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    • 专利摘要:
    本發明是一種研磨頭的高度方向位置的調整方法，具有旋轉步驟、設定步驟及調整步驟，其中旋轉步驟中將未保持住工件的研磨頭定位在未與研磨布接觸的高度方向位置上，然後使研磨頭與平台的至少一方旋轉，設定步驟中一邊利用高度調整機構使研磨頭接近研磨布直到互相接觸為止，一邊利用轉矩測量機構測量旋轉中的研磨頭與平台的至少一方的負載轉矩電流，然後將該測量到的負載轉矩電流的變化量超過規定臨限值時的研磨頭的高度方向位置設定成基準位置，調整步驟中基於與所設定的基準位置間的距離，來將研磨頭的高度方向位置調整至規定位置。藉此，提供了一種研磨頭的高度方向位置的調整方法，可安定而高精準度地調整研磨頭的高度方向位置，並且所述方法可改善要研磨的工件的平坦度，抑制工件間的平坦度的偏差。
    公开号:TW201309420A
    申请号:TW101115475
    申请日:2012-05-01
    公开日:2013-03-01
    发明作者:Takashi Aratani
    申请人:Shinetsu Handotai Kk；
    IPC主号:B24B37-00
    专利说明:
    研磨頭的高度方向位置的調整方法及工件的研磨方法
    本發明關於一種研磨頭的高度方向位置的調整方法及工件的研磨方法，這些方法是用來在研磨工件表面時所使用的研磨裝置中保持住工件。
    隨著近年來的半導體元件的高集積化，對於這些半導體元件所使用的半導體矽晶圓的平坦度的要求也越來越嚴格。又，為了提高半導體晶片的產率，會對到晶圓邊緣附近區域為止的平坦性有所要求。
    矽晶圓的最終形狀是由最終步驟即鏡面研磨加工來決定。特別是例如針對直徑300mm等的大直徑矽晶圓，為了滿足嚴格的平坦度規格，會先以雙面研磨進行一次研磨，然後為了改善表面的傷痕或粗糙狀況而對單面進行表面二次研磨及精加工研磨。在單面的表面二次研磨及精加工研磨中，會要求要維持住雙面一次研磨所作出的平坦度，並進行精加工而作出表面側上沒有傷痕等缺陷的完全鏡面。
    第5圖中表示一般的單面研磨裝置的概略圖。此單面研磨裝置101，是由貼有研磨布107的平台106、研磨劑供給機構(未圖示)及研磨頭120等來構成。在此單面研磨裝置101中，利用研磨頭120來保持工件W，自研磨劑供給機構供給研磨劑至研磨布107上，並分別使平台106與研磨頭120旋轉來讓工件W的表面與研磨布107作滑動接觸，藉此來進行研磨。
    作為將工件保持在研磨頭上的方法，有經由蠟等黏著劑來將工件貼附於平坦的圓盤狀平板上的方法等。其他，還有以抑制研磨頭本體及工件保持盤的凹凸形狀互相轉印為目的，而在工件保持盤上貼上被稱為背面薄膜(backing film)的彈性膜來進行保持的方法，或是將工件保持部作成橡膠膜，然後讓空氣等的加壓流體流進該橡膠膜的背面，而以均等的壓力來使橡膠膜膨脹，來將工件向研磨布推壓，即所謂橡膠夾持方式(例如參照專利文獻1)。又，也提案有一種配置了扣環的研磨頭，上述扣環是作為用來將研磨布向工件外側推壓的手段，此方式的目的在於抑制外周部分塌邊而改善平坦性。
    第5圖示意性地表示一般的橡膠夾持方式的研磨頭的構成的一例。第5圖所示的研磨頭120，是以覆蓋圓盤狀中板125的至少底面部與側面部的方式來黏貼橡膠膜(橡膠材料)122，並供給流體至橡膠膜的背面來推壓工件W的構造，即所謂橡膠夾持構造。
    環狀的導引環123被連結在研磨頭本體121上，而上述導引環123是在研磨加工中用來保持工件W的側面。又，研磨頭本體121與高度調整機構124連結，而成為可使導引環123的高度方向位置上下變化的構造。如此，連結於研磨頭本體121上的導引環123與研磨布之間的空隙維持固定，而安定地保持住工件來進行研磨。
    如上述，此研磨頭的工件的加壓方式，是將研磨頭相對於研磨布的高度以兩者的間隔成為固定的方式來加以固定，然後使研磨頭的橡膠膜膨脹而進行加壓的方式。使用以這種研磨頭所代表的研磨頭的情況(此情況是使研磨頭與研磨布之間的間隔維持固定來進行研磨)下，需要將研磨頭相對於研磨布的高度方向位置每次均調整到相同位置。
    在此高度位置未得到適當調整的情況下，會造成要研磨的工件的平坦度惡化，而在每次研磨的位置不均等的情況下，會在要研磨的工件間造成加工餘量形狀不均等，而發生平坦度的偏差。情況嚴重時，會因間隔太窄而發生研磨布與導引環的接觸，造成研磨布損傷。又，若間隔太寬，則會有晶圓從研磨布與導引環的空隙間飛出的危險性。
    現狀下，調整研磨頭的高度的方法，是如第5圖所示，使用一種設置在研磨頭120的安裝面附近的雷射位移計130來測量與研磨布107之間的距離，然後將所測量到的距離作為基準，以研磨頭與研磨布間達到希望的距離的方式來調整研磨頭的高度。 [先前技術文獻] (專利文獻)
    專利文獻1：日本特開2009-107094號公報。
    一般而言，因為研磨劑等的關係，研磨布的表面是溼潤的，而即使在不溼潤的情況下也會含有水分，因此先前技術中使用雷射位移計來測量距離的方法中，該測量值在不同時間下會有大幅偏差。因此，難以在每次研磨時安定地將研磨頭的高度方向位置調整至希望的位置，而會產生工件的平坦度惡化、工件間的平坦度發生偏差這樣的問題。
    本發明是為了解決如上述的問題而進行開發，其目的在於提供一種研磨頭的高度方向位置的調整方法，可安定且高精準度地調整研磨頭的高度方向位置。又，本發明的目的在於提供一種工件的研磨方法，可藉由高精準度地調整研磨頭的高度方向位置，而改善要研磨的工件的平坦度，並抑制工件間的平坦度的偏差。
    為了達成上述目的，若根據本發明，則可提供一種研磨頭的高度方向位置的調整方法，是調整在研磨裝置中的上述研磨頭的高度方向位置的方法，所述研磨裝置具備研磨布、研磨劑供給機構、研磨頭、轉矩測量機構及高度調整機構，其中上述研磨布貼附於平台上，上述研磨劑供給機構是用來向該研磨布供給研磨劑，上述研磨頭一邊利用環狀的導引環來保持工件的側面一邊保持上述工件的背面，上述轉矩測量機構測量該研磨頭與上述平台中至少一方的負載轉矩電流，上述高度調整機構使上述研磨頭於高度方向上下移動來調整上述導引環與上述研磨布之間的距離；上述研磨裝置將上述研磨頭所保持的上述工件向上述研磨布推壓來進行研磨，其中上述研磨頭已利用上述高度調整機構而調整至規定位置；所述研磨頭的高度方向位置的調整方法的特徵在於具有以下步驟：旋轉步驟，此步驟將未保持住上述工件的上述研磨頭，定位在未與上述研磨布接觸的高度方向位置上，然後使上述研磨頭與上述平台的至少一方旋轉；設定步驟，此步驟一邊藉由上述高度調整機構來使上述研磨頭接近上述研磨布直到互相接觸為止，一邊藉由上述轉矩測量機構來測量旋轉中的上述研磨頭與上述平台的至少一方的負載轉矩電流，然後將該測量到的負載轉矩電流的變化量超過規定臨限值時的上述研磨頭的高度方向位置設定成基準位置；以及調整步驟，此步驟基於自上述所設定的基準位置算起的距離，來將上述研磨頭的高度方向位置調整至規定位置。
    若是這種調整方法，則可正確地測量研磨頭與研磨布接觸的位置並設成基準位置，並可基於自測量到的正確基準位置算起的距離，而安定且高精準度地調整研磨頭的高度方向位置。
    此時，可隔著已知且具有均等厚度的薄片狀構件，來進行上述設定基準位置的步驟中的上述研磨頭與上述研磨布的接觸。
    若如此進行，則可確實地抑制因研磨布與研磨頭接觸而發生的研磨布損傷。
    又，在此時，作為上述研磨頭，可使用橡膠夾持方式的研磨頭，這種研磨頭具有圓盤狀的中板與橡膠膜，上述中板位於研磨頭本體下部，而上述橡膠膜被保持在該中板上且至少覆蓋上述中板的底面部與側面部；上述橡膠夾持方式的研磨頭是將上述工件的背面保持於該橡膠膜的底面部。
    本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法，可良好地適用於具有橡膠夾持方式的研磨頭的研磨裝置，而上述研磨裝置是以研磨布與研磨頭間的間隔維持一定的方式來固定研磨頭相對於研磨布的高度，來將工件研磨成高平坦性。
    又，若根據本發明，則可提供一種工件的研磨方法，利用研磨頭來保持工件，且一邊供給研磨劑至貼附於平台上的研磨布上，一邊將上述工件向上述研磨布推壓來進行研磨，所述工件的研磨方法的特徵在於：藉由本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法來調整上述研磨頭的高度方向位置後，進行上述工件的研磨。
    若是這種研磨方法，則可藉由本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法，高精準度地調整研磨頭的高度方向位置後，進行工件的研磨，而可改善工件的平坦度，又，可抑制工件間的平坦度的偏差。
    本發明中，於調整研磨裝置中的研磨頭的高度方向位置時，一邊藉由高度調整機構來使研磨布接近上述研磨布直到互相接觸為止，一邊利用轉矩測量機構來測量研磨頭與平台的至少一方的負載轉矩電流，然後將該測量到的負載轉矩電流的變化量超過規定的臨限值時的上述研磨頭的高度方向位置，設定成基準位置，並基於自所設定的基準位置算起的距離，來將研磨頭的高度方向位置調整至規定位置，因此可正確地測量研磨頭與研磨布接觸的位置並設成基準位置，並可基於自測量到的正確基準位置算起的距離，而安定且高精準度地調整研磨頭的高度方向位置。利用如此安定且高精準度地調整研磨頭的高度方向位置後再研磨工件，可改善工件的平坦度，並可抑制工件間的平坦度的偏差。
    以下，說明關於本發明的實施形態，但本發明並非限定於這些實施形態。
    如上述，針對工件的研磨，使用一種將研磨頭與研磨布之間維持固定的狀態下來進行的方式的研磨頭時，必需要正確地調整研磨頭相對於研磨布的高度位置，並進而在每次研磨時都要調整到相等的高度位置。
    但是，先前技術的調整方法中，是將使用雷射位移計所測量到的研磨頭與研磨布之間的距離作為基準，以研磨頭與研磨布之間成為希望的距離的方式來調整研磨頭的高度，這種方法有著下列的問題：研磨布上的水分或研磨布的膨潤等的影響，會形成當使用雷射位移計所作的距離測量時的雜訊，而發生偏差。
    因此，本發明人為了解決此種問題而經過多次深入檢討。結果想到，藉由觀察研磨頭或平台的負載轉矩電流，具體而言是藉由特定(找出)負載轉矩電流快速變化的研磨頭的位置，可正確地測量到研磨頭與研磨布接觸的位置，且可將正確地測量到的接觸位置設定為基準位置，來安定且高精準度地調整研磨頭的高度方向位置，於是完成了本發明。
    以下，一邊參照隨附圖式，一邊具體地說明本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法及工件的研磨方法，但本發明並非限定於這些方法。
    第1圖是說明本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法及工件的研磨方法的概略圖。
    第1圖所示的研磨裝置1中，主要具有：研磨頭2、平台6、貼附於平台6上的研磨布7、用來供給研磨劑至研磨布7上的研磨劑供給機構5、以及分別測量研磨頭2與平台6的負載轉矩電流的轉矩測量機構8a、8b。
    在研磨頭2上，以沿著外周部向研磨布側突出的方式設有環狀的導引環3，且藉由導引環3可一邊保持住工件W的側面，一邊又保持住工件W的背面。
    又，在研磨裝置1中，具有高度調整機構4，此高度調整機構4使研磨頭2於高度方向上下移動，來調整導引環3與研磨布7之間的距離。
    此時，作為保持工件W的研磨頭2，例如可使用後述之橡膠夾持方式的研磨頭。或者，亦可使用噴出流體來對工件W加壓這種的研磨頭，這種研磨頭隔著背部襯墊來保持工件W的背面，並經由設在研磨頭上的開口自工件W的背面側朝向研磨布側噴出流體，藉此對工件W加壓。
    第2圖是表示橡膠夾持方式的研磨頭的一例的概略圖。
    此研磨頭20，主要具有研磨頭本體21、橡膠膜22、環狀的導引環23、高度調整機構24、以及圓盤狀的中板25。橡膠膜22是以至少覆蓋中板25的底面部與側面部的方式來被中板25所夾持。工件W的背面被保持在此橡膠膜22的底面部。
    中板25被固定在凸緣構造的研磨頭本體21上。用來在研磨加工中保持工件W側面的導引環23，被沿著工件W的外周來配置，且該導引環23被連接至研磨頭本體21。第2圖中形成下述的構造：利用壓力調整機構27將流體供給至由橡膠膜22所封閉的密閉空間部26內，藉此使該橡膠膜22膨脹，而讓負載施加在所保持住的工件W的背面上。
    在利用這種研磨裝置1來研磨工件W時，如第1圖所示，首先利用研磨頭2保持工件W。然後，利用高度調整機構4將研磨頭2調整至規定位置，亦即調整研磨頭2的高度方向位置以使研磨布7與導引環3間隔規定的距離。然後，在將研磨頭2固定在調整後的位置的狀態下，將所保持住的工件W向研磨布7推壓來進行研磨。
    本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法，是在這種研磨裝置中調整研磨頭的高度方向位置的方法。
    以下，參照第1圖來詳細說明本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法。
    首先，在未保持工件W的狀態下，將研磨頭2定位在未與研磨布7接觸的高度方向位置上。然後，使研磨頭2與平台6的至少一方旋轉。此處，若使該研磨頭2與平台6旋轉的構件對應於測量後述的負載轉矩電流的一側，則可旋轉研磨頭2與平台6兩方，亦可旋轉其中一方。
    繼而，在使研磨頭2與平台6的至少一方旋轉的狀態下，藉由高度調整機構4使研磨頭2接近研磨布7直到接觸到為止。亦即，將研磨頭2進給至下方，使研磨頭2的最下端部位也就是導引環3接觸研磨布7。此時，較佳是將進給速度調整到讓研磨布7不會因為與導引環3接觸而受到損傷。
    或者，亦可隔著已知並且具有均等厚度的薄片狀構件來進行研磨頭2與研磨布7的接觸。若如此作，則可確實地抑制因研磨布與研磨頭接觸而發生的對研磨布的損傷，並且因為薄片是已知且具有均等厚度，也不會對研磨頭的高度方向位置的調整造成不良影響。
    又，在研磨頭2靠近研磨布7的過程中，分別藉由轉矩測量機構8a、8b來測量旋轉中的研磨頭2與平台6的至少一方的負載轉矩電流。並且，將此測量到的負載轉矩電流的變化量超過規定臨限值時(亦即可判斷成研磨頭2與研磨布7接觸時)的研磨頭2的高度方向位置，設定成基準位置。此處，用來判定負載轉矩電流的變化量是否超過規定臨限值的條件，可以是研磨頭與平台的其中一方，又或者可以是兩方均超過臨限值時。
    藉由如上述方式來設定基準位置也就是研磨頭與研磨布接觸的位置，在每次測量中不會產生偏差而能正確地設定基準位置。
    基於自如此地正確設定的基準位置算起的距離，來將研磨頭2的高度方向位置調整至規定位置。若是這種本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法，則可基於自無偏差下所測量到的正確基準位置算起的距離，來比先前技術更安定且高精準度地調整研磨頭的高度方向位置。
    繼而，一邊參照第1圖一邊說明本發明的工件的研磨方法。
    首先，依照上述的本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法，進行到基準位置的設定為止。在此基準位置的設定後，利用研磨頭2來保持要研磨的工件W。然後，基於自所設定的基準位置算起的距離，將研磨頭2的高度方向位置調整至規定位置。
    此處，可將研磨頭2的高度方向的規定位置，設成例如使導引環與研磨布間的距離達到工件厚度的25%~45%的位置。藉由如此設定，可防止當導引環與研磨布間的距離太短時所產生的因研磨劑的供給不足而發生的研磨速度降低的情況；又，可防止當距離太長時，在研磨加工中無法保持住工件的情況。
    然後，使研磨頭及平台在規定的研磨條件下旋轉，一邊向貼附於平台上的研磨布供給研磨劑，一邊將工件W向研磨布推壓來進行研磨。此研磨條件並未特別加以限定，可使用一般會採用的任何條件。
    此時，作為研磨頭，可使用如上述第2圖所示的橡膠夾持方式的研磨頭。將可安定且高精準度地調整研磨頭的高度方向位置的本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法，應用至可將研磨頭固定在希望的高度方向位置上並安定地保持工件，而對工件全體施加均等的研磨負載來研磨工件的橡膠夾持方式的研磨頭，可安定地研磨成平坦度更加改善的工件。 [實施例]
    以下，表示本發明的實施例及比較例來更具體地說明本發明，但本發明並非限定於這些例子。 (實施例)
    依照本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法及工件的研磨方法來研磨工件，並評價工件的平坦度。
    實施例中使用如第1圖所示的研磨裝置研磨了100片直徑300mm的矽晶圓，且上述研磨裝置具有如第2圖所示的橡膠夾持方式的研磨頭來作為研磨頭，然後分別評價平坦度的最大值、最小值、平均值以及偏差。又，平坦度是使用KLA公司的Wafersight來對除去外周部2mm的以外的區域中的GBIR(Global Backside Ideal Range，總體背面理想範圍)進行評價
    首先，依照本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法來調整研磨頭的高度方向位置，以使研磨頭的導引環與研磨布的表面間的距離成為190μm。
    此時，僅使平台旋轉並測量平台的負載轉矩電流。第3圖是表示此測量出來的負載轉矩電流的變化量與將所設定的基準位置作為0時的研磨頭的高度方向位置的圖。如第3圖所示，將負載轉矩電流的變化量迅速變化而超過臨限值2(任意單位)時的研磨頭的高度方向位置作為基準位置。
    繼而，將研磨頭的高度方向位置調整到位於上述基準位置之上190μm後，進行矽晶圓的研磨。此處的研磨條件如以下所示。作為研磨劑使用含有膠態矽的鹼性溶液，研磨布使用浸過胺基甲酸脂(urethane)且具有溝狀構造的不織布。研磨頭與平台分別以30rpm的速度旋轉，研磨負載設為25kPa，研磨時間設為100秒。
    對100片矽晶圓反覆進行上述的研磨頭的高度方向位置的調整與矽晶圓的研磨，並評價矽晶圓的平坦度。
    結果如表1所示，GBIR的最大值是120nm，最小值是88nm，平均值是103nm，而後述的比較例的最大值是164nm，最小值是91nm，平均值120nm，可知實施例比起比較例有所改善。又，實施例中最大值與最小值的差是32nm，相較之下後述的比較例則是73nm，可知偏差也有所改善。這被認為是因為在每次研磨中調整研磨頭的高度方向位置時，可安定且高精準度地調整至規定位置的緣故。
    如此，根據本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法及工件的研磨方法，可確認到以下的結果：可安定且高精準度地調整研磨頭的高度方向位置，改善要研磨的工件的平坦度，並抑制工件間的平坦度的偏差。 (比較例)
    利用如第5圖所示的先前技術的研磨裝置，使用雷射位移計來調整研磨頭的高度方向位置後，在與實施例相同的研磨條件下研磨矽晶圓，並將此過程對100片矽晶圓反覆進行，然後與實施例同樣地進行評價。
    第4圖表示使用雷射位移計來測量研磨頭與研磨布間的距離的結果。第4圖表示每次研磨時所測量的研磨頭與研磨布間的距離隨時間變化的樣子。如第4圖所示，可知距離隨著時間的經過而會大幅變化。
    又，將平坦度的測量結果表示於表1。如表1所示，GBIR的最大值是164nm，最小值是91nm，平均值是120nm，比起實施例有所惡化。這被認為是因為雷射位移計所導致的研磨頭與研磨布間的距離的測量誤差使得無法高精準度地將研磨頭調整至適當的位置的緣故。又，最大值與最小值的差是73nm，比起實施例亦有所惡化。這被認為是因為在每次研磨時於研磨頭的位置調整中發生偏差的緣故。
    此外，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示性質，任何具有與本發明的申請專利範圍所記載的技術性思想實質上相同的構成，且發揮同樣作用效果的技術，均包含在本發明的技術範圍中。
    1‧‧‧研磨裝置
    2‧‧‧研磨頭
    3‧‧‧導引環
    4‧‧‧高度調整機構
    5‧‧‧研磨劑供給機構
    6‧‧‧平台
    7‧‧‧研磨布
    8a‧‧‧轉矩測量機構
    8b‧‧‧轉矩測量機構
    20‧‧‧研磨頭
    21‧‧‧研磨頭本體
    22‧‧‧橡膠膜
    23‧‧‧導引環
    24‧‧‧高度調整機構
    25‧‧‧中板
    26‧‧‧密閉空間部
    27‧‧‧壓力調整機構
    101‧‧‧單面研磨裝置
    106‧‧‧平台
    107‧‧‧研磨布
    120‧‧‧研磨頭
    121‧‧‧研磨頭本體
    122‧‧‧橡膠膜
    123‧‧‧導引環
    124‧‧‧高度調整機構
    125‧‧‧中板
    130‧‧‧雷射位移計
    W‧‧‧工件
    第1圖是說明本發明的研磨頭的高度方向位置的調整方法及工件的研磨方法的概略圖。
    第2圖是表示橡膠夾持方式的研磨頭的一例的概略圖。
    第3圖是表示實施例中所測量到的負載轉矩電流的變化量的圖。
    第4圖是表示對比較例中的研磨頭與研磨布間的距離進行測量的結果的圖。
    第5圖是說明先前的研磨頭的高度方向位置的調整方法的概略圖。
    1‧‧‧研磨裝置
    2‧‧‧研磨頭
    3‧‧‧導引環
    4‧‧‧高度調整機構
    5‧‧‧研磨劑供給機構
    6‧‧‧平台
    7‧‧‧研磨布
    8a‧‧‧轉矩測量機構
    8b‧‧‧轉矩測量機構
    W‧‧‧工件
    权利要求:
    Claims (5)
    [1] 一種研磨頭的高度方向位置的調整方法，是調整在研磨裝置中的上述研磨頭的高度方向位置的方法，所述研磨裝置具備研磨布、研磨劑供給機構、研磨頭、轉矩測量機構及高度調整機構，其中上述研磨布貼附於平台上，上述研磨劑供給機構是用來向該研磨布供給研磨劑，上述研磨頭一邊利用環狀的導引環來保持工件的側面一邊保持上述工件的背面，上述轉矩測量機構測量該研磨頭與上述平台中至少一方的負載轉矩電流，上述高度調整機構使上述研磨頭於高度方向上下移動來調整上述導引環與上述研磨布之間的距離；上述研磨裝置將上述研磨頭所保持的上述工件向上述研磨布推壓來進行研磨，其中上述研磨頭已利用上述高度調整機構而調整至規定位置；所述研磨頭的高度方向位置的調整方法的特徵在於具有以下步驟：旋轉步驟，此步驟將未保持住上述工件的上述研磨頭，定位在未與上述研磨布接觸的高度方向位置上，然後使上述研磨頭與上述平台之中的至少一方旋轉；設定步驟，此步驟一邊藉由上述高度調整機構來使上述研磨頭接近上述研磨布直到互相接觸為止，一邊藉由上述轉矩測量機構來測量旋轉中的上述研磨頭與上述平台之中的至少一方的負載轉矩電流，然後將該測量到的負載轉矩電流的變化量超過規定臨限值時的上述研磨頭的高度方向位置設定成基準位置；以及調整步驟，此步驟基於自上述所設定的基準位置算起的距離，來將上述研磨頭的高度方向位置調整至規定位置。
    [2] 如請求項1所述的研磨頭的高度方向位置的調整方法，其中，隔著已知且具有均等厚度的薄片狀構件，來進行上述設定基準位置的步驟中的上述研磨頭與上述研磨布的接觸。
    [3] 如請求項1所述的研磨頭的高度方向位置的調整方法，其中，作為上述研磨頭，使用橡膠夾持方式的研磨頭，上述研磨頭具有圓盤狀的中板與橡膠膜，上述中板位於研磨頭本體下部，而上述橡膠膜被保持在該中板上且至少覆蓋上述中板的底面部與側面部；上述研磨頭將上述工件的背面保持於該橡膠膜的底面部。
    [4] 如請求項2所述的研磨頭的高度方向位置的調整方法，其中，作為上述研磨頭，使用橡膠夾持方式的研磨頭，上述研磨頭具有圓盤狀的中板與橡膠膜，上述中板位於研磨頭本體下部，而上述橡膠膜被保持在該中板上且至少覆蓋上述中板的底面部與側面部；上述研磨頭將上述工件的背面保持於該橡膠膜的底面部。
    [5] 一種工件的研磨方法，利用研磨頭來保持工件，且一邊供給研磨劑至貼附於平台上的研磨布上，一邊將上述工件向上述研磨布推壓來進行研磨，所述工件的研磨方法的特徵在於：藉由請求項1至請求項4中任一項所述的研磨頭的高度方向位置的調整方法來調整上述研磨頭的高度方向位置後，進行上述工件的研磨。
    类似技术:
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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