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    • 专利摘要:
    本發明之課題為提供可充分地抑制水分和氧氣等從外部侵入的有機裝置用封裝材料組成物以及將該組成物進行交聯反應而得到的有機裝置用的具有高阻隔性的封裝材料。本發明係提供在基體聚合物中層疊狀地分散含有片狀無機化合物而成的有機裝置用封裝材料組成物，以及將該封裝材料組成物進行交聯反應而得到的有機裝置用封裝材料。
    公开号:TW201313805A
    申请号:TW101127164
    申请日:2012-07-27
    公开日:2013-04-01
    发明作者:Toshiyuki Kanno；Xiaodong Wang；Akinobu Wakabayashi
    申请人:Moresco Corp；
    IPC主号:Y02E10-00
    专利说明:
    具有高阻隔性的封裝材料
    本發明涉及有機裝置用封裝材料組成物、以及將該組成物進行交聯反應而得到的有機裝置用的具有高阻隔性的封裝材料。
    近年來，作為利用有機薄膜的裝置，例如光感測器、有機儲存元件、顯示元件、有機電晶體、有機薄膜太陽能電池、有機半導體元件、通訊元件等正備受矚目。例如，有機薄膜太陽能電池為藉由蒸鍍等將有機物質薄膜狀地層疊在電極，並利用藉由光照射進行發電的原理的有機裝置。藉由利用有機薄膜，形成比以往的矽系太陽能電池「薄且柔軟」的太陽能電池，係被期待應用在更廣的範圍。另外，就有機薄膜太陽能電池藉由利用印刷技術等，可期生產效率的提高或工序成本的降低方面而言，亦作為前景看好的太陽能電池而備受期待。但是，利用有機薄膜的裝置係有如下問題：由於水分和氧氣等而變質，裝置功能下降，因此導致壽命下降。因此，需要具有高阻隔性的封裝材料。此處，高阻隔性是指充分地抑制水分和氧氣等從外部侵入的特性。作為對封裝材料賦予高阻隔性的理論解釋之一，廣泛公知有迂回理論(非專利文獻1)。迂回理論為如下理論：藉由使填料分散在封裝材料的基體成分中，使水分和氣體迂迴穿過填料的間隙(在填料中迂回)所需之每單位時間的穿透量變小(第1圖)。
    作為應用了迂回理論的現有技術，例如已提出光硬化型樹脂組成物(專利文獻1)，該光硬化型樹脂組成物可適合用作難以透過水分且耐濕性優異、將有機電致發光元件進行封裝的封裝劑。該樹脂組成物係使用平均粒徑超過5μm的片狀的無機填料。在使用較大的填料的情況下，如第2圖所示，填料係無規地分散在基體中，抑制水分和氣體穿透的作用不充分。又，關於填料尺寸，在專利文獻1的[0009]段中記載有在平均粒徑未達5μm時，耐濕性變得不充分。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]：日本特開2006-291072號公報 [非專利文獻]
    [非專利文獻1]：聚合物系奈米複合物 從基礎到最新開發.工業調查會，(2003)
    本發明的課題在於提供可充分地抑制水分或氧氣等從外部侵入的有機裝置用封裝材料組成物，以及將該組成物進行交聯反應而得到的有機裝置用的具有高阻隔性的封裝材料。
    本發明涉及以下的發明。
    1.有機裝置用封裝材料組成物，其是在基體聚合物中層疊狀地分散含有片狀無機化合物而成者。
    2.有機裝置用封裝材料，其是將上述1的封裝材料組成物進行交聯反應而得者。
    3.如上述2所述的有機裝置用封裝材料，其中，基體聚合物為環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚胺酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、改性烯烴樹脂、聚酯樹脂。
    4.如上述2所述的有機裝置用封裝材料，其中，片狀無機化合物藉由Microtrac法測得的平均粒徑為0.5μm以上且未達5μm，長徑和厚度之比(長徑/厚度)的平均值為1.3至50。
    5.如上述4所述的有機裝置用封裝材料，其中，上述長徑/厚度的平均值為1.3至25。
    6.有機裝置用封裝材料，其為將有機裝置用封裝材料組成物夾持於平行相對的2個基材中，並進行交聯反應而得到的封裝材料，該有機裝置用封裝材料組成物為在基體聚合物中層疊狀地分散含有片狀無機化合物而成者，其中，在該封裝材料之膜的X射線繞射圖形中，確認到起因於封裝材料中的片狀無機化合物之繞射峰，在繞射峰當中，非平行定向率α(Inp/Ip)係在0至0.1的範圍；所述非平行定向率α(Inp/Ip)是藉由以片狀無機化合物在與基材平行的方向進行定向的繞射峰的強度之和(Ip)為分母、以在未與基材平行的方向進行定向的繞射峰的強度之和(Inp)為分子而得者。
    7.如上述6所述的有機裝置用封裝材料，其中，上述α在0.0001至0.1的範圍。
    8.如上述6至7中任一項所述的有機裝置用封裝材料，其中，Ip為可歸屬於(00c)面的峰的強度之和，Inp為(abc)面(a或b均不為0)的峰的強度之和。
    本發明人進行潛心研究，結果發現，在基體聚合物中分散的片狀無機化合物的尺寸及形狀在特定的範圍，而在一定比率以上的片狀無機化合物以與基材平面平行的方式定向的狀態進行分散的情況下，係發揮合乎迂回理論之良好的高阻隔性，遂完成本發明。
    在本發明中，為了得到抑制水分和氧氣等氣體穿透的封裝材料，而在基體聚合物中調配片狀無機化合物及根據需要調配添加劑。該片狀無機化合物較佳為藉由Microtrac法測得的平均粒徑為0.5μm以上且未達5μm者，而以長徑和厚度之比(長徑/厚度)的平均值為1.3至50為佳。將藉由混合該等調配原料而得到的封裝材料組成物夾持於平行相對的2個基材中進行交聯反應，藉此可得到大部分的片狀無機化合物在與基材平面平行的方向進行定向的狀態下進行分散的封裝材料。
    根據本發明，可得到抑制水分和氧氣等的穿透的效果優異之有機裝置用的高阻隔性的封裝材料，而可實現裝置的長壽命化或降低封裝厚度。
    在本發明中，作為基體聚合物，只要為與片狀無機化合物的親和性良好的基體聚合物即可，可例示環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚胺酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、改性烯烴樹脂、聚酯樹脂等。
    作為環氧樹脂，可例示：雙酚A型、雙酚F型、酚醛清漆型、脂環型、縮水甘油胺型、氫化雙酚A型等環氧樹脂等。另外，作為改性環氧樹脂，可例示：丙烯酸改性環氧樹脂、聚丁二烯系改性環氧樹脂、接枝改性環氧樹脂、矽化聚環氧樹脂等。環氧樹脂較佳為與硬化促進劑、光自由基聚合起始劑等一起使用。
    作為聚胺酯樹脂，可例示：多元醇系胺酯樹脂、多異氰酸酯系胺酯樹脂、聚醚系胺酯樹脂、聚酯系胺酯樹脂、聚碳酸酯系胺酯樹脂等。
    作為聚碳酸酯樹脂，可例示：聚改性雙酚碳酸酯樹脂、聚碳酸二苯酯樹脂、聚酯碳酸酯樹脂、接枝化聚碳酸酯樹脂、金屬原子經螯合化之聚碳酸酯樹脂等。
    作為聚丙烯酸酯樹脂，可例示：聚乙二醇系多官能丙烯酸酯樹脂、環氧改性丙烯酸酯樹脂、胺酯改性丙烯酸酯樹脂、矽化丙烯酸酯樹脂、改性醚鏈丙烯酸酯樹脂、改性脂肪族丙烯酸酯樹脂等。
    作為改性烯烴樹脂，可例示：環氧改性烯烴樹脂、丙烯酸酯改性烯烴樹脂、矽化烯烴樹脂、乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、改性丁二烯系聚合物、改性苯乙烯系聚合物、以及各系的共聚物等。
    作為聚酯樹脂，可例示：不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、聚對苯二甲酸乙烯酯以及改性聚酯樹脂等。
    作為片狀無機化合物，可例示：黏土、雲母、滑石、矽酸鹽化合物等。
    片狀無機化合物藉由Microtrac法測定的平均粒徑較佳為0.5μm以上且未達5μm，又較佳為1.5μm至4.8μm，特佳為2μm至4.5μm。Microtrac法係使用了大塚電子製之DLS-6000。長徑和厚度之比(長徑/厚度)的平均值較佳為1.3至50，又較佳為1.5至25，特佳為2至20。
    在片狀無機化合物的平均粒徑未達0.5μm的情況下，係有粒子進行二次凝聚的問題；在5μm以上的情況下，係有難以成為層疊狀的問題。另外，在長徑/厚度的平均值未達1.3的情況下，係有無機化合物不能說是片狀而無法在封裝材料膜中以方向一致的狀態均勻分散的問題；在長徑/厚度的平均值超過50的情況下，係有加工性差的問題。
    本發明的封裝材料具有的特徵，係在於分散在基體聚合物中的片狀無機化合物的分散狀態，具體而言，係如第3圖所示，其特徵在於大部分的片狀無機化合物在與平行相對的2個基材平行的方向進行定向，且呈層疊狀(堆疊狀)分散。
    在第2圖中也示出未與基材平行的片狀無機化合物，但此種未與基材平行的片狀無機化合物的比例變大時，層疊狀態變得不明確，片狀無機化合物和片狀無機化合物的間隙變大或者變多，使水分或氧氣等充分迂回的功能受損。
    就在與基材平行的方向進行定向的片狀無機化合物而言，在封裝材料的X射線繞射圖形中，呈現出可以繞射角θ歸屬於(00c)面(c為自然數)的峰。在此，在將可歸屬於(00c)面的全部的峰的繞射強度之和設為Ip，將可歸屬於(abc)面(a或b均不為0)的全部的峰，亦即，將起因於不與基材平行的片狀無機化合物的全部峰的繞射強度之和設為Inp的情況下，只要兩者之比(非平行定向率α=Inp/Ip)為0≦α≦0.1，則可以在水分和氧氣等要穿透封裝材料中時發揮使之迂回的功能。
    c為自然數、為正(plus)的整數，不含0(zero)，通常為1至20，較佳為1至12。
    在α的值為0的情況下，是指全部的片狀無機化合物在與基材平行的方向進行定向(Inp=0)。
    就在與基材平行的方向進行定向的片狀無機化合物的分散狀態而言，不需如第4圖所示以中心線與基材垂直的方式進行層疊；可以如第5圖所示，在片狀無機化合物可稱得上重疊(層疊狀)的程度下傾斜中心線；也可以如第6圖所示，混合存在第4圖和第5圖所示的狀態。
    進一步詳細地對Ip、Inp進行說明。第7圖表示片狀無機化合物粉末(未調配在封裝材料中的原料粉末)的X射線繞射圖形，第8圖表示以往的封裝材料(比較例1)的X射線繞射圖形，第9圖表示本發明的封裝材料(實施例2)的X射線繞射圖形。上述者均使用滑石作為片狀無機化合物，就視為峰的繞射角2 θ與結晶面的關係而言，2 θ=9.4°對應於(002)面，18.9°對應於(004)面，28.5°對應於(006)面，36.3°對應於(132)面。
    在第7圖中，也確認到許多上述(002)、(004)、(006)、(132)面以外的繞射峰，表示片狀無機化合物未在特定的方向定向。第8圖之(00c)面以外的繞射峰比第7圖減少，表示片狀無機化合物在與基材平行的方向定向。在第8圖中，在2 θ=36.3°的位置確認到與(132)面對應的峰，其係表示來自其未與基材平行的結晶面的最大繞射強度的峰。在第9圖中，與(132)面對應的位置的峰幾乎消失，而相對地測定到與(00c)面對應的峰強度比第7圖或第8圖都大。亦即，可判斷本發明的封裝材料中的片狀無機化合物幾乎全部在與基材平行的方向進行定向。
    在本發明中，相對於100重量份基體聚合物，片狀無機化合物的調配比例較佳為20至100重量份，又較佳為40至80重量份。
    片狀無機化合物的調配量如果少於20重量份，則為不足以發揮迂回作用的量；超過100重量份時，基體聚合物的比例會相對地變少，基材密合性等基體聚合物應發揮的特性會不足。
    在本發明的基體聚合物中，還可調配起始劑、偶合劑、相容劑、消泡劑等添加劑。
    作為起始劑，可例示：過氧化物系起始劑、羧酸系起始劑、二苯甲酮系起始劑、硼鹽系起始劑、磷系起始劑、三系起始劑、磺酸鹽系起始劑、咪唑系起始劑等。
    作為偶合劑，可例示：γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、甲基丙烯酸三乙氧基矽烷、巰基三甲氧基矽烷、環氧基改性矽烷、胺酯改性矽烷、胺系鈦酸酯偶合劑、亞磷酸酯系鈦酸酯偶合劑、焦磷酸系鈦酸酯偶合劑、羧酸系鈦酸酯偶合劑等。
    作為相容劑，可例示：脂肪族二烯聚合物系相容劑、聚烯烴系相容劑、脂環型二烯系相容劑、亞乙烯系相容劑、混合有醋酸乙烯酯和丙烯醇的相容劑等。
    作為消泡劑，可例示：丙烯酸系消泡劑、低黏度聚矽氧(silicone)系消泡劑、醇系消泡劑、脂肪酸酯系消泡劑、聚醚系消泡劑等。
    該等添加劑的調配比例，較佳為相對於100重量份基體聚合物係0.1至20重量份。特佳為相對於100重量份基體聚合物係0.2至15重量份。
    在本發明，係在基體聚合物中調配片狀無機化合物及根據需要調配添加劑，並使用珠磨機、均質混合機(homo mixer)、球磨機、三輥機、揑揉機(kneader)等將其進行混合。較佳為使用球磨機、三輥機、揑揉機等進行混合，藉此可更簡便且均勻地分散片狀無機化合物。
    以上述方法將基體聚合物、片狀無機化合物、前述添加劑混合後，為了使應封裝部的間隔為一定，可以進一步混合玻璃珠狀、玻璃棒狀、樹脂珠狀等的隔離物(spacer)。在混合隔離物的情況下，為了不使隔離物變形或被破壞，較佳為使用不施加強剪切力的混合方法。
    本發明的封裝材料係上述的封裝材料組成物進行交聯反應而得。作為交聯反應，可例示熱硬化反應及/或光硬化反應等。熱硬化的條件可例示70℃×2小時+130℃×4小時或80℃×2小時或80℃×24小時。光硬化的條件可例示1至20J/cm2的條件。 (實施例)
    以下，藉由實施例進行進一步詳細說明本發明，但並不限定於該等實施例。
    用於本發明的實驗的有機裝置，係藉由以下工序製作。
    如第10圖所示，在有機薄膜太陽能電池的基板上，預先塗佈透明電極材料ITO(Indium Tin Oxide)薄膜，再進行蝕刻，藉此完成電極配置。在電極上，藉由旋塗裝置塗佈導電性材料之聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)及聚苯乙烯磺酸酯(PSS)，再於120℃進行20分鐘熱處理。在其上，藉由真空蒸鍍依序塗佈作為P型半導體材料的酞青鋅(ZnPc)、酞青鋅(ZnPc)和富勒烯(C60)混合而成的奈米結構層、以及作為n型半導體材料的富勒烯(C60)。
    最後，以LiF和Al作為陰極，並按照該順序藉由真空蒸鍍進行塗佈。藉由蔭罩(shadow mask)控製蒸鍍部位。
    在填充氮氣的手套箱(glovebox)中，將塗佈有封裝材料的封蓋和基板貼合並進行壓著，並在最後藉由紫外線照射和熱處理完成封裝步驟。又，本例示係使用玻璃珠隔離物作為裝置封裝用隔離物。 實施例1
    將100重量份作為基體聚合物的雙酚A型環氧樹脂(jER828，三菱化學製)、50重量份片狀無機化合物(雲母，平均粒徑4.5μm，長徑/厚度為25)、5重量份添加劑(碘系光陽離子聚合起始劑)、10重量份添加劑(長鏈烷基矽烷偶合劑)進行混合，利用三輥機進行混煉分散，並進行加壓過濾，將2重量份裝置封裝用隔離物進行混合並分散，得到本發明的封裝材料組成物。
    使用分配器將該組成物塗佈在上述裝置的欲封裝處，並貼合蓋部後，使用紫外線燈進行10J/cm2紫外線照射，再在80℃×1小時的條件下進行熱處理，從而進行裝置的封裝。 實施例2
    藉由揑揉機將100重量份作為基體聚合物的雙酚F型環氧樹脂(jER807，三菱化學製)、60重量份片狀無機化合物(滑石，平均粒徑3μm，長徑/厚度為20)、10重量份添加劑(銻(Sb)系光陽離子聚合起始劑)、6重量份添加劑(環氧改性矽烷偶合劑)進行混煉分散，並進行加壓過濾，將2重量份裝置封裝用隔離物進行混合、分散，得到本發明的封裝材料組成物。在與上述實施例1相同的條件下進行有機裝置的封裝。 實施例3
    藉由揑揉機將100重量份作為基體聚合物的丙烯酸改性環氧樹脂(PHTHALKYD W795，日立化成製)、55重量份片狀無機化合物(氧化矽(silica)，平均粒徑2μm、長徑/厚度為5)、5重量份添加劑(咪唑系硬化起始劑)、10重量份添加劑(環氧改性矽烷偶合劑)進行混煉分散，並進行加壓過濾，將2重量份裝置封裝用隔離物進行混合分散，得到本發明的封裝材料組成物。
    使用網版印刷裝置將該組成物塗佈在裝置欲封裝處，貼合蓋部後，在70℃×2小時+130℃×4小時的條件下進行熱硬化，從而進行裝置的封裝。 實施例4
    藉由球磨機將100重量份作為基體聚合物的雙酚F型環氧樹脂(jER807，三菱化學製)、60重量份片狀無機化合物(滑石，平均粒徑2.5μm，長徑/厚度為15)、5重量份銻系光陽離子聚合起始劑、8重量份環氧改性矽烷偶合劑進行混煉分散，並進行加壓過濾，將2重量份裝置封裝用隔離物進行混合、分散，得到本發明的封裝材料組成物。在與上述實施例1相同的條件下進行有機裝置的封裝。 實施例5
    藉由揑揉機將100重量份作為基體聚合物的丙烯酸酯型胺酯樹脂(V-4006，DIC製)、65重量份片狀無機化合物(滑石，平均粒徑3μm，長徑/厚度為2)、5重量份烷基苯酮系光自由基聚合起始劑、13重量份環氧改性矽烷偶合劑進行混煉分散，並進行加壓過濾，將2重量份裝置封裝用隔離物進行混合、分散，得到本發明的封裝材料組成物。在與上述實施例1相同的條件下進行有機裝置的封裝。 比較例1
    藉由揑揉機將100重量份作為基體聚合物的雙酚F型環氧樹脂(jER807，三菱化學製)、40重量份片狀無機化合物(滑石，平均粒徑10μm，長徑/厚度為100)、5重量份添加劑(銻(Sb)系光陽離子聚合起始劑)、15重量份添加劑(環氧改性矽烷偶合劑)進行混煉分散，並進行加壓過濾，將2重量份裝置封裝用隔離物進行混合、分散，得到封裝材料組成物。在與上述實施例1相同的條件下進行有機裝置的封裝。 比較例2
    藉由均質混合機將100重量份作為基體聚合物的雙酚A型環氧樹脂(jER828，三菱化學製)、55重量份片狀無機化合物(雲母，平均粒徑50μm，長徑/厚度為20)、5重量份添加劑(銻(Sb)系光陽離子聚合起始劑)、20重量份添加劑(環氧改性矽烷偶合劑)進行混煉分散，並進行加壓過濾，將2重量份裝置封裝用隔離物進行混合、分散，得到封裝材料組成物。在與上述實施例1相同的條件下進行有機裝置的封裝。 比較例3
    藉由三輥機將100重量份作為基體聚合物的雙酚A型環氧樹脂(jER828，三菱化學製)、50重量份片狀無機化合物(滑石，平均粒徑22.5μm，長徑/厚度為80)、3重量份添加劑(三苯基鋶硼酸鹽)、10重量份添加劑(環氧改性矽烷偶合劑)進行混煉、分散，並進行加壓過濾，將2重量份裝置封裝用隔離物進行混合、分散，得到封裝材料組成物。在與上述實施例1相同的條件下進行有機裝置的封裝。 比較例4
    藉由球磨機將100重量份作為基體聚合物的丙烯酸酯型胺酯樹脂(V-4006，DIC製)、60重量份片狀無機化合物(滑石，平均粒徑30μm，長徑/厚度為20)、5重量份添加劑(烷基苯酮系光自由基聚合起始劑)、12重量份添加劑(環氧改性矽烷偶合劑)進行混煉分散，並進行加壓過濾，將2重量份裝置封裝用隔離物進行混合、分散，得到封裝材料組成物。在與上述實施例1相同的條件下進行有機裝置的封裝。 比較例5
    藉由球磨機將100重量份作為基體聚合物的雙酚F型環氧樹脂(jER807，三菱化學製)、50重量份片狀無機化合物(氧化矽，平均粒徑15μm，長徑/厚度為50)、10重量份添加劑(咪唑系硬化起始劑)、10重量份添加劑(環氧改性矽烷偶合劑)進行混煉分散，並進行加壓過濾，將2重量份裝置封裝用隔離物進行混合、分散，得到封裝材料組成物。在與上述實施例3相同的條件下進行有機裝置的封裝。 評估方法1
    封裝材料硬化物的廣角X射線繞射測定，係藉由Rigaku製之Smart lab裝置來進行。計算用軟體係使用Rigaku公司「綜合粉末X射線解析軟體PDXL」，並將在2 θ=3至90°的範圍內出現的在與基材平行的方向進行定向的繞射峰的強度之和設為Ip、將在相同範圍內出現的在未與基材平行的方向進行定向的繞射峰的強度之和設為Inp。 評估方法2 壽命試驗
    在60℃、90%RH的環境條件下，進行封裝了的有機薄膜太陽能電池的耐久性試驗。
    藉由一邊進行耐久性試驗一邊對有機薄膜太陽能電池裝置照射紫外光，並拍攝太陽能電池裝置的螢光發光狀態。未發光處被稱為暗點，將該暗點數(或從裝置的邊緣進入的距離)作為裝置壽命評估的根據。實際測定實施例和比較例的暗點數(或自裝置邊緣的進入距離)，對裝置劣化速度進行評估。
    將暗點數到達總元件數的10%之時間定義為有機薄膜太陽能電池的壽命，並將至此所花費的時數作為耐久性試驗的結果。 評估方法3
    脫氣(outgas)的測定，係在110℃使用GC/MS(將PerkinElmer Japan股份有限公司製之Clarus 500的GC/MS併於TurboMatrix 40的頂空(headspace))進行。將得到的數據變更為甲苯換算值。 評估方法4
    水分穿透率測定係使用圓筒法(cup method)水分測定裝置來進行。測定方法係依據JIS Z 0208，測定條件為40℃、90%RH。 評估方法5
    在對黏合強度進行評估時，係首先在基材和封蓋材之間塗佈封裝材料組成物，並藉由與上述實施例1相同的方法封裝裝置。
    用夾具夾持住經封裝的裝置基材和封蓋材，使用AG-500NI(島津製作所製)進行同軸拉伸試驗，將該試驗中得到的拉伸強度作為黏合強度。
    將各實施例和比較例藉由X射線繞射得到的定向狀態、特性和結果示於表1。
    (產業上之可利用性)
    根據本發明，可以提供容易抑制水分和氧氣等氣體的穿透之具有高阻隔性，並適用於有機裝置封裝的封裝材料。該封裝材料不僅可應用於有機薄膜太陽能電池、顯示元件等有機裝置，亦可應用於對阻隔性要求高的半導體裝置，而可期待活躍在更加廣泛的領域中。
    第1圖是被廣泛認知的封裝材料中的水分和氣體的迂回理論的模型圖；第2圖是無機填料在樹脂基體中無規地分散，而水分和氣體幾乎未迂回的狀態的模型圖；第3圖是本發明的無機填料排列成緻密的層疊狀態的模型圖；第4圖是本發明的無機填料的中心線垂直地排列成緻密的層疊狀態的模型圖；第5圖是本發明的無機填料的中心線稍傾斜地排列成緻密的層疊狀態的模型圖；第6圖是混合本發明的無機填料的中心線為垂直者和為傾斜者，並排列成緻密的層疊狀態的模型圖；第7圖表示片狀無機化合物粉末的廣角X射線繞射圖形之例；第8圖表示比較例1的封裝材料的廣角X射線繞射圖形之例；第9圖表示實施例2的封裝材料的廣角X射線繞射圖形之例；第10圖是有機薄膜太陽能電池的裝置結構的概略圖。
    权利要求:
    Claims (12)
    [1] 一種有機裝置用封裝材料組成物，其是在基體聚合物中層疊狀地分散含有片狀無機化合物者。
    [2] 一種有機裝置用封裝材料，其是將申請專利範圍第1項的封裝材料組成物進行交聯反應而得者。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述的有機裝置用封裝材料，其中，基體聚合物為環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚胺酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、改性烯烴樹脂、聚酯樹脂。
    [4] 如申請專利範圍第2項所述的有機裝置用封裝材料，其中，片狀無機化合物藉由Microtrac法測得的平均粒徑為0.5μm以上且未達5μm，長徑和厚度之比(長徑/厚度)的平均值為1.3至50。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述的有機裝置用封裝材料，其中，上述長徑/厚度的平均值為1.3至25。
    [6] 一種有機裝置用封裝材料，其為將有機裝置用封裝材料組成物夾持於平行相對的2個基材中，並進行交聯反應而得到的封裝材料，該有機裝置用封裝材料組成物為在基體聚合物中層疊狀地分散含有片狀無機化合物而成者；其中，在該封裝材料之膜的X射線繞射圖形中，確認到起因於封裝材料中的片狀無機化合物之繞射峰，在繞射峰當中，非平行定向率α(Inp/Ip)在0至0.1的範圍，前述非平行定向率α(Inp/Ip)是以片狀無機化合物在與基材平行的方向進行定向的繞射峰的強度之和(Ip)為分母、以在未與基材平行的方向進行定向的繞射峰的強度之和(Inp)為分子而得者。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述的有機裝置用封裝材料，其中，上述α在0.0001至0.1的範圍。
    [8] 如申請專利範圍第6項至7項中任一項所述的有機裝置用封裝材料，其中，Ip為可歸屬於(00c)面的峰的強度之和，Inp為(abc)面(a或b均不為0)的峰的強度之和。
    [9] 一種有機裝置用封裝材料，其是藉由熱硬化或光硬化將申請專利範圍第1項的封裝材料組成物進行交聯反應而得者。
    [10] 一種有機裝置用封裝材料組成物，其是在基體聚合物中層疊狀地分散含有片狀無機化合物而成者，該片狀無機化合物藉由Microtrac法測得的平均粒徑為1μm以上且未達5μm，長徑和厚度之比(長徑/厚度)的平均值為1.3至50。
    [11] 有機裝置用封裝材料，其為將封裝材料組成物進行交聯反應而得到的封裝材料，且為將前述封裝材料組成物夾持於平行相對的2個基材而進行交聯反應而得到的封裝材料，該封裝材料組成物為在基體聚合物中層疊狀地分散含有片狀無機化合物而成者，該片狀無機化合物藉由Microtrac法測得的平均粒徑為0.5μm以上且未達5μm，長徑和厚度之比(長徑/厚度)的平均值為1.3至50；其中，在該封裝材料之膜的X射線繞射圖形中，確認到起因於封裝材料中的片狀無機化合物之繞射峰，在繞射峰當中，非平行定向率α(Inp/Ip)在0至0.1的範圍；該非平行定向率α(Inp/Ip)是以片狀無機化合物在與基材平行的方向進行定向的繞射峰的強度之和(Ip)為分母、以在未與基材平行的方向進行定向的繞射峰的強度之和(Inp)為分子而得者。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述的有機裝置用封裝材料，其中，Ip為可歸屬於(00c)面的峰的強度之和，Inp為(abc)面(a或b均不為0)的峰的強度之和。
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