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    • 专利摘要:
    本發明提供一種能夠發射磷光的新穎有機金屬錯合物。本發明提供一種發光效率高的發光元件、發光裝置、電子裝置或照明設備。作為本發明的有機金屬錯合物的代表，以芳基三□衍生物為配體的有機金屬錯合物係以下述通式(G1)表示，□
    公开号:TW201305312A
    申请号:TW101115197
    申请日:2012-04-27
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Hideko Inoue；Hiromi Seo；Satoshi Seo
    申请人:Semiconductor Energy Lab；
    IPC主号:C07F15-00
    专利说明:
    有機金屬錯合物、發光元件、發光裝置、電子裝置及照明設備
    本發明的一個具體實例係關於一種有機金屬錯合物。尤其是，本發明的一個具體實例係關於一種能夠將三重激發態能轉換成發光的有機金屬錯合物。另外，本發明的一個具體實例係關於一種使用有機金屬錯合物的發光元件、發光裝置、電子裝置及照明設備。
    有機化合物藉由吸收光成為激發態。藉由該激發態，有時發生各種反應(光化學反應)或發光(luminescence)，因此有機化合物應用於各種用途。
    作為光化學反應的一個例子，有單態氧與不飽和有機分子的反應(加氧(oxygen addition))(例如，參照非專利文獻1)。因為氧分子的基態是三重態，所以單態的氧(單態氧)不藉由直接光激發而產生。但是，在其他三重激發態分子的存在下產生單態氧，而可以發生加氧反應。此時，能夠形成三重激發態分子的化合物被稱為光敏劑。
    如上所述，為了產生單態氧，需要使用能夠藉由光激發形成三重激發態分子的光敏劑。但是，因為通常的有機化合物的基態是單態，所以到三重激發態分子的光激發是禁止躍遷，不容易產生三重激發態分子。因此，作為這種光敏劑，需求容易發生從單重激發態到三重激發態的系間跨越(intersystem crossing)的化合物(或者，允許藉由光激發直接將化合物轉換成三重激發態的禁止躍遷的化合物)。換言之，這種化合物可以用作光敏劑，可以說是有用的。
    另外，這種化合物常常發射磷光。磷光是指由於不同多重體的能量之間的躍遷而產生的發光，在通常的有機化合物中，磷光是指當從三重激發態回到單重激發態時產生的發光(另一方面，當從單重激發態回到單重基態時的發光被稱為螢光)。作為能夠發射磷光的化合物，即能夠將三重激發態轉換成發光的化合物(以下，稱為磷光化合物)的應用領域，可以舉出以有機化合物為發光物質的發光元件。
    這種發光元件的結構是在電極之間僅設置包含作為發光物質的有機化合物的發光層的簡單的結構，並且具有薄型輕量、高速回應性及直流低電壓驅動等的特性，由此作為下一代的平板顯示元件受到關注。另外，使用這種發光元件的顯示器還具有優異的對比度、清晰的影像品質及廣視角的特徵。
    以有機化合物為發光物質的發光元件的發光機制是載子注入型。換言之，藉由將發光層夾在電極之間並施加電壓，從電極注入的電子和電洞重新結合，以發光物質成為激發態，當該激發態回到基態時發光。並且，作為激發態的種類，與上述光激發的情況同樣，可以是單重激發態(S*)和三重激發態(T*)。此外，在發光元件中，單重激發態和三重激發態的統計學上的生成比率被認為是S*：T*=1：3。
    在將單重激發態轉換成發光的化合物(以下稱為螢光化合物)中，在室溫下僅觀察到來自單重激發態的發光(螢光)，而觀察不到來自三重激發態的發光(磷光)。因此，基於S*：T*=1：3的關係，使用螢光化合物的發光元件中的內部量子效率(所產生的光子相對於所注入的載子的比率)的理論上的極限被認為是25%。
    另一方面，如果使用上述磷光化合物，則內部量子效率在理論上可以提高到75%至100%。換言之，可以實現螢光化合物的3倍至4倍的發光效率。根據這些理由，為了實現高效率的發光元件，近年來對使用磷光化合物的發光元件的開發積極地進行開發(例如，參照非專利文獻2)。尤其是，作為磷光化合物，以銥等為中心金屬的有機金屬錯合物由於其高磷光量子產率而已受到關注。
    [非專利文獻1] 井上晴夫以及其他3人，基本化學課程，光化學I(Basic Chemistry Course PHOTOCHEMISTRY I) (Maruzen Co., Ltd.出版)，第106-110頁)
    [非專利文獻2] Zhang、Guo-Lin以及5名，Gaodeng Xuexiao Huaxue Xuebao(高等學校化學學報) (2004), vol.25, No. 3, p.397-400
    本發明的一個具體實例的目的之一是提供一種能夠發射磷光的新的有機金屬錯合物。另外，本發明的一個具體實例的目的之一是提供一種發光效率高的發光元件、發光裝置、電子裝置或照明設備。再者，本發明的一個具體實例的目的之一是提供一種耗電量低的發光元件。
    本發明的一個具體實例是一種以芳基三衍生物為配體的有機金屬錯合物。因此，本發明的結構是一種包括以下述通式(G1)表示的結構的有機金屬錯合物。
    在通式中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴(monocyclic saturated hydrocarbon)、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴(polycyclic saturated hydrocarbon)、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。
    本發明的另一個具體實例是一種包括以下述通式(G2)表示的結構的有機金屬錯合物。
    在通式中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，R3至R6分別獨立地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基、鹵基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基或者經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。
    要注意的是，因為具有以通式(G1)及(G2)表示的結構的有機金屬錯合物能夠發射磷光，所以是當將其應用於發光元件的發光層時有益的。從而，本發明的較佳的一個具體實例是一種具有以通式(G1)及(G2)表示的結構的磷光有機金屬錯合物。尤其是，具有以通式(G1)及(G2)表示的結構且在該結構中形成最低三重激發態的有機金屬錯合物能夠高效地發射磷光，所以是較佳的。
    本發明的另一個具體實例是一種以下述通式(G3)表示的有機金屬錯合物。
    在通式中，L表示單陰離子配體。另外，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是2，當M是週期表中第10族元素時，n是1。
    本發明的另一個具體實例是一種以下述通式(G4)表示的有機金屬錯合物。
    在通式中，L表示單陰離子配體。另外，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，R3至R6分別獨立地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基、鹵基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基或者經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是2，當M是週期表中第10族元素時，n是1。
    在以通式(G3)或(G4)表示的有機金屬錯合物中，單陰離子配體較佳為是具有β-二酮結構的單陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚系羥基的單陰離子雙齒螯合配體或兩個配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體。尤其較佳的是具有β-二酮結構的單陰離子雙齒螯合配體。
    要注意的是，作為單陰離子配體，較佳為是下述通式(L1)至(L7)中的任一個。
    在通式(L1)至(L7)中，R11至R48分別獨立地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、鹵基、乙烯基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基或者經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基。另外，A1至A3分別獨立地表示：氮；與氫結合的sp2混成碳；或者與碳數為1至4的烷基、鹵基、碳數為1至4的鹵烷基和苯基中的任一個結合的sp2混成碳。
    本發明的另一個具體實例是一種以下述通式(G5)表示的有機金屬錯合物。
    在通式中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是3，當M是週期表中第10族元素時，n是2。
    本發明的另一個具體實例是一種以下述通式(G6)表示的有機金屬錯合物。
    但是，在通式中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，R3至R6分別獨立地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基、鹵基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基或者經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是3，當M是週期表中第10族元素時，n是2。
    另外，因為本發明的有機金屬錯合物能夠發射磷光，即能夠將三重激發態能轉換成發光並呈現發光，所以藉由將其應用於發光元件，可以實現高效率化，所以是非常有效的。從而，本發明也包括使用本發明的有機金屬錯合物的發光元件。
    本發明的其他具體實例不僅包括具有發光元件的發光裝置，而且還包括具有發光裝置的電子裝置及照明設備。因此，本說明書中的發光裝置是指影像顯示裝置、發光裝置或光源(包括照明設備)。另外，發光裝置還包括如下模組：在發光裝置中安裝有連接器諸如FPC(Flexible printed circuit：撓性印刷電路)、TAB(Tape Automated Bonding：載帶自動接合)帶或TCP(Tape Carrier Package：載帶封裝)的模組；將印刷線路板設置於TAB帶或TCP端部的模組；或者藉由COG(Chip On Glass：玻璃上晶片)方式將IC(積體電路)直接安裝到發光元件上的模組。
    根據本發明的一個具體實例可以提供一種能夠發射磷光的新的有機金屬錯合物。另外，藉由使用新的有機金屬錯合物，可以提供一種發光效率高的發光元件、發光裝置、電子裝置或照明設備。此外，本發明的一個具體實例可以提供一種可靠性高的發光元件、發光裝置、電子裝置或照明設備。再者，本發明的另一個具體實例可以提供一種耗電量低的發光元件、發光裝置、電子裝置或照明設備。
    下面，參照圖式詳細地說明本發明的實施方式。但是，本發明不侷限於以下說明的內容，其方式及詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍的情況下可以被變換為各式的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在下面所示的實施方式所記載的內容中。 實施方式1
    在本實施方式中，對本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物進行說明。
    本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物是一種以芳基三衍生物為配體的有機金屬錯合物。另外，本實施方式所說明的以芳基三衍生物為配體的有機金屬錯合物的一個具體實例是一種包括以下述通式(G1)表示的結構的有機金屬錯合物。
    在通式(G1)中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。
    在此，作為Ar1的具體例子，可以舉出亞苯基、由碳數為1至4的一個以上的烷基取代的亞苯基、由碳數為1至4的一個以上的烷氧基取代的亞苯基、由碳數為1至4的一個以上的烷硫基取代的亞苯基、由碳數為6至10的一個以上的芳基取代的亞苯基、由一個以上的鹵基取代的亞苯基、由碳數為1至4的一個以上的鹵烷基取代的亞苯基及經取代或未經取代的萘二基。
    另外，作為R1、R2中的碳數為1至4的烷基的具體例子，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、異丁基及第三丁基等，作為碳數為5至7的單環不飽和烴的具體例子，可以舉出環戊基、環己基及環庚基，作為碳數為7至10的多環不飽和烴的具體例子，可以舉出降冰片烯基、1-金剛烷基、2-金剛烷基及蒎烷基(pinanyl group)。作為碳數為6至10的芳基的具體例子，可以舉出苯基、由碳數為1至4的一個以上的烷基取代的苯基、由碳數為1至4的一個以上的烷氧基取代的苯基、由碳數為1至4的一個以上的烷硫基取代的苯基、由碳數為6至10的一個以上的芳基取代的苯基、由一個以上的鹵基取代的苯基、由碳數為1至4的一個以上的鹵烷基取代的苯基及萘基基(naphthalene-yl group)等。再者，作為M的具體例子，從重原子效應的觀點來看，在週期表中第9族元素中較佳為使用Ir(銥)，在週期表中第10族元素中較佳為使用Pt(鉑)。
    另外，當上述Ar1是經取代或未經取代的亞苯基時，容易合成，所以是更佳的。因此，本發明的一個具體實例是一種包括以下述通式(G2)表示的結構的有機金屬錯合物。
    在通式(G2)中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，R3至R6分別獨立地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基、鹵基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基或者經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。
    在此，作為R1、R2及M的具體例子，可以舉出與通式(G1)相同的例子。另外，作為R3至R6的具體例子，可以分別地舉出氫、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、甲基亞磺醯基、乙基亞磺醯基、丙基亞磺醯基、異丙基亞磺醯基(isopropylsulfinyl group)、丁基亞磺醯基、異丁基亞磺醯(isobutylsulfinyl group)、第二丁基亞磺醯基(sec-butylsulfinyl group)、第三丁基亞磺醯基(tert-butylsulfinyl group)、氟基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、溴甲基、2,2,2-三氟乙酯、3,3,3-三氟丙基、1,1,1,3,3,3-六氟異丙基、可以舉出苯基、由碳數為1至4的一個以上的烷基取代的苯基、由碳數為1至4的一個以上的烷氧基取代的苯基、由碳數為1至4的一個以上的烷硫基取代的苯基、由碳數為6至10的一個以上的芳基取代的苯基、由一個以上的鹵基取代的苯基、由碳數為1至4的一個以上的鹵烷基取代的苯基及經取代或未經取代的萘基等。
    此外，因為具有以通式(G1)及(G2)表示的結構的有機金屬錯合物能夠發射磷光，所以是當將其應用於發光元件的發光層時有益的。從而，本發明的較佳的一個具體實例是一種具有以通式(G1)及(G2)表示的結構的磷光有機金屬錯合物。
    尤其是，具有以通式(G1)及(G2)表示的結構且在該結構中形成最低三重激發態的有機金屬錯合物能夠高效地發射磷光，所以是較佳的。為了實現這種方式，例如，以該結構的最低三重激發態能相等於或低於構成該磷光有機金屬銥錯合物的其他骨架(其他配體)的最低三重激發態能方式，選擇其他骨架(其他配體)，即可。藉由採用這種結構，不管該結構以外的骨架(配體)如何，也最後在該結構中形成最低三重激發態能，因此可以得到來源於該結構的磷光發光。從而，可以得到高效率的磷光發光。例如，可以舉出作為側鏈具有該結構的乙烯基聚合物等。
    另外，本發明的一個具體實例是以下述通式(G3)表示的有機金屬錯合物。
    在通式(G3)中，L表示單陰離子配體。另外，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是2，當M是週期表中第10族元素時，n是1。另外，Ar1、R1、R2及M的具體例子是與通式(G1)相同的。
    在此，作為單陰離子配體的L的具體例子，較佳為是具有β-二酮結構的單陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚系羥基的單陰離子雙齒螯合配體或兩個配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體。尤其較佳的是具有β-二酮結構的單陰離子雙齒螯合配體。藉由具有β-二酮結構，有機溶劑中的有機金屬錯合物的溶解度得到提高而容易使其純化，所以是較佳的。另外，藉由具有β-二酮結構，可以得到發光效率高的有機金屬錯合物，所以是較佳的。此外，藉由具有β-二酮結構，有昇華性得到提高且具有優良的蒸發能力的優點。
    另外，作為單陰離子配體的L的具體例子，較佳為是下述通式(L1)至(L7)中的任一個。
    在通式(L1)至(L7)中，R11至R48分別獨立地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、鹵基、乙烯基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基或者經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基。另外，A1至A3分別獨立地表示：與氮、氫結合的sp2混成碳；或者與碳數為1至4的烷基、鹵基、碳數為1至4的鹵烷基和苯基中的任一個結合的sp2混成碳。
    另外，在上述通式(G3)中，當Ar1是亞苯基時，容易合成，所以是較佳的。因此，本發明的一個具體實例是一種以通式(G4)表示的有機金屬錯合物。
    在通式(G4)中，L表示單陰離子配體。另外，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，R3至R6分別獨立地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基、鹵基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基或者經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是2，當M是週期表中第10族元素時，n是1。另外，R1至R6及M的具體例子是與通式(G2)相同的，L的具體例子是與通式(G3)相同的。
    另外，本發明的另一個具體實例是以下述通式(G5)表示的有機金屬錯合物。
    在通式(G5)中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是3，當M是週期表中第10族元素時，n是2。另外，Ar1、R1、R2及M的具體例子是與通式(G1)相同的。
    另外，本發明的另一個具體實例是以下述通式(G6)表示的有機金屬錯合物。
    在通式(G6)中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，R3至R6分別獨立地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基、鹵基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基或者經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是3，當M是週期表中第10族元素時，n是2。另外，R1至R6及M的具體例子是與通式(G2)相同的。
    下面，示出上述的本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物的具體結構式(下述結構式(100)至(142))。但是，本發明不侷限於此。



    另外，以上述結構式(100)至(142)表示的有機金屬錯合物是能夠發射磷光的新穎物質。此外，作為這些物質，根據配體的種類可能有幾何異構體和立體異構體，但是本發明的有機金屬配體包括這些異構體。
    下面，對包括以上述通式(G1)表示的結構的有機金屬錯合物的合成方法的一個例子進行說明。 《以通式(G0)表示的芳基三衍生物的合成方法》
    對以下述通式(G0)表示的芳基三衍生物的合成方法的一個例子進行說明。
    另外，在通式(G0)中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar表示經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基。
    以下，示出以通式(G0)表示的芳基三衍生物的合成流程(a)。
    另外，在合成流程(a)中，藉由對芳基的N-醯亞胺酸氯化物(N-acylimidic acid chloride)或其同等物(equivalent)(A1)添加脒(A2)而進行加熱，得到芳基三衍生物(G0)。此外，也可以使芳基脒與N-醯亞胺酸氯化物或其同等物起反應。另外，作為芳基三衍生物(G0)的合成方法，存在有多個已知的合成方法，所以可以使用任何方法。
    接著，作為以通式(G0)表示的芳基三衍生物的一個例子，對通式(G0)中的R1是芳基且R2是氫的以下述通式(G0’)表示的2,4-二芳基-1,3,5-三衍生物的合成方法進行說明。
    以下，示出以通式(G0’)表示的2,4-二芳基-1,3,5-三衍生物的合成流程(a’)。
    另外，在合成流程(a’)中，藉由對2當量的脒(A1’)添加1當量的甲酸乙酯或金試劑(別名：(二甲基氨基亞甲基氨基亞甲基)二甲基氯化銨，Sigma-Aldrich(西格瑪-奧德里奇)公司製造)(A2’)而進行加熱，可以得到2,4-二芳基-1,3,5-三衍生物(G0’)。另外，在合成流程(a’)中，Ar表示經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基。此外，作為2,4-二芳基-1,3,5-三衍生物(G0’)的合成方法，存在有多個已知的合成方法，所以可以使用任何方法。
    因為在市場上銷售多種上述化合物(A1)、(A2)、(A1’)和(A2’)或可以合成上述化合物(A1)、(A2)、(A1’)和(A2’)，所以可以合成多種以通式(G0)表示的芳基三衍生物。因此，本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物具有配體的種類豐富的特徵。 《以通式(G3)表示的本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物的合成方法》
    接著，作為使用以通式(G0)表示的芳基三衍生物形成的本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物的一個例子，對以下述通式(G3)表示的有機金屬錯合物的合成方法進行說明。
    在通式(G3)中，L表示單陰離子配體。另外，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是2，當M是週期表中第10族元素時，n是1。另外，Ar1、R1、R2及M的具體例子是與通式(G1)相同的。
    如下述合成流程(b)所示，藉由使用無溶劑或醇系溶劑(甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等)或者一種以上的醇系溶劑和水的混合溶劑且在惰性氣體氛圍下對以通式(G0)表示的芳基三衍生物和包含鹵的第9族或第10族的金屬化合物(水合氯化銠、氯化鈀、氯化銥、溴化銥、碘化銥、四氯鉑酸鉀等)進行加熱，可以得到具有由鹵交聯的結構的有機金屬錯合物的一種且為新穎物質的雙核錯合物(B)。
    對加熱單元沒有特別的限制，也可以使用油浴(oil bath)、沙浴(sand bath)或鋁塊。此外，還可以作為加熱單元使用微波。另外，在方案(b)中，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是2，當M是週期表中第10族元素時，n是1。
    在合成流程(b)中，X表示鹵，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。
    再者，如下述合成流程(c)所示，在惰性氣體氛圍下使藉由上述合成流程(b)得到的雙核錯合物(B)和單陰離子配體的原料HL起反應，來HL的質子脫離而L配位到中心金屬M，從而得到以通式(G3)表示的本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物。
    對加熱單元沒有特別的限制，也可以使用油浴、沙浴或鋁塊。此外，還可以作為加熱單元使用微波。另外，在方案(c)中，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是2，當M是週期表中第10族元素時，n是1。
    在合成流程(c)中，L表示單陰離子配體，X表示鹵，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。
    另外，作為通式(G3)中的單陰離子配體L，較佳為是具有β-二酮結構的單陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚系羥基的單陰離子雙齒螯合配體或兩個配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體。尤其較佳的是具有β-二酮結構的單陰離子雙齒螯合配體。藉由具有β-二酮結構，有機溶劑中的有機金屬錯合物的溶解度得到提高而容易使其純化，所以是較佳的。另外，藉由具有β-二酮結構，可以得到發光效率高的有機金屬錯合物，所以是較佳的。此外，藉由具有β-二酮結構，有昇華性得到提高且具有優良的蒸發能力的優點。
    另外，單陰離子配體較佳為是通式(L1)至(L7)中的任一個。因為這些配體的配位能力高，且可以低廉地得到，所以是有效的。
    在通式(L1)至(L7)中，R11至R48分別獨立地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、鹵基、乙烯基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基或者經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基。另外，A1至A3分別獨立地表示：與氮、氫結合的sp2混成碳；或者與碳數為1至4的烷基、鹵基、碳數為1至4的鹵烷基和苯基中的任一個結合的sp2混成碳。 《以通式(G5)表示的本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物的合成方法》
    接著，作為使用以通式(G0)表示的芳基三衍生物形成的本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物的一個例子，對以下述通式(G5)表示的有機金屬錯合物的合成方法進行說明。
    在通式(G5)中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。另外，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是3，當M是週期表中第10族元素時，n是2。另外，Ar1、R1、R2及M的具體例子是與通式(G1)相同的。
    如下述合成流程(d)所示，在將以通式(G0)表示的芳基三衍生物與包含鹵的第9族或第10族的金屬化合物(水合氯化銠、氯化鈀、氯化銥、溴化銥、碘化銥、四氯鉑酸鉀等)或第9族或第10族的有機金屬錯合物化合物(乙醯丙酮根錯合物、二乙硫醚錯合物等)混合之後進行加熱，從而可以得到具有以通式(G5)表示的結構的有機金屬錯合物。
    此外，也可以在將以通式(G0)表示的芳基三衍生物和包含鹵素的週期表中第9族或第10族的金屬化合物或週期表中第9族或第10族的有機金屬錯合物化合物溶解在醇系溶劑(甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等)中之後進行該加熱製程。對加熱單元沒有特別的限制，但是也可以使用油浴、沙浴或鋁塊。此外，還可以作為加熱單元使用微波。另外，在方案(d)中，M表示週期表中第9族元素或第10族元素。此外，當M是週期表中第9族元素時，n是3，當M是週期表中第10族元素時，n是2。
    在合成流程(d)中，R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基，R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基，Ar表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基。
    如上所述，雖然對本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物的合成方法的一個例子進行說明，但是本發明不侷限於此，也可以利用其他任何合成方法合成。
    因為上述的本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物能夠發射磷光，所以可以將其用作發光材料或發光元件的發光物質。
    另外，藉由使用本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物，可以實現一種發光效率高的發光元件、發光裝置、電子裝置或照明設備。此外，本發明的一個具體實例可以實現一種耗電量低的發光元件、發光裝置、電子裝置或照明設備。
    本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。 實施方式2
    在本實施方式中，參照圖1對將上述有機金屬錯合物用於發光層的發光元件進行說明，該發光元件使用以實施方式1所示的芳基三衍生物為配體的有機金屬錯合物。
    在本實施方式所示的發光元件中，如圖1所示，在一對電極(第一電極(陽極)101與第二電極(陰極)103)之間夾有包括發光層113的EL層102，EL層102除了發光層113之外，還包括電洞注入層111、電洞傳輸層112、電子傳輸層114、電子注入層115、電荷產生層(E)116等而形成。
    藉由對這種發光元件施加電壓，從第一電極101一側注入的電洞和從第二電極103一側注入的電子在發光層113中重新結合以使有機金屬錯合物成為激發態。並且，當該處於激發態的有機金屬錯合物回到基態時發光。像這樣，本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物用作發光元件中的發光物質。
    另外，EL層102中的電洞注入層111是包含電洞傳輸性高的物質和受體物質的層，由於受體物質從電洞傳輸性高的物質抽出電子，由此產生電洞。因此，電洞隔著電洞傳輸層112從電洞注入層111注入到發光層113。
    另外，電荷產生層(E)116是包含電洞傳輸層高的物質和受體物質的層。由於受體物質從電洞傳輸性高的物質抽出電子，因此被抽出的電子隔著電子傳輸層114從具有電子注入性的電子注入層115注入到發光層113。
    下面，對製造本實施方式所示的發光元件時的具體例子進行說明。
    作為第一電極(陽極)101及第二電極(陰極)103，可以使用金屬、合金、導電化合物及它們的混合物。明確而言，除了氧化銦-氧化錫(ITO：銦錫氧化物Indium Tin Oxide))、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide))、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)之外，還可以使用屬於元素週期表中第1族或第2族的元素，即鹼金屬諸如鋰(Li)和銫(Cs)等、鹼土金屬諸如鈣(Ca)和鍶(Sr)等、鎂(Mg)、包含它們的合金(MgAg、AlLi)、稀土金屬諸如銪(Eu)和鐿(Yb)等、包含它們的合金及石墨烯等。另外，第一電極(陽極)101及第二電極(陰極)103可以藉由濺射法或蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)等來形成。
    作為用於電洞注入層111、電洞傳輸層112及電荷產生層(E)116的電洞傳輸性高的物質，例如可以舉出4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N，N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：TCTA)、4,4’,4”-三(N，N-二苯胺)三苯胺(簡稱：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺]三苯胺(簡稱：MTDATA)、4,4’-雙[N-(螺-9,9’-二茀-2-基)-N-苯胺]聯苯(簡稱：BSPB)等芳香胺化合物；3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等。除上述以外，還可以使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)等的咔唑衍生物等。這些物質主要是各自具有10-6cm2/Vs以上的電洞遷移率的物質。然而，還可以使用除上述材料之外的物質，只要該物質的電洞傳輸性高於電子傳輸性。
    再者，還可以使用聚(N-乙烯咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯胺)苯基]苯基-N’-苯胺}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N，N’-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等高分子化合物。
    另外，作為用於電洞注入層111及電荷產生層(E)116的受體物質，可以舉出過渡金屬氧化物或屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確地說，氧化鉬是特別較佳的。
    作為用作發光物質的客體材料包含實施方式1所示的有機金屬錯合物，且作為主體材料使用其三重激發態能比該有機金屬錯合物的三重激發態能大的物質，來形成發光層113。
    另外，作為用來使上述有機金屬錯合物成為分散狀態的物質(即，主體材料)，例如，除了具有芳基胺骨架的化合物諸如2,3-雙(4-二苯基氨基苯基)喹噁啉(簡稱：TPAQn)或NPB之外，較佳為使用：咔唑衍生物諸如CBP或4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：TCTA)等；或者金屬錯合物諸如雙[2-(2-羥基苯基)吡啶根合]鋅(簡稱：Znpp2)、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噁唑]鋅(簡稱：Zn(BOX)2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡稱：BAlq)或三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Alq3)等。另外，也可使用高分子化合物諸如PVK。
    另外，藉由包含上述有機金屬錯合物(客體材料)和主體材料形成發光層113，從而，可以從發光層113得到發光效率高的磷光發光。
    電子傳輸層114是包含電子傳輸性高的物質的層。作為電子傳輸層114，可以使用金屬錯合物諸如Alq3、三(4-甲基-8-羥基喹啉合)鋁(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]-羥基喹啉合)鈹(簡稱：BeBq2)、BAlq、Zn(BOX)2或雙[2-(2-羥基苯基)-苯並噻唑]鋅(簡稱：Zn(BTZ)2)等。此外，也可以使用雜芳族化合物諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-第三丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、3-(4-第三丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：p-EtTAZ)、紅啡啉(簡稱：Bphen)、浴銅靈(簡稱：BCP)、4,4’-雙(5-甲基苯並噁唑-2-基)二苯乙烯(簡稱：BzOs)等。另外，還可以使用高分子化合物諸如聚(2,5-吡啶二基)(簡稱：PPy)、聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-共-(吡啶-3,5-二基)](簡稱：PF-Py)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共-(2,2’-聯吡啶-6,6’-二基)](簡稱：PF-BPy)。在此所述的物質主要是電子遷移率為10-6cm2/Vs以上的物質。另外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的物質，就可以將上述物質之外的物質用作電子傳輸層。
    另外，作為電子傳輸層114，不僅採用單層，而且可以採用由上述物質構成的層的兩層以上的疊層。
    電子注入層115是包含電子注入性高的物質的層。作為電子注入層115，可以使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)及鋰氧化物(LiOx)等鹼金屬、鹼土金屬或它們的化合物。此外，可以使用氟化鉺(ErF3)等稀土金屬化合物。另外，也可以使用上述構成電子傳輸層114的物質。
    或者，也可以將有機化合物與電子給體(施體)混合而成的複合材料用於電子注入層115。這種複合材料的電子注入性及電子傳輸性高，因為電子給體使得電子產生在有機化合物中。在此情況下，有機化合物較佳為是在傳輸產生的電子方面性能優異的材料。具體地，例如，可以使用如上所述的構成電子傳輸層114的物質(金屬錯合物和雜芳族化合物等)。作為電子給體，只要使用對有機化合物呈現電子給體性的物質，即可。具體地，較佳為使用鹼金屬、鹼土金屬和稀土金屬，可以舉出鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另外，較佳為使用鹼金屬氧化物或鹼土金屬氧化物，例如可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。此外，可以使用氧化鎂等路易士鹼。或者，也可以使用四硫富瓦烯(簡稱：TTF)等有機化合物。
    另外，上述電洞注入層111、電洞傳輸層112、發光層113、電子傳輸層114、電子注入層115和電荷產生層(E)116分別可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、塗覆法等的方法形成。
    在上述發光元件中，因為在第一電極101和第二電極103之間產生的電位差而產生電流，並且因為在EL層102中電洞和電子重新結合而發光。然後，該發光穿過第一電極101和第二電極103中的任一者或兩者取出到外部。因此，第一電極101和第二電極103中的任一者或兩者為具有透光性的電極。
    因為如上所說明的發光元件可以得到來源於有機金屬錯合物的磷光發光，所以與使用螢光化合物的發光元件相比，可以實現高效率的發光元件。
    另外，本實施方式所示的發光元件是使用本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物來製造的發光元件的一個例子。此外，作為包括上述發光元件的發光裝置，可以製造被動矩陣型發光裝置和主動矩陣型發光裝置。還可以製造在其他實施方式所說明的包括與上述發光元件不同的發光元件的發光元件的微腔結構的發光裝置。上述發光裝置的每一個包括在本發明中。
    另外，在主動矩陣型發光裝置的情況下，對TFT的結構沒有特別的限制。例如，可以適當地使用交錯型TFT或反交錯型TFT。此外，形成在TFT基板上的驅動電路可以由n型TFT和p型TFT中的一者或兩者形成。並且，對用於TFT的半導體膜的結晶性也沒有特別的限制。例如，可以使用非晶半導體膜、結晶半導體膜和氧化物半導體膜等。
    另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。 實施方式3
    在本實施方式中，作為本發明的一個具體實例說明一種發光元件，其中，除了磷光有機金屬銥錯合物之外，還將其他兩種以上的有機化合物用於發光層。
    本實施方式所示的發光元件具有如圖2所示的在一對電極(陽極201與陰極202)之間包括EL層203的結構。另外，EL層203至少具有發光層204，除此之外，EL層203還可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產生層(E)等。此外，作為電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產生層(E)，可以使用實施方式1所示的物質。
    在本實施方式所示的發光層204中，包括使用實施方式1所示的磷光有機金屬銥錯合物的磷光化合物205、第一有機化合物206及第二有機化合物207。另外，磷光化合物205是發光層204中的客體材料。此外，第一有機化合物206和第二有機化合物207中的發光層204中的含有率多的一方為發光層204中的主體材料。
    在發光層204中，藉由採用將上述客體材料分散到主體材料的結構，可以控制發光層的結晶化。另外，可以抑制由於客體材料的高濃度導致的濃度淬滅並提高發光元件的發光效率。
    另外，第一有機化合物206和第二有機化合物207的每一個的三重激發態能的能階(T1能階)較佳高於磷光化合物205的T1能階。這是因為如下緣故：如果第一有機化合物206(或第二有機化合物207)的T1能階低於磷光化合物205的T1能階，則第一有機化合物206(或第二有機化合物207)使有助於發光的磷光化合物205的三重激發態能淬滅(quench)，而導致發光效率的降低。
    在此，為了提高從主體材料到客體材料的能量轉移效率，較佳的是，在考慮到作為分子之間的能量轉移機制周知的福斯特(Förster)機制(偶極-偶極相互作用)及德克斯特(Dexter)機制(電子交換相互作用)的情況下，主體材料的發射光譜(從單重激發態的能量轉移中的螢光光譜，從三重激發態的能量轉移中的磷光光譜)與客體材料的吸收光譜(更詳細地說，最長波長(低能量)一側的吸收帶中的光譜)的重疊的部分大。但是，通常難以使主體材料的螢光光譜與客體材料的最長波長(低能量)一側的吸收帶中的光譜重疊。這是因為如下緣故：因為主體材料的磷光光譜位於比螢光光譜長的波長(低能量)一側，所以如果那樣做，則主體材料的T1能階低於磷光化合物的T1能階，而導致上述淬滅的問題。另一方面，為了避免淬滅的問題，當將主體材料的T1能階設定為高於磷光化合物的T1能階時，主體材料的螢光光譜漂移到短波長(高能量)一側，因此該螢光光譜不與客體材料的最長波長(低能量)一側的吸收帶中的光譜重疊。從而，通常，難以將主體材料的螢光光譜與客體材料的最長波長(低能量)一側的吸收帶中的吸收光譜重疊並最大限度地提高主體材料的從單重激發態的能量轉移。
    於是，在本實施方式中，第一有機化合物和第二有機化合物的組合較佳為是形成激基複合物(也稱為“exciplex”)的組合。此時，當在發光層204中載子(電子及電洞)重新結合時，第一有機化合物206和第二有機化合物207形成激基複合物。由此，在發光層204中，第一有機化合物206的螢光光譜及第二有機化合物207的螢光光譜轉換為位於更長波長一側的激基複合物的發射光譜。並且，如果為了使激基複合物的發射光譜與客體材料的吸收光譜的重疊的部分變大而選擇第一有機化合物和第二有機化合物，則可以最大限度地提高從單重激發態的能量轉移。另外，關於三重激發態，也可以認為產生來自激基複合物的能量轉移，而不產生來自主體材料的能量轉移。
    作為磷光化合物205，使用實施方式1所示的磷光有機金屬銥錯合物。另外，作為第一有機化合物206和第二有機化合物207的組合，只要是產生激基複合物的組合即可，但是，較佳為組合容易接受電子的化合物(電子捕獲化合物)和容易接受電洞的化合物(電洞捕獲化合物)。
    作為容易接受電子的化合物，例如可以舉出2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f，h]喹噁啉(簡稱：2mDBTPDBq-II)、2-[4-(3,6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉(簡稱：2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉(簡稱：7mDBTPDBq-II)和6-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉(簡稱：6mDBTPDBq-II)。
    作為容易接受電洞的化合物，例如可以舉出4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBA1BP)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)、4,4’,4”-三[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]三苯胺(簡稱：1’-TNATA)、2,7-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-螺環-9,9’-聯茀(簡稱：DPA2SF)、N,N’-雙(9-苯基咔唑-3-基)-N,N’-二苯基苯-1,3-二胺(簡稱：PCA2B)、N-(9,9-二甲基-2-N’,N’-二苯基氨基-9H-茀-7-基)二苯基胺(簡稱：DPNF)、N,N’,N”-三苯基-N,N’,N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1,3,5-三胺(簡稱：PCA3B)、2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]螺環-9,9’-聯茀(簡稱：PCASF)、2-[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]螺環-9,9’-聯茀(簡稱：DPASF)、N,N’-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基-9,9-二甲基茀-2,7-二胺(簡稱：YGA2F)、4,4’-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：TPD)、4,4’-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DPAB)、N-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-N-{9,9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)氨基]-9H-茀-7-基}苯基胺(簡稱：DFLADFL)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3-[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA1)、3,6-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA2)、4,4’-雙(N-{4-[N’-(3-甲基苯基)-N’-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)聯苯(簡稱：DNTPD)、3,6-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-(1-萘基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzTPN2)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)。
    上述第一有機化合物206和第二有機化合物207的組合不侷限於此，只要是能夠形成激基複合物的組合，該激基複合物的發射光譜與磷光化合物205的吸收光譜重疊，與磷光化合物205的吸收光譜的峰值相比，該激基複合物的發射光譜的峰值位於長波長即可。
    另外，在由容易接受電子的化合物和容易接受電洞的化合物構成第一有機化合物206和第二有機化合物207時，可以根據其混合比控制載子平衡。明確而言，較佳第一有機化合物和第二有機化合物的比例為1：9至9：1。
    因為本實施方式所示的發光元件能夠由於利用激基複合物的發射光譜與磷光化合物的吸收光譜的重疊的能量轉移而提高能量轉移效率，所以可以實現外部量子效率高的發光元件。
    另外，作為包括在本發明中的其他結構，也可以採用如下結構：作為磷光化合物205(客體材料)的其他兩種有機化合物使用電洞捕獲性的主體分子及電子捕獲性的主體分子來形成發光層204，以便得到將電洞和電子導入到存在於兩種主體分子中的客體分子而使客體分子成為激發態的現象(即，Guest Coupled with Complementary Hosts：GCCH，客體與互補主體的耦合)。
    此時，作為具有電洞捕獲性的主體分子及具有電子捕獲性的主體分子，分別可以使用上述容易接受電洞的化合物及容易接受電子的化合物。
    另外，雖然本實施方式所示的發光元件是發光元件的結構的一個例子，但是也可以將其他實施方式所示的其他結構的發光元件應用於本發明的一個具體實例的發光裝置。此外，作為包括上述發光元件的發光裝置，可以製造被動矩陣型發光裝置和主動矩陣型發光裝置。還可以製造在其他實施方式所說明的包括與上述發光元件不同的發光元件的發光元件的微腔結構的發光裝置。上述發光裝置的每一個包括在本發明中。
    另外，在主動矩陣型發光裝置的情況下，對TFT的結構沒有特別的限制。例如，可以適當地使用交錯型TFT或反交錯型TFT。此外，形成在TFT基板上的驅動電路可以由n型TFT和p型TFT中的一者或兩者形成。並且，對用於TFT的半導體膜的結晶性也沒有特別的限制。例如，可以使用非晶半導體膜、結晶半導體膜和氧化物半導體膜等。
    另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。 實施方式4
    在本實施方式中，作為本發明的一個具體實例，對隔著電荷產生層具有多個EL層的結構的發光元件(以下，稱為串聯型發光元件)進行說明。
    本實施方式所示的發光元件是如圖3A所示那樣的在一對電極(第一電極301與第二電極304)之間具有多個EL層(第一EL層302(1)和第二EL層302(2))的串聯型發光元件。
    在本實施方式中，第一電極301是用作陽極的電極，第二電極304是用作陰極的電極。另外，作為第一電極301及第二電極304，可以採用與實施方式1相同的結構。此外，雖然多個EL層(第一EL層302(1)和第二EL層302(2))可以具有與實施方式1或實施方式2所示的結構相同的結構，但是也可以上述EL層中的任一個具有與實施方式1或實施方式2所示的結構相同的結構。換言之，第一EL層302(1)和第二EL層302(2)既可以具有相同結構，又可以具有不同的結構，作為其結構，可以應用與實施方式1或實施方式2相同的結構。
    另外，在多個EL層(第一EL層302(1)和第二EL層302(2))之間設置有電荷產生層(I)305。電荷產生層(I)305具有如下功能：當對第一電極301和第二電極304施加電壓時，將電子注入到一方的EL層中，且將電洞注入到另一方的EL層中。在本實施方式中，當對第一電極301施加電壓以使其電位高於第二電極304時，電子從電荷產生層(I)305被注入到第一EL層302(1)中，且將電洞注入到第二EL層302(2)中。
    另外，從光提取效率的觀點來看，電荷產生層(I)305較佳為具有透射可見光的性質(明確而言，對於電荷產生層(I)305的可見光的透射率為40%以上)。另外，電荷產生層(I)305即使在其電導率小於第一電極301或第二電極304也發揮作用。
    電荷產生層(I)305既可以具有對電洞傳輸性高的有機化合物添加有電子受體(受體)的結構，又可以具有對電子傳輸性高的有機化合物添加有電子給體(施體)的結構。或者，也可以層疊有這兩種結構。
    在採用對電洞傳輸性高的有機化合物添加有電子受體的結構的情況下，作為電洞傳輸性高的有機化合物，例如可以使用芳族胺化合物諸如NPB、TPD、TDATA、MTDATA或4,4’-雙[N-(螺-9,9’-聯茀-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：BSPB)等。在此所述的物質主要是電洞遷移率為10-6cm2/Vs以上的物質。但是，只要是電洞傳輸性比電子傳輸性高的有機化合物，就可以使用上述物質之外的物質。
    另外，作為電子給體，可以舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟喹啉並二甲烷(簡稱：F4-TCNQ)、氯醌(chloranil)等。另外，還可以舉出過渡金屬氧化物。另外，可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，較佳為使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，這是因為它們具有高電子接受性。尤其，較佳為使用氧化鉬，因為氧化鉬在大氣中穩定且其吸濕性低，所以容易進行處理。
    另一方面，在採用對電子傳輸性高的有機化合物添加有電子給體的結構的情況下，作為電子傳輸性高的有機化合物，例如可以使用具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬錯合物等諸如Alq、Almq3、BeBq2或BAlq等。此外，除此之外，還可以使用具有噁唑基配體或噻唑基配體的金屬錯合物等諸如Zn(BOX)2或Zn(BTZ)2等。再者，除了金屬錯合物之外，還可以使用PBD、OXD-7、TAZ、Bphen、BCP等。在此所述的物質主要是電子遷移率為10-6 cm2/Vs以上的物質。另外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的有機化合物，就可以使用上述物質之外的物質。
    另外，作為電子給體，可以使用鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、屬於元素週期表中第2、13族的金屬及它們的氧化物和碳酸鹽。明確而言，較佳為使用鋰(Li)、銫(Cs)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鐿(Yb)、銦(In)、氧化鋰、碳酸銫等。此外，也可以將如四硫萘並萘(tetrathianaphthacene)的有機化合物用作電子給體。
    另外，藉由使用上述材料形成電荷產生層(I)305，可以抑制層疊EL層造成的驅動電壓的增大。
    雖然在本實施方式中，對具有兩個EL層的發光元件進行說明，但是，如圖3B所示那樣，本發明的一個具體實例可以同樣地應用於層疊n個(注意，n是3以上)EL層的發光元件。如根據本實施方式的發光元件那樣，當在一對電極之間具有多個EL層時，藉由將電荷產生層(I)設置在EL層與EL層之間，可以在保持低電流密度的同時實現高亮度區域中的發光。因為可以保持低電流密度，所以可以實現長壽命元件。另外，當作為應用例子採用照明時，因為可以減少由於電極材料的電阻導致的電壓下降，所以可以實現大面積的均勻發光。此外，可以實現能夠進行低電壓驅動且耗電量低的發光裝置。
    此外，藉由使各EL層發射互不相同顏色的光，可以使發光元件整體發射所需顏色的光。例如，在具有兩個EL層的發光元件中，使第一EL層的發光顏色和第二EL層的發光顏色處於補色關係，因此作為整體發光元件可以得到發射白色發光的發光元件。注意，詞語“補色關係”表示當顏色混合時得到非彩色的顏色關係。也就是說，藉由將從發射具有補色關係的顏色的光的物質得到的光混合，可以得到白色發光。
    另外，具有三個EL層的發光元件的情況也與此同樣，例如，當第一EL層的發射色是紅色，第二EL層的發射色是綠色，第三EL層的發射色是藍色時，發光元件作為整體可以得到白色發光。
    注意，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。 實施方式5
    在本實施方式中，作為本發明的一個具體實例的利用磷光發光的發光裝置，對使用磷光有機金屬銥錯合物的發光裝置進行說明。
    本實施方式所示的發光裝置具有利用一對電極之間的光的共振效應的光學微諧振腔(micro optical resonator)(微腔)結構，如圖4所示具有多個發光元件，該發光元件包括在一對電極(反射電極401與半透過．半反射電極402)之間至少具有EL層405的結構。另外，EL層405至少具有用作發光區域的發光層404，除此之外，EL層405還可以包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產生層(E)等。此外，在發光層404中，包含本發明的一個具體實例的磷光有機金屬銥錯合物。
    在本實施方式中，如圖4所示，對包括具有不同結構的發光元件(第一發光元件(R)410R、第二發光元件(G)410G和第三發光元件(B)410B)而構成的發光裝置進行說明。
    第一發光元件(R)410R具有在反射電極401上依次層疊有如下層的結構：第一透明導電層403a；其一部分包括第一發光層(B)404B、第二發光層(G)404G和第三發光層(R)404R的EL層405；以及半透射．半反射電極402。另外，第二發光元件(G)410G具有在反射電極401上依次層疊有第二透明導電層403b、EL層405以及半透射．半反射電極402的結構。另外，第三發光元件(B)410B具有在反射電極401上依次層疊有EL層405及半透射．半反射電極402的結構。
    另外，上述發光元件(第一發光元件(R)410R、第二發光元件(G)410G、第三發光元件(B)410B)都具有反射電極401、EL層405以及半透射．半反射電極402。此外，在第一發光層(B)404B中發射在420nm以上且480nm以下的波長區域中具有峰值的光(λB)，在第二發光層(G)404G中發射在500nm以上且550nm以下的波長區域中具有峰值的光(λG)，而在第三發光層(R)404R中發射在600nm以上且760nm以下的波長區域中具有峰值的光(λR)。由此，可以使任何發光元件(第一發光元件(R)410R、第二發光元件(G)410G及第三發光元件(B)410B)都發射將來自第一發光層(B)404B、第二發光層(G)404G及第三發光層(R)404R的發光重疊而成的光，即及於可見光區的寬(broad)的發射光譜。注意，根據上述記載，波長的長度滿足λB<λG<λR的關係。
    本實施方式所示的各發光元件分別具有在反射電極401與半透射．半反射電極402之間夾有EL層405的結構，並且從包括在EL層405中的各發光層向全方向射出的發光由具有光學微諧振腔(微腔)的功能的反射電極401和半透射．半反射電極402共振。另外，反射電極401使用具有反射性的導電材料形成，可見光的對該膜的反射率為40%至100%，較佳為70%至100%，並且該膜的電阻率為1×10-2Ωcm以下。另外，半透射．半反射電極402使用具有反射性的導電材料和具有透光性的導電材料形成，可見光的對該膜的反射率為20%至80%，較佳為40%至70%，並且該膜的電阻率為1×10-2Ωcm以下。
    另外，在本實施方式中，藉由使分別設置在第一發光元件(R)410R和第二發光元件(G)410G中的透明導電層(第一透明導電層403a、第二透明導電層403b)的厚度彼此不同，來根據每個發光元件改變反射電極401與半透射．半反射電極402之間的光程。換言之，在反射電極401與半透射．半反射電極402之間，可以使從各發光元件的各發光層發射的寬的發射光譜中的共振的波長的光變強並可以使其中的不共振的波長的光衰減，所以藉由根據每個元件改變反射電極401與半透射．半反射電極402之間的光程，可以取出不同波長的光。
    另外，在第一發光元件(R)410R中從反射電極401到半透射．半反射電極402的總厚度為mλR/2(注意，m是自然數)，在第二發光元件(G)410G中從反射電極401到半透射．半反射電極402的總厚度為mλG/2(注意，m是自然數)，並且在第三發光元件(B)410B中從反射電極401到半透射．半反射電極402的總厚度為mλB/2(注意，m是自然數)。
    如上所述，從第一發光元件(R)410R主要取出在包括於EL層405中的第三發光層(R)404R中發射的光(λR)，從第二發光元件(G)410G主要取出在包括於EL層405中的第二發光層(G)404G中發射的光(λG)，並且從第三發光元件(B)410B主要取出在包括於EL層405中的第一發光層(B)404B中發射的光(λB)。另外，從各發光元件取出的光分別從半透射．半反射電極402一側射出。
    另外，在上述結構中，嚴格而言，可以將從反射電極401到半透射．半反射電極402的總厚度稱為從反射電極401中的反射區域到半透射．半反射電極402中的反射區域的總厚度。但是，難以嚴格地決定反射電極401或半透射．半反射電極402中的反射區域的位置，所以藉由假定反射電極401和半透射．半反射電極402中的任意的位置為反射區域來可以充分地獲得上述效果。
    接著，在第一發光元件(R)410R中，藉由將從反射電極401到第三發光層(R)404R的光程調節為所希望的厚度((2m’+1)λR/4(注意，m’是自然數))，可以放大來自第三發光層(R)404R的發光。因為來自第三發光層(R)404R的發光中的由反射電極401反射而回來的光(第一反射光)與從第三發光層(R)404R直接入射到半透射．半反射電極402的光(第一入射光)發生干擾，所以藉由將從反射電極401到第三發光層(R)404R的光程調節為所希望的值((2m’+1)λR/4(注意，m’是自然數))，可以使第一反射光與第一入射光的相位一致，從而可以放大來自第三發光層(R)404R的發光。
    另外，嚴格而言，可以將反射電極401與第三發光層(R)404R之間的光程稱為反射電極401中的反射區域與第三發光層(R)404R中的發光區域之間的光程。但是，難以嚴格地決定反射電極401中的反射區域或第三發光層(R)404R中的發光區域的位置，所以藉由假定反射電極401中的任意的位置為發光區域且假定第三發光層(R)404R中的任意的位置為反射區域，來可以充分地獲得上述效果。
    接著，在第二發光元件(G)410G中，藉由將從反射電極401到第二發光層(G)404G的光程調節為所希望的厚度((2m”+1)λG/4(注意，m”是自然數))，可以放大來自第二發光層(G)404G的發光。因為來自第二發光層(G)404G的發光中的由反射電極401反射而回來的光(第二反射光)與從第二發光層(G)404G直接入射到半透射．半反射電極402的光(第二入射光)發生干擾，所以藉由將從反射電極401到第二發光層(G)404G的光程調節為所希望的值((2m”+1)λG/4(注意，m”是自然數))，可以使第二反射光與第二入射光的相位一致，從而可以放大來自第二發光層(G)404G的發光。
    另外，嚴格而言，可以將反射電極401與第二發光層(G)404G之間的光程稱為反射電極401中的反射區域與第二發光層(G)404G中的發光區域之間的光程。但是，難以嚴格地決定反射電極401中的反射區域或第二發光層(G)404G中的發光區域的位置，所以藉由假定反射電極401中的任意的位置為反射區域且假定第二發光層(G)404G中的任意的位置為發光區域，來可以充分地獲得上述效果。
    接著，在第三發光元件(B)410B中，藉由將從反射電極401到第一發光層(B)404B的光程調節為所希望的厚度((2m”’+1)λB/4(注意，m”’是自然數))，可以放大來自第一發光層(B)404B的發光。因為來自第一發光層(B)404B的發光中的由反射電極401反射而回來的光(第三反射光)與從第一發光層(B)404B直接入射到半透射．半反射電極402的光(第三入射光)發生干擾，所以藉由將從反射電極401到第一發光層(B)404B的光程調節為所希望的值((2m”’+1)λB/4(注意，m”’是自然數))，可以使第三反射光與第三入射光的相位一致，從而可以放大來自第一發光層(B)404B的發光。
    另外，在第三發光元件中，嚴格而言，可以將反射電極401與第一發光層(B)404B之間的光程稱為反射電極401中的反射區域與第一發光層(B)404B中的發光區域之間的光程。但是，難以嚴格地決定反射電極401中的反射區域或第一發光層(B)404B中的發光區域的位置，所以藉由假定反射電極401中的任意的位置為反射區域且假定第一發光層(B)404B中的任意的位置為發光區域，來可以充分地獲得上述效果。
    另外，在上述結構中，示出每個發光元件具有在EL層中包括多個發光層的結構，但是本發明不侷限於此。例如，也可以採用如下結構：將上述結構與實施方式4所說明的串聯型發光元件組合，隔著電荷產生層在一個發光元件中設置多個EL層，且在各EL層中形成一個或多個發光層。
    本實施方式所示的發光裝置具有微腔結構，即使具有相同的EL層，也能夠提取根據發光元件不同的波長的光，因此不需要RGB的分別塗覆。從而，根據容易實現高精細化等的理由，從實現全彩色化的角度來看上述結構是有利的。另外，因為能夠加強特定波長的正面方向的發光強度，所以可以實現低耗電量化。該結構是當將其應用於使用三種顏色以上的像素的彩色顯示器(影像顯示裝置)時特別有效的，但是也可以將其用於照明等的用途。 實施方式6
    在本實施方式中，對具有將本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物用於發光層的發光元件的發光裝置進行說明。
    另外，上述發光裝置既可以是被動矩陣型發光裝置，又可以是主動矩陣型發光裝置。此外，可以將其他實施方式所說明的發光元件應用於本實施方式所示的發光裝置。
    在本實施方式中，參照圖5A和圖5B對主動矩陣型發光裝置進行說明。
    另外，圖5A是示出發光裝置的俯視圖，圖5B是沿圖5A中的虛線A-A’切割的剖面圖。根據本實施方式的主動矩陣型發光裝置具有設置在元件基板501上的像素部502、驅動電路部(源極線驅動電路)503以及驅動電路部(閘極線驅動電路)504。將像素部502、驅動電路部503及驅動電路部504由密封材料505密封在元件基板501與密封基板506之間。
    此外，在元件基板501上設置用來連接對驅動電路部503及驅動電路部504傳達來自外部的信號(例如，視頻信號、時脈信號、起始信號或重設信號等)或電位的外部輸入端子的引線配線507。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC(撓性印刷電路)508的例子。另外，雖然在此只表示FPC，但是該FPC也可以安裝有印刷線路板(PWB)。本說明書中的發光裝置不僅包括發光裝置主體，而且還包括安裝有FPC或PWB的發光裝置。
    接著，參照圖5B說明剖面結構。在元件基板501上形成有驅動電路部及像素部，但是在此示出源極線驅動電路的驅動電路部503及像素部502。
    驅動電路部503示出形成有組合n通道型TFT509和p通道型TFT510的CMOS電路的例子。另外，驅動電路部也可以使用由TFT形成的各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。此外，在本實施方式中，雖然示出將驅動電路形成在基板上的驅動器一體型，但是不一定需要如此，也可以將驅動電路形成在外部而不形成在基板上。
    此外，像素部502由包括開關用TFT511、電流控制用TFT512及與電流控制用TFT512的佈線(源極電極或汲極電極)電連接的第一電極(陽極)513的多個像素形成。另外，以覆蓋第一電極(陽極)513的端部的方式形成有絕緣物514。在此，使用正型的光敏丙烯酸樹脂形成絕緣物514。
    另外，為了提高層疊在絕緣物514上的膜的覆蓋率，較佳在絕緣物514的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，在作為絕緣物514的材料使用正型的光敏丙烯酸樹脂的情況下，較佳為使絕緣物514的上端部具備具有曲率半徑(0.2μm至3μm)的曲面。此外，作為絕緣物514，可以使用藉由光照射不溶於蝕刻劑的感光性的負型和藉由光照射溶於蝕刻劑的感光性的正型的兩者，不侷限於有機化合物，而還可以使用無機化合物諸如氧化矽、氧氮化矽等。
    在第一電極(陽極)513上層疊形成有EL層515及第二電極(陰極)516。在EL層515中至少設置有發光層，且在發光層中包含本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物。另外，在EL層515中，除了發光層之外，可以適當地設置電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產生層等。
    另外，由第一電極(陽極)513、EL層515及第二電極(陰極)516的疊層結構形成發光元件517。作為用於第一電極(陽極)513、EL層515及第二電極(陰極)516的材料，可以使用實施方式1所示的材料。此外，雖然在此未圖示，但是第二電極(陰極)516與作為外部輸入端子的FPC508電連接。
    此外，雖然在圖5B所示的剖面圖中僅示出一個發光元件517，但是，在像素部502中以矩陣形狀配置有多個發光元件。在像素部502中分別選擇性地形成能夠得到三種(R、G、B)發光的發光元件，以可以形成能夠進行全彩色顯示的發光裝置。此外，也可以藉由與濾色片組合來實現能夠進行全彩色顯示的發光裝置。
    再者，藉由利用密封材料505將密封基板506與元件基板501貼合在一起，得到在由元件基板501、密封基板506及密封材料505圍繞的空間518中具備有發光元件517的結構。另外，除了空間518填充有惰性氣體(氮、氬等)的結構以外，還有空間518填充有密封材料505的結構。
    另外，作為密封材料505，較佳為使用環氧類樹脂。另外，這些材料較佳為是儘量不透過水分、氧的材料。此外，作為用於密封基板506的材料，除了玻璃基板、石英基板之外，還可以使用由FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics：玻璃纖維強化塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸樹脂等構成的塑膠基板。
    藉由上述步驟，可以得到主動矩陣型發光裝置。
    另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。 實施方式7
    在本實施方式中，參照圖6A至圖6D對使用應用本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物來製造的發光裝置的各式的電子裝置的一個例子進行說明。
    作為應用發光裝置的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝像機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再現裝置、彈珠機等的大型遊戲機等。圖6A至圖6D示出這些電子裝置的具體例子。
    圖6A示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101組裝有顯示部7103。由顯示部7103能夠顯示影像，並可以將發光裝置用於顯示部7103。此外，在此示出利用支架7105支撐外殼7101的結構。
    可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關、另外提供的遙控器7110進行電視機7100的操作。藉由利用遙控器7110所具備的操作鍵7109，可以進行頻道及音量的操作，並可以對在顯示部7103上顯示的影像進行操作。此外，也可以採用在遙控器7110中設置顯示從該遙控器7110輸出的資訊的顯示部7107的結構。
    另外，電視機7100採用具備接收機及資料機等的結構。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由資料機將電視機7100連接到有線或無線方式的通信網路，從而進行單向(從發送者到接收者)或雙向(在發送者和接收者之間或在接收者之間等)的資訊通信。
    圖6B示出電腦，包括主體7201、外殼7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接埠7205、指向裝置7206等。此外，該電腦是藉由將發光裝置用於其顯示部7203來製造的。
    圖6C示出可攜式遊戲機，包括外殼7301和外殼7302的兩個外殼，並且藉由連接部7303可以開閉地連接。外殼7301組裝有顯示部7304，而外殼7302組裝有顯示部7305。此外，圖6C所示的可攜式遊戲機還具備揚聲器部7306、記錄媒體插入部7307、LED燈7308、輸入單元(操作鍵7309、連接端子7310、感測器7311(包括測定如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動數、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風7312)等。當然，可攜式遊戲機的結構不侷限於上述結構，只要在顯示部7304及顯示部7305的兩者或一方中使用發光裝置，即可。此外，還可以採用適當地設置其他輔助設備的結構。圖6C所示的可攜式遊戲機具有如下功能：讀出儲存在記錄媒體中的程式或資料並將其顯示在顯示部上；以及藉由與其他可攜式遊戲機進行無線通信而實現資訊共用。另外，圖6C所示的可攜式遊戲機的功能不侷限於此，而可以具有各式的其他功能。
    圖6D示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400除了組裝在外殼7401中的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，行動電話機7400將發光裝置用於顯示部7402來製造。
    圖6D所示的行動電話機7400可以用手指等觸摸顯示部7402來輸入資訊。此外，可以用手指等觸摸顯示部7402來進行打電話或製作電子郵件的操作。
    顯示部7402的螢幕主要有如下三個模式：第一是以影像顯示為主的顯示模式；第二是以文字等資訊輸入為主的輸入模式；第三是混合顯示模式與輸入模式的兩個模式的顯示及輸入模式。
    例如，在打電話或製作電子郵件的情況下，將顯示部7402設定為以文字輸入為主的文字輸入模式，並進行顯示在螢幕的文字的輸入操作，即可。在此情況下，較佳的是，在顯示部7402的螢幕的大多部分上顯示鍵盤或號碼按鈕。
    另外，藉由在行動電話機7400內部設置具有陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置，判斷行動電話機7400的方向(縱向或橫向)，而可以對顯示部7402的螢幕顯示進行自動切換。
    此外，藉由觸摸顯示部7402或對外殼7401的操作按鈕7403進行操作，切換螢幕模式。也可以根據顯示在顯示部7402上的影像種類切換螢幕模式。例如，當顯示在顯示部上的影像信號為動態影像的資料時，將螢幕模式切換成顯示模式，而當顯示在顯示部上的影像信號為文字資料時，將螢幕模式切換成輸入模式。
    另外，當輸入模式時，信號由顯示部7402中的光感測器檢測，當在一定期間中沒有顯示部7402的觸摸操作輸入時，也可以以將螢幕模式從輸入模式切換成顯示模式的方式來等進行控制。
    還可以將顯示部7402用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進行身份識別。此外，藉由在顯示部中使用發射近紅外光的背光或發射近紅外光的感測光源，也可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。
    藉由上述步驟，可以應用本發明的一個具體實例的發光裝置而得到電子裝置。發光裝置的應用範圍極為寬，而可以應用於所有領域的電子裝置。
    另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。 實施方式8
    在本實施方式中，參照圖7對應用包含本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物的發光裝置的照明設備的一個例子進行說明。
    圖7是將發光裝置用於室內照明設備8001的例子。另外，因為發光裝置可以實現大面積化，所以也可以形成大面積的照明設備。此外，也可以藉由使用具有曲面的外殼來形成發光區域具有曲面的照明設備8002。包括在本實施方式所示的照明設備中的發光元件為薄膜狀，外殼的設計的自由度高。因此，可以形成精心設計的照明設備。再者，室內的牆面也可以具備大型的照明設備8003。
    另外，藉由將發光裝置用於桌子的表面，可以提供具有桌子的功能的照明設備8004。此外，藉由將發光裝置用於其他傢俱的一部分，可以提供具有傢俱的功能的照明設備。
    如上所述，可以得到應用發光裝置的各式的照明設備。另外，這種照明設備包括在本發明的一個具體實例中。
    另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。 實施例1 《合成例1》
    在本實施例中，對以實施方式1的結構式(100)表示的本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物的(乙醯丙酮根)雙[2,4-二苯基-1,3,5-三根(triazinato))銥(III)(簡稱：[Ir(dptzn)2(acac)])的合成方法進行說明。另外，下面示出[Ir(dptzn)2(acac)](簡稱)的結構。
    <步驟1：2,4-二苯基-1,3,5-三(簡稱：Hdptzn)的合成>
    首先，將9.63g的苄脒鹽酸鹽和10.19g的金試劑(別名：(二甲基氨基亞甲基氨基亞甲基)二甲基氯化銨，Sigma-Aldrich(西格瑪-奧德里奇)公司製造)放在燒瓶中，並使用氮置換燒瓶內部的空氣。在120℃下對該反應容器進行3小時的加熱，並使其起反應。對該反應溶液添加水，並進行過濾。使用甲醇對所得到的殘餘物進行洗滌，得到目的的三衍生物Hdptzn(簡稱)(白色粉末，產率為30%)。以下述(a-1)表示步驟1的合成流程。
    <步驟2：二-μ-氯-雙[雙(2,4-二苯基-1,3,5-三根)銥(III)](簡稱：[Ir(dptzn)2Cl]2)的合成>
    接著，將15mL的2-乙氧基乙醇、5mL的水、2.51g的藉由上述步驟1得到的Hdptzn(簡稱)和1.18g的氯化銥水合物(IrCl3．H2O)放在安裝有回流管的燒瓶中，並使用氬置換燒瓶內部的空氣。然後，照射30分鐘的微波(2.45GHz，100W)，並使其起反應。對反應溶液進行過濾，並使用乙醇對所得到的殘餘物進行洗滌，得到雙核錯合物[Ir(dptzn)2Cl]2(簡稱)(褐色粉末，產率為44%)。以下述(b-1)表示步驟2的合成流程。
    <步驟3：(乙醯丙酮根)雙(2,4-二苯基-1,3,5-三根)銥(III)(簡稱：[Ir(dptzn)2(acac)])的合成>
    並且，將20mL的2-乙氧基乙醇、1.21g的藉由上述步驟2得到的雙核錯合物[Ir(dptzn)2Cl]2(簡稱)、0.27mL的乙醯丙酮、0.92g的碳酸鈉放在安裝有回流管的燒瓶中，並使用氬置換燒瓶內部的空氣。然後，照射30分鐘的微波(2.45GHz，100W)，並使其起反應。在對反應溶液添加二氯甲基，並進行過濾，蒸餾而去除濾液的溶劑之後，利用以己烷和二氯甲烷的混合溶劑(體積比為1/25)為展開溶劑的快速往層析(flash column chromatography)(矽膠)使所得到的殘渣純化，來得到橙色粉末的本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物[Ir(dptzn)2(acac)](簡稱)(產率為10%)。以下述(c-1)表示步驟3的合成流程。
    另外，下面示出利用核磁共振分光法(1H-NMR)對藉由上述步驟3得到的橙色粉末進行分析的結果。此外，圖8示出1H-NMR譜。根據其結果可知，在本合成例1中得到以上述結構式(100)表示的本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物[Ir(dptzn)2(acac)](簡稱)。
    1H-NMR.δ(CDCl3)：1.85(s，6H)，5.31(s，1H)，6.56(dd，2H)，6.88-6.99(m，4H)，7.58-7.68(m，6H)，8.23(dd，2H)，8.72(dd，4H)，9.13(s，2H).
    接著，測量[Ir(dptzn)2(acac)](簡稱)的二氯甲烷溶液的紫外可見吸收光譜(下面，簡單地稱為“吸收光譜”)及發射光譜。當測量吸收光譜時，使用紫外可見分光光度計(由日本分光株式會社製造，V550型)，將二氯甲烷溶液(0.120mmol/L)放在石英皿，並在室溫下進行測量。此外，使用螢光分光光度計(由日本濱松光子株式會社製造，FS920)測量發射光譜，將脫氣的二氯甲烷溶液(0.120mmol/L)放在石英皿，並在室溫下進行測量。
    圖9示出所得到的吸收光譜及發射光譜的測量結果。橫軸表示波長，縱軸表示吸收強度及發光強度。此外，在圖9中表示兩個實線，細的實線表示吸收光譜，粗的實線表示發射光譜。另外，圖9所示的吸收光譜表示從將二氯甲烷溶液(0.120mmol/L)放在石英皿而測量的吸收光譜減去只將二氯甲烷放在石英皿而測量的吸收光譜來得到的結果。
    如圖9所示，本發明的一個具體實例的有機金屬錯合物[Ir(dptzn)2(acac)](簡稱)在605nm具有發光峰值，並且從二氯甲烷溶液觀察到橙色的發光。 實施例2
    在本實施例中，參照圖10對將磷光有機金屬銥錯合物[Ir(dptzn)2(acac)](結構式(100))用於發光層的發光元件進行說明。另外，下面示出在本實施例中使用的材料的化學式。
    《發光元件的製造》
    首先，在由玻璃製造的基板1100上藉由濺射法形成包含氧化矽的氧化錫銦(ITSO)，由此形成用作陽極的第一電極1101。另外，將其厚度設定為110nm，且將其電極面積設定為2mm×2mm。
    接著，作為用來在基板1100上形成發光元件的預處理，使用水對基板表面進行洗滌，在200℃下進行1小時的焙燒，然後進行370秒鐘的UV臭氧處理。
    然後，在將基板放入到其內部被減壓到10-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，並在真空蒸鍍裝置內的加熱室中，在170℃下進行30分鐘的真空焙燒之後，對基板1100進行30分鐘左右的冷卻。
    接著，以使形成有第一電極1101的面朝下的方式將基板1100固定到設置在真空蒸鍍裝置內的支架。在本實施例中，說明如下情況，即藉由真空蒸鍍法，依序形成構成EL層1102的電洞注入層1111、電洞傳輸層1112、發光層1113、電子傳輸層1114及電子注入層1115。
    在使真空裝置的內部減壓到10-4Pa之後，藉由共蒸鍍1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯(簡稱：DBT3P-II)和氧化鉬(VI)以滿足DBT3P-II(簡稱)：氧化鉬=4：2(品質比)的關係，在第一電極1101上形成電洞注入層1111。將其厚度設定為40nm。另外，共蒸鍍是指使不同的多個物質從不同的蒸發源同時蒸發的蒸鍍法。
    接著，藉由蒸鍍20nm的4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(簡稱：BPAFLP)，來形成電洞傳輸層1112。
    接著，在電洞傳輸層1112上形成發光層1113。共蒸鍍2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉(簡稱：2mDBTPDBq-II)、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：NPB)、(乙醯丙酮根)雙(2,4-二苯基-1,3,5-三根)銥(III)(簡稱：[Ir(dptzn)2(acac)])，以滿足2mDBTPDBq-II(簡稱)：NPB(簡稱)：[Ir(dptzn)2(acac)](簡稱)=0.8：0.2：0.01(品質比)的關係，由此形成發光層1113。將其厚度設定為40nm。
    接著，藉由在發光層1113上蒸鍍10nm的2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉(簡稱：2mDBTPDBq-II)之後，還蒸鍍20nm的紅菲繞啉(簡稱：Bphen)，形成電子傳輸層1114。再者，藉由在電子傳輸層1114上蒸鍍1nm的氟化鋰，形成電子注入層1115。
    最後，在電子注入層1115上蒸鍍200nm厚的鋁膜來形成用作陰極的第二電極1103，而得到發光元件。另外，作為上述蒸鍍過程中的蒸鍍，都採用電阻加熱法。
    表1示出藉由上述步驟得到的發光元件的元件結構。
    此外，在氮氛圍的手套箱中密封所製造的發光元件，以不使發光元件暴露於大氣。 《發光元件的工作特性》
    對所製造的發光元件的工作特性進行測量。另外，在室溫(保持為25℃的氛圍)下進行測量。
    首先，圖11示出發光元件的亮度-電流效率特性。另外，在圖11中，縱軸表示電流效率(cd/A)，橫軸表示亮度(cd/m2)。此外，圖12示出發光元件的電壓-亮度特性。另外，在圖12中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電壓(V)。此外，下面的表2示出1000cd/m2附近的發光元件的主要初期特性值。
    由上述結果可知，因為在本實施例中製造的發光元件表示高外部量子效率，所以表示高發光效率。並且可知，關於色純度，呈現高純度的橙色發光。
    此外，圖13示出以25mA/cm2的電流密度使電流流到發光元件時的發射光譜。如圖13所示，發光元件的發射光譜在583nm具有峰值，由此可知，發射光譜來源於磷光有機金屬銥錯合物[Ir(dptzn)2(acac)](簡稱)的發光。
    101‧‧‧第一電極
    102‧‧‧EL層
    103‧‧‧第二電極
    111‧‧‧電洞注入層
    112‧‧‧電洞傳輸層
    113‧‧‧發光層
    114‧‧‧電子傳輸層
    115‧‧‧電子注入層
    116‧‧‧電荷產生層
    201‧‧‧陽極
    202‧‧‧陰極
    203‧‧‧EL層
    204‧‧‧發光層
    205‧‧‧磷光化合物
    206‧‧‧第一有機化合物
    207‧‧‧第二有機化合物
    301‧‧‧第一電極
    302(1)‧‧‧第一EL層
    302(2)‧‧‧第二EL層
    304‧‧‧第二電極
    305‧‧‧電荷產生層(I)
    401‧‧‧反射電極
    402‧‧‧半透過．半反射電極
    403a‧‧‧第一透明導電層
    403b‧‧‧第二透明導電層
    404B‧‧‧第一發光層(B)
    404G‧‧‧第二發光層(G)
    404R‧‧‧第三發光層(R)
    405‧‧‧EL層
    410R‧‧‧第一發光元件(R)
    410G‧‧‧第二發光元件(G)
    410B‧‧‧第三發光元件(B)
    501‧‧‧元件基板
    502‧‧‧像素部
    503‧‧‧驅動電路部(源極線驅動電路)
    504‧‧‧驅動電路部(閘極線驅動電路)
    505‧‧‧密封材料
    506‧‧‧密封基板
    507‧‧‧佈線
    508‧‧‧FPC(撓性印刷電路)
    509‧‧‧n通道型TFT
    510‧‧‧p通道型TFT
    511‧‧‧開關用TFT
    512‧‧‧電流控制用TFT
    513‧‧‧第一電極(陽極)
    514‧‧‧絕緣物
    515‧‧‧EL層
    516‧‧‧第二電極(陰極)
    517‧‧‧發光元件
    518‧‧‧空間
    1100‧‧‧基板
    1101‧‧‧第一電極
    1102‧‧‧EL層
    1103‧‧‧第二電極
    1111‧‧‧電洞注入層
    1112‧‧‧電洞傳輸層
    1113‧‧‧發光層
    1114‧‧‧電子傳輸層
    1115‧‧‧電子注入層
    7100‧‧‧電視機
    7101‧‧‧外殼
    7103‧‧‧顯示部
    7105‧‧‧支架
    7107‧‧‧顯示部
    7109‧‧‧操作鍵
    7110‧‧‧遙控器
    7201‧‧‧主體
    7202‧‧‧外殼
    7203‧‧‧顯示部
    7204‧‧‧鍵盤
    7205‧‧‧外部連接埠
    7206‧‧‧指向裝置
    7301‧‧‧外殼
    7302‧‧‧外殼
    7303‧‧‧連接部
    7304‧‧‧顯示部
    7305‧‧‧顯示部
    7306‧‧‧揚聲器部
    7307‧‧‧記錄媒體插入部
    7308‧‧‧LED燈
    7309‧‧‧操作鍵
    7310‧‧‧連接端子
    7311‧‧‧感測器
    7312‧‧‧麥克風
    7400‧‧‧行動電話機
    7401‧‧‧外殼
    7402‧‧‧顯示部
    7403‧‧‧操作按鈕
    7404‧‧‧外部連接埠
    7405‧‧‧揚聲器
    7406‧‧‧麥克風
    8001‧‧‧照明設備
    8002‧‧‧照明設備
    8003‧‧‧照明設備
    8004‧‧‧照明設備
    在圖式中：圖1是說明發光元件的結構的圖；圖2是說明發光元件的結構的圖；圖3A和圖3B是說明發光元件的結構的圖；圖4是說明發光裝置的圖；圖5A和圖5B是說明發光裝置的圖；圖6A至圖6D是說明電子裝置的圖；圖7是說明照明設備的圖；圖8是以結構式(100)表示的有機金屬錯合物的1H-NMR譜；圖9是以結構式(100)表示的有機金屬錯合物的紫外-可見吸收光譜及發射光譜；圖10是說明發光元件的圖；圖11是示出發光元件的亮度-電流效率特性的圖；圖12是示出發光元件的電壓-亮度特性的圖；圖13是示出發光元件的發射光譜的圖。
    101‧‧‧第一電極
    102‧‧‧EL層
    103‧‧‧第二電極
    111‧‧‧電洞注入層
    112‧‧‧電洞傳輸層
    113‧‧‧發光層
    114‧‧‧電子傳輸層
    115‧‧‧電子注入層
    116‧‧‧電荷產生層
    权利要求:
    Claims (16)
    [1] 一種以通式(G1)表示的有機金屬錯合物， 其中：R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴和經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基中的任一個；R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基；Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基；並且，M表示第9族元素或第10族元素。
    [2] 根據申請專利範圍第1項之有機金屬錯合物，其中M是銥(Ir)或鉑(Pt)。
    [3] 根據申請專利範圍第1項之有機金屬錯合物，其中：該有機金屬錯合物以通式(G2)表示； 並且，R3至R6分別地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基、鹵基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基和經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基中的任一個。
    [4] 根據申請專利範圍第3項之有機金屬錯合物，其中M是銥(Ir)或鉑(Pt)。
    [5] 一種以通式(G3)表示的有機金屬錯合物， 其中：L表示單陰離子配體；R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴和經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基中的任一個；R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基；Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基；M表示第9族元素或第10族元素；並且，當M是第9族元素時，n是2，而當M是第10族元素時，n是1。
    [6] 根據申請專利範圍第5項之有機金屬錯合物，其中M是銥(Ir)或鉑(Pt)。
    [7] 根據申請專利範圍第5項之有機金屬錯合物，其中該單陰離子配體是具有β-二酮結構的單陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚系羥基的單陰離子雙齒螯合配體和兩個配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體中的任一個。
    [8] 根據申請專利範圍第5項之有機金屬錯合物，其中：該單陰離子配體以通式(L1)至(L7)中的任一個表示； R11至R48分別地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、鹵基、乙烯基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基和經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基中的任一個；並且，A1至A3分別地表示氮、與氫結合的sp2混成碳以及與碳數為1至4的烷基、鹵基、碳數為1至4的鹵烷基和苯基中的任一個結合的sp2混成碳中的任一個。
    [9] 根據申請專利範圍第5項之有機金屬錯合物，其中：該有機金屬錯合物以通式(G4)表示； 並且，R3至R6分別地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基、鹵基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基和經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基中的任一個。
    [10] 根據申請專利範圍第9項之有機金屬錯合物，其中M是銥(Ir)或鉑(Pt)。
    [11] 根據申請專利範圍第9項之有機金屬錯合物，其中該單陰離子配體是具有β-二酮結構的單陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚系羥基的單陰離子雙齒螯合配體和兩個配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體中的任一個。
    [12] 根據申請專利範圍第9項之有機金屬錯合物，其中：該單陰離子配體以通式(L1)至(L7)中的任一個表示； R11至R48分別地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、鹵基、乙烯基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基和經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基中的任一個；並且，A1至A3分別地表示氮、與氫結合的sp2混成碳以及與碳數為1至4的烷基、鹵基、碳數為1至4的鹵烷基和苯基中的任一個結合的sp2混成碳中的任一個。
    [13] 一種以通式(G5)表示的有機金屬錯合物， 其中：R1表示經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為5至7的單環飽和烴、經取代或未經取代的碳數為7至10的多環飽和烴和經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基中的任一個；R2表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基；Ar1表示經取代或未經取代的碳數為6至10的亞芳基；M表示第9族元素或第10族元素；並且，當M是第9族元素時，n是3，而當M是第10族元素時，n是2。
    [14] 根據申請專利範圍第13項之有機金屬錯合物，其中M是銥(Ir)或鉑(Pt)。
    [15] 根據申請專利範圍第13項之有機金屬錯合物，其中：該有機金屬錯合物以通式(G6)表示； 並且，R3至R6分別地表示氫、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷氧基、經取代或未經取代的碳數為1至4的烷硫基、鹵基、經取代或未經取代的碳數為1至4的鹵烷基和經取代或未經取代的碳數為6至10的芳基中的任一個。
    [16] 根據申請專利範圍第15項之有機金屬錯合物，其中M是銥(Ir)或鉑(Pt)。
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