专利摘要:
本發明提供一種光學裝置封裝件及其製造方法。根據本發明一示範實施例之光學裝置封裝件的製造方法包含:形成一金屬層在形成有複數個導通孔的一絕緣層上;藉由蝕刻該金屬層形成一電路圖案層;形成一邊界部在該金屬層的一預定部中;安裝一光學裝置在該電路圖案層上;以及藉由塗佈一透明材料至該光學裝置而形成一塑模部,其中該預定部為對應該塑模部之邊界的部份。
公开号:TW201312808A
申请号:TW101127149
申请日:2012-07-27
公开日:2013-03-16
发明作者:Jee-Heum Paik;Sang-Ki Cho
申请人:Lg Innotek Co Ltd;
IPC主号:H01L33-00
专利说明:
光學裝置封裝件及其製造方法
本發明主張關於2011年07月29日申請之韓國專利案號10-2011-0076048之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種光學裝置封裝件及其製造方法。
通常,光學裝置,也就是,一發光二極體(LED)被稱為一金屬間化合物接合二極體(intermetallic compound joining diode),其使用半導體的一p-n接合結構來產生少數載子(電子或電洞),且由於這些載子的再結合,而可改變電能成為光能進而射出光。也就是說,當一順向電壓施加至一特定元件的半導體時,電子和電洞係再結合,同時電子和電洞透過一正極和一負極的接合部分來移動。此時,因為產生的能量小於當電子和電洞為分開的狀態時的能量,由於產生能量的差異,因此而發射出光。此種LED係應用至一LCD裝置的發光裝置或背光裝置以及一般的顯示裝置,且它的應用範圍逐漸廣範。
圖1繪示根據一習知技藝之一光學裝置封裝件的剖視圖。
參閱圖1,在一薄膜式(film type)的習知光學裝置封裝件包含:一絕緣膜層10、一電路圖案層20形成在該絕緣膜層10上、以及一光學裝置30安裝在電路圖案層20上。光學裝置30係透過一導線40而電性連接至電路圖案層20。一塑模部60係藉由塗佈包含一螢光物質的一透明樹脂至光學裝置30以改善該光學裝置的發光效率。在塑模部60形成之前,一阻隔部50係形成在電路圖案層20上。
圖2為用以解釋根據習知技藝之光學裝置封裝件之阻隔部的視圖。
參閱圖2,在光學裝置30安裝在電路圖案30上之前,阻隔部50與使用一絲網印刷法或一光防焊(Photo Solder Resist)法所塗佈的抗焊劑20形成在電路圖案層20上。阻隔部50係圍繞光學裝置30而形成,因此當用於塑模部60的透明樹脂塗佈至光學裝置30時,該透明樹脂並不會溢流過阻隔部50。
因為形成阻隔部50的製程很複雜,因此由於產生在抗焊劑周圍的煙霧(hume)而使一下電鍍表面很有可能產生變色。
因此,需要刪除使用抗焊劑來形成阻隔部的製程、簡化流程及移除可能造成變色的問題。
本發明提供一種光學裝置封裝件及其製造方法,其中的製造過程係被簡化,且可以移除因形成一阻隔部而造成變色(discoloration)問題的可能性。
根據本發明,提供一種光學裝置封裝件的製造方法,該方法包含:形成一金屬層在形成有複數個導通孔的一絕緣層上;藉由蝕刻該金屬層,形成一電路圖案層;形成一邊界部在該金屬層的一預定部中;安裝一光學裝置在該電路圖案層上;以及藉由塗佈一透明材料至該光學裝置而藉以形成一塑模部,其中該預定部係為對應該塑模部之一邊界的部份。
該光學裝置封裝件的製造方法可更包含以一金屬材料電鍍該電路圖案層。
該光學裝置封裝件的製造方法可更包含使用一導線來電性連接該光學裝置和該電路圖案層。
該邊界部可具有一凹槽形狀。
形成該電路圖案層和形成該邊界部可藉由該蝕刻而同時進行。
該光學裝置封裝件的製造方法可更包含在進行該蝕刻之前,形成光阻的一開放區,該開放區對應該邊界部且窄於該邊界部的一區域。
該邊界部的形成可藉由半蝕刻來實現。
該光學裝置封裝件包含:一絕緣層,該絕緣層形成有複數個導通孔;一電路圖案層形成在該絕緣層的一表面上;一光學裝置安裝在該電路圖案層上;一塑模部由一透明材料所形成,位在該光學裝置上;以及一邊界部形成在對應該塑模部之一邊界的部份中。
該電路圖案層可電鍍有一金屬材料。
該金屬材料可為銀(Ag)。
該光學裝置封裝件可更包含一導線,該導線電性連接該光學裝置和該電路圖案層。
該邊界部可具有一凹槽形狀。
該透明材料可包含一透明矽氧樹脂、環氧樹脂以及玻璃.
該邊界部具有一圓形或一橢圓形的形狀。
根據本發明,因為該邊界部係形成在形成有該電路圖案層且塗佈有透明材料的該金屬層上,那就是,對應該塑模部之該邊界的部份。所以,當形成該塑模部時,該透明材料並無法溢流出由邊界部所界定(bounded)的區域,且該塑模部能被排列在一適當位置。因此,製造過程係被簡化,且可以移除因形成一阻隔部而造成變色(discoloration)問題的可能性。
所附圖式係用來進一步瞭解本發明,且係包含和構成為說明書的一部份。圖式係圖解本發明的示範實施例,與說明書一起被用來解釋本發明。
本發明示範實施例將完全地在後文中參照圖式進行說明,因此熟知此技藝者得以輕易完成。本發明可以不同的形式來具體化且不應被限定在所提出的示範實施例。為清楚解釋本發明,在圖式中,與解釋無關的部份將省略,而相同的元件符號將在說明書中代表相同的元件。
在後文中,本發明所完成之技術內容將伴隨圖式進行詳細說明。
圖3繪示根據本發明之一示範實施例之光學裝置封裝件的製造流程視圖。
參閱圖3,一黏著層係施加至一絕緣層110的表面(S1)。此處,絕緣層110可為一聚亞醯胺膜(polyimide film),但不限定於此。該絕緣層可由一陶瓷材料所製造以抵抗一熱衝擊(heat shock)。再者,絕緣層110可具有一膜(film)狀。在此情況下,該絕緣層可藉由使用捲軸式(roll-to-roll)製程來大量製造。
接著,複數個導通孔120形成在絕緣層110上(S2)。藉由穿透過絕緣層100而形成的該些導通孔可包含安裝有一光學裝置150的一導通孔、用於電性連接每一層的一導通孔、用於容易擴散熱的一熱導通孔、以及作為對準(align)每一層之標準的一導通孔。
接著,一金屬層130係層疊在絕緣層110上。金屬層130可由一薄銅片所組成。然後,在其一表面透過數道化學處理活化(activated)之後,塗佈光阻,以及進行曝光和顯影製程。在顯影製程完成後,藉由一蝕刻製程形成一所需電路和藉由薄化(thin)光阻而形成一電路圖案132(S4)。同時或依序,形成一邊界部140在電路圖案層132上塗佈有一透明材料至一區域的一邊緣中,那就是,對應至一塑模部之一邊界的部份。邊界部140對應至該塑模部和電路圖案層132之間的一邊界。因此,邊界部140具有大略上為圓形或橢圓形的形狀。
邊界部140可藉由半蝕刻而形成。半蝕刻可使金屬層130的厚度變薄。也就是說,該半蝕刻可減少金屬層130部份的厚度,該部份係對應塗佈透明樹脂之一區域的邊界。
換句話說,邊界部140可藉由半蝕刻一預定區域或部份的金屬層130而形成。邊界部140可形成為一凹槽形狀在金屬層130上,也就是,電路圖案層132。
根據一示範實施例,形成電路圖案層132的製程可與形成邊界部140的製程同時進行。也就是說,形成電路圖案層132的製程和形成邊界部140的製程可藉由一蝕刻製程同時進行。將參照圖4來進行解釋。
圖4繪示根據本發明另一示範實施例之形成邊界部製程的視圖。
參閱圖4,形成電路圖案層132的蝕刻和形成邊界部140的蝕刻可同時進行。此時,可調整用於蝕刻電路圖案層132a的顯影區和用於蝕刻邊界部140的顯影區。此處,該顯影區稱為區域A其呈開放(open)狀,因此一蝕刻液可與金屬層130在圖案化的光阻70中接觸以進行蝕刻。
當蝕刻內有寬的顯影區的部份和內有窄的顯影區的部份時,該些部份的蝕刻速度可不相同。窄化(narrow)該顯影區表示顯影區(A)的尺寸係小於將被蝕刻之部份B的尺寸。寬化(widen)該顯影區表示顯影區(A)的尺寸係大於將被蝕刻之部份C的尺寸。
結果,對應寬的顯影區之部份的金屬層130係於蝕刻時被完全移除,但是對應窄的顯影區之部份的金屬層130係於蝕刻時未被完全移除。也就是說,對應窄的顯影區之部份的金屬層130係被半蝕刻。
為達此目的,在形成電路圖案層的蝕刻製程執行前,可先執行對應該電路圖案層之一圖案之寬化光阻的開放區的製程,以及對應該邊界部之一圖案之窄化光阻的開放區的製程。也就是說,在進行蝕刻製程前,製造該光學裝置封裝件的製程可包含使對應該邊界部之該光阻的開放區比該邊界部的區域窄的製程。
根據另一示範實施例,形成電路圖案層132和邊界部140的該些製程可依序執行。在此情況下,形成該電路圖案層和該邊界部之該些製程的順序可依據製程狀況和設計而有所改變。
在本示範實施例中,邊界部140係使金屬層130的厚度變薄而形成,但本發明並非限定於此。舉例而言,邊界部140可藉由穿透過金屬層130而形成。在此情況下,邊界部140可同時形成有電路圖案層132而無需去調整該顯影區的寬度。
在形成電路圖案層132之後,電路圖案層132係鍍覆有一金屬材料,舉例而言:銀(Ag),以藉此形成一電鍍電路圖案層134(S5)。接著,光學裝置150係安裝在電鍍電路圖案層134上(S6)。安裝有光學裝置150的一位置可藉由邊界部140而輕易區別。因此,該塑模部,舉例而言,一透鏡部,可排列在適當位置。
歸功於電路圖案層132的電鍍,更多從該光學裝置150射出的光可自電鍍電路圖案層134被反射。因此,可增加該光學裝置封裝件的亮度。接著,光學裝置150透過一導線160而電性連接至電鍍電路圖案層134(S7)。
最後,光學裝置150和導線160係被塑模(molded)或以一透明材料封裝(encapsulated)以藉此形成塑模部170。該透明材料可包含一透明矽氧樹脂、環氧樹脂以及玻璃。此處,塑模部170作用為一透鏡以擴散光,且亦稱為透鏡部。
圖5為用來解釋根據本發明再一示範實施例之光學裝置封裝件邊界部的視圖。
參閱圖3和圖5,該光學裝置封裝件可包含形成有該些導通孔的絕緣層110;電路圖案層134形成在該絕緣層的一表面上;光學裝置150安裝在電路圖案層134上;以及塑模部170藉由塗佈環氧樹脂至該光學裝置而形成。光學裝置150和電路圖案層134係透過該導線而電性連接。
再者,該光學裝置封裝件可包含形成在對應塑模部170邊界的部份中的邊界部140。邊界部140可形成在電路圖案層134上以具有凹槽形狀。
當形成塑模部170時,一塑模材料並沒有溢流出由邊界部140所界定(bounded)的區域。換句話說,為形成塑模部170,當塑模材料係塗覆至光學裝置150和導線160時,該塑模材料流入形成在該電路圖案層134上的邊界部140。也就是,凹槽140。因此,除非該塑模材料溢流出邊界部140,塑模材料140並不會從邊界部140流出,藉以容易地形成塑模部170。
再者,邊界部140可指定用以形成塑模部170的一區域。因此,可容易區別形成塑模部170的位置。
如上所述,在本發明的描述中以詳細描述本發明的示範實施例,所以,很明顯地,熟知此技藝者可想出將落入本發明之原理的精神或範疇內的修改和變化。因此,應理解上述說明係解釋本發明,且不應用來限制本發明所揭露的特定實施例。而對於所揭露的實施例和其它實施例的修改係應被包含在所附申請專利範圍和其均等範圍之範疇內。
10‧‧‧絕緣膜層
20‧‧‧電路圖案層
30‧‧‧光學裝置
50‧‧‧阻隔部
60‧‧‧塑模部
70‧‧‧光阻
110‧‧‧絕緣層
120‧‧‧導通孔
130‧‧‧金屬層
132‧‧‧電路圖案
134‧‧‧電鍍電路圖案層
140‧‧‧邊界部
150‧‧‧光學裝置
160‧‧‧導線
170‧‧‧塑模部
A‧‧‧顯影區
B、C‧‧‧部份
S1~S8‧‧‧流程
圖1繪示根據習知技藝之發光二極體封裝件的剖視圖。
圖2為用以解釋根據習知技藝之光學裝置封裝件阻隔部的視圖。
圖3繪示根據本發明之一示範實施例之光學裝置封裝件的製造流程視圖。
圖4繪示根據本發明另一示範實施例之形成邊界部製程的視圖。
圖5為用來解釋根據本發明再一示範實施例之光學裝置封裝件之邊界部視圖。
110‧‧‧絕緣層
134‧‧‧電鍍電路圖案層
140‧‧‧邊界部
150‧‧‧光學裝置
权利要求:
Claims (14)
[1] 一種光學裝置封裝件的製造方法,包含:形成一金屬層在形成有複數個導通孔的一絕緣層上;藉由蝕刻該金屬層,形成一電路圖案層;形成一邊界部在該金屬層的一預定部中;安裝一光學裝置在該電路圖案層上;以及藉由塗佈一透明材料至該光學裝置而形成一塑模部,其中該預定部係為對應該塑模部之一邊界的部份。
[2] 如申請專利範圍第1項所述之製造方法,更包含以一金屬材料電鍍該電路圖案層。
[3] 如申請專利範圍第1項所述之製造方法,更包含使用一導線來電性連接該光學裝置和該電路圖案層。
[4] 如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中其中該邊界部具有一凹槽形狀。
[5] 如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中形成該電路圖案層和形成該邊界部係藉由該蝕刻而同時進行。
[6] 如申請專利範圍第5項所述之製造方法,更包含在進行該蝕刻之前,使對應該邊界部之光阻的一開放區窄於該邊界部的一區域。
[7] 如申請專利範圍第1項所述之製造方法,其中形成該邊界部係藉由半蝕刻來完成。
[8] 一種光學裝置封裝件,包含:一絕緣層,該絕緣層形成有複數個導通孔;一電路圖案層形成在該絕緣層的一表面上;一光學裝置安裝在該電路圖案層上;一塑模部由一透明材料所形成,位在該光學裝置上;以及一邊界部形成在對應該塑模部之一邊界的部份中。
[9] 如申請專利範圍第8項所述之光學裝置封裝件,其中該電路圖案層係電鍍有一金屬材料。
[10] 如申請專利範圍第9項所述之光學裝置封裝件,其中該金屬材料係為銀(Ag)。
[11] 如申請專利範圍第8項所述之光學裝置封裝件,更包含一導線,該導線電性連接該光學裝置和該電路圖案層。
[12] 如申請專利範圍第8項所述之光學裝置封裝件,其中該邊界部具有一凹槽形狀。
[13] 如申請專利範圍第8項所述之光學裝置封裝件,其中該透明材料包含一透明矽氧樹脂、環氧樹脂以及玻璃.
[14] 如申請專利範圍第8項所述之光學裝置封裝件,其中該邊界部具有一圓形或一橢圓形的形狀。
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