太陽能電池用基板及太陽能電池

专利摘要:
本發明係一種太陽能電池用基板及太陽能電池，其中，有關於平面視正方形狀之矽基板的角部之一，形成倒角部或於角部或其近旁形成缺口部而成之太陽能電池用基板，如根據本發明，可容易確認基板的位置，在太陽能電池製造工程中，成為可判別基板的方向，抑制基板的方向為原因而產生之不良。
公开号:TW201312770A
申请号:TW100132634
申请日:2011-09-09
公开日:2013-03-16
发明作者:Hideo Ooiwa；Takenori Watabe；Hiroyuki Otsuka；Kazuo Hara
申请人:Shinetsu Chemical Co；
IPC主号:Y02E10-00

专利说明:
太陽能電池用基板及太陽能電池
本發明係將光能源直接變換為電性能源的太陽能電池用基板及太陽能電池。
近年來，為了解決有關在地球規模之資源節約或環境惡化的防止問題，作為石化燃料的替代能源，除了原子力以外，進行有效利用潛在於風力，波力，太陽光等之能源的技術開發而加以寰用化。
其中，對於潔淨之太陽光能源的活用，作為主要技術而注目有太陽能電池，而因廉價，且可簡便地來自小規模的發電之故，太陽光發電係作為替代在個人住宅或大樓全體消耗之能源的一部分之技術而加以賣用化。
現在，在成為主流朝一般住宅之太陽能雷池系統等中，將面板狀的太陽能電池模組，複數個串聯或並聯地連接，經由排列鋪設於建物的屋頂而可得到所期望之輸出地加以構成。使用於面板狀的太陽能電池模組之太陽能雷池單元的形狀係為了配合太陽能電池面板的形狀，使用正方形或角部缺損之擬似正方形。
太陽能電池單元係將光能源變換為電力之半導體元件，其中，有p-n接合型，pin型，肖特基型等，特別是p-n接合型則被廣泛使用。另外，將太陽能電池，主要分類其基板材料時，大致區分成矽結晶系太陽能電池，非晶形(非晶質)矽系太陽能電池，化合物半導體系太陽能電池的3種類。矽結晶系太陽能電池係又分類成單結晶系太陽能電池與多結晶系太陽能電池、太陽能電池用結晶基板係從可比較容易製造之情況，矽結晶系太陽能電池則最為普及。
一般的結晶矽太陽能電池係為了分離經由太陽光線之照射而生成之載體，必須p-n接合之形成。例如，對於基板使用p型矽的情況，係由使磷等之V族元素擴散於受光面側者，形成n型矽層，另外對於基板使用n型矽的情況，由使硼素等之III族元素擴散於受光面側者，形成p型矽層。
矽太陽能電池係p型矽基板的情況，由以800~950℃程度之溫度熱擴散磷系的摻雜劑者，形成擴散層於基板兩面之全面。將此，因應必要而除去不需要之部分的擴散層而作為太陽能電池用之擴散層。
並且，於此擴散層上，作為反射防止膜而形成例如矽氮化膜，由在受光面側，將格柵狀之銀電糊，及在背面略全面，將鋁電糊電極，印刷、燒成者，可作為矽結晶系太陽能電池。
因此，對於為了提升太陽能電池的光電變換效率，擴散層的厚度係越薄越佳，但當過薄時，容易引起經由稱作穿透之電極之n層部分之破壞之故，不易進行經由高阻抗化而在電極部分之集電。因此，使用受光面部分係作為薄化擴散層之高阻抗層(低濃度擴散)，電極部分係作為加厚擴散層之低阻抗層(高濃度擴散)之稱作選擇射極之構造。
選擇射極係以SiO₂等之擴散阻止皮膜被覆基板的表面，將該擴散阻止皮膜除去成線狀而製作擴散窗，可經由於其範圍內選擇性地擴散摻雜劑而形成高濃度擴散層，進行製作。
形成高濃度擴散層後，於除去擴散阻止皮膜而含有高濃度擴散層之表面全面，擴散摻雜劑，將高濃度擴散層的周圍範圍，作為較該高濃度擴散層摻雜劑濃度低之低濃度擴散層。
接著，於表面形成反射防止膜。作為反射防止膜係可為氮化矽膜，氧化鈦膜或氧化鋁膜。此等膜係例如，可經由CVD法而形成。
作為反射防止膜而使用之氧化矽膜，氮化矽膜，氧化鈦膜及氧化鋁膜係均將矽晶圓表面的缺陷作為終端，有著提升太陽能電池單元之特性(特別是提升短路電流)之作用。
接著，在製作反射防止膜後，以印刷形成電極之指叉。電極之指叉的位置係將基板的兩邊作為基準而進行基板的位置調整，重疊於高濃度擴散層上而製作。
擴散處理後係低濃度擴散層與高濃度擴散層的區別則以目視無法確認。此區別係可在電性的評估(例如擴散阻抗測定)確認，但成為破壞檢查，對於檢查耗時。
太陽能電池製造工程係如上述，歷經多數的工程之故，在某工程，於基板旋轉之情況，產生有無法判別基板的方向之問題。為了迴避此，例如即使於基板以雷射標記附上印記，經由製作反射防止膜，確認亦為困難，更且經由雷射標記，對於太陽能電池基板帶有偏差，有其部分的特性下降的問題。
然而，作為關連於本發明之以往技術，可舉出下述文獻。 [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-064028號公報
[專利文獻2]日本特開2005-123447號公報
本發明係有鑑於上述情事所作為之構成，提供可容易地判別基板的方向，在太陽能電池之製造工程中，作為可確保統一基板的方向為容易安定特性而製造太陽能電池之太陽能電池用基板及太陽能電池。
隨之，本發明係提供下述之太陽能電池用基板及太陽能電池。
[1]於平面視正方形狀之矽基板的角部之一，形成倒角部，或於角部或者其近旁形成缺口部而成之太陽能電池用基板。
[2]　於平面視正方形狀之矽基板的角部之一，形成倒角部，或於角部或者其近旁形成缺口部之同時，對於未與上述角部對向之另一角部之一而言，將與形成於上述角部之一形狀不同形狀之缺口部，形成於角部或於其近旁，或將倒角部形成於角部而成之太陽能電池用基板。
[3]於各角部帶有圓弧之平面視正方形狀之矽單結晶基板的角部之一，形成定向平面，或於角部或者其近旁形成缺口部而成之太陽能電池用基板。
[4]於具有各角部帶有圓弧之平面視正方形狀，通過表面為{100}面之矽單結晶基板的略中心之＜110＞之結晶方位，形成定向平面或缺口部而成之太陽能電池用基板。
[5]於各角部帶有圓弧之平面視正方形狀之矽單結晶基板的角部之一，形成定向平面之同時，於未與上述角部對向之另一角部之一的角部或其近旁，形成缺口部而成之太陽能電池用基板。
[6]於[1]~[5]之任一項記載之太陽能電池用基板的受光面側形成低濃度之擴散層之同時，於指叉電極形成處，形成有高濃度之擴散層者為特徵之太陽能電池、然而，在本發明中角部或其近旁係指不僅正方形之直角部分或帶有圓弧之角部的中央部之一點，而包含其周邊部之構成，包含圓弧對應部分之構成。
如根據本發明，可容易地確認基板的位置，成為可在太陽能電池製造工程中判別基板的方向，抑制基板的方向為原因而產生之不良。
太陽能電池單元之形狀係從必須配合太陽能電池面板的形狀之情況，其基板係加工成平面視正方形或擬似正方形(角部帶有圓弧之正方形(以下同樣)[圖1(b)]。加工成擬似正方形之情況係單結晶基板則從圓柱的單結晶加以製作之故，因而減少經由切斷之單結晶的損失。多結晶基板的情況係形狀因可經由鑄型變更之故，使用正方形基板的基板[圖2(a)]。
在本發明中，於此基板的第一角部形成倒角部或於第一角部乃至其近旁形成缺口部等，由作為與其他角部不同形狀者，成為可判別基板的方向。
正方形基板的情況，為了減少為了形成此倒角部或缺口部之損失，切斷部分之外形尺寸為5mm以下為佳。
擬似正方形基板的情況，例如可從直徑200mm的圓柱狀單結晶晶錠，得到156×156mm的擬似正方形基板，角部係成為半徑100mm的圓弧。於此圓弧部分，形成顯示劈開方向之定向平面(顯示結晶方向之倒角部，之後稱作OF)或形成缺口部。
OF，缺口部之加工數係如為1個，基板的方向則成為明確。如組合各個而對於基板的對角線而言未成為線對稱地加以配置，成為可判別表背。
[發明之實施形態1]
於以下，參照圖1及圖3，說明使用經由CZ法之矽單結晶太陽能電池基板的太陽能電池之製造方法。
作為使用於單結晶系太陽能電池之矽結晶基板的製造方法，有著FZ(Floating Zone)法及CZ(Czochralski)法，但主要使用CZ法。
首先，對於石英坩堝投入高純度的矽多結晶。接著，為了得到目的之導電型，阻抗的單結晶，如為p型，摻雜硼素，鎵等之III族元素，如為n型，摻雜磷，砒素等之V族元素。阻抗係作為0.1Ω‧cm以上10Ω‧cm以下、期望為0.5Ω‧cm以上2Ω‧cm以下，但在實現高性能之太陽能電池上為適合。
於熔融熔液，浸漬面方位為＜100＞方向之種結晶，經由使其旋轉同時拉起，得到面方位為＜100＞之圓筒的單結晶晶錠。切斷其單結晶晶錠兩端部，研削外周而製作圓柱狀的部件。
將面方位為＜100＞之單結晶晶錠，經由X線方位測定結晶方位，通過單結晶的中心，於劈開方向的＜110＞方向，研削OF或缺口部[參照圖1(a)]。
接著，為了將圓柱接近於正方形，切斷周邊部，作為正方形或擬似正方形[參照圖1(b)]。切斷係呈殘留OF或缺口部地，對於劈開方向的＜110＞方向而言，使其45度旋轉而切斷。正方形基板的情況，為了減少為了形成OF或缺口部之損失，切斷部分之外形尺寸為5mm以下為佳，外形尺寸如為OF，係指進行倒面的弦之長度，如為缺口部係指缺口的長邊的長度。
OF，缺口部之加工數係如為1個，基板的方向則成為明確。如組合各個而將2個以上對於擬似正方形的對角線而言未成為線對稱地加以配置，有著成為可判別表背的優點。
於擬似正方形的四角柱形部件，黏著碳，玻璃等，切斷為特定之基板厚度。對於基板厚度，如為50μm程度，可將入射的光取得於太陽能電池內，在成本面亦為有利，但為了具有機械性強度，係150~300μm為佳。
在將切斷的部件切割而得到太陽能電池用基板時，沿著劈開方向的切斷方法中，有產生斷裂，傷痕的問題。因此，對於劈開方向而言使其45度旋轉，於擬似正方形的角部或角部近旁，經由呈OF或缺口部地進行切斷而可防止切斷時之斷裂，傷痕。
切斷的基板1[圖3(a)]係移載至洗淨用載體，實施洗淨。從直徑200mm的單結晶，製作156mm角之基板的情況，在有OF的情況和無之情況，直徑偏差有0.5~0.7mm程度的差，經由目視可將基板方向作為一致。另外，由CCD照相機，判別基板的形狀，經由改變方向充填於載體之時，將OF及缺口部的方向作為統一亦可。由此，成為可消除經由工程中的基板方向不同之不良。
將所洗淨的基板，在氧環境中，以800~1,000℃之高溫爐進行熱氧化，於基板的受光面側，形成3~30nm程度之薄的氧化矽膜2[圖3(b)]。
接著，於基板受光面旋轉塗佈光阻劑材料，以70~100℃進行20~80分鐘程度烘焙。使用與受光面電極圖案同形狀之玻璃光罩進行曝光，再做顯像。在此，所使用之光阻劑材料係可使用正片型，負片型之任一。圖案化之基板係經由1~50質量%程度之氟酸水溶液，或氟酸與氟化銨之混合水溶液，正片型光阻劑材料的情況，僅除去光阻膜之部分除去氧化矽膜2，形成與受光面電極相同圖案之氧化矽膜脫落部分，形成擴散溝3。之後，經由丙酮浸漬，硫酸沸騰等完全去除光阻劑膜[圖3(c)]
於此基板的受光面，作為第一擴散處理，由將含有POCl₃的N₂氣體導入至900~950℃之高溫爐者，將V族元素的磷作為摻雜劑而進行擴散處理4[圖3(d)]。此時，殘留於表面上的氧化膜則作為對於磷擴散之光罩而作用，可選擇性地擴散磷。基板處理時，經由基板的OF與缺口部，成為可區別基板之方向及表面與背面。
然而，該工程係亦可經由塗佈擴散法或離子注入法而進行。
第一擴散處理結束後，由以1~50質量%程度的氟酸水溶液進行蝕刻者，除去表面之氧化膜[圖3(e)]。然而，從熱處理用之石英模具，移載至洗淨用載體時，經由本發明之基板的OF與缺口部，成為可區別基板之方向及表面與背面。
除去氧化膜後，作為第二擴散熱處理，由將含有POCl₃的N₂氣體導入至800~850℃之高溫爐者，將V族元素的磷作為摻雜劑而實施低濃度之擴散熱處理5於全面[圖3(f)]。低濃度之擴散層5係薄片阻抗呈成為50Ω/□以上300Ω/□以下(例如100Ω/□)地形成。經由此第二擴散熱處理，對於由第一擴散熱處理所形成之高濃度擴散層4，係追加擴散摻雜劑，薄片阻抗成為1Ω/□以上50Ω/□以下(例如10Ω/□)的高濃度擴散層4。此工程亦與第一擴散處理同樣，可經由塗佈擴散法或離子注入法而進行。然而，從洗淨用載體，移載至熱處理用之石英模具時，經由本發明之OF與缺口部，成為可區別基板之方向及表面與背面。
第二擴散處理結束後，兼具太陽光反射防止與表面保護，經由電漿CVD法而於基板表面，製作經由氮化矽膜之反射防止膜6[圖3(g)]。
於製作氮化矽膜之基板的背面，經由鋁等之真空蒸鍍乃至濺鍍等而形成背面電極7。此背面電極7係形成為厚度例如1μm以上10μm以下(例如5μm)[圖3(h)]。
最後，經由印刷配置電極電糊於表面，由以500~800℃進行燒成者，可形成電極8[圖3(i)]。此情況，指叉電極係重疊形成於高濃度擴散層上。因歷經多數的移載工程之故，高濃度擴散層4與低濃度擴散層5之識別則無法目視，有無法判別基板的方向之問題，但經由本發明之OF與缺口部，成為可將基板的方向作為一致，而可產率佳製作太陽能電池。
[發明之實施形態2]
於以下，參照圖2及圖3，說明使用經由CAST法之矽多結晶太陽能電池基板的太陽能電池之製造方法。
作為使用於多結晶系太陽能電池之矽結晶基板的製造方法，係主要使用CAST法。最初，將金屬級矽細粒，藉由脫膜劑於鑄造爐內之高純度石英製之坩堝內，與摻雜劑同時投入。摻雜劑係為了得到目的之導電型，阻抗的多結晶，如為p型，摻雜硼素，鎵等之III族元素，如為n型，摻雜磷，砒素等之V族元素。阻抗係作為0.1 Ω‧cm以上10Ω‧cm以下、期望為0.5 Ω‧cm以上2Ω‧cm以下，但在實現高性能之太陽能電池上為適合。並且，以加熱器將坩堝作為1,500℃程度之溫度，使金屬級矽熔融。
接著，從下部降低溫度地控制加熱器，經由從下部凝固熔融之金屬級矽之時，作成多結晶矽的鑄塊。並且，從鑄造爐取出坩堝，從坩堝取出凝固之多結晶矽的鑄塊。此多結晶矽的鑄塊之側面、底面、上面的表面側係因不純物為多之故，而剪掉。例如，200mm的立方體之多結晶矽的鑄塊之情況，側面係切掉25mm，底面係切掉20mm，上面係切掉30mm。將上面多切掉之情況係從下面凝固鑄塊之故，因而經由偏析而不純物集中於上面。
接著，經由研削加工於切掉側面、底面、上面的表面側之多結晶矽的鑄塊[參照圖2(a)]之角部形成倒角部或於角部乃至其近旁形成缺口部[參照圖2(b)]。此時，為了減少為了形成此倒角部或缺口部之損失，切斷部分之外形尺寸為5mm以下為佳。
倒角部，缺口部之加工數係如為1個，基板的方向則成為明確。如組合各個而將2個以上對於擬似正方形的對角線而言成為非對稱地加以配置，有著成為可判別表背的優點。
於正方形的四角柱形部件，黏著碳、玻璃等，切斷為特定之基板厚度。對於基板厚度，如為50μm程度，可將入射的光取得於太陽能電池內，在成本面亦為有利，但為了具有機械性強度，係150~300μm為佳。
切斷的基板1[圖3(a)]係移載至洗淨用載體，實施洗淨。此時，經由本發明，由經由目視而確認形成之倒角部或缺口部者，可將基板方向作為一致。另外，由CCD照相機，判別基板的形狀，經由改變方向充填於載體之時，將倒角部及缺口部的方向作為統一亦可。由此，成為可消除經由工程中的基板方向不同之不良。
將所洗淨的基板，在氧環境中，以800~1,000℃之高溫爐進行熱氧化，於基板的受光面側，形成3~30nm程度之薄的氧化矽膜2[圖3(b)]。
接著，於基板受光面旋轉塗佈光阻劑材料，以70~100℃進行20~80分鐘程度烘焙。使用與受光面電極圖案同形狀之玻璃光罩進行曝光，再做顯像。在此，所使用之光阻劑材料係可使用正片型、負片型之任一。圖案化之基板係經由1~50質量%程度之氟酸水溶液，或氟酸與氟化銨之混合水溶液，正片型光阻劑材料的情況，僅除去光阻劑膜之部分除去氧化矽膜2，形成與受光面電極相同圖案之氧化矽膜脫落部分，形成擴散溝([0025])3。之後，經由丙酮浸漬、硫酸沸騰等完全去除光阻劑膜[圖3(c)]。
於此基板的受光面，作為第一擴散處理，由將含有POCl₃的N₂氣體導入至900~950℃之高溫爐者，將V族元素的磷作為摻雜劑而進行擴散處理4[圖3(d)]。此時，殘留於表面上的氧化膜則作為對於磷擴散之光罩而作用，可選擇性地擴散磷。基板處理時，經由基板的倒角部與缺口部，成為可區別基板之方向及表面與背面。
然而，該工程係亦可經由塗佈擴散法或離子注入法而進行。
第一擴散處理結束後，由以1~50質量%程度的氟酸水溶液進行蝕刻者，除去表面之氧化膜[圖3(e)]。然而，從熱處理用之石英模具，移載至洗淨用載體時，經由本發明之基板的倒角部與缺口部，成為可區別基板之方向及表面與背面。
除去氧化膜後，作為第二擴散熱處理，由將含有POCl₃的N₂氣體導入至800~850℃之高溫爐者，將V族元素的磷作為摻雜劑而實施低濃度之擴散熱處理5於全面[圖3(f)]。低濃度之擴散層5係薄片阻抗呈成為50Ω/□以上300Ω/□以下(例如100Ω/□)地形成。經由此第二擴散熱處理，對於由第一擴散熱處理所形成之高濃度擴散層4，係追加擴散摻雜劑，薄片阻抗成為1Ω/□以上50Ω/□以下(例如10Ω/□)的高濃度擴散層4。此工程亦與第一擴散處理同樣，可經由塗佈擴散法或離子注入法而進行。然而，從洗淨用載體，移載至熱處理用之石英模具時，經由本發明之倒角部與缺口部，成為可區別基板之方向及表面與背面。
第二擴散處理結束後，兼具太陽光反射防止與表面保護，經由電漿CVD法而於基板表面，製作經由氮化矽膜之反射防止膜6[圖3(g)]。
於製作氮化矽膜之基板的背面，經由鋁等之真空蒸鍍乃至濺鍍等而形成背面電極7。此背面電極7係形成為厚度例如1μm以上10μm以下(例如5μm)[圖3(h)]。
最後，經由印刷配置電極電糊於表面，由以500~800℃進行燒成者，可形成電極8[圖3(i)]。此情況，指叉電極係重疊形成於高濃度擴散層上([0031])。因歷經多數的移載工程之故，高濃度擴散層4與低濃度擴散層5之識別則無法目視，有無法判別基板的方向之問題，但經由本發明之倒角部與缺口部，成為可將基板的方向作為一致，而可產率佳製作太陽能電池。
[實施例]
以下，說明本發明之實施例。
首先，經由CZ法而製作將硼作為摻雜劑元素之p形單結晶，結晶方位＜100＞直徑200mm之矽單結晶。在圓柱研磨單結晶後，經由X線方位測定而測定結晶方位，於＜110＞的結晶方位研削OF，通過基板的中心，對於OF之位置而言，於使其90度旋轉之位置，研削缺口部[圖1]。
切斷圓柱之晶錠周邊部，作成擬似正方形的部件。切斷係加工於劈開方向之＜110＞方向的OF則呈配置於角部地傾斜成45度，以外周刃切斷機切斷4邊。
於擬似正方形的四角柱形部件黏著碳，以鋼線鋸切斷成基板厚300μm。所切斷之單結晶基板係成為於基板，形成OF、缺口部之圖1(b)之形狀。由製作OF與缺口部於1條之單結晶者，在基板處理之時，成為可區別表面與背面。
將於基板的表面構成擴散阻止層之氧化矽膜，在氧環境，以1,000℃之高溫爐進行熱氧化而形成。膜厚係30nm[圖3(b)]。並且，於表面旋轉塗佈正片型光阻劑材料，以70℃進行20分鐘燒成，使用與受光面電極圖案同形狀之玻璃光罩而曝光，進行顯像。圖案化之晶圓係經由5質量%的氟酸水溶液，僅去除光阻劑膜之部分去除氧化矽膜，形成與受光面電極同圖案之氧化膜脫落部分。之後，進行丙酮浸漬，去除光阻劑[圖3(c)]。
接著，作為第一擴散處理，由將含有POCl₃的N₂氣體導入至950℃之高溫爐者，將V族元素的磷作為摻雜劑而進行擴散處理[圖3(d)]。此時，殘留於表面上的氧化膜則作為對於磷擴散之光罩而作用，選擇性地擴散磷。
第一擴散處理結束後，由以氟酸水溶液進行蝕刻者，除去表面之氧化膜[圖3(e)]。
去除氧化膜後，將含有POCl₃的N₂氣體導入至800℃之高溫爐，形成n型之低濃度擴散層[圖3(f)]。由此，選擇性地擴散磷的部分係成為高濃度擴散層。
兼具太陽光反射防止與表面保護，經由電漿CVD法而於表面，形成氮化矽膜之反射防止膜[圖3(g)]。
於背面，進行鋁之真空蒸鍍，形成為厚度為5μm之背面電極[圖3(h)]。
最後，經由印刷配置電極電糊於表面，由燒成者，製作電極[圖3(i)]。經由本發明之太陽能電池基板的形狀，在移載或決定位置時，可由外觀判斷方向之故，成為可將基板方向作為一致，可產率佳製作太陽能電池。
1．．．基板
2．．．氧化矽膜
3．．．擴散溝
4．．．高濃度擴散層
5．．．低濃度擴散層
6．．．反射防止膜
7．．．背面電極
8．．．表面電極
圖1係說明有關本發明之太陽能電池用基板之一例，(a)係於圓柱狀單結晶晶錠，形成定向平面狀態的平面圖，(b)係切斷周邊部而作為平面視擬似正方形狀態之平面圖。
圖2係說明有關本發明之太陽能電池用基板之其他一例，(a)係經由鑄造法而製作之多晶矽的平面圖，(b)係於角部形成倒角部及缺口部狀態之平面圖。
圖3係依序說明太陽能電池之製造方法的說明圖。

权利要求:
Claims (6)
[1] 一種太陽能電池用基板，其特徵為於平面視正方形狀之矽基板的角部之一，形成倒角部，或於角部或者其近旁形成缺口部而成之太陽能電池用基板。
[2] 一種太陽能電池用基板，其特徵為於平面視正方形狀之矽基板的角部之一，形成倒角部，或於角部或者其近旁形成缺口部之同時，對於未與上述角部對向之另一角部之一而言，將與形成於上述角部之一的形狀不同形狀之缺口部，於角部或其近旁，或將倒角部形成於角部而成之太陽能電池用基板。
[3] 一種太陽能電池用基板，其特徵為於各角部帶有圓弧之平面視正方形狀之矽單結晶基板的角部之一，形成平面定向，或於角部或其近旁形成缺口部而成之太陽能電池用基板。
[4] 一種太陽能電池用基板，其特徵為於具有各角部帶有圓弧之平面視正方形狀，通過表面為{100}面之矽單結晶基板的略中心之＜110＞之結晶方位，形成定向平面或缺口部而成之太陽能電池用基板。
[5] 一種太陽能電池用基板，其特徵為於各角部帶有圓弧之平面視正方形狀之矽單結晶基板的角部之一，形成定向平面之同時，於未與上述角部對向之另一角部之一的角部或其近旁，形成缺口部而成之太陽能電池用基板。
[6] 一種太陽能電池，其特徵為於如申請專利範圍第1項乃至第5項任一項記載之太陽能電池用基板的受光面側，形成低濃度之擴散層之同時，於指叉電極形成處，形成有高濃度之擴散層。

类似技术:

---

公开号 | 公开日 | 专利标题

---

US10141466B2|2018-11-27|Substrate for solar cell, and solar cell

---

JP4761706B2|2011-08-31|光電変換装置の製造方法

---

TWI528574B|2016-04-01|具有選擇性前表面場之背接面太陽能電池

---

KR101579854B1|2015-12-23|인 시투 표면 패시베이션을 구비한 이온 주입된 선택적 이미터 태양전지

---

US20090151782A1|2009-06-18|Hetero-junction silicon solar cell and fabrication method thereof

---

JP2007266327A|2007-10-11|太陽電池素子

---

US9397239B2|2016-07-19|Insitu epitaxial deposition of front and back junctions in single crystal silicon solar cells

---

TWI518937B|2016-01-21|Manufacture of solar cells

---

JP6144778B2|2017-06-07|太陽電池の製造方法

---

TWI538244B|2016-06-11|Method for manufacturing solar cells

---

Aurang et al.2017|Nanowire decorated, ultra-thin, single crystalline silicon for photovoltaic devices

---

TWI520356B|2016-02-01|Solar cell substrate and solar cell

---

JP5541409B2|2014-07-09|太陽電池の製造方法

---

CN109891599A|2019-06-14|高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法

---

JP5975841B2|2016-08-23|光起電力素子の製造方法及び光起電力素子

---

Brendel et al.2014|Epitaxial Si films carried by thick polycrystalline Si as a drop-in replacement for conventional Si wafers

---

Azwar et al.2021|Review of multicrystalline silicon wafer solar cell processing

---

TWI470817B|2015-01-21|A manufacturing method of an electromotive force electric power device and a manufacturing apparatus for a photovoltaic electromechanical device

同族专利:

---

公开号 | 公开日

---

TWI520356B|2016-02-01|

引用文献:

---

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

---

法律状态:

优先权:

---

申请号 | 申请日 | 专利标题

---

TW100132634A|TWI520356B|2011-09-09|2011-09-09|Solar cell substrate and solar cell|TW100132634A| TWI520356B|2011-09-09|2011-09-09|Solar cell substrate and solar cell|