台湾专利TW201308675A 具有增強鏡面反射率之發光二極體結構

专利PDF首页>>台湾专利

专利附录

专利说明

权利要求

类似技术

同族专利

引用文献

法律状态

优先权

专利摘要:
本發明之具體例大體上係有關於藉由減少相鄰於鏡面接點之阻障層的光吸收效率而具有改善總發射之LED晶片。在一具體例中，一LED晶片包括一或多個LED，每一LED包括一主動區、一在該主動區下方之具有一高反射鏡面的第一接點及一相鄰於該鏡面之阻障層。該阻障層小於該鏡面，以致於它沒有延伸超過該鏡面之周圍。在另一可能具體例中，進一步提供一絕緣層，其中該絕緣層相鄰於該阻障層且相鄰於該鏡面之沒有被該主動區或被該阻障層接觸之部分。在又另一具體例中，在該主動區上提供一第二接點。在另一具體例中，該阻障層小於該鏡面，以致於該鏡面之周圍有至少40%沒有該阻障層，以及該第二接點係在該第一接點下方且可從該晶片之底部來進入。
公开号:TW201308675A
申请号:TW101114508
申请日:2012-04-24
公开日:2013-02-16
发明作者:Michael Bergmann；Matthew Donofrio；Sten Heikman；Kevin S Schneider；Kevin W Haberern；John A Edmond
申请人:Cree Inc；
IPC主号:H01L33-00

专利说明:
具有增強鏡面反射率之發光二極體結構
本發明係在能源部所給予之合約編號DE-EE0000641下由政府所支持。政府對本發明有某些權利。
本發明係有關於發光二極體(LED)晶片及特別地是有關於具有鏡面反射率(mirror reflectivity)之LED晶片，其藉由減少相鄰於鏡面之材料的光吸收效應來改善該等LED晶片之總發射。
發光二極體(LED或LEDs)係將電能轉換成光之固態裝置，以及通常包括夾在相反摻雜層間之一或多半導體材料主動層。當施加一偏壓橫跨該等摻雜層時，將電洞與電子注入至它們要再結合以產生光之該主動層中。從該主動層及從該LED之所有表面發射光。
對於典型LED，期望以最高發光效率來操作，以及可測量發射效率之方式係相對於輸入功率之發射強度或照明/瓦。最大化發射效率之方式係最大化LED之主動區所發射之光的萃取。對於具有一單出光(out-coupling)表面之傳統LED，外部量子效率會受限於來自LED之發射區域的光之總內部反射(TIR)。TIR可能由LED之半導體與周圍環境間之折射率的大差異所造成。由於基板相較於周圍材料(例如，環氧樹脂(epoxy))具有高折射率，一些LED具有相對低光萃取效率。此差異導致一小逃逸角錐(escape cone)，來自該主動區之光線會因該小逃逸角錐而從該基板被傳送至該環氧樹脂中及最後從LED封裝體逃逸。沒有逃逸之光會在半導體材料中或在光之反射表面上被吸收。
已發展出不同的方法來減少TIR及改善總光萃取，更受歡迎的方法中之一是表面粗化(surface texturing)。表面粗化藉由提供一允許光子有多的機會找到一逃逸角錐之變化表面，增加光逃逸機率。沒有找到一逃逸角錐之光持續經歷TIR，以及以不同角度反射離開粗表面(textured surface)，直到它找到一逃逸角錐為止。表面粗化之益處已在數篇論文中被討論(見Windisch et al.,Impact of Texture-Enhanced Transmission on High-Efficiency Surface Textured Light Emitting Diodes,Appl.Phys.Lett.,Vol.79,No.15,October 2001,Pgs.2316-2317；Schnitzer et al.30% External Quantum Efficiency From Surface Textured,Thin Film Light Emitting Diodes,Appl.Phys.Lett.,Vol 64,No.16,October 1993,Pgs.2174-2176；Windisch et al.Light Extraction Mechanisms in High-Efficiency Surface Textured Light Emitting Diodes,IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics,vol.8,No.2,March/April 2002,Pgs.248-255；Streubel et al.High Brightness AlGaNInP Light Emitting Diodes,IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics,Vol.8,No.March/April 2002)。此外，亦讓渡給Cree Inc.之美國專利第6,657,236揭露用以提高在LED中之光萃取的在半導體層上所形成之結構。
增加光萃取效率之另一方式提供用以反射光之反射表面，以便它可促成從LED晶片或LED封裝體之有效發射。在圖1所述之典型LED封裝體10中，以焊料黏著劑或傳導性環氧樹脂在一反射杯13上安裝單一LED晶片12。一或多條焊線11連接該LED晶片12之歐姆接點至導線15A及/或15B，該等導線15A及/或15B可以附著至該反射杯13或與該反射杯13整合。可以以一可包含一波長轉換材料(例如，磷光體)之封裝材料16填充該反射杯。該LED以一第一波長所發射之光可以被該磷光體吸收，該磷光體會響應地以一第二波長發射光。接著，將整個組合件封裝在一透明保護樹脂14中，該透明保護樹脂14可以被塑造成透鏡之形狀，以使該LED晶片12所發射之光平行。雖然該反射杯13可以朝向上方向導引光，但是當反射光時，可能發生光損失。由於小於實際反射表面之100%反射率，該反射杯可能吸收一些光。一些金屬在感興趣波長範圍內會具有小於95%反射率。
圖2顯示可能更適合用於會產生更多熱之高功率操作的另一傳統LED封裝體20。在該LED封裝體20中，將一或多個LED晶片22安裝至一載體(例如，印刷電路板(PCB)載體、基板或底座(submount)23)上。在該底座23上可包含一反射器24，其包圍該(等)LED晶片22及反射該等LED晶片22所發射之光遠離該封裝體20。可以使用像金屬反射器、全向性反射器(ODRs)及分佈式布拉格反射器(DBRs)之不同反射器。該反射器24亦可提供對該等LED晶片22之機械保護。在該等LED晶片22上之歐姆接點與該底座23上之電接觸線25A及25B間形成一或多條焊線接線11。然後，以一封裝材料26覆蓋該等安裝LED晶片22，該封裝材料26可以提供對該等晶片之環境及機械保護，同時亦做為一透鏡。該金屬反射器24通常藉由一焊料或環氧黏著劑附著至該載體。
圖1及2所示之反射器係配置成用以反射從該LED所逃逸之光。亦已發展出具有用以反射LED之內部的光之內部反射表面的LED。圖3顯示一LED晶片30之示意圖，其中一LED 32以一金屬黏著層36安裝在一底座34上。該LED在該LED 32與該金屬黏著層36間進一步包括一p-接點/反射器38，其中該反射器38通常包括像銀(Ag)之金屬。在市場上可購得之LED(例如，可購得之來自Cree® Inc.的屬於EZBright^TM家族之LED)中使用此配置。該反射器38可將該LED晶片朝該底座所發射之光朝該LED之主發射表面反射回來。該反射器亦將TIR光朝該LED之主發射表面反射回來。像上述金屬反射器，反射器38反射小於100%(在一些情況中，小於95%)之光。可以使用薄膜設計軟體(例如，Software Spectra,Inc.(www.sspectra.com)之TFCalc^TM)根據材料之光學常數來計算在一半導體層上之一金屬膜的反射率。亦讓渡給Cree Inc.且在此以提供方式被併入之美國專利第7,915.629號進一步揭露一較高效率LED，其具有一用以改善發射效率之整合至該LED的複合高反射率層。
在具有一鏡面接點(mirror contact)以提高反射率之LED晶片(例如，美國專利公開第2009/0283787號，在此以提及方式併入它的全部)中，該鏡面之反射率大大地影響光萃取及外部量子效率(EQE)。例如，在一由Ni/Ag所構成之鏡面中，Ag之特性支配反射率，其大於90%反射。然而，如圖4所示，傳統上以一包圍鏡面之邊緣的金屬阻障層42形成這樣的鏡面40之邊，其中提供該阻障層42，以在操作期間防止Ag遷移。該金屬阻障層42具有比該鏡面低之反射率(例如，50%或更低)，以及該阻障層42之接觸在該鏡面40周圍外側之主動層44的部分對該LED晶片之總效率會有負面影響。這是因為該金屬阻障層42之這樣的部分吸收許多可能離開該晶片之光子。圖5描述在Cree,Inc.光源之EZ家族中之另一LED晶片50，其中該晶片50包括一配置在一主動區54下方之鏡面52。如同在圖4中，提供一阻障層56,其形成鏡面52之邊且延伸至該鏡面之周圍外側。該金屬阻障層之延伸超過該鏡面52之邊緣的那些部分同樣地會吸收從該(等)LED所發射之光的部分及衝擊該晶片之總發射效率。
在像美國專利公開第2010/0155746及2010/0252840號(其亦被讓渡給Cree Inc.及在此以提及方式被完全併入)所揭露之包括複數個接面或子LED的LED晶片中，該金屬阻礙層之效應會特別明顯。圖6描述一包括複數個子LED及複數個接觸介層(contact vias)62之單石LED晶片。阻障層64之在該等接觸介層62之周圍上以黑圓圈表示的部分被暴露及說明因該阻障層之這樣的暴露所造成之暗淡效應(dimming effect)。當比較相同覆蓋區(footprint)之大單接面晶片與多接面晶片的效率時，該效應會非常明顯。這是因為該接面相對於在該鏡面周圍上所暴露之阻障層越小，對該裝置之總發射效率的衝擊越嚴重。例如，一16接面1.4mm LED晶片比一單接面1.4mm晶片暗約10%。
本發明之具體例大體上是有關於LED晶片，其中藉由減少相鄰於鏡面之像阻障層的材料之光吸收效應來改善該等LED晶片之總發射。
依據本發明之LED晶片的一具體例包括一具有一或多個LED之LED晶片，每一LED包括一主動區、一在該主動區下方之第一接點及一阻障層。該第一接點包括一高反射鏡面，且該阻障層相鄰於該鏡面。該阻障層比該鏡面小，以致於它沒有延伸超過該鏡面之周圍。
依據本發明之LED晶片的另一具體例包括在一底座上安裝之一或多個LED。每一LED包括一主動區、一在該主動區下方之第一接點、一阻障層及一絕緣層。該第一接點包括一高反射鏡面，且該阻障層相鄰於及小於該鏡面。該絕緣層相鄰於該阻障層及相鄰於該鏡面之沒有被該主動區或該阻障層接觸之部分。
依據本發明之LED晶片的又另一具體例包括一或多個LED，該等LED之每一者包括一具有一n-GaN層及一p-GaN層之主動區、一在該主動區下方之第一接點、一阻障層及一在該主動區上之第二接點。該第一接點包括一高反射鏡面，且該阻障層相鄰於及小於該鏡面。
依據本發明之LED晶片的另一具體例包括一或多個LED，該等LED之每一者包括一具有一n-GaN層及一p-GaN層之主動區、一在該主動區下方之第一接點、一阻障層及一在該第一接點下方之第二接點。該第一接點包括一高反射鏡面，且該阻障層相鄰於該鏡面及小於該鏡面，以致於該鏡面之周圍有至少40%沒有該阻障層。該第二接點可從該晶片之底部進入。
本發明之這些及其它態樣及優點從下面詳細敘述及所附圖式將變得顯而易知，該等圖式以範例說明本發明之特徵。
參考特定具體例來描述本發明，但須了解，本發明可以許多不同形式具體化及不應該被解讀為受限於在此所述之具體例。
在依據本發明之一些具體例中，提供LED晶片結構，以提高LED之總發射特性。通常藉由限制在高反射鏡面組件之周圍的暗或實質非反射阻障材料的數量來提高具有鏡面反射率之LED晶片結構的發射特性。在具有整體鏡面之p-接點而非ITO之LED晶片中(例如，在Cree Inc.所提供之EZ家族的晶片中)，光萃取及EQE受該鏡面之反射特性的強烈影響。例如，在一由Ni/Ag所構成之鏡面中，該反射率係受Ag之特性所支配及相信是大約90%的反射。此高反射率會被一阻障層抵消，該阻障層係用以在該LED晶片在高溫及/或潮濕狀況下操作期間防止Ag遷移。如果允許該阻障層實質延伸超過該鏡面之周圍，則該阻障層會明顯不利地影響該鏡面之反射率，因為它通常具有50%或更低之反射率及會吸收可能從該晶片發射離開之許多光子。
因此，在依據本發明之LED晶片結構的某些具體例中，提供被圖案化成比其所保護之鏡面層小的阻障層。就其本身而論，該等阻障層較佳地是不再包圍該鏡面之邊緣，以及因此，沒有暴露至在GaN主動區內所陷入之光。在還有其它具體例中，具有經由接面連接以構成一LED晶片之多重子LED。在這樣的結構中，該阻障層將必需具有一小部分暴露在該鏡面周圍之一部分外側，以便建立一LED之p-接點與一相鄰LED之n-接點間之連接。在這樣的具體例中，使該阻障層之暴露量最小化，以致於該鏡面周圍之至少40%沒有該阻障層及它的相關不利影響。在其它具體例中，該鏡面周圍之至少50%沒有該阻障層，而在其它具體例中，至少60%沒有該阻障層。
將了解到，當提及一元件是在另一元件「上」、「連接至」另一元件、「耦接至」另一元件或與另一元件「接觸」時，它可以直接在另一元件上或連接至另一元件或耦接至另一元件或者可以存在有中介元件。相較下，當提及一元件「直接」在另一元件「上」、「直接連接至」另一元件、「直接耦接至」另一元件或「直接」與另一元件「接觸」時，沒有存在中介元件。同樣地，當提及一第一元件與一第二元件「電接觸」或「電耦接」時，具有一允許在該第一元件與該第二元件間之電流流動的電路徑。該電路徑可以包括電容器、耦合電感器及/或甚至在導電元件間沒有直接接觸下可允許電流流動之其它元件。
雖然可以在此使用術語第一、第二等來描述不同元件、組件、區域及/或區段，但是這些元件、組件、區域及/或區段不應受限於這些術語。這些術語只用以區分一元件、組件、區域或區段與另一元件、組件、區域或區段。因此，在沒有脫離本發明之教示下，可將下面所論述之一第一元件、組件、區域或區段稱為一第二元件、組件、區域或區段。
在此參考剖面圖圖解來描述本發明之具體例，其中該等剖面圖圖解係本發明之具體例的示意圖解。就其本身而論，該等組件之實際厚度可以是不同的，以及因例如製造技術及/或容許度所造成之該等圖解之形狀的變動係可預期的。本發明之具體例不應該被解讀成受限於在此所述之區域的特定形狀，而是將包括因例如製造所造成之形狀的偏差。由於正常的製造容許度，一被描述成方形或矩形之區域通常具有圓形或彎曲特徵。因此，在圖式中所述之區域在本質上係概要的，及它們的形狀沒有意欲描述一裝置之一區域的準確形狀及沒有意欲限制本發明之範圍。
亦了解到，當提及一元件(例如，一層、區域或基板)是在另一元件「上」時，它可直接在另一元件上或亦可以存在有中介元件。再者，可以在此使用像「內部」、「外部」、「上」、「上方」、「下」、「下面」及「下方」之相關術語及相似術語，描述一層或另一區之關係。了解到，除了在圖式中所描繪的定位之外，這些術語還意欲包含該裝置之不同定位。
LED結構、特徵以及它們的製造及操作在該項技藝中通常是已知的及因而在此只做簡單論述。LED可以具有以不同方式配置之不同半導體層及可發射不同顏色。可以使用已知製程製造該等LED之層，其中一合適製程係使用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)來製造。該等LED晶片之層通常包括一夾在第一及第二相反摻雜磊晶層間之主動層/區，它們全部係相繼地形成於一成長基板或晶圓上。可在不同應用中單顆化及使用在一晶圓上所形成之LED晶片，例如，安裝在一封裝體中。了解到，該成長基板/晶圓可保持做為最後單顆化LED之部分或可完全或部分移除該成長基板。
亦了解到，在該等LED中亦可包括額外層及元件，其包括但不侷限於緩衝(buffer)、成核(nucleation)、接觸(contact)及電流分散(current spreading)層以及光萃取層及元件。該主動區可包括單量子井(SQW)、多重量子井(MQW)、雙異質結構或超晶格結構。
該主動區及摻雜層可以由不同材料系統所製成，一這樣的系統是以第三族氮化物為基礎之材料系統。第三族氮化物意指在氮與周期表之第三族中的元素(通常是鋁(Al)、鎵(Ga)及銦(In))間所形成之那些半導體化合物。該術語意指三元及四元化合物，例如，氮化鋁鎵(AlGaN)及氮化鋁銦鎵(AlInGaN)。在一可能具體例中，該等摻雜層係氮化鎵及該主動區係InGaN。在替代具體例中，該等摻雜層可以是AlGaN、砷化鋁鎵(AlGaAs)或磷砷化鋁鎵銦(AlGaInAsP)或磷化鋁銦鎵(AlInGaP)或氧化鋅(ZnO)。
該成長基板/晶圓可由像矽、玻璃、藍寶石、碳化矽、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)之許多材料所製成，其中一合適基板係4H多型體之碳化矽，但是亦可使用其它碳化矽多型體，其包括3C、6H及15R多型體。碳化矽具有某些優點(例如，相較於藍寶石，其對第三族氮化物具有較接近晶格匹配)以及導致較高品質之第三族氮化膜。碳化矽具有某些優點(例如，相較於藍寶石，其對第三族氮化物具有較接近晶格匹配)以及導致較高品質之第三族氮化膜。碳化矽亦具有非常高熱導率，以致於在碳化矽上之第三族氮化物裝置的總輸出功率不會受限於該基板之散熱(對於在藍寶石上所形成之一些裝置可能會有此情況)。SiC基板可從Cree Research,Inc.,of Durham,North Carolina購得及它們的製造方法被闡述於該科學文獻及美國專利第Re.34,861；4,946,547；及5,200,022號中。
LED亦包括像導電電流分散結構、電流分散層及打線焊墊(wire bond pad)之額外特徵，它們全部可由使用已知方法沉積之已知材料所製成。一些或全部LED可塗佈有一或多個磷光體，其中該等磷光體吸收至少一些LED光及發射不同波長之光，以便該LED發射來自LED及磷光體之光的組合。可使用許多不同方法，以一磷光體來塗佈LED晶片，其中一合適方法被描述於美國專利申請案序號第11/656,759及11/899,790號中，該兩個專利申請案之發明名稱為「Wafer Level Phosphor Coating Method and Devices Fabricated Utilizing Method」，以及在此以提及方式併入該兩個專利申請案。在另一選擇中，可使用其它像電泳沉積(EPD)之方法來塗佈該等LED，其中一合適EPD方法被描述於發明名稱為「Close Loop Electrophoretic Deposition of Semiconductor Devices」之美國專利申請案第11/473,089號，在此亦以提及方式併入該美國專利申請案。
再者，LED可以具有像該項技藝中所已知之垂直或橫向幾何結構。包括垂直幾何結構之那些LED可以具有一在一基板上之第一接點及一在一p型層上之第二接點。一被施加至該第一接點之電信號分散至n型層及一被施加至該第二接點之信號分散至p型層。在第三族氮化物裝置之情況中，眾所皆知，一薄半透明層通常覆蓋部分或整個p型層。了解到，該第二接點可包括通常是像鉑(Pt)之金屬或像氧化銦錫(ITO)之透明導電氧化物之層。
LED亦可以包括一橫向幾何結構，其中兩個接點是在該等LED之頂部。像以蝕刻移除該p型層及主動區之一部分，以在該n型層上暴露一接觸凸塊(contact mesa)。在該n型層之凸塊上提供一第二橫向n型接點。該等接點可包括使用已知沉積技術所沉積之已知材料。
圖7顯示依據本發明之一LED晶片100的一可能具體例。LED晶片100通常包括一GaN主動區102、一Ni/Ag基鏡面接點104、一金屬阻障層106、一絕緣層108及一反射金屬110。為了說明目的，刻意簡化圖7所述之結構，以及了解到，依據本發明之晶片可能包括上面或下面所更詳述及/或在該技藝中係熟知的額外組件，以及同樣地可能包括上面或下面所更詳述之其它合適材料。因此，了解到，亦可包含額外層及元件，其包括但不侷限於緩衝(buffer)、成核(nucleation)、接觸(contact)及電流分散(current spreading)層以及光萃取層及元件。亦了解到，該等相反摻雜層可包括多層及多子層，以及超晶格結構及內層亦是如此。該主動區域可包括單量子井(SQW)、多重量子井(MQW)、雙異質結構或超晶格結構。該等層之順序可以不同於該具體例所示之順序，第一或下磊層可以是一n型摻雜層及該第二或上磊晶層可以是一p型摻雜層，但是在其它具體例中，該第一層可以是p型摻雜及該第二層可以是n型摻雜。該p型層係該下層之具體例通常與在一底座上覆晶安裝之LED一致。在覆晶具體例中，了解到該上層可以是該成長基板，以及在不同具體例中，可移除該成長基板之全部或一部分。在移除該成長基板之那些具體例中，使該n型摻雜層暴露成為上表面。在還有其它具體例中，該成長基板之部分可留下，以及在一些具體例中，可被成形或粗化，以提高光萃取。
在此所論述之晶片中的LED之每一者可具有第一及第二接點，以及在圖7所示之具體例中，該LED具有橫向幾何結構。就其本身而論，可從該LED之一側面或表面，取代像在垂直幾何結構之情況中從上下表面，接觸該LED。該第一及第二接點可包括許多不同材料，例如，金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、銦(In)、鋁(Al)、銀(Ag)或其組合。在還有其它具體例中，它們可包括導電氧化物及透明導電氧化物，例如，氧化銦錫、氧化鎳、氧化鋅、氧化鎘錫、鈦鎢鎳、氧化銦、氧化錫、氧化鎂、ZnGa₂O₄、ZnO₂/Sb、Ga₂O₃/Sn、AgInO₂/Sn、In₂O₃/Zn、CuAlO₂、LaCuOS、CuGaO₂及SrCu₂O₂。所使用之材料的選擇可依該等接點之位置及期望電氣特性(例如，透明性、接面電阻率及片電阻)而定。
依據本發明之LED晶片的一些具體例可具有其它特微，以及第三族氮化物基LED例如可具有其它特徵，以有助於從該等接點分散電流。此可特別適用以將電流分散至p型第三族氮化物及該電流分散結構可包括薄半透明電流分散層，其覆蓋一些或全部的p型層。這些層可包括不同材料，其包括但不侷限於像鉑(Pt)之金屬或像氧化銦錫(ITO)之透明導電氧化物。
底座可由許多不同材料(例如，矽、陶瓷、氧化鋁、氮化鋁、碳化矽、藍寶石或像聚醯亞胺、聚酯等之聚合材料)所形成。在其它具體例中，該底座可包括一高反射材料(例如，反射陶瓷、介電質或像銀之金屬反射器)，以從該成分增加光萃取。在其它具體例中，該底座可包括一印刷電路板(PCB)或任何其它合適材料(例如，可從Bergquist Company of Chanhassen,Minn購得之T-Clad導熱絕緣基板材料(thermal clad insulated substrate material))。對於PCB具體例，可使用不同的PCB類型，例如，標準FR-4金屬核心PCB或任何類型之印刷電路板。
在LED晶片100中，如同在習知技藝中，該阻障層106沒有包圍該鏡面104之邊緣。取而代之，該阻障層106被圖案化成小於該鏡面104，以致於它沒有暴露至朝該鏡面發射或在該GaN區102中陷入之光。在一些具體例中，只要該絕緣層108完成該阻障層106之工作，可以在至少一具體例中移除該阻障層106之大部分。取而代之，絕緣層108包圍不再被該阻障層106圍住之該鏡面104的區域，該絕緣層對於防止Ag從該鏡面104遷移係決定性的。就其本身而論，該絕緣層108較佳地具有高密度、高接合強度、低透溼度及對金屬離子擴散之高抗性。此外，在該絕緣層108與該GaN區域102間之介面係重要的，因為儘管具有高品質之絕緣層108，一弱介面會造成Ag遷移。此外，該絕緣層108可以是透光的，以及協助使該反射金屬層110與該鏡面104隔開。
在該絕緣層108下方，亦可以沉積一反射金屬層110，以致於它與該絕緣層構成一複合阻障層及較佳地具有比該金屬阻障層106顯著高之反射率。由於折射率差異，任何以高角度入射在該複合阻障層上之光可以在該GaN/絕緣體介面上經歷全內反射，而低角度光可以反射離開該下反射層110。該反射層110較佳地是由像Al或Ag之高反射金屬所構成，但是了解到，亦可以使用其它合適材料。該複合阻障層之反射率可以大於80%，或者在另一情況中，可以大於90%。
該絕緣層108可以具有低光吸收及低折射率，以便該複合阻障層係高反射的。因為該絕緣層108之光學及可靠性需求彼此衝突，所以該絕緣層可以包括兩個或更多相異層(未顯示)。例如，該絕緣層108可以包括一具有最佳化以在與該鏡面104及該GaN區102接觸處防止Ag遷移之特性的薄層，以及該絕緣層108可以包括一在該反射金屬層110與該薄層間之具有低折射率的第二厚層。就其本身而論，假設該較厚層係至少幾個光學波長厚，全內反射會發生在該薄及厚絕緣層間之介面上。該厚絕緣層之合適厚度可以在0.5-1μm間。在另一範例中，該絕緣層108可以包括3個相異層(例如，上述前兩個層及一在該厚層與該反射金屬層110間之第三層)，其中最佳化第三層，以便對該反射金屬層110有良好的附著。在又另一範例中，一複合阻障層可以包括3個以上之絕緣層，其中藉由使高低折射率絕緣材料交替，以進一步增加該複合阻障層之反射率。
該絕緣層108可以由許多不同合適材料所構成，其包括元素Si或Al之氧化物、氮化物或氮氧化物。在包括上述兩層之絕緣層中，該第一層可以由Ti或Ta之氧化物或氮氧化物所構成，而該第二較厚層可以由像SiO₂之低折射率材料所構成。在包括3層之絕緣層中，材料可以相同於一2層絕緣層，其中相鄰於該反射金屬層110之第三層係由SiN所構成。雖然這些材料符合上述單或多層絕緣層之需求，但是了解到，在本發明之上下文中亦可以使用及想出其它合適材料。
圖8描述依據本發明之一LED晶片120的另一具體例。該晶片120可以包括關於晶片100所論述之所有組件。並且，如同關於晶片100所述，LED晶片120包括一GaN區122、一Ag基鏡面124、一金屬阻障層126、一絕緣層128及一反射金屬層130。然而，圖8進一步描述一p接點經由一介層接線(via connection)132連接至一在接面外側之位置。如上所示，該鏡面124亦可以做為該LED之p接點。為了連接該p接點至一在接面外側之位置，該金屬阻障層126可以延伸至該鏡面124與該GaN區122接面之周圍外。然後，此區段可耦接至該介層接線132，以便一被施加至該鏡面124之電信號經由該介層132傳導至該延伸部分(以該阻障層126之陰線部分127來描述)及至該GaN區。如果該金屬阻障層126之延伸至該鏡面124之周圍外的區段相較於該鏡面之周圍的總長係足夠小且窄，則該阻障層126之不良反射率對光萃取將具有可忽略衝擊。在一具體例中，該阻障層126之在該鏡面124周圍外的部分127之寬度係~20μm或更小。
圖9描述依據本發明之一LED晶片140的另一具體例，其中晶片140係一多接面晶片。提供這樣的多接面晶片係獲得在較高電壓下具有高輸出之一批LED的一個方法。該晶片140可以包括關於晶片100所述之所有組件。並且，如關於晶片100所示，LED晶片140包括GaN區142、Ag基鏡面144、金屬阻障層146、一絕緣層148及一反射金屬層150。然而，圖9進一步描述一p接點耦接至一相鄰接面之n接點154。
如上所示，該鏡面144亦可以做為該LED之p接點。為了連接該p接點至一相鄰接面之n接點154，該金屬阻障層146可以延伸至該鏡面144與該GaN區142接面之周圍外。如果該金屬阻障層146之延伸至該鏡面144之周圍外的區段147相較於該鏡面之周圍的總長係足夠小且窄，則該阻障層146之不良反射率對光萃取將具有可忽略衝擊。再者，該金屬阻障層146之部分147亦可以用以構成一連接該p接點至一封裝端之打線。亦注意到，該金屬阻障層146沒有必要覆蓋像圖中所述之鏡面144的下面的大部分。在一些具體例中，該鏡面144實質上可以被去除，以及可以只有一足以構成一良好電接觸之小區段與該鏡面144接觸。
LED晶片140進一步包括保護層152，該等保護層152之特性在該項技藝中係眾所皆知的。該等保護層152可以由SiN所構成，其係一用以提供對該晶片之抗潮性的合適材料。然而，了解到，可以使用像SiO₂之其它適當材料。SiO₂沒有像SiN之抗潮性。
圖10描述至一單石LED晶片，其包括複數個LED及下面圖12所更詳述之複數個接觸介層(contact via)162。當相較於圖6時，可輕易地觀察到，在圖10中已實際去除由該阻障層64之暴露部分所造成之圖6中的黑圓圈。這是因為已使圖10中之阻障層(從此透視圖無法看到)小於該等鏡面層，以及因此，沒有暴露及/或在該等鏡面之周圍有最低限度的暴露。由於該等暴露阻障層之減少，可大大地減少及/或去除該等阻障層之暗淡效應(dimming effect)。
圖11描述依據本發明之一LED晶片200的另一具體例。該晶片200可以包括關於晶片100所述之所有組件。圖11可以進一步包括一粗化n-GaN層202、一p-GaN層204、一鏡面層206(它亦可以做為該LED之p接點)、一阻障層208、一介電阻障層210、一接合金屬層212、一載體層(carrier layer)214、一AuSn層216、保護層218及220(層220至少被部分粗化)以及在該粗化GaN層上之n接點222及224。如上所述，該等粗化層有助於光萃取。
如所述，使圖11中之阻障層208的尺寸小於該鏡面206。如上所述，這樣設定該阻障層之尺寸有助於大大地去除在層208中固有之光吸收效應，此轉而改善該LED晶片200之總發射效率。在此具體例中(以及在其它具體例中)，阻障層208之特性可以允許它做為一電流分散層及一Ag遷移之阻障層及/或一用於鏡面206之保護層，以致於接合金屬層212與鏡面206隔離及因而沒有溶進鏡面206中。接合金屬層212可以至少部分由錫所構成，其中要不是該阻障層208，其可能溶進該鏡面206中。接合金屬層212可以進一步是反射的，但是它沒有與鏡面206一樣高的反射。
保護層218係配置在該主動區之側壁上，其提供在該項技藝中所熟知之側壁保護。保護層218可以由SiN所構成，其呈現有利的抗潮特性。然而，了解到，亦可想出其它合適材料。保護層220亦可以配置在所示裝置上方，以提供對下面組件之實體保護。保護層220可以由SiO₂所構成，但是了解到，亦可想出其它合適保護材料。
提供該介電阻障層210，以至少部分保護該鏡面206及阻障層208之部分及使它們與該接合金屬層212隔離。該介電層可以是透明的，以及/或可以包括不同介電材料(例如，SiN、SiO₂、Si、Ge、MgO_x、MgN_x、ZnO、SiN_x、SiO_x合金或其組合。如在阻障層208下方之陰影剖面所述，該介電層210亦可以進一步在阻障層208下方延伸。
圖12描述依據本發明之一LED晶片230的另一具體例。該晶片230可以包括關於其它晶片具體例所述之組件的部分或全部。然而，晶片230與其它晶片具體例間之最大差異是，如圖12所示，提供n-接點介層，其中為了方便說明，在圖13中沒有顯示該等介層。該等介層允許在該裝置之上部的n接點金屬之移除，以及該n接點實質上被嵌入該裝置內及可從該晶片之底部電性存取。具有較少上部金屬阻擋光發射，可實現亮度的改善。再者，去除及/或大大地減少在該鏡面之周圍外側的阻障金屬，此進一步對該裝置之發射效率做出貢獻。
可使用傳統方法(例如，形成用於介層之開口的蝕刻及用以形成介層之微影蝕刻製程)形成依據本發明之介層。介層只佔用在該LED晶片上之一打線焊墊所需要的區域之小部分。藉由使用一或多個介層來代替一打線焊墊，移除更少量之主動區及接點之較少發射阻擋金屬位於該裝置之上部。此留下更多的LED主動區域用於光發射，藉此增加該LED晶片之總效率。
亦了解到，不同具體例可具有一個以上之介層及該等介層可在許多不同位置上。在具有多介層之那些具體例中，該等介層可具有不同形狀及尺寸以及可在該LED中延伸至不同深度。亦了解到，不同的具體例亦可包括用以取代該第一打線焊墊之介層。
圖12可以進一步包括一粗化n-GaN層232、p-GaN層234、鏡面層236(它亦可以做為該LED之p接點)、阻障層238、保護層240及241、一n接點242、一阻障層244、一接合金屬層246、一載體層248、一AuSn層250及一保護層252。如上所述，該等粗化層有助於改善該裝置之光萃取。
如同在此所述之其它具體例，以一定尺寸製造該等阻障層238，以致於它們小於該等鏡面層236及/或防止它們延伸超過該等鏡面236之周圍的40%或更大。針對整合至鏡面236之至少一部分的該p-接點，該等阻障層238可以進一步提供用以構成一在該裝置之上部的接點。再者，最佳表示是，該等阻障層238可以協助經由該裝置橫向地分散電流，因為該等鏡面236可能太薄以致於不能有效地分散電流。
該阻障層244可以提供用以做為n接點242之保護層，以致於接合金屬層246與n接點242隔離及因而沒有溶進n接點242中或與不利地與n接點242反應。阻障層244可以由TiW/Pt所構成，但是了解到，可想出其它合適材料。在一些具體例中，阻障層244可以不需要依賴該n接點242及接合金屬層246之材料構成。該n接點可以由各種合適材料所構成，其中較佳材料係可反射的，以進一步提高該裝置之光發射。就其本身而論，n接點242可以由Al、Ag或其它反射材料所構成。接合金屬層246可以進一步是反射的。
保護層241係配置在該主動區之側壁上，以提供如該項技藝中所眾所皆知之側壁保護。保護層240及241可以由SiN所構成，其呈現有利的抗潮特性。然而，了解到，亦可想出其它合適材料。保護層252亦可以如所示配置在所示裝置，以提供對下面組件之實體保護。保護層252可以由SiO₂所構成，但是了解到，亦可想出其它合適保護材料。
圖13係圖12所示之LED晶片230的上視圖，其中圖13顯示該n型層234及在該n型層下方假想之該鏡面236的外邊緣。圖13亦以假想方式顯示具有未顯露區域之該阻障層238的外邊緣。為了方便說明，沒有顯示剩餘層、介層以及該阻障層及鏡面層之內邊緣。如上所述，該阻障層238之一部分可以做為在該裝置之上部的該p型接點。在一些具體例中，可為了接觸暴露該阻障層之一部分，以及在所示具體例中，可移除在該阻障層之一部分上方的LED晶片層。在一具體例中，可蝕刻在該阻障層238上方之層至該阻障層238，藉此形成一暴露阻障層區260。該暴露區260可在許多不同位置中且具有不同形狀，其中該具體例顯示是在該LED晶片230之一個角上。
以此方式暴露該阻障層提供像容易接觸之優點，但是亦會呈現水分或污染物沿著該暴露區260中之表面或邊緣進入該等LED層之風險。此水分或污染物會負面地影響一LED晶片之壽命及可靠性。要協助減少此風險，可包含台階部(steps)或躍遷部(transitions)做為該阻障層之部分，其可阻止或去除會進入該LED晶片之水分或污染物。該等台階部或躍遷部可採取許多不同形狀及尺寸。不同LED晶片可具有數目之台階部或躍遷部及它們可包含在該阻障層上之不同位置中。在還有其它具體例中，可在其它層中包含台階部或躍遷部。
圖14顯示一相似於圖12所示之LED晶片230的LED晶片270之另一具體例。該LED晶片270具有一n型層234、一鏡面層236及一阻障層272，其中為了方便說明，沒有顯示其它層及特徵。n型層234及鏡面層236係相似於圖13所示之LED晶片230中的那些層。阻障層272亦相似於圖13中之阻障層236且可經由暴露區274來接觸。該阻障層272具有沿著該阻障層272之邊緣的兩個台階部276，其協助減少或去除會沿著該阻障層272之邊緣進入該LED晶片270之水分或污染物。
對於圖13及14所示之具體例，該阻障層之暴露區域導致該阻障層之一部分沒有被覆蓋，以致於它可以吸收一些LED晶片的光。在該鏡面之周圍以上述百分比沒有該阻障層下，可使暴露阻障之數量減到最小程度，以最小化光吸收之衝擊。在一些具體例中，該阻障層之暴露部分可小於該總阻障層表面之20%。在還有其它具體例中，它可小於10%，而在其它具體例中，它可小於5%。
該阻障層可具有許多不同形狀及相對於依據本發明之LED晶片的其它層可配置在不同位置中。圖15顯示依據本發明之一相似於該LED晶片270的LED晶片280之另一具體例，以及顯示一n型層234及一鏡面層236。然而，在此具體例中，阻障層282沿著該鏡面層236之兩個邊緣延伸超過那個鏡面層236，以及該阻障層可延伸超過在LED晶片之不同位置中的鏡面層。要仍然具有該等LED晶片之期望發射效率，該等阻障層之暴露部分可以是相對薄的，以減少光吸收表面。在一些具體例中，該等暴露邊緣之75%以上可以是小於3微米寬。在其它具體例中，90%可以具有此寬度，而在其它具體例中，該等暴露邊緣之100%可以具有此寬度。這些百分比之暴露寬度在其它具體例中亦可以是不同的，例如，小於4微米或小於2微米。
本發明可以使用於許多不同發光應用中，以及特別是使用小尺寸高輸出光源之那些應用。這些應用中之一些包括但不侷限於一般照明、戶外照明、閃光燈、白光LED、街燈、建築燈、家庭及辦公室照明、陳列照明及背光源。
雖然已詳細描述關於某些較佳配置之本發明，但是其它變型係可能的。因此，本發明之精神及範圍不應該侷限於上述變型。
10‧‧‧典型LED封裝體
11‧‧‧焊線
12‧‧‧LED晶片
13‧‧‧反射杯
14‧‧‧透明保護樹脂
15A‧‧‧導線
15B‧‧‧導線
16‧‧‧封裝材料
20‧‧‧傳統LED封裝體
22‧‧‧LED晶片
23‧‧‧底座
24‧‧‧反射器
25A‧‧‧電接觸線
25B‧‧‧電接觸線
26‧‧‧封裝材料
30‧‧‧LED晶片
32‧‧‧LED
34‧‧‧底座
36‧‧‧金屬黏著層
38‧‧‧p-接點/反射器
40‧‧‧鏡面
42‧‧‧金屬阻障層
44‧‧‧主動層
50‧‧‧LED晶片
52‧‧‧鏡面
54‧‧‧主動區
56‧‧‧阻障層
60‧‧‧單石LED晶片
62‧‧‧接觸介層
100‧‧‧LED晶片
102‧‧‧GaN主動區
104‧‧‧Ni/Ag基鏡面接點
106‧‧‧金屬阻障層
108‧‧‧絕緣層
110‧‧‧反射金屬層
120‧‧‧LED晶片
122‧‧‧GaN區
124‧‧‧Ag基鏡面
126‧‧‧金屬阻障層
127‧‧‧陰線部分
128‧‧‧絕緣層
130‧‧‧反射金屬層
132‧‧‧介層接線
140‧‧‧LED晶片
142‧‧‧GaN區
144‧‧‧Ag基鏡面
146‧‧‧金屬阻障層
147‧‧‧區段(部分)
148‧‧‧絕緣層
150‧‧‧反射金屬層
152‧‧‧保護層
154‧‧‧n接點
162‧‧‧接觸介層
200‧‧‧LED晶片
202‧‧‧粗化n-GaN層
204‧‧‧p-GaN層
206‧‧‧鏡面層
208‧‧‧阻障層
210‧‧‧介電阻障層
212‧‧‧接合金屬層
214‧‧‧載體層
216‧‧‧AuSn層
218‧‧‧保護層
220‧‧‧保護層
222‧‧‧n接點
224‧‧‧n接點
230‧‧‧LED晶片
232‧‧‧粗化n-GaN層
234‧‧‧p-GaN層(n型層)
236‧‧‧鏡面層
238‧‧‧阻障層
240‧‧‧保護層
241‧‧‧保護層
242‧‧‧n接點
244‧‧‧阻障層
246‧‧‧接合金屬層
248‧‧‧載體層
250‧‧‧AuSn層
252‧‧‧保護層
260‧‧‧暴露阻障層區
270‧‧‧LED晶片
272‧‧‧阻障層
274‧‧‧暴露區
276‧‧‧台階部
280‧‧‧LED晶片
282‧‧‧阻障層
圖1係一習知技藝LED封裝體之剖面圖；圖2係另一習知技藝LED封裝體之剖面圖；圖3係一習知技藝LED晶片之另一具體例的剖面圖；圖4係依據本發明之一習知技藝LED晶片的剖面圖；圖5係依據本發明之一習知技藝LED晶片的剖面圖；圖6係依據本發明之一習知技藝單石LED晶片的上視圖；圖7係依據本發明之一LED晶片的一具體例之剖面圖；圖8係依據本發明之一LED晶片的另一具體例之剖面圖；圖9係依據本發明之一LED晶片的另一具體例之剖面圖；圖10係依據本發明之一單石LED晶片的上視圖；圖11係依據本發明之一LED晶片的另一具體例之剖面圖；圖12係依據本發明之一LED晶片的另一具體例之剖面圖；圖13係依據本發明之一LED晶片的一具體例之上視圖；圖14係依據本發明之一LED晶片的另一具體例之上視圖；以及圖15係依據本發明之一LED晶片的又另一具體例之上視圖。
100‧‧‧LED晶片
102‧‧‧GaN主動區
104‧‧‧Ni/Ag基鏡面接點
106‧‧‧金屬阻障層
108‧‧‧絕緣層
110‧‧‧反射金屬層

权利要求:
Claims (14)
[1] 一種LED晶片，包括：一或多個安裝在一底座上之LED，該等LED之每一者包括：一主動區；一第一接點，其位於該主動區下方，該第一接點包括一高反射鏡面；一阻障層，其相鄰於該鏡面，該阻障層小於該鏡面；以及一絕緣層，其相鄰於該阻障層且相鄰於該鏡面之沒有被該主動區或被該阻障層接觸之部分。
[2] 如申請專利範圍第1項之LED晶片，其中，該第一接點包括一p接點，以及該鏡面係以Ag為基礎。
[3] 如申請專利範圍第1項之LED晶片，其中，該阻障層係由一反射實質小於該鏡面的金屬所構成，該阻障層更小於該鏡面，以致於該鏡面之周圍有至少40%沒有該阻障層。
[4] 如申請專利範圍第1項之LED晶片，進一步包括一位於該絕緣層下方且相鄰於該絕緣層之反射金屬層，其中，該絕緣層及該反射金屬層構成一反射比該阻障層顯著大的複合阻障層，該複合阻障層之反射率>80%或>90%。
[5] 如申請專利範圍第1項之LED晶片，其中，該阻障層及該絕緣層係提供用以防止該鏡面之Ag遷移。
[6] 如申請專利範圍第1項之LED晶片，其中，該絕緣層係進一步提供成具有一低折射率。
[7] 如申請專利範圍第1項之LED晶片，其中，該絕緣層係由兩個或更多相異層所構成，其中一第一層係提供用以防止Ag遷移，一第二較厚層具有一低折射率，以及一任選第三層與一反射金屬接觸且為了對該反射金屬有良好附著而被最佳化。
[8] 如申請專利範圍第1項之LED晶片，進一步包括一第二接點，其包括一n接點，該n接點係由Al所構成。
[9] 如申請專利範圍第1項之LED晶片，其中，該晶片之周圍有至少40%沒有該阻障層。
[10] 如申請專利範圍第1項之LED晶片，其中，該阻障層包括一台階部或躍遷部.
[11] 一種LED晶片，包括：一或多個LED，該等LED之每一者包括：一主動區；一第一接點，其在該主動區下方，該接點包括一高反射鏡面；以及一阻障層，其相鄰於該鏡面，該阻障層小於該鏡面，以致於它沒有延伸超過該鏡面之周圍。
[12] 如申請專利範圍第11項之LED晶片，進一步包括一絕緣層，其相鄰於該阻障層、主動區及該鏡面之沒有被該阻障層接觸之部分。
[13] 如申請專利範圍第12項之LED晶片，進一步包括一反射金屬層，其位於該絕緣層下方且相鄰於該絕緣層。
[14] 如申請專利範圍第13項之LED晶片，其中，該絕緣層及該反射金屬層構成一具有>80%或>90%之反射率的複合阻障層。

类似技术:

公开号 | 公开日 | 专利标题

US10797201B2|2020-10-06|High voltage monolithic LED chip

US8686429B2|2014-04-01|LED structure with enhanced mirror reflectivity

US10957830B2|2021-03-23|High voltage monolithic LED chip with improved reliability

US8710536B2|2014-04-29|Composite high reflectivity layer

US9461201B2|2016-10-04|Light emitting diode dielectric mirror

KR101503558B1|2015-03-17|와이어 본드가 없는 웨이퍼 레벨 ｌｅｄ

US8680556B2|2014-03-25|Composite high reflectivity layer

EP2760046A2|2014-07-30|Lamp unit

KR102133904B1|2020-07-15|발광 다이오드 유전체 거울

WO2015054029A1|2015-04-16|High voltage monolithic led chip

同族专利:

公开号 | 公开日

WO2012177316A1|2012-12-27|

EP2724386A1|2014-04-30|

US20120326159A1|2012-12-27|

CN103765615B|2018-04-06|

KR20140044877A|2014-04-15|

US8686429B2|2014-04-01|

CN103765615A|2014-04-30|

US20140167065A1|2014-06-19|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

US1393573A|1920-10-21|1921-10-11|John A Ritter|Headlamp|

US1880399A|1930-03-17|1932-10-04|Benjamin Electric Mfg Co|Floodlight|

US2214600A|1937-12-30|1940-09-10|Westinghouse Electric & Mfg Co|Lighting unit|

US2981827A|1956-12-24|1961-04-25|Ernest R Orsatti|Light-reflecting lens|

US3395272A|1966-08-15|1968-07-30|Thomas H. Nieholl|Apparatus for controlling light rays|

US4420800A|1980-12-22|1983-12-13|General Electric Company|Reflector lamp with shaped reflector and lens|

US4866005A|1987-10-26|1989-09-12|North Carolina State University|Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide|

US4946547A|1989-10-13|1990-08-07|Cree Research, Inc.|Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth|

US5200022A|1990-10-03|1993-04-06|Cree Research, Inc.|Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product|

JP3312049B2|1993-03-12|2002-08-05|シャープ株式会社|半導体発光装置|

US5912915A|1997-05-19|1999-06-15|Coherent, Inc.|Ultrafast laser with multiply-folded resonant cavity|

US6149283A|1998-12-09|2000-11-21|Rensselaer Polytechnic Institute |LED lamp with reflector and multicolor adjuster|

JP2000268604A|1999-03-19|2000-09-29|Patoraito:Kk|Ｌｅｄ表示灯|

US6812502B1|1999-11-04|2004-11-02|Uni Light Technology Incorporation|Flip-chip light-emitting device|

CN1292493C|1999-12-03|2006-12-27|美商克立股份有限公司|藉由内部及外部光学组件之使用而加强发光二极管中的光放出|

JP2001201623A|2000-01-20|2001-07-27|Fujitsu General Ltd|照明光源装置|

US6454439B1|2000-06-16|2002-09-24|Itc Incorporated|Method for manufacturing a light assembly from interchangeable components with different characteristics|

JP2002075025A|2000-08-25|2002-03-15|Stanley Electric Co Ltd|車両用ｌｅｄ灯具|

JP2002176226A|2000-09-22|2002-06-21|Toshiba Corp|光素子およびその製造方法|

AU3953202A|2000-10-20|2002-05-21|Morpheus Technologies Llc|Light projector|

US6791119B2|2001-02-01|2004-09-14|Cree, Inc.|Light emitting diodes including modifications for light extraction|

US6736526B2|2001-03-27|2004-05-18|Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.|Bulb-type lamp and manufacturing method for the bulb-type lamp|

US6630689B2|2001-05-09|2003-10-07|Lumileds Lighting, U.S. Llc|Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa|

US7573931B2|2002-01-09|2009-08-11|Avago Technologies General Ip Pte. Ltd.|Vertical-cavity surface-emitting laser including a supported airgap distributed bragg reflector|

EP2105977B1|2002-01-28|2014-06-25|Nichia Corporation|Nitride semiconductor element with supporting substrate and method for producing nitride semiconductor element|

DE10219246A1|2002-04-18|2003-11-06|Valeo Beleuchtung Deutschland|Beleuchtungseinrichtung für Kraftfahrzeuge|

US6758582B1|2003-03-19|2004-07-06|Elumina Technology Incorporation|LED lighting device|

JP2006527917A|2003-06-19|2006-12-07|ファイアーコムス・リミテッド|発光デバイス|

DE10360946A1|2003-12-23|2005-07-21|Engel, Hartmut S.|Einbauleuchte|

JP4604488B2|2003-12-26|2011-01-05|日亜化学工業株式会社|窒化物半導体発光素子およびその製造方法|

US7246921B2|2004-02-03|2007-07-24|Illumitech, Inc.|Back-reflecting LED light source|

US7332365B2|2004-05-18|2008-02-19|Cree, Inc.|Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method|

DE102004040277B4|2004-06-30|2015-07-30|Osram Opto Semiconductors Gmbh|Reflektierendes Schichtsystem mit einer Mehrzahl von Schichten zur Aufbringung auf ein III/V-Verbindungshalbleitermaterial|

US7795623B2|2004-06-30|2010-09-14|Cree, Inc.|Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures|

US7557380B2|2004-07-27|2009-07-07|Cree, Inc.|Light emitting devices having a reflective bond pad and methods of fabricating light emitting devices having reflective bond pads|

US8174037B2|2004-09-22|2012-05-08|Cree, Inc.|High efficiency group III nitride LED with lenticular surface|

US7821023B2|2005-01-10|2010-10-26|Cree, Inc.|Solid state lighting component|

US9793247B2|2005-01-10|2017-10-17|Cree, Inc.|Solid state lighting component|

US7335920B2|2005-01-24|2008-02-26|Cree, Inc.|LED with current confinement structure and surface roughening|

JP4524265B2|2005-03-30|2010-08-11|三星電子株式会社|照明ユニット及びそれを採用した画像投射装置|

EP1750310A3|2005-08-03|2009-07-15|Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.|Omni-directional reflector and light emitting diode adopting the same|

US8563339B2|2005-08-25|2013-10-22|Cree, Inc.|System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices|

DE102006020529A1|2005-08-30|2007-03-01|Osram Opto Semiconductors Gmbh|Optoelektronisches Bauelement|

US7213940B1|2005-12-21|2007-05-08|Led Lighting Fixtures, Inc.|Lighting device and lighting method|

WO2007075742A2|2005-12-21|2007-07-05|Cree Led Lighting Solutions, Inc.|Lighting device|

US7737451B2|2006-02-23|2010-06-15|Cree, Inc.|High efficiency LED with tunnel junction layer|

US7622746B1|2006-03-17|2009-11-24|Bridgelux, Inc.|Highly reflective mounting arrangement for LEDs|

WO2007130536A2|2006-05-05|2007-11-15|Cree Led Lighting Solutions, Inc.|Lighting device|

US7573074B2|2006-05-19|2009-08-11|Bridgelux, Inc.|LED electrode|

US7829905B2|2006-09-07|2010-11-09|Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd.|Semiconductor light emitting device|

US8333488B2|2007-01-17|2012-12-18|Lighting Science Group Corporation|Optical assembly having primary reflector and secondary reflector|

US9159888B2|2007-01-22|2015-10-13|Cree, Inc.|Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method|

US9024349B2|2007-01-22|2015-05-05|Cree, Inc.|Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method|

DE102007003282A1|2007-01-23|2008-07-24|Osram Opto Semiconductors Gmbh|Leuchtdiodenchip|

JP2008192782A|2007-02-05|2008-08-21|Toyota Central R&D Labs Inc|電極及びそれを有するｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子|

TW200834969A|2007-02-13|2008-08-16|Epistar Corp|Light-emitting diode and method for manufacturing the same|

WO2008149250A1|2007-06-04|2008-12-11|Koninklijke Philips Electronics N.V.|Color-tunable illumination system, lamp and luminaire|

US7942556B2|2007-06-18|2011-05-17|Xicato, Inc.|Solid state illumination device|

GB2451334B|2007-07-19|2011-07-13|Photonstar Led Ltd|Vertical led with conductive vias|

DE202007015112U1|2007-10-29|2008-01-03|Ansorg Gmbh|Leuchte mit einer Kombination von Reflektoren|

US9634191B2|2007-11-14|2017-04-25|Cree, Inc.|Wire bond free wafer level LED|

US8368100B2|2007-11-14|2013-02-05|Cree, Inc.|Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same|

US8118451B2|2008-03-13|2012-02-21|Fraen Corporation|Reflective variable spot size lighting devices and systems|

JP2009260316A|2008-03-26|2009-11-05|Panasonic Electric Works Co Ltd|半導体発光素子およびそれを用いる照明装置|

DE102008035900A1|2008-04-30|2009-11-05|Osram Opto Semiconductors Gmbh|Leuchtdiodenchip|

CN102113119A|2008-05-29|2011-06-29|克利公司|具有近场混合的光源|

CN101621054A|2008-07-01|2010-01-06|展晶科技有限公司|发光二极管光源装置|

US8415691B2|2008-08-18|2013-04-09|Tsmc Solid State Lighting Ltd.|Omnidirectional reflector|

JP5426124B2|2008-08-28|2014-02-26|株式会社東芝|半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置|

TW201011936A|2008-09-05|2010-03-16|Advanced Optoelectronic Tech|Light emitting device and fabrication thereof|

EP2326869B1|2008-09-12|2016-06-29|Koninklijke Philips N.V.|Luminaire and illumination system|

KR101530876B1|2008-09-16|2015-06-23|삼성전자 주식회사|발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법|

US8858032B2|2008-10-24|2014-10-14|Cree, Inc.|Lighting device, heat transfer structure and heat transfer element|

US7922366B2|2008-11-07|2011-04-12|Chia-Mao Li|LED light source with light refractor and reflector|

US8791471B2|2008-11-07|2014-07-29|Cree Hong Kong Limited|Multi-chip light emitting diode modules|

US8575633B2|2008-12-08|2013-11-05|Cree, Inc.|Light emitting diode with improved light extraction|

US7915629B2|2008-12-08|2011-03-29|Cree, Inc.|Composite high reflectivity layer|

US8476668B2|2009-04-06|2013-07-02|Cree, Inc.|High voltage low current surface emitting LED|

US7985970B2|2009-04-06|2011-07-26|Cree, Inc.|High voltage low current surface-emitting LED|

US9362459B2|2009-09-02|2016-06-07|United States Department Of Energy|High reflectivity mirrors and method for making same|

KR101100681B1|2009-09-10|2012-01-03|주식회사 에피밸리|반도체 발광소자|

US9353933B2|2009-09-25|2016-05-31|Cree, Inc.|Lighting device with position-retaining element|

WO2011071100A1|2009-12-11|2011-06-16|昭和電工株式会社|半導体発光素子、半導体発光素子を用いた発光装置および電子機器|

KR101081196B1|2010-03-22|2011-11-07|엘지이노텍 주식회사|발광소자 및 그 제조방법과 발광소자 패키지|US8455882B2|2010-10-15|2013-06-04|Cree, Inc.|High efficiency LEDs|

US9362459B2|2009-09-02|2016-06-07|United States Department Of Energy|High reflectivity mirrors and method for making same|

US9435493B2|2009-10-27|2016-09-06|Cree, Inc.|Hybrid reflector system for lighting device|

US9728676B2|2011-06-24|2017-08-08|Cree, Inc.|High voltage monolithic LED chip|

US10243121B2|2011-06-24|2019-03-26|Cree, Inc.|High voltage monolithic LED chip with improved reliability|

US9847372B2|2011-12-01|2017-12-19|Micron Technology, Inc.|Solid state transducer devices with separately controlled regions, and associated systems and methods|

US9450152B2|2012-05-29|2016-09-20|Micron Technology, Inc.|Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods|

US10439112B2|2012-05-31|2019-10-08|Cree, Inc.|Light emitter packages, systems, and methods having improved performance|

US9349929B2|2012-05-31|2016-05-24|Cree, Inc.|Light emitter packages, systems, and methods|

JP2014139997A|2013-01-21|2014-07-31|Rohm Co Ltd|発光素子および発光素子パッケージ|

DE102013100818A1|2013-01-28|2014-07-31|Osram Opto Semiconductors Gmbh|Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips|

US9748443B2|2013-03-18|2017-08-29|Epistar Corporation|Light emitting device|

US9196806B2|2013-03-18|2015-11-24|Epistar Corporation|Light emitting device|

DE102013107531A1|2013-07-16|2015-01-22|Osram Opto Semiconductors Gmbh|Optoelektronischer Halbleiterchip|

JP2016528728A|2013-07-18|2016-09-15|コーニンクレッカフィリップスエヌヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅＰｈｉｌｉｐｓＮ．Ｖ．|高反射フリップチップｌｅｄダイ|

US10283681B2|2013-09-12|2019-05-07|Cree, Inc.|Phosphor-converted light emitting device|

US10278243B2|2014-03-06|2019-04-30|Seoul Semiconductor Co., Ltd.|Backlight module with MJT LED and backlight unit including the same|

CN104347775B|2014-09-28|2017-10-17|映瑞光电科技有限公司|具有图形化n电极的led芯片|

US10690305B2|2014-10-28|2020-06-23|Ideal Industries Lighting Llc|Edge lit fixture|

US11079076B2|2014-10-28|2021-08-03|Ideal Industries Lighting Llc|Edge lit fixture|

KR102282137B1|2014-11-25|2021-07-28|삼성전자주식회사|반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치|

US10658546B2|2015-01-21|2020-05-19|Cree, Inc.|High efficiency LEDs and methods of manufacturing|

US9324884B1|2015-02-12|2016-04-26|Cindy X. Qiu|Metal oxynitride diode devices|

US9412907B1|2015-04-17|2016-08-09|Cree, Inc.|Graded vias for LED chip P- and N- contacts|

KR20170029077A|2015-09-04|2017-03-15|삼성전자주식회사|발광소자 패키지|

US10991861B2|2015-10-01|2021-04-27|Cree, Inc.|Low optical loss flip chip solid state lighting device|

JP6824501B2|2017-02-08|2021-02-03|ウシオ電機株式会社|半導体発光素子|

US11031527B2|2018-01-29|2021-06-08|Creeled, Inc.|Reflective layers for light-emitting diodes|

CN108428774B|2018-03-29|2019-08-23|映瑞光电科技有限公司|一种led芯片|

CN110731016A|2018-11-13|2020-01-24|厦门市三安光电科技有限公司|发光二极管|

US10879441B2|2018-12-17|2020-12-29|Cree, Inc.|Interconnects for light emitting diode chips|

US10985294B2|2019-03-19|2021-04-20|Creeled, Inc.|Contact structures for light emitting diode chips|

US11094848B2|2019-08-16|2021-08-17|Creeled, Inc.|Light-emitting diode chip structures|

法律状态:

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

US13/168,689|US8686429B2|2011-06-24|2011-06-24|LED structure with enhanced mirror reflectivity|

[返回顶部]