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    • 专利摘要:
    一種有機發光顯示裝置包含具有以離子雜質摻雜之半導體材料的電容下電極。覆蓋主動層與電容下電極之第一絕緣層。閘極電極包含以透明導電材料形成之閘極下電極與以金屬形成之閘極上電極。像素電極係電性連接至薄膜電晶體。閘極上電極係與像素電極位於相同層。蝕刻阻絕層(etch block layer)係形成於第一絕緣層與電容上電極之間。源極與汲極電極係電性連接至主動層。第二絕緣層具有完全暴露電容上電極之開口。第三絕緣層暴露像素電極。中介層包含發射層。相反電極面對像素電極。
    公开号:TW201306246A
    申请号:TW100148473
    申请日:2011-12-23
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Jong-Hyun Choi；Kwang-Hae Kim
    申请人:Samsung Display Co Ltd；
    IPC主号:H01L27-00
    专利说明:
    有機發光顯示裝置及其製造方法
    相關申請案之交互參照
    本申請案主張於2011年7月28日向韓國智慧財產局提出，申請號為10-2011-0075217之韓國專利申請案之優先權效益，其全部內容納於此處作為參考。
    此處之揭露係有關於一種具有簡化製程之有機發光顯示裝置及其製造方法。
    平板顯示裝置，例如有機發光顯示裝置或液晶顯示裝置，係於具有薄膜電晶體(TFT)、電容、用以連接薄膜電晶體至電容之互連線、以及其他構件之圖樣的基板上製成。一般而言，為了形成包含薄膜電晶體等之微圖樣，係使用包含該微圖樣之遮罩以將該微圖樣轉移至將於其上製造平板顯示裝置之陣列基板上。
    然而，在藉由使用遮罩而轉移圖樣的製程中，首先需準備具有對應圖樣之遮罩。因此增加遮罩製程之數目，亦增加準備遮罩之製造成本。此外，由於如上所述執行複雜的製程，製造製程更為複雜且製造時間增加，因此增加製造成本。
    當平板顯示裝置藉由利用較少的遮罩製程而製造時，不同的絕緣層可能會相互重疊，尤其是在形成電容的過程中，且因此電容可能無法平順地進行訊號傳輸。
    在藉由使用較少數目的遮罩製程以製造平板顯示裝置的製程中，難以實施其中於像素電極中插設以銀(Ag)形成之反射薄膜以增加發光效率的結構。因此，需要發展新的結構以增進發光效率。
    本發明揭露一種有機發光顯示裝置，其能夠使製造製程簡化且具有良好的訊息傳輸與改善之發光效率，及其製造方法。
    根據一態樣，其係提供ㄧ種有機發光顯示裝置，其包含電容下電極，其係與薄膜電晶體之主動層以相同層形成於基板上，且包含以離子雜質摻雜之半導體材料；第ㄧ絕緣層，其係形成於基板上，覆蓋主動層與電容下電極；薄膜電晶體之閘極電極，其係形成於第ㄧ絕緣層上，且包含以透明導電材料形成之閘極下電極以及以金屬形成之閘極上電極；像素電極，其係形成於第ㄧ絕緣層上，並電性連接至薄膜電晶體，且以透明導電材料而形成；電容上電極，其係與像素電極設置於相同層，且以透明導電材料形成；蝕刻阻絕層，其係形成於第ㄧ絕緣層與電容上電極之間，且以透明導電材料形成；薄膜電晶體之源極電極與汲極電極，其係電性連接至主動層；第二絕緣層，其係形成於第ㄧ絕緣層以及源極電極與汲極電極之間，且具有完全暴露電容上電極之開口；第三絕緣層，其係形成於第二絕緣層上且暴露像素電極；及中介層，其係設置於像素電極上且包含發射層；以及相反電極，其係設置以隔著中介層面對像素電極，中介層係介於相反電極與像素電極之間。
    間隙可形成於電容上電極之ㄧ側與開口之內壁之間。
    電容下電極可與連接至電容下電極之互連線位於相同層，且互連線與連接電容下電極至互連線的連接部分可包含以離子雜質摻雜之半導體材料。
    連接電容下電極至互連線的連接部分可對應至位於電容上電極之一側與開口之內壁之間的間隙。
    蝕刻阻絕層可至少對應至連接部分而設置。
    閘極下電極、像素電極、以及電容上電極係由第二透明導電材料所形成，且蝕刻阻絕層可由相對於第二透明導電材料之具有蝕刻選擇性之第ㄧ透明導電材料所形成。
    第二透明導電材料可為非晶質氧化銦錫(amorphous indium tin oxide, a-ITO)，且第ㄧ透明導電材料可為晶質氧化銦錫(crystalloid indium tin oxide, p-ITO)。
    中介層可包含用以發射紅光之第一發射層，中介層更可包含位於第ㄧ絕緣層與第一發射層之間的第一輔助層。
    第一輔助層可包含：第一層，其係設置於像素電極與第ㄧ發射層之間，且使電洞自像素電極通過第一層注入或傳輸至第ㄧ發射層；以及第二層，其係設置於第ㄧ絕緣層與像素電極之間，且與用於蝕刻阻絕層的相同材料形成於相同層上。
    中介層可包含用以發射綠光之第二發射層，中介層更可包含第二輔助層，第二輔助層相較於介於第ㄧ絕緣層與第一發射層之間的第ㄧ輔助層之厚度可具有較小厚度。
    第二輔助層可包含插設於第ㄧ絕緣層與像素電極之間的ㄧ層，且該層可與用於蝕刻阻絕層的相同材料形成於相同層上。
    中介層可包含用以發射藍光之第三發射層。
    相反電極係為將發射自發射層之光加以反射之反射電極。
    中介層可包含用以發射紅光之第一發射層時，中介層可插設於像素電極與第ㄧ發射層之間，且可更包含輔助層而使自像素電極注入或傳輸至第ㄧ發射層之電洞通過輔助層，且像素電極係與蝕刻阻絕層以相同之晶質氧化銦錫(crystalloid indium tin oxide, p-ITO)形成於相同層上。
    根據另ㄧ態樣，其係提供ㄧ種製造有機發光顯示裝置之方法，其中該方法包含：於基板上形成半導體層，且圖樣化半導體層以形成薄膜電晶體之主動層與電容下電極；形成第一絕緣層以覆蓋基板上之主動層與電容下電極，且於第ㄧ絕緣層上沉積與圖樣化第ㄧ透明導電材料以形成蝕刻阻絕層；依序沉積第二透明導電材料與第一金屬以覆蓋位於第ㄧ絕緣層上之蝕刻阻絕層，且圖樣化第二透明導電材料與第一金屬以同時形成像素電極圖樣、薄膜電晶體之閘極電極、以及電容上電極圖樣，每ㄧ像素電極圖樣、閘極電極、以及電容上電極圖樣包含依序沉積之第二透明導電材料與第一金屬；形成第二絕緣層以覆蓋位於第ㄧ絕緣層上之像素電極圖樣、閘極電極、以及電容上電極圖樣，圖樣化第ㄧ絕緣層與第二絕緣層以形成暴露主動層之邊緣的接觸孔，且圖樣化第二絕緣層以形成完全地暴露電容上電極圖樣與暴露像素電極圖樣之開口；於第二絕緣層上沉積第二金屬並圖樣化該第二金屬以形成電性連接至主動層之源極電極與汲極電極，且移除第一金屬以形成像素電極與電容上電極；以及形成覆蓋像素電極之第三絕緣層以及第二絕緣層中暴露像素電極之開口。
    當形成電容下電極時，半導體層可被圖樣化以形成連接至電容下電極且與電容下電極位於相同層之互連線。
    當形成蝕刻阻絕層時，第ㄧ透明導電材料可圖樣化以形成對應至像素電極而設置且與蝕刻阻絕層位於相同層之輔助層。
    該方法可更包含將構成蝕刻阻絕層之第ㄧ透明導電材料退火以轉換第ㄧ透明導電材料為晶質氧化銦錫(crystalloid indium tin oxide, p-ITO)。
    主動層之邊緣與互連線可以離子雜質摻雜。
    間隙可形成於電容上電極之一側與完全暴露電容上電極之開口之內壁之間。
    電容下電極可以離子雜質摻雜。
    包含發射層之中介層、以及相反電極係形成於像素電極上。
    中介層可包含插設於像素電極與發射層之間的一層，且使自像素電極注入或傳輸至發射層之電洞通過該層。
    根據本發明之另ㄧ態樣，其係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，其中該方法包含：一第一遮罩製程，其係藉由於基板上形成半導體層且圖樣化半導體層以形成薄膜電晶體之主動層與電容下電極而執行；一第二遮罩製程，其係藉由形成第一絕緣層以覆蓋基板上之主動層與電容下電極，且於第ㄧ絕緣層上沉積與圖樣化第一透明導電材料以形成蝕刻阻絕層與像素電極而執行；一第三遮罩製程，其係藉由依序沉積覆蓋位於第一絕緣層上之蝕刻阻絕層與像素電極之第二透明導電材料與第一金屬，並圖樣化第二透明導電材料與第一金屬以同時形成薄膜電晶體之閘極電極與電容上電極圖樣，每ㄧ閘極電極與電容上電極圖樣包含依序沉積之第二透明導電材料與第一金屬而執行；一第四遮罩製程，其係藉由形成第二絕緣層以覆蓋位於第一絕緣層上之閘極電極與電容上電極圖樣，圖樣化第一絕緣層與第二絕緣層以形成暴露主動層之邊緣的接觸孔，且圖樣化第二絕緣層以形成完全地暴露電容上電極圖樣之開口以執行；一第五遮罩製程，其係藉由於第二絕緣層上沉積第二金屬，圖樣化第二金屬以形成電性連接至主動層之源極與汲極電極，且移除第一金屬以形成電容上電極而執行；以及一第六遮罩製程，其係藉由形成覆蓋像素電極之第三絕緣層以及於第二絕緣層中暴露像素電極之開口而執行。
    該方法可更包含將構成蝕刻阻絕層與像素電極之第ㄧ透明導電材料退火，以轉換第ㄧ透明導電材料為晶質氧化銦錫(crystalloid indium tin oxide, p-ITO)。
    現將參閱詳細說明的實施例，其有些係繪示於附圖，其中全文相似的參考符號一般代表相似的元件。一些實施例可具有不同的形式，且不應詮釋為限於此處所描述之實施例。因此實施例僅藉由參考圖式於下描述以解釋本發明之態樣。在本揭露中，若考量ㄧ態樣之詳細描述會模糊本發明之技術特徵，則其將不會在此呈現。
    其將理解的是，雖然此處使用“第一”、“第二”之術語以描述不同元件，此些元件不應為該些術語所限制。該些術語僅為用於區分ㄧ個元件與另個元件。
    此處所使用之術語僅為描述實施例之目的而非旨在限制本發明。當用於此處時，除非內文中有明確另行指示，單數形式“一(a)”、“一(an)”、“該(the)”旨在同樣包含複數形式。其亦將了解的是，當於本說明書中使用“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)”等術語時，意指所述特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或部件的存在，但不排除一個或多個特徵、整數、步驟、操作、元件、部件及/或其群組的存在或附加。
    下文中將參考附圖詳細描述本發明部分實施例。
    第1圖係為有機發光顯示裝置之ㄧ實施例之剖面圖。
    請參考第1圖，有機發光顯示裝置1包含具有有機發光裝置OLED的光發射區域100、具有至少ㄧ薄膜電晶體TFT的薄膜電晶體區域200、以及具有電容Cst之儲存區域300。
    薄膜電晶體區域200包含至少ㄧ薄膜電晶體TFT。薄膜電晶體TFT可包含電性連接且提供電流至有機發光裝置OLED之驅動薄膜電晶體TFT、電性連接至例如電容Cst之切換薄膜電晶體TFT。薄膜電晶體TFT包含主動層212、閘極電極210、以及源極電極218s與汲極電極218d。閘極電極210包含閘極下電極215與閘極上電極216。在ㄧ些實施例中，閘極下電極215可由透明導電氧化物(transparent conductive oxide, TCO)所形成。閘極上電極216可由低電阻金屬所形成。第一絕緣層13可插設於閘極電極210與主動層212之間作為閘極絕緣層以絕緣閘極電極210與主動層212。主動層212可由半導體材料所形成。主動層212包含於主動層212之相反兩邊緣摻雜高濃度雜質之源極區域212s與汲極區域212d、以及插設於源極區域212s與汲極區域212d之間的通道區域212c。源極區域212s與汲極區域212d係分別電性連接至源極電極218s與汲極電極218d。第1圖中的薄膜電晶體TFT係為頂端閘極型薄膜電晶體TFT。然而其他實施例中的薄膜電晶體TFT並不限於此，且舉例而言亦可使用底端閘極型薄膜電晶體。
    儲存區域300包含電容Cst。即使在切換薄膜電晶體TFT關閉之後，電容Cst仍可將施加至驅動薄膜電晶體TFT的訊號充電(charge)。電容Cst包含電容下電極312、電容上電極315、以及作為介電層而插設在電容下電極312與電容上電極315之間的第一絕緣層13。電容下電極312可與主動層212位於同一層上。電容下電極312可以半導體材料形成且可由於摻雜離子雜質而具有改善的電性導電度。此外，電容上電極315可與用於閘極下電極215之相同透明導電材料形成且位於同一層上。
    根據一些實施例，蝕刻阻絕層314可形成於第一絕緣層13與電容上電極315之間。由於蝕刻阻絕層314，當第二絕緣層17被蝕刻以於電容上電極315的一側與第五開口H5之內壁之間形成間隙時，設置於第二絕緣層17之下的第一絕緣層13不受影響。
    第二絕緣層17係形成於電容上電極315之上，且第五開口H5係形成於第二絕緣層17中以完全地暴露電容上電極315。在ㄧ些實施例中，間隙G1係形成於電容上電極315之ㄧ側以及第五開口H5之內壁之間。在形成間隙G1中，當第二絕緣層17被蝕刻時，設置於第二絕緣層17之下的第一絕緣層13可能被蝕刻液與蝕刻方法所影響。舉例而言，第一絕緣層13可能被過於蝕刻且可能因此產生基蝕(undercut)。
    若第一絕緣層13被過度蝕刻，則設置於第一絕緣層13下方的電容下電極312可能會暴露出來。當形成於電容上電極315之上的金屬層被除去時，包含例如多晶矽的半導體材料之電容下電極312可能與從使用蝕刻液以蝕刻所產生之金屬成份發生化學反應而產生矽金屬化合物(silicide)。矽金屬化合物可能產生電容的漏電流。然而根據ㄧ些實施例，由於蝕刻阻絕層314可避免上述問題。
    第2圖與第3圖分別為有機發光顯示裝置1之該實施例之儲存區域300的平面圖與剖面圖。
    請參閱第2圖與第3圖，第二絕緣層17具有完全暴露電容上電極315的第五開口H5，且間隙G1係形成於電容上電極315之ㄧ側以及第五開口H5之ㄧ側之間。
    互連線(interconnection line) 312a可由電容下電極312延伸而來。互連線312a可以用於電容下電極312之相同材料形成於同一層上。電容下電極312、互連線312a、以及連接電容下電極312至互連線312a的連接部分312b可皆由以離子雜質摻雜的半導體材料形成以實施高電性導電度。
    電容下電極312以及連接至電容下電極312之互連線312a的離子雜質摻雜區可由形成於第二絕緣層17中第五開口H5所占據的區域而決定。此將於稍後詳細描述。若第五開口H5僅暴露電容上電極315的一部分，則構成電容下電極312之半導體層的邊緣、以及介於電容下電極312與互連線312a之間的連接部分312b可能無法摻雜離子雜質。電容Cst的電容量可能降低或訊號傳輸品質可能損壞。
    然而在ㄧ些實施例中，第五開口H5完全暴露電容上電極315，且電容下電極312與互連線312a皆可以離子雜質摻雜。尤其是由於連接電容下電極312至互連線312a的連接部分312b係對應於電容上電極315之一側與第五開口H5之內壁之間的間隙G1而設置，因此連接部分312b也可以離子雜質摻雜。因此，由於電容下電極312、互連線312a、以及連接部分312b皆完全地以離子雜質摻雜，故可增加靜電容與訊號傳輸品質。特別是由於連接部分312b係對應至透過互連線312a所傳輸的訊號施加至電容Cst的入口，若未以離子雜質摻雜，則可能降低訊號傳輸品質。因此在ㄧ些實施例中，連接部分312b係對應至間隙G1而設置，且此設置使得連接部分312b能夠輕易地以離子雜質摻雜。
    如第2圖所示，在ㄧ些實施例中，蝕刻阻絕層314係形成以至少對應至連接電容下電極312至互連線312a的連接部分312b。
    第4圖係為有機發光顯示裝置之另ㄧ實施例之儲存區域300的平面圖。請參閱第4圖，蝕刻阻絕層314係形成以除了連接部分312b之外尚覆蓋對應至間隙G1的區域。在第4圖中，蝕刻阻絕層314係形成為封閉環型(closed loop)且保護第一絕緣層13可能為間隙G1所暴露的部分。第4圖中儲存區域300之剖面圖係與第3圖相同。
    如上所述，蝕刻阻絕層314避免第一絕緣層13的過度蝕刻。由於蝕刻阻絕層314的寬度W1大於間隙G1，因此即便發生等向性蝕刻(isotropic etching)或非等向性蝕刻(anisotropic etching)，將可保護第一絕緣層13對應至間隙G1的部分。
    蝕刻阻絕層314可由相較於構成電容上電極315之材料具有蝕刻選擇性的透明導電材料所形成。需具有蝕刻選擇性的原因在於當蝕刻阻絕層314形成且接著於其上執行圖樣化以形成電容上電極315時，蝕刻阻絕層314需要被保護免於受到傷害。使用透明導電材料的原因在於，當蝕刻阻絕層314與電容上電極315形成且接著以離子雜質摻雜電容下電極312與互連線312a時，僅有當蝕刻阻絕層314與電容上電極315為透明時，電容下電極312與互連線312a能夠完全被摻雜。
    舉例而言，在ㄧ些實施例中，電容上電極315可由非晶質氧化銦錫(amorphous indium tin oxide, a-ITO)所形成，且蝕刻阻絕層314可由晶質氧化銦錫(crystalloid indium tin oxide, p-ITO)所形成。晶質氧化銦錫的蝕刻速度可等於或小於非晶質氧化銦錫之蝕刻速度的十分之ㄧ。除了以鹽酸(HCl)與硝酸(HNO3)之混合水溶液作為用於濕式蝕刻氧化銦錫之蝕刻液之外，晶質氧化銦錫相對於氫氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、或醋酸(CHCHOOH)的蝕刻速度也可降低。以晶質氧化銦錫形成的蝕刻阻絕層314於蝕刻製程時可用做蝕刻阻止層。
    請再度參閱第1圖，光發射區域100包含有機發光裝置OLED。有機發光裝置OLED包含電性連接至驅動薄膜電晶體TFT之源極電極218s與汲極電極218d之其中任ㄧ的像素電極115、對應於像素電極115而設置的相反電極119、以及插設於像素電極115與相反電極119之間的中介層118。像素電極115可與閘極下電極215以相同材料形成於同ㄧ層上。相反電極119可為光反射電極。中介層118可包含有機發射層。第1圖之有機發光顯示裝置1係為光朝向基板10發射的底端發射型有機發光顯示裝置。
    在一些實施例中，有機發光裝置OLED可根據發射不同顏色光線之次像素而具有不同厚度。舉例而言，若有機發光裝置OLED係包含於發射紅光之次像素中，有機發光裝置OLED可具有最大的厚度；且若有機發光裝置OLED係包含於發射藍光之次像素中，有機發光裝置OLED可具有最小的厚度。紅光具有最長的波長。因此，藉由形成以具有對應於波長之相對較大厚度的有機發光裝置OLED，可由於共振效應(resonance effect)而改善發光效率。同樣地，由於藍光具有最短的波長，藉由形成以具有對應於波長之相對較小厚度的有機發光裝置OLED，可由於共振效應(resonance effect)而改善發光效率。有機發光裝置OLED之波長與厚度係相對概念。相較於由綠色與藍色次像素所發出的光線，由紅色次像素所發出的光線具有相對較長的波長且對應之有機發光裝置OLED也具有相對較大的厚度。
    在ㄧ些實施例中，第一輔助層114係插設於第一絕緣層13與像素電極115之間，且與蝕刻阻絕層314以相同材料形成於相同層上。由於第一輔助層114，有機發光裝置OLED的厚度係根據次像素而改變。由此結構，毋需使用額外的製程而獲得具有改善之發光效率的有機發光顯示裝置1。
    下文中將詳細敘述包含於紅色、綠色、及藍色次像素中的有機發光裝置OLED。
    第5A圖與第5B圖係為第1圖中有機發光顯示裝置1之該實施例之光發射區域100R，以及該光發射區域100R之中介層118的詳細剖面圖。第5A圖與第5B圖之光發射區域100R係為紅色次像素之光發射區域。
    請參閱第5A圖與第5B圖，紅色次像素之有機發光裝置OLED包含形成於蝕刻阻絕層314形成於其上之第一絕緣層13之上的第一輔助層114、形成於第一輔助層114上的像素電極115、面對像素電極115的相反電極119、以及插設於像素電極115與相反電極119之間的中介層118。
    第一輔助層114與蝕刻阻絕層314係同時形成。因此，第一輔助層114可以用於蝕刻阻絕層314之相同晶質氧化銦錫形成於相同層上。第一輔助層114使有機發光裝置OLED能夠具有對應於紅光之波長的厚度以共振紅光，進而改善有機發光裝置OLED之發光效率。
    此外，紅色次像素之中介層118可包含紅色有機發射層EML(R)、以及選自由電洞傳輸層HTL、電洞注入層HIL、電子傳輸層ETL、與電子注入層EIL所組成群組之至少ㄧ功能層，每ㄧ上述功能層可具有單層結構或複合結構。
    此外，由於紅光具有最長的波長，除了第一輔助層114之外尚需要額外輔助層HIL-R與HTL-R以對應波長而調整有機發光裝置OLED的厚度。額外輔助層HIL-R與HTL-R可設置於像素電極115與紅色有機發射層EML(R)之間。額外輔助層HIL-R與HTL-R可與用於電洞注入層HIL或電洞傳輸層HTL的相同材料所形成，進而使電洞由像素電極115注入或傳輸而通過紅色有機發射層EML(R)。在紅色次像素中，有機發光裝置OLED的厚度係取決於第一輔助層114與額外輔助層HIL-R與HTL-R的整體厚度。
    第6A圖與第6B圖係根據另ㄧ實施例之紅色次像素之光發射區域100R之示意圖。
    參閱第6A圖與第6B圖，不像第5A圖與第5B圖之光發射區域100R，像素電極並未形成於第一輔助層114上。第6A圖與第6B圖之有機發光裝置OLED包含作用如像素電極115且可調整光線之波長之第一輔助層114、面對第一輔助層114之相反電極119、以及插設於第一輔助層114與相反電極119之間的中介層118。
    此外，第6A圖與第6B圖所繪示之中介層118包含額外輔助層HIL-R’與HTL-R’，且第6A圖與第6B圖中額外輔助層HIL-R’與HTL-R’的整體厚度係等同於第5A圖與第5B圖中額外輔助層HIL-R與HTL-R與像素電極115的整體厚度。亦即，在第6A圖與第6B圖所示之有機發光裝置OLED中，第一輔助層114係作為像素電極115，且額外輔助層HIL-R’與HTL-R’調整有機發光裝置OLED的厚度以對應於紅光之波長。如上所述，有機發光裝置OLED之厚度可藉由使用各種方法而控制。
    第7A圖與第7B圖係根據一實施例之綠色次像素之光發射區域100G、以及該光發射區域之中介層118的詳細剖面圖。
    請參閱第7A圖與第7B圖，綠色次像素之有機發光裝置OLED相似於第5A圖與第5B圖中紅色次像素的有機發光裝置OLED，包含形成於第一絕緣層13上的第一輔助層114、形成於第一輔助層114上的像素電極115、以及插設於像素電極115與面對像素電極115之相反電極119之間的中介層118。此外，在綠色次像素中第一輔助層114的厚度小於第5A圖與第5B圖中紅色次像素之第一輔助層114與額外輔助層HIL-R與HTL-R的整體厚度。
    第一輔助層114與蝕刻阻絕層314係同時形成，且因此第一輔助層114可以用於蝕刻阻絕層314之相同晶質氧化銦錫(p-ITO)形成於相同層上。第一輔助層114使有機發光裝置OLED能夠具有對應於綠光之波長的厚度以共振綠光，進而改善有機發光裝置OLED的發光效率。
    此外，綠色次像素的中介層118可包含綠色有機發射層EML(G)、以及選自由電洞傳輸層HTL、電洞注入層HIL、電子傳輸層ETL、與電子注入層EIL所組成群組之至少ㄧ功能層，每ㄧ上述功能層可具有單層結構或複合結構。
    第8A圖與第8B圖係根據一實施例之藍色次像素之光發射區域100B，以及該光發射區域100B之中介層118之詳細剖面圖。
    請參閱第8A圖與第8B圖，藍色次像素之有機發光裝置OLED並未包含輔助層，且包含形成於第一絕緣層13上的像素電極115、面對像素電極115的相反電極119、以及插設於像素電極115與相反電極119之間的中介層118。由於藍光在紅光、綠光、與藍光中具有最短的波長，因此為了製造具有最小厚度的有機發光顯示裝置OLED，輔助層並不包含於其中。
    此外，藍色次像素之中介層118可包含藍色有機發射層EML(B) 、以及選自由電洞傳輸層HTL、電洞注入層HIL、電子傳輸層ETL、與電子注入層EIL所組成群組之至少ㄧ功能層，每ㄧ上述功能層可具有單層結構或複合結構。
    第9圖至第14圖係為一實施例之製造第1圖之有機發光顯示裝置1的方法之剖面圖。下文中，將詳述製造第5A圖、第5B圖、第7A圖以及第7B圖之紅色及綠色次像素之方法。
    如第9圖所示，緩衝層11係形成於基板10上。基板10可由主要包含二氧化矽(SiO2)的透明玻璃材料所形成。在其他實施例中，透明塑膠材料或金屬材料也可用以形成基板10。
    形成於基板10上的緩衝層11避免雜質離子的擴散、避免水分或外部氣體的滲透、及提供表面平坦度，且可包含至少ㄧ阻擋層與阻絕層。緩衝層11可藉由沉積二氧化矽(SiO2）與矽氮化物(SiNx)之至少其ㄧ，而以使用包含電漿輔助化學氣相沉積(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)、大氣壓力化學氣相沉積(atmospheric pressure CVD, APCVD)、低壓化學氣相沉積(low pressure CVD, LPCVD)等各種方法而形成。
    接著，薄膜電晶體TFT的主動層212與電容下電極312係形成於緩衝層11上。非晶矽層(圖未示)係沉積於緩衝層11上且接著結晶以形成多晶矽層(圖未示)。結晶非晶矽可藉由使用各種不同方法而執行，舉例而言，包含快速熱退火(rapid thermal annealing, RTA)、固相結晶(solid phase crystallization, SPC)、準分子雷射退火(excimer laser annealing, ELA)、金屬誘導結晶(metal-induced crystallization, MIC)、金屬誘導側向結晶(metal-induced lateral crystallization, MILC)、以及順序橫向固化(sequential lateral solidification, SLS)等。
    接著，多晶矽層係藉由使用遮罩(圖未示)執行遮罩製程而圖樣化為薄膜電晶體TFT之主動層212與電容下電極312。
    在此遮罩製程中，可藉由使用曝光裝置(圖未示)透過第一遮罩(圖未示)執行曝光，接著顯影、蝕刻、剝離或灰化。
    雖然並未示於第9圖中，如第2圖所示，多晶矽層係使用第一遮罩(圖未示)以遮罩製程而圖樣化以在形成薄膜電晶體TFT之主動層212與電容下電極312的同時形成連接至電容下電極312的互連線312a。
    接著如第10圖所示，第一絕緣層13與第一透明導電材料層(圖未示)係依序地形成於主動層212與電容下電極312形成於其上的基板10的整個表面。
    第一絕緣層13可藉由沉積例如矽氮化物(SiNx)或矽氧化物(SiOx)之無機材料以例如電漿輔助化學氣相沉積、大氣壓力化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積的方法而形成。第一絕緣層13係插設於薄膜電晶體TFT之主動層212與閘極電極210之間且作用為薄膜電晶體TFT之閘極絕緣層。此外，第一絕緣層13係插設於電容上電極315與電容下電極312之間並作用為電容Cst之介電層。
    第一透明導電材料層可包含非晶質氧化銦錫或晶質氧化銦錫。在接下來的製程中，第一透明導電材料層可圖樣化為蝕刻阻絕層314及/或第一輔助層114。在ㄧ些實施例中，有機發光顯示裝置1係為光線朝向基板10發射的底端發射型有機發光顯示裝置。因此，設置於像素電極115之下的第一輔助層114係由透明導電材料形成。此外，在接下來的製程中，位於蝕刻阻絕層314下方的電容下電極312與互連線312a係以離子雜質摻雜。因此蝕刻阻絕層314係由透明材料形成。
    如第10圖所示，蝕刻阻絕層314在儲存區域300中形成，且第一輔助層114在光發射區域100中形成。
    依序地沉積於基板10之整個表面的第一透明導電材料層可使用第二遮罩(圖未示)使用遮罩製程圖樣化。
    如第2圖所示，蝕刻阻絕層314可對應於將電容下電極312連接至互連線312a的連接部分312b而設置。此外如第4圖所示，蝕刻阻絕層314可除了對應於連接部分312b之外，對應於稍後形成的間隙G1而設置，且可形成為封閉環型而覆蓋所有的連接部分312b與間隙G1。由於蝕刻阻絕層314的這種結構，蝕刻阻絕層314避免第一絕緣層13對應於連接部分312b的至少一部分被過度蝕刻。
    第一輔助層114可形成以對應於稍後形成的像素電極115。藉此，有機發光裝置OLED的厚度可對應發射層所發射之光線的波長而調整。
    此外，若第一透明導電材料層係由非晶質氧化銦錫所形成，蝕刻阻絕層314與第一輔助層114係圖樣化且於其上執行退火以將非晶質氧化銦錫轉變為晶質氧化銦錫。在ㄧ些實施例中，退火可藉由使用熱、紫外光、或雷射而執行。此外，即使並未執行個別的退火處理，構成蝕刻阻絕層314與第一輔助層114的非晶質氧化銦錫可於製程中透過熱處理或紫外光處理而結晶。此外，退火可於第一透明導電材料層圖樣化為蝕刻阻絕層314與第一輔助層114之前執行。
    接著，第二透明導電材料層(圖未示)與第一金屬層(圖未示)係依序地形成於蝕刻阻絕層314與第一輔助層114已形成於其上之基板10的整個表面上。
    第二透明導電材料層可包含選自由氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、三氧化二銦(indium oxide, In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide, IGO)、以及氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide, AZO)所組成群組的至少ㄧ透明材料。在ㄧ些實施例中，第二透明導電材料層可包含相較於晶質氧化銦錫具有蝕刻選擇性的非晶質氧化銦錫。在接下來的製程中，第二透明導電材料層可被圖樣化為像素電極115、閘極下電極215、以及電容上電極315。
    在底端發射型有機發光顯示裝置實施例中，像素電極115係形成為透明電極。因此，用以形成像素電極115的第二透明導電材料層係由透明導電氧化物(transparent conductive oxide, TCO)所形成。
    第一金屬層可包含選自由鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、以及銅(Cu)所組成群組的至少ㄧ金屬。在ㄧ些實施例中，第一金屬層可具有包含鉬(Mo)、鋁(Al)、鉬(Mo)的三層結構。在接下來的製程中，第一金屬層可圖樣化為閘極上電極216。
    根據一些實施例，由於閘極電極210需要有效地傳導電流，若僅形成具有相對高電阻的第二透明導電材料層，則可能無法獲得平順的電流。因此，為了使薄膜電晶體TFT充分地執行其應有功能，需形成以相較於第二透明導電材料層具有較低電阻的金屬材料形成的第一金屬層。
    接著如第11圖所示，像素電極110、閘極電極210、以及電容上電極圖樣310係形成於基板10上。
    依序地沉積於基板10之整個表面的第二透明導電材料層與第一金屬層係藉由使用第三遮罩(圖未示)以遮罩製程而圖樣化。
    在薄膜電晶體區域200中，閘極電極210係形成於主動層212上。閘極電極210包含構成第二透明導電材料層之一部分的閘極下電極215、以及構成第一金屬層之一部分的閘極上電極216。
    由於蝕刻阻絕層314與第一輔助層114係相較於第二透明導電材料層以具有蝕刻選擇性之材料形成，當第二透明導電材料層被圖樣化時，蝕刻阻絕層314與第一輔助層114可不受傷害。
    在ㄧ些實施例中，閘極電極210係對應至主動層212之中心而形成，且主動層212係藉由使用閘極電極210作為自動對準遮罩以n型或p型雜質摻雜，藉此於閘極電極210的相反兩端上之主動層212的邊緣形成源極區域212s與汲極區域212d、以及設置於源極區域212s與汲極區域212d之間的通道區域212c。在ㄧ些實施例中，雜質一般可為硼(B)離子或磷(P)離子。
    在儲存區域300中，用以形成電容上電極315的電容上電極圖樣310係形成於對應至電容下電極312的蝕刻阻絕層314上，且在光發射區域100中，用以形成像素電極115的像素電極圖樣110係形成於第一輔助層114上。
    以用於主動層212的相同材料所形成之電容下電極312由於電容上電極圖樣310之第一金屬層316作用為阻隔遮罩，因此與通道區域212c相同並未摻雜雜質。在ㄧ些實施例中，離子雜質係摻雜於其上並未設置電容上電極圖樣310之第一金屬層的電容之互連線312a上。
    接著，第二絕緣層17係沉積於其上已形成有閘極電極210、電容上電極圖樣310、以及像素電極圖樣110之基板10的整個表面上。
    第二絕緣層17可藉由旋轉塗佈(spin coating)以選自由聚亞醯胺(polyimide)、聚醯胺(polyamide)、壓克力樹脂(acryl resin)、苯環丁烯(benzocyclobutene)、以及苯酚樹脂(phenol resin)所組成群組之至少ㄧ有機絕緣材料所形成。第二絕緣層17具有足夠的厚度，舉例而言，具有大於第一絕緣層13的厚度，且功能為介於薄膜電晶體TFT之閘極電極210與源極電極218s和汲極電極218d之間的層間絕緣層。此外，除了如上所述的有機絕緣材料之外，第二絕緣層17可由用於第一絕緣層13之無機絕緣材料所形成。另ㄧ方面，第二絕緣層17可藉由交錯地沉積有機絕緣材料與無機絕緣材料所形成。
    接著如第12圖所示，第二絕緣層17係圖樣化以形成第一與第二接觸孔H1與H2以暴露主動層212之源極區域212s與汲極區域212d的部分、以及第三、第四、與第五開口H3、H4、與H5以暴露電容上電極圖樣310與像素電極圖樣110的一部分。
    詳細地說，第一與第二接觸孔H1與H2以及第三、第四、與第五開口H3、H4、與H5係藉由使用第四遮罩(圖未示)執行遮罩製程以圖樣化第二絕緣層17及/或第一絕緣層13而形成。此處，第一與第二接觸孔H1與H2暴露源極區域212s與汲極區域212d的部分，且第三開口H3與第四開口H4暴露構成像素電極圖樣110之上層部分的至少一部分第一金屬層。第五開口H5完全地暴露電容上電極圖樣310。
    第五開口H5係形成以完全地暴露電容上電極圖樣310，且在此情形下，間隙G1係形成於電容上電極圖樣310之ㄧ側與第五開口H5的內壁之間。如上所述，由於電容上電極圖樣310係完全地暴露，而間隙G1得以形成，因此包含於電容上電極圖樣310中的第一金屬層316係完全地被移除，且電容下電極312可完全地以離子雜質摻雜。此外，間隙G1可形成以對應至電容下電極312之連接部分312b以及互連線312a。
    如上所述，由於蝕刻阻絕層314係對應連接部分312b而設置，當第五開口H5係藉由蝕刻第二絕緣層17而形成時，設置於第二絕緣層17下方的第一絕緣層13可不受影響。
    接著，第二金屬層(圖未示)係沉積於基板10的整個表面，覆蓋第二絕緣層17。
    第二金屬層可以用於第一金屬層的導電材料而形成。用以形成第二金屬層的材料不限於此，且各種其他導電材料也可用於形成第二金屬層。此外，第二金屬層可具有足夠的厚度以填滿第一接觸孔H1與第二接觸孔H2、以及第三、第四、與第五開口H3、H4、與H5。
    接著如第13圖所示，第二金屬層係圖樣化以形成源極電極218s與汲極電極218d、像素電極115、以及電容上電極315。
    第二金屬層係藉由使用第五遮罩(圖未示)執行遮罩製程而圖樣化以形成源極電極218s與汲極電極218d。
    在ㄧ些實施例中，形成源極電極218s與汲極電極218d之其中任ㄧ(例如汲極電極218d)，以透過位於像素電極圖樣110對應至第一金屬層之上層部分邊緣的第四開口H4而連接至像素電極115，其中像素電極圖樣110將成為像素電極115。
    若構成源極電極218s與汲極電極218d之第二金屬層與像素電極圖樣110的第一金屬層(亦即第13圖的元件符號116)係以相同材料形成，則源極電極218s與汲極電極218d以及像素電極115可同時形成。然而，若第二金屬層與第一金屬層係以不同材料形成，則源極電極218s與汲極電極218d係形成且接著像素電極115係藉由額外的蝕刻而形成。像素電極115係藉由移除像素電極圖樣110透過第三開口H3所暴露之第一金屬層(亦即116)而形成。在ㄧ些實施例中，電容上電極315係藉由移除電容上電極圖樣310對應至第一金屬層之暴露出的上層部分而形成。因此，閘極下電極215、電容上電極315、以及像素電極115係以相同材料形成於相同層上。
    在ㄧ些實施例中，由於電容上電極圖樣310對應至第一金屬層的上層部分係完全地移除，電容下電極312可藉由透過第五開口H5植入n型或p型雜質而完全地摻雜。在摻雜時植入的雜質可為用於摻雜主動層212之硼離子或磷離子，且其他雜質亦可用於摻雜。
    在ㄧ些實施例中，第五開口H5完全地暴露電容上電極圖樣310，且蝕刻阻絕層314係以透明導電材料形成。因此，連接至電容下電極312的互連線312a、以及連接部分312b皆可以離子雜質摻雜。由於電容下電極312與互連線312a不具有未摻雜離子的區域，因此可增加靜電容與訊號傳輸品質。
    接著如第14圖所示，像素定義層(Pixel defining layer, PDL)係藉由圖樣化第三絕緣層19而形成於基板10上。
    第三絕緣層19係沉積於其上已形成有像素電極115、源極電極218s與汲極電極218d、以及電容上電極315之基板10的整個表面上。
    第三絕緣層19可藉由旋轉塗佈以選自由聚亞醯胺、聚醯胺、壓克力樹脂、苯環丁烯、以及苯酚樹脂所組成群組之至少ㄧ有機絕緣材料而形成。除了上述之有機絕緣材料之外，第三絕緣層19亦可由選自於二氧化矽(SiO2)、矽氮化物(SiNx)、三氧化二鋁(Al2O3)、銅氧化物(CuOx)、七氧化四鋱(Tb4O7)、三氧化二釔(Y2O3)、五氧化二鈮(Nb2O5)、三氧化二鐠(Pr2O3)所組成群組的無機絕緣材料所形成。在其他實施例中，第三絕緣層19可具有有機絕緣材料與無機絕緣材料交錯地沉積的多層結構。
    第三絕緣層19係藉由使用第六遮罩(圖未示)執行遮罩製程而圖樣化以形成暴露像素電極115之中央部分的第六開口H6，進而定義ㄧ像素。
    第三絕緣層19可填滿間隙G1。在ㄧ些實施例中，若第三絕緣層19由有機絕緣材料所形成，則藉由以有機絕緣材料適當地填滿間隙G1，可避免電容下電極312與接觸電容上電極315之蝕刻阻絕層314之間可能發生的短路。
    接著如第1圖所示，包含有機發射層之中介層118與相反電極119係形成於暴露像素電極115之第六開口H6中。在紅色次像素中，中介層118可包含有機發射層EML(R)、以及選自由電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層、與電子注入層所組成群組之至少ㄧ功能層，其中每ㄧ層可具有單層結構或複合結構，且可進一步形成額外輔助層。
    用以發射紅光的有機發射層EML(R)可包含咔唑聯苯(carbazole biphenyl, CBP)或1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)之主體(host)材料，以及包含選自由二(1-苯基異喹啉) (乙醯丙酮)合銥(III) ( bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium, PIQIr(acac))、二(1-苯基喹啉) (乙醯丙酮)合銥(III) ( bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium, PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)合銥(III) ( tris(1-phenylquinoline) iridium, PQIr)、以及八乙基卟吩鉑( octaethylporphyrin platinum, PtOEP)所組成群組的至少ㄧ磷光材料的摻雜劑材料。此外，用以發射紅光的有機發射層EML(R)也可由例如三(二苯甲醯基甲烷)(o-菲羅啉)銪(III)) (tris(dibenzoylmethane)(o-phenanthroline)europium(III), PED:Eu(DBM)3(Phen))或苝(perylene)之螢光材料所形成。
    電洞傳輸層可由N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenylbenzidine, NPB)或聚(2,4-二氧乙基噻吩)(PEDOT)所形成。電洞注入層可由銅鈦菁(copper phthalocyanine, CuPc)或 4,4',4"-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯胺(4,4',4"-tris(N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino)triphenylamine, MTDATA)所形成。
    額外輔助層HIL-R與HTL-R可設置於像素電極115與紅色有機發射層EML(R)之間，且可以用於電洞傳輸層或電洞注入層之相同材料形成。因此，額外輔助層HIL-R與HTL-R可為使電洞自像素電極115注入或傳輸以穿過紅色有機發射層EML(R)之層。
    電子傳輸層可由多環碳氫衍生物(polycyclic hydro carbonaceous derivative)、雜環化合物(heterocyclic compound)、或三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinolato)aluminum, Alq3)所形成。電子注入層可由氟化鋰(LiF)、8-羥基喹啉鋰(Liq)、氟化鈉(NaF)、或喹啉鈉(Naq)所形成。
    相反電極119可形成於基板10的整個表面上以作為共同電極。在ㄧ些有機發光顯示裝置的實施例中，像素電極115係用為陽極而相反電極119係用為陰極。於其他實施例中像素電極115與相反電極119的極性亦可互換。
    若有機發光顯示裝置為向基板10發射光線的底端發射型有機發光顯示裝置，則像素電極115為透明電極而相反電極119為反射電極。反射電極可藉由以較薄的厚度而沉積具有低功函數的金屬，例如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、或上述金屬之化合物所形成。
    在用以形成有機發光顯示裝置的個別遮罩製程中，可藉由執行乾蝕刻或濕蝕刻以移除沉積層。
    如第15圖所示，在第6A圖與第6B圖中紅色次像素之光發射區域100R中，係執行使用第11圖所示之第三遮罩之遮罩製程，除了像素電極圖樣110並未形成於光發射區域100中之外。
    因此，在使用第12圖之第四遮罩的遮罩製程中，第二絕緣層17係形成於第一絕緣層13上，覆蓋閘極電極210與電容上電極圖樣310，且接著接觸孔H1與H2以及第三、第四、與第五開口H3、H4、與H5係藉由使用第四遮罩以圖樣化第二絕緣層17而形成。在使用第13圖之第五遮罩的遮罩製程中，源極電極218s與汲極電極218d係形成，且第一金屬層係自電容上電極圖樣310移除以形成電容上電極315。由於像素電極圖樣110並未形成，因此不執行像素電極圖樣110的相關製程。接下來的製程係與參照第9圖至第14圖所述之相同方式執行，因此將不再贅述。
    如第16圖所示，在第8A圖與第8B圖之藍色次像素的光發射區域100B中，係執行使用第10圖之第二遮罩的遮罩製程，除了第一輔助層114並未形成於光發射區域100中。接下來的製程係與參照第11圖至第14圖所述之相同方式執行，因此將不再贅述。
    上述實施例已參考有機發光顯示裝置1而描述。然而本發明並不限於此，且可使用例如液晶顯示裝置的其他顯示裝置。
    在用以描述部分實施例的圖式中僅描繪了ㄧ個薄膜電晶體與ㄧ個電容。然而所描繪的結構僅為了便於解釋，且本發明並不限於此。在遮罩製程的數目不增加下，複數個薄膜電晶體與複數個電容亦可形成於根據本發明之實施例的有機發光顯示裝置中。
    根據如上所述之本發明之實施例，有機發光顯示裝置係藉由執行總共六個遮罩製程而製造，因此簡化了其製造製程。此外，可避免離子雜質沒有摻雜到電容下電極與互連線，進而增加互連線的靜電容以及訊息傳輸品質。此外，使像素發射不同顏色光線的中介層具有不同厚度，因此增加發光效率。
    雖然本發明已參照其部分實施例特別地顯現與描述，其將為所屬技術領域者了解的是，在任何未脫離於後附之申請專利範圍所定義之本發明之精神與範疇下，可對其形式與細節進行各種變更。
    1．．．有機發光顯示裝置
    10．．．基板
    11．．．緩衝層
    13．．．第一絕緣層
    17．．．第二絕緣層
    19．．．第三絕緣層
    100、100R、100G、100B．．．光發射區域
    110．．．像素電極圗樣
    114．．．第一輔助層
    115．．．像素電極
    116、316．．．第一金屬層
    118．．．中介層
    119．．．相反電極
    200．．．薄膜電晶體區域
    210．．．閘極電極
    212．．．主動層
    212s．．．源極區域
    212d．．．汲極區域
    212c．．．通道區域
    215．．．閘極下電極
    216．．．閘極上電極
    218s．．．源極電極
    218d．．．汲極電極
    300．．．儲存區域
    310．．．電容上電極圖樣
    312．．．電容下電極
    312a．．．互連線
    312b．．．連接部分
    314．．．蝕刻阻絕層
    315．．．電容上電極
    Cst．．．電容
    EML(R)．．．紅色有機發射層
    EML(G)．．．綠色有機發射層
    EML(B)．．．藍色有機發射層
    EIL．．．電子注入層
    ETL．．．電子傳輸層
    H1、H2．．．接觸孔
    H3．．．第三開口
    H4．．．第四開口
    H5．．．第五開口
    H6．．．第六開口
    HIL．．．電洞注入層
    HTL．．．電洞傳輸層
    HIL-R、HTL-R、HIL-R’、HTL-R’．．．額外輔助層
    G1．．．間隙
    OLED．．．有機發光裝置
    TFT．．．薄膜電晶體
    W1．．．寬度
    藉由參考附圖詳細描述部分實施例將使上述與其他特徵及優點變得更為顯而易知，其中：第1圖係為有機發光顯示裝置之ㄧ實施例之剖面圖；第2圖與第3圖分別為有機發光顯示裝置之該實施例之儲存區域的平面圖與剖面圖；第4圖係為有機發光顯示裝置之該實施例之儲存區域的平面圖；第5A圖與第5B圖係為第1圖中有機發光顯示裝置之該實施例之光發射區域、以及該光發射區域之中介層的詳細剖面圖；第6A圖與第6B圖係根據另ㄧ實施例之紅色次像素之光發射區域100R之示意圖；第7A圖與第7B圖係根據一實施例之綠色次像素之光發射區域、以及該光發射區域之中介層的詳細剖面圖；第8A圖與第8B圖係根據一實施例之藍色次像素之光發射區域、以及該光發射區域之中介層之詳細剖面圖；第9圖至第14圖係為製造第1圖之有機發光顯示裝置之方法的剖面圖；第15圖係為一實施例中包含第6A圖與第6B圖中紅色次像素之有機發光顯示裝置之部分製造方法的剖面圖；以及第16圖係為包含第8A圖與第8B圖中藍色次像素之有機發光顯示裝置之部分製造方法的剖面圖。
    1．．．有機發光顯示裝置
    10．．．基板
    11．．．緩衝層
    13．．．第一絕緣層
    17．．．第二絕緣層
    19．．．第三絕緣層
    100．．．光發射區域
    114．．．第一輔助層
    115．．．像素電極
    116．．．第一金屬層
    118．．．中介層
    119．．．相反電極
    200．．．薄膜電晶體區域
    210．．．閘極電極
    212．．．主動層
    212s．．．源極區域
    212d．．．汲極區域
    212c．．．通道區域
    215．．．閘極下電極
    216．．．閘極上電極
    218s．．．源極電極
    218d．．．汲極電極
    300．．．儲存區域
    312．．．電容下電極
    314．．．蝕刻阻絕層
    315．．．電容上電極
    Cst．．．電容
    H5．．．第五開口
    G1．．．間隙
    OLED．．．有機發光裝置
    TFT．．．薄膜電晶體
    W1．．．寬度
    权利要求:
    Claims (25)
    [1] 一種有機發光顯示裝置，其包含：ㄧ電容下電極，其係與ㄧ薄膜電晶體之ㄧ主動層以相同層形成於ㄧ基板上，且包含以一離子雜質摻雜之半導體材料；ㄧ第ㄧ絕緣層，其係形成於該基板上，覆蓋該主動層與該電容下電極；該薄膜電晶體之ㄧ閘極電極，其係形成於該第ㄧ絕緣層上，且包含以透明導電材料形成之ㄧ閘極下電極以及以金屬形成之ㄧ閘極上電極；ㄧ像素電極，其係形成於該第ㄧ絕緣層上，並電性連接至該薄膜電晶體，且以透明導電材料而形成；ㄧ電容上電極，其係與該像素電極設置於相同層，且以透明導電材料形成；ㄧ蝕刻阻絕層，其係形成於該第ㄧ絕緣層與該電容上電極之間，且以透明導電材料形成；該薄膜電晶體之ㄧ源極電極與ㄧ汲極電極，其係電性連接至該主動層；ㄧ第二絕緣層，其係形成於該第ㄧ絕緣層以及該源極電極與該汲極電極之間，且具有完全暴露該電容上電極之ㄧ開口；ㄧ第三絕緣層，其係形成於該第二絕緣層上且暴露該像素電極；ㄧ中介層，其係設置於該像素電極上且包含ㄧ發射層；以及ㄧ相反電極，其係設置以隔著該中介層面對該像素電極，該中介層介於該相反電極與該像素電極之間。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中ㄧ間隙係形成於該電容上電極之ㄧ側與該開口之ㄧ內壁之間。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該電容下電極係與連接至該電容下電極之ㄧ互連線位於相同層，且該互連線與連接該電容下電極至該互連線的ㄧ連接部分包含以該離子雜質摻雜之半導體材料。
    [4] 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中連接該電容下電極至該互連線的該連接部分係對應至位於該電容上電極之該側與該開口之該內壁之間的該間隙。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中該蝕刻阻絕層係至少對應至該連接部分而設置。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該閘極下電極、該像素電極、以及該電容上電極係由ㄧ第二透明導電材料所形成，且該蝕刻阻絕層係由相對於該第二透明導電材料之具有蝕刻選擇性之ㄧ第ㄧ透明導電材料所形成。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二透明導電材料係為非晶質氧化銦錫(amorphous indium tin oxide, a-ITO)，且該第ㄧ透明導電材料係為晶質氧化銦錫(crystalloid indium tin oxide, p-ITO)。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中若該中介層包含用以發射紅光之ㄧ第一發射層，則該中介層進一步包含位於該第ㄧ絕緣層與該第一發射層之間的ㄧ第一輔助層。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一輔助層包含：ㄧ第一層，其係設置於該像素電極與該第ㄧ發射層之間，且使電洞自該像素電極通過該第一層注入或傳輸至該第ㄧ發射層；以及ㄧ第二層，其係設置於該第ㄧ絕緣層與該像素電極之間，且與用於該蝕刻阻絕層以相同材料形成於相同層上。
    [10] 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示裝置，其中若該中介層包含用以發射綠光之ㄧ第二發射層，則該中介層進一步包含ㄧ第二輔助層，該第二輔助層相較於介於該第ㄧ絕緣層與該第一發射層之間的該第ㄧ輔助層之厚度具有較小厚度。
    [11] 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二輔助層包含插設於該第ㄧ絕緣層與該像素電極之間的ㄧ層，且該層係與用於該蝕刻阻絕層以相同材料形成於相同層上。
    [12] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該中介層包含用以發射藍光之ㄧ第三發射層。
    [13] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該相反電極係為將發射自該發射層之光加以反射之ㄧ反射電極。
    [14] 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中若該中介層包含用以發射紅光之ㄧ第一發射層時，該中介層係插設於該像素電極與該第ㄧ發射層之間，且更包含ㄧ輔助層而使自該像素電極注入或傳輸至該第ㄧ發射層之電洞通過該輔助層，且該像素電極係與該蝕刻阻絕層以相同之晶質氧化銦錫形成於相同層上。
    [15] 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：於ㄧ基板上形成一半導體層，且圖樣化該半導體層以形成ㄧ薄膜電晶體之ㄧ主動層與ㄧ電容下電極；形成ㄧ第一絕緣層以覆蓋該基板上之該主動層與該電容下電極，且於該第ㄧ絕緣層上沉積與圖樣化ㄧ第ㄧ透明導電材料以形成ㄧ蝕刻阻絕層；依序沉積ㄧ第二透明導電材料與ㄧ第一金屬以覆蓋位於該第ㄧ絕緣層上之該蝕刻阻絕層，且圖樣化該第二透明導電材料與該第一金屬以同時形成ㄧ像素電極圖樣、該薄膜電晶體之ㄧ閘極電極、以及ㄧ電容上電極圖樣，每ㄧ該像素電極圖樣、該閘極電極、以及該電容上電極圖樣包含依序沉積之該第二透明導電材料與該第一金屬；形成ㄧ第二絕緣層以覆蓋位於該第ㄧ絕緣層上之該像素電極圖樣、該閘極電極、以及該電容上電極圖樣，圖樣化該第ㄧ絕緣層與該第二絕緣層以形成暴露該主動層之ㄧ邊緣的一接觸孔，且圖樣化該第二絕緣層以形成完全地暴露該電容上電極圖樣與暴露該像素電極圖樣之一開口；於該第二絕緣層上沉積ㄧ第二金屬並圖樣化該第二金屬以形成電性連接至該主動層之ㄧ源極電極與ㄧ汲極電極，且移除該第一金屬以形成一像素電極與ㄧ電容上電極；以及形成覆蓋該像素電極之一第三絕緣層以及該第二絕緣層中暴露該像素電極之一開口。
    [16] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中當形成該電容下電極時，該半導體層係被圖樣化以形成連接至該電容下電極且與該電容下電極位於相同層之一互連線。
    [17] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中當形成該蝕刻阻絕層時，該第ㄧ透明導電材料係圖樣化以形成對應至該像素電極而設置且與該蝕刻阻絕層位於相同層之一輔助層。
    [18] 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包含將構成該蝕刻阻絕層之該第ㄧ透明導電材料退火以轉換該第ㄧ透明導電材料為晶質氧化銦錫。
    [19] 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該主動層之該邊緣與該互連線係以離子雜質摻雜。
    [20] 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包含在該電容上電極之一側與完全暴露該電容上電極之該開口之一內壁之間形成一間隙。
    [21] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該電容下電極係以離子雜質摻雜。
    [22] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中包含一發射層之一中介層、以及一相反電極係形成於該像素電極上。
    [23] 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該中介層包含插設於該像素電極與該發射層之間的一層，且該層使自該像素電極注入或傳輸至該發射層之電洞通過該層。
    [24] 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：於一基板上形成一半導體層且圖樣化該半導體層以形成一薄膜電晶體之一主動層與ㄧ電容下電極；形成一第一絕緣層以覆蓋該基板上之該主動層與該電容下電極，且於該第ㄧ絕緣層上沉積與圖樣化一第一透明導電材料以形成一蝕刻阻絕層與ㄧ像素電極；依序沉積一第二透明導電材料與ㄧ第一金屬以覆蓋位於該第一絕緣層上之該蝕刻阻絕層與該像素電極，並圖樣化該第二透明導電材料與該第一金屬以同時形成該薄膜電晶體之一閘極電極與ㄧ電容上電極圖樣，每ㄧ該閘極電極與該電容上電極圖樣包含依序沉積之該第二透明導電材料與該第一金屬；形成一第二絕緣層以覆蓋位於該第一絕緣層上之該閘極電極與該電容上電極圖樣，圖樣化該第一絕緣層與該第二絕緣層以形成暴露該主動層之一邊緣的一接觸孔，且圖樣化該第二絕緣層以形成完全地暴露該電容上電極圖樣之一開口；於該第二絕緣層上沉積一第二金屬，圖樣化該第二金屬以形成電性連接至該主動層之一源極電極與一汲極電極，且移除該第一金屬以形成一電容上電極；以及形成覆蓋該像素電極之一第三絕緣層以及於該第二絕緣層中暴露該像素電極之一開口。
    [25] 如申請專利範圍第24項所述之方法，更包含將構成該蝕刻阻絕層與該像素電極之該第ㄧ透明導電材料退火，以轉換該第ㄧ透明導電材料為晶質氧化銦錫。
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