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    本發明的實施例提供用於支撐基材的基材支撐邊緣環。一個實施例中，提供一種基材支撐環。該基材支撐環包含環狀主體。該環狀主體包含：外條帶，該外條帶從外環狀側壁徑向向內延伸；以及基材支撐區域，該基材支撐區域從外條帶的內側部分向內延伸，其中該環狀主體包含暴露的第一材料，且該基材支撐區域的至少一部分被一塗層覆蓋，該塗層包含有別於第一材料的第二材料。
    公开号:TW201306144A
    申请号:TW101127238
    申请日:2012-07-27
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Joseph M Ranish；Aaron Muir Hunter
    申请人:Applied Materials Inc；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    用於改良浸透效能之具塗層的基材支撐邊緣環
    本發明的實施例大體上關於用於處理基材(諸如半導體基材)的方法與設備。更特別的是，本發明的實施例提供用於在處理腔室中支撐基材的周圍邊緣的邊緣環。
    在諸如半導體基材、晶圓、與平板顯示器的生產中的平面媒介物之類的基材的處理中，於製程腔室中將基材放置在支撐結構上，且該基材穩定地受到支撐，同時在製程腔室中維持適合的處理條件。當在製程腔室中支撐基材時，該基材可在受控的加熱循環中受熱，以熱處理該基材。可例如藉由在製程腔室中配置於基材下方或上方的加熱燈陣列加熱基材。熱處理基材可用於例如退火已佈植於基材上的一層、用於在該基材上執行熱氧化或氮化製程、或用於幫助在該基材上的化學氣相沉積製程。
    大體上期望在熱處理期間維持遍及基材上的均勻溫度，以提供均勻的處理結果。然而，遍及基材上的溫度梯度中的變化可能造成基材的處理不均勻。不均勻的溫度發生在不同的基材區域，這是由於例如來自基材與支撐結構或其他腔室部件接觸的區域的不均勻對流或傳導熱損失所致，而基材不與支撐結構接觸的區域也會導致此情況。當用快速加熱速率(諸如在快速熱處理(RTP)系統中與磊晶沉積處理系統中)加熱基材時，特別難以達成遍及基材上的溫度均勻性。
    為了減少熱處理基材期間在基材中存在的溫度梯度，已利用各種基材支撐邊緣環。該邊緣環經調整尺寸以環繞基材的周圍，且該邊緣環用於減少從基材至其他腔室部件的對流及/或傳導的熱傳。已探索各種邊緣環材料與構造。然而，甚至是這樣的邊緣環都可能無法於高溫熱浸透(heat soaking)製程中提供遍及基材上的適當溫度均勻性，所述高溫熱浸透製程例如為長時段(例如約30秒或更長)溫度大於約攝氏1150度的製程。在這些高溫製程中，邊緣環與基材之間的熱差異提供基材內的溫度梯度。這些溫度梯度可能引發非期望的情況，諸如滑走(例如差排線及/或晶格結構變形)、撓曲、以及其他缺陷。
    因此，所需的是一種改良的邊緣環，此邊緣環減少熱處理期間基材內溫度梯度的形成。
    本發明的實施例大體上提供用於處理基材的設備與方法。更特別的是，本發明的實施例提供用於在處理腔室中支撐基材的基材支撐邊緣環，該基材支撐邊緣環盡量減少暴露至輻射的受支撐的基材之表面與邊緣環之表面之間的反射率的差異。
    一個實施例中，提供一種基材支撐環。該基材支撐環包含環狀主體。該環狀主體包含：外條帶，該外條帶從外環狀側壁徑向向內延伸；以及基材支撐區域，該基材支撐區域從該外條帶的內側部分向內延伸，其中該環狀主體包含暴露的第一材料，且該基材支撐區域的至少一部分被塗層覆蓋，該塗層包含有別於第一材料的第二材料。
    另一實施例提供一種基材支撐環，該基材支撐環包含環狀主體，該環狀主體包含陶瓷材料。該環狀主體進一步包含第一環狀側壁、外條帶、第二環狀側壁、以及內唇部，該外條帶從該第一環狀側壁徑向向外延伸，該第二環狀側壁耦接該外條帶，該內唇部從該第一環狀側壁徑向向內延伸，該內唇部包含基材支撐區域，其中該基材支撐區域由包含耐火材料的膜所構成。
    另一實施例提供一種基材支撐環，該基材支撐環包含環狀主體，該環狀主體包含第一材料。該環狀主體進一步包含第一環狀側壁、外條帶、第二環狀側壁、以及內唇部，該外條帶從該第一環狀側壁徑向向外延伸，該第二環狀側壁耦接該外條帶，該內唇部從該第一環狀側壁徑向向內延伸，其中該環狀主體的周圍包括塗層，該塗層包含有別於該第一材料的第二材料。
    本發明的實施例提供用於在基材上製造元件的設備與方法。更特別的是，本發明的實施例提供基材支撐邊緣環，該邊緣環用於在熱處理期間支撐基材且改良溫度均勻性。可受惠於本發明的熱製程腔室的實施例為RADLANCE®及CENTURA®熱處理系統，這兩種熱處理系統皆可購自位在美國加州Santa Clara的應用材料公司。基材支撐邊緣環的實施例也可用於購自其他製造業者的熱處理系統。
    第1圖是基材支撐邊緣環100的一個實施例的側剖面視圖，該邊緣環100用於在製程腔室(圖中未示)中於處理期間支撐基材105。在製程腔室中，該邊緣環100一般是由支撐構件101所支撐。該支撐構件101在製程腔室中可垂直及/或旋轉移動。該邊緣環100包含環狀主體102，該環狀主體102包括外條帶104與內唇部106，該外條帶104與內唇部106共同操作以於熱處理期間在支撐構件101上支撐基材105。該外條帶104包含內周邊107，該內周邊107至少部分環繞基材105的周圍103。外條帶104與內唇部106可包含實質上環狀的結構，該結構由第一環狀側壁108所連接。邊緣環100的環狀主體102進一步包含第二環狀側壁109，該第二環狀側壁109在外條帶104的外周邊111處向下延伸。
    邊緣環100的內唇部106從外條帶104的內周邊107徑向向內延伸，以形成支撐凸耳(ledge)110，以將基材105支撐於該凸耳上。內唇部106的基材支撐區域112位於外條帶104的上表面114的平面下方。介於第一環狀側壁108之間的區域形成凹部116，該凹部116將基材105固持在外條帶104的內周邊107內。該內唇部106按照基材105的尺寸而調整大小，且容許基材105熱膨脹。內唇部106經調整大小而支撐基材105的周圍。該內唇部106可在基材105之下延伸一足夠的距離，以穩定地支撐基材105，該距離例如為約0.1 cm至約0.5 cm。在第1圖所示的版本中，支撐凸耳110的內周邊118界定開放區域120，該開放區域120不支撐或覆蓋至少大約75%的基材105之表面積。一些實施例中，減少邊緣環100的第一環狀側壁108，或不包括該第一環狀側壁108，使得基材支撐區域112實質上與外條帶104的上表面共平面。此外，邊緣環100也可包含肋狀結構，該結構設以維持邊緣環100的剛性。
    邊緣環100在製程腔室(圖中未示)受到支撐，以支撐基材105並且助於將基材105暴露至來自熱源的輻射，該熱源諸如為上方燈122A及/或下方燈122B。上方燈122A設以將熱能引導至基材105的第一主要表面124A，而下方燈122B設以將熱能引導至基材105的第二主要表面124B。邊緣環100包含輻射吸收表面126，該輻射吸收表面126包括邊緣環100面對上方燈122A或下方燈122B的表面。輻射吸收表面126也包括邊緣環100受到傳導或輻射加熱的表面。該輻射吸收表面126的尺寸是根據邊緣環100的環狀主體102的規格，且在一個態樣中，輻射吸收表面126的尺寸設以減少溫度梯度，該溫度梯度是由邊緣環100與在基材105之周圍103處的基材105之間的溫度差所造成。
    邊緣環100可用於人工增加基材105之尺寸，使得可能發生在基材105的邊緣區域處的熱損失及/或溫度梯度從基材105移除並且有效地傳遞到邊緣環100。例如，從熱學視角，邊緣環100可用於延伸基材105的直徑而促進基材105中的熱均勻性並且移動可能發生的任何溫度梯度於邊緣環100的環狀主體102中。
    當上方燈122A用於加熱基材105時，輻射吸收表面126包含邊緣環100暴露至上方燈122A的一部分頂部表面。例如，輻射吸收表面126可以是外條帶104的上表面114的一部分，且可甚至包含外條帶104的整個上表面114，以及外周邊111的多個部分。輻射吸收表面126也可包含內唇部106的暴露表面部分128，該暴露表面部分128位在基材105的周圍103與外條帶104的內周邊107之間。當下方燈122B用於加熱基材105時，輻射吸收表面126可以是外條帶104的下表面130的一部分、內唇部106的下表面132、以及第一環狀側壁108與第二環狀側壁109的至少一部分。
    邊緣環100進一步包括配置在環狀主體102的一個或多個表面上的塗層134。一個實施例中，塗層134配置在邊緣環100暴露至輻射的表面的至少一部分上，該輻射是在上方燈122A用於加熱基材105時來自該上方燈122A。另一實施例(第1圖中未示)中，塗層134配置在邊緣環100暴露輻射的表面的至少一部分上，該輻射是在下方燈122B用於加熱基材105時來自該下方燈122B。該塗層134也可配置在內唇部106的表面上。
    一個態樣中，該塗層134用於使基材105的表面與邊緣環100的吸收表面126之間的輻射吸收差量(radiation absorption delta)在加熱基材105期間均等。處理期間，基材105的表面可能會以一速率吸收或反射來自燈122A、122B的輻射，該速率有別於邊緣環100的輻射吸收表面126吸收前述輻射的速率。例如，當上方燈122A用於加熱基材105時，基材105的第一主要表面124A可包含形成在該表面上的膜層，該膜層相較於邊緣環100的輻射吸收表面126的反射率而言更具反射性。因此，邊緣環100的輻射吸收表面126可比基材105吸收更多熱。基材105支撐在邊緣環100的支撐凸耳110上，該基材105可從邊緣環100傳導熱，此舉引發基材105的周邊103比基材105在周邊103內側的多個部分擁有更高的溫度。遍及這些區域的基材105之溫度的差異可能導致滑走、翹曲、或其他基材105中的不正常現象發生。
    邊緣環100的環狀主體102包含由第一材料所製的核心或基底，該第一材料諸如為燒結的碳化矽(SiC)，而塗層134包含與第一材料不同的第二材料。用於第一材料的其他材料可包括氧化的SiC(例如生長在SiC上的二氧化矽(SiO2))、塗佈有SiC的石墨、塗佈有玻璃石墨(glassy carbon)的石墨與前述材料之組合。該塗層134可以是矽膜、陶瓷膜、氧化物膜、或前述膜之組合，該塗層用於覆蓋SiC基底材料的多個部分。一個態樣中，塗層134設以盡量減少基材與邊緣環100之間的吸收差量。一個實施例中，塗層134提供一發射率，該發射率實質上接近或等於基材105暴露至來自燈122A及/或122B之輻射的表面的發射率。例如，倘若上方燈122A用於加熱基材105具有一或多個膜136配置在上面的第一主要表面124A且該膜包括第一發射率，則配置在邊緣環100暴露至來自上方燈122A的輻射的部分上的塗層134可包含一或多個具有第二發射率的膜，且該第二發射率實質上與第一發射率相等。一個範例中，基材105的第一主要表面124A可包括膜136，該膜包含矽，諸如非晶矽、單晶矽、多晶矽、與前述矽之組合。該膜136也可包含氮化物層(諸如氮化矽)、氧化物層(諸如氧化矽)、包埋氧化物層、與類似物，該膜136還可包含堆疊層，諸如介電質堆疊與絕緣體上覆矽(SOI)。配置在邊緣環100暴露至來自上方燈122A之輻射的多個部分上的塗層134可包含一或多個層，該等層包括一發射率，該發射率與膜136的發射率實質上相等。
    類似地，當下方燈122B用於加熱基材105時，基材105的第二主要表面124B可以是裸面的，或包含形成在該表面上的膜層，該第二主要表面124B具有第一發射率。配置在邊緣環100暴露至來自下方燈122B的輻射的部分上的塗層134可包含一或多個具有第二發射率的膜，且該第二發射率實質上與第一發射率相等。一個範例中，基材105的第二主要表面124B可以是裸矽。因此，配置在邊緣環100暴露至來自下方燈122B之輻射的多個部分上的塗層134可包含一或多個矽層，該等矽層提供一發射率，該發射率實質上等於基材105的第二主要表面124B的發射率。
    第2圖是可用於支撐第1圖之基材105的邊緣環200的一個實施例的側剖面視圖。邊緣環200包括配置在上方輻射吸收表面210A上的第一塗層205A與配置在下方輻射吸收表面210B上的第二塗層205B。第一塗層205A可以是含矽的膜，諸如非晶矽、單晶矽、多晶矽、以及前述矽之組合。第一塗層205A的含矽膜被選為具有與待處理之基材(圖中未示)上的材料的發射率實質上相等的發射率。第一塗層205A可覆蓋外條帶104的上表面，且可部分重疊第一環狀側壁108以及第二環狀側壁109。第二塗層205B的材料可以是含矽膜，諸如非晶矽、單晶矽、多晶矽、與前述矽的組合。第二塗層205B可實質上覆蓋邊緣環200的環狀主體102的整個底部表面。第二塗層205B的含矽膜可選為具有與待處理之基材(圖中未示)的表面的發射率實質上相等的發射率。例如，第二塗層205B的發射率可實質上等於裸矽的發射率。
    第3圖是可用於支撐第1圖之基材105的邊緣環300的另一實施例的側剖面視圖。邊緣環300包括配置在上方輻射吸收表面210A上的第一塗層205A，類似第2圖所示的邊緣環200，差異處是在外條帶104上的第一塗層205A有尖銳的終端(termination)。邊緣環300也不包括邊緣環300的環狀主體102的下方表面130、132上的塗層。此外，內唇部106包括耐火塗層305。耐火塗層305設以減少與基材105(圖中未示)的黏接及/或盡量減少基材105的刮痕。
    在快速熱製程(RTP)期間，用於退火基材105的高溫有時候引發矽黏著邊緣環300的環狀主體102或以其他方式與邊緣環300的環狀主體102黏接。基材105與邊緣環300的黏著可能發生在高溫磊晶沉積製程中。耐火塗層305是具有抗高溫性及高硬度的材料。如在此所用的耐火物是指物理與化學性質不會在超過約攝氏600度的溫度下劣化的材料。耐火塗層305可以是陶瓷材料、藍寶石、或碳材料，該碳材料諸如玻璃石墨、石墨、鑽石類的碳、玻璃碳(vitreous carbon)、前述材料之組合與前述材料之衍生物。耐火塗層305也可以是氧化物膜，諸如氧化鋁(Al2O3)、氧化鈹(BeO)、二氧化鋯(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化釷(ThO2)、氧化鈧(Sc2O3)、稀土族氧化物、前述材料之組合與前述材料之衍生物。耐火塗層305也可以由氮化物構成，所述氮化物諸如氮化鋯(ZrN)或氮化鉿(HfN)。雖然第一塗層205A可用於匹配待處理之基材的發射率，然而耐火塗層305的發射率可有別於第一塗層205A的發射率及/或待處理基材之發射率。第一塗層205A與耐火塗層305之間的發射率不匹配不會顯著影響邊緣環300的熱性質，因為耐火塗層305的主要部分被基材(圖中未示)周圍屏蔽而隔開輻射。
    第4圖是可用於支撐第1圖之基材105的邊緣環400的另一實施例的側剖面視圖。邊緣環400包括配置在上方輻射吸收表面210A上的第一塗層205A。在此實施例中，第二塗層405形成為覆於第一塗層205A上，而第三塗層410形成為覆於第二塗層405上。
    第一塗層205A可以是含矽膜，諸如非晶矽、單晶矽、多晶矽、與前述矽之組合。第二塗層405可包含氧化物膜，諸如二氧化矽(SiO2)。第三塗層410可包含含矽膜，諸如非晶矽、單晶矽、多晶矽、與前述矽之組合。一個範例中，第一塗層205A包含單晶矽，第二塗層405包含SiO2，而第三塗層410包含磊晶矽。
    一個態樣中，第一塗層205A、第二塗層405、與第三塗層410的組合構成介電膜堆疊415。該介電膜堆疊415的發射率實質上等於待處理之基材(圖中未示)上的材料的發射率。一個範例中，當介電膜堆疊415的發射率實質上等於SOI基材的發射率時，具有介電膜堆疊415的邊緣環400可用在處理SOI基材中。
    另一實施例中，介電膜堆疊415包含具有不同折射率之耐火材料的交替層。例如，第一塗層205A、第二塗層405、與第三塗層410可包含矽(Si)、氧化矽(SiO2)、碳化矽(SiC)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈹(BeO)、二氧化鋯(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化釷(ThO2)、氧化鈧(Sc2O3)、稀土族氧化物、與前述材料之組合的交替層。第一塗層205A、第二塗層405、與第三塗層410也可包含氮化物交替層，諸如氮化矽(Si3N4)、氮化鋯(ZrN)、氮化鉿(HfN)、與前述材料之組合。第一塗層205A、第二塗層405、與第三塗層410的一或多者也可包含二氧化鈦(TiO2)、五氧化鉭(Ta2O5)、與前述材料之組合。
    第5圖是可用於支撐第1圖之基材105的邊緣環500的一個實施例的側剖面視圖。邊緣環500包括第一塗層205A，該第一塗層205A實質上環繞邊緣環500的環狀主體102。此外，耐火塗層305配置在第一塗層205A上。第一塗層205A可以是含矽膜，諸如非晶矽、單晶矽、多晶矽、與前述矽之組合。耐火塗層305可以是陶瓷材料、藍寶石、或碳材料，該碳材料諸如玻璃石墨、石墨、鑽石類的碳、玻璃碳、前述材料之組合與前述材料之衍生物。耐火塗層305也可以是氧化物膜，諸如氧化鋁(Al2O3)、氧化鈹(BeO)、二氧化鋯(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化釷(ThO2)、氧化鈧(Sc2O3)、稀土族氧化物、前述材料之組合與前述材料之衍生物。耐火塗層305也可以由氮化物構成，所述氮化物諸如氮化鋯(ZrN)或氮化鉿(HfN)、前述料之組合、與前述材料之衍生物。
    塗層205A、205B、305、405、與410之每一者可由化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、電漿噴塗、熱處理溶凝膠、或其他適合的膜形成製程所形成。可考慮各種因子以根據製程需求改良或修飾邊緣環100、200、300、400、及500的吸收率。示範性的因子包括邊緣環100、200、300、400、及500暴露至輻射的面積比值與環狀主體102的熱質量、沿著徑向方向的導熱率、沿著方位角方向的導熱率、以及環狀主體102的剛性，但不以此為限。塗層205A、205B、305、405、與410之每一者可連續橫跨環狀主體102的表面，或者以不連續的圖案沉積在環狀主體102上。例如，塗層205A、205B、305、405、與410可為補綴塊(patch)圖案，以形成連續或隨機圖案，該圖案與基材的暴露表面一起形成提供在數毫米的長度尺度上具期望吸收率的區域。例如，平均區域之尺寸可為約1 mm至約10 mm(特徵長度)以供期望的吸收率匹配。此外，形成在基材支撐區域112上的耐火塗層305可配置成三個或個多個類似墊的補綴塊。可將該等類似墊的補綴塊以間隔隔開，以穩定地支撐基材。
    第6圖是適合與基材支撐環601一併使用的製程腔室600之一個實施例的簡化剖面視圖，該基材支撐環601可以是此述的邊緣環100、200、300、400、與500之一者或組合。製程腔室600可以是能夠提供受控制的熱循環的快速熱製程腔室，該受控制的熱循環加熱基材105以用於數個製程，該等製程諸如為熱退火、熱清潔、熱化學氣相沉積、熱氧化與熱氮化。製程腔室600包含包圍處理區塊603的腔室壁602。具有支撐構件101的基材支座604配置在製程腔室600中。基材支座604可以旋轉及/或垂直移動，以在處理區塊603中於處理期間支撐基材支撐環601以及基材105。基材支座604可耦接驅動系統612，以將支撐構件101垂直及/或旋轉移動。基材支座604可進一步包含反射板605，該反射板605定位在基材105下方，以反射來自熱源606朝向基材支座604的輻射。熱源606可包含一或多個光管組件607，該等光管組件607中各別具有燈，該燈將輻射引導至基材支撐環601的上表面與基材105。也可提供一或多個溫度感測器608(諸如具有光纖探針的高溫計)，以偵測處理期間基材105的溫度。
    熱源606生成加熱基材105與基材支撐環601的多個波長之輻射，諸如波長為從約0.2微米至約5微米的輻射。一個版本中，熱源606包含光管組件607的蜂巢陣列609，該蜂巢陣列609處於流體冷卻式外套中。蜂巢陣列609可包含一或多個輻射加熱區塊，該等區塊可獨立地受到調節以控制遍及基材105上的溫度。熱源606能夠快速加熱基材105以供熱處理，例如以約每秒攝氏50度至300度的速率加熱基材，且甚至至少至約每秒攝氏200度之速率。輻射可滲透的窗610(諸如石英窗)助於輻射從熱源606傳遞到基材105。製程供應與環境控制(諸如氣體供應器、排氣裝置、以及控制器)共同稱作支援系統611。所示支援系統611部件並非詳盡無遺，該等部件對於熟習此技藝者而言能夠易於明瞭。因此，為了簡潔，不進一步描述支援系統611。
    第7圖是適合與基材支撐環601一併使用的製程腔室700之另一實施例的簡化剖面視圖，該基材支撐環601可以是此述的邊緣環100、200、300、400、與500之一者或組合。製程腔室700類似於第6圖中所描述的該製程腔室600，但有一些顯著的差異。
    在此實施例中，製程腔室700包含配置在基材105下方的熱源606。熱源606配置在支撐構件101的內徑之內。支撐構件101(支撐基材支撐環601)可由磁性驅動器705垂直及/或旋轉致動，該磁性驅動器705配置在腔室壁602的至少部分外側。磁性驅動器705包含耦接驅動系統715的定子組件710。一個實施例中，驅動系統715包含耦接螺紋桿725的致動器720。螺紋桿725藉由致動器720的致動垂直移動定子組件710。當致動定子組件710時，定子組件710磁性耦合支撐構件101，而引發支撐構件101垂直移動。調節定子組件710中的電流使支撐構件101旋轉。製程腔室700也包含配置在處理區塊603中的板730。板730可以是反射體，用於反射來自熱源606的輻射。或者，板730可以是適於吸收能量的冷卻裝置，用於冷卻基材105。控制磁性驅動器705提供基材在熱源606與板730之間的準確移動控制，而可用於控制基材105的溫度。
    在此提供邊緣環100、200、300、400、與500之各實施例。邊緣環100、200、300、400、與500之每一者適合用於高溫處理，尤其是用於高溫浸透製程。本發明的實施例提供用於支撐基材且增加溫度均勻性的邊緣環。設置於邊緣環100、200、300、400、與500之外表面上的塗層提供輻射吸收表面，該輻射吸收表面實質上匹配待處理的基材的表面，以盡量減少暴露至輻射的基材表面與邊緣環表面之間的吸收差量。在一些實施例中，塗層設置在邊緣環的基材支撐表面上。該塗層盡量減少或消除高溫處理期間基材對邊緣環的黏著。
    雖然前述內容涉及本發明之實施例，然而可不背離本發明基本範疇設計其他與進一步的本發明之實施例，且本發明之範疇由隨後的申請專利範圍所決定。
    100‧‧‧基材支撐邊緣環
    101‧‧‧支撐構件
    102‧‧‧環狀主體
    103‧‧‧周邊
    104‧‧‧外條帶
    105‧‧‧基材
    106‧‧‧內唇部
    107‧‧‧內周邊
    108‧‧‧第一環狀側壁
    109‧‧‧第二環狀側壁
    110‧‧‧支撐凸耳
    111‧‧‧外周邊
    112‧‧‧基材支撐區域
    114‧‧‧上表面
    116‧‧‧凹部
    118‧‧‧內周邊
    120‧‧‧開放區域
    122A‧‧‧上方燈
    122B‧‧‧下方燈
    124A‧‧‧第一主要表面
    124B‧‧‧第二主要表面
    126‧‧‧輻射吸收表面
    128‧‧‧暴露表面部分
    130、132‧‧‧下表面
    134‧‧‧塗層
    136‧‧‧膜
    200‧‧‧邊緣環
    205A‧‧‧第一塗層
    205B‧‧‧第二塗層
    210A‧‧‧上方輻射吸收表面
    210B‧‧‧下方輻射吸收表面
    300‧‧‧邊緣環
    305‧‧‧耐火塗層
    400‧‧‧邊緣環
    405‧‧‧第二塗層
    410‧‧‧第三塗層
    415‧‧‧介電膜堆疊
    500‧‧‧邊緣環
    600‧‧‧製程腔室
    601‧‧‧基材支撐環
    602‧‧‧腔室壁
    603‧‧‧處理區塊
    604‧‧‧基材支座
    605‧‧‧反射板
    606‧‧‧熱源
    607‧‧‧光管組件
    608‧‧‧溫度感測器
    609‧‧‧蜂巢陣列
    610‧‧‧輻射可滲透窗
    611‧‧‧支援系統
    612‧‧‧驅動系統
    700‧‧‧製程腔室
    705‧‧‧磁性驅動器
    710‧‧‧定子組件
    715‧‧‧驅動系統
    720‧‧‧致動器
    725‧‧‧螺紋桿
    730‧‧‧板
    藉由參考實施例(一些實施例說明於附圖中)，可獲得於【發明內容】中簡要總結的本發明之更特定的說明，而能詳細瞭解於【發明內容】記載的本發明之特徵。然而應注意附圖僅繪示此發明的典型實施例，因而不應將該等附圖視為限制本發明之範疇，因為本發明可容許其他等效實施例。
    第1圖是基材支撐邊緣環的一個實施例的側剖面視圖。
    第2圖是邊緣環的另一實施例的側剖面視圖。
    第3圖是邊緣環的另一實施例的側剖面視圖。
    第4圖是邊緣環的另一實施例的側剖面視圖。
    第5圖是邊緣環的一個實施例的側剖面視圖。
    第6圖是適合與在此所述的邊緣環之實施例一併使用的製程腔室的一個實施例的簡化剖面視圖。
    第7圖是適合與在此所述的邊緣環之實施例一併使用的製程腔室的另一實施例的簡化剖面視圖。
    為了助於瞭解，如可能則使用相同的元件符號標注共通於該等圖式的相同元件。應考量在一個實施例中所揭露的元件可有利地用於其他實施例，而無需特別記載。
    100‧‧‧基材支撐邊緣環
    101‧‧‧支撐構件
    102‧‧‧環狀主體
    103‧‧‧周邊
    104‧‧‧外條帶
    105‧‧‧基材
    106‧‧‧內唇部
    107‧‧‧內周邊
    108‧‧‧第一環狀側壁
    109‧‧‧第二環狀側壁
    110‧‧‧支撐凸耳
    111‧‧‧外周邊
    112‧‧‧基材支撐區域
    114‧‧‧上表面
    116‧‧‧凹部
    118‧‧‧內周邊
    120‧‧‧開放區域
    122A‧‧‧上方燈
    122B‧‧‧下方燈
    124A‧‧‧第一主要表面
    124B‧‧‧第二主要表面
    126‧‧‧輻射吸收表面
    128‧‧‧暴露表面部分
    130、132‧‧‧下表面
    134‧‧‧塗層
    136‧‧‧膜
    权利要求:
    Claims (25)
    [1] 一種基材支撐環，包含：一環狀主體，包含：一外條帶(band)，該外條帶從一外環狀側壁徑向向內延伸；以及一基材支撐區域，該基材支撐區域從該外條帶的一內側部分向內延伸，其中該環狀主體包含暴露的一第一材料，且該基材支撐區域的至少一部分被一塗層覆蓋，該塗層包含有別於該第一材料的一第二材料。
    [2] 如請求項1所述之環，其中該第一材料包含碳化矽。
    [3] 如請求項2所述之環，其中該第二材料包含一耐火材料。
    [4] 如請求項3所述之環，其中該耐火材料選自由一陶瓷材料、藍寶石、以及一碳材料所構成的群組。
    [5] 如請求項3所述之環，其中該耐火材料選自由一氧化物膜、一氮化物膜、與前述膜之組合所構成之群組。
    [6] 如請求項5所述之環，其中該耐火材料選自由氧化鋁(Al2O3)、氧化鈹(BeO)、二氧化鋯(ZrO2)、氧化鉿(HfO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化釷(ThO2)、氧化鈧(Sc2O3)、稀土族氧化物、氮化鋯(ZrN)、氮化鉿(HfN)、與前述材料之組合所構成之群組。
    [7] 如請求項1所述之環，其中該外條帶包含一矽膜。
    [8] 如請求項7所述之環，其中該矽膜包含選自由非晶矽、單晶矽、與多晶矽所構成的群組的一膜。
    [9] 如請求項7所述之環，其中該矽膜包含一第一矽層、一氧化物層、以及配置在該氧化物層上的一第二矽層。
    [10] 一種基材支撐環，包含：一環狀主體，該環狀主體包含一陶瓷材料，該環狀主體包含：一第一環狀側壁；一外條帶，該外條帶從該第一環狀側壁徑向向外延伸；一第二環狀側壁，該第二環狀側壁耦接該外條帶；以及一內唇部，該內唇部從該第一環狀側壁徑向向內延伸，該內唇部包含一基材支撐區域，其中該基材支撐區域由包含一耐火材料的一膜所構成。
    [11] 如請求項10所述之環，其中該耐火材料選自由一陶瓷材料、藍寶石、以及一碳材料所構成的群組。
    [12] 如請求項11所述之環，其中該耐火材料選自由氧化鋁(Al2O3)、氧化鈹(BeO)、二氧化鋯(ZrO2)、氧化釔(Y2O3)、與前述材料之組合所構成之群組。
    [13] 如請求項11所述之環，其中該耐火材料包含莫氏硬度表(Mohs scale)上7或更大的一硬度。
    [14] 如請求項10所述之環，其中該矽膜包含選自由非晶矽、單晶矽、與多晶矽所構成的群組的一膜。
    [15] 如請求項10所述之環，其中該矽膜包含一第一矽層、一氧化物層、以及配置在該氧化物層上的一第二矽層。
    [16] 如請求項10所述之環，其中該環狀主體包括一下表面，該下表面具有配置在該下表面上的一膜。
    [17] 一種基材支撐環，包含：一環狀主體，該環狀主體包含一第一材料，該環狀主體包含：一第一環狀側壁；一外條帶，從該第一環狀側壁徑向向外延伸；一第二環狀側壁，耦接該外條帶；以及一內唇部，該內唇部從該第一環狀側壁徑向向內延伸，其中該環狀主體的一周圍包括一塗層，該塗層包含有別於該第一材料的一第二材料。
    [18] 如請求項17所述之環，該第一材料包含碳化矽且該第二材料包含一矽膜。
    [19] 如請求項18所述之環，其中該矽膜包含選自由非晶矽、單晶矽、與多晶矽所構成的群組的一膜。
    [20] 如請求項19所述之環，其中該矽膜包含一第一矽層、一氧化物層、以及配置在該氧化物層上的一第二矽層。
    [21] 如請求項17所述之環，其中該塗層包含一介電膜堆疊，該介電膜堆疊包含耐火材料的交替層。
    [22] 如請求項17所述之環，其中該塗層在橫越該環狀主體上是連續的。
    [23] 如請求項17所述之環，其中該內唇部包含一基材支撐區域，且該基材支撐區域包括配置成覆於該塗層上的一膜。
    [24] 如請求項23所述之環，其中該塗層在橫越該基材支撐區域上是連續的。
    [25] 如請求項23所述之環，其中該膜選自由一陶瓷材料、藍寶石、與一碳材料所構成之群組。
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