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    • 专利摘要:
    本發明係關於一種製造可撓性OLED發光裝置之方法，其包含將複數個OLED元件形成於可撓性平面基板上，其中OLED元件中之至少一者包含於該基板上形成之一連續各自陽極層，於該陽極層上形成之一或多種有機發光材料、於該等發光材料上形成之一陰極層及於該陰極層上形成之一囊封保護覆蓋層。OLED元件中之至少一者界定位於該基板上之連續光區，其中該基板及OLED元件組合界定活性光區。該活性光區可自平坦平面組態彎曲成具有設計彎曲半徑之彎曲組態。陰極層之厚度係介於最小厚度值與最大厚度值之間，而該厚度值係活性光區之尺寸與設計彎曲半徑之函數。亦提供根據此等態樣之OLED。
    公开号:TW201308714A
    申请号:TW101123618
    申请日:2012-06-29
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Deeder Mohammad Aurongzeb；Christian Maria Anton Heller
    申请人:Gen Electric；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    用於可撓性有機發光二極體(OLED)裝置之陰極結構之方法及裝置
    本發明大體上係關於有機發光二極體(OLED)裝置，及更特定言之，在可撓性OLED裝置中之陰極結構。
    有機電致發光裝置，如有機發光二極體(OLED)，已廣泛用於顯示應用，及此等裝置在常規發光應用中之用途越來越被接受。OLED裝置包含一或多個有機發光層，其等佈置於在基板上形成之兩電極(例如，陰極及陽極)之間。囊封覆蓋層係佈置於陰極上。OLED裝置可「頂發光」，其中所產生之光經覆蓋層射出，或「底發光」，其中所產生之光係經基板射出。有機發光層在對陽極及陰極施加電壓時發光，其中電子自陰極直接射入有機層，及電洞自陽極直接射入有機層。電子及電洞穿過有機層直至在發光中心重組。此重組過程導致光子發射，即，發光。
    大面積OLED裝置一般將許多個別OLED元件組合在單一基板上。大面積OLED裝置在發光燈具中作為光源的用途在發光工業越來越被接受。一般具有Al/Ag陰極結構及小於200 nm之厚度之OLED裝置係高效高亮度光源，但存在特定固有缺點。該等裝置產生可在大面積裝置中耗散之大量內熱，且在高溫環境中運作。長時間曝露於高溫可導致裝置之局部劣化(例如，發光層分層)，進而常導致色移及/或發光區域中之高度可見黑斑。高溫亦導致裝置亮度之整體下降，因此限制裝置之有效壽命。
    改良熱管理及冷卻OLED裝置之一方法描述於美國專利公開申請案No.2005/0285518中，該案推薦「厚」陰極組態。陰極在發光元件上及之間具有超過500 nm之連續厚度，且較佳大於10微米。'518公開案亦推薦將導熱層添加至陰極覆蓋層，此導熱層較佳具有至少100微米之厚度。'518公開案之前提係小於500 nm厚度之陰極不提供充足導熱性，及需要「厚」陰極及導熱覆蓋層。
    可撓性OLED裝置係藉由可撓性金屬箔基板、塑膠膜及類似物形成，及提供特定優點。此等裝置輕質、耐用及抗衝擊。其等在發光應用及行動電話、PDA、便攜式電腦及諸如此類之顯示器中之用途獲得越來越廣泛接受。然而，可撓性OLED裝置經受上述相同高溫問題，以及因彎曲或扭曲OLED裝置而導致發光材料應力增大。上述'518公開案所推薦之解決方案不適於可撓性OLED裝置，係因厚度增大之陰極及保護覆蓋層組態只會增加彎曲應力及可能導致底層破裂及分層。
    因此，工業中需求一種尤其適合在高溫環境中運作之可撓性OLED裝置之改良型陰極結構及陰極保護層。
    本發明之態樣及優點將部分地描述於以下說明中，或可自該說明瞭解，或可藉由實施本發明領會。
    例如，本發明之實施例提供一種OLED發光裝置，其可撓或可彎曲，且可在高溫(例如，高於約40℃)下運作。由於此等OLED裝置之實施例可撓，故可將其等安裝至任何方式之彎曲支撐表面(如極、彎曲壁或平台)、彎曲框構件、任何類型之非平坦器具及諸如此類。因此，此等可撓性OLED發光裝置較剛性OLED發光裝置明顯更通用。根據本發明實施例之可撓性OLED裝置具有獨有的特性組合，其提供裝置熱管理而不抑制或限制裝置之可撓性。OLED發光裝置之特性係針對裝置之預期彎曲組態及活性光區進行定製以提供充足熱管理且不存在不必要限制或抑制可撓性。
    根據本發明之態樣，製造可撓性OLED發光裝置之方法包含於一可撓性平面基板上形成複數個OLED元件。OLED元件包含於基板上形成之連續各自陽極層。於該陽極層上形成一或多種有機發光材料。於該等發光材料上形成陰極層，及於該陰極層上形成囊封保護覆蓋層。OLED元件中之至少一者界定位於基板上之連續光區域，及於特定實施例中，該基板及OLED元件具有50 cm2或更大之活性光區。裝置係以如下方式形成：活性光區可自平坦平面組態彎曲成具有指定設計彎曲半徑之三維彎曲組態。該方法進一步包含形成厚度與活性光區之尺寸及設計彎曲半徑成函數關係之陰極層。因此，該陰極層厚度基本上係在與活性區尺寸相關之熱管理問題與影響裝置之彎曲潛力(但不導致裝置分層或其他損壞)之剛度之間進行折中。
    於特定實施例中，就指定之活性光區尺寸而言，陰極層厚度限定在最小厚度值(實現最大彎曲組態)與作為不斷增大之設計彎曲半徑之函數之最大值之間。例如，最大厚度值可小於500 nm，而在最大彎曲組態下(例如，在設計彎曲半徑為3 cm下)，最小厚度值為至少100 nm。
    設計彎曲半徑可係各種因素(包括活性光區之尺寸)之函數。於特定組態中，設計彎曲半徑在OLED之最大彎曲組態下係3 cm。
    於指定設計彎曲半徑為3 cm或更大之各種不同方法實施例中，陰極層厚度係限定在最小厚度值與作為不斷增大之活性光區尺寸之函數之最大厚度值之間。例如，第一活性光區在3 cm之設計彎曲半徑下之最小厚度值可為至少100 nm，及對於第二較大活性光區在相同之3 cm彎曲半徑下，其可能更大。
    本發明亦涵蓋根據上述方法製造之任何形式之可撓性OLED發光裝置。一示例性OLED裝置可包含一可撓性平面基板，及於該基板上形成之複數個OLED元件，該基板及OLED元件具有活性光區，在特定實施例中，該活性光區可為50 cm2或更大。活性光區具有彎曲組態，其中設計彎曲半徑為3 cm或更大。陰極層具有100 nm至小於500 nm之厚度，測定為活性光區之尺寸及設計彎曲半徑之函數。
    於特定實施例中，可撓性OLED裝置可具有50 cm2至100 cm2之活性光區及3 cm至5 cm之設計彎曲半徑。陰極層厚度可介於3 cm設計彎曲半徑下之100 nm與5 cm設計彎曲半徑下之500 nm之間。
    於另一實施例中，活性光區係介於100 cm2與200 cm2之間，及設計彎曲半徑係介於3 cm與6 cm之間。陰極層厚度可介於3 cm設計彎曲半徑下之200 nm與6 cm設計彎曲半徑下之500 nm之間。
    於另一實施例中，活性光區係介於200 cm2與500 cm2之間，及設計彎曲半徑係介於4 cm與8 cm之間。陰極層厚度可介於4 cm設計彎曲半徑下之300 nm與6 cm設計彎曲半徑下之500 nm之間。
    於又一實施例中，活性光區可介於500 cm2與1000 cm2之間，及設計彎曲半徑係介於5 cm與10 cm之間。陰極層厚度可介於5 cm彎曲半徑下之400 nm與10 cm彎曲半徑下之500 nm之間。
    於特定實施例中，保護覆蓋層之厚度可小於1微米以用於小面積裝置(一般小於200 cm2)，小於10微米以用於大面積裝置。覆蓋層係由金屬、聚合物、多層或複合材料及類似物形成。
    於獨有實施例中，陰極層可藉由兩個導電金屬層形成，其中在設計彎曲組態下呈壓縮放置之金屬層具有較呈拉伸放置之金屬層更大之剛性模量(GPa)。於特定實施例中，金屬層中之至少一者係鋁或/及鋁合金。
    本發明之此等及其他特徵、態樣及優點將參照以下論述及附接專利申請範圍獲得更佳理解。併入並構成本說明書一部分之附圖說明本發明之實施例及與敘述一起用於詮釋本發明之原理。
    提供與本技藝一般技術者之本發明之完整及有效公開內容(包括其最佳模式)係描述於本說明書中，並參照附圖。
    現詳細參考本發明之實施例，其一或多個實例已在圖中說明。各實例係以詮釋本發明之方式提供，而非限制本發明。實際上，熟習本項技術者將瞭解，可在不脫離本發明之範圍或精神下對本發明實施許多修改及變化。例如，作為一實施例之一部分說明或描述之特徵可用於另一實施例以產生又一實施例。因此，預期本發明涵蓋此等修改及變化，並視為附接專利申請範圍及其等等效內容之範圍內。
    應理解，本發明所提及之範圍及界限包括位於前述界限內之所有範圍(即，子範圍)。例如，範圍100至200亦包括範圍110至150、170至190、153至162、及145.3至149.6。此外，高達7之界限包括高達5、高達3及高達4.5之界限，及在該界限內之範圍，如約1至5，及3.2至6.5。
    術語「有機」在本文中係指由碳原子組成之一類化學化合物。例如，「有機聚合物」係在聚合物主鏈中包含碳原子之聚合物，但在聚合物主鏈及/或自聚合物主鏈伸出之側鏈中亦可包含其他原子(例如，氧、氮、硫等)。
    圖1係示例性OLED裝置10之頂部平面視圖，其將該OLED裝置顯示為一基本平坦之平面構件，具有寬度31及長度33。應瞭解，圖1中之矩形OLED裝置10僅用於說明目的，及根據本發明態樣之OLED裝置10可具有任何所需形狀、尺寸或其他組態。
    圖1中之OLED裝置10包含在一適宜基板12上配置之複數個個別OLED裝置14，該基板12係可彎、可彎曲構件，如金屬或塑膠片構件。於所描述之實施例中，OLED元件14係沿長度貫穿該基板12佈置，及各OLED元件界定一基本上連續之非斷開光區域26。OLED元件14可藉由間隙28分離，該間隙28為沈積製程後形成之切割線，其中在基板12上沈積之各材料層係藉由雷射或其他已知切割技術分離以界定個別元件14。OLED裝置10具有活性光區30，該活性光區30實質上係藉由OLED元件14之組合表面積界定，特定言之係光區域26。就此而言，OLED裝置10尤其適宜作為可併入任何形式發光燈具中之寬面光源。
    圖2及3顯示圖1類型之OLED裝置之不同彎曲組態。於圖2中，基板12(及其上配置之OLED元件14)彎曲成具有彎曲半徑32(曲率半極(R))之半圓柱型。於圖3中，基板12彎曲成具有不同彎曲半徑32(大於圖2中之彎曲半徑32)之組態。自圖2及3將輕易瞭解，彎曲半徑32隨著彎曲程度增大而減小。換言之，較不顯著彎曲比較緊密彎曲具有更大彎曲半徑32。亦應瞭解，各OLED裝置10具有最大彎曲組態(最小彎曲半徑32)，裝置彎曲應不超過此組態以避免不可修復損壞(包括裝置10完全失效)。
    圖4係示例性底發光OLED裝置10之橫截面視圖，其中光透過由透明或半透明材料形成之基板層12射出。應瞭解，根據本發明態樣之OLED裝置10亦可係頂發光裝置，其中光係透過陰極層22及鄰接覆蓋層24射出。第一電極層18係佈置於可撓性基板12上。針對參考，將電極層18指定為陽極層。就底發光裝置而言，陽極層18亦係透明的。陽極層18一般包含具有低功函數值之材料，以使相對小電壓便可導致電子自陽極18射出。陽極18可包含，例如，氧化銦錫(ITO)、氧化錫、鎳或金。陽極18可藉由習知沈積技術(如氣相沈積、噴濺及諸如此類者)形成。
    將一或多層有機發光材料20沈積於陽極18上。已知各種有機發光材料層且可與本發明之示例性實施例連用。根據圖4中所顯示之實施例，有機發光層20包含一單層，及可包含，例如，發光共軛聚合物、摻雜電子傳輸分子及發光材料之電洞傳輸聚合物，或摻雜電洞傳輸分子及發光材料之惰性聚合物。有機發光層20亦可包含發光有機小分子非晶形膜，其可摻雜其他發光分子。根據本發明之其他實施例，有機發光層20可包含執行電洞注射、電洞傳輸、電子注射、電子傳輸及發光功能之兩或更多子層。作用裝置僅需發光層。然而，額外子層一般會增大電洞與電子重組產生光之效率。因此，有機發光層20可包含子層，該等子層包括例如電洞注射子層、電洞傳輸子層、發光子層及電子注射子層。且，一或多個子層可包含實現兩或更多種功能(如電洞注射、電洞傳輸、電子注射、電子傳輸及發光)之材料。
    藉由任何適宜沈積技術將陰極層22沈積於有機發光層20上達厚度38。陰極層22可包含例如鈣或諸如金、銦、錳、錫、鉛、鋁、銀、鎂之金屬或鎂/銀合金。或者，陽極可由兩層構成以增強電子注射。實例包括氟化鋰(LiF)薄內層及鋁或銀較厚外層，或鈣薄內層及鋁或銀較厚外層。
    可將保護覆蓋層24施用於陰極層22上達厚度40及於底層上形成基本氣密封。此覆蓋層可由各種適宜材料形成，包括類金屬(例如，矽)或陶瓷(例如，氮化矽)。於特定實施例中，保護覆蓋層24可合併導熱層，如一或多層金屬或金屬合金(例如銀、鋁、錫、銅、鋼及類似者)。或者，保護覆蓋層24可由導熱材料(如氮化鋁)形成。
    圖4顯示一實施例，其中將陽極18及發光材料20沈積於基板12上。個別OLED元件14係藉由「切割」此等層(例如，在雷射切割技術中)界定，如切割線28所顯示。隨後將陰極層22以常見電極層施用於經切割之有機材料層20上，及因此視為「高功函數」層，係因其需運載用於所有OLED元件14之電流。
    圖5顯示一實施例，其中將各OLED元件14形成於個別各自OLED基板16上。隨後將該複數個OLED元件14沈積於共用基板12上，使鄰接元件14之間具有間隙。圖5亦顯示由多個子層34、36形成之陰極層22，其中各層係針對其特定導電性、可撓性或其他性質選擇。類似於圖4，圖5亦顯示具有切割線28之有機材料層20。
    圖6、7、8及9係在各活性光區域面積下陰極厚度(X軸)與設計彎曲半徑(Y軸)之間之特定關係圖。於圖6之實施例中，活性光區係介於50 cm2至100 cm2之間，如圖6中條紋30所指出。因此，圖6表示一實施例，其中基板12上所有OLED元件14界定一光源，該光源具有在50 cm2至100 cm2之指定範圍內之活性光區30。陰極層22之厚度38可作為設計彎曲半徑32之函數在100 nm至500 nm之間變化。例如，在3 cm之設計彎曲半徑下，陰極厚度可為至少100 nm。隨著彎曲半徑32增大，陰極層厚度38亦增大，在5 cm之設計彎曲半徑下達500 nm之最大值。雖然在圖中將該關係描述為線性函數，然而應輕易瞭解，此僅用於說明目的，及陰極層厚度之增大不必呈線性，及在最小與最大厚度值之間可存在任何增大概況(例如，指數、抛物線及諸如此類者)。
    圖6顯示如下情況：當設計彎曲半徑32增大(及因此彎曲較不劇烈)時，陰極層22可具有較大厚度而不會增加陰極層22斷裂或分層的可能性。在一定程度上需增大陰極厚度，係因陰極層22亦用作導熱層及可緩解在OLED裝置10中所導致之高溫應力。然而，在特定厚度下，厚度之增大可變為有害，係因增加之陰極層並非導熱所需，特定言之活性光區較小之裝置，及將易於增添彎曲應力並導致陰極層22或底層破裂及分層。因此，圖6表示此等問題之間之折中。當設計彎曲半徑32增大時，宜使陰極層厚度一定程度上增至最大厚度，例如在5 cm之設計彎曲半徑下為500 nm。陰極層厚度可維持在最大厚度以進一步增大設計彎曲半徑。
    圖7描述活性光區30介於100 cm2至200 cm2之間之OLED裝置之一實施例。在此活性光區範圍內之裝置可具有介於3 cm與5 cm之間之設計彎曲半徑32，如圖7中所顯示。然而，陰極層厚度不同於圖6中所顯示之實施例，係因活性光區增大。例如，參照圖7，具有例如150 cm2之活性光區及3 cm之設計半徑之OLED裝置應具有200 nm之最小厚度。在6 cm之設計彎曲半徑下，陰極層厚度增至最大值500 nm。因此，將陰極層厚度定義為相較於圖6中所顯示之實施例增大之活性光區尺寸之函數。OLED裝置不僅產熱，亦在高溫環境中運行。當活性光區增大時，裝置運行環境之整體溫度亦升高，而不論陰極層之導熱性如何。因此，圖7表示需使相對較厚陰極層厚達500 nm之最大厚度以使活性光區增大。
    圖8類似於圖7及顯示一實施例，其中活性光區30係介於200 cm2至500 cm2之間。在此範圍內，OLED裝置在4 cm之設計彎曲半徑下具有300 nm之陰極層厚度。在300 nm之陰極層厚度下，超出此設計彎曲半徑(即，小於4 cm之設計彎曲半徑)之彎曲組態可能導致OLED裝置損壞，如分層。在8 cm之彎曲半徑下，陰極層厚度增至500 nm。
    圖9顯示活性光區30介於500 cm2至1000 cm2之間之OLED裝置之關係。在5 cm之彎曲半徑下，該裝置應具有400 nm之陰極層厚度，在9 cm之設計彎曲半徑下，該厚度增至500 nm。
    自例如圖9與6之對比應瞭解，活性光區30之尺寸決定OLED裝置之設計彎曲半徑同時維持減小對裝置之熱應力所需之陰極層厚度。具有例如1000 cm2或更大之活性光區之OLED裝置不應彎曲至3 cm之設計彎曲半徑，但在圖6所顯示之裝置中可行。
    保護覆蓋層(圖4及5)具有各種功能，包括對下伏材料層，特定言之陰極層22之整體保護。然而，保護層24亦會增大裝置之總厚度，及因此增大在可彎曲OLED裝置中所導致之彎曲應力。就此而言，保護覆蓋層24較佳具有小於100微米，及在特定實施例中小於10微米之厚度40。適宜地，保護覆蓋層可由導熱材料形成。若與亦用作導熱層之保護覆蓋層24組合，則可減小陰極層厚度38。適宜保護覆蓋層材料之非限制性實例提供在下表1中：
    除上述外，保護覆蓋層亦可包含其他類型高強度晶狀聚合物纖維，如聚乙烯(其非限制性實例係超高分子量聚乙烯(UHMwPE)，以品牌名稱DYNEEMA®販售)及聚苯并雙噁唑(其非限制性實例係聚(對伸苯基-2,6-苯并雙噁唑)(PBO)，以品牌名稱ZYLON®販售)，該等材料具有負熱膨脹係數。此等材料實際上隨著溫度升高而收縮，及可用於高溫環境中，係因其等收縮及對底層陰極提供更可靠保護層。
    於圖5之實施例中，陰極層係藉由第一金屬層34及第二金屬層36界定。此等層可由具有類似導電性及不同硬度性質之不同金屬或金屬合金形成。當彎曲OLED裝置時，層34、36中之一者呈壓縮放置而另一層則呈拉伸放置，視其等相對彎曲之定向而定。需選擇金屬層34、36以使在OLED裝置之設計彎曲組態下呈壓縮放置之層具有較呈拉伸放置之另一金屬層更大之剛性模數(GPa)。此組合可用於釋放當將OLED裝置組態成設計形狀時在陰極層中所導致之彎曲應力，藉此提供增大之陰極層厚度(以更佳地熱管理)，同時限制裝置在彎曲增大時之潛在分層。
    如上所述，應瞭解，本發明亦涵蓋合併本文中所描述之本發明態樣之任何形式之可撓性OLED發光裝置10。
    本說明書利用實例揭示本發明，包括最佳模式，及亦使任何熟習本項技術者得以實施本發明，包括製造及使用任何裝置或系統及實施任何合併方法。本發明之專利範圍係藉由申請專利範圍界定，及可包括熟習本項技術者已知之其他實例。預期，若此等其他實例包含與申請專利範圍之字面語言無不同之結構元件，或若此等其他實例包含與申請專利範圍之字面語言無實質差異之等效結構元件，則此等其他實例係屬於申請專利範圍之範疇內。
    10‧‧‧OLED裝置
    12‧‧‧基板
    14‧‧‧OLED元件
    16‧‧‧OLED基板
    18‧‧‧陽極
    20‧‧‧有機發光層
    22‧‧‧陰極層
    24‧‧‧保護覆蓋層
    26‧‧‧光區域
    28‧‧‧間隙
    30‧‧‧活性光區
    31‧‧‧寬度
    32‧‧‧彎曲半徑
    33‧‧‧長度
    34‧‧‧子層
    36‧‧‧子層
    38‧‧‧厚度
    40‧‧‧厚度
    圖1係示例性OLED發光裝置之前視平面圖；圖2係圖1中OLED發光裝置處於第一彎曲組態之立體視圖；圖3係圖1中之OLED發光裝置處於第二彎曲組態之立體視圖；圖4係示例性OLED發光裝置之橫截面圖；圖5係另一示例性OLED發光裝置之橫截面圖；圖6係說明具有在第一範圍內之活性光區之OLED發光裝置中陰極層厚度與彎曲半徑之關係之圖；圖7係說明具有在第二範圍內之活性光區之OLED發光裝置中陰極層厚度與彎曲半徑之關係之圖；圖8係說明具有在第三範圍內之活性光區之OLED發光裝置中陰極層厚度與彎曲半徑之關係之圖；及圖9係說明具有在第四範圍內之活性光區之OLED發光裝置中陰極層厚度與彎曲半徑之關係之圖。
    10‧‧‧OLED裝置
    12‧‧‧基板
    14‧‧‧OLED元件
    26‧‧‧光區域
    28‧‧‧間隙
    30‧‧‧活性光區
    31‧‧‧寬度
    33‧‧‧長度
    权利要求:
    Claims (19)
    [1] 一種方法，其包含：將複數個OLED元件形成於一可撓性平面基板上，其中該等OLED元件中之至少一者包含：於該基板上形成之連續各自陽極層；於該陽極層上形成之一或多種有機發光材料；於該等發光材料上形成之陰極層；於該陰極層上形成之囊封保護覆蓋層；及界定位於該基板上之連續光區之該等OLED元件中之至少一者，其中該基板及OLED元件組合界定活性光區；其中該活性光區可自平坦平面組態彎曲成具有設計彎曲半徑之彎曲組態；及形成介於最小厚度值與最大厚度值之間之陰極層厚度，該厚度係作為該活性光區之尺寸及該設計彎曲半徑之函數。
    [2] 如請求項1之方法，其中就指定之活性光區尺寸而言，該陰極層厚度係限定於最大彎曲組態下之最小厚度值與作為不斷增大之設計彎曲半徑之函數之最大值之間。
    [3] 如請求項2之方法，其中該最大厚度值為小於500 nm。
    [4] 如請求項2之方法，其中該最小厚度值為至少100 nm。
    [5] 如請求項4之方法，其中在該最大彎曲組態下，該彎曲半徑係3 cm。
    [6] 如請求項1之方法，其中就3 cm或更大之指定曲率設計彎曲半徑而言，該陰極層厚度係限定於最小厚度值至作為不斷增大之活性光區尺寸之函數之最大厚度值之間。
    [7] 如請求項6之方法，其中該最小厚度值為至少100 nm。
    [8] 如請求項6之方法，其中該最大厚度值為小於500 nm。
    [9] 一種可撓性OLED發光裝置，其包含：一可撓性平面基板；於該基板上形成之複數個OLED元件，其中該複數個OLED元件中之至少一者包含：於該基板上形成之一連續各自陽極層；於該陽極層上形成之一或多種有機發光材料；於該等發光材料上形成之陰極層；於該陰極層上形成之囊封保護覆蓋層；界定位於該基板上之連續光區域之該複數個OLED元件中之至少一者；其中該可撓性基板及該複數個OLED元件包含活性光區；該活性光區具有呈3 cm或更大之設計彎曲半徑之彎曲組態；及其中該陰極層具有介於100 nm與小於500 nm之間之厚度，該厚度係測定為該活性光區之尺寸及該設計彎曲半徑之函數。
    [10] 如請求項9之可撓性OLED裝置，其中該活性光區係介於50 cm2與100 cm2之間，該設計彎曲半徑係介於3 cm與5 cm之間，及該陰極層具有介於在3 cm之設計彎曲半徑下之100 nm與在5 cm之該設計彎曲半徑下之500 nm之間之厚度。
    [11] 如請求項9之可撓性OLED裝置，其中該活性光區係介於100 cm2與200 cm2之間，該設計彎曲半徑係介於3 cm與6 cm之間，及該陰極層具有介於在3 cm之設計彎曲半徑下之200 nm與在6 cm之設計彎曲半徑下之500 nm之間之厚度。
    [12] 如請求項9之可撓性OLED裝置，其中該活性光區係介於200 cm2與500 cm2之間，該設計彎曲半徑係介於4 cm與8 cm之間，及該陰極層具有介於在4 cm之設計彎曲半徑下之300 nm與在6 cm之設計彎曲半徑下之500 nm之間之厚度。
    [13] 如請求項9之可撓性OLED裝置，其中該活性光區係介於500 cm2與1000 cm2之間，該設計彎曲組態具有介於5 cm與10 cm彎曲半徑之間之設計彎曲組態，及該陰極層具有介於在5 cm之彎曲半徑下之400 nm與在10 cm之該彎曲半徑下之500 nm之間之厚度。
    [14] 如請求項9之可撓性OLED裝置，其中該活性光區為小於200 cm2及該保護覆蓋層具有小於1微米之厚度。
    [15] 如請求項9之可撓性OLED裝置，其中該活性光區為大於200 cm2及該保護覆蓋層具有小於100微米之厚度。
    [16] 如請求項14之可撓性OLED裝置，其中該保護覆蓋層係由金屬、聚合物或多層結構中之任一者或組合形成。
    [17] 如請求項9之可撓性OLED裝置，其中該陰極層係由兩導電金屬層形成，其中在該設計彎曲組態下呈壓縮放置之金屬層具有較呈拉伸放置之金屬層更大之剛性模數(GPa)。
    [18] 如請求項17之可撓性OLED裝置，其中該等金屬層中之至少一者係鋁或鋁合金。
    [19] 如請求項16之可撓性OLED裝置，其中該保護覆蓋層係由具有負熱膨脹係數之材料形成。
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    同族专利:
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    US20130001598A1|2013-01-03|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
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