台湾专利TW201313948A 批式處理裝置

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专利摘要:
本發明的課題為提供處理氣體的使用效率佳，即使被處理體的面積巨大，ALD法的應用仍舊可能的批式處理裝置。其解決手段為，具備：主腔室(31a)；主腔室(31a)內，在此主腔室的高度方向層疊設置，載放被處理體(G)的複數載台(101a~101y)；及設置在各載台(101a~101y)，覆蓋載放於載台(101a~101y)的被處理體(G)的複數蓋體(102a~102y)，以複數載台(101a~101y)與複數蓋體(102a~102y)形成包圍著載放於複數載台(101a~101y)的各複數被處理體(G)之容量小於主腔室(31a)的處理用小空間(106)。
公开号:TW201313948A
申请号:TW101122082
申请日:2012-06-20
公开日:2013-04-01
发明作者:Tsutomu Satoyoshi；Hiroshi Ishida
申请人:Tokyo Electron Ltd；
IPC主号:C23C16-00

专利说明:
批式處理裝置
本發明是關於批式處理裝置。
以往，例如，為了在作為液晶顯示器或有機EL等的平板顯示器(以下，稱FPD)，或太陽能電池模組的製造所使用的被處理體的玻璃基板上進行成膜或蝕刻等的處理，從其處理速度與控制性的觀點多使用電漿處理，藉避開批式之裝置構造的複雜化來提升電漿的性能一邊因應生產性的相關要求而使用單張式的處理裝置。
但是，當然，在生產性上以批式進行比單張式進行在效果上較為良好，近年來，並開發藉批式處理進行的處理裝置，如上述的批式處理裝置是例如記載於專利文獻1。
另一方面，隨著形成在玻璃基板上的TFT(Thin Film Transistor)的微小化，作為閘極等對形成在玻璃基板上的薄膜之電漿導致的損壞逐漸嚴重化，並且，有機EL等的製造中要求更低溫度的處理，而根據該等要求來重新檢視未使用電漿之氣體的處理。
在不產生上述電漿使用氣體進行處理之處理裝置的場合，為獲得較使用電漿的處理裝置簡單的構造，以採用批式處理裝置更為容易。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平8-8234號公報
但是，僅單純在大的處理室內排列複數玻璃基板，並對複數玻璃基板同時進行處理時，會有使處理氣體的使用效率降低等狀況。會導致處理室的容量變大。
並且，薄膜成膜的領域中，著眼於使得2種類以上的前驅氣體交替流動在基板的表面上，將該等前驅氣體吸附於形成在基板表面上的吸附側，藉以使薄膜以原子層級成膜的原子層堆疊法(以下稱ALD法)。ALD法是由於具優異的階差包覆性、膜厚均一性、薄膜控制性，在更微小化元件的形成上極為有效。例如，在現狀具有730mm×920mm~2200mm×2500mm的大小，即使是對於較半導體晶圓面積格外較大的玻璃基板等的薄膜成膜中，為獲得薄膜的高品質化而開始研討ALD法的採用。
但是，相對於複數大面積的玻璃基板，同時應用ALD法時，除玻璃基板本身的面積變大之外，收容複數玻璃基板的處理室的容量也會變得巨大，所以分別對複數玻璃基板的表面，均勻供應前驅氣體或均勻排氣變得困難。因此，例如對玻璃基板表面的各吸附側的均勻形成、或前驅氣體與吸附側的均勻，且穩定的反應進行變得困難，而不能獲得如期待品質的薄膜。
本發明提供處理氣體的使用效率佳，且即使被處理體的面積巨大，ALD法的應用仍舊可能的批式處理裝置。
本發明之一樣態有關的批式處理裝置為可對複數被處理體同時實施處理的批式處理裝置，具備：主腔室；上述主腔室內，在此主腔室的高度方向層疊設置載放上述被處理體的複數載台；及設置在各前述載台，覆蓋載放於上述載台的上述被處理體的複數蓋體，以上述複數載台與上述複數蓋體形成包圍著載放於上述複數載台的各上述複數被處理體之容量小於上述主腔室的處理用小空間。
根據本發明，可提供處理氣體的使用效率佳，且即使被處理體的面積巨大，ALD法的應用仍舊可能的批式處理裝置。
以下，參閱添附圖示，針對本發明的實施形態說明。該說明中，跨參閱的所有圖示，對相同的部份賦予相同的參閱符號。 [第1實施形態]
第1圖是表示具備本發明的第1實施形態之一例有關的批式處理裝置的處理系統之一例的水平剖視圖，第2圖是沿著第1圖中的Ⅱ-Ⅱ線的剖視圖。第1圖及第2圖表示的處理系統是使用作為被處理體而使用於FPD的製造或太陽能電池模組的玻璃基板，對此玻璃基板施以成膜處理與熱處理的處理系統。
如第1圖表示，處理系統1，包含：裝載鎖定室2、批式處理裝置3a與3b及共同搬運室4所構成。裝載鎖定室2中，在大氣側與減壓側之間進行壓力轉換。批式處理裝置3a及3b是對被處理體G，例如玻璃基板施以成膜處理或熱處理。被處理體G的尺寸的一例為730mm×920mm~2200mm×2500mm的矩形。
本例中，裝載鎖定室2、批式處理裝置3a與3b及共同搬運室4為真空裝置，具備可分別將被處理體G放置在預定的減壓狀態下，並構成氣密性的腔室21、31a、31b及41。腔室21、31a、31b及41為使內部成減壓狀態而透過排氣口連接有真空泵等的排氣裝置5。第2圖表示有設置在腔室31a的排氣口32及設置在腔室41的排氣口42。
另外，在腔室21、31a、31b及41設有開口部23a、23b、33a、33b、43a、43b及43c。被處理體G是透過該等開口部進行搬出入。
裝載鎖定室2的腔室21是透過開口部23a及閘閥室6a與處理系統1的外部，即大氣側連通。閘閥室6a收納著開口部23a開合用的閘閥GV。並且，腔室21是透過開口部23b、閘閥室6b及開口部43a與腔室41連通。在閘閥室6b收納著開口部23b開合用的閘閥GV。
批式處理裝置3a的腔室31a是透過開口部33a、收容著該開口部33a開合用的閘閥GV的閘閥室6c及開口部43b與腔室41連通。
同樣地，批式處理裝置3b的腔式31b是透過開口部33b、收容著該開口部33b開合用的閘閥GV的閘閥室6d及開口部43c與腔室41連通。
共同搬運室4的腔室41的平面形狀在本例中為矩形。矩形的四邊之中，在三邊設有開口部43a、43b、43c。共同搬運室4的內部設置有搬運裝置7。搬運裝置7是將被處理體G從裝載鎖定室2朝批式處理裝置3a或3b，從批式處理裝置3a或3b朝批式處理裝置3b或3a，並從批式處理裝置3a或3b朝著裝載鎖定室2搬運。因此，在搬運裝置7加上使處理體G升降的升降動作及使被處理體G旋繞的旋繞動作，構成可進行對裝載鎖定室2、批式處理裝置3a及3b之內部的進出退避動作。
搬運裝置7，包含：具備支撐被處理體G的支撐構件的採取器71的採取單元72；使採取單元72滑動的滑動單元73；及驅動滑動單元73的驅動單元74所構成。採取器71是層疊複數設置在腔室41的高度方向，複數片被處理體G是在採取器71上被水平載放於腔室41的高度方向，構成可一次搬運複數的被處理體G。
在滑動單元73設有滑座73a，採取單元72被安裝於滑座73a，可在滑座73a上前後地滑動。藉此，使採取單元72前進後退，從腔室41的內部，相對於腔室21、31a、31b的內部進出退避。並且，滑動單元73藉著驅動單元74升降及旋繞。藉以使滑動單元73，例如在共同搬運室4內升降及旋繞。
以上的處理系統1的各部的控制及搬運裝置7的控制是藉著控制部8進行。控制部8是例如微處理器(電腦)所成的過程控制器81。在控制器81連接有操作人員為了管理處理系統1，使進行指令的輸入操作等的鍵盤或處理系統1的作動狀況等可視化顯示的顯示器等所成的使用者介面82。此外，在過程控制器81連接有記憶部83。記憶部83儲存著將處理系統1所執行的各種處理，藉過程控制器81的控制予以實現用的控制程式，及對應處理條件對處理系統1的各部實行處理用的清單。清單是例如記憶在記憶部83之中的記憶媒體。記憶媒體也可以是硬碟或半導體記憶體，也可以是CD-ROM、DVD、快閃記憶體等的可搬運媒體。並可從其他的裝置，例如透過專用迴路適當傳送清單。清單可根據需要，藉著來自使用者介面82的指示等從記憶部83讀取，使過程控制器81執行根據所讀取清單的處理，處理系統1及搬運裝置7在過程控制器81的控制之下，實施預定的處理、控制。
第1實施形態有關的處理系統1具備的批式處理裝置3a、3b之中，批式處理裝置3a為本發明第1實施形態之一例有關的批式處理裝置。當然，針對批式處理裝置3b，可使用第1實施形態有關的批式處理裝置，或既有的批式處理裝置的其中之一。以下，針對批式處理裝置3a詳細說明。
如第1圖及第2圖表示，批式處理裝置3a具備腔室31a。以後，此腔室31a稱為主腔室31a。
如第2圖及第3圖表示，在主腔室31a內，具備：層疊設置在此主腔室31a的高度方向之載放被處理體G的複數載台101a、101b、…、101x、101y，及設置在該等的各載台101a~101y，覆蓋載放於載台101a~101y的被處理體G的複數蓋體102a、102b、…、102x、102y。
本例中，載台101a~101y是以未圖示的固定手段固定在主腔室31a，使蓋體102a~102y在主腔室31a內升降。在主腔室31a內設有使蓋體102a~102y一起升降用的例如4支蓋體升降支柱103。蓋體102a~102y是透過固定部104固定在該等蓋體升降支柱103。使蓋體升降支柱103升降於主腔室31a的高度方向，使蓋體102a~102y一起升降。
當蓋體102a~102y從載台101a~101y一起上升時，使載台101a~101y露出於主腔室31a的內部空間。藉此，形成可在載台101a~101y的被處理體載放面105上交接被處理體G的狀態。第3A圖表示使蓋體102a~102y之中，蓋體102a~102c一起上升的狀態。
相反地，形成有容量小於主腔室31a的內部空間的處理用小空間106，該小空間在蓋體102a~102y一起朝著載台101a~101y下降，使載台101a~101y與蓋體102a~102y氣密地抵接時，包圍著逐片分別載放於載台101a~101y的被處理體載放面105上的各被處理體G。第3B圖表示使蓋體102a~102y之中，蓋體102a~102c一起下降的狀態。
在載台101a~101y的緣部設有在與採取器71之間被處理體G交接用的升降器107。本例中，例如設置4個，分別支撐著被處理體G的邊緣部份。在主腔室31a設有使升降器107一起升降用的例如4支的升降器升降支柱108。升降器107是透過固定部109固定在該等的升降器升降支柱108上。升降器升降支柱108朝著主腔室31a的高度方向升降，使升降器107一起地升降。將設置在載台101a~101c的邊緣部的升降器107一起上升的狀態表示於第4A圖，相反地一起下降的狀態表示於第4B圖。
處理用小空間106的內部，如第1圖表示，使用於處理的氣體是供氣機構，例如從氣箱110透過供氣管111a~111c所供應。本例中，供氣管的支數為3支，根據處理用小空間106的內部所進行的處理來變更氣體的種類與數量，所以供氣管的支數為任意。並且，本例的批式處理裝置3a是假設ALD成膜。因此，從供氣管111a供應第1前驅氣體、從供氣管111b供應吹掃氣體、並從供氣管111c供應第2前驅氣體。根據前驅氣體的種類所成的膜可作種種的選擇，例如，在形成矽氧化膜的場合，供應矽原料氣體作為第1前驅氣體，含氧化劑的氣體作為第2前驅氣體即可。吹掃氣體為惰性氣體，例如可舉氮氣為其中一例。
並且，處理用小空間106的內部是藉排氣裝置112透過排氣導管113及排氣管114來排氣。再者，也可利用第2圖表示的排氣裝置5作為排氣裝置112。
第5圖表示載台101a與蓋體102a分開的狀態的透視圖。並且，其他的載台101b~101y、蓋體102b~102y也是同樣的構成。在此，說明載台101a及蓋體102a的構成以作為代表例。
如第5圖表示，在載台101a的被處理體載放面105上，形成有收容著下降後之升降器107的升降器收容部115。升降器107下降時，升降器107被收容於升降器收容部115，可消除使得升降器107比被處理體載放面105的表面更朝上方的突出，被處理體G可水平載放於被處理體載放面105。
此外，在上述被處理體載放面105的周緣部的一部份，設有從供氣管111a~111c吐出氣體的吐氣孔形成區116。第6A圖表示吐氣孔形成區附近的上視圖，第6B圖表示第6A圖中的沿ⅥB-ⅥB線的剖面。
如第6A圖及第6B圖表示，從氣箱110所延伸的供氣管111a是在載台101a的附近朝著與被處理體G的搬出入方向正交的X方向延伸，連接於載台101a的一端側。並且，供氣管111a是在載台101a的內部，朝著與X方向交叉，例如正交的Y方向(被處理體G的搬出入方向)彎曲，朝載台101a的另外端側延長所形成。在朝著Y方向延長所形成的供氣管111a的部份，形成有從供氣管111a到達上述被處理體載放面105的表面的複數的吐氣孔117a。
供氣管111b也同樣朝X方向延伸，連接於載台101a的端部中央。供氣管111b是於載台101a的內部，在供氣管111b的延長形成部份的跟前分支成一端側及另外端側，分別沿著Y方向延長所形成。也在朝Y方向延長所形成的供氣管111b的部份，形成有從供氣管111b到達上述被處理體載放面105的表面的複數的吐氣孔117b。
供氣管111c也同樣朝X方向延伸，連接於載台101a的另外端側。供氣管111c是於載台101a的內部，朝Y方向彎曲，與供氣管111a相反，朝著載台101a的一端側延長所形成。也在朝Y方向延長所形成的供氣管111c的部份，形成有從供氣管111c到達上述被處理體載放面105的表面的複數的吐氣孔117c。
供應於供氣管111a~111c的氣體是從複數的吐氣孔117a~117c朝著處理用小空間106的內部吐出。
本例中，供氣管111a~111c在升降器107的部份不中斷地通過升降器107的下方，從一端側延長形成到另外端側。藉此，氣體對處理用小空間106內部的供應不僅是在升降器107間，也可以從升降器107與一端側之間、升降器107與另外端側之間供應。藉此一設法，在處理用小空間106的內部，和僅從升降器107間供應氣體的場合比較，可進行更為均勻氣體的供應。
相對於上述被處理體載放面105的吐氣孔形成區116一側的周緣部，設有排氣溝槽118。第7A圖表示排氣溝槽附近的上視圖，第7B圖表示沿著第7A圖中的ⅦB-ⅦB線的剖面。
排氣溝槽118是從載台101a的一端側朝向另外端側，沿著Y方向形成。在載台101a的端部中央，例如，在升降器107間的部分，連接著連接於上述排氣管114的排氣導管113，排氣溝槽118是透過排氣口119連接於排氣導管113。供應至處理用小空間106內部的氣體被從排氣溝槽118所吸引，透過排氣口119被導入排氣導管113，並從排氣導管113透過排氣管114排氣。
本例的排氣溝槽118也和供氣管111a~111c同樣，在升降器107的部分不中斷地，通過升降器107的下方，從一端側跨另外端側所形成。藉此，處理用小空間106的內部與僅從升降器107間排氣的場合比較，可更為均勻地進行排氣。
處理用小空間106所形成時的氣體流動是如第8圖表示，從基板載放面105沿著吐氣孔117a~117c朝垂直方向吐出氣體，以蓋體102a轉換成水平方向朝著相反側的排氣溝槽118。此外，在排氣溝槽118的上方再次轉換成垂直方向，並朝向排氣口119排氣。
接著，說明被處理體G的搬出入動作。此外，本說明雖是以朝著載台101a及蓋體102a所形成之處理用小空間106的搬出入動作作為代表例來說明，但是朝著藉其他載台101b~101y、蓋體102b~102y所形成的處理用小空間的搬出入動作也相同。
第9A圖~第9F圖是表示被處理體G的搬出入動作的一例的剖視圖。
首先，如第9A圖表示，使蓋體102a上升至採取器71可進入蓋體102a的位置為止。
接著，如第9B圖表示，使支撐被處理體G的採取器71從共同搬運室4的內部進出於主腔室31a內的載台101a的被處理體載放面105的上方。
接著，如第9C圖表示，使升降器107上升，從採取器71接受被處理體G。
接著，如第9D圖表示，在升降器107接受被處理體G之後，使採取器71後退至共同搬運室4的內部。
接著，如第9E圖表示，使升降器107下降，將被處理體G載放於被處理體載放面105上。
最後，如第9F圖表示，使蓋體102a下降，將蓋體102a與載台101a氣密性抵接。藉此，在被處理體G的周圍形成處理用小空間106。
根據以上的批式處理裝置3a，形成有圍繞被處理體G之容量小的處理用小空間106，例如和使複數的被處理體G暴露於主腔室31a的場合比較，可減少與成膜無關之處理氣體的量，可提升處理氣體的使用效率。
又，處理用小空間106的容量小於主腔室31a，所以對處理用小空間106的供氣及排氣與對主腔室31a的供氣及排氣比較，可以更短的時間完成。因此，也可以縮短供氣、排氣所需的時間，而可縮短設定間歇時間。縮短設定間歇時間的結果，可進一步獲得生產性良好的批式處理裝置。
並且，由於處理用小空間106小的容量，例如，即使現狀為具有730mm×920mm~2200mm×2500mm大小的玻璃基板，也可以獲得ALD法之採用上的優點。
接著，說明批式處理裝置3a的數個變形例。 (第1變形例：氣密性的改善)
第10A圖為第1變形例有關的批式處理裝置的上視圖，第10B圖為第10A圖中的沿XB-XB線的剖視圖。
為提升上述載台101a與蓋體102a之間的氣密性，也可以在載台101a的被處理體載放面105側表面，設置密封構件，例如O環120。O環120是藉蓋體102a與載台101a的抵接面來抵接。並且，第1變形例有關的批式處理裝置3c中，尤其是如第10B圖表示，在O環120與處理用小空間106之間，設置環狀的溝槽121。使蓋體102a抵接於載台101a以覆蓋O環120及環狀溝槽121的上方。
環狀的溝槽121連接有供氣管122。對供氣管122，例如從氣箱110供應惰性氣體，例如氮(N₂)氣，將所供應的氮氣送到環狀的溝槽121的內部。送至環狀溝槽121的氮氣是透過與排氣管114及/或排氣管114另外設置的排氣管114a，例如藉排氣裝置112進行排氣。
在環狀溝槽121流動的氮氣具有將從處理用小空間106由載台101a與蓋體102a的極小間隙所漏出的氣體推回處理用小空間106，或誘入環狀的溝槽121，與氮氣一起透過排氣管114及/或排氣管114a實現排氣的功效。
如上述，在載台102a的被處理體載放面105側表面，設置密封構件，本例為O環120，而可提升載台101a與蓋體102a之間的氣密性。並且，除O環120外，在O環與處理用小空間106之間設置環狀溝槽121，使惰性氣體流動於環狀溝槽121。藉此，可進一步提升載台101a與蓋體102a之間的氣密性。
並藉著惰性氣體在環狀溝槽121的流動，也可抑制處理用小空間106內的例如具有化學反應性的周圍環境氣體直接接觸於O環120。為此，可獲得密封構件，例如抑制O環120隨時間持續劣化，並可降低O環120的更換頻度的優點。
再者，上述第1變形例中雖是與O環120併用設置溝槽121，但也可不設置O環120僅設置溝槽121。此時，使得從溝槽121所供應的氮氣分支流動於處理用小空間106與主腔室內，可獲得截斷處理用小空間106與主腔室內的效果。 (第2變形例：處理用小空間的形成例)
第11A圖~第11C圖是表示處理用小空間的形成例的剖視圖。
第11A圖表示的例為上述批式處理裝置3a。批式處理裝置3a中，載台101a為平坦，在蓋體102a形成有處理用小空間106形成用的凹部130a。
此一形式是雖如參閱第8圖的說明所示，但是對處理用小空間106的供氣及排氣是透過載台101a的被處理載放面105所成。
第11B圖表示的批式處理裝置3d是相反，蓋體102a為平坦，在載台101a設置處理用小空間106形成用的凹部130b。
此一形式是可透過載台101a的凹部130b的側面進行對處理用小空間106的供器及排氣。此時，例如吐氣孔117是設置在凹部130b的一側面，而排氣口119則是設置在與凹部130b的上述一側面相對的另外側面。
如上述，將吐氣孔117及排氣口119設置在彼此相對的凹部130b的側面時，從供氣管111所供應氣體的流動在處理用小空間106的內部中，從吐氣孔117到排氣口119為止進行方向不會改變。因此，可獲得在處理用小空間106的內部容易對使用於處理的氣體形成層流的優點。藉著在處理用小空間106的內部流動的氣體形成層流，例如可進一步獲得使成膜的薄膜的膜厚及膜質的控制性更為提升的優點。
第11C圖表示的批式處理裝置3e是在載台101a及蓋體102a的雙方，設置處理用小空間106形成用的凹部130a及130b的例。
如上述，形成處理用小空間106的凹部130a及130b也可以設置在載台101a及蓋體102a的雙方。 (第3變形例：蓋體固定、載台升降)
第3變形例有關的批式處理裝置與第1實施形態有關的批式處理裝置3a不同為蓋體102a~102y是固定在主腔室31a內，使載台101a~101y一起升降。
第12A圖是表示使第3變形例有關的批式處理裝置之載台下降的狀態的圖，第12B圖是表示使載台上升的狀態的圖。
如第12A圖及第12B圖表示，在第3變形例有關的批式處理裝置3f的主腔室內，設有使載台101a~101y一起升降用的例如4支載台升降支柱140。蓋體102a~102y是藉未圖示的固定手段固定在主腔室31a。使載台101a~101y藉由固定部141固定於該等載台升降支柱140。使載台升降支柱140在主腔室的高度方向升降，使得載台101a~101y一起升降。並且，在第12A圖及第12B圖表示載台101a~101y中，使載台101a~101c一起升降的狀態。
升降器107分別形成於載台101a~101y的緣部的場合，也使升降器107與載台101a~101y的升降連動而升降。僅使得升降器107升降時，例如在載台101a~101c下降的狀態，使升降器升降支柱108升降。第13圖表示在載台101a~101c下降的狀態，使升降器107上升的狀態。並且，也可以使升降器107與載台101a~10c同時下降，讓升降器107停止在被處理體G的交接位置之後，使得載台101a~101c進一步地下降。藉此，可獲得與升降器107從載台101a~101c上升時的相同效果。
如第3變形例，在將蓋體102a~102y固定於主腔室31a，使載台101a~101y一起升降的場合，由於蓋體102a~102y不動，所以可容易將吐氣孔117及排氣口119安裝在蓋體102a~102y上。
並且，根據將吐氣孔117及排氣口119，安裝於蓋體102a~102y，吐氣方式可選擇相對於被處理體G的被處理面從垂直方向吐出氣體的垂直吐氣方式(即氣體噴淋)，及相對於被處理體G的被處理面從水平方向吐出氣體的水平吐氣方式的其中之一。第14圖表示垂直吐氣方式的一例，第15圖表示水平吐氣方式的一例。
如第14圖表示，批式處理裝置3f-1的蓋體102a-1具有形成處理用小空間106的凹部130a，並在其內部具備氣體擴散空間150。氣體擴散空間150被連接於供氣管111，從供氣管111供應處理所使用的氣體。在與蓋體102a-1的被處理體G面對的表面形成有複數個吐氣孔117。複數個吐氣孔117是分別與氣體擴散空間150與處理用小空間106連通，例如配合被處理體G的平面形狀的格子狀形成於蓋體102a-1。
另外，複數吐氣孔117的配置不限於格子狀，可選擇獲得配合處理內容的適當氣體分佈之適當的種種樣態。
又，批式處理裝置3f-1是透過在第2圖表示的主腔室內排氣的排氣口32進行處理用小空間106內的排氣。因此，蓋體102a-1不會完全抵接於載台101a，而是與載台101a之間具有排氣用餘隙151形成處理用小空間106。使處理用小空間106內的周圍環境氣體透過排氣用餘隙151在主腔室內排氣，並透過形成於主腔室的排氣口32排氣。
另外，如第15圖表示，批式處理裝置3f-2的蓋體102a-2也具有形成處理用小空間106的凹部130a。吐氣孔117是設置在凹部130a的一側面，而排氣口119是設置在與凹部130a的上述一側面相對的側面。本例的場合是將蓋體102a-2氣密性抵接於載台101a。處理用小空間106內的排氣是從排氣口119經由排氣導管113及排氣管114排氣。
當然在批式處理裝置3f-2中也和批式處理裝置3f-1同樣，也可以在蓋體102a-2與載台101a之間設置排氣用餘隙，通過上述排氣用餘隙從排氣口32進行處理用小空間106的排氣。
如上述，根據第3變形例，設載台101a~101y為可升降，將蓋體102a~102y固定在主腔室內，所以吐氣方式可選擇垂直吐氣方式及水平吐氣方式的其中之一，可獲得供氣方式的選擇自由度的提升的優點。 (第4變形例：銷狀升降器)
第16A圖是表示使第4變形例有關的批式處理裝置之升降器下降的狀態的圖，第16B圖是表示使升降器上升的狀態的圖。並且，第16A圖及第16B圖為載台101a~101y、蓋體102a~102y之中，僅表示載台101a、蓋體102a。
如第16A圖及第16B圖表示，第4變形例有關的批式處理裝置3g與第1實施形態有關的批式處理裝置3a不同的是升降器107為銷狀升降器160，以成點狀支撐被處理體G的面內的複數處而非支撐被處理體G的周緣部。
如上述，升降器也可置換成銷狀升降器160，。也可同樣應用於第1~第3變形例。
又如第17圖表示，使用銷狀升降器160作為升降器的場合，在處理用小空間106與主腔室之間形成有：形成於載台101a的銷狀升降器收容部161，及透過與銷狀升降器160之間些微的餘隙之新的漏氣通道162。
因此，為了截斷漏氣通道162，也可在銷狀升降器收容部161與銷狀升降器160的例如頭部下面163之間，設置密封構件，例如O環164。設置O環164，可抑制經由透過上述些微餘隙之漏氣通道162的漏氣。 (第5變形例：被處理體升降機構的刪減)
又，作為升降器而使用銷狀升降器160時，使升降器升降的被處理體升降機構，例如第1實施形態中，也可獲得從批式處理裝置刪減去升降器升降支柱108及升降器升降支柱108驅動用之機構的優點。
第18A圖是表示使第5變形例有關的批式處理裝置之蓋體上升的狀態的圖，第18B圖是表示使蓋體下降的狀態的圖。並且，第18A圖及第18B圖是表示設置在載台101a~101y的銷狀升降器160之中，使設置於載台101a~101c的銷狀升降器160一起升降的狀態。
如第18A圖及第18B圖表示，第5變形例有關的批式處理裝置3h為被處理體升降機構的升降器，具有貫穿設置於載台101a~101c的銷狀升降器收容部161而懸掛於載台的銷狀升降器160。並且，在蓋體102a~102c上升時，使銷狀升降器160的下端抵接在位於下方的蓋體102a~102c的上面。藉此，銷狀升降器160可隨著蓋體102a~102c的上升而上升。
又，從第18圖表示的狀態，在蓋體下降時，使得銷狀升降器160的下端從位在下方的蓋體102a~102c的上面離開，並將銷狀升降器160收容於銷狀升降器收容部161。
如上述根據第5變形例，使銷狀升降器160升降驅動用的被處理體升降機構與蓋體升降用的蓋體升降機構連動。例如，本例中，使得銷狀升降器160隨著蓋體102a~102c的升降而升降，可獲得從批式處理裝置刪減去升降器升降用的被處理體升降機構，例如升降器升降支柱108及升降器升降支柱108驅動用之機構的優點。
根據從批式處理裝置刪減去被處理體升降機構，可獲得主腔室之容量降低，並且從主腔室內刪除驅動系，可抑制微粒子產生的優點。
當然，從主腔室內刪除驅動系，所以也可以抑制批式處理裝置的製造成本。 (第2實施形態)
第1實施形態是將供氣機構設置於載台101a~101y及蓋體102a~102y之中被固定的一方。
第2實施形態為著力於將供氣機構設置於載台101a~101y及蓋體102a~102y之中，可升降的一方。
第19圖是表示本發明的第2實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體與其附近的剖視圖。再者，第19圖中，僅表示蓋體102a~102y之中的蓋體102a。
如第19圖表示，第2實施形態有關的批式處理裝置3i與第1實施形態有關的批式處理裝置3a尤其不同的是在使蓋體102a~102y一起升降的蓋體昇降支柱103的內部及固定部104的內部，形成供氣管111。
如上述，在蓋體升降支柱103的內部及固定部104的內部形成供氣管111，可將包含供氣管111及吐氣孔117的供氣機構設置在可升降的蓋體102a~102y。
並且，本例中，與第14圖表示的蓋體102a-1同樣地，將蓋體102a構成為垂直吐氣方式(氣體噴淋)。又，載台101a~101y為固定。因此，對於處理用小空間106的吐氣方式是採用垂直吐氣方式，且針對從處理用小空間106的排氣方式則可採取從被處理體載放面105的表面透過排氣溝槽118、排氣口119吸引氣體的方式。
另外，本例的排氣溝槽118是如第1實施形態，並非沿著載台101a的一邊形成一條線形，而是形成可圍繞載台101a上所載放之被處理體G邊緣的環狀。由於從載台101a的內部，例如除去如第6圖表示的供氣管111a~111c。
構成對處理用小空間106的吐氣方式為垂直吐氣方式(氣體噴淋)的場合，從處理用小空間106的排氣方式利用形成環狀的排氣溝槽118進行排氣時，具有可促進從處理用小空間106之排氣均勻化的優點。 (第3實施形態)
第20圖表示第3實施形態。第3實施形態與第1實施形態、第2實施形態不同為通過固定部104供應載台101a的氣體是從載台101a與蓋體102a的接觸部供應至蓋體102a，並從設置在蓋體102a的氣體噴淋通過複數吐氣孔117供應至處理用空間106的點。從處理用空間106之氣體的排氣可於載台101a設置排氣口(未圖示)進行排氣，或通過蓋體102a與載台101a的間隙進行排氣。但是，在設有蓋體102a與載台101a的接觸部的氣體通道之處，必須以密封構件圍繞氣體通道以保持其氣密性。
根據第3實施形態，由於載放被處理體G的載台101a被固定所以可減少對驅動機構的附加，且減少使被處理體G破損的危險性，並可從升降的蓋體以噴淋頭供應氣體，因此可均勻地處理被處理體G。 (第3實施形態：變形例)
第21圖表示第3實施形態的變形例。第3實施形態的變形例中，從載台101a供應於蓋體102a的氣體並非以噴淋頭而是從單一的導氣孔供應至處理用空間106。此時，為了將所供應的氣體填充至蓋體102a的凹部，緩和因氣體導入口的偏位所產生氣體的不均勻分佈而供應至被處理體G。第21圖中從處理用空間106的排氣雖是通過排氣管114進行，但也可以是從蓋體102a與載台101a的間隙進行排氣的構成。
並且，上述第1實施形態、第2實施形態、第3實施形態中，也可於載台101a~101y設置溫度調節機構。並且溫度調節機構可使用電阻加熱器等加熱器的加熱機構。又，作為其他的溫度調節機構，也可使用在載台101a~101y的內部設置使調溫媒體流通的流道，並從外部冷卻器使調整成預定溫度的調溫媒體流通來冷卻或加熱或可適當轉換其雙方的機構。也可併用藉加熱器加熱的加熱機構與藉調溫媒體調溫的調溫機構。
使用調溫媒體之調溫機構的場合，雖可適合使用為了從外部連接供應調溫媒體的供應管而固定載台101a~101y的構成，但使用電阻加熱器之加熱機構的場合，由於只需在電阻加熱器配置供應電力的導電線即可，所以在固定載台101a~101y的構成中或使其升降的構成中皆可適當地應用。
又，溫度調節機構也可以是一起溫度控制載台101a~101y的機構，也可以是個別獨立溫度控制各個載台的機構。可個別獨立進行溫度控制的機構的場合，為可防止載台的上端及下端與中間部溫度的不同，進行所有載台皆以均勻的溫度來處理被處理體G。 (第4實施形態)
第22圖是表示本發明的第4實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖，第23A圖及第23B圖是沿第22圖中的XXⅢ-XXⅢ線的剖視圖。並且，第23A圖是表示蓋體開啟的狀態，第23B圖是表示蓋體關閉的狀態。
如第22圖、第23A圖及第23B圖表示，第4實施形態有關的批式處理裝置3k與第1實施形態有關的批式處理裝置3a尤其不同的是在載台101a的被處理體載放面105上進一步設置突起物，本例為擋板170。設有擋板170以外是大致與第1實施形態相同。本例的擋板170是例如沿著排氣溝槽118，與處理用小空間106中的氣體流向交叉，例如朝正交的方向延伸，橫斷被處理體載放面105所形成(參閱第23A圖)。又，擋板170的高度是設定低於處理用小空間106的高度。藉以使載台101a與蓋體102a抵接形成處理用小空間106時，在處理用小空間106的內部，本例是在凹部130a的內面與擋板170的上面之間形成縫隙狀的間隙(參閱第22圖及第23B圖)。縫隙狀的間隙是例如與處理用小空間106中的氣體流向交叉，例如形成於正交的方向，將處理用小空間106與排氣溝槽118連通。藉以使供應至處理用小空間106內的氣體從處理用小空間106朝向排氣溝槽118，透過縫隙狀的間隙排氣。藉縫隙狀的間隙供應處理用小空間106內的氣體與直接引進排氣溝槽118的場合比較，在處理用小空間106內可較為均勻。因此，縫隙狀的間隙藉由調整擋板170的高度等，將縫隙狀的間隙的大小適當加以調整，可將處理用小空間106內的氣體的流動，例如調整為層流之整流部171的功能。
第24A圖及第24B圖是分別將排氣溝槽118附近放大表示的剖視圖。第24A圖表示的例為不具擋板170的場合，第24B圖為具擋板170的場合。
如第24A圖表示，不具擋板170的場合，供應處理用小空間106的氣體在其狀態下被引進大的排氣溝槽118。
相對於此，如第24B圖表示，具有擋板的170的場合，本例中形成有成為縫隙狀間隙的整流部171。整流部171的導電率和不具擋板170的場合比較，較小。根據設成小的導電率，供應處理用小空間106的氣體和不具擋板170的場合比較，在整流部171流量受到限制。
如上述在處理用小空間106的內部設置整流部171，限制流量，整流作用可影響處理用小空間106內部的氣體。利用該整流作用，可使得成為層流的氣體流動更均勻地形成在處理用小空間106的內部。
根據如上述第4實施形態有關的批式處理裝置3k，在處理用小空間106的內部具備整流部171，可以使得更均勻層流的氣體的流動形成在處理用小空間106的內部，和不具擋板170的場合比較，可使成膜在被處理體G上的薄膜的膜厚及膜質的控制性進一步地提升。並且，與此優點的同時，對於膜厚及膜質的被處理體G面上的面內均勻性，也可獲得進一步提升的優點。 (第4實施形態：第1變形例)
第25圖是表示第4實施形態之第1變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
如第25圖表示，第1變形例有關的批式處理裝置3k-1與第22圖等表示之一例有關的批式處理裝置3k尤其不同的是藉設置在載台101a的凹部130b與設置在蓋體102a的凹部130a形成處理用小空間106。除此之外的點是與上述一例有關的批式處理裝置3k大致相同。
如上述，即使是將處理用小空間106形成用的凹部(第25圖中參閱符號130a及130b)形成於載台101a及蓋體102a雙方的批式處理裝置3k-1，也可設置擋板170。並且，第1變形例有關的批式處理裝置3k-1中，也可獲得與上述一例有關之批式處理裝置3k相同的優點。 (第4實施形態：第2變形例)
第26圖是表示第4實施形態之第2變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
如第26圖表示，第2變形例有關的批式處理裝置3k-2與第22圖等表示之一例有關的批式處理裝置3k尤其不同的是設蓋體102a為平坦，相對於載台101a形成有處理用小空間106形成用的凹部130b。除此以外的點是與上述一例有關的批式處理裝置3k大致相同。
如上述，即使是將處理用小空間106形成用的凹部(第26圖中參閱符號130b)僅形成於載台101a的批式處理裝置3k-2，也可設置擋板170。 (第4實施形態：第3變形例)
第27圖是表示第4實施形態之第3變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
如第27圖表示，第3變形例有關的批式處理裝置3k-3與第26圖等表示之第2變形例有關的批式處理裝置3k-2尤其不同的是與第11B圖及第11C圖表示之第1實施形態的第2變形例有關的批式處理裝置3d、3e相同，對處理用小空間106的供氣及排氣是透過載台101a的凹部130b的側面進行。除此以外的點是與上述一例有關的批式處理裝置3k大致相同。
如上述，即使是透過載台101a的凹部130b的側面進行對處理用小空間106的供氣及排氣的批式處理裝置3k-3，也可設置擋板170。並且，第3變形例有關的批式處理裝置3k-3中，也可獲得與上述一例有關之批式處理裝置3k或第2變形例有關之批式處理裝置3k-2等相同的優點。 (第4實施形態：第4變形例)
第28圖是表示第4實施形態之第4變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
如第28圖表示，第4變形例有關的批式處理裝置3k-4與第27圖等表示之第3變形例有關的批式處理裝置3k-3尤其不同為擋板170並非設置在被處理體載放面105上，而是設置在蓋體102a的處理用小空間106側的內面上。藉此，使得在第3變形例中使整流部171形成於擋板170的上面與蓋體102a的處理用小空間106側的內面之間的點成為第4變形例中使整流部171形成於擋板170的下面與載台101a的被處理體載放面105之間。
如上述，擋板170不限於被處理體載放面105上，也可設置在蓋體102a的處理用小空間106側的內面上。並且，第4變形例有關的批式處理裝置3k-4中，也可獲得與第3變形例有關之批式處理裝置3k-3等相同的優點。
另外，根據第4變形例的優點之一可舉例如以下的優點。
例如，如第27圖表示的第3變形例，整流部171形成於擋板170的上面與蓋體102a的處理用小空間106側的內面之間的場合，整流部171的位置由被處理體G顯示過高時，處理所使用的氣體會不停留地通過被處理體G的被處理面上方，或者在被處理面上方氣體的濃度有變低的可能。
如上述的狀況可使用第4變形例，將整流部171形成於擋板170的下面與載台101a的被處理體載放面105之間得以解決。
再者，第4變形例對於第22圖等表示的第4實施形態之一例、第25圖表示的相同第1變形例、第26圖表示的相同第2變形例也可同樣地適用。 (第4實施形態：第5變形例)
第29圖是表示第4實施形態之第5變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
如第29圖表示，第5變形例有關的批式處理裝置3k-5與第27圖等表示之第3變形例有關的批式處理裝置3k-3尤其不同的是擋板170a及170b被分別設置在被處理體載放面105上(參閱符號170a)及蓋體102a的處理用小空間106側的內面上(參閱符號170b)。藉此在第5變形例中使整流部171形成於擋板170a的上面與擋板170b的下面之間。
如上述擋板170a及170b也可分別設置於載台101a的被處理體載放面105上與蓋體102a的處理用小空間106側之內面上的雙方。並且，第5變形例有關的批式處理裝置3k-5中，也可獲得與上述第3變形例有關之批式處理裝置3k-3等相同的優點。
並且，根據第5變形例，與第4變形例同樣地，具有處理所使用的氣體可能不停留地通過被處理體G的被處理面上方，或可能使被處理面上方的氣體濃度變低等獲得解決的優點。
另外，根據第5變形例，由於擋板170a及170b分別被設置於載台101a的被處理體載放面105上與蓋體102a的處理用小空間106側之內面側的雙方，所以和第3變形例或第4變形例比較，可將整流部171的位置設置在被處理體G的被處理面上方的附近。因此，除了容易在處理用小空間106形成均勻層流的氣體流動，並可更精密控制氣體的濃度。只要可更精密控制氣體的濃度，除了薄膜的膜厚及膜質的控制性與被處理體G之面內均勻性的提升之外，例如也可獲得成膜速度控制的新的優點。因此，根據第5變形例也可獲得成膜速度的控制，例如可進一步獲得有利於生產性提升的優點。
再者，第5變形例對於第22圖等表示的第4實施形態之一例、第25圖表示的相同第1變形例、第26圖表示的相同第2變形例也可同樣地適用。
並且，上述第4實施形態的一例及第4實施形態之第1變形例~第5變形例也可應用於第1實施形態的一例及第1實施形態之第1變形例~第5變形例、第2實施形態的一例及第3實施形態之一例及變形例的其中之一。 (第5實施形態)
第30圖是以第1實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體為參考例表示的剖視圖。
如第30圖表示，例如第1實施形態之一例有關的批式處理裝置3a，從被處理體載放面105供應使用於處理的氣體，或從被處理體載放面105排氣的場合，在處理用小空間106的角隅部的空間180會有氣體滯留的可能。角隅部之空間180中的氣體滯留雖是微量，但是滯留的氣體為先驅氣體的場合等，在接著的氣體流動而來時，會引起氣相反應，而可能在處理用小空間106有微量微粒子的產生。如此的可能性在例如充份進行排氣及清除，即有可能減輕。
但是，即使進行充分地排氣及清除，預料在角隅部的空間180仍有極微量的氣體滯留。一旦考量今後製程進一步的高精度化時，即使滯留的氣體為極微量，且產生的微粒子也是極微量時，仍可預料對於製程有著極大的影響。
第5實施形態是以構造面來抑制角隅部之空間180中的氣體滯留，提供今後製程的進一步高精度化時仍可因應的批式處理裝置。
第31圖是表示本發明的第5實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
如第31圖表示，第5實施形態之一例有關的批式處理裝置3m與第1實施形態之一例有關的批式處理裝置3a尤其不同的是在處理用小空間106的角隅部，例如設置相對於蓋體102a的處理用小空間106側的內面成傾斜的傾斜部181，以使得氣體不會滯留於角隅部的空間180。除設有傾斜部181以外是與第1實施形態之一例有關的批式處理裝置3a大致相同。
根據第5實施形態，在處理用小空間106的角隅部設置傾斜部181，使得氣體不會滯留於角隅部的空間180，即使在角隅部的空間180仍可形成穩定的氣體流動。因此，第5實施形態中，從角隅部的空間180產生的微粒子和角隅部不具有傾斜部181的場合相比較少。
根據以上第5實施形態有關的批式處理裝置3m，在處理用小空間106的角隅部具備傾斜部181，藉此和不具傾斜部181的場合比較，可降低處理用小空間106的內部產生的微粒子，具有可獲得因應今後製程之進一步高精度化的批式處理裝置的優點。 (第5實施形態：第1變形例)
第32圖是表示第5實施形態之一例有關的將批式處理裝置3m的排氣溝槽118附近放大表示的剖視圖。
如第32圖表示，第5實施形態之一例有關的批式處理裝置3m是相對於第1實施形態之一例有關的批式處理裝置3a，在處理用小空間106的角隅部設置傾斜部181。在批式處理裝置3a中，載台101a與蓋體102a抵接時，排氣溝槽118與蓋體102a的側部是如虛線圓182內表示形成隔離的狀態。隔離的部份是相對於氣體流動的方向，在處理用小空間106與排氣溝槽118之間形成因被處理體載放面105而產生階差的構造。因此，和角隅部的空間180同樣有導致氣體滯留的可能性。
第1變形例是可進一步解決排氣溝槽118與蓋體102a之側部隔離後的部分所產生氣體的滯留。
第33圖是表示第5實施形態之第1變形例有關的將批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。並且，第33圖的剖視圖是與第32圖同樣地，將排氣溝槽118附近放大表示的圖。
如第33圖表示，第1變形例有關的批式處理裝置3m-1與第32圖表示之批式處理裝置3m尤其不同的是如虛線圓182內所示，不隔離排氣溝槽118與蓋體102a的側部，使排氣溝槽118的緣部與蓋體102a的內面側側面彼此一致。藉此一構成，在第1變形例有關的批式處理裝置3m-1中，從處理用小空間106朝排氣溝槽118流動而來的氣體是如第32圖表示不會受到被處理體載放面105的阻礙，可被迅速引進排氣溝槽118內。
根據上述的第1變形例，使排氣溝槽118與蓋體102a的內面側側面一致，可將氣體從處理用小空間106迅速引進至排氣溝槽118，可抑制氣體在排氣溝槽118與蓋體102a的側部之間的被處理體載放面105上方的滯留。
因此，根據第1變形例有關的批式處理裝置3m-1，與一例有關的批式處理裝置3m比較，可抑制從排氣溝槽118與蓋體102a的側部之間的被處理體載放面105上方的空間產生微粒子，具有可進一步減少處理用小空間106的內部產生微粒子的優點。
再者，使排氣溝槽118的緣部與蓋體102a的內面側側面彼此一致的辦法不僅限應用於第5實施形態，對於上述之處理用小空間106的角隅部不具傾斜部181的任一實施形態皆可應用。 (第5實施形態：第2變形例)
第34圖是表示本發明的第5實施形態之第2變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
如第34圖表示，第2變形例有關的批式處理裝置3m-2與第33圖表示之第1變形例有關的批式處理裝置3m-1尤其不同的是藉設置於載台101a的凹部130b和設置在蓋體102a的凹部130b形成處理用小空間106。除此以外的點是與上述第1變形例有關的批式處理裝置3m-1大致相同。
如上述，即使是將處理用小空間106形成用的凹部(第34圖中參閱符號130a及130b)形成於載台101a及蓋體102a雙方的批式處理裝置3m-2，仍可設置傾斜部183。並且，第2變形例有關的批式處理裝置3m-2中，也可獲得與上述第1變形例有關之批式處理裝置3m-1等相同的優點。 (第5實施形態：第3變形例)
第35圖是表示本發明的第5實施形態之第3變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
如第35圖表示，第3變形例有關的批式處理裝置3m-3與第33圖表示之第1變形例有關的批式處理裝置3m-1尤其不同的是設蓋體102a為平坦，並相對於載台101a形成有處理用小空間106形成用凹部130b。除此以外的點是與上述第1例有關的批式處理裝置3m-1大致相同。
如上述，即使是將處理用小空間106形成用的凹部(第35圖中參閱符號130b)僅形成於載台101a的批式處理裝置3m-3，仍可設置傾斜部181。並且，第3變形例有關的批式處理裝置3m-3中，也可獲得與上述第1變形例有關之批式處理裝置3m-1等相同的優點。
又，第3變形例中，傾斜部181是例如形成於載台101a的凹部130b的側部。因此，在凹部130b側部的上面與蓋體102a的抵接面有微小的間隙183產生。並且，微小間隙183是沿著蓋體102a的處理用小空間106側的內面產生，所以使用於處理的氣體容易侵入微小間隙183內。
對於氣體侵入上述微小間隙183的抑制是如第36圖表示，例如以併用參閱第10A圖及第10B圖說明的第1實施形態的第1變形例有關的批式處理裝置3c中所實施的辦法為佳。例如，將傾斜部181形成於凹部130b側壁面的上面時，該上面的寬度變寬。利用此變寬的寬度在上面，例如在O環120及O環120與處理用小空間106之間設置環狀的溝槽121。並對環狀的溝槽121供應惰性氣體。藉此，使侵入微小間隙183的氣體可利用惰性氣體推回處理用小空間106，或引進環狀的溝槽121和惰性氣體一起透過未圖示的排氣管114等進行排氣。
如上述，第3變形例中，尤其以和第1實施形態的第1變形例併用為佳。 (第5實施形態：第4變形例)
第37圖是表示本發明的第5實施形態之第4變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
如第37圖表示，第4變形例有關的批式處理裝置3m-4與第33圖表示之第1變形例有關的批式處理裝置3m-1尤其不同的是在處理用小空間106的角隅部，例如設置相對於蓋體102a的處理用小空間106側的內面呈圓形的圓形部184，來取代傾斜部181。除此以外的點是與上述第1變形例有關的批式處理裝置3m-1大致相同。
如上述，在處理用小空間106的角隅部設置圓形部184，也可以使氣體不致滯留在角隅部的空間180。並可在角隅部的空間180穩定形成氣體的流動。
因此，第4變形例是和第5實施形態之一例及第5實施形態之第1變形例~第3變形例同樣地，與角隅部不具圓形部184的場合比較，具有進一步減少從角隅部的空間180產生微粒子的優點。
再者，第4變形例對於第31圖等表示的第5實施形態之一例、第33圖表示的相同第1變形例、第34圖表示的相同第2變形例及第35圖等表示的第3變形例也可同樣地適用。
另外，上述第5實施形態之一例及第5實施形態之第1變形例~第4變形例也可適用於第1實施形態之一例及第1實施形態之第1變形例~第5變形例、第2實施形態之一例、第3實施形態之一例及變形例與第4實施形態之一例及第1變形例~第5變形例的其中之一。 (第6實施形態)
第38圖是表示第1實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第1實施形態中，省略設置於載台101a之調溫機構的圖示。並另行概略圖是調溫機構即如第38圖所示。
如第38圖表示，在載台101a的內部具備有載台調溫機構190。載台調溫機構190，例如具備利用加熱器等的加熱機構及以水等的熱媒體作為冷煤來利用的冷卻機構，或者該等的其中一方。第38圖是例示以冷卻器為代表例，概略圖示熱媒體流動用的熱媒體流道191。
如上述，例如在載台101a的內部設置載台調溫機構190，可使載台101a調溫進行將載放於被處理體載放面105上的被處理体G加熱或冷卻的溫度調節。但是，第1實施形態~第5實施形態中，對於在載台101a上設有載台調溫機構190的蓋體102a並不具有調溫機構。
第39圖是表示本發明的第6實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
如第39圖表示，第6實施形態之一例有關的批式處理裝置3n與第1實施形態之一例有關的批式處理裝置3a尤其不同的是除了載台調溫機構190，並在蓋體102a進一步具備蓋體102a調溫用的蓋體調溫機構192。除此以外是與上述第1實施形態之一例有關的批式處理裝置3a大致相同。
蓋體調溫機構192是例如設置在蓋體102a的內部，與載台調溫機構190同樣，例如具備利用加熱器等的加熱機構及以水等的熱媒體作為冷煤來利用的冷卻機構，或者該等的其中一方。第39圖是例示以冷卻器為代表例，概略圖示熱媒體流動用的熱媒體流道193。
第6實施形態的一例中，載台調溫機構190與蓋體調溫機構192是構成可個別調節溫度。如此一來，載台調溫機構190與蓋體調溫機構192可個別調節溫度，因此可將載台101a的溫度與蓋體102a的溫度分別調節成不同的溫度。
根據第6實施形態，可獲得以下的優點。
例如，對被處理體G的處理，使處理用小空間106內部的壓力，例如低於大氣壓(=101325Pa)的真空處理或減壓處理的場合，事實上並無將熱傳達於處理用小空間106內部的媒體，或與大氣壓比較為較少。因此，僅利用載台調溫機構190的調溫不會將熱傳達於蓋體102a，或熱的傳達困難，蓋體102a的溫度會變得比載台101a的溫度還低。例如，處理為成膜處理的場合，原來的成膜處理是由高溫來實施，但即使是低溫，與原來的成膜處理不同的堆積物會堆積在蓋102a的處理用小空間106側的內面上。如此一來，在上述內面上堆積物一旦在低溫成膜時，會導致處理用小空間106的內部產生微粒子的原因之一。
相對於以上的情形，根據第6實施形態，也在蓋體102a具備蓋體調溫機構192，所以可將蓋體102a的溫度調節為堆積物不易堆積的溫度，或堆積物不會堆積的溫度。如上述使用蓋體調溫機構192來調節蓋體102a的溫度，可抑制堆積物產生於蓋體102a的處理用小空間106側的內面上。如此可抑制堆積物產生的結果，在處理用小空間106的內部產生微粒子的可能性與不具備蓋體調溫機構192的場合比較，可更為降低。
並且，不具備蓋體調溫機構192的場合，例如，為了抑制在處理用小空間106內部之堆積物的產生，處理溫度，例如會有必須設定於成膜溫度之範圍限制的場合。設定限制會使得製程窗變窄，進而導致批式處理裝置之泛用性的降低。
該點根據第6實施形態，由於具備蓋體調溫機構192，所以處理機構，例如不設定成膜溫度之範圍的限定，仍可限制堆積物產生於處理用小空間106的內部。並且，第6實施形態是可分別調節載台101a的溫度與蓋體102a的溫度。因此，也可進行以下：
(1)載台101a的溫度>蓋體102a的溫度
(2)載台101a的溫度<蓋體102a的溫度
(3)載台101a的溫度=蓋體102a的溫度等種種的溫度設定。
如上述，根據第6實施形態，在載台101a與蓋體102a之間，可進行種種溫度設定的結果，也可擴展製程窗，進一步獲得提升批式處理裝置之泛用性的優點。
上述第6實施形態之一例有關的批式處理裝置3n可進一步獲得處理用小空間106的內部所產生微粒子的降低，及製程窗擴大的優點，今後，更有利於進展之製程的高精度化。
再者，第6實施形態之一例也可適用於第1實施形態之一例及第1實施形態之第1變形例~第5變形例、第2實施形態之一例、第3實施形態之一例及變形例、第4實施形態之一例及第1變形例~第5變形例與第5實施形態之第1變形例~第4變形例的其中之一。
以上，雖根據實施形態已說明本發明，但本發明不僅限於上述實施形態，可進行種種的變形。
例如，作為搬運裝置7的採取器71是不限於叉型，也可以使用第40圖表示的魚骨型的採取器71-1。
又，上述實施形態中，雖假設使用ALD法與MLD法的成膜裝置作為批式處理裝置，但僅使用氣體的氣體成膜裝置、熱CVD裝置，僅使用氣體的氣體蝕刻裝置、真空烘烤裝置等，本發明也可以適用。
並且，電漿處理裝置也可適用本發明，處理上使用電漿的場合，並非在處理用小空間106產生電漿，而是使用將處理用小空間106之不同處所產生的電漿導入至處理用小空間106的遙控電漿方式。使用遙控電漿方式，在各處理用小空間106不需要生成電漿用的電漿生成機構，可使得載台101的厚度及蓋體102的厚度的整體厚度變薄，即使不增大主腔室的高度方向，仍可增加收容於主腔室內之載台101及蓋體102的數量。因此，有利於一次可處理之被處理體G的片數增加的場合。
又，排氣口119雖設置一處，但也可以設複數處。
並且，在載台101設置冷卻器、加熱器等，調節被處理體G的溫度的調溫機構的場合，作為冷卻器的調溫媒體也可利用水冷、空冷的其中之一。又，加熱器則是使用既有的發熱體即可。
此外，本發明在不脫離其主旨的範圍內可做種種的變更。
G‧‧‧被處理體
31a‧‧‧主腔室
101a~101y‧‧‧載台
102a~102y‧‧‧蓋體
103‧‧‧蓋體升降支柱
105‧‧‧被處理體載放面
106‧‧‧處理用小空間
107‧‧‧升降器
108‧‧‧升降器升降支柱
111、111a~111c‧‧‧供氣管
113‧‧‧排氣導管
114‧‧‧排氣管
117、117a~117c‧‧‧吐氣孔
118‧‧‧排氣溝槽
119‧‧‧排氣口
120‧‧‧O環
121‧‧‧環狀溝槽
130a、130b‧‧‧形成處理用小空間的凹部
140‧‧‧載台升降支柱
160‧‧‧銷狀升降器
170‧‧‧擋板
171‧‧‧整流部
181‧‧‧傾斜部
184‧‧‧圓形部
190‧‧‧載台調溫機構
192‧‧‧蓋體調溫機構
第1圖是表示具備本發明的第1實施形態之一例有關的批式處理裝置的處理系統之一例的水平剖視圖。
第2圖是沿著第1圖中的Ⅱ-Ⅱ線的剖視圖。
第3A圖是表示使蓋體上升的狀態的圖，第3B圖是表示使蓋體下降的狀態的圖。
第4A圖是表示使升降器上升的狀態的圖，第4B圖是表示使升降器下降的狀態的圖。
第5圖是表示載台與蓋體分開的狀態的透視圖。
第6A圖為吐氣孔形成區附近的上視圖，第6B圖為第6A圖中的沿ⅥB-ⅥB線的剖視圖。
第7A圖為排氣溝槽附近的上視圖，第7B圖為第7A圖中的沿ⅦB-ⅦB線的剖視圖。
第8圖表示處理用小空間內的氣體流動的圖。
第9A圖~第9F圖是表示被處理體G的搬出入動作之一例的剖視圖。
第10A圖為第1變形例有關的批式處理裝置的上視圖，第10B圖為第10A圖中的沿XB-XB線的剖視圖。
第11A圖~第11C圖是表示處理用小空間之形成例的剖視圖。
第12A圖是表示使第3變形例有關的批式處理裝置之載台下降的狀態的圖，第12B圖是表示使載台上升的狀態的圖。
第13圖是表示使第3變形例有關的批式處理裝置之升降器上升的狀態的圖。
第14圖是表示垂直吐氣方式之一例的剖視圖。
第15圖是表示水平吐氣方式之一例的剖視圖。
第16A圖是表示使第4變形例有關的批式處理裝置之升降器下降的狀態的圖，第16B圖是表示使升降器上升的狀態的圖。
第17圖是表示載台的銷狀升降器收納部附近的剖視圖。
第18A圖是表示使第5變形例有關的批式處理裝置之蓋體上升的狀態的圖，第18B圖是表示使蓋體下降的狀態的圖。
第19圖是表示本發明的第2實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體與其附近的剖視圖。
第20圖是表示本發明的第3實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體與其附近的剖視圖。
第21圖是表示本發明的第3實施形態之變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體與其附近的剖視圖。
第22圖是表示本發明的第4實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第23A圖及第23B圖是沿第22圖中的XXⅢ-XXⅢ線的剖視圖。
第24A圖及第24B圖是將排氣溝槽附近放大表示的剖視圖。
第25圖是表示第4實施形態之第1變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第26圖是表示第4實施形態之第2變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第27圖是表示第4實施形態之第3變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第28圖是表示第4實施形態之第4變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第29圖是表示第4實施形態之第5變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第30圖是表示第1實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第31圖是表示本發明的第5實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第32圖是表示第5實施形態之一例有關的將批式處理裝置的排氣溝槽附近放大表示的剖視圖。
第33圖是表示第5實施形態之第1變形例有關的將批式處理裝置的排氣溝槽附近放大表示的剖視圖。
第34圖是表示本發明的第5實施形態之第2變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第35圖是表示本發明的第5實施形態之第3變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第36圖是表示本發明的第5實施形態之第3變形例有關的將批式處理裝置的排氣溝槽附近放大表示的剖視圖。
第37圖是表示本發明的第5實施形態之第4變形例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第38圖是表示第1實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第39圖是表示本發明的第6實施形態之一例有關的批式處理裝置的載台及蓋體的剖視圖。
第40圖是表示採取器的變形例的上視圖。
G‧‧‧被處理體
1‧‧‧處理系統
3a‧‧‧批式處理裝置
4‧‧‧共同搬運室
5‧‧‧排器裝置
6c‧‧‧閘閥室
6d‧‧‧閘閥室
7‧‧‧搬運裝置
31a‧‧‧主腔室
32‧‧‧排氣口
33a‧‧‧開口部
41‧‧‧腔室
42‧‧‧排氣口
43b‧‧‧開口部
43c‧‧‧開口部
71‧‧‧採取器
72‧‧‧採取單元
73‧‧‧驅動滑動單元
73a‧‧‧滑座
74‧‧‧驅動單元
101a~101y‧‧‧載台
102a~102y‧‧‧蓋體
103‧‧‧蓋體升降支柱
105‧‧‧被處理體載放面
106‧‧‧處理用小空間
108‧‧‧升降器升降支柱

权利要求:
Claims (40)
[1] 一種批式處理裝置，係可對複數被處理體同時實施處理的批式處理裝置，其特徵為，具備：主腔室；複數載台，上述主腔室內，在此主腔室的高度方向層疊設置載放上述被處理體；及複數蓋體，設置在前述各載台，覆蓋載放於上述載台的上述被處理體，以上述複數載台與上述複數蓋體形成包圍著載放於上述複數載台的各上述複數被處理體之容量小於上述主腔室的處理用小空間。
[2] 如申請專利範圍第1項記載的批式處理裝置，其中，進一步具備：驅動機構，升降驅動上述複數蓋體或上述複數載台；被處理體升降機構，使上述被處理體升降於上述複數載台的各個被處理體載放面和該被處理體載放面的上方之間；供氣機構，對上述複數處理用小空間的各內部供應氣體；及排氣機構，進行上述複數處理用小空間之各內部的排氣。
[3] 如申請專利範圍第1項記載的批式處理裝置，其中，載放上述載台的上述被處理體的面為平坦面，在與上述蓋體的上述載台相對的面上，設置有形成上述處理用小空間的凹部。
[4] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，載放上述載台的上述被處理體的面為平坦面，在與上述蓋體的上述載台相對的面上，設置有形成上述處理用小空間的凹部。
[5] 如申請專利範圍第1項記載的批式處理裝置，其中，與上述蓋體的上述載台相對的面為平坦面，在載放上述載台的上述被處理體的面上，設置有形成上述處理用小空間的凹部。
[6] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，與上述蓋體的上述載台相對的面為平坦面，在載放上述載台的上述被處理體的面上，設置有形成上述處理用小空間的凹部。
[7] 如申請專利範圍第1項記載的批式處理裝置，其中，在載放上述載台的上述被處理體的面及與上述蓋體的上述載台相對的面上，設置有形成上述處理用小空間的凹部。
[8] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，在載放上述載台的上述被處理體的面及與上述蓋體的上述載台相對的面上，設置有形成上述處理用小空間的凹部。
[9] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，上述驅動機構是使上述複數蓋體或上述複數載台一起升降驅動。
[10] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，上述複數載台被固定於上述主腔室，上述驅動機構使上述複數蓋體升降驅動。
[11] 如申請專利範圍第9項記載的批式處理裝置，其中，上述複數載台被固定於上述主腔室，上述驅動機構使上述複數蓋體升降驅動。
[12] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，上述複數蓋體被固定於上述主腔室，上述驅動機構使上述複數載台升降驅動。
[13] 如申請專利範圍第9項記載的批式處理裝置，其中，上述複數蓋體被固定於上述主腔室，上述驅動機構使上述複數載台升降驅動。
[14] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，上述被處理體升降機構是使上述複數被處理體一起升降。
[15] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，上述被處理體升降機構是從上述驅動機構獨立。
[16] 如申請專利範圍第14項記載的批式處理裝置，其中，上述被處理體升降機構是從上述驅動機構獨立。
[17] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，上述被處理體升降機構是與上述驅動機構連動。
[18] 如申請專利範圍第14項記載的批式處理裝置，其中，上述被處理體升降機構是與上述驅動機構連動。
[19] 如申請專利範圍第17項記載的批式處理裝置，其中，上述被處理體升降機構，具有貫穿上述載台而懸掛於上述載台的銷狀升降器，使前述銷狀升降器的下端抵接在位於下方的上述蓋體的上面，並使上述銷狀升降器隨著上述蓋體的升降而升降。
[20] 如申請專利範圍第10項記載的批式處理裝置，其中，上述供氣機構及上述排氣機構是設置於上述載台。
[21] 如申請專利範圍第12項記載的批式處理裝置，其中，上述供氣機構及上述排氣機構被是設置於上述載台。
[22] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，在上述蓋體設有形成上述處理用小空間的凹部時，上述供氣機構的吐氣孔及上述排氣機構的排氣孔是設置於上述載台的被處理體載放面。
[23] 如申請專利範圍第2項記載的批式處理裝置，其中，在上述載台設有形成上述處理用小空間的凹部時，上述供氣機構的吐氣孔及上述排氣機構的排氣孔是設置於上述凹部的側面。
[24] 如申請專利範圍第1項記載的批式處理裝置，其中，進一步具備上述主腔室排氣的主腔室排氣機構，在上述載台的上面與上述蓋體的下端之間，設定上述處理用小空間與上述主腔室內部連通的間隙，使用上述主腔室排氣機構透過上述間隙進行上述處理用小空間的排氣。
[25] 如申請專利範圍第1項記載的批式處理裝置，其中，在上述載台的上面與上述蓋體下端的抵接面具有溝槽，上述溝槽，進一步具備吐出惰性氣體的惰性氣體吐出部。
[26] 如申請專利範圍第1項記載的批式處理裝置，其中，上述載台是固定於上述主腔室，上述供氣機構是由：使上述氣體在上述載台內流通的載台內氣體流道；將上述氣體導入上述載台內氣體流道的氣體導入部；使上述氣體流通於上述蓋體內的蓋體內氣體流道；從上述蓋體內氣體流道朝上述處理用小空間吐出上述氣體的吐氣部；及在上述載台與上述蓋體的接觸部連結使上述氣體流通於上述載台內氣體流道與上述蓋體內氣體流道的連結部所構成。
[27] 如申請專利範圍第26項記載的批式處理裝置，其中，上述吐氣部為具備與上述載台相對的複數吐氣孔的噴淋頭。
[28] 如申請專利範圍第1項至第27項中任一項記載的批式處理裝置，其中，上述載台具備調溫機構。
[29] 如申請專利範圍第28項記載的批式處理裝置，其中，上述調溫機構可個別溫度控制複數的上述載台。
[30] 如申請專利範圍第1項至第27項中任一項記載的批式處理裝置，其中，在上述處理用小空間的內部具備整流部，該整流部對供應此處理用小空間內的氣體流動進行整流。
[31] 如申請專利範圍第30項記載的批式處理裝置，其中，上述整流部包含：設置在上述載台的被處理體載放面與上述蓋體的上述處理用小空間側的內面之間的至少一個擋板，及藉著該擋板形成在上述處理用小空間內部的間隙所構成。
[32] 如申請專利範圍第31項記載的批式處理裝置，其中，上述擋板是朝著與上述處理用小空間中的氣體流動交叉的方向延伸所形成。
[33] 如申請專利範圍第31項記載的批式處理裝置，其中，上述擋板是設置在：上述載台的被處理體載放面上；上述蓋體的處理用小空間側的內面上與上述載台的被處理體載放面上及上述蓋體的處理用小空間側內面上的雙方其中之一上。
[34] 如申請專利範圍第32項記載的批式處理裝置，其中，上述擋板是設置在：上述載台的被處理體載放面上；上述蓋體的處理用小空間側的內面上與上述載台的被處理體載放面上及上述蓋體的處理用小空間側內面上的雙方其中之一上。
[35] 如申請專利範圍第1項至第27項中任一項記載的批式處理裝置，其中，在上述處理用小空間的角隅部設有傾斜部或圓形部。
[36] 如申請專利範圍第2項至第27項中任一項記載的批式處理裝置，其中，上述排氣機構被設置於上述載台，上述排氣機構具備形成於上述被處理體載放面的排氣溝槽時，上述排氣溝槽的緣部與上述蓋體的內面側側面為彼此一致。
[37] 如申請專利範圍第1項至第27項中任一項記載的批式處理裝置，其中，在上述蓋體具備該蓋體調溫用的蓋體調溫機構。
[38] 如申請專利範圍第37項記載的批式處理裝置，其中，在上述載台具備該載台調溫用的載台調溫機構時，上述蓋體調溫機構與上述載台調溫機構為個別調節溫度。
[39] 如申請專利範圍第37項記載的批式處理裝置，其中，在對上述被處理體施以處理時，設上述處理用小空間內部的壓力低於大氣壓。
[40] 如申請專利範圍第38項記載的批式處理裝置，其中，在對上述被處理體施以處理時，設上述處理用小空間內部的壓力低於大氣壓。

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