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    本發明係提供藉由移除至少部份之阿爾法粒子放射材質而純化酸性金屬溶液的方法。經純化之該金屬溶液係有用於各式需要低含量之阿爾法粒子發射的應用中。
    公开号:TW201307619A
    申请号:TW101118114
    申请日:2012-05-22
    公开日:2013-02-16
    发明作者:馬修Ｌ 格蘭布瓦；哈倫 羅伯特 戈爾茨；傑弗里Ｍ 卡爾佛特；馬修 勞倫斯 羅傑斯；查爾斯Ｒ 馬斯頓
    申请人:羅門哈斯電子材料有限公司；陶氏全球科技責任有限公司；
    IPC主号:B01D17-00
    专利说明:
    阿爾法粒子放射體之移除
    本發明係關於具有低含量之阿爾法粒子放射雜質的金屬組成物之領域，亦關於自金屬組成物移除阿爾法粒子放射雜質的方法。
    眾多不同之金屬係用於製造電子裝置。某些此等金屬可能含有低含量之某些發射阿爾法粒子的放射性同位素(「阿爾法粒子放射體」)。此等被發射出之阿爾法粒子能造成電動狀態(electrical state)之改變，稱之為「軟性錯誤」。此等錯誤係指代為「軟性」，蓋因其並非永久性。惟，此等錯誤典型將造成至少一回不正確之計算。對於積體電路晶片製造商來說，此等軟性錯誤係越來越大之問題。
    儘管存在多種離子化輻射源，對於半導體裝置封裝往往最成問題的源係焊劑。焊劑通常係用於半導體裝置封裝中，以將積體電路(「IC」)晶片黏合至封裝體或基板。若該等黏合IC電路之焊劑含有阿爾法粒子放射體，則所發射之阿爾法粒子非常靠近該等IC，且可造成封裝之半導體裝置的損壞。
    IC晶片電路之持序之小型化以及增加之效能需求業已造成晶片製造商更加注重離子化輻射如阿爾法粒子之效應。舉例而言，某些封裝設計係包括遮蔽，以保護該IC不受阿爾法粒子之害。該遮蔽並非總是有效，且該遮蔽增加IC晶片封裝之複雜性。據此，所欲者係降低焊劑中阿爾法粒子放射體之濃度。
    鉛係多種焊劑如錫-鉛合金之常規成份。惟，一種鉛同位素(具體言之，210Pb)係具有產生阿爾法粒子之衰變鏈。210Pb係鈾衰變鏈之成員，其係作為大塊金屬材質(如，銀及錫)中之雜質之阿爾法粒子放射體的主要貢獻者。再者，鉛之各式常規污染物可放射阿爾法粒子，該等污染物係包括，舉例而言，鈾之同位素(234,238U)、釷(230Th)、鐳(226Ra)、氡(222Rn)、釙(210,218Po)及鉍(211,212Bi)。存在於鉛中之該等阿爾法粒子放射體可存在於鉛之礦石形式中，而鉛係自該礦石初始地精煉而來。或者阿爾法粒子放射體可於鉛之加工及/或使用過程中引入或額外地引入。例如，磷酸及某些抗靜電系統係含有阿爾法粒子放射體；某些研磨劑及清潔劑可將阿爾法粒子放射體引入鉛中；以及，商用鉛之熔煉(smelting)可將鈾、釷及其他阿爾法粒子放射體自脈岩引入鉛中。
    存在於鉛中之阿爾法粒子放射體的量典型係藉由阿爾法通量(flux)測量予以測定，結果係以每單位面積每小時之阿爾法粒子計數(cts/cm2/hr)表示之。可商業地獲得具有自0.002至0.02 cts/cm2/hr之阿爾法通量的鉛，但非常難以獲得具有較低阿爾法通量之材質。惟，半導體工業正需要具有顯著降低之阿爾法通量的材質，包括，舉例而言，具有低於0.0001 cts/cm2/hr之阿爾法通量的材質。
    業經用於降低含鉛焊劑中阿爾法粒子放射體數目的方法之一係以含有非常少之放射體的鉛材質為起始。當前，存在三種此等材質之源：(1)非常古老之鉛，其中，210Pb業經全部衰變；(2)具有非常少之210Pb且業經仔細精煉之某些特殊的PbS礦體；以及，(3)業經雷射同位素分離處理以自鉛中移除210Pb同位素的鉛。所有該等源在各式問題。例如，第一種源係使用非常古老之鉛，其一般係經極差之精煉且含有作為污染物之多種放射性核素。第二種源典型係不具有足夠低之阿爾法粒子放射體濃度，從而不符合半導體工業所欲之基本需求。第三種源之形成耗能極高，因此於商業上不可行。
    一種降低焊劑中阿爾法粒子放射體濃度的方法業經創製「無鉛」焊劑。適宜之無鉛焊劑可由各種金屬構成，如純錫，或合金尤其例如錫-銀、錫-鉍、錫-銅及錫-銀-銅。此等焊劑係含有(若存在)微量鉛，自環保角度考慮，其係所欲者。惟，由於用以做成此等焊劑之材質可能含有一種或多種阿爾法粒子放射體，且可能遭受賦予阿爾法粒子放射體之酸、抗靜電劑、清潔劑、研磨劑或熔煉污染物之處理，故此等無鉛焊劑仍存在非所欲之量的阿爾法粒子放射體。
    業經作出嘗試以降低焊劑材質中阿爾法粒子放射雜質的含量。第7,521,286號美國專利聲稱藉由使用水性硝酸浴電精煉，將含鉛材質中之阿爾法粒子放射材質的含量降低至低於0.001 cts/cm2/hr之阿爾法通量。但該製程仍耗能耗時，且不能解決自無鉛焊劑材質移除阿爾法粒子放射雜質的問題。公開第2003-193283號日本專利申請案聲稱藉由下述者自金屬電鍍浴移除阿爾法粒子放射雜質：將電鍍浴與吸附劑如矽膠接觸；隨後使用氨將該鍍覆浴之pH調節為強鹼性(pH為10至11)；將與該吸附劑接觸之該浴加熱一段時間，以將阿爾法放射粒子吸附於該吸附劑上；移除該吸附劑；隨後煮沸該浴以移除氨；隨後使用離子交換樹脂移除殘餘氨；以及，隨後再次酸化該電鍍浴。這並非商業可用之製程，且由於在製程中加入鹼及酸而更可能引入雜質。據此，對於相對簡單之自金屬溶液移除阿爾法粒子放射雜質的過程仍有需求。
    本發明係提供一種用於純化金屬溶液之方法，係包含：提供具有阿爾法放射材質之酸性金屬溶液；將該金屬溶液與離子交換樹脂接觸一段時間，該時間係足以移除至少部份之該阿爾法放射材質；以及，將該金屬溶液自該離子交換樹脂移除，以提供純化之金屬溶液。
    此外，本發明係提供一種製備金屬溶液之方法，係包含：提供金屬離子之酸性水溶液；提供能移除阿爾法粒子放射材質之離子交換樹脂；將該金屬離子之水溶液與該離子交換樹脂接觸，以移除至少部份之該阿爾法粒子放射材質；以及，隨後將該金屬溶液自該離子交換樹脂分離。
    更具體言之，本發明係提供一種製備具有相對低含量之阿爾法粒子放射體之錫溶液的方法，係包含：提供錫離子之水溶液，其中，該溶液係具有6.9之pH；提供能移除阿爾法粒子放射材質之離子交換樹脂；將該錫離子之水溶液與該離子交換樹脂接觸，以移除至少部份之該阿爾法粒子放射材質；以及，隨後將該錫溶液自該離子交換樹脂分離。
    術語「阿爾法粒子放射體」、「阿爾法粒子放射材質」與「阿爾法粒子放射雜質」可互換地使用。冠詞「一(a)」及「一(an)」係指代單數及複數。除非另行指出者，全部量係重量百分比(「wt%」)，而全部比為莫耳比。所有數值範圍係包括上、下限值，且可以任何順序組合，除非此等數值範圍顯然受到總和至多100%之限制。
    本發明使用某些離子交換樹脂自酸性金屬溶液(較佳自酸性錫溶液)中選擇性移除習知之阿爾法粒子放射雜質。如本文中所使用者，術語「金屬溶液」係指代金屬之溶液，其中，該金屬係以0.01 wt%之量，較佳係以0.01至30 wt%之量存在。當該金屬溶液係由兩種或更多種金屬組成時，如矽-銀之金屬溶液，該溶液中存在之每種金屬的量係0.01 wt%，更佳係0.01至30 wt%。用以製備該金屬溶液之金屬較佳係選自錫、鉛、銀、銅、鉍、銦及其混合物，更佳係錫、銀、銅、鉍及其混合物，再更佳係錫、銀、銅及其混合物，最佳係錫。該金屬溶液典型係藉由將元素金屬如元素錫(Sn0)、元素金屬合金、或金屬鹽(如氧化錫(SnO))溶解於酸中而製備之。可使用元素金屬之混合物、金屬鹽之混合物或元素金屬與金屬鹽之任何組合。可用以製備該金屬溶液的例示性元素金屬之混合物係包括，而非限於，Sn0-Ag0、Sn0-Ag0-Cu0、Sn0-Bi0及Sn0-Cu0。可於本發明之製程中使用任何可溶於酸性水性介質中的金屬鹽。例示性金屬鹽係包括，但不限於，金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬鹵化物、金屬羧酸鹽、金屬硝酸鹽及金屬亞硝酸鹽等。金屬氧化物、金屬鹵化物及金屬硝酸鹽係較佳之金屬鹽。較佳係藉由將Sn0或錫鹽溶解於酸中而製備該金屬溶液。可使用廣泛種類之酸，且該酸較佳係無機酸或有機磺酸，且較佳係有機磺酸。較佳之無機酸係包括，而非限於，氫鹵酸、硝酸及硫酸。氫鹵酸係更佳之無機酸，且鹽酸係再更佳者。較佳之有機磺酸係烷磺酸及芳基磺酸。特佳之有機磺酸係包括，但不限於，甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、苯磺酸、對甲苯磺酸及酚磺酸。
    如本文所使用者，術語「酸性金屬溶液」係指代具有6.9，較佳6.5之pH值的金屬溶液。更佳係該金屬溶液之pH為0至6.5之範圍內。舉例而言，當該金屬溶液係藉由將元素錫溶解於鹽酸水溶液中而製備之錫溶液時，該pH較佳係3.5，更佳係2，再更佳係1.5，又更佳係0.5。或者，當該金屬溶液係藉由將氧化錫(SnO)溶解於有機磺酸(如甲磺酸)水溶液中而製備之錫溶液時，該pH較佳係4至6.9之範圍內，更佳係4.5至6.5，再更佳係5至6.5。對於欲以有效移除阿爾法粒子放射體之本發明之製程，該金屬溶液應係均質，亦即，其應不含沉澱物或分散之固體。
    本發明之金屬溶液係與某些離子交換樹脂接觸以移除該溶液中含有之至少部份之阿爾法粒子放射雜質。適宜之離子交換樹脂係彼等能移除阿爾法粒子放射材質者。特定之離子交換樹脂係螯合樹脂、陰離子交換樹脂、陽離子交換樹脂、氧化鈦系吸附樹脂及其混合物。較佳之離子交換樹脂係亞胺基二乙酸樹脂、氮基三乙酸樹脂、膦基乙酸樹脂、硫脲樹脂、胺甲基吡啶樹脂(picolylamine resin)、四級胺樹脂、三級胺樹脂、芳族胺樹脂、硫醇樹脂、磺化酚樹脂、氧化鈦系吸附樹脂及其混合物。特佳之離子交換樹脂係亞胺基二乙酸樹脂、硫脲樹脂、四級胺樹脂、硫醇樹脂、氧化鈦系吸附樹脂及其混合物。某些離子交換樹脂如，四級胺樹脂如Dowex 21k XLT樹脂(可自陶氏化學公司(The Dow Chemical Company)購得)係特別有用於移除鈾如234,238U。其他可用於移除鉛(210Pb)、釙(210,218Po)、鉍(211,212Bi)之離子交換樹脂係包括：四級胺離子交換樹脂如彼等以商品名XZ-91419及Dowex PSR-2販售者；以商品名XUS-43600販售之硫脲系樹脂；以商品名Ambersep GT-74販售之硫醇系樹脂；以商品名Amberlite IRC748i販售之亞胺基二乙酸樹脂；以及以商品名Amberlite PWA5販售之三乙銨樹脂，上述樹脂全部可自陶氏化學公司(Midland,Michigan)購得。
    該金屬溶液可於寬範圍之溫度與該離子交換樹脂接觸。典型地，該金屬溶液可於15至90℃之範圍，較佳係於20至80℃之範圍，更佳係於25至80℃之範圍的溫度與該離子交換樹脂接觸。該金屬溶液係與該離子交換樹脂接觸一段時間，該時間係足以至少部份地移除一種或多種阿爾法粒子放射雜質。通常，該接觸時間可自幾分鐘至幾天內變動，較佳係自15分鐘至72小時，更佳係自30分鐘至72小時，再更佳係自1小時至72小時。
    使用中，可於容器中(批次製程)將一定量之離子交換樹脂加入一定量之金屬溶液中。該混合物可視需要予以攪拌或攪動。或者，可藉由使該金屬溶液穿行通過含有該離子交換樹脂之管柱，而將該金屬溶液與該離子交換樹脂接觸。該金屬溶液可為單批次添加至離子交換管柱之頂部，或者，可於連續製程中使用離子交換管柱以移除阿爾法粒子放射體。此等離子交換管柱之設計係完全處於熟識該技藝之人士的能力範圍內。應理解，於本發明之製程中，要麼以批次之方式要麼以離子交換管柱之形式，可使用單一離子交換樹脂(「單一床」)或可使用不同離子交換樹脂之混合物(「混合床」)。於一實施例中，係使用四級胺樹脂如Dowex 21k XLT樹脂與下列之一種或多種的混合物：四級胺離子交換樹脂，如彼等以商品名Dowex PSR-2及XZ-91419販售者；以商品名XUS-43600販售之硫脲系樹脂；以商品名Ambersep GT-74販售之硫醇系樹脂；以商品名Amberlite IRC748i販售之亞胺基二乙酸系樹脂；以及以商品名Amberlite PWA5販售之三乙銨樹脂。此等樹脂可混合在一起(混合床)並添加至含有該金屬溶液之容器中，或者，該金屬溶液可穿行通過含有該混合物之管柱。又亦或，可依序使用兩種或更多種不同之樹脂。舉例而言，於批次製程中，可將第一樹脂接觸該金屬溶液，隨後自該第一樹脂移除該金屬溶液，該金屬溶液可隨後接觸第二樹脂。相似地，於連續製程中，該金屬溶液可穿行通過含有第一離子交換樹脂之第一管柱，隨後取洗提液並使其穿行通過含有第二離子交換樹脂之第二管柱。使用兩種或更多種樹脂，無論一起使用或依序使用，使得離子交換樹脂之選擇能將自該金屬溶液移除該阿爾法粒子放射體的作用最大化。
    所使用之離子交換樹脂的量並非關鍵，而具體之量係處於熟習該技藝之人士的能力範圍之內。通常，所使用之離子交換樹的量係(以溶液中金屬之重量為基準計)自0.25至30 wt%，較佳係自0.5至25 wt%，更佳係自1至20 wt%。
    於移除至少部份之阿爾法粒子放射材質之後，該金屬溶液係自與該離子交換樹脂接觸之狀態移除。於批次製程中，可藉由過濾、傾析或其他適宜之手段將該金屬溶液自與該樹脂接觸之狀態移除。當使用離子交換管柱時，該金屬溶液係作為來自該管柱之洗提液而予以收集。所收集之金屬溶液可直接使用，或可藉由該技藝中習知之多種技術將金屬呈其之鹽之形式自該溶液中分離。與接觸該離子交換樹脂之前之金屬溶液相比，接觸該離子交換樹脂之後的金屬溶液係具有降低之含量的阿爾法粒子放射體。與藉由本發明之製程純化之前的金屬或金屬鹽相比，自該金屬溶液分離之任何金屬鹽將因此亦具有降低之含量的阿爾法粒子放射體。通常，該金屬溶液之離子交換樹脂處理係將阿爾法粒子放射體之含量降低5 wt%，較佳係8 wt%，更佳係10 wt%，再更佳係12 wt%，又更佳係15 wt%，甚至更佳係20 wt%。
    適用於本發明之製程的離子交換樹脂係能移除一種或多種阿爾法粒子放射材質。尤其是，此等樹脂係能移除鈾衰變鏈中之一種或多種放射性核素，其係已知之阿爾法粒子放射體，如234,238U、230Th、226Ra、222Rn、210,218Po、210Pb及211,212Bi。本發明之製程較佳係自該金屬溶液移除210,218Po、210Pb及211,212Bi，更佳係移除210Pb及211,212Bi。長期平衡(亦即，以一種放射活性同位素之前體同位素替代該放射活性同位素)機制係存在於鈾衰變循環之幾個階段內，並導致該等金屬中阿爾法粒子放射雜質之「穩定態」。例如，於該衰變鏈之進程中，隨著210Pb之衰變，210Po係逐漸被替換。此現象造成僅僅一種雜質元素之選擇性移除，對於降低阿爾法粒子通量並不足夠。取而代之地，必須移除大宗衰變鏈中緊密相關之元素，以有效地降低所欲之材質中的阿爾法粒子通量。本發明係藉由能移除鈾衰變鏈中長期平衡之至少部份成員而達成此結果，該成員具體為鈾、釷、鐳、氡、釙、鉍及鉛，較佳係鈾、釷、鐳、釙、鉍及鉛，更佳係釙、鉍及鉛，再更佳係鉍及鉛。本發明有效於降低阿爾法粒子放射體之含量，具體言之，係藉由自大塊材質如SnCl2及SnO中選擇性地移除釙、鉍及鉛，而降低錫中阿爾法粒子放射體的含量。
    本發明之製程係提供金屬溶液，特別是含錫之金屬溶液，以及自此等具有降低之阿爾法粒子放射體含量之溶液獲得的金屬鹽。此等金屬溶液，以及自此等溶液獲得之金屬鹽，係可用於電子相關之各式應用如焊劑中。於電子應用如封裝應用中，焊劑可呈銲劑凸塊、焊球、支柱或管柱之形式而使用。於每一狀況中，當本發明之金屬溶液或所得之金屬鹽係用以製備此等焊劑時，所得焊劑亦具有降低之阿爾法粒子放射體含量。
    本發明之製程可用以製備具有降低含量之阿爾法粒子放射體的金屬鹽，特別是錫鹽。較佳係根據本發明之製程製備的具有降低含量之阿爾法粒子放射體的錫鹽。舉例而言，可將元素錫溶解於HCl水溶液中，並根據本發明之製程予以純化，之後，可自該金屬溶液分離具有降低含量之阿爾法粒子放射體的SnCl2。或者，可將可商購之SnCl2溶解於適宜之酸如HCl水溶液中，並根據本發明之製程予以純化，之後，可自該金屬溶液分離具有降低含量之阿爾法粒子放射體的SnCl2。此外，本發明之製程係提供具有降低含量之阿爾法粒子放射體之SnO的製備。該SnO可藉由下述製備：將元素錫、或其他適宜之錫鹽溶解於酸之水溶液如HCl之水溶液中，使該金屬溶液與離子交換樹脂根據本發明之製程而接觸，以及，隨後加入足量之適當的鹼以形成SnO，該SnO可自當下之鹼性溶液中分離。該SnO係特別可用作錫系焊劑電鍍浴，如錫、錫-銀、錫-銀-銅及錫-鉍電鍍浴中的錫離子源。
    較佳地，於處理之前的金屬溶液相比，根據本發明之製程處理之金屬溶液顯示處理後之溶液每單位面積每小時之阿爾法粒子數(cts/cm2/hr)降低量為5%，較佳係10%，更佳係20%，再更佳係25%，又更佳係30%。 [實施例]
    下列表1表列在下述實施例中使用的離子交換樹脂。全部離子交換樹脂皆自陶氏化學公司(Midland,Michigan)獲得。於下述各表中，縮寫係具有下列意義：N/A=不可用；ND=未檢出；DVB=二乙烯基苯；Quat.=四級；SB=強鹼；WB=弱鹼；以及，WA=弱酸。
    實施例1
    極低之pH。將錫金屬(150公克(g))溶解於鹽酸水溶液(20% w/w,1.1公升(L))中。將所得之均質溶液分為100毫升(mL)之等量小樣。該溶液之pH係<0.01。對每一等量小樣填充離子交換樹脂(1.5 g)，並使其等平衡7天。平衡之後，將該溶液自該混合物中傾析出來，並通過離子耦合電漿質譜(ICP-MS)分析鉛、釙及鉍。結果係報告於表2中。
    Po之檢測極限為1 ppm。該控制樣本係製備後但未與任何樹脂接觸之前直接使用的錫溶液樣本。於表2中，正的%變化表明雜質之含量實際上增加，而負的%變化表示雜質之含量降低。%變化係相對於該控制樣本之雜質含量而量測之。樣本C-1至C-11係比較樣本。樣本1及2係本發明之樣本。於此極低pH系統中，當樹脂移除5%之雜質時，則認為其通過。 實施例2
    低pH實施例。將錫金屬(150 g)溶解於鹽酸水溶液(20% w/w,1.1 L)中。所得溶液以苛性鈉水溶液(10% w/w)滴定，直至形成白色沉澱物。隨後，該溶液以鹽酸反滴定，直至該固體溶解回溶液中。所得溶液之pH為1.0。將所得之均質溶液分為100 mL之等量小樣。對每一等量小樣填充離子交換樹脂(1.5 g)，並使其等平衡7天。於平衡進程中，氫氧化錫自該系統沉積。平衡之後，將澄清溶液自該混合物中傾析出來，並通過ICP-MS分析Pb、Bi及Po雜質。結果係報告於表3中。分析混合漿料之一等量小樣，發現其具有與該溶液基本一致之結果。
    Bi及Po兩者之檢測極限皆為1 ppm。該控制樣本係製備後但未與任何樹脂接觸之前直接使用的錫溶液樣本。於表3中，正的%變化表明雜質之含量實際上增加，而負的%變化表示雜質之含量降低。%變化係相對於該控制樣本之雜質含量而量測之。樣本C-1至C-10係比較樣本。樣本1至3係本發明之樣本。於此低pH系統中，當樹脂移除之Bi及Pb各種>15%時，則認為其通過。 實施例3
    中等酸性pH。將氧化亞錫(239 g)溶解於含有甲磺酸(70%,542 g)及水(80 g)的溶液中。該溶液之pH係5.5至6.35。將所得之澄清、無色溶液分為若干等量小樣，對每一等量小樣填充獨立之離子交換樹脂。使獨立之溶液平衡7天，之後，將液體自該混合物中傾析出來，並通過ICP-MS分析Pb、Bi及Po雜質。結果係報告於表4中。
    Bi之檢測限極為1 ppm，而Po之檢測極限為5 ppm。該控制樣本係製備後但未與任何樹脂接觸之前直接使用的錫溶液樣本。於表4中，正的%變化表明雜質之含量實際上增加，而負的%變化表示雜質之含量降低。%變化係相對於該控制樣本之雜質含量而量測之。樣本C-1至C-6係比較樣本。樣本1至7係本發明之樣本。於此中等酸性系統中，當樹脂移除>5%之雜質時，則認為其通過。
    权利要求:
    Claims (16)
    [1] 一種用於純化金屬溶液之方法，係包含：提供具有阿爾法放射材質之酸性金屬溶液；將該金屬溶液與離子交換樹脂接觸一段時間，該時間係足以移除至少部份之該阿爾法放射材質；以及，將該金屬溶液自該離子交換樹脂分離，以提供純化之金屬溶液。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該金屬係選自錫、鉛、銀、銅、鉍、銦及其混合物。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該酸性金屬溶液係具有<6.9之pH值。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該酸性金屬溶液係包含有機磺酸。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，將該金屬溶液與離子交換樹脂接觸之該步驟係於15至90℃之溫度予以施行。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該阿爾法放射材質係選自鉛、鉍、釙、鈾、釷、氡、鐳及其混合物。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該金屬係以0.01至30 wt%之量存在。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該離子交換樹脂係選自螯合樹脂、陰離子交換樹脂、陽離子交換樹脂、氧化鈦系吸收樹脂及其混合物。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，該離子交換樹脂係選自亞胺基二乙酸樹脂、氮基三乙酸樹脂、膦基乙酸樹脂、硫脲樹脂、胺甲基吡啶樹脂、四級胺樹脂、三級胺樹脂、芳族胺樹脂、硫醇樹脂、磺化酚樹脂及氧化鈦系吸收樹脂。
    [10] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該金屬溶液係與兩種不同之離子交換樹脂接觸。
    [11] 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，該兩種不同之離子交換樹脂接觸係混合床樹脂。
    [12] 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中，該金屬溶液係依序接觸該兩種不同之離子交換樹脂。
    [13] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該金屬溶液與該離子交換樹脂接觸之該步驟係連續製程。
    [14] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，將該金屬溶液與該離子交換樹脂接觸之步驟係批次製程。
    [15] 一種製備金屬溶液之方法，係包含：提供金屬離子之酸性水溶液；提供能移除阿爾法粒子放射材質之離子交換樹脂；將該金屬離子之水溶液與該離子交換樹脂接觸，以移除至少部份之該阿爾法粒子放射材質；以及，隨後將該金屬溶液自該離子交換樹脂分離。
    [16] 一種製備具有相對低含量之阿爾法粒子放射體之錫溶液的方法，係包含：提供錫離子之水溶液，其中，該溶液係具有6.9之pH；提供能移除阿爾法粒子放射材質之離子交換樹脂；將該錫離子之水溶液與該離子交換樹脂接觸，以移除至少部份之該阿爾法粒子放射材質；以及，隨後將該錫溶液自該離子交換樹脂分離。
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    法律状态:
    2021-03-21| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    US201161489251P| true| 2011-05-24|2011-05-24||
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