• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    本發明提供一種PTC裝置，具有：PTC元件，具有藉由相面對的主表面所規定的層狀PTC構件，以及在主表面上延伸的層狀電極而成；以及絕緣層，經由各層狀電極位於各主表面上，其中PTC裝置具有以絕緣層、PTC元件以及絕緣層的順序來積層的積層體而成，積層體具有第一端部以及第二端部，又，在第一端部以及第二端部，分別配置有第一側方電極以及第二側方電極，PTC元件的一方的層狀電極，在與第一側方電極以及第二側方電極隔離的狀態下延伸，PTC元件的他方的層狀電極，與第一端部隔離，延伸到第二端部為止來電連接於第二側方電極，至少第一側方電極在第一端部沿著積層體厚度方向整體，更在一方的絕緣層的第一端部分上延伸，第一端部分具有達到該一方的層狀電極的貫穿孔，貫穿孔具有將該一方的層狀電極與第一側方電極電連接的導電性構件。
    公开号:TW201314711A
    申请号:TW101127140
    申请日:2012-07-27
    公开日:2013-04-01
    发明作者:Hisashi Usui
    申请人:Tyco Electronics Japan G K；
    IPC主号:H02H3-00
    专利说明:
    PTC裝置
    本發明是關於一種具有絕緣層被積層在PTC元件兩側的積層體而成的PTC裝置，詳細地說是關於一種如此可以表面安裝的PTC裝置。
    如上述的PTC裝置，在過剩電流於各種電裝置流動的狀況廣泛使用來作為保護元件，以保護構成電裝置之電構件，例如二次電池，或保護構成電裝置的電路。又，在如此的電構件會產生故障，結果變成異常高溫的狀況下也廣泛使用來作為保護元件，以遮斷流動在電裝置的電流。
    如此PTC裝置為例如下述專利文獻1所揭露，將其一例藉由其概略剖面圖表示在第八圖。PTC裝置200，是具有PTC元件212以及在其兩側所配置的第一絕緣層214a與第二絕緣層214b而成。PTC元件212，是具有PTC構件210以及在其兩側所配置的第一層狀電極212a與第二層狀電極212b而成。層狀電極212a被連接於第一側方電極220，層狀電極212b被連接於第二側方電極222。在如此PTC元件，第一側方電極220以及第二側方電極222，藉由金屬電鍍層形成。
    第一側方電極220，除了在PTC構件210的一端的厚度方向的電極部分之外，還有位於第一絕緣層214a的該一端部分上的電極部分216以及位於第二絕緣層214b的該一端部分上的電極部分216被一體構成。第二側方電極222，除了在PTC構件210的他端的厚度方向的電極部分之外，還有位於第一絕緣層214a的該他端部分上的電極部分218以及位於第二絕緣層214b的該他端部分上的電極部分218被一體構成。電極部分216以及218的中間區域，焊錫遮罩(solder mask)224a以及224b(絕緣體)來被覆。 【先前技術文獻】 【專利文獻】
    【專利文獻1】美國專利第6,377,467號說明書
    在使用上述PTC裝置的狀況，隨著使用時間經過，會發現到裝置不適當運作的不良情況。進行檢討關於此不良情況的結果，得到結論是起因於在PTC元件的層狀電極與做為側方電極金屬之電鍍層之間的連接部，金屬電鍍層容易剝離。因此，思考出藉由提供具有新構造的PTC裝置來代替如上述PTC裝置，期望迴避因金屬電鍍層導致的剝離問題。
    考慮上述課題，並盡心檢討關於具有上述構造的PTC裝置的結果，發現藉由將位於絕緣層的端部分上的電極部分與PTC元件的層狀電極直接電連接，可以抑制上述的不良情況，來完成本發明。此直接的電連接，也可以藉由將電極部分與層狀電極直接連接的貫穿孔設於絕緣層，設置導電性構件於該貫穿孔來實施。更具體來說，也可以藉由將導電性金屬層(例如電鍍層)設於規定貫穿孔的壁來實施，在其他狀態，也可以藉由將如導電膠的導電性材料充填於貫穿孔來實施。
    因此，在第一要旨，本發明提供一種PTC裝置，是具有藉由相面對的第一主表面以及第二主表面所規定的層狀PTC構件，以及在第一主表面上延伸的第一層狀電極及在第二主表面上延伸的第二層狀電極而成的PTC元件，以及具有經由第一層狀電極位於第一主表面上的第一絕緣層，及經由第二層狀電極位於第二主表面上的第二絕緣層；PTC裝置具有第一絕緣層、PTC元件及第二絕緣層以此順序被積層的積層體而成，其特徵在於：積層體在對於積層方向(即上下方向)垂直方向，具有第一端部以及第二端部，又，在第一端部以及第二端部，分別配置有第一側方電極以及第二側方電極，PTC元件的第一層狀電極，在與第一側方電極以及第二側方電極隔離的狀態下延伸，PTC元件的第二層狀電極，與第一端部隔離，延伸到第二端部為止來電連接於第二側方電極，至少第一側方電極在第一端部沿著積層體厚度方向整體，更在第一絕緣層的第一端部分上延伸，第一端部分具有達到第一層狀電極的貫穿孔(也被稱為通孔)，貫穿孔具有將第一層狀電極與第一側方電極電連接的導電性構件。
    在第二要旨，本發明提供一種電裝置，具有上述以及後述的本發明的PTC裝置而成。在如此電裝置，包含電池組、USB、HDMI等使用者介面等，本發明的PTC裝置，做為電路保護元件、過熱保護元件來運作。
    在本發明的PTC裝置，藉由設於絕緣層的貫穿孔以及位於該處的導電性構件，PTC元件的層狀電極被電連接於側方電極，在層狀電極的連接部，成為與貫穿孔底面部接觸的面。其結果是連接部實質成為線狀，相較於層狀電極被直接連接於側方電極的狀況，藉由面接觸達成連接的本發明的PTC裝置，連接部的面積會變大。連接部的面積，隨著貫穿孔的徑變大，及/或貫穿孔的數目增加，可以變更大。又，除了連接部的面積變大以外，由於導電性構件與PTC構件隔離，所以可緩和從因過電流或過熱導致PTC元件動作時的PTC構件的體積膨脹收縮產生的機械應力，所以被認為確保這些電連接部的更適切維持。
    接下來，參照圖式來更詳細地說明本發明的PTC裝置。在第一圖概略表示本發明的PTC裝置的較佳的一狀態的斜視圖，又，在第二圖，概略表示第一圖的PTC裝置的包含以一點鏈線所示中心線的垂直剖面被切斷時所產生的剖面。
    在第一圖所示的PTC裝置10，具有PTC元件12，位於其上側的第一絕緣層14，以及位於下側的第二絕緣層16而成。PTC元件12，具有藉由相面對的第一主表面18與第二主表面20所規定的層狀PTC構件22，在第一主表面18上延伸的第一層狀電極24，以及在第二主表面20上延伸的第二層狀電極26而成。因此，PTC裝置10是具有以第一絕緣層14、PTC元件12以及第二絕緣層16的順序被積層的積層體28而成，第一絕緣層14經由第一層狀電極24位於第一主表面18上，第二絕緣層16經由第二層狀電極26位於第二主表面20上。
    積層體28，在關於對積層方向(即在第二圖以箭頭A所示的上下方向)垂直的方向，具有第一端部30以及第二端部32，又，在第一端部30以及第二端部32，分別配置有第一側方電極34以及第二側方電極36。
    如圖示，PTC元件12的第一層狀電極24，在與第一側方電極34以及第二側方電極36隔離的狀態下延伸，又，PTC元件12的第二層狀電極26，雖然是處於與第一側方電極34隔離的狀態，但延伸到第二端部32為止來電連接於第二側方電極36(更具體來說，是後述的積層體的厚度方向部分)。
    第一側方電極34，在第一端部30沿著積層體28的厚度方向整體，更在第一絕緣層14的第一端部分38上延伸，第一端部分38具有達到第一層狀電極24的貫穿孔40(也稱通孔(via hole))，通孔40具有將第一層狀電極24與第一側方電極34電連接的導電性構件42。導電性構件42也可以是在規定通孔40的內壁上所形成的金屬電鍍層。在其他狀態，導電性構件42，也可以是填充在通孔40內的導電性組成物，例如焊錫接著劑、焊錫膠(solder paste)、導電性接著劑等。
    在圖示的狀態，PTC裝置10之第一側方電極34不只是沿著積層體厚度方向延伸，其一部分44沿著第一絕緣層14的第一端部分38延伸，又，其他的一部分46沿著第二絕緣層16的第一端部分48延伸。第二側方電極36也與第一側方電極一樣，不只是沿著積層體厚度方向延伸，其一部分50沿著第一絕緣層14的第二端部分52延伸，又，其他的一部分54沿著第二絕緣層16的第二端部分56延伸。
    側方電極任一者在關於絕緣層的端部分，藉由熱壓接合於其上的金屬箔58及電鍍於其之銅層60所構成，關於沿著積層體的厚度方向的部分62，藉由電鍍於積層體的銅層所構成。在圖示的狀態，如此側方電極是藉由例如電鍍，被Ni/Sn層64所覆蓋成維持不露出。但是，關於積層體的厚度方向，只在端部形成凹部的部分形成有電鍍層。因此，在圖示的狀態，任一側方電極是由積層體厚度方向部分62(但是只有凹部)、部分44及部分46所構成。
    圖示的PTC裝置，雖然具有一個通孔40，但通孔數並沒有特別受限，也可以設有複數個例如兩個或更多個。又，形成通孔的位置雖然並沒有特別受限，但從PTC元件的額定電流變大的觀點來看，較佳為設在接近側方電極處。例如在第一圖中，也可以設在一點鏈線的前側與對側各一處，即設於兩處。
    圖示的PTC裝置10，也可以藉由依序形成構成其之構件並如圖示般架構出的任一適當方法來製造。又，構成本發明的PTC裝置的構件，任一皆為已知，若為本領域具有通常知識者，可以選擇適當材料及適當方法來形成各構件。
    例如，圖示的PTC裝置，(如在第一圖以虛線表示)形成縱橫有多個連接的狀態的PTC裝置集合體，以包含將其以X1所示的直線的平面來切斷，接下來以包含以X2所示的直線的平面來切斷，接下來以包含以Y1所示的直線的平面來切斷，最後以包含Y2所示的直線的平面來切斷，藉以來製造複數個個別分割的本發明PTC裝置是很方便的。
    更詳細來說，例如可以如下所做來形成PTC裝置集合體。
    最初，在構成層狀PTC構件22的PTC組成物的擠壓薄片的兩側的主表面，將構成層狀電極24及26的金屬箔重疊上去，將這些一體地熱壓接合來準備PTC元件前驅體薄片(也被稱為雕刻板(plaque))。為了形成在PTC集合體的第一層狀電極及第二層狀電極的集合體，將前驅體薄片的兩側的金屬箔分別如特定地蝕刻除去，使層狀PTC構件22的特定處露出。也就是說，如第二圖所示，關於第一層狀電極24，使層狀PTC構件22的第一端部30及第二端部32側露出，關於第二層狀電極26，僅使層狀PTC構件22的第一端部30側露出。
    之後，將構成第一絕緣層14及第二絕緣層16的預浸薄片(prepreg sheet)分別積層於前驅體薄片的各側，並構成積層體的集合體，在其上，於積層體的第一絕緣層及第二絕緣層的端部，將最終分別構成第一側方電極的一部分(部分44及46)以及第二側方電極的一部分(部分50及54)的金屬箔重疊上去，將這些加熱並使預浸薄片融化、硬化，來一體地熱壓接合。
    接下來，為了形成應形成沿著積層體的厚度方向延伸的第一側方電極34及第二側方電極36的壁部分，例如藉由電鑽形成具有圓形剖面的貫穿部45(參照第一圖)。又，例如藉由用二氧化碳雷射照射來融化預浸層，在特定處形成通孔40來實施除膠渣(desmear)處理(殘留物處理)。之後，將前驅體薄片例如鍍銅，在金屬箔上形成銅層。藉此，在積層體的兩端部沿著積層體的厚度方向延伸的第一側方電極的一部分62及第二側方電極的一部分62，被形成為銅層。又，銅層也被形成於前驅體薄片的最外部(這些變成最終構成部分44、46、50及54)，又，也被形成於規定通孔40的壁部分上，這些做為導電性構件42來運作。又，導電性構件42依通孔尺寸，也會有變成通孔被銅充填的狀態。
    接下來，對應位於PTC裝置的第一絕緣層及第二絕緣層的第一端部分以及第二端部分上的第一側方電極及第二側方電極的一部分的特定形狀，將銅電鍍層及其下的金屬箔蝕刻除去，而獲得絕緣層以特定形狀露出的前驅體薄片。最後，對應需要，將獲得的前驅體薄片例如進行Ni/Sn電鍍處理，如從第二圖可理解地，獲得在露出的銅電鍍層的表面形成Ni/Sn膜64的第一側方電極及第二側方電極，來完成PTC裝置集合體。藉由如此電鍍處理，因軟焊進行的基板安裝會變容易，特別是，由於本發明的裝置可以進行自動安裝及回流軟焊，所以除了因軟焊進行的連接信賴度提高之外，也可以貢獻於基板安裝的成本削減。又，在露出的絕緣層，由於露出面積寬廣，所以實際上沒有形成電鍍層。將完成的PTC裝置集合體，如上述沿著第一圖所示的包含虛線X1的面、包含X2的面、包含Y1的面及包含Y2的面來分割，以獲得本發明的各PTC裝置。
    第三圖與第二圖一樣，概略表示本發明的其他狀態的PTC裝置70。在第三圖中，雖然有未賦予符號的構件，但該構件與在第二圖的對應構件實質上相同。在第三圖所示的狀態，相較於第二圖所示的PTC裝置的狀況，在PTC元件12的下方，配置有一個其他的PTC元件72及在其下方鄰接的第三絕緣層74，這些也構成積層體28，這些點是本質上相異。此其他的PTC元件72，與PTC元件12同樣，具有PTC構件76及分別配置於其相對的第三主表面77及第四主表面79的第三層狀電極78以及第四層狀電極80而成。明顯地，在此積層體28，第一絕緣層14、PTC元件12及第二絕緣層16，以及位於第二絕緣層上的其他PTC元件72及鄰接於其的第三絕緣層74，以此順序被積層，結果，任一PTC元件都處於被夾在絕緣層的狀態。
    但是，在第三圖所示的狀態，第一側方電極34位於圖的左側，第二側方電極36位於圖的右側，其他的PTC元件72的第四層狀電極80，延伸至積層體的第一端部30為止，並被電連接於第一側方電極34，另一方面，與第二端部32隔離，第三層狀電極78與積層體的第一端部30隔離，另一方面，延伸至積層體的第二端部32為止，並被電連接於第二側方電極36。結果，兩個PTC元件12及72被電連接成並聯。
    如上述的其他PTC元件數，雖然在第三圖所示的狀態為1，但也可以是2或2以上(例如3、4或更多)，在此狀況，鄰接於如此的其他PTC元件並存在絕緣層，結果，任一PTC元件都變成被挾在絕緣層的狀態。例如，PTC元件12與其他的PTC元件72之間配置至少一PTC元件，任一PTC元件也構成為被絕緣層夾住。
    關於所有的PTC元件，其層狀電極的一方被電連接於第一側方電極，他方被電連接於第二側方電極，藉此，這些PTC元件被電連接成並聯。如此，藉由並聯連接PTC元件，PTC裝置的額定電流/額定電壓值，變成各PTC元件的額定電流/額定電壓值連接的PTC元件數的倍數。又，除了上述本質相異點之外，第三圖所示的狀態係與第二圖所示的PTC元件一樣。
    在第四圖，與第二圖一樣地概略表示本發明的其他狀態的PTC裝置90。第四圖中，雖然有未賦予符號的構件，但該構件與在第二圖對應的構件實質上相同。在第四圖所示的狀態，與第二圖所示的PTC裝置相比較的狀況，PTC元件12的層狀PTC構件22在積層體28的第一端部30與第一側方電極34被絕緣部92隔離這點本質上相異。
    又，形成PTC元件前驅體薄片後，將貫穿部設在對應絕緣部92的部分後，將構成第一絕緣層14及第二絕緣層16的預浸薄片分別積層於前驅體薄片的兩側，來構成積層體的集合體，將金屬箔重疊於其上，將這些加熱並使預浸薄片融化、硬化，來一體地熱壓接合。然後，藉由預浸薄片的融化樹脂進入貫穿部，可以形成絕緣體92。
    在第五圖，與第三圖一樣地概略表示本發明的其他狀態的PTC裝置100。第五圖中，雖然有未賦予符號的構件，但該構件與在第三圖對應的構件實質上相同。在第五圖所示的狀態，與第三圖所示的PTC裝置相比較的狀況，PTC元件12的層狀PTC構件22，是在積層體28的的第一端部30與第一側方電極34被絕緣部92隔離的點本質上相異。此絕緣部92係與參照第四圖在之前說明者相同。
    在第六圖，與第二圖一樣地概略表示本發明的其他狀態的PTC裝置110。第六圖中，雖然有未賦予符號的構件，但該構件與在第二圖對應的構件實質上相同。在第六圖所示的狀態，與第二圖所示的PTC裝置相比較的狀況，第二層狀電極26與第二側方電極36隔離，第二側方電極36在積層體28的第二端部32沿著積層體的厚度方向整體，更在第二絕緣層16的第二端部分56上延伸，第二端部分56具有達到第二層狀電極26的第二貫穿孔41(也稱通孔)，通孔在具有將第二層狀電極26與第二側方電極36電連接的導電性構件43的點本質上相異。換句話說，第二側方電極36被構成為與第一側方電極34實質相同。
    在第六圖所示的狀態，由於第一絕緣層14的第一端部分38上的電極部分44及第二端部分52上的電極部分50，以及第二絕緣層16的第一端部分48上的電極部分46及第二端部分56上的電極部分54的長度實質相同，所以從PTC裝置的外觀，有時表裡判別並不容易。為了讓此判別容易，將印(標記)設於絕緣層的一者的露出表面是有效的。在第六圖所示的狀態，將像那樣的標記112設於第一絕緣層14的露出表面。又，雖然也將標記112設於第二圖~第五圖所示的PTC元件，但在這些狀態，由於第一絕緣層14的第一端部分38上的電極部分44及第二端部分52上的電極部分50，明顯地比第二絕緣層16(或位於最外側的其他PTC元件72所鄰接的外側絕緣層74)的第一端部分48(或49)上的電極部分46(或47)及第二端部分56(或57)上的電極部分54(或55)的長度更長，所以若考慮這些長度，PTC裝置的表裡判別是容易的，但除此之外，將標記112也賦予於這些PTC裝置。
    在第七圖，與第三圖一樣地概略表示本發明的其他狀態的PTC裝置120。第七圖中，雖然有未賦予符號的構件，但該構件與在第三圖對應的構件實質上相同。在第七圖所示的狀態，與第三圖所示的PTC裝置相比較的狀況，在其他PTC元件72的外側隔著第三層狀電極78，存在絕緣層74，第三層狀電極78是在經由設於通孔41的導電性構件43被連接於第一側方電極34的點本質上相異。此第三層狀電極78，與第一層狀電極24一樣，與第一側方電極34及第二側方電極36隔離，其他的PTC元件72的內側的第四層狀電極80，與第二層狀電極26一樣，在與第一側方電極34隔離的狀態，延伸至第二端部32為止並被電連接於第二側方電極36。結果，第一層狀電極24及第三層狀電極78，分別經由導電性構件42及43，被連接於第一側方電極34，另一方面，第二層狀電極26及第四層狀電極80被連接於第二側方電極36。
    在第七圖所示的狀態，雖然藉由將貫穿孔41及導電性構件43設於第三絕緣層74的第一端部分，第三層狀電極78被連接於第一側方電極34，但代替此狀態，也可以將貫穿孔41及導電性構件43設於第三絕緣層74的第二端部分。在此狀況，最外側的PTC元件的第三層狀電極78變成被連接於第二側方電極36。在此狀況，第四層狀電極80必須與第二側方電極36隔離，且連接於第一側方電極34。
    又，其他PTC元件，也可以存在2個以上，在此狀況，上述第三層狀電極78的特徵係適合於位於最外側的其他PTC元件，關於剩下的其他各PTC元件，一方的層狀電極與第二端部隔離，延伸至第一端部為止並被電連接於第一側方電極，他方的層狀電極與第一端部隔離，延伸至第二端部為止並被電連接於第二側方電極。
    10、70、90、100、110、120、200‧‧‧PTC裝置
    76、210‧‧‧PTC構件
    12、72、212‧‧‧PTC元件
    14、214a‧‧‧第一絕緣層
    16、214b‧‧‧第二絕緣層
    18‧‧‧第一主表面
    20‧‧‧第二主表面
    22‧‧‧層狀PTC構件
    24、212a‧‧‧第一層狀電極
    26、212b‧‧‧第二層狀電極
    28‧‧‧積層體
    30‧‧‧第一端部
    32‧‧‧第二端部
    34、220‧‧‧第一側方電極
    36、222‧‧‧第二側方電極
    38、48‧‧‧第一端部分
    40、41‧‧‧貫穿孔
    42、43‧‧‧導電性構件
    44、46、50、54、62‧‧‧電極部分
    45‧‧‧貫穿部
    52、56‧‧‧第二端部分
    58‧‧‧金屬箔
    60‧‧‧銅層
    64‧‧‧Ni/Sn層
    74‧‧‧第三絕緣層
    77‧‧‧第三主表面
    78‧‧‧第三層狀電極
    79‧‧‧第四主表面
    80‧‧‧第四層狀電極
    92‧‧‧絕緣部
    112‧‧‧標記
    216、218‧‧‧電極部分
    224a、224b‧‧‧罩
    第一圖：概略表示本發明的PTC裝置的一狀態的斜視圖。
    第二圖：概略表示第一圖所示的PTC裝置的剖面圖。
    第三圖：概略表示本發明的其他狀態的PTC裝置的剖面圖。
    第四圖：概略表示本發明的其他狀態的PTC裝置的剖面圖。
    第五圖：概略表示本發明的其他狀態的PTC裝置的剖面圖。
    第六圖：概略表示本發明的其他狀態的PTC裝置的剖面圖。
    第七圖：概略表示本發明的其他狀態的PTC裝置的剖面圖。
    第八圖：概略表示以往技術的PTC裝置的剖面圖。
    10‧‧‧PTC裝置
    12‧‧‧PTC元件
    14‧‧‧第一絕緣層
    16‧‧‧第二絕緣層
    20‧‧‧第二主表面
    22‧‧‧層狀PTC構件
    24‧‧‧第一層狀電極
    26‧‧‧第二層狀電極
    28‧‧‧積層體
    30‧‧‧第一端部
    32‧‧‧第二端部
    34‧‧‧第一側方電極
    36‧‧‧第二側方電極
    40‧‧‧貫穿孔
    45‧‧‧貫穿部
    58‧‧‧金屬箔
    60‧‧‧銅層
    64‧‧‧Ni/Sn層
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種PTC裝置，具有：PTC元件，具有藉由相面對的第一主表面以及第二主表面所規定的層狀PTC構件，以及在第一主表面上延伸的第一層狀電極及在第二主表面上延伸的第二層狀電極而成；第一絕緣層，經由第一層狀電極位於第一主表面上；以及第二絕緣層，經由第二層狀電極位於第二主表面上；其中PTC裝置具有第一絕緣層、PTC元件及第二絕緣層以此順序被積層的積層體而成，其特徵在於：積層體在對於積層方向(即上下方向)垂直的方向，具有第一端部以及第二端部，又，在第一端部以及第二端部，分別配置有第一側方電極以及第二側方電極；PTC元件的第一層狀電極，在與第一側方電極以及第二側方電極隔離的狀態下延伸；PTC元件的第二層狀電極，與第一端部隔離，延伸到第二端部為止來電連接於第二側方電極；至少第一側方電極，在第一端部沿著積層體的厚度方向整體，更在第一絕緣層的第一端部分上延伸；第一端部分具有達到第一層狀電極的貫穿孔，貫穿孔具有將第一層狀電極與第一側方電極電連接的導電性構件。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述的PTC裝置，更具有至少一其他的PTC元件而成，該至少一其他的PTC元件分別具有藉由相面對的第三主表面以及第四主表面所規定的其他的層狀PTC構件，以及在第三主表面上延伸的第三層狀電極及在第四主表面上延伸的第四層狀電極而成；其中PTC裝置具有積層體而成，該積層體係第一絕緣層、PTC元件及第二絕緣層，以及位於第二絕緣層上的至少一其他的PTC元件及鄰接於至少一其他的PTC元件各自的其他絕緣層依此順序被積層，其結果是任一PTC元件都處於被挾在絕緣層的狀態；該至少一其他的PTC元件各自的第三層狀電極，與第一端部隔離，延伸至第二端部為止來電連接於第二側方電極；該至少一其他的PTC元件各自的第四層狀電極，與第二端部隔離，延伸至第一端部為止來電連接於第一側方電極。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項所述的PTC裝置，其中該PTC元件的層狀PTC構件，在積層體的第一端部，與第一側方電極被絕緣部隔離。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述的PTC裝置，其中PTC元件的第二層狀電極，在與第一側方電極及第二側方電極隔離的狀態下延伸；第二側方電極，在第二端部沿著積層體的厚度方向整體，更在第二絕緣層的第二端部分上延伸；第二端部分，具有達到第二層狀電極的第二貫穿孔，第二貫穿孔具有將第二層狀電極與第二側方電極電連接的導電性構件。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述的PTC裝置，更具有至少一其他的PTC元件而成，該至少一其他的PTC元件分別具有藉由相面對的第三主表面以及第四主表面所規定的其他的層狀PTC構件，以及在第三主表面上延伸的第三層狀電極及在第四主表面上延伸的第四層狀電極而成；其中PTC裝置具有積層體而成，該積層體係第一絕緣層、PTC元件及第二絕緣層，以及位於第二絕緣層上的至少一其他的PTC元件及鄰接於至少一其他的PTC元件各自的其他絕緣層依此順序被積層，其結果是任一PTC元件都處於被挾在絕緣層的狀態；該至少一其他的PTC元件中，位於積層體最外側的PTC元件以外的各PTC元件的第三層狀電極，與第一端部隔離，延伸至第二端部為止來電連接於第二側方電極；該至少一其他的PTC元件中，位於積層體最外側的PTC元件以外的各PTC元件的第四層狀電極，與第二端部隔離，延伸至第一端部為止來電連接於第一側方電極；位於積層體最外側的PTC元件，在其PTC構件外側相隔第三層狀電極具有第三絕緣層，第三層狀電極與第一側方電極及第二側方電極隔離；位於積層體最外側的PTC元件的內側的第四層狀電極，在與第一側方電極隔離的狀態，延伸至第二端部為止來電連接於第二側方電極；第一側方電極，在第一端部沿著積層體的厚度方向整體，更在第一絕緣層及第三絕緣層的第一端部分上延伸；第三絕緣層的第一端部分，具有達到位於積層體最外側的PTC元件外側的第三層狀電極的貫穿孔，貫穿孔具有將第三層狀電極與第一側方電極電連接的導電性構件。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述的PTC裝置，更具有至少一其他的PTC元件而成，該至少一其他的PTC元件分別具有藉由相面對的第三主表面以及第四主表面所規定的其他的層狀PTC構件，以及在第三主表面上延伸的第三層狀電極及在第四主表面上延伸的第四層狀電極而成；其中PTC裝置具有積層體而成，該積層體係第一絕緣層、PTC元件及第二絕緣層，以及位於第二絕緣層上的至少一其他的PTC元件及鄰接於至少一其他的PTC元件各自的其他絕緣層依此順序被積層，其結果是任一PTC元件都處於被挾在絕緣層的狀態；該至少一其他的PTC元件中，位於積層體最外側的PTC元件以外的各PTC元件的第三層狀電極，與第一端部隔離，延伸至第二端部為止來電連接於第二側方電極；該至少一其他的PTC元件中，位於積層體最外側的PTC元件以外的各PTC元件的第四層狀電極，與第二端部隔離，延伸至第一端部為止來電連接於第一側方電極；位於積層體最外側的PTC元件，在其PTC構件外側相隔第三層狀電極具有第三絕緣層，第三層狀電極與第一側方電極及第二側方電極隔離；位於積層體最外側的PTC元件的內側的第四層狀電極，在與第二側方電極隔離的狀態，延伸至第一端部為止來電連接於第一側方電極；第二側方電極，在第二端部沿著積層體的厚度方向整體，更在第三絕緣層的第二端部分上延伸；第三絕緣層的第一端部分，具有達到位於積層體最外側的PTC元件外側的第三層狀電極的貫穿孔，貫穿孔具有將第三層狀電極與第一側方電極電連接的導電性構件。
    [7] 如申請專利範圍第5或6項所述的PTC裝置，其中該PTC元件及其他PTC元件的至少一層狀PTC構件，在積層體的第一端部或第二端部，與第一側方電極或第二側方電極被絕緣部隔離。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    TWI503850B|2015-10-11|過電流保護元件
    TWI274363B|2007-02-21|Low resistance polymer matrix fuse apparatus and method
    JP6420053B2|2018-11-07|ヒューズエレメント、及びヒューズ素子
    TWI670742B|2019-09-01|電流熔絲
    JP6483987B2|2019-03-13|ヒューズエレメント、ヒューズ素子、及び発熱体内蔵ヒューズ素子
    TWI552172B|2016-10-01|Ｐｔｃ裝置
    JP6437262B2|2018-12-12|実装体の製造方法、温度ヒューズ素子の実装方法及び温度ヒューズ素子
    JP5874746B2|2016-03-02|固体電解コンデンサ、電子部品モジュール、固体電解コンデンサの製造方法および電子部品モジュールの製造方法
    TW201145483A|2011-12-16|Module substrate, production method for module substrate, and terminal connection board
    TW201621952A|2016-06-16|保護元件及構裝體
    JP6124793B2|2017-05-10|Ｐｔｃデバイス
    JP2006310277A|2006-11-09|チップ型ヒューズ
    WO2018028213A1|2018-02-15|一种含多功能铝箔的led灯带线路板模组及制造方法
    TWI493576B|2015-07-21|過電流保護元件及其保護電路板
    JP2010062498A|2010-03-18|下面電極型固体電解コンデンサおよびその製造方法
    TW201411664A|2014-03-16|表面黏著型過電流保護元件
    TW201405591A|2014-02-01|過電流保護元件
    KR101895104B1|2018-09-04|Ｐｔｃ 디바이스
    TW201535450A|2015-09-16|阻斷元件及阻斷元件電路
    JP2017208512A|2017-11-24|配線基体の製造方法及びそれを用いた発光装置の製造方法並びに配線基体及びそれを用いた発光装置。
    JP2019029532A|2019-02-21|電子デバイス、電子デバイスの製造方法、及び、フレキシブルプリント配線板
    KR102297282B1|2021-09-02|칩 전자부품 및 그 제조방법
    US20060202791A1|2006-09-14|Resettable over-current protection device and method for producing the like
    JP2002260903A|2002-09-13|積層型電子部品の製造方法
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    CN103843079B|2017-03-08|
    TWI552172B|2016-10-01|
    KR20140062470A|2014-05-23|
    JP6382514B2|2018-08-29|
    US20150029630A1|2015-01-29|
    CN103843079A|2014-06-04|
    JPWO2013018719A1|2015-03-05|
    US9142949B2|2015-09-22|
    WO2013018719A1|2013-02-07|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    US4980541A|1988-09-20|1990-12-25|Raychem Corporation|Conductive polymer composition|
    JPH02128414A|1988-11-07|1990-05-16|Murata Mfg Co Ltd|Laminated capacitor|
    US5378407A|1992-06-05|1995-01-03|Raychem Corporation|Conductive polymer composition|
    US6023403A|1996-05-03|2000-02-08|Littlefuse, Inc.|Surface mountable electrical device comprising a PTC and fusible element|
    US5900800A|1996-01-22|1999-05-04|Littelfuse, Inc.|Surface mountable electrical device comprising a PTC element|
    TW415624U|1999-04-26|2000-12-11|Polytronics Technology Corp|Surface mounted electric apparatus|
    US6640420B1|1999-09-14|2003-11-04|Tyco Electronics Corporation|Process for manufacturing a composite polymeric circuit protection device|
    TW507220B|2001-03-13|2002-10-21|Protectronics Technology Corp|Surface mountable polymeric circuit protection device and its manufacturing process|
    JP2003297604A|2002-03-29|2003-10-17|Tdk Corp|チップ型過電流保護素子|
    US20060055501A1|2002-12-10|2006-03-16|Bourns., Inc|Conductive polymer device and method of manufacturing same|
    JP2006510204A|2002-12-11|2006-03-23|ブアンズ・インコーポレイテッド|導電性高分子素子及びその製造方法|
    TWI230453B|2003-12-31|2005-04-01|Polytronics Technology Corp|Over-current protection device and manufacturing method thereof|
    US7414857B2|2005-10-31|2008-08-19|Avx Corporation|Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals|
    US7697262B2|2005-10-31|2010-04-13|Avx Corporation|Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals|
    TWI282696B|2005-12-27|2007-06-11|Polytronics Technology Corp|Surface-mounted over-current protection device|
    US8044763B2|2005-12-27|2011-10-25|Polytronics Technology Corp.|Surface-mounted over-current protection device|
    TWI427646B|2006-04-14|2014-02-21|Bourns Inc|具表面可裝設配置之傳導聚合物電子裝置及其製造方法|
    CN101740189A|2009-12-31|2010-06-16|上海长园维安电子线路保护股份有限公司|表面贴装型过电流保护元件|
    TWI429157B|2011-01-17|2014-03-01|Polytronics Technology Corp|過電流保護裝置及其製備方法|
    TWI433169B|2012-01-20|2014-04-01|Polytronics Technology Corp|表面黏著型熱敏電阻元件|
    US8502638B1|2012-02-03|2013-08-06|Polytronics Technology Corp.|Thermistor|
    TWI456596B|2012-07-31|2014-10-11|Polytronics Technology Corp|過電流保護元件及其製作方法|
    TWI441201B|2012-09-28|2014-06-11|Polytronics Technology Corp|表面黏著型過電流保護元件|WO2012173183A1|2011-06-17|2012-12-20|タイコエレクトロニクスジャパン合同会社|Ｐｔｃデバイス|
    KR20160109292A|2015-03-10|2016-09-21|삼성에스디아이 주식회사|보호소자 및 이를 포함하는 이차 전지|
    US9959958B1|2017-08-01|2018-05-01|Fuzetec Technology Co., Ltd.|PTC circuit protection device and method of making the same|
    CN107741242B|2017-09-07|2019-09-10|感至源电子科技（上海）有限公司|屏蔽型传感器端子的制备方法|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011167266||2011-07-29||
    [返回顶部]