台湾专利TW201306123A 隔板及具有其之基板處理設備

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专利摘要:
本發明提供一種基板處理設備，其包括：一電漿產生部件，其經組態以產生電漿；一殼體，其安置於該電漿產生部件之下方，且其內具有一空間；一基座，其安置於該殼體內且支撐一基板；及一隔板，其包括將自該電漿產生部件供應之該電漿注入至該基板之注入孔。該隔板包括一基底，該基底中形成該等注入孔，且該基底之一中心部分厚於其一邊緣。
公开号:TW201306123A
申请号:TW101125573
申请日:2012-07-16
公开日:2013-02-01
发明作者:Seung-Kook Yang；Jung-Hyun Kang
申请人:Psk Inc；
IPC主号:H01L21-00

专利说明:
隔板及具有其之基板處理設備
本文揭示之本發明係關於一種基板處理設備，且更特定言之，係關於一種包括隔板之基板處理設備。
在半導體製造步驟中，使用光阻劑作為遮罩以用於在基板上形成微小的電路圖案或在其中植入離子。此後，經由灰化步驟將光阻劑自基板移除。
此灰化步驟使用電漿以移除光阻劑。可在灰化步驟中使用高密度電漿以增大灰化速率。高密度電漿可在高溫下加熱隔板。當在高溫下持續加熱隔板時，熱應力可在隔板內發生。特定言之，電漿直接供應至的隔板之中心部分在其頂部表面與其底部表面上具有不同之溫度，進而拉伸應力於頂部表面發生，且壓縮應力於底部表面發生。因此，隔板之中心部分可能以中凸形狀彎曲，朝向電漿源突出。隔板之此變形可能引起步驟缺陷，且因變形而引起之斷裂可能產生粒子。
本發明提供一種抵抗熱變形之隔板。
本發明亦提供一種在基板處理步驟期間最小化粒子的產生之隔板。
本發明亦提供一種均勻地處理基板之基板處理設備。
本發明之實施例提供基板處理設備，其包括：一電漿產生部件，其經組態以產生電漿；一殼體，其安置於該電漿產生部件之下方，且其內具有一空間；一基座，其安置於該殼體之內且支撐基板；及一隔板，其包含將自電漿產生部件供應之電漿注入至基板之注入孔，其中該隔板包含一基底，該基底中形成注入孔，且該基底之中心部分厚於其邊緣。
在一些實施例中，該基板處理設備可進一步包括密封該殼體之開放頂部的密封蓋，且包括藉以自電漿產生部件引入電漿之一引入口，其中基底之中心部分面向該引入口。
在其他實施例中，基底之厚度可自其中心部分至其邊緣逐漸減小。
在其他實施例中，基底可具有向上突出之曲形頂部表面及平坦底部表面。
在其他實施例中，基底可具有向上突出之曲形頂部表面及向下突出之曲形底部表面。
在其他實施例中，注入孔可包括：複數個第一注入孔，其安置於基底之中心部分中；及複數個第二注入孔，其安置於基底之邊緣中，且具有大於該等第一注入孔之半徑的半徑。
在其他實施例中，該等第二注入孔之間的距離可大於該等第一注入孔之間的距離。
在其他實施例中，該隔板可進一步包括一耦接部件，該耦接部件具有環形形狀且自基底之頂部表面的邊緣向上突出，且該耦接部件之上端可高於基底之頂部表面的中心部分。
在其他實施例中，該隔板可進一步包括一肋狀部件，該肋狀部件自耦接部件之上端朝向基底之中心部分突出，且與基底之頂部表面間隔開。
在其他實施例中，肋狀部件之底部表面與耦接部件之內部表面之間的連接區域，及耦接部件之內部表面與基底之頂部表面之間的連接區域可經圓整。
在其他實施例中，排氣孔可安置於基底之邊緣與耦接部件之間的連接區域中，且為自耦接部件之內部表面向下且傾斜地延伸至其外部表面之貫通孔。
在其他實施例中，該排氣孔可提供為複數個，且該等排氣孔可沿耦接部件彼此間隔開，且具有狹槽形狀。
在本發明之其他實施例中，隔板包括：複數個注入孔，其經組態以注入電漿；及一基底，其中形成注入孔，其中該基底之中心部分厚於其邊緣。
在一些實施例中，該基底可具有向上突出之曲形頂部表面，及平坦底部表面。
在其他實施例中，該基底可具有向上突出之曲形頂部表面，及向下突出之曲形底部表面。
在其他實施例中，隔板可進一步包括一耦接部件，該耦接部件具有環形形狀且自基底之頂部表面的邊緣向上突出，且其中該耦接部件之上端高於基底之頂部表面的中心部分。
在其他實施例中，該隔板可進一步包括一肋狀部件，該肋狀部件自耦接部件之上端朝向基底之中心部分突出，且與基底之頂部表面間隔開。
在其他實施例中，該隔板可進一步包括排氣孔，該等排氣孔安置於基底之邊緣與耦接部件之間的連接區域中、沿耦接部件彼此間隔開且為自耦接部件之內部表面向下且傾斜地延伸至其外部表面之貫通孔。
包括隨附圖式以提供對本發明之進一步理解，且隨附圖式併入本說明書中且構成本說明書之一部分。圖式說明本發明之例示性實施例，且與描述一起用以闡釋本發明之原理。
下文將參看隨附圖式更詳細地描述本發明之較佳實施例。將排除關於熟知功能或組態之詳細描述，以避免不必要地混淆本發明之主題。
圖1為說明根據本發明之一實施例的基板處理設備1000之圖。
參看圖1，基板處理設備1000包括處理部件100、排氣部件200及電漿產生部件300。舉例而言，處理部件100可對基板執行灰化步驟。排氣部件200排放停留於處理部件100內之處理氣體及在基板處理步驟期間產生之反應副產物。電漿產生部件300產生用於處理基板W之電漿，且將該電漿供應至處理部件100。
處理部件100包括殼體110、基板支撐構件120、密封蓋130及隔板140。
殼體110中包括空間111。灰化步驟在空間111中執行。殼體110可包括開放頂壁及在其側壁中之開口。經由側壁之開口，基板得以放入殼體110且自殼體110取出。該開口可藉由諸如門之打開/關閉構件(未展示)而打開或關閉。排氣孔112安置於殼體110之底部。排氣孔112連接至排氣部件200，且充當一通道，經由該通道將停留於殼體110內之氣體及在灰化步驟期間產生之反應副產物排放至外部。
基板支撐構件120安置於殼體110內，且支撐基板W。基板支撐構件120包括基座121及支撐軸桿122。基座121具有圓板形狀，且基板W置放於其頂部表面上。一電極單元(未展示)可安置於基座121之內。該電極單元連接至一外部電源，且將功率施加至該電極單元以產生將基板W固定至基座121之靜電。加熱線圈(未展示)與冷卻線圈(未展示)可安置於基座121之內。該加熱線圈將基板W加熱至預設溫度。基板W可在灰化步驟中經加熱至約200℃。基座121可由鋁或陶瓷形成以促進加熱器轉移至基板W。在加熱後，基板W藉由冷卻線圈迅速冷卻。在步驟執行後，基板W冷卻至室溫或適用於後續步驟之溫度。支撐軸桿122具有圓柱形狀，且安置於基座121之下方以支撐基座121。
密封蓋130安置於殼體110之上部部分，且將殼體110之開放頂壁密封。電漿產生部件300耦接至密封蓋130之上端。密封蓋130包括引入口131及引導空間132。引入口131安置於密封蓋130之上端，且充當一通道，經由該通道引入自電漿產生部件300產生之電漿。引導空間132安置於引入口131之下方，且具有一通道，經由該通道將自引入口131引入之電漿供應至隔板140。引導空間132可具有倒置漏斗形狀。電漿經由引導空間132散佈。
隔板140安置於密封蓋130與基座121之間，且過濾經由引導空間132供應之電漿。電漿包括自由基及離子。自由基具有不完整鍵接，且為電中性的。自由基具有非常高之反應性，且實質上經由與基板W上之材料的化學交互作用而處理基板W。離子帶電，因此根據電位差於某一方向上加速。經加速之離子藉由與基板W上之材料的物理碰撞而處理基板W。因此，在灰化步驟中，離子不僅可與光阻劑層而且可與基板圖案碰撞。因此，基板圖案可能受損。此外，離子之碰撞可能改變基板圖案之電荷量，其影響後續步驟。因而，當離子直接供應至基板W時，離子影響對基板W之處理。為解決歸因於離子之此等局限性，隔板140接地。因此，電漿之自由基移動至基板W，且防止離子移動至基板W。
圖2為說明圖1之隔板的平面圖。圖3為沿圖2之線A-A'截取之橫截面圖。
參看圖1至圖3，隔板140包括基底141、耦接部件145及肋狀部件148。基底141具有薄圓板形狀。基底141之中心部分厚於其邊緣。亦即，基底141之厚度自其中心部分至其邊緣逐漸減小。基底141之中心部分安置於引入口131之下方以與其對應。基底141包括曲形頂部表面141a。頂部表面141a之中心部分可向上突出。頂部表面141a之高度自其邊緣至其中心部分逐漸增大。頂部表面141a相對於基底141之中心點對稱。基底141包括與頂部表面141a不同之平坦底部表面141b。因此，頂部表面141a具有大於底部表面141b之面積的面積。基底141根據其部分而藉由電漿不均勻地加熱。因為頂部表面141a面向引導空間132，故頂部表面141a得以加熱至高於底部表面141b之溫度的溫度。因為基底141之中心部分正好位於引入口131之下，故相較於其邊緣，較大量之電漿供應至基底141之中心部分。因此，基底141之中心部分得以加熱至高於其邊緣之溫度的溫度。因而，因為頂部表面141a之中心部分得以加熱至高於其其他部分之溫度的溫度，故頂部表面141a之中心部分歸因於熱應力而易於變形。然而，因為基底141之中心部分厚於其邊緣，故中心部分歸因於熱應力之變形可減少。特定而言，儘管頂部表面141a與底部表面141b之間的溫度差在基底141之中心部分中大於在其邊緣中，但是因為中心部分厚於邊緣，故在中心部分中之每單位厚度的溫度差小於在邊緣中之每單位厚度的溫度差。此外，因為頂部表面141a之高度自其中心部分至其邊緣逐漸減小，故歸因於溫度差之熱應力自其中心部分至其邊緣逐漸變化。此外，因為頂部表面141a為中凸表面，故其面積大於平坦表面之面積，且因此，自電漿轉移之熱更廣泛地分散。因此，於基底141中產生之熱應力得以分散以減少其熱變形。
基底141具備注入孔142。注入孔142為自頂部表面141a延伸至底部表面141b之貫通孔。注入孔142充當自由基遷移之路徑。注入孔142遍佈於基底141上而安置。注入孔142可分類為第一注入孔142a與第二注入孔142b。第一注入孔142a安置於基底141之中心部分中，且第二注入孔142b安置於基底141之邊緣中。第二注入孔142b可具有大於第一注入孔142a之半徑的半徑。該等第二注入孔142b之間的距離可大於該等第一注入孔142a之間的距離。第一注入孔142a可具有大於第二注入孔142b之通道長度的通道長度。
耦接部件145安置於基底141之頂部表面141a上。耦接部件145自基底141之邊緣向上突出。耦接部件145具有環形形狀。耦接部件145之上端高於頂部表面141a之中心部分。耦接部件145具備耦接孔146。螺栓(未展示)插入於耦接孔146中。螺栓將耦接部件145耦接至密封蓋130。耦接部件145之頂部表面接觸密封蓋130之底部表面。耦接部件145將電漿產生部件300與基底141間隔開。若基底141直接接觸密封蓋130，則電漿產生部件300與向上突出之頂部表面141a之間的距離減小，且因此，頂部表面141a對作為熱源之電漿產生部件300的敏感度增加。因此，基底141可易受熱變形。基底141藉由耦接部件145與電漿產生部件300隔開某一距離，而非直接將基底141耦接至密封蓋130，進而減小基底141對熱之敏感度。
肋狀部件148安置於耦接部件145之上端處。肋狀部件148自耦接部件145朝向基底141之中心部分突出。肋狀部件148在平行於基底141之底部表面的方向上突出。在平面圖中，肋狀部件148與基底141之邊緣的一部分重疊。注入孔142未安置於基底141之與肋狀部件148重疊之部分中。肋狀部件148之底部表面與基底141之頂部表面141a間隔開。肋狀部件148之底部表面連接至耦接部件145之內部表面，且其間之連接區域經圓整。基底141之頂部表面連接至耦接部件145之內部表面，且其間之連接區域經圓整。空間149安置於基底141與肋狀部件148之間，且電漿之渦流係於空間149中產生。參看圖4A，沿基底141之頂部表面141a流動至其邊緣之電漿P沿耦接部件145之內部表面及肋狀部件148之底部表面旋轉。此時，包括於電漿P中之粒子落至基底141之無注入孔142的部分。在如圖4B所說明之相關技術中，將肋狀部件148自隔板140移除，沿頂部表面141a流動之電漿P在基底141與密封蓋130之間的空間中產生渦流。沿耦接部件145之內部表面與密封蓋130及密封蓋130之底部表面產生之渦流大於圖4A之渦流，且該渦流位於注入孔142之上方。因此，包括於電漿P中之粒子與電漿P之下降流一起下落，且可經由注入孔142到達基板W。然而，在當前實施例中，電漿P之渦流於作為單獨空間之空間149內產生，且注入孔142未安置於空間149之下方，進而保護基板W不受渦流之粒子影響。此外，因為基底141之頂部表面與耦接部件145之內部表面之間的連接區域及肋狀部件148之底部表面與耦接部件145之內部表面之間的連接區域係經圓整，故渦流可在肋狀部件148與基底141之間有效地產生於空間149內。
肋狀部件148於其一端具有圓形表面。若肋狀部件148之直接暴露於電漿之末端為有角度的，則包括於電漿中之離子可聚集於肋狀部件148之該末端以形成電弧。所產生之電弧可能損壞肋狀部件148，且產生粒子。然而，在當前實施例中，肋狀部件148在其末端具有圓形表面，進而最小化電弧之產生。
再參看圖1，電漿產生部件300安置於密封蓋130之上方。電漿產生部件300產生電漿，且將電漿供應至密封蓋130之引入口131。電漿產生部件300包括電漿源部分310、氣體供應管320、磁控管330及波導管340。
電漿源部分310耦接至密封蓋130。自氣體供應管320供應之反應氣體及自磁控管330供應之微波於電漿源部分310內產生電漿。將於電漿源部分310內產生之電漿供應至密封蓋130之引入口131。氣體供應管320將氣體儲存部件(未展示)連接至電漿源部分310，且將儲存於氣體儲存部件中之反應氣體供應至電漿源部分310。磁控管330安裝在電漿源部分310上，且產生用於產生電漿之微波。波導管340將磁控管330連接至電漿源部分310，且將自磁控管330產生之微波引導至電漿源部分310。
圖5A為說明將電漿P供應至圖1之基板處理設備1000內的隔板140之狀態的橫截面圖。
參看圖5A，將引入引入口131中之電漿P供應至基底141。因為引入口131安置於基底141之中心部分的上方，故大部分電漿P得以供應至基底141之中心部分。所供應之電漿P沿頂部表面141a自基底141之中心部分移動至其邊緣。因為頂部表面141a之中心部分具有中凸形狀，故電漿P沿頂部表面141a有效地移動。因為基底141之頂部表面141a具有流線形狀，故可減少電漿P撞擊基底141之反彈。因此，可最小化在基底141與密封蓋130之間的電漿P之渦流的發生。因為電漿P沿頂部表面141a自基底141之中心部分移動至其邊緣，故電漿P可均勻地供應至基底141之整個頂部。所供應之電漿P可經由注入孔142均勻地供應至基板。
圖5B為說明在相關技術中將電漿供應至具有平坦頂部表面之隔板之狀態的橫截面圖。
參看圖5B，與圖5A不同，基底141之頂部表面141a與電漿P之下降流實質上垂直。因此，電漿P撞擊頂部表面141a之反彈增大，且電漿P之反彈部分中的大部分於基底141之中心部分上方形成渦流。該等渦流防止電漿P移動至基底141之邊緣。因此，通過安置於基底141之邊緣中之第二注入孔142b的電漿P部分的流動速率不同於通過安置於基底141之中心部分中之第一注入孔142a的電漿P部分之流動速率，進而電漿P不均勻地供應至基板。
圖6為說明根據本發明之一實施例的隔板之橫截面圖。參看圖6，基底141之中心部分厚於其邊緣。基底141包括在其頂部表面上之中心部分141a，且中心部分141a向上凸起。中心部分141a具有可實質上對應於密封蓋130之引入口131(參看圖1)之曲形表面。基底141包括在其頂部表面上之邊緣部分141b，且邊緣部分141b具有平坦表面。經由引入口131引入之電漿沿基底141之頂部表面自中心部分141a移動至邊緣部分141b。
圖7為說明根據本發明之一實施例的隔板之橫截面圖。參看圖7，基底141之中心部分厚於其邊緣。基底141之厚度自其中心部分至其邊緣逐漸減小。基底141包括向上凸起之頂部表面141a。基底141包括向下凸起之底部表面141b。頂部表面141a及底部表面141b可具有流線形狀。供應至基底141之電漿沿頂部表面141a自基底141之中心部分移動至其邊緣。
圖8為說明根據本發明之一實施例的隔板之部分的透視圖。圖9為說明經由圖8之隔板供應電漿之狀態的橫截面圖。參看圖8至9，排氣孔151安置於基底141與耦接部件145之間的連接區域中。排氣孔151為自耦接部件145之內部表面傾斜且向下延伸至其外部表面之貫通孔。排氣孔151可自基底141之中心部分向其邊緣以基底141之頂部表面141a之傾斜方向傾斜。排氣孔151之傾斜角度可與頂部表面141a之傾斜角度相差某一角度。由頂部表面141a與耦接部件145之內部表面界定之隔板140的內部空間藉由排氣孔151連接至形成於隔板140下方的空間。排氣孔151沿連接區域之圓周彼此間隔開，且其中之每一者具有某一長度之狹槽形狀。排氣孔151充當通道，包括於供應至隔板140之電漿中的粒子經由該通道排放至隔板140之下部外側。供應至隔板140之電漿沿頂部表面141a向下且傾斜地移動至基底141之邊緣，且在基底141之邊緣上方形成渦流。渦流使部分電漿返回至基底141之中心部分的上側。當渦流形成時，另一部分電漿及其中包括之粒子經由排氣孔151排放至隔板140之下部外側。因此，包括於電漿之返回部分中的粒子之量減少。因為隔板140之下部外側為基座121之外側，故經由排氣孔151排放之粒子落至殼體110之內部表面與基座121之外部表面之間的空間，因此防止粒子直接落至基板W。儘管未展示，但圖3之肋狀部件148可安置於耦接部件145之上端處。
儘管在以上實施例中例示使用電漿之灰化步驟，但本發明不限於此，因此可例示使用電漿之各種步驟，諸如蝕刻步驟及沈積步驟。
根據實施例，因為在隔板內之熱應力為分散的，故隔板之熱變形得以防止。
此外，可最小化歸因於隔板之變形之粒子的產生。
此外，因為在最大程度上防止了在基板處理步驟期間產生之粒子移動至基板，故可防止歸因於粒子之對基板的污染。
此外，因為電漿均勻地供應至隔板之中心及邊緣部分，故可均勻地處理基板。
以上揭示之標的應視為說明性而非約束性的，且隨附申請專利範圍意欲涵蓋屬於本發明之真實精神及範疇內的所有此類修改、增強及其他實施例。因此，在法律允許之最大程度內，本發明之範疇將由以下申請專利範圍及其等效物之最廣泛容許解釋來判定，且不應受以上詳細描述約束或限制。
W‧‧‧基板
A-A'‧‧‧線
P‧‧‧電漿
100‧‧‧處理部件
110‧‧‧殼體
111‧‧‧空間
112‧‧‧排氣孔
120‧‧‧基板支撐構件
121‧‧‧基座
122‧‧‧支撐軸桿
130‧‧‧密封蓋
131‧‧‧引入口
132‧‧‧引導空間
140‧‧‧隔板
141‧‧‧基底
141a‧‧‧頂部表面
141b‧‧‧底部表面
142‧‧‧注入孔
142a‧‧‧第一注入孔
142b‧‧‧第二注入孔
145‧‧‧耦接部件
146‧‧‧耦接孔
148‧‧‧肋狀部件
149‧‧‧空間
151‧‧‧排氣孔
200‧‧‧排氣部件
300‧‧‧電漿產生部件
310‧‧‧電漿源部分
320‧‧‧氣體供應管
330‧‧‧磁控管
340‧‧‧波導管
1000‧‧‧基板處理設備
圖1為說明根據本發明之一實施例的基板處理設備之圖。
圖2為說明圖1之隔板的平面圖。
圖3為沿圖2之線A-A'截取之橫截面圖。
圖4A為說明當提供肋狀部件時產生之渦流的橫截面圖。
圖4B為說明當移除肋狀部件時產生之渦流的橫截面圖。
圖5A為說明將電漿供應至圖1之基板處理設備內的隔板之狀態的橫截面圖。
圖5B為說明在相關技術中將電漿供應至具有平坦頂部表面之隔板之狀態的橫截面圖。
圖6為說明根據本發明之另一實施例的隔板之橫截面圖。
圖7為說明根據本發明之另一實施例的隔板之橫截面圖。
圖8為說明根據本發明之另一實施例的隔板之部分的透視圖。
圖9為說明經由圖8之隔板供應電漿之狀態的橫截面圖。
100‧‧‧處理部件
110‧‧‧殼體
111‧‧‧空間
112‧‧‧排氣孔
120‧‧‧基板支撐構件
121‧‧‧基座
122‧‧‧支撐軸桿
130‧‧‧密封蓋
131‧‧‧引入口
132‧‧‧引導空間
140‧‧‧隔板
141‧‧‧基底
145‧‧‧耦接部件
200‧‧‧排氣部件
300‧‧‧電漿產生部件
310‧‧‧電漿源部分
320‧‧‧氣體供應管
330‧‧‧磁控管
340‧‧‧波導管
1000‧‧‧基板處理設備

权利要求:
Claims (18)
[1] 一種基板處理設備，其包含：一電漿產生部件，其經組態以產生電漿；一殼體，其安置於該電漿產生部件之下方，且其內具有一空間；一基座，其安置於該殼體內且支撐一基板；及一隔板，其包含將自該電漿產生部件供應之該電漿注入至該基板之注入孔，其中該隔板包含一基底，其上形成該等注入孔，且該基底之一中心部分厚於其一邊緣。
[2] 如申請專利範圍第1項之基板處理設備，其進一步包含一密封蓋，該密封蓋密封該殼體之一開放頂部，且包含一引入口，電漿係經由該引入口而自該電漿產生部件引入，其中該基底之該中心部分面向該引入口。
[3] 如申請專利範圍第1項之基板處理設備，其中該基底之厚度自其該中心部分至其該邊緣逐漸減小。
[4] 如申請專利範圍第1項之基板處理設備，其中該基底具有向上突出之一曲形頂部表面及一平坦底部表面。
[5] 如申請專利範圍第1項之基板處理設備，其中該基底具有向上突出之一曲形頂部表面及向下突出之一曲形底部表面。
[6] 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理設備，其中該等注入孔包含：複數個第一注入孔，其安置於該基底之該中心部分中；及複數個第二注入孔，其安置於該基底之該邊緣中，且具有大於該等第一注入孔之半徑的半徑。
[7] 如申請專利範圍第6項之基板處理設備，其中該等第二注入孔之間的一距離大於該等第一注入孔之間的一距離。
[8] 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理設備，其中該隔板進一步包含一耦接部件，該耦接部件具有一環形形狀且自該基底之該頂部表面的一邊緣向上突出，且該耦接部件之一上端高於該基底之該頂部表面之一中心部分。
[9] 如申請專利範圍第8項之基板處理設備，其中該隔板進一步包含一肋狀部件，該肋狀部件自該耦接部件之該上端朝向該基底之該中心部分突出，且與該基底之該頂部表面間隔開。
[10] 如申請專利範圍第9項之基板處理設備，其中該肋狀部件之一底部表面與該耦接部件之一內部表面之間的一連接區域及該耦接部件之該內部表面與該基底之該頂部表面之間的一連接區域係經圓整。
[11] 如申請專利範圍第8項之基板處理設備，其中一排氣孔安置於該基底之該邊緣與該耦接部件之間的一連接區域中，且為自該耦接部件之一內部表面向下且傾斜地延伸至其一外部表面之一貫通孔。
[12] 如申請專利範圍第9項之基板處理設備，其中該排氣孔係提供為複數個，且該等排氣孔沿該耦接部件彼此間隔開，且具有狹槽形狀。
[13] 一種隔板，其包含：複數個注入孔，其經組態以注入電漿；及一基底，其上形成該等注入孔，其中該基底之一中心部分厚於其一邊緣。
[14] 如申請專利範圍第13項之隔板，其中該基底具有向上突出之一曲形頂部表面，及一平坦底部表面。
[15] 如申請專利範圍第13項之隔板，其中該基底具有向上突出之一曲形頂部表面，及向下突出之一曲形底部表面。
[16] 如申請專利範圍第13至15項中任一項之隔板，其進一步包含一耦接部件，該耦接部件具有一環形形狀且自該基底之該頂部表面的一邊緣向上突出，且其中該耦接部件之一上端高於該基底之該頂部表面的一中心部分。
[17] 如申請專利範圍第16項之隔板，其進一步包含一肋狀部件，該肋狀部件自該耦接部件之該上端朝向該基底之該中心部分突出，且與該基底之該頂部表面間隔開。
[18] 如申請專利範圍第16項之隔板，其進一步包含排氣孔，該等排氣孔安置於該基底之該邊緣與該耦接部件之間的一連接區域中、沿該耦接部件彼此間隔開，且為自該耦接部件之一內部表面向下且傾斜地延伸至其一外部表面之貫通孔。

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