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    • 专利摘要:
    本發明提供一種用以處理一基板之裝置。用以處理該基板之該裝置包括：一支撐板，其支撐該基板，該支撐板具有於該板中之複數個孔洞；一供應管線，其經由該等孔洞將氣體供應至該基板之一底面；及，一離子化器，其安裝於該供應管線中以離子化經由該供應管線供應之該氣體。
    公开号:TW201314307A
    申请号:TW101127210
    申请日:2012-07-27
    公开日:2013-04-01
    发明作者:Tae-O Choi
    申请人:Semes Co Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    用以處理基板之裝置及方法
    文中揭示之本發明係關於一種用以處理基板之裝置，且更具體而言，係關於一種用以於平面顯示器面板上執行諸多製程之裝置。
    在用以製造平板顯示器之各種製程中，一些製程係於將平面顯示器面板(下文稱作「基板」)置於稱為花崗岩平板之支撐板上的狀態下執行。基板係藉由上升/下降銷被裝載至支撐板上或自該支撐板卸載，該上升/下降銷係沿界定於支撐板中之上升/下降孔洞而上升或下降。
    當執行有關基板之製程時，靜電發生於基板與支撐板之間。此時，該靜電充當該基板與該支撐板之間的吸引力。若於靜電發生之狀態下藉由上升/下降銷來強制卸載基板，則可發生基板立刻回彈(bound)之現象。該現象可造成基板之損壞。
    本發明提供一種用以處理一基板之裝置，該裝置可防止該基板損壞。
    本發明之實施例提供用以處理一基板之裝置，該裝置包括：一支撐板，其支撐該基板，該支撐板具有於該板中之複數個孔洞；一供應管線，其經由該等孔洞將氣體供應至該基板之一底面；及，一離子化器，其安裝於該供應管線中以離子化經由該供應管線供應之該氣體。
    在一些實施例中，該等裝置可進一步包括：一真空壓力施加單元，其將真空壓力施加於該等孔洞；及一控制單元，其控制該離子化器及該真空壓力施加單元，使得將該真空壓力施加於該等孔洞後，將該經離子化之氣體供應至該等孔洞。
    在其他實施例中，氣體可包括氮氣或空氣。
    在本發明之其他實施例中，用以處理一基板之方法包括：將一真空壓力施加於形成於一支撐板中之孔洞，以將該基板吸著至該支撐板上；在使該基板吸著至該支撐板上之同時處理該基板；及，在完成將該真空壓力施加於該等孔洞之後，經由該等孔洞將經離子化之氣體供應至該基板之一底面。
    在一些實施例中，真空壓力及經離子化之氣體可經由同一供應管線供應至孔洞中。
    在其他實施例中，氣體可包括氮氣或空氣。
    所包括之隨附圖式提供對本發明之進一步理解，且將該等圖式併入本申請文件中並構成本申請文件之一部分。該等圖式示出本發明之示範性實施例，且與本說明書一起用於解釋本發明之原則。
    下文中，將參考隨附圖式詳細描述根據本發明之示範性實施例的用以處理基板之裝置及方法。此外，為避免不必要地模糊本發明之主題，將省略與熟知功能或構造有關之詳細描述。
    圖1係根據本發明之一實施例的用以處理基板之裝置的透視圖。圖2係沿圖1之線A-A’截取的橫截面圖。
    參考圖1及圖2，基板處理裝置10執行有關基板P之製程。基板P包括用於平板顯示器之面板。用於平板顯示器之平板可包括用於薄膜電晶體-液晶顯示器(TFT-LCD)之面板及用於有機發光二極體(OLED)顯示器之面板。
    基板處理裝置10包括支撐板100、提升單元200、供氣單元300、真空壓力施加單元400及控制單元500。
    支撐板100支撐基板P。支撐板100可提供為具有正方形形狀之板。支撐板100之尺寸相應於基板P之尺寸或大於基板P之尺寸。基板P置放於支撐板100之頂面上。
    孔洞110及孔洞120界定於支撐板100中。孔洞110及孔洞120可為自支撐板100之頂面界定至底面的通孔。孔洞110及孔洞120包括上升/下降孔洞110及供氣孔洞120。
    提升銷200被佈置於上升/下降孔洞110之每一孔洞中。上升/下降孔洞110之每一孔洞皆提供一通道，提升銷200穿過該通道垂直上升或下降。供氣孔洞120可均勻提供於支撐板100之整個區域中。
    該提升單元將基板P裝載至支撐板100之頂面或將基板P自支撐板100之頂面卸載。該提升單元包括提升銷200、上升/下降板(未圖示)及驅動器(未圖示)。
    提升銷200具有銷針形狀。此外，提升銷200係垂直佈置。提升銷200係插入上升/下降孔洞110中之每一孔洞中。該上升/下降板佈置於提升銷200之下部。提升銷200之下端固定至該上升/下降板。該驅動器使該上升/下降板於垂直方向上移動。當該上升/下降板垂直移動時，提升銷200沿上升/下降孔洞110之每一孔洞垂直移動。
    供氣單元300將氣體供應至供氣孔洞120之每一孔洞中。供氣單元300包括儲氣部件310、供應管線320、第一閥門330及離子化器340。
    該儲氣部件儲存氣體。該氣體可包括空氣或氮N2。供應管線320將儲氣部件310連接至供氣孔洞120。供應管線320提供一通道，該通道用以將儲存於儲氣部件310中之氣體供應至供氣孔洞120中。供應管線320包括主管線321及輔助管線322。主管線321之一端連接至儲氣部件310而另一端分支成複數個管線。可提供複數個輔助管線322。該複數個輔助管線322分別連接至主管線321之分支管線。輔助管線322分別將主管線321連接至供氣孔洞120。
    第一閥門330係安裝於供應管線320中。第一閥門330可安裝於主管線321中。第一閥門330調整主管線320之打開度以控制所供應氣體之流率。
    離子化器340安裝於供應管線320中。離子化器340可安裝於主管線321中，位於儲氣部件310與第一閥門330之間。離子化器340將電壓施加於經由主管線321傳送之氣體以將該氣體離子化。
    真空壓力施加單元400將真空壓力施加於供氣孔洞120。真空壓力施加單元400包括真空管線410、真空泵420及第二閥門430。真空管線410連接至主管線321。真空管線410連接至主管線410，位於第二閥門430與輔助管線322之間。真空泵420安裝於真空管線410中以產生真空壓力。第二閥門430安裝於真空管線420中，位於主管線321與真空泵420之間。第二閥門430調整真空管線410之打開度以控制所施加真空壓力之強度。該真空壓力藉由連續流入真空管線410、主管線321及輔助管線322中而施加於供氣孔洞120。施加於供氣孔洞120之真空壓力吸著基板P以將基板P固定至支撐板100之頂面。
    控制單元500控制供氣單元300及真空壓力施加單元400。
    在真空壓力已完全施加於供氣孔洞120之後，控制單元500控制供氣單元300及真空壓力施加單元400，使得經離子化之氣體被供應至供氣孔120中。控制單元500可個別地且自動地控制供氣單元300及真空壓力施加單元400。控制單元500關閉第一閥門330並打開第二閥門430以將基板P固定至支撐板100。當處理基板P時，控制單元500保持對上述閥門330及430之控制。當完全處理基板P時，控制單元500關閉第二閥門430以防止真空壓力施加於供氣孔洞120中。同時，第一閥門330打開，且操作離子化器340以將經離子化之氣體供應至供氣孔洞120中。
    以下將描述一種使用上述基板處理裝置處理基板之方法。
    參考圖3，將待處理之基板P置放於支撐板100之頂面。控制單元500關閉第一閥門330，操作真空泵420且打開第二閥門430以將真空壓力施加於供氣孔洞120中。該真空壓力吸著基板P以將基板P固定至支撐板100。基板P係於基板P固定至支撐板100之狀態下得以處理。
    當完全處理基板P時，如圖4所示，控制單元500關閉第二閥門330並停止真空泵340之操作。同時，打開第一閥門230，且操作離子化器240。儲存於儲氣部件220中之氣體係藉由外加電壓在離子化器240中離子化同時沿主管線321流動。經離子化之氣體藉由連續流入主管線321、輔助管線322及供氣孔洞120中而供應至基板P之底面。將氣體供應至基板P之底面歷時預定時間。
    當供應氣體歷時預定時間時，控制單元500關閉第一閥門330並停止離子化器340之操作。參考圖5，提升銷200沿上升/下降孔110上升以將基板P自支撐板100上卸載。
    當執行有關基板P之製程時，靜電發生於基板P與支撐板100之間。該靜電於基板P與支撐板100之間產生吸引力。當於仍然存在靜電之狀態下藉由提升銷200來卸載基板P時，可發生基板P自支撐板100回彈之彈起(popping)現象。此外，若藉由提升銷200來強制卸載基板P，則基板P可損壞。
    供應經離子化之氣體以移除於基板P與支撐板100之間產生之靜電。氣體中含有之離子與基板P與支撐板100之間的電荷及電子互相耦合且中和以移除靜電。因為基板P係於已移除靜電之狀態下藉由提升銷200卸載，並且基板P藉由供應氣體與支撐板100之頂面間隔開，所以可預先防止回彈現象之發生及基板P之損壞。
    雖然基板P由上述實施例中之真空壓力吸著至支撐板100上，但本發明並不局限於此。例如，基板P可藉由靜電固定至支撐板100。
    此外，雖然平面顯示器面板於上述實施例中示例為基板P，但本發明並不局限於此。例如，基板P可包括半導體製程中所提供之晶圓。
    根據實施例，因為基板係於基板與支撐板之間的靜電經移除之狀態下卸載，所以基板可得以穩定卸載。
    以上揭示之主題欲視為說明性而非限制性的，且附加申請專利範圍意欲涵蓋所有此等落入本發明概念之真實的精神與範疇中的修改例、增強例及其他實施例。因此，為達法律所允許之最大程度，本發明之範疇欲由對以下申請專利範圍及其等效範圍之可容許最寬泛解釋所決定，且不應受前述詳細描述之約束或限制。
    P‧‧‧基板
    10‧‧‧基板處理裝置
    100‧‧‧支撐板
    110‧‧‧孔洞
    120‧‧‧孔洞
    200‧‧‧提升單元/提升銷
    220‧‧‧儲氣部件
    230‧‧‧第一閥門
    240‧‧‧離子化器
    300‧‧‧供氣單元
    310‧‧‧儲氣部件
    320‧‧‧供應管線
    321‧‧‧主管線
    322‧‧‧輔助管線
    330‧‧‧第一閥門
    340‧‧‧離子化器
    400‧‧‧真空壓力施加單元
    410‧‧‧真空管線
    420‧‧‧真空泵
    430‧‧‧第二閥門
    500‧‧‧控制單元
    圖1係根據本發明之一實施例的用以處理基板之裝置的透視圖。
    圖2係沿圖1之線A-A’截取的橫截面圖。
    圖3至圖5係連續示出用以處理基板之製程的視圖。
    10‧‧‧基板處理裝置
    100‧‧‧支撐板
    110‧‧‧孔洞
    120‧‧‧孔洞
    200‧‧‧提升單元
    权利要求:
    Claims (6)
    [1] 一種用以處理一基板之裝置，該裝置包括：一支撐板，其支撐該基板，該支撐板具有於該板中之複數個孔洞；一供應管線，其經由該等孔洞將氣體供應至該基板之一底面；及一離子化器，其安裝於該供應管線中以離子化經由該供應管線供應之該氣體。
    [2] 如申請專利範圍第1項之裝置，其進一步包括：一真空壓力施加單元，其將一真空壓力施加於該等孔洞；及一控制單元，其控制該離子化器及該真空壓力施加單元，使得將該真空壓力施加於該等孔洞後，將該經離子化之氣體供應至該等孔洞。
    [3] 如申請專利範圍第1項或第2項之裝置，其中該氣體包括氮氣或空氣。
    [4] 一種用以處理一基板之方法，該方法包括：將一真空壓力施加於形成於一支撐板中之孔洞，以將該基板吸著至該支撐板上；在使該基板吸著至該支撐板上之同時處理該基板；及在完成將該真空壓力施加於該等孔洞之後，經由該等孔洞將經離子化之氣體供應至該基板之一底面。
    [5] 如申請專利範圍第4項之方法，其中該真空壓力及該經離子化之氣體經由同一供應管線供應至該等孔洞中。
    [6] 如申請專利範圍第4項或第5項之方法，其中該氣體包括氮氣或空氣。
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