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    根據本發明，再生有機發光二極體之像素的方法包含：第一步驟：在平臺上對準包括第一電極與第二電極的有機發光二極體，第一電極和第二電極形成於基板上而使有機發射層置於二者之間並彼此相交；以及第二步驟：利用像素再生設備，讓雷射輻照具導電粒子的區域，導電粒子存於第一電極與第二電極間的有機發射層。本發明有利於藉由讓雷射輻照因導電粒子造成的缺陷區域，以再生AMOLED之像素的該區域，進而確保產品的可靠度及提高製造產率。
    公开号:TW201304235A
    申请号:TW101116913
    申请日:2012-05-11
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Seon-Joo Kim；Joon-Jung Lee；Jae-Woong Won；Dae-Kon Yoo；Ki-Sun Han；Ju-Yeon Song；Myung-Sung Sim；Jin-Won Lee；Chun-Jae Lee；Hyo-Sung Lee；Won-Seo Park
    申请人:Cowindst Co Ltd；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    像素再生設備及使用該設備之像素再生方法
    本發明係關於再生有機發光二極體的像素的方法。
    有機發光二極體(OLED)係自發光型顯示裝置，OLED採用的原理為當電流流過螢光或磷光有機薄膜時，電子與電洞將於有機材料層結合而產生光。此時，光的顏色會依組成發射層的有機材料變化。OLED可分為被動型PMOLED(被動矩陣有機發光二極體)和主動型AMOLED(主動矩陣有機發光二極體)。PMOLED採用線驅動法，該方法以一線一次發光一段時間的方式驅動。相較於PMOLED，AMOLED採用個別驅動法，該方法個別驅動發光二極體。
    現將說明OLED的發光原理，參照第1圖，當電壓施加至陽極電極4與陰極電極2之間時，陰極電極2產生的電子會經由電子注入層(1a)和電子傳輸層(1b)移動到發射層(1c)。又，陽極電極4產生的電洞會經由電洞注入層(1e)和電洞傳輸層(1d)移動到發射層(1c)。因此，電子傳輸層(1b)和電洞傳輸層(1d)供應的電子和電洞將於發射層(1c)復合而形成激子。激子再度於基態受激時，固定能量的光經由陽極電極4發射到外面，從而顯示圖像。
    然若OLED的發射層存在導電粒子，則導電粒子會影響特定節點和上述發光現象，電子和電洞的移動亦受導電粒子影響，因而造成發光層的缺陷。
    本發明係為解決上述問題。本發明的一目的為提供再生像素的方法和實現該方法的像素再生設備，方法和設備藉由讓雷射輻照有機發光二極體之像素因導電粒子造成的缺陷區域，及再生像素的缺陷區域，以確保產品的可靠度及提高製造產率。
    作為解決上述問題的手段，本發明的另一目的係針對提供再生有機發光二極體之像素的方法，包含：第一步驟：在平臺上對準包括第一電極與第二電極的有機發光二極體，第一和第二電極形成於基板上而使有機發射層置於二者之間並彼此相交；以及第二步驟：利用像素再生設備，讓雷射輻照具導電粒子的區域，導電粒子存於第一電極與第二電極間的有機發射層。
    另外，再生像素的方法的特徵在於第二步驟：讓雷射輻照具導電粒子的區域，及軋碎導電粒子或從第一電極或第二電極分離導電粒子，以容許除具導電粒子的區域外的像素區域發光。
    在一示例性實施例中，可讓雷射直接輻照導電粒子及軋碎導電粒子本身或從電極分離導電粒子，以體現第二步驟。
    在其他示例性實施例中，可讓雷射輻照具導電粒子的區域的周圍電極、切割電極，及電氣隔離導電粒子與電極，使像素得正常操作，以構成第二步驟。
    在又一些其他示例性實施例中，可讓雷射輻照大於導電粒子尺寸的大小，及隔離導電粒子與有機發光層，使像素得正常操作，以體現第二步驟。
    在再一些其他示例性實施例中，像素再生設備輻照的雷射脈寬小於10奈秒(ns)。
    在又一些其他示例性實施例中，若有機發光二極體不包括偏光板，則像素再生設備輻照的雷射波長大於300奈米(nm)，若有機發光二極體包括偏光板，則雷射波長大於420 nm。
    在再一些其他示例性實施例中，用於上述根據本發明有機發光二極體結構之像素再生方法的像素再生設備包含：雷射振盪零件，用以振盪雷射光束；光束傳播零件，用以轉換雷射振盪零件輻照的雷射光束方向及將雷射光束傳送到有機發光二極體的有機發射層；光束尺寸控制零件，用以改變雷射光束尺寸；以及影像零件，用以即時拍攝有機發射層的影像。
    在又一些其他示例性實施例中，特別地，光束尺寸控制零件包含：馬達驅動的狹縫；能確認狹縫尺寸與位置的狹縫照明光源；以及狹縫照明用鏡子，用以改變光徑。
    在再一些其他示例性實施例中，像素再生設備進一步包含：掃描器，用以掃描存在導電粒子之區域的雷射光束；以及用以控制光束機器加工表面的裝置，光束機器加工表面用於過濾雷射光束，使得在加速區和減速區中，掃描之雷射光束不輻照有機發光層。
    本發明有利於藉由讓雷射輻照因導電粒子造成的缺陷區域，以再生AMOLED之像素的該區域，進而確保產品的可靠度及提高製造產率。
    現將參照附圖詳述根據本發明的構造和功能。在參照附圖的說明中，不論圖中元件符號，說明書中相同的數字將代表相仿的元件，且不再重複敘述。如「第一」和「第二」等用語係用於說明各種構成元件，但構成元件不應以此為限。該等用語僅為區別構成元件和其他構成元件。
    本發明的要旨為提供利用雷射來再生具導電粒子之區域的方法。
    為此，根據本發明，再生有機發光二極體之像素的方法包含：第一步驟：在平臺上對準包括第一電極與第二電極的有機發光二極體，第一和第二電極形成於基板上而使有機發射層置於二者之間並彼此相交；以及第二步驟：利用像素再生設備，讓雷射輻照具導電粒子的區域，導電粒子存於第一電極與第二電極間的有機發射層。用於根據本發明像素再生方法的有機發光二極體皆可應用到被動型PMOLED(被動矩陣有機發光二極體)和主動型AMOLED(主動矩陣有機發光二極體)。以下將以AMOLED作為說明實例。
    現將參照附圖詳述上述處理如下。
    第2圖為說明根據本發明之有機發光二極體標的的概念圖。如圖所示，透明電極圖案的第一電極30和第二電極40提供在基板10、20間，基板10、20彼此相對。紅光、綠光和藍光發射層31、32、33提供在第一電極與第二電極間。特別地，在此結構中，以如導電粒子(cp)存於綠光發射層32來描繪缺陷產生結構。
    本發明配置以利用能讓雷射輻照導電粒子的像素再生設備(L)，使雷射輻照導電粒子本身或具導電粒子的周圍區域，及軋碎或再生導電粒子，以再生缺陷像素。
    即，藉由讓雷射直接輻照具導電粒子的區域或導電粒子本身，及軋碎導電粒子或從第一電極或第二電極分離導電粒子，可使除具導電粒子之區域外的剩餘像素區域發光。
    和此不同，上述第二步驟進行讓雷射輻照具導電粒子的區域的周圍電極、切割電極及電氣隔離導電粒子，使像素得正常操作的步驟。
    特別地，若上述雷射輻照導電粒子，則藉由讓雷射輻照大於導電粒子尺寸的大小，以隔離導電粒子與有機發光層，可使像素正常操作。為最小化對有機發光二極體內的其他層的破壞，期雷射脈寬小於10 ns。
    若偏光板不附接至有機發光二極體表面，則最好使用波長大於300 nm的雷射，如此可在無任何破壞的情況下，處理透明電極的第二電極。
    若偏光板附接至有機發光二極體表面，則最好使用波長大於420 nm的雷射，以穿透及處理偏光板。
    第3圖圖示再生有機發光二極體之像素的方法，有機發光二極體結構具有白光發射層和彩色濾光片。
    和第2圖所圖示結構一樣，第一電極20和第二電極30提供在基板10、50間，基板10、50彼此相對。白光發射層30設在第一與第二電極間。包括紅色濾光片61、綠色濾光片62和藍色濾光片63的彩色濾光片60設在第二電極40的透明ITO層上部。此結構的組件不同於第2圖。然其亦可應用相同要旨，即藉由讓雷射輻照導電粒子(cp)以軋碎導電粒子，及將導電粒子重排成微小粒子(cp1、cp2、cp3)，可再生白光發射層30存在缺陷的缺陷區域。
    第4圖影像(A)為顯示上述第2圖中存在導電粒子(cp)的綠色像素(G)區域影像。可確認整個像素因導電粒子(cp)(圖示為暗點)造成的像素缺陷導致不發光。第4圖影像(B)為顯示整個像素藉由使用雷射來軋碎(A)的導電粒子本身，使之成為微小粒子，因而正常操作及發光的照片。
    第5圖影像(A)顯示發光狀態(X2)的像素，利用根據本發明的雷射處理，再生因產生缺陷而處於暗點狀態(X1)的像素時，可使該像素在能發光的狀態再生。所示結構中的模糊暗點(cp1)係導電粒子，導電粒子將變成晶粒。
    第6圖及第7圖圖示像素再生設備的示例性實施例，該設備可應用到上述像素再生處理。
    根據本發明的像素再生設備可由包括雷射的光學系統組成。更特定言之，像素再生設備包含：雷射振盪零件(L)，用以振盪雷射光束；光束傳播零件110，用以轉換雷射光束振盪零件輻照的雷射光束方向及將雷射光束傳送到有機發光二極體的有機發射層；光束尺寸控制零件120，用以改變雷射光束尺寸；以及影像零件130，用以即時拍攝有機發射層的影像。此外，設備可進一步包含：自動聚焦零件140，用以調整有機發射層上部的接物鏡焦距；以及接物鏡150。
    組成上述光學系統的詳細構造將描述於後，並圖示構造的示例性實施例。構造可以許多不同結構體現。作為一個示例性實施例的光學系統構造將參照第7圖詳述如下。
    雷射光束振盪零件(L)可進一步包含：光束輸出(功率)控制裝置，光束輸出控制裝置係特級光學系統；以及光束形成控制裝置，用以轉換光束輪廓。光束傳播零件110可由下列組成：第一轉向鏡111和第二轉向鏡112，用以轉換雷射光束方向；雷射用開相透鏡113，用以產生雷射光束之形狀；以及雷射用半鏡114，用以把雷射光束投射至接物鏡150上。
    雷射振盪零件(L)發射的雷射光束由第一轉向鏡111轉向下部，以調整光束路徑，並改變成適合光束尺寸控制零件120的狹縫123處理的尺寸，此將說明於後。通過狹縫123的雷射光束由下部的第二轉向鏡112反射，接著通過開相透鏡112並由雷射用半鏡114反射而投射至接物鏡150，及輻照上述有機發光二極體的有機發光層，進而著手處理導電粒子。
    雷射用半鏡114用於反射處理用波長的雷射光束，以作為光學系統來結合雷射光軸與圖軸、傳遞樣品影像及將樣品影像發送到主照相機131。使用可見光場波長的雷射時，可見光場與圖軸重疊。故應於可見光場施行50：50的透射與反射塗佈。直到雷射光束路徑在雷射用半鏡114與圖軸交會前，上述光束傳播零件110的組件引起的雷射光束路徑將不同於圖軸的光徑。
    光束尺寸控制零件120由下列組成：馬達驅動的狹縫123；狹縫照明光源121和能確認狹縫尺寸與位置的狹縫照明用半鏡122。狹縫照明光源121發射的可見光由狹縫照明用半鏡122反射通過狹縫123而與雷射光束路徑相同，接著由第二轉向鏡112反射通過雷射用開相透鏡113，及由雷射用半鏡114投射至接物鏡150，以於有機發光二極體的發射層(S)上形成狹縫123的影像。依據形成於有機發光二極體之發射層(S)上的狹縫123影像，確認狹縫123的尺寸和處理位置，並進行處理。此時，為減少雷射的輸出損失，雷射輻照時，利用汽缸驅動分離狹縫照明用半鏡122和光徑。即，確認狹縫照明的處理區域和處理尺寸後，於振盪雷射時，分離狹縫照明用半鏡122和路徑，以最小化狹縫照明用半鏡122造成的雷射損失。
    如上所述，在進/出組件中，可以一般反射鏡代替半鏡。當使用可見光場的雷射且不利用進/出功能時，由於雷射和照明波長同為可見光，故應於可見光域施行50：50的透射與反射塗佈。是以雷射和狹縫照明分別造成50%的損失。影像零件130由主照相機131、影像用開相透鏡132、反射照明光源133、反射照明用半鏡134和透射照明光源135組成。CCD(CMOS)照相機可作為主照相機使用。
    利用反射照明光源133或透射照明光源135，讓光輻照處理樣品(S)，以經由開相透鏡132於主照相機131中形成處理樣品影像。為更廣泛地確認視域(FOV)，可將影像用開相透鏡132的放大倍率改為0.5。此時，反射照明用半鏡134配置使可見光場的反射與透射比變成50：50，藉以反射反射照明光源133，及將處理樣品(S)的影像經由接物鏡150傳送到主照相機131。若反射照明光源133的光量充足且透射照明光源135的光量不足，則反射照明用半鏡134的反射與透射比可設計成30：70。
    在本發明的一個示例性實施例中，為在有機發光二極體的發射層(S)中配適接物鏡的確切焦點，自動聚焦零件140提供在主照相機131與接物鏡150間。自動聚焦零件140由用於確認接物鏡150之焦點的自動聚焦照相機141、自動聚焦用箱型半鏡142和用於驅動接物鏡150以朝X軸方向(和基板同向或反向)向上與向下調整接物鏡的Z軸驅動零件143組成。有機發光二極體的發射層(S)中具導電粒子之區域的影像由自動聚焦零件241聚焦及由照相機242輸出。依據所得影像，控制零件(未圖示)將聚焦控制訊號傳遞到Z軸驅動零件143，以調整接物鏡150的焦點。接物鏡150裝設於旋轉器(未圖示)，以容許改變接物鏡，如此可裝設不同放大倍率的接物鏡來進行處理及確認。旋轉器可為直線移動的線性式或旋轉移動的旋轉式。
    如上所述，在本發明的其他示例性實施例中，因圖軸與雷射光軸分離所致，通過半鏡的次數將減少，從而降低現有驅動軸結構產生的雷射輸出損失。另外，由於很容易使用除雷射用半鏡114外的一般箱型半鏡，故不會出現鬼影。針對影像處理方法額外裝設自動聚焦用箱型半鏡142和自動聚焦照相機141也很容易。另外，藉由調整箱型半鏡142的透射與反射比，亦可克服因此減少的光量。
    在根據本發明的又一些其他示例性實施例中，除雷射振盪零件(L)外，上述像素再生設備的組件可體現成具有和第8圖一樣的組件。
    即，根據本發明的像素再生設備結構可體現成包含：掃描器，用以掃描雷射振盪零件(L)和存在導電粒子之區域的雷射光束；以及用以控制光束機器加工表面的裝置，光束機器加工表面用於過濾掃描之雷射光束，使得在加速區和減速區中，雷射光束不輻照有機發光層。
    雷射振盪零件(L)包含：雷射零件210和光束功率控制零件220，用以控制雷射零件輻照的光束功率。再者，上述結構進一步包含：光束形狀控制裝置270；掃描器230，用以掃描面板(P)之彩色濾光片的輻照區域的雷射光束；影像零件240與照明裝置241，用於即時確認用以控制光束機器加工表面280和彩色濾光片(或面板)的控制裝置；自動聚焦零件250與聚焦透鏡260，用以控制雷射光束的焦點。又，複數個鏡子(M1、M2)可配置以控制光徑。掃描器230為眾所周知的裝置且包含X-檢流計鏡與Y-檢流計鏡，用以轉換雷射光束方向，及包含掃描透鏡，用以集中經各鏡子轉向的雷射光束。特別地，用以控制光束機器加工表面280的裝置係構成元件，該裝置用於過濾雷射光束，使得在加速區或減速區和其他區域中，掃描之雷射光束不輻照彩色濾光片。由於加速區或減速區和其他區域的雷射能量密度不同，故進行過濾，以使雷射光束不會用於該等區域。如此彩色濾光片的整個區域係經均勻能量密度輻照。
    在本發明的再一些其他實施例中，像素再生設備可體現成如第9圖所圖示的結構。
    即，和所圖示結構一樣，像素再生設備可包含：雷射振盪零件300，用以振盪雷射光束；光束尺寸控制零件400，用以控制雷射振盪零件振盪的雷射光束，使之與導電粒子尺寸或有機發光二極體的發射層中具導電粒子的區域尺寸一致；以及光束傳播零件，用以控制雷射振盪零件振盪的雷射光束路徑。當然，像素再生設備可進一步包含上述各組件，即，用於裝載有機發光二極體的裝載裝置、雷射振盪零件、光束尺寸控制零件和用於控制光束傳播零件的控制零件。
    與第7圖及第8圖組件執行相同功能的組件元件符號和第7圖及第8圖組件一樣。在此示例性實施例中，詳細組件可體現成如第9圖所圖示。
    參照第9圖，雷射振盪零件300執行功能而以Q切換法振盪雷射光束及利用雷射穩定器310振盪均勻雷射。使用雷射穩定器310有利於讓均勻雷射輻照照射場。為最小化對有機發光二極體內的其他層的破壞，根據此示例性實施例的雷射振盪零件300較佳採用脈寬小於10 ns的雷射。雷射振盪零件300振盪近紅外線(NIR)、γ射線(GR)和近紫外線(NUV)波長範圍的雷射。特別地，若有機發光二極體不包括偏光板，則更佳為採用波長大於300 nm的雷射；若有機發光二極體包括偏光板，則更佳為採用波長大於420 nm的雷射。
    光束尺寸控制零件400用於擴大及控制雷射光束，使之與液晶顯示面板的缺陷區域尺寸一致。為執行此功能，光束形成裝置400可配置成包含光束塑形器410與光束狹縫420或光束塑形器410與遮罩410。
    光束塑形器410由用以擴大雷射振盪零件300振盪之雷射光束尺寸的擴束器和用於使雷射能量均勻分佈的均勻器組成。可依需求只使用擴束器。
    另外，光束狹縫420由光束塑形器410擴大，且使能量均勻分佈的雷射光束裂成狹縫而與具導電粒子的區域尺寸一致。遮罩430由光束塑形器410擴大，並讓能量均勻分佈的雷射光束通過預定圖案。
    光束傳播零件500可包含：第一鏡子510；第二鏡子520；以及接物鏡530。第一鏡子510反射雷射振盪零件300振盪的雷射光束。第二鏡子520傳遞通過光束形成裝置400的雷射光束，及反射自有機發光二極體800反射的反射光。接物鏡530集中及傳遞穿透第二鏡子510的雷射光束。根據此示例性實施例的光束傳播零件裝設於塔架(未圖示)以移動塔架，或可移動上面放置液晶顯示面板的平臺(未圖示)，讓雷射正確輻照欲輻照雷射的位置。
    影像零件600接收來自第二鏡子120的反射光，及即時監測輻照及再生雷射處理是否正確進行，或用於控制雷射光束的焦點。影像零件600包含CCD照相機610，用以即時監測處理；以及自動聚焦零件620，用以自動控制輻照有機發光二極體800的雷射光束焦點。控制裝置(未圖示)用於控制雷射振盪零件300、光束尺寸控制零件400、光束傳播零件500和影像零件600。
    本發明已以示例性實施例詳述如上，然熟諳此技術者在不脫離本發明的精神或範圍內，當可做各種更動與潤飾。故應理解前述僅為舉例說明本發明，且不應解釋成限定於所述特定實施例，所述實施例的修改例和其他實施例擬包括在後附申請專利範圍和其均等物所界定的範圍內。
    1a‧‧‧電子注入層
    1b‧‧‧電子傳輸層
    1c‧‧‧發射層
    1d‧‧‧電洞傳輸層
    1e‧‧‧電洞注入層
    2、4‧‧‧電極
    10、50‧‧‧基板
    20‧‧‧基板、電極
    30‧‧‧電極、發射層
    31-33‧‧‧發射層
    40‧‧‧電極
    60‧‧‧彩色濾光片
    61-63‧‧‧濾光片
    110‧‧‧光束傳播零件
    111-112‧‧‧轉向鏡
    113-114‧‧‧半鏡
    120‧‧‧光束尺寸控制零件
    121‧‧‧光源
    122‧‧‧半鏡
    123‧‧‧狹縫
    130‧‧‧影像零件
    131‧‧‧照相機
    132‧‧‧開相透鏡
    133、135‧‧‧光源
    134‧‧‧半鏡
    140‧‧‧自動聚焦零件
    141‧‧‧自動聚焦照相機
    142‧‧‧半鏡
    143‧‧‧Z軸驅動零件
    150‧‧‧接物鏡
    210‧‧‧雷射零件
    220‧‧‧光束功率控制零件
    230‧‧‧掃描器
    240‧‧‧影像零件
    241‧‧‧照明裝置
    242‧‧‧照相機
    250‧‧‧自動聚焦零件
    260‧‧‧聚焦透鏡
    270‧‧‧光束形狀控制裝置
    280‧‧‧光束機器加工表面
    300‧‧‧雷射振盪零件
    310‧‧‧雷射穩定器
    400‧‧‧光束尺寸控制零件
    410‧‧‧光束塑形器
    420‧‧‧狹縫
    430‧‧‧遮罩
    500‧‧‧光束傳播零件
    510、520‧‧‧鏡子
    530‧‧‧接物鏡
    600‧‧‧影像零件
    610‧‧‧照相機
    620‧‧‧自動聚焦零件
    800‧‧‧OLED
    cp‧‧‧導電粒子
    cp1-cp3‧‧‧微小粒子
    L‧‧‧像素再生設備
    S‧‧‧處理樣品
    第1圖圖示一般OLED的結構。
    第2圖及第3圖為解釋根據本發明之再生處理標的的截面圖。
    第4圖及第5圖為圖示根據本發明之再生處理結果的實像。
    第6圖至第9圖圖示根據本發明之像素再生設備的示例性實施例。
    10、50‧‧‧基板
    20、40‧‧‧電極
    31-33‧‧‧發射層
    cp‧‧‧導電粒子
    cp1-cp3‧‧‧微小粒子
    L‧‧‧像素再生設備
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種再生一像素的方法，該方法包含以下步驟：一第一步驟：在一平臺上對準包括一第一電極與一第二電極的一有機發光二極體，該第一電極和該第二電極形成於一基板上而使一有機發射層置於二者之間並彼此相交；以及一第二步驟：利用一像素再生設備，讓一雷射輻照具一導電粒子的一區域，該導電粒子存於該第一電極與該第二電極間的該有機發射層。
    [2] 如請求項1所述之方法，其中該第二步驟係讓該雷射輻照存在該導電粒子的該區域，及軋碎該導電粒子或從該第一電極或該第二電極分離該導電粒子，以容許除具該導電粒子的該區域外的一剩餘像素區域發光。
    [3] 如請求項1所述之方法，其中該第二步驟係讓該雷射直接輻照該導電粒子及軋碎該導電粒子本身或從該電極分離該導電粒子
    [4] 如請求項1所述之方法，其中該第二步驟係讓該雷射輻照具該導電粒子的該區域的一周圍電極並切割該電極，以及電氣隔離該導電粒子與該電極，而可進行一正常操作。
    [5] 如請求項3所述之方法，其中該第二步驟係讓該雷射輻照大於該導電粒子尺寸的大小，以及隔離該導電粒子與該有機發光層，使該像素得正常操作。
    [6] 如請求項1至5中任一項所述之方法，其中該像素再生設備輻照的該雷射具有小於10奈秒(ns)的一脈寬。
    [7] 如請求項6所述之方法，其中若該有機發光二極體不包括一偏光板，則該像素再生設備輻照的該雷射的一波長大於300奈米(nm)，若該有機發光二極體包括該偏光板，則該雷射的一波長大於420 nm。
    [8] 一種像素再生設備，用於如請求項1至5中任一項所述之再生有機發光二極體之像素的方法，該設備包含：一雷射振盪零件，用以振盪一雷射光束；一光束傳播零件，用以轉換該雷射振盪零件輻照的該雷射光束的一方向及將該雷射光束傳送到一有機發光二極體的一有機發射層；一光束尺寸控制零件，用以改變該雷射光束的一尺寸；以及一影像零件，用以即時拍攝該有機發射層的一影像。
    [9] 如請求項8所述之設備，其中該光束尺寸控制零件包含：一馬達驅動的一狹縫；能確認該狹縫之一尺寸與一位置的一狹縫照明光源；以及狹縫照明用的一鏡子，用以改變該狹縫照明光源投射的一光徑。
    [10] 如請求項8所述之設備，進一步包含：一掃描器，用以掃描存在一導電粒子之一區域的該雷射光束；以及用以控制一光束機器加工表面的一裝置，該光束機器加工表面用於過濾該雷射光束，使得在一加速區和一減速區中，掃描之該雷射光束不輻照該有機發光層。
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