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    • 专利摘要:
    一種發光二極體封裝結構基座之形成方法，其包括以下幾個步驟：提供一基板，在基板上開設多個通孔，該多個通孔將基板平均分為多個基板單元；對基板表面進行蝕刻，使每個基板單元表面上形成擋牆；在每個基板單元上形成金屬電極層；在每個基板單元上設置反射壁，構成一容置杯，擋牆位於容置杯中；沿基板之通孔切割形成多個基座。本發明還提供一種發光二極體封裝結構之形成方法。
    公开号:TW201308681A
    申请号:TW100127834
    申请日:2011-08-05
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Chih-Hsun Ke；Ming-Ta Tsai；Chao-Hsiung Chang
    申请人:Advanced Optoelectronic Tech；
    IPC主号:H01L33-00
    专利说明:
    發光二極體封裝結構之形成方法及其基座之形成方法
    本發明涉及一種發光二極體封裝結構及其基座之形成方法。
    發光二極體是一種節能、環保、長壽命之固體光源，因此近十幾年來對發光二極體技術之研究一直非常活躍，發光二極體也有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統光源之趨勢。在先前技術中，為實現多波段或者高演色性之照明要求，通常會使用多晶片型發光二極體封裝構造，其具體結構是將多個性能指標不同之發光二極體晶片集成封裝，為了減少各個發光二極體晶片所發出之光線之相互干擾以及為了控制發光二極體封裝結構整體出光效果，發光二極體封裝結構中之基座上通常會設置有擋牆結構，用於隔開各個發光二極體晶片。先前技術在製作發光二極體封裝結構之基座時，需要後期製作擋牆，然後再將該擋牆設置在基座上，因而會費時費力，製作麻煩，不易量產。
    有鑒於此，有必要提供一種製作簡單之發光二極體封裝結構及其基座之形成方法。
    一種發光二極體封裝結構基座之形成方法，其包括以下幾個步驟：
    步驟一，提供一基板，在基板上開設多個通孔，該多個通孔將基板平均分為多個基板單元；
    步驟二，對基板表面進行蝕刻，使每個基板單元表面上形成擋牆；
    步驟三，在每個基板單元上形成金屬電極層；
    步驟四，在每個基板單元上設置反射壁，每個反射壁與每個基板單元構成一容置杯，擋牆位於容置杯中；
    步驟五，沿基板之通孔切割形成多個基座。
    一種發光二極體封裝結構之形成方法，其包括以下幾個步驟：
    步驟一，提供一基板，在基板上開設多個通孔，該多個通孔將基板平均分為多個基板單元；
    步驟二，對基板表面進行蝕刻，使每個基板單元表面上形成擋牆；
    步驟三，在每個基板單元上形成金屬電極層；
    步驟四，在每個基板單元上設置反射壁，每個反射壁與每個基板單元構成一容置杯，擋牆位於容置杯中；
    步驟五，將多個第一發光二極體和第二發光二極體分別設置在每個基板單元之擋牆之兩側；
    步驟六，在每個基板單元之容置杯中填充封裝材料；
    步驟七，沿基板之通孔切割形成多個發光二極體封裝結構。
    上述之發光二極體封裝結構及其基座之形成方法採用蝕刻方法形成擋牆，由於擋牆與基座是一體成型，無需後期再製作擋牆，製作簡單，容易量產。
    以下將結合附圖對本發明作進一步之詳細說明。
    請參閱圖1，本發明之發光二極體封裝結構之形成方法用於形成一發光二極體封裝結構100，該發光二極體封裝結構100包括基座10以及設置在該基座10中之第一發光二極體20和第二發光二極體30。
    所述基座10從其頂面沿底面方向形成一容置杯11。該容置杯11之底面上形成有一擋牆12，該擋牆12將容置杯11分成兩個區域。基座10還包括有第一電極13以及第二電極14，該第一電極13和第二電極14分別位於擋牆12之兩側，彼此分離形成在容置杯11之底面上。其中該第一電極13和第二電極14之一端分別伸至擋牆12，另一端分別從基座10之端面延伸到基座10之底面上，用於與外部電路連接。
    第一發光二極體20和第二發光二極體30位於容置杯11之底面，並且由擋牆12相互隔開，其中第一發光二極體20設置在第一電極13上，第二發光二極體30設置在第二電極14上。第一發光二極體20和第二發光二極體30分別藉由導線與第一電極13和第二電極14連接。在基座10之容置杯11中還填充有封裝材料40。
    請參閱圖2至圖8，本發明提供之一種發光二極體封裝結構之形成方法包括以下幾個步驟：
    步驟一，請參閱圖2和圖3，提供一基板50，在基板50上平均開設多個通孔51，該通孔51將基板50平均分為多個基板單元。該基板50可以為矽基板或者陶瓷基板。所述通孔51之形成方法可以採用蝕刻或者機械方式形成。
    步驟二，請參閱圖4，對基板50之上表面進行蝕刻，使每個基板單元上表面上形成擋牆12，對基板50之下表面進行蝕刻，使每個基板單元上下表面上形成一凸起結構15。
    步驟三，請參閱圖5，在基板50上形成金屬電極層，其中每個基板單元上形成有第一電極13和第二電極14，該第一電極13和第二電極14分別位於擋牆12之兩側，其中該第一電極13和第二電極14之一端分別伸至擋牆12，另一端分別從基板50之通孔51延伸至凸起結構15。
    步驟四，請參閱圖6，在每個基板單元上表面上設置反射壁60，每個反射壁60與每個基板單元構成一容置杯11，擋牆12位於容置杯11中，從而形成多個基座10。所述反射壁60與基板50之結合方式可以採用黏結或者共燒。
    步驟五，請參閱圖7，將多個第一發光二極體20和第二發光二極體30分別設置在每個基板單元之擋牆12之兩側。其中，將第一發光二極體20設置在第一電極13上，將第二發光二極體30設置在第二電極14上，再分別藉由導線將第一發光二極體20和第二發光二極體30與第一電極13和第二電極14連接。
    步驟六，在每個基板單元之容置杯11中填充封裝材料40，形成多個發光二極體封裝結構100。所述封裝材料40中含有螢光粉。
    步驟七，請參閱圖8，沿基板50之通孔51切割形成多個發光二極體封裝結構100。
    相較於先前技術，本發明之發光二極體封裝結構及其基座之形成方法採用蝕刻方法形成擋牆，由於擋牆與基座是一體成型，無需後期再製作擋牆，製作簡單，容易量產。
    另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然，這些依據本發明精神所做之變化，都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。
    100．．．發光二極體封裝結構
    10．．．基座
    20．．．第一發光二極體
    30．．．第二發光二極體
    40．．．封裝材料
    50．．．基板
    60．．．反射壁
    11．．．容置杯
    12．．．擋牆
    13．．．第一電極
    14．．．第二電極
    15．．．凸起結構
    51．．．通孔
    圖1為本發明之發光二極體封裝結構之剖示圖。
    圖2為基板結構示意圖。
    圖3為在圖2所示之基板上開設通孔後之結構示意圖。
    圖4為在圖3所示之基板上蝕刻形成擋牆和凸起結構後之結構示意圖。
    圖5為在圖4所示之基板上形成金屬電極層後之結構示意圖。
    圖6為在圖5所示之基板上設置反射壁後之結構示意圖。
    圖7為在圖6所示之基板上封裝發光二極體之結構示意圖。
    圖8為切割圖7所示之基板之示意圖。
    100．．．發光二極體封裝結構
    10．．．基座
    20．．．第一發光二極體
    30．．．第二發光二極體
    40．．．封裝材料
    11．．．容置杯
    12．．．擋牆
    13．．．第一電極
    14．．．第二電極
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種發光二極體封裝結構基座之形成方法，其包括以下幾個步驟：步驟一，提供一基板，在基板上開設多個通孔，該多個通孔將基板平均分為多個基板單元；步驟二，對基板表面進行蝕刻，使每個基板單元表面上形成擋牆；步驟三，在每個基板單元上形成金屬電極層；步驟四，在每個基板單元上設置反射壁，每個反射壁與每個基板單元構成一容置杯，擋牆位於容置杯中；及步驟五，沿基板之通孔切割形成多個基座。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構基座之形成方法，其中：所述通孔之形成方法採用蝕刻或者機械方式形成。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構基座之形成方法，其中：所述擋牆形成在每個基板單元上表面上，在步驟二中還包括對基板之下表面進行蝕刻，使每個基板單元上下表面上形成一凸起結構。
    [4] 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體封裝結構基座之形成方法，其中：每個基板單元上形成有第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極分別位於擋牆之兩側，其中該第一電極和第二電極之一端分別伸至擋牆，另一端分別從基板之通孔延伸至凸起結構。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構基座之形成方法，其中：所述反射壁與基板之結合方式採用黏結或者共燒。
    [6] 一種發光二極體封裝結構之形成方法，其包括以下幾個步驟：步驟一，提供一基板，在基板上開設多個通孔，該多個通孔將基板平均分為多個基板單元；步驟二，對基板表面進行蝕刻，使每個基板單元表面上形成擋牆；步驟三，在每個基板單元上形成金屬電極層；步驟四，在每個基板單元上設置反射壁，每個反射壁與每個基板單元構成一容置杯，擋牆位於容置杯中；步驟五，將多個第一發光二極體和第二發光二極體分別設置在每個基板單元之擋牆之兩側；步驟六，在每個基板單元之容置杯中填充封裝材料；步驟七，沿基板之通孔切割形成多個發光二極體封裝結構。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述擋牆形成在每個基板單元上表面上，在步驟二中還包括對基板之下表面進行蝕刻，使每個基板單元上下表面上形成一凸起結構。
    [8] 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：每個基板單元上形成有第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極分別位於擋牆之兩側，其中該第一電極和第二電極之一端分別伸至擋牆，另一端分別從基板之通孔延伸至凸起結構。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述步驟五還包括第一發光二極體設置在第一電極上，將第二發光二極體設置在第二電極上，再分別藉由導線將第一發光二極體和第二發光二極體與第一電極和第二電極連接。
    [10] 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述反射壁與基板之結合方式採用黏結或者共燒。
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