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    本發明提供一種接著劑組成物，其含有：(A)有機鋁錯合物、(B)矽烷偶合劑以及(C)硬化性成分。
    公开号:TW201307508A
    申请号:TW101127096
    申请日:2012-07-27
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Susumu Kawakami
    申请人:Hitachi Chemical Co Ltd；
    IPC主号:H01R4-00
    专利说明:
    接著劑組成物、使用其的膜狀接著劑及電路連接材料、電路構件的連接結構及其製造方法
    本發明是有關於一種接著劑組成物、使用其的膜狀接著劑及電路連接材料、電路構件的連接結構及其製造方法。
    於半導體或液晶顯示器等領域中，為了固定電子零件或進行電路連接而使用各種接著材料。
    而且，於液晶顯示器與捲帶式封裝(Tape Carrier Package；TCP)之連接或可撓性印刷基板(Flexible printed Circuits；FPC)與TCP之連接、FPC與印刷線路板之連接中，為了更確實地進行電路連接，使用於接著劑中分散有導電性粒子而成的異向性導電性接著劑(例如參照專利文獻1~專利文獻4)。另外，於最近，於將半導體矽晶片封裝於基板上之情形時，亦進行將半導體矽晶片直接封裝於基板上的所謂玻璃覆晶基板(Chip-on-glass；COG)而代替先前之打線接合，此處亦可適用異向性導電性接著劑。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]日本專利特開昭59-120436號公報
    [專利文獻2]日本專利特開昭60-191228號公報
    [專利文獻3]日本專利特開平1-251787號公報
    [專利文獻4]日本專利特開平7-90237號公報
    近年來，於精密電子機器之領域中，電路之高密度化不斷發展，電極寬度及電極間隔變得極其窄。因此，於先前的使用環氧樹脂系之電路連接用接著劑之連接條件中，存在產生配線之脫落、剝離、位置偏移等之問題點，於COG中存在產生由於晶片與基板之熱膨脹差而引起之翹曲的問題。另外，為了低成本化，存在使處理量(throughput)提高的必要性，要求能夠於低溫(100℃~170℃)、短時間(10秒以內)下硬化，換而言之，要求可低溫快速硬化之接著劑。而且，先前的使用環氧樹脂系之電路連接用接著劑由於如下之原因，而存在容易產生電性腐蝕之缺點：所使用之聚合起始劑成為離子性化合物，環氧之聚合物成為親水性高之聚醚。若於COG用接著材料中適用不飽和化合物之自由基聚合，則雖然變得可低溫快速硬化，但於反應點為中性之自由基硬化反應中，存在如下之問題：對於包含無機材料之被黏著體而言，難以生成自由基反應的鍵結，因此難以賦予充分之接著強度，特別是於高溫高濕環境下接著強度降低。
    本發明是鑒於上述先前技術所具有的課題而成的，其目的在於提供一種即使對於包含無機材料之被黏著體而言，亦可獲得充分之接著強度，且即使於高溫高濕環境下亦可獲得穩定之接著強度的接著劑組成物、使用其的膜狀接著劑及電路連接材料、以及電路構件的連接結構及其製造方法。
    為了達成上述目的，本發明者等人發現藉由使有機鋁錯合物與矽烷偶合劑共存而使用，與分別單獨使用有機鋁錯合物或矽烷偶合劑相比而言，對於包含無機材料之被黏著體之接著強度變得特別高，從而完成本發明。
    亦即，本發明之接著劑組成物含有：(A)有機鋁錯合物、(B)矽烷偶合劑以及(C)硬化性成分。本發明之接著劑組成物具有此種構成，因此即使對於包含無機材料之被黏著體，亦可獲得充分之接著強度，且即使於高溫高濕環境下經過長時間亦可獲得穩定之接著強度。本發明之接著劑組成物對於至少表面包含無機材料的被黏著體具有高的接著強度，因此可適宜地作為電路連接材料而使用。
    (A)有機鋁錯合物可為由下述通式(1)所表示者。亦即，可為具有如下結構的化合物：於3價鋁陽離子上配位有烷氧基陰離子、β-二酮之共軛陰離子或β-酮酯之共軛陰離子。
    [於通式(1)中，L1、L2及L3分別獨立地表示烷氧基陰離子、β-二酮之共軛陰離子或β-酮酯之共軛陰離子。L1、L2及L3可相同亦可不同]
    藉由使(A)有機鋁錯合物為上述通式(1)所表示者，可獲得進一步更充分之接著強度，且即使在進一步更高溫高濕環境下經過長時間亦可獲得安定之接著強度。
    (B)矽烷偶合劑可為含有甲基丙烯醯基(methacryl)之矽烷偶合劑或含有丙烯醯基之矽烷偶合劑。藉此，使接著力更加提高。
    (C)硬化性成分可包含自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑。藉此，除了上述效果以外，可於硬化時適用自由基聚合性化合物(例如(甲基)丙烯酸酯)之自由基聚合，由此而實現接著溫度之低溫化及接著時間之縮短化(將該些合稱為「低溫快速硬化」)。另外，於將該接著劑組成物用於電路連接材料中之情形時，變得可低溫快速硬化，因此可減低連接電路構件時對基板之損傷或位置偏移，且可實現生產效率之提高。
    而且，本發明之接著劑組成物亦可更含有膜形成材料。藉由含有膜形成材料，變得可容易地將接著劑組成物形成為膜狀。
    本發明之膜狀接著劑是將上述本發明之接著劑組成物形成為膜狀而成。該膜狀接著劑之操作容易，且可容易地設置於基板等被黏著體上，而可容易地進行連接作業。
    本發明之電路連接材料含有上述本發明之接著劑組成物。
    該電路連接材料含有上述本發明之接著劑組成物，因此即使對於包含無機材料之被黏著體(電路構件等)亦具有高的接著強度，例如適於將電路構件彼此接著。而且，即使於高溫高濕環境下經過長時間亦可獲得穩定之接著強度。
    而且，本發明之電路連接材料亦可更含有導電性粒子。藉由含有導電性粒子，可提高連接之電極間(電路電極間等)之連接可靠性，且可減低連接電阻。
    本發明之電路構件的連接結構(於本說明書，亦將「連接結構」稱為「連接結構體」或「連接體」)包含：第一電路構件，於第一電路基板之主表面上形成有第一電路電極；第二電路構件，於第二電路基板之主表面上形成有第二電路電極；以及電路連接構件，設於上述第一電路基板之主表面與上述第二電路基板之主表面之間，在使上述第一電路電極與上述第二電路電極對向配置之狀態下，將上述第一電路構件及第二電路構件連接；上述電路連接構件包含上述本發明之電路連接材料之硬化物，上述第一電路電極與上述第二電路電極電性連接。
    該電路構件的連接結構中，由於電路連接構件包含上述本發明之電路連接材料之硬化物，因此接著強度之可靠性優異，即使於高溫高濕環境下經過長時間亦可獲得穩定之接著強度。特別是於電路連接材料包含導電性粒子之情形時，除了上述效果以外，可使連接電阻充分減低。而且，上述本發明之電路連接材料即使對於包含無機材料之被黏著體，亦可獲得充分之接著強度，且即使於高溫高濕環境下經過長時間亦可獲得穩定之接著強度，因此上述第一電路構件或上述第二電路構件之黏附面(介隔連接構件而連接之面)之至少一部分亦可包含無機材料。
    於本發明之電路構件的連接結構的製造方法中，於上述第一電路基板之主表面與上述第二電路基板之主表面之間配置上述本發明之電路連接材料，介隔上述第一電路構件及第二電路構件，對上述電路連接材料進行加熱及加壓而使其硬化(硬化處理)，將上述第一電路構件與上述第二電路構件連接，且將上述第一電路電極與上述第二電路電極電性連接。
    根據該電路構件的連接結構的製造方法，藉由使用本發明之電路連接材料，可形成接著強度之可靠性優異、即使於高溫高濕環境下經過長時間亦具有穩定之接著強度的電路構件的連接結構。而且，於上述電路連接材料包含自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑之情形時，除上述效果以外，亦變得可低溫快速硬化，且可充分抑制對電路構件之不良影響。而且，上述本發明之電路連接材料即使對於包含無機材料之被黏著體，亦可獲得充分之接著強度，且即使於高溫高濕環境下經過長時間亦可獲得穩定之接著強度，因此上述第一電路構件或上述第二電路構件之黏附面的至少一部分亦可包含無機材料。
    如上所述，本發明之電路連接材料可適宜地用以將於第一電路基板之主表面上形成有第一電路電極之第一電路構件、與於第二電路基板之主表面上形成有第二電路電極之第二電路構件，在使上述第一電路電極與上述第二電路電極對向配置之狀態下連接。於此情形時，上述第一電路構件或上述第二電路構件之黏附面之至少一部分亦可包含無機材料。
    本發明之太陽電池模組包含：具有電極之太陽電池單元；配線構件；以及連接構件，以上述電極與上述配線構件電性連接之方式將上述太陽電池單元與上述配線構件接著；上述連接構件包含上述本發明之電路連接材料之硬化物。
    該太陽電池模組由於連接構件包含上述本發明之電路連接材料之硬化物，因此接著強度之可靠性優異，即使於高溫高濕環境下經長時間亦可獲得穩定之接著強度。特別是於電路連接材料包含導電性粒子之情形時，除了上述效果以外，亦可使連接電阻充分地減低。而且，於電路連接材料包含自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑作為(C)硬化性成分之情形時，變得可低溫快速硬化，因此於連接時，可不使太陽電池單元劣化地製造，而成為具有較先前更高之可靠性之太陽電池模組。
    如上所述，本發明之電路連接材料可適宜地用以對具有電極之太陽電池單元與配線構件，以上述電極與上述配線構件電性連接之方式將上述太陽電池單元與上述配線構件連接。


    本發明之接著劑組成物即使對於包含無機材料之被黏著體，亦可獲得充分之接著強度，且即使於高溫高濕環境下經過長時間亦可獲得穩定之接著強度。
    而且，本發明之膜狀接著劑之操作容易，可容易地設置於基板等被黏著體上，可容易地進行連接作業。
    另外，本發明之電路連接材料適於對電路構件(例如半導體元件、液晶顯示元件)進行接著。而且，使用含有導電性粒子之電路連接材料而製作之電路構件的連接結構可使連接電阻充分減低，接著強度(特別是高溫高濕環境下)之可靠性優異。而且，於電路連接材料包含自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑之情形時，藉由使用該電路連接材料的電路構件的連接結構的製造方法，可低溫快速硬化，因此可充分抑制對電路構件之不良影響。
    以下，視情況參照圖式而對本發明之適宜之實施形態加以詳細說明。另外，於以下之說明中，對同一或相當部分附以同一符號，省略重複之說明。而且，於以下之說明中，所謂(甲基)丙烯酸酯是表示丙烯酸酯或與其對應之甲基丙烯酸酯。 [接著劑組成物]
    本發明之接著劑組成物含有(C)硬化性成分、(A)有機鋁錯合物、(B)矽烷偶合劑。
    本發明中之(C)硬化性成分是具有由於熱或能量線等外部能量而硬化之性質的成分。該硬化性成分並無特別限制，例如可為包含自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑之組合而構成的成分。由於包含自由基聚合性化合物而變得可低溫快速硬化。
    自由基聚合性化合物是具有藉由自由基而聚合之官能基的物質。該自由基聚合性化合物可列舉(甲基)丙烯酸酯、馬來醯亞胺化合物、苯乙烯衍生物等。該些化合物可單獨使用1種，或者將2種以上加以混合而使用。而且，自由基聚合性化合物可於單體或寡聚物之任意狀態下使用，亦可將單體與寡聚物加以混合而使用。
    (甲基)丙烯酸酯化合物可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇四(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基甲氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷、(甲基)丙烯酸二環戊烯基酯、(甲基)丙烯酸三環癸基酯、三(丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、異氰尿酸環氧乙烷改性二丙烯酸酯等。該些化合物可單獨使用1種，或者可將2種以上加以混合而使用。藉由使上述(甲基)丙烯酸酯化合物自由基聚合，可獲得(甲基)丙烯酸樹脂。
    馬來醯亞胺化合物是具有至少1個馬來醯亞胺基之化合物。馬來醯亞胺化合物可列舉苯基馬來醯亞胺、1-甲基-2,4-雙馬來醯亞胺苯、N,N'-間伸苯基雙馬來醯亞胺、N,N'-對伸苯基雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-伸聯苯基雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-(3,3-二甲基伸聯苯基)雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-(3,3-二甲基二苯基甲烷)雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-(3,3-二乙基二苯基甲烷)雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-二苯基丙烷雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-二苯基醚雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-二苯基碸雙馬來醯亞胺、2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(3-第二丁基-3,4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、1,1-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)癸烷、4,4'-亞環己基-雙(1-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯氧基)-2-環己基苯、2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)六氟丙烷等。該些化合物可單獨使用1種，亦可將2種以上加以混合而使用。
    苯乙烯衍生物是苯乙烯之α-位或芳香族環中之氫原子被取代基取代而成的化合物。
    自由基聚合起始劑可列舉過氧化化合物、偶氮系化合物等藉由加熱而分解而產生游離自由基之化合物。該些化合物可根據目標之連接溫度、連接時間、保存穩定性等而適宜地選定，自高反應性與保存穩定性之方面考慮，較佳的是半生期10小時之溫度為40℃以上、且半生期1分鐘之溫度為180℃以下之有機過氧化物、偶氮系化合物，更佳的是半生期10小時之溫度為60℃以上、且半生期1分鐘之溫度為170℃以下之有機過氧化物、偶氮系化合物。於將連接時間設為10秒以下之情形時，作為自由基聚合起始劑之調配量，為了獲得充分之反應率，較佳的是相對於自由基聚合性化合物100質量份而言為0.1質量份~40質量份，更佳的是0.1質量份~30質量份。若自由基聚合起始劑之調配量不足0.1質量份，則存在無法獲得充分之反應率，變得難以獲得良好之接著強度或小的連接電阻之傾向。另一方面，若自由基聚合起始劑之調配量超過40質量份，則存在接著劑之流動性降低、連接電阻上升、接著劑之保存穩定性降低之傾向。
    自由基聚合起始劑之具體例可列舉過氧化二醯基、過氧二碳酸酯、過氧化酯、過氧縮酮、過氧化二烷基、氫過氧化物、矽烷基過氧化物等。而且，為了抑制電路構件之連接端子之腐蝕，較佳的是自由基聚合起始劑中所含有之氯離子或有機酸為5000 ppm以下。該些化合物中較佳的是選自過氧化酯、過氧縮酮、過氧化二烷基、氫過氧化物、矽烷基過氧化物，更佳的是選擇獲得高反應性之過氧化酯、過氧縮酮。該些化合物可單獨使用1種，或者可將2種以上加以混合而使用。
    過氧化二醯基可列舉：過氧化異丁基、過氧化-2,4-二氯苯甲醯、過氧化-3,5,5-三甲基己醯、過氧化辛醯、過氧化月桂醯、過氧化硬脂醯、過氧化琥珀醯、苯甲醯基過氧基甲苯、過氧化苯甲醯等。
    過氧二碳酸酯可列舉：二正丙基過氧二碳酸酯、二異丙基過氧二碳酸酯、雙(4-第三丁基環己基)過氧二碳酸酯、二-2-乙氧基甲氧基過氧二碳酸酯、二(2-乙基己基過氧基)二碳酸酯、二甲氧基丁基過氧二碳酸酯、二(3-甲基-3-甲氧基丁基過氧基)二碳酸酯等。
    過氧化酯可列舉：過氧新癸酸異丙苯酯、過氧新癸酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧新癸酸-1-環己基-1-甲基乙酯、過氧新癸酸第三己酯、過氧特戊酸第三丁酯、過氧-2-乙基己酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、2,5-二甲基-2,5-雙(2-乙基己醯基過氧基)己烷、過氧-2-乙基己酸-1-環己基-1-甲基乙酯、過氧-2-乙基己酸第三己酯、過氧-2-乙基己酸第三丁酯、過氧異丁酸第三丁酯、1,1-雙(第三丁基過氧基)環己烷、第三己基過氧基異丙基單碳酸酯、過氧-3,5,5-三甲基己酸第三丁酯、過氧月桂酸第三丁酯、2,5-二甲基-2,5-雙(間甲苯醯基過氧基)己烷、第三丁基過氧基異丙基單碳酸酯、第三丁基過氧基-2-乙基己基單碳酸酯、過氧苯甲酸第三己酯、過氧乙酸第三丁酯等。
    過氧縮酮可列舉：1,1-雙(第三己基過氧基)-3,5,5-三甲基環己烷、1,1-雙(第三己基過氧基)環己烷、1,1-雙(第三丁基過氧基)-3,5,5-三甲基環己烷、1,1-(第三丁基過氧基)環十二烷、2,2-雙(第三丁基過氧基)癸烷等。
    過氧化二烷基可列舉：α,α'-雙(第三丁基過氧基)二異丙基苯、過氧化二異丙苯、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧基)己烷、第三丁基異丙苯基過氧化物等。
    氫過氧化物可列舉：二異丙基苯過氧化氫、過氧化羥基異丙苯等。
    矽烷基過氧化物可列舉：第三丁基三甲基矽烷基過氧化物、雙(第三丁基)二甲基矽烷基過氧化物、第三丁基三乙烯基矽烷基過氧化物、雙(第三丁基)二乙烯基矽烷基過氧化物、三(第三丁基)乙烯基矽烷基過氧化物、第三丁基三烯丙基矽烷基過氧化物、雙(第三丁基)二烯丙基矽烷基過氧化物、三(第三丁基)烯丙基矽烷基過氧化物等。
    該些由於加熱而產生游離自由基之自由基聚合起始劑可單獨使用或者加以混合而使用，亦可進一步混合分解促進劑、抑制劑等而使用。而且，將該些起始劑用聚胺基甲酸酯系、聚酯系高分子物質等包覆而微膠囊化而成者，因可延長使用壽命而較佳。
    接著劑組成物中之(C)硬化性成分之含量並無特別限制，例如可設為相對於接著劑組成物總量而言為10質量%~95質量%。而且，自減低連接電阻之觀點考慮，較佳的是設為30質量%~80質量%，更佳的是設為40質量%~60質量%。
    (A)有機鋁錯合物是於鋁上鍵結有包含有機基之配位基的分子。鋁與配位基之鍵可為氫鍵或配位鍵之任意者。有機基若為包含碳原子、氫原子及氧原子之基即可，亦可進一步包含硫原子、氮原子等。
    (A)有機鋁錯合物可設為具有如通式(1)所示的於3價鋁陽離子上配位有烷氧基陰離子、β-二酮之共軛陰離子或β-酮酯之共軛陰離子而成之結構的化合物。
    [在通式(1)中，L1、L2及L3分別獨立地表示烷氧基陰離子、β-二酮之共軛陰離子或β-酮酯之共軛陰離子。L1、L2及L3可相同亦可不同]
    通式(1)所表示之有機鋁錯合物之具體例可列舉三(乙醯丙酮)鋁、三(乙醯乙酸乙酯)鋁、單乙醯丙酮雙(乙醯乙酸乙酯)鋁、單乙醯丙酮雙乙醯乙酸油烯基酯鋁、乙醯乙酸乙酯二異丙醇鋁、乙醯乙酸烷基酯二異丙醇鋁等。
    接著劑組成物中之(A)有機鋁錯合物之含量並無特別限制，例如相對於(C)硬化性成分100質量份而言，可設為0.01質量份~30質量份。而且，自接著力提高之觀點考慮，較佳的是設為1質量份~10質量份，更佳的是設為1質量份~5質量份。
    矽烷偶合劑是於其分子中具有有機官能基及水解性基之化合物，例如可列舉含有乙烯基之矽烷偶合劑、含有環氧基之矽烷偶合劑、含有苯乙烯基之矽烷偶合劑、含有甲基丙烯醯基之矽烷偶合劑、含有丙烯醯基之矽烷偶合劑、含有胺基之矽烷偶合劑、含有脲基之矽烷偶合劑、含有巰基之矽烷偶合劑、含有硫醚基(sulfide group)之矽烷偶合劑、含有異氰酸酯基之矽烷偶合劑、含有烯丙基之矽烷偶合劑等。自接著力提高之觀點考慮，該些化合物中較佳的是含有甲基丙烯醯基之矽烷偶合劑或含有丙烯醯基之矽烷偶合劑。
    上述水解性基例如可列舉甲氧基、乙氧基等碳數為1~6之烷氧基，乙醯氧基、2-甲氧基乙氧基等。
    上述含有乙烯基之矽烷偶合劑例如可列舉乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷等。
    上述含有環氧基之矽烷偶合劑例如可列舉2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷等。
    上述含有苯乙烯基之矽烷偶合劑例如可列舉對苯乙烯基三甲氧基矽烷等。
    上述含有甲基丙烯醯基之矽烷偶合劑例如可列舉3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等。
    上述含有丙烯醯基之矽烷偶合劑例如可列舉3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等。
    上述含有胺基之矽烷偶合劑例如可列舉N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯基苄基)-2-胺基乙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等。
    上述含有脲基之矽烷偶合劑例如可列舉3-脲基丙基三乙氧基矽烷等。
    上述含有巰基之矽烷偶合劑例如可列舉3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷等。
    上述含有硫醚基之矽烷偶合劑例如可列舉雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物等。
    上述含有異氰酸酯基之矽烷偶合劑例如可列舉3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三甲氧基矽烷等。
    上述含有烯丙基之矽烷偶合劑例如可列舉烯丙基三甲氧基矽烷等。
    接著劑組成物中之(B)矽烷偶合劑之含量並無特別限制，例如相對於(C)硬化性成分100質量份而言，可設為0.01質量份~30質量份。而且，自接著力提高之觀點考慮，較佳的是設為0.1質量份~10質量份，更佳的是設為0.1質量份~5質量份。
    本發明之接著劑組成物含有上述硬化性成分、上述有機鋁錯合物及上述矽烷偶合劑，且亦可進一步含有膜形成材料。
    所謂膜形成材料，是於將液狀物固形化而將構成組成物製成膜形狀之情形時，對於該膜而言，該膜之操作容易，且賦予其並不容易地裂開、破損、發黏之機械特性等的材料，且是可於通常之狀態下進行製成膜之操作的材料。該膜形成材料可列舉苯氧樹脂、聚乙烯甲醛樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯丁醛樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、二甲苯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂等。自接著強度、相溶性、耐熱性、機械強度優異考慮，該些樹脂中較佳的是苯氧樹脂。
    苯氧樹脂是藉由使2官能酚類與表鹵醇反應至高分子量或者使2官能環氧樹脂與2官能酚類進行加成聚合而所得之樹脂。具體而言，可藉由使2官能酚類1莫耳與表鹵醇0.985~1.015於鹼金屬氫氧化物之存在下、非反應性溶劑中、40℃~120℃之溫度下進行反應而獲得。而且，自樹脂之機械特性或熱特性之方面考慮，特佳的是將2官能性環氧樹脂與2官能性酚類之調配當量比設為環氧基/苯酚羥基=1/0.9~1/1.1，於鹼金屬化合物、有機磷系化合物、環狀胺系化合物等觸媒之存在下，於沸點為120℃以上之醯胺系、醚系、酮系、內酯系、醇系等有機溶劑中，反應固形物為50質量份以下而加熱至50℃~200℃，進行加成聚合反應而所得的苯氧樹脂。
    2官能環氧樹脂可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、聯苯二縮水甘油醚、甲基取代聯苯二縮水甘油醚等。
    2官能酚類是具有2個酚性羥基之化合物，例如可列舉對苯二酚類、雙酚A、雙酚F、雙酚AD、雙酚S、雙酚茀、甲基取代雙酚茀、二羥基聯苯、甲基取代二羥基聯苯等雙酚類等。
    而且，苯氧樹脂亦可藉由自由基聚合性官能基或其他反應性化合物而改性。苯氧樹脂可單獨使用，亦可將2種以上加以混合而使用。
    接著劑組成物中之膜形成材料之含量並無特別限制，例如相對於(C)硬化性成分100質量份而言，較佳的是設為20質量份~70質量份，更佳的是設為40質量份~60質量份。
    於接著劑組成物含有膜形成材料、自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑之情形時，作為與矽烷偶合劑之混合比率，自接著劑組成物之接著強度提高之觀點考慮，較佳的是相對於膜形成材料、自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑之合計100質量份而言，矽烷偶合劑為0.01質量份~25質量份。而且，更佳的是0.1質量份~20質量份，進一步更佳的是0.5質量份~15質量份，最佳的是1質量份~10質量份。
    於本發明之接著劑組成物亦可進一步調配以丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯及丙烯腈中之至少一種為單體成分的聚合物或共聚物。特別是於併用包含含有縮水甘油醚基之丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯的共聚物系丙烯酸橡膠之情形時，應力緩和優異，因此較佳。自提高接著劑組成物之凝聚力之方面而言，該些丙烯酸橡膠之重量平均分子量較佳的是20萬以上。
    而且，於本發明之接著劑組成物中亦可進一步調配填充劑、軟化劑、促進劑、抗老化劑、阻燃劑、色素、觸變劑、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、異氰酸酯類等。
    具有以上所說明之構成的接著劑組成物之使用形態並無特別限制，例如可作為將上述各成分溶解及/或分散於甲苯、乙酸乙酯等之有機溶劑中而成之溶液、或者自該溶液中除去溶劑而成形為規定形狀的成形體(例如後述之膜狀接著劑)而使用。 [電路連接材料]
    本發明之電路連接材料含有上述接著劑組成物。而且，上述電路連接材料亦可含有導電性粒子。
    導電性粒子可列舉含有Au、Ag、Ni、Cu、焊料等之金屬粒子、碳粒子等。自獲得充分之保存穩定性之觀點考慮，導電性粒子之表層較佳的是並非Ni、Cu等過渡金屬類而是Au、Ag、鉑族之貴金屬類，更佳的是Au。亦可為藉由Au等貴金屬類包覆Ni等過渡金屬類之表面而成的粒子。而且，導電性粒子亦可使用藉由上述金屬等導電物質包覆非導電性之玻璃、陶瓷、塑膠等而成之複合粒子，於此情形時，亦較佳的是最外層為貴金屬類的複合粒子。導電性粒子例如亦可為於包含銅之金屬粒子上包覆銀而成的粒子。而且，導電性粒子亦可使用如日本專利特開2005-116291號公報中所記載的微細之金屬粒子多數具有相連為鏈狀之形狀的金屬粉末。
    若使用以導電物質包覆非導電性之塑膠等而成之導電性粒子或熱熔融金屬粒子作為導電性粒子，則該些導電性粒子由於加熱加壓而變形，因此於連接時與電極之接觸面積增加，而存在吸收電路構件之電路端子之厚度不均而使連接可靠性提高之傾向，故而較佳。
    自獲得良好之電阻之觀點考慮，貴金屬類之包覆層之厚度較佳的是10 nm以上。然而，於在Ni等過渡金屬上設置貴金屬類之層之情形時，由於氧化還原作用(由於貴金屬類層之缺損或導電性粒子之混合分散時所產生之貴金屬類層之缺損等而產生所述氧化還原作用)而產生游離自由基，存在引起保存穩定性降低之傾向，因此自防止該現象之觀點考慮，包覆層之厚度較佳的是30 nm以上。另外，包覆層之厚度之上限並無特別限制，為使所得之效果變飽和，較佳的是設為1 μm以下。
    而且，導電性粒子亦可使用藉由絕緣性粒子而包覆上述導電性粒子之表面而成的導電性粒子、或藉由混成(hybridization)等方法而於上述導電性粒子之表面設置包含絕緣性材料之絕緣層的導電性粒子。藉由使用此種導電性粒子，變得難以產生由於鄰接之導電性粒子彼此接觸所造成之短路。
    導電性粒子之平均粒徑較佳的是1 μm~20 μm。導電性粒子之平均粒徑可使用粒度分布測定裝置(例如BeckmanCoulter公司製造、LS13 320)而測定。
    作為導電性粒子之調配量，較佳的是相對於接著劑組成物100體積份而言設為0.1體積份~30體積份，較佳的是於該範圍內根據用途而適宜調節。另外，自防止由於導電性粒子過剩存在而造成的鄰接電路短路等之觀點考慮，更佳的是將調配量設為0.1體積份~10體積份。
    上述電路連接材料可適宜地用於電路間之連接、電路與配線構件等導電體之連接。例如，上述電路連接材料適於用以將於第一電路基板之主表面上形成有第一電路電極之第一電路構件、與於第二電路基板之主表面上形成有第二電路電極之第二電路構件，在使所述第一電路電極與所述第二電路電極對向配置之狀態下連接的使用；用於對具有電極之太陽電池單元與配線構件，以上述電極與上述配線構件電性連接之方式將上述太陽電池單元與上述配線構件連接的使用。 [膜狀接著劑]
    圖1是表示膜狀接著劑之一實施形態的模式截面圖。圖1所示之膜狀接著劑1是將上述接著劑組成物形成為膜狀而成的。藉由該膜狀接著劑1，可使操作容易，可容易地設置於被黏著體上，可容易地進行連接作業。
    另外，膜狀接著劑1亦可設為包含接著劑組成物硬化時之Tg(玻璃轉移溫度)相差5℃以上之2種以上層的多層構成(未圖示)。
    膜狀接著劑1例如可藉由如下方式而製作：使用塗佈裝置將接著劑組成物溶解於溶劑中而成者塗佈於支撐體(聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)膜等)上，於接著劑組成物並不硬化之溫度下進行規定時間之熱風乾燥。而且，膜狀接著劑1之厚度例如可設為10 μm~50 μm。 [電路構件的連接結構]
    圖2是表示電路構件的連接結構之一實施形態的模式截面圖。如圖2所示，本實施形態之電路構件的連接結構包含相互對向之第一電路構件20及第二電路構件30，於第一電路構件20與第二電路構件30之間設有對該些構件進行連接的電路連接構件10。第一電路構件20或第二電路構件30亦可包含無機材料。而且，連接構件與黏附面之至少一部分亦可包含無機材料。
    第一電路構件20包含電路基板(第一電路基板)21、於電路基板21之主表面21a上所形成的電路電極(第一電路電極)22。另外，於電路基板21之主表面21a上亦可視情況形成有絕緣層(未圖示)。
    另一方面，第二電路構件30包含電路基板(第二電路基板)31、於電路基板31之主表面31a上所形成之電路電極(第二電路電極)32。而且，於電路基板31之主表面31a上亦可視情況形成有絕緣層(未圖示)。
    作為第一電路構件20及第二電路構件30，若為形成有電性連接所必需的電極的構件則並無特別限制。具體而言可列舉液晶顯示器中所使用之藉由ITO等而形成有電極之玻璃或塑膠基板、印刷線路板、陶瓷線路板、可撓性線路板、半導體矽晶片等，該些可視需要加以組合而使用。如上所述，於本實施形態中可使用印刷線路板或如下之電路構件，所述電路構件如以包含聚醯亞胺等有機物之材質為首，包含銅、鋁等金屬或氧化銦錫(indiumtinoxide，ITO)、氮化矽(SiNX)、二氧化矽(SiO2)等無機材料之材質那樣具有多種多樣之表面狀態。
    電路連接構件10含有絕緣性物質11及導電性粒子7。導電性粒子7不僅配置於對向之電路電極22與電路電極32之間，而且亦配置於主表面21a與主表面31a之間。於電路構件的連接結構中，電路電極22及電路電極32介隔導電性粒子7而電性連接。亦即，導電性粒子7與電路電極22及電路電極32之雙方直接接觸。
    此處，導電性粒子7若具有可獲得電性連接之導電性則並無特別限制，存在有Au、Ag、Ni、Cu、Co、焊料等之金屬粒子或碳等。而且，亦可使用藉由上述金屬等導電物質包覆非導電性之玻璃、陶瓷、塑膠等而成者。此時，為了獲得充分之導電性，所包覆之金屬層之厚度較佳的是10 nm以上。
    於該電路構件的連接結構中，對向之電路電極22與電路電極32如上所述地介隔導電性粒子7而電性連接。因此，電路電極22及電路電極32間之連接電阻充分地減低。因此，可使電路電極22及電路電極32間之電流的流動順利，可充分發揮電路所具有的功能。另外，於電路連接構件10不含導電性粒子7之情形時，藉由電路電極22與電路電極32直接接觸而進行電性連接。
    電路連接構件10如後所述地包含上述包含接著劑組成物之電路連接材料之硬化物，因此電路連接構件10對於第一電路構件20或第二電路構件30之接著強度充分變高，特別是於高溫高濕環境下獲得穩定之接著強度。而且，於電路構件的連接結構中，經過長時間地持續接著強度充分高之狀態。因此，變得可充分防止電路電極22及電路電極32間之距離的經時性變化，可充分提高電路電極22及電路電極32間的電氣特性之長期可靠性。 [電路構件的連接結構的製造方法]
    其次，對上述之電路構件的連接結構的製造方法加以說明。
    首先，準備上述第一電路構件20與膜狀電路連接材料40(參照圖3(a))。膜狀電路連接材料40是將電路連接材料成形為膜狀而成者。電路連接材料含有接著劑組成物5與導電性粒子7。此處，於接著劑組成物5中使用上述之本發明之接著劑組成物。於以下之說明中，對接著劑組成物5中之硬化性成分為自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑之情形加以說明。另外，於電路連接材料不含導電性粒子7之情形時，該電路連接材料可作為絕緣性接著劑而用於異向性導電性接著，特別是有時亦稱為非導電性糊劑(Non-Conductive Paste，NCP)。而且，於電路連接材料含有導電性粒子7之情形時，該電路連接材料有時亦稱為異向性導電糊劑(Anisotropic Conductive Paste，ACP)。
    膜狀電路連接材料40之厚度較佳的是10 μm~50 μm。若膜狀電路連接材料40之厚度不足10 μm，則存在於電路電極22及電路電極32之間的電路連接材料變得填充不足之傾向。另一方面，若超過50 μm，則變得無法充分地排除電路電極22及電路電極32間之接著劑組成物，存在電路電極22及電路電極32間之導通之確保變困難之傾向。
    其次，將膜狀電路連接材料40載置於第一電路構件20之形成有電路電極22之面上。另外，於膜狀電路連接材料40附著於支撐體(未圖示)上之情形時，以膜狀電路連接材料40側朝向第一電路構件20之方式載置於第一電路構件20上。此時，膜狀電路連接材料40為膜狀，操作容易。因此，可於第一電路構件20與第二電路構件30之間容易地介隔膜狀電路連接材料40，可容易地進行第一電路構件20與第二電路構件30之連接作業。
    繼而，於圖3(a)之箭頭A及箭頭B方向上對膜狀電路連接材料40進行加壓，將膜狀電路連接材料40暫時連接於第一電路構件20上(參照圖3(b))。此時，可一面進行加熱一面進行加壓。其中，加熱溫度可設為膜狀電路連接材料40中之接著劑組成物並不硬化之溫度、亦即較自由基聚合起始劑產生自由基之溫度更低之溫度。
    繼而，如圖3(c)所示那樣，以使第二電路電極32朝向第一電路構件20之方式(亦即，第一電路電極22與第二電路電極32對向配置之狀態)而將第二電路構件30載置於膜狀電路連接材料40上。另外，於膜狀電路連接材料40附著於支撐體(未圖示)上之情形時，將支撐體剝離後將第二電路構件30載置於膜狀電路連接材料40上。
    繼而，一面對膜狀電路連接材料40進行加熱，一面於圖3(c)之箭頭A及箭頭B方向上介隔第一電路構件20及第二電路構件30而進行加壓。此時之加熱溫度設為自由基聚合起始劑可產生自由基之溫度。藉此於自由基聚合起始劑中產生自由基，開始自由基聚合性化合物之聚合。如上所述地對膜狀電路連接材料40進行硬化處理，進行正式連接，可獲得如圖2所示之電路構件的連接結構。
    加熱溫度例如設為90℃~200℃，連接時間例如設為1秒~10分鐘。該些條件根據所使用之用途、接著劑組成物、電路構件而適宜選擇，亦可視需要進行後硬化。例如，如本實施形態所示那樣，於接著劑組成物5中之硬化性成分為自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑之情形時，亦可將加熱溫度設為100℃~170℃，將連接時間設為10秒以內，使其低溫快速硬化。
    若如上所述地製造電路構件的連接結構，則於所得之電路構件的連接結構中，變得可使導電性粒子7與對向之電路電極22及電路電極32之雙方接觸，可充分減低電路電極22及電路電極32間之連接電阻。
    而且，藉由膜狀電路連接材料40之加熱，於電路電極22與電路電極32之間的距離充分減小之狀態下使接著劑組成物5硬化而成為絕緣性物質11，介隔電路連接構件10而將第一電路構件20與第二電路構件30牢固地連接。亦即，於所得之電路構件的連接結構中，電路連接構件10包含含有上述接著劑組成物之電路連接材料之硬化物，因此電路連接構件10對於第一電路構件20或第二電路構件30之接著強度充分變高，特別是於高溫高濕條件下接著強度充分變高。而且，於電路構件的連接結構中，經過長時間地持續接著強度充分高之狀態。因此，所得之電路構件的連接結構可充分地防止電路電極22及電路電極32間之距離的經時性變化，電路電極22及電路電極32間之電氣特性之長期可靠性優異。
    另外，於上述實施形態中，接著劑組成物5使用至少包含藉由加熱而產生自由基之自由基聚合起始劑的接著劑組成物，亦可使用僅僅藉由光照射而產生自由基之自由基聚合起始劑代替該自由基聚合起始劑。於此情形時，於膜狀電路連接材料40之硬化處理時，可進行光照射代替加熱。除此以外，亦可視需要使用藉由超音波、電磁波等產生自由基之自由基聚合起始劑。而且，接著劑組成物5中之硬化性成分亦可使用環氧樹脂及潛伏性硬化劑。
    而且，於上述實施形態中，使用膜狀電路連接材料40而製造電路構件的連接結構，亦可使用並未形成為膜狀之電路連接材料代替膜狀電路連接材料40。於此情形時，使電路連接材料溶解於溶劑中，若將該溶液塗佈於第一電路構件20或第二電路構件30之任意者上而使其乾燥，則可於第一電路構件20及第二電路構件30之間介隔電路連接材料。
    而且，亦可使用其他導電材料代替導電性粒子7。其他導電材料可列舉粒子狀、或短纖維狀之碳、鍍Au之Ni線等金屬線條等。 [太陽電池模組]
    本發明之接著劑組成物及電路連接材料亦可適宜地用於多個太陽電池單元電性連接而成之太陽電池模組中。以下，對本實施形態之太陽電池模組加以說明。
    本實施形態之太陽電池模組包含：具有電極之太陽電池單元；配線構件；以及連接構件，以上述電極與上述配線構件電性連接之方式將上述太陽電池單元與上述配線構件接著。而且，上述連接構件含有上述電路連接材料之硬化物。
    圖4是表示太陽電池模組之一實施形態的模式截面圖。如圖4所示，太陽電池模組200包含太陽電池單元100A及配線構件94，於太陽電池單元100A及配線構件94之間設有將該些電性連接的連接構件95。
    太陽電池單元100A於基板92上具有電極96，介隔該電極96而與配線構件94電性連接。另外，具有電極96之側的面是受光面98。於太陽電池單元100A中，於受光面98之相反側的背面99設有背面電極97。基板92例如是包含Si之單晶、多晶、及非晶中之至少一種的基板。
    配線構件94是用以將太陽電池單元100A與其他構件電性連接的構件。例如，於圖4中，藉由配線構件94而將太陽電池單元100A之電極96與太陽電池單元100B之背面電極97電性連接。
    於圖4所示之太陽電池模組200中，以配線構件94與太陽電池單元100B之背面電極97電性連接之方式藉由連接構件95將配線構件94與太陽電池單元100B接著。
    連接構件95例如可為含有絕緣性物質及導電性粒子者。於連接構件95含有導電性粒子之情形時，太陽電池單元100A之電極96與配線構件94可介隔導電性粒子而電性連接。而且，太陽電池單元100B之背面電極97與配線構件94亦可介隔導電性粒子而電性連接。
    圖4中所示之太陽電池模組200中，連接構件95包含上述電路連接材料之硬化物。因此，連接構件95對於太陽電池單元100A及配線構件94間的接著強度足夠高，且即使於高溫高濕環境下經過長時間亦可獲得穩定之接著強度。而且，於連接構件95含有導電性粒子之情形時，太陽電池單元100A及配線構件94間之連接電阻變得足夠小。另外，於上述電路連接材料包含自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑作為(C)硬化性成分之情形時，變得可低溫快速硬化，因此圖4中所示之太陽電池模組200可於連接時並不使太陽電池單元100A劣化地製造，可具有較先前更高之可靠性。
    而且，圖4中所示之太陽電池模組200可使用太陽電池單元100A及配線構件94作為上述之電路構件的連接結構的製造方法中之第一電路構件20及第二電路構件30，藉由與上述之電路構件之連接結構的製造方法相同之方法而製造。 [實例]
    以下，基於實例及比較例對本發明加以更具體的說明，但本發明並不限定於以下實例。 [實例1]
    使用Alumichelate D(川研精化股份有限公司之產品名)作為(A)有機鋁錯合物，使用3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷SZ6030(東麗道康寧股份有限公司之產品名)作為(B)矽烷偶合劑，使用作為自由基聚合性化合物之UA5500(根上工業股份有限公司之產品名)及M313(新中村化學工業股份有限公司之產品名)與作為自由基聚合起始劑之PEROYL L(日油股份有限公司之產品名)作為(C)硬化性成分。使用苯氧樹脂(YP-70、東都化成股份有限公司製造之商品名)作為黏合劑。而且，製作於以聚苯乙烯為核之粒子之表面設置厚度為0.2 μm之鎳層，於該鎳層之外側設置厚度為0.02 μm之金屬層的平均粒徑為3 μm、比重為2.5之導電性粒子而使用。以成為表1所示之混合比之方式調配各成分，使用塗佈裝置而塗佈於厚度為40 μm之PET樹脂膜上，藉由70℃、5分鐘之熱風乾燥而獲得接著劑層之厚度為20 μm之膜狀接著劑。 [實例2]
    使用ALCH-TR(川研精化股份有限公司之產品名)作為(A)有機鋁錯合物，除此以外藉由與實例1相同之方法而獲得膜狀接著劑。將各成分之混合比示於表1中。 [實例3]
    使用Alumichelate A(W)(川研精化股份有限公司之產品名)作為(A)有機鋁錯合物，除此以外藉由與實例1相同之方法而獲得膜狀接著劑。將各成分之混合比示於表1中。 [比較例1]
    除了未使用(A)有機鋁錯合物以外，藉由與實例1相同之方法而獲得膜狀接著劑。將各成分之混合比示於表1中。 [比較例2]
    除了未使用(B)矽烷偶合劑以外，藉由與實例1相同之方法而獲得膜狀接著劑。將各成分之混合比示於表1中。 [比較例3]
    未使用(A)有機鋁錯合物，使用有機鈦錯合物(二異丙氧基雙(乙醯丙酮)鈦)，除此以外藉由與實例1相同之方法而獲得膜狀接著劑。將各成分之混合比示於表1中。
    於表1中，除導電性粒子以外，各數值表示質量份。導電性粒子之數值表示相對於導電性粒子以外之各成分(接著劑組成物)的合計100體積份而言的體積份。 [連接體之製作1]
    於玻璃基板(Corning#1737、外形為38 mm×28 mm、厚度為0.5 mm、於表面具有ITO(氧化銦錫)配線圖案(圖案寬度為50 μm、間距為50 μm))上以2 mm×20 mm之大小自PET樹脂膜上轉印藉由上述製法而所得之膜狀接著劑。於表2所示之封裝條件(溫度與時間)下，施加80 MPa(凸塊面積換算)之負載進行加熱加壓而封裝IC晶片(外形為1.7 mm×17.2 mm、厚度為0.55 mm、凸塊大小為50 μm×50 μm、凸塊之間距為50 μm)。而且，保存穩定性之測定中所使用的膜狀接著劑亦同樣地封裝。 [連接體之製作2]
    於玻璃基板(Corning#1737、外形為38 mm×28 mm、厚度為0.5 mm)上以2 mm×15 mm之大小，自PET樹脂膜上轉印實例1~實例3及比較例1~比較例3之膜狀接著劑。於150℃下施加80 MPa(凸塊面積換算)之負載5秒進行加熱加壓而封裝IC晶片(外形為1.0 mm×10 mm、厚度為0.55 mm、凸塊之大小為50 μm×50 μm、凸塊之間距為50 μm)，製作IC/玻璃連接結構。 [連接體之製作3]
    於表面整個面附有ITO膜之玻璃基板(Corning#1737、外形為38 mm×28 mm、厚度為0.5 mm)上以2 mm×15 mm之大小自PET樹脂膜上轉印實例1~實例3及比較例1~比較例3之膜狀接著劑。於150℃下施加80 MPa(凸塊面積換算)之負載5秒進行加熱加壓而封裝IC晶片(外形為1.0 mm×10 mm、厚度為0.55 mm、凸塊之大小為50 μm×50 μm、凸塊之間距為50 μm)，製作IC/ITO連接結構。 [連接體之製作4]
    於表面整個面附有SiN膜之玻璃基板(Corning#1737、外形為38 mm×28 mm、厚度為0.5 mm)上以2 mm×15 mm之大小自PET樹脂膜上轉印實例1~實例3及比較例1~比較例3之膜狀接著劑。於150℃下施加80 MPa(凸塊面積換算)之負載5秒進行加熱加壓而封裝IC晶片(外形為1.0 mm×10 mm、厚度為0.55 mm、凸塊之大小為50 μm×50 μm、凸塊之間距為50 μm)，製作IC/SiN連接結構。 [連接電阻之評價]
    使用多用電表測定連接體之製作1中所得的IC晶片/附有ITO圖案之玻璃基板連接體之鄰接電路間的電阻值(測定14個端子中之最大值)，將其結果示於表2中。另外，於緊接於連接後(表2中表示為「電阻值(試驗前)」)與進行100小時高溫高濕試驗(85℃、85%RH)後(表2中表示為「電阻值(試驗後)」)測定上述電阻值。於如上所述地進行之電阻測定中，於實例1、實例2及實例3中，於高溫高濕試驗前後均顯示為10 Ω以下之良好之值。於比較例3中無法連接。而且，於比較例1及比較例2中，於高溫高濕試驗後變得無法連接。
    [接著強度之測定]
    對於藉由連接體之製作2、連接體之製作3及連接體之製作4而所得之IC/玻璃連接結構體、IC/ITO連接結構體及IC/SiN連接結構體，使用黏結強度試驗機(Dyge公司製造)測定緊接於連接後之剪切接著強度(初始接著強度)與進行100小時高溫高濕試驗(85℃、85%RH)後之剪切接著強度(高溫高濕試驗後之接著強度、於表3中表示為「試驗後接著強度」)。對各個連接結構體獨立地進行2次測定。將測定結果之平均值分別表示於表3中。於如上所述地進行的接著強度之測定中，於實例1、實例2及實例3中，於高溫高濕試驗前後，任意之結構物均是接著強度高。另一方面，於不含有機鋁錯合物之比較例1或不含矽烷偶合劑之比較例2中，於IC/ITO連接結構或者IC/SiN連接結構中接著強度變低。而且，於包含有機鈦錯合物之比較例3，於所有之連接結構中接著強度均變低。
    [連接結構體之外觀]
    將上述連接結構體之界面之外觀示於表4中。於如上所述地進行之連接結構體之外觀觀察中，於實例1、實例2及實例3中，於任意之連接結構體中均基本未產生剝離，相對於此，於比較例1及比較例2中，於IC/ITO連接結構或IC/SiN連接結構中比較多地產生剝離。而且，於比較例3中，於任意之連接結構體中均未接著。
    根據表2~表4所示之結果可確認：藉由實例1~實例3之接著劑膜及使用其之電路構件的連接結構，與比較例1~比較例3之接著劑膜及使用其之電路構件的連接結構相比而言，連接電阻充分減低，獲得充分之接著強度。而且，即使於長時間的高溫高濕試驗後，亦可充分維持連接電阻與接著強度，且連接面之外觀亦良好。
    1‧‧‧膜狀接著劑
    2‧‧‧半導體裝置
    5‧‧‧接著劑成分
    7‧‧‧導電性粒子
    10‧‧‧電路連接構件
    11‧‧‧絕緣性物質
    20‧‧‧第一電路構件
    21‧‧‧電路基板(第一電路基板)
    21a‧‧‧主表面
    22‧‧‧電路電極(第一電路電極)
    30‧‧‧第二電路構件
    31‧‧‧電路基板(第二電路基板)
    31a‧‧‧主表面
    32‧‧‧電路電極(第二電路電極)
    40‧‧‧膜狀電路連接材料
    92‧‧‧基板
    94‧‧‧配線構件
    95‧‧‧連接構件
    96‧‧‧電極
    97‧‧‧背面電極
    98‧‧‧受光面
    99‧‧‧背面
    100A、100B‧‧‧太陽電池單元
    200‧‧‧太陽電池模組
    A、B‧‧‧箭頭
    圖1是表示膜狀接著劑之一實施形態之模式截面圖。
    圖2是表示電路構件的連接結構之一實施形態之模式截面圖。
    圖3(a)~圖3(c)是分別連接電路構件之一系列步驟圖。
    圖4是表示太陽電池模組之一實施形態之模式截面圖。
    7‧‧‧導電性粒子
    10‧‧‧電路連接構件
    11‧‧‧絕緣性物質
    20‧‧‧第一電路構件
    21‧‧‧電路基板(第一電路基板)
    21a‧‧‧主表面
    22‧‧‧電路電極(第一電路電極)
    30‧‧‧第二電路構件
    31‧‧‧電路基板(第二電路基板)
    31a‧‧‧主表面
    32‧‧‧電路電極(第二電路電極)
    权利要求:
    Claims (16)
    [1] 一種接著劑組成物，其含有：(A)有機鋁錯合物、(B)矽烷偶合劑以及(C)硬化性成分。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之接著劑組成物，其中，所述(A)有機鋁錯合物以下述通式(1)而表示： [於所述通式(1)中，L1、L2及L3分別獨立地表示烷氧基陰離子、β-二酮之共軛陰離子或β-酮酯之共軛陰離子；L1、L2及L3可相同亦可不同]。
    [3] 如申請專利範圍第1項或第2項所述之接著劑組成物，其中所述(B)矽烷偶合劑是含有甲基丙烯醯基之矽烷偶合劑或含有丙烯醯基之矽烷偶合劑。
    [4] 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之接著劑組成物，其中所述(C)硬化性成分包含自由基聚合性化合物及自由基聚合起始劑。
    [5] 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之接著劑組成物，其更含有膜形成材料。
    [6] 一種膜狀接著劑，其是將如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之接著劑組成物形成為膜狀而成。
    [7] 一種電路連接材料，其含有如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之接著劑組成物。
    [8] 如申請專利範圍第7項所述之電路連接材料，其更含有導電性粒子。
    [9] 一種電路構件的連接結構，其包含：第一電路構件，於第一電路基板之主表面上形成有第一電路電極；第二電路構件，於第二電路基板之主表面上形成有第二電路電極；以及電路連接構件，設於所述第一電路基板之主表面與所述第二電路基板之主表面之間，在使所述第一電路電極與所述第二電路電極對向配置之狀態下，將所述第一電路構件及所述第二電路構件連接；所述電路連接構件包含如申請專利範圍第7項或第8項所述之電路連接材料之硬化物，所述第一電路電極與所述第二電路電極電性連接。
    [10] 如申請專利範圍第9項所述之電路構件的連接結構，其中，所述第一電路構件或所述第二電路構件之黏附面之至少一部分包含無機材料。
    [11] 一種電路構件的連接結構的製造方法，其是如申請專利範圍第9項或第10項所述之電路構件的連接結構的製造方法，於所述第一電路基板之主表面與所述第二電路基板之主表面之間配置如申請專利範圍第7項或第8項所述之電路連接材料，介隔所述第一電路構件及第二電路構件，對所述電路連接材料進行加熱及加壓而使其硬化，從而將所述第一電路構件與所述第二電路構件連接，且將所述第一電路電極與所述第二電路電極電性連接。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述之電路構件的連接結構的製造方法，其中，所述第一電路構件或所述第二電路構件之黏附面的至少一部分包含無機材料。
    [13] 一種電路連接材料的使用，其是如申請專利範圍第7項或第8項所述之電路連接材料的使用，用以將於第一電路基板之主表面上形成有第一電路電極之第一電路構件、與於第二電路基板之主表面上形成有第二電路電極之第二電路構件，在使所述第一電路電極與所述第二電路電極對向配置之狀態下連接。
    [14] 如申請專利範圍第13項所述之使用，其中，所述第一電路構件或所述第二電路構件之黏附面的至少一部分包含無機材料。
    [15] 一種太陽電池模組，其包含：具有電極之太陽電池單元；配線構件；以及連接構件，其以所述電極與所述配線構件電性連接之方式，將所述太陽電池單元與所述配線構件連接；所述連接構件含有如申請專利範圍第7項或第8項所述之電路連接材料之硬化物。
    [16] 一種電路連接材料的使用，其是如申請專利範圍第7項或第8項所述之電路連接材料的使用，用以對具有電極之太陽電池單元與配線構件，以所述電極與所述配線構件電性連接之方式將所述太陽電池單元與所述配線構件連接。
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    ??PCT/JP2011/067387||2011-07-29||
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