• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    本發明揭示一種交聯聚醯亞胺樹脂，係使(A)具有酮基之聚醯亞胺矽氧烷，以及(B)具有至少2個1級胺基當作官能基之胺化合物反應而得者。藉由在(A)成分的聚醯亞胺矽氧烷中之酮基的至少一部分與(B)成分的胺化合物之胺基反應而形成C=N鍵，即具有聚醯亞胺矽氧烷藉由前述胺化合物而交聯的構造。在(A)成分中，藉由含有氫鍵形成基，而促進C=N鍵之形成。
    公开号:TW201305248A
    申请号:TW101121277
    申请日:2012-06-14
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Akira Mori；Yoshiki Suto；Hong-Yuan Wang
    申请人:Nippon Steel Chemical Co；
    IPC主号:C08G73-00
    专利说明:
    交聯聚醯亞胺樹脂、其製造方法、接著劑樹脂組成物、其硬化物、覆層膜、電路基板、熱傳導性基板及熱傳導性聚醯亞胺膜
    本發明係有關一種在軟性印刷電路板等的電路基板中，可作為接著劑使用的交聯聚醯亞胺樹脂、其製造方法、及其之利用。
    近年來，伴隨電子機器的小型化、輕量化、省空間化的進展，既薄且輕，並有可撓性，即使重覆彎曲也具有優良的耐久性之軟性印刷配線板(FPC：Flexible Printed Circuits)的需要也正在増大。FPC即使在受限制的空間由於也可立體的並且高密度地組裝，因此，例如在HDD、DVD、行動電話等的電子機器可動部分之配線，或電線電纜、連接器等的零組件中，其用途是正持續擴大。
    在FPC中，於保護配線部分之目的下而使用覆層膜。覆層膜是將聚醯亞胺樹脂等合成樹脂製的覆蓋層(Cover layer)用膜材與接著劑層積層而形成。FPC的製造中，例如使用熱壓等的方法，隔著接著劑層在電路基板上黏貼覆蓋層用膜材。接著劑層對於銅配線等的電路配線圖案與覆蓋層用膜材的兩方，均要求高的接著性。作為如此之覆層膜用的接著劑者，可在較低溫的熱壓接條件下加工，作為有優良耐熱性等的特性者，有提案：在有矽氧烷單元之聚醯亞胺樹脂與環氧樹脂的混合樹脂中，摻配選自磷酸酯系、苯二甲酸酯系、聚酯系及脂肪酸酯系中之1種以上的塑化劑而成的印刷基板用接著劑樹脂組成物(例如，日本國特開平10-212468號公報)。
    另一方面，在改善接著薄膜中使用的聚醯亞胺樹脂之低溫黏貼性、低吸濕性、熱時的接著力、耐PCT性之目的下，提案一種聚醯亞胺樹脂的製造方法，其係在雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐，與特定構造的矽氧烷二胺反應後，使其他的酸酐及/或其他的二胺反應者(例如日本特開2006-117945號公報)。又，在安全安定地製造主鏈中具有聚矽氧構造之高分子量的聚醯亞胺樹脂的目的下，提案一種聚醯亞胺樹脂的製造方法，其係將聚矽氧系二胺與聚矽氧系酸二酐以特定的莫耳比範圍混合後加熱脫水縮合，使其反應直至分子量不再增高為止，於反應液中將芳香族二胺以所定的莫耳比添加使之反應，而控制分子量(例如，日本國特開2004-359874號公報)。
    FPC的加工中，由於幾乎都必須包含焊接步驟，故對在覆層膜中使用的接著劑都要求有高的焊接耐熱性。此點，有比較優良耐熱性之聚醯亞胺樹脂，雖是適合作為覆層膜的接著劑的素材，但若可以使焊接耐熱性進一步提高，即可更加提高作為覆層膜用接著劑的機能。
    又，使用FPC之汽車上車載用電子機器，由於反覆放置在150℃左右的高溫環境中，故在長期間的使用下FPC的覆層膜與配線間的接著力會下降，會產生所謂的配線保護機能大幅降低之問題。伴隨著FPC的用途擴大，不限定車載用電子機器，同樣地在嚴苛的溫度環境下，使用FPC的情形預期今後也會不斷地増加。由此，於高溫環境下所使用的FPC中，強烈地要求有針對覆層膜的接著力下降之對策。
    於是，本發明的課題是提供一種交聯聚醯亞胺樹脂，其係可在短時間內形成可以呈現耐濕焊接耐熱性程度的交聯構造，同時，即使反覆地暴露在高溫中的使用環境下，也可形成接著力不致降低的接著劑層者。
    本發明人等，為了解決上述課題經過專心研究的結果，而完成本發明。於是，在本發明的理想態樣中，係醯亞胺化後，在聚醯亞胺矽氧烷中，藉由可將氫鍵之官能基(以下，稱為「氫鍵形成基」)導入後，在聚醯亞胺矽氧烷的主鏈之間產生氫鍵而成為與鄰接之聚醯亞胺矽氧烷鏈的酮基接近之狀態，因而促進聚醯亞胺矽氧烷的酮基與胺化合物形成交聯。
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂，係使下述的成分(A)及(B)反應而得之交聯聚醯亞胺樹脂，(A)具有酮基之聚醯亞胺矽氧烷，以及，(B)具有至少2個1級胺基當作官能基之胺化合物，其特徵為：藉由在前述(A)成分的聚醯亞胺矽氧烷中酮基的至少一部分，與前述(B)成分的胺化合物的胺基反應而形成C=N鍵，藉此而具有前述聚醯亞胺矽氧烷藉由前述胺化合物而具有交聯構造。
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂，係前述聚醯亞胺矽氧烷可為具有下述的一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷。此之情形，前述構成單元的存在莫耳比是以m在0.75至1.0的範圍內，n在0至0.25的範圍內為佳。
    [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由二胺化合物所衍生的2價二胺殘基，Ar及/或R2中含有酮基及氫鍵形成基，m、n表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.35至1.0的範圍內，n是在0至0.65的範圍內]。
    又，本發明的交聯聚醯亞胺樹脂，係前述聚醯亞胺矽氧烷可為具有下述的一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷。此之情形，前述構成單元的存在莫耳比是以m在0.75以上且未達1.0的範圍內，n在超過0且在0.25以下的範圍內為理想。
    [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由二胺化合物所衍生的2價二胺殘基，在Ar中含有酮基，在R2中含有氫鍵形成基，m、n表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.35以上且未達1.0的範圍內，n是超過0且在0.65以下的範圍內。]
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂，在前述聚醯亞胺矽氧烷中之前述氫鍵形成基可為-NHCO-。
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂，前述聚醯亞胺矽氧烷可為將二醯肼(Dihydrazide)化合物作為原料所合成者。
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂，前述胺化合物可為二醯肼化合物。
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂，可進一步含有平均粒徑為2至25μm範圍內的板狀無機填充劑，相對於前述(A)成分及(B)成分的合計100重量份，該填充劑之含量在5至200重量份的範圍內。
    本發明的接著劑樹脂組成物，含有下述(A)成分及(B)成分，(A)具有酮基及氫鍵形成基之重量平均分子量為20,000至150,000的聚醯亞胺矽氧烷，以及(B)具有將至少2個的1級胺基當作官能基的胺化合物，相對於前述(A)成分中的酮基1莫耳，使前述1級胺基合計成為0.004莫耳至1.5莫耳的範圍內之方式，含有前述(B)成分者。
    本發明的接著劑樹脂組成物，係前述(A)成分可為具有下述的一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷。此之情形，前述構成單元的存在莫耳比是以m在0.75至1.0的範圍內，n在0至0.25的範圍內為理想。
    [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由二胺化合物所衍生的2價二胺殘基，Ar及/或R2中含有酮基及氫鍵形成基，m、n表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.35至1.0的範圍內，n是在0至0.65的範圍內]。
    本發明的接著劑樹脂組成物，前述(A)成分可為具有下述的一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷。此之情形，前述構成單元的存在莫耳比是以m在0.75以上且未達1.0的範圍內，n超過0且在0.25以下的範圍內為理想。
    [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由二胺化合物所衍生的2價二胺殘基，分別在Ar中含有酮基，在R2中含有氫鍵形成基，m、n表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.35以上且未達1.0的範圍內，n是超過0且在0.65以下的範圍內。]
    本發明的接著劑樹脂組成物，係前述(A)成分中之前述氫鍵形成基可為-NHCO-。
    本發明的接著劑樹脂組成物，係前述(A)成分可為將二醯肼化合物作為原料所合成者。
    本發明的接著劑樹脂組成物，係前述(B)成分可為二醯肼化合物。
    本發明的接著劑樹脂組成物，可進一步含有(C)平均粒徑為2至25μm範圍內的板狀無機填充劑，相對於前述(A)成分及(B)成分的合計100重量份，該填充劑之含量為5至200重量份。
    本發明的硬化物是硬化上述任一記載的接著劑樹脂組成物而得到者。
    本發明的覆層膜是經積層接著劑層與覆蓋層用膜材層的覆層膜，前述接著劑層是使用上述任一記載的接著劑樹脂組成物所形成者。
    本發明的電路基板是具備基材、在該基材上形成之配線層、與被覆該配線層之上述覆層膜。
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂的製造方法，係具備下述步驟：將具有酮基之酸酐成分，與包含具有氫鍵形成基之二胺化合物及二胺矽氧烷的二胺成分進行混合，並藉由加熱而醯亞胺化，形成具有酮基及氫鍵形成基之聚醯亞胺矽氧烷的步驟；在前述聚醯亞胺矽氧烷中的鄰接之主鏈間形成氫鍵的步驟，以及，在前述聚醯亞胺矽氧烷的酮基之至少一部分，與具有至少2個的1級胺基作為官能基之胺化合物的胺基反應，形成C=N鍵，前述聚醯亞胺矽氧烷藉由前述胺化合物而交聯之步驟。
    又，本發明的熱傳導性基板，係在至少具有1層之聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑的含填充劑之聚醯亞胺樹脂層之絕緣層的單面或兩面上有金屬層之熱傳導性基板，其特徵為：含有前述填充劑之聚醯亞胺樹脂層的熱傳導性填充劑含有率是在5至80wt%的範圍(重量%，以下亦同)，含有前述填充劑之聚醯亞胺樹脂層中的聚醯亞胺樹脂，為具有下述的一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷的前述酮基，與具有將至少2個的1級胺基作為官能基之胺化合物的胺基反應後，形成C=N鍵，藉此，前述聚醯亞胺矽氧烷係藉由前述胺化合物而有交聯的構造之交聯聚醯亞胺樹脂， [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由芳香族二胺及/或脂肪族二胺所衍生的2價二胺殘基，Ar及/或R2中含有酮基，m、n表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.4至1.0的範圍內，n是在0至0.6的範圍內]。
    又，本發明的熱傳導性聚醯亞胺膜，係具備有在聚醯亞胺樹脂層中分散有熱傳導性填充劑之含有填充劑的聚醯亞胺樹脂層的熱傳導性聚醯亞胺膜，其特徵為：前述含有填充劑的聚醯亞胺樹脂層中之熱傳導性填充劑的含有率是在5至80wt%的範圍內，前述含有填充劑的聚醯亞胺樹脂層中的聚醯亞胺樹脂，為具有下述的一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷中的前述酮基，藉由與具有將至少2個的1級胺基當作官能基之胺化合物的胺基反應而形成C=N鍵，前述聚醯亞胺矽氧烷為藉由前述胺化合物而有經交聯之構造的交聯聚醯亞胺樹脂。
    [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由芳香族二胺及/或脂肪族二胺所衍生的2價二胺殘基，Ar及/或R2中含有酮基，m、n是表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.4至1.0的範圍內，n是在0至0.6的範圍內]。
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂，係聚醯亞胺矽氧烷中之酮基的至少一部分與胺化合物的胺基反應而形成C=N鍵，聚醯亞胺矽氧烷的至少一部分具有藉由胺化合物所交聯之構造。因此，在焊接耐熱性優良的同時，即使反覆在高溫環境下放置，可形成與金屬配線層的接著力不降低之接著劑層。於是，使用本發明的交聯聚醯亞胺樹脂形成接著劑層之覆層膜的剝離強度提高，可提高使用該覆層膜之電路基板的信頼度。
    又，本發明的交聯聚醯亞胺樹脂之理想態樣中，由於使用具有酮基及氫鍵形成基之聚醯亞胺矽氧烷，不只結束形成交聯而硬化之狀態，在其中途階段亦可呈現優良的耐濕焊接耐熱性。於是，可以兼具優異的接著性與焊接耐熱性，可用於覆層膜等的接著劑。
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂的製造方法，由於使用具有酮基及氫鍵形成基之聚醯亞胺矽氧烷，即使在加熱前的組成物狀態，鄰接之聚醯亞胺矽氧烷的主鏈相互間亦藉由氫鍵而成為接近之狀態。因此，聚醯亞胺矽氧烷的酮基相互間接近，可以促進與胺化合物的胺基之交聯形成。於是，在短時間中變成可以形成交聯，可以謀求縮短在硬化中需要之熱處理時間。[用以實施發明之最佳形態] [交聯聚醯亞胺樹脂]
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂是將下述的成分(A)及(B)反應而得到之交聯聚醯亞胺樹脂，(A)具有酮基之聚醯亞胺矽氧烷，以及，(B)具有將至少2個的1級胺基當作官能基之胺化合物，。因此，本發明的交聯聚醯亞胺樹脂，在前述(A)成分的聚醯亞胺矽氧烷中之酮基的至少一部分，與前述(B)成分的胺化合物的胺基進行反應而形成C=N鍵，藉此，前述聚醯亞胺矽氧烷即具有藉由前述胺化合物而交聯之構造。
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂的理想態樣中，上述一般式(1)及(2)中的Ar基是由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1基是由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2基是由二胺化合物所衍生的2價二胺殘基。又，在Ar及/或R2中含有酮基及氫鍵形成基，表示構成單元的存在莫耳比之m是在0.35至1.0的範圍內，理想的是在0.75至1.0的範圍內，n在0至0.65的範圍內，理想的是在0至0.25的範圍內。本發明的交聯聚醯亞胺樹脂的更佳態樣中，上述一般式(1)及(2)中的Ar基中含有酮基，並且在R2基中可以含有氫鍵形成基。此之情形，表示構成單元的存在莫耳比之m是在0.35以上且未達1.0的範圍內，更理想的是0.75以上且未達1.0的範圍內，最理想的是在0.75以上0.99以下的範圍內。又，表示構成單元的存在莫耳比之n是超過0且在0.65以下的範圍內，更理想的是超過0且在0.25以下的範圍內，最理想的是在0.01以上0.25以下的範圍內。
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂中，也可以於前述(A)成分之聚醯亞胺矽氧烷中之酮基的至少一部分，與前述(B)成分的胺化合物的胺基反應形成C=N鍵。交聯聚醯亞胺樹脂的交聯形成率(硬化的程度)，藉由交聯形成聚醯亞胺樹脂的硬化也可以在未完成的狀態，實用上只要可確保充分的耐濕焊接耐熱性的程度即可。交聯聚醯亞胺樹脂在實用上是否有充分之耐濕焊接耐熱性，如後述般，可以作為判斷黏度之指標。 [聚醯亞胺矽氧烷]
    上述(A)成分，例如是在具有一般式(1)、(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷中，在Ar基及/或R2基中，理想的是在Ar基中含有酮基，此酮基是與胺化合物的反應有關。一般式(1)、(2)所示構成單元中，作為形成含酮基之Ar基用的芳香族四羧酸者，例如可以列舉：下述的式(3)所示之3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸二酐(BTDA)。
    又，一般式(1)及(2)所示構成單元中，作為成為形成Ar基用的原料之芳香族四羧酸者，除了具有上述酮基者之外，例如可以使用3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐(BPDA)、3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸二酐(DSDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)等。此等可以單獨或組合2種以上來使用。
    又，在具有上述一般式(1)、(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷中，作為「氫鍵形成基」者，例如可以列舉：-NHCO-等。藉由含有如此之氫鍵形成基，在鄰接的聚醯亞胺矽氧烷鏈之間產生氫鍵，可使成為與胺化合物的交聯反應之反應點的酮基間相互接近，故促進由胺化合物之交聯反應，而可以縮短到產生充分的耐濕焊接耐熱性為止的加熱時間。氫鍵形成基可含在一般式(1)及(2)的任一方，或雙方。又，氫鍵形成基，只要含在Ar基所示酸酐成分中，或是含在R1基或R2基所示二胺成分的任一者之中即可，以含在一般式(2)的R2基中為理想。相對於全二胺之氫鍵形成基的存在莫耳比，於鄰接之聚醯亞胺矽氧烷的主鏈間，為了有效地形成氫鍵，可以設成超過0且在1.3以下的範圍內，更理想的是超過0且在0.5以下的範圍內，最理想的是0.02以上0.5以下的範圍內。
    又，作為一般式(1)所示構成單元中的R1基者，例如，可以列舉：由下述的式(4)所示二胺矽氧烷所衍生的二胺矽氧烷殘基。
    [在此，R3及R4是分別表示，也可以含有氧原子的2價有機基，R5至R8是分別表示碳數1至6的烴基，平均反覆數之m1是1至20。]
    尤其是，作為R1基者，為了賦與聚醯亞胺的可溶性，式(4)中的R3及R4分別為2價的烴基，R5至R8分別是碳數1至6的烴基，平均反覆數之m1為5至15者為理想。
    上述二胺矽氧烷殘基是由二胺矽氧烷除去胺基後之有矽氧烷鍵(Si-O-Si)之基，但藉由此矽氧烷鍵的比率増加，即使在不摻配塑化劑的接著劑層也能賦與充分的柔軟性，可以抑制覆層膜的翹曲。又，塑化劑中由於多含極性基，故在不摻配塑化劑的優點上，可列舉：可以抑制使用有一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷的接著劑樹脂組成物中含有之極性基的量。為此，在本實施的形態，式(1)中之m的值設成0.35以上，理想的是0.75以上。m的值未達0.35時，抑制翹曲的效果無法充分得到。又，亦可認為藉由矽氧烷鍵的増加，聚醯亞胺矽氧烷的醯亞胺鍵部位的減少而亦會有減低硬化收縮效果之情形。
    如此，使用上述一般式(4)所示二胺矽氧烷，並在聚醯亞胺中導入矽氧烷骨幹，藉此得到之聚醯亞胺矽氧烷中賦與加熱壓接時的流動性，可以提高印刷電路配線上的充填性。作為一般式(4)所示二胺矽氧烷的具體例者，係以下述式(5)至式(9)所示二胺矽氧烷為佳，此等之中也以式(5)或式(6)所示脂肪族二胺矽氧烷為更佳。此等的二胺矽氧烷，也可以組合2種以上來摻配。又，在組合摻配2種以上的二胺矽氧烷時，式(5)或式(6)所示脂肪族二胺矽氧烷相對於全二胺矽氧烷100重量份，理想的是摻配90重量份以上。又，在式(4)至式(9)中，平均反覆數之m1是在1至20的範圍內，理想的是在5至15的範圍內，m1小於1時，作為接著劑時之充填性會降低，超過20時接著性會降低。
    一般式(2)所示構成單元中，作為含有酮基之R2基(由二胺化合物所衍生的2價二胺殘基)者，例如可以列舉：以下的式(10)、(11)所示芳香族二胺。此等可以單獨或組合2種以上來使用。
    [在此，R9獨立地表示碳數1至6的1價烴基或烷氧基，X表示CO，n1獨立地表示0至4的整數。]
    為了形成上述式(10)、(11)所示R2基的芳香族二胺者，例如，可以列舉：4,4’-雙(3-胺基苯氧基)二苯基酮(BABP)、1,3-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯甲醯基]苯(BABB)等。
    又，一般式(2)所示構成單元中，作為成為形成有氫鍵形成基之R2基用之原料的二胺化合物者，例如氫鍵形成基為-NHCO-基時，可以列舉：二醯肼化合物等。在此，作為二醯肼化合物的具體例者，可以列舉：脂肪族二醯肼的十二烷二醯肼或己二醯肼等，芳香族二醯肼之間苯二甲醯肼等。此等之中也是以脂肪族二醯肼之十二烷二醯肼或己二醯肼為理想。
    又，一般式(2)所示構成單元中，作為成為形成R2基用的原料之其他二胺化合物者，例如，可以列舉：2,2-雙(4-胺苯氧基苯基)丙烷(BAPP)、2,2’-二乙烯基-4,4’-二胺聯苯基(VAB)、2,2’-二甲基-4,4’-二胺聯苯(m-TB)，2,2’-二乙基-4,4’-二胺聯苯、2,2’,6,6’-四甲基-4,4’-二胺聯苯基、2,2’-二苯基-4,4’-二胺聯苯基、9,9-雙(4-胺苯基)茀等的芳香族二胺。此等的芳香族二胺，可以使用單獨或是組合2種以上使用。
    成為聚醯亞胺矽氧烷的原料以上之酸酐及二胺，分別可只有使用其中1種，也可併用2種以上。又，也可併用上述以外的酸酐及二胺。 [聚醯亞胺矽氧烷的合成]
    (A)成分的聚醯亞胺矽氧烷，係可將上述芳香族四羧酸酐、二胺矽氧烷及二胺在溶劑中反應，生成前驅體樹脂的聚醯胺酸之後藉由加熱閉環而製造。例如，將酸酐成分與二胺成分以幾乎等莫耳在有機溶劑中溶解，於0至100℃範圍內的溫度下撹拌30分鐘至24小時使起聚合反應而得到聚醯亞胺的前驅體之聚醯胺酸。當反應時，使生成之前驅體在有機溶劑中成為5至30重量%的範圍內，理想的是在10至20重量%的範圍內之方式溶解反應成分。作為聚合反應中使用的有機溶劑者，例如，可以列舉：N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺(DMAC)、N-甲基-2-吡咯啶酮、2-丁酮、二甲基亞碸、硫酸二甲酯、環己酮、二噁烷、四氫呋喃、二乙二醇二甲醚(diglyme)、三乙二醇二甲醚(triglyme)等。也可以併用2種以上此等的溶劑，進一步也可能併用如二甲苯，甲苯的芳香族烴。
    所合成之前驅體，通常是，作為反應溶劑溶液使用而有利，惟可因應需要而濃縮、稀釋，或可以用其他的有機溶劑取代。又，前驅體因為在一般溶劑的可溶性優良，故有利於使用。使前驅體醯亞胺化的方法，並無特別之制限，例如在前述溶劑中，適合採用在80至300℃的範圍內的溫度條件下，加熱1至24小時之熱處理。
    在調製(A)成分的聚醯亞胺矽氧烷之際，成為原料的酸酐成分及二胺成分的摻配比率，並無特別之制限，例如，將聚醯亞胺矽氧烷的末端取代基當作胺基，即，將酸酐基以二胺封住，從抑制交聯聚醯亞胺樹脂的極性之觀點而言，作為酸酐成分：二胺成分之莫耳比是以1.000：1.001至1.0：1.2為理想。
    又，(A)成分的聚醯亞胺矽氧烷係，成為芳香族四羧酸酐、二胺矽氧烷、及二胺化合物反應而得到醯亞胺構造，例如，在作為覆層膜的接著劑使用時，為了抑制銅的擴散，最好為完全經醯亞胺化之構造。但是，聚醯亞胺的一部分也可以成為醯胺酸。藉由使用傅里葉變換紅外分光光度計(市售品：日本分光製FT/IR620)，以1次反射ATR法測定聚醯亞胺薄膜的紅外線吸收光譜，將1015cm-1附近的苯環吸收體當作基準，由源自1780cm-1的醯亞胺基之C=O伸縮吸光度算出此醯亞胺化率。 [氫鍵的形成]
    如以上得到之聚醯亞胺矽氧烷，由於在分子構造中具有氫鍵形成基，即使常溫下鄰接之聚醯亞胺矽氧烷的主鏈間也會產生氫鍵。例如，在聚醯亞胺矽氧烷中含有的氫鍵形成基為-NHCO-基時，在鄰接之單方的聚醯亞胺矽氧烷鏈的NH基，與另一單方的聚醯亞胺矽氧烷鏈的CO基之間會產生氫鍵。結果，在多數的聚醯亞胺矽氧烷鏈有接近某種程度的配向狀態之同時，鄰接的聚醯亞胺矽氧烷鏈之間，成為與胺化合物的交聯反應的反應點之酮基可相互接近。如此之氫鍵的形成，係藉由將聚醯亞胺矽氧烷保持溶劑溶液的狀態來進行，為了促進亞胺交聯反應而可形成充分的氫鍵。 [胺化合物]
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂中，與上述(A)成分之聚醯亞胺矽氧烷的酮基反應之對象的(B)成分，作為具有將至少2個的1級胺基當作官能基之胺化合物者，可以例示：(I)芳香族二胺，(II)二胺矽氧烷，(III)脂肪族胺，(IV)二醯肼化合物等。
    (I)芳香族二胺：作為芳香族二胺者，例如可以列舉：以下的式(12)、(13)所示者。
    [在此，R10獨立地表示碳數1至6的1價烴基或烷氧基，Z表示單鍵或碳數1至15的2價烴基，由O、S、CO、SO、SO2、NH或是CONH中選擇之2價基，n2獨立地表示0至4的整數]。
    作為如此之芳香族二胺者，例如，理想的可以列舉：4,4’-二胺二苯基醚、2’-甲氧基-4,4’-二胺苯甲醯苯胺、1,4-雙(4-胺苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺苯氧基)苯、2,2’-雙[4-(4-胺苯氧基)苯基]丙烷、2,2’-二甲基-4,4’-二胺聯苯、3,3’-二羥基-4,4’-二胺聯苯、4,4’-二胺苯甲醯苯胺、雙苯胺茀等。
    再者，作為芳香族二胺的其他例者，可以列舉：2,2-雙-[4-(3-胺苯氧基)苯基]丙烷、雙[4-(4-胺苯氧基)苯基]碸、雙[4-(3-胺苯氧基)苯基]碸、雙[4-(4-胺苯氧基)]聯苯、雙[4-(3-胺苯氧基)聯苯、雙[1-(4-胺苯氧基)]聯苯、雙[1-(3-胺苯氧基)]聯苯、雙[4-(4-胺苯氧基)苯基]甲烷、雙[4-(3-胺苯氧基)苯基]甲烷、雙[4-(4-胺苯氧基)苯基]醚、雙[4-(3-胺苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4-胺苯氧基)]二苯基酮、雙[4-(3-胺苯氧基)]二苯基酮、雙[4,4’-(4-胺苯氧基)]苯甲醯苯胺、雙[4,4’-(3-胺苯氧基)]苯甲醯苯胺、9,9-雙[4-(4-胺苯氧基)苯基]茀、9,9-雙[4-(3-胺苯氧基)苯基]茀、2,2-雙-[4-(4-胺苯氧基)苯基]六氟丙烷、2,2-雙-[4-(3-胺苯氧基)苯基]六氟丙烷、4,4’-亞甲基二-o-甲苯胺、4,4’-亞甲基二-2,6-二甲苯胺、4,4’-亞甲基-2,6-二乙基苯胺、4,4’-二胺二苯基丙烷、3,3’-二胺二苯基丙烷、4,4’-二胺二苯基乙烷、3，3’-二胺二苯基乙烷、4,4’-二胺二苯基甲烷、3,3’-二胺二苯基甲烷、4,4’-二胺二苯基硫化物、3,3’-二胺二苯基硫化物、4,4’-二胺二苯基碸、3,3’-二胺二苯基碸、4,4’-二胺二苯基醚、3,3-二胺二苯基醚、3,4’-二胺二苯基醚、聯苯胺、3,3’-二胺聯苯、3,3’-二甲基-4,4’-二胺聯苯、3,3’-二甲氧基聯苯胺、4,4”-二胺基-p-聯三苯、3,3”-二胺基-p-聯三苯、間苯二胺、對苯二胺、2,6-二胺吡啶、1,4-雙(4-胺苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺苯氧基)苯、4,4’-[1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基)]雙苯胺、4,4’-[1,3-伸苯基雙(1-甲基亞乙基)]雙苯胺、雙(p-胺環己基)甲烷、雙(p-β-胺基-t-丁基苯基)醚、雙(p-β-甲基-δ-胺戊基)苯、p-雙(2-甲基-4-胺戊基)苯、p-雙(1,1-二甲基-5-胺戊基)苯、1,5-二胺萘、2,6-二胺萘、2,4-雙(β-胺基-t-丁基)甲苯、2,4-二胺甲苯、m-二甲苯-2,5-二胺、p-二甲苯-2,5-二胺、m-伸二甲苯二胺、p-伸二甲苯二胺、2,6-二胺吡啶、2,5-二胺吡啶、2,5-二胺基-1,3,4-噁二唑，哌嗪等。以上的芳香族二胺可單獨，或混合2種類以上使用。
    (II)二胺矽氧烷：作為二胺矽氧烷者，係以列舉：下述一般式(14)所示之二胺矽氧烷或其寡聚物為佳。
    (在此，R11及R12表示2價烴基，R13至R16表示碳數1至6的烴基，m1表示1至20的數，理想的是1至10的數。)
    作為如此之二胺矽氧烷者，例如可以列舉：二胺丙基四甲基二矽氧烷，上述一般式(5)至(9)所示二胺矽氧烷等。以上的二胺矽氧烷可單獨，或混合2種類以上使用。
    (III)脂肪族胺：作為脂肪族胺者，例如，可以列舉：1,4-二胺丁烷、1,5-二胺戊烷、1,6-二胺己烷、2-甲基-1,5-二胺戊烷、1,7-二胺庚烷、1,8-二胺辛烷、1,3-雙(胺甲基)環己烷、1,4-雙(胺甲基)環己烷、1,9-二胺壬烷、1,10-二胺癸烷、1,11-二胺十一烷、1,12-二胺十二烷、4,4’-亞甲基雙環己胺等的二胺烷類、參(2-胺乙基)胺、N,N’-雙(2-胺乙基)-1,3-丙烷二胺、雙(3-胺丙基)伸乙基二胺、1,4-雙(3-胺丙基)哌嗪、二伸乙三胺、N-甲基-2,2’-二胺二乙基胺、3,3’-二胺二丙基胺、N,N-雙(3-胺丙基)甲基胺等的含有氮原子之胺類、雙(3-胺基丙基)醚、1,2-雙(2-胺乙氧基)乙烷、3,9-雙(3-胺丙基)-2,4,8,10-四噁螺[5.5]-十一烷等的含有氧原子之胺類、2,2’-硫代雙(乙基胺)等的有硫原子之胺類等。以上的脂肪族胺，可單獨，或混合2種類以上使用。
    (IV)二醯肼化合物：作為二醯肼化合物者，可以列舉：下述一般式(15)所示者。
    一般式(15)中，R17例如是可以列舉：單鍵、脂肪族基、芳香族基等。作為理想的R17者，藉由二醯肼化合物的例示來說明時，可以列舉：下述的化合物。例如，可以列舉：乙二醯肼、丙二醯肼、丁二醯肼、戊二醯肼、己二醯肼、庚二醯肼、辛二醯肼、壬二醯肼、癸二醯肼、十一烷二醯肼、順丁烯二醯肼、反丁烯二醯肼、二乙醇二醯肼、酒石二醯肼、蘋果二醯肼、苯二甲醯肼、間苯二甲醯肼、對苯二甲醯肼、2,6-萘甲醯肼、4,4-雙苯二醯肼、1,4-萘甲二醯肼、2,6-吡啶二醯肼、衣康二醯肼等。以上的二醯肼化合物，可單獨，或混合2種類以上使用。
    在有如上述至少2個的1級胺基作為官能基之胺化合物中，尤其是以二醯肼化合物為最好。使用二醯肼化合物時，與使用其他的胺化合物時相比，可以縮短接著劑樹脂組成物的硬化時間。此可認為是，二醯肼化合物的1級胺基與酮基反應而得到之生成物，成為縮胺基脲(semicarbazone)般的分子構造，藉由經分子間NH相互的氫鍵形成2聚物構造而提高生成物的安定性，故反應的平衡偏向生成物方向，認為是不易引起原料之聚醯亞胺矽氧烷的酮基與二醯肼化合物的胺基往生成方向的逆反應之原因。
    又，上述(I)芳香族二胺，(II)二胺矽氧烷，(III)脂肪族胺，(IV)二醯肼化合物等的胺化合物，也可以使用例如(I)與(II)的組合，(I)與(III)的組合，(I)與(II)與(III)的組合，如(I)至(IV)的組合方式之超過2種以上種類的組合。尤其是，藉由(I)、(II)或(III)的胺化合物，與(IV)的二醯肼化合物以所預定的摻配比率組合，一面產生(I)至(III)的胺化合物的特性，因應在(IV)的二醯肼化合物的摻配比率，可以期待得到縮短硬化時間的效果。
    又，從藉由將胺化合物的交聯網目狀的構造作成更密之觀點而言，在本發明使用之胺化合物，其分子量(胺化合物為寡聚物時，則為重量平均分子量)是以5,000以下者為理想，較理想的是90至2,000，更理想的是100至1,500。其中是以具有100至1,000的分子量之胺化合物為特別好。胺化合物的分子量未達90時，胺化合物的1個胺基與聚醯亞胺矽氧烷的酮基形成C=N鍵為止，因為殘餘的胺基周邊為立體高容積而變成殘餘的胺基變成有不易形成C=N鍵之傾向。 [交聯聚醯亞胺樹脂的製造方法]
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂的製造方法係具備下述步驟；混合上述(A)成分的具有酮基之酸酐成分，與包含具有氫鍵形成基之二胺化合物及二胺矽氧烷的二胺成分，藉由加熱而醯亞胺化，形成具有酮基及氫鍵形成基之聚醯亞胺矽氧烷的步驟、在聚醯亞胺矽氧烷中的鄰接主鏈之間形成氫鍵的步驟，以及在聚醯亞胺矽氧烷的酮基之至少一部分，使上述(B)成分之具有至少2個的1級胺基當作官能基之胺化合物的胺基反應而形成C=N鍵，使聚醯亞胺矽氧烷藉由胺化合物交聯之步驟。具體而言，係包含上述(A)成分的聚醯亞胺矽氧烷，在主鏈間產生有氫鍵狀態的樹脂溶液中，加入(B)成分的具有至少2個的1級胺基作為官能基之胺化合物，藉由使聚醯亞胺矽氧烷的酮基之一部分或全部與胺化合物的1級胺基行縮合反應而製造。藉由此之縮合反應，在聚醯亞胺矽氧烷鏈間進行交聯形成，因應交聯的形成程度，接著劑樹脂組成物會緩慢地進行硬化。此時，使相對於酮基1莫耳之1級胺基合計成為0.004莫耳至1.5莫耳，理想的是0.005莫耳至1.2莫耳，更理想的是0.03莫耳至0.9莫耳，特別理想的是0.04莫耳至0.5莫耳之方式添加胺化合物為理想。使相對於酮基1莫耳之1級胺基合計未達0.004莫耳時的方式之胺化合物之添加量，由於胺化合物藉由聚醯亞胺矽氧烷的交聯不充分，故硬化接著劑樹脂組成物後的硬化物變成不易呈現焊接耐熱性的傾向，胺化合物的添加量超過1.5莫耳時，未反應的胺化合物是當作熱塑化劑作用，在同硬化物中會有焊接耐熱性降低，或高溫下的長期耐熱性降低的傾向。
    又，藉由縮合反應的硬化，如為聚醯亞胺矽氧烷中之酮基與胺化合物的1級胺基反應而可形成亞胺鍵(C=N鍵)的條件者，就沒有特別制限。也依胺化合物的種類而異，例如在使用脂肪族胺時，在常溫中，亦可與聚醯亞胺矽氧烷中之酮基縮合，以藉由加熱促進縮合反應者為理想。作為胺化合物者，在使用脂肪族胺時，例如以在60至200℃的範圍內進行加熱縮合者為宜，在使用芳香族胺時，例如以在120至220℃的範圍內進行加熱縮合者為宜。加熱縮合之溫度係，由於將經縮合而生成之水排出反應系外，或在聚醯亞胺矽氧烷的合成後持續進行加熱縮合反應時而簡化將該縮合步驟等的理由下，例如以在120至220℃的範圍內為宜，在140至200℃的範圍內為更佳。反應時間是以0.5小時至24小時左右為理想。從短時間的熱處理得到實用上充分的耐濕焊接耐熱性之觀點而言，於160℃以上，以0.5小時以上的加熱為理想。因此，從更低溫的熱處理得到實用上充分的耐濕焊接耐熱性之觀點而言，期望是在150℃以上，進行1小時以上的加熱。
    縮合反應的終點，例如使用傅里葉變換紅外分光光度計(市售品：日本分光製FT/IR620)，藉由測定紅外線吸收光譜，可以確認在1670cm-1附近的源自聚醯亞胺矽氧烷中之酮基之吸收峰的減少或消失，及在1635cm-1附近呈現源自亞胺基之吸收峰，或是使用拉曼分光光度計(市售品：日本分光製NRS-3100)，藉由測定拉曼光譜，藉由在1567cm-1附近呈現源自亞胺基的峰而可確認。又，在160℃，2小時的熱處理是否可以呈現實用上充分的耐濕焊接耐熱性，可以把握作為所形成之交聯聚醯亞胺樹脂的黏度指標。例如，聚醯亞胺樹脂的分子量為70,000至140,000的範圍內時，溫度在260℃中之添加有交聯劑之聚醯亞胺樹脂的黏度為1×105 Pa‧s以上為理想。溫度在260℃中之交聯聚醯亞胺樹脂的黏度只要在1×105 Pa‧s以上，可以認為是形成可獲得實用上充分的耐濕焊接耐熱性程度的交聯形成者。採用如此交聯聚醯亞胺樹脂的黏度作為臨界值(threshold value)的理由，第1可以列舉：，難以直接藉由C=N鍵測定交聯形成率。第2可以列舉：為了獲得實用上充分的耐濕焊接耐熱性之必要的交聯形成率(酮基的消耗率)，係因應交聯聚醯亞胺樹脂的分子量而變化，故難以藉由單純的交聯形成率而判斷本發明的交聯聚醯亞胺樹脂中之耐濕焊接耐熱性。然而，溫度260℃中之交聯聚醯亞胺樹脂的黏度如為1×105 Pa‧s以上，可認為是成為可以獲得實用上充分的耐濕焊接耐熱性之狀態者，故本發明中，採用此時的黏度作為判斷因縮合反應而硬化的終點之標準。於是，縮合反應的終點並不是指需要消耗所有酮基使無法更一步的硬化之意，而是指得到實用上具有充分的性質(尤其是耐濕焊接耐熱性)之硬化物(半硬化物)之時點之意。
    聚醯亞胺矽氧烷的酮基與胺化合物的1級胺基之加熱縮合，例如可藉由下述(a)至(c)而進行：(a)在聚醯亞胺矽氧烷的合成(醯亞胺化)後，接著添加胺化合物並加熱，(b)事先饋入作為二胺成分之過剰量的胺化合物後，在聚醯亞胺矽氧烷的合成(醯亞胺化)後，接著將聚醯亞胺矽氧烷與無關醯亞胺化(或是醯胺化)之殘餘的胺化合物一起加熱，或是，(c)將添加有胺化合物之聚醯亞胺矽氧烷的組成物加工成預定的形狀後(例如在任意的基材上塗布後，或形成薄膜狀之後)進行加熱。
    上述(b)的情形下，過剰的胺化合物，係在聚醯亞胺矽氧烷的製造時作為末端取代基而封住酸酐基之反應中消耗，所生成之聚醯亞胺矽氧烷的分子量因極端降低，故在硬化物中會有不易得到充分的耐熱性之傾向。因此，預先饋入過剰量的胺化合物的方法[上述(b)]，以在不損及本發明的效果範圍內而適當使用為理想。為了將胺化合物中至少2個的1級胺基有效地與酮基反應而形成C=N鍵，如上述(a)或(c)般，以將胺化合物在完成聚醯亞胺矽氧烷的合成(醯亞胺化)後添加為理想。上述(c)的情形下，加熱縮合亦可利用例如，在藉由胺化合物與聚醯亞胺矽氧烷之混合狀態的組成物形成覆層膜的接著劑層之際進行熱處理的熱，或在形成該接著劑層之後，在具有配線層之電路基板上熱壓接時的熱等。 [無機填充劑]
    本發明的交聯聚醯亞胺樹脂，係作為任意的(C)成分者，可以含有平均粒徑為2至25μm範圍內的板狀無機填充劑。藉由摻配(C)成分的無機填充劑，將交聯聚醯亞胺樹脂，利用在例如覆層膜之接著劑層時，藉由具有氣體阻隔性之無機填充劑，阻斷大氣中的氧的穿透，其結果，抑制銅配線的氧化與銅的擴散而可提高長期的耐熱性。
    作為(C)成分的無機填充劑者，為了對接著劑層賦予充分的氣體阻隔性(gas barrier)，以使用板狀者為理想。在此「板狀」是指，例如使用含有：扁平狀、平板狀、薄片狀、鱗片狀等之意思，無機填充劑的厚度，係指比平面部分之長徑或短徑更小者(理想的是1/2以下)。尤其是以使用鱗片狀的無機填充劑為理想。由其他的觀點而言，「板狀」是指填充劑粒子的長徑與厚度之比(長徑/厚度)以5以上者為理想，較理想的是10以上，更理想的是15以上。又，板狀的無機填充劑之上述長徑與平均粒徑的關係，是以長徑≧平均粒徑>0.4×長徑為佳，更理想的是長徑≧平均粒徑≧0.5×長徑。又，本發明中填充劑粒子的長徑(或短徑)及厚度以及長徑與厚度的比，係作成由實體顕微鏡測定任意10粒的填充劑時的平均值。無機填充劑的形狀不為板狀，而為例如球狀時，接著劑層的氣體阻隔性會降低而進行配線層的氧化，會有覆層膜的接著強度降低的情形，惟在不損及摻配板狀填充劑的效果之範圍下，也可摻配板狀以外之形狀的無機填充劑。
    作為(C)成分的無機填充劑者，例如以使用滑石、雲母、絹雲母、黏土、高嶺土等的絕緣性無機填充劑為理想。
    無機填充劑是藉由雷射撓射法算出之平均粒徑為2至25μm的範圍內為理想，以5至20μm的範圍內為更佳。在此，無機填充劑的粒徑，係將粒子的長方向直徑的平均值當作基準。平均粒徑超過上述上限值時，覆層膜的接著劑層表面有產生粗糙的傾向，比上述下限值低時，不易得到抑制氧氣透過之效果。
    又，無機填充劑的粒度分布，在個數基準下，粒徑10 μm以下者以60%以上為理想，更理想的是65%以上，粒徑為20μm以上者以10%以下者為理想。粒徑10μm以下的無機填充劑未達60%時，當將接著劑樹脂組成物薄膜化之際，填充劑排成層狀，在薄膜表面呈現出突起，成為薄膜表面粗糙的原因。
    又，粒徑20μm以上的無機填充劑超過10%時，在薄膜表面呈現突起，為薄膜表面變成粗糙的原因，例如，在製作15μm以下的薄膜之際，有表面容易變粗糙的傾向。又，無機填充劑的粒徑頻度分布是以0.1至100μm為佳，0.5至70μm為更佳。頻度分布超過上述上限值時，接著劑層的表面有產生粗糙之傾向，比上述下限值低時，不易得到抑制氧氣透過之效果。
    (C)成分的無機填充劑之摻配量，相對於上述(A)成分及(B)成分的合計100重量份，有5至200重量份，理想的是在10至150重量份，更理想的是30至100重量份，期望是在40至80重量份。相對於上述(A)成分及(B)成分的合計100重量份，無機填充劑的摻配量未達5重量份時，得不到摻配的效果，得不到抑制氧氣透過之效果。又，相對於上述(A)成分及(B)成分的合計100重量份，無機填充劑的摻配量超過200重量份時，接著劑層會變脆弱，結果，由於藉由接著劑層的凝集破壊使得強度降低，故外觀上的接著性會顯著降低。又，本發明中之無機填充劑是使用板狀者，也可以併用非板狀的無機填充劑。併用非板狀的無機填充劑時，相對於(A)成分及(B)成分的合計100重量份，無機填充劑全體(板狀及其他形狀的合計)之摻配量以不超過200重量份為理想。 [作用]
    上述(A)成分的聚醯亞胺矽氧烷之酮基與胺化合物的1級胺基之反應係脫水縮合反應，聚醯亞胺矽氧烷中的酮基之碳原子與1級胺基的氮原子形成C=N鍵的結果，被認為是鏈狀的聚醯亞胺矽氧烷藉由胺化合物交聯形成網目狀的高分子者。於是，理想的是在上述(A)成分的聚醯亞胺矽氧烷中，藉由含有氫鍵形成基，先進行交聯反應，鄰接之聚醯亞胺矽氧烷鏈間產生氫鍵，成為與胺化合物的交聯反應之反應點的酮基可以相互拉近。其結果，會促進藉由胺化合物之交聯反應，可以縮短直到獲得實用上充分的耐濕焊接耐熱性的加熱時間。通常，由於聚醯亞胺矽氧烷不易產生分子間相互作用，故難以控制聚醯亞胺矽氧烷的配向，惟藉由在主鏈中含有氫鍵形成基，可以產生氫鍵。再者，當產生酮基與胺化合物的交聯構造時，不只聚醯亞胺矽氧烷中之外觀上的高分子量化，且聚醯亞胺矽氧烷的分子相互間有某種程度的拘束，故耐熱性提高，應可得到極優異的焊接耐熱性。又，藉由C=N鍵中之氮原子附近的立體容積變高，使交聯聚醯亞胺樹脂中含有的極性基銅原子之求核能降低，藉此可以抑制來自銅配線的銅在接著劑層中之擴散，被認定在高溫環境使用中，得到抑制接著強度低下之效果者。藉由如此之理由，本發明中使用之胺化合物，有必要具有至少2個胺基，胺基數係以2至5為理想，更理想的是2至3。又，具有3個以上胺基之胺化合物中，由於2個胺基形成C=N鍵後的交聯構造體之立體容積變高，因此殘餘的未反應胺基不易與酮基反應，故胺基的數是以2為特別佳。再者，在如上述接著劑樹脂組成物的硬化時間縮短之觀點而言，係以使用作為胺化合物之二醯肼化合物為最佳。 [接著劑樹脂組成物]
    本發明的接著劑樹脂組成物，係含有作為必須成分之上述聚醯亞胺矽氧烷[(A)成分]，與具有將至少2個的1級胺基當作官能基之胺化合物[(B)成分]。此接著劑樹脂組成物，係藉由將(A)成分及(B)成分混合或混練，及/或藉由含有(A)成分及(B)成分之狀態下加熱，前述聚醯亞胺矽氧烷的酮基與胺化合物的1級胺基於縮合反應之後，即具有形成C=N鍵的性質。即，本發明的接著劑樹脂組成物，藉由聚醯亞胺矽氧烷與胺化合物的縮合反應，變成本發明的硬化物。在此，本發明的「硬化物」是指，聚醯亞胺矽氧烷的酮基，與胺化合物的1級胺基的交聯反應，不只沒有進行此以上程度為止的完結狀態，也包含有上述交聯反應中殘留剩餘的半硬化狀態。本發明的接著劑樹脂組成物中，(A)成分的重量平均分子量是以，例如30,000至200,000的範圍內為佳，在160℃，2小時的加熱下得到充分的耐濕焊接耐熱性的觀點而言，是以70,000至140,000的範圍內為更佳。(A)成分的重量平均分子量未達70,000時，接著劑樹脂組成物作成溶液時的流動性之控制變得有困難，又有產生硬化物的耐熱性降低之傾向。另一方面，重量平均分子量超過140,000時，有損對溶劑的可溶性之傾向。
    接著劑樹脂組成物，相對於酮基1莫耳，所含胺化合物之合計1級胺基成為0.004莫耳至1.5莫耳，理想的是0.005莫耳至1.2莫耳，更理想的是0.03莫耳至0.9莫耳，特別理想的是0.04莫耳至0.5莫耳。
    本發明的接著劑樹脂組成物中，與上述(A)成分的聚醯亞胺矽氧烷，(B)成分的胺化合物之同時，是以含有任意成分之上述(C)成分的無機填充劑為理想。進一步因應必要，可以適當摻配環氧樹脂等的其他樹脂成分、硬化促進劑、偶合劑、填充劑、顏料、溶劑、阻燃劑等。但是，在塑化劑中，含有多量極性基者，因其有助長來自銅配線的銅的擴散之顧慮，故塑化劑以儘量不使用者為理想。
    本發明的接著劑樹脂組成物中，在摻配(C)成分的無機填充劑以外之任意成分時，例如，相對於交聯聚醯亞胺樹脂100重量份，任意成分的合計是以1至10重量份作為摻配量為佳，以2至7重量份作為摻配量為更佳。
    如以上得到之本發明的接著劑樹脂組成物，在使用此等形成接著劑層時即成為具有優異的柔軟性與熱塑化性者，例如，具有作為保護FPC、硬性‧軟性電路基板等的配線部之覆層膜用的接著劑之好的特性。作為覆層膜的接著劑層使用時，在覆蓋層用薄膜材的單面，將本發明的接著劑樹脂組成物以溶液的狀態(例如，含有溶劑之清漆狀)塗布後，例如在60至220℃的溫度下，藉由熱壓接，可以形成具有覆蓋層用薄膜材層與接著劑層之本發明的覆層膜。此情形，可利用熱壓接時的熱使聚醯亞胺矽氧烷的酮基與胺化合物的1級胺基加熱縮合。又，即便熱壓時的加熱縮合不充分，在熱壓接後亦可進一步實施熱處理使加熱縮合。於熱壓接後實施熱處理時，熱處理溫度，例如是以60至220℃為佳，以80至200℃為更佳。又，在任意的基材上，將本發明的接著劑樹脂組成物以溶液的狀態(例如，含有溶劑之清漆狀)塗布，例如是以80至180℃的溫度乾燥後，藉由剝離，而形成接著劑薄膜，將此接著劑薄膜，與上述覆蓋層用薄膜材，例如藉由60至220℃的溫度熱壓接，亦可形成具有覆蓋層用薄膜材層與接著劑層之本發明的覆層膜。此情形，亦可利用熱壓接時的熱，使聚醯亞胺矽氧烷的酮基與胺化合物的1級胺基加熱縮合。如以上所述般，本發明的接著劑樹脂組成物，可使聚醯亞胺矽氧烷的酮基與胺化合物的1級胺基以未反應的狀態加工成各種各式的形態使用。再者，本發明的接著劑樹脂組成物，亦可在任意的基材上，藉由網版印刷以溶液的狀態形成被覆膜，例如在80至180℃的溫度下乾燥後使用。理想的是進一步以130至220℃的溫度進行預定時間的熱處理，藉由完全硬化被覆膜，而可以形成硬化物。 [覆層膜‧黏結片]
    本發明的覆層膜係，具備覆層膜材，與積層在該覆層膜材上之藉由上述接著劑樹脂組成物所構成的接著劑層。作為本發明的覆層膜中之覆蓋層用薄膜材者，並無特別限定之意，例如可以使用：聚醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等的聚醯亞胺系樹脂薄膜，或聚醯胺系樹脂薄膜、聚酯系樹脂薄膜等。此等之中，也以使用具有優異的耐熱性之聚醯亞胺系樹脂薄膜為理想。覆蓋層用薄膜材層的厚度，並無特別限定者，例如是以5μm以上100 μm以下為理想。又，接著劑層的厚度，並無特別限定者，例如是以10 μm以上50μm以下為理想。
    又，將本發明的接著劑樹脂組成物形成薄膜狀者，例如也可利用作為多層FPC的黏結片(bonding sheet)。利用作為黏結片時，在任意的基材薄膜上，將本發明的接著劑樹脂組成物以溶液的狀態塗布，例如在80至180℃的溫度下乾燥後，可將剝離得到之接著劑薄膜直接使用作為黏結片，也可將此接著劑薄膜與任意的基材薄膜於積層狀態下使用。作為黏結片使用時，也利用熱壓接時的熱可以使聚醯亞胺矽氧烷的酮基與胺化合物的1級胺基加熱縮合，亦可在熱壓接之後進一步實施熱處理使加熱縮合。
    又，覆層膜或黏結片，係可在接著劑面黏貼脫模材作成具有脫模材層之形態。脫模材的材質，只要不損及覆層膜或黏結片的形態而可剝離者即可而無特別之限定，例如可以使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯，聚丙烯等的樹脂薄膜，或將此等的樹脂薄膜在紙上積層者等。
    使用本發明的接著劑樹脂組成物，成型後，藉由熱處理產生上述加熱縮合反應而得到之覆層膜或黏結片，由於含有藉由聚醯亞胺矽氧烷與胺化合物的反應而得到之交聯聚醯亞胺樹脂，故具有優異的焊接耐熱性。更具體而言，如後述實施例所示，焊接耐熱性(乾燥)為260℃以上，理想的是280℃以上，更理想的是在300℃以上，焊接耐熱性(耐濕)為200℃以上，理想的是260℃以上，更理想的是280℃以上。藉由具備如此極優異的焊接耐熱性，可以防止在焊接步驟中之變形或剝離等的發生，有助於提高所製造的電路基板等的良率與信頼度。 [電路基板]
    本發明的電路基板，限定具備如以上得到之覆層膜及黏結片，其構成並無特別之制限。例如，本發明的電路基板的理想形態，至少具備有：基材，與由基材上以預定的圖案形成之銅等金屬所成的配線層，覆蓋該配線層之本發明的覆層膜。作為電路基板的基材者，無特別限定之意，FPC的情形，係以使用與上述覆蓋層用薄膜材同樣的材質為佳，以使用聚醯亞胺系樹脂製的基材為理想。
    本發明的電路基板，藉由使用本發明的覆層膜，在配線之間充填具有優異的柔軟性與熱塑性之接著劑層，可得到覆層膜與配線層間之高的密著性。又，藉由形成包含聚醯亞胺矽氧烷與胺化合物的反應所得到之交聯聚醯亞胺樹脂之接著劑層，能抑制來自銅配線的銅之擴散，即使高溫環境下重複使用，也可以長期間一直維持優異的密著性。更具體而言，在大氣中，150℃，1000小時的長期耐熱性試驗後，藉由能量分散型X線(EDX)分析裝置之測定(參照後述實施例)，使銅在接著劑層的擴散量可以控制在2.5%以下。其結果，長期耐熱性試驗後的銅配線層與覆蓋層用薄膜材層的剝離強度可以維持在0.2kN/m以上。尤其是，藉由選擇一般式(1)及(2)中的Ar基、R1基及R2基，可以得到0.4kN/m以上的極高剝離強度。又，相對於原料的全二胺成分，二胺矽氧烷的摻配比率設成35莫耳%以上，藉此可得到優異的可溶性，即使未摻配塑化劑，也可以防止覆層膜的翹曲。
    又，本發明的電路基板，也可以構成作為多層電路基板而。此情形，不只是覆層膜，在黏結片也是可以使用由本發明的接著劑樹脂組成物得到之接著劑薄膜。
    本發明的電路基板的製造，並無特別的限定，例如銅箔積層板等的金屬箔積層板的金屬箔，以化學蝕刻等的方法在預定的圖案上電路加工後，在其電路上的必要部分積層覆層膜，例如可以列舉：使用熱壓裝置等的熱壓接方法等。此時，壓接條件並無特別限定者，例如，壓接溫度之理想是130℃以上220℃以下，更理想的是140℃以上200℃以下，壓力是0.1MPa以上4MPa以下為理想。又，在覆層膜的狀態中，聚醯亞胺矽氧烷的酮基與胺化合物的1級胺基未反應時，可利用使覆層膜在電路配線上熱壓接時的熱引起縮合反應。即，覆層膜的接著劑層以與配線層相接之方式配置，在將兩構材熱壓接之步驟之同時，可使接著劑層中所含(A)成分的酮基與(B)成分的1級胺基縮合反應而形成C=N鍵。
    其次，說明有關本發明的交聯聚醯亞胺樹脂在熱傳導性基板及熱傳導性聚醯亞胺薄膜中適用之實施形態。
    藉由最近的電子機器之小型化，而提高電路的積體度，也結合資訊處理的高速化，導致在機器內產生之熱的放熱手段受到注目。又，對以地球暖化為首的環境問題之意識提高，因而對環境負荷低並且省能源的製品有很強烈的要求。作為此代表例者，可以列舉：以LED照明取代白熱燈的急速普及，為了充分發揮LED照明的性能，使用時將產生之熱有效率的釋出成為重要之事。又，在車輛用途等使用的功率半導體(Power semiconductor)材料之SiC中，為了高溫動作而在使用時發生的熱有效地釋出已成為重要之事。在此，為了提供富加工性，放熱性優異的電路基板，對於構成絕緣層之聚醯亞胺薄膜，正研討如何提高厚度方向的熱傳導率。
    然而，以往技術的聚醯亞胺薄膜的厚度方向的熱傳導率，並不足以作為放熱基板的性能，而有改善的必要。又，一般而言，在銅箔等的金屬層積層樹脂層製作金屬箔積層體時，通常，在金屬層與樹脂層之間有必要設置藉由環氧系接著劑或熱塑性樹脂之接著層。隔著此接著層，不僅成為使金屬層產生之熱的放熱進一步降低之原因，實用上作為基板使用時會導致所要求的耐熱性、彎曲性等的諸特性低下。已知有在如此聚醯亞胺樹脂中摻配熱傳導性填充劑之基板材料或薄膜材料，惟必需在將耐熱性高的聚醯亞胺樹脂與其他的構材試圖以加熱壓接方式之高溫的加壓條件進行，有成為配線的缺損，零組件的破損等的原因之憂慮。又，在矽氧烷聚醯亞胺摻配熱傳導性填充劑時，上述高溫加壓的條件雖為緩和，但仍不可能確保充分的耐熱性，特別是長期之耐熱性，被認定不適用在高溫環境下所使用的放熱基板之主樹脂層。
    在此，期望提供一種熱傳導性基板，其無需有接著層，在絕緣層與金屬層、陶瓷基板、Si基板、及其他的基材之間具有實用上的接著強度，並且絕緣層的熱傳導性，(長期)耐熱性方面優異，以及提供一種熱傳導性聚醯亞胺薄膜，係可在該熱傳導性基板上賦予上述的特性，並在較低溫領域下具有加熱壓接性。本實施形態中，提供一種絕緣層與金屬層、陶瓷基板、Si基板、及其他基材之間具有實用上的接著強度，並且絕緣層的熱傳導性，(長期)耐熱性優異的熱傳導性基板，及除了此的特性，另具有在比較低溫領域下的加熱壓接性之熱傳導性聚醯亞胺薄膜。 [熱傳導性基板]
    本發明之一實施形態的熱傳導性基板，是在聚醯亞胺樹脂中，至少具有1層含有分散有熱傳導性填充劑之填充劑的聚醯亞胺樹脂層。絕緣層只要是至少有1層含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層者即可。在絕緣層的單面或兩面具有金屬層。含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層，係在上述的交聯聚醯亞胺樹脂中含有熱傳導性填充劑。構成含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層之聚醯亞胺樹脂，係具有藉由與胺化合物的C=N鍵而交聯之構造。在金屬層的單面中具有控制此交聯構造的交聯形成率(硬化的程度)之含填充劑之聚醯亞胺樹脂層的絕緣層者，係可在樹脂層中擁有接著性，例如作成附有樹脂之銅箔，即可以使用作為附有熱傳導性樹脂之銅箔而與其他基材接著。 [絕緣層]
    絕緣層只要是在交聯聚醯亞胺樹脂中至少具有1層含有分散有熱傳導性填充劑之填充劑的聚醯亞胺樹脂層者即可，除了含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層以外，可以具備在此所積層之其他的聚醯亞胺樹脂層。此情形，構成含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層的交聯聚醯亞胺樹脂，與構成絕緣層中的其他聚醯亞胺樹脂層之聚醯亞胺樹脂，也可以是同種的聚醯亞胺樹脂，也可以是異種的聚醯亞胺樹脂。使用作為含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層以外的其他聚醯亞胺樹脂層之異種聚醯亞胺樹脂時，聚醯亞胺樹脂的種類是無特別限定者。只是，從熱傳導性基板的放熱特性高之觀點而言，絕緣層的全體是以藉由含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層所形成者為理想。此情形，含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層不限定為單層，也可以積層複數層者。 [熱傳導填充劑]
    本實施的形態中，含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層中的熱傳導性填充劑之含有比率，有必要在5至80wt%的範圍內，以在10至60wt%的範圍內為理想。熱傳導性填充劑的含有比率未達5wt%時，作為電路基板等的電子零組件時之放熱特性並不充分，超過80wt%時，會顕著地降低耐折性或耐彎曲性，又，也會降低含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層的強度。
    作為熱傳導性填充劑者，是以高熱傳導性的填充劑為佳，具體上，例如可以列舉：鋁、銅、鎳、二氧化矽、鑽石、氧化鋁、鎂、氧化鈹、氮化硼、氮化鋁、氮化矽、碳化矽等。此等之中，以選自二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、氮化矽及氧化鎂中之至少1種類的填充劑為理想。含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層因為當作絕緣層之作用，故從此觀點而言，在聚醯亞胺樹脂層中所摻配之填充劑是以具有絕緣性者為合適。填充劑形狀，是沒有特別限定者，例如也可以是板狀(包含鱗片狀)、球狀、針狀、棒狀之任何一種。又，熱傳導性填充劑的含有量高，考慮到與熱傳導性等的特性平衡，也可以併用不同形狀(例如，板狀與球狀，板狀與針狀等)的填充劑。
    熱傳導性填充劑的大小，從含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層的厚度方向能均勻分散填充劑而提高熱傳導性之觀點而言，例如，係以平均粒徑為0.5至10μm的範圍內為佳，以在0.8至5μm的範圍內為更佳。熱傳導性填充劑的平均粒徑未達0.5μm時，各個的填充劑內部之熱傳導變小，結果不僅不能提高含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層的熱傳導率，並且粒子相互間會容易引起凝集，而有難以均一地分散之虞。另一方面，超過10μm時，對含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層的充填率會降低，並且填充劑界面中含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層會有變脆弱之傾向。 [交聯聚醯亞胺樹脂及聚醯亞胺矽氧烷]
    為了形成含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層的聚醯亞胺樹脂是上述交聯聚醯亞胺樹脂，理想的是具有上述一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷中，在Ar基及/或R2基中的酮基，藉由與具有至少2個的1級胺基當作官能基之胺化合物反應形成C=N鍵，聚醯亞胺矽氧烷即為藉由胺化合物而有交聯構造者。此情形，樹脂中的式(1)所示構成單元的存在量是在40莫耳%至100莫耳%的範圍內，理想的是以在80莫耳%至100莫耳%的範圍內為宜。
    又，本發明的熱傳導性基板的理想態樣，係在上述一般式(1)及(2)中可含有氫鍵形成基者。
    具有上述一般式(1)，(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷中，在Ar基及/或R2基中，含有酮基，此酮基為有關與胺化合物的反應。此時，只要聚醯亞胺矽氧烷中之Ar基及/或R2基中的酮基之至少一部分與胺化合物的胺基反應而形成C=N鍵即可。聚醯亞胺樹脂的交聯形成率(硬化的程度)，藉由交聯形成聚醯亞胺樹脂的硬化，即使沒有完成之狀態也可以，實用上只要確保可以有充分的耐熱性程度即可。總之，聚醯亞胺樹脂可為交聯反應完成硬化的狀態，亦可為交聯形成的殘留剩餘之半硬化狀態。將硬化狀態停留在半硬化狀態下，使在樹脂層擁有接著性，可以適用在附有樹脂之銅箔的用途。交聯聚醯亞胺樹脂在實用上是否具有充分的耐熱性，例如可以作為判斷黏度之指標。
    又，含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層，只要填充劑含有率固定，交聯聚醯亞胺樹脂的交聯形成率為低時，相對的接著性有變高之傾向，交聯聚醯亞胺樹脂的交聯形成率為高時，相對的接著性有變低之傾向。因此，交聯聚醯亞胺樹脂的交聯形成率，例如也可作為判斷與熱壓接後的銅箔之剝離強度(壓接面接著強度)的指標。更具體而言，在製作單面具有金屬層之熱傳導性基板後，在此熱傳導性基板的聚醯亞胺樹脂層上，放置厚度18μm的軋延銅箔(表面粗糙度Ra=0.7μm)，溫度160℃，壓力2 MPa，時間2小時的條件下進行加壓。於是，依據後述實施例所示之「銅箔撕下強度(剝離強度)」進行180°撕下試驗，測定前述軋延銅箔與聚醯亞胺樹脂層的剝離強度。此時，例如將填充劑含有率為80 wt%且剝離強度為0.4[kN/m]以上時，可判定為交聯形成尚未完成之半硬化狀態(交聯形成而殘留剩餘的狀態)，填充劑含有率為5wt%且剝離強度為0.4[kN/m]以下時，可判定為交聯形成完成的硬化狀態。又，「交聯形成完成之硬化狀態」，不是指交聯形成率為100%的狀態(聚醯亞胺矽氧烷中之Ar基及/或R2基中的酮基完全形成C=N鍵之狀態)，而是指即使在溫度160℃，壓力2MPa，時間2小時的加壓條件下加熱處理時，亦無進行進一步之交聯反應的狀態。
    又，一般式(1)所示構成單元中作為R1者，例如，可以列舉：由上述式(4)所示二胺矽氧烷所衍生的二胺矽氧烷殘基。
    上述二胺矽氧烷殘基是由二胺矽氧烷除去胺基而具有矽氧烷鍵(Si-O-Si)之基，但藉由増加此矽氧烷鍵的比率，即使不摻配塑化劑，亦可對絕緣層賦予充分的柔軟性。又，由於塑化劑中多含極性基，作為不摻配塑化劑之優點者，可以列舉：可以抑制使用一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷的聚醯亞胺樹脂中所含之極性基的量。因此，本實施形態係將式(1)中之m的值設成0.4以上，理想的是0.8以上。m的值未達0.4時不可能有充分的抑制翹曲之效果。又，可認為藉由増加矽氧烷鍵，亦可因減少聚醯亞胺矽氧烷的醯亞胺鍵部位而減低硬化收縮之效果。由如此之情形，本實施的形態係將式(2)中之n的值設成0至0.6，理想的是0至0.2的範圍內。
    如此，在使用上述一般式(4)所示之二胺矽氧烷之聚醯亞胺中，藉由導入矽氧烷骨幹，可對所得之聚醯亞胺矽氧烷在加熱壓接時賦予流動性，可以提高與金屬層等的接著性。 [含有填充劑之聚醯亞胺樹脂的製造]
    含有填充劑之聚醯亞胺樹脂是在包含上述一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷的樹脂溶液中，混合熱傳導性填充劑使均勻地分散後，加入具有至少2個的1級胺基當作官能基之胺化合物，將聚醯亞胺矽氧烷的酮基與胺化合物的1級胺基藉由縮合反應而製造。藉由此縮合反應，在聚醯亞胺矽氧烷形成交聯構造，並經硬化而成為硬化物。此時，胺化合物的添加量，相對於酮基1莫耳，1級胺基之合計是0.004莫耳至1.5莫耳，理想的是0.005莫耳至1.2莫耳，更理想的是0.03莫耳至0.9莫耳，特別理想的是0.04莫耳至0.5莫耳。相對於酮基1莫耳，1級胺基之合計未達0.004莫耳的胺化合物的添加量，由於藉由胺化合物之聚醯亞胺矽氧烷的交聯並未充分，故在使包含聚醯亞胺樹脂與熱傳導性填充劑之樹脂組成物硬化後的硬化物中，會變成焊接耐熱性不易呈現之傾向，胺化合物的添加量超過1.5莫耳時，未反應的胺化合物當作熱塑化劑作用，該硬化物中會有焊接耐熱性降低之傾向，在高溫中會有長期耐熱性降低之傾向。
    又，縮合反應的條件，只要是聚醯亞胺矽氧烷中之酮基與胺化合物的1級胺基反應形成亞胺鍵(C=N鍵)之條件即可，並無特別制限。雖依胺化合物的種類而異，例如，在使用脂肪族胺時，即使在常溫中，亦可使與聚醯亞胺矽氧烷中之酮基縮合，但以促進藉由加熱之縮合反應為理想。在使用脂肪族胺時，例如以在60至200℃的範圍內進行加熱縮合為佳，使用芳香族胺時，例如以在120至220℃的範圍內進行加熱縮合為理想。加熱縮合的溫度是為了將經由縮合而生成之水排出系統外，或為了在聚醯亞胺矽氧烷的合成後，持續進行加熱縮合反應時而簡化該縮合步驟的理由下，例如是在120至220℃的範圍內為佳，140至200℃的範圍內為更佳。反應時間雖依熱處理溫度之不同而異，例如可設定為由3分鐘到30小時的範圍內。在此，欲得到高的交聯形成率時，在上述溫度範圍中，反應時間例如是以超過1小時至24小時左右為佳，在期望降低交聯形成率時，在上述溫度範圍中，反應時間例如是設成3至60分鐘的範圍內為佳，設成5至30分鐘的範圍內為更佳。縮合反應的終點，例如是使用傅里葉變換紅外分光光度計(市售品：日本分光製FT/IR620)，藉由紅外線吸收光譜的測定，可由在1670cm-1附近的聚醯亞胺矽氧烷中之源自酮基之吸收峰的減少或消失，及在1635cm-1附近的源自亞胺基之吸收峰的呈現而確認，或是使用拉曼分光光度計(市售品：日本分光製NRS-3100)，藉由拉曼光譜的測定，由在1567cm-1附近的源自亞胺基之波峰的呈現而確認。
    又，含有上述熱傳導性填充劑之聚醯亞胺樹脂溶液的調製，係以下述各方法為佳，例如：在包含溶劑之聚醯亞胺樹脂溶液中，分別添加預定量之熱傳導性填充劑及交聯形成用的胺化合物，以攪拌裝置等分散調製之方法，或一面使熱傳導性填充劑分散在溶劑中，一面添加二胺與酸酐進行聚合並作成聚醯亞胺樹脂溶液後，添加用以形成交聯的胺化合物之方法等。又，在上述溶劑中，除了N,N-二甲基乙醯胺之外，可以列舉N-甲基吡咯啶酮、2-丁酮、二乙二醇二甲醚(digyme)、二甲苯等，此等可以1種，或是併用2種以上使用。
    理想的態樣中，聚醯亞胺矽氧烷的酮基與胺化合物的1級胺基的加熱縮合，例如是可藉由下述(a)至(c)而進行：(a)在聚醯亞胺矽氧烷的合成(醯亞胺化)後，接著添加胺化合物及熱傳導性填充劑並加熱，(b)事先饋入作為二胺成分之過剰量的胺化合物後，在聚醯亞胺矽氧烷的合成(醯亞胺化)後，接著添加熱傳導性填充劑，然後將無關醯亞胺化(或是醯胺化)之殘餘的胺化合物與聚醯亞胺矽氧烷加熱一起加熱，或是，(c)將添加有胺化合物及熱傳導性填充劑之聚醯亞胺矽氧烷的組成物加工成預定的形狀後(例如在任意的基材上塗布後，或形成薄膜狀之後)進行加熱等。
    上述(b)的情形，過剰的胺化合物是在製造聚醯亞胺矽氧烷時作為末端取代基封住酸酐基之反應中消耗，生成之聚醯亞胺矽氧烷的分子量由於極端降低之故，硬化物中有不易得到充分耐熱性的傾向。因此，預先將過剰量的胺化合物饋入時[上述(b)]，在不損及本發明之效果的範圍內可適當地使用。為了將胺化合物中之至少2個的1級胺基有效地與酮基反應形成C=N鍵，因此如上述(a)或(c)的方式，以將胺化合物在聚醯亞胺矽氧烷之合成(醯亞胺化)結束之後添加為理想。上述(c)的情形，加熱縮合，亦可由例如是藉由將混合有胺化合物與聚醯亞胺矽氧烷之狀態的組成物在支撐基材上形成後的熱處理等而進行。 [金屬層]
    本發明的熱傳導性基板中作為金屬層者，可以使用例如：將銅、鋁、鉄、銀、鈀、鎳、鉻、鉬、鎢、鋅及此等的合金等的導電性金屬箔，此等之中，也以銅箔或含有銅90%以上之合金銅箔或鋁箔為適用。金屬層的理想厚度範圍可依熱傳導性基板的用途而設定，作為電子機器、照明機器等的基板材料使用時，例如是設成5至2000 μm的範圍內為理想。金屬層的厚度未達5μm時，製造步驟中在搬送時恐怕會有發生皺折等的不良現象，反之，超過2000μm時，會有加工性降低的情形。
    又，作為金屬層使用的導電性金屬箔，為了兼顧與絕緣層的接著性及微細電路加工性，與絕緣層接著的面之表面粗糙度(Ra)，例如是以在0.05至1.0μm的範圍內為理想。與絕緣層接著之面的表面粗糙度(Ra)未達0.05μm時，依熱傳導性基板的用途，金屬層與絕緣層會有容易剝離之情形，另一方面，與絕緣層接著的面之表面粗糙度(Ra)超過1.0μm時，藉由粗糙化之固著(anchor)效果，使金屬層與絕緣層的接著性變佳，在金屬層配線加工之際，會有配線形狀悪化的疑慮。 [熱傳導性基板的製造方法]
    其次，說明有關熱傳導性基板(金屬箔積層體)的製造方法之一例。熱傳導性基板可藉由包含下述步驟而製造：使熱傳導性填充劑均勻地分散在聚醯亞胺矽氧烷中，再將含有混合有胺化合物之填充劑的聚醯亞胺樹脂溶液直接塗布在成為金屬層之金屬基材上，經乾燥後形成塗布膜之步驟；將此塗布膜加熱，藉由使聚醯亞胺矽氧烷中之酮基的至少一部分與胺化合物的胺基反應形成C=N鍵，形成含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層之步驟，此時，在含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層上，再以同樣的方法，可將含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層形成積層，也可將其他的聚醯亞胺樹脂層形成積層。在此，作為金屬基材者，係可使用成為放熱基板或電路基板的導體層之上述銅箔等的金屬箔。又，如上所述，含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層，可為完成交聯形成之硬化狀態，亦可為尚未完成交聯形成之半硬化狀態。
    對金屬基材上塗布含有填充劑的聚醯亞胺樹脂溶液，可以以公知的方法進行，例如，可以採用選自由棒塗布方式、照像凹版塗布方式、滾筒塗布方式、鑄模塗布方式等的適當方式。
    為了更容易了解本發明的說明，分成在絕緣層的單面具有金屬層之熱傳導性基板(單面金屬熱傳導性基板)，與在絕緣層的兩面具有金屬層之熱傳導性基板(兩面金屬熱傳導性基板)並以製造例表示。在此，絕緣層只由含有1層填充劑的聚醯亞胺樹脂層所構成的情形為例進行說明。 <單面金屬熱傳導性基板>
    首先，準備構成熱傳導性基板的金屬層之銅箔等的金屬箔。在此金屬箔上，塗布含有熱傳導性填充劑及胺化合物之聚醯亞胺樹脂溶液，例如以120℃以下的溫度乾燥，除去一定量的溶劑。其後，進一步以高溫熱處理藉由胺化合物產生交聯反應。藉由此，可作成在含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層的單面具有金屬層之熱傳導性基板。在此，為了與胺化合物形成交聯的熱處理之時間，可以因應作為目的之交聯形成率而設定。單面金屬熱傳導性基板在作為附有樹脂之銅箔使用時，假定先在後述之含有填充劑聚醯亞胺樹脂層上與例如金屬箔、陶瓷基板、其他的材質的構材進行接著而使交聯形成率下降者為理想，故此時之熱處理時間，在上述溫度範圍中，例如是設定成3至60分鐘的範圍內為佳，設定成5至30分鐘的範圍內為更佳。 <兩面金屬熱傳導性基板>
    兩面金屬熱傳導性基板，可在以上述的方法得到的單面金屬熱傳導性基板之含有填充劑的聚醯亞胺樹脂層上藉由將金屬箔熱壓接而製造。將金屬箔熱壓接時之條件，例如是以加熱溫度設在120至180℃的範圍內，壓力是設在2至4 MPa的範圍內，壓接時間是設在0.1至24小時的範圍內為理想。
    本實施形態的熱傳導性基板除了藉由胺化合物之交聯構造之外，並將熱傳導性填充劑的含有量調節在適當之範圍。藉由此，絕緣層具有充分的耐熱性，即使不隔著接著層，金屬層與絕緣層也可在比較低溫下接著，並且熱傳導性為優異。因此，本實施形態的熱傳導性基板是作為要求高放熱性之電子機器、照明機器等的基板材料，可在工業上廣泛使用，例如電力半導體組裝用放熱基板等的放熱基板，或以軟性基板所代表之電路基板等的用途中為特別適合使用者。 [熱傳導性聚醯亞胺薄膜]
    本實施形態的熱傳導性聚醯亞胺薄膜，係在聚醯亞胺樹脂中具備分散有熱傳導性填充劑的含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層的熱傳導性聚醯亞胺薄膜。含有此填充劑之聚醯亞胺樹脂層中之熱傳導性填充劑的含有率是在5至80wt%的範圍，含有前述填充劑之聚醯亞胺樹脂層中之聚醯亞胺樹脂具有下述構造：在具有上述一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷中之前述酮基，與具有至少2個的1級胺基當作官能基之胺化合物的胺基反應而形成C=N鍵，藉此，聚醯亞胺矽氧烷經胺化合物而具有交聯構造。此聚醯亞胺樹脂可為交聯反應完成的硬化狀態，亦可為交聯形成而殘留剩餘的半硬化狀態。在此，含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層，是與含有構成上述熱傳導性基板中之絕緣層的一部分或是全部之填充劑的聚醯亞胺樹脂層同樣之構成。將本實施形態的含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層之構成之聚醯亞胺樹脂或熱傳導性填充劑，可以使用上述的熱傳導性基板中所說明者。
    本實施形態的熱傳導性聚醯亞胺薄膜，其全體可由含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層所構成，除了含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層之外，與熱傳導性基板的絕緣層同樣，也可以具備其他的聚醯亞胺樹脂層，惟由放熱特性高之觀點而言，全體為藉由含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層而形成者為理想。此情形，含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層不限定單層，也可以積層複數層者。如此，本實施形態的熱傳導性聚醯亞胺薄膜，除了與金屬層沒有貼合之點外，與上述熱傳導性基板的絕緣層具有同樣的構造及物性。因此，熱傳導性聚醯亞胺薄膜，例如在製作上述熱傳導性基板之後，其金屬層可藉由蝕刻除去而製作。或是，亦可在任意的基材上，將在含有熱傳導性填充劑之醯亞胺化後的聚醯亞胺樹脂溶液中混合有1級胺基之胺化合物之塗布液進行塗布並使乾燥後，由基材剝離而作成熱傳導性聚醯亞胺薄膜。此情形，可在基材上加熱而完成交聯反應後由基材剝離，也可在只經乾燥的硬化前之狀態由基材剝離，其後加熱藉由交聯反應而完成硬化。
    本實施形態的熱傳導性聚醯亞胺薄膜，對於金屬箔(金屬板)、陶瓷基板、Si基板等具有實用的接著強度，並且熱傳導性優良。此熱傳導性聚醯亞胺薄膜，即使是不隔著接著層，亦可與金屬箔(金屬板)、陶瓷基板、Si基板等貼合。總之，熱傳導性聚醯亞胺薄膜是在其單面或兩面，無需接著層亦可具有與金屬箔(金屬板)、陶瓷基板等的接著對象基材直接貼合的性質。因此，本實施形態的熱傳導性聚醯亞胺薄膜，例如是為了在放熱基板或電路基板等的用途，在金屬層、陶瓷層等的基材積層而使用之適合薄膜。
    本實施形態的熱傳導性聚醯亞胺薄膜的其他構造及效果，是與上述熱傳導性基板中之絕緣層同樣，因而省略說明。
    如以上所述，本實施形態的熱傳導性基板及熱傳導性聚醯亞胺薄膜，由於在絕緣層中具備含有特定的聚醯亞胺樹脂之含有填充劑的聚醯亞胺樹脂層，故可在比較低溫下熱壓接，且絕緣層的焊接耐熱性優良的同時，即使反覆地放置在高溫環境下，與金屬配線層的接著力也不會降低，並且熱傳導特性優異。於是，藉由使用本實施形態的熱傳導性基板及熱傳導性聚醯亞胺薄膜，於高溫環境下使用之電路基板或放熱基板，附有熱傳導性樹脂之銅箔等的信頼度可以提高。 實施例
    以下，藉由實施例具體說明本發明，但本發明是不受此等的實施例之任何限定。又，以下的實施例中，若無特別限定，各種測定，評估係依下述者。 [接著強度的測定]
    接著強度是將切成寬10mm，長度100mm之試驗片的接著劑面放置在銅箔(35μm厚度)的亮面(除去防鏽金屬者)上，在溫度160℃，壓力2MPa，時間2小時的條件下壓接後，使用拉伸試驗機(東洋精機股份公司製，Strograph M1)，在180°方向以50mm/分鐘的速度撕下時之力作為接著強度。 [重量平均分子量(Mw)的測定]
    重量平均分子量是藉由凝膠浸透層析分析儀(使用東曹股份公司製，HLC-8220GPC)測定。使用聚苯乙烯作為標準物質，展開溶劑是使用N，N-二甲基乙醯胺。 [翹曲的評估方法]
    翹曲的評估是用以下的方法進行。在厚度25μm的Kapton薄膜上，使乾燥後的厚度成為35μm的方式塗布聚醯亞胺接著劑。此狀態下使Kapton薄膜在下面之方式放置，測定薄膜4角的翹曲高度的平均值，將5mm以下者定為「優良」，超過5mm之情形定為「不佳」。 [焊接耐熱性(乾燥)的評估方法]
    準備一種聚醯亞胺銅箔積層板(新日鐵化學公司製，商品名：ESPANEX MC18-25-00FRM)經電路加工後形成配線寬/配線間隔(L/S)=1mm/1mm的電路之印刷基板，將試驗片的接著劑面放置在印刷基板的配線上，在溫度170℃，壓力1MPa，時間1分鐘的條件下壓接，其後在烘爐中於溫度150℃，時間24小時的條件下加熱。將此附有銅箔的試驗片於105℃，相對濕度50%下放置1小時後，在設定各評估溫度之焊接浴中浸漬10秒鐘，觀察其接著狀態，確認是否有發泡，膨脹，剝離等的不妥現象。耐熱性是在沒有產生不妥現像之上限溫度下呈現，例如「320℃」是，在320℃的焊接浴中評估，認定沒有不妥之意。 [焊接耐熱性(耐濕)的評估方法]
    準備一種聚醯亞胺銅箔積層板(新日鐵化學公司製，商品名：ESPAEX MC18-25-00FRM)經電路加工後形成配線寬/配線間隔(L/S)=1mm/1mm的電路之印刷基板，將試驗片的接著劑面放置在印刷基板的配線上，在溫度170℃，壓力1MPa，時間1分鐘的條件下壓接，其後在烘爐中於溫度150℃，時間24小時的條件下加熱。將此附有銅箔的試驗片在85℃，相對濕度85%下放置24小時後，在設定各評估溫度之焊接浴中浸漬10秒鐘，觀察此接著狀態，確認是否有發泡，膨脹，剝離等的不妥現象。耐熱性是在沒有產生不妥現像之上限溫度下呈現，例如「270℃」是指，在270℃的焊接浴中評估，認定沒有不妥之意。 [電流計評估]
    在脫模PET薄膜上使乾燥後的厚度成為25μm之方式塗布聚醯亞胺接著劑。由脫模PET薄膜剝離聚醯亞胺接著劑薄膜，將10片左右之此聚醯亞胺接著劑薄膜(3cm×3cm)積層，使用真空積層機，在70℃/0.85MPa/10sec的條件下進行熱壓接，製作約250μm左右厚度的樣品。關於得到之樣品，使用電流計(RS150 RheoStress，Haake公司製)，昇溫速度4℃/min的條件下評估樣品的黏度變化。
    在本實施例使用的簡略符號是表示以下的化合物。
    BTDA：3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸二酐
    BPDA：3,3’,4,4’-二苯基四羧酸二酐
    BAPP：2,2-雙(4-胺苯氧基苯基)丙烷
    BAFL：雙苯胺茀
    PSX：二胺矽氧烷(重量平均分子量是740)
    N-12：十二烷二醯肼
    ADH：己二醯肼
    K-1：滑石(日本Tac股份公司製，商品名：MICRO ACE K-1，形狀：鱗片狀，平均長徑：7.0μm，平均短徑：5.8 μm，長徑與厚度之比：15以上，平均粒子徑：6.6μm，中央(median)徑(D50)：6.9μm，最大粒子徑：64.9μm，最小粒子徑：0.5μm，最多粒徑：8.7μm，粒徑10μm以下的累積粒子量：77%，粒徑20μm以上的累積粒子量：5%) 合成例1-1
    在1000mL的可分離燒瓶中，裝入71.850g的PSX(0.0971莫耳)、7.474g的BAPP(0.0182莫耳)、1.568g的N-12(0.0061莫耳)，39.109g的BTDA(0.1214莫耳)，168g的N-甲基-2-吡咯啶酮及112g的二甲苯，室溫下良好地混合1小時，得到聚醯胺酸溶液。將此聚醯胺酸溶液昇溫至190℃，加熱20小時並加以攪拌，得到完成醯亞胺化之聚醯亞胺溶液1a。在得到之聚醯亞胺溶液1a中，聚醯亞胺樹脂的重量平均分子量(Mw)是90,000。相對於此時的全部二胺成分，二胺矽氧烷成分的莫耳%是80%(m值=0.8)。 合成例1-2
    在1000mL的可分離燒瓶中，裝入72.407g的PSX(0.0978莫耳)、5.021g的BAPP(0.0122莫耳)、3.160g的N-12(0.0122莫耳)，39.412g的BTDA(0.1223莫耳)、168g的N-甲基-2-吡咯啶酮及112g的二甲苯，室溫中良好地混合1小時，得到聚醯胺酸溶液。此聚醯胺酸溶液昇溫至190℃，加熱20小時並加以攪拌，得到完成醯亞胺化之聚醯亞胺溶液1b。在得到之聚醯亞胺溶液1b中，聚醯亞胺樹脂的重量平均分子量(Mw)是73,000。相對於此時的全部二胺成分，二胺矽氧烷成分的莫耳%是80%(m值=0.8)。 合成例1-3
    在1000mL的可分離燒瓶中，裝入71.301g的PSX(0.0964莫耳)、9.889g的BAPP(0.0241莫耳)、38.810g的BTDA(0.1204莫耳)、168g的N-甲基-2-吡咯啶酮及112g的二甲苯，室溫下良好地混合1小時，得到聚醯胺酸溶液。將此聚醯胺酸溶液昇溫至190℃昇溫，加熱6小時並加以攪拌後，得到完成醯亞胺化之聚醯亞胺溶液1c。得到之聚醯亞胺溶液1c中，聚醯亞胺樹脂的重量平均分子量(Mw)是107,000。相對於此時的全部二胺成分，二胺矽氧烷成分的莫耳%是80%(m值=0.8)。
    將合成例1-1至1-3整理在表1中。
    參考例1-1
    將在合成例1-1得到之聚醯亞胺溶液1a，塗布在聚醯亞胺薄膜(杜邦公司製，商品名：KaptonENS，縱×横×厚度=200mm×300mm×25μm)的單面上，80℃下進行15分鐘之乾燥，作成接著劑層厚度35μm的覆層膜。其次，將得到的覆層膜放置在除去表面防鏽金屬層之銅箔上，於溫度160℃，壓力2 MPa，時間2小時的條件下壓接，得到評估之樣品。 [實施例1-1]
    在合成例1-1得到之聚醯亞胺溶液1a中，摻配5.78g的N-12(0.0224莫耳)及57.81g的K-1，進一步攪拌1小時，得到聚醯亞胺溶液1。
    將得到之聚醯亞胺溶液1塗布到聚醯亞胺薄膜(杜邦公司製，商品名：KaptonENS，縱×横×厚度=200mm×300mm×25μm)的單面上，80℃下進行乾燥15分鐘，作成接著劑層厚度35μm的覆層膜1。將此覆層膜1放置在除去表面防鏽金屬層之銅箔上，於溫度160℃，壓力2 MPa，時間2小時的條件下壓接，得到評估樣品1。與硬化後的銅箔之接著強度是0.65 kN/m。又，覆層膜的翹曲也是沒有問題。又，將聚醯亞胺溶液1，在基材的單面上塗布，在80℃下進行乾燥15分鐘，製作厚度25μm的聚醯亞胺接著劑薄膜。將此10片左右之聚醯亞胺接著劑薄膜在真空層壓機中於溫度70℃，壓力0.85MPa，時間10sec的條件下熱壓接，製作約250μm左右厚度的樣品，進行電流計評估時，於260℃的黏度是118,000 Pa‧s。
    其次，關於評估樣品1，在烘爐中大氣下，於150℃，進行1000小時的熱處理。測定處理後的銅箔與覆層膜的接著強度為0.45 kN/m。此時的剝離面是與銅接著劑層的界面。
    再者，準備一種在聚醯亞胺薄膜的兩面以銅形成電路{配線寬/配線間隔(L/S)=25μm/25μm}之印刷基板，將實施例1-1得到之覆層膜1放置在印刷基板的電路面上，於溫度160℃，壓力2MPa，時間2小時的條件下壓接，得到具備覆蓋層薄膜的配線基板1。 [實施例1-2]
    在實施例1-1中，除了以不摻配K-1取代摻配57.81g的K-1之外，其餘與實施例1-1同樣操作，得到聚醯亞胺溶液2之後，得到覆層膜2，得到評估樣品2。測定評估樣品中之接著劑層的拉曼光譜時，確認在1567cm-1附近有由亞胺基形成的波峰。由此測定結果，推定評估樣品是在覆層膜與銅箔的熱壓接之同時，產生聚醯亞胺樹脂中的酮基與胺化合物(N-12)的縮合反應。與硬化後的銅箔之接著強度是1.08kN/m。又，覆層膜的翹曲也沒有問題。又，使用聚醯亞胺溶液2，與實施例1-1同樣操作，製作之聚醯亞胺接著劑薄膜進行電流計評估時，於260℃的黏度是113,000 Pa‧s。
    其次，將評估樣品2在烘爐中大氣下，進行150℃，1000小時的熱處理。測定處理後的銅箔與覆層膜的接著強度為0.41kN/m。此時的剝離面是銅與接著劑層的界面。
    再者，與實施例1-1同樣操作，準備形成有電路{配線寬/配線間隔(L/S)=25μm/25μm}之印刷基板，將實施例1-2得到之覆層膜2放置在印刷基板的電路面上並熱壓接，得到具備覆層膜之配線基板2。 [實施例1-3]
    實施例1-1中除了以摻配3.47g的N-12(0.0134莫耳)取代摻配5.78g的N-12之外，其餘與實施例1-1同樣操作，得到聚醯亞胺溶液3之後，得到覆層膜3，得到評估樣品3。與硬化後的銅箔的接著強度是0.70kN/m。又，覆層膜的翹曲也沒有問題。又，使用聚醯亞胺溶液3，與實施例1-1同樣操作，進行製作之聚醯亞胺接著劑薄膜的電流計評估時，於260℃的黏度是35,000Pa‧s。
    其次，將評估樣品3在烘爐中大氣下，進行150℃，1000小時的熱處理。測定處理後的銅箔與覆層膜的接著強度為0.39kN/m。此時的剝離面是銅與接著劑層的界面。
    再者，與實施例1-1同樣操作，準備形成有電路{配線寬/配線間隔(L/S)=25μm/25μm}的印刷基板，將實施例1-3得到之覆層膜3放置在印刷基板的電路面上並熱壓接，得到具備覆層膜之配線基板3。 [實施例1-4]
    除了使用合成例1-2得到之聚醯亞胺溶液1b取代實施例1-1中之聚醯亞胺溶液1a之外，其餘與實施例1-1同樣操作，得到聚醯亞胺溶液4之後，得到覆蓋層薄膜4，得到評估樣品4。與硬化後的銅箔之接著強度是0.72kN/m。又，覆蓋層薄膜的翹曲也沒有問題。又，使用聚醯亞胺溶液4，與實施例1-1同樣操作，進行製作之聚醯亞胺接著劑薄膜的電流計評估時，於260℃的黏度是110,000 Pa‧s。
    其次，將評估樣品4在烘爐中大氣下，進行150℃，1000小時的熱處理。測定處理後的銅箔與覆蓋層薄膜的接著強度為0.58 kN/m。此時的剝離面是銅與接著劑層的界面。
    再者，與實施例1-1同樣操作，準備形成有電路{配線寬/配線間隔(L/S)=25μm/25μm}的印刷基板，將在實施例1-4得到之覆蓋層薄膜4放置在印刷基板的電路面上並熱壓接，得到具備覆蓋層薄膜之配線基板4。 [實施例1-5]
    除了使用在合成例1-2得到之聚醯亞胺溶液1b取代實施例1-1中之聚醯亞胺溶液1a，及摻配3.47g的N-12(0.0134莫耳)取代摻配5.78g的N-12之外，其餘與實施例1-1同樣操作，得到聚醯亞胺溶液5之後，得到覆蓋層薄膜5，得到評估樣品5。硬化後的銅箔與的接著強度是0.80kN/m。又，覆蓋層薄膜的翹曲也沒有問題。又，使用聚醯亞胺溶液5，與實施例1-1同樣操作，進行製作之聚醯亞胺接著劑薄膜的電流計評估時，於260℃的黏度是108,000 Pa‧s。
    其次，將評估樣品5在烘爐中大氣下，進行150℃，1000小時的熱處理。測定處理後的銅箔與覆蓋層薄膜的接著強度時，為0.48kN/m。此時的剝離面是銅與接著劑層的界面。
    再者，與實施例1-1同樣操作，準備形成有電路{配線寬/配線間隔(L/S)=25μm/25μm}的印刷基板，將於實施例1-5得到之覆蓋層薄膜5放置在印刷基板的電路面上熱壓接，得到具備覆蓋層薄膜之配線基板5。 [實施例1-6]
    實施例1-1中除了以摻配5.78g的BAPP(0.0141莫耳)取代摻配5.78g的N-12之外，其餘與實施例1-1同樣操作，得到聚醯亞胺溶液6之後，得到覆蓋層薄膜6，得到評估樣品6。與硬化後的銅箔的接著強度是0.72kN/m。又，覆蓋層薄膜的翹曲也沒有問題。又，使用聚醯亞胺溶液6，與實施例1-1同樣操作，進行製作之聚醯亞胺接著劑薄膜的電流計評估時，於260℃的黏度是36,000 Pa‧S。
    其次，將評估樣品6烘爐中大氣下，進行150℃，1000小時的熱處理。測定處理後的銅箔與覆蓋層薄膜的接著強度時，為0.51 kN/m。此時的剝離面是銅與接著劑層的界面。
    再者，與實施例1-1同樣操作，準備形成有電路{配線寬/配線間隔(L/S)=25μm/25μm}的印刷基板，將在實施例1-6得到覆蓋層薄膜6放置在印刷基板的電路面上並熱壓接，得到具備覆蓋層薄膜之配線基板6。 [實施例1-7]
    實施例1-1中，除了將摻配5.78g的BAFL(0.0166莫耳)取代摻配5.78g的N-12之外，其餘與實施例1-1同樣操作，得到聚醯亞胺溶液7之後，得到覆蓋層薄膜7，得到評估樣品7。與硬化後的銅箔的接著強度是0.65kN/m。又，覆蓋層薄膜的翹曲也沒有問題。又，使用聚醯亞胺溶液7，與實施例1-1同樣操作進行，製作之聚醯亞胺接著劑薄膜的電流計評估時，於260℃的黏度是28,000 Pa‧s。
    其次，針對於評估樣品7在烘爐中大氣下，進行150℃，1000小時的熱處理。測定處理後的銅箔與覆蓋層薄膜的接著強度為0.41 kN/m。此時的剝離面是銅與接著劑層的界面。
    再者，與實施例1-1同樣操作，準備形成有電路{配線寬/配線間隔(L/S)=25μm/25μm}的印刷基板，將在實施例1-7得到之覆蓋層薄膜7放置在印刷基板的電路面上並熱壓接，得到具備覆蓋層薄膜之配線基板7。 參考例1-2
    除了使用以合成例1-3得到之聚醯亞胺溶液1c取代在實施例1-1中之聚醯亞胺溶液1a之外，其餘與實施例1-1同樣操作，得到聚醯亞胺溶液。將此聚醯亞胺溶液塗布在聚醯亞胺薄膜(杜邦公司製，商品名：KaptonENS，縱×横×厚度=200mm×300mm×25μm)的單面上，於80℃中進行15分鐘之乾燥，作成接著劑層厚度35μm的覆蓋層薄膜。對於此覆蓋層薄膜，係進行與實施例1-1之同樣評估。
    整理實施例1-1至實施例1-7及參考例1-1至1-2的結果在表2及表3中表示。表2及表3中，接著強度1是表示硬化後的銅箔與覆蓋層薄膜的接著強度，接著強度2是表示在大氣中，150℃，1000小時的熱處理後的銅箔與覆蓋層薄膜的接著強度。又，表2及表3中的莫耳比是表示相對於聚醯亞胺矽氧烷中的酮基1莫耳，胺化合物中之1級胺基的合計莫耳比之意。
    [藉由導入氫鍵形成基縮短亞胺交聯形成時間的效果之驗證]
    本發明之接著劑樹脂組成物的亞胺交聯形成時間的縮短，係進行如以下操作來驗證。 [實施例1-8]
    在合成例1-1得到之聚醯亞胺溶液1a中摻配5.78g的N-12(0.224莫耳)及11.56g的K-1，進一步攪拌1小時後即可得到聚醯亞胺溶液8。
    將得到之聚醯亞胺溶液8塗布在聚醯亞胺薄膜(杜邦公司製，商品名：Kapton ENS，縱×横×厚度=200mm×300mm×25μm)的單面上，在80℃中進行15分鐘的乾燥，作成接著劑層厚度35μm的覆蓋層薄膜8。將此覆蓋層薄膜8放置在表面除去防鏽金屬層的銅箔上，於溫度200℃，壓力2MPa，時間1小時的條件下壓接，得到評估樣品8。將評估結果在表4中表示。 [實施例1-9]
    與實施例1-8同樣操作，得到聚醯亞胺溶液8之後，得到覆蓋層薄膜8。
    在實施例1-8中除了以溫度150℃，壓力2MPa，時間1小時的條件下加熱，取代以溫度200℃，壓力2MPa，時間1小時的條件下加熱之外，其餘與實施例1-8同樣操作，得到評估樣品9。將評估結果在表4中表示。 [實施例1-10]
    在實施例1-8中除了以溫度200℃，壓力2MPa，時間0.5小時的條件下加熱，取代以溫度200℃，壓力2MPa，時間1小時的條件下加熱之外，其餘與實施例1-8同樣操作，得到評估樣品10。將評估結果在表4中表示。 [實施例1-11]
    在實施例1-8中除了以溫度160℃，壓力2MPa，時間0.5小時的條件下加熱，取代以溫度200℃，壓力2MPa，時間1小時的條件下加熱之外，其餘與實施例1-8同樣操作，得到評估樣品11。將評估結果在表4中表示。 [實施例1-12]
    在實施例1-8中除了以溫度130℃，壓力2MPa，時間1小時的條件下加熱，取代以溫度200℃，壓力2MPa，時間1小時的條件下加熱之外，其餘與實施例1-8同樣操作，得到評估樣品12。將評估結果在表4中表示。
    將實施例1-8至實施例1--12的結果整理在表4中表示。
    由表4，在聚醯亞胺矽氧烷中藉由導入氫鍵形成基，以溫度150℃至200℃，0.5至1小時的加熱，確認得到實用上充分的焊接耐熱性(特別是耐濕焊接耐熱性)。 [試驗例1]
    將實施例1-1調製之聚醯亞胺溶液1，塗布在基材的單面上，進行在80℃下進行15分鐘之乾燥，製作厚度25 μm的聚醯亞胺接著劑薄膜。將10片左右之此聚醯亞胺接著劑薄膜(3cm×3cm)積層，使用真空層壓機在70℃/0.85MPa/10sec的條件下進行熱壓接，得到約250μm左右厚度之評估樣品A。另一方，即使在參考例1-2調製之聚醯亞胺溶液，經同樣處理亦得到評估樣品B。對此等的樣品A及B，實施電流計評估。將此結果在第1圖中表示。樣品A是由160℃前後．快速地提昇黏度，於260℃附近的黏度是118,000Pa‧s，另一方，樣品B黏度上昇是比樣品A緩慢，於260℃附近的黏度是45,000 Pa‧s。此等樣品A、B的黏度上昇速度之不同，與使用不含氫原子鍵結性的官能基之-NHCO-基之聚醯亞胺矽氧烷的樣品B相比，在使用含有-NHCO-基之聚醯亞胺矽氧烷的樣品A中，被認為是由於交聯形成反應更快速進行之故。在此，在表2及表3中表示之實施例1-1與參考例1-2的焊接耐熱性的比較，己知特別是耐濕焊接耐熱性中實施例1-1的這一方是更為優異。又，由第1圖，樣品A的黏度在200℃以上是在1×105Pa‧s以上幾乎為平的。由此等事實而可認為，於260℃附近的黏度為1×105 Pa‧s以上者，在實用上有充分的耐濕焊接耐熱性，總之為了得到260℃以上的焊接耐熱溫度所呈示的交聯形成比率之臨界值為有效。 [試驗例2]
    改變實施例1-1中使用之聚醯亞胺矽氧烷的分子量，進行耐濕焊接耐熱性的試驗。除了使用將重量平均分子量變更之聚醯亞胺矽氧烷之外，其餘與實施例1-1同樣，製作覆蓋層薄膜，進行耐濕焊接耐熱性的評估。將評估結果在表5中表示。在使用重量平均分子量約為88，000至130，000的聚醯亞胺矽氧烷時，耐濕焊接耐熱性顯示在260℃以上。
    其次，改變實施例1-1中使用之聚醯亞胺矽氧烷的分子量，進行電流計評估，對於黏度上昇的舉動進行試驗。除了使用重量平均分子量為130,000的聚醯亞胺矽氧烷之外，其餘與實施例1-1同樣操作，得到聚醯亞胺溶液。將此聚醯亞胺溶液，塗布在基材的單面上，於80℃下進行15分鐘之乾燥，製作厚度25μm的聚醯亞胺接著劑薄膜。將10片左右此聚醯亞胺接著劑薄膜(3cm×3cm)積層，使用真空層壓機於70℃/0.85MPa/10sec的條件下進行熱壓接，得到約250μm左右厚度的評估樣品C。又，除了使用重量平均分子量為67,000的聚醯亞胺矽氧烷之外，其餘與實施例1-1同樣得到之聚醯亞胺溶液，亦與上述同樣操作，調製成樣品D。
    將此等的樣品C及D的電流計評估結果在第2圖中表示。由第2圖，相對於重量平均分子量為130，000的樣品C，黏度上昇開始之溫度(硬化開始溫度)，比重量平均分子量為67,000的樣品D稍高，並且超過200℃時黏度幾乎在1×105Pa‧s以上，而於樣品D中，黏度上昇開始之溫度低，並且沒有比1×105Pa‧s高。
    由第2圖與上述表2的結果，為了得到實用上充分的耐濕焊接耐熱性，也必要考慮聚醯亞胺矽氧烷的重量平均分子量，強烈顯示存在有，為了呈現260℃以上的耐濕焊接耐熱性之適當的分子量之範圍。再者，也考慮到試驗例1所得到之臨界值時，認為聚醯亞胺矽氧烷的重量平均分子量以在70,000至140,000的範圍內為理想。如此之分子量的範圍，得到實用上充分的耐濕焊接耐熱性之理想理由雖是尚未解明，但如以下述而思考的話，可為合理的說明。即，聚醯亞胺矽氧烷的分子量低的一方，交聯反應性有高的傾向，比70,000少的過度低之分子量，達不到260℃之黏度的臨界值，被認定耐濕焊接耐熱性為低下者。反之，聚醯亞胺矽氧烷的分子量超過140,000變高時，為了降低聚醯亞胺分子鏈的運動性，交聯反應性會下降，此之情形也被認為達不到260℃的黏度臨界值。
    其次，對於熱傳導性基板及熱傳導性聚醯亞胺薄膜的實施例進行說明。又，以下的實施例中，如無特別論述，各種測定、評估是藉由下述而得者。 [銅箔撕下強度(剝離強度)]
    將熱傳導性基板的銅箔層蝕刻成寬1.0mm，長度180mm的長方形圖案，以此圖案成為中央之方式切取成寬20mm，長度200mm的試驗片，藉由IPC-TM-650.2.4.19(東洋精機製)進行180°撕下試驗。 [厚度方向熱傳導率(λ zTC)]
    將熱傳導性聚醯亞胺薄膜切成20mm×20mm大小，藉由鉑進行蒸鍍、黒化處理後，分別藉由雷射閃光(laser flash)法測定厚度方向的熱擴散率(NETZSCH公司製氙閃光分析儀LFA 447 Nanoflash)，藉由DSC測定比熱，藉由水中取代法測定密度，將此等的結果算出原本的熱傳導率(W/m‧K)。又，熱傳導性聚醯亞胺薄膜，係使用製作測定時厚度100μm的樣品。 [耐電壓]
    將熱傳導性聚醯亞胺薄膜切成5cm×5cm的大小，根據JIS C 2110，在KIKUSUI製TOS 5101裝置，藉由階段昇壓法在絕緣油中測定耐電壓。在0.2kV刻度使電壓遞升(step up)，在各電壓中保持20秒，設定漏電流8.5mA，將破壊電壓的前一個值當作初期耐電壓。電極的大小是2cm 。 [重量平均分子量(Mw)的測定]
    重量平均分子量是藉由凝膠滲透層析儀(使用東曹股份公司製，HLC-8220GPC)測定。作為標準物質者是使用聚苯乙桸，展開溶劑是使用N，N-二甲基乙醯胺。 [焊接耐熱性(乾燥)的評估方法]
    將熱傳導性基板的銅箔層進行加工成所定形狀之圖案電路，在上限設為300℃之各溫度的焊接浴中浸漬10秒，觀察接著狀態，確認有無發泡、膨脹、剝離等的不妥現象。將耐熱性沒有產生不妥現象之上限溫度當作焊接耐熱性。例如「300℃」是指，在300℃的焊接浴中評估，確認沒有不妥之意。 [捲曲的測定方法] CCL捲曲(最大翹曲量)：
    將金屬/樹脂的積層體切成50mm×50mm的大小，在恒溫恒濕環境下(23±3℃，50±5% RH)放置24小時後，使用游標卡尺實施4角的翹曲量之測定。此時，對樹脂面側或是金屬側翹曲時，將最大翹曲量時作為CCL最大翹曲量。將最大翹曲量的絕對量為5mm以下時判斷為○(優良)，5mm以上時判斷為×(不佳)。
    在本實施例使用之簡略符號是表示以下的化合物。
    BTDA：3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸二酐
    BPDA：3,3’,4,4’-二苯基四羧酸二酐
    BAPP：2,2-雙(4-胺苯氧基苯基)丙烷
    DAPE：4,4’-二胺二苯基醚
    m-TB：2,2’-二甲基-4,4’-二胺聯苯
    PSX：下述一般式所示之二胺矽氧烷
    (m1的數量平均值是1至20的範圍內，重量平均分子量是740)。
    N-12：下述構造式的十二烷二醯肼
    NMP：N-甲基-2-吡咯啶酮
    DMAc：N,N-二甲基乙醯胺 合成例2-1
    在1000mL的可分離燒瓶中，裝入71.850g的PSX(0.0971莫耳)、7.474g的BAPP(0.0182莫耳)、1.568g的N-12(0.0061莫耳)、39.109g的BTDA(0.1214莫耳)、168g的N-甲基-2-吡咯啶酮及112g的二甲苯，室溫下良好地混合1小時，得到聚醯胺酸溶液。將此聚醯胺酸溶液昇溫至190℃，加熱20小時並加以攪拌，得到完成醯亞胺化之聚醯亞胺溶液2a。在得到之聚醯亞胺溶液2a中，聚醯亞胺樹脂的重量平均分子量(Mw)是90,000。相對於此時的全部二胺成分，二胺矽氧烷成分的莫耳%是80%。 [實施例2-1]
    合成例2-1中得到之聚醯亞胺溶液2a秤取63.88g、添加2.56g的氧化鋁(平均粒徑1.5μm，住友化學製，商品名：AA-1.5)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，在別的容器中秤取NMP溶劑38.4g，將1.096g之N-12加入，攪拌到N-12溶解為止。將此N-12的NMP溶液倒入上述含有氧化鋁之聚醯亞胺溶液中，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑之聚醯亞胺溶液。使硬化後之厚度成為25μm之方式，將此聚醯亞胺溶液塗布在厚度18μm之軋延銅箔(Ra=0.7μm)上，於80℃下加熱乾燥30分鐘除去溶劑。此後，於120℃加熱5分鐘，於160℃加熱60分鐘，在上述軋延銅箔上形成在聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑之絕緣層，製作在單面有金屬層之熱傳導性基板。此絕緣層中，熱傳導性填充劑之氧化鋁含有量是10wt%。接著，在此熱傳導性基板的聚醯亞胺絕緣層之上放置厚度18μm的軋延銅箔，於溫度160℃，壓力2MPa，時間2小時的條件下壓接，得到在兩面有金屬層之熱傳導性基板。
    為了評估得到之熱傳導性基板中之絕緣層的特性，以蝕刻除去銅箔後製作熱傳導性聚醯亞胺薄膜(F1)，分別評估耐電壓、熱傳導率。將此等的結果在表6中表示。進一步，將熱傳導性基板加工成所定之圖案，進行測定接著強度、焊接耐熱性及捲曲。將此等的結果在表7中表示。又，表7中的「塗布面接著強度」是指，將聚醯亞胺溶液塗布在軋延銅箔上時，在塗布膜與銅箔的交界面中，與金屬層的接著強度之意，「壓接面接著強度」是指，將聚醯亞胺溶液塗布在軋延銅箔上時，在塗布膜表面側由後壓接金屬層時的接著強度之意(表9中是相同)。 [實施例2-2]
    合成例2-1中得到之聚醯亞胺溶液2a秤取47.99g，添加17.28g的氧化鋁(平均粒徑1.5μm，住友化學製，商品名：AA-1.5)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，在別的容器中秤取溶劑NMP28.81g，添加0.82g之N-12，攪拌到N-12溶解為止。此N-12的NMP溶液倒入上述含有氧化鋁之聚醯亞胺溶液中，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑之聚醯亞胺溶液。使硬化後之厚度成為25μm之方式，將此聚醯亞胺溶液塗布在厚度18μm之軋延銅箔(Ra=0.7μm)上，於80℃下加熱乾燥30分鐘除去溶劑。此後，於120℃加熱5分鐘，於160℃加熱60分鐘，在上述軋延銅箔上形成在聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑之絕緣層，製作在單面有金屬層之熱傳導性基板。此絕緣層中的熱傳導性填充劑之氧化鋁的含有量是50wt%。接著，在此熱傳導性基板的聚醯亞胺絕緣層上放置厚度18μm的軋延銅箔，於溫度160℃，壓力2MPa，時間2小時的條件下壓接，得到在兩面有金屬層之熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-1相同之評估。將此結果在表6及表7中表示。 [實施例2-3]
    合成例2-1中得到之聚醯亞胺溶液2a秤取47.88g，添加17.24g的氮化鋁(平均粒徑1.1μm，德山製)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，在別的容器中秤取溶劑NMP15.6g，添加0.82g之N-12，攪拌到N-12溶解為止。此N-12的NMP溶液倒入上述含有氮化鋁之聚醯亞胺溶液中，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑之聚醯亞胺溶液。使硬化後之厚度成為25μm之方式，將此聚醯亞胺溶液塗布在厚度18μm之軋延銅箔(Ra=0.7μm)上，於80℃下加熱乾燥30分鐘除去溶劑。此後，於120℃加熱5分鐘，於160℃加熱60分鐘，在上述軋延銅箔上形成在聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑之絕緣層，製作在單面上有金屬層之熱傳導性基板。此絕緣層中的熱傳導性填充劑之氮化鋁含有量是50wt%。接著，在此熱傳導性基板的聚醯亞胺絕緣層之上放置厚度18μm的軋延銅箔，於溫度160℃，壓力2MPa，時間2小時的條件下壓接，得到在兩面有金屬層之熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-1相同之評估。將此結果在表6及表7中表示。 合成例2-2
    在1000mL的可分離燒瓶中，裝入71.30g的PSX(0.0964莫耳)、9.89g的BAPP(0.0241莫耳)、38.66g的BTDA(0.120莫耳)、168g的N-甲基-2-吡咯啶酮及112g的二甲苯，室溫下充分地混合1小時，得到聚醯胺酸溶液。將此聚醯胺酸溶液昇溫至190℃，加熱20小時並加以攪拌後，得到已完成醯亞胺化之聚醯亞胺溶液2b。得到之聚醯亞胺溶液2b中的聚醯亞胺樹脂的重量平均分子量(Mw)是122,000。相對於此時的全部二胺成分，二胺矽氧烷成分的莫耳%是80%(m值=0.8)。又，「m值」是在得到之聚醯亞胺樹脂中含有之上述一般式(1)所示構成單元的存在莫耳比之意。 [實施例2-4]
    合成例2-2中得到之聚醯亞胺溶液2b秤取400.24g，添加16.34g的氧化鋁(平均粒徑1.5μm，住友化學製，商品名：AA-1.5)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，在別的容器中秤取溶劑NMP97.4g，添加4.2g之N-12，攪拌到N-12溶解為止。此N-12的NMP溶液倒入上述含有氧化鋁之聚醯亞胺溶液中，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑之聚醯亞胺溶液。使硬化後厚度成為25μm之方式，將此聚醯亞胺溶液塗布在厚度18 μm之軋延銅箔(Ra=0.7μm)上，於80℃下加熱乾燥30分鐘除去溶劑。此後，於120℃加熱5分鐘，於160℃加熱60分鐘，在上述軋延銅箔上形成在聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑之絕緣層，製作在單面有金屬層之熱傳導性基板。此絕緣層中的熱傳導性填充劑之氧化鋁含有量是10 wt%。接著，在此熱傳導性基板的聚醯亞胺絕緣層上放置厚度18μm的軋延銅箔，於溫度160℃，壓力2 MPa，時間2小時的條件下壓接，得到在兩面上有金屬層之熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-1相同之評估。將此結果在表6及表7中表示。 [實施例2-5]
    合成例2-2中得到之聚醯亞胺溶液2b秤取400g，添加147.0g的氧化鋁(平均粒徑1.5μm，住友化學製，商品名：AA-1.5)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，在別的容器中秤取溶劑NMP97.3g，添加4.2g之N-12，攪拌到N-12溶解為止。此N-12的NMP溶液倒入上述含有氧化鋁之聚醯亞胺溶液中，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑之聚醯亞胺溶液。使硬化後之厚度成為25μm之方式，將此聚醯亞胺溶液塗布在厚度18μm之軋延銅箔(Ra=0.7μm)上，於80℃下加熱乾燥30分鐘除去溶劑。此後，於120℃加熱5分鐘，於160℃加熱2小時，在上述軋延銅箔上形成在聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑之絕緣層，製作在單面上有金屬層之熱傳導性基板。此絕緣層中的熱傳導性填充劑之氧化鋁含有量是50wt%。接著，在此熱傳導性基板的聚醯亞胺絕緣層上放置厚度18μm的軋延銅箔，於溫度160℃，壓力2MPa，時間2小時的條件下壓接，得到在兩面上有金屬層之熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-1相同之評估。將此結果在表6及表7中表示。 合成例2-3
    在具備攪拌裝置之500ml可分離燒瓶中的255g之DMAc中，將28.9050g的BAPP於氮氣流下一面攪拌一面加入溶解後，維持如此之攪拌下，加入15.0281g的PMDA，10分鐘後，加入1.0669g的BPDA。此後，室溫下持續攪拌4小時進行聚合反應，得到成為聚醯亞胺前驅體之黏稠的聚醯胺酸溶液2c。 [比較例2-1]
    合成例2-3中得到的聚醯胺酸溶液2c秤取78.7g，添加1.3g的氧化鋁(平均粒徑1.5μm，住友化學製，商品名：AA-1.5)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，追加15.7g的溶劑DMAc，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑10wt%之聚醯胺酸溶液。其次，在厚度18μm之軋延銅箔(Ra=0.7μm)上使硬化後之厚度成為25 μm之方式塗布此聚醯亞胺溶液，在120℃下加熱乾燥除去溶劑。此後，在130至340℃的溫度範圍中，階段地花費20分鐘昇溫加熱，製作在單面上有金屬層之熱傳導性基板。接著，在此熱傳導性基板的聚醯亞胺絕緣層上疊合厚度18μm的軋延銅箔，使用真空壓機，試圖在160℃加熱壓接。然而，因為無法在160℃下接著，因此，由在160℃，270℃每30分鐘加熱一次，於面壓19.1MPa下溫度昇溫到360℃為止，在加壓時間25分鐘的條件下加熱壓接，得到兩面上有金屬層之熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-1相同之評估。將此結果在表6及表7中表示。 [比較例2-2]
    合成例2-3中得到之聚醯胺酸溶液2c秤取69.6g，添加10.4g的氧化鋁(平均粒徑1.5μm，住友化學製，商品名：AA-1.5)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，追加13.9g的溶劑DMAc，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑50 wt%之聚醯胺酸溶液。其次，進行與比較例2-1同樣之操作，得到熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-1相同之評估。將此結果在表6及表7中表示。 [合成例2-4]
    在具備攪拌裝置之500ml可分離燒瓶中的255g之DMAC中，將20.7283g的m-TB於氮氣流中一面攪拌一面加入使其溶解後，在維持攪拌下，加入11.5380g的PMDA，10分鐘後，加入12.7337g的BPDA。此後，在室溫中持續攪拌4小時進行聚合反應，得到成為聚醯亞胺前驅體之聚醯胺酸溶液2d的黏稠溶液。 [比較例2-3]
    除了使用在合成例2-4中得到之聚醯胺酸溶液2d代替比較例2-1的聚醯胺酸溶液2c之外，進行與比較例2-1相同之操作，雖試著加熱壓接卻無法接著，故將比較例2-1中之360℃的壓接溫度設成380℃來加熱壓接，得到比較例2-3的熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-1相同之評估。將此結果在表6及表7中表示。 [比較例2-4]
    除了使用在合成例2-4中得到之聚醯胺酸溶液2d代替比較例2-2的聚醯胺酸溶液2c之外，進行與比較例2-2相同之操作，雖試著加熱壓接卻無法接著，故將比較例2-1中之360℃的壓接溫度設成380℃來加熱壓接，得到比較例2-4的熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-1相同之評估。將此結果在表6及表7中表示。 [比較例2-5]
    除了不添加實施例2-1的氧化鋁之外，進行與實施例2-1相同之操作，得到比較例2-5的兩面金屬積層體。接著，進行與實施例2-1相同之評估。將此結果在表6及表7中表示。
    表6中，硬化劑的含有量是相對於聚醯亞胺樹脂的固形分的重量%之意，填充劑含有量是指相對於藉由蝕刻除去銅箔之熱傳導性聚醯亞胺薄膜全體之填充劑的重量%。
    由表6可知，在形成絕緣層之聚醯亞胺樹脂中，含有熱傳導性填充劑的實施例2-1至2-5之熱傳導性基板，相較於藉由不含熱傳導性填充劑之聚醯亞胺樹脂形成絕緣層的比較例2-5之金屬箔積層體，已知熱傳導率有大幅度地改善。又，由表7可知，使用具有聚醯亞胺矽氧烷藉由胺化合物交聯之構造的聚醯亞胺樹脂的實施例2-1至2-5之熱傳導性聚醯亞胺薄膜，相較於使用不具交聯構造之聚醯亞胺樹脂的比較例2-1至2-4之熱傳導性聚醯亞胺薄膜，其壓接加工性，特別是藉由在低溫的加壓而得到實用上充分的接著性。又，關於耐電壓性與耐熱性，實施例2-1至2-5，比較例2-1至2-5均有充分的實用特性。實施例2-1至2-5的熱傳導性基板，少有捲曲的發生，使用性優異。 [實施例2-6]
    合成例2-1中得到之聚醯亞胺溶液2a秤取63.89g，添加86.56g的氧化鋁(平均粒徑1.5μm，住友化學製，商品名：AA-1.5)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，在別的容器中秤取35.06g之溶劑NMP，添加1.096g之N-12，攪拌到N-12溶解為止。將此N-12的NMP溶液倒入到上述含有氧化鋁之聚醯亞胺溶液中，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑之聚醯亞胺溶液。使硬化後的厚度成為25μm的方式，將此聚醯亞胺溶液塗布在厚度18μm的軋延銅箔(Ra=0.7μm)上，在80℃中加熱乾燥15分鐘除去溶劑。此後，分別在120℃加熱5分鐘，在160℃加熱60分鐘，在上述軋延銅箔上形成在聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑之絕緣層，製作在單面上有金屬層之熱傳導性基板。此絕緣層中之熱傳導性填充劑之氧化鋁含有量是79wt%。
    為了評估得到之熱傳導性基板中之絕緣層的特性，以蝕刻除去銅箔後製作熱傳導性聚醯亞胺薄膜(F6)，分別評估耐電壓，熱傳導率。進一步，將熱傳導性基板切成5cm四方大小，進行捲曲的測定。將此等的結果在表8中表示。又，針對在此單面上有金屬層之熱傳導性基板的聚醯亞胺樹脂層中熱壓接的軋延銅箔，測定金屬/樹脂間的1mm180°剝離強度(壓接面接著強度)時，為0.5[kN/m]以上。 [實施例2-7]
    合成例2-1中得到之聚醯亞胺溶液2a秤取63.89g，添加53.69g的氧化鋁(平均粒徑1.5μm，住友化學製，商品名：AA-1.5)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，在別的容器中秤取35.06g之溶劑NMP，添加1.096g之N-12，攪拌到N-12溶解為止。將此N-12的NMP溶液倒入到上述含有氧化鋁之聚醯亞胺溶液中，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑之聚醯亞胺溶液。使硬化後的厚度成為25μm的方式，將此聚醯亞胺溶液塗布在厚度18μm的軋延銅箔(Ra=0.7μm)上，在80℃中加熱乾燥15分鐘除去溶劑。此後，分別在120℃加熱5分鐘，在160℃加熱10分鐘，在上述軋延銅箔上形成在聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑之絕緣層，製作在單面上有金屬層之熱傳導性基板。此絕緣層中之熱傳導性填充劑之氧化鋁含有量是70wt%。接著，進行與實施例2-6相同之評估。將此結果在表8中表示。又，針對在此單面上有金屬層之熱傳導性基板的聚醯亞胺樹脂層中熱壓接的軋延銅箔，測定金屬/樹脂間的1mm 180°剝離強度(壓接面接著強度)時，為0.6[kN/m]以上。 [實施例2-8]
    實施例2-7中，除了將在120℃加熱5分鐘，在160℃加熱10分鐘者取代為在120℃加熱5分鐘，在160℃加熱60分鐘之外，進行與實施例2-7同樣操作，製作在單面上有金屬層之熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-6相同之評估。將此結果在表8中表示。又，針對在此單面上有金屬層之熱傳導性基板的聚醯亞胺樹脂層中熱壓接的軋延銅箔，測定金屬/樹脂間的1mm 180°剝離強度(壓接面接著強度)時，為0.6[kN/m]以上。 [實施例2-9]
    合成例2-1中得到之聚醯亞胺溶液2a秤取63.89g，添加2.56g的氧化鋁(平均粒徑1.5μm，住友化學製，商品名：AA-1.5)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，在別的容器中秤取35.06g之溶劑NMP，添加1.096g之N-12，攪拌到N-12溶解為止。將此N-12的NMP溶液倒入到上述含有氧化鋁之聚醯亞胺溶液中，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑之聚醯亞胺溶液。使硬化後的厚度成為25μm的方式，將此聚醯亞胺溶液塗布在厚度18μm的軋延銅箔(Ra=0.7μm)上，在80℃中加熱乾燥15分鐘除去溶劑。此後，分別在120℃加熱5分鐘，在160℃加熱10分鐘，在上述軋延銅箔上形成在聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑之絕緣層，製作在單面上有金屬層之熱傳導性基板。此絕緣層中之熱傳導性填充劑之氧化鋁含有量是10wt%。又，針對在此單面有金屬層之熱傳導性基板的聚醯亞胺樹脂層中熱壓接的軋延銅箔，測定金屬/樹脂間的1mm 180°剝離強度(壓接面接著強度)時，為0.7[kN/m]以上。 [實施例2-10]
    實施例2-9中，除了以在120℃加熱5分鐘，在160℃加熱60分鐘，取代120℃加熱5分鐘，在160℃加熱10分鐘之外，進行與實施例2-9相同之操作，製作在單面上有金屬層之熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-6相同之評估。將此結果在表8中表示。又，針對在此單面上有金屬層之熱傳導性基板的聚醯亞胺樹脂層中熱壓接的軋延銅箔，測定金屬/樹脂間的1mm 180°剝離強度(壓接面接著強度)時，為0.7[kN/m]以上。 [實施例2-11]
    合成例2-1中得到之聚醯亞胺溶液2a秤取63.89g，添加23.01g的氧化鋁(平均粒徑1.5μm，住友化學製，商品名：AA-1.5)，以離心攪拌機混合到均勻為止。接著，在別的容器中秤取35.06g之溶劑NMP，添加1.096g之N-12，攪拌到N-12溶解為止。將此N-12的NMP溶液倒入到上述含有氧化鋁之聚醯亞胺溶液中，再度以離心攪拌機混合到均勻為止，得到含有熱傳導性填充劑之聚醯亞胺溶液。使硬化後的厚度成為25μm的方式，將此聚醯亞胺溶液塗布在厚度18μm的軋延銅箔(Ra=0.7μm)上，在80℃中加熱乾燥15分鐘除去溶劑。此後，分別在120℃加熱5分鐘，在160℃加熱10分鐘，在上述軋延銅箔上形成在聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑之絕緣層，製作在單面上有金屬層之熱傳導性基板。此絕緣層中之熱傳導性填充劑之氧化鋁含有量是50wt%。接著，進行與實施例2-6相同之評估。將此結果在表8中表示。又，針對在此單面有金屬層之熱傳導性基板的聚醯亞胺樹脂層中熱壓接的軋延銅箔，測定金屬/樹脂間的1mm 180°剝離強度(壓接面接著強度)時，為0.7[kN/m]以上。 [實施例2-12]
    實施例2-11中，除了以在120℃加熱5分鐘，在160℃加熱60分鐘，取代120℃加熱5分鐘，在160℃加熱10分鐘之外，進行與實施例2-11相同之操作，製作在單面有金屬層之熱傳導性基板。接著，進行與實施例2-6相同之評估。將此結果在表8中表示。又，針對在此單面上有金屬層之熱傳導性基板的聚醯亞胺樹脂層中熱壓接的軋延銅箔，測定金屬/樹脂間的1mm 180°剝離強度(壓接面接著強度)時，為0.7[kN/m]以上。 [實施例2-13]
    在實施例2-7中製作之在單面有金屬層之熱傳導性基板的聚醯亞胺絕緣層上放置厚度18μm的軋延銅箔，於溫度160℃，壓力2MPa，時間2小時的條件下壓接，得到在兩面上有金屬層之熱傳導性基板。將得到熱傳導性基板加工成所定之圖案，進行接著強度，焊接耐熱性及捲曲之測定。將此結果在表9中表示。

    由表8可知，形成絕緣層之聚醯亞胺樹脂中含有熱傳導性填充劑之實施例2-6至實施例2-12的單面金屬熱傳導性基板，熱傳導率高，捲曲的發生也小，使用性優異。又，由表9可知，實施例2-13的兩面金屬熱傳導性基板，壓接加工性良好，藉由在低溫之壓接，得到實用上充分之接著性。又，實施例2-6至實施例2-13的單面金屬或兩面金屬熱傳導性基板，針對耐電壓性與耐熱性，在實用上有充分之特性。
    以上，雖將本發明之實施形態以例示之目的詳細說明，但本發明不受上述之實施形態的限制。例如，在上述之實施形態中，作為本發明之聚醯亞胺樹脂之用途者，雖列舉FPC等之電路基板的覆蓋膜或黏著薄片用之接著劑，但上述以外的用途，例如在捲帶接合(Tape Automatic Bonding；簡稱TAB)、晶片尺寸封裝(Chip Size Package；CSP)等接著用樹脂之形成中，也可以利用。
    第1圖表示試驗例1中樣品的電流計評估結果圖。
    第2圖表示試驗例2中樣品的電流計評估結果圖。
    由於本案的圖為試驗例的評估結果圖，並非本案的代表圖。故本案無指定代表圖。
    权利要求:
    Claims (30)
    [1] 一種交聯聚醯亞胺樹脂，係使下述的成分(A)及(B)反應而得者，(A)具有酮基之聚醯亞胺矽氧烷、(B)具有至少2個1級胺基作為官能基之胺化合物，其特徵為：在前述(A)成分的聚醯亞胺矽氧烷中之酮基的至少一部分，與前述(B)成分的胺化合物之胺基反應後形成C=N鍵，藉此而具有前述聚醯亞胺矽氧烷藉由前述胺化合物而交聯之構造。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之交聯聚醯亞胺樹脂，其中，前述聚醯亞胺矽氧烷，為具有下述的一般式(1)及(2)所示之構成單元之聚醯亞胺矽氧烷， [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺基矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由二胺化合物所衍生的2價二胺殘基，Ar及/或R2中含有酮基及氫鍵形成基，m、n表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.35至1.0的範圍內，n是在0至0.65的範圍內]。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之交聯聚醯亞胺樹脂，其中，前述構成單元的存在莫耳比之m是在0.75至1.0的範圍內，n是在0至0.25的範圍內。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之交聯聚醯亞胺樹脂，其中，前述聚醯亞胺矽氧烷係具有下述的一般式(1)及(2)所示之構成單元之聚醯亞胺矽氧烷， [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺基矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由二胺化合物所衍生的2價二胺殘基，在Ar中含有酮基，在R2中含有氫鍵形成基，m、n表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.35以上且未達1.0的範圍內，n是超過0且在0.65以下的範圍內]。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述之交聯聚醯亞胺樹脂，其中，前述構成單元的存在莫耳比m是在0.75以上且未達1.0的範圍內，n是在超過0且在0.25以下的範圍內。
    [6] 如申請專利範圍第2或4項所述之交聯聚醯亞胺樹脂，其中，前述聚醯亞胺矽氧烷中之前述氫鍵形成基是-NHCO-。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述之交聯聚醯亞胺樹脂，其中，前述聚醯亞胺矽氧烷是將二醯肼(Dihydrazide)化合物作為原料所合成者。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述之交聯聚醯亞胺樹脂，其中，前述胺化合物是二醯肼化合物。
    [9] 如申請專利範圍第1項所述之交聯聚醯亞胺樹脂，進一步所含之平均粒徑在2至25μm範圍內的板狀無機填充劑，相對於前述(A)成分及(B)成分的合計100重量份，係在5至200重量份的範圍內。
    [10] 一種接著劑樹脂組成物，係含有下述(A)成分及(B)成分，(A)具有酮基及氫鍵形成基之重量平均分子量為20,000至150,000的聚醯亞胺矽氧烷、(B)具有至少2個1級胺基作為官能基的胺化合物，其中，相對於前述(A)成分中的酮基1莫耳，前述1級胺基之合計成為0.004莫耳至1.5莫耳的範圍內之方式含有前述(B)成分。
    [11] 如申請專利範圍第10項所述之接著劑樹脂組成物，其中，前述(A)成分係具有下述的一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷， [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由二胺化合物所衍生的2價二胺殘基，Ar及/或R2中含有酮基及氫鍵形成基，m、n表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.35至1.0的範圍內，n是在0至0.65的範圍內]。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述之接著劑樹脂組成物，其中，前述構成單元的存在莫耳比之m是在0.75至1.0的範圍內，n是在0至0.25的範圍內。
    [13] 如申請專利範圍第10項所述之接著劑樹脂組成物，其中，前述(A)成分，係具有下述的一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷， [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由二胺化合物所衍生的2價二胺殘基，在Ar中含有酮基，在R2中含有氫鍵形成基，m、n表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.35以上且未達1.0的範圍內，n是超過0且在0.65以下的範圍內]。
    [14] 如申請專利範圍第13項所述之接著劑樹脂組成物，其中，前述構成單元的存在莫耳比之m是在0.75以上且未達1.0的範圍內，n是超過0且在0.25以下的範圍內。
    [15] 如申請專利範圍第10項所述之接著劑樹脂組成物，其中，前述(A)成分中之前述氫鍵形成基為-NHCO-。
    [16] 如申請專利範圍第10項所述之接著劑樹脂組成物，其中，前述(A)成分為將二醯肼(Dihydrazide)化合物作為原料而合成者。
    [17] 如申請專利範圍第10項所述之接著劑樹脂組成物，其中，前述(B)成分為二醯肼化合物。
    [18] 如申請專利範圍第10項所述之接著劑樹脂組成物，其中，相對於前述(A)成分及(B)成分的合計100重量份，進一步含有5至200重量份之(C)平均粒徑在2至25μm範圍內的板狀無機填充劑。
    [19] 一種硬化物，係硬化申請專利範圍第10項所述之接著劑樹脂組成物而得者。
    [20] 一種覆層膜，係積層有接著劑層與覆蓋層用膜材層的覆層膜，前述接著劑層是使用申請專利範圍第10項所述之接著劑樹脂組成物所形成者。
    [21] 一種電路基板，係具備基材、形成在該基材上之配線層、與被覆該配線層之申請專利範圍第20項所述之覆層膜者。
    [22] 一種交聯聚醯亞胺樹脂的製造方法，係具備有下述步驟：將具有酮基之酸酐成分，與包含具有氫鍵形成基之二胺化合物及二胺矽氧烷的二胺成分進行混合，並藉由加熱而醯亞胺化，形成具有酮基及氫鍵形成基之聚醯亞胺矽氧烷的步驟；在前述聚醯亞胺矽氧烷中的鄰接之主鏈間形成氫鍵的步驟，以及，在前述聚醯亞胺矽氧烷的酮基之至少一部分，與具有至少2個的1級胺基作為官能基之胺化合物的胺基反應，形成C=N鍵，前述聚醯亞胺矽氧烷藉由前述胺化合物而交聯之步驟。
    [23] 一種熱傳導性基板，係在至少具有1層之聚醯亞胺樹脂中分散有熱傳導性填充劑的含填充劑之聚醯亞胺樹脂層之絕緣層的單面或兩面上有金屬層之熱傳導性基板，其特徵為：含有前述填充劑之聚醯亞胺樹脂層的熱傳導性填充劑含有率是在5至80wt%的範圍，含有前述填充劑之聚醯亞胺樹脂層中的聚醯亞胺樹脂，為具有下述的一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷的前述酮基，與具有將至少2個的1級胺基作為官能基之胺化合物的胺基反應後，形成C=N鍵，藉此，前述聚醯亞胺矽氧烷係藉由前述胺化合物而有交聯的構造之交聯聚醯亞胺樹脂， [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由芳香族二胺及/或脂肪族二胺所衍生的2價二胺殘基，Ar及/或R2中含有酮基，m、n表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.4至1.0的範圍內，n是在0至0.6的範圍內]。
    [24] 如申請專利範圍第23項所述之熱傳導性基板，其中，前述胺化合物是二醯肼化合物。
    [25] 如申請專利範圍第23項所述之熱傳導性基板，其中，熱傳導性填充劑為選自二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、氮化矽及氧化鎂中之至少1種的填充劑。
    [26] 如申請專利範圍第23項所述之熱傳導性基板，其中，熱傳導性填充劑，為平均粒徑在0.5至10μm範圍之球狀氧化鋁。
    [27] 如申請專利範圍第23項所述之熱傳導性基板，其中，上述聚醯亞胺矽氧烷為具有氫鍵形成基者。
    [28] 如申請專利範圍第23項所述之熱傳導性基板，其是藉由包含下述步驟而製造，將含有經混合前述聚醯亞胺矽氧烷、前述熱傳導性填充劑、及前述胺化合物之含有填充劑之聚醯亞胺樹脂溶液，在成為前述金屬層之金屬基材上進行塗布、乾燥而形成塗布膜之步驟；與加熱前述塗布膜，前述聚醯亞胺矽氧烷中之前述酮基之至少一部分，與前述胺化合物之胺基反應，藉由形成C=N鍵而形成含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層之步驟。
    [29] 如申請專利範圍第28項所述之熱傳導性基板，其中，前述含有填充劑之聚醯亞胺樹脂層為半硬化狀態。
    [30] 一種熱傳導性聚醯亞胺膜，係具備有在聚醯亞胺樹脂層中分散有熱傳導性填充劑之含有填充劑的聚醯亞胺樹脂層的熱傳導性聚醯亞胺膜，其特徵為：前述含有填充劑的聚醯亞胺樹脂層中之熱傳導性填充劑的含有率是在5至80wt%的範圍內，前述含有填充劑的聚醯亞胺樹脂層中的聚醯亞胺樹脂，為具有下述的一般式(1)及(2)所示構成單元之聚醯亞胺矽氧烷中的前述酮基，藉由與具有將至少2個的1級胺基當作官能基之胺化合物的胺基反應而形成C=N鍵，前述聚醯亞胺矽氧烷為藉由前述胺化合物而有經交聯之構造的交聯聚醯亞胺樹脂， [式中，Ar表示由芳香族四羧酸酐所衍生的4價芳香族基，R1表示由二胺矽氧烷所衍生的2價二胺矽氧烷殘基，R2表示由芳香族二胺及/或脂肪族二胺所衍生的2價二胺殘基，Ar及/或R2中含有酮基，m、n是表示各構成單元的存在莫耳比，m是在0.4至1.0的範圍內，n是在0至0.6的範圍內]。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    JP5777944B2|2015-09-09|架橋ポリイミド樹脂、接着剤樹脂組成物及びその硬化物、カバーレイフィルム並びに回路基板
    TWI491644B|2015-07-11|聚醯亞胺樹脂、其製造方法、接著劑樹脂組成物、覆蓋膜及電路基板
    TWI546322B|2016-08-21|交聯聚醯亞胺樹脂、其製造方法、接著劑樹脂組成物、其硬化物、覆層膜、電路基板、熱傳導性基板及熱傳導性聚醯亞胺膜
    TWI690578B|2020-04-11|黏著劑組成物、薄膜狀黏著材料、黏著層、黏著薄片、附有樹脂的銅箔、覆銅積層板、可撓性覆銅積層板、印刷線路板、可撓性印刷線路板、多層線路板、印刷電路板及可撓性印刷電路板
    JP5650084B2|2015-01-07|熱伝導性基板及び熱伝導性ポリイミドフィルム
    TW201000306A|2010-01-01|Laminate for flexible board and heat conductive polyimide film
    TWI716524B|2021-01-21|覆銅積層體及印刷線路板
    JP6262691B2|2018-01-17|溶剤可溶性ポリイミド樹脂
    JP6474664B2|2019-02-27|カバーレイフィルム
    JP6284247B2|2018-02-28|溶剤可溶性ポリイミド樹脂
    JP5784993B2|2015-09-24|架橋ポリイミド樹脂、その製造方法、接着剤樹脂組成物、その硬化物、カバーレイフィルム及び回路基板
    JP5902139B2|2016-04-13|ポリイミド樹脂組成物
    JP2019189882A|2019-10-31|溶剤可溶性ポリイミド樹脂の製造方法
    JP2016124982A|2016-07-11|架橋ポリイミド樹脂、その製造方法、接着剤樹脂組成物、その硬化物、カバーレイフィルム及び回路基板
    JP2020105493A|2020-07-09|ポリイミド、ポリイミド樹脂組成物、ポリイミドフィルム、接着剤、フィルム状接着材、接着層、接着シート、樹脂付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板、並びに、ポリイミドの製造方法
    JP2003213130A|2003-07-30|ポリイミド樹脂組成物及び耐熱接着剤
    JP6031563B2|2016-11-24|接着剤用ポリイミド樹脂
    JP6713784B2|2020-06-24|ポリイミド、ポリイミド溶液、樹脂フィルム、ポリイミド組成物、架橋ポリイミド、カバーレイフィルム及び回路基板
    TWI696680B|2020-06-21|聚醯亞胺系黏著劑、薄膜狀黏著材料、黏著層、黏著薄片、覆銅積層板及印刷線路板、以及多層線路板及其製造方法
    JP4923678B2|2012-04-25|金属箔付フレキシブル基板及びフレキシブルプリント配線板
    JP6858111B2|2021-04-14|溶剤可溶性ポリイミド樹脂の製造方法
    JP6527893B2|2019-06-05|ボンディングシート用原料ポリイミド樹脂及びボンディングシート
    TW202122494A|2021-06-16|熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂薄片、電子零件、及電子裝置
    TWI754668B|2022-02-11|可撓性印刷線路板用覆銅積層板及可撓性印刷線路板
    JP6082439B2|2017-02-15|カバーレイフィルムの接着剤層形成用原料ポリイミド樹脂
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    KR101757023B1|2017-07-11|
    CN103649174A|2014-03-19|
    KR20140021001A|2014-02-19|
    WO2012172972A1|2012-12-20|
    CN103649174B|2016-02-03|
    TWI546322B|2016-08-21|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    TWI627267B|2014-04-17|2018-06-21|住友精化股份有限公司|Heat dissipation film, dispersion for heat radiation layer, method for manufacturing heat dissipation film, and solar cell|
    TWI690544B|2016-10-28|2020-04-11|奇美實業股份有限公司|軟性基板用組成物、其製造方法及軟性基板|US3816303A|1972-12-20|1974-06-11|Us Interior|Polyimides as semipermeable membranes|
    US4020050A|1973-06-13|1977-04-26|Ppg Industries, Inc.|Method of preparing polymer from dianhydride and hydrazine or dihydrazide|
    JPH06345866A|1993-06-14|1994-12-20|Nippon Steel Corp|シロキサン変性ポリイミド樹脂|
    US6218496B1|1994-03-31|2001-04-17|Occidental Chemical Corporation|Polyimidesiloxane adhesive|
    JPH0913001A|1995-06-27|1997-01-14|Tomoegawa Paper Co Ltd|電子部品用液状接着剤および電子部品用接着テープ|
    JP4772593B2|2006-06-06|2011-09-14|信越化学工業株式会社|ポリイミドシリコーン系樹脂組成物|
    JP5180517B2|2007-05-22|2013-04-10|新日鉄住金化学株式会社|ポリイミド樹脂の表面処理方法及び金属張積層体の製造方法|
    JP5179407B2|2009-02-27|2013-04-10|新日鉄住金化学株式会社|感光性樹脂組成物及びこれを用いた回路配線基板|
    WO2011040194A1|2009-10-02|2011-04-07|新日鐵化学株式会社|接着剤樹脂組成物、カバーレイフィルム及び回路基板|
    WO2011077917A1|2009-12-22|2011-06-30|新日鐵化学株式会社|ポリイミド樹脂、その製造方法、接着剤樹脂組成物、カバーレイフィルム及び回路基板|JP6155339B2|2013-08-29|2017-06-28|住友理工株式会社|柔軟導電材料およびトランスデューサ|
    WO2015037555A1|2013-09-12|2015-03-19|住友電気工業株式会社|プリント配線板用接着剤組成物、ボンディングフィルム、カバーレイ、銅張積層板及びプリント配線板|
    TWI614285B|2016-11-11|2018-02-11|財團法人工業技術研究院|聚合物及包含該聚合物之樹脂組成物|
    JP6562147B2|2018-02-05|2019-08-21|三菱マテリアル株式会社|絶縁膜、絶縁導体、金属ベース基板|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011132111A|JP5784993B2|2011-06-14|2011-06-14|架橋ポリイミド樹脂、その製造方法、接着剤樹脂組成物、その硬化物、カバーレイフィルム及び回路基板|
    JP2011138395||2011-06-22||
    [返回顶部]