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    • 专利摘要:
    本發明係關於有機鉑化合物，係用於利用化學蒸鍍法製造鉑薄膜或鉑化合物薄膜之有機鉑化合物，係以次式表示，於2價之鉑配位有己二烯或己二烯衍生物、及烷基陰離子。於下式，取代基R1、R2為烷基。R1、R2也可不同。又，R3、R4為氫或烷基。R3、R4也可不同。本發明之鉑化合物，安定性良好，且成膜時也不發生有毒物質，操作性亦良好，實用性優異。又，蒸氣壓高，可於低溫成膜，當作容易向立體結構成膜之CVD原料有用。□
    公开号:TW201311922A
    申请号:TW101113721
    申请日:2012-04-18
    公开日:2013-03-16
    发明作者:Kazuharu Suzuki；Shunichi Nabeya；Masayuki Saito
    申请人:Tanaka Precious Metal Ind；
    IPC主号:C23C16-00
    专利说明:
    化學蒸鍍用之有機鉑化合物及使用該有機鉑化合物之化學蒸鍍方法
    本發明係關於使用於當作利用CVD法、ALD法之化學蒸鍍法製造鉑薄膜或鉑化合物薄膜之原料的有機鉑化合物。詳而言之，係關於蒸氣壓高、即使於350℃以下之低溫也能形成鉑薄膜之有機鉑化合物。
    作為納入於積體電路之場效電晶體(FET)之電極材料，已知有具有3維結構的立體型Ni-Pt矽化物電極。該立體型Ni-Pt矽化物電極，為了將FET微細化採用了高密度且同時確保表面積的立體結構，並為了提高Ni矽化物電極之熱安定性而添加Pt。於製造具有上述立體結構之Ni-Pt矽化物電極時，需於預先製造之具有立體結構的Si之上形成Pt薄膜及Ni薄膜。此時Pt薄膜及Ni薄膜電極，需沿著其形狀均勻地以相同比例被覆。
    鉑薄膜之製造方法並非無法適用濺鍍法等PVD法，但PVD法難以將具有立體結構的電極均勻被覆。而，採用階段性覆蓋(高低差被覆性)優異之CVD法等化學蒸鍍法可說是有利的。又，FET之閘電極，藉由使用如Ni-Pt矽化物之金屬薄膜，可期待元件的小型化、高性能化。於此情形，若使用以往的濺鍍法製作金屬電極時，會造成元件損傷，所以需於物理性溫和的條件形成金屬薄膜。若藉由應用CVD法等化學蒸鍍法能在低溫成膜，則也可進行如此種元件之製造。
    用於利用CVD法製造鉑薄膜或鉑化合物薄膜之原料，自已往以有許多化合物為已知。例如：雙(乙醯基丙酮酸)鉑(II)錯合物(專利文獻1)、環戊二烯基三甲基鉑(IV))錯合物(專利文獻2)、肆(三氟膦)鉑化合物(專利文獻3)等。
    【先前技術文獻】 【專利文獻】
    【專利文獻1】日本特表2001-504159號公報
    【專利文獻2】日本特開平11-292889號公報
    【專利文獻3】日本特開2008-231473號公報
    一般而言，對於CVD用原料為了形成安定的皮膜形成，會有以下的要求：蒸氣壓高，及分解溫度低而降低成膜溫度。尤其，於FET之情形，為了維持元件性能，於低溫成膜係屬重要。上述習知的鉑化合物，可說都具備了該等特性。但是為了形成上述立體結構電極，針對該等特性需要更為嚴格的標準。例如：若針對蒸氣壓來看，當在經立體化之電極形成均勻的皮膜時，能以高濃度供給原料氣體係為有效，為此目的宜以蒸氣壓較高之物質為佳。又，關於分解溫度，為了抑制基板(電極)的損害且同時由高濃度的原料氣體快速成膜，宜為低溫較佳。
    又，上述鉑化合物之中，肆(三氟膦)鉑(0)錯合物能以較低溫成膜，但是不僅是對於空氣或濕氣不安定，而且對於光或熱也不安定，所以通常需在遮光下、低溫保存。再者，於成膜時或由於分解會產生強毒性的PF3。又，為了使蒸氣量穩定且均勻而獲得高低差被覆性良好的膜，有時為了維持膜成膜前之氣體狀態的安定性必需使用配位子PF3。
    於具有立體結構之基板‧基材形成鉑皮膜之必要性，除了上述FET之Pt-Ni電極以外，還有於燃料電池用鉑觸媒或色素增感型太陽能電池用鉑觸媒等電池用鉑觸媒薄膜的薄膜形成等例，有許多需求。而本發明係基於以上背景而產生，提供蒸氣壓高、能於低溫成膜，容易對於立體結構成膜，同時安定性、操作性優異之CVD原料用鉑化合物。
    解決上述課題之本發明，係一種有機鉑化合物，其係用於利用化學蒸鍍法製造鉑薄膜或鉑化合物薄膜之有機鉑化合物，係以次式表示，於2價之鉑配位有己二烯或己二烯衍生物、及烷基陰離子。
    (式中，取代基R1、R2為烷基。R1、R2也可不同。又，R3、R4為氫或烷基。R3、R4也可不同。)
    本發明之鉑化合物，係於2價之鉑配位有作為配位子之己二烯或其衍生物及烷基陰離子者。本案發明人等思及該等鉑化合物，關於中心金屬及配位於該中心金屬之配位子之各構成，係基於以下理由。
    其中之一之配位子二烯，係在與金屬原子之鍵結部分不帶電荷，為電中性性的π鍵結型配位子。為電中性，與金屬之鍵結力弱，可獲得容易於低的溫度熱分解的錯合物。並且，由於分子量較小(己二烯：82.14)、沸點也較低(己二烯：60℃)，所以分解後容易蒸散，有不易在金屬膜內殘留作為雜質的好處。
    其中另一者的配位子烷基陰離子，可藉由適當設定分子量，而提高錯合物之蒸氣壓。又，藉由於還原性氣體氛圍、氫氣氛圍中實施成膜使錯合物分解，會釋放沸點低的烴。所以，適於當作不易成為在析出之金屬膜內的殘留雜質，而是釋出純金屬的配位子。
    而且，針對成為中心金屬之鉑，有許多以2價或4價之帶正電荷之鉑為中心金屬之鉑錯合物係為安定，但是本案發明人等考慮於合成、精製、保存的過程中容易操作化合物亦為重要，因此認為具有適當安定性的2價之鉑錯合物較佳。
    基於以上理由，本發明之鉑錯合物，係於2價之鉑配位當作配位子之己二烯或其衍生物以及烷基陰離子。
    對於鉑配位之2個烷基陰離子R1、R2，為甲基、乙基、丙基中任一者較佳。該等烷基陰離子由於分子量小，在形成錯合物時能夠壓抑伴隨分子量增加之蒸氣壓下降。又，由於隨著烷基之碳鏈增長，鉑錯合物之安定性有減少的傾向，故若以碳數4以上之長鏈烷基當作配位子，錯合物之合成、操作會變難。烷基之中尤佳者為甲基。其原因為：甲基由於在錯合物分解後會成為沸點低的甲烷(沸點：-162℃)，所以能不殘留在形成的金屬薄膜中而能釋出。
    又，對於鉑之配位子，除了己二烯更包含其衍生物之理由為：為了因應配位之2個烷基陰離子，確保鉑錯合物安定性且同時使成膜溫度為低溫。此現象隨著對於鉑配位之2個烷基陰離子(R1、R2)為乙基、丙基及成為分子量大的取代基，鉑錯合物之安定性下降，即使於室溫程度也會分解，對於作為CVD原料之操作性造成影響。而藉由在其中另一配位子己二烯導入取代基，使得配位子之配位力改變而能維持鉑錯合物全體之安定性並且使成膜時之分解特性良好。
    本發明之鉑錯合物之理想具體例，可舉以下化合物。
    (i)一種有機鉑化合物，其取代基R1、R2均為甲基，且取代基R3、R4均為氫。
    (ii)一種有機鉑化合物，其取代基R1、R2均為甲基、乙基、丙基中任一者且為相同，取代基R3、R4其中之一為甲基。
    (iii)一種有機鉑化合物，其取代基R1、R2均為甲基、乙基、丙基中之任一者且為相同，且取代基R3、R4均為甲基。
    本發明之有機鉑化合物之製造方法，可藉由以鉑鹽當作起始原料，並依序使己二烯(1,5-己二烯)或己二烯衍生物(2-甲基-1,5-己二烯、2,5-甲基-1,5-己二烯等)、以及烷基陰離子鹽反應而進行製造。又，鉑鹽例如可使用氯化鉑酸鹽(K2PtCl4等)。
    本發明之有機鉑化合物，對於利用CVD法形成鉑薄膜有用。在此，該薄膜形成方法，係將成為原料化合物之有機鉑化合物氣化成反應氣體，在基板表面導入前述反應氣體，並且使前述有機鉑化合物分解而析出鉑。
    針對用於分解有機鉑化合物之反應氣體氛圍，宜為還原性氣體氛圍較佳，其原因為：FET之立體電極中，必需與鉑同時形成鎳薄膜，有必要抑制其氧化。並且，具體而言導入氫氣、氨氣當作反應氣體較佳。
    本發明之目的在於使成膜溫度偏向低溫側。從此觀點，用於成膜反應之加熱溫度，定為200℃~350℃較佳。其原因為：低於200℃時，成膜反應難進行，難以獲得必要的膜厚。又，其原因為：若超過350℃，不僅難以於經立體化之電極形成均勻的薄膜，且難以維持FET元件之性能。
    如以上之說明，本發明之鉑錯合物由於蒸氣壓高、分解溫度低，所以可於低溫製造鉑薄膜。又，也能於立體結構成膜。又，本發明之有機鉑化合物，除了可應用於CVD法以外，也可應用於原子層沉積法(ALD法)等化學蒸鍍法。第1實施形態：
    本實施形態中，係製造：使2個甲基配位當作為配位子之烷基陰離子且使己二烯配位作為另一配位子而成的鉑錯合物(取代基R1、R2均為甲基，取代基R3、R4勻為氫之鉑錯合物：1,5-己二烯二甲基鉑(II)(以下稱為HDMP))。HDMP合成之反應式如下。以下，針對各階段說明製造步驟。
    首先，在使氯化鉑酸鉀(K2PtCl4)100.00g(0.241moL)溶於水800mL而得的溶液中，添加1,5-己二烯30.00g(0.365moL)。然後，為了使己二烯與水相混合，添加乙酸50mL，以機械攪拌器攪拌(200rpm)。將該反應液於油浴中維持在定溫並階段性地攪拌(反應液25℃進行2小時、35℃進行12小時)。在該反應過程，產生了白色沉澱並且沉積，反應液成為淡黃色。然後於該反應液再添加己二烯3.00g(0.037mol)，於油浴中再次階段性地攪拌(反應液45℃進行3小時、50℃進行20小時)。於以上反應後，反應液成為幾乎透明，獲得白色沉澱。將該白色沉澱物抽吸過濾並回收，各以水、乙醇、二乙醚洗滌2次，進行大氣乾燥、真空乾燥，獲得白色的1,5-己二烯二氯化鉑(II)78.33g(0.225mol)(產率93.4%)。
    其次，將1L之4口燒瓶內之空氣以氬氣取代，於其中添加上述製造的1,5-己二烯二氯化鉑(II)20g(5.74×10-2mol)、乾燥二乙醚550mL，冷卻至-30℃。於該溶液中費時45分鐘滴加1.07M之甲基鋰(CH3Li)溶液145mL。然後，將該溶液於攪拌狀態升溫到室溫一晚，將獲得之反應液(黑色)以冰水冷卻。再使用滴加漏斗，費時30分鐘滴加水：乙醇之混合液(4：1)50mL。之後以抽吸過濾去除黑色沉澱，回收二乙醚層並蒸發，溶於己烷，以管柱層析(氧化鋁/己烷)法過濾後，將溶劑蒸發。將獲得之黑色液體利用昇華法精製(加熱溫度38~46℃、冷卻溫度5℃、壓力68~84Pa、8小時)，獲得白色固體之HDMP9.06g(2.95×10-2mol)(產率51%)。 第2實施形態：
    本實施形態中，係製造：使2個甲基配位當作為配位子之烷基陰離子並使2-甲基-1,5-己二烯配位作為另一配位子而得之鉑錯合物(亦即，取代基R1、R2均為甲基，取代基R3為氫、R4為甲基之鉑錯合物：2-甲基-1,5-己二烯二甲基鉑(II)(以下稱為Me-HDMP))。Me-HDMP合成之反應式如下所示。以下針對各階段說明製造步驟。
    首先於使氯化鉑酸鉀(K2PtCl4)20.14g(4.85×10-2mol)溶於水160mL而得之溶液中，添加2-甲基-1,5-己二烯7.30g(7.59×10-2mol)。然後，添加乙酸10mL，將反應液邊以攪拌器攪拌邊於油浴中保持在定溫並階段性攪拌(反應液35℃進行31小時、40℃進行20小時、50℃進行6小時)。於該反應過程，反應液成為幾乎透明而獲得白色沉澱。將該白色沉澱物抽吸過濾而回收，各以水、乙醇、二乙醚洗滌2次，進行大氣乾燥、真空乾燥，獲得白色的2-甲基-1,5-己二烯二氯化鉑(II)14.14g(3.90×10-2mol)(產率80%)。
    其次，將500mL之3口燒瓶以氬氣取代，於其中添加上述製造之2-甲基-1,5-己二烯二氯化鉑(II)12.00g(3.31×10-2mol)、乾燥二乙醚200mL，並冷卻至-70℃。於該溶液中費時45分鐘添加1.07M的甲基鋰(CH3Li)溶液84mL。並且，將該溶液於持續攪拌一晚的狀態升溫至室溫，將獲得之反應液(黑色)以冰水冷卻。再使用滴加漏斗費時20分鐘滴加水：乙醇之混合液(4：1)25mL。之後，以抽吸過濾去除黑色沉澱，回收二乙醚層並蒸發，溶於己烷並以管柱層析(氧化鋁/己烷)法過濾後，將溶劑蒸發。將獲得之黑色液體利用昇華法精製(加熱溫度36~39℃、冷卻溫度15℃、壓力50~60Pa、11小時)，獲得白色固體之Me-HDMP6.45g(2.01×10-2mol)(產率61%)。 第3實施形態：
    本實施形態中，係製造：使2個甲基配位當作為配位子之烷基陰離子並且使2,5-二甲基-1,5-己二烯配位當作另一配位子之而成的鉑錯合物(亦即，取代基R1、R2均為甲基且取代基R3、R4均為甲基之鉑錯合物：2,5-二甲基-1,5-己二烯二甲基鉑(II)(以下稱為2Me-HDMP))。2Me-HDMP合成之反應式如下所示。以下針對各階段說明製造步驟。
    首先，於使氯化鉑酸鉀(K2PtCl4)20.00g(4.82×10-2mol)溶於水160mL而得之溶液中添加2,5-二甲基-1,5-己二烯7.69g(6.98×10-2mol)。然後添加乙酸20mL，於將反應液以攪拌器攪拌的狀態，以油浴保持定溫並進行階段性攪拌(反應液35℃進行44小時、40℃進行20小時、50℃進行9小時、65℃進行16小時)。於該反應過程，反應液成為幾乎透明，獲得茶色沉澱。將該沉澱物抽吸過濾並回收，各以水、乙醇、二乙醚洗滌2次，進行大氣乾燥、真空乾燥，獲得茶色之2,5-二甲基-1,5-己二烯二氯化鉑(II)14.77g(3.93×10-2mol)(產率81%)。
    其次，將500mL之3口燒瓶以氬氣進行取代，於其中添加上述製造之2,5-二甲基-1,5-己二烯二氯化鉑(II)12.00g(3.19×10-2mol)、乾燥二乙醚200mL，冷卻至-70℃。於該溶液中費時45分鐘滴加1.14M之甲基鋰(CH3Li)溶液76mL。然後，將該溶液於持續攪拌一晚的狀態升溫到室溫，將獲得之反應液(黑色)以冰水冷卻。然後，使用滴加漏斗費時20分鐘滴加水：乙醇之混合液(4：1)20mL。之後，以抽吸過濾去除黑色沉澱，將二乙醚層回收、蒸發，溶於己烷，以管柱層析(氧化鋁/己烷)法過濾之後，將溶劑蒸發。將獲得之黑色液體利用昇華法精製(加熱溫度55℃、冷卻溫度15℃、壓力50~70Pa、9小時)，獲得白色固體之2Me-HDMP6.15g(1.83×10-2mol)(產率57%)。 鉑錯合物之物性評價：
    針對第1~第3實施形態製造之鉑錯合物，利用TG-DTA實施物性評價。分析係觀察於氬氣流下(200mL/min)將鉑錯合物試樣以升溫速度3℃/min加熱時之試樣之重量變化。
    各鉑錯合物之重量變化之行為相似。亦即，從60℃附近開始重量緩慢減少，於成為分解開始溫度之100℃附近，減少量急劇增加，於150℃附近重量減少結束。之後，進行加熱直到500℃，但於此範圍之間完全未觀察到重量減少，維持在150℃附近的重量值。測定結束後之試樣皿殘留有保持金屬光澤的白色粉末，據認為係TG-DTA測定時鉑錯合物之熱分解所生成之金屬鉑。由此結果可知：各鉑錯合物藉由在氬氣氛圍之中加熱而分解並析出金屬鉑，且熱分解於150℃附近結束，從錯合物容易析出純金屬單體。又，各鉑錯合物之分解開始溫度之詳情為：98.9℃(HDMP)、98.2℃%(Me-HDMP)、95.2℃(2Me-HDMP)。
    又，TG-DTA測定後之各試樣之重量值，為試樣之起始重量之35.73%(HDMP)、47.62%(Me-HDMP)、52.63%(2Me-HDMP)。各鉑錯合物中之鉑之理論含量為63.48%(HDMP)、60.71%(Me-HDMP)、58.17%(2Me-HDMP)，由此可推測TG-DTA之測定中，鉑錯合物有一部分昇華蒸發。在此，如上述，若假定測定後殘留的白色粉末為純鉑金屬，可以估計出：與理論含量之差異係由於鉑錯合物之昇華而飛散之鉑之重量。此係意味著：相對於起始重量有43.71%(HDMP)、21.56%(Me-HDMP)、9.52%(2Me-HDMP)的鉑錯合物昇華。
    TG-DTA之測定儘管係於大氣壓條件下實施，仍有相當量(43.71%)的HDMP由於昇華而飛散。其結果啟示HDMP是蒸氣壓高、容易蒸發的物質。又，Me-HDMP、2Me-HDMP，比起HDMP的昇華量較少(21.56%(Me-HDMP)、9.52%(2Me-HDMP))。此據認為有以下2個理由：Me-HDMP、2Me-HDMP的分子量大於HDMP，及如上述分解開始溫度之比較所明白者，Me-HDMP、2Me-HDMP比起HDMP較易熱分解。但此次觀測到的昇華.量，係利用TG-DTA在大氣壓下測定獲得之值。由於在通常成膜條件，於減壓下可以於比起分解點更低之溫度產生蒸氣，所以可於未伴隨熱分解之安定狀態產生蒸氣。
    又，所製造之各鉑錯合物即使於大氣下、室溫中保存1個月也未觀察到有變色等變化。亦即，該等化合物在室溫下極安定，能於空氣中保存。
    各鉑錯合物之熔點，HDMP為35℃、Me-HDMP為31℃、2Me-HDMP為49℃。相較於HDMP，己二烯之取代基的其中之一為甲基之Me-HDMP的熔點低於HDMP。此據認為係由於Me-HDMP相較於HDMP，分子的對稱性較低，所以熔點較低。又，己二烯之取代基兩者為甲基之2Me-MHDMP相較於HDMP之熔點較高，據認為係雖然分子之對稱性同等，但是由於己二烯導入有2個甲基，所以分子量增加的原故。該等鉑錯合物於保存時(室溫)可於固體狀態保存，比起於液體狀態保存的情形更能安定保存。又，藉由在成膜時加熱容易熔解成為液體，所以可以使用能穩定產生蒸氣之起泡器(bubbler)式氣化裝置。 成膜試驗：
    其次使用各鉑錯合物為原料化合物，以CVD法進行鉑薄膜之成膜試驗。成膜裝置，係使用僅將腔室內之基板台座加熱之冷壁(cold wall)式裝置。以質流控制器控制用於將原料化合物之蒸氣運送到基板上之載流氣體(氮氣)為固定流量。又，為了促進原料化合物之分解並使金屬之析出容易，使用質流控制器以固定流量對於基板上吹送反應氣體(氫氣)。
    將鉑薄膜形成於在矽基板上使用經四乙氧基矽烷(TEOS)沉積氧化矽膜之基板(15mm×15mm)。成膜條件如下。
    試樣加熱溫度：40℃
    基板加熱溫度200、225、250、275、300℃
    載流氣體(氮氣)流量：10sccm
    反應氣體(氫氣)流量：50sccm
    壓力：50Pa
    成膜時間：30分鐘
    於上述各溫度進行成膜試驗，所有的鉑錯合物原料均可在所有的溫度製造鉑薄膜。所製造之鉑薄膜具有白色金屬光澤，利用XPS之測定僅觀測到來自於鉑之峰部，未觀測到來自於碳等雜質之峰部。亦即可確認該鉑薄膜為純鉑之金屬膜。又，以SEM觀察鉑薄膜，結果鉑薄膜之厚度為100nm，並確認薄膜之表面平滑且粗糙度為1nm以下。
    並且以四探針法測定所製造之鉑薄膜之比電阻，結果均為25 μ Ω cm以下。若比較鉑金屬單體之比電阻(10.5 μ Ω cm(20℃))，本實施形態之薄膜之測定值雖有若干大的值，但作為於低溫進行成膜之鉑薄膜，電阻可說是低的。
    由以上成膜試驗之結果，可明白：各實施形態之鉑錯合物藉由以氫氣當作反應氣體，能於200℃之低溫成膜。該等鉑錯合物於室溫為安定的化合物，且同時由於加熱會快速進行熱分解反應，具有容易析出金屬鉑之性質，適於利用CVD法製造金屬薄膜。又，由於鉑錯合物之熱分解產生的有機成分(配位子己二烯、甲烷)沸點均低，於實施成膜之減壓條件下，快速蒸發、擴散，所以不會跑入析出的金屬薄膜內，可製作純金屬膜。
    又，如上述，各實施形態之鉑錯合物均可在所有的條件形成鉑薄膜，但於低溫之成膜性依良好的順序為HDMP<Me-MHDMP<2Me-MHDMP。又，針對鉑薄膜之比電阻，可見到HDMP>Me-MHDMP>2Me-MHDMP的傾向。其原因為據認為係：如上述TG-DTA測定之結果所述，隨著錯合物之分子量增加，重量減少之開始溫度及結束溫度低，容易起熱分解，能於較低溫成膜，比電阻也減低。 比較例：
    在此對上述各實施形態之鉑錯合物進行比較，針對習知之鉑化合物雙(乙醯基丙酮酸)鉑(II)錯合物進行物性評價、薄膜形成。
    首先實施TG-DTA測定。為雙(乙醯基丙酮酸)鉑(II)錯合物之情形，在150℃附近重量開始減少，於225℃附近減少量急劇增加，於245℃重量減少結束。此時發生了相當於起始重量的99.96%的重量減少。此現象顯示試樣未熱分解(鉑析出)而是完全蒸發(昇華)，顯示於氬氣氛圍下直到245℃不熱分解而安定存在。將此結果與HDMP的情形(加熱分解於150℃結束)加以比較，當使用雙(乙醯基丙酮酸)鉑(II)錯合物進行成膜，預測需要比起HDMP高100℃以上之加熱溫度。
    其次使用雙(乙醯基丙酮酸)鉑(II)錯合物嘗試鉑薄膜之成膜。成膜條件設定為基板溫度350℃，除此以外與本實施形態同。但該成膜試驗中，雙(乙醯基丙酮酸)鉑(II)錯合物雖然氣化，但於基板上不生分解，未形成鉑薄膜。確認了：該鉑化合物無法如本實施形態在350℃以下的溫度成膜。
    又，作為習知鉑化合物使用環戊二烯基三甲基鉑(IV)錯合物嘗試鉑薄膜之成膜。成膜條件設定：試樣加熱溫度為25℃、基板溫度為300℃，並使用10sccm的氫氣當作載流氣體及反應氣體。成膜時壓力為65Pa。以該條件進行30分鐘成膜，但是在基板上未識別到有金屬膜形成。
    如上述，本實施形態之鉑錯合物與習知的鉑化合物不同，能於低溫形成鉑薄膜。又，本實施形態之鉑錯合物於室溫下對於空氣、濕氣、光安定且可長期間保存。又，進行氣化時之載流氣體可使用無毒性且低廉的氬氣或氮氣。且實施成膜也不會產生有毒物質，可稱得上是操作容易且實用性優異之CVD用之鉑化合物。 【產業利用性】
    本發明之鉑錯合物，由於蒸氣壓高、分解溫度低，可於低溫形成高精度之鉑薄膜。本發明尤其對於立體結構成膜為有效，有用於向具有場效電晶體(FET)之3維結構的立體電極等形成鉑膜。
    权利要求:
    Claims (8)
    [1] 一種有機鉑化合物，用於利用化學蒸鍍法製造鉑薄膜或鉑化合物薄膜，係如次式表示，在2價之鉑配位有己二烯或己二烯衍生物、及烷基陰離子： 式中，取代基R1、R2為烷基；R1、R2也可不同；又，R3、R4為氫或烷基；R3、R4也可不同。
    [2] 如申請專利範圍第1項之有機鉑化合物，其中，取代基R1、R2至少任一者為甲基、乙基、丙基中之任一者。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之有機鉑化合物，其中，取代基R3、R4至少任一者為甲基。
    [4] 如申請專利範圍第1項之有機鉑化合物，其中，取代基R1、R2均為甲基，且取代基R3、R4均為氫。
    [5] 如申請專利範圍第1項之有機鉑化合物，其中，取代基R1、R2為甲基、乙基、丙基中任一者且R1、R2相同，取代基R3、R4至少任一者為甲基。
    [6] 一種化學蒸鍍法，將成為原料化合物之有機鉑化合物予以氣化作為反應氣體，並在基板表面導入該反應氣體，將該有機鉑化合物分解而析出鉑之鉑薄膜或鉑化合物薄膜，使用如申請專利範圍第1至5項中任一項之有機鉑化合物當作該有機鉑化合物，並將該有機鉑化合物分解。
    [7] 如申請專利範圍第6項之化學蒸鍍法，其中，用於將有機鉑化合物分解之反應氣體氛圍為還原性氣體氛圍。
    [8] 如申請專利範圍第6或7項之化學蒸鍍法，其中，導入氫氣、氨氣當作還原性氣體氛圍。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    TWI439563B|2014-06-01|化學蒸鍍用之有機鉑化合物及使用該有機鉑化合物之化學蒸鍍方法
    KR101643480B1|2016-07-27|유기 백금 화합물을 포함하는 화학 증착용 원료 및 상기 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법
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    JP5352024B1|2013-11-27|有機ニッケル化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
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    TWI596078B|2017-08-21|由有機鉑化合物所成之化學蒸鍍用原料及使用該化學蒸鍍用原料之化學蒸鍍法
    JP6027657B1|2016-11-16|複核ルテニウム錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
    TWI676630B|2019-11-11|由有機鉑化合物所構成之氣相蒸鍍用原料及使用該氣相蒸鍍用原料之氣相蒸鍍法
    JP2016166142A|2016-09-15|有機ニッケル化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
    JP5952460B1|2016-07-13|有機白金化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
    TWI727091B|2021-05-11|含有烯丙基配位體之金屬錯合物
    TW202030197A|2020-08-16|鈷錯合物、其製造方法以及含鈷薄膜的製造方法
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US20130344243A1|2013-12-26|
    JP5865352B2|2016-02-17|
    WO2012144455A1|2012-10-26|
    CN103492399B|2016-03-30|
    CN103492399A|2014-01-01|
    EP2700646A4|2014-08-27|
    KR101606252B1|2016-03-24|
    EP2700646A1|2014-02-26|
    EP2700646B1|2015-10-14|
    US8911827B2|2014-12-16|
    TWI439563B|2014-06-01|
    JPWO2012144455A1|2014-07-28|
    KR20130138845A|2013-12-19|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    TWI596078B|2015-05-12|2017-08-21|田中貴金屬工業股份有限公司|由有機鉑化合物所成之化學蒸鍍用原料及使用該化學蒸鍍用原料之化學蒸鍍法|
    TWI638901B|2015-05-12|2018-10-21|日商田中貴金屬工業股份有限公司|由有機鉑化合物所成之化學蒸鍍用原料及使用該化學蒸鍍用原料之化學蒸鍍法|US3622367A|1970-03-24|1971-11-23|Mobil Oil Corp|Contact deposition of platinum and other metals|
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    US20140065060A1|2012-08-31|2014-03-06|Karlsruher Institut Fur Technologie |Precursors for Metal Organic Chemical Vapor Deposition Processes and Their Use|JP6407370B1|2017-07-25|2018-10-17|田中貴金属工業株式会社|有機白金化合物からなる気相蒸着用原料及び該気相蒸着用原料を用いた気相蒸着法|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011093671||2011-04-20||
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