台湾专利TW201312235A 液晶顯示裝置

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专利摘要:
本發明之液晶顯示裝置係具備第二基板、及與上述第二基板對向配置之第一基板，且將像素之區域配置為矩陣狀者，且包含：凸狀體，其係形成於像素邊界，且自第二基板之液晶面側突出；第一電極，其包含形成於凸狀體之側壁面之側壁面電極、與自側壁面電極之底面側延伸之下端側電極；及第二電極，其包含形成於像素之區域內之第一線狀電極、與形成於第二基板側且與第一線狀電極對峙之第二線狀電極。
公开号:TW201312235A
申请号:TW101125194
申请日:2012-07-12
公开日:2013-03-16
发明作者:Osamu Itou；Takato Hiratsuka
申请人:Japan Display East Inc；
IPC主号:G02F1-00

专利说明:
液晶顯示裝置
本發明係關於一種液晶顯示裝置，尤其係關於一種施加平行於基板面之電場之橫電場方式之液晶顯示裝置。
稱為橫電場方式或IPS(In-Plane Switching：平面內切換)之液晶顯示裝置，為使液晶分子在面板面上水平定向，並施加與面板面平行之電場(橫電場)使液晶分子在水平面內90度旋轉之液晶顯示裝置。該IPS方式之液晶顯示裝置，在形成有影像信號線(汲極線)或掃描信號線(閘極線)及薄膜電晶體或像素電極等之第1基板側亦形成有共用電極，且利用根據施加於像素電極與共用電極之電壓差產生之第1基板之面內方向之電場來驅動液晶層。包含該構成之IPS方式之液晶顯示裝置，例如，為在以透明導電膜形成之面狀之共用電極之上層介隔絕緣膜重疊配置線狀之像素電極之構成。因此，由於在線狀電極之上層或與鄰接之線狀電極之中間部分等會產生第1基板之法線方向之電場，故液晶分子不與面板面呈水平而會傾斜，從而導致顯示模式效率降低此點已周知。
作為使該顯示模式效率提高之方法，例如，有日本特開平9-258265號公報中記載之液晶顯示裝置。該日本特開平9-258265號公報中記載之液晶顯示裝置，為於形成有薄膜電晶體等之第1基板側之液晶面側形成包含層間絕緣膜之凸狀體，並以覆蓋該凸狀體之表面之方式在每個像素中形成像素電極與共用電極(對向電極)之構成。尤其為在各像素之對向之一對之邊緣部與其中心部形成凸狀體，並將覆蓋一對之邊緣部之凸狀體之導電膜作為像素電極，將覆蓋中心部之凸狀體之導電膜作為共用電極之構成。再者，為於像素電極之下層即形成有像素電極之層間絕緣膜之下層配置有輸出影像信號之影像信號線之構成。
如日本特開平9-258265號公報記載所示，已知利用突出至液晶層內之像素電極與共用電極於液晶層施加與第1基板之面內方向平行之橫電場之方式，雖可於液晶層施加理想之橫電場，但另一方面在像素電極及共用電極與其附近無法控制液晶定向，故開口率降低。因此，先前之液晶顯示裝置，為以與突出至液晶層內之像素電極及共用電極形成於像素之端部之黑色矩陣等之遮光膜重疊之方式配置之構成。
然而，包含如此之構成之液晶顯示裝置，由於在像素之端部將鄰接之像素之像素電極接近而配置，故會在像素電極與其周邊產生因自像素與鄰接像素之電位差引起之電場分佈。該電位差在以每個像素反轉驅動而白顯示之時為最大，在該情形下會有由於橫電場分佈中產生偏差而使白顯示之顯示模式效率降低之虞。同樣地，在自像素為黑顯示鄰接像素為白顯示之情形下，會有在每個像素反轉驅動之時，由於黑顯示時之亮度增大即黑顯示時之透射率上升，故導致對比度降低之虞。
又，作為使佔據像素之區域之像素電極之形成區域減少之構成，亦有跨鄰接之像素形成凸狀體，並在該凸狀體之側壁面上形成對應各個像素之像素電極之構成。該情形，由於在1個凸狀體之側壁面上有不同之像素(鄰接之像素)之像素電極介隔凸狀體對向配置，故鄰接之像素之像素電極進一步接近配置，從而急切期望其解決方法。
本發明係鑒於該等問題點而完成者，本發明之目的在於提供一種在形成於液晶層內直立設置而形成之電極之情形，亦可使顯示模式效率提高之液晶顯示裝置。
(1)為解決上述問題，本申請發明之液晶顯示裝置，其係具備含有於X方向延伸且並設於Y方向之掃描信號線與於Y方向延伸且並設於X方向之影像信號線之第二基板、及介隔液晶層與上述第二基板對向配置之第一基板，且將由上述掃描信號線與上述影像信號線包圍之像素之區域配置為矩陣狀者，且包含：凸狀體，其係形成於與鄰接像素之像素邊界，且自上述第二基板之液晶面側突出；第一電極，其包含形成於上述凸狀體之側壁面之側壁面電極、與自上述側壁面電極之上述凸狀體之底面側延伸且沿著上述第二基板之液晶側面延伸之下端側電極，且包含形成於包夾上述像素之區域而對向之至少一對之邊部之上述側壁面電極、與上述下端側電極；及第二電極，其包含形成於上述第一基板側之上述像素之區域內且於上述第一電極之延伸方向延伸之第一線狀電極、與形成於上述第二基板側之上述像素之區域內且以介隔上述第一線狀電極與上述液晶層對峙之方式延伸之第二線狀電極；且，上述像素之區域至少包含上述第一電極與上述第二電極於第一方向延伸之第一像素區域、及上述第一電極與上述第二電極於第二方向延伸之第二像素區域。
(2)為解決上述問題，本申請發明之液晶顯示裝置，其係具備含有於X方向延伸且並設於Y方向之掃描信號線與於Y方向延伸且並設於X方向之影像信號線之第二基板、及介隔液晶層與上述第二基板對向配置之第一基板，且將由上述掃描信號線與上述影像信號線包圍之像素之區域配置為矩陣狀者，且包含：凸狀體，其係形成於與鄰接像素之像素邊界，且自上述第二基板之液晶面側突出；第一電極，其包含形成於上述凸狀體之側壁面之側壁面電極、與自上述側壁面電極之上述凸狀體之底面側延伸且沿著上述第二基板之液晶側面延伸之下端側電極，且包含形成於包夾上述像素之區域而對向之至少一對之邊部之上述側壁面電極、與上述下端側電極；及第二電極，其包含形成於上述第一基板側之上述像素之區域內且於上述第一電極之延伸方向延伸之第一線狀電極、與形成於上述第二基板側之上述像素之區域內且以介隔上述第一線狀電極與上述液晶層對峙之方式延伸之第二線狀電極；且，自形成有上述側壁面電極之上述第二基板側之下側邊緣部至上述第一基板側之上側邊緣部之上述第一電極之高度，形成為較被該第一電極包夾之像素之區域中之上述液晶層之厚度更大。
(3)為解決上述問題，本申請發明之液晶顯示裝置，其係具備含有於X方向延伸且並設於Y方向之掃描信號線與於Y方向延伸且並設於X方向之影像信號線之第二基板、及介隔液晶層與上述第二基板對向配置之第一基板，且將由上述掃描信號線與上述影像信號線包圍之像素之區域配置為矩陣狀者，且包含：凸狀體，其係形成於與鄰接像素之像素邊界，且自上述第二基板之液晶面側突出；第一電極，其包含形成於上述凸狀體之側壁面之側壁面電極、與自上述側壁面電極之上述凸狀體之底面側延伸且沿著上述第二基板之液晶側面延伸之下端側電極，且包含形成於包夾上述像素之區域而對向之至少一對之邊部之上述側壁面電極、與上述下端側電極；及第二電極，其包含形成於上述第一基板側之上述像素之區域內且於上述第一電極之延伸方向延伸之第一線狀電極、與形成於上述第二基板側之上述像素之區域內且以介隔上述第一線狀電極與上述液晶層對峙之方式延伸之第二線狀電極；且，包含形成於較上述下端側電極更下層、且至少其一部分介隔上述下端側電極與絕緣膜與上述下端側電極重疊而形成之第三電極，上述第三電極與上述第一電極電性連接。
(4)為解決上述問題，本申請發明之液晶顯示裝置，其係具備含有於X方向延伸且並設於Y方向之掃描信號線與於Y方向延伸且並設於X方向之影像信號線之第二基板、及介隔液晶層與上述第二基板對向配置之第一基板，且將由上述掃描信號線與上述影像信號線包圍之像素之區域配置為矩陣狀者，且包含：凸狀體，其係形成於與鄰接像素之像素邊界，且自上述第二基板之液晶面側突出；第一電極，其包含形成於上述凸狀體之側壁面之側壁面電極、與自上述側壁面電極之上述凸狀體之底面側延伸且沿著上述第二基板之液晶側面延伸之下端側電極，且包含形成於包夾上述像素之區域而對向之至少一對之邊部之上述側壁面電極、與上述下端側電極；及第二電極，其包含形成於上述第一基板側之上述像素之區域內且於上述第一電極之延伸方向延伸之第一線狀電極、與形成於上述第二基板側之上述像素之區域內且以介隔上述第一線狀電極與上述液晶層對峙之方式延伸之第二線狀電極；且，包含形成於上述第一基板側且俯視觀察時與上述第一電極重疊配置之第四電極，上述第四電極與上述第二電極被供給相同信號。
根據本發明，即使在形成直立設置於液晶層內而形成之電極之情形，仍可使顯示模式效率提高。
關於本發明之其他之效果，可根據說明書整體之記載而明確。
以下，就本發明所應用之實施形態，使用圖式進行說明。然而，在以下之說明中，對同一構成要件添附同一符號而省略重複之說明。又，X、Y、Z分別表示X軸、Y軸、Z軸。 <實施形態1> <整體構成>
圖1係用以說明本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之整體構成之圖，以下，基於圖1，就實施形態1之液晶顯示裝置之整體構成進行說明。另，本申請案說明書中，將除去利用彩色濾光片CF或偏光板POL1、POL2等之吸收之影響或開口率之影響以外之透射率作為顯示模式效率。因此，在自背光單元側之偏光板POL1出射之直線偏光之振動方向入射至顯示面側之偏光板POL2之時，將90度旋轉之情形之顯示模式效率設為100%。
如圖1所示，實施形態1之液晶顯示裝置，具有與第二基板SU2對向配置且形成有彩色濾光片(著色層)或稱為黑色矩陣之遮光層等之第一基板SU1、形成有作為壁狀之像素電極之壁像素電極(第一電極)SE或薄膜電晶體TFT之第二基板SU2、及以被第一基板SU1與第二基板SU2挾持之液晶層構成之液晶顯示面板PNL。藉由組合該液晶顯示面板PNL與作為該液晶顯示面板PNL之光源之未圖示之背光單元(背光裝置)，構成液晶顯示裝置。成為第一基板SU1與第二基板SU2之固定及液晶之密封以在第一基板之周邊部環狀塗佈之密封材SL固定，且液晶亦被密封之構成。然而，實施形態1之液晶顯示裝置中，在封入有液晶之區域之內，顯示像素(以下，簡略記為像素)之形成之區域為顯示區域AR。因此，即使在封入有液晶之區域內，未形成像素而與顯示無關之區域不會成為顯示區域AR。
又，第一基板SU1之面積較第二基板SU2更小，使第二基板SU2之圖中下側之邊部露出。該第二基板SU2之邊部，搭載有以半導體晶片構成之驅動電路DR。該驅動電路DR，驅動配置於顯示區域AR之各像素。另，以下之說明中，液晶顯示面板PNL之說明中，亦有記為液晶顯示裝置之情形。又，作為第一基板SU1及第二基板SU2，雖一般將例如眾所周知之玻璃基板用作基材，但亦可為樹脂性之透明絕緣基板。
實施形態1之液晶顯示裝置，為第二基板SU2之液晶側之面而在顯示區域AR中，形成有於圖1中X方向延伸且並設於Y方向，供給來自驅動電路DR之掃描信號之掃描信號線(閘極線)GL。又，形成有於圖1中Y方向延伸且並設於X方向，供給來自驅動電路之影像信號(灰階信號)之影像信號線(汲極線)DL。被鄰接之2根汲極線DL與鄰接之2根閘極線GL包圍之區域構成像素，複數個像素沿著汲極線DL及閘極線GL，在顯示區域AR內配置為矩陣狀。
各像素，例如如圖1中圓圈A之等價電路圖A'所示，具備：根據來自閘極線GL之掃描信號進行接通/斷開驅動之薄膜電晶體TFT；經由該接通之薄膜電晶體TFT供給來自汲極線DL之影像信號之壁像素電極SE；及經由共通線CL供給具有相對於影像信號之電位成為基準之電位之共用信號之第一共用電極(第一線狀電極)CE1及第二共用電極(第二線狀電極)CE2。在圖1中圓圈A之等價電路圖A'中，雖模式性地將第一及第二共用電極CE1、CE2及壁像素電極SE記為線狀，但關於實施形態1之壁第一及第二共用電極CE1、CE2及壁像素電極SE之構成，將在之後敘述。另，實施形態1之薄膜電晶體TFT，雖根據其偏壓之施加而以輪換之方式驅動汲極電極與源極電極，但在本說明書中，為方便起見，將與汲極線DL連接之側記為汲極電極，將與壁像素電極SE連接之側記為源極電極。
在壁像素電極SE與第一及第二共用電極CE1、CE2之間，會產生具有平行於第二基板SU2之主表面之成分之電場，且利用該電場使液晶之分子驅動。如此之液晶顯示裝置，作為可實現所謂之廣視角顯示者而被知悉，且因對液晶之電場之施加之特異性而稱為IPS方式或橫電場方式。又，如此之構成之液晶顯示裝置中，在液晶未施加有電場之情形下將光透射率設為最小(黑顯示)，並以藉由施加電場使光透射率增加之正常顯黑進行顯示。
各汲極線DL及各閘極線GL在其端部越過密封材SL各自延伸，且連接於基於自外部系統經由可撓性印刷基板FPC輸入之輸入信號，生成影像信號或掃描信號等之驅動信號之驅動電路DR。然而，在實施形態1之液晶顯示裝置中，雖為以半導體晶片形成驅動電路DR而搭載於第二基板SU2之構成，但亦可為以帶式承載方式或COF(Chip On Film：薄膜覆晶)方式將輸出影像信號之影像信號驅動電路與輸出掃描信號之掃描信號驅動電路之任一者或其雙方之驅動電路搭載於可撓性印刷基板FPC，且使之連接於第二基板SU2之構成。 <像素之詳細構成>
圖2係用以說明本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之像素構成之俯視圖，圖3係根據圖2所示之B-B'線之剖面圖，圖4係用以說明本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之壁狀電極之詳細構成之圖。然而，在圖2中，虛線表示第一共用電極(共通電極)CE1與第二共用電極(共通電極)CE2之輪廓，一點鏈線表示本發明之壁基材(凸狀體、壁構造)WL之輪廓(外形)。
如圖2所示，實施形態1之像素，為被於X方向延伸且並設於Y方向之汲極線(影像信號線)DL、與於Y方向延伸且並設於X方向之閘極線(掃描信號線)GL包圍之區域，該像素係以矩陣狀配置於液晶顯示面板PNL之顯示區域AR內。此時，實施形態1之像素之構成為在長度方向(Y方向)之圖2中之上側區域(第一區域)與下側區域(第二區域)中，以相對於Y方向成對稱之方式於不同之方向傾斜，像素之中央部分中上側區域與下側區域連接。然而，液晶分子之定向方向，為在上側區域及下側區域中亦為以圖中之箭頭AD所示之方向，而被初始定向。又，實施形態1之像素，雖為使上側區域相對於Y方向朝逆時針方向(第一方向)傾斜，且使下側區域朝順時針(第二方向)傾斜之構成，但亦可為使之朝各自之反方向傾斜之構成。
如此，實施形態1之液晶顯示面板中，使1個像素在中央彎曲，且將液晶分子之定向方向作為以箭頭AD所示之方向(圖2中之縱向)。藉此，在上側區域與下側區域連接之彎曲部之上下，電壓施加時之液晶分子之旋轉方向相互為反方向。即，在彎曲部之上側區域中液晶分子逆時針旋轉，在彎曲部之下側區域中順時針旋轉。根據單軸定向模型，液晶層保持平行定向之狀態僅其方位旋轉，包含定向方向之方位角方向白顯示發綠，其垂直方向白顯示發黃。因此，在實施形態1中，藉由在1個像素內形成旋轉方向相互相反之區域，可抵消視角方向上之著色從而接近白色。
又，實施形態1之液晶顯示面板PNL中，經由與汲極線DL重疊而形成之接觸孔CH1電性連接有作為半導體層之多晶矽膜(多晶矽層)PS，成為薄膜電晶體TFT之汲極電極。該多晶矽膜PS，如圖2中之左下所示，經由未圖示之閘極絕緣膜與閘極線GL重疊，在該重疊區域，閘極電極GT成為薄膜電晶體TFT之閘極電極。又，多晶矽膜PS之另一端側成為汲極電極，經由接觸孔CH2，電性連接於第一透明導電膜(第一導電膜)TCF1。另，在實施形態1中，雖就作為半導體層(半導體膜)使用多晶矽層之情形進行說明，但亦可為使用非晶矽層或微結晶矽層等其他之半導體層之構成。
第一透明導電膜TCF1沿著汲極線DL與閘極線GL形成為圓環狀，在圖2中以實線L1表示之外側邊緣部與以實線L2表示之內側邊緣部之間之區域為第一透明導電膜TCF1之形成區域。此時，在第一透明導電膜TCF1之內沿著汲極線DL延伸之部分，係以使接近各汲極線DL之側即外側邊緣與壁基材WL重疊之方式配置。藉此，將沿著實施形態1之汲極線DL形成之一對之壁像素電極SE以包夾像素區域之方式直立設置而形成。
又，實施形態1之液晶顯示面板PNL中，沿著閘極線GL並跨越該閘極線GL，第一透明導電膜(第二導電膜)TCF2在X方向延伸且並設於Y方向，且兼共通線CL。又，在像素區域之X方向之中間區域中，以連接形成於像素區域內之上端側及下端側之第一透明導電膜TCF2之方式，形成有第二共用電極CE2。此時，第二共用電極CE2，亦在像素區域之上側區域與下側區域中，以相對於Y方向傾斜之方式形成，且在上側區域與下側區域之中間部分電性連接。即，第二共用電極CE2中，亦為在像素區域之上側區域與下側區域之中間部分彎曲之形狀。如此之構成之第二共用電極CE2，例如，為可藉由在覆蓋第二基板SU2之液晶面側而形成之透明導電膜上形成以點線L3、L4表示之開口區域而成膜，且在被一對之壁像素電極SE包夾之區域中形成有在中間部分彎曲之線狀之第二共用電極CE2之構成。然而，如之後詳細敘述所示，在實施形態1之液晶顯示面板PNL中，於介隔液晶層對向配置之第一基板SU1之液晶面側，於與第二共用電極CE2對峙之位置形成有供給同電位之共用信號之第一共用電極CE1。又，第一共用電極CE1與第二共用電極CE2，例如，係在液晶顯示面板PNL之邊緣部等以眾所周知之技術電性連接，且第一共用電極CE1與第二共用電極CE2被供給有同電位之共用信號。
此時，在實施形態1之液晶顯示面板PNL中，形成壁像素電極SE之第一透明導電膜TCF1與形成第二共用電極CE2之第二透明導電膜TCF2係介隔第三絕緣膜IL3形成。因此，圖2中以斜線表示之像素區域內之上端側及下端側之區域中，第一透明導電膜TCF1與第二透明導電膜TCF2係介隔第三絕緣膜IL3重疊，在實施形態1中，為將第一透明導電膜TCF1與第二透明導電膜TCF2重疊之區域(以斜線表示之區域SC)用作保持電容(存儲電容)之構成。
又，在實施形態1之第一透明導電膜TCF1中，為於像素之上側區域與下側區域之中間部分形成有於圖2中之X方向突出之突出部，從而使上側區域與下側區域中因液晶分子之旋轉方向不同而引起之異常域減少之構成。同樣地，為形成第二共用電極CE2之透明導電膜中亦在像素之上側區域與下側區域之中間部分形成有於圖2中之X方向突出之突出部，從而使異常域減少之構成。
包含該構成之實施形態1之液晶顯示面板PNL中，如圖3所示，介隔液晶層LC有第一基板SU1與第二基板SU2對向配置。第一基板SU1之液晶面側，形成有未圖示之閘極線GL，覆蓋該閘極線GL在第二基板SU2之液晶面側之全面上形成有第一絕緣膜IL1。此時，第一絕緣膜IL1，為在薄膜電晶體TFT之形成區域中，作為閘極絕緣膜發揮功能之構成。
第一絕緣膜IL1之上層形成有汲極線DL，覆蓋該汲極線DL，在第二基板SU2之全面上形成有第二絕緣膜IL2。第二絕緣膜IL2之上層與汲極線DL重疊而直立設置有壁基材WL，該壁基材WL之側壁面及頭頂面以及壁基材WL之附近之第二絕緣膜IL2之上層形成有構成壁像素電極SE之第一透明導電膜TCF1。此時，在實施形態1之壁基材WL中，如上所述，為於1個壁基材WL之側壁面上形成有鄰接之像素之壁像素電極SE，且該鄰接像素之壁像素電極SE介隔壁基材WL於閘極線GL之延伸方向對向配置之構成。
在壁基材WL及壁像素電極SE之上層，覆蓋該壁基材WL及壁像素電極SE而於第二基板SU2之全面上形成有第三絕緣膜IL3，其上層形成有第二共用電極CE2。又，為在第三絕緣膜IL3之上層覆蓋第二共用電極CE2，在第二基板SU2之全面上形成第二定向膜AL2，使液晶層LC之各液晶分子LCM定向為圖2中以箭頭表示之初始定向方向ADH之構成。尤其，第二定向膜AL2為眾所周知之光定向膜，且為具有照射偏光紫外線時使液晶分子LCM定向為平行於其振動方向之方向之性質之定向膜。在實施形態1中，藉由第二定向膜AL2使用光定向膜，可獲得不需要如摩擦法般之機械之摩擦之特別之效果。其結果，可在配置壁基材WL而產生凹凸之第二基板SU2之表面上，使液晶分子LCM定向。然而，亦可應用使用摩擦法等之眾所周知之定向膜。
又，在介隔液晶層LC而對向配置之第一基板SU1之液晶面側，於與汲極線DL對峙之位置上形成有作為遮光膜之黑色矩陣BM，覆蓋該黑色矩陣BM，形成有作為著色層之彩色濾光片CF。彩色濾光片CF在每個像素區域中至少被著色成紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之任一種，從而構成RGB之彩色顯示用之單位像素。
彩色濾光片CF之上層形成有保護層(保護膜、平坦化層)OC，該保護層OC之上層形成有第1共用電極CE1。在保護層OC之上層，覆蓋第1共用電極CE1而形成有第一定向膜AL1。關於第一定向膜AL1，由於為未形成在該第一定向膜AL1之液晶側面較大突出之壁基材WL之構成，故可為光定向膜或使用摩擦法等之定向膜之任一者。
此時，實施形態1之第1共用電極CE1以介隔液晶層LC與第二共用電極CE2重疊之方式形成，且較第二共用電極CE2，壁像素電極SE之配置方向之寬度更大地形成。根據該構成，在實施形態1中，為在第一共用電極CE1與第二共用電極CE2重疊之區域內之液晶層LC形成同電位之區域，且形成將該區域作為外觀上之壁電極(虛擬壁電極)之虛擬壁共用電極(第二電極)之構成。
該情形，在像素顯示時，以虛擬壁共用電極為中心，在圖3中之B側，於B側之壁像素電極SE與虛擬壁共用電極之間產生與第二基板SU2之主表面平行之電場，在B'側於B'側之壁像素電極SE與虛擬壁共用電極之間產生與第二基板SU2之主表面平行之電場，利用該B側及B'側之電場，與第二基板SU2之主表面平行地旋轉驅動各個區域之液晶分子LCM。
又，實施形態1之壁基材WL為在第一透明導電膜TCF1之內，主要與為壁像素電極SE之區域重疊之構成。即，由於為與第一共用電極CE1或第二共用電極CE2成對並於液晶層LC上施加電場之部分形成有壁基材WL，且與第一透明導電膜TCF1重疊之構成，故為壁基材WL不會延伸至閘極線GL之附近之構成。再者，為像素區域之閘極線GL側(Y方向側)之邊部亦未形成有壁基材WL之構成。如此，壁構造WL為並不在閘極佈線GL與其附近形成，且在汲極線DL之延伸方向不跨越像素間之不連續之構成。因此，在形成液晶層LC時，即使在使用真空封入法或摘下法等之任一方法之情形，實施形態1之壁基材WL均會減少給液晶分子LCM之移動帶來之障礙從而使液晶層LC之形成較容易，故仍不會阻礙液晶之注入。例如，在液晶層LC之注入時，液晶分子LCM會通過未形成有壁基材WL之部分而移動，形成液晶層LC。又，壁基材WL具有保持液晶層LC並使其厚度保持一定之功能。
另，用以形成用來形成壁像素電極SE及第一共用電極CE1或第二共用電極CE2之透明導電膜TCF1、TCF2之透明導電膜材料，例如，可使用ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)及氧化鋅系之AZO(Aluminum doped Zinc Oxide：鋁摻雜氧化鋅)或GZO(Gallium doped Zinc Oxide：鎵摻雜氧化鋅)等。
尤其，實施形態1之壁像素電極SE中，如圖4之放大圖所示，壁基材WL之剖面形狀為長方形，形成於壁基材WL之頭頂面之第二定向膜AL2接近或抵接於形成於第一基板SU1上之第一定向膜AL1。另，由於壁基材WL之側壁面垂直於第二基板SU2之主表面或接近垂直地傾斜即可，故壁基材WL之剖面形狀可為長方形以外，例如可為梯形或2次曲面、4次曲面等。
又，在實施形態1之像素構造中，由於壁基材WL係跨越鄰接之像素而形成，故如圖4所示，於該壁基材WL之汲極線DL之並設方向(圖4中之B、B'方向)之側壁面上，有分別鄰接之像素之壁像素電極SE以對向配置之方式形成。即，為面向鄰接之像素之側壁面，對向之一對之側壁面上，分別形成有鄰接像素之壁像素電極SE。實施形態1之壁像素電極SE，包含：形成於壁基材WL之側壁面之垂直部(側壁面電極)VP；形成於壁基材WL之頭頂面且自垂直部VP之頭頂側之邊緣部沿著頭頂面延伸之頭頂部TP；及自壁基材WL之底面側(第二基板SU2側)之邊緣部沿著下層之第二絕緣膜IL2之表面在虛擬壁共用電極側以特定寬度延伸而形成之平坦部(下端側電極)HP。
此時，由於壁基材WL之頭頂面上分別形成有鄰接像素之頭頂部TP，故鄰接像素之壁像素電極SE最接近。因此，在實施形態1之液晶顯示面板PNL中，以較鄰接像素之頭頂部TP之間隔向頭頂部TP之鄰接方向之突出量(突出寬度)更小之方式形成。另，壁像素電極SE之構成並不限定於此，例如，可為不形成頭頂部TP，而是僅以垂直部VP與平坦部HP形成壁像素電極SE之構成。
又，在實施形態1之壁像素電極SE中，由於為壁基材WL之下層(靠近第二基板SU2之側)上形成有汲極線DL、即在垂直部VP之邊緣部之內形成汲極線DL之側形成有平坦部HP之構成，故具有遮蔽汲極線DL對壁像素電極SE帶來之影響之效果。且，由於在距離平坦部HP之前端即垂直部VP較遠之側，與虛擬壁共用電極之距離更加接近，故具有增強施加於液晶層LC之電場強度之效果。如此，在實施形態1之液晶顯示面板PNL中，由於壁基材WL以自第二基板SU2側於第一基板SU1側貫通液晶層LC之方式形成，且其側壁面(斜面)為垂直或接近垂直之斜面，故形成於壁基材WL之壁像素電極SE可在液晶層LC上相對於其層面內施加平行之電場。由於藉由在層面內施加平行之電場，液晶層中產生一樣之定向變化，故可得到高透射率，從而可提高顯示模式效率。 <壁像素電極及虛擬壁共用電極之電場分佈>
圖5係用以說明本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之虛擬壁共用電極中之電場分佈之圖，圖6係用以說明先前之壁電極之電場分佈之圖，圖7係用以說明先前之共用電極之電場分佈之圖，圖8係用以說明本發明之實施形態1之虛擬壁共用電極之位置對準精度之圖。
如圖5所示，在實施形態1之液晶顯示面板PNL中，形成於第一基板SU1之第一共用電極CE1與形成於第二基板SU2之第二共用電極CE2係以自顯示面側觀察為重疊之方式配置。其結果，在實施形態1之虛擬壁共用電極中，在第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之附近，產生分別僅包圍第一共用電極CE1及第二共用電極CE2之等電位面E1、E2。此時，在實施形態1中，由於為第一共用電極CE1及第二共用電極CE2中供給有相同共用信號之構成，故產生一起包圍第一共用電極CE1及第二共用電極CE2之等電位面E3，即連結第一基板SU1與第二基板SU2之等電位面E3。此時之等電位面E3，與形成圖6所示之壁狀之電極IWE之情形之等電位面相同。且，由於第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之間存在液晶層LC，故可獲得與以虛擬壁共用電極形成之等電位面E3亦設置有壁狀之電極IWE之情形相同之效果，且虛擬壁共用電極自身不會使透射率大幅降低。因此，根據在像素端之壁基材WL中配置壁像素電極SE，在像素中央配置虛擬壁共用電極之構成，即使在如WVGA對應之液晶顯示面板PNL般短方向之像素寬度比較大之情形，仍可獲得高透射率。
又，如根據圖5所示之等電位面E3之形狀而明確般，由於在利用虛擬壁共用電極形成之等電位面E3中，第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之間之區域，即第一基板SU1與第二基板SU2之間之區域中，相對於電極寬度方向之等電位面E3之寬度亦變小，故可縮小對液晶分子之驅動無幫助之電極寬度。其結果，可使顯示效率提高。
然而，實施形態1之液晶顯示面板PNL，為第一共用電極CE1之寬度較第二共用電極CE2大(寬)之構成。該原因係考慮到作為具有彩色濾光片CF之基板之第一基板SU1之加工精度較第二基板SU2相對較低。例如，如圖8所示，即使為第一共用電極CE1與第二共用電極CE2偏移之情形，藉由較大形成第一共用電極CE1之寬度，仍可形成等電位面E3，從而形成虛擬壁共用電極。然而，第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之電極寬度並不限定於不同之寬度，亦可為相同寬度之構成。更好的是，使第一共用電極CE1之寬度與第二共用電極CE2相同即可。即，由於第一共用電極CE1之寬度與第二共用電極CE2之寬度越細，圖5所示之以包圍第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之方式分佈之等電位面E3之分佈越窄，故虛擬壁共用電極附近之透射率增大。
在相對於包含上述構成之虛擬壁共用電極，僅設置第一共用電極CE1與第二共用電極CE2中一者之情形下，無法獲得與虛擬壁共用電極相同之效果。圖7係顯示僅第二基板SU2之側設置有共用電極，即僅設置有第二共用電極CE2之情形之等電位面之圖，如該圖7所示，產生包圍第二共用電極CE2之同心圓狀之等電位面。該情形，由於第二共用電極CE2上之電場強度較弱，未產生足夠大之液晶定向變化，故在其附近透射率顯著降低。
另一方面，實施形態1之壁像素電極SE，由於壁基材WL之對向之側壁面上配置有自像素與鄰接像素之壁像素電極SE，故壁基材WL與其周邊會產生自像素與鄰接像素之壁像素電極SE之電位差引起之電場。因此，在每行反轉驅動之情形下，自像素為白顯示而鄰接像素為黑顯示之時，形成於同一壁基材WL之壁像素電極SE之間之電位差為最大。此時，在進行白顯示之像素內之電場強度產生偏差之情形下，白顯示之透射率降低。又，在進行黑顯示之像素中產生電位之洩漏之情形下，黑顯示之透射率增大。此處，實施形態1之構成中，如圖3所示，將壁基材WL之高度與液晶層LC之厚度大致相同地形成，壁像素電極SE具有平坦部HP。根據該構成，由於可減少來自構成壁像素電極SE之垂直部VP之表面之電機力線經由第二基板SU2，到達形成於壁基材WL之對向面之垂直部VP之表面引起之橫電場分佈之偏差與對鄰接像素之電場洩漏，故可提高白顯示之透射率，且可降低黑顯示之透射率。即，可提高顯示模式效率，且可獲得高對比度。
圖9係顯示本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之壁基材附近之等電位面分佈之圖，尤其顯示圖9中之壁基材WL之中央為像素邊界，在其右側之像素(自像素)進行白顯示，左側之像素(鄰接之像素)進行黑顯示之狀態下之等電位面分佈。又，圖9所示之等電位面分佈，相當於每行反轉驅動中鄰接像素間之電位差為最大之情形。
每行反轉驅動中以鄰接像素進行白顯示與黑顯示之情形，進行白顯示側之等電位面EF1較廣地分佈。另一方面，雖進行黑顯示之像素中亦形成有等電位面EF2，但在壁像素電極SE附近局部化。獲得如此之等電位面EF1、EF2之分佈，表示可減少來自圖中右側之白顯示像素之壁像素電極SE之電場對黑顯示像素之電場帶來之影響，且可減少來自圖中左側之黑顯示像素之壁像素電極SE之電場對白顯示像素之電場帶來之影響。
作為包含該構成之實施形態1之液晶顯示面板PNL，例如，在液晶層LC中，形成使用在包含室溫之較廣之溫度範圍中顯示向列相之高電阻之液晶材料之液晶顯示面板。在實施形態1之液晶顯示面板PNL中，使用形成於壁基材WL之壁像素電極SE施加平行於液晶層LC之層平面即液晶顯示面板之電場之情形，液晶層LC成為接近單軸定向模型之定向狀態。該情形下為了兼具高透射率與消色，將液晶層之複折射相位差△nd設為300 nm前後即可。在實施形態1中，液晶材料之複折射率△n為0.09，液晶層厚為3.3 μm，液晶層之△nd為300 nm。
此時，由於形成有壁基材WL之區域中不存在液晶層LC，故壁基材WL自身為透射率降低之原因。因此，在實施形態1中，為壁基材WL配置於像素端部之黑色矩陣BM之下方之構成。例如，WVGA(Wide Video Graphics Array：寬視頻圖像陣列)對應之像素之情形中像素寬度(X方向之像素寬度)為30 μm左右。因此，於像素之端部形成壁狀之電極，對一電極供給影像信號，對另一電極供給共用信號之先前之壁電極構造中，若以30 μm間隔排列壁基材WL則電場強度分佈將不均一而導致透射率降低。與此相對，在實施形態1之液晶顯示面板PNL中，由於為在像素中央配置虛擬壁共用電極之構成，故可彌補像素中央之電場強度，從而可使透射率提高。另，如上所述，虛擬壁共用電極包含作為一對共用電極之第一共用電極CE1與第二共用電極CE2。
其次，在圖10中顯示本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之1個像素內之透射率分佈之計測值之圖，以下，基於圖10，就實施形態1之像素構成之效果進行說明。然而，圖10所示之計測值之圖表G1，在像素寬度為30 μm、且在距離像素端15 μm之位置上形成有虛擬壁共用電極之像素之情形下，為自一像素端至另一端側之白顯示時之透射率(白顯示透射率)之計測值，且為鄰接於進行白顯示之自像素之像素進行黑顯示之情形。如此，自像素進行白顯示，鄰接於自像素之鄰接像素進行黑顯示之情形，相當於在每行反轉驅動中鄰接像素間(自像素與鄰接像素之間)之電位差成為最大之情形。
如根據圖表G1而明確般，在形成虛擬壁共用電極之區域即距離像素端部15 μm之部分雖透射率降低，但在其他部分可獲得大致一定之透射率。這表示在除虛擬壁共用電極附近以外之像素內有大致一定之強度之電場(橫電場)施加於液晶層LC。再者，如根據圖表G1而明確般，在實施形態1之液晶顯示裝置中於每行反轉驅動時可獲得90%之透射率。又，鄰接像素之黑顯示透射率為0.08%。然而，本申請案說明書中之透射率為將彩色濾光片或偏光板等之各構件之吸收與開口率之影響除外之值，且為對應於液晶層之偏光轉換能之值。
與此相對，例如，像素寬度為30 μm，於面狀之共用電極之上層介隔絕緣膜而形成線狀之像素電極之IPS方式之液晶顯示裝置中，由於每行反轉驅動之透射率為76%左右，故實施形態1之液晶顯示裝置可大幅提高透射率。即，可大幅提高顯示模式效率。
如以上說明般，實施形態1之液晶顯示裝置，由於為由2個以上傾斜之像素區域形成1個像素，且各像素區域相對於閘極線GL之並設方向成對稱即所謂之多區域構成，且為壁像素電極SE包含垂直部VP、平坦部HP及頭頂部TP，在俯視觀察時不會自鄰接像素之壁像素電極SE露出之範圍中形成有汲極線DL，進而在形成於像素之邊緣部之內之一對壁像素電極SE之間之區域中形成有虛擬壁共用電極之構成，故即使為像素之短方向分得較開之構成之像素，仍可使透射率提高。
另，本申請案發明之實施形態1之液晶顯示裝置，雖為以2個於不同方向傾斜之區域(上側區域與下側區域)形成1個像素之所謂之多區域構成，但並不限定於此。例如，可為以3個以上之區域形成1個像素之多區域構成。尤其，在以3個以上之區域形成1個像素之情形下，雖亦可為使各區域之傾斜角全部不同之構成，但例如亦可為適宜配置至少2個以上之傾斜角不同之區域之構成。 <實施形態2>
圖11係用以說明本發明之實施形態2之液晶顯示裝置之液晶顯示面板之概略構成之剖面圖，以下，基於圖11，就實施形態2之液晶顯示裝置進行說明。然而，實施形態2之液晶顯示面板，為僅被一對之壁像素電極SE包圍之區域、即施加有電場之液晶層LC之部分之構成不同，其他之構成與實施形態1相同之構成。因此，以下之說明中，就被該壁像素電極SE包夾之區域之構成進行詳細說明。另，實施形態2之像素構成，亦就像素之中心部分中壁像素電極SE之平面內之傾斜角不同即所謂之多區域構成之情形進行說明，但亦可應用於包含直線狀之壁像素電極SE及虛擬壁共用電極之所謂單區域構成中。
如圖11所示，實施形態2之液晶顯示面板，與實施形態1相同，在第二基板SU2之上層，有第一絕緣膜IL1、汲極線DL、第二絕緣膜IL2、壁基材WL及壁像素電極SE依序積層而形成。此處，實施形態2之液晶顯示面板中，在每個被一對之壁像素電極SE包夾且使液晶分子LCM驅動之區域(以下，記作透射區域)中形成有第四絕緣膜(第一絕緣厚膜)IL4。即，為在像素之區域之內，於未形成壁基材WL之區域中形成有第四絕緣膜IL4之構成。
在實施形態2中，第四絕緣膜IL4係以不超過壁像素電極SE之高度H2之厚度形成。又，在實施形態2之構成中，有沿著包含壁基材WL之壁像素電極之形成區域之形狀之貫通槽形成於第四絕緣膜IL4，於該貫通槽之底面部露出之第二絕緣膜IL2之表面(露出面)形成有壁基材WL及壁像素電極SE。藉此，實施形態2之液晶顯示面板PNL中，為在第二基板SU2之液晶側面形成凹部(第一槽)，於該凹部之底面直立設置有壁基材WL及壁像素電極SE之構成，且為以凹部之深度即第四絕緣膜IL4之膜厚程度，較液晶層厚更大地形成壁像素電極SE之高度之構成。另，實施形態2中，雖為藉由僅在第四絕緣膜IL4中設置貫通槽而在第二基板SU2之表面(液晶側面)形成凹部之構成，但亦可為藉由形成2個以上之薄膜層且於各個薄膜層設置貫通槽等而形成凹部之構成。
在第四絕緣膜IL4之上層上，覆蓋壁像素電極SE及壁基材WL之頭頂面而形成有第三絕緣膜IL3。該第三絕緣膜IL3之上層上形成有作為形成虛擬壁共用電極之一方之透明電極之第二共用電極CE2，且於其上層形成有定向膜AL2。
包含該構成之第二基板SU2之形成，係在第二絕緣膜IL2上形成壁基材WL，且預先較液晶層LC之厚度H1更高地形成其高度H2。其後，在壁基材WL上將構成壁像素電極SE之垂直部VP、平坦部HP及頭頂部TP圖案化而形成之後，在包含壁像素電極SE及第二絕緣膜IL2之第二基板SU2之全面上形成第四絕緣膜IL4。其次，沿著包含壁基材WL之壁像素電極SE之形成區域，除去形成於壁基材WL及壁像素電極SE之上層之第四絕緣膜IL4，使構成壁像素電極SE之頭頂部TP、垂直部VP及平坦部之一部分、以及壁基材WL露出。此後，藉由形成第三絕緣膜IL3、第二共用電極CE2及第二定向膜AL2，可以第四絕緣膜IL4之膜厚程度較液晶層LC之厚度H1更高地形成壁像素電極SE。此時，藉由對第四絕緣膜IL4使用有機光阻膜等之有機絕緣膜材料可容易地增大其膜厚。又，壁基材WL較液晶層LC之厚度H1足夠高。
另一方面，第一基板SU1之構成，為與上述實施形態1之液晶顯示面板PNL之第1基板SU1相同之構成。其結果，實施形態1之液晶顯示面板PNL，即使在將液晶層LC之厚度H1設為與先前之液晶顯示面板PNL相同之厚度之情形，仍可較壁像素電極SE之高度H2更小地形成透射區域之液晶層LC之厚度H1。即，為較液晶層LC之厚度H1更大地形成壁像素電極SE之高度H2之構成。
其次，圖12中顯示用以說明本發明之實施形態2之液晶顯示裝置之壁基材附近之等電位面分佈之圖，圖13中顯示用以說明每個像素反轉驅動實施形態1之液晶顯示裝置之情形之壁基材附近之等電位面分佈之圖，以下，基於圖12及圖13，就實施形態2之液晶顯示面板PNL之像素構成進行詳細說明。其中，圖12及圖13所示之等電位面分佈相當於每個像素反轉驅動時之鄰接像素間之電位差為最大之情形。
由於每個像素反轉驅動中鄰接之像素之電位反轉，故自像素與鄰接像素一起白顯示之情形時鄰接像素間之電位差為最大。此時，在實施形態2之液晶顯示面板PNL中，鄰接像素之壁像素電極SE亦形成於介隔壁基材WL對向之位置。因此，在鄰接之像素中施加有極性反轉之最大電壓之情形即自像素及鄰接像素一起白顯示之情形下，會產生接近每行反轉驅動之最大值之2倍之電位差，對鄰接像素之電位之影響亦變大。
此處，圖13中顯示實施形態2之液晶顯示裝置之液晶層厚H1與壁像素電極SE之高度H2之差Hd(=H2-H1)、與每個像素反轉驅動時之白顯示時之透射率及黑顯示時之透射率之計測結果之圖，以下，基於圖12及圖13，就實施形態2之液晶顯示面板之詳細構成進行說明。其中，圖表G3為使壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd變化之情形之白顯示時之自像素之透射率之計測值，圖表G4為使壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd變化之情形之黑顯示時之自像素之透射率之計測值。
如根據圖表G3明確般，在實施形態2之液晶顯示面板PNL中，藉由改變壁基材WL之高度即改變壁像素電極SE之高度H2，可使每個像素反轉驅動時之顯示特性改變。
即，在壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=0(零)μm之情形下，相當於實施形態1之液晶顯示裝置中進行每個像素反轉驅動之情形，該情形之白顯示時之透射率為74%左右。與此相對，形成第四絕緣膜IL4而不使透射區域之液晶層厚H1改變地增大壁像素電極SE之高度H2之情形，隨著壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd之增加，白顯示時之透射率亦增加(提高)此點變得明確。例如，在Hd=0.5 μm時透射率增加至82%左右，Hd=1.0 μm時增加至87%。在進一步增大Hd之情形，Hd=2.0 μm以上時透射率為89%左右，再增大Hd之情形透射率仍為89%左右，Hd=2.0 μm時透射率之增加飽和。
相同地，如根據圖表G4明確般，在壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=0(零)μm之情形下，黑顯示時之透射率為0.43%左右。另一方面，在Hd=0.5 μm時透射率減少(提高)至0.21%，Hd=1.0 μm時減少至0.14%。進一步增大Hd之情形，Hd=2.0 μm以上時透射率為0.08%左右，再增大Hd之情形透射率仍為0.08%左右，Hd=2.0 μm時透射率之減少飽和。
圖14係顯示本發明之實施形態2之液晶顯示裝置之液晶層厚H1與壁像素電極SE之高度H2之差Hd(=H2-H1)、與每個像素反轉驅動時之對比度之圖，尤其係根據圖13所示之黑顯示時(暗顯示時)與白顯示時(明顯示時)之顯示模式效率求得之對比度。如根據圖14之圖表G5而明確般，在壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=0(零)μm之情形下，對比度為170左右。與此相對，Hd=0.5 μm時提高到390，Hd=1.0 μm時提高到650，Hd=1.5 μm時提高到870，Hd=2.0 μm時提高到1000，Hd=2.5 μm時提高到1020，Hd=3.0 μm時提高到1030。如此，在實施形態2之液晶顯示裝置中，隨著壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd增大，對比度亦增大，在壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=2 μm附近，對比度之增大到達頂點，且對比度到達1000：1。
對比度係以明顯示透射率(白顯示時之透射率)與暗顯示透射率(黑顯示時之透射率)之相除算出，在實施形態2之液晶顯示裝置中，在壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=2 μm附近暗顯示透射率充分降低，明顯示透射率充分增大。因此，在實施形態2之構成中，藉由以壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=2 μm以上之方式形成第四絕緣膜IL4及壁像素電極SE，可充分獲得本申請發明之效果，且可獲得高對比度。因此，在實施形態2之液晶顯示裝置中，藉由以使壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=2 μm以上之方式形成第四絕緣膜IL4及壁像素電極SE較佳。
圖17係顯示在實施形態2之液晶顯示裝置中較液晶層LC高2 μm地形成壁基材WL並以每個像素反轉驅動進行白顯示之時之透射率分佈之圖。尤其，以實線表示之圖表G6為顯示實施形態2之液晶顯示裝置中以每個像素反轉驅動進行白顯示時之透射率分佈之圖表。其他之圖表G1、G2為作為比較對象而顯示者，圖表G1為顯示實施形態1之液晶顯示裝置中以每行反轉驅動進行白顯示時之透射率分佈之圖表，圖表G2為顯示實施形態1之液晶顯示裝置中每像素反轉驅動時進行白顯示時之透射率分佈之圖表。
如根據圖表G3而明確般，與實施形態1之液晶顯示裝置相同，虛擬壁共用電極構造以外之部分可獲得均一之透射率。此時之透射率可與圖表G1所示之實施形態1之液晶顯示裝置中之以每行反轉驅動進行白顯示時之透射率分佈相同地提高。即，在實施形態2之液晶顯示裝置中，藉由以較液晶層LC高2 μm地形成壁基材WL之方式形成第四絕緣膜IL4，即使在每個像素反轉驅動中仍可完全遮蔽鄰接像素電位。
另一方面，在實施形態1之液晶顯示裝置中以每個像素反轉驅動在自像素及鄰接於該自像素之鄰接像素中一起進行白顯示之情形下，如根據圖表G2而明確般，虛擬壁共用電極附近之透射率降低，且虛擬壁共用電極以外之部分亦透射率並不一定，尤其壁像素電極SE附近透射率亦降低。
顯示此時之壁像素電極SE附近之等電位面分佈者為圖15，且較圖9所示之每行反轉驅動時之白顯示之像素中之等電位面數，每個像素反轉驅動時之等電位面數有所增大。即，圖15所示之等電位面分佈中，進行白顯示之自像素之等電位面數為3個係同數量，進行黑顯示之鄰接像素之等電位面數係自1個增大到3個。又，如根據圖15而明確般，與圖9所示之每行反轉驅動時相比較，進行白顯示之自像素之等電位面EF1之分佈偏向壁基材WL側，即，在壁像素電極SE附近等電位面EF1局部化。該原因係在壁基材WL內產生每行反轉驅動時之大約二倍之電位差而使等電位面之間隔變窄，液晶層LC中之等電位面EF1之分佈間隔亦縮小而成為偏向壁像素電極SE(壁基材WL)之側之分佈。由此認為實施形態1之液晶顯示裝置之每個像素反轉驅動時之圖表G6所示之虛擬壁共用電極附近之透射率降低，係由因鄰接像素電位之影響使像素內之電場強度分佈不均一，而導致無法充分驅動液晶層LC中之液晶分子LCM，像素內之各部分之透射率在相同電壓下不會成為最大值所引起。其結果，在實施形態1之液晶顯示裝置之每個像素反轉驅動時之白顯示時無法獲得足夠之透射率，白顯示透射率減少至75%，鄰接像素白顯示之黑顯示透射率亦增大到0.43%。
與此相對，在實施形態2之液晶顯示裝置中，如圖12所示，判斷白顯示之等電位面EF1在液晶層LC內與圖9所示之白顯示時之自像素(圖中右側)同程度地擴大，可獲得均一之電場分佈。又，以圖中左側之鄰接像素進行黑顯示，且以圖中右側之自像素進行白顯示之情形，如圖16所示，在壁基材WL附近之等電位面分佈內為鄰接像素之等電位面之黑顯示像素之等電位面EF2，會與上述實施形態1之圖9所示之等電位面分佈同程度地擴大至壁像素電極SE之附近。又，進行白顯示之自像素之等電位面EF1亦與圖9所示之等電位面EF1同程度地在液晶層LC中擴大分佈。其結果，在實施形態2之液晶顯示面板PNL中，利用每個像素反轉驅動，即使在黑顯示之像素與白顯示之像素鄰接之情形，仍可提高白顯示時之透射率。
如以上說明，實施形態2之液晶顯示裝置中，於傾斜之2個以上之像素區域中形成1個像素，於像素之邊緣部配置壁像素電極SE，且在與該壁像素電極SE之間之透射區域內配置虛擬壁共用電極，進而在透射區域內形成第四絕緣膜IL4，藉此使壁像素電極SE之高度H2較液晶層之厚度H1更大地形成。其結果，除上述實施形態1之液晶顯示裝置之效果以外，還可獲得相對於1個壁基材WL形成鄰接像素之壁像素電極SE，且對鄰接之壁像素電極SE以每個像素反轉驅動方式供給影像信號之情形下，仍可擴大液晶層中之等電位面分佈，從而可提高白顯示時及黑顯示時之透射率之額外效果。
如此，在實施形態2之液晶顯示裝置中，為以每個像素反轉驅動時之透射率之提高等為目的而較液晶層LC之厚度增大壁像素電極SE之高度，至少較厚地形成第四絕緣膜IL4。再者，藉由較實施形態1之液晶顯示面板厚更厚地形成實施形態2之液晶顯示面板厚，與實施形態1之液晶層厚相同厚度地形成實施形態2之液晶層厚。 <實施形態3>
圖18係用以說明本發明之實施形態3之液晶顯示裝置之像素構成之剖面圖。實施形態3之液晶顯示裝置，僅有形成於與在像素之邊緣部分中分別對向配置之壁像素電極SE之間之第五絕緣膜IL5之構成不同，其他之構成為與實施形態2之液晶顯示裝置相同之構成。因此，以下之說明中，就第五絕緣膜IL5進行詳細說明。
如圖18所示，實施形態3之液晶顯示裝置亦第一基板SU1之構成為與實施形態1相同之構成。第二基板SU2上，於液晶側之面依序形成有第一絕緣膜IL1、汲極線DL、第二絕緣膜IL2、壁基材WL及壁像素電極SE。此處，實施形態3之液晶顯示面板PNL中，覆蓋壁基材WL及壁像素電極SE而於第二基板SU2之全面形成有第五絕緣膜(第二絕緣厚膜)IL5，在該第五絕緣膜IL5之上層有第三絕緣膜IL3形成於第二基板SU2之全面。在該第三絕緣膜IL3之上層形成有構成虛擬壁共用電極之第二共用層積CE2，覆蓋該第二共用層積CE2而於第二基板SU2之全面形成有第二定向膜AL2。
此時，在實施形態3之液晶顯示面板PNL中，形成於第二基板SU2之全面之第五絕緣膜IL5之膜厚，係以在透射區域與除該透射區域以外之區域中為不同之膜厚之方式形成。又，與上述實施形態2之液晶顯示面板PNL相同，在實施形態3中透射區域之第五絕緣膜IL5之膜厚仍以為2.0 μm之方式形成。然而，第五絕緣膜IL5之膜厚，因與實施形態2之液晶顯示裝置相同之理由，亦可為2.0 μm以上。
如此之第五絕緣膜IL5之形成，例如，可藉由在壁基材WL之形成後形成壁像素電極SE，此後，將低黏度之有機光阻膜等之有機絕緣膜材料塗佈於第二基板SU2之全面，並使之硬化而形成。即，藉由使用低黏度之有機光阻膜等，使用旋轉塗佈儀或狹縫式塗裝機塗佈於第二基板SU2之有機光阻膜，於塗佈後流動，較高之部分較薄，較低之部分較厚地分佈。因此，如本申請發明之液晶顯示面板PNL般，於直立設置於第二基板SU2之液晶面側之壁基材WL之側面形成壁像素電極SE之構成中，在形成有壁像素電極SE之附近，根據塗佈時之有機光阻膜之表面張力，第五絕緣膜IL5之膜厚如壁基材WL之高度左右般變得非常厚，在作為距離壁像素電極SE較遠之區域之透射區域中為平坦且均一之膜厚(例如，2 μm)。再者，在壁基材WL之頭頂面，其膜厚與其他之絕緣膜相同地較薄地形成。如此，在實施形態3之液晶顯示面板PNL中，由於可以僅低黏度之有機絕緣膜材料之塗佈及硬化之步驟而在期望之位置形成第五絕緣膜IL5，故可削減圖案化所需之步驟。其結果，可將第二基板SU2即液晶顯示裝置之製造步驟簡略化，從而可獲得可減少製造成本之額外效果。
另，為提高使第一基板SU1與第二基板SU2黏合之密封材之密著性能等，亦可為除去形成於顯示區域AR之外側部分之第五絕緣膜IL5或定向膜AL2等之構成。
如以上說明所示，在實施形態3之液晶顯示裝置中，在像素之邊緣部之內於長度方向延伸之邊緣部，有鄰接之像素之壁像素電極分別接近形成，且與該一對之壁像素電極之間之透射區域內形成有虛擬壁共用電極，再者，藉由在包含透射區域之第二基板之全面上塗佈低黏度之有機絕緣膜材料並使之硬化而形成第五絕緣膜IL5，使壁像素電極SE之高度以較液晶層之厚度更大之方式形成。其結果，除上述實施形態2之液晶顯示裝置之效果之外，還可獲得可將作為形成於與一對之壁像素電極之間之透射區域內之絕緣膜之第五絕緣膜IL5之形成所需之步驟簡略化之額外效果。 <實施形態4>
圖19係用以說明本發明之實施形態4之液晶顯示裝置之像素構成之剖面圖。然而，實施形態4之液晶顯示裝置，作為用以調整各像素之透射區域之液晶層厚之絕緣膜層，僅是使用形成有第一基板SU1之保護層OC之構成及壁像素電極SE之高度不同，其他之構成為與實施形態1之液晶顯示裝置相同之構成。因此，以下之說明中，就第一基板SU1之構成進行詳細說明。
如圖19所示，在實施形態4之第一基板SU1之液晶面側，於與鄰接像素之邊界部分對峙之位置形成有黑色矩陣BM，且以覆蓋該黑色矩陣BM之方式形成有彩色濾光片CF。此時，彩色濾光片CF為對應RGB之各色，且在與黑色矩陣BM重疊之區域中RGB內之任一者之彩色濾光片CF鄰接之構成。
又，彩色濾光片CF之上層上形成有保護層OC。此時，實施形態4之保護層OC中，沿著與壁基材WL對峙之區域，形成有凹部(第二槽部)。即，藉由將保護層OC圖案化，且自相對於壁基材WL之部分除去保護層OC，而將包含貫通保護層OC之貫通槽之凹部形成於第一基板SU1之液晶面側。在該上層上覆蓋保護層OC及除去部分(凹部)，而於第一基板SU1之全面形成有第一定向膜AL1。
另一方面，為在第二基板SU2之液晶面側形成有第一絕緣膜IL1，且亦作為形成於第二基板SU2之表面之未圖示之閘極電極(閘極線)與未圖示之薄膜電晶體之半導體層之間所形成之閘極絕緣膜發揮功能之構成。該第一絕緣膜IL1之上層上形成有第二共用電極CE2與汲極線DL，尤其，在實施形態4之液晶顯示面板PNL中有第二共用電極CE2與汲極線DL形成於同層。
又，在汲極線DL之上層上，與上述實施形態1~3相同，跨越汲極線DL而形成有壁基材WL。該壁基材WL之側壁面上形成有形成壁像素電極SE之垂直部VP，在該垂直部VP之下端側沿著第一絕緣膜IL1之上表面形成有平坦部HP，在垂直部VP之上端側沿著壁基材WL之頭頂面形成有頭頂部TP。此時，在實施形態4之液晶顯示面板PNL中，亦與上述實施形態2、3之液晶顯示面板PNL相同，以較液晶層LC之厚度H1更大之高度H2形成有壁基材WL。即，在實施形態4之液晶顯示面板PNL中，壁基材WL亦是與實施形態1相同地形成於汲極線DL之下層之絕緣膜(在實施形態4中為第一絕緣膜IL1)上，預先較液晶層厚H1高地形成其高度H2。
在該壁像素電極SE之上層上，覆蓋該壁像素電極SE及第二共用電極CE2等，在第二基板SU2之全面上形成第二定向膜AL2。利用該第二定向膜AL2，控制液晶層LC之液晶分子LCM之初始定向。
包含如此之構成之實施形態4之液晶顯示面板PNL中，利用第一基板SU1與第二基板SU2之黏合，使壁像素電極SE之頭頂部TP抵接或接近於形成於保護層OC之凹部之底面部分而形成。藉由使該壁基材WL接近無保護層OC之部分之方式對其進行組合，壁基材WL較液晶層厚H1高保護層OC之膜厚程度。其結果，在實施形態4之液晶顯示面板PNL中，各像素之透射區域內之液晶層LC之厚度亦為H1，利用來自較液晶層厚H1大之高度H2之壁像素電極SE之電場，可驅動液晶分子LCM。
此時，形成有汲極線DL或閘極線GL等之各種佈線或壁像素電極SE等之第二基板SU2較第一基板SU1，其製造步驟更複雜。與此相對，實施形態4之液晶顯示裝置為藉由於第一基板SU1側形成插入有壁像素電極SE之凹部，將壁電極高度H2較液晶層厚H1更大地形成之構成。因此，在實施形態4之液晶顯示裝置中，可使第二基板SU2之製造所需之步驟數減少，從而可獲得可將製造步驟簡略化之額外效果。
接著，在圖20中顯示用以說明在本發明之實施形態4之液晶顯示裝置中每個像素反轉驅動時鄰接像素間之電位差為最大之情形之壁基材附近之等電位面分佈之圖，圖21中顯示用以說明在本發明之實施形態4之液晶顯示裝置中每個像素反轉驅動時白顯示像素與黑顯示像素鄰接之情形之壁基材附近之等電位面分佈之圖，以下，基於圖20及圖21，就實施形態4之壁像素電極SE之構成之顯示動作進行說明。其中，圖20及圖21所示之等電位面分佈，與實施形態2、3相同，為Hd=H2-H1=2.0 μm時之等電位面分佈。
如根據圖20而明確般，即使在鄰接之像素間之電位差為最大之情形即圖20中之右側之自像素及左側之鄰接像素一起進行白顯示之情形下，自介隔1個壁基材WL對向配置之壁像素電極SE，分別分佈在自像素與鄰接像素中之等電位面FE1自壁電極SE廣泛地分佈在形成於像素之中心部之虛擬壁共用電極側。即，由於與實施形態1之圖9所示之白顯示之像素之等電位面EF1同程度地在壁像素電極SE之附近有等電位面EF1擴大，故可在液晶層LC中施加均一之電場(橫電場)，從而與實施形態2、3相同，可使透射率提高。
又，如圖21所示，在每個像素反轉驅動中，自像素為白顯示，鄰接像素進行黑顯示之情形之等電位面分佈，在進行黑顯示之鄰接像素中，產生包圍汲極線DL與壁像素電極SE之等電位面FE2。此時，等電位面FE2存在於壁像素電極SE之附近，從而黑透射率減少(提高)。另一方面，由於在進行白顯示之自像素中，等電位面FE1自壁像素電極SE於形成於像素之中心部之虛擬壁共用電極之側較廣地分佈，故白透射率亦增加(提高)。
接著，在圖22中顯示本發明之實施形態4之液晶顯示裝置之液晶層厚H1與壁像素電極SE之高度H2之差Hd=(H2-H1)與每個像素反轉驅動時之白顯示時之透射率及黑顯示時之透射率之計測結果之圖，以下，基於圖22，就實施形態4之液晶顯示面板之液晶層厚H1與壁像素電極SE之高度H2之差Hd與透射率之關係進行說明。其中，圖表G7為使壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd變化之情形之白顯示時之自像素之透射率之計測值，圖表G8為使壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd變化之情形之黑顯示時之自像素之透射率之計測值。
如根據圖表G7而明確般，實施形態4之液晶顯示面板PNL，亦藉由改變壁基材WL之高度即使壁像素電極SE之高度H2變化，可使每個像素反轉驅動時之顯示特性提高。
即，在壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=0(零)μm之情形下，相當於在實施形態1之液晶顯示裝置中進行每個像素反轉驅動之情形，白顯示時之透射率為74%左右。與此相對，已明確，在與壁像素電極SE即壁基材WL對峙之保護層OC部分中設置凹部，且較液晶層厚H1更大地形成壁像素電極SE之高度H2，不使透射區域之液晶層厚H1變化而增大壁像素電極SE之高度H2之情形，隨著壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd之增加，白顯示時之透射率亦增加(提高)。例如，在Hd=0.5 μm時透射率增加至80%左右，以後，在Hd=1.0 μm時增加至84%，在Hd=1.5 μm時增加至87%，在Hd=2.0 μm時增加至88%，在Hd=2.5 μm時增加至89%，在Hd=3.0 μm時增加至89%。
同樣地，如根據圖表G8而明確般，在壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=0(零)μm之情形下，黑顯示時之透射率為0.43%左右。另一方面，在Hd=0.5 μm時透射率減少(提高)至0.23%左右，在Hd=1.0 μm時減少至0.16%，在Hd=1.5 μm時減少至0.11%，在Hd=2.0 μm時減少至0.09%，在Hd=2.5 μm時減少至0.08%，在Hd=3.0 μm時減少至0.08%。
圖23係顯示本發明之實施形態4之液晶顯示裝置之液晶層厚H1與壁像素電極SE之高度H2之差Hd(H2-H1)、與每個像素反轉驅動時之對比度之圖。然而，圖23為自圖22所示之黑顯示時(暗顯示時)與白顯示時(明顯示時)之顯示模式效率求得之對比度。
如根據圖23之圖表G9而明確般，在壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=0(零)μm之情形下，對比度為180左右。與此相對，分別在Hd=0.5 μm時提高至340，在Hd=1.0 μm時提高至540，在Hd=1.5 μm時提高至800，在Hd=2.0 μm時提高至990，在Hd=2.5 μm時提高至1040，在Hd=3.0 μm時提高至1050。如此，在實施形態4之液晶顯示裝置中，亦隨著壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd增加，對比度亦增加，當壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=2 μm以上時對比度之增加達到頂點，且對比度幾乎達到1000：1。
因此，實施形態4之液晶顯示裝置，亦藉由以壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=2 μm以上之方式形成保護層OC及壁像素電極SE，充分獲得本申請發明之效果，且獲得高對比度。因此，在實施形態4之液晶顯示裝置中，藉由以壁像素電極SE之高度H2與液晶層厚H1之差Hd為Hd=2 μm以上之方式形成保護層OC及壁像素電極SE較佳。
如此，在實施形態4之液晶顯示面板PNL中，亦與實施形態1之液晶顯示面板PNL相同，藉由以較液晶層厚H1壁像素電極SE之高度H2大2.0 μm以上之方式形成保護層OC及壁像素電極SE，可一起提高白透射率及黑透射率。即，即使為實施形態4之構成，仍可有效遮蔽對應配置於同一壁基材WL之鄰接像素之壁像素電極SE產生之電位。
另，實施形態4之液晶顯示裝置，為根據於第一基板SU1中設置凹部之構成，較液晶層厚H1更大地形成壁像素電極SE之高度H2之構成，但並不限定於此。例如，亦可為組合實施形態4之第一基板SU1與實施形態2或實施形態3之第二基板SU2之構成之構成。該情形，可獲得可較薄地形成第四絕緣膜IL4或第五絕緣膜IL5之膜厚，且亦可減小保護層OC中形成之凹部之深度之額外效果。 <實施形態5>
圖24係用以說明本發明之實施形態5之液晶顯示裝置之像素構成之剖面圖。然而，實施形態5之液晶顯示裝置，除以作為壁狀之像素電極之壁像素電極SE1與作為線狀之像素電極之線狀像素電極SE2形成形成於第二基板SU2之像素電極之構成之其他之構成，為與實施形態1之液晶顯示裝置相同之構成。因此，在以下之說明中，就壁像素電極SE1及線狀像素電極SE2進行詳細說明。
如圖24所示，在實施形態5之第一基板SU1之液晶面側，有第一絕緣膜IL1形成於全面，在該第一絕緣膜IL1之上層上有汲極線DL與線狀像素電極(第三電極)SE2接近形成。尤其，在實施形態5中，由於為在壁像素電極(第一像素電極)SE1之下層配置有線狀像素電極(第二像素電極)SE2之構成，故鄰接像素之各線狀像素電極SE2為包夾1根汲極線DL之構成。即，為2根線狀像素電極SE2之間配置有1根汲極線DL之構成。此時，由於線狀像素電極SE2與壁像素電極SE1為相同電位，故壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2為一起電性連接於自像素內之薄膜電晶體之源極電極，且供給有相同影像信號之構成。
在汲極線DL及線狀像素電極SE2之上層上，與實施形態1相同，覆蓋該汲極線DL及線狀像素電極SE2而於第二基板SU2之全面形成有第二絕緣膜IL2。此時，在實施形態5之液晶顯示面板PNL中，較好為實施形態5之第二絕緣膜IL2之厚度較實施形態1之第二絕緣膜IL2之厚度厚(大)。
在第二絕緣膜IL2之上層上，形成有壁基材WL及壁像素電極SE，且被形成於第二基板SU2之全面之第三絕緣膜IL3覆蓋。該第三絕緣膜IL3之上層上形成有第二共用電極CE2，其上表面上形成有第二定向膜AL2。又，第二基板SU2之背面側及背光光之照射面側配置有第二偏光板PL2。
另一方面，第一基板SU1側之構成為與實施形態1相同之構成，在第一基板SU1之液晶面側，依序形成有黑色矩陣BM、彩色濾光片CF、保護層OC、第一共用電極CE1及第一定向膜AL1。
接著，在圖25及圖26中顯示本發明之實施形態5之液晶顯示裝置之每個像素反轉驅動時之壁像素電極之附近之等電位面分佈圖，說明實施形態5之液晶顯示裝置之動作。然而，圖25係圖中右側之自像素及圖中左側之鄰接像素一起白顯示之情形之等電位面分佈圖，圖26係自像素為白顯示，鄰接像素為黑顯示之情形之等電位面分佈圖。
如根據圖25而明確般，在實施形態5之液晶顯示面板PNL中，根據對壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之影像信號之施加，包圍壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2而形成等電位面EF1。此時，線狀像素電極SE2係形成於較形成於壁像素電極SE1之基板(第二基板SU2)側之平坦部HP更靠近基板之層。因此，可將包含壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之外觀上之像素電極(虛擬壁像素電極)作為於液晶顯示面板PNL之厚度方向(Z方向)延伸之壁狀之像素電極。即，與上述實施形態2~4相同，可形成較液晶層厚更高之壁狀之像素電極，從而可獲得較高之遮蔽效果。其結果，不會受到施加於鄰接之像素之影像信號之影響，且可利用對應各個影像信號之像素之電場驅動液晶層LC中之液晶分子LCM。又，即使為於自像素之壁像素電極SE1及線狀像素電極SE2與鄰接像素之壁像素電極SE1及線狀像素電極SE2之間產生最大電壓差之情形，仍與實施形態2~4之液晶顯示面板PNL相同，在自像素及鄰接像素之任一者中有等電位面FE1仍在液晶層LC中較廣地分佈。
又，如根據圖26而明確般，在使自圖元白顯示且使鄰接像素黑顯示之情形，在為白顯示之自像素中亦包圍壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2而形成等電位面EF1。又，在為黑顯示之鄰接像素中，由於圖26中汲極線DL亦施加有0 V(零伏)之電壓，故包圍壁像素電極SE1及線狀像素電極SE2以及汲極線DL而形成等電位面EF2。因此，在白顯示與黑顯示之像素鄰接之情形亦可獲得較高之遮蔽效果，不會受到施加於鄰接像素之影像信號之影響，可驅動各像素之液晶層LC中之液晶分子LCM。
接著，在圖27中顯示本發明之實施形態5之液晶顯示裝置之壁像素電極與線狀像素電極之間隔、與每個像素反轉驅動時之白顯示時之透射率及黑顯示時之透射率之計測結果之圖，以下，基於圖27，就實施形態5之液晶顯示面板之壁像素電極與線狀像素電極之間隔與透射率之關係進行說明。然而，在圖27中，圖表G10係使壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間之間隔H3改變之情形之白顯示時之自像素之透射率之計測值，圖表G11係使壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間之間隔H3改變之情形之黑顯示時之自像素之透射率之計測值。另，在第二絕緣膜IL2之膜厚(厚度)較壁像素電極SE1及線狀像素電極SE2之膜厚大很多之情形下，壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間之間隔H3與第二絕緣膜IL2之膜厚大致相同。
如根據圖27之圖表G10而明確般，在實施形態5之液晶顯示面板PNL中，亦藉由改變壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間之間隔H3即使包含壁像素電極SE1及線狀像素電極SE2之虛擬壁像素電極之高度H4改變，可提高每個像素反轉驅動時之顯示特性。此時，即使在使虛擬壁像素電極之高度H4(=H2+H3)改變之情形，液晶層厚H1仍與壁像素電極SE1之高度大致相同，且與上述實施形態2~4相同，液晶層厚H1不會改變，從而可使每個像素反轉驅動時之顯示特性提高。
即，在為虛擬壁像素電極之高度H4與液晶層厚H1之差之壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間隔H3為H3=0(零)μm之情形下，與在實施形態1之液晶顯示裝置中進行每個像素反轉驅動之情形相同，白顯示時之透射率為80%左右。與此相對，在H3=0.5 μm時透射率增加至83%左右，以後，在H3=1.0 μm時增加至88%，在H3=1.5 μm時增加至89%，在H3=2.0 μm時增加至90%，在H3=2.5 μm時增加至90%，在H3=3.0 μm時增加至90%。
同樣地，如根據圖表G11而明確般，在壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間隔H3為H3=0(零)μm之情形下，黑顯示時之透射率為0.42%左右。另一方面，在H3=0.5 μm時透射率減少(提高)至0.22%左右，在H3=1.0 μm時減少至0.14%，在H3=1.5 μm時減少至0.10%，在H3=2.0 μm時減少至0.09%，在H3=2.5 μm時減少至0.08%，在H3=3.0 μm時減少至0.08%。
圖28係顯示本發明之實施形態5之液晶顯示裝置之壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間之間隔H3、與每個像素反轉驅動時之對比度之圖。然而，圖28亦為根據圖27所示之黑顯示時(暗顯示時)與白顯示時(明顯示時)之顯示模式效率求得之對比度。
如根據圖28之圖表G12而明確般，在壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間隔H3為H3=0(零)μm之情形下，對比度為190左右。與此相對，在H3=0.5 μm時提高至390左右，在H3=1.0 μm時提高至640，在H3=1.5 μm時提高至830，在H3=2.0 μm時提高至1030，在H3=2.5 μm時提高至1100，在H3=3.0 μm時提高至1120。如此，在實施形態5之液晶顯示裝置中，亦隨著壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間隔H3增大，對比度亦增大，當壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間隔H3為H3=2 μm以上時對比度之增大達到頂點，且對比度達到1000：1。
因此，在實施形態5之液晶顯示裝置中，藉由以壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間隔H3為H3=2 μm以上之方式形成第二絕緣膜IL2，可充分獲得本發明之效果，且在實施形態5之液晶顯示裝置中獲得高對比度。因此，在實施形態5之液晶顯示裝置中，以壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之間隔H3為H3=2 μm以上之方式形成第二絕緣膜IL2較佳。
如此，在實施形態5之液晶顯示面板PNL中，亦與實施形態2~4之液晶顯示面板PNL相同，藉由以使包含壁像素電極SE1與線狀像素電極SE2之虛擬壁像素電極之高度H4較液晶層厚H1高2.0 μm以上之方式形成第二絕緣膜IL2，可獲得與實施形態2~4之液晶顯示裝置相同之效果。
再者，在實施形態5之液晶顯示裝置中，由於可與汲極線DL同層地形成線狀像素電極SE2，且可僅以以2.0 μm形成第二絕緣膜IL2而形成虛擬壁像素電極，故可獲得可不使第二基板SU2之形成所需之步驟增加地使虛擬壁像素電極之高度H4較液晶層厚H1更厚之額外效果。 <實施形態6>
圖29係用以說明本發明之實施形態6之液晶顯示裝置之概略構成之剖面圖。然而，實施形態6之液晶顯示裝置，除形成於第一基板SU1之第三共用電極CE3之構成以外之其他之構成，與實施形態1之液晶顯示裝置相同。因此，在以下之說明中，就第一基板SU1之構成進行詳細說明。
如根據圖29而明確般，在實施形態6之液晶顯示面板PNL中，於第一基板SU1之液晶面側形成有黑色矩陣BM，於該黑色矩陣BM之上層上形成有彩色濾光片CF。此時，實施形態6之液晶顯示面板PNL，於彩色濾光片CF之上層且彩色濾光片CF之邊界部分中與黑色矩陣BM重疊而形成有包含導電性薄膜之第三共用電極(第四電極)CE3。此時，實施形態6之第三共用電極CE3，形成於在自顯示面側或背面側觀察時與形成於第一基板SU1之壁像素電極SE重疊之位置即與壁像素電極SE對峙之位置，與鄰接像素之間之第三共用電極CE3係以共通線連接。然而，第三共用電極CE3之形狀，並不限定於與壁像素電極SE對峙之區域，例如，可與汲極線DL相同，為沿著與鄰接像素之邊界部分於Y方向延伸之形狀。又，與後述之第一共用電極CR1相同，為於第三共用電極CE3供給作為影像信號之基準之共用信號之構成。再者，由於第三共用電極CE3係與黑色矩陣BM重疊形成，故並不限定於透明導電膜，亦可以不具有金屬薄膜等之透明性之其他之導電性薄膜形成。
在第三共用電極CE3之上層上，覆蓋該第三共用電極CE3而於第一基板SU1之全面上形成有保護層OC。該保護層OC之上層上形成有形成虛擬壁共用電極之第一共用電極CE1，且覆蓋該第一共用電極CE1而於第一基板SU1之全面上形成有第一定向膜AL1。即，為在與第一基板SU1之壁基材WL相對之部分之彩色濾光片CF與保護層OC之間配置第三共用電極CE3之構成。
又，第二絕緣膜IL2與實施形態1之第二基板SU2相同，在其液晶面側，有第一絕緣膜IL1形成於全面，在該第一絕緣膜IL1之上層上形成有汲極線DL，且電性連接於未圖示之薄膜電晶體之汲極電極。在該汲極線DL之上層上，覆蓋該汲極線DL，而於第二基板SU2之全面上形成有第二絕緣膜IL2。在該第二絕緣膜IL2之上層上，形成有壁基材WL及壁像素電極SE，且覆蓋該壁基材WL及壁像素電極SE而在第二基板SU2之全面上形成有第三絕緣膜IL3。在該第三絕緣膜IL3之上層上形成有第二共用電極CE2，且覆蓋其上表面與第三絕緣膜IL3而形成有第二定向膜AL2。又，於第二基板SU2之背面側即背光光之照射面側配置有第二偏光板PL2。
如此，實施形態6之液晶顯示裝置，為藉由在像素邊界之第一基板SU1側配置為用以控制電位之構造之第三共用電極CE3，而使鄰接像素電位介隔第一基板SU1及形成於其表面上之彩色濾光片CF、保護層OC等，遮蔽給自像素電位帶來影響之鄰接像素電位之構成。
圖30係本發明之實施形態6之液晶顯示裝置之自像素與鄰接像素一起顯示白色時之等電位面之分佈，圖31係本發明之實施形態6之液晶顯示裝置之自像素進行白顯示、鄰接像素進行黑顯示時之等電位面之分佈。其中，此時之汲極佈線DL之電位為0(零)V。
如圖30所示，在鄰接之像素一起進行白顯示之情形下，與圖15所示之實施形態1之液晶顯示裝置相同，等電位面EF1為相對於壁基材WL在圖中左右對稱之分佈。
另一方面，如自像素為白顯示，鄰接像素為黑顯示之情形般，藉由在第三共用電極CE3之附近電位接近0 V，如圖31所示，形成包含有壁像素電極SE與第三共用電極CE3之等電位面EF2。此時，介隔作為自壁像素電極SE至第三共用電極CE3之區域之第一基板SU1之側之第一定向膜AL1及保護層OC，形成等電位面FE2。因此，等電位面FE2控制配置於圖31中之右側之進行白顯示之自像素之壁像素電極SE之電位在彩色濾光片CF或保護層OC內擴大。其結果，除實施形態1之液晶顯示裝置之效果以外，還可獲得可抑制在每個像素反轉驅動時自像素為白顯示鄰接像素為黑顯示之情形之黑透射率之增大，且即使在鄰接像素為白顯示之情形下仍可將鄰接像素之黑顯示時之透射率降低(提高)至0.09%之額外效果。
如以上說明所示，實施形態6之液晶顯示裝置，為在第一基板SU1之液晶面側，以沿著壁基材WL與該壁基材WL對峙之方式形成第三共用電極CE3，且供給與第一共用電極CE1相同之共用信號之構成。其結果，藉由使介隔壁基材WL而對向配置之壁像素電極SE為黑顯示等且接近第三共用電極CE3之電壓，自壁像素電極SE至第三共用電極CE3消去等電位面FE2。即，在與同一壁基材WL對向配置之壁像素電極SE之內，施加於至少一方之壁像素電極SE之影像信號為與共用信號大致相同之電壓之情形下，形成有包含該壁像素電極SE與第三共用電極CE3之虛擬壁像素電極。因此，除上述實施形態1之效果之外，還可獲得可抑制自像素為白顯示且鄰接像素為黑顯示之情形之黑透射率增大之額外效果。
另，在實施形態6中，雖就在實施形態1之液晶顯示裝置中形成本發明之第三共用電極CE3之情形進行了說明，但並不限定於此，在其他之實施形態2~5之液晶顯示裝置中亦可應用，且藉由形成第三共用電極CE3，可獲得上述效果。 <實施形態7>
圖32係用以說明本發明之實施形態7之液晶顯示裝置之概略構成之剖面圖，以下，基於圖32，就實施形態7之液晶顯示裝置進行說明。然而，實施形態7之液晶顯示裝置，除第三共用電極CE3之形成位置以外，其他之構成與實施形態6之液晶顯示裝置相同。因此，在以下之說明中，就第三共用電極CE3進行詳細說明。
如圖32所示，在實施形態7之液晶顯示面板PNL中，亦與實施形態1之液晶顯示面板PNL相同，在第一基板SU1之液晶面側依序形成有黑色矩陣BM、彩色濾光片CF、保護層OC。此處，在實施形態7之液晶顯示面板PNL中，在與第一共用電極CE1同層、即在保護層OC之上表面上，形成有第三共用電極CE3。又，在第一共用電極CE1及第三共用電極CE3之上層上，以覆蓋該第一共用電極CE1及第三共用電極CE3之方式，而於第一基板SU1之全面形成有第一定向膜AL1。此時，在實施形態7中，亦與實施形態6之第三共用電極CE3相同，該第三共用電極CE3並不限定於透明導電膜，亦可為如氧化鋁等之金屬薄膜等般不具有透明性之導電性薄膜。然而，在實施形態7之液晶顯示面板PNL中，由於在第三共用電極CE3之上層上僅形成有第一定向膜AL1，故較好為ITO等之抗腐蝕性等優異之導電性薄膜。
如此，在實施形態7之液晶顯示面板PNL中，第二共用電極CE2與第三共用電極CE3任一者均形成於保護層OC與第一定向膜AL1之間。因此，壁像素電極SE與第三共用電極CE3雖介隔形成於壁像素電極SE之上層之第三絕緣膜IL3及第二定向膜AL2、以及形成於第一基板SU1之第一定向膜AL1而至少接近配置，但壁像素電極SE與第三共用電極CE3並未電性連接。
因此，在實施形態7之液晶顯示面板PNL中，亦可介隔第一基板SU1及形成於其表面上之彩色濾光片CF、保護層OC等，遮蔽鄰近像素電位對自像素電位帶來之影響。因此，與實施形態6之液晶顯示面板PNL相同，除實施形態1之液晶顯示裝置之效果之外，還可獲得可抑制在每個像素反轉驅動中自像素為白顯示且鄰接像素為黑顯示之情形之黑透射率之增大之額外效果。
再者，在與第一共用電極CE1相同地以透明導電膜形成第三共用電極CE3之情形下，由於可在第一共用電極CE1之形成步驟中亦同時形成第三共用電極CE3，故可獲得不用追加用以形成第三共用電極CE3之新步驟而形成第三共用電極CE3之額外效果。
又，實施形態7之液晶顯示裝置，並不限定於圖32所示之構成，例如，亦可為圖33所示之構成。圖33所示之實施形態7之另一液晶顯示裝置，在第一基板SU1之液晶面側形成有黑色矩陣BM，且於該黑色矩陣BM之上層上形成有彩色濾光片CF。此處，在實施形態7之另一液晶顯示裝置中，在彩色濾光片CF之上層上有第一共用電極CE1與第三共用電極CE3形成於同層，且在其上層上分別覆蓋第一共用電極CE1與第三共用電極CE3而在第一基板SU1之全面依序形成有保護層OC及第一定向膜AL1。即，實施形態7之另一液晶顯示裝置，由於第二共用電極CE2與第三共用電極CE3任一者均形成於保護層OC與第一定向膜AL1之間，故除上述實施形態7之液晶顯示裝置之效果之外，還可獲得即使在產生將第一基板SU1與第二基板SU2黏合時之位置偏移、即對準偏移之情形下，仍可獲得透射率之降低抑制效果之額外效果。另，可增大實施形態7之另一構成之液晶顯示裝置之對準偏移之允許量之效果之詳情與上述第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之對準偏移為相同的理由。 <實施形態8>
圖34係用以說明本發明之實施形態8之液晶顯示裝置之概略構成之剖面圖。然而，實施形態8之液晶顯示裝置僅實施形態2之液晶顯示裝置之第二共用電極CE2之形成位置不同，其他之構成為與實施形態2之液晶顯示裝置相同之構成。因此，在以下之說明中，就第二共用電極CE2進行詳細說明。
如圖34所示，實施形態8之液晶顯示裝置，與實施形態2之液晶顯示裝置相同，在第二基板SU2之液晶側面上，依序形成有第一絕緣膜IL1、汲極線DL、第二絕緣膜IL2、及壁基材WL。自壁基材WL之頭頂面在側壁面及壁基材WL之附近之第二絕緣膜IL2之上表面上形成有壁像素電極SE，且在像素之B-B'方向之中心部分，形成有於像素之長度方向延伸之第二共用電極CE2。在被一對之壁像素電極SE包夾之像素之透射區域中，覆蓋壁像素電極SE之平坦部HP之端部及第二共用電極CE2以及第二絕緣膜IL2之露出面而形成有第四絕緣膜IL4。又，覆蓋壁基材WL之頭頂面之露出面或壁像素電極SE之露出面等，在第二基板SU2之全面上依序形成有第三絕緣膜IL3及第二定向膜AL2。此時，實施形態8之液晶顯示裝置，亦有第四絕緣膜IL4之膜厚較其他之膜厚厚2.0 μm以上地形成，壁像素電極SE之高度以較液晶層LC之厚度高2.0 μm以上之方式形成。
另一方面，在第一基板SU1之液晶面側，有黑色矩陣BM、彩色濾光片CF、保護層OC、第一共用電極CE1、第一定向膜AL1以該順序積層，該第一基板SU1與第二基板SU2介隔液晶層LC對向配置，且形成有實施形態8之液晶顯示面板PNL。此時，實施形態8之液晶顯示裝置，亦由於第四絕緣膜IL4係以2.0 μm以上之膜厚形成，故可使壁像素電極SE之高度較液晶層LC之厚度高出第四絕緣膜IL4之膜厚程度即2.0 μm，因此可獲得與實施形態2之液晶顯示裝置相同之效果。
再者，實施形態8之液晶顯示裝置為在第四絕緣膜IL4之下層形成第二共用電極CE2之構成。即，於第二絕緣膜IL2與第四絕緣膜IL4之間，形成有第二共用電極CE2。因此，在實施形態8之液晶顯示裝置中，如後述之效果之項所示，即使為產生伴隨第一基板SU1與第二基板SU2之黏合之位置偏移之情形，仍可獲得可抑制伴隨位置偏移之透射率之降低之額外之效果。其結果，可減低伴隨將第一基板SU1與第二基板SU2黏合時之對準偏移之不良情況之產生比例，且亦可獲得可使液晶顯示裝置之生產性提高之額外之效果。
然而，在實施形態8之液晶顯示裝置中，雖就在實施形態2之液晶顯示裝置中應用本發明之情形進行了說明，但並不限定於此。例如，藉由將實施形態3之液晶顯示裝置之第二共用電極CE2形成於第五絕緣膜IL5之下層，第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之位置關係與實施形態8之液晶顯示裝置相同。因此，可獲得與實施形態8相同之效果。 <關於第一及第二共用電極之位置偏移時之透射率之降低抑制效果>
裝配(黏合)第一基板SU1與第二基板SU2時產生偏移(位置對準偏移)之情形，第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之位置關係亦改變。例如，在圖3所示之實施形態1之液晶顯示裝置中，相對於第二基板SU2，第一基板SU1向B方向偏移之位置對準偏移產生之情形，第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之附近之等電位面分佈，如上述之圖8所示，朝圖中之左右方向即虛擬壁共用電極之並設方向傾斜，產生一起包圍第一共用電極CE1及第二共用電極CE2之等電位面E3。該圖8所示之位置對準偏移，由於相對於第二基板SU2第一共用電極CE1在圖8中之左方向產生對準偏移，故在第一共用電極CE1之圖8中之左側部與第二共用電極CE2重疊之面積減少。其結果，在虛擬壁電極之圖8中之左側透射率降低。
圖35係顯示相對於本發明之虛擬壁共用電極之第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之位置對準偏移之每個像素反轉驅動時之白顯示像素之透射率之圖，圖表G13顯示相對於實施形態1之液晶顯示裝置之第一基板SU1與第二基板SU2之位置對準偏移之白顯示像素之透射率。
如根據圖表G13而明確般，在實施形態1之虛擬壁電極構成中，在未產生對準偏移，即偏移量SH為0(零)μm之情形下，透射率為89%。另一方面，偏移量SH為SH=0.5 μm時為89%，SH=1.0 μm時為89%，SH=1.5 μm時為87%，SH=2.0 μm時為83%，SH=2.5 μm時為78%，SH=3.0 μm時為70%。
如此，在實施形態1之構成中，在第一基板SU1與第二基板SU2未偏移之情形下白顯示透射率為89%，與偏移之增大一起白顯示透射率降低，在偏移3 μm之情形下降低至70%。因此，在實施形態1之構成中，伴隨第一基板SU1與第二基板SU2之黏合之位置對準偏移較好為SH=1.5 μm以下。
圖36係顯示實施形態1之液晶顯示裝置中之第一基板SU1與第二基板SU2中未產生對準偏移之情形、與對準偏移為3 μm之情形之像素內之透射率分佈之圖，以虛線表示之圖表G16顯示圖8所示之偏移量SH為SH=3.0 μm時，以實線表示之圖表G17顯示SH=0 μm時。然而，圖36所示之像素，為短方向之像素間距為30 μm，在其中心位置配置有第一及第二共用電極CE1、CE2之情形之透射率分佈。又，圖表G16、G17為在每個像素反轉驅動時自像素及鄰接於自像素之像素(鄰接像素)一起進行白色顯示之情形之透射率分佈。
如根據圖表G17而明確般，在第一基板SU1與第二基板SU2中未產生位置對準偏移之情形下，為包含第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之虛擬壁共用電極之中心位置之15 μm附近區域中透射率大幅降低。然而，在除虛擬壁共用電極之形成區域以外之區域中，其透射率大致為89%左右。
另一方面，在產生對應圖8之偏移量SH=3.0 μm之對準偏移之情形下，由於相對於第二基板SU2第一共用電極CE1在左方向(距離像素端部較小之方向)產生對準偏移，故等電位面E3中產生傾斜。其結果，距離像素端部較小之區域中，由於第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之重疊面積減少，故如圖表G16所示，該區域之透射率降低至60%左右。
與此相對，如圖37所示之本發明之實施形態8之液晶顯示裝置之虛擬壁共用電極部分之放大圖所示，實施形態8之液晶顯示裝置中，於第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之間形成有第一及第二定向膜AL1、AL2、液晶層LC、及第三絕緣膜IL3。因此，在未產生位置對準偏移之情形下，第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之間產生之等電位面之分佈，係包圍第一共用電極CE1之等電位面E1形成於包含液晶層LC中之第一共用電極CE1之周邊，包圍第二共用電極CE2之等電位面E2形成於包含第三絕緣膜IL3中之第二共用電極CE2之周邊。又，一起包圍形成虛擬壁共用電極之第一共用電極CE1及第二共用電極CE2之等電位面E3，係包含包含第一及第二定向膜AL1、AL2之液晶層LC及第三絕緣膜IL3而形成。此時，實施形態8之液晶顯示裝置中，由於液晶層LC之厚度以與實施形態1之液晶顯示裝置為相同厚度之方式形成，故等電位面E3係以在液晶顯示面板PNL之厚度方向拉長之方式形成。再者，藉由令更寬之第一共通電極CE1遠離液晶層LC，而使液晶層LC中分佈之等電位面之寬度變窄而形成虛擬壁共用電極。
另一方面，產生與上述圖8相同之位置對準偏移之情形，第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之間產生之等電位面分佈，如圖38所示，包圍第一共用電極CE1及第二共用電極CE2之等電位面分佈E3朝對準偏移方向傾斜而形成。此時，在實施形態8之構成中，如根據圖38而明確般，等電位面E3之傾斜變小，該原因係藉由第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之距離增大，即使為相同之偏移量等電位面分佈E3之變化仍變小。
圖39係顯示本發明之實施形態8之液晶顯示裝置中之第一基板SU1與第二基板SU2中未產生對準偏移之情形與對準偏移為3 μm之情形之像素內之透射率分佈之圖，以虛線表示之圖表G18顯示偏移量SH為SH=3.0 μm之情形，以實線表示之圖表G19顯示無對準偏移之情形(SH=0 μm時)。
如根據圖39而明確般，在實施形態8之液晶顯示裝置中，第一基板SU1與第二基板SU2之間未產生對準偏移之情形(圖表G19)與產生SH=3 μm之對準偏移之情形(圖表G18)之像素內之透射率分佈無論有無產生對準偏移，皆大致相同。此為如圖38所示，藉由在第三絕緣膜IL3之下層形成第二共用電極CE2，等電位面E3之傾斜變小產生之效果。
圖35所示之圖表G15係顯示相對於實施形態8之液晶顯示裝置之第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之位置對準偏移之每個像素反轉驅動時之白顯示像素之透射率之圖表。如根據該圖表G15而明確般，在實施形態8之虛擬壁電極構成中，在未產生對準偏移(對準偏移量SH=0 μm)之情形下，透射率為88%。又，偏移量SH為SH=0.5 μm時為88%，SH=1.0 μm時為88%，SH=1.5 μm時為88%，SH=2.0 μm時為88%，SH=2.5 μm時為87%，SH=3.0 μm時為86%。
如此，在實施形態8之構成中，即使在偏移量SH為3.0 μm時透射率仍為86%，可將伴隨第一基板SU1與第二基板SU2之位置對準偏移之透射率之減少抑制為2%左右，且無論第一基板SU1與第二基板SU2之位置對準偏移如何，皆可獲得得到大致一定之白顯示透射率之額外效果。
圖40係用以說明第一基板SU1與第二基板SU2之對準位置偏移3 μm之情形之每個像素反轉驅動時之白顯示透射率之第二共用電極CE2與液晶層LC之距離依存性之圖。如根據圖40之圖表G20而明確般，雖在第二共用電極CE2與液晶層LC接近之情形下白顯示透射率為70%，但與第二共用電極CE2與液晶層LC之距離K2之增大一起增大，在K2=0.5 μm時為78%，在K2=1.0 μm時為83%，在K2=1.5 μm時為87%，在K2=2.0 μm時為88%，在K2=2.5 μm時為89%，在K2=3.0 μm時為89%。如此，在第二共用電極CE2與液晶層LC之距離K2為K2=2.0 μm以上之情形下透射率為88%以上，且獲得與第一基板SU1與第二基板SU2未偏移之情形相同之白顯示透射率。
圖41係用以說明自本發明之實施形態8之液晶顯示裝置之第二共用電極至液晶層之距離與驅動電壓之關係之圖，且為顯示在圖34所示之實施形態8之構成中，在使自第二共用電極至液晶層之距離H5(圖37中所示)改變之情形下，為進行特定之透射率下之顯示(白顯示)所需之壁像素電極SE與虛擬壁共用電極之間之施加電壓(驅動電壓)之圖。
如根據圖41之圖表G21而明確般，在第二共用電極CE2與液晶層LC之距離H5為H5=0(零)μm之情形下，驅動電壓Vpc為Vpc=4.5 V。又，在距離H5為H5=0.5 μm時Vpc=4.8 V，以後，在H5=1.0 μm時Vpc=4.9 V，在H5=1.5 μm時Vpc=5.0 V，在H5=2.0 μm時Vpc=5.0 V，在H5=2.5 μm時Vpc=5.1 V，在H5=3.0 μm時Vpc=5.1 V。
如此，在實施形態8之構成中，第二共用電極CE2與液晶層LC之距離H5增大，且驅動電壓Vpc有增大之傾向。然而，驅動電壓Vpc之增大有飽和之傾向，當第二共用電極CE2與液晶層LC之距離H5為1.5 μm以上時增大變緩。即，明確藉由將第二共用電極CE2與液晶層LC之距離H5設為1.5 μm以上，可一面抑制驅動電壓Vpc之增大一面獲得高白顯示透射率。因此，在實施形態8之液晶顯示裝置中，以1.5 μm以上形成第二共用電極CE2與液晶層LC之距離H5為宜。再者，將驅動電壓Vpc設為Vpc=5.0 V左右為宜。
如以上說明所示，在實施形態8之液晶顯示裝置中，由於為在為使壁像素電極SE之高度較液晶層LC之厚度更大而設置之第四絕緣膜IL4之下層，形成作為形成虛擬壁共用電極之一方之共用電極之第二共用電極CE2之構成，故可增大作為形成虛擬壁共用電極之另一方之共用電極之第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之間之間隔。其結果，由於可減小伴隨形成有第一共用電極CE1之第一基板SU1與形成有第二共用電極CE2之第二基板SU2之黏合等之第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之位置偏移引起之虛擬壁共用電極之電場分佈之傾斜，故除實施形態2之液晶顯示裝置之效果以外，還可獲得可使伴隨第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之位置偏移之透射率提高，進而可提高顯示配置之額外之效果。
又，在實施形態8之液晶顯示裝置中，由於壁像素電極SE與第二共用電極CE2形成於同層，且一起形成於第四絕緣膜IL4之上層，故在與第二共用電極CE2相同地以透明導電膜形成壁像素電極SE之情形下，可獲得可以相同步驟形成第四絕緣膜IL4與第二共用電極CE2之額外之效果。
另，在實施形態8之液晶顯示裝置中，在為較液晶層LC之厚度大地形成壁像素電極SE之高度，即為使像素反轉驅動之透射率提高而設置之第四絕緣膜IL4之下層側(第四絕緣膜IL4之第二基板SU2側)形成第二共用電極CE2。根據該構成，雖較液晶層LC之厚度大地形成第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之距離，但如實施形態1所示，即使為壁像素電極SE之高度與液晶層LC之厚度大致相同大小之液晶顯示裝置，藉由較液晶層LC之厚度大地形成第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之間之距離，在進行每行反轉驅動中之驅動之情形下，相對於對準偏移仍可獲得與上述相同之效果。 <實施形態9>
圖42係用以說明本發明之實施形態9之液晶顯示裝置之像素構成之剖面圖，除第一共用電極CE1之形成位置以外之其他之構成，為與實施形態4之液晶顯示裝置相同之構成。因此，在以下之說明中，就第一共用電極CE1及虛擬壁共用電極進行詳細說明。
如圖42所示，實施形態9之液晶顯示裝置，與實施形態4之液晶顯示裝置相同，在第二基板SU2之液晶面側，形成有第一絕緣膜IL1、汲極線DL、第二共用電極CE2、及壁基材WL。又，自壁基材WL之頭頂面在側壁面及壁基材WL之附近之第二絕緣膜IL2之上表面上形成有壁像素電極SE，第二絕緣膜IL2以覆蓋該等之露出面之方式形成，在其上層上形成有第二定向膜AL2，且形成有第二基板SU2。
另一方面，在第一基板SU1之液晶面側，形成有黑色矩陣BM，覆蓋該黑色矩陣BM而形成有彩色濾光片CF。此處，在實施形態9之液晶顯示面板PNL中，彩色濾光片CF之上層上形成有第一共用電極CE1，且覆蓋該第一共用電極CE1而形成有保護層OC。此時，實施形態9之液晶顯示面板PNL，亦與實施形態4之保護層OC相同，為沿著形成有壁基材WL之區域，有貫通保護層OC而在彩色濾光片CF之上表面上露出之凹部形成於保護層OC之構成。在該保護層OC之上層上，覆蓋該保護層OC及露出之彩色濾光片CF之露出面而在第二基板SU2之全面上形成有第一定向膜AL1。
包含該構成之第一基板SU1與第二基板SU2係介隔液晶層LC對向配置，且包含壁基材WL之壁像素電極SE之一方之端部插入形成於保護層OC之凹部中，從而形成實施形態9之液晶顯示面板PNL。此時，在實施形態9之液晶顯示裝置中，由於保護層OC以比較厚之膜厚(較合適為2.0 μm以上之膜厚)形成，故可使壁像素電極SE之高度較液晶層LC之厚度大出保護層OC之膜厚程度，從而可獲得與實施形態4之液晶顯示裝置相同之效果。
又，實施形態9之液晶顯示裝置為於保護層OC之下層形成有第一共用電極CE1之構成。即，在保護層OC與彩色濾光片CF之間，形成有第一共用電極CE1。因此，在實施形態9之液晶顯示裝置中，亦如後述之效果之項所示，即使為起因於伴隨第一基板SU1與第二基板SU2之黏合之位置偏移之第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之位置偏移產生之情形，仍可獲得可抑制伴隨該位置偏移之透射率之降低之額外之效果。再者，可獲得可減低伴隨第一基板SU1與第二基板SU2之位置對準偏移之不良情況之產生比例，從而可使生產性提高之額外之效果。 <關於第一及第二共用電極之位置偏移時之透射率之降低抑制效果>
圖43係本發明之實施形態9之液晶顯示裝置之虛擬壁共用電極部分之放大圖，圖44係顯示圖43所示之虛擬壁共用電極中產生位置對準偏移之情形之等電位面分佈之圖。
如根據圖43而明確般，在第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之間，形成有第一及第二定向膜AL1、AL2、液晶層LC、及保護層OC。因此，在未產生位置對準偏移之：情形下，包圍第一共用電極CE1之等電位面E1形成於包含保護層OC中之第一共用電極CE1之周邊，包圍第二共用電極CE2之等電位面E2形成於包含液晶層LC中之第二共用電極CE2之周邊。又，一起包圍形成虛擬壁共用電極之第一共用電極CE1及第二共用電極CE2之等電位面E3，以包含含第一及第二定向膜AL1、AL2之液晶層LC及保護層OC之方式形成。
此時，實施形態9之液晶顯示裝置亦與實施形態8相同，由於液晶層LC之厚度係以為與實施形態1之液晶顯示裝置相同厚度之方式形成，故等電位面E3以在液晶顯示面板PNL之法線方向即厚度方向拉長之方式形成。再者，由於第一共用電極CE1形成於保護層OC之下層，故與實施形態1之液晶顯示裝置比較，作為寬度較寬側之電極之第一共用電極CE1形成於遠離液晶層LC之位置，液晶層LC中分佈之等電位面E3之寬度變窄。
另一方面，產生與圖8相同之位置對準偏移之情形，第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之間產生之等電位面分佈，如圖44所示，係包圍第一共用電極CE1及第二共用電極CE2之等電位面E3朝對準偏移方向傾斜而形成。此時，在實施形態9之構成中，如根據圖44而明確般，等電位面E3之傾斜變小，該原因係藉由第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之距離增大，即使為相同偏移量，相對於液晶顯示面板PNL之法線方向之等電位面E3之傾斜角仍變小。
圖35所示之圖表G14係顯示相對於實施形態9之液晶顯示裝置之第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之位置對準偏移之每個像素反轉驅動時之白顯示像素之透射率之圖表。如根據該圖表G14而明確般，在實施形態9之虛擬壁電極構成中，在未產生對準偏移(對準偏移量SH=0 μm)之情形下，透射率為87%。又，偏移量SH為SH=0.5 μm時為87%，SH=1.0 μm時為87%，SH=1.5 μm時為87%，SH=2.0 μm時為86%，SH=2.5 μm時為85%，SH=3.0 μm時為84%。
如此，實施形態9之構成，亦即使偏移量SH為3.0 μm時透射率仍為84%，可將伴隨第一基板SU1與第二基板SU2之位置對準偏移之透射率之減少抑制為3%左右，且無論第一基板SU1與第二基板SU2之位置對準偏移如何，皆可獲得得到大致一定之白顯示透射率之額外之效果。
圖45係用以說明在本發明之實施形態9之液晶顯示裝置中第一基板SU1與第二基板SU2之對準位置偏移3 μm之情形之每個像素反轉驅動時之白顯示透射率之第一共用電極CE1與液晶層LC之距離依存性之圖。
如根據圖45之圖表G22而明確般，雖在第一共用電極CE1與液晶層LC接近之情形下白顯示透射率為70%，但與第一共用電極CE1與液晶層LC之距離K1之增大一起增大，在K1=0.5 μm時為77%，在K1=1.0 μm時為81%，在K1=1.5 μm時為84%，在K1=2.0 μm時為86%，在K1=2.5 μm時為87%，在K1=3.0 μm時為88%。如此，在第一共用電極CE1與液晶層LC之距離K1為K1=2.0 μm以上之情形下透射率為86%以上，可獲得與第一基板SU1與第二基板SU2未偏移之情形大致相同之白顯示透射率。
圖46係用以說明自本發明之實施形態9之液晶顯示裝置之第一共用電極至液晶層之距離與驅動電壓之關係之圖，且為顯示在圖42所示之實施形態9之構成中，在使自第一共用電極至液晶層之距離H6(圖43中所示)改變之情形下，為進行特定之透射率下之顯示(白顯示)所需之壁像素電極SE與虛擬壁共用電極之間之施加電壓(驅動電壓)之圖。
如根據圖46之圖表G23而明確般，在第一共用電極CE1與液晶層LC之距離H6為H6=0(零)μm之情形下，驅動電壓Vpc為Vpc=4.5 V。又，在距離H6為H5=0.Wμm時Vpc=4.WV，以後，在H6=1.0 μm時Vpc=4.8 V，在H6=1.5 μm時Vpc=4.9 V，在H6=2.0 μm時Vpc=5.0 V，在H6=2.5 μm時Vpc=5.0 V，在H6=3.Wμm時Vpc=5.1 V。
如此，在實施形態9之構成中，第一共用電極CE1與液晶層LC之距離H6亦增大，且驅動電壓Vpc有增大之傾向。然而，驅動電壓Vpc之增大有飽和之傾向，當第一共用電極CE1與液晶層LC之距離H6為1.5 μm以上時增大變緩。即，明確在實施形態9之液晶顯示裝置中，藉由將第一共用電極CE1與液晶層LC之距離H6設為1.5 μm以上，可一面抑制驅動電壓Vpc之增大一面獲得較高的白顯示透射率。因此，在實施形態9之液晶顯示裝置中，第一共用電極CE1與液晶層LC之距離H6以為1.5 μm以上之方式形成為宜。再者，將驅動電壓Vpc設為Vpc=5.0 V左右為宜。
另，在實施形態9之液晶顯示裝置中，藉由在保護層OC之下層側(保護層OC之第一基板SU1側)形成第一共用電極CE1，較液晶層LC之厚度更大地形成第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之距離(對應每個像素反轉驅動之構成)，如實施形態1所示，即使為壁像素電極SE之高度與液晶層LC之厚度大致相同大小之液晶顯示裝置，藉由較液晶層LC之厚度更大地形成第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之間之距離，在進行每行反轉驅動中之驅動之情形下，相對於對準偏移仍可獲得與上述相同之效果。 <實施形態10>
圖47係用以說明本發明之實施形態10之液晶顯示裝置之概略構成之俯視圖，圖48係圖47所示之C-C'線上之剖面圖。又，圖49係用以說明形成實施形態10之液晶顯示裝置之壁像素電極之第一透明導電膜之構成之圖，圖50係用以說明形成實施形態10之液晶顯示裝置之第二共用電極及第四共用電極之第二透明導電膜之構成之圖。然而，實施形態10之液晶顯示裝置，除第四共用電極CE4及第六絕緣膜IL6之構成以外之其他構成與實施形態1之液晶顯示裝置相同。因此，在以下之說明中，就第四共用電極CE4及第六絕緣膜IL6之構成進行詳細說明。
在實施形態1之液晶顯示裝置中，形成第二共用電極CE2之第二透明導電膜TCF2與形成壁像素電極SE之第一透明導電膜TCF1係在接近閘極線GL之像素端部(圖2中以斜線表示之區域SC)重疊而形成保持電容，該區域SC中因液晶層LC中未施加有電場而成為非開口部(非透射區域)。另一方面IPS方式等之液晶顯示裝置中，將平面(平板)狀之共用電極與隙縫狀(線狀)之像素電極重疊，在開口部中形成保持電容。如此，若可將對液晶層LC之電壓施加所使用之電極兼用作保持電容則可提高開口率，從而可提高透射率。
與此相對，如根據圖48而明確般，在實施形態10之液晶顯示裝置中，第二共用電極CE2與第四共用電極CE4係配置於第一絕緣層IL1與第二絕緣層IL2之間，壁基材WL係形成於第三絕緣層IL3上。進而，在其上層形成有壁像素電極SE，該壁像素電極SE之平坦部分HP介隔第四共用電極CE4與第二絕緣層IL2重疊。該壁像素電極SE之平坦部分HP與第四共用電極CE4重疊之部分為保持電容。
尤其，在實施形態10之液晶顯示裝置中，將第四共用電極CE4以較壁像素電極SE之平坦部分HP分佈在更內側之方式配置。若使其較壁像素電極SE之平坦部分HP分佈在更外側，則在接近配置之壁像素電極SE與第四共用電極CE4之間會使電場集中，導致施加於液晶層LC之電場大幅減弱，且透射率降低。實施形態10，藉由將第四共用電極CE4較壁像素電極SE之平坦部分HP配置於更內側，保持施加於液晶層LC之電場強度。
在圖47中，虛線表示第一共用電極CE1與第二共用電極CE2之輪廓，點線表示壁基材WL之輪廓。如上所述，由於第二共用電極CE2較壁像素電極SE配置於更下層，故接觸孔CH2貫通第二共用電極CE2，在圖47中接觸孔CH2之周圍亦被表示第二共用電極CE2之邊界之虛線包圍。第二共用電極CE2與壁像素電極SE重疊之部分作為保持電容發揮作用，圖47中以斜線表示之部分為保持電容部分。如將該圖47所示之實施形態10之液晶顯示裝置與圖2相比較而明確般，實施形態10之保持電容之分佈在離閘極線GL較近之側移動，其結果，壁基材WL之分佈亦延長至離閘極線GL較近之側，從而使開口部(透射部)擴大。此處，圖47所示之實施形態10之液晶顯示裝置與圖2所示之實施形態1中保持電容之面積相同，儘管如此，在實施形態10之液晶顯示裝置中開口部(透射部)擴大係因為在汲極線DL之附近亦配置保持電容。
即，如圖47所示，實施形態10之液晶顯示裝置亦與實施形態1之液晶顯示裝置相同，像素之區域為被汲極線DL與閘極線GL包圍之區域。又，像素之區域為包含長度方向(Y方向)之上側區域與下側區域，該上側區域與下側區域以相對Y方向成對稱之方式朝不同方向傾斜，在像素之中央部分上側區域與下側區域連接之構成。此時，在上側區域及下側區域中，亦如與液晶分子之初始定向方向相同般，進行以圖中之箭頭AD表示之方向之初始定向處理。
實施形態10之液晶顯示裝置亦如圖48所示，為形成有彩色濾光片等之第一基板SU1與形成有薄膜電晶體等之第二基板SU2介隔液晶層LC對向配置之構成。又，第一基板SU1之外側面(顯示面側)配置有第一偏光板PL1，第二基板SU2之外側面(背面)配置有第二偏光板PL2。
在第一基板SU1之液晶面側，與實施形態1之液晶顯示裝置相同，依序形成有黑色矩陣BM、彩色濾光片CF、保護層OC、第一共用電極CE1、及第一定向膜AL1。
另一方面，在第二基板SU2之液晶面側，依序形成有第一絕緣膜IL1、汲極線DL、第二絕緣膜IL2、及第二共用電極CE2。此時，實施形態10之液晶顯示裝置，至少與壁像素電極SE重疊而於與第二共用電極CE2同層形成有第四共用電極CE4。在第四共用電極CE4及第二共用電極CE2之上層上，覆蓋該第四共用電極CE4及第二共用電極CE2而於第二基板SU2之全面形成有第六絕緣膜IL6。在該第六絕緣膜IL6之上層上，形成有壁基材WL及壁像素電極SE之平坦部，在該壁基材WL之側壁面及頭頂面分別形成有壁像素電極SE之垂直部及頭頂部，且覆蓋該等之露出面而形成有第二定向膜AL2。
尤其，在實施形態10之液晶顯示裝置中，如圖50所示，於第一基板SU1之全面形成有第二透明導電膜TCF2，在每個像素中其像素之透射區域內之第二透明導電膜TCF2上形成有開口部OP2、OP3，被2個開口部OP2、OP3包夾之區域形成第二共用電極CE2。又，被形成於第二透明導電膜TCF2之自像素之開口部OP2與鄰接像素之未圖示之開口部OP3包夾之區域形成第四共用電極CE4。
又，如圖49所示，形成壁像素電極SE之第一透明導電膜TCF1沿著汲極線DL與閘極線GL形成為圓環狀，外側邊緣部L1與內側邊緣部(開口部OP1之邊緣部)L2之間之區域(陰影線區域)為第一透明導電膜TCF1之形成區域。此時，在實施形態10之液晶顯示裝置中，亦與實施形態1之液晶顯示裝置相同，於像素之長度方向延伸之部分為壁像素電極SE。
此時，實施形態10之液晶顯示裝置，與實施形態1之液晶顯示裝置相同，為在像素區域內之上端側及下端側之區域中，介隔第六絕緣膜IL6，第一透明導電膜TCF1與第二透明導電膜TCF2重疊之構成。再者，如根據圖50而明確般，為利用被形成於第二透明導電膜TCF2之自像素之開口部OP2與鄰接像素之未圖示之開口部OP3包夾之區域之第二透明導電膜TCF2，即形成於與鄰接像素之間之區域之第二透明導電膜TCF2形成第四共用電極CE4，該第四共用電極CE4介隔第六絕緣膜IL6與壁像素電極SE重疊之構成。
根據該構成，在實施形態10之液晶顯示裝置中，在圖47中以斜線表示之區域SC係以沿著像素區域之邊緣部包圍像素之透射區域之方式形成，該區域SC成為該像素之保持電容(存儲電容)。即，實施形態10之液晶顯示裝置，與實施形態1之液晶顯示裝置相同，為包含像素區域之上端部與下端部之像素區域之短方向(Y方向)之邊部區域中形成保持電容，且亦在像素區域之長度方向(X方向)之邊部形成保持電容之構成。
此時，藉由以構成壁像素電極SE之平坦部與第四共用電極CE4之重疊區域之面積變大之方式，形成第四共用電極CE4及壁像素電極SE，亦可增大保持電容。另，在實施形態10中，雖為在實施形態1之液晶顯示裝置中形成本發明之第四共用電極CE4之構成，但並不限定於此。例如，由於藉由在實施形態2~4及實施形態6~9之液晶顯示裝置中形成第四共用電極CE4，可使保持電容增加，故可獲得與實施形態10相同之效果。
如以上說明所示，實施形態10之液晶顯示裝置，為利用壁像素電極SE形成保持電容之構成，即，利用於長度方向延伸之壁像素電極SE與第六絕緣膜IL6介隔第六絕緣膜IL6而重疊之區域SC2形成之電容亦用作保持電容之構成。因此，在形成與實施形態1相同電容之保持電容之情形下，可縮小接近於閘極線GL之像素端部中配置之保持電容之面積，即，可使形成於像素區域之長度方向之上端側及下端側之重疊區域SC之面積減少。其結果，可獲得與實施形態1相同之效果，且可獲得可增加可不使保持電容減少地使液晶分子驅動之透射區域，可將開口率自實施形態1之63%增大至69%，且與實施形態1相比較實施形態10可將透射率提高10%左右之額外效果。
另，實施形態2~4之發明，雖為在第一基板SU1或第二基板SU2之任意一方之基板中形成膜厚較厚之薄膜層(厚膜層)，且較液晶層厚更大地形成壁像素電極之構成，但亦可為在第一基板SU1及第二基板SU2中一起形成厚膜層之構成。
以上，雖基於上述發明之實施形態具體說明了由本發明者完成之發明，但本發明並非限定於上述發明之實施形態者，在不脫離其要旨之範圍中可進行各種變更。
ADH‧‧‧初始定向方向
AL1‧‧‧第一定向膜
AL2‧‧‧第二定向膜
AR‧‧‧顯示區域
BM‧‧‧黑色矩陣
CE1‧‧‧第一共用電極
CE2‧‧‧第二共用電極
CE3‧‧‧第三共用電極
CE4‧‧‧第四共用電極
CF‧‧‧彩色濾光片
CH1‧‧‧接觸孔
CH2‧‧‧接觸孔
CL‧‧‧共通線
DL‧‧‧汲極線
DR‧‧‧驅動電路
E1‧‧‧等電位面
E2‧‧‧等電位面
E3‧‧‧等電位面
EF1‧‧‧等電位面
EF2‧‧‧等電位面
FE1‧‧‧等電位面
FE2‧‧‧等電位面
FPC‧‧‧可撓性印刷基板
GL‧‧‧閘極線
GT‧‧‧閘極電極
HP‧‧‧平坦部
IL1‧‧‧第一絕緣膜
IL2‧‧‧第二絕緣膜
IL3‧‧‧第三絕緣膜
IL4‧‧‧第四絕緣膜
IL5‧‧‧第五絕緣膜
IL6‧‧‧第六絕緣膜
IWE‧‧‧壁狀之電極
L1‧‧‧點線/外側邊緣部
L2‧‧‧點線/內側邊緣部
L3‧‧‧點線
L4‧‧‧點線
LCM‧‧‧液晶分子
OC‧‧‧保護層
OP1‧‧‧開口部
OP2‧‧‧開口部
OP3‧‧‧開口部
PL1‧‧‧第一偏光板
PL2‧‧‧第二偏光板
PNL‧‧‧液晶顯示面板
POL1‧‧‧偏光板
POL2‧‧‧偏光板
PS‧‧‧多晶矽膜
SC‧‧‧區域
SC2‧‧‧區域
SE‧‧‧壁像素電極
SL‧‧‧密封材
SU1‧‧‧第一基板
SU2‧‧‧第二基板
TCF1‧‧‧第一透明導電膜
TCF2‧‧‧第一透明導電膜
TFT‧‧‧薄膜電晶體
TP‧‧‧頭頂部
VP‧‧‧垂直部
WL‧‧‧壁基材
圖1係用以說明本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之整體構成之圖。
圖2係用以說明本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之像素構成之俯視圖。
圖3係根據圖2所示之B-B'線之剖面圖。
圖4係用以說明本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之壁狀電極之詳細構成之圖。
圖5係用以說明本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之虛擬壁共用電極中之電場分佈之圖。
圖6係用以說明先前之壁電極之電場分佈之圖。
圖7係用以說明先前之共用電極之電場分佈之圖。
圖8係用以說明本發明之實施形態1之虛擬壁共用電極之位置對準精度之圖。
圖9係顯示本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之壁基材附近之等電位面分佈之圖。
圖10係本發明之實施形態1之液晶顯示裝置之1個像素內之透射率分佈之計測值之圖。
圖11係用以說明本發明之實施形態2之液晶顯示裝置之液晶顯示面板之概略構成之剖面圖。
圖12係用以說明本發明之實施形態2之液晶顯示裝置之壁基材附近之等電位面分佈之圖。
圖13係用以說明對每個像素反轉驅動實施形態1之液晶顯示裝置之情形之壁基材附近之等電位面分佈之圖。
圖14係顯示相對於本發明之實施形態2之液晶顯示裝置之液晶層厚與壁像素電極之高度之差之每個像素反轉驅動時之對比度之圖。
圖15係顯示在實施形態1之液晶顯示裝置中以每個像素反轉驅動在自像素及鄰接於該自像素之鄰接像素中一起進行白顯示之情形之壁像素電極之附近之等電位面分佈之圖。
圖16係顯示在實施形態2之液晶顯示裝置中利用每個像素反轉驅動在自像素中進行白顯示且在鄰接像素中進行黑顯示之情形之壁像素電極之附近之等電位面分佈之圖。
圖17係顯示在實施形態2之液晶顯示裝置中較液晶層LC高2 μm地形成壁基材WL並以每個像素反轉驅動進行白顯示時之透射率分佈之圖。
圖18係用以說明本發明之實施形態3之液晶顯示裝置之像素構成之剖面圖。
圖19係用以說明本發明之實施形態4之液晶顯示裝置之像素構成之剖面圖。
圖20係用以說明在本發明之實施形態4之液晶顯示裝置中每個像素反轉驅動時鄰接像素間之電位差為最大之情形之壁基材附近之等電位面分佈之圖。
圖21係用以說明在本發明之實施形態4之液晶顯示裝置中每個像素反轉驅動時白顯示像素與黑顯示像素鄰接之情形之壁基材附近之等電位面分佈之圖。
圖22係顯示本發明之實施形態4之液晶顯示裝置之液晶層厚與壁像素電極之高度之差與每個像素反轉驅動時之白顯示時之透射率及黑顯示時之透射率之計測結果之圖。
圖23係顯示相對於本發明之實施形態4之液晶顯示裝置之液晶層厚與壁像素電極之高度之差之每個像素反轉驅動時之對比度之圖。
圖24係用以說明本發明之實施形態5之液晶顯示裝置之像素構成之剖面圖。
圖25係本發明之實施形態5之液晶顯示裝置之每個像素反轉驅動時之壁像素電極之附近之等電位面分佈圖。
圖26係本發明之實施形態5之液晶顯示裝置之每個像素反轉驅動時之壁像素電極之附近之等電位面分佈圖。
圖27係顯示本發明之實施形態5之液晶顯示裝置之壁像素電極與線狀像素電極之間隔與每個像素反轉驅動時之白顯示時之透射率及黑顯示時之透射率之計測結果之圖。
圖28係顯示相對於本發明之實施形態5之液晶顯示裝置之壁像素電極與線狀像素電極之間之距離之每個像素反轉驅動時之對比度之圖。
圖29係用以說明本發明之實施形態6之液晶顯示裝置之概略構成之剖面圖。
圖30係本發明之實施形態6之液晶顯示裝置之自像素與鄰接像素一起顯示白色時之等電位面之分佈。
圖31係本發明之實施形態6之液晶顯示裝置之自像素進行白顯示、鄰接像素進行黑顯示時之等電位面之分佈。
圖32係用以說明本發明之實施形態7之液晶顯示裝置之概略構成之剖面圖。
圖33係用以說明本發明之實施形態7之另一液晶顯示裝置之概略構成之剖面圖。
圖34係用以說明本發明之實施形態8之液晶顯示裝置之概略構成之剖面圖。
圖35係顯示相對於本發明之虛擬壁共用電極之第一共用電極與第二共用電極之位置對準偏移之每個像素反轉驅動時之白顯示像素之透射率之圖。
圖36係顯示在實施形態1之液晶顯示裝置中第一共用電極與第二共用電極中未產生對準偏移之情形與產生3 μm之對準偏移之情形中之像素內之透射率分佈之圖。
圖37係本發明之實施形態8之液晶顯示裝置之第一共用電極與第二共用電極中未產生對準偏移之情形之虛擬壁共用電極部分之放大圖。
圖38係本發明之實施形態8之液晶顯示裝置之第一共用電極與第二共用電極中產生對準偏移之情形之虛擬壁共用電極部分之放大圖。
圖39係本發明之實施形態8之液晶顯示裝置之第一共用電極與第二共用電極中未產生對準偏移之情形與產生3 μm之對準偏移之情形中之像素內之透射率分佈之圖。
圖40係用以說明本發明之實施形態8之液晶顯示裝置之第一共用電極與第二共用電極之對準位置偏移3 μm之情形之每個像素反轉驅動時之白顯示透射率之第二共用電極與液晶層之距離依存性之圖。
圖41係用以說明本發明之實施形態8之液晶顯示裝置之第二共用電極至液晶層之距離與驅動電壓之關係之圖。
圖42係用以說明本發明之實施形態9之液晶顯示裝置之像素構成之剖面圖。
圖43係本發明之實施形態9之液晶顯示裝置之第一共用電極與第二共用電極中未產生對準偏移之情形之虛擬壁共用電極部分之放大圖。
圖44係本發明之實施形態9之液晶顯示裝置之第一共用電極與第二共用電極中產生對準偏移之情形之虛擬壁共用電極部分之放大圖。
圖45係用以說明在本發明之實施形態9之液晶顯示裝置中第一共用電極與第二共用電極之對準位置偏移3 μm之情形之每個像素反轉驅動時之白顯示透射率之第一共用電極與液晶層之距離依存性之圖。
圖46係用以說明本發明之實施形態9之液晶顯示裝置之第一共用電極至液晶層之距離與驅動電壓之關係之圖。
圖47係用以說明本發明之實施形態10之液晶顯示裝置之概略構成之俯視圖。
圖48係根據圖47所示之C-C'線之剖面圖。
圖49係用以說明形成實施形態10之液晶顯示裝置之壁像素電極之第一透明導電膜之構成之圖。
圖50係用以說明形成實施形態10之液晶顯示裝置之第二共用電極及第四共用電極之第二透明導電膜之構成之圖。
AR‧‧‧顯示區域
CE1‧‧‧第一共用電極
CE2‧‧‧第二共用電極
CL‧‧‧共通線
DL‧‧‧汲極線
DR‧‧‧驅動電路
FPC‧‧‧可撓性印刷基板
GL‧‧‧閘極線
PNL‧‧‧液晶顯示面板
SE‧‧‧壁像素電極
SL‧‧‧密封材
SU1‧‧‧第一基板
SU2‧‧‧第二基板
TFT‧‧‧薄膜電晶體

权利要求:
Claims (19)
[1] 一種液晶顯示裝置，其特徵為，其係具備含有於X方向延伸且並設於Y方向之掃描信號線與於Y方向延伸且並設於X方向之影像信號線之第二基板、及介隔液晶層與上述第二基板對向配置之第一基板，且將由上述掃描信號線與上述影像信號線包圍之像素之區域配置為矩陣狀者，且包含：凸狀體，其係形成於與鄰接像素之像素邊界，且自上述第二基板之液晶面側突出；第一電極，其包含形成於上述凸狀體之側壁面之側壁面電極、與自上述側壁面電極之上述凸狀體之底面側延伸且沿著上述第二基板之液晶側面延伸之下端側電極，且包含形成於包夾上述像素之區域而對向之至少一對之邊部之上述側壁面電極、與上述下端側電極；及第二電極，其包含形成於上述第一基板側之上述像素之區域內且於上述第一電極之延伸方向延伸之第一線狀電極、與形成於上述第二基板側之上述像素之區域內且以介隔上述第一線狀電極與上述液晶層對峙之方式延伸之第二線狀電極；且上述像素之區域至少包含上述第一電極與上述第二電極於第一方向延伸之第一像素區域、及上述第一電極與上述第二電極於第二方向延伸之第二像素區域。
[2] 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述第一基板具備：對應彩色顯示之著色層；至少形成於與上述著色層之間之區域之遮光膜；及形成於上述著色層與上述遮光膜之上層，將液晶側面平坦化之平坦化層；上述第一線狀電極形成於較上述平坦化層更接近上述第一基板之層。
[3] 如請求項1之液晶顯示裝置，其中含有形成於上述第二基板之液晶面側之第一絕緣厚膜；上述第二線狀電極形成於較上述第一絕緣厚膜更接近上述第一基板之層。
[4] 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述第一電極包含沿著該像素之邊緣部成環狀之第一導電膜；上述第二線狀電極包含第二導電膜，其係以覆蓋全面之方式形成於第2基板之液晶側面，且具有以排列於像素之短方向並包夾上述第二線狀電極之方式形成之2個開口部；上述第一導電膜與上述第二導電膜沿著各像素之邊緣部重疊，該重疊區域為包圍像素之區域之環狀。
[5] 一種液晶顯示裝置，其特徵為，其係具備含有於X方向延伸且並設於Y方向之掃描信號線與於Y方向延伸且並設於X方向之影像信號線之第二基板、及介隔液晶層與上述第二基板對向配置之第一基板，且將由上述掃描信號線與上述影像信號線包圍之像素之區域配置為矩陣狀者，且包含：凸狀體，其係形成於與鄰接像素之像素邊界，且自上述第二基板之液晶面側突出；第一電極，其包含形成於上述凸狀體之側壁面之側壁面電極、與自上述側壁面電極之上述凸狀體之底面側延伸且沿著上述第二基板之液晶側面延伸之下端側電極，且包含形成於包夾上述像素之區域而對向之至少一對之邊部之上述側壁面電極、與上述下端側電極；及第二電極，其包含形成於上述第一基板側之上述像素之區域內且於上述第一電極之延伸方向延伸之第一線狀電極、與形成於上述第二基板側之上述像素之區域內且以介隔上述第一線狀電極與上述液晶層對峙之方式延伸之第二線狀電極；且自形成有上述側壁面電極之上述第二基板側之下側邊緣部至上述第一基板側之上側邊緣部之上述第一電極之高度，形成為較被該第一電極包夾之像素之區域中之上述液晶層之厚度更大。
[6] 如請求項5之液晶顯示裝置，其中包含形成於上述第二基板之液晶面側之第一絕緣厚膜、與形成於上述第一絕緣厚膜且沿上述像素之區域之邊部之第一槽部；上述側壁面電極之底面側之邊緣部在上述第一槽部之底面與上述下端側電極連接為一體。
[7] 如請求項6之液晶顯示裝置，其中上述第一槽部包含貫通上述第一絕緣厚膜而使下層之薄膜層之表面露出之貫通槽；於自上述第一槽部露出之下層之薄膜層表面直立設置上述凸狀體，且上述下端側電極沿著自上述第一槽部露出之下層之薄膜層表面形成。
[8] 如請求項5之液晶顯示裝置，其中包含直立設置上述凸狀體之絕緣膜、與以覆蓋上述絕緣膜及上述第一電極之方式形成之第二絕緣厚膜；上述第二絕緣厚膜其由上述一對第一電極包夾之區域中之膜厚形成為較上述凸狀體之頭頂部之膜厚更大；上述第一電極之高度形成為較由上述一對第一電極包夾之區域中之上述液晶層之厚度更大。
[9] 如請求項8之液晶顯示裝置，其中上述第一基板具備：對應彩色顯示之著色層；至少形成於與上述著色層之間之區域之遮光膜；及形成於上述著色層與上述遮光膜之上層，將液晶側面平坦化之平坦化層；且包含形成於上述平坦化層且沿著上述像素之區域之邊部之第二槽部；上述凸狀體之頭頂側配置於上述第二槽部內。
[10] 如請求項5之液晶顯示裝置，其中上述第一電極包含沿著該像素之邊緣部成環狀之第一導電膜；上述第二線狀電極包含第二導電膜，其係以覆蓋全面之方式形成於第2基板之液晶側面，且具有排列於像素之短方向、以包夾上述第二線狀電極之方式形成之2個開口部；上述第一導電膜與上述第二導電膜沿著各像素之邊緣部重疊，該重疊區域為包圍像素之區域之環狀。
[11] 如請求項10之液晶顯示裝置，其中上述像素之區域至少包含上述第一電極與上述第二電極於第一方向延伸之第一像素區域、及上述第一電極與上述第二電極於第二方向延伸之第二像素區域。
[12] 一種液晶顯示裝置，其特徵為，其係具備含有於X方向延伸且並設於Y方向之掃描信號線與於Y方向延伸且並設於X方向之影像信號線之第二基板、及介隔液晶層與上述第二基板對向配置之第一基板，且將由上述掃描信號線與上述影像信號線包圍之像素之區域配置為矩陣狀者，且包含：凸狀體，其係形成於與鄰接像素之像素邊界，且自上述第二基板之液晶面側突出；第一電極，其包含形成於上述凸狀體之側壁面之側壁面電極、與自上述側壁面電極之上述凸狀體之底面側延伸且沿著上述第二基板之液晶側面延伸之下端側電極，且包含形成於包夾上述像素之區域而對向之至少一對之邊部之上述側壁面電極、與上述下端側電極；及第二電極，其包含形成於上述第一基板側之上述像素之區域內且於上述第一電極之延伸方向延伸之第一線狀電極、與形成於上述第二基板側之上述像素之區域內且以介隔上述第一線狀電極與上述液晶層對峙之方式延伸之第二線狀電極；且包含形成於上述第一基板側，且俯視觀察時與上述第一電極重疊配置之第四電極；上述第四電極與上述第二電極被供給相同信號。
[13] 如請求項12之液晶顯示裝置，其中上述第一基板具備：對應彩色顯示之著色層；至少形成於與上述著色層之間之區域之遮光膜；及形成於上述著色層與上述遮光膜之上層，將液晶側面平坦化之平坦化層；上述第四電極形成於較上述平坦化層更接近上述第一基板之層。
[14] 如請求項12之液晶顯示裝置，其中上述第一基板具備：對應彩色顯示之著色層；至少形成於與上述著色層之間之區域之遮光膜；及形成於上述著色層與上述遮光膜之上層，將液晶側面平坦化之平坦化層；上述第四電極形成於較上述平坦化層更接近上述液晶層之層。
[15] 如請求項14之液晶顯示裝置，其中上述第一線狀電極形成於較上述平坦化層更接近上述第一基板之層。
[16] 如請求項12之液晶顯示裝置，其中上述第一線狀電極與上述第四電極形成於同層。
[17] 如請求項12之液晶顯示裝置，其中上述第一線狀電極與上述第四電極形成於不同之層。
[18] 如請求項17之液晶顯示裝置，其中上述第一電極包含沿著該像素之邊緣部成環狀之第一導電膜；上述第二線狀電極包含第二導電膜，其係以覆蓋全面之方式形成於第2基板之液晶側面，且具有排列於像素之短方向、以包夾上述第二線狀電極之方式形成之2個開口部；上述第一導電膜與上述第二導電膜沿著各像素之邊緣部重疊，該重疊區域為包圍像素之區域之環狀。
[19] 如請求項12之液晶顯示裝置，其中上述像素之區域至少包含上述第一電極與上述第二電極於第一方向延伸之第一像素區域、及上述第一電極與上述第二電極於第二方向延伸之第二像素區域。

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