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    • 专利摘要:
    提供一種用於製造有機發光顯示面板之裝置及利用該裝置製造有機發光顯示面板之方法。用於製造有機發光顯示面板之裝置包含了複數個腔室；沉積單元，配置以形成轉印層於薄膜上，該薄膜係捲軸製程中供應至複數個腔適中；以及雷射熱轉印裝置，係配置將形成於薄膜上之轉印層之圖樣轉印至供應於複數個腔室中之基板上。
    公开号:TW201306350A
    申请号:TW101118878
    申请日:2012-05-25
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Ha-Jin Song；Seung-Mook Lee
    申请人:Samsung Display Co Ltd；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    用於製造有機發光顯示面板之裝置及利用該裝置製造有機發光顯示面板之方法
    相關申請案的交互參照
    本申請主張於西元2011年7月18日，向韓國智財局所提出之韓國專利申請案，其專利申請號為10-2011-0071085之優先權效益，並將全部的內容納於此作為參照。
    本發明實施例之態樣係有關於一種有機發光顯示面板，及一種用於製造有機發光顯示面板之裝置，並利用該裝置製造有機發光顯示面板之方法。
    一般而言，有機發光顯示面板包含陽極、陰極、及插設於陽極和陰極之間的發光層。
    有機發光顯示面板已因其具有寬視野角度、高對比對及反應時間短之優點受到注目而作為下一代之顯示裝置。
    根據由高分子有機物質或低分子有機物質所組成之發光層，有機發光顯示面板可更包含選自由電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、及電子傳輸層之組成之群組中之至少一層所構成。
    發光層係圖樣化以顯示有機發光顯示面板之全彩色影像。在低分子有機發光顯示面板中，發光層利用蔽蔭遮罩而圖樣化，而在高分子有機發光顯示面板中，發光層利用噴墨印刷(ink-jet printing)方法或雷射誘導熱成像(laser-induced thermal imaging, LITI)方法圖樣化。雷射誘導熱成像方法可使發光層係為微圖樣化，可大面積使用，以及可提供高解析度影像顯示器。
    根據本發明實施例之態樣，此裝置係配置以用於製造有機發光顯示面板，其係於高壓真空腔室中且不切割薄膜以執行沉積和雷射轉印製程，以及利用該裝置製造有機發光顯示面板之方法。
    根據本發明之實施例，用於製造有機發光顯示面板之裝置包含：複數個腔室；沉積單元，配置以形成轉印層於薄膜上，薄膜係於捲軸製程中提供至複數個腔室中；以及雷射熱轉印裝置，係配置將形成於薄膜上之轉印層之圖樣轉印至基板上，基板係供應至複數個腔室之腔室中。
    複數個腔室可包含維持在多階真空狀態之真空腔室。
    複數個腔室可依序地與另一腔室位於一線上。
    該裝置可更包含連接至複數個腔室之高真空腔室的基板傳輸腔室，其中基板係從基板傳輸腔室供應至高真空腔室。
    該裝置可更包含設置於複數個腔室前之洗滌腔室，其中洗滌腔室係配置於空氣或惰性氣體中以執行前處理製程。
    供應於捲軸製程中之薄膜可供應於水平方向或垂直方向。
    薄膜可包含基底薄膜及形成於基底薄膜上之光熱轉換層，且沉積單元可配置以沉積轉印層於光熱轉換層上。
    薄膜可提供於水平方向，且沉積單元可位於薄膜之下，並配置從薄膜下朝向薄膜之上部分噴撒轉印層成型原料。
    薄膜可提供於垂直方向，且沉積單元可與薄膜相隔且平行排列，並配置以於水平方向噴撒轉印層成型原料於薄膜上。
    該裝置可更包含用以安裝基板於其上之托架。
    薄膜可提供於水平方向，且雷射熱轉印裝置可位於薄膜上，並配置從薄膜上朝向薄膜之一下部分照射雷射光束。
    薄膜可提供於垂直方向，且雷射熱轉印裝置可與薄膜相隔且平行排列，並配置以於水平方向照射雷射光束於薄膜上。
    該裝置可更包含設置於沉積單元及雷射熱轉印裝置之間之層壓輥(lamination rolls)，其中層壓輥係配置將其上形成有轉印層之薄膜之表面附著至基板上。
    該裝置可更包含設置於雷射熱轉印裝置旁之剝離滾輪，其中該剝離滾輪配置以從該基板剝離其上執行有轉印製程之薄膜。
    根據本發明之另一實施例，一種製造有機發光顯示面板之方法包含︰於捲軸製程中提供薄膜於複數個腔室中；利用沉積單元於薄膜之表面形成轉印層；從基板傳輸腔室運輸基板至複數個腔室之腔室中；以及利用雷射熱轉印裝置將形成於薄膜上之轉印層之圖樣轉印至基板上。
    該方法可更包含在設置於複數個腔室前之洗滌腔室中，使薄膜於空氣或惰性氣體中接受前處理製程。
    複數個腔室可維持在多階真空狀態，且於複數腔室之高真空腔室中可形成轉印層並可轉印薄膜之圖樣。
    高真空腔室可連接至基板傳輸腔室，且基板可從基板傳輸腔室運輸，以將形成於薄膜上之轉印層之圖樣轉印至基板上。
    供應至捲軸製程中之薄膜可包含有基底薄膜、以及形成於基底薄膜上之光熱轉換層，且於薄膜之表面上形成轉印層可包含利用沉積單元沉積轉印層於光熱轉換層上。
    薄膜可提供於水平方向，且沉積單元可位於薄膜下，並從薄膜下朝向薄膜之上部分噴撒轉印層成型原料。
    薄膜可提供於垂直方向之，且沉積單元可與薄膜相隔且平行排列，並於水平方向噴撒轉印層成型原料。
    將基板傳輸轉移至腔室可包含安裝該基板於托架上。
    薄膜可提供於水平方向，且雷射熱轉印裝置可位於薄膜上，並從薄膜上朝向薄膜之下部分照射雷射光束，以將形成於薄膜上之轉印層之圖樣轉印至基板上。
    薄膜可提供於垂直方向，且雷射熱轉印裝置可與薄膜相隔且平行排列，並於水平方向照射雷射光束以將形成於薄膜上之轉印層之圖樣轉印至基板上。
    該方法可更包含利用設置於沉積單元及雷射熱轉印裝置之間之層壓輥，以將其上形成有轉印層之薄膜附著至基板上。
    該方法可更包含利用設置於雷射熱轉印裝置旁之剝離滾輪，從基板剝離已轉印之薄膜。
    本發明之例示性實施例現在將參考附圖而更完整地說明；然而，本發明之實施例可以不同的形式實施，且不應受限於這裡所提出的實施例。相反地，此些實施例是以用於本發明之理解的範例形式且涵蓋本發明之範疇予本技術領域具有通常知識者而提供。本領域具有通常知識者將理解的是，描述的實施例可能以不同的方式進行修改，其皆未脫離本發明之精神與技術範疇。
    例如“第一”、“第二”術語可用以描述各種構件，此些構件不應受限於上述術語。上述術語僅是用來區別一構件與另一個構件。
    使用於下列描述中的術語僅是為了描述某些例示性實施例而非意欲限定本發明。除非在內文中另有明確不同定義，否則使用之單數的表達涵蓋複數的表達。在下列描述中，可理解的是，術語例如“包含(including)”或“具有(having)”係意欲表示本說明書中所揭露之特徵、數目、步驟、操作、構件、零組件及/或其組合物之存在，而非排除一個或多個特徵、數目、步驟、操作、構件、零組件及/或其組合物可存在或增加之可能性。
    根據本發明一些例示性實施例之種用於製造有機發光顯示面板之裝置，及使用該裝置製造有機發光顯示面板之方法將參閱其中顯示例示性實施例之附圖而於下文中描述。相似的參考符號表示相似元件。
    第1圖係為根據本發明實施例之有機發光顯示面板100之部分截面圖。
    參閱第1圖，有機發光顯示面板100包含第一基板101。第一基板101可為絕緣基板。例如玻璃基板或塑膠基板。
    緩衝層102係形成於第一基板101上。緩衝層102可由有機材料或無機材料所形成，或可具有包含有機材料和無機材料兩者之結構，例如，有機材料和無機材料交互堆疊之結構。緩衝層102防止或實質地防止氧氣和水分之滲透，還可以防止或實質地防止從第一基板101上生成之水分或雜質之擴散。
    半導體主動層103係形成於緩衝層102上。在一實施例中，半導體主動層103可由多晶矽所形成，且此多晶矽可藉由製備非晶矽和結晶此非晶矽所形成。
    結晶此非晶矽可利用不同方式去執行，例如快速退火(rapid thermal annealing, RTA)、固相結晶(solid phase crystallization, SPC)、準分子雷射退火(excimer laser annealing, ELA)、金屬誘導結晶(metal-induced crystallization, MIC)、金屬誘導側向結晶(metal-induced lateral crystallization, MILC)或順序橫向固化(sequential lateral solidification, SLS)。
    半導體主動層103係摻雜N型或P型雜質化離子以形成源極區域104及汲極區域105。在一實施例中，半導體主動層103包含有介於源極區域104與汲極區域105間之通道區域106，此通道區域106係未摻雜N型或P型雜質化離子。
    閘極絕緣層107係設置於半導體主動層103上。閘極絕緣層107可為由二氧化矽(SiO2)所形成之單層或由二氧化矽(SiO2)和氮化矽(SiNX)所形成之雙層。
    閘極電極108係形成於閘極絕緣層107之一部分(例如一預定部分)上。閘極電極108係連接至閘極線(圖未示)，其係施加薄膜電晶體的開/關訊號。閘極電極108可包含一金屬或複數個金屬，且可由鉬(Mo)、鎢化鉬(MoW)、鎘(Cr)、鋁(Al)、鋁合金(Al alloy)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鎢(W)或金(Au)之單層，或及其組合物之層所形成。
    層間絕緣層109係形成於閘極絕緣層107上以覆蓋閘極電極108，源極電極110係透過接觸孔而電性連接源極區域104、以及汲極電極111係透過接觸孔而電性連接汲極區域105。
    包含鈍化層及平坦化層之至少其一之保護層112係形成於層間絕緣層109上以覆蓋源極電極110和汲極電極111。保護層112可由如丙烯醯基(acryl)或苯環丁烯(benzocyclobutene, BCB)之有機材料、或如氮化矽(SiNX)之無機材料所形成，且可為有機或無機材料之單層、雙層、或這些材料之任一組合之層。
    在一實施例中，有機發光二極體(organic light-emitting diode, OLED) 114之第一電極115係形成於保護層112上，且有機材料之像素定義層(pixel-defining layer, PDL) 113係形成於保護層112上，以覆蓋部分第一電極115。第一電極115係電性連接至源極電極110或汲極電極111之其一。
    有機層116係形成於第一電極115之暴露部分上，此暴露部分可藉由蝕刻像素定義層113之一部分以形成。有機發光二極體114之第二電極117係形成於有機層116之上。
    第一電極115和第二電極117係藉由有機層116以相互絕緣，且具有不同的極性之電壓係施加於其間以從有機層116發射光線。
    在一實施例中，第一電極115作為陽極且可由各種導電性材料而形成。第一電極115可為透明電極或反射電極。
    舉例而言，在一實施例中，第一電極115係為透明電極，且可包含銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、或二氧化三鋅(In2O3)等。在另一實施例中，第一電極115係為反射電極，且係形成銀(Ag)、鎂(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或這些材料之任一化合物之反射層，且接著銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、或三氧化二鋅係形成於反射層上。
    在一實施例中，第二電極117係作為陰極，且可為透明電極或反射電極。
    在一實施例中，第二電極117係為透明電極，且具有低功率之金屬係沉積於有機層116之一側上，例如，鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或及其任一化合物等，且由用於形成透明電極之材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、或三氧化二鋅所組成之輔助電極層或匯流排電極線(bus electrode line)係接著形成於金屬上。
    在另一實施例中，第二電極117為反射電極，且鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或及其任一化合物係沉積以形成第二電極117。
    當第一電極115係形成作為透明電極或反射電極時，第一電極115可形成以對應於各複數個次像素的開口形狀。
    形成作為透明電極或反射電極第二電極117可沉積於整個顯示區域上。然而，第二電極117可不需沉積於整個顯示區域上，且可形成為多種圖樣。在這方面，第二電極117可形成於第一電極115上，或反之亦然。
    有機層116可為低分子有機層或高分子有機層。
    在一實施例中，有機層116係由小分子有機材料所形成，且此有機層116可具有，如第2圖所示，包含電洞注入層(HIL) 201、電洞傳輸層(HTL) 202、發光層(EML) 203、電子傳輸層(ETL) 204、以及電子注入層(EIL) 205之單一或堆疊結構。低分子有機材料可包含，例如，酮酞菁(copper phthalocyanine, CuPc)、N，N'-二（萘-1-基）-N，N'-二苯基-聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-  benzidine, NPB)、或三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)。低分子有機層可藉由真空沉積以形成。
    在一實施例中，有機層116係形成為高分子有機層，且此有機層116一般包含有電洞傳輸層和發光層。電洞傳輸層可藉由使用掃描印刷或噴墨印刷以PEDOT而形成，且發光層可由高分子有機材料所形成。例如，藉由掃描印刷或噴墨印刷以聚伸苯亞乙烯基(polyphenylene vinylene, PPV)或聚芴(polyfluorenes)而形成。
    然而，根據本發明實施例之有機層116不以此上述舉例為限。
    第二基板118係形成於有機發光二極體114上。第二基板118可為玻璃基板或可撓性基板，或可由塗布絕緣材料於有機發光二極體114上以形成。
    第3圖係為根據本發明實施例之在提供於捲軸製程(roll-to-roll process)中之薄膜300上之轉印層304之截面示意圖。
    參閱第3圖，在一實施例中，薄膜300包含基底薄膜301、及形成於基底薄膜301上之光熱轉換層302。在一實施例中，氣體阻隔層303可形成於光熱轉換層302之上。
    基底薄膜301可由透明高分子有機材料所形成，例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯（polyethylene terephthalate, PET）、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate, PEN）、聚乙烯（polyethylene, PE）、或聚碳酸酯（polycarbonate, PC）所組成。
    光熱轉換層302係轉換入射光成熱能，且可包含光吸收材料。例如，氧化鋁、硫化鋁、炭黑、石墨、或紅外線顏料。
    氣體阻隔層303係形成以防止或實質地防止排氣時所產生之氣體滲透至轉印層304。
    在一實施例中，轉印層304係藉由沉積製程中之沉積單元係形成於氣體阻隔層303上。在一實施例中，轉印層304為有機轉印層，且可為選自由電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、和電子注入層所組成之群組中之一層。例如，在一實施例中，轉印層304為發光層。
    紅色、綠色、藍色發光層之圖樣係藉由於一大氣中塗佈低分子有機材料或高分子有機材料於薄膜上、以及照射雷射光束於已塗佈的薄膜上而形成，或藉由於真空氣壓下安裝薄膜在托架上、塗佈有機材料於薄膜上、且接著照射雷射光束於已塗佈的薄膜上而形成。
    然而，當雷射引發熱成像(LITI)方法於大氣壓下或一某種氣壓下執行時，其難以改善發光層的效率和壽命。除此之外，當雷射引發熱成像(LITI)方法於真空氣壓下執行時，由於複雜的製造裝置因而設備成本高、時間係延滯的、且薄膜分離係困難的。再者，在真空氣壓下執行之雷射引發熱成像(LITI)方法中，其難以移除對於有機材料之壽命具有不利影響之氧氣或水分。
    第4圖其係為根據本發明實施例之用於製造有機發光顯示面板的裝置之結構示意圖，且第5圖其係為根據本發明之實施例之第4圖中的裝置之高真空腔室之部分爆炸圖。
    參照第4圖及第5圖，根據本發明之實施例，用於製程有機發光顯示面板之裝置400包含有複數個腔室410、沉積單元420，用以轉印運輸至腔室410之薄膜300上圖樣、以及雷射熱轉印裝置440，用於將薄膜300上之圖樣轉印於傳送至腔室410之基板430上。
    在一實施例中，腔室410為維持在多階真空狀態之真空腔室。在一實施例中，腔室410包含有第一真空腔室411、第二真空腔室412、第三真空腔室413、第四真空腔室414、及第五真空腔室415。第一至第五真空腔室411至415係依序地與另一腔室位於一線上。然而，當腔室410係配置以維持多階真空狀態時，真空腔室之數量不限僅限於特定數量之真空腔室。
    在一實施例中，第一真空腔室411和第五真空腔室415係維持於10-2托(torr)或更低之低真空氣壓，第二真空腔室412和第四真空腔室414係維持於10- 4托(torr)或更低之中真空氣壓，以及第三真空腔室413係維持於10- 6托(torr)或更低之高真空氣壓。在一實施例中，沉積材料於薄膜300上之製程、以及轉印薄膜300之圖樣至基板430上之製程係執行於維持在高真空氣壓之第三真空腔室413中。
    在一實施例中，洗滌腔室416可更位於第一真空腔室411前。洗滌腔室416不需維持於真空氣壓下，其可維持於空氣或惰性氣體中。洗滌腔室416為前處理製程之腔室，包含洗滌殘留於供應至捲軸製程中之薄膜300上之雜質。
    基板傳輸腔室417係連接至第三真空腔室413之一側。基板傳輸腔室417係傳輸基板430至維持於高真空氣壓之第三真空腔室413中。基板傳輸腔室417傳輸基板430至第三真空腔室413中，以及傳輸其上以轉印圖樣之基板430至第三真空腔室413外。在一實施例中，基板傳輸腔室417係實質上維持於相同氣壓下，如同維持於第三真空腔室413之氣壓。
    在一實施例中，薄膜300包含光熱轉換層302、及氣體阻隔層303，其係依序地形成於基底薄膜301上，如第3圖所示。在一實施例中，薄膜300係為可撓性且可由可撓性材料所形成，以在不需切割薄膜300下供應至捲軸製程中之腔室410。
    在一實施例中，薄膜300從退繞滾輪(unwinding roller) (圖未示)上退繞，且持續地提供至腔室410。在沉積和轉印製程完成後，薄膜300係捲繞於捲繞滾輪(winding roller)上。於捲軸製程中所提供之薄膜300可於平行於腔室410之方向、或垂直於腔室410之方向傳輸。
    沉積單元420係用以沉積轉印層304至薄膜300上。沉積單元420可藉由電阻加熱方法以加熱沉積材料於一溫度(例如一預定溫度)而形成蒸氣相(steam phase)之沉積材料以沉積轉印層304至薄膜300上。沉積單元420可從薄膜300之下部分至上部分沿著於供應至捲軸製程之薄膜300之方向沉積沉積材料、或可於實質上垂直或水平於薄膜300之方向沉積沉積材料至薄膜300上。
    在一實施例中，沉積於薄膜300上之轉印層304係為發光層203，但本發明之實施例不以此為限。舉例而言，選自由電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、或電子注入層、或包含此些層之組合結構的單一結構可沉積於薄膜300上。
    基板430可能是大基板，如母玻璃基板，但不以此為限。此外，基板430可能是絕緣基板，如玻璃基板或塑料基板。基板430可藉由安裝於托架450上而從基板傳輸腔室417運送。基板430可經由輸送系統(圖未示)運送轉移至第三真空腔室413，或基板430之位置可藉由機器位置而改變。
    雷射熱轉印裝置440係將沉積於薄膜300上之轉印層304轉印到基板430之一表面。雷射熱轉印裝置440照射雷射光束441至薄膜300上。
    在一實施例中，雷射熱轉印裝置440包含有照射雷射光束441之雷射光束生成單元(圖未示)、用以將雷射光束成型之光學系統(圖未示)、位於基板430上之圖樣遮罩442、以及用以控制雷射光束生成單元、光學系統、和圖樣遮罩442之控制單元(圖未示)。
    雷射光束生成單元產生雷射光束，且可為固體雷射器。例如，紅寶石雷射器、玻璃雷射器、一YAG雷射器、或YLF雷射器、或氣體雷射器，如準分子雷射器或氦氖雷射器(helium-neon laser)。
    光學系統係設置於從雷射光束生成單元生成之雷射光束441通過之一路徑上。光學系統可包含了從具有均質器，其將雷射光束441之形狀均質以形成具有預期形狀之雷射光束441。雷射熱轉印裝置440更可包含鏡子，其係位於透過光學系統傳送之雷射光束441之路徑上，以改變雷射束441之角度。
    透過光學系統傳送之雷射光束441可被形成以具有預期形狀，如直線或四角形。光學系統更包含一或多種透鏡組合，例如，像聚光透鏡(condenser lens)、偏光鏡(polarizer)、或其類似物。鏡子可為根據所施加的電壓變化而線性改變鏡子的角度之檢流鏡(Galvano mirror)或反射鏡。
    在一實施例中，圖樣遮罩442係為一光學遮罩，係設置於雷射熱轉印裝置440與基板430之間。圖樣遮罩442可包含光穿透圖樣或光反射圖案之至少其一。透過形成於圖樣遮罩422上之開口傳送之雷射光束441可照射至其上沉積有轉印層304之薄膜300上，薄膜300係附著於基板430。
    在一實施例中，層壓輥460可形成介於沉積單元420及雷射熱轉印裝置440之間，以附著基板430與其上形成有轉印層304之薄膜300。在一實施例中，安裝於托架450上之基板430係設置於薄膜300之一表面上，且當薄膜300與設置於其上之基板430通過層壓輥460時，薄膜300可藉由靜電力而附著於基板430。其上形成有轉印層304之薄膜300的表面係附接面對基板430。
    在一實施例中，剝離滾輪470可設置於雷射熱轉印裝置400旁(例如，下游)，以於轉印製程後，從基板430上剝離薄膜300。
    第三真空腔室413可更包含對準單元(未示)。當形成於薄膜300上之轉印層304係轉印至基板430上時，對準單元係對準圖樣遮罩442與安裝於托架450上之基板430。
    藉由用於製造有機發光顯示面板之裝置400，執行沉積和轉印製程，如上所述，將參照第4圖及第5圖更詳細描述於以下。
    在一實施例中，於捲軸製程中係提供薄膜300至腔室410。提供至腔室410之薄膜300可包含光熱轉換層302及氣體阻隔層303，此光熱轉換層302及氣體阻隔層303係依序地形成於基底薄膜301上。薄膜300可由可撓性材料所形成，以至於持續地供應至腔室410而不需切割薄膜300。在一實施例中，薄膜300可於平行於腔室410之方向、或垂直於腔室410之方向而傳輸。在一實施例中，薄膜300係於垂直於腔室410之方向而傳輸。
    在一實施例中，洗滌腔室416係設置於複數個腔室410之入口處。在捲軸制程中提供之薄膜300，於薄膜300供應至腔室410前，可經由洗滌腔室416以移除殘留於薄膜300上之雜質的前處理製程。洗滌腔室416可不需維持在真空氣壓下，且可維持於空氣或惰性氣體中。
    薄膜300經由維持於低真空氣壓之第一真空腔室411和維持於中真空氣壓之第二真空腔室412以提供至第三真空腔室413之後，轉印層304係藉由維持於高真空氣壓之第三真空腔室413中之沉積單元而形成於提供至捲軸製程中之薄膜300上。
    參閱第6圖，在一實施例中，提供於捲軸製程中之薄膜300係於垂直於腔室410之方向而傳輸。沉積單元420係設置於薄膜300之一側。沉積單元420係與薄膜300相隔(例如，以一預定距離)且與薄膜300平行設置，且轉印層形成原料601係於水平或實質地水平方向噴撒至薄膜300。在一實施例中，轉印層形成原料601係沉積於氣體阻隔層303之一表面上，以形成轉印層304。在一實施例中，氣體阻隔層303不形成於薄膜300上，且轉印層形成原料601可沉積於光熱轉換層302之一表面上。
    在一實施例中，轉印層形成原料601可從沉積單元420以噴撒至基底薄膜301上，因此，於基底薄膜301上係形成轉印層304(例如，發光層)。
    再者，提供於捲軸製程中之薄膜300可於水平方向上轉送，且沉積單元420可設置於薄膜300下，且轉印層形成原料601可自薄膜300之下部分朝向薄膜300之上部分噴灑，以於基底薄膜301上形成轉印層304。
    返回參照第4圖及第5圖，基板430係設置於轉印層304形成於其上之薄膜300上。基板430係從與第三真空腔室413連接之基板傳輸腔室417傳輸。在一實施例中，基板430係經由安裝至托架450上以傳輸。
    已傳輸之基板430係設置於薄膜300之一表面上。層壓輥460係設置於雷射熱轉印裝置440前，亦即，係介於沉積單元420和雷射熱轉印裝置440之間，以將其上形成有轉印層304之薄膜300與基板430附著。當薄膜300和基板430穿過層壓輥460時，經由靜電力使薄膜300和基板430可彼此附著，這樣轉印層304形成於其上之薄膜300的表面係附著至基板430上。
    隨後，經由雷射熱轉印裝置440，轉印層304係轉印至基板430上。
    在一實施例中，提供於捲軸製程中之薄膜300係於一垂質方向被轉移。雷射熱轉印裝置440係設置於薄膜300之ㄧ側。雷射熱轉印裝置440係與薄膜300相隔(例如，經由一預定距離)，且可平行於薄膜300。
    圖樣遮罩442及薄膜300係設置介於雷射熱轉印裝置440與基板430之間。圖樣遮罩442可包含光穿透圖樣或光反射圖樣之至少其一。
    參閱第7圖，從雷射熱轉印裝置440發射之雷射光束441係轉送穿透形成於圖樣遮罩442之開口，且照射至附著至基板430上之轉印層304上，因此，將轉印層304之預期圖案轉印至基板430上。
    再者，在一實施例中，提供於於捲軸製程中之薄膜300係於水平方向被傳送，且設置於具有薄膜300附著於其上之基板430上的雷射熱轉印裝置440係從薄膜300之上部分朝向薄膜300之下部分照射雷射光束441，以將轉印層304之預期圖樣轉印至基板430上。
    當形成於薄膜300上之轉印層304轉印至基板430上，對準單元可將圖樣遮罩442與相對應之安裝於托架450上的基板430對準，且圖樣遮罩442和基板430之間的位置誤差因此可被減少或降低。
    如上所述，返回參照第5圖，剝離滾輪470可被設置於雷射熱轉印裝置440後(例如，旁邊)。在轉印製程完成之後，當薄膜300穿過此剝離滾輪470時，薄膜300係從基板430上被剝離。
    隨後，其上具有轉印層304之預期圖樣的基板430被傳輸到基板傳輸腔室417，從而完成沉積和轉印製程。
    如上所述，層之沉積和轉印製程，例如，一單色之發光層，係經由於捲軸製程中提供薄膜300至複數個腔室410而執行。在沉積和轉印製程完成之後，上述製程可被重覆執行，因此，沉積和轉印其他顏色之發光層。
    根據本發明實施例之用於製造有機發光顯示面板之裝置及利用其製造有機發光顯示面板之方法的一些態樣係如下所載。
    薄膜可被提供於捲軸製程中，且因此不需要薄膜安裝於其上之分離托架。
    於雷射轉印製程完成之後，不需要用以儲存薄膜之空間，因此簡化了製造裝置的結構。
    轉印製程執行於高真空腔室中，且從而可預防或實質地防止不必要之氣體滲透至發光層中。
    於沉積以及雷射轉印製程中的薄膜傳輸過程係簡化，薄膜之製備時間可縮短，且薄膜之速度可調整。
    薄膜係供應於捲軸製程中，且因此薄膜可於水平或垂直方向被傳輸。
    在轉印製程之後，薄膜可於真空腔室中從基板上被剝離，從而可阻止或實質地防止在剝離製程中因空氣或氣體對薄膜的損害。
    雷射熱轉印裝置可調整執行於基板上之轉印製程速度。
    雖然本發明已參考部分例示性實施例而特定地顯示及說明，但熟悉此技藝者應了解，其中不背離如以下申請專利範圍所界定的本發明之精神及範圍而可進行形式及細節之各種變化。
    100．．．有機發光顯示面板
    101．．．第一基板
    102．．．緩衝層
    103．．．半導體主動層
    104．．．源極區域
    105．．．汲極區域
    106．．．通道區域
    107．．．閘極絕緣層
    108．．．閘極電極
    109．．．層間絕緣層
    110．．．源極電極
    111．．．汲極電極
    112．．．保護層
    113．．．像素定義層
    114．．．有機發光二極體
    115．．．第一電極
    116．．．有機層
    117．．．第二電極
    118．．．第二基板
    201．．．電洞注入層
    202．．．電洞傳輸層
    203．．．發光層
    204．．．電子傳輸層
    205．．．電子注入層
    300．．．薄膜
    301．．．基底薄膜
    302．．．光熱轉換層
    303．．．氣體阻隔層
    304．．．轉印層
    400．．．裝置
    410．．．腔室
    411．．．第一真空腔室
    412．．．第二真空腔室
    413．．．第三真空腔室
    414．．．第四真空腔室
    415．．．第五真空腔室
    416．．．洗滌腔室
    417．．．基板傳輸腔室
    420．．．沉積單元
    430．．．基板
    440．．．雷射熱轉印裝置
    441．．．雷射光束
    442．．．圖樣遮罩
    450．．．托架
    460．．．層壓輥
    470．．．剝離滾輪
    601．．．轉印層成型原料
    藉由參考附圖以詳細說明其例示性實施例，將使本發明之上述及其他特徵將更為顯而易知，其中：第1圖係為根據本發明實施例之有機發光顯示面板之部分剖面圖；第2圖係為根據本發明實施例之於基板上之有機發光二極體之截面示意圖；第3圖係為根據本發明實施例之沉積於供應至捲軸製程中之薄膜上的轉印層之剖面示意圖；第4圖係為根據本發明實施例之用於製造有機發光顯示面板之裝置之結構示意圖；第5圖係為根據本發明實施例之第4圖中之裝置的高真空腔室之部分爆炸圖；第6圖係為根據本發明實施例之第4圖中之裝置的沉積單元之示意圖；以及第7圖係為根據本發明實施例之第4圖中之裝置的雷射熱轉印裝置之部分示意圖。
    300．．．薄膜
    301．．．基底薄膜
    302．．．光熱轉換層
    303．．．氣體阻隔層
    304．．．轉印層
    413．．．第三真空腔室
    420．．．沉積單元
    430．．．基板
    440．．．雷射熱轉印裝置
    441．．．雷射光束
    442．．．圖樣遮罩
    450．．．托架
    460．．．層壓輥
    470．．．剝離滾輪
    权利要求:
    Claims (26)
    [1] 一種用於製造有機發光顯示面板之裝置，該裝置包含︰複數個腔室；ㄧ沉積單元，配置以形成一轉印層於一薄膜上，該薄膜係於一捲軸製程中供應至該複數個腔室中；以及一雷射熱轉印裝置，係配置將形成於該薄膜上之該轉印層之一圖樣轉印至供應於該複數個腔室中之一基板上。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該複數個腔室包含維持在多階真空狀態之真空腔室。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該複數個腔室係依序地與另一腔室位於一線上。
    [4] 如申請專利範圍第2項所述之裝置，更包含連接至該複數個腔室之一高真空腔室之一基板傳輸腔室，其中該基板係從該基板傳輸腔室供應至該高真空腔室。
    [5] 如申請專利範圍第2項所述之裝置，更包含位於該複數個腔室前之一洗滌腔室，其中該洗滌腔室係配置於一空氣或惰性氣體中以執行一前處理製程。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中供應於該捲軸製程中之該薄膜係供應於一水平方向或一垂直方向。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該薄膜包含一基底薄膜及形成於該基底薄膜上之一光熱轉換層，且其中該沉積單元係配置以沉積該轉印層於該光熱轉換層上。
    [8] 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該薄膜係提供於該水平方向，且該沉積單元係位於該薄膜下方，並配置從該薄膜下朝向該薄膜之一上部分噴撒一轉印層成型原料。
    [9] 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該薄膜係提供於該垂直方向，且該沉積單元係與該薄膜相隔且平行排列，並配置以於該水平方向噴撒一轉印層成型原料於該薄膜上。
    [10] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，更包含用以安裝該基板於其上之一托架。
    [11] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該薄膜係提供於一水平方向，且該雷射熱轉印裝置係位於該薄膜之上，並配置從該薄膜上朝向該薄膜之一下部分照射雷射光束。
    [12] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該薄膜係提供於一垂直方向，且該雷射熱轉印裝置係與該薄膜相隔且平行排列，並配置以於一水平方向照射雷射光束於該薄膜上。
    [13] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，更包含位於該沉積單元及該雷射熱轉印裝置之間之一層壓輥，其中該層壓輥係配置將其上形成有該轉印層之該薄膜之一表面與該基板附著。
    [14] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，更包含位於該雷射熱轉印裝置旁之一剝離滾輪，其中該剝離滾輪係配置以從該基板剝離其上執行有一轉印製程之該薄膜。
    [15] 一種製造有機發光顯示面板之方法，該方法包含︰於一捲軸製程中供應一薄膜至複數個腔室中；利用一沉積單元於該薄膜之一表面上形成一轉印層；從一基板傳輸腔室運輸一基板至該複數個腔室之一腔室中；以及利用一雷射熱轉印裝置將形成於該薄膜上之該轉印層之一圖樣轉印至該基板上。
    [16] 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包含在設置於該複數個腔室前之一洗滌腔室中，使該薄膜於一空氣或惰性氣體中接受一前處理製程。
    [17] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該複數個腔室係維持在多階真空狀態，且於該複數個腔室之一高真空腔室中形成該轉印層並轉印該薄膜之該圖樣。
    [18] 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該高真空腔室係連接至該基板傳輸腔室，且該基板係自該基板傳輸腔室運輸，以將形成於該薄膜上之該轉印層之該圖樣轉印至該基板上。
    [19] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中供應於該捲軸製程中之該薄膜包含一基底薄膜、以及形成於該基底薄膜上之一光熱轉換層，且其中於該薄膜之該表面上形成該轉印層包含利用該沉積單元沉積該轉印層於該光熱轉換層上。
    [20] 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該薄膜係提供於一水平方向，且該沉積單元係位於該薄膜下並從該薄膜下朝向該薄膜之一上部分噴撒一轉印層成型原料。
    [21] 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該薄膜係提供於一垂直方向，且該沉積單元係與該薄膜相隔且平行排列，並於一水平方向噴撒一轉印層成型原料。
    [22] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中將該基板傳輸至該腔室包含安裝該基板於一托架上。
    [23] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該薄膜係提供於一水平方向，且該雷射熱轉印裝置係位於該薄膜上，並從該薄膜上朝向該薄膜之一下部分照射雷射光束，以將形成於該薄膜上之該轉印層之該圖樣轉印至該基板上。
    [24] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該薄膜係提供於一垂直方向，且該雷射熱轉印裝置係與該薄膜相隔且平行排列，並於一水平方向照射雷射光束以將形成於該薄膜上之該轉印層之該圖樣轉印至該基板上。
    [25] 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包含利用位於該沉積單元及該雷射熱轉印裝置之間之一層壓輥，以將其上形成有該轉印層之該薄膜附著至該基板上。
    [26] 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包含利用位於該雷射熱轉印裝置旁之一剝離滾輪，從該基板剝離已轉印之該薄膜。
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    申请号 | 申请日 | 专利标题
    ??10-2011-0071085||2011-07-18||
    KR1020110071085A|KR101851384B1|2011-07-18|2011-07-18|유기 발광 디스플레이 패널용 제조 장치와, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 패널의 제조 방법|
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