专利摘要:
本發明首先係有關於一種將由有機起始材料構成的層沉積於基板(11)之方法,其中,用載氣流將氣膠懸浮粒子形式之該有機起始材料送入蒸發器(1),該等懸浮粒子在該蒸發器內與由溫控裝置加熱之傳熱面(15)接觸並在經過一段亦與該傳熱面(15)之溫度有關的平均停留時間後蒸發,以該載氣為輸出氣流將由此產生的蒸氣自該蒸發器(1)送入處理室(10),該蒸氣在該處理室內於該基板(11)表面發生冷凝並形成該層。為了減小氣膠蒸發所產生之蒸氣的時間性波動率,本發明提出如下解決方案:改變該傳熱面(15)之溫度以響應所產生蒸氣在該輸出氣流內隨時間之質量流量變化(c)。本發明另亦有關於一種用於蒸發由載氣流輸送之有機懸浮粒子的裝置及一種用於沉積OLED之裝置。
公开号:TW201305366A
申请号:TW101120867
申请日:2012-06-11
公开日:2013-02-01
发明作者:Michael Long;Markus Gersdorff
申请人:Aixtron Se;
IPC主号:C23C16-00
专利说明:
用以沉積OLED的方法與裝置,特別是具有此用途的蒸發裝置
本發明係有關於一種將由有機起始材料構成的層沉積於基板之方法,其中,以載氣流為輸入氣流將懸浮粒子形式之該有機起始材料送入蒸發器,該等懸浮粒子在該蒸發器內與經加熱之傳熱面接觸並在經過一段與該傳熱面之溫度有關的平均停留時間後蒸發,以該載氣為輸出氣流將由此產生的蒸氣自該蒸發器送入處理室,該蒸氣在該處理室內於基板表面發生冷凝並形成該層。
本發明另亦有關於一種用於蒸發由載氣流輸送之有機懸浮粒子的裝置,其形式為一容器,具有用於輸入氣流的進氣口、用於輸出氣流的出氣口及設於內部之傳熱面,其中,該傳熱面可被加熱能流加熱至某一溫度,在此溫度下,經該進氣口被送入該容器之該等懸浮粒子與該傳熱面接觸並蒸發成有機蒸氣,該蒸氣經該出氣口離開該容器。
本發明另亦有關於一種用於以上述之蒸發器沉積OLED的裝置。
同類型方法及同類型裝置請參閱US 7,238,389 B2。其中用氣膠發生器產生氣膠。該氣膠由被送入載氣流的粉末構成。載氣流將懸浮粒子形式之氣膠粒子自氣膠發生器送往蒸發器。該蒸發器由固態泡沫構成,將該固態泡沫加熱至蒸發溫度。懸浮粒子與固態泡沫的孔壁發生表面接觸後得到蒸發熱。蒸發率與傳熱面溫度有關。若在飽和區以下實施此製程,則每單位時間被送往蒸發器之有機起始材料質量等於該蒸發器每單位時間所釋放的蒸氣質量。特定區域內若溫度不同,則未蒸發之有機起始材料在蒸發器內的平均停留時間亦不同。用載氣將由此產生的蒸氣送入設有基板的處理室。用該有機起始材料為該基板進行塗佈。在最簡單情況下,該基板僅需保持相應之較低溫度,從而使蒸氣沉積於基板表面形成冷凝物。
用特別由鎢、錸、鉭、鈮、鉬或碳或鍍層材料構成之固態泡沫蒸發有機起始材料的方法另請參閱US 2009/0039175 A1。
US 6,037,241描述一種具有可用電加熱之空心圓柱形固態泡沫的固態蒸發器。
DE 10 2006 026 576 A1描述一種固態蒸發器,其中用超音波激勵器以形成粉末渦流之方式產生氣膠。
US 7,501,152,B2描述一種用於將粉末狀起始材料送至一噴嘴的裝置,藉該噴嘴可將該粉末狀起始材料送入載氣流。
DE 88 08 098 U1描述一種用電子束熔化固體以產生蒸氣的方法。其中設有調節迴路,可利用感測器調節蒸氣產生率。為此需使用多個電子束以在不同位置上加熱表面。
US 2002/0192375 A1描述一種下游設有蒸發室之氣膠發生器。將氣膠噴入蒸發室,使其在該處蒸發。體積較大的滴狀物可在經加熱之壁部蒸發。
US 2010/0173067 A1描述一種藉由在起泡器內蒸發液體以產生處理氣體之CVD反應器。以控制蒸發溫度之方式調節質量流量。
以控制蒸發溫度之方式來調節已蒸發材料之質量流率的蒸發器另請參閱EP 0 982 411 A2及WO 2010/060646 A1。
用刷輪產生氣膠亦屬公知技術。刷輪毛刷自壓縮粉餅上移除材料,該材料以懸浮粒子形式由載氣流輸送。
另有以噴霧器形式將液體送入載氣之習知裝置。
先前技術所提供的氣膠發生器皆有固態或液態懸浮粒子質量流量隨時間發生變化之特性。
本發明之目的在於提供若干措施以減小氣膠蒸發所產生之蒸氣的時間性波動率。
如申請專利範圍所述之本發明為可達成該目的之解決方案。
本發明首先提出如下主要方案:迅速改變傳熱面溫度以響應輸出氣流內質量流量隨時間所發生之波動。藉由改變供能可將傳熱面可控加熱至不同溫度。以此溫度控制作為對所產生蒸氣在輸出氣流內隨時間之質量流量變化的反應。輸入氣流內懸浮粒子隨時間所發生的質量流量波動會導致輸出氣流內質量流量隨時間波動,藉上述方法可對此波動進行補償。不僅如此,該方法亦能使蒸發器內之蒸發率波動得到補償。蒸發率取決於蒸發器內之熱力學與動力學條件。傳熱面之表面溫度在此乃是一個重要參數。所產生蒸氣之分壓與固體分壓(Festkörperpartialdruck)的比例主要取決於該表面溫度。另一個能影響蒸發率的重要參數為自由表面大小。自由表面大小不但與傳熱面不隨時間發生變化的總面積有關,亦與未蒸發有機材料在傳熱面上之覆蓋率有關。此覆蓋率隨時間波動。本發明之方法在飽和條件下實施,亦即,蒸發器所產生之蒸氣在輸出氣流中的分壓低於已蒸發有機材料之飽和蒸氣壓力。由輸入氣流送入蒸發器的平均粒子數會隨時間發生變化,從而導致輸出氣流內質量流量發生時間性波動。除此之外,粒度亦會產生影響。經進氣口進入蒸發器的懸浮粒子與傳熱面發生表面接觸並吸收熱量。其在蒸發室內停留一段時間直至完全蒸發。傳熱面之表面溫度愈高,則未蒸發有機材料在蒸發器內的停留時間愈短。位於蒸發器內之未蒸發有機材料形成某種緩衝質量。降低傳熱面溫度可改變蒸發率,增加緩衝質量。由於蒸發過程長時追求穩定狀態,即每單位時間進入蒸發器之質量流量等於每單位時間離開蒸發器之質量流量的狀態,因而當溫度下降時,該緩衝質量或緩衝體積會出現中期增大,進而使得自由表面大小亦會增大。溫度下降及其所引起之平均停留時間延長短時內會使得離開蒸發器之已蒸發有機起始材料的質量流量變小。而若提高傳熱面溫度,則蒸發率會上升,未蒸發有機起始材料在蒸發器內的平均停留時間會縮短。上述之緩衝質量或緩衝體積會減小。自由表面亦會因此而變小,從而長時達到進入蒸發器之有機材料質量流量等於離開蒸發器之質量流量的穩定狀態。然而,提高溫度在短時間內會提高離開蒸發器之已蒸發有機起始材料的質量流量。因此,藉由改變傳熱面溫度會改變有機起始材料在輸出流中的蒸氣壓力,升溫時該蒸氣壓力升高,降溫時下降。本發明的方法以迅速改變傳熱面溫度之方式對質量流量隨時間而發生的波動進行補償。該平均停留時間為秒級。會使有效蒸發率受到明顯影響的傳熱面溫度變化率則為十分之一秒級,較佳為百分之一秒級,尤佳為毫秒級。舉例而言,傳熱面溫度每變化一度,蒸發率便會變化5%。本發明用調節迴路特別是PID調節器來改變傳熱面溫度。為此需使用能測定有機起始材料在輸出氣流內之蒸氣分壓的感測器。作為替代方案,亦可使用能測定有機起始材料在輸出氣流內之蒸氣質量流量的感測器。該感測器之感測器信號所提供的值將被作為調節變量傳輸給該調節迴路。該調節迴路的操縱變量則為用以改變傳熱面溫度之加熱能流。該調節迴路之響應時間主要取決於發熱面與時間相關的溫度變化率。傳熱面之溫度變化率至少為5℃/s。加熱過程中亦能達到至少為10℃/s的更高溫度變化率。適當選擇形狀甚至可達到在4 ms內能令溫度上升或下降一度之溫度變化率。傳熱面溫度在一介於300℃與400℃間之平均值基礎上變化±10℃即已足夠。該傳熱面較佳由一固態泡沫之孔隙構成。如前所述,此固態泡沫為一如前文所引用之相關公開案中所描述的開孔固態泡沫。
本發明之裝置具有設於輸出氣流中的感測器,該感測器能測定有機起始材料蒸氣在蒸氣管道內的分壓或質量流量。以此方式測得之與蒸氣壓力相關的感測器信號作為調節變量被傳輸給PID調節器。該PID調節器為用於為傳熱面調溫的加熱能流提供操縱變量。此傳熱面較佳由容器壁構成,其中構成該蒸發器之容器具有進氣口及出氣口。該進氣口下游可設置氣體分佈器,該氣體分佈器例如包含一或多個折流面,以便使進入容器的氣流形成渦流,從而使得由該氣流所輸送的固態或液態懸浮粒子與容器壁發生接觸。該傳熱面較佳由一開孔固態泡沫之孔壁構成。懸浮粒子之粒度通常約為100 μm。孔隙寬度通常約為1 mm。該固態泡沫的孔隙體積可占其總體積95%以上。該容器較佳呈空心圓柱形,其壁部由一圓柱形固態泡沫構成。此固態泡沫可由陶瓷材料構成。但較佳由導電材料如石墨或前述金屬鎢、錸、鉭、鈮、鉬中的一種構成。可在由石墨或陶瓷構成的固態泡沫上塗佈上述金屬或其碳化物。該空心圓柱形固態泡沫較佳為薄壁且與可調溫之容器護套導熱連接。例如可將該容器護套冷卻以達到散熱之目的。導電固態泡沫具有兩可為該固態泡沫通電的電極。改變電流可改變輸送給固態泡沫之加熱功率。該固態泡沫溫度比其周圍護套溫度高至少50℃即已足夠。
藉由向該固態泡沫所構成之蒸發元件輸送相應大小的電流,可短時提高傳熱面溫度。以散熱方式實現該蒸發元件之短時降溫。其中,透過與較低溫度之護套進行導熱接觸以實現散熱。然而懸浮粒子吸收蒸發熱以及為進入該容器的冷載氣加熱,亦能起到散熱效果。
根據本發明之改良方案,藉由在上游設置合適之閥門,使該載氣流以脈衝方式穿過該氣膠發生器。脈衝頻率在此明顯高於倒易停留時間。典型脈率為10至20赫茲。因此,脈衝長度明顯短於約一秒量級之平均停留時間。
根據本發明之改良方案,該蒸發器內設有用於測量該傳熱面之平均溫度的溫度感測器。該較佳第二感測器與一調節迴路配合作用。該調節迴路較佳為一第二PID調節器,其調節變量為溫度即該第二感測器之感測器信號,其操縱變量對氣膠產生率有影響。因此,該第二調節迴路可改變氣膠產生率以響應傳熱面之溫度變化。
該第一調節迴路短時內對所產生蒸氣的質量流量變化產生反應,藉此短時改變輸送給蒸發器的加熱功率,與之相比,該第二調節迴路對傳熱面之平均溫度變化反應遲鈍。傳熱面平均溫度長時上升或下降乃是為蒸發器提供懸浮粒子即未蒸發起始材料時供應不足或供應過量所引起。因此,該第二調節迴路作用在於傳熱面平均溫度上升時提高氣膠產生率,傳熱面平均溫度下降時降低氣膠產生率。由此,該第一調節迴路將控制傳熱面溫度僅在規定之溫度範圍內變化。該溫度感測器用於測量傳熱面平均溫度。調節變量為溫度信號。若將質量流量作為操縱變量,則一定程度上可將散熱量用作操縱變量。特別是當氣體溫度明顯低於傳熱面溫度時。
下文將參照附圖對本發明之實施例進行說明。
圖1所示為一塗佈裝置,用於為例如由玻璃構成的基板11塗佈薄的有機發光層以產生所謂之OLED。關於層結構及所用有機起始材料請參閱前文所引用的文獻,尤其是US 7,238,389 B2,該案所揭露的相關內容全部納入本申請。
本發明所提供的裝置具有圖中未詳示之載氣源,該載氣可為氮氣、氫氣或合適的稀有氣體。用載氣管道3(視情況亦可以短脈形式)將該載氣送入氣膠發生器2,該氣膠發生器具有用以儲存有機起始材料之儲存容器2'。氣膠發生器2可具有刷輪、螺旋輸送機或其他類型之輸送手段,以便將儲存於該儲存容器的粉末送入載氣流。作為粉末的替代方案,亦可將一液體噴入載氣流。
所形成之懸浮粒子經氣膠管道4由氣流送入蒸發器1。蒸發器1詳細示於圖2中。氣膠粒子在蒸發器1內變成氣態,下文還將對此進行詳細說明。相應之蒸氣與載氣一同由蒸氣管道5送入CVD反應器,該蒸氣管道由熱套6加熱。CVD反應器殼體7內設有由蒸氣管道5提供氣體的蓮蓬頭型進氣機構,該蓮蓬頭具有出氣面,此出氣面具有多個呈篩網狀佈置之出氣口。該出氣面沿豎向指向下方並構成處理室10之頂部,其底部由基座9向上指向出氣機構8之表面構成。待塗佈基板11平放於已冷卻基座9上,在蒸發器1內所產生的蒸氣可成層沉積於該基板上。反應器殼體7另與真空泵12連接,以便在處理室10及蒸發器1內形成1 mbar至10 mbar之總氣壓。但亦可形成更高如10 mbar至100 mbar之總氣壓。藉由附圖未繪示之調節閥使該總壓保持恆定。
設有與感測器13配合作用之PID調節器14,該感測器係對該有機起始材料之蒸氣在蒸氣管道5中的分壓進行測量。作為替代方案,感測器13亦可使用質量流量計,以便測定流經蒸氣管道5之有機起始材料蒸氣的質量流量。
感測器信號所提供的值與蒸氣壓力或質量流量成比例,或者對應於某一特性曲線與蒸氣壓力或質量流量相關,該值構成PID調節器14之調節變量。PID調節器14的操縱變量為用以為傳熱面15調溫之加熱功率,此傳熱面之溫度對該有機起始材料之未蒸發懸浮粒子在蒸發器1內的平均停留時間有影響。
圖2中詳細示出之蒸發器具有用於連接氣膠管道4的接頭,此接頭包含進氣口18,該進氣口可實施為進氣噴嘴。進氣口18下游設有氣體分佈器19。圖2僅對該氣體分佈器作了簡單示意。該氣體分佈器具有多個特定言之朝氣流傾斜定向之折流面19',包含待蒸發懸浮粒子之輸入氣流撞向該等折流面。氣體分佈器19可在構成蒸發器1之容器內產生渦流,藉此將懸浮粒子送向構成容器壁部之蒸發元件。
該蒸發元件構成前述之傳熱面15。在本發明實施例中,此蒸發元件為一孔隙寬度約為1 mm的開孔固態泡沫。孔隙體積占該固態泡沫總體積95%以上。懸浮粒子進入固態泡沫後積聚於孔壁上。
上述蒸發元件15具有兩電極22、23。電極22接地。電極23則用PID調節器14提供的電流通電。此電流流經導電固態泡沫15,藉此為蒸發元件供熱,從而使傳熱面具有300℃至400℃之溫度。
空心圓柱形蒸發元件15被空心圓柱形護套16包圍。護套16與蒸發元件15之間設有絕緣層17。絕緣層17電性絕緣,但能透熱。固態泡沫15的材料厚度為4 mm至5 mm,絕緣層17之材料厚度約為0.1 mm。
護套16可由金屬構成。但亦可由固態泡沫構成。該護套同樣可具有兩用於為護套16調溫的電極。但護套16的溫度低於蒸發元件15之平均溫度。其溫差較佳約為50℃。
進氣口18大致位於圓柱體端壁中央,其對面設有同樣位於圓柱體端壁之出氣口20。出氣口20直徑大於進氣口18。輸出氣流經出氣口20進入蒸氣管道5。該輸出氣流中包含該有機起始材料蒸發後所產生的蒸氣。
出氣口20下游設有空腔21,上述之感測器13設於其中,用以測定已蒸發有機起始材料在載氣中之分壓或質量流量。
用上述裝置實施下述方法:產生於氣膠發生器2並由氣膠管道4送入蒸發器1之懸浮粒子的質量流率會因構造方式所引起的粉末輸送率波動及粒度不均勻而隨時間發生變化。
該等質量流量隨時間發生變化的懸浮粒子被送入蒸發器後經進氣口18進入容器內腔,在氣體分佈器19作用下形成渦流並進入蒸發元件15之孔隙。該等懸浮粒子透過與傳熱元件之傳熱面15的表面發生接觸而被加熱,在此過程中達到其蒸發溫度並在其粒度及傳熱面15之溫度影響下以不同速度蒸發。由此產生的蒸氣經出氣口20進入蒸氣管道5。蒸氣分壓(即,該蒸氣在輸出氣流中的濃度)由感測器13測定。
在氣膠發生器2中選用某種懸浮粒子輸送方式,使得在此質量流率下所產生之蒸氣在載氣中的分壓低於飽和蒸氣壓力。蒸發器1長時穩態運行,在此狀態下,每單位時間被送入蒸發器1的平均質量等於每單位時間被輸出氣流帶離蒸發器1的平均質量。改變未蒸發有機起始材料在蒸發器1內之停留時間可短時改變此平衡狀態。提高傳熱面溫度可短時提高有機起始材料離開蒸發器時的質量流量,降低溫度則可減小該質量流量。因此,利用PID調節器14可對輸出質量流量的波動進行補償。
未採取質量流量補償措施時在蒸氣管道5內所觀測到的質量流量波動具有超過一秒鐘之波動時間。圖3中的a為粉末產生率之典型的質量流量時間特性曲線。亦即,曲線a大致反映為蒸發器1輸送待蒸發有機起始材料之輸送率。其中,水平時間軸所處的值對應於與時間相關之平均質量流量。
感測器13能測定輸出氣流內分壓與時間相關平均值之間的偏差。當該偏差為向上偏差時,該PID調節器便會減小用以加熱傳熱面15之加熱功率。傳熱面溫度可以至少100℃/s之速度發生變化,一旦有溫度變化便會引起百分之五之蒸發率變化,因而若降溫速度極快且降溫幅度最高達到10℃,未蒸發材料在蒸發元件15表面的停留時間便會明顯延長。其結果為,輸出質量流量(圖3中的曲線c)上升程度例如遠低於輸入質量流量。PID調節器透過感測器13確定輸出質量流量(曲線c)不再發生變化後,便會再度開始提高加熱功率(曲線b)。
若感測器13檢出向下偏差,則PID調節器14藉由提高加熱功率以進行相應控制。此時亦可能發生最高達10℃之溫度變化。未蒸發材料在蒸發器1內的平均停留時間因溫度升高而縮短,進而使得輸出氣流中的質量流量短時上升。由此,以平均停留時間附著於傳熱面15之未蒸發材料將形成可隨蒸發溫度變化而變化的緩衝質量。
圖4為另一用於沉積由有機起始材料構成之層之裝置的示意圖,此裝置與圖1所示裝置的區別主要在於第二感測器24之設置。該感測器24係用於測量傳熱面15之平均溫度。溫度感測器24為PID調節器25提供調節變量,該PID調節器改變氣膠產生率以響應傳熱面15之長時溫度變化。在圖4所示實施例中另設有一可將載氣之質量流量調節為規定值的質量流量調節器26。
感測器13能識別質量流量之短時即秒級或次秒級變化,以便在此段時間內提高或降低傳熱面15之溫度,溫度感測器24則用以測定傳熱面15與時間相關之平均溫度的變化。「與時間相關之平均溫度」在此係指在若干秒時間內取平均值之溫度。舉例而言,用以求平均溫度之時間跨度可十倍於第一調節迴路14用來對載氣中蒸氣分壓變化作出反應之時間跨度。因此,調節迴路25係對傳熱面15之長時溫度變化作出反應。引起此等變化之原因在於氣膠產生率過低或過高。因而當傳熱面15之平均溫度長時升高時,氣膠發生器2會在調節器25作用下提高氣膠產生率。當傳熱面15之平均溫度長時下降時,調節器25則降低氣膠發生器2內的氣膠產生率。
上述措施將限制由加熱功率控制的蒸發器1之溫度(即,傳熱面15的溫度)僅在規定之溫度範圍內變化。由此,該有機起始材料在蒸發器1內起緩衝作用的質量在平均時間內大體保持恆定。
兩調節迴路14、25分別以差別極大的時間常數工作,如此能將相互影響減至最小。
圖4所示裝置運行時亦可不啟用PID調節器14及感測器13。
所有已揭示特徵(自身即)為發明本質所在。故本申請之揭示內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請副本)所揭示之全部內容,該等檔案所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項採用可選並列措辭對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明,其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分案申請。
1‧‧‧蒸發器
2‧‧‧氣膠發生器
2'‧‧‧儲存容器
3‧‧‧載氣管道
4‧‧‧氣膠管道
5‧‧‧蒸氣管道
6‧‧‧熱套
7‧‧‧CVD反應器殼體
8‧‧‧進氣機構(蓮蓬頭)
9‧‧‧基座
10‧‧‧處理室
11‧‧‧基板
12‧‧‧真空泵
13‧‧‧感測器
14‧‧‧PID調節器/第一調節迴路
15‧‧‧傳熱面/蒸發元件/固態泡沫
16‧‧‧護套
17‧‧‧絕緣層
18‧‧‧進氣口/進氣噴嘴
19‧‧‧氣體分佈器
19'‧‧‧折流面
20‧‧‧出氣口
21‧‧‧空腔
22‧‧‧電極
23‧‧‧電極
24‧‧‧溫度感測器/第二感測器
25‧‧‧PID調節器/調節迴路
26‧‧‧質量流量調節器
a‧‧‧氣膠粒子質量流量
b‧‧‧加熱能量
c‧‧‧蒸氣質量流量
圖1為本發明第一裝置之簡圖;圖2為本發明蒸發器之縱向剖面圖;圖3為輸入氣流內氣膠粒子之質量濃度時間特性曲線a、所提供的加熱功率b及已蒸發有機起始材料之輸出氣流中的質量流量c;及圖4為本發明第二裝置之簡圖。
1‧‧‧蒸發器
2‧‧‧氣膠發生器
2'‧‧‧儲存容器
3‧‧‧載氣管道
4‧‧‧氣膠管道
5‧‧‧蒸氣管道
6‧‧‧熱套
7‧‧‧CVD反應器殼體
8‧‧‧進氣機構(蓮蓬頭)
9‧‧‧基座
10‧‧‧處理室
11‧‧‧基板
12‧‧‧真空泵
13‧‧‧感測器
14‧‧‧PID調節器/第一調節迴路
15‧‧‧傳熱面/蒸發元件/固態泡沫
权利要求:
Claims (17)
[1] 一種將由有機起始材料構成的層沉積於基板(11)之方法,其中,用載氣流將氣膠懸浮粒子形式之該有機起始材料送入蒸發器(1),該等懸浮粒子在該蒸發器內與由溫控裝置加熱之傳熱面(15)接觸並在經過一段亦與該傳熱面(15)之溫度有關的平均停留時間後蒸發,以該載氣為輸出氣流將由此產生的蒸氣自該蒸發器(1)送入處理室(10),該蒸氣在該處理室內於該基板(11)表面發生冷凝並形成該層,其特徵在於,改變該傳熱面(15)之溫度以響應所產生蒸氣在該輸出氣流內隨時間之質量流量變化(c)。
[2] 如申請專利範圍第1項之裝置,其中,在該停留時間內包含於該蒸發器(1)內之未蒸發起始材料的質量形成一緩衝質量,該緩衝質量因該溫度變化而發生變化,使得進入該蒸發器(1)之起始材料的時間性質量流量波動得到補償。
[3] 如申請專利範圍第2項之方法,其中,將利用佈置於該輸出氣流內之感測器(13)所測定且與該蒸氣在該載氣內之流量或分壓相對應的值作為調節變量傳輸給調節迴路(14),該調節迴路將提供給該傳熱面(15)之加熱能流作為操縱變量加以改變。
[4] 如申請專利範圍第3項之方法,其中,該調節迴路(14)之響應時間短於該未蒸發有機起始材料在該蒸發器(1)內之平均停留時間。
[5] 如申請專利範圍第4項之方法,其中,該響應時間比該未蒸發有機起始材料在該蒸發器(1)內之平均停留時間至少短5或10倍。
[6] 如申請專利範圍第1項之方法,其中,該傳熱面(15)之溫度變化率至少為5℃/s。
[7] 如申請專利範圍第1項之方法,其中,該傳熱面(15)之溫度變化率至少為10℃/s,藉由改變該加熱能流可使該溫度變化±10℃。
[8] 如申請專利範圍第1項之方法,其中,具有一脈衝式輸入氣流,且脈衝間的時間短於該平均停留時間。
[9] 如申請專利範圍第3項之方法,其中,該傳熱面(15)由一開孔固態泡沫中特定孔隙之構成開放式小腔壁的連接區構成,該固態泡沫特定言之為一構成該蒸發器(1)之容器的壁部。
[10] 如申請專利範圍第9項之方法,其中,該固態泡沫(15)或該固態泡沫之鍍層導電,為該固態泡沫(15)或該鍍層通電以實現電阻加熱。
[11] 一種用於蒸發由載氣流輸送之有機懸浮粒子的裝置,其形式為一容器(1),具有用於輸入氣流的進氣口(18)、用於輸出氣流的出氣口(20)及設於內部之傳熱面(15),其中,該傳熱面(15)可被一可變加熱能流加熱至一動態可控溫度,在此溫度下,經該進氣口被送入該容器(1)之該等懸浮粒子與該傳熱面(15)接觸並蒸發成有機蒸氣,該蒸氣經該出氣口(20)離開該容器(1),其特徵在於一設於該輸出氣流內之感測器(13),該感測器提供與該有機蒸氣之流量或蒸氣分壓相關的感測器信號,及一調節迴路(14),該感測器信號作為調節變量被傳輸給該調節迴路,且該調節迴路將該加熱能流作為操縱變量加以改變,以便用可變熱能流來動態控制該溫度。
[12] 如申請專利範圍第11項之裝置,其中,該蒸發器(1)所採用之設計使得進入其中之起始材料在該蒸發器(1)內停留一段可藉由改變溫度來加以影響的停留時間,從而形成一緩衝質量,該緩衝質量可因溫度變化而發生變化,從而使得進入該蒸發器(1)之起始材料的時間性質量流量波動得到補償。
[13] 如申請專利範圍第12項之裝置,其中,該傳熱面(15)由一特定言之構成該容器壁之開孔固態泡沫構成。
[14] 如申請專利範圍第13項之裝置,其中,該固態泡沫導電且與兩電極(22,23)配合作用,該二電極可為該固態泡沫施加加熱電流,以便在該固態泡沫內部產生熱量。
[15] 如申請專利範圍第14項之裝置,其中,該固態泡沫與一溫度相對較低之周圍環境(16)聯接,且其聯接方式使得該固態泡沫之溫度可在一平均溫度基礎上以至少5℃/s之溫度變化率變化±10℃。
[16] 一種用於將有機起始材料成層沉積於基板(11)之裝置,包括氣膠發生器(2)及處理室(10),該氣膠發生器用於產生該起始材料之一定質量流量的懸浮粒子,該等懸浮粒子由載氣流送往蒸發器(1),該蒸發器(1)具有傳熱面(15),該傳熱面可被加熱至蒸發溫度以蒸發該等懸浮粒子,該處理室用於容置該基板(11),該蒸發器(1)所產生的蒸氣由蒸氣管道(5)送入該處理室,其特徵在於,設有前述申請專利範圍中任一項或多項之蒸發器。
[17] 如申請專利範圍第16項之裝置,其中,設有用於測量該傳熱面(15)之平均溫度的溫度感測器(24)及一調節迴路(25),將溫度感測器信號作為調節變量傳輸給該調節迴路,且該調節迴路將該起始材料之被送往該蒸發器(1)的質量流量作為操縱變量及該溫度感測器信號之函數加以改變。
类似技术:
公开号 | 公开日 | 专利标题
TWI572728B|2017-03-01|A method and apparatus for depositing an OLED, and more particularly to an evaporation apparatus having such use
KR102003527B1|2019-07-24|Oled들을 증착하기 위한 방법 및 그 장치
US10267768B2|2019-04-23|Device and method for determining the concentration of a vapor by means of an oscillating body sensor
JP6752199B2|2020-09-09|Cvdまたはpvd装置のための蒸気発生装置および蒸気発生方法
JP5013591B2|2012-08-29|真空蒸着装置
KR20200016276A|2020-02-14|Oled들을 증착시키기 위한 방법
KR20080031028A|2008-04-07|균일 비율에서의 물질 기화 방법
KR101520639B1|2015-05-15|유도가열을 이용한 기화 장치 및 이를 구비한 진공증착시스템
JP5361467B2|2013-12-04|気化器
KR20180100428A|2018-09-10|전구체 공급 시스템 및 전구체 공급 방법
JP2016540892A|2016-12-28|堆積アレンジメント、堆積装置、及びこれらの操作方法
KR20100091520A|2010-08-19|선형 유기물 증착 장치
JP2016540892A5|2017-02-09|
JP2022020956A|2022-02-02|気化器
JP2002030419A|2002-01-31|成膜装置および方法
TW201510488A|2015-03-16|用於測定由載氣運送之蒸汽之質量流量的裝置
JP6712592B2|2020-06-24|基板上に層を堆積するための装置
WO2020021796A1|2020-01-30|気化器
KR20150128417A|2015-11-18|액상 전구체 공급장치
JP2020020036A|2020-02-06|気化器
KR20150055880A|2015-05-22|기화기 및 원료 공급 장치
同族专利:
公开号 | 公开日
CN103620086B|2017-09-29|
TWI572728B|2017-03-01|
KR102035813B1|2019-10-23|
JP2014520210A|2014-08-21|
CN103620086A|2014-03-05|
WO2012175334A3|2013-04-11|
KR20180090391A|2018-08-10|
JP5989107B2|2016-09-07|
KR101956829B1|2019-03-11|
KR20140043791A|2014-04-10|
DE102011051261A1|2012-12-27|
WO2012175334A2|2012-12-27|
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
TWI698538B|2014-07-01|2020-07-11|德商愛思強歐洲公司|用於為cvd裝置或pvd裝置產生蒸汽之裝置及方法|DE8808098U1|1988-06-23|1988-11-10|Balzers Hochvakuum Gmbh, 6200 Wiesbaden, De||
US6409839B1|1997-06-02|2002-06-25|Msp Corporation|Method and apparatus for vapor generation and film deposition|
US6037241A|1998-02-19|2000-03-14|First Solar, Llc|Apparatus and method for depositing a semiconductor material|
JP2000068055A|1998-08-26|2000-03-03|Tdk Corp|有機el素子用蒸発源、この有機el素子用蒸発源を用いた有機el素子の製造装置および製造方法|
FR2800754B1|1999-11-08|2003-05-09|Joint Industrial Processors For Electronics|Dispositif evaporateur d'une installation de depot chimique en phase vapeur|
US6701066B2|2001-10-11|2004-03-02|Micron Technology, Inc.|Delivery of solid chemical precursors|
US7238389B2|2004-03-22|2007-07-03|Eastman Kodak Company|Vaporizing fluidized organic materials|
US7501152B2|2004-09-21|2009-03-10|Eastman Kodak Company|Delivering particulate material to a vaporization zone|
US20060185597A1|2004-11-29|2006-08-24|Kenji Suzuki|Film precursor evaporation system and method of using|
DE102005013875A1|2005-03-24|2006-11-02|Creaphys Gmbh|Heizeinrichtung, Beschichtungsanlage und Verfahren zur Verdampfung oder Sublimation von Beschichtungsmaterialien|
JP4974504B2|2005-10-13|2012-07-11|株式会社半導体エネルギー研究所|成膜装置、発光装置の作製方法|
FR2900070B1|2006-04-19|2008-07-11|Kemstream Soc Par Actions Simp|Dispositif d'introduction ou d'injection ou de pulverisation d'un melange de gaz vecteur et de composes liquides et procede de mise en oeuvre dudit dispositif.|
DE102006026576A1|2006-06-06|2008-01-10|Aixtron Ag|Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines pulverförmigen organischen Ausgangsstoffs|
US8027574B2|2007-08-06|2011-09-27|Global Oled Technology Llc|Vaporization of thermally sensitive materials|
JP5200551B2|2008-01-18|2013-06-05|東京エレクトロン株式会社|気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法|
DE102008026974A1|2008-06-03|2009-12-10|Aixtron Ag|Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten aus polymeren Para-Xylylene oder substituiertem Para-Xylylene|
JP5863457B2|2008-11-28|2016-02-16|プロブスト、フォルカー|平坦基板にセレン、硫黄元素処理で半導体層と被覆基板を製造する方法|
US7972443B2|2008-11-14|2011-07-05|Global Oled Technology Llc|Metering of particulate material and vaporization thereof|
JP2010159448A|2009-01-07|2010-07-22|Canon Inc|成膜装置及び成膜方法|
JP5341986B2|2009-04-24|2013-11-13|東京エレクトロン株式会社|蒸着処理装置および蒸着処理方法|
KR20110004081A|2009-07-07|2011-01-13|삼성모바일디스플레이주식회사|증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법|DE102014102484A1|2014-02-26|2015-08-27|Aixtron Se|Verwendung eines QCM-Sensors zur Bestimmung der Dampfkonzentration beim OVPD-Verfahren beziehungsweise in einem OVPD-Beschichtungssystem|
DE102014109196A1|2014-07-01|2016-01-07|Aixtron Se|Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes aus einem festen oder flüssigen Ausgangsstoff für eine CVD- oder PVD-Einrichtung|
DE102014109195A1|2014-07-01|2016-01-07|Aixtron Se|Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Dampfes aus mehreren flüssigen oder festen Ausgangsstoffen für eine CVD- oder PVD-Einrichtung|
DE102014115497A1|2014-10-24|2016-05-12|Aixtron Se|Temperierte Gaszuleitung mit an mehreren Stellen eingespeisten Verdünnungsgasströmen|
DE102016100625A1|2016-01-15|2017-07-20|Aixtron Se|Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung|
DE102017103047A1|2016-11-29|2018-05-30|Aixtron Se|Aerosolverdampfer|
DE102017106431A1|2017-03-24|2018-09-27|Aixtron Se|Vorrichtung und Verfahren zum Herabsetzen des Wasserpartialdrucks in einer OVPD-Beschichtungseinrichtung|
DE102017112668A1|2017-06-08|2018-12-13|Aixtron Se|Verfahren zum Abscheiden von OLEDs|
DE102017123233A1|2017-10-06|2019-04-11|Aixtron Se|Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines in einem Trägergas transportierten Dampfes|
DE102017126126A1|2017-11-08|2019-05-09|Aixtron Se|Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes durch die Verwendung von in einem Regelmodus gewonnenen Steuerdaten|
法律状态:
优先权:
申请号 | 申请日 | 专利标题
DE102011051261A|DE102011051261A1|2011-06-22|2011-06-22|Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu|
[返回顶部]