括直立導引件，其相對於該複數個處理元件中之對應處理元件以可重複對齊方式對齊該基板夾具組件中之每一基板夾具，其中該基板夾具組件中之每一基板夾具具有一體式定位部件，該定位部件與該直立導引件之每一者的對接部件配合。
    [18] 如申請專利範圍第15項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該夾具組件包括耦接至機架的該多個基板夾具，其中該機架包括一耦接至運送機之末端作用器，及其中該運送機被建構成移動該基板夾具組件至該處理模組與由該處理模組移動該基板夾具組件，且其中該運送機被建構來移動具有該夾具機架之不同的基板夾具組件至該處理模組及由該處理模組移動該基板夾具組件。
    [19] 如申請專利範圍第15項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該基板夾具組件中之每一基板夾具係可相對該基板夾具組件中之其他基板夾具獨立地移動及定位。
    [20] 如申請專利範圍第15項用於流體處理被排列在流體中之一個以上的基板表面之系統，其中該基板夾具組件中之每一基板夾具係與該基板夾具組件中之其他基板夾具無關地相對於該處理區段之預定部件可重複對齊，並與該複數個處理元件中之其他處理元件無關。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    TWI564988B|2017-01-01|平行且單一的基板處理系統
    US6755603B2|2004-06-29|Apparatus for and method of transporting substrates to be processed
    US6871655B2|2005-03-29|Automated semiconductor processing systems
    EP2162569B1|2019-10-02|Vertical system for the plating treatment of a work piece and method for conveying the work piece
    KR20150047442A|2015-05-04|웨이퍼 처리 장치 및 이에 사용되는 웨이퍼 다단계 세정기구
    US20170274415A1|2017-09-28|Apparatus and method for treating a substrate
    US20090212019A1|2009-08-27|Single-sided high throughput wet etching and wet processing apparatus and method
    KR102121239B1|2020-06-10|기판처리장치 및 방법
    KR101591960B1|2016-02-05|기판 처리 장치
    KR102108312B1|2020-05-12|기판 처리 장치 및 방법
    KR102180009B1|2020-11-19|기판처리장치 및 방법
    KR102063320B1|2020-01-08|기판 처리 장치 및 방법
    KR102310462B1|2021-10-13|기판 처리 장치 및 세정 방법
    KR101414969B1|2014-07-02|기판의 인라인-처리용 처리 모듈
    KR102008305B1|2019-08-07|기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    KR20140101475A|2014-08-20|기판처리장치
    KR102310461B1|2021-10-13|기판 처리 장치 및 방법
    KR102347973B1|2022-01-07|기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    KR102283587B1|2021-08-02|기판 처리 장치 및 방법
    CN114078726A|2022-02-22|基板处理装置以及基板处理方法
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP2014519209A|2014-08-07|
    KR20140030259A|2014-03-11|
    US20120305192A1|2012-12-06|
    US20120308344A1|2012-12-06|
    TWI564988B|2017-01-01|
    US9449862B2|2016-09-20|
    WO2012167285A1|2012-12-06|
    US20120308346A1|2012-12-06|
    US20120308345A1|2012-12-06|
    US9257319B2|2016-02-09|
    US20120305193A1|2012-12-06|
    US20120306139A1|2012-12-06|
    US20120305033A1|2012-12-06|
    US9293356B2|2016-03-22|
    US20120306137A1|2012-12-06|
    JP6010613B2|2016-10-19|
    US9508582B2|2016-11-29|
    CN103582532A|2014-02-12|
    CN103582532B|2016-05-04|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    TWI688433B|2018-11-12|2020-03-21|群翊工業股份有限公司|基板處理設備及上料機台|
    TWI743308B|2017-03-28|2021-10-21|日商荏原製作所股份有限公司|基板搬送裝置、基板搬送裝置之控制裝置、基板搬送裝置之位移補償方法、實施該方法之程序、以及記錄該程序之記錄媒介|US2585729A|1948-03-09|1952-02-12|Berman Frank|Wire mesh strainer or the like|
    US3918756A|1973-12-26|1975-11-11|Fluoroware Inc|Wafer holder|
    US3949891A|1974-07-22|1976-04-13|Micro Glass Inc.|Semiconductor wafer transfer device|
    US4002141A|1975-11-26|1977-01-11|Airco, Inc.|System for handling substrate holders for vacuum coating|
    JPS5716197B2|1977-01-13|1982-04-03|||
    US4208760A|1977-12-19|1980-06-24|Huestis Machine Corp.|Apparatus and method for cleaning wafers|
    US4202071A|1978-03-20|1980-05-13|Scharpf Mike A|Apparatus for washing and drying phonograph records|
    DE2812271C2|1978-03-21|1983-01-27|Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln|Vorrichtung mit mehreren Schleusenkammern zum chargenweisen Beschichten von Substraten|
    US4243472A|1979-03-02|1981-01-06|Burroughs Corporation|Method for liquid phase epitaxy multiple dipping of wafers for bubble film growth|
    US4311427A|1979-12-21|1982-01-19|Varian Associates, Inc.|Wafer transfer system|
    JPS6233437Y2|1981-11-12|1987-08-26|||
    US4410209A|1982-03-11|1983-10-18|Trapani Silvio P|Wafer-handling tool|
    US4485759B1|1983-01-19|1987-02-10|||
    US4568234A|1983-05-23|1986-02-04|Asq Boats, Inc.|Wafer transfer apparatus|
    US4500407A|1983-07-19|1985-02-19|Varian Associates, Inc.|Disk or wafer handling and coating system|
    US4915564A|1986-04-04|1990-04-10|Materials Research Corporation|Method and apparatus for handling and processing wafer-like materials|
    JPH0411707Y2|1986-05-22|1992-03-24|||
    JP2613039B2|1987-01-26|1997-05-21|三菱電機株式会社|ウエハ搬送処理装置|
    JP2564303B2|1987-05-08|1996-12-18|株式会社日立製作所|ウエハキャリア治具|
    JP2508540B2|1987-11-02|1996-06-19|三菱マテリアル株式会社|ウェ―ハの位置検出装置|
    US4856957A|1988-01-11|1989-08-15|Mactronix, Inc.|Semiconductor wafer transfer apparatus with back-to-back positioning and separation|
    FR2626261B1|1988-01-26|1992-08-14|Recif Sa|Appareil elevateur de plaquettes de silicium notamment|
    US4875824A|1988-02-01|1989-10-24|Biorne Enterprises, Inc.|Wafer transfer apparatus|
    KR970003907B1|1988-02-12|1997-03-22|도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤|기판처리 장치 및 기판처리 방법|
    US5125784A|1988-03-11|1992-06-30|Tel Sagami Limited|Wafers transfer device|
    US4987407A|1988-04-22|1991-01-22|Asq. Boats, Inc.|Wafer interleaving with electro-optical safety features|
    US4840530A|1988-05-23|1989-06-20|Nguyen Loc H|Transfer apparatus for semiconductor wafers|
    US4858980A|1988-08-23|1989-08-22|Cincinnati Milacron Inc.|Article gripper|
    NL8900480A|1989-02-27|1990-09-17|Philips Nv|Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.|
    KR0134962B1|1989-07-13|1998-04-22|나까다 구스오|디스크 세척장치|
    JP2771645B2|1989-11-15|1998-07-02|株式会社荏原製作所|ウエハキャリヤの洗浄槽に設けられる位置決め装置|
    US4981408A|1989-12-18|1991-01-01|Varian Associates, Inc.|Dual track handling and processing system|
    JPH042126A|1990-04-18|1992-01-07|Fujitsu Ltd|Cleaning equipment|
    US5153841A|1990-11-21|1992-10-06|Advanced Micro Devices|Method of and apparatus for semi-conductor wafer selection|
    US6295870B1|1991-02-08|2001-10-02|Alliedsignal Inc.|Triaxial angular rate and acceleration sensor|
    US5282923A|1992-08-13|1994-02-01|Vlsi Technology, Inc.|Liquid agitation and purification system|
    US5516732A|1992-12-04|1996-05-14|Sony Corporation|Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus|
    JPH0650347U|1992-12-10|1994-07-08|川崎製鉄株式会社|ウエハ用カセット|
    US5295777A|1992-12-23|1994-03-22|Materials Research Corporation|Wafer transport module with rotatable and horizontally extendable wafer holder|
    JP2694248B2|1993-02-22|1997-12-24|セイコーインスツルメンツ株式会社|試料搬送装置|
    US5565034A|1993-10-29|1996-10-15|Tokyo Electron Limited|Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate|
    DE4408537A1|1994-03-14|1995-09-21|Leybold Ag|Vorrichtung für den Transport von Substraten|
    US6536131B2|1996-07-15|2003-03-25|Semitool, Inc.|Wafer handling system|
    DE19549488C2|1995-01-05|2001-08-02|Steag Micro Tech Gmbh|Anlage zur chemischen Naßbehandlung|
    US5730162A|1995-01-12|1998-03-24|Tokyo Electron Limited|Apparatus and method for washing substrates|
    US5660642A|1995-05-26|1997-08-26|The Regents Of The University Of California|Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor|
    JPH0992704A|1995-09-21|1997-04-04|Nakajima:Kk|半導体用シリコンウェハーの移し替え装置|
    US5735662A|1996-05-14|1998-04-07|Micron Technology, Inc.|Adjustable wafer transfer machine|
    US6091498A|1996-07-15|2000-07-18|Semitool, Inc.|Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism|
    US6672820B1|1996-07-15|2004-01-06|Semitool, Inc.|Semiconductor processing apparatus having linear conveyer system|
    CH697146A5|1996-10-09|2008-05-15|Tec Sem Ag|Greifvorrichtung zur Handhabung von Wafern.|
    JP3376258B2|1996-11-28|2003-02-10|キヤノン株式会社|陽極化成装置及びそれに関連する装置及び方法|
    US5883762A|1997-03-13|1999-03-16|Calhoun; Robert B.|Electroplating apparatus and process for reducing oxidation of oxidizable plating anions and cations|
    US5884640A|1997-08-07|1999-03-23|Applied Materials, Inc.|Method and apparatus for drying substrates|
    US6213853B1|1997-09-10|2001-04-10|Speedfam-Ipec Corporation|Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces|
    JPH1197404A|1997-09-16|1999-04-09|Dainippon Screen Mfg Co Ltd|基板処理装置および基板処理方法|
    US6155773A|1997-09-22|2000-12-05|Applied Materials, Inc.|Substrate clamping apparatus|
    US5807439A|1997-09-29|1998-09-15|Siemens Aktiengesellschaft|Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers|
    JPH11221742A|1997-09-30|1999-08-17|Hoya Corp|研磨方法及び研磨装置並びに磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体|
    JPH11112430A|1997-10-08|1999-04-23|Fujitsu Ltd|光加入者ネットワークシステム及び光加入者ネットワークシステムにおける障害監視方法|
    JP3510463B2|1997-11-10|2004-03-29|東京エレクトロン株式会社|基板の整列装置及び整列方法|
    US6368040B1|1998-02-18|2002-04-09|Tokyo Electron Limited|Apparatus for and method of transporting substrates to be processed|
    JPH11257851A|1998-03-10|1999-09-24|Tokyo Electron Ltd|乾燥装置及び乾燥方法|
    JP4537509B2|1998-05-07|2010-09-01|株式会社リコー|画像形成装置|
    JP3938436B2|1998-06-05|2007-06-27|大日本スクリーン製造株式会社|基板移載装置およびそれを用いた基板処理装置|
    US6109011A|1998-07-08|2000-08-29|Iyer; Satish R.|Method and apparatus for cultivation and harvesting of mushrooms and other plant material|
    CH693726A5|1998-07-09|2003-12-31|Tec Sem Ag|Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung eines vollständigen Waferstapels.|
    US6318951B1|1999-07-09|2001-11-20|Semitool, Inc.|Robots for microelectronic workpiece handling|
    JP2000049206A|1998-07-28|2000-02-18|Dainippon Screen Mfg Co Ltd|基板処理装置|
    US6457929B2|1998-11-03|2002-10-01|Seh America, Inc.|Apparatus and method for automatically transferring wafers between wafer holders in a liquid environment|
    US6156580A|1998-11-18|2000-12-05|Advanced Micro Devices, Inc.|Semiconductor wafer analysis system and method|
    US6055694A|1998-11-30|2000-05-02|Tsk America, Inc.|Wafer scrubbing machine|
    IL128925A|1999-03-10|2004-03-28|Nova Measuring Instr Ltd|Positioning assembly|
    US6322312B1|1999-03-18|2001-11-27|Applied Materials, Inc.|Mechanical gripper for wafer handling robots|
    US6328814B1|1999-03-26|2001-12-11|Applied Materials, Inc.|Apparatus for cleaning and drying substrates|
    US6523553B1|1999-03-30|2003-02-25|Applied Materials, Inc.|Wafer edge cleaning method and apparatus|
    US6174011B1|1999-04-14|2001-01-16|Arthur Keigler|Method of and apparatus for handling thin and flat workpieces and the like|
    US6274506B1|1999-05-14|2001-08-14|Fsi International, Inc.|Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface|
    WO2000074111A2|1999-05-27|2000-12-07|Lam Research Corporation|Apparatus and methods for drying batches of wafers|
    JP4230642B2|1999-07-08|2009-02-25|株式会社荏原製作所|基板搬送治具及び基板搬送装置|
    US6612801B1|1999-08-26|2003-09-02|Tokyo Electron Limited|Method and device for arraying substrates and processing apparatus thereof|
    US6232247B1|1999-09-01|2001-05-15|Micron Technology, Inc.|Substrate coating apparatus and semiconductor processing method of improving uniformity of liquid deposition|
    US6555276B2|1999-10-04|2003-04-29|Micron Technology, Inc.|Substrate coating and semiconductor processing method of improving uniformity of liquid deposition|
    US6192600B1|1999-09-09|2001-02-27|Semitool, Inc.|Thermocapillary dryer|
    US6513848B1|1999-09-17|2003-02-04|Applied Materials, Inc.|Hydraulically actuated wafer clamp|
    US6395101B1|1999-10-08|2002-05-28|Semitool, Inc.|Single semiconductor wafer processor|
    JP4295878B2|1999-11-17|2009-07-15|スピードファムクリーンシステム株式会社|円板形ワークの洗浄装置|
    JP2001219391A|1999-12-01|2001-08-14|Ses Co Ltd|基板反転装置および基板洗浄システム|
    US6488462B1|2000-01-12|2002-12-03|Quantum Corporation|Transport mechanism for a storage system|
    JP4526151B2|2000-01-28|2010-08-18|キヤノンアネルバ株式会社|基板処理装置の基板移載装置|
    US7022211B2|2000-01-31|2006-04-04|Ebara Corporation|Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer|
    US7328712B1|2000-02-15|2008-02-12|Quantum Global Technologies|Cleaning bench for removing contaminants from semiconductor process equipment|
    US6530388B1|2000-02-15|2003-03-11|Quantum Global Technologies, Llc|Volume efficient cleaning systems|
    US6926016B1|2001-02-15|2005-08-09|Quantum Global Technologies, Llc|System for removing contaminants from semiconductor process equipment|
    JP2001274232A|2000-03-27|2001-10-05|Tokyo Electron Ltd|基板処理装置|
    US6622334B1|2000-03-29|2003-09-23|International Business Machines Corporation|Wafer edge cleaning utilizing polish pad material|
    US20010048867A1|2000-03-29|2001-12-06|Lebar Technology, Inc.|Method and apparatus for processing semiconductor wafers|
    US7364625B2|2000-05-30|2008-04-29|Fsi International, Inc.|Rinsing processes and equipment|
    JP4069236B2|2000-06-05|2008-04-02|東京エレクトロン株式会社|液処理装置|
    JP2001351871A|2000-06-09|2001-12-21|Asm Japan Kk|半導体製造装置|
    AT452419T|2000-06-27|2010-01-15|Imec|Verfahren und vorrichtung zum reinigen und trocknen eines substrats|
    US7383843B2|2002-09-30|2008-06-10|Lam Research Corporation|Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer|
    US7069937B2|2002-09-30|2006-07-04|Lam Research Corporation|Vertical proximity processor|
    US20040026694A1|2000-07-09|2004-02-12|Jakob Blattner|Storage device, especially for the intermediate storage of test wafers|
    US6631935B1|2000-08-04|2003-10-14|Tru-Si Technologies, Inc.|Detection and handling of semiconductor wafer and wafer-like objects|
    JP4342745B2|2000-09-27|2009-10-14|株式会社日立国際電気|基板処理方法および半導体装置の製造方法|
    JP2002110609A|2000-10-02|2002-04-12|Tokyo Electron Ltd|洗浄処理装置|
    US6578893B2|2000-10-02|2003-06-17|Ajs Automation, Inc.|Apparatus and methods for handling semiconductor wafers|
    FR2818050B1|2000-12-12|2006-08-11|Semco Engineering Sa|Dispositif de prehension electrostatique d'une tranche de composant electronique|
    US20020071756A1|2000-12-13|2002-06-13|Gonzalez Jose R.|Dual wafer edge gripping end effector and method therefor|
    JP4856308B2|2000-12-27|2012-01-18|キヤノンアネルバ株式会社|基板処理装置及び経由チャンバー|
    JP4770029B2|2001-01-22|2011-09-07|株式会社Ｉｈｉ|プラズマｃｖｄ装置及び太陽電池の製造方法|
    US6494666B2|2001-01-26|2002-12-17|Fortrend Engineering Corporation|Simplified and enhanced SCARA arm|
    US6592324B2|2001-02-26|2003-07-15|Irm, Llc|Gripper mechanism|
    US6638004B2|2001-07-13|2003-10-28|Tru-Si Technologies, Inc.|Article holders and article positioning methods|
    US6615113B2|2001-07-13|2003-09-02|Tru-Si Technologies, Inc.|Articles holders with sensors detecting a type of article held by the holder|
    US6935830B2|2001-07-13|2005-08-30|Tru-Si Technologies, Inc.|Alignment of semiconductor wafers and other articles|
    US6866460B2|2001-07-16|2005-03-15|Semitool, Inc.|Apparatus and method for loading of carriers containing semiconductor wafers and other media|
    US6652656B2|2001-07-24|2003-11-25|Tokyo Electron Limited|Semiconductor wafer holding assembly|
    WO2003041131A2|2001-11-02|2003-05-15|Applied Materials, Inc.|Single wafer dryer and drying methods|
    US7513062B2|2001-11-02|2009-04-07|Applied Materials, Inc.|Single wafer dryer and drying methods|
    JP3960774B2|2001-11-07|2007-08-15|株式会社荏原製作所|無電解めっき装置及び方法|
    JP3751246B2|2001-11-13|2006-03-01|大日本スクリーン製造株式会社|薄膜形成装置および搬送方法|
    JP2005510055A|2001-11-13|2005-04-14|エフエスアイインターナショナルインコーポレイテッド|マイクロエレクトロニクス基板の自動処理用の低減フットプリントツール|
    JP4033689B2|2002-03-01|2008-01-16|東京エレクトロン株式会社|液処理装置および液処理方法|
    JP4002126B2|2002-03-25|2007-10-31|丸三産業株式会社|水中浮遊性繊維構造物を用いた除草方法|
    JP3939178B2|2002-03-25|2007-07-04|大日本スクリーン製造株式会社|高圧乾燥装置、高圧乾燥方法および基板処理装置|
    JP3953361B2|2002-05-08|2007-08-08|東京エレクトロン株式会社|基板処理装置および基板処理方法|
    US6964276B2|2002-09-03|2005-11-15|Nova Measuring Instruments Ltd.|Wafer monitoring system|
    US6875289B2|2002-09-13|2005-04-05|Fsi International, Inc.|Semiconductor wafer cleaning systems and methods|
    TWI262165B|2002-10-16|2006-09-21|Sez Ag|Device and method for transporting wafer-shaped articles|
    US7211461B2|2003-02-14|2007-05-01|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Manufacturing apparatus|
    US7033126B2|2003-04-02|2006-04-25|Asm International N.V.|Method and apparatus for loading a batch of wafers into a wafer boat|
    EP1691940A2|2003-04-03|2006-08-23|SC Fluid Technologies, Inc.|Method and apparatus for rotation of a workpiece in supercritical fluid solutions for removing photo resist, residues and particles therefrom|
    US7393439B2|2003-06-06|2008-07-01|Semitool, Inc.|Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors|
    KR100562502B1|2003-07-02|2006-03-21|삼성전자주식회사|반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 및 방법|
    US7100954B2|2003-07-11|2006-09-05|Nexx Systems, Inc.|Ultra-thin wafer handling system|
    EP1654752B1|2003-08-01|2011-06-29|SGL Carbon SE|Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture|
    JP4413562B2|2003-09-05|2010-02-10|東京エレクトロン株式会社|処理システム及び処理方法|
    US20060033678A1|2004-01-26|2006-02-16|Applied Materials, Inc.|Integrated electroless deposition system|
    US7722747B2|2003-10-22|2010-05-25|Nexx Systems, Inc.|Method and apparatus for fluid processing a workpiece|
    US7727366B2|2003-10-22|2010-06-01|Nexx Systems, Inc.|Balancing pressure to improve a fluid seal|
    DE10361880B3|2003-12-19|2005-05-04|Atotech Deutschland Gmbh|Behandlungseinheit zur nasschemischen oder elektrolytischen Behandlung von flachem Behandlungsgut und Verwendung der Behandlungseinheit|
    US7119884B2|2003-12-24|2006-10-10|Asml Netherlands B.V.|Lithographic apparatus and device manufacturing method|
    US7281535B2|2004-02-23|2007-10-16|Towa Intercon Technology, Inc.|Saw singulation|
    US20050223588A1|2004-02-27|2005-10-13|Eric Hansen|Apparatus and method for drying substrates|
    KR20070058445A|2004-07-02|2007-06-08|스트라스바흐, 인코포레이티드|웨이퍼 처리 방법 및 시스템|
    JP4347156B2|2004-07-28|2009-10-21|大日本スクリーン製造株式会社|基板処理装置|
    US7798764B2|2005-12-22|2010-09-21|Applied Materials, Inc.|Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool|
    US7255747B2|2004-12-22|2007-08-14|Sokudo Co., Ltd.|Coat/develop module with independent stations|
    JP4671724B2|2005-03-16|2011-04-20|信越半導体株式会社|半導体ウェーハの保持用グリッパー及び保持方法並びに形状測定装置|
    JP4619984B2|2005-04-25|2011-01-26|株式会社テラセミコン|半導体の製造装置及び半導体基板のローディング及び／又はアンローディング方法。|
    JP4711771B2|2005-08-01|2011-06-29|株式会社アルバック|搬送装置および真空処理装置|
    JP2007053361A|2005-08-12|2007-03-01|Jiwontech Co Ltd|ガラス基板のエッチング装置|
    US7748542B2|2005-08-31|2010-07-06|Applied Materials, Inc.|Batch deposition tool and compressed boat|
    US7712808B2|2005-09-29|2010-05-11|Brooks Automation, Inc.|End effector with centering grip|
    US7841035B2|2005-10-13|2010-11-30|Hitachi High-Technologies Corporation|Disc cleaning machinery, disc cleaning device thereof and rotary brush thereof|
    JP4688637B2|2005-10-28|2011-05-25|東京エレクトロン株式会社|基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム|
    US7374391B2|2005-12-22|2008-05-20|Applied Materials, Inc.|Substrate gripper for a substrate handling robot|
    US8029653B2|2006-02-21|2011-10-04|Ebara Corporation|Electroplating apparatus and electroplating method|
    KR101106203B1|2006-02-22|2012-01-20|가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼|기판처리장치|
    JP5034262B2|2006-02-24|2012-09-26|富士通セミコンダクター株式会社|研磨装置および研磨方法|
    JP4642787B2|2006-05-09|2011-03-02|東京エレクトロン株式会社|基板搬送装置及び縦型熱処理装置|
    JP4844261B2|2006-06-29|2011-12-28|東京エレクトロン株式会社|成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体|
    JP4735576B2|2006-09-22|2011-07-27|株式会社Ｉｈｉ|摩擦駆動搬送装置|
    US7777203B2|2006-09-27|2010-08-17|Applied Materials, Inc.|Substrate holding apparatus|
    US7879401B2|2006-12-22|2011-02-01|The Regents Of The University Of Michigan|Organic vapor jet deposition using an exhaust|
    JP4327206B2|2007-01-30|2009-09-09|東京エレクトロン株式会社|縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法|
    US8033288B2|2007-03-09|2011-10-11|Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.|Substrate treatment apparatus|
    US7789443B2|2007-03-16|2010-09-07|Axcelis Technologies, Inc.|Workpiece gripping device|
    JP4746003B2|2007-05-07|2011-08-10|リンテック株式会社|移載装置及び移載方法|
    JP4871910B2|2007-05-16|2012-02-08|株式会社日立ハイテクノロジーズ|ディスクチャック機構およびディスクハンドリングロボット|
    WO2009085337A2|2007-07-16|2009-07-09|Advanced Research Corporation|Wafer fixture for wet process applications|
    JP4828503B2|2007-10-16|2011-11-30|東京エレクトロン株式会社|基板処理装置、基板搬送方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体|
    JP4358905B2|2007-12-26|2009-11-04|キヤノンアネルバ株式会社|基板ホルダー、基板ホルダーを用いた成膜方法、ハードディスクの製造方法、成膜装置、プログラム|
    US8152981B2|2008-01-16|2012-04-10|Applied Materials, Inc.|Methods and compositions for electrophoretic metallization deposition|
    DE102008027861A1|2008-06-11|2009-12-17|Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh|Vorrichtung zum Halten von scheibenförmigen Objekten|
    JP2010182797A|2009-02-04|2010-08-19|Mitsubishi Electric Corp|半導体ウェハ処理装置|
    KR101534357B1|2009-03-31|2015-07-06|도쿄엘렉트론가부시키가이샤|기판 지지 장치 및 기판 지지 방법|
    US20110020096A1|2009-07-27|2011-01-27|Lotus Systems Gmbh|Batch processing system in an in-line facility|
    WO2011096208A1|2010-02-05|2011-08-11|東京エレクトロン株式会社|基板保持具及び基板搬送装置及び基板処理装置|
    US9257319B2|2011-06-03|2016-02-09|Tel Nexx, Inc.|Parallel single substrate processing system with alignment features on a process section frame|
    JP6097262B2|2014-09-18|2017-03-15|矢崎総業株式会社|コネクタ|US9257319B2|2011-06-03|2016-02-09|Tel Nexx, Inc.|Parallel single substrate processing system with alignment features on a process section frame|
    JP5908266B2|2011-11-30|2016-04-26|株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス|陽極化成装置及びそれを備えた陽極化成システム並びに半導体ウエハ|
    JP6095958B2|2011-12-27|2017-03-15|新光電気工業株式会社|発光装置|
    SG11201503227XA|2012-11-23|2015-06-29|Picosun Oy|Substrate loading in an ald reactor|
    US10297472B2|2012-11-28|2019-05-21|Acm ResearchInc.|Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer|
    JP6234731B2|2013-08-08|2017-11-22|上村工業株式会社|クランパーを備える保持具|
    US20150047674A1|2013-08-16|2015-02-19|Tel Nexx, Inc.|Method and apparatus for removal of photoresist using improved chemistry|
    US9945044B2|2013-11-06|2018-04-17|Lam Research Corporation|Method for uniform flow behavior in an electroplating cell|
    US9666465B2|2013-12-12|2017-05-30|Seagate Technology Llc|Positioning apparatus|
    JP6239417B2|2014-03-24|2017-11-29|株式会社荏原製作所|基板処理装置|
    TW201539604A|2014-04-10|2015-10-16|G Tech Optoelectronics Corp|存放治具|
    TWI653701B|2014-06-09|2019-03-11|日商荏原製作所股份有限公司|Substrate attaching and detaching portion for substrate holder, wet substrate processing device including the substrate attaching and detaching portion, substrate processing device, and substrate transfer method|
    JP6251124B2|2014-06-09|2017-12-20|株式会社荏原製作所|基板ホルダ用の基板着脱部及びこれを備えた湿式基板処理装置|
    US10040048B1|2014-09-25|2018-08-07|Synthego Corporation|Automated modular system and method for production of biopolymers|
    EP3035375B1|2014-12-19|2017-05-03|ATOTECH Deutschland GmbH|Treating module of an apparatus for horizontal wet-chemical treatment of large-scale substrates|
    US20170040205A1|2015-08-05|2017-02-09|Lam Research Corporation|High-hardness-material-powder infused elastomer for high friction and compliance for silicon wafer transfer|
    KR101932410B1|2015-08-18|2018-12-31|주식회사 엘지화학|일체형 세척 및 건조 장치|
    KR20180133933A|2016-05-06|2018-12-17|어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드|개선된 기판 취급 조립체를 위한 시스템들, 장치, 및 방법들|
    US10074554B2|2016-06-27|2018-09-11|Tel Nexx, Inc.|Workpiece loader for a wet processing system|
    US10283396B2|2016-06-27|2019-05-07|Asm Nexx, Inc.|Workpiece holder for a wet processing system|
    US10607879B2|2016-09-08|2020-03-31|Brooks Automation, Inc.|Substrate processing apparatus|
    JP6723889B2|2016-09-28|2020-07-15|株式会社荏原製作所|めっき装置|
    US10651067B2|2017-01-26|2020-05-12|Brooks Automation, Inc.|Method and apparatus for substrate transport apparatus position compensation|
    CN108931415B|2017-05-23|2021-02-19|北京诚智光辉科技有限公司|带有清洗机构的细胞制片染色一体机|
    CN107365980B|2017-07-10|2019-01-11|深圳丰盛装备股份有限公司|一种石墨舟自动装卸片设备|
    CN107699940B|2017-08-24|2019-11-26|温岭市妙想鞋业有限公司|一种用于生产开关柜的新型自动镀锡机|
    CN108480277A|2018-04-10|2018-09-04|绍兴文理学院|一种硅片清洗烘干装置|
    CN110976199B|2019-12-24|2020-10-27|温州职业技术学院|汽配工件自动涂漆设备|
    CN111540704B|2020-07-10|2020-09-25|清华大学|晶圆偏转装置和晶圆处理装备|
    CN112429302A|2020-11-06|2021-03-02|杭州岚达科技有限公司|一种基于传感器融合技术的水果分箱系统|
    CN112430838A|2020-12-01|2021-03-02|东莞市琢器机械设备科技有限公司|一种电镀模组|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    US201161493183P| true| 2011-06-03|2011-06-03||
    US201261589697P| true| 2012-01-23|2012-01-23||
    US201261590199P| true| 2012-01-24|2012-01-24||
    [返回顶部]