台湾专利TW201313076A 電漿處理裝置

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专利摘要:
本發明係一種電漿處理裝置，其配置有配置於腔室1之上部之開口部並藉由微波驅動而產生電磁場之天線部3，於天線部3下部設置密封腔室1之開口部之頂板4，並於頂板4之下面側設置環狀突條41，使徑方向之厚度錐狀地連續性地變化，藉此即使於電漿之任一條件亦可於某處共振。藉此，僅準備1種頂板即可取得與準備各種厚度之頂板同樣之效果，從而可飛躍性地提高對電漿之吸收效率，遍及高壓至低壓均可產生穩定之電漿。
公开号:TW201313076A
申请号:TW101143844
申请日:2004-09-03
公开日:2013-03-16
发明作者:Toshihisa Nozawa；Kiyotaka Ishibashi
申请人:Tokyo Electron Ltd；
IPC主号:H01J37-00

专利说明:
電漿處理裝置
本發明係關於一種電漿處理裝置，特別是關於一種介以密封腔室內之開口部之包含介電體之頂板放射供給至天線的微波，藉此於腔室內產生電漿之電漿處理裝置。
近年來，伴隨著半導體裝置之高密度化及微細化，於半導體裝置之製造步驟中，使用電漿處理裝置用以實施成膜、蝕刻、灰化等之處理。特別是，於使用微波產生電漿之微波電漿處理裝置中，基於約0.1~10 Pa之相對壓力較低(高真空)之條件下亦可安心地產生電漿。故而，例如使用頻率為2.45 GHz之微波的微波電漿處理裝置備受矚目。
圖18係表示如此之先前之電漿處理裝置之一例的剖面圖。於圖18中，電漿處理裝置包含：腔室1，其用以收容基板11並於基板11實施特定之處理；高頻電源5，其用以產生微波；以及天線部3，其用以放射微波至腔室1內。
天線部3之構成為含有槽板3c與慢波板3b以及天線罩3a。於槽板3c形成有用以朝向腔室1內放射微波之複數個槽(開口部)。藉由高頻電源5產生之微波由導波管6送至天線部3。於腔室1之上部配設有構成腔室1之隔壁之一部分之頂板4，於頂板4與腔室1之隔壁之間設置有例如O環等之密封構件14。天線部3配置於該頂板4之上方。
於腔室1內設有用以保持所收納之基板11之晶座7。再者，於腔室1連接有用以將腔室1內排氣之真空泵9。藉由該真空泵9將腔室1內排氣，於特定之壓力範圍之下，例如將氬氣導入至腔室1內作為用以生成電漿之氣體。
於上述電漿裝置中，藉由高頻電源5產生之微波經由導波管6，到達天線部3。到達天線部3之微波於慢波板3b內傳播，介以槽板3c輻射至頂板4。於頂板4中，微波於面方向產生振動，自中心部朝向周邊部傳播，從而於腔室1內產生電磁場。藉由產生於腔室1內之電磁場電離氬氣，並於基板11與頂板4之間形成電漿生成區域22，於基板11進行特定之電漿處理。
於如此之電漿處理裝置中，需要於基板11均一照射電漿。然而，於頂板4之中心部與周邊部因電漿強度不同，故於日本專利特開2002-299240號公報中揭示有以下之情形：形成頂板4為凹面形狀，從而使基板11與頂板4之周邊部之距離接近，藉此可補償於基板11之周邊部之電漿密度之降低，於低壓處理中亦可維持電漿，從而可實施穩定之電漿處理。
又，日本專利特開2003-59919號公報中揭示有以下之情形：於介電體窗以電漿激勵區域不直接接觸處理容器壁之金屬表面之方式形成環狀之套管，從而於基板表面可獲得均一之電漿密度。
於電漿裝置中，於減壓內部之腔室1中為確保其強度，對抗外氣壓入之力，要求作為頂板4於面方向有一定程度之厚度。頂板4藉由介電體而構成，於介電體藉由微波形成共振區域，產生較強之電場，從而形成駐波，藉由該駐波於腔室1內產生電磁場，從而電漿密度變高。為製作駐波需要適當之介電體之厚度。
圖19A~圖19E係表示依賴於頂板之厚度之電場強度分佈的圖。圖19A表示頂板4之面方向之厚度為22.8 mm時的電場強度分佈，中心之斜線所示之部分為電場強度較強之部分。圖19B表示頂板4之厚度為27.8 mm時的電場強度分佈，與圖19A相比電場強度分佈自中心向周邊有所擴散。圖19C表示頂板4之厚度為31.6 mm時的電場強度分佈，電場強度分佈除頂板4之中心部分之外亦分佈至周邊，成為最適合之厚度。圖19D表示頂板4之厚度為32.8 mm時之電場強度分佈，電場強度分佈僅中心部分為較強。圖19E表示頂板4之厚度為37.8 mm時之電場強度分佈，中心部分之電場強度為較強。
於圖18所示之電漿處理裝置中，若改變腔室1內之壓力或微波之電力等電漿條件，則電漿表面附近之電子密度會變化，故電漿滲入物質之滲入深度會產生變化。若降低壓力則擴散係數會增大，故而會使電漿表面附近之電子密度降低，從而增加滲入深度。若如此改變電漿條件則介電體適當的厚度會改變，故導致用以形成駐波之共振區域偏離。故而，通常存有為於最適當之狀態產生電漿，必須準備具有與電漿條件相對應之各種厚度之介電體的問題。又，微波向低壓之電漿的吸收效率較差，故於低壓(20 mTorr)時難以生成穩定之電漿。
因此，本發明之目的在於提供一種電漿處理裝置，其按照電漿條件於頂板內形成最適當的共振區域，遍及高壓至低壓於腔室內可產生穩定之電漿。
本發明之電漿處理裝置，其特徵在於包含：電漿產生室，其收納被處理基板並產生電漿；天線，其配置於電漿產生室上部之開口部，藉由微波驅動而產生電磁場；頂板，其設置於天線之下部，於面方向具有均勻之特定之厚度，密封電漿產生室之開口部；及錐狀凸部或凹部，其形成於頂板之下面側。
於本發明中，藉由形成於頂板之凸部或凹部之錐狀部分，使徑方向之厚度連續地變化，於電漿之任一條件亦可於某處使其共振而形成最適當的共振區域。因此，僅準備1種頂板即可取得與準備各種厚度之頂板同樣之效果。藉此，可飛躍性地提高對電漿之吸收效率，遍及高壓至低壓皆可產生穩定之電漿。
較好的是，頂板藉由凸部或凹部包含壁厚較薄之部分與較厚之部分，壁厚較薄之部分之厚度選定為λ/4±λ/8。
頂板之凸部或凹部由以下之態樣而形成，於頂板之厚度較厚之部分形成共振區域，提高電漿密度。
即，凸部或凹部含有於頂板之下面形成環狀之突條，突條可與頂板之中心同心地於徑方向形成複數個，或突條係頂板側之徑方向厚度比前端側之徑方向之厚度厚地形成。
較好的是，凸部或凹部包含形成於頂板之下面之圓錐狀之突起，圓錐狀之突起形成於頂板之中心下面。該圓錐狀之突起設置有複數個，複數個圓錐狀之突起亦可配置為環狀。
較好的是，凸部或凹部包含複數個環狀凹部、形成於複數個環狀凹部之間之朝下的第1突條及形成於最外周之環狀凹部之外側之朝下的第2突條。
較好的是，第2凸部之壁厚比第1凸部之壁厚厚地形成。
較好的是，於頂板之天線側之中心部形成有凹部，於凹部配置有與頂板之介電常數不同之物質。
較好的是，頂板之凹部之深度形成為λ/8以上之深度或λ/4以上之深度。
較好的是，於頂板之被處理基板側之中心部形成有凸部，於凸部之周邊之頂板的壁厚為λ/4±λ/8。
較好的是，被處理基板為圓板狀，設被處理基板之半徑為R時，於自頂板之中心比半徑R外側至少形成有1個凸部或凹部。
較好的是，設頂板與處理基板之距離為D時，於自頂板之中心比半徑D內側至少形成有1個凸部或凹部。
較好的是，天線包含槽分佈而形成於面上之槽板，於頂板，對應於槽板上之槽之位置形成有凸部或凹部。
圖1係於本發明之一實施形態之電漿處理裝置的剖面圖，圖2為由下面所見之圖1所示之介電板之圖。
電漿處理裝置與上述圖18同樣，包含：腔室1，其用以收容基板11並於基板11實施特定之處理；以及天線部3，其用以放射微波至腔室1內。
藉由未圖示之高頻電源產生之微波，藉由導波管6送至天線部3。於腔室1之上部配設有密封腔室1之開口部且構成腔室1之隔壁之一部分的頂板4，於頂板4與腔室1之隔壁之間設有例如O環等之密封構件14。天線部3配置於該頂板4之上方。於天線部3之上部設置有於內部流動有冷卻劑之冷卻板10。
於腔室1內設置有用以保持所收納之基板11之晶座7。晶座7具有用以加熱基板11之加熱功能。進而，於腔室1中，為排氣腔室1內，連接有圖18所示之真空泵。藉由該真空泵將腔室1內排氣，於特定之壓力範圍下例如將氬氣導入至腔室1內作為用以生成電漿之氣體。
於上述電漿裝置中，藉由高頻電源產生之微波經由導波管6，到達至天線部3。到達至天線部3之微波於慢波板3b內傳播，介以槽板3c於頂板4形成共振區域，產生駐波，從而於腔室1內產生電磁場。藉由產生於腔室1內之電磁場離解氬氣，於基板11與頂板4之間形成電漿生成區域22，於基板11進行特定之電漿處理。
頂板4為確保強度對抗外氣壓入之力，於面方向形成為具有均一之特定厚度之圓板狀，並於其下面形成有凸部或凹部。更具體的是，自頂板4之周緣於徑方向隔開特定之間隔，於周邊部形成有與頂板4之中心同心之環狀突條41作為凸部或凹部。該突條41形成為下述之凸部或凹部：外周面垂直於頂板4之下面，內周面對於頂板4以具有特定之角度之方式形成為錐狀，剖面為矩形。於頂板4之周邊部形成突條41係因為於頂板4自天線部3供給有微波，對於中心部之電漿密度較為密集，周邊部較為稀疏，為了提高周邊部之電漿密度。
圖3係用以說明微波於頂板內傳播之狀態之圖。頂板4藉由突條41包含壁厚較厚之部分，與除此以外之壁厚較薄之部分，選定壁厚較薄之部分之厚度為λ/4±λ/8，藉此於頂板4之壁厚較厚之部分微波將變得難以傳播。
就其理由予以說明，則係因為於通過頂板內之電磁波之形態中，存有模式A與模式B。模式A於電子密度成為特定值以上時存在，模式B僅於電子密度相對較小之情形時存在，故於一定程度電子密度較高時可抑制藉由模式B之微波傳播。
但是，其較大地依賴於頂板之厚度，於λ/4以上之厚度時，若越厚則可抑制於模式B中之傳播之電子密度的下限會越高。若為λ/2以上，則可不依賴電子密度而存在模式B，故無法抑制於模式B中之傳播。相反，於λ/4以下時，可抑制於模式B中之傳播之電子密度的下限不會改變。故而，考慮到頂板之強度，則λ/4時最適合。但是，若於±λ/8之範圍內，則可大致抑制於模式B中之傳播。
供給至天線部3之微波自天線部3之槽向下方向放射，如圖3所示於頂板4內反射，其重複於頂板4內之反射而於面方向振動形成共振區域，從而成為駐波。進入至突條部41之微波於突條部41內部之側壁多重反射，儲存於頂板4內，難以射出至電漿生成區域22，故於突條部分41較容易儲存微波。藉此，可提高藉由形成突條41之周邊部之電漿密度。突條41部分於頂板4之周邊部構成共振區域，微波於直交於頂板4之面方向之徑方向振動。
突條41以頂板4側之徑方向厚度較厚，相對於此，前端側之徑方向厚度較薄之方式形成為錐狀，故於徑方向振動之振幅與突條41之厚度必定存有一致之部分。即，突條41於頂板4之周邊部構成共振區域，且共振區域對應於電漿密度自動地上下變動，故於電漿之任一條件中於任一處均存在共振之處。
藉此，因可於頂板4形成最適當之共振區域，故而會產生較強之電場，可形成駐波，從而可提高電漿密度，跨越較高之壓力至較低之壓力均可產生穩定之電漿。
再者，該突條41可於外周面側以及內周面側均形成為錐狀。又，可與頂板4之厚度相對應，任意選擇配置突條41之位置或形狀。
上述之日本專利特開2002-299240號公報中，就形成為圓頂狀之頂板予以揭示，但圓頂狀之情形時共振場所會於半徑方向大幅度移動，且電漿較強之場所亦會移動，從而均一性產生變化。對此，本發明中藉由突條41於頂板4之外周或中心附近聚集電漿，藉此可進行均一性之調整，於此方面相異。
圖4係表示形成於本發明之其他實施形態之頂板的凸部之變形例的剖面圖，係於頂板4之大致中心之下部朝下形成作為凸部之圓錐狀之突起42者。於此例中，因可於形成有突起42之中心部周邊形成共振區域，故可提高中心部周邊之電漿密度，從而於頂板4之中心部周邊電場強度較小之情形時亦有效。
圖5係於頂板4之周邊形成環狀突條43，其外周面及內周面均形成為錐狀者。因其外周面以及內周面均形成為錐狀，藉此可增大突條43之頂板側之徑方向厚度與前端側之徑方向厚度之差，故而可擴大形成於突條43之周邊之共振區域，從而可提高其周邊之電漿密度。
圖6係除圖2所示之周邊部之突條41以外，於中心部形成有徑方向之厚度厚於突條41之圓錐狀的突起44者。於此例中，藉由突條41於周邊部形成共振區域，並且藉由突起44於中心部形成共振區域，藉此即使輸入振幅大於突條41之徑方向厚度的微波，因可於中央之突起44構成共振區域，故可於中心部提高電漿密度。
圖7係表示形成於本發明之進而其他實施形態中之凹部之頂板的剖面圖，係於頂板4之大致中央部設置有朝下開口之圓形凹部401者。凹部401以下部之開口徑較大之方式內周面形成為錐狀。藉由該凹部401，於其外側形成有凸部402。於此例中，因可於凸部402之壁厚較厚之部分形成共振區域，故而可提高於該部分之電漿密度，於頂板4之周邊部分之電場密度較小之情形時亦有效。
圖8係設置有與頂板4同心之環狀凹部403者。凹部403之外周面及內周面以下部之開口徑較大之方式形成為錐狀。藉由該凹部403，於其內側形成有朝下之凸部404，於其外側形成有突條405。於此例中，因可於凸部404與突條405之壁厚較厚之部分形成共振區域，故可提高於此等部分之電漿密度。
圖9係形成有於頂板4之大致中央部朝下開口的圓形凹部406，與於凹部406之外側之環狀凹部407者。凹部406以下部之開口徑較大之方式外周面形成為錐狀，凹部407與圖8之凹部403同樣，外周面及內周面以下部之開口徑較大之方式形成為錐狀。於此例中，於凹部406之外側形成有突條408，於凹部407之外側形成有突條409，且於突條408與409之壁厚較厚之部分可形成共振區域，故可提高於此等部分之電漿密度。
圖10係表示形成於本發明之進而其他實施形態中之頂板之凹部之變形例的剖面圖。該實施形態係代替圖9所示之例中之凹部406與環狀凹部407，形成有凹部410與環狀之凹部411者。凹部410與411朝下開口，但凹部410之外周面並非形成為錐狀而係形成為圓弧狀，凹部411之外周面及內周面亦形成為圓弧狀。故而，於本發明之錐狀中亦含有圓弧狀者。
如此頂板4之厚度以圓弧狀地變化之方式而形成，藉此與圖9同樣，於凹部410及環狀凹部411之間形成有突條412，於凹部411之外側形成有突條413，並可於此等之壁厚較厚之部分形成共振區域，故可提高於此等部分之電漿密度。
再者，於圖1~圖10所示之實施形態中，形成於頂板4之錐狀部，如圖11所示較好的是於基板11之半徑R外側至少形成1個。藉此，可使於基板11之端部附近之電漿密度不會過度變低。
進而，更好的是，形成於頂板4之錐狀部於將圖11所示之頂板4與基板11之間之距離設為D時，較好的是自頂板4之中心開始向半徑D內側至少形成有1個。藉此，可使頂板4之中心附近之電漿不會過度變低。
圖12係表示形成於本發明之進而其他實施形態中之頂板的凹部之變形例之剖面圖。圖12所示之例係於頂板4之中心部形成朝下突出之凸部421，該凸部421之外側附近之頂板4之厚度選定為λ/4±λ/8。進而，於凸部421之外側形成有朝下開口之環狀凹部422，並且於凹部422之外側形成有朝下突出之壁厚較厚之凸部423，除凸部423之外周部以外，於下面同心地形成有複數個環狀溝424。凸部421之外周面與凸部423之內周面形成為錐狀。
於此例中，可藉由於凹部422之外側形成有壁厚較厚之凸部423，提高強度。又，於該凸部423部分中之電漿密度變高，電場密度亦變高，從而會較容易地放射電漿，但可藉由複數個環狀溝424抑制自其表面放射電漿，而自未形成溝424之最外周部較容易地放射電漿。
進而，於作為頂板4之天線3側之大氣側形成有凹部425。較好的是該凹部425其深度形成為λ/8以上，更好的是形成為λ/4以上。於凹部425中配置有介電常數與大氣、優良導體或頂板4不同之物質(未圖示)。此係為改善以下之問題：因微波較強反射於頂板4之中心部之凹部425附近，故於該部分電漿往往過強。若凹部425之周邊部之壁厚接近λ/4，則會進而促進其效果。
再者，凹部425並非僅限於頂板4之天線3側之中心部，亦可形成於周邊。
圖13所示之例係於頂板4之中心部之下部形成突出之凸部421，於凸部421之外側形成下部經開口之環狀凹部422，並於凹部422之外側朝下形成突條426，進而於突條426之外側形成下部經開口之環狀凹部427，於凹部427之外側形成朝下突出之環狀突條428者。形成於最外周之突條428形成為壁厚厚於凸部421及突條426之壁厚。又，凹部422及427之外周面及內周面形成為錐狀。
於此例中，可藉由形成有突條426，保持頂板4之機械性強度。又，於突條426與428形成共振區域，但與突條426相比最外周之突條428部分之壁厚較厚地形成，藉此可使該部分之電漿密度高於突條426之電漿密度。
於圖14所示之例中，於頂板4之中央部朝下形成圓板狀凸部429，於其下面同心地形成複數個溝430，於凸部429之外側形成開口朝下之環狀之凹部431，且於凹部431之外側形成有朝下突出之突條432。突條432形成為壁厚厚於凸部429。於此例中，可藉由頂板4之中央部之凸部429，使壁厚較厚，從而提高機械性強度。因凸部429壁厚較厚，故較容易傳播電漿，密度提高，但藉由形成有溝430，從而難以放射電漿。並且，於凹部431之壁厚較薄之部分難以傳播電漿，故可提高於最外周部之突條432中之電漿密度。再者，於此例中，與圖12同樣，於作為頂板4之天線3側之大氣側亦形成有凹部425。又，如圖示所示，凹部431係組合錐狀部分433與圓弧狀部分434之形狀，從而具有考慮到其加工性之構造，並具有相同之電漿控制效果。
圖15係表示槽板之槽之圖，圖16係與圖15所示之槽之位置相對應形成有突條者。即，如圖15所示於圓板狀槽板3c形成有於同心圓上排列為三重環狀之槽31、32、33。輸入導波管6之微波介以槽板3c之槽31、32、33放射至腔室1內產生電磁場。故而，頂板4中與槽31、32、33之位置相對應之部分之電場強度為最大。
因此，如圖16所示與各槽31、32、33之各位置相對應地形成有環狀之複數個突條45、46、47。此等突條45、46、47與圖1所示之突條41同樣，外周面垂直於頂板4之下面，內周面對於頂板4以具有特定角度之方式形成為環狀，但外周面側亦可形成為環狀。頂板4中與各槽31、32、33之各位置相對應之部分之電場強度較強，於此部分形成共振區域，藉此可使電漿均一。
圖17係由下側所見表示本發明之進而其他實施形態之頂板的圖。上述圖16所示之實施形態中，與槽板3c之各槽31、32、33之位置相對應地形成環狀突條45、46、47，對此，於該實施形態中，與各槽31、32、33之各位置相對應配置有多數個分別獨立且直徑較小之圓錐狀突起48。於該實施形態中，亦可將各槽31、32、33產生之較強電場強度藉由多數個突起48分散共振。
於本發明中，於頂板4之厚度形成為21 mm，頂板4之直徑為280 mm，突條41之直徑為220 mm，突出高度為22 mm時，即使作為電漿條件之例如電漿之壓力變化為1~100 Torr，微波之輸出變化為100~3000 W時，亦可產生穩定之電漿。
雖參照圖式說明本發明之一實施形態，但本發明並非僅限於圖示之實施形態者。於與本發明同一範圍內，或於均等之範圍內，可對於圖示之實施形態加以各種改變。 [產業上之可利用性]
可利用於一種電漿處理裝置，其於藉由微波驅動產生電磁場之天線部3之下部設置密封腔室1之開口部的頂板4，於頂板4之下面側設置環狀突條41，使徑方向之厚度錐狀地連續性變化，從而使於電漿之任一條件中任一處均共振，藉此跨越高壓至低壓均可產生穩定之電漿。
1‧‧‧腔室
3‧‧‧天線部
4‧‧‧頂板
5‧‧‧高頻電源
6‧‧‧導波管
7‧‧‧晶座
9‧‧‧真空泵
10‧‧‧冷卻板
11‧‧‧加熱基板
14‧‧‧密封構件
22‧‧‧電漿生成區域
3b‧‧‧慢波板
3a‧‧‧天線罩
3c‧‧‧槽板
31,32,33‧‧‧槽
42,44,48‧‧‧突起
41,43,46,47,405,408,409,412,413,426,428,432,45‧‧‧突條
401,403,406,407,410,411,422,425,427,431‧‧‧凹部
402,404,421,423,429‧‧‧凸部
424,430‧‧‧溝
433‧‧‧錐狀部分
434‧‧‧圓弧狀部分
圖1係於本發明之一實施形態之電漿處理裝置的剖面圖。
圖2係自下面所見之圖1所示之頂板之圖。
圖3係用以說明於頂板內傳播微波之狀態的圖。
圖4係表示於本發明之其他實施形態中之頂板中心部形成有凸部之例的剖面圖。
圖5係表示於本發明之其他實施形態中之頂板周邊部形成有凸部之例的剖面圖。
圖6係表示於本發明之其他實施形態中之頂板中心部與周邊部形成有凸部之例的剖面圖。
圖7係表示於本發明之其他實施形態中之頂板中心部形成有凹部之例的剖面圖。
圖8係表示於本發明之其他實施形態中之頂板周邊部形成有凹部之例的剖面圖。
圖9係表示於本發明之其他實施形態中之頂板中心部與周邊部形成有凹部之例的剖面圖。
圖10係表示於本發明之其他實施形態中之頂板中心部與周邊部形成有凹部之例的剖面圖。
圖11係用以說明形成凸部或凹部之頂板之位置的圖。
圖12係表示形成於本發明之進而其他實施形態中的頂板之凹部之變形例的剖面圖。
圖13係表示形成於本發明之進而其他實施形態中的頂板之凹部之變形例的剖面圖。
圖14係表示形成於本發明之進而其他實施形態中的頂板之凹部之變形例的剖面圖。
圖15係表示槽板之槽之圖。
圖16係表示與圖15所示之槽板之槽相對應於頂板形成有突條之例的圖。
圖17係自下側所見表示本發明之進而其他實施形態之頂板的圖。
圖18係表示先前之電漿處理裝置之一例的剖面圖。
圖19A-圖19E係表示依賴於頂板之厚度之電場強度分佈的圖。
1‧‧‧腔室
3‧‧‧天線部
3b‧‧‧慢波板
3c‧‧‧槽板
4‧‧‧頂板
6‧‧‧導波管
7‧‧‧晶座
10‧‧‧冷卻板
11‧‧‧加熱基板
14‧‧‧密封構件
22‧‧‧電漿生成區域
41‧‧‧突條

权利要求:
Claims (2)
[1] 一種電漿處理裝置，其包含：電漿產生室，其收納被處理基板，並產生電漿；天線，其配置於上述電漿產生室之上部之開口部，藉由微波驅動而產生電磁場；及頂板，其設置於上述天線之下部，密封上述電漿產生室之開口部；上述頂板包含環狀之凹部，其形成於上述頂板下面之中央附近，具有至少一個錐部；上述具有錐部之環狀之凹部之頂部具有平端部；上述天線包含複數之槽以特定圖案分佈之方式所形成之槽板；至少一個環狀之凹部係於上述槽天線中對應槽之上述特定圖案之位置延伸存在之方式形成於上述頂板下面。
[2] 一種電漿處理裝置，其包含：電漿產生室，其收納被處理基板，並產生電漿；天線，其配置於上述電漿產生室之上部之開口部，藉由微波驅動而產生電磁場；及頂板，其設置於上述天線之下部，密封上述電漿產生室之開口部；上述頂板係包含形成於其下面側而配列成環狀之複數的圓錐狀突起；上述圓錐狀突起係對應於槽天線之槽所形成。

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法律状态:

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

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