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    本發明提供一種包含非晶質碳材料、形成與含氟之矽烷偶合劑牢固地結合之底漆層的底漆組合物。本發明之一實施形態之底漆組合物包含含有矽、氧或氮中之至少一種元素之非晶質碳材料。
    公开号:TW201305282A
    申请号:TW101123848
    申请日:2012-07-02
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Kunihiko Shibusawa；Takeshi Sato
    申请人:Taiyo Chemical Industry Co Ltd；
    IPC主号:B41F15-00
    专利说明:
    底漆組合物、包含該組合物所形成之底漆層之構造體及該構造體之製造方法
    本發明係關於一種底漆組合物，尤其是關於一種用作含氟之矽烷偶合劑用之底漆層的底漆組合物。又，本發明係關於一種包含該底漆組合物所形成之底漆層之構造體及該構造體之製造方法。
    本申請案主張基於日本專利申請案2011-147669號(2011年7月1日提出申請)之優先權，並將其全部內容以參照之方式併入至本說明書中。
    以含氟之矽烷偶合劑塗佈基材之表面，由此對基材表面賦予撥油性之表面改質處理已為人所知。例如正在研究以下情況：於絲網印刷用篩網之表面形成包含含氟之矽烷偶合劑之氟塗層，藉此對篩網賦予撥油性，提高對印刷膏之脫模性。含氟之矽烷偶合劑為了確保對篩網之定著性，大多情況下並非直接形成於包含不鏽鋼等金屬之篩網本體上，而是經由底漆層形成。例如已知有於篩網上塗佈液體狀底漆，並於該液體狀底漆上塗佈含氟之矽烷偶合劑之方法(專利文獻1、2)。
    又，已知有以下技術：於電子零件搬送裝置中，以含氟之矽烷偶合劑對設置於吸附夾頭之吸附口之多孔質片材進行塗佈，由此防止搬送對象之電子零件貼附於多孔質片材。於對多孔質片材塗佈含氟之矽烷偶合劑時，亦大多情況下使用液體狀之底漆。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]日本專利特開2006-347062號公報
    [專利文獻2]日本專利特開2009-45867號公報
    然而，若使用液體狀之底漆，則有液體狀之底漆濡濕擴散至篩網或多孔質片材等工件之開口部，而堵塞該開口部之問題。尤其若對絲網印刷用之篩網使用液體狀底漆，則產生因該底漆而印刷圖案開口部被堵塞，無法依照印刷圖案精度佳地塗佈印刷膏之問題。
    因此，想到於篩網表面藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法等乾式製程形成包含類鑽碳(DLC，Diamond-Like Carbon)等非晶質碳材料之非晶質碳膜作為底漆層，並於該DLC膜之上形成氟塗層來代替液體狀之底漆。然而，氟塗層對非晶質碳膜之定著性並不充分。
    因此，藉由本發明之各種實施形態，提供一種包含非晶質碳材料、形成與含氟之矽烷偶合劑牢固地結合之底漆層的底漆組合物。又，藉由本發明之各種實施形態，提供一種包含該底漆組合物所形成之底漆層之構造體及該構造體之製造方法。
    本發明者等人發現，含有由矽(Si)、氧(O)及氮(N)所組成之群中之至少一種之非晶質碳膜與含氟之矽烷偶合劑具有良好之定著性。
    本發明之一實施形態之底漆組合物包含含有矽、氧或氮中之至少一種元素之非晶質碳材料。
    本發明之一實施形態之構造體包括基材及非晶質碳膜層，該非晶質碳膜層直接或間接地形成於上述基材上，且含有矽、氧或氮中之至少一種元素。如此，於本發明之一實施形態中，非晶質碳膜層可直接形成於基材上，亦可經由中間層而間接地形成。
    本發明之一實施形態之構造體之製造方法包括如下步驟：準備基材；及於上述基材上形成含有矽、氧或氮中之至少一種元素之非晶質碳膜層。
    根據本發明之各種實施形態，提供一種包含非晶質碳材料、形成與含氟之矽烷偶合劑牢固地結合之底漆層的底漆組合物。又，根據本發明之各種實施形態，提供一種包含該底漆組合物所形成之底漆層之構造體及該構造體之製造方法。
    參照隨附圖式對本發明之各種實施形態進行說明。於各實施形態中，對類似之構成要素標註類似之參照符號進行說明，適當省略對該類似之構成要素之詳細說明。
    本發明之一實施形態之底漆組合物包含含有矽、氧或氮中之至少一種元素之非晶質碳材料。該底漆組合物被用作各種構造物之底漆層。例如，本發明之一實施形態之底漆組合物被用作於絲網印刷用篩網上形成含氟之矽烷偶合劑時之底漆層。圖1係示意性地表示絲網版之整體構成之平面圖，圖2係示意性地表示本發明之一實施形態之絲網版之剖面圖。於該絲網版上，形成有包含本發明之一實施形態之底漆組合物的底漆層。圖1及圖2係示意性地表示本發明之一實施形態之絲網版之構成，需注意其尺寸未必於圖中準確地示出。
    如圖所示，絲網版10係於包含鐵質之鑄造物、不鏽鋼或鋁合金等之框體12上張貼包含聚酯等樹脂或不鏽鋼(SUS 304)等之篩網16，並於該篩網16之全部或一部分上塗佈乳劑14而構成。
    本發明之一實施形態之篩網16係編織各種材質或線徑之線而製作。構成篩網16之線之表面粗糙度、剖面形狀及彎折方法可根據其用途等適當變更。剖面形狀例如包括圓型、橢圓型、四角形型、多角形型、不定形型及星型。於彎折方法之例中包括平織、斜折及三維形狀折。構成篩網16之線之材料例如為不鏽鋼、鋼鐵、銅、鈦或鎢等金屬或該等之合金。構成篩網16之線之材料亦可為聚丙烯、聚酯、聚乙烯、尼龍、乙烯等化學纖維，嫘縈等混紡纖維，碳纖維，玻璃纖維等無機材料；羊毛、絲、綿或纖維素等天然原材料纖維。例如，作為篩網16，可使用線徑為 15 μm、篩網開口部寬度為24.7 μm、篩網目數為640(於1 inch(吋)寬中存在640根篩網)之編織不鏽鋼而製作之篩網。
    於篩網16中，可利用鍍敷之析出物、接著劑、蒸鍍膜或濺鍍膜等將纖維線彼此上下交叉之部分(交點部分)固定。該鍍敷之析出物係藉由例如電解鍍鎳(Ni)法而形成。於一實施形態中，可壓碎篩網線之交點部分，使篩網16之厚度變薄至相當於1根篩網線之厚度的厚度為止。篩網16之厚度、網目量、篩網開口部之大小之均勻性、篩網開口部之位置、篩網開口部之楔形角度及開口部之形狀等規格並不限定於此處所述者，可根據印刷方法、印刷圖案、印刷對象、所要求之耐久性等適當變更。又，篩網16之開口部之邊緣部適當經倒角。
    篩網16亦可為將複數種篩網組合而成者。例如，可將相同種類之篩網彼此或不同種類之篩網彼此組合。
    如上所述，篩網16通常係藉由編織線狀之原材料而形成，但亦可藉由除此以外之方法而形成。例如，篩網16可藉由電鑄法、印刷法及光微影法而形成。又，篩網16係藉由對基材以雷射加工、蝕刻加工、鑽孔加工、沖孔加工及放電加工等各種方法形成貫通孔而形成。此時形成之貫通孔相當於篩網16之開口部。上述材質或製作方法可適當組合。
    於一實施形態中，例如可使用重氮系之感光乳劑作為乳劑14。於乳劑14中，例如藉由光微影法而形成有對應於印刷圖案之印刷圖案開口部18。印刷圖案開口部18係以於厚度方向上貫穿乳劑14之方式形成。於使用光微影法之情形時，在塗佈於篩網16上之乳劑14中將光罩之遮罩圖案曝光，藉此使乳劑14之一部分硬化，繼而僅使乳劑14中藉由曝光而硬化之部分殘留於篩網16上，將除此以外之部分去除，由此形成印刷圖案開口部18。印刷圖案開口部18係藉由乳劑14之內壁22而劃定。又，亦可代替將形成有印刷圖案之篩網16直接貼附於框體12上，而將框體12張貼於與篩網16不同之支撐篩(未圖示)上，並於該支撐篩上貼附篩網16。於一實施形態中，可利用切割刀等切取支撐篩之與篩網16重疊之部分。印刷圖案開口部18亦可利用光微影法以外之方法形成。例如，於不嚴格要求印刷圖案之再現性之情形時，可任意使用黏土、灰泥等可於篩網上形成印刷圖案開口部之原材料。
    於其他實施形態中，亦可設置形成有印刷圖案開口部18之板狀或箔狀之印刷圖案保持部來代替乳劑14。該印刷圖案保持部例如可由金屬、合金或樹脂等各種材料形成。作為被用作印刷圖案保持部之材料之金屬之一例，包括鋼鐵、銅、Ni、金、銀、鋅、鋁及鈦。作為被用作印刷圖案保持部之材料之合金之一例，包括鋁合金、鈦合金、不鏽鋼合金、鉻-鉬鋼合金、Ni-Co合金或Ni-W合金等二元合金及多元合金。作為被用作印刷圖案保持部之材料之樹脂之一例，包括聚丙烯、聚酯、聚乙烯、尼龍、丙烯酸、PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、PEN(Polyethylene Naphthalate，聚萘二甲酸乙二酯)、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、環氧玻璃及FRP(Fiber Reinforced Plastic，纖維增強塑膠)。除該等以外，亦可使用纖維素、玻璃、陶瓷、腈等合成橡膠或天然橡膠作為印刷圖案保持部之材料。該等材料可適當與其他材料組合使用。由該等材料形成之板狀或箔狀之印刷圖案保持部係貼附於篩網16上。印刷圖案保持部之印刷圖案可於向篩網16貼附之前形成，亦可於貼附後形成。
    於一實施形態中，於篩網16之各線之表面，形成有包含本發明之一實施形態之非晶質碳材料的非晶質碳膜。由於非晶質碳膜為非常薄之膜，故省略圖示。本發明之一實施形態之非晶質碳材料例如係以碳(C)、氫(H)及矽(Si)作為主成分。因此，包含該非晶質碳材料之非晶質碳膜係以C、H、Si作為主成分之a-C：H：Si膜。非晶質碳材料中之Si含量例如為0.1~50原子%，較佳為10~40原子%。本發明之一實施形態之非晶質碳膜例如可使用電漿CVD法形成。作為成為矽之原料之反應氣體，可使用四甲基矽烷、甲基矽烷、二甲基矽烷、三甲基矽烷、二甲氧基二甲基矽烷及四甲基環四矽氧烷等。形成於篩網16上之非晶質碳膜由於與接著劑之親和性較高，故藉由使用接著劑或膠帶，將形成有非晶質碳膜之篩網16確全面固定於框體12。又，本發明之一實施形態之非晶質碳膜由於通常與乳劑14之接著性較高，故可將乳劑14確全面保持於篩網16上。
    進而，於對塗佈於篩網16上之感光性之乳劑14之印刷圖案開口部18部分照射UV(ultraviolet，紫外線)光等高能量之光而形成印刷圖案開口部18之情形時，藉由該曝光之光，將形成於篩網16之表面上之非晶質碳膜氧化(表面活化)。藉此，可使矽烷偶合劑更牢固地定著於篩網16之表面。於一實施形態中，本案之非晶質碳膜係在塗佈於篩網16上之乳劑14中形成印刷圖案開口部18之後，形成於自該印刷圖案開口部18露出之篩網16上。篩網16亦可用於全面印刷(solid print)。於將篩網16用於全面印刷之情形時，無需設置乳劑14。
    於本發明之一實施形態中，在形成於篩網16上之非晶質碳膜中，亦包括於拉曼光譜分析法中於D頻帶(1350 cm-1附近)或G頻帶(1500 cm-1附近)中無法確認到波峰之聚合物狀之碳膜。
    於本發明之一實施形態之非晶質碳材料中，可除了Si以外或代替Si而含有各種元素，以可定著性佳地保持下述矽烷偶合劑。例如，非晶質碳材料可除了C、H及Si以外進而含有氧原子(O)而形成。非晶質碳材料中之O之含量係藉由調整氧之流量於含Si之主原料氣體與氧之總流量中所佔的比例而變更。氧之流量於主原料氣體與氧之總流量中所佔的比例例如係以成為0.01~12%、較佳為0.5~10%之方式調整。又，本發明之一實施形態之非晶質碳材料可除了C、H、Si及O以外進而含有氮(N)而形成。又，本發明之一實施形態之非晶質碳材料可除了C、H及Si以外進而含有氮(N)而形成。N係可藉由對a-C：H：Si膜或a-C：H：Si：O膜照射氮電漿而含於膜中。
    又，藉由對預先形成之不含Si之非晶質碳膜電漿照射氧電漿及氮電漿中之一者或兩者，可形成a-C：H：O膜、a-C：H：N膜或a-C：H：O：N膜。該電漿照射可於與非晶質碳膜之成膜裝置相同之成膜裝置內，於不破壞真空的情況下與碳膜之成膜連續地或一起進行。經電漿處理之非晶質碳膜表面係於該表面具有Si-OH或-COO-、-COOH-等各種各樣之官能基，故藉由該等官能基與後述含氟之矽烷偶合劑具有之官能基進行縮合反應，可進一步改善後述含氟之矽烷偶合劑與非晶質碳膜表面之密接性。又，藉由照射氧電漿或氮電漿，可對非晶質碳膜表層賦予極性。可認為，藉此被賦予極性之非晶質碳膜與含氟之矽烷偶合劑藉由氫鍵牢固地結合。
    於篩網16表面之非晶質碳膜上之至少一部分上形成有包含含氟之矽烷偶合劑之薄膜20。含氟之矽烷偶合劑之薄膜20係利用由脫水縮合反應所得之共價鍵或氫鍵等化學鍵而與篩網16表面之非晶質碳膜牢固地固定。作為含氟之矽烷偶合劑，例如可使用Fluoro Surf公司之FG-5010Z130-0.2。於一實施形態中，該薄膜20係以不對透過印刷圖案開口部18之印刷膏的透過體積造成實質影響之程度較薄地形成，例如係形成為約20 nm之厚度。薄膜20之膜厚不限定於此，係根據所使用之含氟之矽烷偶合劑之種類而適當變更，例如係於1 nm~1 μm之範圍內形成。
    含氟之矽烷偶合劑之薄膜20係利用各種方法設置於非晶質碳膜上。例如，薄膜20係使用不織布等布或海綿、海綿狀輥、毛刷等而塗佈於形成有非晶質碳膜之篩網16上。又，薄膜20亦可藉由將含氟之矽烷偶合劑以霧狀進行噴霧之方法形成。除該等以外，亦可藉由浸漬法、電阻加熱法等蒸鍍法等各種方法而形成。
    含氟之偶合劑係指發揮撥水/撥油功能，於其分子結構內具有氟之取代基的偶合劑。可用作薄膜20之含氟之偶合劑中包括以下者。
    (i)CF3(CF2)7 CH2 CH2 Si(OCH3)3
    (ii)CF3(CF2)7 CH2 CH2 SiCH3 Cl2
    (iii)CF3(CF2)7 CH2 CH2 SiCH3(OCH3)2
    (iv)(CH3)3 SiO SO2 CF3
    (v)CF3 CON(CH3)SiCH3
    (vi)CF3 CH2 CH2 Si(OCH3)3
    (vii)CF3 CH2 SiCl3
    (viii)CF3(CF2)5 CH2 CH2 SiCl3
    (ix)CF3(CF2)5 CH2 CH2 Si(OCH3)3
    (x)CF3(CF2)7 CH2 CH2 SiCl3
    該等氟偶合劑僅為一例，可應用於本發明之含氟之偶合劑不限定於該等例。作為含氟之偶合劑，例如可使用由Fluoro Surf公司銷售之FG-5010Z130-0.2(氟樹脂為0.02~0.2%、氟系溶劑為99.8%~99.98%)。
    又，薄膜20亦可為包含以偶合劑作為主成分之第1層、及以撥水性材料或撥水/撥油性材料作為主成分之第2層的二層構造。該第1層例如為包含以下偶合劑之薄膜，該偶合劑可於篩網16表面之非晶質碳膜上與該非晶質碳膜層形成氫鍵及/或由縮合反應所得之-O-M鍵(此處，M為選自由Si、Ti、Al及Zr所組成之群中之任一種元素)。該偶合劑中例如包括矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑、鋁酸酯系偶合劑及鋯酸酯系偶合劑。該等偶合劑亦可與其他種類之偶合劑混合使用。第2層例如為包含以下材料之薄膜：甲基三氯矽烷、辛基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷等烷基氯矽烷類，二甲基二甲氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷等烷基甲氧基矽烷類，六甲基二矽氮烷及矽烷化劑，及矽酮等撥水性材料。又，亦可將包含上述含氟之矽烷偶合劑之薄膜用作第2層。可用作第2層之撥水性材料或撥水/撥油性材料並不限定於本說明書中所明示者。薄膜20之材料係考慮所使用之印刷用膏或油墨之組成(水性或油性)、黏度、搖變性及印刷時之溫度或濕度等各種印刷條件而適當選定。
    矽烷偶合劑廣泛普及而無需例示。可使用市售之各種矽烷偶合劑作為薄膜20之第1層。可應用於本發明之矽烷偶合劑之一例為癸基三甲氧基矽烷(商品名「KBM-3103」信越化學工業股份有限公司)等。
    構成薄膜20之鈦酸酯系偶合劑中包括：四甲氧基鈦酸酯、四乙氧基鈦酸酯、四丙氧基鈦酸酯、四異丙氧基鈦酸酯、四丁氧基鈦酸酯、異丙基三異硬脂醯基鈦酸酯、異丙基十三烷基苯磺醯基鈦酸酯、異丙基三(二辛基焦磷醯氧基)鈦酸酯、四異丙基雙(二辛基亞磷醯氧基)鈦酸酯、四(2,2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)雙(二-十三烷基)亞磷醯氧基鈦酸酯、雙(二辛基焦磷醯氧基)羥乙酸鈦酸酯、雙(二辛基焦磷醯氧基)鈦酸乙二酯、異丙基三辛醯基鈦酸酯及異丙基三異丙苯基苯基鈦酸酯。市售有商品名「Plenact 38S」(Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司)。
    構成薄膜20之鋁酸酯系偶合劑中包括：烷基乙醯乙酸鋁-二異丙酯、乙基乙醯乙酸鋁-二異丙酯、三乙基乙醯乙酸鋁、異丙醇鋁、二異丙酸單第二丁酸鋁、第二丁酸鋁、乙醇鋁、雙乙基乙醯乙酸單乙醯丙酮鋁、三乙醯丙酮鋁及單異丙氧基單油醯氧基乙基乙醯乙酸鋁。市售有商品名「Plenact AL-M」(乙酸烷基鋁二異丙酯，Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造)。
    作為構成薄膜20之氧化鋯系偶合劑，包括新戊基(二烯丙基)氧基，三甲基丙烯醯基鋯酸酯、四(2,2二烯丙氧基甲基)丁基，二(二-十三烷基)磷醯氧基鋯酸酯及環[二新戊基(二烯丙基)]焦磷醯氧基二新戊基(二烯丙基)鋯酸酯。市售有商品名「Ken-React NZ01」(Kenrich公司)。
    如上所述，於本發明之一實施形態中，於使用電漿CVD法形成之非晶質碳膜之上形成包含含氟之矽烷偶合劑之撥水/撥油層，故與將液體狀底漆塗佈於篩網16上之先前方法比較，可抑制篩網16之網眼部之堵塞。以此種方式形成之非晶質碳膜係與含氟之矽烷偶合劑牢固地結合，故可於篩網16中自印刷圖案開口部18露出之部分中定著性佳地形成含氟之矽烷偶合劑。又，於本發明之一實施形態中，包含含氟之矽烷偶合劑之薄膜20係形成於將乳劑14塗佈於篩網16上之後於印刷圖案開口部18中露出之篩網16之一部分上。因此，與於塗佈乳劑14前於整個篩網16上形成薄膜20之情形相比，可提高乳劑14對篩網16之定著性。又，本發明之一實施形態之非晶質碳膜亦可定著性佳地保持乳劑14。因此，根據本發明之一實施形態，可提高篩網16對印刷膏之脫模性，對被印刷物精度佳地形成印刷圖案。
    於本發明之一實施形態中，非晶質碳膜係藉由直度(straightness)較高之電漿(製程)而形成於篩網16上。因此，本發明之一實施形態之非晶質碳膜不易如液體狀底漆般繞至基體(例如篩網16)之背面等不必要之部分上。因此，於本發明之一實施形態中，可僅於基體之所需之面(例如欲表現出撥水/撥油性之孔版之印刷基板面等)上選擇性地形成包含非晶質碳膜之底漆層。例如，於印刷用孔版中，若對填充印刷用膏之側之刮漿板面賦予撥水/撥油性，則有引起印刷模糊等不良狀況之虞。根據本發明之一實施形態，可藉由直度較高之電漿製程而形成非晶質碳膜之底漆層，故可於與刮漿板面相反側之面上選擇性地形成底漆層。
    又，非晶質碳膜具有對H2O、O2之透過阻隔性。含氟之矽烷偶合劑為撥水性，可防止水分之吸附。因此，與先前之非晶質碳膜相比較，如本案般之非晶質碳膜構造體、進而於其表層形成有氟層之構造體可進一步防止H2O進入至基體中。因此，可更進一步保護篩網16不受H2O、O2之影響，藉此，可防止因基體自身之劣化所引起的非晶質碳膜之剝離。
    又，本發明之一實施形態之非晶質碳膜係與通常之非晶質碳膜相比較顯示更高之親水性，故通常可促進水溶性之乳劑向篩網表面之濡濕擴散，抑制乳劑與篩網之界面上的氣泡之產生。藉此，可抑制因於乳劑與篩網之界面上產生氣泡所致的乳劑之脆弱化。
    又，非晶質碳膜具有抑制所照射之紫外光之反射或散射的性質。因此，於藉由使用紫外光之繪圖裝置於乳劑14中形成印刷圖案開口部18時，可抑制所照射之紫外光自篩網16之反射、散射，可提高印刷圖案開口部18之尺寸精度。
    如上所述般構成之本發明之一實施形態之絲網版10係以乳劑14之下表面26與被印刷物對向之方式配置使用。於將絲網版10配置於特定位置後，於上表面24上塗佈焊錫膏或構成內部電極之金屬膏等印刷膏，使刮漿板(未圖示)維持以固定壓力抵壓於上表面24之狀態而沿著上表面24滑動，藉此，所塗佈之印刷膏通過印刷圖案開口部18而轉印至被印刷物上。絲網版10係除了可用於轉印該等印刷膏以外，亦可用於轉印印刷物印刷用之油墨、染料、塗料、防銹材、接著劑、反應性活性材料、生胚片材用漿料、微影用阻劑、感壓材、感溫材及吸附劑等。
    又，篩網16亦可應用於絲網印刷法(轉印法)以外之印刷法中亦使用之印刷用孔版。篩網16例如可應用於將藉由噴墨等加壓機構擠出之油墨轉印至被印刷物上之加壓印刷法、藉由使被印刷物側為低壓而轉印油墨之真空印刷法用的孔版。可利用孔版之印刷方法並不限定於本說明書中所例示者，上述孔板使用形成有本發明之非晶質碳膜之篩網16。
    繼而，對上述絲網版10之製造方法之一例進行說明。首先，準備包含鐵製鑄造物、不鏽鋼或鋁合金之框體12以及藉由電漿CVD法等而於表面上形成有非晶質碳膜之篩網16，將該篩網16張貼於框體12上。篩網16可直接安裝於框體12上，亦可經由支撐絲網而安裝。其次，於該篩網16上塗佈感光乳劑14，藉由光微影法而於乳劑14中形成對應於印刷圖案之印刷圖案開口部18。繼而，於篩網16之印刷圖案開口部18中露出之部分之下表面26側塗佈含氟之矽烷偶合劑之薄膜20，獲得絲網版10。
    圖3係示意性地表示具備本發明之一實施形態之多孔質片材之電子零件搬送裝置30所具備之吸附夾頭之一部分的圖。吸附夾頭32係於任意之電子零件搬送裝置中設置為可於上下及水平方向上移動。如圖所示，吸附夾頭32形成為筒狀，且其一端連接於未圖示之負壓源。於吸附夾頭32之吸附口附近，設置有本發明之一實施形態之多孔性片材34。電子零件36係載置於晶圓片38上。於將該電子零件36自晶圓片上搬送至其他作業空間時，於將吸附夾頭32定位於電子零件36上之狀態下，自負壓源供給負壓，藉此電子零件36被吸附至吸附夾頭32之吸附口附近。其次，保持吸附有電子零件36之狀態使吸附夾頭移動至特定之作業空間，於該作業空間內停止負壓之供給，藉此可將電子零件36搬運至特定之作業空間。此種吸附夾頭32例如係於日本專利特開2011-014582號公報等所記載，對於本領域從業人員而言，其詳細之構成及動作已明確，故於本說明書中省略其詳細說明。又，吸附夾頭32係除了電子零件以外亦可用於生胚片材等各種構件之搬送。
    多孔性片材34例如包含聚丙烯等合成樹脂、不鏽鋼等金屬、氧化鋯等陶瓷、確保了透氣性之繃帶等織物、不織布或該等之複合體，與上述絲網印刷用篩網16同樣地具有網眼部分。於多孔性片材34之表面上形成有本發明之一實施形態之非晶質碳膜作為底漆層，於該非晶質碳膜之上形成有含氟之矽烷偶合劑。該非晶質碳膜含有矽、氧或氮中之至少一種元素。該非晶質碳膜係利用與上述形成於篩網16上之非晶質碳膜同樣之方法，以具有同樣之組成之方式形成。因此，包含該本發明之一實施形態之非晶質碳膜的底漆層能以不堵塞多孔性片材34之網眼部分之方式形成。本發明之一實施形態之非晶質碳膜係選擇性地形成於多孔性片材34中吸附電子零件36之部分。藉此，於多孔性片材34與吸附夾頭32之接觸部分未形成非晶質碳膜(及含氟之矽烷偶合劑)，可確保多孔性片材34與吸附夾頭32之接著性。
    多孔性片材34可將本發明之一實施形態之非晶質碳膜作為底漆層而牢固地保持含氟之矽烷偶合劑，故具有平滑性優異之表面特性，摩擦係數或對象損傷性較低，對錫或鋁等軟質金屬之抗凝著附著性較高，具有較高之耐磨性。藉此，於搬送電子零件36時，可抑制電子零件對多孔性片材34之貼附、因垃圾或異物對多孔性片材之空孔部之吸附所致的網眼堵塞等，可提高電子零件36之搬送效率。多孔性片材34於其表面具有凹凸構造。形成於該凹部內之含氟之矽烷偶合劑係由形成於凸部上之非晶質碳膜保護而不受自外部作用之應力的影響，故多孔性片材34之撥水/撥油性之持續性非常高。
    上述絲網印刷用篩網及電子零件搬送裝置用多孔質片材僅為應用包含本發明之非晶質碳材料之底漆組合物的一例，包含本發明之非晶質碳材料之底漆組合物可用於產生由液體狀底漆所致之網眼堵塞的所有工件。 [實施例]
    藉由以下所述之方法確認：於本發明之一實施形態中，於非晶質碳膜上定著性佳地形成有含氟之矽烷偶合劑。首先，製作試樣(實施例1~9)，該試樣係於不鏽鋼(SUS 304 2B品)表面上形成包含Si、O或N中之至少一種元素之非晶質碳膜，並對該等非晶質碳膜實施氟塗佈(含氟之矽烷偶合劑)而成。然後，為了調查各試樣中之氟塗層之定著性，對各試樣進行與礦油精(油)及水(去離子水)之接觸角之測定。若將含氟之矽烷偶合劑保持於非晶質碳膜上，則藉由其撥油性及撥水性而與礦油精及水之接觸角變高，故可藉由測定該接觸角來確認含氟之矽烷偶合劑是否保持於非晶質碳膜上。 1.試樣之製作
    首先，準備被用作篩網16之原材料的包含不鏽鋼(SUS 304)之基材作為各試樣之基材。該不鏽鋼(SUS 304)基材係準備1邊為30 mm、厚度為1 mm、表面粗糙度Ra為0.034 μm之矩形者。對於不鏽鋼(SUS 304)板，為了使基材表面均勻地平滑化而進行電解研磨處理。 (1)實施例1之試樣之製作
    將上述不鏽鋼(SUS 304)基材兩件投入至高壓脈波電漿CVD裝置中，真空減壓至1×10-3 Pa為止之後，利用氬氣電漿清洗該基材約5分鐘。關於利用氬氣電漿之清洗，各實施例、比較例均係於氬氣流量為15 SCCM(Standard Cubic Centimeter per Minute，每分鐘標準毫升)、氣壓為1 Pa、施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs、5分鐘之條件下進行。於清洗後排出氬氣，繼而，將流量為15 SCCM之氬氣及流量為10 SCCM之四甲基矽烷以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下用30分鐘形成非晶質碳膜。於如此而成膜之非晶質碳膜之表面上，浸漬塗佈作為含氟之矽烷偶合劑的Fluoro Surf公司之FG-5010Z130-0.2之溶液(氟樹脂為0.02~0.2%、氟系溶劑為99.8%~99.98%)，使其於室溫、濕度約50%(以下各實施例、比較例均為相同條件)下乾燥兩天，獲得實施例1之試樣。 (2)實施例2之試樣之製作
    將上述不鏽鋼(SUS 304)基材兩件投入至高壓脈波電漿CVD裝置中，真空減壓至1×10-3 Pa為止之後，利用氬氣電漿清洗基材約5分鐘。於清洗後排出氬氣，繼而將流量為15 SCCM之氬氣及流量為10 SCCM之四甲基矽烷以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下成膜30分鐘。其次，排出原料氣體，其後將流量為14 SCCM之氧氣以氣壓成為1.5 Pa之方式導入至反應容器中，於施加電壓為-3 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬為度50 μs之條件下對非晶質碳膜照射氧電漿5分鐘。然後，於氧電漿照射後之非晶質碳膜之表面上浸漬塗佈作為含氟之矽烷偶合劑的Fluoro Surf公司之FG-5010Z130-0.2之溶液(氟樹脂為0.02~0.2%、氟系溶劑為99.8%~99.98%)，於室溫下乾燥兩天，獲得實施例2之試樣。 (3)實施例3之試樣之製作
    首先，與實施例1同樣地使用氬氣及四甲基矽烷形成非晶質碳膜。繼而，於排出原料氣體之後，將流量為15 SCCM之氮氣以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下對非晶質碳膜照射氮電漿5分鐘。然後，與實施例1同樣地於氮電漿照射後之非晶質碳膜上浸漬塗佈含氟之矽烷偶合劑，使其於室溫下乾燥兩天，獲得實施例3之試樣。 (4)實施例4之試樣之製作
    與實施例1同樣地使用氬氣及四甲基矽烷形成非晶質碳膜。繼而，於排出原料氣體之後，將流量為15 SCCM之氮氣以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式導入至反應容器中，於施加電壓-4 kV、脈波頻率2 kHz、脈波寬度50 μs之條件下對非晶質碳膜照射氮電漿5分鐘。其次，排出氮氣，將流量為14 SCCM之氧氣以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式導入至反應容器中，於施加電壓為-3 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下對非晶質碳膜照射氧電漿5分鐘。與實施例1同樣地於該氮電漿及氧電漿照射後之非晶質碳膜上浸漬塗佈含氟之矽烷偶合劑，使其於室溫下乾燥兩天，獲得實施例4之試樣。 (5)實施例5之試樣之製作
    將上述不鏽鋼(SUS 304)基材兩件投入至高壓脈波電漿CVD裝置中，真空減壓至1×10-3 Pa為止之後，利用氬氣電漿清洗該基材。於清洗後排出氬氣，繼而以反應容器內之壓力成為1.5 Pa之方式將流量為15 SCCM之四甲基矽烷及流量為0.7 SCCM之氧氣導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下成膜30分鐘。氧氣係以與四甲基矽烷之流量混合比成為4.5%之方式調整。於如此而成膜之非晶質碳膜之表面上，與實施例1同樣地浸漬塗佈氟系矽烷偶合劑，使其於室溫下乾燥兩天，獲得實施例5之試樣。 (6)實施例6之試樣之製作
    將上述不鏽鋼(SUS 304)基材兩件投入至高壓脈波電漿CVD裝置中，真空減壓至1×10-3 Pa為止之後，利用氬氣電漿清洗該基材。於清洗後排出氬氣，繼而以反應容器內之壓力成為1.5 Pa之方式將流量為15 SCCM之四甲基矽烷及流量為1.4 SCCM之氧氣導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下成膜30分鐘。氧氣係以與四甲基矽烷之流量混合比成為8.5%之方式調整。於如此而成膜之非晶質碳膜之表面上，與實施例1同樣地浸漬塗佈氟系矽烷偶合劑，使其於室溫下乾燥兩天，獲得實施例6之試樣。 (7)實施例7之試樣之製作
    將上述不鏽鋼(SUS 304)基材兩點投入至高壓脈波電漿CVD裝置中，真空減壓至1×10-3 Pa之後，利用氬氣電漿清洗該基材。於清洗後排出氬氣，繼而以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式將流量為15 SCCM之氬氣及流量為10 SCCM之四甲基矽烷導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下成膜約10分鐘。藉此，於基材表面形成含有Si之非晶質碳膜作為基底中間層。其次，排出氬氣及四甲基矽烷氣體後，以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式將流量為20 SCCM之乙炔導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下成膜30分鐘。藉此，於基底中間層之表面上形成不含Si之非晶質碳膜。排出原料氣體後，以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式將流量為14 SCCM之氧氣導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下對非晶質碳膜照射氧電漿5分鐘。於該氧電漿照射後之非晶質碳膜之表面上，與實施例1同樣地浸漬塗佈含氟之矽烷偶合劑，使其於室溫下乾燥兩天，獲得實施例7之試樣。 (8)實施例8之試樣之製作
    與實施例7同樣地於不鏽鋼(SUS 304)基材上形成含有Si之非晶質碳膜作為基底中間層，於該基底中間層之表面上形成不含Si之非晶質碳膜。於本實施例中，排出原料氣體後，以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式將流量為14 SCCM之氮氣導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下對非晶質碳膜照射氮電漿5分鐘。於該氮電漿照射後之非晶質碳膜之表面上，與實施例1同樣地浸漬塗佈氟系矽烷偶合劑，使其於室溫下乾燥兩天，獲得實施例8之試樣。 (9)實施例9之試樣之製作
    與實施例7同樣地於不鏽鋼(SUS 304)基材上形成含有Si之非晶質碳膜作為基底中間層，於該基底中間層之表面上形成不含Si之非晶質碳膜。於本實施例中，排出原料氣體後，以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式將流量為14 SCCM之氮氣導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下對非晶質碳膜照射氮電漿5分鐘。其次，排出氮氣，將流量為14 SCCM之氧氣以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式導入至反應容器中，於施加電壓為-3 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下對非晶質碳膜照射氧電漿5分鐘。於該氮電漿及氧電漿照射後之非晶質碳膜之表面上，與實施例1同樣地浸漬塗佈含氟之矽烷偶合劑，使其於室溫下乾燥兩天，獲得實施例9之試樣。 (10)比較例1之試樣之製作
    與實施例7同樣地於SUS 304基材上形成含有Si之非晶質碳膜作為基底中間層。於該比較例中，排出原料氣體後，以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式將流量為20 SCCM之乙炔導入至反應容器中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為2 kHz、脈波寬度為50 μs之條件下成膜30分鐘。以此種方式於基底中間層之上形成不含Si之非晶質碳膜。於該不含Si之非晶質碳膜上，與實施例1同樣地浸漬塗佈含氟之矽烷偶合劑，使其於室溫下乾燥兩天，獲得比較例1之試樣。 2.濡濕性之測定
    其次，對上述實施例1~7與比較例1之試樣分別測定與礦油精(油)之濡濕性。測定係使用Fibro system公司製造之攜帶式接觸角計PG-X(可攜式接觸角計)，於室溫為25℃、濕度為30%之環境下進行。為了研究含氟之矽烷偶合劑對非晶質碳膜之定著性，將實施例1~7與比較例1之各試樣投入至丙酮中進行120分鐘超音波洗淨，對各試樣測定超音波洗淨後之與礦油精之接觸角。於進行超音波洗淨時，對各試樣連續進行60分鐘超音波洗淨後，停止超音波洗淨60分鐘而放置，其後進行60分鐘超音波洗淨。再者，對於比較例1之試樣，料想含氟之矽烷偶合劑會因短時間之超音波洗淨而脫落，故僅進行超音波洗淨5分鐘，測定該5分鐘之超音波洗淨後之接觸角。超音波洗淨係使用SND股份有限公司製造之商品名US-20KS(振盪38 kHz(BLT自激振盪)，高頻輸出480 W)進行。藉由進行超音波洗淨，由於來自壓電振動器之振動而於丙酮中產生空腔(cavity)，該空腔於基材表面被壓碎時對基材表面產生較大之物理衝擊力，因此與非晶質碳膜之結合較弱的含氟之矽烷偶合劑自基材表面剝離。因此，藉由研究超音波洗淨後之基材表面之接觸角，可確認氟矽烷偶合劑與其下層之非晶質碳膜之密接性。
    圖4係表示實施例1~7及比較例1之與礦油精之接觸角之測定結果的圖表，且表示於基板上之16處測定位置測定的接觸角之平均值。如圖所示，關於比較例1之試樣，由5分鐘之超音波洗淨導致接觸角減小至約40°為止。另一方面，關於實施例1~7之試樣，即便於120分鐘之超音波洗淨後亦保持45°以上之接觸角。又，關於實施例1~7之試樣，分別於各測定位置之接觸角可確認充分之撥油性，而不存在顯示如表現出喪失撥油性般之較低接觸角的測定位置。尤其係關於非晶質碳膜中含有Si之實施例1~6之資料，均維持平均值為50°以上之接觸角。如此，對於各實施例可確認：於試樣表面殘留充分量之含氟之矽烷偶合劑以發揮撥水/撥油性。
    其次測定與水(去離子水)之濡濕性。測定裝置、環境係與上述相同。將實施例1~9與比較例1之各試樣投入至丙酮中進行5分鐘超音波洗淨，對各試樣測定超音波洗淨後之與水之接觸角。圖5係表示實施例1~9及比較例1之與水之接觸角之測定結果的圖表，且表示於基板上之10處測定位置測定的接觸角之平均值。如圖所示，比較例1之接觸角為約90°，相對於此，實施例1~9之接觸角均為105°以上，對於各實施例可確認：於試樣表面殘留充分量之含氟之矽烷偶合劑以發揮撥水/撥油性。
    根據以上之檢驗結果，藉由將包含實施例1~9所示之非晶質碳膜及含氟之矽烷偶合劑之膜構造應用於絲網印刷用篩網，可提高該篩網對印刷膏之脫模性，抑制印刷膏殘留於篩網上。
    圖6係表示於進行了5分鐘超音波洗淨之比較例1的表面之複數個位置(測定點)測定與礦油精之接觸角所得的結果之圖表，圖7係表示於進行了120分鐘超音波洗淨之實施例7的表面之複數個位置(測定點)測定與礦油精之接觸角所得的結果之圖表。由圖6及圖7可知，關於比較例1，各接觸角之測定點之偏差(Max(最大值)-Min(最小值)之幅度)之幅度較大，可確認含氟之矽烷偶合劑局部剝離。關於實施例7，可獲得相對均勻之接觸角。
    於上述實施例2~6中，於形成包含矽之非晶質碳膜後，於不破壞反應容器內之真空的情況下排出含有矽之原料氣體、導入氧及/或氮以及進行電漿照射，但亦可於製作含有矽之非晶質碳膜之後，使反應容器恢復至常壓，其後再次使反應容器為真空狀態，導入氧及/或氮。可確認：即便為如此般於電漿照射前使反應容器恢復至常壓之情形，與水及礦油精之接觸角亦顯示與上述實施例大致相同之數值。
    其次，藉由以下所示之方法來確認本發明之一實施形態之篩網之網眼(開口部)部分實質上未被印刷膏所堵塞。首先，準備經切斷為210 mm×210 mm之不鏽鋼製之篩網(#500-19)3片。該篩網係於1吋之寬度中存在500根不鏽鋼之線材，且該不鏽鋼線之線徑為19 μm。該篩網之網眼之開口寬度大致為30 μm左右。該篩網(#500-19)係可容易購入市售品。若於該篩網(#500-19)上塗佈乳劑並於該乳劑上形成電子電路用之印刷圖案，則篩網之一部分自印刷圖案之貫通孔(例如印刷圖案開口部18)露出。
    其次，將準備之3片篩網(#500-19)中之1片接著於320 mm×320 mm之鐵製鑄造物框體之4邊。其次，水平配置該框體，使含氟之矽烷偶合劑之固定用液體底漆、Fluoro Technology公司製造之Fluoro Surf專用底漆塗料(primer coat)PC-2含於旭化成股份有限公司製造之BEMCOT CLEAN WIPE-P(不織布)中並對篩網(#500-19)部分進行塗佈。其次，將該塗佈有底漆PC-2之框體水平配置於室溫、濕度為50%之恆溫槽中，使其乾燥60分鐘，獲得比較例2之試樣。
    又，將所準備之3片篩網(#500-19)中之1片切斷為70 mm×30 mm之大小，對該經切斷為70 mm×30 mm之篩網(#500-19)流塗Fluoro Technology公司製造之底漆PC-2。將形成有底漆PC-2之篩網(#500-19)垂直配置於室溫、濕度為50%之恆溫槽中並使其乾燥60分鐘，獲得比較例3之試樣。
    於所準備之3片篩網(#500-19)中之剩餘1片上，藉由以下之方法形成非晶質碳膜。首先，於高壓脈波電漿CVD裝置之電極部設置篩網(#500-19)，進行該CVD裝置之排氣。使CVD裝置之反應容器真空減壓至1×10-3 Pa為止之後，利用氬氣電漿清洗篩網(#500-19)約5分鐘。利用氬氣電漿之清洗係於氬氣流量為30 SCCM、氣壓為2 Pa、施加電壓為-4 kV、脈波頻率為10 kHz、脈波寬度為10 μs之條件下進行。於清洗後排出氬氣，繼而以反應容器內之氣壓成為1.5 Pa之方式以30 SCCM之流量導入三甲基矽烷，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為10 kHz、脈波寬度為10 μs之條件下，於篩網(#500-19)上用15分鐘形成含有Si之非晶質碳膜。其後，與比較例2同樣地接著於鐵製鑄造物框體。將如此般接著有形成有非晶質碳膜底漆層之篩網(#500-19)之框體與比較例2同樣地水平配置於室溫、濕度為50%之恆溫槽中，使其乾燥60分鐘，獲得實施例10之試樣。
    其次，以CCD(Charge-Coupled Device，電荷耦合元件)相機拍攝比較例2、3及實施例10之各試樣，確認各試樣之篩網開口部是否堵塞。圖8~圖9係使用CCD相機以500倍之倍率拍攝該等試樣之照片。圖8為拍攝比較例2之試樣之照片，圖9為拍攝比較例3之試樣之照片，圖10為拍攝實施例10之試樣之照片。如圖8及圖9之照片所示，可確認液體底漆PC-2濡濕擴散至比較例2及3之試樣之篩網之網眼部而堵塞開口部之一部分。另一方面，如圖10之照片所示，於實施例10之試樣中，未見由非晶質碳膜之底漆層所致之網眼堵塞。
    根據以上情況可確認：於本發明之一實施形態之絲網印刷用篩網中，於網眼中未發生堵塞。
    其次，藉由以下所示之方法來確認本發明之一實施形態之篩網與乳劑牢固地結合。首先，準備兩片300 mm×300 mm之矩形之不鏽鋼製篩網(#500-19)。以如下方式於一片該篩網(#500-19)上形成非晶質碳膜。即，首先將所準備之篩網(#500-19)投入至高壓脈波電漿CVD裝置中，將該CVD裝置真空減壓至1×10-3 Pa為止。其次，於該真空減壓後之CVD裝置內以流量30 SCCM、氣壓2 Pa導入氬氣，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為10 kHz、脈波寬度為10 μs之條件下，藉由氬氣電漿清洗篩網(#500-19)。其次，於排出氬氣之後，於CVD裝置內以流量30 SCCM、氣壓2 Pa導入三甲基矽烷，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為10 kHz、脈波寬度為10 μs之條件下進行10分鐘成膜處理，於篩網(#500-19)之表面上形成含有Si之非晶質碳膜。然後，將三甲基矽烷氣體自CVD裝置中排出之後，將流量為30 SCCM、氣壓為2 Pa之氧氣導入至CVD裝置中，於施加電壓為-3 kV、脈波頻率為10 kHz、脈波寬度為10 μs之條件下對形成有非晶質碳膜之篩網(#500-19)照射氧電漿3分鐘，獲得實施例12之試樣(實施例11空缺)。實施例12之試樣之非晶質碳膜含有Si及O。
    又，以如下方式於剩餘一片篩網(#500-19)上形成非晶質碳膜。首先，將所準備之篩網(#500-19)投入至高壓脈波電漿CVD裝置中，將該CVD裝置真空減壓至1×10-3 Pa為止。其次，於該真空減壓後之CVD裝置內以流量30 SCCM、氣壓2 Pa導入氬氣，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為10 kHz、脈波寬度為10 μs之條件下，藉由氬氣電漿清洗篩網(#500-19)。其次，於排出氬氣之後，將流量為30 SCCM、氣壓為2 Pa之三甲基矽烷導入至CVD裝置中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為10 kHz、脈波寬度為10 μs之條件下進行5分鐘成膜處理，於篩網(#500-19)之表面上形成非晶質碳膜之中間層。然後，將三甲基矽烷氣體自CVD裝置中排出之後，將流量為30 SCCM、氣壓為2 Pa之乙炔氣體導入至CVD裝置中，於施加電壓為-4 kV、脈波頻率為10 kHz、脈波寬度為10 μs之條件下進行6分鐘成膜處理，於形成有非晶質碳膜之中間層之篩網(#500-19)上形成實質上不含Si、O、N中之任一種的非晶質碳膜，獲得比較例4之試樣。對於比較例4之試樣之表面露出之非晶質碳膜而言，除了由非晶質碳膜存在於大氣中所致的來自大氣等之附著等以外，實質上不含有Si、O、N中的任一種。
    其次，經由聚酯篩網分別將實施例12及比較例4之篩網安裝於450 mm×450 mm之鐵製鑄造物框體上。繼而，於安裝於該框體上之實施例12及比較例4之篩網上，以乳劑厚大致成為5 μm之厚度之方式塗佈乳劑。該乳劑係使用主要成分大致包含乙酸乙烯酯系乳液13%、聚乙烯醇8%、光聚合性樹脂14%及水65%之成分者。以切割刀分別將如此般於整個表面上塗佈有乳劑之實施例12及比較例4之篩網切斷，於以下條件下對該經切斷之實施例12及比較例4之篩網進行拉伸試驗。 拉伸試驗條件
    試驗機：Instron公司5865型
    夾持長度：60 mm帶寬：10 mm
    延伸率之測定：藉由攝影機伸長率計測定試樣中標示之標點間之伸長率
    拉伸試驗係藉由以下方式進行：將如上所述般經切斷之實施例12及比較例4之篩網兩端夾持並拉伸，於延伸前與延伸後(延伸率為3%時)，以倍率1000倍之CCD相機於同一視場範圍內觀察各篩網上塗佈之乳劑之空隙數。該空隙(氣泡)數越多，則乳劑越會自篩網局部剝離。將如此般藉由CCD相機拍攝之比較照片示於圖11。圖11係延伸前與延伸後以倍率1000倍之CCD相機拍攝比較例4之試樣及實施例12之試樣之表面的照片。於圖11之照片中示出由於乳劑自篩網局部剝離而產生之氣泡。於圖11中，以箭頭表示氣泡之位置。
    將根據圖11之照片對實施例12及比較例4分別進行計數所得之空隙之數量示於表1中。
    如表1所示，可確認實施例12與比較例4相比較，自延伸前開始空隙數少。又，延伸後之實施例12之空隙之數量大幅少於比較例4中觀察到之空隙數。如此可確認，於實施例12與比較例4相比較，乳劑對篩網之定著性更優異。
    如上所說明般，根據實施例1~9之試樣與礦油精或水之接觸角之測定結果可確認，於本發明之實施形態之絲網印刷用篩網上，可定著性佳地形成含氟之矽烷偶合劑。又，根據以CCD相機觀察實施例10之試樣之表面之結果可確認，於本發明之實施形態之絲網印刷用篩網中，於網眼部分未發生堵塞。又，根據實施例12之試樣中之空隙之觀察結果可確認，本發明之一實施形態之絲網印刷用篩網可定著性佳地保持乳劑。
    10‧‧‧絲網版
    12‧‧‧框體
    14‧‧‧乳劑
    16‧‧‧篩網
    18‧‧‧印刷圖案開口部
    30‧‧‧電子零件搬送裝置
    32‧‧‧吸附夾頭
    34‧‧‧多孔性片材
    圖1係示意性地表示具備本發明之一實施形態之篩網之絲網版之整體構成的平面圖。
    圖2係示意性地表示具備本發明之一實施形態之篩網之絲網版的剖面圖。
    圖3係示意性地表示具備本發明之一實施形態之多孔質片材之電子零件搬送裝置之一部分的圖。
    圖4係表示實施例1~7及比較例1之與礦油精之接觸角之測定結果的圖表。
    圖5係表示實施例1~9及比較例1之與水之接觸角之測定結果的圖表。
    圖6係表示於比較例1之表面之複數個位置測定與礦油精之接觸角所得的結果之圖表。
    圖7係表示於實施例7之表面之複數個位置測定與礦油精之接觸角所得的結果之圖表。
    圖8係比較例2之試樣表面之照片。
    圖9係比較例3之試樣表面之照片。
    圖10係實施例10之試樣表面之照片。
    圖11係比較例4及實施例12之延伸前與延伸後之試樣表面之照片。
    10‧‧‧絲網版
    12‧‧‧框體
    14‧‧‧乳劑
    16‧‧‧篩網
    权利要求:
    Claims (14)
    [1] 一種底漆組合物，其包含含有矽、氧或氮中之至少一種元素之非晶質碳材料。
    [2] 一種構造體，其包括：基材；及非晶質碳膜層，其直接或間接地形成於上述基材上，含有矽、氧或氮中之至少一種元素。
    [3] 如請求項2之構造體，其中上述非晶質碳膜層係使用氮或氧、或者氮與氧之混合物進行電漿處理。
    [4] 如請求項2之構造體，其中上述基材係用於印刷用孔版之篩網本體。
    [5] 如請求項4之構造體，其中上述基材係用於絲網印刷之篩網本體。
    [6] 如請求項2之構造體，其中上述基材為多孔質片材本體。
    [7] 一種印刷用孔版，其包括：印刷用篩網本體；非晶質碳膜層，其直接或間接地形成於上述印刷用篩網本體上，含有矽、氧或氮中之至少一種元素；及撥水層或撥水/撥油層，其形成於上述非晶質碳膜層上。
    [8] 如請求項7之印刷用孔版，其中上述撥水層或上述撥水/撥油層為包含含氟之偶合劑之薄膜。
    [9] 如請求項7之印刷用孔版，其中上述撥水層或上述撥水/撥油層為包含含氟之矽烷偶合劑之薄膜。
    [10] 如請求項7之印刷用孔版，其中上述撥水層或撥水/撥油層包括：第1層，其以可與上述非晶質碳膜層形成氫鍵及/或由縮合反應所得之-O-M鍵(此處，M為選自由Si、Ti、Al及Zr所組成之群中之任一種元素)之偶合劑作為主成分，形成於上述非晶質碳膜上；及第2層，其以撥水材料或撥水/撥油材料作為主成分，形成於上述第1層上。
    [11] 如請求項10之印刷用孔版，其中上述偶合劑係選自由矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑、鋁酸酯系偶合劑及鋯酸酯系偶合劑所組成之群中者。
    [12] 如請求項7之印刷用孔版，其進而包括形成於上述印刷用篩網本體上之乳劑層，且上述非晶質碳膜層係形成於上述乳劑層上。
    [13] 一種構造體之製造方法，其包括如下步驟：準備基材；及於上述基材上直接或間接地形成含有矽、氧或氮中之至少一種元素之非晶質碳膜層。
    [14] 如請求項13之構造體之製造方法，其進而包括使用氮或氧、或者氮與氧之混合物對上述非晶質碳膜進行電漿處理之步驟。
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011147669||2011-07-01||
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