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    本發明的課題是在於提供一種可使基板的溫度加快變化之溫度控制單元。其解決手段為：與基板(W)接觸來控制該基板(W)的溫度之溫度控制單元(15)係具備：與基板(W)接觸之板狀的單元本體(16)，及被埋設於該單元本體(16)內之複數的直線狀的加熱器(17)，及被形成於單元本體(16)內而在內部流動預定溫度的媒體之冷卻器流路，各加熱器(17)是彼此平行配置，冷卻器流路(18)是被配置成經過鄰接的2個加熱器(17)之間的部分，在與單元本體(16)的平面視的1個加熱器(17)垂直的方向，各加熱器(17)及冷卻器流路(18)是交替地以等間隔配置。
    公开号:TW201308497A
    申请号:TW101126293
    申请日:2012-07-20
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Seiji Tanaka；hideto Yoshiya；Toshimitsu Sakai
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    溫度控制單元、基板載置台、基板處理裝置、溫度控制系統及基板處理方法
    本發明是有關對基板實施處理溫度不同的複數個熱處理時所使用的溫度控制單元、基板載置台、基板處理裝置、溫度控制系統、及基板處理方法。
    在FPD(Flat Panel Display)，太陽電池或MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)的製造過程中，對基板實施各種的熱處理，例如成膜處理。以往，在對基板實施處理溫度不同的複數個熱處理時，每個熱處理不同的基板處理裝置會對基板實施該當的熱處理，但近年來基於生產性提升的觀點，為了使處理能力提升，而被要求在1個的基板處理裝置中實施處理溫度不同的複數個熱處理。
    作為如此的基板處理裝置，有在處理室內具備載置基板的基板載置台，該基板載置台是具備：形成有媒體流路的冷卻套(cooling jacket)，及配在該冷卻套下的加熱器之基板處理裝置為人所知(例如參照專利文獻1)。
    在專利文獻1的基板處理裝置是使加熱器發熱來使基板載置台的載置面，具體而言是使冷卻套之與基板的接觸面的溫度上昇，藉此加熱基板，且對冷卻套的媒體流路流動低溫的冷媒來使上述接觸面的溫度下降，藉此冷卻基板。 〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
    〔專利文獻1〕日本特公平7-105422號公報
    然而，在專利文獻1的基板處理裝置，由於冷卻套與加熱器是個別被分開，因此在冷卻套及加熱器之間產生物理性的境界。該境界是例如藉由加熱器來加熱基板時，成為熱阻(Thermal resistance)，阻礙來自加熱器的熱往冷卻套傳送，因此會有基板的溫度不會加快變化的間題。
    本發明的目的是在於提供一種可使基板的溫度加快變化之溫度控制單元，基板載置台，基板處理裝置，溫度控制系統，及基板處理方法。
    為了達成上述目的，請求項1記載的溫度控制單元，係與基板接觸來控制該基板的溫度之溫度控制單元，其特徵係具備：與前述基板接觸之板狀的本體，及被埋設於該本體內之複數的直線狀的加熱器，及被形成於前述本體內而在內部流動預定溫度的媒體之媒體流路，各前述加熱器係彼此平行配置，前述媒體流路係被配置成經過鄰接的2個前述加熱器之間的部分。
    請求項2記載的溫度控制單元，係於請求項1記載的溫度控制單元中，在與前述本體的平面視的1個前述加熱器垂直的方向，各前述加熱器及前述媒體流路係交替地以等間隔配置。
    請求項3記載的溫度控制單元，係於請求項1或2記載的溫度控制單元中，在前述本體之與前述基板的接觸面相反側的面，更具備被配置成對應於被埋設在前述本體內的各加熱器的位置之蓋，前述蓋係可開閉。
    請求項4記載的溫度控制單元，係於請求項3記載的溫度控制單元中，前述本體係具有用以安裝前述蓋的螺絲用的螺孔，前述媒體流路係於鄰接的2個前述加熱器之間蛇行成避開前述螺孔。
    請求項5記載的溫度控制單元，係於請求項4記載的溫度控制單元中，前述蛇行的媒體流路的曲部之前述本體的平面視的曲率為半徑40mm以上。
    為了達成上述目的，請求項6記載的基板載置台，係載置基板的基板載置台，其特徵係具備：與前述基板接觸來控制該基板的溫度之溫度控制單元，及支撐該溫度控制單元的基部，前述溫度控制單元係具有：與前述基板接觸之板狀的本體，及被埋設於該本體內之複數的直線狀的加熱器，及被形成於前述本體內而在內部流動預定溫度的媒體之媒體流路，各前述加熱器係彼此平行配置，前述媒體流路係被配置成經過鄰接的2個前述加熱器之間的部分。
    為了達成上述目的，請求項7記載的基板處理裝置，係對基板實施處理的基板處理裝置，其特徵係具備：收容前述基板的收容室，及被配置於該收容室內而載置前述基板的基板載置台，前述基板載置台係具有：與前述基板接觸來控制該基板的溫度之溫度控制單元，及支撐該溫度控制單元的基部，前述溫度控制單元係具有：與前述基板接觸之板狀的本體，及被埋設於該本體內之複數的直線狀的加熱器，及被形成於前述本體內而在內部流動預定溫度的媒體之媒體流路，各前述加熱器係彼此平行配置，前述媒體流路係被配置成經過鄰接的2個前述加熱器之間的部分。
    為了達成上述目的，請求項8記載的溫度控制系統，係控制基板的溫度之溫度控制系統，其特徵係具備：溫度控制單元，其係具有：與前述基板接觸之板狀的本體，及被埋設於該本體內之複數的直線狀的加熱器，及被形成於前述本體內而在內部流動預定溫度的媒體之媒體流路，與前述基板接觸來控制該基板的溫度；加熱器控制單元，其係控制前述加熱器的發熱量；及媒體控制單元，其係控制流動於前述媒體流路的媒體的流量或溫度，在前述溫度控制單元的前述本體中，各前述加熱器係彼此平行配置，前述媒體流路係被配置成經過鄰接的2個前述加熱器之間的部分。
    為了達成上述目的，請求項9記載的基板處理方法，係使用溫度控制單元的基板處理方法，該溫度控制單元係與基板接觸來控制該基板的溫度之溫度控制單元，具備：與前述基板接觸之板狀的本體，及被埋設於該本體內之複數的直線狀的加熱器，及被形成於前述本體內而在內部流動預定溫度的媒體之媒體流路，各前述加熱器係彼此平行配置，前述媒體流路係被配置成位於鄰接的2個前述加熱器之間，其特徵為：在將前述基板冷卻至目標冷卻溫度時，往前述媒體流路供給比前述目標冷卻溫度更低的溫度的媒體。
    請求項10記載的基板處理方法，係於請求項9記載的基板處理方法中，當前述溫度控制單元的本體的溫度到達僅比前述目標冷卻溫度高第1預定溫度的第1控制變更溫度時，將往前述媒體流路供給的媒體的溫度變更至前述目標冷卻溫度。
    請求項11記載的基板處理方法，係於請求項10記載的基板處理方法中，前述第1預定溫度為2℃以上且未滿20℃。
    請求項12記載的基板處理方法，係於請求項9~11的任一項所記載的基板處理方法中，當前述溫度控制單元的本體的溫度到達僅比前述目標冷卻溫度高第2預定溫度的第2控制變更溫度時，使前述加熱器發熱，前述第2預定溫度係比前述第1預定溫度更低。
    請求項13記載的基板處理方法，係於請求項12記載的基板處理方法中，前述第2預定溫度為1℃以上且未滿10℃。
    請求項14記載的基板處理方法，係於請求項9~13的任一項所記載的基板處理方法中，在將前述基板加熱至目標加熱溫度時，使前述加熱器發熱，且往前述媒體流路供給比前述目標加熱溫度更高的溫度的媒體。
    若根據本發明，則在溫度控制單元的本體內不僅媒體流路，還配置有複數的加熱器，因此不會有來自加熱器的熱往本體的傳達受阻的情形。其結果，可使基板的溫度快變化。並且，各加熱器是彼此平行配置，媒體流路是被配置成位於鄰接的2個加熱器之間，因此可提升本體的加熱處及冷卻處的配置的平衡，進而能夠使與本體接觸的基板的溫度安定且均一地變化。
    又，若根據本發明，則在將基板冷卻至目標冷卻溫度時，因為供給比目標冷卻溫度更低的溫度的媒體至溫度控制單元的本體內的媒體流路，所以可迅速地進行基板的冷卻，進而能夠使基板的溫度快變化。
    以下，一邊參照圖面一邊說明有關本發明的實施形態。
    首先，說明有關本發明的實施形態的基板處理裝置。
    圖1是概略性地表示本實施形態的基板處理裝置的構成的剖面圖。
    在圖1中，基板處理裝置10是具備：收容基板的收容室11；配置於該收容室11內的下部來載置基板W的基板載置台12；及在收容室11內的上部配置成與基板載置台12對向之淋浴頭狀的氣體供給部13，對被收容於收容室11的基板W實施成膜處理。
    基板載置台12會控制所被載置的基板W的溫度，氣體供給部13會對收容室11內供給處理氣體。在基板處理裝置10，氣體供給部13會供給成膜用的處理氣體，且基板載置台12會將基板W加熱至預定的高溫，藉此對該基板W實施成膜處理。
    基板載置台12是具有：從收容室11的下方立設的基部14，及支撐於該基部14上端的溫度控制單元15。溫度控制單元15是具有：接觸基板W的板狀的單元本體16，及埋設於內部的加熱器17、及形成於同內部的冷卻器流路18(媒體流路)，及埋設於同內部的溫度感測器A。單元本體16是由傳熱性高的材料例如鋁所構成，加熱器17是經由配線20來與外部的加熱器控制器19(加熱器控制單元)連接，從該加熱器控制器19供給電力，藉此發熱。冷卻器流路18是經由配管22來與外部的冷卻器控制器21(媒體控制單元)連接，使冷卻器流路18的內部流動從冷卻器控制器21循環供給的媒體例如Galden®(註冊商標)。
    藉由加熱器17發熱來使單元本體16的溫度上昇而加熱接觸於該單元本體16的基板W，冷卻器流路18是藉由在內部流動低溫的媒體(冷媒)來使單元本體16的溫度下降而冷卻接觸於該單元本體16的基板W。加熱器控制器19、冷卻器控制器21及溫度感測器A是與裝置控制器23連接，裝置控制器23是以埋設於單元本體16的溫度感測器A的溫度能夠收於預定的範圍之方式控制加熱器控制器19及冷卻器控制器21。具體而言，加熱器控制器19是從裝置控制器23接收訊號，按照該訊號來控制供給至加熱器17的電力的供給量或供給時機，冷卻器控制器21也是從裝置控制器23接收訊號，按照該訊號來控制供給至冷卻器流路18的媒體的溫度、供給量或供給時機。
    圖2是概略性地表示圖1的溫度控制單元的構成圖，圖2(A)是水平剖面圖，圖2(B)是縱剖面圖，圖2(C)是底面圖。
    在圖2中，在溫度控制單元15的單元本體16的內部是埋設有溫度感測器A，且6根直線狀的加熱器17是彼此平行配置。埋設溫度感測器A的位置是剖面視最好接近與基板W的接觸面16a之處(參照圖2(B))，底面視最好中央部(參照圖2(C))，但並未特別加以特定。各加熱器17是分別藉由連接3個加熱器17的2條電線20來分成平面視呈E字狀的2組。各組是E字的開放端彼此間對向，配置成在一方的組中鄰接的2個加熱器17之間存在另一方的組的1個加熱器17。
    並且，在單元本體16的內部形成有1條的冷卻器流路18。冷卻器流路18是平面視，以在鄰接的2個加熱器17之間離兩加熱器17等距離位置的方式經過兩加熱器17之間的部分，且在各加熱器17的端部配置成擁有彎曲部。而且，在單元本體16中，各加熱器17及冷卻器流路18是在與平面視的1個加熱器17垂直的方向D交替等間隔配置(圖2(A))。
    在單元本體16之與基板W的接觸面16a相反側的背面16b，以對應於單元本體16所埋設的各加熱器17的組之方式設有呈E字狀的維修用的蓋24，25。單元本體16是具有用以將維修用的蓋24及25安裝至該單元本體16的安裝螺絲用的螺孔26。另外，如圖2(A)所示，在本實施形態是對1個加熱器17設有2個螺孔26，但螺孔26的數量並無特別加以限定。
    在溫度控制單元15，當溫度感測器A故障時，或某加熱器17斷線時，卸下單元本體16，且卸下安裝螺絲，藉此打開背面的維修用的蓋24或25，更換故障的溫度感測器A或斷線的加熱器17。
    若根據圖2的溫度控制單元15，則在單元本體16內不僅冷卻器流路18，還配置有複數的加熱器17，因此在將加熱器17及冷卻器流路18作為個別的單元設置時所產生加熱器17及冷卻器流路18之間的境界部不會存在，無該境界部所造成的熱阻，因此不會有來自加熱器17的熱往單元本體16的傳達受阻的情形。並且，在單元本體16內埋設有溫度感測器A，因此可精度佳地測定單元本體16的溫度。其結果，可使基板W的溫度快變化。
    並且，在溫度控制單元15中，各加熱器17是彼此平行配置，冷卻器流路18是被配置成經過鄰接的2個加熱器17之間的部分，且在與單元本體16的平面視的1個加熱器17垂直的方向D，各加熱器17及冷卻器流路18是交替地以等間隔配置，因此可使單元本體16的加熱處及冷卻處的配置的平衡提升。其結果，可使與單元本體16接觸的基板W的溫度安定且均一地變化。
    並且，藉由將監視單元本體16的溫度之溫度感測器A埋設於儘可能靠近與基板W的接觸面16a的位置，可縮小基板W與藉由溫度感測器A所測定的單元本體16之間的溫度梯度，因此可精度佳地控制基板W的溫度。
    並且，溫度控制單元15是在單元本體16的背面16b更具備被配置成對應於各加熱器17的位置之可開閉的維修用的蓋24，25，因此即使溫度感測器A或加熱器17損壞，還是可更換該加熱器17，進而能夠降低溫度控制單元15的運行成本。又，由於維修用的蓋24、25不是被配置於單元本體16的接觸面16a而是背面16b，因此不會有維修用的蓋24、25與單元本體16之間的境界成為熱阻而阻礙加熱器17之基板W的加熱或流動於冷卻器流路18的內部的冷媒之基板W的冷卻，進而能夠使基板W的溫度更快變化。
    另外，在本實施形態中是說明加熱器17為彼此平行的直線狀的加熱器，但亦可配合進行熱交換的區域的形狀，將同形狀之曲線狀的加熱器配置成彼此間的距離會形成一定。此情況，曲線狀的加熱器，例如亦可為以圓弧狀的曲線或放物線狀的曲線所構成的加熱器，且亦可為一面指向一方向一面蛇行的曲線狀的加熱器。在蛇行的加熱器時，鄰接的加熱器亦可為彼此成為鏡面對稱的形狀或平行移動的形狀。
    而且，在本實施形態中，冷卻器流路18是說明由一條的流路所構成的一系統的流路，但亦可構成為由二條或以上的流路所構成的複數系統的流路。一條的流路是在上游及下游之間容易產生溫度差，但若以複數的流路來構成，則一系統的流路會變短，因此可縮小上游及下游之間的溫度差，可緩和在單元本體16的面內之熱交換的不均一。
    圖3是概略性地表示圖1的溫度控制單元的變形例的構成圖，圖3(A)是水平剖面圖，圖3(B)是縱剖面圖，圖3(C)是底面圖。本變形例是加熱器的數量及冷卻器的形狀與圖2的溫度控制單元15不同。
    可是，為了確保各螺孔26的機能，例如鎖緊力的發揮或對鎖緊力的耐性，須要離加熱器17或冷卻器流路18一定的距離以上來配置各螺孔26。其結果，加熱器17或冷卻器流路18的配置場所是被螺孔26的配置場所所左右。具體而言，在圖2的溫度控制單元15中，加熱器17或冷卻器流路18是被形成直線狀，因此若考慮各螺孔26的配置場所，則無法使各加熱器17及冷卻器流路18某一定以上靠近，可配置的加熱器17的數量會被限制，且媒體流路18也無法細彎，因此恐有單元本體16的面內的溫度分布成為不均一之虞。對於此，圖3的溫度控制單元27是在鄰接的2個加熱器17之間以能夠避開安裝螺絲用的螺孔26之方式使冷卻器流路18蛇行。藉此，只要在冷卻器流路18的各曲部18a的內側配置各螺孔26，便可從各螺孔26到冷卻器流路18確保一定的距離，且可使與該曲部18a鄰接的曲部18b往加熱器17靠近。藉此，可使各加熱器17及冷卻器流路18比圖2的溫度控制單元15的加熱器17及冷卻器流路18更靠近。其結果，可在單元本體16中配置更多的加熱器17，且可使冷卻器流路18更細彎，因此可使單元本體16的面內的溫度均一性提升。例如，在圖3的溫度控制單元27中可配置8個的加熱器17。
    並且，在溫度控制單元27中，蛇行的冷卻器流路18之單元本體16的平面視的曲率會被設定成半徑40mm以上。藉此，不會有冷卻器流路18的電導極端降低的情形，因此不會有流動於冷卻器流路18內的媒體的壓損發生的情形，可防止媒體的供給效率降低。
    另外，在本變形例中是使冷卻器流路18蛇行來迴避螺孔26，但亦可不是冷卻器流路18，而是使加熱器17蛇行來迴避螺孔26。
    其次，說明有關本發明的實施形態的基板處理方法。本實施形態的基板處理方法是在具備溫度控制單元15的基板處理裝置10中由裝置控制器23實行。另外，本實施形態的基板處理方法是以單元本體16的溫度替代基板W的溫度，藉由加熱器17或冷卻器流路18來控制單元本體16的溫度。
    圖4是表示本實施形態的基板處理方法的基板的冷卻時的各部溫度的順序圖。
    在圖4中，一旦開始冷卻至例如250℃的基板W的目標冷卻溫度，例如120℃，則加熱器控制器19停止往加熱器17的電力供給，冷卻器控制器21係使往冷卻器流路18供給的媒體的溫度降低至比目標冷卻溫度更低的溫度之冷卻用溫度，例如80℃。然後，一旦單元本體16藉由冷卻用溫度的媒體來冷卻而到達僅比目標冷卻溫度高2℃以上且未滿20℃的預定溫度(第1預定溫度)之溫度(第1控制變更溫度)，例如130℃，則冷卻器控制器21係將往冷卻器流路18供給的媒體的溫度變更至目標冷卻溫度，使降溫速度降低，而緩和單元本體16的降溫程度。
    若根據本實施形態的基板處理方法，則在將基板W冷卻至目標冷卻溫度時，由於對冷卻器流路18供給比目標冷卻溫度更低的溫度(冷卻用溫度)的媒體，因此可迅速地進行基板W的冷卻，進而能夠使基板W的溫度快變化。
    並且，本實施形態的基板處理方法是當單元本體16的溫度到達比目標冷卻溫度更高的第1控制變更溫度時，會將被供給至冷卻器流路18的媒體的溫度變更至目標冷卻溫度，因此不會有單元本體16過度被冷卻的情形，進而能夠防止單元本體16的溫度低於目標冷卻溫度。
    上述本實施形態的基板處理方法是一旦往加熱器17的電力供給被停止，則之後電力的供給是不被恢復，但亦可意圖性地再開始電力的供給。
    圖5是表示本實施形態的基板處理方法的變形例的基板的冷卻時的各部溫度的順序圖。
    在圖5中，一旦開始基板W的冷卻，則加熱器控制器19停止往加熱器17的電力供給，冷卻器控制器21係使往冷卻器流路18供給的媒體的溫度降低至冷卻用溫度，一旦單元本體16被冷卻而到達第1控制變更溫度，則冷卻器控制器21係將往冷卻器流路18供給的媒體的溫度變更至目標冷卻溫度。
    之後，一旦單元本體16再被冷卻而到達僅比目標冷卻溫度高1℃以上且未滿10℃的預定溫度(第2預定溫度)之溫度(第2控制變更溫度)，例如125℃，則加熱器控制器19恢復往加熱器17的電力供給。藉此，將媒體的溫度變更至目標冷卻溫度之後，即使單元本體16的降溫速度未下降成期待的程度，還是可藉由加熱單元本體16來緩和單元本體16的降溫速度，進而能夠確實地防止單元本體16的溫度低於目標冷卻溫度。
    又，本實施形態的基板處理方法是在基板W的加熱時亦可使往冷卻器流路18供給的媒體的溫度變更。
    圖6是表示本實施形態的基板處理方法的基板的加熱時的各部溫度的順序圖。
    在圖6中，一旦開始加熱至例如60℃的基板W的目標加熱溫度，例如250℃，則加熱器控制器19開始往加熱器17的電力供給，冷卻器控制器21係使往冷卻器流路18供給的媒體的溫度上昇至比目標加熱溫度更高的溫度之加熱用溫度，例如280℃。然後，一旦單元本體16被加熱而到達僅比目標加熱溫度低2℃以上且未滿20℃的預定溫度之溫度(第3控制變更溫度)，例如240℃，則冷卻器控制器21係將往冷卻器流路18供給的媒體的溫度變更至目標加熱溫度。
    上述的基板處理方法是在將基板W加熱至目標加熱溫度時，往冷卻器流路18供給比目標加熱溫度更高的溫度(加熱用溫度)的媒體，因此可迅速地進行基板W的加熱，進而能夠使基板W的溫度加快變化。
    並且，上述的基板處理方法是當單元本體16的溫度到達比目標加熱溫度更低的第3控制變更溫度時，將往冷卻器流路18供給的媒體的溫度變更至目標加熱溫度，因此不會有單元本體16被過度加熱的情形，進而能夠防止單元本體16的溫度高於目標加熱溫度。
    上述的基板處理方法是一旦往加熱器17的電力供給開始，則之後電力的供給不被停止，但亦可意圖性地停止電力的供給。
    圖7是表示本實施形態的基板處理方法的變形例的基板的加熱時的各部溫度的順序圖。
    在圖7中，一旦開始基板W的加熱，則加熱器控制器19開始往加熱器17供給電力，冷卻器控制器21係使往冷卻器流路18供給的媒體的溫度上昇至加熱用溫度，一旦單元本體16被加熱而到達第3控制變更溫度，則冷卻器控制器21係將往冷卻器流路18供給的媒體的溫度變更至目標加熱溫度。
    然後，一旦單元本體16再被加熱而到達僅比目標加熱溫度低1℃以上且未滿10℃的預定溫度之溫度(第4控制變更溫度)，例如245℃，則加熱器控制器19停止往加熱器17的電力供給。藉此，將媒體的溫度變更至目標加熱溫度之後，即使單元本體16的昇溫速度未下降成期待的程度，還是可藉由停止加熱器17的發熱來急劇地減少往單元本體16的熱供給量而緩和單元本體16的昇溫速度，進而能夠確實地防止單元本體16的溫度高於目標加熱溫度。
    另外，實行本實施形態的基板處理方法之基板處理裝置10的基板載置台12的溫度控制單元15是如上述般，在單元本體16內不僅冷卻器流路18還配置有複數的加熱器17及溫度感測器A，單元本體16的溫度藉由溫度感測器A來監視在冷卻器流路18的內部流動的媒體的溫度或加熱器17的溫度，藉此可精度佳地實行圖6或圖7所示那樣併用加熱器17的加熱及冷卻器流路18的加熱之基板處理方法。
    上述本實施形態的基板處理方法是適用於處理溫度不同的複數個成膜處理之間的基板W的溫度調整，但實行該基板處理方法時的收容室11內的壓力並無特別加以限定，大氣壓乃至真空皆可。
    又，上述的本實施形態是說明有關進行成膜處理時，但可適用本發明的處理只要是須要迅速的溫度變化的處理即可，並不限於上述的成膜處理。
    又，上述本實施形態的基板處理方法是由裝置控制器23來實行，但亦可由經由網路來與基板處理裝置10連接的外部伺服器(未圖示)控制加熱器控制器19或冷卻器控制器21的動作來實行。
    又，被供給至冷卻器流路18的媒體並非限於Galden®，例如可使用油系的媒體之矽油。
    以上，利用上述實施形態來說明有關本發明，但本發明並非限於上述實施形態。
    本發明的目的亦可藉由將記錄實現上述實施形態的機能的軟體程式之記憶媒體供應給電腦等，電腦的CPU讀出儲存於記憶媒體的程式來執行而達成。
    此情況，從記憶媒體讀出的程式本身會實現上述實施形態的機能，程式及記憶該程式的記憶媒體是構成本發明。
    並且，用以供給程式的記憶媒體是例如可為RAM、NV-RAM、軟碟(floppy)(註冊商標)、硬碟、光磁碟、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等的光碟、磁帶、非揮發性的記憶卡、及其他的ROM等記憶上述程式者。或者，上述程式亦可從連接至網際網路、商用網路、或局部區域網路等之未圖示的其他電腦或資料庫等來下載而供應給電腦。
    而且，藉由執行電腦的CPU所讀出的程式，不僅上述實施形態的機能會被實現，且亦包含在CPU上運作的OS(操作系統)等會根據該程式的指示來進行實際的處理的一部分或全部，藉由該處理來實現上述實施形態的機能時。
    甚至，亦包含從記憶媒體讀出的程式在被寫入至插入電腦的機能擴充板或連接至電腦的機能擴充單元所具備的記憶體之後，該機能擴充板或機能擴充單元所具備的CPU等會根據該程式的指示來進行實際的處理的一部分或全部，藉由該處理來實現上述實施形態的機能時。
    上述程式的形態亦可由物件程式碼(Object Code)、藉由直譯器(interpreter)所執行的程式、被供給至OS的劇本資料(script data)等的形態所構成。
    A‧‧‧溫度感測器
    10‧‧‧基板處理裝置
    12‧‧‧基板載置台
    15，27‧‧‧溫度控制單元
    16‧‧‧單元本體
    17‧‧‧加熱器
    18‧‧‧冷卻器流路
    19‧‧‧加熱器控制器
    21‧‧‧冷卻器控制器
    24，25‧‧‧維修用的蓋
    26‧‧‧螺孔
    圖1是概略性地表示本發明的實施形態的基板處理裝置的構成的剖面圖。
    圖2是概略性地表示圖1的溫度控制單元的構成圖，圖2(A)是水平剖面圖，圖2(B)是縱剖面圖，圖2(C)是底面圖。
    圖3是概略性地表示圖1的溫度控制單元的變形例的構成圖，圖3(A)是水平剖面圖，圖3(B)是縱剖面圖，圖3(C)是底面圖。
    圖4是本發明的實施形態的基板處理方法的基板的冷卻時的各部溫度的順序圖。
    圖5是表示本發明的實施形態的基板處理方法的變形例的基板的冷卻時的各部溫度的順序圖。
    圖6是表示本發明的實施形態的基板處理方法的基板的加熱時的各部溫度的順序圖。
    圖7是表示本發明的實施形態的基板處理方法的變形例的基板的加熱時的各部溫度的順序圖。
    A‧‧‧溫度感測器
    15‧‧‧溫度控制單元
    16‧‧‧單元本體
    16a‧‧‧接觸面
    16b‧‧‧背面
    17‧‧‧加熱器
    18‧‧‧冷卻器流路
    20‧‧‧配線
    24，25‧‧‧維修用的蓋
    26‧‧‧螺孔
    权利要求:
    Claims (14)
    [1] 一種溫度控制單元，係與基板接觸來控制該基板的溫度之溫度控制單元，其特徵係具備：與前述基板接觸之板狀的本體，及被埋設於該本體內之複數的直線狀的加熱器，及被形成於前述本體內而在內部流動預定溫度的媒體之媒體流路，各前述加熱器係彼此平行配置，前述媒體流路係被配置成經過鄰接的2個前述加熱器之間的部分。
    [2] 如申請專利範圍第1項之溫度控制單元，其中，在與前述本體的平面視的1個前述加熱器垂直的方向，各前述加熱器及前述媒體流路係交替地以等間隔配置。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之溫度控制單元，其中，在前述本體之與前述基板的接觸面相反側的面，更具備被配置成對應於被埋設在前述本體內的各加熱器的位置之蓋，前述蓋係可開閉。
    [4] 如申請專利範圍第3項之溫度控制單元，其中，前述本體係具有用以安裝前述蓋的螺絲用的螺孔，前述媒體流路係於鄰接的2個前述加熱器之間蛇行成避開前述螺孔。
    [5] 如申請專利範圍第4項之溫度控制單元，其中，前述蛇行的媒體流路的曲部之前述本體的平面視的曲率為半徑40mm以上。
    [6] 一種基板載置台，係載置基板的基板載置台，其特徵係具備：與前述基板接觸來控制該基板的溫度之溫度控制單元，及支撐該溫度控制單元的基部，前述溫度控制單元係具有：與前述基板接觸之板狀的本體，及被埋設於該本體內之複數的直線狀的加熱器，及被形成於前述本體內而在內部流動預定溫度的媒體之媒體流路，各前述加熱器係彼此平行配置，前述媒體流路係被配置成經過鄰接的2個前述加熱器之間的部分。
    [7] 一種基板處理裝置，係對基板實施處理的基板處理裝置，其特徵係具備：收容前述基板的收容室，及被配置於該收容室內而載置前述基板的基板載置台，前述基板載置台係具有：與前述基板接觸來控制該基板的溫度之溫度控制單元，及支撐該溫度控制單元的基部，前述溫度控制單元係具有：與前述基板接觸之板狀的本體，及被埋設於該本體內之複數的直線狀的加熱器，及被形成於前述本體內而在內部流動預定溫度的媒體之媒體流路，各前述加熱器係彼此平行配置，前述媒體流路係被配置成經過鄰接的2個前述加熱器之間的部分。
    [8] 一種溫度控制系統，係控制基板的溫度之溫度控制系統，其特徵係具備：溫度控制單元，其係具有：與前述基板接觸之板狀的本體，及被埋設於該本體內之複數的直線狀的加熱器，及被形成於前述本體內而在內部流動預定溫度的媒體之媒體流路，與前述基板接觸來控制該基板的溫度；加熱器控制單元，其係控制前述加熱器的發熱量；及媒體控制單元，其係控制流動於前述媒體流路的媒體的流量或溫度，在前述溫度控制單元的前述本體中，各前述加熱器係彼此平行配置，前述媒體流路係被配置成經過鄰接的2個前述加熱器之間的部分。
    [9] 一種基板處理方法，係使用溫度控制單元的基板處理方法，該溫度控制單元係與基板接觸來控制該基板的溫度之溫度控制單元，具備：與前述基板接觸之板狀的本體，及被埋設於該本體內之複數的直線狀的加熱器，及被形成於前述本體內而在內部流動預定溫度的媒體之媒體流路，各前述加熱器係彼此平行配置，前述媒體流路係被配置成經過鄰接的2個前述加熱器之間的部分，其特徵為：在將前述基板冷卻至目標冷卻溫度時，往前述媒體流路供給比前述目標冷卻溫度更低的溫度的媒體。
    [10] 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，當前述溫度控制單元的本體的溫度到達僅比前述目標冷卻溫度高第1預定溫度的第1控制變更溫度時，將往前述媒體流路供給的媒體的溫度變更至前述目標冷卻溫度。
    [11] 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，前述第1預定溫度為2℃以上且未滿20℃。
    [12] 如申請專利範圍第9~11項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，當前述溫度控制單元的本體的溫度到達僅比前述目標冷卻溫度高第2預定溫度的第2控制變更溫度時，使前述加熱器發熱，前述第2預定溫度係比前述第1預定溫度更低。
    [13] 如申請專利範圍第12項之基板處理方法，其中，前述第2預定溫度為1℃以上且未滿10℃。
    [14] 如申請專利範圍第9~13項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，在將前述基板加熱至目標加熱溫度時，使前述加熱器發熱，且往前述媒體流路供給比前述目標加熱溫度更高的溫度的媒體。
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