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    根據本實施形態，半導體基板之超臨界乾燥方法包括如下步驟：將半導體基板於表面經醇潤濕之狀態下導入腔室內；向上述腔室內供給二氧化碳之超臨界流體；將上述半導體基板上之上述化學液置換為上述超臨界流體；及自上述腔室排出上述超臨界流體及上述醇，而降低上述腔室內之壓力。進而，於降低上述腔室內之壓力後，向上述腔室內供給氧氣或臭氧氣體，進行烘烤處理。
    公开号:TW201306105A
    申请号:TW101108924
    申请日:2012-03-15
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Li-Nan Ji；Hidekazu Hayashi；Hiroshi Tomita；Hisashi Okuchi；Yohei Sato；Takayuki Toshima；Mitsuaki Iwashita；Kazuyuki Mitsuoka；Gen You；Hiroki Ohno；Takehiko Orii
    申请人:Toshiba Kk；Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    半導體基板之超臨界乾燥方法及超臨界乾燥裝置
    本發明之實施形態係關於一種半導體基板之超臨界乾燥方法及裝置。
    於半導體裝置之製造步驟中，包括微影步驟、蝕刻步驟、離子植入步驟等各種步驟。於各步驟結束後且於移至下一步驟前，實施有用於除去殘留於晶圓表面之雜質或殘渣而淨化晶圓表面之清洗步驟及乾燥步驟。
    例如，於蝕刻步驟後之晶圓之清洗處理中，向晶圓之表面供給用於清洗處理之化學液，其後供給純水而進行沖洗處理。於沖洗處理後，進行除去殘留於晶圓表面之純水而使晶圓乾燥之乾燥處理。
    作為進行乾燥處理之方法，已知有例如將晶圓上之純水置換為異丙醇(IPA，Isopropyl Alcohol)而使晶圓乾燥者。然而，於該乾燥處理時，存在因液體之表面張力而使形成於晶圓上之圖案發生坍塌之問題。
    為解決上述問題，提出有表面張力成為零之超臨界乾燥。例如，於腔室內，使表面經IPA潤濕之晶圓成為浸漬於超臨界狀態之二氧化碳(超臨界CO2流體)中之狀態，藉此晶圓上之IPA溶解於超臨界CO2流體。繼而，緩緩地自腔室排出溶解有IPA之超臨界CO2流體。其後，將腔室內降壓/降溫，使超臨界CO2流體相變為氣體(gas)後排出至腔室外，藉此使晶圓乾燥。
    然而，於降低腔室內之壓力而使二氧化碳自超臨界狀態相變為氣體(gas)時，存在以下問題：藉由以溶解於超臨界CO2流體之狀態殘留於腔室內之IPA凝聚再吸附於晶圓上而產生乾燥痕等，因上述乾燥痕等導致微粒附著於晶圓上。
    根據本實施形態，半導體基板之超臨界乾燥方法包括如下步驟：將半導體基板於表面經醇潤濕之狀態下導入腔室內；於上述腔室內使上述半導體基板浸漬於二氧化碳之超臨界流體中，將上述半導體基板上之上述醇置換為上述超臨界流體；及自上述腔室排出上述超臨界流體及上述醇，而降低上述腔室內之壓力。進而，於降低上述腔室內之壓力後，向上述腔室內供給氧氣或臭氧氣體，進行烘烤處理。
    以下，基於圖式說明本發明之實施形態。
    首先，對超臨界乾燥進行說明。圖1係表示壓力、溫度及物質之相狀態之關係之狀態圖。超臨界乾燥中所使用之超臨界流體之功能物質有被稱為三態之氣相(氣體)、液相(液體)、固相(固體)之3種存在狀態。
    如圖1所示，上述3種相係以表示氣相與液相之邊界之蒸氣壓曲線(氣相平衡線)、表示氣相與固相之邊界之昇華曲線、表示固相與液相之邊界之溶解曲線進行劃分。該等3種相重合之處為三相點。若蒸氣壓曲線自該三相點向高溫側延伸，則到達作為氣相與液相共存之極限之臨界點。於該臨界點處，氣相與液相之密度變為相同，氣液共存狀態之界面消失。
    繼而，於較臨界點更高溫、高壓之狀態下，氣相、液相之區別消失，物質成為超臨界流體。所謂超臨界流體係指於臨界溫度以上被壓縮為高密度之流體。超臨界流體於溶劑分子之擴散力占支配地位之方面與氣體類似。另一方面，超臨界流體於不可忽視分子之凝聚力之影響之方面與液體類似，因此具有溶解各種物質之性質。
    又，超臨界流體與液體相比具有非常高之浸潤性，具有對微細之構造亦容易地浸透之特徵。
    又，超臨界流體係藉由以自超臨界狀態直接轉變為氣相之方式進行乾燥，而使得氣體與液體之界面不存在，即，使毛細管力(表面張力)不發揮作用，從而可不破壞微細構造地進行乾燥。所謂超臨界乾燥係指利用此種超臨界流體之超臨界狀態而乾燥基板。
    作為該超臨界乾燥中所使用之超臨界流體，可選擇例如二氧化碳、乙醇、甲醇、丙醇、丁醇、甲烷、乙烷、丙烷、水、氨、乙烯、氟代甲烷等。
    尤其是二氧化碳之臨界溫度為31.1℃、臨界壓力為7.37 MPa之相對低溫、低壓，因此可容易地進行處理。本實施形態中之超臨界乾燥處理係使用二氧化碳。
    圖2中表示本發明之實施形態之超臨界乾燥系統之概略構成。超臨界乾燥系統包括儲氣瓶201、冷凝器202、203、升壓泵204、加熱器205、閥門206、207、氣液分離器208、及腔室210。
    儲氣瓶201係蓄積液體狀態之二氧化碳。升壓泵204係自儲氣瓶201吸出二氧化碳並升壓後排出。自儲氣瓶201吸出之二氧化碳係經由配管231供給至冷凝器202，於冷卻後，經由配管232供給至升壓泵204。
    升壓泵204係將二氧化碳升壓並排出。例如，升壓泵204將二氧化碳升壓至臨界壓力以上。自升壓泵204排出之二氧化碳係經由配管233供給至加熱器205。加熱器205係將二氧化碳升溫(加熱)至臨界溫度以上。
    自加熱器205排出之二氧化碳係經由配管234供給至腔室210。於配管234設置有閥門206。閥門206係調整二氧化碳向腔室210之供給量。
    再者，於配管231~234分別設置有除去微粒之過濾器221~224。
    腔室210為由SUS所形成、確保特定之耐壓性且可密閉之高壓容器。又，腔室210具有載物台211及加熱器212。載物台211為保持被處理基板W之環狀平板。加熱器212可調整腔室210內之溫度。加熱器212亦可設置於腔室210之外周部。
    腔室210內之氣體或超臨界流體係經由配管235排出。於配管235設置有閥門207。藉由閥門207之開度，可調整腔室210內之壓力。於較配管235之閥門207更下游側，超臨界流體變為氣體。
    氣液分離器208係分離氣體與液體。例如，於自腔室210排出溶解有醇之超臨界狀態之二氧化碳之情形時，氣液分離器208分離液體之醇與氣體之二氧化碳。分離出之醇可進行再利用。
    自氣液分離器208排出之氣體狀態之二氧化碳係經由配管236供給至冷凝器203。冷凝器203將二氧化碳冷卻為液體狀態，並經由配管237向冷凝器202排出。自冷凝器203排出之二氧化碳亦供給至升壓泵204。藉由設為上述構成，可循環使用二氧化碳。
    又，如圖2所示，超臨界乾燥系統中設置有連結於腔室210並向腔室210內供給氧氣之配管241、及自腔室210內排出氧氣等之配管243。又，於配管241、243分別設置有可開閉之閥門242、244。再者，於圖2中省略了蓄積氧氣之儲氣瓶、向腔室210輸送氧之泵及控制加熱器212之控制部等之圖示。
    為於腔室210內進行烘烤處理，而向腔室210供給氧氣。藉由烘烤處理，可使腔室210內之有機物燃燒(氧化)而除去。於本實施形態中，對向腔室210供給氧氣之情形進行說明，但亦可使用臭氧氣體等其他氧化性氣體。於供給氧氣或臭氧氣體之配管241亦可具備使氧氣或臭氧氣體活化之UV燈(Ultraviolet Lamp，紫外線燈)。
    圖3中表示說明本實施形態之半導體基板之清洗及乾燥方法之流程圖。
    (步驟S101)將處理對象之半導體基板搬入未圖示之清洗腔室內。繼而，向半導體基板之表面供給化學液，而進行清洗處理。化學液可使用例如硫酸、氫氟酸、鹽酸、過氧化氫等。
    此處，清洗處理包含如將抗蝕劑自半導體基板剝離之處理、除去微粒或金屬雜質之處理、及蝕刻除去形成於基板上之膜之處理等。
    (步驟S102)向半導體基板之表面供給純水，進行利用純水沖去殘留於半導體基板之表面之化學液的沖洗處理。
    (步驟S103)向半導體基板之表面供給醇，進行將殘留於半導體基板之表面之純水置換為醇之醇沖洗處理。醇係使用溶解於(易置換為)純水及超臨界二氧化碳流體之兩方者。於本實施形態中係使用異丙醇(IPA)進行說明。
    (步驟S104)於表面經IPA潤濕之狀態下直接將半導體基板以不進行自然乾燥之方式自清洗腔室搬出，導入圖2所示之超臨界乾燥系統之腔室210內，並固定於載物台211上。固定半導體基板後，將腔室210密閉。
    (步驟S105)利用升壓泵204及加熱器205將儲氣瓶201內之二氧化碳氣體升壓、升溫，並經由配管234供給至腔室210內。閥門207、242及244係關閉，閥門206係打開。
    若腔室210內之壓力、溫度成為二氧化碳之臨界壓力、臨界溫度以上，則腔室210內之二氧化碳成為超臨界流體(超臨界狀態)。又，於與腔室210連接之配管234中較閥門206更下游側(閥門206與腔室210之間之配管234內)，二氧化碳亦成為超臨界流體。再者，此時，使用加熱器212將腔室210內之溫度T設為75℃以上且未達IPA之臨界溫度(235.6℃)。藉由將腔室210內之溫度T設為上述溫度範圍而進行超臨界乾燥，但於實踐上較理想為以晶圓表面附近之溫度成為該溫度範圍之方式進行調整。再者，關於將溫度T設定為上述溫度之理由將於其後說明。
    圖4係表示關於二氧化碳及IPA之各者之壓力、溫度及相狀態之關係的狀態圖。於圖4中，實線對應於二氧化碳，虛線對應於IPA。本步驟中之腔室210內之二氧化碳之變化相當於圖4中之箭頭A1。
    (步驟S106)使半導體基板浸漬於超臨界CO2流體中特定時間，例如20分鐘左右。藉此，半導體基板上之IPA溶解於超臨界CO2流體，而自半導體基板除去IPA。換言之，半導體基板上之IPA置換為超臨界CO2流體。
    此時，一面經由配管234向腔室210內供給超臨界CO2流體，一面打開閥門207，使溶解有IPA之超臨界CO2流體經由配管235自腔室210內緩緩排出。
    又，以使腔室210內之溫度T維持步驟S105中之設定溫度之方式控制加熱器212。
    (步驟S107)打開閥門207進行排氣，而降低腔室210內之壓力(參照圖4之箭頭A2)。以使排氣降壓時之腔室210內之溫度維持步驟S105中之設定溫度之方式控制加熱器212。如圖4之箭頭A2所示，藉由降低腔室210內之壓力，而使腔室210內之二氧化碳自超臨界狀態變為氣體狀態，IPA自液體狀態變為氣體狀態。
    再者，降壓時之腔室210內之溫度T只要為75℃以上且未達IPA之臨界溫度(235.6℃)，則亦可稍稍變動。於腔室210內之溫度T為上述溫度範圍內進行超臨界乾燥，但於實行上以晶圓表面附近之溫度成為該溫度範圍之方式調整二氧化碳超臨界乾燥溫度。
    於步驟S105~S107中，藉由將腔室210內之溫度T升高為75℃以上，而使溶入超臨界CO2流體中之溶劑(IPA)之團簇變少，於步驟S107中之排氣降壓時，可減少溶劑凝聚而降落至半導體基板之微粒。又，即便溶劑凝聚，亦可於降落至半導體基板之前使其氣化。
    另一方面，若將溫度T設為IPA之臨界溫度以上，則IPA成為超臨界狀態，產生自IPA分解之產物，而使形成於半導體基板上之含有鎢、鈦或氮化鈦之金屬膜受到蝕刻。於步驟S105~S107中，藉由將溫度T設為未達IPA之臨界溫度，可抑制金屬膜之蝕刻，防止半導體元件之電氣特性劣化。
    (步驟S108)若腔室210內之壓力未達1 MPa(例如大氣壓=0.1 MPa)，則關閉閥門206、207，並打開閥門242、244，向腔室210內供給氧氣。繼而，使用加熱器212使腔室內之溫度升溫，進行烘烤處理。
    作為超臨界流體而使用之二氧化碳中包含有機物成分(油分)，該有機物成分會吸附於半導體基板上。本步驟中之烘烤處理係使該有機物成分燃燒而除去。因此，藉由該烘烤處理，可減少半導體基板上之源自有機物成分之微粒。
    又，藉由該烘烤處理，亦可使附著於腔室210之內壁等之有機物成分燃燒而除去。已燃燒之有機物成分係經由配管243自腔室210排出。
    於本步驟中，使腔室210內之溫度升溫至何種程度，根據燃燒之有機物成分(使用之二氧化碳中所含有之有機物成分)不同而有所差異。於以下之表1中表示市售之二氧化碳中可能含有之有機物成分之一例及其熱分解溫度或沸點。

    因此，較佳為於進行超臨界乾燥處理之前，檢測圖2所示之超臨界乾燥系統中所使用之儲氣瓶201中所包含之二氧化碳之有機物成分，並於步驟S108中，基於檢測結果升溫至有機物成分燃燒(氣化)之溫度，即熱分解溫度或沸點以上。
    (步驟S109)烘烤處理後，將半導體基板搬送至冷卻腔室(未圖示)進行冷卻。
    將未進行步驟S108之烘烤處理之情形及進行有烘烤處理之情形之實驗結果示於圖5(a)、(b)。該實驗中將溫度T設為150℃，且二氧化碳係使用4N等級品。又，用於實驗之半導體基板之尺寸為300 mm。
    圖5(a)係表示未進行烘烤處理之情形時之超臨界乾燥處理後之半導體基板的表面，尺寸40 nm以上之微粒數為4252個。
    另一方面，圖5(b)係表示於腔室210內之排氣降壓後供給氧，以295℃進行5分鐘烘烤處理之情形時之超臨界乾燥處理後之半導體基板的表面，尺寸40 nm以上之微粒數為1825個。可知，藉由進行烘烤處理，可抑制源自二氧化碳中之有機物成分之微粒的產生，而減少微粒數。
    又，對於省略上述實施形態中之步驟S108之烘烤處理，並將步驟S105~S107中之溫度T設為40℃之情形、設為75℃之情形、設為97℃之情形，分別計測乾燥處理後之半導體基板上之尺寸為40 nm以上之微粒數。再者，於步驟S105中將腔室210內之壓力(二氧化碳之分壓)升壓至8 MPa(臨界壓力以上)，將半導體基板之尺寸設為300 mm。
    其結果，關於半導體基板上之微粒數，於溫度T為40℃之情形時為60000個以上之溢位(微粒測定器設定值以上)，於75℃之情形時為35639個，於97℃之情形時為9279個。半導體基板上之微粒數較少為宜。於溫度40℃下，多個微粒附著於半導體基板上，而無法測定。因此，溫度T較佳為75℃以上，更佳設為97℃以上。
    如上所述，根據本實施形態，藉由將半導體基板上之IPA置換為超臨界CO2流體，並將排氣降壓(步驟S105~S107)時之腔室210內之溫度設為75℃以上且未達IPA之臨界溫度(235.6℃)，而可減少產生於半導體基板上之源自置換溶劑(本實施形態中為IPA)之微粒。又，於半導體基板之乾燥處理中，可抑制含有鎢、鈦或氮化鈦之金屬膜受到蝕刻，而防止半導體元件之電氣特性之劣化。
    進而，於腔室210內之排氣降壓後，向腔室210內供給氧等氧化性氣體，並將腔室210內升溫進行烘烤處理，使有機物成分燃燒，藉此可減少源自二氧化碳中所含有之有機物成分之微粒。
    於上述實施形態中係於腔室210內進行步驟S108之烘烤處理，但亦可於另一腔室內進行烘烤處理。於該情形時，於另一腔室設置有供給氧氣或臭氧氣體之機構或加熱器。此時，亦可於供給氧氣或臭氧氣體之配管設置具備用於使氧氣或臭氧氣體活化之UV燈之機構。
    於上述實施形態中對使用IPA進行醇沖洗處理之例進行了說明，但亦可使用乙醇、甲醇、氟代醇等。於該情形時，使步驟S105中所設定之腔室210內之溫度T成為未達所使用之醇之臨界溫度。
    於上述實施形態中對烘烤處理後將半導體基板搬送至與腔室210不同之冷卻腔室之例進行了說明，但亦可於腔室210設置冷卻機構，於腔室210內進行半導體基板之冷卻。
    於上述實施形態中對循環使用二氧化碳之超臨界乾燥系統進行了說明，但超臨界乾燥系統之構成並不限定於此，亦可為不循環使用二氧化碳之構成。
    再者，本發明並不限定於上述實施形態本身，於實施階段中可於不脫離其主旨之範圍內對構成要素進行變形而具體化。又，藉由上述實施形態所揭示之複數個構成要素之適當組合，可形成各種發明。例如，亦可自實施形態所表示之所有構成要素中刪除若干構成要素。進而，亦可適當組合不同實施形態之構成要素。
    201‧‧‧儲氣瓶
    202‧‧‧冷凝器
    203‧‧‧冷凝器
    204‧‧‧升壓泵
    205‧‧‧加熱器
    206‧‧‧閥門
    207‧‧‧閥門
    208‧‧‧氣液分離器
    210‧‧‧腔室
    211‧‧‧載物台
    212‧‧‧加熱器
    221、222、223、224‧‧‧過濾器
    231‧‧‧配管
    232‧‧‧配管
    233‧‧‧配管
    234‧‧‧配管
    235‧‧‧配管
    236‧‧‧配管
    237‧‧‧配管
    241‧‧‧配管
    242‧‧‧閥門
    243‧‧‧配管
    244‧‧‧閥門
    W‧‧‧被處理基板
    圖1係表示壓力、溫度及物質之相狀態之關係之狀態圖。
    圖2係本發明之實施形態之超臨界乾燥系統之概略構成圖。
    圖3係說明上述實施形態之超臨界乾燥方法之流程圖。
    圖4係二氧化碳及IPA之狀態圖。
    圖5(a)、(b)係表示進行烘烤處理之情形及不進行烘烤處理之情形之超臨界乾燥處理後之半導體基板之表面的圖。
    权利要求:
    Claims (12)
    [1] 一種半導體基板之超臨界乾燥方法，其係將半導體基板於表面經醇潤濕之狀態下導入腔室內；於上述腔室內使上述半導體基板浸漬於二氧化碳之超臨界流體中，將上述半導體基板上之上述醇置換為上述超臨界流體；自上述腔室排出上述超臨界流體及上述醇，而降低上述腔室內之壓力；及於降低上述腔室內之壓力後，向上述腔室內供給氧氣或臭氧氣體，進行烘烤處理。
    [2] 如請求項1之半導體基板之超臨界乾燥方法，其中於進行上述烘烤處理時，將上述腔室內升溫至上述二氧化碳中所含有之有機物成分之熱分解溫度或沸點以上。
    [3] 如請求項1之半導體基板之超臨界乾燥方法，其係使用化學液清洗上述半導體基板；於上述半導體基板之清洗後，使用純水沖洗上述半導體基板；及於使用上述純水沖洗上述半導體基板之後、且於將上述半導體基板導入上述腔室內之前，使用上述醇沖洗上述半導體基板。
    [4] 如請求項1之半導體基板之超臨界乾燥方法，其中於上述半導體基板形成有金屬膜；於將上述半導體基板上之上述化學液置換為上述超臨界流體之期間、及降低上述腔室內之壓力之期間，將上述腔室內之溫度維持於75℃以上且未達上述醇之臨界溫度。
    [5] 如請求項4之半導體基板之超臨界乾燥方法，其中於將上述半導體基板上之上述化學液置換為上述超臨界流體之期間、及降低上述腔室內之壓力之期間，將上述腔室內之溫度維持為97℃。
    [6] 如請求項4之半導體基板之超臨界乾燥方法，其中上述金屬膜含有鎢、鈦或氮化鈦。
    [7] 如請求項1之半導體基板之超臨界乾燥方法，其中於將上述腔室內之壓力降低至大氣壓之狀態下，向上述腔室內供給氧氣或臭氧氣體。
    [8] 如請求項1之半導體基板之超臨界乾燥方法，其中上述醇為異丙醇。
    [9] 一種超臨界乾燥裝置，其包括：腔室，其收容半導體基板且可密閉；加熱器，其加熱上述腔室之內部；第1配管，其向上述腔室供給二氧化碳；第2配管，其自上述腔室排出二氧化碳；第3配管，其向上述腔室供給氧氣或臭氧氣體；及控制部，其以上述腔室之內部成為上述二氧化碳中所含有之有機物成分之熱分解溫度或沸點以上之方式控制上述加熱器。
    [10] 如請求項9之超臨界乾燥裝置，其進而包括設置於上述第3配管之UV燈。
    [11] 如請求項9之超臨界乾燥裝置，其進而包括自上述腔室排出上述氧氣或臭氧氣體之第4配管。
    [12] 如請求項9之超臨界乾燥裝置，其中上述腔室係由SUS形成。
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    CN108140546A|2015-10-04|2018-06-08|应用材料公司|用于高纵横比特征的干燥工艺|JPH02255534A|1989-03-28|1990-10-16|Nec Corp|Production of bi-containing superconducting thin film|
    US5417768A|1993-12-14|1995-05-23|Autoclave Engineers, Inc.|Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide|
    US6960242B2|2002-10-02|2005-11-01|The Boc Group, Inc.|CO2 recovery process for supercritical extraction|
    JP2004152925A|2002-10-30|2004-05-27|Sony Corp|洗浄方法|
    US20040231707A1|2003-05-20|2004-11-25|Paul Schilling|Decontamination of supercritical wafer processing equipment|
    DE102004029077B4|2003-06-26|2010-07-22|Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon|Vorrichtung und Verfahren zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat|
    KR100505693B1|2003-06-26|2005-08-03|삼성전자주식회사|미세 전자 소자 기판으로부터 포토레지스트 또는 유기물을세정하는 방법|
    JP2005138063A|2003-11-10|2005-06-02|Mitsubishi Materials Corp|超臨界二酸化炭素とオゾンによる洗浄方法|
    JP2007149866A|2005-11-25|2007-06-14|Elpida Memory Inc|半導体シリコン基板の製造方法およびその製造装置|
    JP4933789B2|2006-02-13|2012-05-16|東京エレクトロン株式会社|基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体|
    KR100837325B1|2006-05-24|2008-06-11|삼성전자주식회사|초임계 유체를 이용한 식각, 세정 및 건조 방법들 및 이를위한 챔버 시스템|
    JP4645548B2|2006-07-26|2011-03-09|株式会社Ｓｕｍｃｏ|シリコンウェーハ表面の有機物除去方法|
    US7838425B2|2008-06-16|2010-11-23|Kabushiki Kaisha Toshiba|Method of treating surface of semiconductor substrate|
    JP2010074140A|2008-08-22|2010-04-02|Toshiba Corp|基板処理装置および基板処理方法|
    JP5359286B2|2009-01-07|2013-12-04|東京エレクトロン株式会社|超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法|
    KR101044408B1|2009-05-27|2011-06-27|세메스 주식회사|기판 처리 방법|
    JP5293459B2|2009-07-01|2013-09-18|東京エレクトロン株式会社|基板処理装置|
    JP2011249454A|2010-05-25|2011-12-08|Toshiba Corp|超臨界乾燥方法|
    JP2012049446A|2010-08-30|2012-03-08|Toshiba Corp|超臨界乾燥方法及び超臨界乾燥システム|
    JP5620234B2|2010-11-15|2014-11-05|株式会社東芝|半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置|KR101874901B1|2011-12-07|2018-07-06|삼성전자주식회사|기판 건조 장치 및 방법|
    TWI689004B|2012-11-26|2020-03-21|美商應用材料股份有限公司|用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理|
    KR102155216B1|2013-12-31|2020-09-11|세메스 주식회사|탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법|
    JP5607269B1|2014-01-17|2014-10-15|株式会社東芝|基板処理方法及び装置|
    KR20160026302A|2014-08-29|2016-03-09|삼성전자주식회사|기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치와 기판 처리 방법 및 집적회로 소자 제조 방법|
    US9527118B2|2014-11-10|2016-12-27|Semes Co., Ltd.|System and method for treating a substrate|
    KR101661178B1|2014-11-18|2016-10-04|주식회사 테라세미콘|기판 프로세싱 장치|
    CN107644822B|2016-07-21|2020-12-15|弘塑科技股份有限公司|半导体干燥设备和半导体干燥用处理液体循环与过滤方法|
    US10872760B2|2016-07-26|2020-12-22|Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.|Cluster tool and manufacuturing method of semiconductor structure using the same|
    KR20180013337A|2016-07-29|2018-02-07|세메스 주식회사|기판 처리 장치 및 방법|
    JP6876417B2|2016-12-02|2021-05-26|東京エレクトロン株式会社|基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システム|
    KR20190110679A|2018-03-21|2019-10-01|삼성전자주식회사|기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법|
    JP2019201201A|2018-05-15|2019-11-21|東京エレクトロン株式会社|基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置|
    JP2020017613A|2018-07-25|2020-01-30|株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス|基板処理方法および基板処理装置|
    KR102262113B1|2018-12-18|2021-06-11|세메스 주식회사|기판 처리 장치 및 방법|
    KR102287457B1|2019-07-10|2021-08-10|엘지전자 주식회사|유기용액 건조 장치|
    KR102292034B1|2019-11-26|2021-08-23|세메스 주식회사|기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 처리 방법|
    CN112856981A|2021-01-13|2021-05-28|东莞理工学院|一种用于mems器件圆片的自动干燥设备|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011158296A|JP5843277B2|2011-07-19|2011-07-19|半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置|
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