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    一種用於光學記錄媒體之記錄材料。此記錄材料的化學式為BixGeyO(1-x-y)，其中的x及y分別表示鉍及鍺的原子數比，且滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。
    公开号:TW201312556A
    申请号:TW101110608
    申请日:2012-03-27
    公开日:2013-03-16
    发明作者:Wei-Hsiang Wang；Po-Fan Hsu；Wei-Chong Li
    申请人:Ritek Corp；
    IPC主号:G11B7-00
    专利说明:
    光學記錄媒體以及記錄材料
    本發明是有關於一種記錄材料以及一種光學記錄媒體。
    例如光碟(CD)及數位影音光碟(DVD)等資訊記錄媒體已被廣泛地使用。近年來，為了提高這些光碟的記憶容量以及記錄密度發展了許多技術。提高記憶容量的其中一種方式是減小光碟中軌道的間距及/或資料點的尺寸大小。另一種方式是製造多層的紀錄結構，亦即具有多層記錄層的結構，使空間的利用率提高。然而，在這種多層結構中，記錄材料必須具備高的穿透率以及被雷射光照射時發生穩健可靠的相變化的性質。但是，傳統的紀錄材料無法滿足這些要求，因此目前亟需一種新的記錄材料，期能成功地應用在多層結構中。
    本發明之一態樣係提供一種用於光學記錄媒體之記錄材料。此記錄材料之組成的化學式為BixGeyO(1-x-y)，其中化學式的x及y分別表示鉍(bismuth)及鍺(germanium)的原子數比，且滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。
    在一實施方式中，記錄材料之消光係數為小於或等於0.3，且記錄材料之折射率為約2.5至約3。
    在一實施方式中，上述化學式的x及y滿足以下數學式：0.2≦x≦0.4以及0.01≦y≦0.15。
    本發明之另一態樣係提供一種光學記錄媒體。此光學記錄媒體包含一基材以及一記錄層。記錄層配置於基材上方。記錄層之消光係數小於或等於0.3，且包含以化學式BixGeyO(1-x-y)表示之一材料，其中x及y分別表示鉍及鍺的原子數比，且x及y滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。
    在一實施方式中，光學記錄媒體更包含一介電層接觸記錄層。介電層之折射率為約2.0至約2.5，且記錄層之折射率為約2.5至約3.0。
    本發明之另一態樣係提供一種光學記錄媒體。此光學記錄媒體包含一基材、一第一保護層、一第二保護層、一介電層以及一記錄層。第一保護層配置於基材上。第二保護層配置於第一保護層上方。一介電層位於第一及第二保護層之間，且介電層之折射率為約2.0至約2.5。記錄層接觸介電層，且記錄層之折射率為約2.5至約3.0。記錄層包含以化學式BixGeyO(1-x-y)表示之材料，其中x及y分別表示鉍及鍺的原子數比，且x及y滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。
    在一實施方式中，第一及第二保護層各別之折射率為約2.0至約2.7。
    在一實施方式中，記錄層之折射率與介電層之折射率的差異為約0.25至約0.55。
    在一實施方式中，至少一第一及第二保護層包含至少一材料，係選自硫化鋅(ZnS)、二氧化矽(SiO2)、氧化鉻(Cr2O3)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(SnO2)、二氧化鈰(CeO2)以及氧化鋁(Al2O3)所組成之群組。
    在一實施方式中，介電層包含一材料，係選自硫化鋅(ZnS)、二氧化矽(SiO2)、氧化鉻(Cr2O3)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(SnO2)、二氧化鈰(CeO2)以及氧化鋁(Al2O3)所組成之群組。
    在一實施方式中，介電層之厚度為約30 nm至約40 nm。
    在一實施方式中，記錄層之厚度為約15 nm至約30 nm。
    本發明之另一態樣係提供一種光學記錄媒體、此光學記錄媒體依序包含一基材、一第一、一第二以及一第三記錄結構。第一記錄結構包含一第一介電層以及一第一記錄層。第一介電層配置於基材上方。第一記錄層配置且接觸於第一介電層上。第二記錄結構位於第一記錄結構上方，且第二記錄結構包含一第二介電層以及一第二記錄層。第二介電層配置於第一記錄層上方，且第二記錄層配置且接觸於第二介電層上。第三記錄結構位於第二記錄結構上方，且第三記錄結構包含一第三介電層以及一第三記錄層。第三介電層配置於第二記錄層上方，且第三記錄層配置且接觸於第三介電層上。每一第一、第二及第三記錄層之消光係數小於或等於0.3，且包含以化學式BixGeyO(1-x-y)表示之材料，其中x及y分別表示鉍及鍺的原子數比，且x及y滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。第一、第二及第三介電層各別之折射率為約2.0至約2.5。
    在一實施方式中，光學記錄媒體更包含一第一、一第二、一第三、一第四、一第五以及一第六保護層。第一及第二保護層分別配置於第一記錄層的上方及下方。第三及第四保護層分別配置於第二記錄層的上方及下方。第五及第六保護層分別配置於第三記錄層的上方及下方。
    在一實施方式中，每一第一、第二、第三、第四、第五以及第六保護層之折射率為約2.0至約2.7。
    在一實施方式中，化學式的x及y滿足以下數學式：0.2≦x≦0.4以及0.01≦y≦0.15。
    在一實施方式中，第三記錄層之一厚度小於第一以及第二記錄層各別之一厚度。
    在一實施方式中，每一第一、第二及第三介電層之厚度分別大於每一第一、第二及第三記錄層之厚度。
    為了使本揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本發明的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本發明具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。
    在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明之實施例。在其他情況下，為簡化圖式，熟知的結構與裝置僅示意性地繪示於圖中。
    根據本發明之一態樣，係揭露一種用於光學記錄媒體之記錄材料。此記錄材料以化學式BixGeyO(1-x-y)表示，其中x及y分別表示鉍(bismuth)及鍺(germanium)的原子數比(atomic ratio)。化學式中的x及y滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。在此揭露的記錄材料可應用在多層的記錄結構中。
    明確而言，此記錄材料中的氧的原子數比(1-x-y)小於0.62，但大於或等於0.55。再者，鉍對鍺的原子比(x/y)在2.8至25的範圍內。
    在一實施方式中，化學式中的鉍的原子數比(x)以及鍺的原子數比(y)滿足以下數學式：0.2≦x≦0.4以及0.01≦y≦0.15。
    在另一實施方式中，此記錄材料的消光係數為小於或等於0.3。本文中，「消光係數」是指複數折射率中的虛數部分，其是關於光線的吸收。
    根據本發明之另一態樣，係揭露一種光學記錄媒體。第1圖繪示本發明一實施方式之光學記錄媒體的剖面示意圖。光學記錄媒體100包括基材110以及配置在基材110上方的記錄層140。
    基材110上具有複數的溝槽，用以作為光學記錄媒體100的軌道。基材100的厚度通常為1.1 mm。基材100的材質包括但不限於聚碳酸酯樹脂(polycarbonate resin)、壓克力樹脂(acryl resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、聚苯乙烯樹脂(polystyrene resin)、聚乙烯樹脂(polyethylene resin)、聚丙烯樹脂(polypropylene resin)、矽氧樹脂(silicone resin)、樹脂含氟樹脂(fluorine-based resin)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS resin)以及胺基甲酸乙酯樹脂(urethane resin)。
    記錄層140包含一記錄材料。當此記錄材料被雷射光照射時，此記錄材料的光學性質(例如反射率及穿透率)將會改變。明確地說，雷射光可讓記錄材料發生相變化，被雷射光照射的區域的光學性質不同於未被照射的區域。經由上述程序，資料數據可藉由雷射光而被「寫」入記錄層。
    記錄材料的組成可以化學式BixGeyO(1-x-y)表示，其中x及y分別表示鉍及鍺的原子數比。化學式中的x及y滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。具體而言，在此揭露的記錄材料可應用在多層的紀錄結構中，且可降低寫入及/或讀取的錯誤率。錯誤率能夠以「隨機符號錯誤率(Random Symbol Error Rate,RSER)來測量。RSER的數值愈大，表示記錄層中出現較多的錯誤資料。
    記錄材料中氧原子的比例(1-x-y)必須小於0.62。第3圖繪示本發明之實施例中氧原子數比與記錄材料的折射率之關係圖。當氧原子數比大於0.62時，記錄材料的折射率太低，而很難將此記錄材料應用在多層的紀錄結構中，特別是在三層的紀錄結構中。但是，記錄材料的氧原子數比(1-x-y)必須大於0.55，以讓記錄材料的折射率維持在可接受的範圍內。在一實施方式中，記錄材料的折射率為約2.5至約3.0。
    當記錄材料的氧原子數比(1-x-y)小於0.62時，鉍對鍺的原子比(x/y)在2.8至25的範圍是非常重要的。如果鉍對鍺的原子比(x/y)超出這個範圍，這樣的材料無法在雷射光的照射區與未照射區之間呈現出清楚明確的光學性質差異。
    在一實施方式中，記錄材料的消光係數較佳為小於或等於0.3。具體而言，當記錄層的消光係數不大於0.3時，雷射光可穿透多數層的記錄層而沒有被明顯地吸收。因此，雷射光可具有足夠的能量來對下層的記錄層進行有效的「寫入」，所以這樣的記錄材料可適用在多層的記錄結構中。在一實施例中，記錄材料的化學式中的x及y還滿足以下數學式：0.2≦x≦0.4以及0.01≦y≦0.15。
    在某些實施例中，記錄層140的厚度為約15 nm至約30 nm。當記錄層140的厚度低於上述範圍時，資料無法被正確地寫入記錄層140中，因此所量測的RSER可能在無法被接受的程度。另一方面，當記錄層140的厚度大於上述範圍時，記錄層140的穿透率會下降，因此不利於使用在多層記錄層的結構中。
    在一實施方式中，光學記錄媒體100更包含一介電層130，其接觸於記錄層140。當雷射光照射在記錄層140時，介電層130有助於讓雷射光精準地進行寫入。在此揭露的介電層130是被設計來與記錄層140共同作用。在一實施方式中，當記錄層140的折射率為約2.5至約3.0時，介電層130的折射率為約2.0至約2.5。在一具體實例中，記錄層140之折射率與介電層130之折射率的差異為約0.25至約0.55，更明確地為約0.3至約0.5。雖然第1圖中繪示介電層130位於記錄層140的下方，但是介電層130可以配置在記錄層140的上方或下方。在某些實施例中，介電層130的厚度為約30 nm至約40 nm。介電層130的厚度可根據記錄層140的性質而予以最佳化。值的注意的是，第1圖繪示的光學記錄媒體100中並不包含任何習知技術中使用的金屬反射層。
    介電層130的適合材料包括但不限於硫化鋅(ZnS)、二氧化矽(SiO2)、氧化鉻(Cr2O3)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(SnO2)、二氧化鈰(CeO2)、氧化鋁(Al2O3)以及上述之組合。
    在一實施方式中，光學記錄媒體100更包括一第一保護層120以及一第二保護層150，如第1圖所示。第一保護層120形成在基材110上，而第二保護層150配置在第一保護層120上方。如上所述，因為介電層130可以配置在記錄層140的上方或下方，所以介電層130可位在第一保護層120 and the與記錄層140之間，或者位在第二保護層150與記錄層140之間。第一及第二保護層120、150可避免水氣進入記錄層140，並因此防止記錄層140被水氣侵蝕及其他形式的損毀。在一實施例中，第一及第二保護層120、150的折射率約在2.0至2.7的範圍內。第一保護層120的折射率可與第二保護層150的折射率相同或不同。在一實施例中，第一保護層120的折射率大於介電層130的折射率。
    第一及第二保護層120、150的適合材料包括但不限於硫化鋅(ZnS)、二氧化矽(SiO2)、氧化鉻(Cr2O3)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(SnO2)、二氧化鈰(CeO2)以及氧化鋁(Al2O3)。
    光學記錄媒體100更包括一透明覆蓋層160，其配置在第二保護層150上。透明覆蓋層160可由紫外光可硬化壓克力樹脂或紫外光可硬化環氧樹脂所製成。透明覆蓋層160的厚度可為約50 μm至約100μm。
    第2圖繪示本發明另一實施方式之光學記錄媒體200的剖面示意圖。光學記錄媒體200依序包含基材201、第一記錄結構210、第二記錄結構220以及第三記錄結構230。
    基材201可與前文中關於第1圖所述的基材110相同。
    第一記錄結構210包含第一介電層214以及第一記錄層216。第一介電層214配置在基材201上方，而第一記錄層216配置在第一介電層214上，並且接觸第一介電層214。第二記錄結構220位在第一記錄結構210上方，第二記錄結構220包含第二介電層224以及第二記錄層226。第二介電層224配置在第一記錄層216上方，第二記錄層226配置在第二介電層224上，並且接觸第二介電層224。類似地，第三記錄結構230配置在第二記錄結構220上方，第三記錄結構230包含第三介電層234以及第三記錄層236。第三介電層234配置在第二記錄層226上方，而第三記錄層236配置在第三介電層234上，並且第三記錄層236接觸第三介電層234。在本實施方式中，每一層的第一、第二及第三記錄層216、226、236各別的消光係數小於或等於0.3，並且每一第一、第二及第三記錄層216、226、236包含以化學式BixGeyO(1-x-y)表示的材料，其中x及y分別表示鉍及鍺的原子數比。如上所述，鉍的原子數比(x)以及鍺的原子數比(y)滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。再者，每一層的第一、第二及第三介電層214、224、234各別的折射率為約2.0至約2.5。
    在一實施例中，每一層的介電層214、224、234的厚度大於每一層的記錄層216、226、236的厚度。具體而言，記錄層216、226、236的厚度可為約15 nm至約30 nm，介電層214、224、234的厚度可為約30 nm至約40nm。在另一實施例中，第三記錄層236(最上層的記錄層)的厚度小於各別記錄層216、226的厚度。
    在一實施方式中，光學記錄媒體200更包含第一保護層212、第二保護層218、第三保護層222、第四保護層228、第五保護層232以及第六保護層238。第一及第二保護層212、218分別配置在第一記錄結構210的下方及上方。類似地，第三及第四保護層222、228分別配置在第二記錄結構220的下方及上方。再者，第五及第六保護層232、238分別配置在第三記錄結構230的下方及上方。在某些實施例中，每一層的第一、第二、第三、第四、第五以及第六保護層212、218、222、228、232、238各自的折射率為約2.0至約2.7。
    在另一實施方式中，光學記錄媒體200更包含第一間隔層202、第二間隔層203以及透明覆蓋層240，分別配置在第二、第四及第六保護層218、228、238上。第一及第二間隔層202、203以及透明覆蓋層240可由透明的紫外光可硬化樹脂所製成。此外，第一、第二間隔層202、203以及透明覆蓋層240的厚度可分別為約20-30 μm、15-25μm以及50-60 μm。 實施例
    以下的實施例係用以詳述本發明之特定態樣，並使本發明所屬技術領域中具有通常知識者得以實施本發明。以下的實施例不應用以限制本發明。
    實施例1-6
    根據上述的實施方式來製造來數個光學記錄媒體。在實施例1-6中，光學記錄媒體為具有單一層記錄層的結構，如第1圖所示。基材的材質是聚碳酸酯樹脂，並利用射出成形來基材。基材的厚度為1.1 mm。基材的表面形成有複數條的溝槽，且每一個溝槽的深度為20 nm。藉由濺鍍方式，將第一保護層、介電層、記錄層以及第二保護層依序地形成在基材上。接後，在保護層上形成透明覆蓋層(亦即，紫外光可硬化樹脂)。最後，以PLUSTEC Industrial Co.,Ltd.生產的光碟評估機器(ODU-1000)來量測所得到之光學記錄媒體的RSER。實施例1-6的重要參數彙整於表1。
    在實施例1-6中，是以不同組成的材料來形成記錄層。第一及第二保護層是以TiO2製成。介電層是使用含有ZnS以及SiO2的靶材經濺鍍來形成，靶材中ZnS及SiO2的含量分別為80 mol%及20 mol%。實施例1-5的記錄材料中氧原子含量(氧原子數比)低於0.62。所有實施例1-6的光學記錄媒體的RSER數值都很低，RSER為約10-3至約10-4，因此能夠被使用。較特別的是實施例2，其RSER的數值僅1.65×10-4。
    實施例7-10
    在實施例7-10中，使用實施例2的記錄材料Bi36Ge3.3O60.7來製造數個光學記錄媒體。實施例7-10的重要參數彙整於表2。在實施例7中，光學記錄媒體不包含介電層，因此記錄層是直接形成在第一保護層上。在實施例8中，光學記錄媒體不包含第一保護層。實施例9-10光學記錄媒體的結構與實施例1-6的光學記錄媒體相似。
    實施例7的光學記錄媒體(不包含介電層)的錯誤率太高，無法被ODU-1000量測，所以實施例7的光學記錄媒體無法被實際使用。然而，實施例8的光學記錄媒體既使不具有第一保護層，其錯誤率已經足夠低而能夠被使用。因此，本發明的其中一個特徵是介電層有助於讓資料正確地寫入記錄層中。實施例9-10的RSER分別為2.54×10-4及5.31×10-4。

    實施例11-12
    實施例11-12的光學記錄媒體的結構與實施例1-6的光學記錄媒體相似。但是，實施例11是使用鈮氧化物(Niobium oxide)來形成第一保護層，實施例12是使用二氧化鈦來形成第一保護層。兩個實施例的錯誤率都夠低，能夠被使用，但是實施例12的RSER低於實施例11的RSER。實施例11-12的重要參數彙整於表3中。

    實施例13
    在本實施例中，所形成的光學記錄媒體的結構與實施例1-6的光學記錄媒體相似，除了第一保護層是由兩層的子層所組成(亦即、子層1及子層2)。子層1及子層2分別由鈮氧化物及TiO2所製成。實施例13的詳細參數彙整在表4。實施例13的RSER為2.01×10-4。

    實施例14-22
    在實施例14-22中，所形成的光學記錄媒體的結構與實施例1-6的光學記錄媒體相似。在實施例14-22中，改變第一保護層的厚度、介電層的厚度、記錄層的厚度以及第二保護層的厚度。在這些實施例中，第一保護層的厚度範圍為16.9 nm至21.4 nm。介電層的厚度範圍為30 nm至38 nm。記錄層的厚度範圍為22 nm至28.6 nm。第二保護層的厚度範圍為14.6 nm至19.1 nm。這些實施例的RSER數值都在約10-3至約10-4之間。實施例14-22的詳細參數整理在表5中。

    實施例23
    在本實施例中，所形成的光學記錄媒體的結構與第2圖繪示的結構相似，除了本實施例僅採用兩個紀錄結構之外。簡言之，實施例23的光學記錄媒體包含一第一記錄結構、一第二記錄結構以及一間隔層配置在其間。第一記錄結構依序包含一第一保護層、一第一介電層、一第一記錄層以及一第二保護層。相似地，第二記錄結構依序包含一第三保護層、一第二介電層、一第二記錄層以及一第四保護層，第三保護層位在間隔層上。實施例23的重要參數彙整在表6中。在本實施例中，第一記錄結構的RSER為5.26×10-4，第二記錄結構的RSER為4.44×10-4。

    實施例24
    在本實施例中，所形成的光學記錄媒體的結構與第2圖繪示的結構相同。此光學記錄媒體包含三個記錄結構。本實施例的重要參數彙整在表7中。在本實施例中，第一記錄結構的RSER為3.26×10-4，第二記錄結構的RSER為9.58×10-4，第三記錄結構的RSER為3.29×10-4。

    雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
    100．．．光學記錄媒體
    110．．．基材
    120．．．第一保護層
    130．．．介電層
    140．．．記錄層
    150．．．第二保護層
    160．．．透明覆蓋層
    200．．．光學記錄媒體
    201．．．基材
    210．．．第一記錄結構
    212．．．第一保護層
    214．．．第一介電層
    216．．．第一記錄層
    218．．．第二保護層
    220．．．第二記錄結構
    222．．．第三保護層
    224．．．第二介電層
    226．．．第二記錄層
    228．．．第四保護層
    230．．．第三記錄結構
    232．．．第五保護層
    234．．．第三介電層
    236．．．第三記錄層
    238．．．第六保護層
    240．．．透明覆蓋層
    為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
    第1圖繪示本發明一實施方式之光學記錄媒體的剖面示意圖。
    第2圖繪示本發明另一實施方式之光學記錄媒體的剖面示意圖。
    第3圖繪示本發明之實施例中氧原子數比與記錄材料折射率之關係圖。
    100．．．光學記錄媒體
    110．．．基材
    120．．．第一保護層
    130．．．介電層
    140．．．記錄層
    150．．．第二保護層
    160．．．透明覆蓋層
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種用於光學記錄媒體之記錄材料，該記錄材料之組成的化學式為BixGeyO(1-x-y)，且該記錄材料之一光學性質因一雷射光照射而改變，其中該化學式的x及y分別表示鉍(bismuth)及鍺(germanium)的原子數比，且滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。
    [2] 如請求項1所述之記錄材料，其中該記錄材料之消光係數為小於或等於0.3。
    [3] 如請求項1所述之記錄材料，其中該記錄材料之折射率為約2.5至約3。
    [4] 如請求項1所述之記錄材料，其中該化學式的x及y滿足以下數學式：0.2≦x≦0.4以及0.01≦y≦0.15。
    [5] 一種光學記錄媒體，包含：一基材；以及一記錄層，配置於該基材上方，其中該記錄層之消光係數小於或等於0.3，且包含以化學式BixGeyO(1-x-y)表示之一材料，其中x及y分別表示鉍及鍺的原子數比，且x及y滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。
    [6] 如請求項5所述之光學記錄媒體，更包含一介電層接觸該記錄層，其中該介電層之折射率為約2.0至約2.5，且該記錄層之折射率為約2.5至約3.0。
    [7] 如請求項5所述之光學記錄媒體，其中x及y滿足以下數學式：0.2≦x≦0.4以及0.01≦y≦0.15。
    [8] 一種光學記錄媒體，包含：一基材；一第一保護層，配置於該基材上；一第二保護層，配置於該第一保護層上方；一介電層，位於該第一及該第二保護層之間，且該介電層之折射率為約2.0至約2.5；以及一記錄層接觸該介電層，且該記錄層之折射率為約2.5至約3.0，其中該記錄層包含以化學式BixGeyO(1-x-y)表示之一材料，其中x及y分別表示鉍及鍺的原子數比，且x及y滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62。
    [9] 如請求項8所述之光學記錄媒體，其中該第一及該第二保護層各別之折射率為約2.0至約2.7。
    [10] 如請求項8所述之光學記錄媒體，其中該記錄層之折射率與該介電層之折射率的差異為約0.25至約0.55。
    [11] 如請求項8所述之光學記錄媒體，其中至少一該第一及第二保護層包含至少一材料，係選自硫化鋅(ZnS)、二氧化矽(SiO2)、氧化鉻(Cr2O3)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(SnO2)、二氧化鈰(CeO2)以及氧化鋁(Al2O3)所組成之群組。
    [12] 如請求項8所述之光學記錄媒體，其中該介電層包含一材料係選自硫化鋅(ZnS)、二氧化矽(SiO2)、氧化鉻(Cr2O3)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(SnO2)、二氧化鈰(CeO2)以及氧化鋁(Al2O3)所組成之群組。
    [13] 如請求項8所述之光學記錄媒體，其中該介電層之厚度為約30 nm至約40 nm。
    [14] 如請求項8所述之光學記錄媒體，其中該記錄層之厚度為約15 nm至約30 nm。
    [15] 一種光學記錄媒體，包含：一基材；一第一記錄結構，包含：一第一介電層，配置於該基材上方；以及一第一記錄層，配置且接觸於該第一介電層上；一第二記錄結構，位於該第一記錄結構上方，且該第二記錄結構包含：一第二介電層，配置於該第一記錄層上方；以及一第二記錄層，配置且接觸於該第二介電層上；以及一第三記錄結構，位於該第二記錄結構上方，該第三記錄結構包含：一第三介電層，配置於該第二記錄層上方；以及一第三記錄層，配置且接觸於該第三介電層上；其中每一該第一、第二及第三記錄層之消光係數小於或等於0.3，且包含以化學式BixGeyO(1-x-y)表示之一材料，其中x及y分別表示鉍及鍺的原子數比，且x及y滿足以下數學式：2.8≦(x/y)≦25以及0.55≦(1-x-y)<0.62；且其中每一該第一、第二及第三介電層之折射率為約2.0至約2.5。
    [16] 如請求項15所述之光學記錄媒體，更包含一第一、一第二、一第三、一第四、一第五以及一第六保護層，其中該第一及第二保護層分別配置於該第一記錄層的上方及下方，該第三及第四保護層分別配置於該第二記錄層的上方及下方，以及該第五及第六保護層分別配置於該第三記錄層的上方及下方。
    [17] 如請求項16所述之光學記錄媒體，其中每一該第一、第二、第三、第四、第五以及第六保護層之折射率為約2.0至約2.7。
    [18] 如請求項15所述之光學記錄媒體，其中該化學式的x及y滿足以下數學式：0.2≦x≦0.4以及0.01≦y≦0.15。
    [19] 如請求項15所述之光學記錄媒體，其中該第三記錄層之一厚度小於該第一以及該第二記錄層各別之一厚度。
    [20] 如請求項15所述之光學記錄媒體，每一該第一、第二及第三介電層之厚度分別大於每一該第一、第二及第三記錄層之厚度。
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