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    • 专利摘要:
    提供一種使彎曲性穩定而獲得之壓延銅箔。上述壓延銅箔於200℃退火0.5小時後之(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(311)面之X射線繞射峰之積分強度I(311)的比I(311)/I(200)為0.001以上0.01以下。
    公开号:TW201309818A
    申请号:TW101113923
    申请日:2012-04-19
    公开日:2013-03-01
    发明作者:Kaichiro Nakamuro
    申请人:Jx Nippon Mining & Metals Corp；
    IPC主号:C22C9-00
    专利说明:
    壓延銅箔
    本發明係關於一種例如用於可撓性配線板(FPC：Flexible Printed Circuit)且適於覆銅積層板之壓延銅箔。
    可撓性配線板(FPC)係將樹脂層與銅箔積層而形成，且較佳地用於重複彎曲部。作為此種FPC中所使用之銅箔，廣泛使用有彎曲性優異之壓延銅箔。作為提昇壓延銅箔之彎曲性之方法，報告有使再結晶退火後之立方體集合組織擴展之技術(專利文獻1)。又，作為使再結晶退火後之立方體集合組織擴展之方法，列舉有規定最終壓延加工度或壓延條件之方法(專利文獻2)、及於壓延後保留立方體方位之方法(專利文獻3)。
    專利文獻1：日本專利第3009383號公報
    專利文獻2：日本特開2009-185376號公報
    專利文獻3：日本特開2010-150597號公報
    然而，先前之使立方體集合組織擴展之方法存在如下問題：為調整最終壓延加工度，必需根據最終產品之厚度變更立方體集合組織進行成長之最終壓延前退火時之銅箔素材之厚度、或於特殊條件下進行壓延等，從而生產性降低。
    又，存在即便立方體集合組織之擴展度(銅箔表面之(200)方位之X射線繞射強度)為相同程度，彎曲性亦不同之情形，從而僅藉由控制(200)方位難以穩定地獲得彎曲性優異之壓延銅箔。
    即，本發明係為解決上述課題而完成者，其目的在於提供一種使彎曲性穩定而獲得之壓延銅箔。
    本發明人等經過種種研究之結果發現：不僅銅箔之(200)方位，具有(420)方位及(311)方位之晶粒亦會對彎曲性造成影響。具有(420)方位及(311)方位之晶粒因於彎曲時應力施加方向與滑動方向接近而難以引起滑動變形，因此易於使彎曲性降低。
    即，本發明之壓延銅箔於200℃退火0.5小時後之(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(311)面之X射線繞射峰之積分強度I(311)的比I(311)/I(200)為0.001以上且0.01以下。
    又，本發明之壓延銅箔於200℃退火0.5小時後之(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(420)面之X射線繞射峰之積分強度I(420)的比I(420)/I(200)為0.005以上0.02以下。
    又，本發明之壓延銅箔於200℃退火0.5小時後之(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(311)面之X射線繞射峰之積分強度I(311)的比I(311)/I(200)為0.001以上0.01以下，且於200℃退火0.5小時後之(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(420)面之X射線繞射峰之積分強度I(420)的比I(420)/I(200)為0.005以上0.02以下。
    請求項1或3所記載之壓延銅箔較佳為對最終壓延前且再結晶退火後之X射線繞射峰之積分強度I(200)b與I(311)b之比I(311)b/I(200)b為0.01以上0.02以下的銅箔素材進行最終壓延而形成。
    於請求項4所記載之壓延銅箔中，較佳為於將最終壓延加工度設為η，且以η=Ln{(最終壓延前之厚度)/(最終壓延後之厚度)}表示時，η≧2.3。
    於請求項4或5所記載之壓延銅箔中，較佳為I(311)b/I(200)b/η為0.1以上0.7以下。
    於請求項2或3所記載之壓延銅箔中，較佳為對最終壓延前且再結晶退火後之X射線繞射峰之積分強度I(200)b與I(420)b之比I(420)b/I(200)b為0.02以上0.04以下的銅箔素材進行最終壓延而形成。
    於請求項7所記載之壓延銅箔中，較佳為於將最終壓延加工度設為η，且以η=Ln{(最終壓延前之厚度)/(最終壓延後之厚度)}表示時，η≧2.3。
    於請求項7或8所記載之壓延銅箔中，較佳為於將最終壓延加工度設為η，且以η=Ln{(最終壓延前之厚度)/(最終壓延後之厚度)}表示時，I(420)b/I(200)b/η為0.5以上1.2以下。
    請求項3所記載之壓延銅箔較佳為對下述銅箔素材進行最終壓延而形成：最終壓延前且再結晶退火後之X射線繞射峰之積分強度I(200)b與I(311)b之比I(311)b/I(200)b為0.01以上0.02以下，並且最終壓延前且再結晶退火後之X射線繞射峰之積分強度I(200)b與I(420)b之比I(420)b/I(200)b為0.02以上0.04以下。
    於請求項10所記載之壓延銅箔中，較佳為於將最終壓延加工度設為η，且以η=Ln{(最終壓延前之厚度)/(最終壓延後之厚度)}表示時，η≧2.3。
    於請求項10或11所記載之壓延銅箔中，較佳為於將最終壓延加工度設為η，且以η=Ln{(最終壓延前之厚度)/(最終壓延後之厚度)}表示時，I(311)b/I(200)b/η為0.1以上0.7以下，且I(420)b/I(200)b/η為0.5以上1.2以下。
    根據本發明，可穩定地獲得彎曲性優異之壓延銅箔。
    以下，對本發明之實施形態之壓延銅箔進行說明。
    <成分組成>
    銅箔之成分組成，可較佳地使用JIS-H3100(C1100)中規定之精銅(TPC)或JIS-H3100(C1020)無氧銅(OFC)。又，亦可含有10~500質量ppm之Sn，及/或含有10~500質量ppm之Ag作為添加元素，且將剩餘部分設為精銅或無氧銅。
    又，亦能夠以合計含有20~500質量ppm之由Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V構成之元素之一種以上作為添加元素，且將剩餘部分設為精銅或無氧銅。
    再者，FPC中所使用之壓延銅箔由於被要求具有彎曲性，故而壓延銅箔之厚度較佳為20μm以下。
    <第1態樣之壓延銅箔>
    本發明之第1態樣之壓延銅箔於200℃退火0.5小時後，(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(311)面之X射線繞射峰之積分強度I(311)的比I(311)/I(200)為0.001以上0.01以下。若於200℃對壓延銅箔進行0.5小時之退火則會產生再結晶組織，使立方體集合組織擴展而提昇壓延銅箔之彎曲性。另一方面，於再結晶後具有(420)方位及(311)方位之晶粒因於彎曲時應力施加方向與滑動方向接近而難以引起滑動變形，因此易使彎曲性降低。
    就上述情況而言，若與(200)方位相比(311)方位之比例較少則可使彎曲性提昇，因此將比I(311)/I(200)設為0.01以下。若比I(311)/I(200)超過0.01，則(311)方位之比例變多而使彎曲性降低。雖比I(311)/I(200)越低則彎曲性越高而越佳，但就實用上而言為0.001以上之值。
    又，第1態樣之壓延銅箔能夠以η=2.3以上之加工度對最終壓延前且再結晶退火後之比I(311)b/I(200)b為0.01以上0.02以下之銅箔素材進行最終壓延來製造。
    此處，認為對銅箔進行再結晶退火後之(420)方位及(311)方位會以存在於再結晶退火前之壓延組織中之具有(420)方位及(311)方位之晶粒作為起點而擴展。又，認為壓延組織中之(420)方位及(311)方位係源自壓延前之組織。即，於最終壓延前且再結晶退火後，藉由控制(420)方位及(311)方位之擴展程度，可控制對最終壓延後之箔進行再結晶退火後之(420)方位及(311)方位。
    就上述情況而言，若最終壓延前且再結晶退火後之比I(311)b/I(200)b超過0.02，則有於最終壓延後具有(311)方位之晶粒亦大量殘留，具有(311)方位之晶粒之比例增加，因而無法獲得充分之彎曲性之情形。另一方面，於比I(311)b/I(200)b未達0.01之情形時，有晶粒因退火而粗大化，因此無法藉由最終壓延施加充分之應變，對最終壓延後之箔進行再結晶退火後無法獲得充分之彎曲性之情形。
    於最終壓延加工度未達η=2.3之情形時，存在無法藉由最終壓延施加充分之應變，對最終壓延後之箔進行再結晶退火後無法獲得充分之彎曲性之情況。
    於第1態樣之壓延銅箔中，I(311)b/I(200)b/η較佳為0.1以上0.7以下。又，I(311)b/I(200)b/η較佳為0.1以上0.5以下。
    一般而言，於銅箔之製造步驟中由於最終壓延加工之加工度較高，故而存在即便控制最終壓延前之組織，其影響亦難以充分地保留至壓延後之傾向。因此，藉由對最終壓延前之組織與最終壓延之加工度一併進行管理，可獲得進而充分之彎曲性。
    若I(311)b/I(200)b/η超過0.5，則有於最終壓延後具有(311)方位之晶粒亦大量殘留，具有(311)方位之晶粒之比例增加，因而無法獲得充分之彎曲性之情形。雖比I(311)b/I(200)b/η越低則彎曲性越高而越佳，但就實用上而言為0.05以上之值。
    <第2態樣之壓延銅箔>
    本發明之第2態樣之壓延銅箔於200℃退火0.5小時後，(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(420)面之X射線繞射峰之積分強度I(420)的比I(420)/I(200)為0.005以上0.02以下。
    如上所述，於再結晶後具有(420)方位及(311)方位之晶粒因於彎曲時應力施加方向與滑動方向接近而難以引起滑動變形，因此易使彎曲性降低。即，若與(200)方位相比(420)方位之比例較少則可使彎曲性提昇，因此將比I(420)/I(200)設為0.02以下。若比I(420)/I(200)超過0.02，則(420)方位之比例變多而使彎曲性降低。然而，若比I(420)/I(200)未達0.005，則(200)方位之比例變得過多，雖可獲得充分之彎曲性，但會因銅箔過軟而使處理性降低。
    又，第2態樣之壓延銅箔能夠以較佳為η=2.3以上之加工度對最終壓延前且再結晶退火後之比I(420)b/I(200)b為0.02以上且0.04以下之銅箔素材進行最終壓延而製造。
    若最終壓延前且再結晶退火後之比I(420)b/I(200)b超過0.04，則有於最終壓延後具有(420)方位之晶粒亦大量殘留，具有(420)方位之晶粒之比例增加，因而無法獲得充分之彎曲性之情形。另一方面，於比I(420)b/I(200)b未達0.02之情形時，有晶粒因退火而粗大化，因此無法藉由最終壓延施加充分之應變，對最終壓延後之箔進行再結晶退火後無法獲得充分之彎曲性之情形。
    於第2態樣之壓延銅箔中，I(420)b/I(200)b/η較佳為0.5以上1.2以下。又，I(420)b/I(200)b/η更佳為0.5以上1.0以下。
    此處，作為再結晶組織之具有(420)方位之晶粒藉由壓延加工而旋轉，成為具有其他方位之晶粒。因此，於壓延加工度較高之情形時(420)面之比例會減少，I(420)會降低。另一方面，於加工度較低之情形時具有(420)方位之晶粒易殘留，I(420)易變高。
    自上述情況而言，若I(420)b/I(200)b/η超過1.0，則有於最終壓延後具有(420)方位之晶粒亦大量殘留，具有(420)方位之晶粒之比例增加，因而無法獲得充分之彎曲性之情形。又，若I(420)b/I(200)b/η未達0.5，則雖可獲得充分之彎曲性，但存在因銅箔過軟而使處理性降低之情形。
    <壓延銅箔之製造>
    第1及第2態樣之壓延銅箔均可於對錠塊進行熱壓延後，進行退火前壓延、再結晶退火、及最終壓延而製造。此處，再結晶方位之穩定度為(200)>(311)>(420)之順序，且存在再結晶退火時之升溫速度越高則不穩定之(420)方位及(311)方位越增加之傾向。因此，較佳為將再結晶退火時之升溫速度設為5~50℃/s，使速度比習知的慢。
    又，較佳為設為退火前壓延之η=1.6以上之加工度，並將再結晶退火後且最終壓延前之結晶粒徑設為10μm以上30μm以下。於使最終壓延前之結晶粒徑為10μm以下的退火條件之情形時，殘留未再結晶組織之可能性變高。又，於最終壓延前之結晶粒徑超過30μm之情形時，存在藉由最終壓延無法施加充分之應變，對最終壓延後之箔進行再結晶退火後無法獲得充分之彎曲性之情況。
    又，如上所述，能夠以η=2.3以上之加工度進行最終壓延。
    再者，結晶粒徑係藉由JIS H0501之切斷法而測定。
    實施例
    首先，製造表1中記載之組成之銅錠，並進行熱壓延直至厚度成為10mm為止。其後，重複進行退火與壓延，於壓延至特定之厚度之後使其通過750℃之連續退火爐進行再結晶退火。進而，以表1所示之加工度進行最終冷壓延，而獲得表1所示之厚度之銅箔。再者，將再結晶退火時之升溫速度示於表1中。
    <取向度>
    於將最終壓延所得之銅箔於200℃退火0.5小時使其再結晶之後，分別求出藉由壓延面之X射線繞射而求出之(200)面、(311)面、(420)面之強度之積分值(I)。
    又，分別求出最終壓延前且再結晶退火後之(200)面、(311)面、(420)面之X射線繞射峰之積分強度。該值係如I(200)b般以添加「b」表示。
    <彎曲性>
    於將最終壓延所得之銅箔試樣於200℃加熱30分鐘使其再結晶之後，藉由圖1所示之彎曲試驗裝置，進行彎曲疲勞壽命之測定。該裝置成為將振動傳遞構件3結合於振動驅動體4而成之構造，被試驗銅箔1以箭頭所示之螺釘2部分與3前端部共計4點固定於裝置。若振動部3上下地驅動，則銅箔1之中間部以特定之曲率半徑r彎曲成髮夾狀。在本試驗中，求出於以下之條件下重複進行彎曲時之直至斷裂為止之次數。
    再者，試驗條件如下所述，試驗片寬度：12.7mm，試驗片長度：200mm，試驗片選取方向：以試驗片之長度方向與壓延方向平行之方式選取，曲率半徑r：1.5mm，振動衝程：20mm，振動速度：1000次/分鐘。
    又，以如下之基準評價彎曲性。若評價為◎、○、或△，則彎曲性良好。
    ◎：彎曲次數為20萬次以上，彎曲性最佳
    ○：彎曲次數為10萬次以上未達20萬次，彎曲性良好
    △：彎曲次數為5萬次以上未達10萬次，彎曲性優異
    ×：彎曲次數未達5萬次，彎曲性較差
    將所得之結果示於表1、表2中。
    此處，表1中之組成欄之「TPC」表示JIS-H3100(C1100)中規定之精銅(TPC)，「OFC」表示JIS-H3100(C1020)中規定之無氧銅(OFC)。因此，例如表1中之組成欄之「190ppm Ag-TPC」係指於JIS-H3100(C1100)中規定之精銅(TPC)中添加有190質量ppm之Ag之組成。又，表1中之組成欄之「100ppm Sn-OFC」係指於JIS-H3100(C1020)中規定之無氧銅(OFC)中添加有100質量ppm之Sn之組成。

    由表1顯而易見，於I(311)/I(200)為0.001以上0.01以下、或I(420)/I(200)為0.005以上0.02以下之各實施例之情形時，彎曲性優異。尤其於I(311)/I(200)為0.001以上0.01以下，且I(420)/I(200)為0.005以上0.02以下之實施例1~12、15~21之情形時，與實施例13、14相比彎曲性更優異。
    另一方面，於I(311)/I(200)超過0.01且I(420)/I(200)超過0.02之比較例1~3之情形時，彎曲性較差。
    再者，由表2顯而易見，於各實施例之情形時，I(311)b/I(200)b為0.01以上0.02以下，或I(311)b/I(200)b/η為0.1以上0.7以下。又，於各實施例之情形時，I(420)b/I(200)b為0.02以上0.04以下，或I(420)b/I(200)b/η為0.5以上1.2以下。尤其於實施例1~12、15~21之情形時，I(311)/I(200)為0.001以上0.01以下，且I(420)/I(200)為0.005以上0.02以下，彎曲性尤其優異。
    另一方面，於比較例1~3之情形時，I(311)b/I(200)b超過0.02且I(311)b/I(200)b/η超過0.7。同樣地，於比較例1~3之情形時，I(420)b/I(200)b超過0.04，且I(420)b/I(200)b/η超過1.2。
    1‧‧‧被試驗銅箔
    2‧‧‧螺釘
    3‧‧‧振動傳遞構件(振動部)
    4‧‧‧振動驅動體
    圖1係表示藉由彎曲試驗裝置進行彎曲疲勞壽命之測定之方法的圖。
    1‧‧‧被試驗銅箔
    2‧‧‧螺釘
    3‧‧‧振動傳遞構件(振動部)
    4‧‧‧振動驅動體
    权利要求:
    Claims (12)
    [1] 一種壓延銅箔，其於200℃退火0.5小時後之(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(311)面之X射線繞射峰之積分強度I(311)的比I(311)/I(200)為0.001以上0.01以下。
    [2] 一種壓延銅箔，其於200℃退火0.5小時後之(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(420)面之X射線繞射峰之積分強度I(420)的比I(420)/I(200)為0.005以上0.02以下。
    [3] 一種壓延銅箔，其於200℃退火0.5小時後之(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(311)面之X射線繞射峰之積分強度I(311)的比I(311)/I(200)為0.001以上0.01以下，且於200℃退火0.5小時後之(200)面之X射線繞射峰之積分強度I(200)與(420)面之X射線繞射峰之積分強度I(420)的比I(420)/I(200)為0.005以上0.02以下。
    [4] 如申請專利範圍第1或3項之壓延銅箔，其係對最終壓延前且再結晶退火後之X射線繞射峰之積分強度I(200)b與I(311)b之比I(311)b/I(200)b為0.01以上0.02以下的銅箔素材進行最終壓延而形成。
    [5] 如申請專利範圍第4項之壓延銅箔，其中，於將最終壓延加工度設為η，且以η=Ln{(最終壓延前之厚度)/(最終壓延後之厚度)}表示時，η≧2.3。
    [6] 如申請專利範圍第4項之壓延銅箔，其中，I(311)b/I(200)b/η為0.1以上0.7以下。
    [7] 如申請專利範圍第2或3項之壓延銅箔，其係對最終壓延前且再結晶退火後之X射線繞射峰之積分強度I(200)b與I(420)b之比I(420)b/I(200)b為0.02以上0.04以下的銅箔素材進行最終壓延而形成。
    [8] 如申請專利範圍第7項之壓延銅箔，其中，於將最終壓延加工度設為η，且以η=Ln{(最終壓延前之厚度)/(最終壓延後之厚度)}表示時，η≧2.3。
    [9] 如申請專利範圍第7項之壓延銅箔，其中，於將最終壓延加工度設為η，且以η=Ln{(最終壓延前之厚度)/(最終壓延後之厚度)}表示時，I(420)b/I(200)b/η為0.5以上1.2以下。
    [10] 如申請專利範圍第3項之壓延銅箔，其係對下述銅箔素材進行最終壓延而形成：最終壓延前且再結晶退火後之X射線繞射峰之積分強度I(200)b與I(311)b之比I(311)b/I(200)b為0.01以上0.02以下，並且最終壓延前且再結晶退火後之X射線繞射峰之積分強度I(200)b與I(420)b之比I(420)b/I(200)b為0.02以上0.04以下。
    [11] 如申請專利範圍第10項之壓延銅箔，其中，於將最終壓延加工度設為η，且以η=Ln{(最終壓延前之厚度)/(最終壓延後之厚度)}表示時，η≧2.3。
    [12] 如申請專利範圍第10或11項之壓延銅箔，其中，於將最終壓延加工度設為η，且以η=Ln{(最終壓延前之厚度)/(最終壓延後之厚度)}表示時，I(311)b/I(200)b/η為0.1以上0.7以下，且I(420)b/I(200)b/η為0.5以上1.2以下。
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    同族专利:
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011181228||2011-08-23||
    JP2011201838A|JP5752536B2|2011-08-23|2011-09-15|圧延銅箔|
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