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    本發明為一種耐熱衝擊性硬化物之製造方法，其特徵為具備：使下述通式(1)所示的單體、下述通式(2)所示的單體、下述通式(3)所示的單體、下述通式(4)所示的單體及下述通式(5)所示的單體，各自以a莫耳、w莫耳、x莫耳、y莫耳及c莫耳之比例，在酸觸媒之存在下共聚縮合而得到硬化物前驅物之縮合步驟，及使前述硬化物前驅物所具有的乙烯性不飽和鍵之至少一部分聚合，而使硬化物前驅物硬化之硬化步驟，w及x為正之數，a、y及c為0或正之數，而且a、w、x、y及c之關係為0＜w/(a+x+y+2c)≦10，【化1】Si(X)4 (1)【化2】R1Si(X)3 (2)□□□[式(1)~(5)中，(X)係矽氧烷鍵生成基，R1、R2及R4各自係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基、芳基及具有乙烯性不飽和鍵的基中選出之基，R3及R5各自係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基及芳基中選出的基，R1、R2及R4中的至少一個係具有乙烯性不飽和鍵的基；又，當(X)為複數時，(X)的一部分或全部可相同或相異]。
    公开号:TW201313830A
    申请号:TW101131807
    申请日:2012-08-31
    公开日:2013-04-01
    发明作者:Akinori Kitamura；Naomasa Furuta
    申请人:Toagosei Co Ltd；
    IPC主号:C08G77-00
    专利说明:
    耐熱衝擊性硬化物及其製造方法
    本發明關於耐熱衝撃性優異，可用於半導體裝置或印刷配線板等中的電子零件用之接著構件或密封部、保護膜等之耐熱衝撃性硬化物及其製造方法。
    半導體裝置、印刷配線板等的電子機器，例如係在含有樹脂、玻璃、金屬等的基板上具備各種的電子零件。為了固定電子零件，按照目的或用途，使用焊料、接著劑等。
    例如，從環境問題的觀點來看，為了將電子零件連接於基板而使用的焊料，係自以往的錫-鉛系焊料變換至無鉛焊料。無鉛焊料的熔點係比以往的錫-鉛系焊料還高的220℃，伴隨此，使用無鉛焊料的電子電路基板之廻焊加工溫度係由以往的230℃提高至260℃。對於電子電路基板所使用的材料，要求耐得住在此260℃的熱衝撃。
    又，隨著半導體晶片的高積體化、大容量化，半導體裝置的發熱量增加，但另一方面，將半導體裝置包於內部的電子機器之殼體係薄短小化。因此，電子機器內部的高密度化係進一步進展，電子電路基板及電子零件的熱環境變嚴苛。而且，隨著使用電子機器時的負荷之變動或環境變化，變成重複溫度的急劇變動之狀況。如此的狀況亦可針對發光二極體(LED)來說。隨著LED的用途之擴大，由於亦會在室外等的嚴苛環境下使用，保護膜對伴隨發熱的零件之必要性係升高。因此，對於LED之高亮度化所伴隨的高發熱量，當難以進行充分的除熱，於每次的點滅時含有LED的電子零件之溫度大幅上下時，在保護膜中會發生熱衝撃所致的剝離或裂紋。如此地，要求電子電路材料中所使用的耐熱衝撃性高之硬化膜。
    專利文獻1中，揭示具備使通式R’m(H)kSiX4-(m+k)所示的矽烷化合物與氫矽烷化反應劑反應而得之含熱硬化性聚矽氧聚合物的樹脂之基板。實施例中，記載藉由288℃、30秒間的焊料廻焊而不發生裂紋。又，於上述發明中，為了使發生氫矽烷化反應而在高溫下反應，或需要氯鉑酸等的觸媒。然而，高溫下的反應會對半導體晶片造成不利影響。又，使用觸媒時，在反應後去除觸媒者係困難，若使用殘留有觸媒的聚合物，則由於容易引起變色等的劣化，故在作為電子材料用途或保護膜的用途使用時，為不充分者。
    作為不使用氫矽烷化反應的聚矽氧烷化合物，例如專利文獻2中，記載藉由使至少2種類的烷氧基矽烷在鹼性條件下水解共聚縮合之製造方法而得到聚矽氧烷化合物。對於作為硬化物的耐熱衝撃性，沒有進行檢討。又，藉由在酸性條件下水解共聚縮合之製造方法而得之聚矽氧烷化合物，係保存安定性差而無法採用。即，除了使至少2種類的烷氧基矽烷進行水解共聚縮合而得之聚矽氧烷化合物，亦已知含有此聚矽氧烷化合物之硬化性組成物。然而，對於耐熱衝撃性高的硬化物之課題係未檢討，尚未知道藉由怎樣的製法、怎樣的特定組成者，是否可以給予耐熱衝撃性高之硬化物。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]特開2011-61211號公報
    [專利文獻2]WO2009/131038號國際公開公報
    本發明之課題在於提供耐熱衝撃性優異，難以從由金屬、玻璃、樹脂等所成的基材之接著狀態發生剝離之硬化物及其製造方法。
    本發明者們發現藉由以下之製造方法所得之硬化物，係耐熱衝撃性優異，與基材的密接性亦優異，該製造方法具備：使下述通式(1)所示的單體、下述通式(2)所示的單體、下述通式(3)所示的單體、下述通式(4)所示的單體及下述通式(5)所示的單體，各自以a莫耳、w莫耳、x莫耳、y莫耳及c莫耳之比例，在酸觸媒之存在下共聚縮合而得到硬化物前驅物之縮合步驟，及使前述硬化物前驅物所具有的乙烯性不飽和鍵之至少一部分聚合，而使硬化物前驅物硬化之硬化步驟，w及x為正之數，a、y及c為0或正之數，而且a、w、x、y及c之關係為0<w/(a+x+y+2c)≦10，【化1】Si(X)4 (1)
    【化2】R1 Si(X)3 (2)
    式(1)~(5)中，(X)係矽氧烷鍵生成基，R1、R2及R4各自係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基、芳基及具有乙烯性不飽和鍵的基中選出之基，R3及R5各自係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基及芳基中選出的基，R1、R2及R4中的至少一個係具有乙烯性不飽和鍵的基。
    又，於各單體中，當(X)為複數時，(X)的一部分或全部係可相同或相異。另外，通式(5)的R4之一部分或全部係可相同或相異。又，通式(4)及(5)的R5之一部分或全部係可相同或相異。
    本發明的硬化物，由於即使遭受重複的熱衝撃，也不易發生裂紋，故耐熱衝撃性優異。又，接合於基材的硬化物，由於亦難以發生自基材的剝離，故適用作為隔絕基材與水或空氣之保護膜。再者，若使其存在於一個構件與其它構件之間或在基材與基材之間隙中，則即使遭受重複的熱衝撃，也難以自接合部剝離，故亦適用作為耐熱衝撃性優異之層間接合材。
    使用酸性觸媒來使通式(1)~(5)所示的單體進行共聚縮合時，單體大體上按照單體的加入份數，定量地併入共聚縮合物中，而得到硬化物前驅物。因此，對於所欲的硬化物前驅物之組成，決定通式(1)~(5)所示的各單體之加入量。又，實際所得之硬化物前驅物的組成，由於可藉由NMR等的分析手法來決定，故在欲進一步提高硬化物的性能時，以分析結果為基礎，進行加入組成的微調整，可得到希望的性能之硬化物前驅物。[實施發明的形態]
    以下，詳細說明本發明。尚且，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸」係意味丙烯酸及甲基丙烯酸，「(甲基)丙烯酸酯」係意味丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。又，「(甲基)丙烯醯基」係意味丙烯醯基及甲基丙烯醯基。
    本發明的耐熱衝撃性硬化物之製造方法，係具備：使上述通式(1)所示的單體、上述通式(2)所示的單體、上述通式(3)所示的單體、上述通式(4)所示的單體及上述通式(5)所示的單體，各自以a莫耳、w莫耳、x莫耳、y莫耳及c莫耳之比例，在酸觸媒之存在下共聚縮合而得到硬化物前驅物之縮合步驟，及使上述硬化物前驅物所具有的乙烯性不飽和鍵之至少一部分聚合，而使硬化物前驅物硬化之硬化步驟。
    本發明中，上述通式(1)~(5)所示的單體係可各自僅使用1種，也可使用2種以上。
    上述通式(1)~(5)中，(X)係意味藉由縮合可生成矽氧烷鍵之矽氧烷鍵生成基。將在1分子中具有4個矽氧烷鍵生成基之單體亦稱為「Q單體」。將在1分子中具有3個矽氧烷鍵生成基之單體亦稱為「T單體」，將在1分子中具有2個矽氧烷鍵生成基之單體亦稱為「D單體」，將在1分子中具有1個矽氧烷鍵生成基之單體亦稱為「M單體」。本發明中的上述通式(1)之單體為「Q單體」，上述通式(2)之單體為「T單體」，上述通式(3)之單體為「D單體」，上述通式(4)之單體為「M單體」。又，上述通式(5)之單體係將在共縮合時自M單體所產生的構成單位同樣的構成單位予以2倍量形成之單體，以下將通式(5)之單體稱為「M2單體」。
    若縮合複數的Q單體，則成為具有含有4個矽氧烷鍵的構造單元之縮合物，在縮合物中所併入的構造單元係被稱為「Q單元」。同樣地，自T單體產生具有3個矽氧烷鍵的T單元，自D單體產生具有2個矽氧烷鍵的D單元，自M單體產生具有1個矽氧烷鍵的M單元。M單元由於終止矽氧烷鍵所致的縮合鏈而具有保護縮合鏈末端之效果，M單體亦被稱為「封端劑」。
    尚且，作為上述矽氧烷鍵生成基(X)，可舉出羥基或水解性基，作為此水解性基，可舉出鹵基、烷氧基等。於此等之中，從水解性良好，不副生成酸來看，較佳為烷氧基，更佳為碳原子數1~3的烷氧基。
    作為上述通式(1)所示的單體，例如可舉出四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四正丁氧基矽烷等。於此等之中，從取得容易，水解性良好來看，較佳為四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷等。
    通式(2)~(5)的R1、R2及R4中的至少一個係具有乙烯性不飽和鍵之基。於此等之中，通式(2)的R1較佳為具有乙烯性不飽和鍵之基。其理由係因為含有具有乙烯性不飽和鍵之基的T單體之取得容易。
    又，具有乙烯性不飽和鍵之基，較佳為具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基之基，更佳為下述通式(6)所示的有機基。
    [式(6)中，R6係氫原子或甲基，R6係可相同或相異，R7係碳原子數1~6的伸烷基，R7係可相同或相異]。
    通式(6)中，R7較佳為伸丙基。其理由係因為形成含有伸丙基的有機官能基之化合物之取得或合成容易。又，R6較佳為甲基或氫原子，更佳為氫原子。
    本發明中，使用R1、R2及R4中的至少一個具有乙烯性不飽和鍵之基的單體，較佳為此乙烯性不飽和鍵的至少一部分係在碳-碳雙鍵彼此之間聚合，以碳-碳鍵結形成聚合鏈之硬化物。乙烯性不飽和鍵以式(6)表示時，碳-碳鍵結的聚合鏈係可以下述通式(7)表示。
    式(7)中，表示不飽和鍵的聚合度之n較佳為1以上100以下，更佳為2以上50以下。
    本發明之藉由縮合步驟所得之硬化物前驅物，含有自上述通式(1)~(5)所示的單體之構造單元，即含有矽氧烷構造。於本發明中，由於必須使用通式(2)所示的單體，故硬化物前驅物含有含-Si-O-的矽倍半氧烷構造。而且，若將此硬化物前驅物供予硬化步驟，則得到具有矽倍半氧烷構造及來自上述通式(2)~(5)所示的單體中所含有的乙烯性不飽和鍵之碳-碳聚合鏈構造之硬化物。硬化物的較佳形態為含-Si-O-的矽倍半氧烷構造係含有許多的線狀構造部者。
    通式(1)所示的Q單體係藉由縮合而產生Q單元。所得之硬化物若含有Q單元，則有耐熱性升高的傾向，但若含有太多的Q單元，則會因熱衝撃而變容易導入裂紋。基於此觀點，使用Q單體時的較佳配合量a，相對於式(1)~(5)所示的單體之配合量(a+w+x+y+2c)之合計而言，以莫耳比計，a/(a+w+x+y+2c)為0~1之範圍，更佳為0~0.4之範圍。
    通式(2)所示的T單體係必須的原料。T單體的配合量w，係在Q單體的配合量a、D單體的配合量x、M單體的配合量y及M2單體的配合量c之單體組成之關係中，較佳為0<w/(a+x+y+2c)≦10，更佳為0.01≦w/(a+x+y+2c)≦5，尤佳為0.1≦w/(a+x+y+2c)≦2，特佳為0.4≦w/(a+x+y+2c)≦1.2。
    通式(2)中的R1係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基、芳基及具有乙烯性不飽和鍵的基中選出之基。於此等之中，較佳為具有乙烯性不飽和鍵的基。
    作為上述通式(2)所示的T單體，例如可舉出三乙氧基矽烷、三丙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苄基三甲氧基矽烷、環己基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、(對苯乙烯基)三甲氧基矽烷、(對苯乙烯基)三乙氧基矽烷、(3-甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、(3-甲基丙烯醯氧基丙基)三乙氧基矽烷、(3-丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、(3-丙烯醯氧基丙基)三乙氧基矽烷等。於此等之中，從取得容易來看，較佳為(3-甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、(3-甲基丙烯醯氧基丙基)三乙氧基矽烷、(3-丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、(3-丙烯醯氧基丙基)三乙氧基矽烷等。
    通式(3)所示的D單體係必須的原料。通式(3)中的R2係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基、芳基及具有乙烯性不飽和鍵的基中選出之基。R3係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基及芳基之中選出之基。本發明中，較佳的D單體係R2及R3為由甲基及苯基中選出之化合物，更佳為R2及R3皆是甲基之化合物。
    作為上述通式(3)所示的D單體，例如可舉出二甲氧基二甲基矽烷、二甲氧基二乙基矽烷、二乙氧基二甲基矽烷、二乙氧基二乙基矽烷、二甲氧基甲基苯基矽烷、二乙氧基甲基苯基矽烷、二甲氧基苄基甲基矽烷、二甲氧基(3-甲基丙烯醯氧基丙基)甲基矽烷、二乙氧基(3-甲基丙烯醯氧基丙基)甲基矽烷、二甲氧基(3-丙烯醯氧基丙基)甲基矽烷、二乙氧基(3-丙烯醯氧基丙基)甲基矽烷等。於此等之中，從取得容易來看，較佳為二甲氧基二甲基矽烷、二乙氧基二甲基矽烷、二甲氧基甲基苯基矽烷等。
    通式(4)中的R4係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基、芳基及具有乙烯性不飽和鍵的基中選出之基。R5係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基及芳基之中選出之基。本發明中，較佳的M單體係R4及R5為由甲基及苯基中選出之化合物，更佳為R4及R5皆是甲基之化合物。此M單體具有1個矽氧烷鍵生成基，由具有將聚矽氧烷的縮合鏈末端予以封鎖之作用，在本發明的硬化物之製造中，可使用於控制硬化物前驅物的聚矽氧烷之分子量。
    作為上述通式(4)所示的M單體，例如可舉出甲氧基三甲基矽烷、甲氧基三乙基矽烷、乙氧基三甲基矽烷、乙氧基三乙基矽烷甲氧基二甲基苯基矽烷、乙氧基二甲基苯基矽烷、三甲基氯矽烷、三乙基氯矽烷、三甲基溴矽烷及三乙基溴矽烷等。
    於此等之中，較佳為三甲基氯矽烷及三甲基溴矽烷，從便宜來看，特佳為三甲基氯矽烷。本發明中，可將通式(4)所示的M單體及後述通式(5)所示的M2單體中至少一者予以分割而使用。可在縮合步驟的最初中使用一部分，在縮合步驟及硬化步驟之間的封端步驟(後述)中使用剩餘的部分。又，M單體及M2單體係可在縮合步驟中不使用，而僅在封端步驟中使用。通式(4)所示的M單體若是含有鹵基作為矽氧烷鍵生成基之化合物，則可提高封端步驟中的反應性。
    通式(5)中的R4係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基、芳基及具有乙烯性不飽和鍵的基中選出之基。R5係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基及芳基之中選出的基。
    通式(5)所示的M2單體係在共縮合之際可由1分子給予2個M單元。
    作為上述通式(5)所示的M2單體，可舉出1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷、六乙基二矽氧烷、六丙基二矽氧烷等。於此等之中，從取得容易來看，較佳為六甲基二矽氧烷。
    以下，具體地說明各步驟。
    於縮合步驟中，使用上述通式(1)~(5)所示的單體之特定量，在酸觸媒的存在下使發生共聚縮合反應，而製造硬化物前驅物。
    縮合步驟所用的酸觸媒係沒有特別的限定，較佳是在水中的pKa(酸解離常數)為4.0以下之酸。具體地，較佳為鹽酸、硫酸、硝酸等的無機強酸，更佳為鹽酸、硝酸及硫酸。其中，從可揮發去除酸分來看，在不需要中和步驟，沒有氧化力所致的副反應等不良狀況之點，特佳為鹽酸。酸觸媒的使用量，相對於通式(1)~(5)所示的單體之合計100莫耳而言，通常為0.01~20莫耳，較佳為0.1~10莫耳，更佳為1~5莫耳。
    縮合步驟的共聚縮合反應，較佳為在上述酸觸媒與水這兩者之存在下進行。又，當通式(1)~(5)所示的單體所具有的矽氧烷鍵生成基之一部分或全部為水解性基時，較佳為使用至少該水解性基之當量的合計量以上之水。而且，反應系中的較佳水量之上限，係上述水解性基的當量之合計量的100倍。又，作為使用酸觸媒與水這兩者使反應時的較佳實施形態，可舉出適量地使用0.1~10質量%濃度的鹽酸水溶液之方法。
    縮合步驟的反應溫度係設定溫度固定者為簡便之方法，但亦較佳為徐徐上升溫度之方法。反應溫度若過高，則反應的控制變難，在能量上亦花費成本。又，於原料中含有乙烯性不飽和鍵時，亦有其分解之虞。另一方面，反應溫度若過低，則在反應上花費時間，而且水解聚縮合變不充分。因此，較佳的上限為100℃，更佳為80℃，尤佳為60℃。較佳的下限為0℃，更佳為15℃，尤佳為25℃。
    於縮合步驟中，可使用形成硬化物前驅物的單體與酸觸媒，及水解所用的水或溶解其它成分的反應溶劑。作為反應溶劑，較佳為烷醇或丙二醇單烷基醚、在分子內具有1個醇性羥基之化合物。具體地，可舉出甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、第三丁醇、2-甲基-1-丁醇、3-甲基-1-丁醇、2,2-甲基-1-丙醇、1-戊醇、2-戊醇、1-辛醇、3-甲基-2-丁醇、3-戊醇、2-甲基-2-丁醇、環戊醇、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚等。本發明中，沸點未達100℃的化合物係較佳，因為在反應後容易揮發去除。更佳的反應溶劑係由甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇及第三丁醇之中選出。
    通式(3)所示的D單體由於具有2個矽氧烷鍵生成基，在縮合反應中生成線狀的縮合分子，但具有3個矽氧烷鍵生成基之通式(2)所示的單體，或具有4個矽氧烷鍵生成基之通式(1)所示的單體，係生成具有3次元交聯構造的硬化物前驅物。而且，取決於縮合反應的進行之程度，形成梯狀或籠型的構造。然而，由於立體障礙等，亦可能形成一部分的矽氧烷鍵生成基(X)殘存之構造。
    去除在水的不存在下進行縮合步驟之情況，不縮合而殘存的矽氧烷鍵生成基(X)係水解而得到變化成鍵結於Si原子的OH(矽烷醇)之形式的縮合物。本發明中，將不縮合而殘存，然後變化成OH基的基稱為「Si-OH基」。再者，若分析使用指定量的單體所得之縮合物，則可測定Si-OH基。對於使用指定量的單體所得之具有Si-OH基的縮合物，即使進行更使反應性高的M單體及M2單體中的至少一者反應之封端步驟時，也可決定殘存的Si-OH基之量。
    當通式(1)及(2)所示的單體具有矽氧烷鍵生成基時，於全部的矽氧烷鍵生成基係藉由縮合而生成矽氧烷鍵之情況，縮合物的交聯構造變過度強固而沒有自由度，在耐衝撃性試驗中成為容易破壞的耐熱性硬化物。相對於其，即使為由相同單體組成所得之縮合物，通式(1)及(2)所示的單體所具有的一部分之矽氧烷鍵生成基不縮合，而為含有許多線狀構造的縮合物，係因為分子的變形容易，在耐衝撃性試驗中成為不易破壞之硬化物。
    如上述，將通式(4)所示的M單體及通式(5)所示的M2單體中的至少一者予以分割而使用時，於縮合步驟中使用一部分，在封端步驟中使用剩餘的部分之情況，係在與縮合步驟相同的反應系中，可進行封端步驟。又，於縮合步驟中不使用M單體及M2單體時，可僅在封端步驟使用。
    由縮合步驟所得之縮合物，由於通常含有-Si-OH基，當此-Si-OH基的比例高時，藉由使-Si-OH基與剩餘部分的M單體反應之封端步驟，可得到能給予較佳的耐熱衝撃性硬化物之硬化物前驅物。
    使用通式(1)~(5)所示的單體，在酸觸媒的存在下縮合時，通式(1)及(2)所示的單體亦容易線狀地縮合，藉由硬化步驟，可得到在耐衝撃性試驗中不易破壞之硬化物。而且，於縮合步驟或封端步驟中，得到具有如此線狀的構造之縮合物時，可確認具有殘存的矽氧烷鍵生成基(X)之縮合物係作為Si-OH殘存。即，於本發明的製造方法中，較佳為硬化物前驅物含有Si-OH基，當該Si-OH基之量為z莫耳時，z之值在與各單體的配合量之關係中為0.05≦z/(a+w+x+y+2c)≦1.0時，得到耐熱衝撃性高之硬化物，更佳為0.1≦z/(a+w+x+y+2c)≦0.6。
    又，藉由上述的縮合步驟來製造硬化物前驅物時，在縮合步驟之後，可含有以下的步驟(以下亦稱為「後步驟」)。此等步驟係可單獨或組合實施，於後步驟中，當反應溶劑等的有機溶劑與水不發生相分離時，亦可更具備溶劑置換步驟，置換成與水可分離之有機溶劑。較佳為在反應後，藉由使揮發性的觸媒揮發而去除，省略中和、水洗步驟之方法，更佳為在濃縮步驟中，進行觸媒的揮發去除之方法。
    (中和步驟)藉由鹼來中和縮合步驟所得的反應液之步驟。
    (水洗步驟)藉由水來洗淨中和液中所含有的縮合物之步驟。
    (濃縮步驟)將含縮合物的水系液體予以濃縮之步驟。包含脫溶。
    (溶劑取代步驟)以另一有機溶劑將經濃縮或脫溶的濃縮物予以再溶解之步驟。
    (封端步驟)使具有殘存的Si-OH基之化合物與M單體反應之步驟。
    藉由含有縮合步驟或上述後步驟之步驟，可得到硬化物前驅物或其硬化物前驅物溶液。於此時間點，聚合物或聚合物溶液的分子量等之各種分析係可能。矽氧烷鍵生成基(含有水解性基)的殘存比例，係可自1H-NMR(核磁共振光譜)圖的各波峰之積分強度比來算出。再者，較佳為水解性基的實質上全部被水解，此例如可藉由在所得之硬化物前驅物的1H-NMR圖中，幾乎沒有觀察到以水解性基為基礎之波峰者來確認。又，硬化物前驅物的數量平均分子量係可藉由凝膠滲透層析術(GPC)分析來測定，以標準聚苯乙烯換算，較佳為500~100,000，更佳為800~50,000，尤佳為1000~20,000。
    藉由含有縮合步驟或上述後步驟之步驟而得的硬化物前驅物，係亦可溶解在有機溶劑中。即，可成為以當作溶液使用為目的之硬化物前驅物溶液。此有機溶劑係沒有特別的限定，在經濟上較佳為使用與當作反應溶劑使用的同者。為了改善塗佈時的均平性等，亦較佳為併用其它的有機溶劑。
    又，在不損害保存安定性之範圍內，硬化物前驅物溶液亦可含有其它成分。作為其它成分，可舉出聚合性不飽和化合物、自由基聚合抑制劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光安定劑、均平劑、有機聚合物、填料、金屬粒子、顏料、聚合引發劑、增感劑等。
    於硬化步驟中，通常使用含有硬化物前驅物、聚合引發劑及有機溶劑之硬化性組成物，在指定的部位上形成塗膜後，對此塗膜進行加熱處理或光照射。
    硬化物前驅物係可藉由上述方法，使硬化而成為硬化物。於硬化步驟中，可使用加熱、活性能量線照射等之方法及組合此等之方法。於硬化步驟中，藉由硬化物前驅物分子中的乙烯性不飽和鍵之至少一部分聚合，而使硬化物前驅物交聯，可得到硬化物。經由硬化步驟所硬化之硬化物，由於含有乙烯性不飽和鍵之聚合所致的交聯構造，故與僅藉由縮合反應而硬化的以往之硬化物相比，更富有柔軟性，密接性優異。又，由於亦含有縮合反應所致的交聯構造，故與僅由乙烯性不飽和鍵的聚合所致的以往之硬化物相比，更具備富有耐熱性之交聯構造。結果，硬度、機械的強度、耐藥品性及對於由金屬、玻璃、樹脂等所成的基材之密接性等物性優異。
    作為上述聚合性不飽和化合物，較佳為具有乙烯性不飽和鍵的化合物，更佳為具有(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸酯化合物，尤佳可舉出單官能(甲基)丙烯酸酯、多官能(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯等。此等係可單獨使用，也可組合2種以上使用。又，使用多官能的(甲基)丙烯酸酯化合物時，亦可在所得之耐熱衝撃性硬化物中產生交聯構造。
    作為使乙烯性不飽和鍵安定化用之自由基聚合抑制劑，可舉出氫醌或氫醌單甲基醚等的苯酚系化合物以及N-亞硝基苯基羥基胺鹽等。
    作為上述抗氧化劑，可舉出2,6-二第三丁基-4-甲基苯酚或季戊四醇四(3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯)等之受阻酚系抗氧化劑、4,6-雙(辛硫基甲基)-鄰甲酚等之硫系二次抗氧化劑、磷系二次抗氧化劑等。此等係可僅使用1種，也可併用2種以上，若使用自由基聚合抑制劑及抗氧化劑，則可提高硬化性組成物及耐熱衝撃性硬化物的保存安定性、熱安定性等。
    當上述硬化性組成物含有自由基聚合抑制劑時，該自由基聚合抑制劑的含量，係相對於上述硬化物前驅物1,000,000質量份而言，較佳為1~10,000質量份，尤佳為10~2,000質量份，更佳為100~500質量份。
    當上述硬化性組成物含有抗氧化劑時，該抗氧化劑的含量，係相對於上述硬化物前驅物1,000,000質量份而言，較佳為1~10,000質量份，尤佳為10~2,000質量份，更佳為100~500質量份。
    作為上述紫外線吸收劑，可舉出2-[4-[(2-羥基-3-十二氧基丙基)氧基]-2-羥基苯基]-4,6-雙(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三等之羥基苯基三系紫外線吸收劑，或2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-雙(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚等之苯并三唑系紫外線吸收劑、氧化鈦微粒子或氧化鋅微粒子等之吸收紫外線的無機微粒子等。此等係可僅使用1種，也可併用2種以上。又，作為光安定劑，可舉出雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯等之受阻胺系光安定劑等。紫外線吸收劑及光安定劑係可提高UV耐性或耐候性。
    作為上述均平劑，可舉出聚矽氧系聚合物、含氟原子的聚合物等。均平劑係在由金屬、玻璃、樹脂等所成的基材之表面上塗佈硬化性組成物時，可提高均平性。
    作為有機聚合物，可舉出(甲基)丙烯酸系聚合物，作為合適的構成單體，可舉出甲基丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸環己酯、N-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)四氫苯二甲醯亞胺等。作為上述其它成分中的填料，可舉出矽石
    或氧化鋁等。於上述的硬化性組成物中，硬化物前驅物的溶解濃度係沒有特別的限定，但在硬化性組成物全體之中，較佳為0.1~70質量%之間，尤佳為0.5~50質量%之間，更佳為1~30%。
    上述硬化物前驅物所具有的乙烯性不飽和鍵之至少一部分，係在硬化步驟中，可進行活性能量線的照射或加熱或併用該兩者之聚合方法而使聚合，可按照目的來選擇、搭配聚合引發劑。作為光聚合引發劑，較佳可舉出2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基岬-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、二乙氧基苯乙酮、寡聚[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]及2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等之苯乙酮系化合物；二苯基酮、4-苯基二苯基酮、2,4,6-三甲基二苯基酮及4-苯甲醯基-4’-甲基-二苯基硫化物等之二苯基酮系化合物；甲基苯甲醯基甲酸酯、氧基-苯基-乙酸2-[2-氧代-2-苯基-乙醯氧基-乙氧基]-乙基酯及氧基-苯基-乙酸2-[2-羥基-乙氧基]-乙基酯等之α-酮酯系化合物；2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基膦氧化物等之膦氧化物系化合物；苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚及苯偶姻異丁基醚等之苯偶姻系化合物；二茂鈦系化合物；1-(4-(4-苯甲醯基苯基巰基)苯基]-2-甲基-2-(4-甲基苯基亞磺醯基)丙烷-1-酮等之苯乙酮/二苯基酮混合系光引發劑；1,2-辛二酮、1-[4-(苯硫基)-，2-(鄰苯甲醯基肟))等之肟酯系光聚合引發劑；以及樟腦醌等。此等係可僅使用1種，也可併用2種以上，亦可併用不同種類者。
    作為熱聚合引發劑，較佳為二異丙苯基過氧化物、過氧化苯甲醯、第三丁基過氧2-乙基己酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧2-乙基己酸酯、1-環己基-1-甲基乙基過氧2-乙基己酸酯、第三丁基過氧苯甲酸酯、月桂醯基過氧化物、異丙苯氫過氧化物等之過氧化物、2,2’-偶氮雙異丁腈(AIBN)、1,1’-偶氮雙(環己烷-1-甲腈)、2,2’-偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥基乙基)-丙醯胺]、2,2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]等之偶氮系聚合引發劑。
    聚合引發劑的較佳配合量，係相對於上述硬化物前驅物100質量份而言為0.1~10質量份，尤佳為0.3~5質量份，更佳為0.5~3質量份。
    於硬化步驟中，較佳的硬化方法係光硬化，更佳為活性能量線硬化。當塗膜等含有有機溶劑時，較佳為在藉由加熱乾燥等之方法來去除溶劑的大部分後，使硬化。
    作為活性能量線之具體例，可舉出電子線、紫外線、可見光等，特佳為紫外線。作為紫外線照射裝置，可舉出高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、UV無電極燈、LED等。照射能量應該按照活性能量線的種類或配合組成來適宜設定，若舉出使用高壓水銀燈作為一例，則在UV-A範圍的照射能量中，較佳為100~5,000mJ/cm2，尤佳為500~3,000mJ/cm2，更佳為1000~3000mJ/cm2。
    又，於硬化步驟中採用熱硬化時的硬化溫度，為了得到所使用的熱聚合引發劑之半衰期，按照分解溫度來適宜選擇，較佳為30~200℃，尤佳為40~150℃，更佳為50~120℃。
    藉由本發明的製造方法所得之硬化物前驅物，具體地可以下述通式(8)表示。
    式(8)中，R1、R2及R4各自係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基、芳基及具有乙烯性不飽和鍵的基之中選出的基，R3及R5各自係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基及芳基之中選出的基，R1、R2及R4中的至少一個係具有乙烯性不飽和鍵的基。R8係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基、芳基及具有乙烯性不飽和鍵的基之中選出的基。又，當在分子中R1~R5及R8為複數時，此等一部分或全部可相同，也可相異。
    又，R8係與上述R1~R7中的任一者相同，較佳為氫原子。
    另外，w及x為正之數，a、s為0或正之數，較佳為0<w/(a+x+s)≦10。
    還有，當M單體y莫耳及M2單體c莫耳之全部進行共聚縮合時，上述s係成為s=y+2c。
    又，b的較佳範圍係與上述z的較佳範圍同樣。即，上述b之值，係在與上述各構成單位之含量的關係中，較佳為0.05≦b/(a+w+x+s)≦1.0，更佳為0.1≦b/(a+w+x+s)≦0.6。 〔實施例〕
    以下，藉由實施例來具體說明本發明。惟，本發明完全不受此實施例所限定。再者，於下述記載中，「%」只要沒有特別預先指明，則以質量為基準。
    又，「AC-」表示丙烯醯氧基丙基，「MAC-」表示甲基丙烯醯氧基丙基。
    構成實施例及比較例所合成的硬化物前驅物之聚矽氧烷的1H-NMR分析，係各自精秤測定試料約1g與內部標準物質之六甲基二矽氧烷(以下稱為「HMDSO」)約100mg，溶解於分析溶劑的重氯仿中，以HMDSO的質子之信號強度作為基準而進行。
    又，數量平均分子量係藉由凝膠滲透層析術(GPC)來測定，以標準聚苯乙烯換算而算出。
    以下，說明各種評價方法。 (1)殘存Si-OH基濃度
    藉由以下的方法，分析實施例及比較例所合成的硬化物前驅物中所殘存的Si-OH基濃度。於將含有硬化物前驅物的反應液濃縮後，使已去除有機溶劑、水及酸觸媒的硬化物前驅物溶解於吡啶中。然後，於該硬化物前驅物的吡啶溶液中，添加一定濃度的三甲基氯矽烷之吡啶溶液而使反應，將未反應的三甲基氯矽烷水解後，藉由蒸餾來去除後，藉由1H-NMR來定量地測定因反應而在硬化物前驅物中增加之三甲基矽烷基濃度。 (2)耐熱衝撃性評價
    耐熱衝撃性之評價係如以下地實施。以0.2mm厚的PTFE(聚四氟乙烯)薄片來製作10mm×10mm的模框，使該模框密接於載玻片上而載置。於此框內置入硬化性組成物，用刮刀來形成塗膜表面。對其以無電極燈泡(H燈泡)、燈高度10cm、累計光量3J來照射紫外線，形成厚度約130μm的硬化物，拿掉PTFE薄片的模框，使塗膜硬化。拿掉PTFE薄片的模框，形成膜厚約130μm的耐熱衝撃性試驗用硬化物。然後，將硬化物置入恒溫器中，在250℃以上加熱2分鐘，接著在260℃進行30秒的加熱。之後，在室溫下放置冷卻，目視確認硬化物有無自載玻片剝落或有無裂紋。將此步驟當作1個循環(1次)，進行試驗。耐熱衝撃性的評價，係對於各實施例及比較例，各自評價3片的樣品，進行10個循環之試驗，直到在途中發生裂紋或剝落為止。表3中顯示其結果。 (3)鉛筆硬度試驗
    鉛筆硬度試驗係如以下地實施。於載玻片上，使用桿塗機來塗佈硬化性組成物後，以無電極燈泡(H燈泡)、燈高度10cm、累計光量3J來照射紫外線，製作10μm厚之硬化物。對於經硬化的硬化物，依照JISK-5600-5-4「塗料一般試驗方法：刮痕硬度(鉛筆法)」，使用三菱鉛筆製的鉛筆，以手劃法進行。表4中顯示其結果。
    表4中的各硬化物之鉛筆硬度，係記載藉由試驗所得之鉛筆硬度。 (4)外觀評價
    關於外觀評價，在結束第10次耐熱衝撃試驗的時間點，目視觀察硬化物，依照下述評價基準來評價。
    1；在3個硬化物中沒看到裂紋和剝落。
    2；在3個中的1個，有裂紋或剝落。
    3；在3個中的2個，有裂紋或剝落。
    4；在3個硬化物之全部，有裂紋或剝落。 實施例1 1-1硬化物前驅物之合成
    於安裝有三一馬達(THREE-ONE MOTOR)攪拌機、滴液漏斗、回流冷卻器及溫度計之500mL四口燒瓶中，加入3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷113.46g(484mmol)、二甲氧基二甲基矽烷32.43g(270mmol)及2-丙醇45.19g。然後，使用熱水浴來升溫，於反應系內溫超過40℃時，一邊攪拌反應系，一邊自滴液漏斗滴下0.8%鹽酸水溶液36.19g。在約50℃滴下結束後，將反應系在室溫(約25℃，以下相同)下放置15小時。於其中添加對甲氧基苯酚0.02g及溶解後，邊吹入空氣邊減壓餾去溶劑，得到101.68g無色透明液體的硬化物前驅物C1。所得之硬化物前驅物C1的黏度為1970mPa．s(25℃)，數量平均分子量為1300。
    1H-NMR分析的結果，具有丙烯醯基的T單元(AC-SiO3/2)與具有二甲基的D單元(Me2-SiO2/2)之組成比，係接近形成彼等單元的原料之加入時的莫耳比(參照表2)。又，相對於AC-SiO3/2之1莫耳而言，異丙氧基量為0.03莫耳。 1-2 Si-OH基濃度之測定
    於安裝有三一馬達攪拌機、滴液漏斗、回流冷卻器及溫度計之200mL四口燒瓶中，加入吡啶30mL。自滴液漏斗在室溫下將三甲基氯矽烷19mL滴下至上述吡啶中，得到三甲基氯矽烷的吡啶溶液。另一方面，於100mL茄型燒瓶中，置入20.00g實施例1所合成之硬化物前驅物C1後，添加吡啶30mL及溶解，得到硬化物前驅物C1的吡啶溶液。自滴液漏斗在室溫下將此吡啶溶液滴下至上述三甲基氯矽烷的吡啶溶液中後，在75℃加熱攪拌3小時。於反應液中添加水3g，更添加N-亞硝基苯基羥基胺鋁鹽(商品名「Q-1301」，和光純藥工業株式會社製，以下僅稱「聚合抑制劑」)0.002g後，減壓餾去溶劑而濃縮。於殘渣中添加二異丙基醚50.00g而溶解後，添加水20.00g，使用分液漏斗進行洗淨。重複合計7次的同樣之水洗操作。於有機層中添加聚合抑制劑0.002g及溶解，減壓餾去溶劑，得到無色透明液體的硬化物前驅物(C1)之三甲基矽烷化物。硬化物前驅物(C1)的三甲基矽烷化物之根據NMR測定，由於得到因反應所增加的三甲基矽烷基濃度，判斷以莫耳比計，相對於3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷單體之1莫耳而言，硬化物前驅物(C1)的Si-OH基濃度為0.47莫耳，顯示於表2中。 1-3硬化性組成物之調製
    於硬化物前驅物(C1)4g中，摻合光自由基聚合引發劑之2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮0.12g，以調製硬化性組成物(B1)。 1-4硬化物之評價
    依照上述評價方法，使用上述硬化性組成物(B1)來製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。 實施例2
    除了3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、二甲氧基二甲基矽烷、2-丙醇及0.8%鹽酸水溶液的使用量各自成為70.91g(303mmol)、81.07g(674mmol)、45.22g及40.99g以外，與實施例1同樣地得到硬化物前驅物C2。硬化物前驅物C2的收量為95.44g，黏度為207mPa．s(25℃)，數量平均分子量為1300。藉由與實施例1與同樣的方法來測定Si-OH基之濃度，表2中記載結果。
    然後，與實施例1同樣地製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。 實施例3
    實施例3係包含後步驟之製造例。
    藉由與實施例1之1-2. Si-OH基濃度之測定相同的方法，將硬化物前驅物C1的殘存Si-OH基予以三甲基矽烷化，而得到硬化物前驅物C3。
    於安裝有三一馬達攪拌機、滴液漏斗、回流冷卻器及溫度計之200mL四口燒瓶中，加入吡啶30mL。自滴液漏斗在室溫下將三甲基氯矽烷19mL(150mmol)滴下至上述吡啶中，得到三甲基氯矽烷的吡啶溶液。另一方面，於100mL茄型燒瓶中，投入20.00g實施例1所合成的硬化物前驅物C1，添加吡啶30mL及溶解，得到硬化物前驅物C1的吡啶溶液。自滴液漏斗在室溫下將此吡啶溶液滴下至上述三甲基氯矽烷的吡啶溶液中後，在75℃加熱攪拌3小時。於反應液中添加水3g，更添加聚合抑制劑0.002g後，減壓餾去溶劑而濃縮。於殘渣中添加二異丙基醚50g及溶解後，添加水20.00g，使用分液漏斗進行洗淨。重複合計7次的同樣之水洗操作。於有機層中添加聚合抑制劑0.002g及溶解，減壓餾去溶劑，得到無色透明液體的硬化物前驅物(C1)之三甲基矽烷化物的硬化物前驅物C3。硬化物前驅物C3的收量為9.34g，黏度為336mPa．s(25℃)，數量平均分子量為1400。
    與實施例1同樣地製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。表3及表4中記載評價結果。再者，實施例3中的硬化物前驅物C3，由於係使硬化物前驅物C1的Si-OH基與M單體反應而獲得，故以括弧包圍表2的M單元之量表示。相對於硬化物前驅物C1的20.0g而言三甲基氯矽烷19ml，若對於硬化物前驅物C1的全量換算則為761mmol，雖然對於硬化物前驅物C1中所殘留的Si-OH而言為大幅過剩，但進行反應，作為M單元在硬化物前驅物C3中殘留者，係僅為硬化物前驅物C1中所含有的Si-OH之等量份，於反應後的硬化物前驅物C3中Si-OH成為0。 實施例4
    除了代替3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷113.46g(484mmol)、二甲氧基二甲基矽烷32.43g(270mmol)、2-丙醇45.19g、0.8%鹽酸水溶液36.19g及對甲氧基苯酚0.02g，使用3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷56.73g(242mmol)、二甲氧基二甲基矽烷16.21g(135mmol)、六甲基二矽氧烷9.43g(58mmol)、2-丙醇33.55g、0.8%鹽酸水溶液19.15g及對甲氧基苯酚0.01g，使反應溫度成為室溫以外，與實施例1同樣地得到硬化物前驅物C4。硬化物前驅物C4的收量為57.90g，黏度為207mPa．s(25℃)，數量平均分子量為1000。藉由與實施例1同樣的方法來測定Si-OH基之濃度，記載於表2中。再者，六甲基二矽氧烷的1分子係在共聚縮合時給予2個M單元。
    又，與實施例1同樣地製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。 實施例5
    除了代替3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷113.46g(484mmol)、二甲氧基二甲基矽烷32.43g(270mmol)、2-丙醇45.19g、0.8%鹽酸水溶液36.19g、及對甲氧基苯酚0.02g，使用3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷62.09g(250mmol)、二甲氧基二甲基矽烷60.11g(500mmol)、四甲氧基矽烷38.06g(250mmol)、2-丙醇60.10g、0.8%鹽酸水溶液49.95g及對甲氧基苯酚0.02g以外，與實施例1同樣地得到硬化物前驅物C5。硬化物前驅物C5的收量為97.60g，黏度為28900mPa．s(25℃)，數量平均分子量為2500。藉由與實施例1同樣的方法來測定Si-OH基之濃度，記載於表2中。再者，表1的T單元之量以括弧包圍表示者，係為了相對於其它實施例使用3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷作為T單體者，顯示實施例5中使用3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷。
    與實施例1同樣地製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。 實施例6
    除了代替3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷113.46g(484mmol)、二甲氧基二甲基矽烷32.43g(270mmol)、2-丙醇45.19g、0.8%鹽酸水溶液36.19g及對甲氧基苯酚0.02g，使用3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷141.82g(605mol)、二甲氧基二甲基矽烷162.13g(1349mmol)、四甲基二矽氧烷8.13g(60.5mmol)、2-丙醇88.86g、0.8%鹽酸水溶液83.08g及對甲氧基苯酚0.04g，使反應溫度成為室溫以外，與實施例1同樣地得到硬化物前驅物C6。硬化物前驅物C6的收量為198.6g，黏度為115mPa．s(25℃)，數量平均分子量為1360。藉由與實施例1同樣的方法來測定Si-OH基之濃度，記載於表2中。再者，四甲基二矽氧烷的1分子係在共聚縮合時給予2個M單元，但在實施例6中與表1之單體構造欄所示的六甲基二矽氧烷不同，由於使用四甲基二矽氧烷，所生成的M單元成為H(Me)2-Si-O-，由在具有Si-H鍵之點為不同，故表2的M單元之量係以括弧包圍來表示。
    與實施例1同樣地製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。 比較例1
    除了代替3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷113.46g(484mmol)、二甲氧基二甲基矽烷32.43g(270mmol)、2-丙醇45.19g、0.8%鹽酸水溶液36.19g及對甲氧基苯酚0.02g，使用3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷70.30g(300mmol)、2-丙醇26.01g、0.8%鹽酸水溶液16.35g及對甲氧基苯酚0.01g以外，與實施例1同樣地得到硬化物前驅物C7。硬化物前驅物C7的收量為50.56g，黏度為5570mPa．s(25℃)，數量平均分子量為1500。藉由與實施例1同樣的方法來測定Si-OH基之濃度，記載於表2中。
    與實施例1同樣地製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。 比較例2
    除了代替3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷113.46g(484mmol)、二甲氧基二甲基矽烷32.43g(270mmol)、2-丙醇45.19g及0.8%鹽酸水溶液36.19g，使用3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷100.85g(430mmol)、三乙氧基甲基矽烷76.74g(430mmol)、2-丙醇53.28g及0.8%鹽酸水溶液46.91g以外，與實施例1同樣地得到硬化物前驅物C8。硬化物前驅物C8的收量為101.40g，黏度超過20000mPa．s(25℃)，數量平均分子量為1400。藉由與實施例1同樣的方法來測定Si-OH基之濃度，記載於表2中。
    與實施例1同樣地製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。 比較例3
    除了代替3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷113.46g(484mmol)、二甲氧基二甲基矽烷32.43g(270mmol)、2-丙醇45.19g、0.8%鹽酸水溶液36.19g及對甲氧基苯酚0.02g，使用3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷48.94g(209mmol)、三乙氧基甲基矽烷18.62g(104mmol)、六甲基二矽氧烷8.48g(52mmol)、2-丙醇44.83g、0.8%鹽酸水溶液18.02g及對甲氧基苯酚0.01g，使反應溫度成為室溫以外，與實施例1同樣地得到硬化物前驅物C9。硬化物前驅物C9的收量為50.81g，黏度為792mPa．s(25℃)，數量平均分子量為1000。藉由與實施例1同樣的方法來測定Si-OH基之濃度，記載於表2中。
    與實施例1同樣地製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。 比較例4
    於安裝有三一馬達攪拌機、滴液漏斗、回流冷卻器及溫度計之500mL四口燒瓶中，加入3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷124.80g(533mmol)、信越化學製X-21-5841(兩末端型/矽烷醇改性二甲基矽酮、官能基當量500g/mol)22.00g及2-丙醇190.57g。於其中在室溫下滴下4.8%氫氧化四甲銨水溶液10.07g，進行攪拌。攪拌1小時後，滴下水19.18g，攪拌4小時後，添加5%硫酸水溶液5.49g。於其中添加對甲氧基苯酚0.02g及溶解後，邊吹入空氣邊減壓餾去溶劑。於其中添加二異丙基醚176.00g及溶解後，添加水118.00g，使用分液漏斗進行洗淨。重複合計7次的同樣之水洗操作後，於有機層中添加對甲氧基苯酚0.03g及溶解後，邊吹入空氣邊減壓餾去溶劑，得到無色透明液體的硬化物前驅物C10。硬化物前驅物C10的收量為103.40g，黏度為5440mPa．s(25℃)，數量平均分子量為3000。藉由與實施例1與同樣的方法來測定Si-OH基之濃度，記載於表2中。
    於比較例4中代替D單體，使用兩末端經矽烷醇改性之二甲基矽酮。二甲基矽酮由於是D單體的縮合物，故在縮合步驟中將D單體予以共聚縮合時，為了與加有預先縮合的D單體之效果進行比較，不是二甲基矽酮之莫耳數，宜使二甲基矽酮中所含有的矽原子之莫耳數與實施例1一致而比較。此意味相對於3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷而言，二甲基矽酮中的矽之莫耳數係與實施例1相同，成為1比0.56。因此，表2中作為D單元之量，以括弧包圍0.56表示。
    與實施例1同樣地製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。 比較例5
    於安裝有三一馬達攪拌機、滴液漏斗、回流冷卻器、溫度計之500mL四口燒瓶中，加入3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷113.46g(484mmol)、二甲氧基二甲基矽烷32.43g(270mmol)及2-丙醇45.19g。於其中在室溫下滴下1.2%氫氧化四甲銨水溶液36.34g，進行攪拌。攪拌5小時後，添加5%硫酸水溶液4.93g。於其中添加對甲氧基苯酚0.01g及溶解後，邊吹入空氣邊減壓餾去溶劑。於其中添加二異丙基醚160.00g及溶解後，添加水100.00g，進行分液洗淨。重複合計7次的同樣之水洗操作後，於有機層中添加對甲氧基苯酚0.01g及溶解後，邊吹入空氣邊減壓餾去溶劑，得到無色透明液體的硬化物前驅物C11。硬化物前驅物C11的收量為94.30g，黏度為13000mPa．s(25℃)，數量平均分子量為3300。藉由與實施例1與同樣的方法來測定Si-OH基之濃度，結果與組成式一起記載於表2中。
    與實施例1同樣地製作硬化物，對於耐熱衝撃性、鉛筆硬度及外觀評價進行評價。
    表1中顯示實施例及比較例中硬化物前驅物之原料所用的單體組成與共聚縮合之觸媒以及各單體的配合量之關係的w/(a+x+y+2c)之值。
    表1中，用於縮合之觸媒欄的TMAH表示氫氧化四甲銨。
    表2中顯示實施例及比較例中所得之下述通式(8)所示的硬化物前驅物中的各單元之含量的比例、硬化物前驅物(縮合物)的Si-OH基與單體配合量之關係的z/(a+w+x+y+2c)之值。
    又，z/(a+w+x+y+2c)之值係如以下地算出。
    殘存Si-OH濃度係濃縮，將去除有機溶劑及水、酸觸媒後的硬化物前驅物溶解於吡啶中，添加一定濃度的三甲基氯矽烷之吡啶溶液以使反應，將未反應的三甲基氯矽烷水解後，藉由蒸餾來去除後，藉由1H-NMR來定量地測定因反應而在硬化物前驅物中增加之三甲基矽烷基濃度。
    可知實施例及比較例的Si-OH基之濃度係在酸觸媒時高，在使用TMAH等的鹼性觸媒時變非常低。再者，實施例3的縮合物之Si-OH基量雖然與實施例1相同，但在實施例3中由於將使HCl觸媒下所合成的縮合物在吡啶溶劑中與TMCS反應者當作硬化物前驅物，故在實施例3的硬化物前驅物中，由於超過此的與TMCS反應之Si-OH基係不存在，故Si-OH基量成為0。實施例3係在本發明的製造方法之縮合步驟與硬化步驟之間，進行使用TMCS的封端步驟之製造例。
    表3中顯示實施例及比較例的硬化物之耐熱衝撃試驗之結果。
    於比較例1中，3個中1個的硬化物係在進行耐熱衝撃性試驗之前發生裂紋。又，於比較例5中，3個硬化物的全部係在進行耐熱衝撃性試驗之前發生裂紋。比較例5係加入原料與實施例1相同，共聚縮合觸媒為鹼性之例，若與實施例1相比，在硬化物前驅物的Si-OH基之量有大的差異。硬化物的鉛筆硬度皆顯示與3H相同的硬度，但耐熱衝撃性評價的結果大不相同，顯示本發明的硬化物之實施例1的優越性。
    表4中顯示實施例及比較例的硬化物之鉛筆硬度與外觀評價之結果。
    若比較實施例4與實施例3，則單體組成係大致相同。然而，相對於在實施例4中最初加入M2單體的全部，實施例3中在縮合步驟中不使用M單體或M2單體，在封端步驟中添加M單體。實施例3係硬化物的硬度顯著高。其理由係因為在縮合步驟中M單體或M2單體終止縮合鏈之延伸，具有降低硬化物前驅物的子量或交聯度之作用，故硬化物發生變柔軟之傾向，相對於此，在縮合步驟之後所添加的M單體或M2單體係不顯示如此的作用，故結果可得到硬的硬化物。於耐熱衝撃性同時亦要求高的硬度之用途中，進行上述的封端步驟及硬化步驟以得到硬化物之製造方法亦優異，可得到耐熱衝撃性連同硬度高的硬化物之效果係明顯。 [產業上之利用可能性]
    本發明的耐熱衝撃性硬化物，由於即使在高溫下遭受重複的熱衝撃，也不易發生剝離或裂紋，可保護基材，故最適合作為經過焊料廻焊步驟之電子零件或電子機器中所用的保護膜或接著部之構成材料。此外，適用於至輸送機械或航空宇宙、食品加工或原子能發電為止的發生熱衝撃之一切用途。
    权利要求:
    Claims (6)
    [1] 一種耐熱衝撃性硬化物之製造方法，其特徵為具備：使下述通式(1)所示的單體、下述通式(2)所示的單體、下述通式(3)所示的單體、下述通式(4)所示的單體及下述通式(5)所示的單體，各自以a莫耳、w莫耳、x莫耳、y莫耳及c莫耳之比例，在酸觸媒之存在下共聚縮合而得到硬化物前驅物之縮合步驟，及使前述硬化物前驅物所具有的乙烯性不飽和鍵之至少一部分聚合，而使硬化物前驅物硬化之硬化步驟，w及x為正之數，a、y及c為0或正之數，而且a、w、x、y及c之關係為0<w/(a+x+y+2c)≦10，【化1】Si(X)4 (1) 【化2】R1 Si(X)3 (2) [式(1)~(5)中，(X)係矽氧烷鍵生成基，R1、R2及R4各自係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基、芳基及具有乙烯性不飽和鍵的基中選出之基，R3及R5各自係由氫原子、烷基、芳烷基、環烷基、環芳烷基及芳基中選出的基，R1、R2及R4中的至少一個係具有乙烯性不飽和鍵的基；又，當(X)為複數時，(X)的一部分或全部可相同或相異]。
    [2] 如申請專利範圍第1項之耐熱衝撃性硬化物之製造方法，其中上述硬化物前驅物含有z莫耳的Si-OH基，a、w、x、y、c及z之關係為0.1≦z/(a+w+x+y+2c)≦1.0。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之耐熱衝撃性硬化物之製造方法，其中上述具有乙烯性不飽和鍵的基係下述通式(6)所示者， [式(6)中，R6係氫原子或甲基，R7係碳原子數1~6的伸烷基]。
    [4] 如申請專利範圍第1~3項中任一項之耐熱衝撃性硬化物之製造方法，其中上述通式(1)所示的單體之使用量a為0，w、x、y及c之關係為0.1≦w/(x+y+2c)≦2。
    [5] 如申請專利範圍第1~4項中任一項之耐熱衝撃性硬化物之製造方法，其中在上述縮合步驟與上述硬化步驟之間，更具備使由上述通式(4)所示的單體及上述通式(5)所示的單體中選出的至少1種與Si-OH基反應之封端步驟。
    [6] 一種耐熱衝撃性硬化物，其係由如申請專利範圍第1~5項中任一項之方法所製造。
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