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    提供一種高度可靠的發光裝置。提供一種其中防止由於金屬遮罩所致之問題的發光裝置。提供一種其中防止由於發光元件之上電極層的電阻所致之問題的發光裝置。一電極層被事先設於一基底上；及一EL層和一上電極層被形成以相同型態而不使用金屬遮罩以重疊與該電極層。之後，該電極層被電連接至該上電極層。當作一種連接方法，係使用一種雷射光照射方法、一種其中施加物理壓力之方法、或一種其中在施加物理壓力之狀態下執行加熱的方法，等等。
    公开号:TW201312822A
    申请号:TW101118334
    申请日:2012-05-23
    公开日:2013-03-16
    发明作者:Hiroki Adachi；Yohei Momma
    申请人:Semiconductor Energy Lab；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    發光裝置的製造方法及發光裝置
    本發明係有關一種應用有機EL元件之發光裝置的製造方法。此外，本發明係有關一種應用有機EL元件之發光裝置。
    有機EL元件已被積極地研究與開發。於有機EL元件之基本結構中，一含有發光有機化合物之層被插入於一對電極之間。藉由施加電壓至此元件，可獲得來自發光有機化合物之光發射。
    有機EL元件可被形成為膜形狀；因此，可輕易地形成大面積元件。因此，有機EL元件具有當作其可應用於照明等之表面光源的高實用值。
    例如，專利文件1中揭露一種使用有機EL元件之照明裝置。
    此外，關於有機EL元件，有一種頂部發射型，其中光被提取自一基底之側(於該側上形成一有機EL元件)；一種底部發射型，其中光被提取自基底之側(該側係相反於其上形成有機EL元件之側)；及一種雙發射型，其中光被提取自兩側。 〔專利文件〕
    〔專利文件1〕日本公告專利申請案編號2009-130132
    於其中有機EL元件(於下文中亦稱為EL元件或發光元件)被應用於照明裝置之情況下，由於包括在發光元件中之上電極層或下電極層的電阻所致的壓降常隨著發光部分之面積增加而成為顯著的。當壓降是顯著的時，發生一個問題就是可能會看到亮度梯度。為了防止此一問題，上電極層或下電極層需設有一當作輔助之電極層(於下文中亦稱為輔助電極層)，其係使用一具有低電阻率之材料而形成。
    特別地，用於光提取側上之透明電極層的透光導電材料具有相當高的電阻；因此，需提供輔助電極層。然而，特別在其中從基底表面側獲得光發射之頂部發射型(包括雙發射型)的情況下，需在發光元件之形成後形成輔助電極層之一型態；因此，可能損壞發光元件。例如，於其中藉由濺射法以形成一將成為輔助電極層之導電膜的情況下，則考量對於發光元件之熱或物理損害。此外，當藉由光微影法等以處理導電膜時，則發生如下問題：對於發光元件之光學或熱損害、利用有機溶劑之發光元件的溶解(例如，於抗蝕劑之移除的時刻)，等等。
    同時，關於發光元件之形成，提供一種真空蒸鍍法，以當作一種在一形成於具有絕緣表面之基底上的下電極層上堆疊一依序含有發光有機化合物及上電極層之層的方法之範例。當作一種藉由真空蒸鍍法以形成島狀層之方法，已知一種使用金屬遮罩(亦稱為陰影遮罩)之方法，該金屬遮罩為一設有開口之金屬板。金屬遮罩係設於一基底與一將接觸該基底的蒸鍍源之間，且蒸鍍係通過該金屬遮罩中之開口而被執行於該基底上，藉此可形成依據該開口之形狀的島狀型態。注意：隨著介於該金屬遮罩與該基底之間的距離變短，得以形成一具有根據該開口之更清楚形狀(換言之，其周邊較不模糊的形狀)的島狀層。
    另一方面，當使用金屬遮罩以接觸基底時，問題發生之機率變高。例如，於某些情況下，基底表面受到金屬遮罩中之開口的邊緣所損害。明確地，在將金屬遮罩放置為接觸基底的時刻，金屬遮罩可能刮傷基底表面，因而毀壞其已被形成於基底上之另一層。特別地，介於金屬遮罩的開口邊緣與一接近發光區的區之間的重疊可能使該發光元件短路。此外，於某些情況下，附著至金屬遮罩之灰塵(包括稱為微粒之小型外物)係從金屬遮罩被轉移至基底。
    此外，大型基底之大型金屬遮罩的使用可能造成一問題，即由於其使用為金屬遮罩之金屬板的彎曲等導致型態被位移。假如增加金屬板之厚度以防止此問題，則發生一問題即島狀型態之一周邊部分被金屬板所遮蔽而該型態變得模糊(形成一其中含有發光有機化合物之層很薄的區)；或者發生一問題即金屬遮罩本身之重量被顯著地增加，導致處理之困難。
    本發明係有鑑於前述技術背景而產生。因此，本發明之一實施例的目的在於提供一種高度可靠的發光裝置。更明確地，一目的在於提供一種其中防止由於金屬遮罩所致之問題的發光裝置。另一目的在於提供一種其中防止由於發光元件之上電極層的電阻所致之問題的發光裝置。
    本發明之一實施例達成上述目的之至少一者。
    為了達成上述目的之至少一者，利用一種發光裝置之製造方法，藉此其被包括於一發光元件中之EL層和上電極層可被形成以相同的型態而不使用金屬遮罩。此外，在形成EL層和上電極層之步驟前執行一形成待電連接至上電極層之電極層(亦稱為連接電極層)的步驟。然而，因為具有高電阻之EL層被置於上電極層與連接電極層之間，所以難以藉由僅使用此一方法來獲得介於其間的電連接。
    有鑑於前述問題，本發明之一實施例利用下列方法：一連接電極層被事先設於一具有絕緣表面之基底上；一EL層和一上電極層被形成以相同型態而重疊與該連接電極層；及接著該連接電極層被電連接至該上電極層。當作一種將該連接電極層電連接至該上電極層之方法，係使用(例如)一種雷射光照射方法、一種其中施加物理壓力之方法、或一種其中在施加物理壓力之狀態下執行加熱的方法。
    當此一連接電極層被形成以被絕緣自一包括在該發光元件中之下電極層時，該連接電極層可被使用為一輔助電極層，用以支援該發光元件之該上電極層的導電性。再者，當該連接電極層被提供以被電連接至一設於該基底上之佈線(例如，一用以供應外部電力之佈線)時，則該發光元件中所包括之該上電極層和該佈線可透過該連接電極層而被彼此電連接。亦即，依據本發明之一實施例的發光裝置之製造方法，可以相同步驟來形成該輔助電極層和該連接電極層，該輔助電極層係電連接至該上電極層並支援其導電性，而該連接電極層係電連接至其設於該基底上之該佈線。
    換言之，本發明之一實施例係一種發光裝置之製造方法，包括下列步驟：形成一連接電極層於一絕緣表面上，形成一含有發光有機化合物之層於該連接電極層上；形成一第二電極層於該含有發光有機化合物之層上；及電連接該連接電極層至該第二電極層。
    以此方式，該含有發光有機化合物之層(亦稱為EL層)和該第二電極層(亦稱為上電極層)被形成以覆蓋該連接電極層，且接著該上電極層和該連接電極層被彼此電連接；因此，該連接電極層可被確定地電連接至該上電極層，即使當該EL層和該上電極層被形成以相同型態而不使用金屬遮罩時。因此，可製造一種發光裝置，其中防止了由於金屬遮罩所致之問題。
    本發明之另一實施例係一種發光裝置之製造方法，包括下列步驟：形成一第一電極層於一絕緣表面上；形成一連接電極層於該絕緣表面上以被電絕緣自該第一電極層；形成一含有發光有機化合物之層於該第一電極層和該連接電極層上；形成一第二電極層於該含有發光有機化合物之層上；及電連接該連接電極層至該第二電極層。
    連接電極層被形成以被電絕緣自該第一電極層(於下文中亦稱為下電極層)，藉此連接電極層可被使用為一用以支援該上電極層之導電性的輔助電極層。因此，可製造一種發光裝置，其中防止了由於金屬遮罩所致之問題以及由於發光元件之上電極層的電阻所致之問題。
    於發光裝置之製造方法中，連接電極層可被電連接至該第二電極層，藉由利用雷射光照射一其中該連接電極層與該第二電極層彼此重疊之區。
    雷射光照射可促成介於該上電極層與該連接電極層之間的確定電連接。
    於發光裝置之製造方法中，雷射光可被傳遞通過一被設置以面對該絕緣表面之透光基底。
    雷射光照射可被執行在該發光元件被密封與反向基底之後。因此，該利用雷射光之照射步驟可被執行於空氣中，而因此可簡化一種用於雷射照射之設備的結構。此外，即使當雷射照射被執行於空氣中時，發光元件仍不會暴露至空氣。因此，可製造一種高度可靠的發光裝置。
    發光裝置之任何上述製造方法可包括(在該連接電極層被電連接至該第二電極層之後)下列步驟：藉由施加電壓於該第一電極層與該第二電極層之間以檢測一具有光發射缺陷之部分；藉由利用雷射光照射該具有光發射缺陷之部分以隔離該具有光發射缺陷之部分。
    以此方式，檢測到一具有光發射缺陷之部分並執行雷射光照射，藉此可於該製造程序中絕緣該具有光發射缺陷之部分。因此，可製造一種其中減少了光發射缺陷之高度可靠的發光裝置。
    本發明之另一實施例係一種發光裝置，包括：位於一絕緣表面上之一第一電極層和一連接電極層、位於該第一電極層和該連接電極層上之一含有發光有機化合物之層、及一位於該含有發光有機化合物之層上的第二電極層。於該發光裝置中，連接電極層被電連接至該第二電極層，在一位於該連接電極層上且利用雷射光而照射之區中。
    其因而在該利用雷射光而照射之區中被電連接至該上電極層的連接電極層可被使用為一連接至一設於具有絕緣表面之基底上的佈線之連接電極層，或使用為一用以支援該上電極層之導電性的輔助電極層。因此，可於該發光裝置中防止由於發光元件之上電極層的電阻所致之問題。
    於該利用雷射光而照射之區中，形成一連接部分，其中該上電極層與該連接被焊接在一起、形成合金；或者被彼此實體地接觸，以致該上電極層與該連接電極層係透過該連接部分而被彼此電連接。
    此外，一利用雷射光而照射之區的光學性質有時候不同於一未利用雷射光而照射之區的光學性質。該上電極層與該EL層之一或兩者係藉由雷射光照射而被汽化、被減少厚度、或被修飾，其造成諸如光反射率或光透射率等光學性質之改變。藉由利用(例如)光學顯微鏡可檢測此一其光學性質係藉由雷射光照射而被改變的區。
    於該發光裝置中，該第二電極層可具有針對從該含有發光有機化合物之層射出之光的透光性質。
    於該發光裝置中，該第一電極層和該第二電極層可各具有針對從該含有發光有機化合物之層射出之光的透光性質。
    特別地，因為此一透光材料具有低導電性，所以對於將上述連接電極層使用為輔助電極層是特別有效的。藉由將一透光層僅形成為該些上與下電極層之該上電極層，則可獲得一種頂部發射型發光裝置；藉由將透光層形成為該上電極層與該下電極層兩者，則可獲得一種雙發射型發光裝置。每一該些發光裝置可為一種其中減輕由於上電極層的電阻所致之問題的高度可靠的發光裝置。
    注意：於本說明書等中，金屬遮罩為一種包括用以形成複數島狀型態於一發光裝置中之開口的遮罩。因此，金屬遮罩不包括一阻擋遮罩，用以提供一非膜形成區於一充分地遠離發光裝置之發光區的區(例如，一重疊與設有密封材料之區的區)中、或者於一介於相鄰發光裝置之間的區中。注意：阻擋遮罩可包括一開口邊緣，其重疊與一連接至該發光裝置之佈線，根據該佈線之佈局。
    注意：於本說明書中，EL層指的是一設於發光元件的一對電極之間的層，且特別是指至少一含有發光有機化合物之層或者一包括含有發光有機化合物之層的堆疊。
    依據本發明之一實施例，可提供一種高度可靠的發光裝置之製造方法。更明確地，可提供一種其中防止由於金屬遮罩所致之問題的發光裝置之製造方法。此外，可提供一種其中防止由於發光元件之上電極層的電阻所致之問題的發光裝置之製造方法。再者，可提供一種高度可靠的發光裝置。
    將參考圖形以詳細地描述實施例及一範例。注意：本發明不限於以下描述，且熟悉本項技術人士將輕易地瞭解其可進行各種改變和修飾而不背離本發明之精神和範圍。因此，本發明不應被理解為侷限於下列實施例及範例中之描述。注意：於以下所描述之本發明的結構中，相同部分或具有類似功能之部分係由不同圖形中之相同數字所表示，且不重複此等部分之描述。
    注意：於本說明書之各圖形中，各組件之尺寸、層厚度、或區被擴大以便於某些情況下之清晰。因此，本發明之實施例不限定於此等比例。 (實施例1)
    於本實施例中，將參考圖1A至1D、圖2A至2D、圖3A和3B、圖4、及圖5以描述一種依據本發明之一實施例的發光裝置之製造方法之範例。 <製造方法之範例>
    首先，準備一基底101。一下電極層103、一絕緣層109、及一絕緣層113被形成於基底101之上(參見圖1A)。
    下電極層103可被形成以使得一導電膜係藉由諸如濺射法等膜形成方法而被形成，且接著一不必要的部分係藉由一種諸如光微影法等圖案化方法而被移除。
    絕緣層109被提供以從下電極層103電絕緣一稍後形成之連接電極層111。絕緣層109可藉由(例如)下列方法而形成：濺射法、CVD法、印刷法(包括網印法及平板印刷法)、或噴墨法。
    絕緣層113覆蓋下電極層103之一末端部分且被提供以防止下電極層103和一稍後形成之上電極層107在末端部分被短路。絕緣層113可藉由一種類似於絕緣層109之方法來形成。此外，絕緣層109和絕緣層113可使用相同材料而被同時地形成，或者可使用不同材料而被形成於不同的步驟。此外，除非必要否則不一定提供絕緣層113。
    每一絕緣層109和絕緣層113最好是具有一種其中厚度朝向末端部分而變小的形狀，亦即，錐形形狀。特別地，假如一稍後形成之EL層105係由於絕緣層109之末端部分上或絕緣層113之末端部分上的高度差異而被分割或變薄，則介於上電極層107與下電極層103之間的短路可能發生。因此，最好是其高度差異是朝向末端部分而逐漸地減少。
    接下來，連接電極層111被形成於絕緣層109之上(參見圖1B)。連接電極層111將被電連接至稍後形成之上電極層107，藉此作用為用以支援上電極層107之導電性的輔助電極層。因此，連接電極層111最好是使用一種具有較上電極層107之導電材料更高的導電性之材料來形成。連接電極層111可藉由(例如)濺射法或印刷法來形成。
    此外，連接電極層111最好是具有一具備不均勻形狀之表面。最好是其介於不均勻形狀的凹陷與突起之間的高度差為實質上相同於或大於將形成於其上之EL層105的厚度。於此，介於不均勻形狀的凹陷與突起之間的高度差表示介於一突起的最高部分與一鄰接該突起之凹陷的最低部分之間的整個表面上之最大差異。
    當連接電極層111之表面具有此一大的高度差，則可輕易地形成一區，其中形成於連接電極層111之上的EL層105被實體地分割；並可輕易地形成一區，其中形成於EL層105之上的上電極層107係實體地接觸與連接電極層111。此外，連接電極層111之表面積可被增加，以致其藉由稍後執行之連接處理而獲得的介於連接電極層111與上電極層107之間的接觸面積可被增加。因此，介於其間的接觸電阻可被有效地減少。最好是透過稍後執行之連接處理以熔化連接電極層111之表面的部分而獲得對於上電極層107之電連接，因為此一方法可促成表面上之突起的有效率熔化。
    具有此一不均勻表面的連接電極層111最好是藉由諸如網印法等印刷方法來形成。用於印刷方法之導電膏含有導電粒子、有機樹脂、及有機溶劑，而一導電結構被形成如下：有機溶劑被汽化同時有機樹脂之部分被分解，及導電粒子被熔接在一起，藉由熱處理。所形成之結構可為多孔的且具有一包括大高度差之不均勻表面，其係取決於包括在導電膏中之有機樹脂的材料或導電粒子的粒子直徑。以此方式藉由諸如網印法等印刷方法來形成，則連接電極層111可具有一包括大高度差之不均勻表面。
    下列方法可被提供為一種形成連接電極層111之方法，其為一種除了印刷方法之外的方法。導電膜係藉由一種諸如濺射法或蒸鍍法等方法來形成，且接著該膜之一不需要的部分被蝕刻以形成連接電極層111之型態於絕緣層109之上。之後，抗蝕劑被形成以一狹縫型態、一晶格型態、或一點型態於連接電極層111之表面上，且導電膜接受半蝕刻以致該導電膜不被去除；因此，不均勻形狀可被形成於連接電極層111之表面上。替代地，電漿處理、爆破處理、反濺射處理等可被執行於連接電極層111之表面上以形成不均勻形狀。
    於本說明書所使用之圖形中，EL層105及上電極層107之厚度被擴大以利說明。
    接著，EL層105及上電極層107被形成於下電極層103和連接電極層111之一暴露部分上(參見圖1C)。
    EL層105包括至少一含有發光有機化合物之層(亦稱為發光層)，且EL層105可藉由(例如)真空蒸鍍法來形成。於真空蒸鍍法來形成之情況下，EL層105最好是使用一阻擋遮罩來形成以致EL層105不會形成於一非膜形成區(一充分地遠離發光區之區，諸如基底101之外周邊部分、或者一重疊與設有密封材料123之區的區)中。此一阻擋遮罩具有一開口邊緣於一充分地遠離發光區之區中。將於實施例5中描述一種可用於EL層105之結構。注意：EL層105可藉由諸如噴墨法、塗敷法、等液滴排出法以取代真空蒸鍍法來形成。
    於此，於EL層105之形成時，可形成一區，其中EL層105未被局部地形成或者被局部地形成為薄。例如，此一區可藉由將一外物黏附至基底101而形成，該基底101已被黏附至用於膜形成之真空蒸鍍設備的內壁或者用於膜形成之阻擋遮罩。於其中複數膜被依序形成為EL層105之情況下，假如此一外物於膜形成期間被移動或去除，則形成一其中EL層105為局部薄之區。此一其中EL層105為薄之區具有在厚度方向較其他區更低的電阻；因此，當電壓被施加於發光元件的上電極層與下電極層之間時，則電流被集中於該區上，且在許多情況下觀察到一其中發射強度高之亮點為缺陷。再者，於其中EL層105為薄之區中，較其他區有更多電流流動而因此可能造成短路缺陷。注意：此一外物可能留存於下電極層103之上。
    於本實施例中，將描述一種情況，其中係形成此一其中EL層105為局部薄之區(區125)。
    接下來，上電極層107被形成於EL層105之上。上電極層107可藉由以諸如濺射法或真空蒸鍍法等膜形成方法來形成導電膜而獲得。此外，上電極層107可使用EL層105之形成時所使用的相同阻擋遮罩來形成。相同阻擋遮罩之使用是較佳的，因為可共用阻擋遮罩，導致防止了當替換阻擋遮罩時所造成之問題。
    於此，當連接電極層111之表面具有不均勻形狀時，則EL層105係由於高度差而被分割(因為相較於不均勻形狀之高度差其EL層105之厚度是足夠小的)，以致形成一其中連接電極層111之表面的部分被暴露之區。形成於其上之上電極層107係接觸與連接電極層111之表面的部分，以致形成一其中連接電極層111被電連接至上電極層107之區。
    於此階段，在基底101上形成一發光元件，其中下電極層103、EL層105、及上電極層107被堆疊。
    接著，基底101與一反向基底121係利用密封材料123而被彼此黏合(參見圖1D)。於此實施例中，一熱固材料被使用為密封材料123。首先，密封材料123被形成於基底101或反向基底121之外周邊部分中。基底101與反向基底121被彼此黏合，且接著於減壓下加熱之同時接受真空加壓黏合。透過這些步驟，密封材料123被熱硬化；因此，基底101被黏合至反向基底121。密封材料123可藉由一種諸如網印法、噴墨法、分配器法等印刷方法而被形成。
    接下來，一其中上電極層107與連接電極層111彼此重疊之區係透過反向基底121而被照射以雷射光131，以致上電極層107與連接電極層111被彼此確實地電連接(參見圖2A)。
    使用一種光來當作雷射光131，該光之部分的波長係使得該光通過至少反向基底121。此外，使用一種光來當作雷射光131，該光之波長係使得該光由連接電極層111、上電極層107、和EL層105之至少一者所吸收。雷射光131最好是具有一種夠低而不會造成連接電極層111、上電極層107、和EL層105被去除之強度。
    藉由以雷射光131照射，一連接部分133被形成以接觸與連接電極層111之表面；因此，連接電極層111係透過連接部分133而被電連接至上電極層107(參見圖2B)。
    於此，在以雷射光131照射之區中，最好是以(例如)下列方式來形成其將連接電極層111電連接至上電極層107之連接部分133：連接電極層111之部分和上電極層107之部分被熔化以被熔接在一起或形成合金。當連接電極層111之部分和上電極層107之部分被熔接在一起(或，最好是，形成合金)時，接觸電阻可被減少且機械強度可被增加。注意：並非總是需要連接電極層111和上電極層107被熔接在一起(或，形成合金)；例如，EL層105可藉由熱而被熔化或部分地去除，於此情況下連接電極層111與上電極層107之連接的表面被實體地彼此接觸以被電連接。此外，即使在其中雷射光131具有此一高強度以造成EL層105連同上電極層107之去除(亦稱為剝蝕)的情況下，連接電極層111與上電極層107可彼此接觸、熔接在一起、或形成合金，以被電連接於以雷射光131照射之區(其係接近非照射區)的外周邊附近。
    為了便於說明，於以下所使用之圖形中，連接部分133被形成於連接電極層111之上以接觸與連接電極層111和上電極層107，如圖2B中所示。如上所述，連接部分133可為一其中連接電極層111與上電極層107被熔接在一起的部分、一其中形成其合金之區、或一其實體接觸部分，且上電極層107與連接電極層111係透過連接部分133而被彼此電連接。
    於此，圖4說明一連接部分之一結構範例，於其中藉由利用雷射光131之照射造成連接電極層111上之EL層105和上電極層107的剝蝕(ablation)的情況下。於圖4中之一雷射照射區132中，連接電極層111上之EL層105和上電極層107被去除。於此，在其為雷射照射區132之外周邊部分的區中，形成一連接部分134，其中上電極層107與連接電極層111係彼此實體接觸。連接部分134將上電極層107電連接至連接電極層111。
    於沿著連接電極層111掃描之同時可遞送雷射光131。於此將參考圖3A和3B以描述雷射光131之照射方法。圖3A和3B為沿著連接電極層111之雷射光131的照射步驟之橫斷面視圖。
    圖3A說明一種其中在沿著連接電極層111掃描之同時透過反向基底121以連續地遞送雷射光131的方式。藉由利用雷射光131之照射，形成連接部分133，其中連接電極層111被確實地電連接至上電極層107。藉由以此方式連續地遞送雷射光131，可增加連接部分133之面積；因此，可顯著地減少介於連接電極層111與上電極層107之間的接觸電阻。
    或者，雷射光131可被間斷地傳遞，如圖3B所示。藉由間斷地傳遞雷射光131，則可縮短照射時間；因此，可減少雷射照射設備之負擔，即使當使用大基底為基底101時；並可縮短處理時間。
    於連接電極層111上利用雷射光131而照射之區的光學性質有時係不同於未利用雷射光131而照射之區的光學性質。例如，EL層105被部分地汽化以便被雷射光131所薄化，其造成光反射率或光透射率之改變。於此，藉由利用光學顯微鏡以觀察此一改變，例如，利用雷射光131而照射之區可被檢測。以下可被提供為光學性質之改變的因素之其他範例：上電極層107和EL層105之一或兩者的汽化、去除、或厚度減少，及藉由雷射光131之照射能量所致之上電極層107和EL層105之一或兩者的性質修改。
    依據本實施例中所述之發光裝置的製造方法，可在基底101與反向基底121被彼此黏合之後執行利用雷射光131之照射步驟。因此，即使當利用雷射光131之照射步驟被執行在大氣環境中時，諸如濕氣和氧等雜質幾乎不會進入發光元件而可輕易地執行該處理。此外，因為利用雷射光131之照射可被執行於空氣中，所以可簡化雷射光131之照射設備的結構。
    注意：於本實施例中，連接電極層111被形成於下電極層103之上，以絕緣層109置於其間；可使用一種只要連接電極層111係電絕緣自下電極層103之結構。例如，一開口可被設於下電極層103中，且連接電極層111可被形成於該開口中以致連接電極層111不接觸與下電極層103。
    透過上述步驟，可製造一發光裝置100，其包括其中上電極層107與連接電極層111被確實地彼此電連接之連接部分133(參見圖2B)。於此，連接電極層111係作用為一用於支援上電極層107之導電性的輔助電極層。因此，由此方法所製造的發光裝置100可為一種高度可靠的發光裝置，其中減少了由於上電極層107之電阻所致之壓降所造成的光發射缺陷並抑制了亮度不均勻。
    於此，可藉由驅動發光裝置以檢測發光部分中一具有光發射缺陷之部分，並可隔離該具有光發射缺陷之部分。以下將描述發光裝置100中一具有光發射缺陷之部分的檢測和隔離之步驟(參見圖2C)。
    發光裝置被驅動，亦即，電壓被施加於上電極層107與下電極層103之間以致發光部分發光，藉此可觀察到一缺陷，諸如一其中發射強度較其他區還高的亮點或者一其中未獲得光發射之暗點。例如，於其中發光層留在區125(其中EL層105較在其他區中各薄)中的情況下，可觀察到亮點為一缺陷。
    為了檢測一具有光發射缺陷之部分，可利用諸如以下之觀察方法：用人眼觀看、光學顯微鏡、或一種可觀察到可見光或紅外線光之影像感應裝置。即使當難以用人眼觀察時，仍可能產生許多熱於一其中大電流流動之區；因此，由熱所產生之紅外線光的觀察亦是有效的。特別地，一並不展現顯著不同之發光強度的潛在缺陷具有相對高的電流值(相較於其他區)而因此輕易地由紅外線光之觀察所檢測。
    此外，最好是測量一相應於在使發光部分發光的時刻供應至發光部分之電壓的電流值。於其中大於或等於假定電流之電流流過的情況下，很有可能發光部分中之某處是短路的或者是包括一其中EL層105很薄之部分，以致可輕易地決定缺陷之存在或缺乏。特別地，於其中有如上所述之潛在缺陷的情況下，難以藉由觀察可見光之亮度差異來決定缺陷之存在與否；因此，從所測得的電流值來決定缺陷之存在與否是特別有效的。
    以此方式檢測一具有光發射缺陷之部分，並接著利用雷射光照射該具有光發射缺陷之部分以便隔離之。明確地，上電極層107於一其中發生缺陷之區中，藉由利用雷射光之照射以移除該區中之上電極層107和EL層105等兩層；或該區中之上電極層107、EL層105、和下電極層103等三層；因此，該區被隔離。
    包括由上述觀察所檢測之光發射的區125被選擇性地利用雷射光135而照射，藉此隔離該具有光發射缺陷之部分。
    利用雷射光135之照射使其得以移除該具有光發射缺陷之部分中的至少上電極層107。注意，根據所使用之雷射光135的波長或能量強度，EL層105或EL層105和下電極層103兩者亦與上電極層107同時地被移除。
    圖2D為發光裝置100之概略視圖，其中一具有光發射缺陷之部分已被隔離。於圖2D所示之區127中，其中已利用雷射光135來照射該具有光發射缺陷之部分，則EL層105和上電極層107被移除；因此，區127被隔離。
    如上所述，可在基底101與反向基底121被彼此黏合之後執行一具有光發射缺陷之部分的隔離步驟；因此，隔離步驟可被輕易地執行於大氣環境中。此外，因為利用雷射光135之照射可被執行於空氣中，所以可簡化雷射光135之照射設備的結構。
    之後，可在反向基底121之一表面(其並非面對基底101)上形成一用於光發射之擴散的透鏡陣列。可藉由裝附一其上形成透鏡陣列之薄片以形成透鏡陣列。該薄片最好是使用一種具有高折射指數之材料來形成。透鏡陣列被設於從該處提取光之側上，藉此一其中有一被識別為暗點之缺陷部分被隔離的區變為不顯著的，其係由從其他區所發射且由透鏡陣列所擴散之光。
    透過上述步驟，可製造發光裝置100，其中上電極層107與連接電極層111被確實地彼此電連接並減少了光發射缺陷(參見圖2D)。由此方法所製造之發光裝置100可為一種高度可靠的發光裝置，其中減少了由於上電極層107之電阻所致之壓降所造成的光發射缺陷並抑制了亮度不均勻。此外，因為事先減少了光發射缺陷或潛在的缺陷，所以發光裝置100可具有極高的可靠性。 <材料及形成方法>
    於此，將描述其可用於組件之材料以及形成組件之方法。注意：材料並不限定於以下所述者，而可適當地使用具有類似功能之材料。 <基底>
    當作一種用於其設在光所被提取之側上的基底之材料，可使用一種具有透光性質之材料，諸如玻璃、石英、或有機樹脂。一種用於其設在光所被提取之側的相反側上的基底之材料不一定需要具有透光，並可使用諸如金屬、半導體、陶瓷、或彩色有機樹脂等材料，以及上述材料。於其中使用導電基底之情況下，該基底最好是藉由氧化該基底之表面或者在表面上形成一絕緣膜而具有絕緣性質。
    當作一種藉以絕緣一導電基底(諸如金屬基底或合金基底)之表面的方法，可使用陽極氧化法、電沈積法，等等。於其中鋁基底被使用為基底之情況下，例如，陽極氧化法是較佳的，因為藉由該方法所形成於表面上之氧化鋁具有高絕緣性質而因此可被形成為薄的。此外，諸如聚醯胺亞醯胺樹脂或環氧樹脂等有機樹脂可藉由一種電沈積法而被形成於基底表面上。此一有機樹脂具有高的絕緣性質和彈性；因此，即使當基底被彎曲時裂縫仍幾乎不會發生於表面中。此外，當使用一種具有高熱抗性之材料時，可抑制其由於在驅動發光裝置之時刻所產生的熱所致之基底表面的變形。
    於其中有機樹脂被用於基底之情況下，例如，任何下列材料均可被使用為有機樹脂：聚酯樹脂，諸如聚對酞酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺亞醯胺樹脂、聚氯乙烯樹脂，等等。此外，可使用一種其中玻璃纖維被浸漬以有機樹脂之基底、或者一種其中無機纖維被混合與有機樹脂之基底。
    特別在頂部發射型發光裝置之情況下，最好是將一種具有高熱傳導性之基底(諸如金屬基底或合金基底)使用為其設有發光元件且位於光所被提取之側的相反側上之基底。使用發光元件之大型照明裝置可能有來自發光元件之熱產生的問題；因此，此一具有高熱傳導性之基底的使用可提升熱之消散。例如，當使用(除了不銹鋼基底之外)氧化鋁、杜拉鋁(duralumin)等之基底時，可達成輕的重量以及高的熱消散。最好是使用鋁與氧化鋁之堆疊、杜拉鋁與氧化鋁之堆疊、杜拉鋁與氧化鎂之堆疊，等等，於該情況下基底表面可具有絕緣性質。 <發光元件>
    當作可用於藉以提取光之電極層的發光材料，可使用氧化銦、氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅、氧化鋅、加入鎵之氧化鋅、石墨烯，等等。
    或者，可使用諸如以下之金屬材料於電極層：金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦、或者任何這些金屬材料之合金。亦或是，可使用任何金屬材料之氮化物(例如，氮化鈦)等。於使用此一金屬材料(或其氮化物)之情況下，電極層可被薄化以傳輸光線。
    此外，任何上述材料之堆疊膜可被使用為電極層。例如，最好是使用銀與鎂之合金和氧化銦-氧化錫的堆疊膜，因為可增加導電性。
    藉以提取光之電極厚度為(例如)大於或等於50 nm且小於或等於300 nm；最好是大於或等於80 nm且小於或等於130 nm；更理想的是大於或等於100 nm且小於或等於110 nm。
    EL層包括至少一含有發光有機化合物之層。此外，EL層可具有一種堆疊結構，其中係適當地結合一含有具高電子傳輸性質之物質的層、一含有具高電洞傳輸性質之物質的層、一含有具高電子注入性質之物質的層、一含有具高電洞注入性質之物質的層、一含有雙極物質(具有高電子傳輸性質和高電洞傳輸性質之物質)的層，等等。
    注意：於本發明之一實施例中，可使用一種發光元件(串接發光元件)，其中複數EL層被設於上電極層與下電極層之間。最好是使用兩層、三層、或四層(特別是三層)之堆疊結構。此外，可於這些EL層之間提供一中間層，其含有具有高電子傳輸性質之材料、具有高電洞傳輸性質之材料，等等。將於實施例5詳細地描述EL層之結構範例。
    使用反射材料以形成一電極層，其係設於光所被提取之側的相反側上。當作反射材料，可使用諸如以下之金屬材料：鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、或鈀。亦可使用任何下列者：含有鋁之合金(鋁合金)，諸如鋁和鈦之合金、鋁和鎳之合金、及鋁和釹之合金；以及含有銀之合金，諸如銀和銅之合金及銀和鎂之合金。銀和銅之合金由於其高熱抗性而是較佳的。此外，金屬膜或金屬氧化物膜被堆疊於鋁合金膜上，藉此可防止鋁合金膜之氧化。鈦及氧化鈦被提供為用於金屬膜或金屬氧化物膜之材料的範例。鋁亦可被使用為用於電極層之範例；然而，於該情況下，當設為直接接觸與氧化銦-氧化錫等等時，鋁可能會被腐蝕。因此，電極層可具有一種堆疊結構，其中鋁被使用於一不接觸與氧化銦-氧化錫等之層。
    注意：可藉由一種膜形成方法(諸如蒸鍍法、濺射法、或CVD法)以形成一用於發光元件之導電膜。此外，可藉由一種膜形成方法(諸如蒸鍍法、噴墨法，等等)以形成EL層。 <絕緣層>
    當作用於絕緣層之材料，可使用(例如)有機樹脂(諸如聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、或環氧)或者無機絕緣材料。此外，對於形成方法並無特別限制。可使用濺射法、蒸鍍法、液滴排出法(諸如噴墨法)、印刷法(諸如網印法及平板印刷法)，等等。
    注意：乾燥劑可被含入絕緣層中。例如，可使用一種藉由化學吸收以吸濕的物質，諸如鹼土金屬之氧化物(例如，氧化鈣或氧化鋇)。替代地，一種藉由物理吸收以吸濕的物質(諸如沸石或矽膠)可被使用為乾燥劑。 <連接電極層>
    於藉由印刷法(諸如網印法)以形成連接電極層之情況下，選擇性地印刷一導電膏，其中具有數奈米至數十微米之直徑的導電粒子被溶解或散佈於有機樹脂中。當作導電粒子，可使用一或更多銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈦(Ti)等之金屬粒子；鹵化銀之細微粒子；或可散佈的奈米粒子。此外，當作包括於導電膏中之有機樹脂，可使用選自那些作用為金屬粒子之黏結劑、溶劑、分散劑、及塗敷材料的一或更多有機樹脂。諸如環氧樹脂及矽氧樹脂等有機樹脂可被提供為典型範例。此外，於形成連接電極層時，最好是在導電膏被印刷之後執行烘烤。
    此外，於其中以此一方法(藉由諸如濺射法或CVD法等膜形成方法以形成導電膜)形成連接電極層並接著被選擇性地蝕刻的情況下，一種用於發光元件之導電材料可被適當地用於導電膜。替代地，可藉由電鍍法以形成連接電極層。 <密封材料>
    一種已知的材料可被使用為密封材料。例如，可使用一種熱固材料或一種紫外線可硬化材料。替代地，可使用二成分混合型之環氧樹脂等。一種能夠黏合複數無機材料、複數有機材料、或無機材料與有機材料之材料係依據附著位置而被使用為密封材料。此外，用於密封材料之材料最好是盡可能無法傳達濕氣和氧。
    基底和反向基底可被彼此黏合如下：將一種其中散佈著玻璃粒子之有機樹脂或者一種極薄的玻璃薄膜使用為密封材料，且該材料被插入於基底之間並接著藉由雷射處理而被熔化。此外，可在雷射處理之前執行藉由熱處理之暫時黏合。其中以此方式使用玻璃執行黏合之接合部分不太會傳達諸如濕氣和氧等雜質。因此，可達成一種高度可靠的發光裝置。
    注意：乾燥劑可被含入密封材料中。例如，可使用一種藉由化學吸收以吸濕的物質，諸如鹼土金屬之氧化物(例如，氧化鈣或氧化鋇)。替代地，一種藉由物理吸收以吸濕的物質(諸如沸石或矽膠)可被使用為乾燥劑。
    密封材料可藉由一種諸如網印法、噴墨法、分配器法等印刷方法而被形成。 <雷射照射機構>
    於此，將參考圖5以描述一種設有雷射光131或雷射光135之照射機構及具有光發射缺陷之部分之檢測機構的設備之結構的範例。於此，將描述一種結構，其中得以達成利用雷射光之選擇性照射並可藉由將電壓施加至一基底上之發光元件以檢測一具有光發射缺陷之部分，以及在利用發射顯微鏡觀察從發光元件射出之光的同時測量流經發光元件之電流。
    為了清楚說明，圖5概略地顯示一基底201、一反向基底202、一發光元件203及一用以施加電壓至元件之電極207，其係設於基底201之上。注意：於實際情況下，電連接至發光元件之至少一上電極層和一下電極層的兩電極被設為電極207。
    設有發光元件203之基底201被固定於一平台215之上。此外，設於基底201之上的電極207係透過一電源計213而被電連接至一外部電源211。因此，形成於基底201之上的發光元件可藉由使用外部電源211而發光。此刻，流經發光元件203之電流的值係利用電源計213來測量。
    一發射顯微鏡225包括一相機219、一影像處理機構221、及一顯示裝置223。利用發射顯微鏡225中所包括之相機219，可觀察到從發光元件射出之光的光子之分佈；其結果可經由影像處理機構221而被輸出至顯示裝置223。
    一種包括超敏感相機(光子計數相機)之光學顯微鏡可被用於相機219。於此所檢測之光發射被輸入至影像處理機構221以當作一影像信號、接受影像處理、並顯示於顯示裝置223上。此刻，所檢測之光發射的影像被重疊與一被事先拍攝之基底201上的圖案之影像，以致可檢測一光發射部分。例如，顯示裝置223係使用顏色變化以顯示從發光元件203中具有光發射缺陷之部分射出的光之光子的分佈；因此，一展現不同於其他區之顏色的部分可被識別為一具有光發射缺陷之部分且其位置可被檢測。
    於其可由可見光之觀察所檢測的光發射缺陷之情況下，諸如亮點或暗點，則可藉由觀察可見光範圍內之光的光子之分佈以檢測具有光發射缺陷之部分。
    眾所周知當由介於電極間之短路產生漏電流時，可檢測到從可見光至紅外線光之寬廣範圍內具有連續光譜之光的發射。利用本發明之一實施例中的超敏感相機(光子計數相機)，藉此利用其中一含有Si之晶體傳輸具有較一相應於該晶體之帶隙能量的波長更長之波長的紅外線光的現象而執行觀察，則可檢測由於短路所致之一具有光發射缺陷之部分。
    發射顯微鏡225被連接至一用以移動平台215之位置對準機構217，並於移動率平台215之同時藉由觀察基底201以檢測一照射靶區205之位置。此外，位置對準機構217移動平台215以致照射靶區205可被照射以雷射光235，根據照射靶區205之測得位置的資料。於此，照射靶區指的是(例如)一重疊與連接電極層111之區或者一包括一測得的具有光發射缺陷之部分之區。
    一雷射裝置233可射出用以將連接電極層111電連接至上電極層107的雷射光及用以隔離一具有光發射缺陷之部分的雷射光。於使用具有不同波長之雷射光於這些目的的情況下，雷射裝置233可設有複數雷射光源，並具有一可供於需要時切換用於照射之雷射光的波長之機構。最好是提供複數雷射光源，因為可利用一雷射裝置來執行下列兩步驟：以雷射光照射一位於連接電極層111上之部分的步驟、及照射一具有光發射缺陷之部分的步驟。
    當作雷射裝置233之雷射光源，可使用一種雷射光源，其輸出具有適於所欲目的之波長的光。例如，可使用一或更多下列雷射：氣體雷射，諸如Ar雷射、Kr雷射、或準分子雷射；及固態雷射，諸如一種其介質為單晶YAG、YVO4、矽酸鎂石(Mg2SiO4)、YAlO3、或GdVO4(其係加入Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm及Ta之一或更多者以當作摻雜劑)、或者多晶(陶瓷)YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、或GdVO4(其係加入Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm及Ta之一或更多者以當作摻雜劑)的雷射、玻璃雷射、紅寶石雷射、變石雷射、Ti：藍寶石雷射、或纖維雷射。替代地，可使用從上述固態雷射射出之第二諧波、第三諧波、或更高諧波。注意：當使用其雷射介質為固態之固態雷射時，其優點在於：可長時期地保持無需維修的狀況以及雷射光之輸出是相當穩定的。諸如奈秒脈衝雷射、皮秒脈衝雷射、或飛秒脈衝雷射等短時間脈衝雷射適合於此步驟。利用短時間脈衝雷射，可將一種造成多光子吸收現象之高密度能量施加至照射靶區205。
    接下來，將描述一種使用上述結構以檢測照射靶區205之位置並以雷射光235執行照射的方法。
    當一快門231被打開時，位於基底201上之連接電極層111的圖案及從發光元件203所射出的光209係通過一聚光透鏡227、一半鏡229、及快門231a而被發射顯微鏡225中之相機219所檢測。檢測結果經由影像處理機構221而被顯示於顯示裝置223上。此刻，快門231b被關閉。
    為了藉由使發光元件203射出光線以檢測一具有光發射缺陷之部分，可藉由從外部電源211經由電極207而施加介於發光元件203的上電極層與下電極層之間的電壓來造成光發射。此刻，利用電源計213以測量流經發光元件203之電流。
    照射靶區205之位置被檢測，且接著平台215係藉由位置對準機構217而被移動以致照射靶區205可被照射以雷射光。
    接著，快門231a被關閉，而快門231b被打開以致雷射光235從雷射裝置233射出。位於基底201上之照射靶區205係通過半鏡229及聚光透鏡227而被照射以雷射光235。
    於其中雷射光235沿著基底上之一圖案而掃描的情況下，利用雷射光235之照射可被執行於平台215被移動之同時。於該情況下，掃描速度可依據雷射光235之波長或強度而被適當地調整。
    以上述方式，可利用雷射光235以照射其中位置已被檢測之照射靶區205。因此，連接電極層111可被確實地電連接至上電極層107，或者一具有光發射缺陷之部分可被隔離。
    於此，當利用雷射光235之照射係通過反向基底202而被執行時，該照射被執行以致雷射光235未被聚焦在反向基底202及其一表面上(以致雷射光235被散焦)。再者，為了傳遞雷射光235至連接電極層111上，該照射被執行以致雷射光235被聚焦在至少一重疊與連接電極層111之區上。為了以雷射光235照射一具有光發射缺陷之部分，該照射被執行以致雷射光235被聚焦在該具有光發射缺陷之部分中的上電極層107、EL層105和下電極層103之任一上。
    此外，雷射光235被傳遞至連接電極層111上，發光元件203可被形成為再次發光以再確認是否已獲得適當的光發射。假如介於連接電極層111與上電極層107之間的電連接不足，則觀察到發光元件之亮度不均勻，於此情況下可再次執行雷射照射。
    此外，在該具有光發射缺陷之部分被照射以雷射光235而被隔離之後，在利用電源計213以測量所流經之電流的同時可確認發光元件203之光發射。藉由比較該照射前的電流與該照射後的電流，可得知隔離是否被適當地執行。
    注意：外部電源211和電源計213可被省略在當未使用於一具有光發射缺陷之部分的檢測和隔離之步驟中時，並可使用一種簡單結構，其中僅有一光學顯微鏡被提供為相機219。
    注意：當作一種藉由利用雷射光235之照射以隔離一具有光發射缺陷之部分的方法，有下列方法：一種其中上電極層或下電極層被照射以雷射光235且被氧化的方法，以致該具有光發射缺陷之部分被隔離；一種其中該具有光發射缺陷之部分係藉由利用雷射光235之照射而被實體地分離且因此被隔離的方法；等等。於本發明之一實施例中，上述兩種用於隔離之方法均可藉由調整雷射光235之輸出而被執行。
    此外，為了藉由利用雷射光235之照射以將連接電極層111電連接至上電極層107，雷射光235之光束直徑最好是大於或等於連接電極層111之圖案寬度的50%，更好的是大於或等於其60%並小於或等於其95%。光束直徑之增加導致其可藉由一照射而形成之連接部分133的面積之增加；因此，隨著用於照射步驟之時間縮短可減少介於連接電極層111與上電極層107之間的接觸電阻。
    此外，當藉由利用雷射光235之照射以隔離一具有光發射缺陷之部分時，需要雷射光235之輸出和照射時間的調整以致對於一周邊部分上之照射的影響(諸如對於一不包括光發射缺陷之正常區的損害)是盡可能地少。於本發明之一實施例中的雷射光235之光束直徑最好是大於該將被照射以雷射光235之具有光發射缺陷之部分的直徑；明確地，1.0 μm至3.0 μm之直徑是較佳的。於其中該具有光發射缺陷之部分的直徑大於光束直徑的情況下，於平台215被移動之同時利用雷射光235之照射被執行數次。
    至此已描述用於雷射光照射之機構及方法的範例。
    本實施例可被適當地結合與本說明書中所揭露之任何其他實施例。 (實施例2)
    於本實施例中，將參考圖6A至6D及圖7以描述一種不同於實施例1的發光裝置之製造方法的範例。注意：與實施例1重複之描述被省略或被簡單地提供。 <製造方法之範例>
    首先，下電極層103、絕緣層109和113、連接電極層111、EL層105、及上電極層107被依序形成於基底101之上，如同實施例1(參見圖6A)。於此，假設形成其中EL層105被局部地形成之區125。
    接著，利用雷射光131以照射一重疊與連接電極層111之區，以致連接電極層111被電連接至上電極層107。利用雷射光131之照射可藉由實施例1中所述之方法而被實施。
    於此，於本實施例中，在將基底101與反向基底121彼此黏合之步驟以前，執行將連接電極層111連接至上電極層107之步驟。因此，一種除了利用雷射光131之照射以外的方法可被使用為一種將連接電極層111連接至上電極層107之方法。
    圖7說明一種除了利用雷射光131之照射以外的連接方法之範例。圖7說明一種方式，其中連接電極層111與上電極層107係藉由施加超音波震動和熱之加壓黏合而被彼此電連接。
    一探針141具有一含彎曲之可加熱的尖端部分。此外，探針141可施加超音波震動。
    探針141之加熱的尖端被致使接觸該與具有連接電極層111重疊之區中的上電極層107並施加向下的壓力，藉此上電極層107和連接電極層111被加壓黏合以被彼此電連接。此外，超音波之施加進一步促進有效的黏合。
    藉由以此方式利用探針141而執行加壓黏合，形成其中連接電極層111被確實地電連接至上電極層107之連接部分133。
    加壓黏合可被執行在探針141沿著連接電極層111而掃描之同時，或者加壓黏合可被間斷地執行於複數重疊與連接電極層111之區上。或者，探針141可被用以同時地執行加壓黏合於複數區上。
    注意：於上述描述中加壓黏合係利用施加超音波和熱而被執行；加壓黏合亦可利用僅施加超音波、僅施加熱、或僅施加壓力而被執行。
    此外，刀狀結構可被使用以取代探針141，且加壓黏合可沿著連接電極層111而被線性地執行。刀形狀使其得以增加其可在同一處置中被處理的面積並縮短處理時間。
    接下來，可加入下列步驟：電壓被施加於發光元件的上電極層與下電極層之間、一具有光發射缺陷之部分被檢測；及接著該具有光發射缺陷之部分被隔離(參見圖6C)。這些步驟可藉由實施例1中所述之方法來執行。
    注意：將連接電極層111電連接至上電極層107之步驟及一具有光發射缺陷之部分的檢測和隔離之步驟最好是被執行在上電極層107被形成之後，於減壓之下或者在惰性氣體環境之中而不暴露至空氣。
    接著，基底101與反向基底121被彼此黏合。於本實施例中，描述一種結構，其中密封劑被提供於基底101與反向基底121之間。
    首先，密封劑143和密封材料123各被形成於基底101或反向基底121之上。
    當作密封劑143，可適當地使用：無機材料、有機材料、或其組合(其具有針對從發光元件射出之光的光穿透性質)、或者任何這些材料之堆疊。此外，最好是調整密封劑143相對於光發射之折射指數。此外，用於密封劑143之材料最好是不太會傳達濕氣和氧，如同於密封材料之情況。相同材料可被用於密封劑143和密封材料123。
    此外，密封劑可藉由一種諸如濺射法或CVD法之膜形成方法來形成、或可藉由一種印刷法或塗敷法來形成，如同於密封材料之情況。
    基底101與反向基底121被彼此黏合，且接著於減壓下加熱之同時接受真空加壓黏合。於此步驟中，密封劑143和密封材料123被熱硬化；因此，基底101與反向基底121被彼此黏合。
    於此，於其中一具有光發射缺陷之部分已被隔離之情況下，該隔離部分可被填入以密封劑143。結果，可防止一問題，其中上電極層107與下電極層103再次彼此接觸而被短路於隔離部分中。此外，密封劑143被提供以接觸與其暴露於隔離部分中之EL層105的部分，藉此可抑制通過隔離部分之雜質的進入。因此，可提供高度可靠的發光裝置。
    透過上述步驟，可製造一發光裝置150(參見圖6D)。於藉由上述製造方法所製造的發光裝置150中，上電極層107之導電性被支援且光發射缺陷被事先減少；因此，發光裝置150可具有高可靠性。
    之後，一用於光發射之擴散的透鏡陣列可被形成於反向基底121之一未面對基底101的表面上。透鏡陣列被設於從該處提取光之側上，藉此一其中有一被識別為暗點之缺陷部分被隔離的區變為不顯著的，其係由從其他區所發射且由透鏡陣列所擴散之光。
    本實施例可被適當地結合與本說明書中所揭露之任何其他實施例。 (實施例3)
    於本實施例中，將參考圖8A及8B以描述一種上述實施例中所述之連接電極層的應用範例。 <結構範例1>
    圖8A說明一範例，其中連接電極層111被使用於雙發射型發光裝置。
    圖8A中所示之發光裝置包括(於基底101之上)一下電極層163、一輔助電極層165、一絕緣層167、具有連接部分133之連接電極層111、EL層105、及上電極層107。
    於此，下電極層163具有針對從EL層105射出之光的光穿透性質，如同上電極層107之情況。因此，從EL層105射出之光被提取自基底101側及基底101之表面側。
    此外，輔助電極層165被提供以接觸與下電極層163且具有支援下電極層163之導電性的功能。輔助電極層165可使用類似於連接電極層111之材料來形成。注意：輔助電極層165不一定包括具有不均勻形狀之表面。
    絕緣層167被形成於輔助電極層165之上以從連接電極層111和上電極層107電地隔離輔助電極層165。此外，絕緣層167之末端部分最好是錐形的以防止形成於其上之EL層105和上電極層107的分割。絕緣層167可使用類似於上述實施例中所述之絕緣層的材料和方法。
    連接電極層111被形成於輔助電極層165之上，以絕緣層167置於其間。此外，連接電極層111之部分設有電連接至上電極層107之連接部分133；因此，連接電極層111被確實地電連接至上電極層107。
    注意：於此範例中，輔助電極層165和連接電極層111被形成為彼此重疊，但亦可被提供為彼此不重疊。藉由形成輔助電極層165和連接電極層111為彼此重疊，可減少非光發射區之面積。
    利用此一結構，上電極層107之導電性可由連接電極層111支援，而下電極層163之導電性可由輔助電極層165支援。因此，可達成一種雙發射型發光元件，其中抑制了由於電極層之電阻所致的亮度不均勻。 <結構範例2>
    圖8B說明一範例，其中連接電極層111被用於將一設於基底上之佈線171電連接至上電極層107。
    使用如下電極層103之相同膜所形成的佈線171被提供於基底101之上。此外，具有連接部分133之連接電極層111被形成於佈線171之上並與其接觸。
    藉由形成連接電極層111以接觸與佈線171，佈線171可被確實地電連接至其形成於佈線171上之上電極層107，以EL層105置於其間。舉例而言，佈線171可被使用為一用以將外部電源連接至上電極層107之連接佈線。
    注意：於此範例中，佈線171係使用如下電極層103之相同膜而被形成，但亦可使用其材料或厚度不同於下電極層103之導電膜。於該情況下，最好是使用一種具有較下電極層103之材料更低的電阻率之材料，或者調整其厚度以致佈線171可具有較下電極層103更低的電阻。
    本實施例可被適當地結合與本說明書中所揭露之任何其他實施例。 (實施例4)
    於本實施例中，將參考圖9A和9B、圖10A和10B、及圖11A和11B以描述一種應用上述實施例中所述之連接電極層的發光裝置應用範例。 <結構範例1>
    圖9A為本實施例中所述之一發光裝置300的概略頂視圖。圖9B為說明沿著圖9A中之線段A-A’所取之橫斷面的橫斷面視圖。
    於頂部發射型發光裝置300中，下電極層103、EL層105、上電極層107、一連接電極層301、一連接電極層303、一佈線307、一絕緣層309、及一絕緣層313被提供於基底101之上；而基底101與反向基底121被彼此黏合，以一密封材料311提供於基底101或反向基底121之外周邊部分上。由圖9A中之虛線所圍繞的區為一膜形成區305，其中EL層105和上電極層107被形成。於此，一位於基底101上並重疊與反向基底121之區被稱為一密封區。此外，發光裝置300之密封區被填充以密封劑317。此外，一透鏡陣列315被設於一未面對基底101的反向基底121之表面上，以重疊與一發光區。
    於發光裝置300之密封區中，形成一發光元件，其中下電極層103、EL層105、及上電極層107被依序堆疊。發光元件係藉由施加電壓於下電極層103與上電極層107之間而發光。
    下電極層103之部分延伸超過密封區。使用如下電極層103之相同膜所形成的佈線307之部分亦延伸超過密封區。此外，絕緣層313被提供以覆蓋至少於密封區中的下電極層103之一末端部分及佈線307之一末端部分。
    透鏡陣列315被提供以擴散其從發光元件所射出的光。因此，透鏡陣列315具有使某一區不顯眼的效果，諸如藉由雷射照射以隔離一具有光發射缺陷之部分所形成的區、或者由於其作用為輔助電極層之連接電極層303所致的非光發射區，等等。
    此外，為了抑制從發光元件所射出之光的總反射並有效率地提取光發射，最好是選擇上電極層107、密封劑317、反向基底121、及透鏡陣列315之材料以致該膜或構件具有較與EL層105之距離更高的折射指數。此外，各膜或構件之介面可具有用於抑制總反射之不均勻的形狀，以致介面上之總反射可被抑制。
    於密封區中，具有連接部分133之連接電極層303被提供以接觸與佈線307之頂部表面且被電連接至上電極層107。
    因此，發光元件可藉由施加電壓於下電極層103與佈線307之間而發光。於此，一藉以從外部電源供應電力之電源供應線可被電連接至每一下電極層103和佈線307。於其中使用家用電源為外部電源的情況下，例如，AC-DC(交流-直流)轉換器可被提供於外部電源與發光裝置300之間，而用以驅動發光裝置300之直流電源可被供應至發光裝置300。此外，AC-DC轉換器最好是被提供於基底101之上。
    此外，具有連接部分133之連接電極層301被形成於下電極層103之上，以絕緣層309置於連接電極層301與下電極層103之間。連接電極層301係作用為一輔助電極層，用以支援上電極層107之導電性。
    於此，在圖10A和10B中顯示於以下情況下之一觀察影像的範例：圖9A中之一區B(其包括連接電極層301)係利用一光學顯微鏡而被觀察自反向基底121側。注意：為了簡潔起見於此描述其中未提供透鏡陣列315之情況。圖10A為於以下情況下之一觀察影像的範例：雷射光係沿著連接電極層301而被連續地遞送；而圖10B為於以下情況下之一觀察影像的範例：雷射光被間斷地遞送至連接電極層301上。於兩種情況下，頂部發射型發光裝置300中之上電極層107和EL層105均具有光穿透性質，而因此下電極層103、絕緣層309、和連接電極層301可通過上電極層107和EL層105而被觀察。如上所述，在連接電極層301上之一雷射照射區319中造成光學性質之改變，而因此雷射照射區319被識別為一具有不同顏色之區(當利用光學顯微鏡來觀察時)。
    藉由提供連接電極層301和連接電極層303，EL層105和上電極層107可被形成於相同區中以重疊與連接電極層301和連接電極層303。因此，可不使用一用以形成複數島狀型態之金屬遮罩來製造發光裝置300。因此，防止了由於金屬遮罩所導致的問題，而因此發光裝置300可具有高可靠度。
    此外，藉由提供作用為輔助電極層之連接電極層301以修復其由於上電極層107之電阻所致的光發射缺陷，而可理想地增加發光裝置300之尺寸並具有高可靠度。 <結構範例2>
    本結構範例中所述之發光裝置350為一種發光裝置，其中複數發光元件被設於基底101之上。圖11A為本結構範例中所述之發光裝置350的概略頂視圖。圖11B為說明沿著圖11A中之線段C-C’所取之橫斷面的橫斷面視圖。
    發光裝置350包括三個發光元件。於發光裝置350中，一下電極層103a、一下電極層103b、一下電極層103c、EL層105、上電極層107、一佈線307a、一佈線307b、一佈線307c、連接電極層301、連接電極層303、一分離層351、絕緣層309、及絕緣層313被設於基底101之上，而基底101和反向基底121係利用一提供於基底101或反向基底121之外周邊部分上的密封材料(未顯示)而被彼此黏合。一由圖11A中之虛線所包圍的區是膜形成區305，其中EL層105和上電極層107被形成。於此，一位於基底101上並重疊與反向基底121之區被稱為一密封區。此外，發光裝置350之密封區被填充以密封劑317。此外，透鏡陣列315被設於一未面對基底101的反向基底121之表面上，以重疊與一發光區。
    發光裝置350包括三個發光元件：一包括下電極層103a之第一發光元件、一包括下電極層103b之第二發光元件、及一包括下電極層103c之第三發光元件。下電極層103a之部分、下電極層103b之部分、及下電極層103c之部分係延伸超過密封區。再者，具有連接部分133之連接電極層303被連接至密封區中之每一佈線307a、佈線307b、及佈線307c以接觸與其頂部表面。佈線307a之部分、佈線307b之部分、及佈線307c之部分係延伸超過密封區。因此，每一發光元件係藉由施加電壓於下電極層與其連接至發光元件的佈線之間而發光。
    電地分隔EL層105與上電極層107之分離層351被設於下電極層103a與下電極層103b之間以及於下電極層103b與下電極層103c之間，並延伸超過膜形成區305。
    分離層351具有絕緣性質且被提供以實體地分隔形成於其上的EL層105與上電極層107，以致分離層351作用為邊界。分離層351可具有一種形狀，其中分離層351之至少一表面平行於基底101而突出，如同T形狀或反錐形形狀。當一膜被形成於具有此一形狀之分離層351上時，該膜不會被形成於一以該側表面之突出區所覆蓋的區中。因此，該膜可被形成以藉由分離層351(作用為邊界)而被實體地分隔。以此方式，上電極層107係藉由分離層351(作用為邊界)而被電地分隔。
    分離層351可(例如)使用一種負光敏有機樹脂而被形成，藉由曝光及顯影。此刻，曝光條件被調整以致在一較接近基底101之區中曝光量較小；因此，可形成具有反錐形形狀之分離層351。或者，具有T形狀之分離層351可被形成如下：曝光區域和曝光條件被調整且曝光被執行一次以上。亦或是，T形狀的分離層351可被形成以使得使用複數材料所形成之膜被堆疊且各藉由光微影方法而被處理。T形狀的分離層351可被形成於一光微影步驟中(例如)以使得蝕刻被執行以致一下層中之膜的側表面係藉由利用蝕刻率之差異而凹陷。
    藉由提供具有此一結構之分離層351於發光元件之間，則可藉由作用為邊界之分離層351而使發光元件被彼此電地分離。
    如上所述，提供下電極層(藉此使電力可被獨立地供應至第一發光元件、第二發光元件、及第三發光元件之各者)以延伸超過密封區；類似地，提供佈線(藉此使電力可被獨立地供應至個別發光元件)以延伸超過密封區。根據下電極層之電連接及發光元件之佈線，發光元件可被彼此串聯、並聯、或串並聯組合。此外，如同於上述說明中，AC-DC轉換器可被提供於外部電源與發光裝置350之間，且AC-DC轉換器最好是被提供於基底101之上。
    此外，具有連接部分133之連接電極層301被形成於每一下電極層103a、下電極層103b、及下電極層103c之上表面上，以絕緣層309置於連接電極層301與頂部表面之間。連接電極層301係作用為一輔助電極層，用以支援上電極層107之導電性。
    注意：發光裝置350中之發光元件的數目於本結構範例中是三個，但並不限定於此；發光裝置可包括二或更多發光元件。此外，這些發光元件不一定被配置成列，而可高密度地配置複數發光元件。
    注意：一光學調整層可被設於下電極層103與上電極層107之間，在一其中堆疊有下電極層103、EL層105、及上電極層107之發光部分中。光學調整層為一用以調整介於反射電極與光穿透電極之間的光學距離之層。利用光學調整層，可提升具有特定範圍內之波長的光而因此可增進所發出之光的顏色產生性質。此外，具有不同厚度之複數光學調整層可被提供於一發光部分中。於其中發光裝置包括複數發光元件之情況下，具有不同厚度之光學調整層可被提供於個別發光元件中，且發光元件可被單獨地驅動。於具有此一結構之發光裝置中，可執行亮度或顏色之逐步調整。
    藉由提供分離層351、連接電極層301、及連接電極層303，EL層105及上電極層107可被形成於相同區中以重疊與分離層351、連接電極層301、及連接電極層303。因此，可不使用一用以形成複數島狀型態之金屬遮罩來製造包括複數發光元件之發光裝置350。因此，防止了由於金屬遮罩所導致的問題，而因此發光裝置350可具有高可靠度。
    此外，藉由提供作用為輔助電極層之連接電極層301以修復其由於上電極層107之電阻所致的光發射缺陷，而可順利地增加發光裝置350之尺寸並具有高可靠度。
    注意：作用為上電極層之輔助電極層的複數連接電極層在本實施例被平行地配置，但配置連接電極層之方法不限定於此。連接電極層可被配置以形成晶格型態，或者島狀連接電極層可被提供於其中為必要的區中。
    本實施例可被適當地結合與本說明書中所揭露之任何其他實施例。 (實施例5)
    於本實施例中，將參考圖12A至12C以描述一種可應用於本發明之一實施例的EL層之範例。
    如圖12A中所示，EL層105被提供於一第一電極713與一第二電極717之間。第一電極713和第二電極717可具有類似於上述實施例中所描述之下電極層和上電極層。
    本實施例中所描述之一包括EL層105的發光元件可被使用於上述實施例中所描述之任何發光裝置中。
    EL層105包括至少一含有發光有機化合物之發光層。此外，EL層105可具有一種堆疊結構，其中係適當地結合一含有具高電子傳輸性質之物質的層、一含有具高電洞傳輸性質之物質的層、一含有具高電子注入性質之物質的層、一含有具高電洞注入性質之物質的層、一含有雙極物質(具有高電子傳輸性質和高電洞傳輸性質之物質)的層，等等。於本實施例中，在EL層105中，一電洞注入層701、一電洞傳輸層702、一含有發光有機化合物之層703、一電子傳輸層704、及一電子注入層705被依序堆疊自第一電極713側。注意：該堆疊順序可被反轉。
    將描述圖12A中所示之發光元件的製造方法。
    電洞注入層701為一含有具高電洞注入性質之物質的層。當作具高電洞注入性質之物質，例如，可使用金屬氧化物，諸如氧化鉬、氧化鈦、氧化釩、氧化錸、氧化釕、氧化鉻、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭、氧化銀、氧化鎢、或氧化錳。亦可使用酞花青基的化合物，諸如酞花青(縮寫：H2Pc)或銅(II)酞花青(縮寫：CuPc)。
    此外，可使用芳胺化合物(其為低分子有機化合物)等等。
    再者，可使用任何高分子化合物(諸如寡聚合物、樹枝狀聚合物、或多聚合物)。可使用加入了酸之高分子化合物。
    特別地，用於電洞注入層701，最好是使用一種複合材料，其中一受體物質被混合與一具有高電洞傳輸性質之有機化合物。利用其中一受體物質被混合與一具有高電洞傳輸性質之物質的該複合材料，可獲得來自第一電極713之絕佳電洞注入，其導致發光元件之驅動電壓的減少。此一複合材料可藉由一具有高電洞傳輸性質之物質與一受體物質的共蒸鍍而被形成。電洞注入層701係使用複合材料來形成，藉此促進從第一電極713至EL層105之電洞注入。
    當作用於複合材料之有機化合物，可使用任何多種化合物，諸如酞花青化合物、咔唑衍生物、芳烴、及高分子化合物(諸如寡聚合物、樹枝狀聚合物、或多聚合物)。用於複合材料之有機化合物最好是具有高電洞傳輸性質之有機化合物。明確地，最好是使用具有10-6cm2/Vs或更高之電洞移動率的物質。注意：除了上述物質之外，可使用任何具有傳輸電洞多於電子之性質的物質。
    電子受體之範例包括過渡金屬氧化物。此外，可提供屬於週期表中之族群4至8的金屬之氧化物。明確地，氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、及氧化錸是較佳的，因為電子接受性質高。於這些物質中，氧化鉬是特別佳的，因為其在空氣中是穩定的、具有低吸濕性質、且是容易操縱的。
    電洞傳輸層702為一含有具高電洞傳輸性質之物質的層。當作具高電洞傳輸性質之物質，例如，可使用芳胺化合物。該物質主要為具有10-6cm2/Vs或更高之電洞移動率的物質。注意：除了上述物質之外，可使用任何具有傳輸電洞多於電子之性質的物質。該含有具高電洞傳輸性質之物質的層不限定於單層，亦可堆疊二或更多含有上述物質之層。
    此外，咔唑衍生物、蒽衍生物、或具有高電洞傳輸性質之高分子化合物可被用於電洞傳輸層702。
    針對含有發光有機化合物之層703，可使用一種展現螢光之螢光化合物或者一種展現磷光之磷光化合物。
    注意：含有發光有機化合物之層703可具有一種結構，其中發光有機化合物(客體材料)被散佈於另一物質(主體材料)中。當作主體材料，可使用多種材料；而最好是使用一種材料，其具有高於發光物質之最低未佔用分子軌域位準(LUMO位準)並具有低於發光物質之最高已佔用分子軌域位準(HOMO位準)。
    當作主體材料，可使用多種材料。例如，為了抑制結晶化，可進一步加入抑制結晶化之物質。此外，可進一步加入一不同種的物質以有效率地轉移能量至客體材料。
    當利用一種其中客體材料被散佈於主體材料中之結構時，含有發光有機化合物之層703的結晶化可被抑制。再者，可抑制由於客體材料之高濃度所致之濃度壓抑。
    針對含有發光有機化合物之層703，可使用高分子化合物。
    藉由提供各含有發光有機化合物之複數層並使該些層之發光顏色不同，則可從發光元件整體地獲得一所欲顏色之光發射。例如，於一包括各含有發光有機化合物之兩層的發光元件中，使含有發光有機化合物之第一層的發光顏色與含有發光有機化合物之第二層的發光顏色成為互補，以致發光元件整體地可射出白光。注意：「互補」顏色指的是當混合時可產生單色的顏色。換言之，藉由混合尤其射出互補顏色之光的物質所獲得的光，可獲的白色光發射。此可應用於一種包括各含有發光有機化合物之三或更多層的發光元件。
    電子傳輸層704為一含有具高電子傳輸性質之物質的層。該具有高電子傳輸性質之物質主要為具有10-6cm2/Vs或更高之電子移動率的物質。此外，該電子傳輸層不限定於單層，亦可堆疊二或更多含有上述物質之層。
    電子注入層705為一含有具高電子注入性質之物質的層。針對電子注入層705，可使用鹼金屬、鹼土金屬、或其化合物，諸如鋰、銫、鈣、氟化鋰、氟化銫、氟化鈣、或氧化鋰。此外，可使用稀土金屬化合物，諸如氟化鉺。任何用以形成電子傳輸層704之上述物質亦可被使用。
    注意：上述的電洞注入層701、電洞傳輸層702、含有發光有機化合物之層703、電子傳輸層704、及電子注入層705可各藉由諸如蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、或塗敷法等方法而被形成。
    如圖12B中所示，複數EL層可被堆疊於第一電極713與第二電極717之間。於該情況下，一電荷產生層803最好是被設於堆疊的第一EL層800與第二EL層801之間。電荷產生層803可使用上述複合材料而被形成。再者，電荷產生層803可具有一種包括一含有複合材料之層及一含有另一材料之層的堆疊結構。於該情況下，當作含有另一材料之層，可使用一含有電子施予物質及具有高電子傳輸性質之物質的層、一使用透明導電膜所形成之層，等等。至於具有此一結構之發光元件，諸如能量轉移及壓抑等問題不太可能發生，而因此可輕易地獲得具有高發射效率及長壽命之發光元件，由於材料之選擇的擴展。再者，可輕易地獲得一種發光元件，其提供來自EL層之一的磷光及來自其他EL層的螢光。此結構可被結合與EL層之上述結構。
    再者，藉由形成EL層以射出彼此不同顏色之光，則發光元件整體地可提供所欲顏色之光發射。例如，於一包括兩EL層之發光元件中，使第一EL層的發光顏色與第二EL層的發光顏色成為互補，以致發光元件整體地可射出白光。此可應用於一種包括三或更多EL層的發光元件。
    為了獲得具有理想顏色產生性質之白光，需要其發射光譜涵蓋整個可見光範圍的光，而因此最好是使用一種發光元件，其中三或更多EL層被堆疊。例如，此一發光元件可藉由堆疊其射出紅、藍、和綠之個別顏色的光之EL層而被形成。以此方式，可藉由堆疊不同的三種或更多顏色之EL層以增進發光元件之顏色產生性質。
    一光學調整層可被形成於第一電極713與第二電極717之間。光學調整層為一用以調整介於反射電極與光穿透電極之間的光學距離之層。利用光學調整層，可提升具有特定範圍內之波長的光而因此可調整色調。
    如圖12C中所示，EL層105可包括(於第一電極713與第二電極717之間)電洞注入層701、電洞傳輸層702、含有發光有機化合物之層703、電子傳輸層704、電子注入緩衝層706、電子中繼層707、及一接觸與第二電極717之複合材料層708。
    最好是提供其接觸與第二電極717之複合材料層708，於該情況下可減少特別當藉由濺射法以形成第二電極717時對EL層105所造成的損害。可使用其中受體物質混合與具有高電洞傳輸性質之有機化合物的上述複合材料以形成複合材料層708。
    再者，藉由提供電子注入緩衝層706，可降低介於複合材料層708與電子傳輸層704之間的注入屏障；因此，複合材料層708中所產生之電子可被輕易地注入電子傳輸層704。
    具有高電子注入性質之物質可被用於電子注入緩衝層706：例如，可使用鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、或其化合物(例如，鹼金屬化合物(包括諸如氧化鋰之氧化物、鹵化物、諸如碳酸鋰或碳酸銫之碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、及碳酸鹽)、或稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、及碳酸鹽)。
    再者，於其中電子注入緩衝層706含有具高電子傳輸性質之物質及施體物質的情況下，施體物質最好是被加入以致施體物質相對於具高電子傳輸性質之物質的質量比為大於或等於0.001：1並小於或等於0.1：1。注意：當作施體物質，可使用有機化合物，諸如tetrathianaphthacene(縮寫：TTN)、鎳莘、或decamethylnickelocene；連同鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、及其化合物(例如，鹼金屬化合物(包括諸如氧化鋰之氧化物、鹵化物、諸如碳酸鋰或碳酸銫之碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、及碳酸鹽)、或稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、及碳酸鹽))。注意：當作具有高電子傳輸性質之物質，可使用類似於上述電子傳輸層704之材料的材料。
    再者，電子中繼層707最好是被形成於電子注入緩衝層706與複合材料層708之間。電子中繼層707不一定要提供；然而，藉由提供具有高電子傳輸性質之電子中繼層707，電子可被快速地傳輸至電子注入緩衝層706。
    其中電子中繼層707被插入於複合材料層708與電子注入緩衝層706之間的結構為一種其中複合材料層708中所含之受體物質與電子注入緩衝層706中所含之施體物質較不會彼此互作用的結構，而因此其功能幾乎不彼此干擾。因此，可防止驅動電壓之增加。
    電子中繼層707含有具高電子傳輸性質之物質並可被形成以致該具高電子傳輸性質之物質的LUMO位準係位於複合材料層708中所含的受體物質的LUMO位準與電子傳輸層704中所含的該具高電子傳輸性質之物質的LUMO位準之間。於其中電子中繼層707含有施體物質之情況下，施體物質之施體位準被控制以位於複合材料層708中的受體物質的LUMO位準與電子傳輸層704中所含的該具高電子傳輸性質之物質的LUMO位準之間。當作能量位準之特定值，電子中繼層707中所含之該具高電子傳輸性質之物質的LUMO位準最好是高於或等於-5.0 eV，更理想的是高於或等於-5.0 eV並小於或等於-3.0 eV。
    當作電子中繼層707中所含之該具高電子傳輸性質之物質，最好是使用酞花青基的材料或具有金屬-氧鍵和芳香族配位基的金屬錯合物。
    當作具有金屬-氧鍵和芳香族配位基的金屬錯合物，其係包含於電子中繼層707中，最好是使用具有金屬-氧雙鍵之金屬錯合物。金屬-氧雙鍵具有受體性質(輕易地接受電子之性質)；因此，電子可被更輕易地轉移(施予並接受)。再者，具有金屬-氧雙鍵之金屬錯合物被視為穩定的。因此，具有金屬-氧雙鍵之金屬錯合物的使用使其得以更穩定地用低電壓來驅動發光元件。
    當作具有金屬-氧鍵和芳香族配位基之金屬錯合物，最好是酞花青基的材料。特別地，最好是使用一種材料，其中金屬-氧雙鍵很可能作用於針對分子結構之另一分子上且其具有高受體性質。
    注意：當作上述酞花青基的材料，最好是具有苯氧基族之酞花青基的材料。明確地，最好是具有苯氧基族之酞花青衍生物，諸如PhO-VOPc。具有苯氧基族之酞花青衍生物可溶解於溶劑中。為了該原因，此一酞花青衍生物具有於發光元件之形成期間被輕易地操縱之優點。由於在溶劑中的可溶解性，此一酞花青衍生物亦具有促進一種用於膜形成之設備的維修之優點。
    電子中繼層707可進一步含有施體物質。當作施體物質，可使用：有機化合物，諸如tetrathianaphthacene(縮寫：TTN)、鎳莘、或decamethylnickelocene；連同鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、及其化合物(例如，鹼金屬化合物(包括諸如氧化鋰之氧化物、鹵化物、及諸如碳酸鋰或碳酸銫之碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、及碳酸鹽)、及稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、及碳酸鹽))。當此一施體物質被含入電子中繼層707中時，電子可被輕易地轉移且發光元件可用較低電壓來驅動。
    於其中一施體物質被含入電子中繼層707中的情況下，除了上述材料(如具高電子傳輸性質之物質的範例)之外，可使用一種具有高於複合材料層708中所含之受體物質的受體位準之LUMO位準的物質。明確地，最好是使用一具有高於或等於-5.0 eV之LUMO位準的物質，最好是高於或等於-5.0 eV並低或等於-3.0 eV。當作此一物質之範例，可提供苝衍生物及含氮濃縮芳族化合物。注意：由於其高穩定性，含氮濃縮芳族化合物最好是用於電子中繼層707。
    注意：在其中施體物質被含入電子中繼層707中之情況下，藉由一種諸如具有高電子傳輸性質之物質和施體物質的共蒸鍍等方法可形成電子中繼層707。
    電洞注入層701、電洞傳輸層702、含有發光有機化合物之層703、及電子傳輸層704可各使用任何上述材料來形成。
    以上述方式，可形成本實施例中之EL層105。
    本實施例可被適當地結合與本說明書中所揭露之任何其他實施例。 (實施例6)
    於本實施例中，將參考圖13A及13B以描述一種使用依據本發明之一實施例的發光裝置之照明裝置的範例。
    依據本發明之一實施例，可獲得一種其發光部分具有彎曲表面之照明裝置。
    依據本發明之一實施例的發光裝置可被用於車內之照明；例如，照明可提供給儀表板或天花板。
    圖13A顯示應用依據本發明之一實施例的發光裝置之室內照明裝置901、桌燈903、及平面照明裝置904。因為發光裝置可具有較大面積，所以其可被使用為大面積的照明裝置。此外，因為發光裝置很薄，所以其可被安裝於牆上。再者，發光裝置可被使用為捲動式照明裝置902。
    圖13B顯示照明裝置之另一範例。圖13B中所示之桌燈包括一照明部分9501、一支架9503、一支架底座9505，等等。照明部分9501包括依據本發明之一實施例的發光裝置。如上所述，依據本發明之一實施例，可獲得一種具有彎曲表面之照明裝置或一種具有彈性照明部分之照明裝置。針對照明裝置之彈性發光裝置的此類使用不僅增進照明裝置之設計的自由程度同時亦致能照明裝置被安裝於一具有彎曲表面之部分，諸如汽車之天花板或儀表板。
    本實施例可被適當地結合與本說明書中所揭露之任何其他實施例。 〔範例〕
    於本範例中，將參考圖14A及14B以描述一種藉由依據本發明之一實施例的製造方法所製造之發光裝置。
    本範例中所描述之發光裝置具有頂部發射型結構。發光裝置中所包括之發光元件係展現綠色光發射。首先，將描述本範例中之發光裝置的製造方法。
    50 nm厚的鈦膜、200 nm厚的鋁膜、及100 nm厚的鈦膜係藉由濺射法而被依序堆疊於一具有300 mm X 360 mm之尺寸的玻璃基底上；因此，一下電極層被形成。於本範例中，下電極層被使用為陽極。注意：於本範例中，下電極層被分割為四片段且所分割的下電極層被配置於基底之縱向上；因此，四個發光元件被形成於玻璃基底之上。
    接下來，環氧樹脂(由TAIYO INK MFG.CO.,LTD所製造的S-30F B206)以各具有400μm之線寬的條狀而藉由網印法被印製在下電極層上，並接著在大氣周圍環境下以140℃執行烘烤55分鐘。此外，藉由類似方法在類似條件下執行環氧樹脂之印製和烘烤。因此，形成一絕緣層。注意：環氧樹脂被印製和烘烤兩次以加厚該絕緣層並確保介於該下電極層與稍後形成的連接電極層之間的絕緣。絕緣層被形成為35條狀於每發光區。
    接下來，含有銀粒子之導電膏(由Sumitomo Electric Industries,Ltd.所製造的AGEP-201X)係藉由網印法而被印製於絕緣層上，以具有約200 μm之線寬和約18 μm之厚度於中央部分，並接著在大氣周圍環境下以200℃執行烘烤80分鐘。因此，形成連接電極層。
    之後，藉由一種真空蒸鍍法以形成一包括一含有展現綠色光發射之發光有機化合物的層之EL層達約157 nm之厚度。氧化銦-氧化錫膜係藉由一種濺射法而被進一步形成於EL層之上達約110 nm之厚度，以致一上電極層被形成。因此，發光元件被形成於玻璃基底之上。注意：EL層和上電極層係使用一阻擋遮罩來形成，以提供一非膜形成區於四個發光元件之間及在連接至外部電源的電極之上。
    接著，利用一具有300 mm X 360 mm之尺寸的玻璃基底來當作反向基底，其上形成有發光元件之玻璃基底與反向基底係利用一設於玻璃基底之在外周邊部分上的熱固環氧樹脂而被彼此黏合；因此，發光元件被密封。之後，反向基底之一周邊部分被切掉以致反向基底可具有約254 mm X 314 mm之尺寸。
    圖14A為以上述方式所製造之發光裝置的照片，其係處於發光之狀態。注意：四個發光元件之兩個被設定發光，於此。如圖14A中所示，在整個發光區上之光發射被確認於每一發光元件中。
    接下來，利用雷射光而透過反向基底以照射一其中連接電極層與上電極層彼此重疊的區。明確地，雷射光照射被執行於下列條件下：波長為266 nm、輸出功率為3.0 W、光束寬度為15 μm、掃描速度為100 mm/s、及Q切換頻率為29 kHz。
    圖14B為雷射光照射後處於發光之狀態下的發光裝置之照片。注意：圖14B中之發光元件係相同於圖14A中之發光元件。於兩個發光元件之整個發光區上的光發射亦可被確認於圖14B中。此外，於圖14B中，相較於圖14A其亮度不均勻被顯著地減少，且獲得遍及發光區之均勻的光發射。
    如上所述，藉由利用雷射光照射一其中上電極層與連接電極層彼此重疊之區將連接電極層確實地電連接至上電極層，藉此可製造一種高度可靠的發光裝置，其中減少了由於上電極層之電阻所致之壓降所造成的光發射缺陷並抑制了亮度不均勻。
    本案係基於2011年五月27日對日本專利局提出申請之日本專利申請案序號2011-119296，其完整內容被併入於此以供參考。
    100‧‧‧發光裝置
    101‧‧‧基底
    103‧‧‧下電極層
    105‧‧‧EL層
    107‧‧‧上電極層
    109‧‧‧絕緣層
    111‧‧‧連接電極層
    113‧‧‧絕緣層
    121‧‧‧反向基底
    123‧‧‧密封材料
    125‧‧‧區
    127‧‧‧區
    131‧‧‧雷射光
    132‧‧‧雷射照射區
    133‧‧‧連接部分
    134‧‧‧連接部分
    135‧‧‧雷射光
    141‧‧‧探針
    143‧‧‧密封劑
    150‧‧‧發光裝置
    163‧‧‧下電極層
    165‧‧‧輔助電極層
    167‧‧‧絕緣層
    171‧‧‧佈線
    201‧‧‧基底
    202‧‧‧反向基底
    203‧‧‧發光元件
    205‧‧‧照射靶區
    207‧‧‧電極
    209‧‧‧光
    211‧‧‧外部電源
    213‧‧‧電源計
    215‧‧‧平台
    217‧‧‧位置對準機構
    219‧‧‧相機
    221‧‧‧影像處理機構
    223‧‧‧顯示裝置
    225‧‧‧發射顯微鏡
    227‧‧‧聚光透鏡
    229‧‧‧半鏡
    231a‧‧‧快門
    231b‧‧‧快門
    233‧‧‧雷射裝置
    235‧‧‧雷射光
    300‧‧‧發光裝置
    301‧‧‧連接電極層
    303‧‧‧連接電極層
    305‧‧‧膜形成區
    307‧‧‧佈線
    309‧‧‧絕緣層
    311‧‧‧密封材料
    313‧‧‧絕緣層
    315‧‧‧透鏡陣列
    317‧‧‧密封劑
    319‧‧‧雷射照射區
    350‧‧‧發光裝置
    351‧‧‧分離層
    701‧‧‧電洞注入層
    702‧‧‧電洞傳輸層
    703‧‧‧含有發光有機化合物之層
    704‧‧‧電子傳輸層
    705‧‧‧電子注入層
    706‧‧‧電子注入緩衝層
    707‧‧‧電子中繼層
    708‧‧‧複合材料層
    713‧‧‧第一電極
    717‧‧‧第二電極
    800‧‧‧第一EL層
    801‧‧‧第二EL層
    803‧‧‧電荷產生層
    901‧‧‧發光裝置
    902‧‧‧發光裝置
    903‧‧‧桌燈
    904‧‧‧平面照明裝置
    9501‧‧‧照明部分
    9503‧‧‧支架
    9505‧‧‧支架底座
    於後附圖形中：圖1A至1D說明一種依據本發明之一實施例的發光裝置之製造方法；圖2A至2D說明一種依據本發明之一實施例的發光裝置之製造方法；圖3A和3B說明一種依據本發明之一實施例的發光裝置之製造方法；圖4說明一種依據本發明之一實施例的發光裝置之製造方法；圖5說明一種依據本發明之一實施例的雷射光之照射方法；圖6A至6D說明一種依據本發明之一實施例的發光裝置之製造方法；圖7說明一種依據本發明之一實施例的發光裝置之製造方法；圖8A和8B各說明一種依據本發明之一實施例的發光裝置；圖9A和9B說明一種依據本發明之一實施例的發光裝置；圖10A和10B各說明一種依據本發明之一實施例的發光裝置；圖11A和11B說明一種依據本發明之一實施例的發光裝置；圖12A至12C各說明一種依據本發明之一實施例的EL層；圖13A和13B說明依據本發明之一實施例的發光裝置；及圖14A和14B各為依據範例之發光裝置的照片。
    101‧‧‧基底
    103‧‧‧下電極層
    105‧‧‧EL層
    107‧‧‧上電極層
    109‧‧‧絕緣層
    111‧‧‧連接電極層
    121‧‧‧反向基底
    131‧‧‧雷射光
    133‧‧‧連接部分
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種發光裝置之製造方法，包含：形成一連接電極層於一絕緣表面上；形成一含有發光有機化合物之層於該連接電極層上；形成一第二電極層於該含有發光有機化合物之層上；及電連接該連接電極層至該第二電極層。
    [2] 如申請專利範圍第1項的發光裝置之製造方法，進一步包含：利用雷射光照射一其中該第二電極層與該連接電極層彼此重疊之區，以致該連接電極層被電連接至該第二電極層。
    [3] 如申請專利範圍第2項的發光裝置之製造方法，其中該雷射光被傳遞通過一被設置以面對該絕緣表面之透光基底。
    [4] 一種發光裝置之製造方法，包含：形成一第一電極層於一絕緣表面上；形成一連接電極層於該絕緣表面上以被電絕緣自該第一電極層；形成一含有發光有機化合物之層於該第一電極層和該連接電極層上；形成一第二電極層於該含有發光有機化合物之層上；及電連接該連接電極層至該第二電極層。
    [5] 如申請專利範圍第4項的發光裝置之製造方法，進一步包含：利用雷射光照射一其中該第二電極層與該連接電極層彼此重疊之區，以致該連接電極層被電連接至該第二電極層。
    [6] 如申請專利範圍第5項的發光裝置之製造方法，其中該雷射光被傳遞通過一被設置以面對該絕緣表面之透光基底。
    [7] 如申請專利範圍第4項的發光裝置之製造方法，進一步包含：在該連接電極層被電連接至該第二電極層之後，施加電壓於該第一電極層與該第二電極層之間以檢測一具有光發射缺陷之部分；及利用雷射光照射該具有光發射缺陷之部分以隔離該具有光發射缺陷之部分。
    [8] 一種發光裝置，包含：位於一絕緣表面上之一第一電極層和一連接電極層；位於該第一電極層和該連接電極層上之一含有發光有機化合物之層；及一位於該含有該發光有機化合物之層上的第二電極層，其中該連接電極層被電連接至該第二電極層，在一位於該連接電極層上且利用雷射光而照射之區中。
    [9] 如申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該第二電極層具有針對從該含有該發光有機化合物之層射出之光的透光性質。
    [10] 如申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該第一電極層與該第二電極層之至少一者具有針對從該含有該發光有機化合物之層射出之光的透光性質。
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    法律状态:
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    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011119296||2011-05-27||
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