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    • 专利摘要:
    本發明係一種異方性導電膜，其係使基板之端子與電子構件之端子為異方性導電連接的異方性導電膜，其含有導電性粒子，且前述導電性粒子係於樹脂粒子之表面依序設有金屬被覆層及絕緣層的導電性粒子、以及於金屬粒子之表面設有絕緣層的導電性粒子之至少任一者，前述導電性粒子係以平均三個至十個作連結。
    公开号:TW201310149A
    申请号:TW101129870
    申请日:2012-08-17
    公开日:2013-03-01
    发明作者:Tomoyuki Ishimatsu
    申请人:Sony Chem & Inf Device Corp；
    IPC主号:H05K1-00
    专利说明:
    異方性導電膜、異方性導電膜之製造方法、連接方法、及接合體
    本發明係關於可以電性連接及機械性連接IC晶片、液晶顯示器(LCD)中的液晶面板(LCD面板)等之電子構件的異方性導電膜，以及該異方性導電膜之製造方法、使用前述異方性導電膜的連接方法、及接合體。
    習知，就將電子構件與基板連接的方法而言，一般使用將分散導電性粒子的熱硬化性樹脂塗佈於剝離膜的帶狀連接材料(例如，異方性導電膜(ACF,Anisotropic Conductive Film))。
    此異方性導電膜係使用於例如，以將撓性印刷基板(FPC)或IC晶片之端子，與LCD面板之玻璃基板上形成的氧化銦錫(ITO,Indium Tin Oxide)電極連接的情形為首，而將各種端子彼此接著的同時加以電性連接的情形。
    近年來，電子構件正進展為更小型化、積體化。因此，前述電子構件具有的電極係持續讓介於鄰接的電極間之間距變的更小(微細間距(fine pitch))。可是於異方性導電膜所使用的導電成分大多為球狀，其大小亦多使用直徑為數μm以上者。使用如此的異方性導電膜而將進行小型化、積體化的電極間之間距小的電極加以連接時，有鄰接的電極(端子)彼此間的絕緣電阻並不充分的問題。因此，關於微細間距之異方性導電連接，正冀求導通電阻優異、且可獲得鄰接的端子間之絕緣電阻者。
    因此，就關於微細間距的技術而言，已提議可使用於基板間之連接、及感壓感應器的異方性導電材料，其係於橡膠材料中分散具有微細金屬粒以鏈狀連結的形狀的金屬粉末之異方性導電材料(參照專利文獻1)。
    然而，此提議之技術於異方性導電連接之際，有金屬粉末彼此會接觸，於基板或電子構件未充分保持鄰接的電極間之絕緣電阻，而有產生所謂短路的問題。又，因連結的金屬粒的數量並未特定，鏈中存有未有效地對異方性導電連接作用的金屬粒，而有所謂粒子捕捉率變低的問題。
    又，關於使用異方性導電性構件的連接方法，已提議下列連接方法，其包含：於應連接的導體樣板之形成的兩片基板之間，包夾含有磁性體成分的導電性粒子的異方性導電性構件的步驟；以控制前述導電性粒子之配向狀態的方式，而施加磁場的步驟；將前述兩片基板加以熱壓著的步驟(參照專利文獻2)。
    然而，以此提議之技術，因於異方性導電連接之際施加磁場，藉由施加的磁場，多數之導電性粒子以鏈狀連結的結果，於基板或電子構件鄰接的電極間之絕緣電阻未充分保持，而有所謂產生短路的問題。又，多數的導電性粒子以鏈狀連結時，鏈中存有對於異方性導電連接無效作用的導電性粒子，而有所謂粒子捕捉率變低的問題。
    因此，於微細間距之異方性導電連接，目前的現狀係正冀求可獲得鄰接的端子間之絕緣電阻，同時導通電阻及粒子捕捉率為優異的異方性導電連接的異方性導電膜、以及該異方性導電膜之製造方法、使用前述異方性導電膜的連接方法、及接合體之提供。
    [先前技術文獻]
    [專利文獻]
    [專利文獻1]特開2003-346556號公報
    [專利文獻2]特開2004-185857號公報
    [發明概要]
    本發明係以解決習知的各個問題，而達成以下目的為問題。即，本發明之目的係提供可於微細間距之異方性導電連接獲得鄰接端子間之絕緣電阻，同時導通電阻及粒子捕捉率為優異的異方性導電連接的異方性導電膜、以及該異方性導電膜之製造方法、使用前述異方性導電膜的連接方法、及接合體。
    就解決前述問題之方法而言，係如以下所示。即，
    <1>一種異方性導電膜，其係使基板之端子與電子構件之端子為異方性導電連接的異方性導電膜，其特徵為：含有導電性粒子；前述導電性粒子係於樹脂粒子的表面依序設有金屬被覆層及絕緣層的導電性粒子，以及於金屬粒子之表面設有絕緣層的導電性粒子之至少任一者；前述導電性粒子係以平均三個至十個連結。
    <2>如前述<1>記載之異方性導電膜，其中金屬被覆層為含有Fe、Ni、及Co之至少任一者的磁性金屬被覆層。
    <3>如前述<1>記載之異方性導電膜，其中金屬粒子為鎳粒子。
    <4>如前述<1>至<3>中任一項記載之異方性導電膜，其中導電性粒子之粒子連結率為8%~50%。
    <5>一種異方性導電膜之製造方法，其係前述<1>至<4>中任一項記載之異方性導電膜之製造方法，其特徵為包含：磁化步驟，其係將含有具磁性的導電性粒子的異方性導電組成物之導電性粒子加以磁化的步驟；及塗佈步驟，其係將含有經磁化的導電性粒子的異方性導電組成物塗佈於基材上的步驟。
    <6>一種連接方法，其係使基板之端子與電子構件之端子為異方性導電連接的連接方法，其特徵為包含：貼附步驟，其係於前述基板之端子上貼附異方性導電膜的步驟；載置步驟，其係於前述異方性導電膜上載置電子構件的步驟；及加熱擠壓步驟，將前述電子構件藉由加熱擠壓構件而加熱及擠壓的步驟；其中前述異方性導電膜係為前述<1>至<4>項中任一項記載之異方性導電膜。
    <7>一種接合體，其特徵為其係藉由前述<6>記載之連接方法而製造。
    依據本發明，可解決習知的各個問題，達成前述目的，並於微細間距之異方性導電連接，獲得鄰接的端子間之絕緣電阻的同時，導通電阻及粒子捕捉率為優異的異方性導電連接的異方性導電膜，以及該異方性導電膜之製造方法、使用前述異方性導電膜的連接方法、及接合體。
    [用以實施發明之態樣]
    (異方性導電膜)
    本發明之異方性導電膜係使基板之端子與電子構件之端子為異方性導電連接的異方性導電膜，其含有導電性粒子，更因應必要含有其他成分。
    <導電性粒子>
    前述導電性粒子係於樹脂粒子之表面依序設有金屬被覆層及絕緣層的導電性粒子、以及於金屬粒子之表面設有絕緣層的導電性粒子之至少任一者。
    就前述導電性粒子之形狀、大小而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    -樹脂粒子-
    就前述樹脂粒子之材質而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例聚乙烯(polyethylene)、聚丙烯(polypropylene)、聚苯乙烯(polystryene)、聚氯乙烯(polyethylene chloride)、聚偏二氯乙烯(polyvinylidene chloride)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)、聚異丁烯(polyisobutylene)、聚丁二烯(polybutadiene)、聚對苯二甲酸伸烷基酯(polyalkylene terephthalate)、聚碸(polysulfone)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚醯胺(polyamide)、酚醛樹脂(phenol-formaldehyde resin)、蜜胺甲醛樹脂(melamine-formaldehyde resin)、苯鳥糞胺甲醛樹脂(benzoguanamine formaldehyde resin)、尿素甲醛樹脂、(甲基)丙烯酸酯聚合物、二乙烯苯聚合物、二乙烯苯系共聚合物等。此等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
    此等中，以(甲基)丙烯酸酯聚合物、二乙烯苯聚合物、二乙烯苯系共聚合物為較佳。
    就前述二乙烯苯系共聚合物而言，例如，可舉例二乙烯苯-苯乙烯共聚合物、二乙烯苯-(甲基)丙烯酸酯共聚合物等。
    其中，(甲基)丙烯酸酯意指甲基丙烯酸酯及丙烯酸酯之任一者。前述(甲基)丙烯酸酯聚合物因應必要可為交聯型及非交聯型任一者，亦可混合此等來使用。
    就前述樹脂粒子之形狀而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，但表面形狀係具有微小凹凸者為較佳。
    就前述樹脂粒子之構造而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例單層構造、積層構造等。
    就前述樹脂粒子之平均粒徑而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，但以1μm~50μm為較佳，2μm~20μm為更佳，2μm~10μm為特佳。
    前述樹脂粒子之平均粒徑低於1μm或超過50μm時，有無法獲得清晰的粒度分佈者。另一方面，前述樹脂粒子之平均粒徑於前述特佳範圍內時，有利於獲得良好連接可靠性的特點。
    又，前述樹脂粒子之平均粒徑可使用例如，粒度分佈測定裝置(日機裝社製，商品名：Microtrac MT3100)來測量。
    -金屬被覆層-
    就前述金屬被覆層而言，只要於前述樹脂粒子之表面上形成的被覆層即可，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，但於磁性強、粒子連結率變高的特點，以含有Fe、Ni、及Co之至少任一者的磁性金屬被覆層為較佳，含Ni的磁性金屬被覆層為更佳。
    前述金屬被覆層係含有磷及硼之至少任一者為宜。
    就前述金屬被覆層中的磷濃度而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，但10質量%以下為較佳，3.0質量%~10質量%為更佳。前述磷濃度超過10質量%時，粒子連結率、粒子捕捉數、及粒子捕捉率(粒子捕捉效率)會降低。
    就前述金屬被覆層中的硼濃度而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    就調整前述金屬被覆層之磷濃度及硼濃度的方法而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例控制被覆反應之pH的方法、控制被覆液中之磷酸濃度及硼濃度的方法等。
    上述此等中，在反應控制為優異的特點下，控制被覆反應之pH的方法為較佳。
    又，前述金屬被覆層中的磷濃度及硼濃度可使用例如，EDX(能量分散型X射線分析裝置，日立High-Technologies公司製)，藉由將被覆層作成分分析來測量。
    就前述被覆而言，例如，可舉例Ni-P(鎳-磷)被覆、Ni-B(鎳-硼)被覆、Fe被覆、Co被覆等。
    就前述金屬被覆層之平均厚度而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，但10nm~200nm為較佳。
    前述平均厚度超過200nm時，被覆後之粒子彼此經被覆而變的容易凝集，變的容易可能出現巨大粒子。
    又，前述金屬被覆層之平均厚度係於任意選擇之十個粒子，使用例如，聚焦離子束(Focused Ion Beam)加工觀察裝置(日立Hi-Technology公司製、商品名：FB-2100)進行剖面研磨，使用穿透式電子顯微鏡(日立Hi-Technology公司製、商品名：H-9500)來測量金屬被覆層之厚度，此等測定值作為算術平均的厚度。
    就形成前述金屬被覆層之被覆方法而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例無電解法、濺鍍法(sputtering)等。
    -金屬粒子-
    就前述金屬粒子而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例銅、鐵、鎳、金、銀、鋁、鋅、不銹鋼、赤鐵礦(Fe2O3)、磁鐵礦(Fe3O4)、一般通式：MFe2O4、MO‧nFe2O3(兩式中，M表示2價金屬，例如，可舉例Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ba、Mg等；n為正整數；而且，前述M於重複時可為同種，亦可為異種)所表示的各種鐵酸鹽(ferrite)、矽鋼粉、坡莫合金(Permalloy)、鈷基非晶形合金、山達斯特合金(Sendust)、阿爾帕姆高導磁鐵鋁合金(Alperm)、鎳鐵鉬超高導磁合金(supermalloy)、高導磁合金(Mu-metal)、波曼德合金(Permeameter)、波尼瓦恒磁導率合金(Perminvar)等各種金屬粉、其合金粉等。此等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。上述此等中由連接可靠性的特點來看，以鎳粒子為更佳。
    -絕緣層-
    就前述絕緣層而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例由樹脂而成的層等。就前述樹脂而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，固形環氧樹脂、苯氧樹脂、乙烯聚合物、聚酯樹脂、烷基化纖維素樹脂、焊劑樹脂(flux resin)等。
    就將前述絕緣層被覆於設有金屬被覆層的樹脂粒子及金屬粒子的方法而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，使設有金屬被覆層的樹脂粒子、或金屬粒子分散於樹脂溶液中，將獲得的分散體呈微細液滴一邊噴霧一邊加溫，而將溶劑乾燥的方法等。就用於此方法的樹脂而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，固形環氧樹脂、苯氧樹脂、乙烯聚合物、聚酯樹脂、烷基化纖維素樹脂、焊劑樹脂等。
    就前述導電性粒子之平均粒徑而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，但1μm~50μm為較佳，2μm~10μm為更佳。前述平均粒徑低於1μm時，無法表現作為導電性粒子之機能，而產生導通不良，超過50μm時，薄膜形成能力降低而於製造中產生缺陷。
    又，前述導電性粒子之平均粒徑可使用例如，粒度分佈測定裝置(日機裝公司製，商品名：Microtrac MT3100)來測量。
    於前述異方性導電膜，前述導電性粒子係以平均三個至十個連結，平均三個至五個連結者為較佳。連結之平均個數低於三個時，粒子捕捉率低，超過十個時，壓著時之擠壓性變差而造成導通不良。
    前述導電性粒子之連結係指前述導電性粒子彼此為接觸的狀態。就使前述導電性粒子連結的方法而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，但後述本發明之異方性導電膜之製造方法中的磁化步驟為較佳。
    連結之平均個數可藉由以下方法而求得。異方性導電膜以金屬顯微鏡(Olympus公司製，商品名：MX51)觀察，計數所觀察的導電性粒子一千個連結的粒子群的數目，將〔一千個/(連結的粒子群的數目)〕作為連結的平均個數。
    其中，於前述異方性導電膜，前述導電性粒子連結的樣子使用第1圖來說明。第1圖係本發明之異方性導電膜之一例的概略剖面圖。異方性導電膜1係含有導電性粒子2及含有膜形成樹脂等的樹脂層3。於第1圖，四個導電性粒子數珠連繋地接觸的粒子群A中的導電性粒子的連結個數為四個。四個導電性粒子凝集而接觸的粒子群B中的導電性粒子之連結個數為四個。九個導電性粒子一部份成為數珠連繋、一部份凝集而接觸的粒子群C中的導電性粒子之連結個數為九個。就連結的態樣而言，在提升粒子捕捉率的特點下，導電性粒子為凝集而接觸的粒子群為較佳。
    就前述導電性粒子之粒子連結率而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，但8%~80%為較佳，8%~50%為更佳，30%~50%為特佳。前述粒子連結率低於8%時，粒子捕捉率的提升並不充分，超過80%時，粒子捕捉率低下，及無法捕捉的導電性粒子變的容易存在。
    其中，粒子連結率(%)係將每異方性導電膜1mm2之導電性粒子的數目〔粒子密度(A)(個/mm2)〕、兩個以下的粒子連結之粒子密度(B)(個/mm2)(未與其他導電性粒子連結的導電性粒子、及導電性粒子之連結個數為兩個的粒子群中的導電性粒子之異方性導電膜每1mm2的數)，由下列所示之式(1)求得。粒子密度(面密度)可使用例如，金屬顯微鏡(Olympus公司製，商品名：MX51)來計數。
    粒子連結率(%)=〔1-(兩個以下的粒子連結之粒子密度(B)/粒子密度(A))〕×100 式(1)
    其中，前述式(1)中，兩個導電性粒子連結的情形之粒子數係計數為兩個。
    就前述異方性導電膜中的導電性粒子之含量而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    <其他成分>
    就前述其他成分而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例膜形成樹脂、熱硬化性樹脂、硬化劑、矽烷偶合劑等。
    -膜形成樹脂-
    就前述膜形成樹脂而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例苯氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、丁二烯樹脂、聚亞醯胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等。前述膜形成樹脂可使用單獨一種，亦可併用二種以上。此等中，由製膜性、加工性、連接可靠性的特點來看，以苯氧基樹脂為特佳。
    前述苯氧基樹脂係由雙酚A與表氯醇(epichlorohydrin)所合成的樹脂，可使用適宜合成者，亦可使用市售品。
    就前述異方性導電膜中的膜形成樹脂之含量而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    -熱硬化性樹脂-
    就前述熱硬化性樹脂而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例環氧樹脂、丙烯酸樹脂等。
    --環氧樹脂--
    就前述環氧樹脂而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛(novolak)型環氧樹脂，此等變性環氧樹脂等之熱硬化性環氧樹脂等。此等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
    就前述異方性導電膜中的環氧樹脂的含量而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    --丙烯酸樹脂--
    就前述丙烯酸樹脂而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、含有磷酸基的丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯、四亞甲基二醇四丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙〔4-(丙烯醯氧基甲氧基)苯基〕丙烷、2,2-雙〔4-(丙烯醯氧基乙氧基)苯基〕丙烷、二環戊烯基丙烯酸酯、三環癸烷基丙烯酸酯、參(丙烯醯氧基乙基)三聚異氰酸酯、胺甲酸酯丙烯酸酯、環氧基丙烯酸酯等。又，前述丙烯酸酯亦可使用甲基丙烯酸酯。此等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
    就前述異方性導電膜中的丙烯酸樹脂之含量而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    --硬化劑-
    就前述硬化劑而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例陽離子系硬化劑、陰離子系硬化劑、自由基系硬化劑等。
    --陽離子系硬化劑－
    就前述陽離子系硬化劑而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例鋶(sulfonium)鹽、鎓(onium)鹽等。此等中，以芳香族鋶鹽為較佳。
    前述陽離子系硬化劑係與作為前述熱硬化性樹脂之環氧樹脂併用者為較佳。
    就前述異方性導電膜中的陽離子系硬化劑之含量而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    --陰離子系硬化劑－
    就前述陰離子系硬化劑而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例聚胺等。
    前述陰離子系硬化劑係與作為前述熱硬化性樹脂之環氧樹脂併用者為較佳。
    就前述異方性導電膜中的陰離子系硬化劑之含量而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    --自由基系硬化劑－
    就前述自由基系硬化劑而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例有機過氧化物等。
    前述自由基系硬化劑係與作為前述熱硬化性樹脂之丙烯酸樹脂併用者為較佳。
    就前述異方性導電膜中的自由基系硬化劑之含量而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    -矽烷偶合劑-
    就前述矽烷偶合劑而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例環氧系矽烷偶合劑、丙烯酸系矽烷偶合劑、硫醇系矽烷偶合劑、胺系矽烷偶合劑等。
    就前述異方性導電膜中的矽烷偶合劑之含量而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    就前述異方性導電膜之厚度而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    (異方性導電膜之製造方法)
    本發明異方性導電膜之製造方法為本發明前述的異方性導電膜之製造方法，至少包含磁化步驟、塗佈步驟，更因應必要包含其他步驟。
    <磁化步驟>
    就前述磁化步驟而言，只要為將含有具磁性的導電性粒子的異方性導電組成物之導電性粒子加以磁化的步驟即可，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    前述導電性粒子係本發明之異方性導電膜中的導電性粒子。
    就前述異方性導電組成物而言，只要為含有前述導電性粒子，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，至少含有前述導電性粒子，更佳可舉例含有膜形成樹脂、熱硬化性組成物、硬化劑的異方性導電組成物等。
    就前述異方性導電組成物中的膜形成樹脂而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例於本發明之異方性導電膜之說明所例示的膜形成樹脂等。
    就前述異方性導電組成物中的熱硬化性樹脂而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例於本發明之異方性導電膜之說明所例示的熱硬化性樹脂等。
    就前述異方性導電組成物中的硬化劑而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例於本發明之異方性導電膜之說明所例示的硬化劑等。
    就磁化前述導電性粒子的方法而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例使用脈衝磁化裝置來磁化的方法等。
    就前述磁化之條件而言，於所獲得的異方性導電膜，只要前述導電性粒子係成為以平均三個至十個連結的狀態的條件即可，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    <塗佈步驟>
    就前述塗佈步驟而言，只要將含有磁化的導電性粒子的異方性導電組成物塗佈於基材上的步驟即可，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    就前述基材之材質而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，但以聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜為較佳。又，聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜於使強度提升的目的下，可含有氧化鈦等無機填充劑。
    就前述基材之平均厚度而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，但10μm~80μm為較佳，12μm~75μm為更佳。
    前述基材之平均厚度低於10μm時，因拉伸強度降低等原因，故封裝時異方性導電膜之操作變困難，超過80μm時，難以成為捲筒形狀，又，最終地基材會廢棄，故廢料量會變多。
    對前述基材因應必要可施予矽酮處理等脫模處理。
    就前述塗佈方法而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例刮刀塗佈法(blade coat)、噴塗法(spray coat)、旋塗法(spin coat)、輥塗法(roll coat)等所代表的各種塗佈法、熱熔法(hot melt)、共擠壓法等。
    前述塗佈之際，因應必要可進行加熱。就加熱溫度及加熱時間而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    (連接方法及接合體)
    本發明之連接方法至少包含貼附步驟、載置步驟、及加熱擠壓步驟，更因應必要含有其他步驟。
    前述連接方法係使基板之端子與電子構件之端子被異方性導電連接的連接方法。
    本發明之接合體係藉由本發明之連接方法而製造。
    <基板>
    就前述基板而言，只要為異方性導電連接之對象的具有端子的基板即可，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例ITO玻璃基板、撓性基板、剛性基板等。
    就前述基板之大小、形狀、構造而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    <電子構件>
    就前述電子構件而言，只要為成為異方性導電連接的對象的具有端子的電子構件即可，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例IC晶片、TAB帶、液晶面板等。就前述IC晶片而言，例如，可舉例平面顯示器(FPD,Flat Panel Display)中的液晶畫面控制用IC晶片等。
    <貼附步驟>
    就前述貼附步驟而言，只要於前述基板之端子上貼附異方性導電膜的步驟即可，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    前述異方性導電膜係本發明前述之異方性導電膜。
    <載置步驟>
    就前述載置步驟而言，只要於前述異方性導電膜上載置前述電子構件的步驟即可，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    通常，此時不進行異方性導電連接。
    <加熱擠壓步驟>
    就前述加熱擠壓步驟而言，只要將前述電子構件藉由加熱擠壓構件加以加熱及擠壓的步驟即可，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇。
    就前述加熱擠壓構件而言，例如，可舉例具有加熱機構的擠壓構件等。就具有前述加熱機構的擠壓構件而言，例如，可舉例加熱器(heat tool)等。
    就前述加熱之溫度而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例100℃~250℃等。
    就前述擠壓之壓力而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例0.1MPa~100MPa等。
    就前述加熱及擠壓之時間而言，並未特別限制，可因應目的加以適宜選擇，例如，可舉例0.5秒鐘~120秒鐘等。
    於前述加熱擠壓步驟，使前述異方性導電膜軟化，進一步使硬化者為較佳。
    於前述加熱擠壓步驟，藉由加熱及擠壓，前述基板之端子與前述電子構件之端子之間存在的導電性粒子係藉由端子間施加的壓力而變形。由於此變形，前述導電性粒子之絕緣層會破裂而前述導電性粒子之金屬被覆層或金屬粒子會露出。前述導電性粒子之金屬被覆層或金屬粒子露出時，藉由前述導電性粒子，前述基板之端子與電子構件之端子可能電氣連接，可進行異方性導電連接。
    此時，前述導電性粒子係藉由平均三個至十個連結，提升粒子捕捉率，而實現優異的異方性導電連接。
    又，前述基板之端子間、或前述電子構件之端子間存在的導電性粒子，即使異方性導電膜被加熱及擠壓，亦幾乎不會變形。因此，前述基板之端子間、或前述電子構件之端子間存在的導電性粒子之金屬被覆層或金屬粒子，不會露出，且絕緣層一直覆蓋。如此，即使前述導電性粒子連繋而發生前述基板之端子間或電子構件之端子間的橫跨情形，前述基板之端子間、或前述電子構件之端子間之絕緣電阻被維持，結果，可防止短路。
    [實施例]
    以下，說明本發明之實施例，但本發明並未受限於此等實施例。又，只要未特別明記，「份」係表示「質量份」。
    (製造例1)
    <交聯聚苯乙烯粒子之製作>
    於調整二乙烯苯、苯乙烯、及甲基丙烯酸丁酯之混合比的溶液中，投入作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯(benzoyl peroxide)，以高速均一攪拌同時進行加熱，經由進行聚合反應而獲得微粒子分散液。經由過濾前述微粒子分散液並減壓乾燥，獲得為微粒子之凝集體的塊本體(block body)。再者，藉由將前述塊本體粉碎，獲得平均粒徑3μm之交聯聚苯乙烯粒子。
    (比較例1)
    <異方性導電膜之製作>
    -異方性導電組成物之製作-
    於微膠囊型胺系硬化劑(旭化成Chemicals公司製，商品名：Novacure HX3941HP)50份、液狀環氧樹脂(Japan Epoxy Resin公司製，商品名：EP828)14份、苯氧基樹脂(新日鐵化學公司製，商品名：YP50)35份、及矽烷偶合劑(信越化學工業公司製、商品名：KBE403)1份中，使製造例1所獲得的平均粒徑3μm之交聯聚苯乙烯粒子依序進行Ni被覆及Au被覆的平均粒徑3μm之導電性粒子成為粒子密度為4,000pcs.(個)/mm2的方式分散於其中，獲得異方性導電組成物1。
    又，Ni被覆及Au被覆之合計的被覆層的平均厚度為100nm。
    前述被覆層之平均厚度，係於任意選擇的十個之粒子，使用聚焦離子束加工觀察裝置(日立Hi-Technology公司製，商品名：FB-2100)進行剖面研磨，使用穿透式電子顯微鏡(日立Hi-Technology公司製，商品名：H-9500)來測量被覆層之厚度，此等測定值為算術平均的厚度。
    -磁化步驟-
    使用圓筒狀的脈衝磁化裝置(P-2804，Magnetlabo公司製)，以3秒鐘1次的間隔流通磁化電流1,000A，使磁化15秒鐘，而使異方性導電組成物1中之導電性粒子磁化。
    -異方性導電膜之製作-
    將含磁化的導電性粒子的異方性導電組成物1，於經矽酮處理的脫模PET(聚乙烯對苯二甲酸酯)薄膜上成為乾燥後之平均厚度為20μm的方式塗佈，獲得片狀之異方性導電膜1。
    <連接方法(接合體之製造)>
    就評價基材而言，使用COF(評價用基材，35μm間距，線/空間=1/1，Cu8μm厚度-Sn被覆，38μm厚度-S’perflex基材)及ITO塗佈玻璃(評價用基材，35μm間距，玻璃厚度0.7mm)，進行異方性導電連接。
    具體而言，於製作的異方性導電膜1切開1.0mm寬。將此異方性導電膜1貼附於ITO塗佈玻璃。
    於其上放置前述COF而對合位置並暫時固定後，以加熱器1.0mm寬，使用緩衝材(厚度70μm之Teflon(註冊商標))，於壓著條件190℃、3MPa、10秒鐘(加熱速度10mm/秒鐘，階段溫度40℃)，進行異方性導電連接，而製作接合體1。
    <評價>
    於製作的異方性導電膜及接合體，進行以下之評價。結果示於表1-1。
    〔連結之平均個數〕
    異方性導電膜中之導電性粒子之連結的平均個數係使用金屬顯微鏡(Olympus公司製，商品名：MX51)來觀察異方性導電膜，計數所觀察的導電性粒子一千個的連結的粒子群的數目，將〔一千個/(連結的粒子群的數目)〕作為連結之平均個數而求得。
    〔粒子連結率〕
    粒子連結率(%)係計數異方性導電膜每1mm2之導電性粒子的數目〔粒子密度(A)(個/mm2)〕、兩個以下的粒子連結之粒子密度(B)(個/mm2)(未與其他導電性粒子連結的導電性粒子、及導電性粒子之連結之個數為兩個的粒子群中的導電性粒子之異方性導電膜每1mm2的數目)，自下述式(1)而求得。
    粒子連結率(%)=〔1-(兩個以下的粒子連結之粒子密度(B)/粒子密度(A))〕×100 式(1)
    其中，前述式(1)中，導電性粒子為兩個連結的情形之粒子數計數為兩個。
    〔粒子捕捉數及粒子捕捉率(粒子捕捉效率)〕
    粒子捕捉數及粒子捕捉率(粒子捕捉效率)係藉由下述方法來測量。
    於各接合體，一百個端子上的導電性粒子的數目(接合後之粒子數)以金屬顯微鏡(Olympus公司製，商品名：MX51)來計數。
    此時，將每一個端子之粒子數之最大值、最小值、又平均值作為粒子捕捉數而求得。
    又，每一個端子之粒子捕捉率(粒子捕捉效率)由下述式(2)求得。
    粒子捕捉效率(%)=〔(壓著後於端子捕捉的粒子個數)/(壓著前於端子下存在的粒子個數)〕×100 式(2)
    其中，〔壓著後於端子捕捉的粒子個數〕係指於端子上，被判斷為明顯參與導通的導電性粒子之個數。〔壓著前於端子下存在的粒子個數〕若改變說法，係指於壓著前之異方性導電膜，與端子相同面積所存在的導電性粒子之個數。
    〔導通電阻〕
    於各接合體，將十五處之端子間的電阻值(Ω)，使用四端子法流通電流1mA來測量。求得此時之最大值、最小值、及平均值。
    〔短路發生數〕
    於各接合體，測量端子間流通電壓30V時之絕緣電阻值。此時，絕緣電阻值低於1×108Ω的情形判斷為短路。而且，測量三十處之端子間，求得短路發生數。
    (比較例2)
    <異方性導電膜及接合體之製作>
    於比較例1，除將Ni被覆及Au被覆僅替換為以下之Ni-P(鎳-磷)被覆之外，與比較例1同樣地，獲得片狀之異方性導電膜2。
    又，與比較例1同樣地，製作接合體2。
    -Ni-P被覆-
    對製造例1所獲得的平均粒徑3μm之交聯聚苯乙烯粒子10g，藉由5質量%氫氧化鈉水溶液作鹼蝕刻、酸中和，進行二氯化錫溶液中的敏化。之後，施予於二氯化鈀溶液中包含活化的無電解被覆前處理，過濾洗淨後，獲得使粒子表面附著鈀的導電性粒子。
    將所獲得的導電性粒子以水1,500mL稀釋，添加硝酸鉍0.005mmol、及硝酸鉈0.006mmol作為被覆安定劑，以10質量%硫酸水及2N氫氧化鈉水溶液調整為pH5.7，作成漿液，將液溫度設定為26℃。
    於此漿液，添加硫酸鎳450g/L 40mL、次磷酸鈉150g/L及檸檬酸鈉116g/L之混合液80mL、水280mL、作為被覆安定劑之硝酸鉍0.02mmol、及硝酸鉈0.024mmol，以28質量%氨水調整為pH9.3的前期反應被覆液，以80mL/分鐘之添加速度經由定量泵添加。
    之後，攪拌至pH為安定，確認氫的發泡停止，進行無電解被覆前期步驟。
    其次，添加硫酸鎳450g/L 180mL、次磷酸鈉150g/L與檸檬酸鈉116g/L之混合液440mL、作為被覆安定劑之硝酸鉍0.3mmol、及硝酸鉈0.36mmol之後期反應被覆液，以27mL/分鐘之添加速度經由定量泵添加。
    之後，攪拌至pH為安定，確認氫的發泡停止，進行無電解被覆後期步驟。
    其次，過濾被覆液，過濾物以水洗淨後，以80℃之真空乾燥機加以乾燥，獲得具有Ni-P被覆層的導電性粒子。
    提供於與比較例1同樣之評價。結果示於表1-1。
    又，被覆層之平均厚度為100nm，導電性粒子之被覆層中之P(磷)濃度為9.5質量%。
    又，P濃度及後述的B(硼)濃度係藉由將被覆後之粒子的剖面，使用聚焦離子束(日立High-Technologies公司製)切出，使用EDX(能量分散型X射線分析裝置，日立High-Technologies公司製)，將被覆層加以成分分析來測量。
    (實施例1)
    <異方性導電膜及接合體之製作>
    -導電性粒子1之製作-
    除了將於比較例2之Ni-P(鎳-磷)被覆中的P濃度替換為表1-1記載的P濃度之外，與比較例2同樣地，獲得設有金屬被覆層的樹脂粒子。
    接著，使用特開平4-362104號公報之段落〔0013〕~〔0014〕記載的方法，進行絕緣層之被覆。絕緣層係被覆於設有金屬被覆層的樹脂粒子，以金屬顯微鏡觀察來確認。
    -異方性導電膜及接合體之製作-
    於比較例1，除了以導電性粒子替代前述導電性粒子1之外，與比較例1同樣地，獲得異方性導電膜3及接合體3。
    於所獲得的異方性導電膜3及接合體3，提供於與比較例1相同之評價。結果示於表1-1。
    (實施例2及3)
    <異方性導電膜及接合體之製作>
    於實施例1，導電性粒子之製作之際，除將Ni-P被覆之P濃度變換為表1-1所示P濃度之外，與實施例1同樣地，獲得異方性導電膜4~5及接合體4~5。
    又，被覆層之平均厚度共為100nm。又，絕緣層係被覆於設有金屬被覆層的樹脂粒子，以金屬顯微鏡觀察來確認。
    於所獲得的異方性導電膜4~5及接合體4~5，提供於與比較例1同樣之評價。結果示於表1-1。
    (實施例4)
    <異方性導電膜及接合體之製作>
    於實施例1，導電性粒子之製作之際，除將Ni-P被覆替換為Ni-B(鎳-硼)被覆、被覆層中的B(硼)濃度作成5.5質量%之外，與實施例1同樣地，獲得異方性導電膜6及接合體6。
    又，被覆層之平均厚度為100nm。又，絕緣層係被覆於設有金屬被覆層的樹脂粒子，以金屬顯微鏡觀察來確認。
    於所獲得的異方性導電膜6及接合體6，提供於與比較例1同樣之評價。結果示於表1-2。
    (實施例5)
    <異方性導電膜及接合體之製作>
    於實施例1，導電性粒子之製作之際，除將Ni-P被覆替換為Co被覆之外，與實施例1同樣地，獲得異方性導電膜7及接合體7。
    又，被覆層之平均厚度為100nm。又，絕緣層係被覆於設有金屬被覆層的樹脂粒子，以金屬顯微鏡觀察來確認。
    於所獲得的異方性導電膜7及接合體7，提供於與比較例1同樣之評價。結果示於表1-2。
    (實施例6)
    <異方性導電膜及接合體之製作>
    於實施例1，除將設有金屬被覆層的樹脂粒子替換為鎳粒子(Inco公司製，商品名：T123，平均粒徑3μm)之外，與實施例1同樣地，獲得異方性導電膜8及接合體8。
    絕緣層係被覆於鎳粒子，藉由進行金屬顯微鏡觀察來確認。
    於所獲得的異方性導電膜8及接合體8，提供於與比較例1相同之評價。結果示於表1-2。
    (比較例3及4)
    <異方性導電膜及接合體之製作>
    於實施例1，調整磁化條件，除將異方性導電膜中的導電性粒子之連結之平均個數變換為表1-2所示平均個數之外，與實施例1同樣地，獲得異方性導電膜9~10及接合體9~10。
    於所獲得的異方性導電膜9~10及接合體9~10，提供於與比較例1同樣之評價。結果示於表1-2。
    (實施例7)
    <異方性導電膜及接合體之製作>
    除了於實施例1，調整磁化條件，異方性導電中的導電性粒子之連結的平均個數變換為示於表1-2的平均個數之外，與實施例1同樣地，獲得異方性導電膜11及接合體11。
    於所獲得的異方性導電膜11及接合體11，提供於與比較例1相同的評價。結果示於表1-2。

    表1-1及表1-2中，P/B濃度為被覆層中之磷濃度或硼濃度，單位為質量%。
    比較例1中，為了進行Au被覆，磁性變弱且粒子連結率變低。又，為了使用無絕緣層之導電性粒子，會發生短路。比較例2中，因進行Ni-P被覆，由於Ni之磁性，雖然粒子連結率良好，但為了使用無絕緣層之導電性粒子，大多會發生短路。即，使用無絕緣層的導電性粒子的情形，隨著粒子連結率變高，結果為短路的發生數變高。
    相對於此，實施例1~7中粒子捕捉率及導通電阻優異，進而未見到短路。實施例1~3為使Ni-P被覆之P濃度變動者，P濃度越低，則磁性越強，粒子連結率變高。
    又，實施例1~2、實施例4~5及實施例7因粒子連結率為適度範圍，結果為粒子捕捉率變的更優異。
    比較例3因導電性粒子之連結之平均個數為低於三個，粒子捕捉率(粒子捕捉效率)成為低於20%，並不充分。
    比較例4因導電性粒子之連結之平均個數大於十個，導通電阻高且產生導通不良的同時，大多會發生短路。
    [產業上之利用可能性]
    本發明之異方性導電膜及連接方法於獲得鄰接的端子間之絕緣電阻的同時，因可獲得導通電阻及粒子捕捉率為優異的異方性導電連接，可較佳地使用於微細間距之藉由異方性導電連接的接合體之製造。
    1‧‧‧異方性導電膜
    2‧‧‧導電性粒子
    3‧‧‧樹脂層
    A‧‧‧粒子群
    B‧‧‧粒子群
    C‧‧‧粒子群
    第1圖係呈示本發明之異方性導電膜之一例的概略剖面圖。
    1‧‧‧異方性導電膜
    2‧‧‧導電性粒子
    3‧‧‧樹脂層
    A‧‧‧粒子群
    B‧‧‧粒子群
    C‧‧‧粒子群
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種異方性導電膜，其係使基板之端子與電子構件之端子為異方性導電連接的異方性導電膜，其特徵為：含有導電性粒子；前述導電性粒子係於樹脂粒子之表面依序設有金屬被覆層及絕緣層的導電性粒子、以及於金屬粒子之表面設有絕緣層的導電性粒子之至少任一者；前述導電性粒子係以平均三個至十個作連結。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之異方性導電膜，其中金屬被覆層為含有Fe、Ni、及Co之至少任一者的磁性金屬被覆層。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之異方性導電膜，其中金屬粒子為鎳粒子。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之異方性導電膜，其中導電性粒子之粒子連結率為8%~50%。
    [5] 一種異方性導電膜之製造方法，其係使基板之端子與電子構件之端子為異方性導電連接的異方性導電膜之製造方法，其中該異方性導電膜係含有導電性粒子，且前述導電性粒子係於樹脂粒子之表面依序設有金屬被覆層及絕緣層的導電性粒子、以及於金屬粒子之表面設有絕緣層的導電性粒子之至少任一者，且前述導電性粒子係以平均三個至十個作連結；其特徵為包含：磁化步驟，其係將含有具磁性的導電性粒子的異方性導電組成物之導電性粒子加以磁化的磁化步驟；及塗佈步驟，其係將含有經磁化的導電性粒子的異方性導電組成物塗佈於基材上的塗佈步驟。
    [6] 一種連接方法，其係使基板之端子與電子構件之端子為異方性導電連接之連接方法，其特徵為包含：貼附步驟，其係於前述基板之端子上貼附異方性導電膜的貼附步驟；載置步驟，其係於前述異方性導電膜上載置電子構件的載置步驟；及加熱擠壓步驟，其係藉由加熱擠壓構件將前述電子構件加以加熱及擠壓的加熱擠壓步驟；其中前述異方性導電膜係含有導電性粒子，且前述導電性粒子係於樹脂粒子之表面依序設有金屬被覆層及絕緣層的導電性粒子、以及於金屬粒子之表面設有絕緣層的導電性粒子之至少任一者，且前述導電性粒子係以平均三個至十個作連結，使前述基板之端子與前述電子構件之端子作異方性導電連接之異方性導電膜。
    [7] 一種接合體，其特徵為該接合體係藉由使基板之端子與電子構件之端子作異方性導電連接之連接方法所製造，該連接方法包含：貼附步驟，其係於基板之端子上貼附異方性導電膜的貼附步驟；載置步驟，其係於前述異方性導電膜上載置電子構件的載置步驟；及加熱擠壓步驟，其係藉由加熱擠壓構件將前述電子構件加以加熱及擠壓的加熱擠壓步驟；其中前述異方性導電膜係含有導電性粒子，且前述導電性粒子係於樹脂粒子之表面依序設有金屬被覆層及絕緣層的導電性粒子、以及於金屬粒子之表面設有絕緣層的導電性粒子之至少任一者，前述導電性粒子係以平均三個至十個作連結，使基板之端子與電子構件之端子作異方性導電連接的異方性導電膜。
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    JP2004185857A|2002-11-29|2004-07-02|Matsushita Electric Ind Co Ltd|異方性導電性部材を用いた接続方法、接続装置および異方性導電性部材を用いた半導体装置|
    CN1260317C|2004-03-11|2006-06-21|刘萍|一种各相异性导电胶膜的制造方法|
    KR20070010012A|2004-04-14|2007-01-19|제이에스알 가부시끼가이샤|이방 도전성 시트 제조용 형 및 이방 도전성 시트의 제조방법|
    JP4657047B2|2005-07-28|2011-03-23|旭化成イーマテリアルズ株式会社|接続部材|
    JP2007165028A|2005-12-12|2007-06-28|Matsushita Electric Ind Co Ltd|異方導電性材料とこれを用いた実装方法|
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    JP5151902B2|2008-10-21|2013-02-27|住友電気工業株式会社|異方導電性フィルム|
    JP2010280871A|2009-06-08|2010-12-16|Sumitomo Electric Ind Ltd|フィルム状接着剤、フィルム状異方導電性接着剤|
    JP4998520B2|2009-06-15|2012-08-15|住友電気工業株式会社|電極の接続方法、電極の接続構造及び電子機器|JP6474620B2|2015-01-22|2019-02-27|デクセリアルズ株式会社|異方性導電フィルム、及び接続方法|
    KR20170025996A|2015-08-31|2017-03-08|삼성전자주식회사|이방성 도전 재료와 이방성 도전 재료를 포함하는 전자소자 및 그 제조방법|
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    CN108306144B|2017-02-16|2019-10-01|番禺得意精密电子工业有限公司|电连接器组合|
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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