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    • 专利摘要:
    本發明的課題是在為了改善圖案遮罩的粗糙而進行處理的方法中，防止圖案遮罩的溶解，且在基板的面內使該圖案遮罩的表面均一地平滑化。其解決手段是進行：將形成有圖案遮罩的基板載置於處理容器內的平台之工程；及重複複數次，為了使前述圖案遮罩膨潤，而一邊將溶劑氣體供給至前述基板的中央部，一邊從基板的周圍排氣的步驟、及其次在該基板的中央部，一邊供給用以使溶劑乾燥之乾燥用的氣體，一邊從基板的周圍排氣的步驟之工程。藉由溶劑氣體流動於基板上的方向與乾燥用的氣體流動於基板上的方向彼此一致，在基板的面內被多量供給溶劑之處會藉由乾燥用的氣體來迅速乾燥，藉由重複溶劑氣體的供給及乾燥用的氣體的供給，可抑制往圖案遮罩內部之溶劑的浸透。
    公开号:TW201308467A
    申请号:TW101106982
    申请日:2012-03-02
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Shinji Kobayashi；Fumiko Iwao
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體
    本發明是有關改善圖案遮罩的粗糙之基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體。
    基於曝光處理時照射於晶圓的阻劑膜的光的波動的性質，在顯像後所形成的阻劑圖案有被稱為LWR(Line Width Roughness)的測定尺寸的偏差發生。一旦以如此圖案粗糙的阻劑膜作為遮罩來蝕刻底層膜，則蝕刻形狀會影響此粗糙，其結果藉由蝕刻所形成的電路圖案的形狀也會粗糙，恐有無法製造所望的品質的半導體裝置。
    於是，檢討將阻劑圖案暴露於溶劑環境中，使其表面膨潤而令溶解，藉此使該阻劑圖案的表面平滑化。例如在專利文獻1是揭示有關具備：吸附晶圓的吸盤、及自晶圓上供給氣化後的溶劑的噴嘴、及使此噴嘴沿著前述晶圓的徑方向移動的移動機構、及包圍晶圓的側周且將內部排氣的杯體之基板處理裝置作為進行如此的處理之裝置。但，由於前述基板處理裝置設置前述杯體及噴嘴的移動機構，台面面積(footprint)變大，製造成本也比較高。
    為此，檢討利用具備：儲存晶圓的處理容器、及設於此處理容器的吐出口、及從前述吐出口供給氣化後的溶劑的供給機構之基板處理裝置來改善阻劑圖案的粗糙。但，此基板處理裝置會有難以在晶圓的面內進行均一性高的處理之問題。
    具體說明，前述氣化後的溶劑是一邊附著於晶圓，一邊流動於晶圓表面，因此在前述吐出口的附近溶劑的供給量要比離開吐出口的位置更多。並且，依前述吐出口及設於處理容器的排氣口的配置，在晶圓的面內氣化後的溶劑的流速會產生偏差，有濃度分布不同，溶劑的分子衝突於晶圓的比例變高之處。藉此，該阻劑圖案會有過大膨潤而傾倒、或溶解之虞。特別是為了在底層膜形成微細的電路圖案，若縮小阻劑圖案的線寬，則相對於圖案的厚度，溶劑滲入的厚度領域的比率會變大，因此可想像如此的圖案的傾倒或溶解容易產生。另一方面，因為離開晶圓的前述吐出口的位置或流速的偏差，在前述衝突的比例小的位置所被供給的溶劑少，所以恐有無法充分地消除阻劑圖案的粗糙之虞。
    在專利文獻1雖記載有關於改變供給方向來重複供給溶劑的情形，但有關解決上述問題的手法未有記載。並且，在專利文獻2也雖記載有關於從噴嘴供給氣化後的溶劑之基板處理裝置，但有關解決此問題的手法未有記載。 〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
    〔專利文獻1〕日本特許第4343018(段落0039、圖4等)
    〔專利文獻2〕日本特許第4328667(圖4等)
    本發明是基於如此的情事而研發者，其目的是在於提供一種可防止被形成於基板的圖案遮罩的溶解，且在基板的面內使該圖案遮罩的表面均一地平滑化之技術。
    本發明的基板處理方法，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的方法，其特徵為包括：將前述基板載置於處理容器內的平台之工程；重複複數次，為了使前述圖案遮罩膨潤，而一邊將溶劑氣體供給至前述基板的中央部，一邊從基板的周圍排氣的步驟、及其次在該基板的中央部，一邊供給用以使溶劑乾燥之乾燥用的氣體，一邊從基板的周圍排氣的步驟之工程。
    本發明的其他的基板處理方法，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的方法，其特徵為包括：將前述基板載置於處理容器內的平台之工程；重複複數次，為了使前述圖案遮罩膨潤，而一邊將溶劑氣體供給至前述基板的周圍，一邊從基板的中央部的上方排氣的步驟、及在該基板的周圍，一邊供給用以使溶劑乾燥之乾燥用的氣體，一邊從基板的中央部的上方排氣的步驟之工程。
    本發明的另外其他的基板處理方法，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的方法，其特徵為包括：將前述基板載置於處理容器內的平台之工程；重複複數次，為了使前述圖案遮罩膨潤，而一邊將溶劑氣體供給至前述基板的一端側，一邊從基板的另一端側排氣的步驟、及其次在該基板的一端側，一邊供給用以使溶劑乾燥之乾燥用的氣體，一邊從基板的另一端側排氣的步驟之工程。
    本發明的具體的態樣是例如下記般。
    (a)前述基板係被載置於處理容器內的平台之後，供給溶劑之前被調溫。
    (b)對基板進行供給前述溶劑的步驟及供給前述乾燥用的氣體的步驟之後，進行其次的供給溶劑的步驟之前，包含將基板加熱至進行該等的步驟時的溫度以上的溫度之工程。
    (c)包括：對第1基板進行供給溶劑的前述步驟及供給乾燥用的氣體的前述步驟之後，將該第1基板搬出至處理容器外，且從處理容器外將第2基板搬入至處理容器內之工程；及在第1加熱板上加熱被搬出至處理容器外的第1基板，另一方面對第2基板進行供給溶劑的前述步驟及供給乾燥用的氣體的前述步驟之工程，將第1基板及第2基板交替搬入至處理容器內，藉由加熱板對處理容器外的基板加熱。
    (d)使用：具備對處理容器內搬入搬出第1基板的機能，用以加熱第1基板的第1加熱板、及具備對處理容器內搬入搬出第2基板的機能，用以加熱第2基板的第2加熱板。
    本發明的基板處理裝置，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的基板處理裝置，其特徵為具備：處理容器；平台，其係設於該處理容器內；溶劑氣體供給部，其係將用以使前述圖案遮罩膨潤的溶劑氣體供給至被載置於前述平台的基板的中央部；乾燥用氣體供給部，其係將用以使被供給至基板的溶劑乾燥之乾燥用的氣體供給至被載置於前述平台的基板的中央部；排氣口，其係為了從前述基板的周圍排除前述溶劑氣體及乾燥用氣體而設；及控制部，其係為了控制利用前述溶劑氣體供給部之溶劑氣體的供給、及利用前述乾燥用氣體供給部之乾燥用氣體的供給、及來自前述排氣口的排氣，而輸出控制訊號，又，前述控制部係以能夠重複複數次，一邊將前述溶劑氣體供給至基板的中央部，一邊從基板的周圍排氣的步驟、及其次在該基板的中央部，一邊供給前述乾燥用的氣體，一邊從基板的周圍排氣的步驟之方式，輸出控制訊號。
    本發明的其他的基板處理裝置，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的基板處理裝置，其特徵為具備：處理容器；平台，其係設於該處理容器內；溶劑氣體供給部，其係將用以使前述圖案遮罩膨潤的溶劑氣體供給至被載置於前述平台的基板的周圍；乾燥用氣體供給部，其係將用以使被供給至基板的溶劑乾燥之乾燥用的氣體供給至被載置於前述平台的基板的周圍；排氣口，其係為了從前述基板的中央部的上方排除前述溶劑氣體及乾燥用氣體而設；及控制部，其係為了控制利用前述溶劑氣體供給部之溶劑氣體的供給、及利用前述乾燥用氣體供給部之乾燥用氣體的供給、及來自前述排氣口的排氣，而輸出控制訊號，又，前述控制部係以能夠重複複數次，一邊將前述溶劑氣體供給至基板的周圍，一邊從基板的中央部的上方排氣的步驟、及其次在該基板的周圍，一邊供給前述乾燥用的氣體，一邊從基板的中央部的上方排氣的步驟之方式，輸出控制訊號。
    本發明的另外其他的基板處理裝置，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的基板處理裝置，其特徵為具備：處理容器；平台，其係設於該處理容器內；溶劑氣體供給部，其係將用以使前述圖案遮罩膨潤的溶劑氣體供給至被載置於前述平台的基板的一端側；乾燥用氣體供給部，其係將用以使被供給至基板的溶劑乾燥之乾燥用的氣體供給至被載置於前述平台的基板的一端側；排氣口，其係為了從前述基板的另一端側排除前述溶劑氣體及乾燥用氣體而設；及控制部，其係為了控制利用前述溶劑氣體供給部之溶劑氣體的供給、及利用前述乾燥用氣體供給部之乾燥用氣體的供給、及來自前述排氣口的排氣，而輸出控制訊號，又，前述控制部係以能夠重複複數次，一邊將前述溶劑氣體供給至基板的一端側，一邊從基板的另一端側排氣的步驟、及其次在該基板的一端側，一邊供給前述乾燥用的氣體，一邊從基板的另一端側排氣的步驟之方式，輸出控制訊號。
    本發明的記憶媒體，係記憶有為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的基板處理裝置所使用的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述電腦程式係用以實施上述的基板處理方法。
    若根據本發明，則藉由溶劑氣體流動於基板上的方向及乾燥用的氣體流動於基板上的方向彼此一致，在基板的面內被多量供給溶劑之處會藉由乾燥用的氣體來迅速乾燥，藉由重複溶劑氣體的供給及乾燥用的氣體的供給，可抑制往圖案遮罩內部之溶劑的浸透。因此，可防止圖案遮罩的溶解，使其表面均一性高地平滑化，所以可抑制良品率的降低。(第1實施形態)
    一邊參照縱斷側面圖及橫斷平面圖的圖1及圖2來一邊說明有關本發明的實施形態的溶劑供給裝置1。溶劑供給裝置1是具備：用以處理晶圓W的處理容器2、及在處理容器2與溶劑供給裝置1的外部之間搬送基板的晶圓W的搬送機構6。在被搬送至此處理容器2的晶圓W表面形成阻劑膜。阻劑膜接受曝光、顯像處理，形成圖案遮罩的阻劑圖案。
    處理容器2是形成扁平的圓形狀，具備容器本體21及蓋體41。容器本體21是具備：成為其周緣部的側壁部22、及從側壁部22的下端突出至內側方向的底壁部23，且在底壁部23上設有水平載置晶圓W的平台24。在平台24設有成為該平台24的調溫機構的加熱器25，將所被載置的晶圓W加熱至預先設定的溫度。在設於平台24的3個各孔26中插通銷27。該等銷27是藉由昇降機構28來突沒於平台24上，在與搬送機構6之間交接晶圓W。
    在側壁部22的表面沿著其周方向開口有多數的淨化氣體吐出口29。在側壁部22的下方形成有連通至淨化氣體吐出口29的環狀的空間31，在該空間31的下方，於周方向取間隔連接複數的淨化氣體供給管32的一端。各淨化氣體供給管32的另一端是被連接至壓送N2氣體作為淨化氣體之未圖示的供給機構，從供給機構供給至空間31的淨化氣體是擴散於該空間31來從各淨化氣體吐出口29吐出。
    蓋體41是藉由昇降機構11來構成昇降自如。蓋體41是具備：成為其周緣部的側壁部42、及被其側壁部42包圍的上壁部43，側壁部42的下端是比上壁部43的下端更位於下方。對晶圓W進行處理時，蓋體41會移動至圖1所示的處理位置，上壁部43的下端與容器本體21的側壁部22的上端會隔著間隙12來彼此接近。
    上壁部43的背面側中央部是突出至下方，形成氣體供給部4。如圖3所示般，在此氣體供給部4的側周，沿著周方向而開口有多數的氣體吐出口44，可從被載置於平台24的晶圓W的中央部往周緣部吐出氣體，對晶圓W全體供給氣體。在圖2中是以點線的箭號來表示從氣體吐出口44吐出的氣體的流動。
    在蓋體41的上部連接氣體供給管45的下游端，氣體供給管45的上游側是分岐而構成氣體供給管45A、45B。氣體供給管45A的上游側是經由流量控制機構47A來連接至溶劑供給源48A。溶劑供給源48A是成為儲存有可使阻劑膨潤的溶劑之槽，且被連接至對所儲存的溶劑的液相供給N2氣體的N2氣體供給部49。
    若從N2氣體供給部49供給N2氣體至前述槽內，則該槽內會被加壓且溶劑會氣化，由氣化的溶劑及前述N2氣體所構成的處理氣體會以流量控制機構47A來控制其流量，從氣體吐出口44供給至晶圓W。並且，氣體供給管45B的上游側是經由氣體流量控制機構47B來連接至壓送乾燥用氣體的N2氣體至下游側的N2氣體供給源48B。被壓送的乾燥用氣體是以氣體流量控制機構47B來控制其流量而從氣體吐出口44供給至晶圓W。
    在蓋體41的側壁部42的下端，重疊於淨化氣體吐出口29的位置形成有環狀的凹部51。經由複數的排氣路52來開放至蓋體41的上部，各排氣路52是在前述周方向設置複數個。並且，在側壁部42的下端，在凹部51的內側，多數的排氣口53會被配列於晶圓W的周方向。此排氣口53是被連接至排氣機構54。
    在圖4中是分別以實線的箭號來表示晶圓W處理中的處理容器2的處理氣體的流動，以點線的箭號來表示淨化氣體的流動。從淨化氣體吐出口29吐出的淨化氣體是其一部分會流入凹部51而往處理容器2的外部流通且其一部分會藉由排氣口53來吸引而往處理容器2的內側，流入該排氣口53而被排氣。在如此形成淨化氣體的流動之狀態下，處理氣體會從氣體吐出口44吐出，從晶圓W的中央部往周緣部擴展於橫方向，往排氣口53。在排氣口53的外側，如上述般形成有從淨化氣體的外側往內側的流動，因此處理氣體不會有被此流動阻擋而往排氣口53的外側出去的情形，藉由該排氣口53來除去。雖針對處理氣體的流動進行說明，但在對晶圓W供給乾燥用氣體時，也是淨化氣體會同樣地被供給至處理容器2，該乾燥用氣體是與處理氣體同樣地流動於處理容器2而被排氣。
    回到圖1、圖2來進行說明。在處理容器2的外部設有基台61，在此基台61設有前述搬送機構6。搬送機構6是藉由水平的移動板62、及在基台61上支撐移動板62的支撐部63、及移動機構64所構成。支撐部63是從移動板62延伸至基台61的下方，連接至移動機構64。若將圖1及圖2所示的移動板62的位置設為待機位置，則移動板62可藉由該移動機構64來水平移動於待機位置與處理容器2的平台24上之間。圖中65是以不會妨礙此移動的方式設於基台61的縫隙。
    說明有關移動板62。在移動板62的內部設有加熱器66，將載置於表面的晶圓W加熱至預先設定的溫度。圖中67是縫隙，為了在與平台24之間交接晶圓W而使銷27通過。圖中68是缺口，為了在與搬送晶圓W至溶劑供給裝置1的搬送臂13之間交接晶圓W而設。
    圖2所示的搬送臂13是具備：包圍晶圓W的側周之扁平的叉子14、及從該叉子14突出至內側而來支撐晶圓W的背面之支撐部15。搬送臂13是構成對移動板62前後(圖2中上下)移動、昇降移動自如，組合該等的動作在與移動板62之間交接晶圓W。
    溶劑供給裝置1是具備由電腦所構成的控制部10。控制部10會將控制訊號傳送至溶劑供給裝置1的各部，控制各種氣體的給斷及各氣體的供給量、在移動板62及平台24的晶圓W的溫度、在移動板62與平台24之間的晶圓W的交接、處理容器2內的排氣等的動作，如後述般使在溶劑供給裝置1的處理能夠進行的方式編入命令(各步驟)。此程式是被儲存於電腦記憶媒體例如軟碟、光碟、硬碟、MO(光磁碟)等的記憶媒體來安裝於控制部10。
    為了說明上述的溶劑供給裝置1的處理的概要，一邊參照圖5的圖表，一邊說明藉由溶劑供給裝置1來對晶圓W供給已述的處理氣體時的晶圓W表面的阻劑圖案中的溶劑的濃度與構成阻劑的聚合物的動作容易度的關係。圖表的縱軸、橫軸分別為表示阻劑聚合物的動作容易度、阻劑圖案中的溶劑濃度。
    在阻劑圖案供給處理氣體時，溶劑的分子是按照處理氣體所持有的溫度能量來運動，但若該溶劑的分子衝突於阻劑圖案，則其瞬間此分子與阻劑圖案之間發生熱的授受。藉此，溶劑氣體會迅速地形成晶圓W的溫度，分子附著於阻劑圖案的表面。亦即，溶劑會浸透於阻劑圖案的表面。但，若為處理氣體的供給量少，阻劑圖案中的溶劑濃度為預定的臨界值以下的範圍(圖表中範圍L1)，則前述聚合物是幾乎不流動。例如圖表中的點A的狀態的阻劑圖案是溶劑濃度位於前述臨界值，那麼聚合物處於幾乎不流動的狀態。若阻劑圖案中的溶劑濃度比前述臨界值更高，則前述聚合物的流動性會變高，阻劑圖案的表面會膨潤，前述粗糙會被改善。例如圖表中的點B是表示可取得最適的聚合物的流動性的狀態。
    若持續處理氣體的供給，溶劑濃度過高，則溶劑會朝阻劑圖案的內部浸透，阻劑圖案的膨潤量形成過大。如此過大膨潤的阻劑圖案無法保持其形狀而彎曲，如先前技術的項目所說明那樣溶解。在圖表中的點C是圖案的形狀會被保持著，但若溶劑濃度變高，則會發生如此的圖案的溶解。在圖表中分別以L2來表示圖案被改善之溶劑濃度的範圍，以L3來表示發生圖案的溶解之溶劑濃度的範圍。
    因此，為了在晶圓W的面內均一性高地改善阻劑圖案的粗糙，而被要求以使阻劑圖案中的溶劑濃度一致於圖表中以L2所示的範圍內的預定的濃度之方式進行處理。在此，溶劑供給裝置1是一旦從氣體吐出口44連續吐出處理氣體，則在該氣體吐出口44附近，亦即晶圓W的中央部是處理氣體所被供給的量要比晶圓W的周緣部量多，因此該中央部的溶劑的濃度會比周緣部的溶劑的濃度更高。
    更具體說明，則在接近氣體吐出口44的晶圓W中央部是處理氣體的流速較高，處理氣體的濃度會變高，因此如上述般溶劑的分子往阻劑圖案衝突、附著的比例(機率)會變高，其結果在晶圓W的中央部是阻劑圖案的膨潤會進展。但，因為處理氣體往周緣部擴散，所以在周緣部是處理氣體的流速會降低，其濃度會變低。因此，溶劑的分子往阻劑圖案衝突、附著的比例低，相較於中央部，阻劑圖案難膨潤。並且，藉由處理氣體的供給時間變長，溶劑會浸透於阻劑圖案的內部，因此被要求抑制此供給時間。
    於是，溶劑供給裝置1是從氣體吐出口44供給處理氣體，其次從氣體吐出口44供給乾燥用氣體(N2氣體)。由於乾燥用氣體是與處理氣體同樣從氣體吐出口44吐出，因此與處理氣體同樣相較於晶圓W的周緣部，中央部的供給量多，置換效率會變高。更詳細詳說明，如上述般在阻劑圖案衝突、附著的溶劑分子離開阻劑圖案的量，亦即作為溶劑氣體從阻劑圖案揮發的量是影響晶圓W正上方的氣層的溶劑濃度與阻劑圖案中的溶劑濃度的平衡。此平衡是阻劑圖案中的液體的溶劑與前述氣層中的氣體的溶劑之氣液平衡。從氣體吐出口44供給的乾燥用氣體是與溶劑氣體同樣接近氣體吐出口44的晶圓W的中央部側的流速高，所以晶圓W的中央部正上方的氣層的溶劑濃度會比晶圓W的周緣部正上方的溶劑濃度更低，前述揮發會被促進。亦即，溶劑乾燥而被除去的速度是晶圓W的中央部要比周緣部更快，因此在前述中央部與周緣部之間在阻劑圖案中的溶劑濃度會一致。
    而且，藉由重複進行前述處理氣體的供給、及前述乾燥用氣體的供給及利用移動板62的加熱所構成的乾燥處理，防止溶劑浸透至阻劑圖案的內部，且充分地確保阻劑圖案的表面的溶劑濃度收於前述圖表中的範圍L2的時間，而來改善阻劑圖案的粗糙。前述乾燥用氣體在本實施形態是使用N2氣體，但並非限於此，例如亦可為乾空氣。並且，藉由使晶圓W的溫度上昇，晶圓W正上方的環境的溶劑濃度也會變低，因此溶劑會藉由前述氣液平衡從阻劑圖案揮發。於是，本實施形態是如上述般除了供給乾燥用氣體以外，藉由利用移動板62的加熱也可進行阻劑圖案的乾燥。
    以下，一邊參照表示各工程的溶劑供給裝置1的動作的圖6~圖12、及處理的各段階的阻劑圖案的模式圖的圖13，一邊具體說明有關溶劑供給裝置1的作用。圖13中上段是處理中的各段階的晶圓W的中央部的阻劑圖案的模式圖，下段是處理中的各段階的晶圓W的周緣部的阻劑圖案的模式圖。又，圖14也一邊適當參照一邊進行說明。圖14是表示使供給處理氣體的區間、供給N2氣體的區間、平台24上有無晶圓W、移動板62的位置及移動方向有所對應而顯示的時間圖。此時間圖中，有關移動板62的位置及移動方向是將位於平台24上時及朝平台24移動時顯示為「IN」，將位於前述待機位置時及從平台24上移動至該待機位置時顯示為「OUT」。
    首先，藉由搬送臂13來將晶圓W交接至處於待機位置的移動板62。如在圖13作為狀態1所示般，晶圓W的阻劑圖案71的表面72為粗糙，形成有凹凸。如圖6所示，移動板62會往平台24上移動(圖14中時刻t1)(步驟S1)。然後，一旦銷27上昇而接受晶圓W，則移動板62會回到待機位置，如圖7所示般，前述銷27會下降而使晶圓W載置於被控制成預定的溫度的平台24(圖14中時刻t2)。在處理氣體供給時，以構成該處理氣體的溶劑的分子能夠附著於阻劑圖案表面的方式，將所被載置的晶圓W調溫至18度~50度(步驟S2)。
    與晶圓W的調溫同時進行蓋體41的下降、來自淨化氣體吐出口29的淨化氣體的吐出及來自排氣口53的排氣。晶圓W被載置於平台24後，例如10秒經過，如圖8所示般，從氣體供給部4的氣體吐出口44供給處理氣體至晶圓W的中央部(圖14中時刻t3)，往晶圓W的周緣部流動而與淨化氣體一起排氣(步驟S3)。另外，在此圖8等的作用圖中，為了防止圖繁雜化，而僅晶圓W的周圍的氣流以箭號來表示，但實際上在處理容器2內是如圖4所示般形成氣流。
    構成處理氣體的溶劑的分子會在阻劑圖案71的表面72附著、浸透，如圖13的狀態2所示般，該表面72會膨潤，阻劑聚合物會流動。此時，如已述般，在晶圓W的中央部相較於周緣部，處理氣體的供給量多，因此中央部的前述表面72的膨潤量是比前述表面72的膨潤量更大。
    處理氣體供給開始後，例如經過預定的5~10秒，則停止處理氣體的供給，如圖9所示般從氣體吐出口44吐出乾燥用氣體至晶圓W的中央部，往周緣部流動而與淨化氣體一起排氣(圖14中時刻t4)(步驟S4)。藉由暴露於此乾燥用氣體，浸透於阻劑圖案71的表面之溶劑會揮發、乾燥。此時如已述般在晶圓W的中央部相較於周緣部，溶劑的乾燥速度快，因此如在圖13中作為狀態3顯示那樣中央部的前述表面72的膨潤量與周緣部的前述表面72的膨潤量會一致。
    乾燥用氣體供給開始後，例如經過5~10秒，則停止從氣體吐出口44供給乾燥用氣體及停止從淨化氣體吐出口29供給淨化氣體，蓋體41上昇而處理容器2被開放。如圖10所示般，銷27會使晶圓W上昇，移動板62會移動至平台24上(圖14中時刻t5)(步驟S5)。
    移動板62會藉由加熱器66來控制成比平台24更高的溫度，銷27會下降而如圖11所示般一旦晶圓W被載置於移動板62，則晶圓W全體會被加熱至例如60度。藉此，如圖13的狀態4所示般，晶圓W的中央部及周緣部的阻劑圖案71的表面72會更乾燥，且晶圓W的溫度會上昇，構成阻劑圖案的聚合物的流動性會變高，凹凸的改善會進展。然後，一旦表面72的乾燥進展，則前述聚合物的流動性會降低，往阻劑圖案71內之溶劑的浸透會被抑制(步驟S6)。
    晶圓W被載置於移動板62之後，例如經過10~60秒，則銷27會上昇而從移動板62舉起晶圓W，移動板62會往待機位置移動(圖14中時刻t6)。銷27下降而使晶圓W載置於平台24(圖14中時刻t7)，且處理容器2的蓋體41會下降，如圖12所示般，藉由平台24來調溫晶圓W(步驟S7)。亦即，再度進行上述步驟S2。
    以後，如圖14的時間圖所示般，步驟S3之處理氣體的供給(圖14中時刻t8)、步驟S4之乾燥用氣體的供給(圖14中時刻t9)、步驟S5之往移動板62之晶圓W的交接(圖14中時刻t10)、步驟S6之晶圓W的加熱會被進行，前述步驟S6終了後，再重複進行步驟S2~S6的處理。藉此，在晶圓W的中央部及周緣部，阻劑圖案71是被反覆成圖13的狀態2~狀態4的各狀態，隨即阻劑圖案的凹凸會被弄平，如狀態5那樣表面72會被平滑化。一旦被進行預先被設定的預定次數的步驟S2~S6，則移動板62會原封不動載置晶圓W回到待機位置(圖14中時刻t11)，搬送臂13接受晶圓W，將該晶圓W往溶劑供給裝置1的外部搬送。然後，為了完全除去溶劑，晶圓W例如被搬送至加熱裝置，以比移動板62的加熱溫度更高的溫度加熱。
    若根據此溶劑供給裝置1，則藉由氣體供給部4來將由溶劑所構成的處理氣體從晶圓W的中央部供給至周緣部，接著藉由氣體供給部4來將乾燥用氣體從晶圓W的中央部供給至周緣部，對1片的晶圓W重複進行此處理氣體及乾燥用氣體的供給。藉此可均一性高地控制前述處理氣體之晶圓W的面內的膨潤量，防止溶劑往阻劑圖案內的過度浸透。因此，可防止阻劑圖案溶解，且可在晶圓W的面內均一性高地改善阻劑圖案的表面的粗糙。
    並且，此溶劑供給裝置1是在乾燥用氣體的供給後，藉由移動板62來進行晶圓W的加熱，藉此溶劑的乾燥速度變快，所以處理能力會提升。雖亦可提高設定平台24的溫度，取代藉由移動板62來進行加熱，但為了防止在處理氣體供給時來自晶圓W的溶劑的揮發量過多，如此使晶圓W移動至比平台24更高溫度調整後的移動板62進行乾燥為有效。但，亦可不使晶圓W移動於此移動板62，藉由繼續乾燥用氣體的供給來使阻劑圖案乾燥，或亦可在乾燥用氣體的供給後，將晶圓W原封不動載置於平台24來加熱晶圓W。此時所被加熱的晶圓W的溫度是供給處理氣體及乾燥用氣體時的溫度以上的溫度。 (第2實施形態)
    在圖15是顯示第2實施形態的溶劑供給裝置8。在此溶劑供給裝置8中，對於和溶劑供給裝置1同樣構成之處附上相同的符號，省略說明。此溶劑供給裝置8與溶劑供給裝置1的差異點是在於搬送機構6為藉由2片的移動板所構成的點。在圖16是顯示該等移動板62A、62B的立體圖。該等移動板62A、62B是與移動板62同樣構成，構成可藉由移動機構64來彼此獨立移動。圖中63A、63B是支撐部，相當於第1實施形態的支撐部63。支撐上側的移動板62A的支撐部63A是以不會妨礙移動板62A、62B的獨立移動之方式從下方側往外方側彎曲，更朝下方彎曲形成。並且，在以後的說明中是將圖15所示的各移動板62A，62B的位置設為各移動板62A，62B的待機位置。
    此溶劑供給裝置8是被控制可同時處理2片的晶圓W1、晶圓W2，晶圓W1在處理容器2內接受處理氣體及乾燥用氣體的供給的期間，晶圓W2會在處理容器2外藉由移動板62B來進行乾燥處理。相反的，晶圓W2在處理容器2內接受處理氣體及乾燥用氣體的供給的期間，晶圓W1會在處理容器2外藉由移動板62A來進行乾燥處理。晶圓W1是先被搬入溶劑供給裝置1的晶圓W，晶圓W2是在晶圓W1的其次搬入溶劑供給裝置的晶圓W。
    以下，一邊參照表示溶劑供給裝置8的動作之圖17~圖24、及圖25的時間圖，一邊以和第1實施形態的作用的差異點為中心來說明有關第2實施形態的作用。圖25的時間圖是與在第1實施形態說明的時間圖同樣供給各氣體的區間、平台24上有無晶圓W、及各移動板62A、62B的動作有所對應而顯示，但在對晶圓W1供給各氣體的區間及晶圓W1被載置於平台24的區間附上斜線顯示。而且，在對晶圓W2供給各氣體的區間及前述晶圓W2被載置於平台24的區間附上多數的點顯示。並且，在此例中，因為移動板62A、62B分別進行晶圓W1、W2的搬送，所以在時間圖中有關移動板62A的動作是以斜線來表示，有關移動板62B的動作是附上多數的點來表示。
    首先，晶圓W1會被交接置處於待機位置的移動板62A，如圖17所示般，移動板62A會移動至平台24上，且晶圓W2會被交接至處於待機位置的移動板62B(圖25中時刻v1)。與第1實施形態同樣晶圓W1在平台24調溫後，對該晶圓W1供給處理氣體(圖25中時刻v2)(圖18)，接著供給乾燥用氣體(圖19)(圖25中時刻v3)。
    乾燥用氣體的供給終了後，晶圓W1會被交接至移動於平台24上的移動板62A，加熱晶圓W1。移動板62A會移動至待機位置，且移動板62B會移動至平台24上(圖20)(圖25中時刻v4)。晶圓W2在平台24調溫後，對該晶圓W2供給處理氣體(圖25中時刻v5)(圖21)，接著供給乾燥用氣體(圖22)(圖25中時刻v6)。與晶圓W2的該等調溫、處理氣體供給及乾燥用氣體供給並行在移動板62A繼續晶圓W1的乾燥處理。
    一旦晶圓W2的乾燥用氣體供給終了，則晶圓W2會被交接至移動於平台24上的移動板62B，加熱晶圓W2。移動板62B會移動至待機位置，且移動板62A會移動至平台24上(圖23)(圖25中時刻v7)。晶圓W1會被交接至平台24上(圖25中時刻v8)，移動板62A會回到待機位置。晶圓W1再度被調溫，如圖24所示般，在依序進行處理氣體的供給(圖25中時刻v9)、乾燥用氣體的供給(圖25中時刻v10)的期間，利用移動板62B之晶圓W2的加熱會被持續。然後，晶圓W2會被交接至平台24上(圖25中時刻v11)，該晶圓W2再度被調溫，在依序進行處理氣體供給(圖25中時刻v12)、乾燥用氣體供給(圖25中時刻v13)的期間，利用移動板62A之晶圓W1的加熱會被持續。
    以後如上述般，針對晶圓W1、W2重複在平台24與移動板62A、62B之間的交接，各晶圓W1、W2是例如與第1實施形態同樣接受20次處理氣體及乾燥用氣體的供給後，從溶劑供給裝置1搬出。若根據此第2實施形態，則除了可取得與第1實施形態同樣的效果以外，因為在處理容器2內處理晶圓W1、W2的其中一方的期間，在移動板62乾燥處理另一方，所以可使處理能力提升。另外，移動板62的片數亦可為3片以上。
    在各實施形態中，往1片的晶圓W之處理氣體及乾燥用氣體的供給是只要重複2次以上即可。可是，如在圖5所說明那樣，若阻劑圖案中的溶劑濃度未形成比預定的濃度更高，則阻劑圖案的凹凸難平整。於是，在各實施形態若將處理氣體及乾燥用氣體的供給週期進行X次(X≧2)，則在前半的n次(1≦n<X)的週期是處理氣體的供給量比較多，在後半的X-n次的週期是使處理氣體的供給量比前半的週期更少的方式進行處理。在前半的週期是進行各週期時阻劑圖案中的溶劑濃度會大幅度上昇，迅速地到達圖5所示的阻劑圖案形狀被改善的L2的範圍，因此可使處理能力提升。然後，在後半的週期是前述溶劑濃度的上昇會被抑制，可防止過度地供給溶劑氣體至阻劑圖案，因此可更確實地防止阻劑圖案的溶解。
    如上述般，在處理氣體供給前，晶圓W是例如被調溫至18度~50度。在將前述晶圓W調溫至比設置溶劑供給裝置1的無塵室更低的溫度時，是在平台24設置冷媒的流路來取代加熱器25，而冷卻平台24的表面。另外，在設置如此的流路時，亦可不仰賴移動板62，控制加熱器25的輸出來進行乾燥處理。例如在處理氣體供給後進行乾燥氣體處理時不在前述流路流動冷媒，使加熱器25的輸出比處理氣體的供給時更上昇進行乾燥。而且，乾燥氣體供給後是使加熱器25的輸出降低，使冷媒流通於前述流路來使平台24降溫後，供給處理氣體。藉此亦可省去平台24與移動板62的交接時間。
    在重複進行阻劑圖案的膨潤及乾燥時，並非限於像第1及第2實施形態那樣一邊在晶圓W的中央部供給各氣體，一邊從晶圓W的周圍排氣。以下說明有關進行其他的氣體供給及排氣的例子。圖26是處理容器81的縱斷側面圖。在構成此處理容器81的蓋體82，在晶圓W的外方，以能夠包圍該晶圓W的方式設有環狀的氣體吐出口83。並且，在晶圓W的中央部的上方設有排氣口84，從氣體吐出口83吐出的處理氣體及乾燥用氣體是如圖中以箭號所示般朝晶圓W的中央部，從排氣口84排氣。圖中85為密封構件。
    從氣體吐出口83吐出的處理氣體是匯集於晶圓W的中央部而來，因此在晶圓W的中央部是處理氣體的流速要比周緣部更快，藉此該處理氣體的濃度會變大，所以處理氣體的分子衝突於阻劑圖案的比例會變大。其結果，在晶圓W的中央部是阻劑圖案的膨潤量要比周緣部更大。但之後，乾燥用氣體會被供給至與處理氣體同方向。與供給處理氣體時同樣在晶圓W的中央部是乾燥用氣體的流速及濃度會變高，所以利用該乾燥氣體的乾燥力強。亦即，乾燥速度是中央部要比晶圓W的周緣部更快，所以可在晶圓W的面內使阻劑圖案的膨潤量一致。
    在圖27、圖28分別顯示處理容器91的縱斷側面圖、橫斷平面圖。圖中92是設於平台24的一端側的氣體供給部，在其上面形成有氣體吐出口93。圖中94是設於平台24的另一端側的排氣部，具備排氣口95。從氣體吐出口93吐出的處理氣體及乾燥用氣體是在平台24與處理容器91的蓋體96的頂板之間從晶圓W的一端側往另一端側排氣。
    在如此將處理氣體流動於一方向的處理容器91是相較於使處理氣體從周緣部側流往中央部側或從中央部側流往周緣部側的處理容器，晶圓W表面的流速的分布可被抑制，因此在晶圓W的面內不易形成阻劑圖案的溶劑濃度的梯度，但從氣體吐出口93吐出的處理氣體是所含的溶劑分子會一邊被晶圓W吸収，一邊往排氣口95而去。因此，在晶圓W的表面上越往處理氣體的下游側，溶劑的濃度越會逐漸變低。亦即，在接近氣體吐出口93的晶圓W的一端部是溶劑分子的衝突的比例(機率)相較於接近排氣口95的晶圓W的另一端部的溶劑分子的衝突的比例(機率)會變高，膨潤量會變大。但之後，從氣體吐出口93供給乾燥用氣體時，乾燥用氣體是一邊取入溶劑環境，一邊往排氣口95而去，藉此前述一端部其濃度比另一端部更高，所以晶圓W的一端部的乾燥力比另一端部更高。結果，在晶圓W的面內可使溶劑濃度一致。
    並且，若處理氣體的溫度高，則處理氣體中的溶劑分子的運動會變得活發。當處理氣體的溫度與晶圓W的溫度有差時，越往下游側，處理氣體的溫度越接近晶圓W的溫度。當處理氣體的溫度低時，在氣體吐出口附近，分子的運動會被抑制，在下游變得活發。而且，處理氣體的溫度越高，分子衝突於阻劑圖案的機率會上升，在吐出口側與排氣口側的膨潤量會改變。亦即，在各實施形態是控制處理氣體的溫度，而可在吐出口側與排氣口側之間調整膨潤量。
    在上述的各例是處理氣體的吐出口及乾燥用氣體的吐出口被共用，但只要處理氣體的流通方向與乾燥用氣體的流通方向相同，可取得本發明的效果，該等吐出口亦可各別地形成。又，亦可將各處理容器排氣而成為真空環境，對該真空環境供給各氣體。並且，從晶圓W的中央部往周緣部來供給處理氣體及乾燥用氣體時，並非限於第1及第2實施形態那樣在晶圓W的全周設置排氣口，亦可在晶圓W的一端側、另一端側設置排氣口，從該等一端側及另一端側進行排氣。 〔評價試驗〕
    接著，說明有關與本發明關聯進行的評價試驗。在沿著形成有阻劑圖案的晶圓W(設為晶圓A1)的徑方向的複數處，測定該阻劑圖案的測定尺寸的偏差(LWR)。LWR是以偏差的標準偏差的3倍(3Sigma)來表示。並且，準備與晶圓A1同樣形成有阻劑圖案的晶圓A2、A3。有關晶圓A2是按照第1實施形態來進行處理，與晶圓A1同樣進行測定，算出各部的阻劑圖案的粗度的3Sigma。又，有關晶圓A3是不使用本發明之手法連續以預定的時間對晶圓W供給處理氣體後，進行加熱處理，與晶圓A1、A2同樣算出各部的3Sigma。
    圖29的圖表是表示此評價試驗的結果。橫軸是表示晶圓W的測定位置。橫軸中的-150、+150分別為晶圓W的一端、另一端，0為晶圓W的中心。縱軸是表示所被算出的3Sigma，單位是nm。如該圖表所示，晶圓A2相較於晶圓A1，各測定處的3Sigma小。亦即在晶圓W的面內阻劑圖案的粗度的偏差小。又，晶圓A3是晶圓W的中央部的3Sigma會比晶圓A1的值更大。這是因為在晶圓A3的中央部發生阻劑圖案的溶解。由此評價試驗的結果顯示，為了在晶圓W的面內均一性高地改善阻劑圖案的粗度，本發明的手法有效。
    W‧‧‧晶圓
    1‧‧‧溶劑供給裝置
    10‧‧‧控制部
    2‧‧‧處理容器
    24‧‧‧平台
    25‧‧‧加熱器
    4‧‧‧氣體供給部
    44‧‧‧氣體吐出口
    6‧‧‧搬送機構
    62‧‧‧移動板
    66‧‧‧加熱器
    71‧‧‧阻劑圖案
    圖1是本發明的溶劑供給裝置的縱斷側面圖。
    圖2是前述溶劑供給裝置的平面圖。
    圖3是前述溶劑供給裝置的氣體供給部的縱斷側面圖。
    圖4是表示前述溶劑供給裝置的處理容器的氣體的流動的說明圖。
    圖5是表示阻劑的動作容易度與溶劑濃度的關係的圖表。
    圖6是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖7是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖8是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖9是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖10是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖11是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖12是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖13是表示阻劑圖案的狀態的模式圖。
    圖14是表示利用前述溶劑供給裝置的氣體供給及動作的時間圖。
    圖15是表示本發明的其他的溶劑供給裝置的縱斷側面圖。
    圖16是前述溶劑供給裝置的移動板的立體圖。
    圖17是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖18是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖19是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖20是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖21是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖22是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖23是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖24是表示利用前述溶劑供給裝置的處理的工程圖。
    圖25是表示利用前述溶劑供給裝置的氣體供給及動作的時間圖。
    圖26是表示構成前述溶劑供給裝置的處理容器的其他構成的縱斷側面圖。
    圖27是表示構成前述溶劑供給裝置的處理容器的另外其他構成的縱斷側面圖。
    圖28是前述處理容器的橫斷平面圖。
    圖29是表示評價試驗的結果的圖表。
    71‧‧‧阻劑圖案
    72‧‧‧表面
    W‧‧‧晶圓
    权利要求:
    Claims (14)
    [1] 一種基板處理方法，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的方法，其特徵為包括：將前述基板載置於處理容器內的平台之工程；重複複數次，為了使前述圖案遮罩膨潤，而一邊將溶劑氣體供給至前述基板的中央部，一邊從基板的周圍排氣的步驟、及其次在該基板的中央部，一邊供給用以使被供給至基板的溶劑乾燥之乾燥用的氣體，一邊從基板的周圍排氣的步驟之工程。
    [2] 一種基板處理方法，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的方法，其特徵為包括：將前述基板載置於處理容器內的平台之工程；重複複數次，為了使前述圖案遮罩膨潤，而一邊將溶劑氣體供給至前述基板的周圍，一邊從基板的中央部的上方排氣的步驟、及其在該基板的周圍，一邊供給用以使被供給至基板的溶劑乾燥之乾燥用的氣體，一邊從基板的中央部的上方排氣的步驟之工程。
    [3] 一種基板處理方法，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的方法，其特徵為包括：將前述基板載置於處理容器內的平台之工程；重複複數次，為了使前述圖案遮罩膨潤，而一邊將溶劑氣體供給至前述基板的一端側，一邊從基板的另一端側排氣的步驟、及其次在該基板的一端側，一邊供給用以使被供給至基板的溶劑乾燥之乾燥用的氣體，一邊從基板的另一端側排氣的步驟之工程。
    [4] 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，前述基板係被載置於處理容器內的平台之後，供給溶劑氣體之前被調溫。
    [5] 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理方法，其中，對基板進行供給前述溶劑氣體的步驟及供給前述乾燥用的氣體的步驟之後，進行其次的供給溶劑氣體的步驟之前，包含將基板加熱至進行該等的步驟時的溫度以上的溫度之工程。
    [6] 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中，包括：對第1基板進行供給溶劑氣體的前述步驟及供給乾燥用的氣體的前述步驟之後，將該第1基板搬出至處理容器外，且從處理容器外將第2基板搬入至處理容器內之工程；及在第1加熱板上加熱被搬出至處理容器外的第1基板，另一方面對第2基板進行供給溶劑氣體的前述步驟及供給乾燥用的氣體的前述步驟之工程，將第1基板及第2基板交替搬入至處理容器內，藉由加熱板對處理容器外的基板加熱。
    [7] 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中，使用：具備對處理容器內搬入搬出第1基板的機能，用以加熱第1基板的第1加熱板、及具備對處理容器內搬入搬出第2基板的機能，用以加熱第2基板的第2加熱板。
    [8] 一種基板處理裝置，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的基板處理裝置，其特徵為具備：處理容器；平台，其係設於該處理容器內；溶劑氣體供給部，其係將用以使前述圖案遮罩膨潤的溶劑氣體供給至被載置於前述平台的基板的中央部；乾燥用氣體供給部，其係將用以使被供給至基板的溶劑乾燥之乾燥用的氣體供給至被載置於前述平台的基板的中央部；排氣口，其係為了從前述基板的周圍排除前述溶劑氣體及乾燥用氣體而設；及控制部，其係為了控制利用前述溶劑氣體供給部之溶劑氣體的供給、及利用前述乾燥用氣體供給部之乾燥用氣體的供給、及來自前述排氣口的排氣，而輸出控制訊號，又，前述控制部係以能夠重複複數次，一邊將前述溶劑氣體供給至基板的中央部，一邊從基板的周圍排氣的步驟、及其次在該基板的中央部，一邊供給前述乾燥用的氣體，一邊從基板的周圍排氣的步驟之方式，輸出控制訊號。
    [9] 一種基板處理裝置，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的基板處理裝置，其特徵為具備：處理容器；平台，其係設於該處理容器內；溶劑氣體供給部，其係將用以使前述圖案遮罩膨潤的溶劑氣體供給至被載置於前述平台的基板的周圍；乾燥用氣體供給部，其係將用以使被供給至基板的溶劑乾燥之乾燥用的氣體供給至被載置於前述平台的基板的周圍；排氣口，其係為了從前述基板的中央部的上方排除前述溶劑氣體及乾燥用氣體而設；及控制部，其係為了控制利用前述溶劑氣體供給部之溶劑氣體的供給、及利用前述乾燥用氣體供給部之乾燥用氣體的供給、及來自前述排氣口的排氣，而輸出控制訊號，又，前述控制部係以能夠重複複數次，一邊將前述溶劑氣體供給至基板的周圍，一邊從基板的中央部的上方排氣的步驟、及其次在該基板的周圍，一邊供給前述乾燥用的氣體，一邊從基板的中央部的上方排氣的步驟之方式，輸出控制訊號。
    [10] 一種基板處理裝置，係為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的基板處理裝置，其特徵為具備：處理容器；平台，其係設於該處理容器內；溶劑氣體供給部，其係將用以使前述圖案遮罩膨潤的溶劑氣體供給至被載置於前述平台的基板的一端側；乾燥用氣體供給部，其係將用以使被供給至基板的溶劑乾燥之乾燥用的氣體供給至被載置於前述平台的基板的一端側；排氣口，其係為了從前述基板的另一端側排除前述溶劑氣體及乾燥用氣體而設；及控制部，其係為了控制利用前述溶劑氣體供給部之溶劑氣體的供給、及利用前述乾燥用氣體供給部之乾燥用氣體的供給、及來自前述排氣口的排氣，而輸出控制訊號，又，前述控制部係以能夠重複複數次，一邊將前述溶劑氣體供給至基板的一端側，一邊從基板的另一端側排氣的步驟、及其次在該基板的一端側，一邊供給前述乾燥用的氣體，一邊從基板的另一端側排氣的步驟之方式，輸出控制訊號。
    [11] 如申請專利範圍第8~10項中的任一項所記載之基板處理裝置，其中，前述平台係具備將基板調溫的調溫機構。
    [12] 如申請專利範圍第8~10項中的任一項所記載之基板處理裝置，其中，具備對處理容器內搬入搬出基板且加熱基板的加熱板。
    [13] 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，前述加熱板係由：用以進行第1基板的前述搬入搬出的第1加熱板、及用以進行第2基板的前述搬入搬出的第2加熱板所構成，在對第1基板供給溶劑氣體及乾燥用的氣體的期間，第2加熱板係加熱搬出至處理容器外的第2基板，在對第2基板供給溶劑氣體及乾燥用的氣體的期間，第1加熱板係加熱搬出至處理容器外的第1基板。
    [14] 一種記憶媒體，係記憶有為了對於被曝光、顯像處理而形成有圖案遮罩的基板改善前述圖案遮罩的粗糙而進行處理的基板處理裝置所使用的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述電腦程式係用以實施如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之基板處理方法。
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
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    引用文献:
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011046735A|JP5278469B2|2011-03-03|2011-03-03|基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体|
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