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    • 专利摘要:
    本發明之目的係：於需要加熱處理之被處理基板與支持基板之剝離處理，抑制被處理基板之表面氧化。根據本發明，於第1保持部與前述第2保持部間的處理空間內，且不接觸該第1保持部與該第2保持部之位置，藉由昇降機構以配置重合晶圓，從氣體供給管向處理空間內提供惰性氣體(步驟A1)。之後，藉由移動機構，上昇第2保持部，以第1保持部保持被處理晶圓之同時，以第2保持部保持支持晶圓(步驟A2)。之後，一邊加熱第1保持部所保持的被處理晶圓及第2保持部所保持的支持晶圓，一邊藉由移動機構使第2保持部朝水平方向移動，以將被處理晶圓與支持晶圓剝離(步驟A3)。之後，對於從第1保持部移交到白努利吸盤之被處理晶圓提供惰性氣體(步驟A4)。
    公开号:TW201304066A
    申请号:TW101112682
    申请日:2012-04-10
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Osamu Hirakawa；Masaru Honda
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:B32B43-00
    专利说明:
    剝離方法、電腦記憶媒體、剝離裝置、及剝離系統
    本發明係有關於將重合基板剝離成被處理基板與支持基板之剝離方法、程式、電腦記憶媒體、用以執行該剝離方法之剝離裝置、以及具備該剝離裝置之剝離系統。
    近年，例如在半導體裝置之元件，半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)持續大口徑化。此外，於安裝等既定製程，都需要晶圓薄型化。而若要對諸如此種大口徑且厚度薄的晶圓，直接進行搬送或研磨處理，晶圓恐會產生翹曲或破裂。因此，為了補強晶圓，進行了例如在當作支持基板的晶圓或玻璃基板貼合晶圓等作法。而在此種晶圓與支持基板接合之狀態下進行晶圓之研磨處理等既定之處理後，剝離晶圓與支持基板。
    如此之晶圓與支持基板之剝離，係例如使用剝離裝置來進行。例如在專利文獻1，揭示了一種剝離裝置，其係在形成有熱氧化膜之支持基板上，直接接合已形成有元件之晶圓，之後進行晶圓之剝離。此剝離裝置，具有例如保持晶圓之第1保持件、保持支持基板之第2保持件、以及在晶圓與支持基板之間噴射液體之噴嘴。而在此剝離裝置，從噴嘴對已接合之晶圓與支持基板之間(亦即晶圓與支持基板之接合面)噴射液體，其噴射壓係大於該晶圓與支持基板之間之接合強度，較佳為接合強度之2倍以上之大噴射壓，藉此進行晶圓與支持基板之剝離。 [習知技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]日本特開平9-167724號公報
    然而，晶圓與支持基板之接合，如專利文獻1所揭示般，除了將晶圓直接接合至形成有熱氧化膜之支持基板之方法以外，還有將黏接劑夾設於支持基板與晶圓之間而接合的方法等等。
    使用黏接劑以進行接合時，在剝離晶圓與支持基板之際，必須軟化晶圓與支持基板之間所夾設之黏接劑。因此，在進行晶圓與支持基板之剝離時，為了軟化黏接劑，會對接合狀態下之晶圓與支持基板進行加熱處理。
    然而，若晶圓受到加熱處理，該晶圓所露出之表面，亦即晶圓上所露出之元件，會遭致氧化。而該氧化有為產品帶來嚴重損害之虞。
    有鑑於此，本發明之目的在於，於需要加熱處理之被處理基板與支持基板之剝離處理，抑制被處理基板之表面氧化。
    為達成前述目的，本發明提供一種剝離方法，係使用剝離裝置，將以黏接劑接合被處理基板及支持基板而成的重合基板，剝離成被處理基板與支持基板，其特徵在於，該剝離裝置包含：第1保持部，具有加熱被處理基板之加熱機構，並保持該被處理基板；第2保持部，具有加熱支持基板之加熱機構，並保持該支持基板；昇降機構，使重合基板於該第1保持部與該第2保持部之間，在鉛直方向昇降；移動機構，至少使該第1保持部或該第2保持部在相對鉛直方向及水平方向移動；氣體供給部，對該第1保持部與該第2保持部之間的空間供給惰性氣體；該剝離方法包含：於該第1保持部與該第2保持部之間的空間內，且不接觸該第1保持部與該第2保持部之位置，藉由該昇降機構以配置重合基板，由該氣體供給部對該空間內供給惰性氣體的第1製程；之後，藉由該移動機構使該第1保持部與該第2保持部於相對鉛直方向移動，以該第1保持部保持被處理基板之同時，以該第2保持部保持支持基板之第2製程；之後，一邊加熱該第1保持部所保持之被處理基板及該第2保持部所保持之支持基板，一邊藉由該移動機構而使該第1保持部與該第2保持部於相對水平方向移動，以剝離被處理基板與支持基板之第3製程。
    根據本發明，由於在第1製程，對第1保持部與第2保持部的空間內供給惰性氣體，故經過特定之時間後，該空間內充滿惰性氣體，可使空間內之蒙氣成為低氧濃度。而且，於第1製程，係將重合基板配置於不會接觸第1保持部與第2保持部之位置，故重合基板，也就是被處理基板不會受到加熱。因此，於第1製程，可抑制被處理基板之表面氧化。又，藉由該惰性氣體，於後續之第2製程與第3製程，進行被處理基板與支持基板之剝離處理時，也同樣可以將處理蒙氣的氧濃度維持在低點。因此，可以抑制加熱處理後之被處理基板之表面氧化。
    亦可於該第1保持部，設有該氣體供給部，以及為了吸附保持被處理基板而進行抽吸之抽吸部；於該第2製程，停止從該氣體供給部供給惰性氣體，而藉由該抽吸部之抽吸，以該第1保持部保持被處理基板。
    亦可於該剝離裝置，包含多孔質板，該多孔質板於俯視下係具備可涵蓋被處理基板之平板形狀，且形成有複數孔，對於藉由該移動機構而使該第1保持部與該第2保持部於相對水平方向移動，而露出之被處理基板的接合面供給惰性氣體；於該第3製程，使該多孔質板與被處理基板的接合面在鉛直方向分隔既定距離，從該多孔質板對因剝離而露出之被處理基板的接合面供給惰性氣體。
    亦可於該多孔質板之移動方向之端部，於俯視下形成有沿著被處理基板之形狀凹陷挖空的凹部，於至少該第1製程或該第2製程，該凹部於俯視下，使該多孔質板配置成於俯視下該凹部與被處理基板相接，從該多孔質板對該第1保持部與該第2保持部之間的空間供給惰性氣體。
    亦可於該第3製程，該移動機構係使該多孔質板與該第2保持部同步地於水平方向移動。
    亦可於該第1保持部與該第2保持部分別設有包覆該第1保持部與第2保持部之間的空間之第1護罩與第2護罩，該第1護罩設有包覆該多孔質板之第3護罩，於該第1護罩與該第2護罩，該第1保持部或該第2保持部之移動方向的端部為開口，於該第3護罩，該多孔質板之移動方向的端部為開口，該第1護罩、該第2護罩及該第3護罩所包圍之空間的蒙氣，會從形成在該第1護罩與該第2護罩中且與該第3護罩相反之側的開口部排出。
    亦可於該第3護罩設有離子化氣體供給部，用以對該第3護罩內供給藉由離化器而離子化之惰性氣體；於至少該第1製程、該第2製程或該第3製程，由該離子化氣體供給部對該第3護罩內，供給藉由離化器而離子化之惰性氣體。
    亦可該剝離裝置包含多孔質部，該多孔質部係沿著該第1保持部之外周部環狀設置，且形成有複數孔，對保持被處理基板之該第1保持部之外周部供給惰性氣體；於至少該第2製程或該第3製程，從該多孔質部對該第1保持部之外周部供給惰性氣體。
    該剝離方法亦可包含第4製程，於該第3製程後，將被處理基板從該第1保持部移交至白努利吸盤，將保持在白努利吸盤之被處理基板加以冷卻。
    亦可於該第4製程，該白努利吸盤係噴射惰性氣體以保持被處理基板。
    亦可於該第4製程，對於保持在該白努利吸盤之被處理基板，從該氣體供給部供給惰性氣體。
    該第1保持部具有多孔質體，該多孔質體形成有複數孔，且與被處理基板抵接而吸附保持該被處理基板；於該多孔質體保持被處理基板之保持面的直徑，小於被處理基板的直徑。
    根據本發明之另一形態，提供一種程式，在作為控制該剝離裝置之控制部的電腦上動作，用以使剝離裝置執行上述剝離方法。
    根據本發明之又一形態，提供一種電腦記憶媒體，儲存上述程式並可供讀取。
    根據本發明之另一形態，提供一種一種剝離裝置，係將以黏接劑接合被處理基板及支持基板而成的重合基板，剝離成被處理基板與支持基板，其特徵在於，包含：第1保持部，具有加熱被處理基板之加熱機構，並保持該被處理基板；第2保持部，具有加熱支持基板之加熱機構，並保持該支持基板；昇降機構，使重合基板於該第1保持部與該第2保持部之間，在鉛直方向昇降；移動機構，至少使該第1保持部或該第2保持部在相對鉛直方向及水平方向移動；氣體供給部，對該第1保持部與該第2保持部之間的空間供給惰性氣體；控制部，控制該昇降機構、該移動機構、以及該氣體供給部，以執行以下製程：於該第1保持部與該第2保持部之間的空間內，且不接觸該第1保持部與該第2保持部之位置，藉由該昇降機構以配置重合基板，由該氣體供給部對該空間內供給惰性氣體的第1製程；之後，藉由該移動機構使該第1保持部與該第2保持部於相對鉛直方向移動，以該第1保持部保持被處理基板之同時，以該第2保持部保持支持基板之第2製程；之後，一邊加熱該第1保持部所保持之被處理基板及該第2保持部所保持之支持基板，一邊藉由該移動機構而使該第1保持部與該第2保持部於相對水平方向移動，以剝離被處理基板與支持基板之第3製程。
    亦可於該第1保持部，設有該氣體供給部，以及為了吸附保持被處理基板而進行抽吸之抽吸部，該控制部，控制該氣體供給與該抽吸部，以於該第2製程，停止從該氣體供給部供給惰性氣體，而藉由該抽吸部之抽吸，以該第1保持部保持被處理基板。
    該剝離裝置亦可包含多孔質板，該多孔質板於俯視下係具備可涵蓋被處理基板之平板形狀，且形成有複數孔，對於藉由該移動機構而使該第1保持部與該第2保持部於相對水平方向移動，而露出之被處理基板的接合面供給惰性氣體；該控制部，控制該多孔質板，以於該第3製程，使該多孔質板與被處理基板的接合面在鉛直方向分隔既定距離，從該多孔質板對因剝離而露出之被處理基板的接合面供給惰性氣體。
    亦可於該多孔質板之移動方向之端部，於俯視下形成有沿著被處理基板之形狀凹陷挖空的凹部，該控制部，控制該多孔質板，以於至少該第1製程或該第2製程，使該多孔質板配置成於俯視下該凹部與被處理基板相接，從該多孔質板對該第1保持部與該第2保持部之間的空間供給惰性氣體。
    該移動機構亦可使該多孔質板與該第2保持部同步地於水平方向移動。
    亦可於該第1保持部與該第2保持部分別設有包覆該第1保持部與第2保持部之間的空間之第1護罩與第2護罩，該第1護罩設有包覆該多孔質板之第3護罩，於該第1護罩與該第2護罩，該第1保持部或該第2保持部之移動方向的端部為開口，於該第3護罩，該多孔質板之移動方向的端部為開口，該第1護罩、該第2護罩及該第3護罩所包圍之空間的蒙氣，會從形成在該第1護罩與該第2護罩中且與該第3護罩相反之側的開口部排出。
    亦可於該第3護罩設有離子化氣體供給部，用以對該第3護罩內供給藉由離化器而離子化之惰性氣體；該控制部，控制該離子化氣體供給部，以於至少該第1製程、該第2製程或該第3製程，由該離子化氣體供給部對該第3護罩內，供給藉由離化器而離子化之惰性氣體。
    亦可包含多孔質部，該多孔質部係沿著該第1保持部之外周部環狀設置，且形成有複數孔，對保持被處理基板之該第1保持部之外周部供給惰性氣體；該控制部，控制該多孔質部，以於至少該第2製程或該第3製程，從該多孔質部對該第1保持部之外周部供給惰性氣體。
    該第1保持部具有多孔質體，該多孔質體形成有複數孔，且與被處理基板抵接而吸附保持該被處理基板；於該多孔質體，保持被處理基板之保持面的直徑，小於被處理基板的直徑。
    根據本發明之另一形態，提供一種剝離系統，具備前述剝離裝置，其特徵在於：具有搬送裝置，搬送在該剝離裝置所剝離之被處理基板；該搬送裝置，具有噴射惰性氣體以保持被處理基板的白努利吸盤；該控制部，控制該白努利吸盤，以於該第3製程後，執行第4製程：將被處理基板從該第1保持部移交至白努利吸盤，從該白努利吸盤對該被處理基板供給惰性氣體，冷卻被處理基板。
    該控制部亦可控制該氣體供給部，以於該第4製程，對於保持在該白努利吸盤之被處理基板，從該氣體供給部供給惰性氣體。
    根據本發明，於需要加熱處理之被處理基板與支持基板之剝離處理，可抑制被處理基板之表面氧化。
    以下針對本發明之實施形態加以說明。圖1係顯示有關本實施形態之剝離系統1之構成概略的俯視圖。
    於剝離系統1，將如圖2所示之作為重合基板的重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支持晶圓S，該重合晶圓T係以黏接劑G，黏接作為被處理基板之被處理晶圓W，以及作為支持基板之支持晶圓S而成。以下，稱呼在被處理晶圓W，隔著黏接劑G而與支持晶圓S接合之面為「接合面WJ」，稱呼與該接合面WJ相反側的面為「非接合面WN」。同樣地，稱呼在支持晶圓S，隔著黏接劑G而與被處理晶圓W接合之面為「接合面SJ」，與該接合面SJ相反側的面為「非接合面SN」。又，被處理晶圓W係成為製品之晶圓，於例如接合面WJ及非接合面WN形成有複數元件。此外，被處理晶圓W係於例如非接合面WN受到研磨處理，加以薄型化(例如厚度為50μm)。支持晶圓S具有與被處理晶圓W相同之直徑，係支持該被處理晶圓W之晶圓。再者，於本實施形態，會說明以晶圓用作支持基板之情形，但亦可以使用例如玻璃基板等其他基板。
    剝離系統1，如圖1所示，具備將搬入出站2、剝離處理站3與介面站5連接成一體之結構；該搬入出站2，係將可分別收納複數被處理晶圓W之卡匣CW、複數支持晶圓S之卡匣CS、複數重合晶圓T之卡匣CT，在例如與外部之間搬入或搬出；剝離處理站3，對被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T施以既定之處理；該介面站5，與鄰接剝離處理站3的後處理站4之間進行被處理晶圓W之移交。
    搬入出站2與剝離處理站3係於X方向(圖1中之上下方向)並排配置。該等搬入出站2與剝離處理站3之間，形成有晶圓搬送領域6。介面站5係配置於剝離處理站3之Y方向負方向側(圖1中之左方向側)。介面站5之X方向正方向側(圖1中之上方向側)配置有檢查裝置7，該檢查裝置7在被處理晶圓W移交到後處理站4之前對被處理晶圓W加以檢查。又，檢查裝置7於隔著介面站5之相反側，亦即介面站5之X方向負方向側(圖1中之下方向側)，配置有檢查後洗淨裝置8，洗淨檢查後之被處理晶圓W。
    於搬入出站2設有卡匣載置台10。卡匣載置台10中設有例如3個之複數卡匣載置板11。卡匣載置板11係於Y方向(圖1中之左右方向)並排成一列而配置。該等卡匣載置板11，於對剝離系統1之外部搬入或搬出卡匣CW、CS、CT時，可載置卡匣CW、CS、CT。如此這般，搬入出站2係構成為可保有複數被處理晶圓W、複數支持晶圓S、複數重合晶圓T。又，卡匣載置板11之個數，並不限定於本實施形態，可以任意決定。再者，搬進搬入出站2之複數重合晶圓T會預先作檢查，以判別其乃包含正常之被處理晶圓W之重合晶圓T，或是包含具有缺陷之被處理晶圓W的重合晶圓T。
    於晶圓搬送領域6，配置有第1搬送裝置20。第1搬送裝置20具有可於例如鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及繞著鉛直軸自由移動之搬送臂。第1搬送裝置20在晶圓搬送領域6內部移動，可於搬入出站2與剝離處理站3之間搬送被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T。
    剝離處理站3具備將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離裝置30。剝離裝置30之Y方向負方向側(圖1中之左方向側)，配置有洗淨剝離後之被處理晶圓W的第1洗淨裝置31。剝離裝置30與第1洗淨裝置31之間，設有第2搬送裝置32。又，於剝離裝置30之Y方向正方向側(圖1中之右方向側)，配置有洗淨剝離後之第2洗淨裝置33。如此，於剝離處理站3，從介面站5側開始，依序排列配置著第1洗淨裝置31、第2搬送裝置32、剝離裝置30、第2洗淨裝置33。
    於檢查裝置7，檢查剝離裝置30所剝離過之被處理晶圓W上有無黏接劑G之殘渣。又，於檢查後洗淨裝置8，對在檢查裝置7已確認到有黏接劑G之殘渣的被處理晶圓W，進行洗淨。該檢查後洗淨裝置8具有：洗淨被處理晶圓W之接合面WJ的接合面洗淨部8a、洗淨被處理晶圓W之非接合面WN的非接合面洗淨部8b、將被處理晶圓W上下反轉之反轉部8c。
    於介面站5，設有能在Y方向上延伸之搬送路40上移動自如之第3搬送裝置41。第3搬送裝置41也可在鉛直方向及繞著鉛直軸(θ方向)移動自如，可在剝離處理站3、後處理站4、檢查裝置7及檢查後洗淨裝置8之間搬送被處理晶圓W。
    又，在後處理站4，對剝離處理站3剝離過之被處理晶圓W，進行既定的後處理。既定的後處理，可舉例如下：安裝被處理晶圓W之處理、對被處理晶圓W上的元件之電氣特性進行檢查之處理、將被處理晶圓W切割成各晶片之處理等等。
    接著，針對上述剝離裝置30之結構加以說明。剝離裝置30，如圖3所示，於其內部具有收納複數機器之處理容器100。處理容器100之側面，形成有被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T之搬入出口(未圖示)，該搬入出口上設有開閉閘門(未圖示)。又，於本實施形態之處理容器100，係由例如不鏽鋼之薄板等所構成，雖非用以密閉其內部者，但處理容器100之結構並不限定於本實施形態，例如亦可為可密閉內部之氣密容器。
    處理容器100之底面形成有排出該處理容器100內部氣體之排氣口101。排氣口101連接有排氣管103，該排氣管103係與例如真空泵等排氣裝置102連通。
    處理容器100之內部設有第1保持部110與第2保持部111，該第1保持部110之底面吸附保持被處理晶圓W，該第2保持部111之頂面載置保持支持晶圓S。如圖4所示，第1保持部110設於第2保持部111上方，配置成與第2保持部111對向。亦即，於處理容器100內部，以被處理晶圓W配置在上側，支持晶圓S配置在下側之狀態，進行重合晶圓T之剝離處理。又，第1保持部110第2保持部111之間，形成處理空間112，用以進行該重合晶圓T之剝離處理。
    第1保持部110可使用例如多孔式吸盤(porous chuck)。第1保持部110具有平板狀之本體部120。於本體部120之底面側，設有形成複數微細孔之多孔質體的多孔部121。多孔部121抵接被處理晶圓W之非接合面WN，吸附保持該被處理晶圓W。又，於多孔部121，保持被處理晶圓W之保持面121a之直徑，小於被處理晶圓W之直徑。又，多孔部191可採用例如碳化矽材質。
    在此說明何以多孔部121之保持面121a直徑要小於被處理晶圓W之直徑。如後所述，剝離以黏接劑G所接合之被處理晶圓W與支持晶圓S時，為了軟化該黏接劑G，會加熱重合晶圓T。在此情形，如圖5所示，已軟化之黏接劑G會流入被處理晶圓W之周緣部的非接合面WN(圖5中之虛線箭頭)。因此，為了防止該黏接劑G附著在多孔部121與被處理晶圓W上，導致被處理晶圓W固定於多孔部121，故多孔部121之保持面121a之直徑小於被處理晶圓W之直徑。且由於多孔部121配置於深入內部之處，而在第1保持部110本體部120之外周部與被處理晶圓W之外周部之間，形成溝部122。
    又，如圖4所示，於本體部120之內部、多孔部121之上方，形成氣體之流通空間123。流通空間123形成為例如覆蓋著多孔部121之樣態。流通空間123連接著作為抽吸部之抽吸管124，以及作為氣體供給部之氣體供給管125。抽吸管124連接於例如真空泵等的負壓產生裝置126。而被處理晶圓W之非接合面WN，隔著流通空間123與多孔部121，受到抽吸管124之抽吸，使該被處理晶圓W吸附保持於第1保持部110。氣體供給管125連接著供給諸如氮氣之類惰性氣體之惰性氣體供給源127。此外，氣體供給管125透過流通空間123與多孔部121對處理空間112供給惰性氣體。此時，由於多孔部121形成有複數孔，故從多孔部121之整面都會均等地供給惰性氣體。再者，抽吸管124對被處理晶圓W之吸附，或氣體供給管125對惰性氣體之供給，係於後述之既定時機進行切換。又，只要係不含氧原子之氣體，均可用作惰性氣體，並不限於本實施形態所用的氮氣。
    又，於本體部120之內部、流通空間123之上方，設有加熱被處理晶圓W之加熱機構128。可採用例如加熱器作為加熱機構128。
    於第1保持部110之外周部，設有多孔環130，其係形成有複數微細孔之多孔質部。多孔環130如圖6所示，沿著第1保持部110之外周部環狀設置。又，多孔環130如圖5所示，與溝部122對向配置。多孔環130透過氣體供給管131，而與供給例如氮氣之類惰性氣體之惰性氣體供給源132連接。再者，多孔環130可對第1保持部110之外周部，亦即溝部122，水平地供給惰性氣體。又，多孔環130可採用例如碳化矽材質。再者，只要係不含氧原子之氣體，均可用作惰性氣體，並不限於本實施形態所用的氮氣。
    在第1保持部110之頂面，如圖3所示，設有支持該第1保持部110之支持板140。支持板140係由處理容器100之頂板面所支持。又，亦可省略本實施形態之支持板140，而讓第1保持部110由處理容器100之頂板面抵接支持。
    如圖4所示，第2保持部111內部，設有將支持晶圓S加以吸附保持之抽吸管150。抽吸管150連接於例如真空泵等的負壓產生裝置(未圖示)。
    又，於第2保持部111內部，設有加熱支持晶圓S的加熱機構151。可採用例如加熱器作為加熱機構151。
    第2保持部111下方設有昇降機構160，用以在處理空間112昇降重合晶圓T(或支持晶圓S)。昇降機構160具有例如3支之昇降銷161，用以從下方支持重合晶圓T，使其昇降。昇降銷161藉由驅動部162而可上下活動。驅動部162具有例如滾珠螺桿(未圖示)及使該滾珠螺桿轉動之馬達(未圖示)。又，於第2保持部111之中央部附近，形成有在第2保持部111及後述之支持板173之厚度方向貫通之貫通孔163，例如形成有3處。同時，昇降銷161插通於貫通孔163，可從第2保持部111之頂面突出。
    第2保持部111下方，設有使第2保持部111及支持晶圓S於鉛直方向及水平方向移動之移動機構170。移動機構170具有於鉛直方向移動第2保持部111之鉛直移動部171，以及於水平方向移動第2保持部111之水平移動部172。
    鉛直移動部171具有支持第2保持部111之底面的支持板173、使支持板173昇降的驅動部174、以及將支持板173加以支持之支持構件175。驅動部174具有例如滾珠螺桿(未圖示)及使該滾珠螺桿轉動之馬達(未圖示)。又，支持構件175構成為可在鉛直方向伸縮自如，於支持板173及後述之支持體181之間設置例如3處。
    水平移動部172具有沿著如圖3所示之X方向(圖3中的左右方向)延伸之軌道180、安裝於軌道180之支持體181、以及使支持體181沿著軌道180移動之驅動部182。驅動部182具有例如滾珠螺桿(未圖示)及使該滾珠螺桿轉動之馬達(未圖示)。
    於第2保持部111之例如X方向正方向側(圖3中之左方向)，設有多孔板190，其係形成有複數微細孔之多孔質板。多孔板190連接有對該多孔板190供給惰性氣體之氣體供給管191。又，多孔板190透過支持構件192而受到水平移動部172之支持體181所支持，藉由移動水平移動部172，而可於水平方向移動多孔板190。亦即，多孔板190於水平方向和第2保持部111同步移動。而且，藉由水平移動部172使第2保持部111於水平方向移動，多孔板190可對露出之被處理晶圓W的接合面WJ供給惰性氣體。又，多孔板190可採用例如碳化矽材質。
    多孔板190如圖7所示，於俯視係具有可涵蓋被處理晶圓W之平板形狀。又，藉由水平移動部172移動多孔板190時之該多孔板190的移動方向之端部，形成於俯視下係沿著被處理晶圓W之形狀凹陷挖空的凹部190a。具體而言，如圖7所示，多孔板190之移動方向端部，係呈現與被處理晶圓W幾乎相同直徑之半圓弧狀凹陷，且於多孔板190之凹部190a以外之處，具有可涵蓋被處理晶圓W之大小。又，於多孔板190中，與形成凹部190a之端部為相反側之端部190b，具有直徑比被處理晶圓W還大的半圓弧狀之突出形狀。因此，於涵蓋被處理晶圓W時，多孔板190為最小限度之大小。又，多孔板190之大小並不限定於本實施形態，可任意設定。
    多孔板190如圖3及圖4所示，係與被處理晶圓W之接合面WJ平行設置。又，多孔板190於第1保持部110與第2保持部111對向之狀態，亦即被處理晶圓W與支持晶圓S接合之狀態下，如圖7所示，多孔板190係配置成其凹部190a於俯視下與被處理晶圓W之外周部相接。
    多孔板190之鉛直方向的配置，係調整成位於比被處理晶圓W之接合面WJ更下方之位置。換言之，多孔板190與被處理晶圓W之接合面WJ之間，於鉛直方向隔著特定距離。又，於本實施形態，特定距離係設定為2mm。
    於多孔板190下側之面，如圖8所示，如包覆多孔板190般設置平板形狀之分散板193。分散板193可採用例如鋁或不鏽鋼等金屬製板材。分散板193內部形成有氣體流路194。上述氣體供給管191，係連接於此分散板193之氣體流路194。
    氣體供給管191之分散板193側與相反側之端部，連接著供給諸如氮氣之類惰性氣體之惰性氣體供給源195。又，為了能對多孔板190之全面平均地供給惰性氣體，分散板174之氣體流路194，形成為從連接氣體供給管191之側，朝向多孔板190分岐成複數而設置。因此，由該惰性氣體供給源195所供給之惰性氣體，透過分散板193對多孔板190之面內平均地供給。又，只要係不含氧原子之氣體，均可用作惰性氣體，並不限於本實施形態所用的氮氣。
    圖4所示第1保持部110與第2保持部111，分別設有第1護罩200與第2護罩201。第1護罩200與第2護罩201係如後所述，設置成包覆著第1保持部110與第2保持部111之間的處理空間112。又，於第1護罩200設有包覆多孔板190之第3護罩202。
    第1護罩200如圖9及圖10所示，具有平板部210與側壁部211。平板部210之中央部係沿著第1保持部110之本體部120的外周部而開口，第1護罩200於該開口安裝於第1保持部110。又，側壁部211從平板210往鉛直下方延伸，沿著第2保持部111及多孔板190之移動方向(圖中之X方向)而設置。換言之，第1護罩200於第2保持部111及多孔板190之移動方向(圖中之X方向)的兩個端部為開口。又，側壁部211設置成包覆多孔部121、溝部122及多孔環130。又，如後所述，側壁部211之X方向正方向側的端部，設有從該下端部211沿著水平方向向內側延伸之屈曲部212。
    第2護罩201如圖11所示，具有平板部213與側壁部214。平板部213安裝於第2保持部111，包覆著該第2保持部111之X方向正方向側的外周部之約略2/3。亦即於俯視下，平板部213係設置在不接觸多孔板190之位置。又，第2保持部111在X方向負方向側不設置平板部213之位置，配置有上述之第1護罩200的屈曲部212。又，側壁部214從平板220往鉛直上方延伸，沿著第2保持部111及多孔板190之移動方向(圖中之X方向)設置。換言之，第2護罩201於第2保持部111及多孔板190之移動方向(圖中之X方向)的兩個端部為開口。
    該等第1護罩200與第2護罩201如圖12所示，配置成包覆第1保持部110與第2保持部111之間的處理空間112。第1保持部110與第2保持部111，設置成例如第1保持部110之側壁部211位於第2保持部111之側壁部214外側。
    第3護罩202如圖9及圖10所示，具有頂板部215、側壁部216及底面部217。頂板部215與側壁部216，分別安裝於第1護罩200之平板部210與側壁部211。頂板部215與底面部217，各自具有沿著多孔板190之外周部的平面形狀。又，側壁部216配置成連接頂板部215與底面部217。如此這般，第3護罩202設置成包覆多孔板190，該第3護罩之202之內部形成有多孔板190之待機空間218。又，第3護罩202於多孔板190之移動方向的端部(圖中X方向負方向)為開口。又，底面部217為避免接觸到氣體供給管191及支持構件192，故形成有缺口(未圖示)。
    如上述般，在第2保持部111及多孔板190可於水平方向移動的形態下，構成第1護罩200、第2護罩201及第3護罩202。又，如圖4所示，第1護罩200、第2護罩201及第3護罩202所圍住的空間之蒙氣，亦即處理空間112及待機空間218內之蒙氣，會由第1護罩200及第2護罩201之中，形成於第3護罩202之相反側的開口部220排出。亦即，處理空間112及待機空間218內之蒙氣，會流向圖中X方向負方向側。又，為了積極地排出處理空間112及待機空間218內之蒙氣，亦可於開口部220設置例如真空泵等的排氣裝置221。
    接下來說明上述第1洗淨裝置31之結構。第1洗淨裝置31如圖13所示，具有處理容器230。處理容器230之側面，形成有被處理晶圓W搬入出口(未圖示)，該搬入出口設有開閉閘門(未圖示)。
    處理容器230內之中央部，設有保持並旋轉被處理晶圓W多孔式吸盤240。多孔式吸盤240具有平板狀之本體部241，以及設於本體部241之頂面側並形成複數孔之多孔部242。多孔部242例如具有與被處理晶圓W幾乎相同的直徑，並抵接該被處理晶圓W之非接合面WN。又，多孔部242可採用例如碳化矽材質。多孔部242連接有抽吸管(未圖示)，藉由從該抽吸管透過多孔部242抽吸被處理晶圓W之非接合面WN，可將該被處理晶圓W吸附保持於多孔式吸盤240上。
    於多孔式吸盤240之下方，設置例如係具備馬達之吸盤驅動部243。多孔式吸盤240藉由吸盤驅動部243而能以既定速度旋轉。又，吸盤驅動部243設有例如壓力缸筒等昇降驅動源，使多孔式吸盤240可昇降自如。
    多孔式吸盤240之周圍，設有杯體244，其承接從被處理晶圓W飛散或落下之液體，加以回収。杯體244之底面，連接著將所回收的液體排出的排出管245、以及將杯體244內之蒙氣抽真空而排氣的排氣管246。
    圖14所示杯體244之X方向負方向(圖14中之下方向)側，形成有沿著Y方向(圖14中之左右方向)延伸之軌道250。軌道250從例如杯體244之Y方向負方向上(圖14中之左方向)之外側，形成到Y方向正方向上(圖14中之右方向)之外側。軌道250上，安裝有臂體251。
    臂體251如圖13及圖14所示，支持著洗淨液噴嘴253，該洗淨液噴嘴253對被處理晶圓W供給洗淨液，例如有機溶劑。臂體251藉由如圖14所示噴嘴驅動部254，而在軌道250上移動自如。藉此，洗淨液噴嘴253可由設置於杯體244之Y方向正方向上之外側的待機部255，移動到杯體244內之被處理晶圓W之中心部上方，並且可以在該被處理晶圓W的直徑方向上移動。又，臂體251藉著噴嘴驅動部254而可昇降自如，能調節洗淨液噴嘴253之高度。
    洗淨液噴嘴253可採用例如二流體噴嘴。洗淨液噴嘴253如圖13所示，連接著對該洗淨液噴嘴253供給洗淨液之供給管260。供給管260與在內部貯留著洗淨液之洗淨液供給源261連通。供給管260設有控制洗淨液流動之供給機器群262，其包含閥或流量調節部等。又，洗淨液噴嘴253連接有對該洗淨液噴嘴253供給例如氮氣之類惰性氣體之供給管263。供給管263與在內部貯留惰性氣體之惰性氣體供給源264連通。供給管263設有控制惰性氣體流動之供給機器群265，其包含閥或流量調節部等。而洗淨液與惰性氣體在洗淨液噴嘴253內混合，並由該洗淨液噴嘴253供給至被處理晶圓W。又，下文中，對於洗淨液與惰性氣體之混合物，有時會僅以「洗淨液」稱之。
    又，多孔式吸盤240下方，亦可設置由下方支持並昇降被處理晶圓W之昇降銷(未圖示)。在此情形，昇降銷係插通於形成在多孔式吸盤240的貫通孔(未圖示)，可由多孔式吸盤240頂面突出。故而在多孔式吸盤240之間移交被處理晶圓W時，不昇降多孔式吸盤240，而採昇降昇降銷的方式進行。又，上述之檢查後洗淨裝置8的接合面洗淨部8a與非接合面洗淨部8b之結構，係與該第1洗淨裝置31相同，因此省略接合面洗淨部8a與非接合面洗淨部8b之說明。
    再者，第2洗淨裝置33之結構，也與上述第1洗淨裝置31之結構幾乎相同。第2洗淨裝置33上，不設置圖15所示之第1洗淨裝置31的多孔式吸盤240，改而設置旋轉夾頭270。旋轉夾頭270具有水平的頂面，該頂面例如設有抽吸支持晶圓S之抽吸口(未圖示)。藉由該抽吸口之抽吸，可將支持晶圓S吸附保持在旋轉夾頭270上。第2洗淨裝置33之其他結構，與上述第1洗淨裝置31之結構相同，故省略說明。
    又，於第2洗淨裝置33，旋轉夾頭270之下方，亦可設置朝向支持晶圓S之背面，也就是非接合面SN噴射洗淨液之背面清洗噴嘴(未圖示)。藉由該背面清洗噴嘴所噴射之洗淨液，可洗淨支持晶圓S之非接合面SN與支持晶圓S之外周部。
    接著，針對上述第2搬送裝置32之結構加以說明。第2搬送裝置32，如圖16所示，具有保持被處理晶圓W之白努利吸盤280。白努利吸盤280係由支持臂281所支持。支持臂281由第1驅動部282所支持。藉由該第1驅動部282，支持臂281可繞著水平軸轉動自如，且可在水平方向伸縮。第1驅動部282下方，設有第2驅動部283。藉由該第2驅動部283，第1驅動部282可繞著鉛直軸轉動自如，且可在鉛直方向昇降。
    上述白努利吸盤280，如圖17所示，配置複數個氣體噴出口290，以噴射諸如氮氣之類惰性氣體。於圖示之例，複數氣體噴出口290係在白努利吸盤280之同心圓上，於雙重之同心圓上各自等間隔配置。各氣體噴出口290，透過氣體供給管291，而和供給惰性氣體之惰性氣體供給源292連接。而白努利吸盤280可藉由噴射惰性氣體以使被處理晶圓W浮遊，在非接觸之狀態下抽吸並懸垂保持被處理晶圓W。又，氣體噴出口290之個數或配置，並不限定於本實施形態，可任意設定。
    又，第3搬送裝置41與上述第2搬送裝置32具有相同結構，故省略說明。然而，第3搬送裝置41之第2驅動部283，係安裝於圖1所示之搬送路40，而第3搬送裝置41可在搬送路40上移動。
    上述剝離系統1，設有圖1所示之控制部300。控制部300，例如係電腦，具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部，儲存一種程式，控制剝離系統1中，被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T之處理。又，於程式儲存部，亦儲存著另一種程式，用以控制上述之各種處理裝置或搬送裝置等驅動系統之動作，以實現剝離系統1之後述剝離處理。又，前述程式，係可記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等等電腦可讀取之記憶媒體H，亦可由該記憶媒體H安裝到控制部300。
    以下針對使用上述結構之剝離系統1進行之被處理晶圓W與支持晶圓S的剝離處理方法，加以說明。圖18係顯示此種剝離處理之主要製程之一例的流程圖。
    首先，將收納了複數片重合晶圓T的卡匣CT、空的卡匣CW、以及空的卡匣CS，載置於搬入出站2之既定的卡匣載置板11上。藉由第1搬送裝置20取出卡匣CT內之重合晶圓T，而搬送到剝離處理站3的剝離裝置30。此時，重合晶圓T係以被處理晶圓W配置成上側，且支持晶圓S配置成下側之狀態來搬送。
    搬入剝離裝置30之重合晶圓T，如圖12及圖19所示，會移交到預先上昇以待機的昇降銷161。之後，藉由移動機構170而將第2保持部111上昇到既定位置，同時在處理空間112內將重合晶圓T保持在昇降銷161的狀態下，由氣體供給管125與氣體供給管191，向處理空間112內供給惰性氣體(圖18之製程A1)。
    此時，第2保持部111係配置成例如使處理空間112之鉛直方向的距離為約10mm之位置。又，重合晶圓T，係配置成在處理空間112內保持於昇降銷161之狀態，而與第1保持部110及第2保持部111都不接觸之位置。因此，重合晶圓T不會有被加熱機構128、151加熱之情形。然後，如上述般在重合晶圓T由昇降銷161所保持之狀態下，從氣體供給管125與氣體供給管191供給惰性氣體。氣體供給管125所供給之惰性氣體，會在處理空間112內，也就是重合晶圓T之上方及下方兩側流通，而由開口部220排氣。此外，從氣體供給管191透過多孔板190所供給之惰性氣體，亦會依序在待機空間218和處理空間112內流通，而從開口部220排出。如此這般，剝離重合晶圓T之處理空間112內之蒙氣會置換成惰性氣體，該蒙氣之ppm程度會維持在既定之低氧濃度下。
    在此製程A1，因為上昇第2保持部111而縮小處理空間112之容積，故該處理空間112之蒙氣會在短時間內達到既定之低氧濃度。又，重合晶圓T不會受到加熱，且有惰性氣體供給到處理空間112內，故可抑制被處理晶圓W之非接合面WN氧化。
    之後，如圖20及圖21所示，下降昇降銷161，將重合晶圓T載置於第2保持部111。接著，從抽吸管150抽吸重合晶圓T，以第2保持部111吸附保持支持晶圓S之非接合面SN(圖19之製程A2)。此時，從氣體供給管125與氣體供給管191持續對處理空間112供給惰性氣體。又，將重合晶圓T載置於第2保持部111時，亦可藉由移動機構170以上昇第2保持部111。
    接著，如圖22所示，停止來自氣體供給管125之惰性氣體之供給，開始由抽吸管124進行抽吸。又，從多孔環130對第1保持部110之外周部供給惰性氣體。接著，如圖23及圖24所示，藉由移動機構170以上昇第2保持部111，以第1保持部110吸附保持被處理晶圓W之非接合面WN(圖19之製程A2)。
    如此這般，在以第1保持部110吸附保持被處理晶圓W之際，如上所述，由多孔環130對第1保持部110之外周部供給惰性氣體。此時，由於係從形成有複數孔之多孔環130供給惰性氣體，故該惰性氣體之流速較低。藉此，於供給惰性氣體時，不會捲入周圍之空氣，僅有惰性氣體會供給到第1保持部110之外周部。而且，惰性氣體係對第1保持部110與被處理晶圓W之間的溝部122作供給，該溝部122之內部會成為惰性氣體之蒙氣。如此一來，即便在被處理晶圓之非接合面WN形成有元件，亦即於第1保持部110之保持面121a與被處理晶圓之非接合面WN 之間產生空隙之情況，對該空隙僅會流入由多孔環130透過溝部122而供給之惰性氣體流入。因此，可抑制受到加熱處理之被處理晶圓W的非接合面WN氧化。
    其後，藉由加熱機構128、151，將重合晶圓T加熱到既定之溫度，例如200℃。藉此，重合晶圓T中之黏接劑G會軟化。此時，來自氣體供給管191之惰性氣體亦持續進行供給。亦即，透過氣體供給管191、分散板193，而由多孔板190之頂面供給惰性氣體。此時，藉由透過形成了複數微細孔之多孔板190供給惰性氣體，可抑制由該多孔板190所供給之惰性氣體的流速。因此，供給惰性氣體時，不會有捲入周圍空氣之情形。因此，多孔板190之頂面側，可形成不含空氣之惰性氣體蒙氣。又，在分散板193之內部，形成有朝向多孔板190分岐成複數而設置之氣體流路194，故從多孔板190頂面側之整面，會均等地供給惰性氣體。
    接著，一邊加熱重合晶圓T以維持黏接劑G之軟化狀態，一邊藉由移動機構170如圖25所示般在水平方向上移動第2保持部111與支持晶圓S。又，由於多孔板190係以支持體181而支持於水平移動部172，故隨著該水平移動部172之動作，會與第2保持部111同步朝水平方向移動。
    此時，多孔板190與被處理晶圓W之接合面WJ之間，例如圖25所示，於鉛直方向分隔既定距離L，故多孔板190在水平方向上移動時不會接觸到被處理晶圓W之接合面WJ。因此，藉由此移動而露出之被處理晶圓W的接合面WJ，成為隔著距離L而和多孔板190對向之狀態。而在此同時，從多孔板190向被處理晶圓W之接合面WJ供給惰性氣體。
    之後，在從多孔板190持續供給惰性氣體之狀態下，使第2保持部111在水平方向上移動，如圖26所示，將保持在第1保持部110上的被處理晶圓W與保持在第2保持部111上的支持晶圓S加以剝離(圖19之製程A3)。此時，由於在俯視狀態下多孔板190係形成為可涵蓋被處理晶圓W之大小，故對於完成剝離之被處理晶圓W的接合面WJ也還是會由多孔板190持續供給惰性氣體。
    之後，以剝離裝置30剝離過之被處理晶圓W，如圖27所示，會從第1保持部110移交到第2搬送裝置32之白努利吸盤280。於此被處理晶圓W之移交時，首先要伸長支持臂281，將白努利吸盤280配置在第1保持部110所保持之被處理晶圓W的下方。接著，上昇白努利吸盤280，停止從第1保持部110之抽吸管124對被處理晶圓W之抽吸。然後，將被處理晶圓W從第1保持部110移交到白努利吸盤280。之後，將白努利吸盤280下降到既定之位置。又，白努利吸盤280係以非接觸之狀態保持被處理晶圓W。因此，被處理晶圓W之保持，不會使被處理晶圓W之接合面WJ上的元件蒙受損傷。又，此時第2保持部111移動到與第1保持部110對向之位置。
    之後，如圖28所示，從氣體供給管125對被處理晶圓W之非接合面WN供給惰性氣體。又，被處理晶圓W由白努利吸盤280所保持，由該白努利吸盤280向被處理晶圓W之接合面WJ供給惰性氣體(圖19之製程A4)。如此這般，對被處理晶圓W供給既定時間之惰性氣體，使被處理晶圓W冷却到特定溫度，例如100℃~150℃以下。然後，待被處理晶圓W之接合面WJ與非接合面WN成為不再繼續氧化之狀態以後，氣體供給管125停止供給惰性氣體。
    又，於冷卻被處理晶圓W之際，多孔環130亦可以從製程A3持續進行惰性氣體之供給。在此情形，惰性氣體會供給到第1保持部110，但該惰性氣體之部分會供給到被處理晶圓W之非接合面WN。
    之後，冷却到特定溫度之被處理晶圓W，在保持於多孔式吸盤280之狀態下，由圖29所示之第2搬送裝置32搬送到第1洗淨裝置31。在搬送該被處理晶圓W時，旋轉支持臂281以將白努利吸盤280移動到第1洗淨裝置31之多孔式吸盤240上方，同時翻轉白努利吸盤280以使被處理晶圓W朝下。此時，先將多孔式吸盤240上昇至比杯體244更為上方，在此待機。之後，白努利吸盤280將被處理晶圓W移交給多孔式吸盤240，進行吸附保持。
    如此，多孔式吸盤240一旦吸附保持到被處理晶圓W，就將多孔式吸盤240下降到既定位置。接著，用臂體251將待機部255之洗淨液噴嘴253移動到被處理晶圓W的中心部上方。之後，一邊藉由多孔式吸盤240旋轉被處理晶圓W，一邊從洗淨液噴嘴253對被處理晶圓W之接合面WJ供給洗淨液。所供給之洗淨液會因為離心力而擴散到被處理晶圓W之接合面WJ整面，洗淨該被處理晶圓W之接合面WJ(圖19之製程A5)。
    在此，如上所述，搬入到搬入出站2之複數重合晶圓T係預先進行過檢查，以判別包含正常之被處理晶圓W的重合晶圓T，與包含具備缺陷之被處理晶圓W之重合晶圓T。
    從正常的重合晶圓T剝離之正常的被處理晶圓W，於製程A5洗淨過接合面WJ後，以第3搬送裝置41搬送到檢查裝置7。又，此第3搬送裝置41所進行之被處理晶圓W的搬送，與上述第2搬送裝置32之被處理晶圓W的搬送幾乎相同，故省略說明。
    在檢查裝置7，檢查被處理晶圓W之接合面WJ有無黏接劑G之殘渣(圖19之製程A6)。在檢查裝置7發現有黏接劑G之殘渣時，被處理晶圓W會由第3搬送裝置41搬送至檢查後洗淨裝置8之接合面洗淨部8a，在接合面洗淨部8a洗淨接合面WJ(圖19之製程A7)。接合面WJ經洗淨後，被處理晶圓W會由第3搬送裝置41搬送至反轉部8c，於反轉部8c作上下方向之反轉。又，若無發現有黏接劑G之殘渣時，則不將被處理晶圓W搬送到接合面洗淨部8a，直接在反轉部8c作反轉(圖19製程A8)。
    之後，反轉過的被處理晶圓W會由第3搬送裝置41再度搬送至檢查裝置7，進行非接合面WN之檢查(圖19之製程A9)。然後，若在非接合面WN發現有黏接劑G之殘渣時，被處理晶圓W會由第3搬送裝置41搬送至非接合面洗淨部8c，進行非接合面WN之洗淨(圖19之製程A10)。接著，洗淨後之被處理晶圓W會由第3搬送裝置41搬送至後處理站4。又，檢查裝置7若無發現有黏接劑G之殘渣時，則不將被處理晶圓W搬送到非接合面洗淨部8b，而直接搬送到後處理站4。
    之後，在後處理站4對被處理晶圓W進行既定之後處理(圖19之製程A11)。如此一來，被處理晶圓W就完成為製品。
    另一方面，從具有缺陷之重合晶圓T所剝離之具有缺欠的被處理晶圓W，在製程A5洗淨過接合面WJ後，會由第1搬送裝置20搬送至搬入出站2。之後，具有缺陷之被處理晶圓W，會從搬入出站2搬出到外部並回收(圖19之製程A12)。
    對被處理晶圓W進行上述製程A5~A12之過程中，在剝離裝置30所剝離之支持晶圓S，會由第1搬送裝置20搬送至第2洗淨裝置33。然後在第2洗淨裝置33，洗淨支持晶圓S之接合面SJ(圖19之製程A13)。又，在第2洗淨裝置33之支持晶圓S的洗淨，與上述在第1洗淨裝置31之被處理晶圓W的洗淨相同，故省略說明。
    之後，洗淨過接合面SJ之支持晶圓S，藉由第1搬送裝置20搬送至搬入出站2。之後，支持晶圓S由搬入出站2搬出至外部並回收(圖19之製程A14)。如此一來，一連串之被處理晶圓W與支持晶圓S的剝離處理就完成了。
    藉由以上之實施形態，在製程A1，由氣體供給管125對處理空間112供給惰性氣體之同時，由氣體供給管191亦透過待機空間218而對處理空間112內供給惰性氣體。且處理空間112係由第1護罩200與第2護罩201所包覆，剝離空間218係由第3護罩202所包覆，而在處理空間112與剝離空間218內形成朝向開口部220之惰性氣體的氣流。因此，從開始供給惰性氣體，到經過既定的時間後，處理空間112內會充滿惰性氣體，可維持該處理空間112內之蒙氣為低氧濃度。因此，可以在製程A1抑制被處理晶圓W之非接合面WN氧化。而且，在製程A1，重合晶圓T係配置於不與第1保持部110及第2保持部111接觸之位置，因此被處理晶圓W不會受到加熱。因此，可以更加抑制被處理晶圓W之非接合面WN氧化。
    又，若先在如此之製程A1，使處理空間112內的蒙氣維持在低氧濃度，則於後續之製程A2及A3，該處理空間112內的蒙氣也可以維持在低氧濃度。因此，可以抑制被處理晶圓W之接合面WJ氧化。
    又，於製程A2及製程A3，在以第1保持部110保持被處理晶圓W時，會從形成有複數孔之多孔環130，對第1保持部110之外周部供給惰性氣體。藉此，如上所述，對第1保持部110之保持面121a與被處理晶圓之非接合面WN之間的空隙，可以只供給惰性氣體。因此，可以抑制加熱處理後之被處理晶圓W之非接合面WN氧化。
    又，於第1保持部110，多孔部121之保持面121a的直徑小於被處理晶圓W的直徑，所以在製程A3加熱之黏接劑G即便有流入被處理晶圓W之周緣部的非接合面WN的情形發生，該黏接劑G也不會產生滯留在溝部122，而附著於多孔部121的狀況。因此，可防止多孔部121與被處理晶圓W固著，而在製程A4，得以從第1保持部110適當地將被處理晶圓W移交到白努利吸盤280。
    而且，如上述般，對於第1保持部110與被處理晶圓W之間所形成之溝部122，可由多孔環130水平地供給惰性氣體，故可以在該溝部122內形成惰性氣體之蒙氣。因此，藉由第1保持部110之保持面121a與被處理晶圓之非接合面WN之間的空隙，可以確實地只供給惰性氣體，而更進一步抑制加熱處理後之被處理晶圓W之非接合面WN氧化。
    又，於製程A3，對於藉由移動機構170在水平方向移動第2保持部111而露出之被處理晶圓W之接合面WJ，會由多孔板190供給惰性氣體，故在受剝離而露出之被處理晶圓W之接合面WJ，可形成惰性氣體之蒙氣。藉此，可以抑制加熱後之被處理晶圓W之接合面WJ氧化。
    又，由於多孔板190係可涵蓋被處理晶圓W之大小，故對於剝離後之被處理晶圓W之接合面WJ整面，都可以供給惰性氣體。因此，在被處理晶圓W之整面都可以抑制氧化。
    又，由於在多孔板190之移動方向的端部，形成於俯視下係沿著被處理晶圓W之形狀凹陷挖空的凹部190a，故可將該多孔板190配置於俯視下相接於被處理晶圓W之位置。因此，對於藉由使移動機構170移動而露出之被處理晶圓W之接合面WJ，可馬上供給惰性氣體。具體來說，若藉由移動機構170使第1保持部110與第2保持部111在水平方向上相對移動，則被處理晶圓W之接合面WJ會如圖30所示，呈新月狀露出(於圖30以斜線所示範囲)。在此情形，藉由在多孔板190上形成凹部190a，且於俯視下將多孔板190配置成使該凹部190a與被處理晶圓W相接，而可使多孔板190涵蓋新月狀露出部分之整面。因此，對於露出之接合面WJ的整面可馬上供給惰性氣體。又，所謂凹部190a於俯視下與被處理晶圓W之外周部相接，並非意味著凹部190a之圓弧的直径與被處理晶圓W的直徑一致，而與凹部190a之全外周接觸；而是意指經由剝離而露出被處理晶圓W之接合面WJ時，多孔板190之凹部190a與被處理晶圓W之外周部在俯視下接近到使該接合面WJ能由多孔板190上方之惰性氣體蒙氣所涵蓋的程度，使該接合面WJ不會曝露在處理容器100內之蒙氣下。
    又，於製程A4，對於白努利吸盤280所保持之被處理晶圓W，從該白努利吸盤280對接合面WJ供給惰性氣體之同時，從氣體供給管125對非接合面WN供給惰性氣體。而後，由於被處理晶圓W會適當地冷卻至既定之溫度，故其後被處理晶圓W之接合面WJ與非接合面WN不會發生氧化的情形。而且，用於冷卻被處理晶圓W者係惰性氣體，因此即便在冷却過程中，亦能抑制被處理晶圓W之接合面WJ與非接合面WN氧化。
    於上述實施形態之接合裝置30，如圖31所示，亦可將離子氣體供給管400連接於第3護罩202。離子氣體供給管400設有離化器401，將諸如氮氣之類的惰性氣體離子化。而例如於製程A1~A3，由離子氣體供給管400對剝離空間218內供給離子化之惰性氣體，並依序在該剝離空間218與處理空間112內流通，再從開口部220排出。又，只要係不含氧原子之氣體，均可用作惰性氣體，並不限於本實施形態所用的氮氣。
    在此情形，於製程A3剝離被處理晶圓W與支持晶圓S時，可藉由離子化之惰性氣體中和被處理晶圓W之剝離靜電。亦即，可防止因靜電而導致被處理晶圓W損傷。又，藉由從離子氣體供給管400對剝離空間218內積極地供給離子化之惰性氣體，可更加確實地在剝離空間218與處理空間112內形成朝向開口部220之惰性氣體的氣流。因此，對於處理空間112內的被處理晶圓W，可更進一步地抑制其表面氧化。
    又，於圖示之例中，係將離子氣體供給管400連接於第3護罩202之頂板部215，不過亦可將離子氣體供給管400連接在例如與第3護罩202之開口部相反之側的端部，且為該第3護罩202之側壁部216的部分。。
    於上述之實施形態，分別於多孔環130、多孔板190採用了碳化矽材質，但該等之材質並不限定於本實施形態。例如只要多孔環130、多孔板190形成有複數之微細孔，使得供給惰性氣體時不會混入周圍之空氣，則亦可使用例如鐵氟龍(註冊商標)等等。
    再者，於上述之實施形態，多孔板190與被處理晶圓W之接合面WJ間的距離L設為2mm，但距離L只要是在0.5mm~4mm之範圍內，就能對被處理晶圓W之接合面WJ適當地供給惰性氣體，能有效地抑制氧化之急速進展。
    又，於上述之實施形態，係將多孔板190相對於被處理晶圓W之接合面WJ平行地配置，然而多孔板190未必要與被處理晶圓W之接合面WJ平行，只要多孔板190與接合面WJ之間的距離L能維持在0.5mm~4mm之間，多孔板190亦可以相對接合面WJ傾斜地設置。
    再者，於上述實施形態之剝離裝置30，惰性氣體供給源127、132、195雖係各別分開設置，但亦可設置共通之惰性氣體供給源。
    於上述實施形態，在製程A3中，係將第2保持部111相對於第1保持部110往水平方向移動，然而除了往水平方向之移動，亦可再加入例如將第2保持部111往鉛直方向移動100μm。例如在本實施形態，第2保持部111朝水平方向之移動距離為300mm，重合晶圓T中之黏接劑G的厚度例如係30μm~40μm，形成於被處理晶圓W之接合面WJ的元件(凸塊)之高度為例如20μm。在此情形，被處理晶圓W上之元件與支持晶圓S之間的距離微小。因此，例如使第2保持部111僅在水平方向移動之情形，元件與支持晶圓S恐會接觸，而導致元件受到損傷。因此，使第2保持部111在水平方向移動之同時，亦使其在鉛直方向也移動，藉此可避免元件與支持晶圓S碰撞，減少元件之損傷。又，此第2保持部111之鉛直方向的移動距離與水平方向的移動距離之比例，係根據被處理晶圓W上之元件(凸塊)的高度而適當設定者，並不限定於本實施形態。
    又，亦可不移動第2保持部111，而移動第1保持部110。在此情形也一樣，可以使第1保持部110在鉛直方向及水平方向移動。或者亦可使第1保持部110與第2保持部111兩者都在鉛直方向及水平方向移動。又，不管是使保持部110還是111移動，只要係構成多孔板190相對於保持在第1保持部110之被處理晶圓W，也就是惰性氣體之供給對象物，在水平方向相對移動即可，移動之方法、支持之方法都可任意設定。例如若使第1保持部110在水平方向移動，多孔板190既可由處理容器100之頂板面支持，亦可由處理容器100之底面支持。不論是在何種情形，只要被處理晶圓W在與多孔板190隔開既定距離L的狀態下，在水平方向於該多孔板190上方移動，則露出之被處理晶圓W之接合面WJ就可處在惰性氣體之蒙氣下。
    再者，於製程A3，亦可採取第2保持部111僅在水平方向上移動，並變化該第2保持部111之移動速度的作法，來取代使第2保持部111在鉛直方向及水平方向移動之作法。具體而言，在開始移動第2保持部111時將移動速度設為低速，其後緩緩加快移動速度亦可。亦即，開始移動第2保持部111時，被處理晶圓W與支持晶圓S之黏接面積大，被處理晶圓W上之元件易受黏接劑G之影響，因此將第2保持部111之移動速度設為低速。之後，隨著被處理晶圓W與支持晶圓S之黏接面積變小，被處理晶圓W上之元件漸漸不易受到黏接劑G之影響，故緩緩加快第2保持部111之移動速度。在此情形也一樣，可以避免元件與支持晶圓S碰撞，減少元件損傷。
    又，於上述實施形態，係在被處理晶圓W配置於上側，且支持晶圓S配置於下側的狀態下，剝離該等被處理晶圓W與支持晶圓S；但亦可以使被處理晶圓W與支持晶圓S之上下配置相反。
    再者，亦可設置例如加熱器等加熱機構，以加熱所供給之惰性氣體。或者，使氣體供給管125、191所供給之惰性氣體預先受到加熱亦可。此外，亦可對處理空間112及待機空間218，供給與第1保持部111及第2保持部112幾乎相同溫度(例如200℃)之惰性氣體。若係此種結構，則重合晶圓T不會受到惰性氣體冷却，可維持黏接劑G之軟化狀態。又，由於係供給加熱過之惰性氣體，故可防止重合晶圓T局部性冷却，而導致重合晶圓T局部收縮之情形，因此被處理晶圓W上的電子電路也不會受到損傷。
    又，作為加熱惰性氣體之具體方法，可如圖32所示，在分散板193之底面配置加熱器250。例如加熱器250係膜片狀之加熱器。加熱器250之下部配置有用以推壓加熱器250之推壓板251，該加熱器250係夾在分散板193與推壓板251之間。又，多孔板190、分散板193、推壓板251，以採用加熱時之熱膨脹的量幾乎相同程度之材料為佳。例如，可全部採用同一材料製作，亦可採用多孔質材料之多孔質碳，以及與多孔質碳之熱膨脹的量幾乎相同程度之金屬，例如鈦等等製作。
    又，如圖33與圖34所示，亦可設置用以監控多孔板190之孔眼堵塞的監控機構300。監控機構300係由設於多孔板190之複數貫通孔301、一端與貫通孔301連接之配管302、以及配置於配管302中途之壓力計303所構成。又，配管302之另一端成開放狀態。貫通孔之直徑以小為佳，例如設為1mm。而貫通孔301係在相似於凹部190a之端部的線上，隔開既定間隔而設置，且配置複數列。又，貫通孔301之內面304，係藉由覆膜處理等方式包覆。
    而複數貫通孔301各自裝設有壓力計303以檢測壓力，若壓力變得比既定之值小，則視作該貫通孔301周圍之多孔質部也產生了孔眼堵塞，發出警告。然後停止處理，進行清潔作業。如此之作法，可防止多孔質部發生孔眼堵塞，多孔質部可常時均勻地噴射惰性氣體。
    又，於上述形態，係藉由壓力計303監控與室內之壓差，然而亦可以在配管302之另一端連接抽吸泵，並以壓力計303監控絶對壓力。
    又，亦可組合上述實施形態之部分來實施，可得同樣之作用及効果。
    以上，一邊參照附加圖式，一邊說明本發明之最佳實施形態；但本發明並不限定於所提示之例。很明顯地，只要是熟悉本技藝者，在記載於申請專利範圍的思想範圍內可思及各種之變形例或修正例，該等變形例或修正例，當然也屬於本發明之技術性範圍。本發明並不限於此例，亦可採取各種樣態。本發明亦可適用於基板為晶圓以外之平板顯示器(FPD；Flat Panel Display)、光罩用的倍縮光罩等等其他基板之情形。
    1‧‧‧剝離系統
    2‧‧‧搬入出站
    3‧‧‧剝離處理站
    4‧‧‧後處理站
    5‧‧‧介面站
    6‧‧‧晶圓搬送領域
    7‧‧‧檢查裝置
    8‧‧‧檢查後洗淨裝置
    8a‧‧‧接合面洗淨部
    8b‧‧‧非接合面洗淨
    8c‧‧‧反轉部
    10‧‧‧卡匣載置台
    11‧‧‧卡匣載置板
    20‧‧‧第1搬送裝置
    30‧‧‧剝離裝置
    31‧‧‧第1洗淨裝置
    32‧‧‧第2搬送裝置
    33‧‧‧第2洗淨裝置
    40‧‧‧搬送路
    41‧‧‧第3搬送裝置
    100‧‧‧處理容器
    101‧‧‧排氣口
    102‧‧‧排氣裝置
    103‧‧‧排氣管
    110‧‧‧第1保持部
    111‧‧‧第2保持部
    112‧‧‧處理空間
    120‧‧‧本體部
    121‧‧‧多孔部
    121a‧‧‧保持面
    122‧‧‧溝部
    123‧‧‧流通空間
    124‧‧‧抽吸管
    125‧‧‧氣體供給管
    126‧‧‧負壓產生裝置
    127‧‧‧惰性氣體供給源
    128‧‧‧加熱機構
    130‧‧‧多孔環
    131‧‧‧氣體供給管
    132‧‧‧惰性氣體供給源
    140‧‧‧支持板
    150‧‧‧抽吸管
    151‧‧‧加熱機構
    160‧‧‧昇降機構
    161‧‧‧昇降銷
    162‧‧‧驅動部
    163‧‧‧貫通孔
    170‧‧‧移動機構
    171‧‧‧鉛直移動部
    172‧‧‧水平移動部
    173‧‧‧支持板
    174‧‧‧驅動部
    175‧‧‧支持構件
    180‧‧‧軌道
    181‧‧‧支持體
    182‧‧‧驅動部
    190‧‧‧多孔板
    190a‧‧‧凹部
    190b‧‧‧端部
    191‧‧‧氣體供給管
    192‧‧‧支持構件
    193‧‧‧分散板
    194‧‧‧氣體流路
    195‧‧‧惰性氣體供給源
    200‧‧‧第1護罩
    201‧‧‧第2護罩
    202‧‧‧第3護罩
    210‧‧‧平板部(平板)
    211‧‧‧側壁部
    212‧‧‧屈曲部
    213‧‧‧平板部
    214‧‧‧側壁部
    215‧‧‧頂部
    216‧‧‧側壁部
    217‧‧‧底面部
    218‧‧‧待機空間
    220‧‧‧開口部
    221‧‧‧排氣裝置
    230‧‧‧處理容器
    240‧‧‧多孔式吸盤
    241‧‧‧本體部
    242‧‧‧多孔部
    243‧‧‧吸盤驅動部
    244‧‧‧杯體
    245‧‧‧排出管
    246‧‧‧排氣管
    250‧‧‧軌道
    251‧‧‧臂體
    253‧‧‧噴嘴
    254‧‧‧驅動部
    255‧‧‧待機部
    260‧‧‧供給管
    261‧‧‧洗淨液供給源
    262‧‧‧供給機器群
    263‧‧‧供給管
    264‧‧‧惰性氣體供給源
    265‧‧‧供給機器群
    270‧‧‧旋轉夾頭
    280‧‧‧白努利吸盤
    281‧‧‧支持臂
    282‧‧‧第1驅動部
    283‧‧‧第2驅動部
    290‧‧‧氣體噴出口
    291‧‧‧氣體供給管
    292‧‧‧惰性氣體供給源
    300‧‧‧制御部
    300‧‧‧監控機構
    301‧‧‧貫通孔
    302‧‧‧配管
    303‧‧‧壓力計
    304‧‧‧內面
    400‧‧‧離子氣體供給管
    401‧‧‧離化器
    A1~A14‧‧‧步驟
    CW‧‧‧卡匣
    CS‧‧‧卡匣
    CT‧‧‧卡匣
    G‧‧‧黏接劑
    H‧‧‧記憶媒體
    L‧‧‧距離
    S‧‧‧支持晶圓
    SJ‧‧‧接合面
    SN‧‧‧非接合面
    T‧‧‧重合晶圓
    W‧‧‧被處理晶圓
    WJ‧‧‧接合面
    WN‧‧‧非接合面
    X‧‧‧方向
    Y‧‧‧方向
    θ‧‧‧方向
    圖1係顯示有關本實施形態之剝離系統之結構概略的俯視圖。
    圖2係被處理晶圓與支持晶圓之側視圖。
    圖3係顯示剝離裝置之結構概略的縱剖面圖。
    圖4係顯示剝離裝置之內部結構概略的縱剖面圖。
    圖5係顯示第1保持部的外周部與多孔環之結構概略的縱剖面圖。
    圖6係顯示第1保持部與多孔環之結構概略的俯視圖。
    圖7係顯示多孔板之結構概略的俯視圖。
    圖8係顯示對多孔板供給惰性氣體之機構之結構概略的縱剖面圖。
    圖9係顯示第1護罩與第3護罩之結構概略的立體圖。
    圖10係顯示第1護罩與第3護罩之結構概略的側視圖。
    圖11係顯示第2護罩之結構概略的立體圖。
    圖12係顯示第1護罩與第2護罩之結構概略的側視圖。
    圖13係顯示第1洗淨裝置之結構概略的縱剖面圖。
    圖14係顯示第1洗淨裝置之結構概略的横剖面圖。
    圖15係顯示第2洗淨裝置之結構概略的縱剖面圖。
    圖16係顯示第2搬送裝置之結構概略的側視圖。
    圖17係顯示白努利吸盤之結構概略的俯視圖。
    圖18係顯示剝離處理之主要製程的流程圖。
    圖19係顯示於昇降銷保持重合晶圓之狀態下，對處理空間供給惰性氣體之情形的說明圖。
    圖20係顯示將重合晶圓載置於第2保持部之情形的說明圖。
    圖21係顯示將重合晶圓載置於第2保持部之情形的說明圖。
    圖22係顯示開始由抽吸管抽吸並由多孔環供給惰性氣體之情形的說明圖。
    圖23係顯示以第1保持部與第2保持部保持重合晶圓之情形的說明圖。
    圖24係顯示以第1保持部與第2保持部保持重合晶圓之情形的說明圖。
    圖25係顯示使第2保持部在水平方向移動之情形的說明圖。
    圖26係顯示剝離被處理晶圓與支持晶圓之情形的說明圖。
    圖27係顯示將被處理晶圓從第1保持部移交到白努利吸盤之情形的說明圖。
    圖28係顯示對保持在白努利吸盤上之被處理晶圓供給惰性氣體之情形的說明圖。
    圖29係顯示將被處理晶圓從白努利吸盤移交到多孔式吸盤之情形的說明圖。
    圖30係顯示被處理晶圓與支持晶圓於相對水平方向移動之狀態的說明圖。
    圖31係顯示另一實施形態之剝離裝置之內部結構概略的縱剖面圖。
    圖32係顯示惰性氣體之加熱機構之結構概略的剖面圖。
    圖33係顯示用以說明孔眼堵塞監控機構之俯視圖。
    圖34係顯示用以說明孔眼堵塞監控機構之剖面圖。
    A1~A14‧‧‧步驟
    权利要求:
    Claims (30)
    [1] 一種剝離方法，係使用剝離裝置，將以黏接劑接合被處理基板及支持基板而成的重合基板，剝離成被處理基板與支持基板，其特徵在於，該剝離裝置包含：第1保持部，具有加熱被處理基板之加熱機構，並保持該被處理基板；第2保持部，具有加熱支持基板之加熱機構，並保持該支持基板；昇降機構，使重合基板於該第1保持部與該第2保持部之間，在鉛直方向昇降；移動機構，至少使該第1保持部或該第2保持部在相對鉛直方向及水平方向移動；氣體供給部，對該第1保持部與該第2保持部之間的空間供給惰性氣體；該剝離方法包含：於該第1保持部與該第2保持部之間的空間內，且不接觸該第1保持部與該第2保持部之位置，藉由該昇降機構以配置重合基板，由該氣體供給部對該空間內供給惰性氣體的第1製程；之後，藉由該移動機構使該第1保持部與該第2保持部於相對鉛直方向移動，以該第1保持部保持被處理基板之同時，以該第2保持部保持支持基板之第2製程；之後，一邊加熱該第1保持部所保持之被處理基板及該第2保持部所保持之支持基板，一邊藉由該移動機構而使該第1保持部與該第2保持部於相對水平方向移動，以剝離被處理基板與支持基板之第3製程。
    [2] 如申請專利範圍第1項之剝離方法，其中，該氣體供給部，設有用以加熱該所供給之惰性氣體之加熱機構，於該第1製程，預先加熱該所供給之惰性氣體，使和該第1保持部與該第2保持部幾乎相同溫度之惰性氣體，供給至該第1保持部與該第2保持部之間的空間。
    [3] 如申請專利範圍第1項之剝離方法，其中，於該第1保持部，設有該氣體供給部，以及為了吸附保持被處理基板而進行抽吸之抽吸部；於該第2製程，停止從該氣體供給部供給惰性氣體，而藉由該抽吸部之抽吸，以該第1保持部保持被處理基板。
    [4] 如申請專利範圍第1項之剝離方法，其中，該剝離裝置，包含多孔質板，該多孔質板於俯視下係具備可涵蓋被處理基板之平板形狀，且形成有複數孔，對於藉由該移動機構使該第1保持部與該第2保持部於相對水平方向移動，而露出之被處理基板的接合面供給惰性氣體；於該第3製程，使該多孔質板與被處理基板的接合面在鉛直方向分隔既定距離，從該多孔質板對因剝離而露出之被處理基板的接合面供給惰性氣體。
    [5] 如申請專利範圍第4項之剝離方法，其中，於該多孔質板之移動方向之端部，於俯視下形成有沿著被處理基板之形狀凹陷挖空的凹部，於至少該第1製程或該第2製程，使該多孔質板配置成於俯視下該凹部與被處理基板相接，從該多孔質板對該第1保持部與該第2保持部之間的空間供給惰性氣體。
    [6] 如申請專利範圍第5項之剝離方法，其中，該多孔質板設有加熱該所供給之惰性氣體之加熱機構，於至少該第1製程或該第2製程，預先加熱該所供給之惰性氣體，使和該第1保持部與該第2保持部幾乎相同溫度之惰性氣體，供給至該第1保持部與該第2保持部之間的空間。
    [7] 如申請專利範圍第6項之剝離方法，其中，於該多孔質板設有用以監控該多孔質板之孔眼堵塞之監控機構，該監控機構係由設於該多孔質板之複數貫通孔、一端連接該貫通孔而另一端為開放之配管、以及配置於該配管之中途的壓力計所構成；該複數貫通孔各設有該壓力計以檢測壓力，於該檢測到的壓力變得低於既定值時，判斷該貫通孔周邊之多孔質部發生孔眼堵塞，進行警告。
    [8] 如申請專利範圍第4項之剝離方法，其中，於該第3製程，該移動機構係使該多孔質板與該第2保持部同步地於水平方向移動。
    [9] 如申請專利範圍第4項之剝離方法，其中，於該第1保持部與該第2保持部分別設有包覆該第1保持部與第2保持部之間的空間之第1護罩與第2護罩，該第1護罩設有包覆該多孔質板之第3護罩，於該第1護罩與該第2護罩，該第1保持部或該第2保持部之移動方向的端部為開口，於該第3護罩，該多孔質板之移動方向的端部為開口，該第1護罩、該第2護罩及該第3護罩所包圍之空間的蒙氣，會從形成在該第1護罩與該第2護罩中且與該第3護罩相反之側的開口部排出。
    [10] 如申請專利範圍第9項之剝離方法，其中，於該第3護罩設有離子化氣體供給部，用以對該第3護罩內供給藉由離化器而離子化之惰性氣體；於至少該第1製程、該第2製程或該第3製程，由該離子化氣體供給部對該第3護罩內，供給藉由離化器而離子化之惰性氣體。
    [11] 如申請專利範圍第1至10項中任一項之剝離方法，其中，該剝離裝置包含多孔質部，該多孔質部係沿著該第1保持部之外周部環狀設置，且形成有複數孔，對保持被處理基板之該第1保持部之外周部供給惰性氣體；於至少該第2製程或該第3製程，從該多孔質部對該第1保持部之外周部供給惰性氣體。
    [12] 如申請專利範圍第1至10項中任一項之剝離方法，其中，包含第4製程，於該第3製程後，將被處理基板從該第1保持部移交至白努利吸盤，將保持在白努利吸盤之被處理基板加以冷卻。
    [13] 如申請專利範圍第12項之剝離方法，其中，於該第4製程，該白努利吸盤係噴射惰性氣體以保持被處理基板。
    [14] 如申請專利範圍第12項之剝離方法，其中，於該第4製程，對於保持在該白努利吸盤之被處理基板，從該氣體供給部供給惰性氣體。
    [15] 如申請專利範圍第1至10項中任一項之剝離方法，其中，該第1保持部具有多孔質體，該多孔質體形成有複數孔，且與被處理基板抵接而吸附保持該被處理基板；於該多孔質體，保持被處理基板之保持面的直徑，小於被處理基板的直徑。
    [16] 一種可讀取之電腦記憶媒體，儲存有程式，該程式在作為控制該剝離裝置之控制部的電腦上動作，用以使剝離裝置執行如申請專利範圍第1至10項中任一項之剝離方法。。
    [17] 一種剝離裝置，係將以黏接劑接合被處理基板及支持基板而成的重合基板，剝離成被處理基板與支持基板，其特徵在於，包含：第1保持部，具有加熱被處理基板之加熱機構，並保持該被處理基板；第2保持部，具有加熱支持基板之加熱機構，並保持該支持基板；昇降機構，使重合基板於該第1保持部與該第2保持部之間，在鉛直方向昇降；移動機構，至少使該第1保持部或該第2保持部在相對鉛直方向及水平方向移動；氣體供給部，對該第1保持部與該第2保持部之間的空間供給惰性氣體；控制部，控制該昇降機構、該移動機構、以及該氣體供給部，以執行以下製程：於該第1保持部與該第2保持部之間的空間內，且不接觸該第1保持部與該第2保持部之位置，藉由該昇降機構以配置重合基板，由該氣體供給部對該空間內供給惰性氣體的第1製程；之後，藉由該移動機構使該第1保持部與該第2保持部於相對鉛直方向移動，以該第1保持部保持被處理基板之同時，以該第2保持部保持支持基板之第2製程；之後，一邊加熱該第1保持部所保持之被處理基板及該第2保持部所保持之支持基板，一邊藉由該移動機構而使該第1保持部與該第2保持部於相對水平方向移動，以剝離被處理基板與支持基板之第3製程。
    [18] 如申請專利範圍第17項之剝離裝置，其中，該氣體供給部，設有用以加熱該所供給之惰性氣體之加熱機構，該控制部，控制該氣體供給與該加熱機構，以於該第1製程，預先加熱該所供給之惰性氣體，使和該第1保持部與該第2保持部幾乎相同溫度之惰性氣體，供給至該第1保持部與該第2保持部之間的空間。
    [19] 如申請專利範圍第17項之剝離裝置，其中，於該第1保持部，設有該氣體供給部，以及為了吸附保持被處理基板而進行抽吸之抽吸部，該控制部，控制該氣體供給與該抽吸部，以於該第2製程，停止從該氣體供給部供給惰性氣體，而藉由該抽吸部之抽吸，以該第1保持部保持被處理基板。
    [20] 如申請專利範圍第17項之剝離裝置，其中，包含多孔質板，該多孔質板於俯視下係具備可涵蓋被處理基板之平板形狀，且形成有複數孔，對於藉由該移動機構而使該第1保持部與該第2保持部於相對水平方向移動，而露出之被處理基板的接合面供給惰性氣體；該控制部，控制該多孔質板，以於該第3製程，使該多孔質板與被處理基板的接合面在鉛直方向分隔既定距離，從該多孔質板對因剝離而露出之被處理基板的接合面供給惰性氣體。
    [21] 如申請專利範圍第20項之剝離裝置，其中，於該多孔質板之移動方向之端部，於俯視下形成有沿著被處理基板之形狀凹陷挖空的凹部，該控制部，控制該多孔質板，以於至少該第1製程或該第2製程，使該多孔質板配置成於俯視下該凹部與被處理基板相接，從該多孔質板對該第1保持部與該第2保持部之間的空間供給惰性氣體。
    [22] 如申請專利範圍第21項之剝離裝置，其中，該多孔質板設有加熱該所供給之惰性氣體之加熱機構，該控制部，控制該多孔質板與該加熱機構，以於至少該第1製程或該第2製程，預先加熱該所供給之惰性氣體，使和該第1保持部與該第2保持部幾乎相同溫度之惰性氣體，供給至該第1保持部與該第2保持部之間的空間。
    [23] 如申請專利範圍第22項之剝離裝置，其中，於該多孔質板設有用以監控該多孔質板之孔眼堵塞之監控機構，該監控機構係由設於該多孔質板之複數貫通孔、一端連接該貫通孔而另一端為開放之配管、以及配置於該配管之中途的壓力計所構成；該複數貫通孔各設有該壓力計以檢測壓力，該控制部於該檢測到的壓力變得低於既定值時，判斷該貫通孔周邊之多孔質部發生孔眼堵塞，進行警告。
    [24] 如申請專利範圍第20項之剝離裝置，其中，該移動機構係使該多孔質板與該第2保持部同步地於水平方向移動。
    [25] 如申請專利範圍第20項之剝離裝置，其中，於該第1保持部與該第2保持部分別設有包覆該第1保持部與第2保持部之間的空間之第1護罩與第2護罩，該第1護罩設有包覆該多孔質板之第3護罩，於該第1護罩與該第2護罩，該第1保持部或該第2保持部之移動方向的端部為開口，於該第3護罩，該多孔質板之移動方向的端部為開口，該第1護罩、該第2護罩及該第3護罩所包圍之空間的蒙氣，會從形成在該第1護罩與該第2護罩中且與該第3護罩相反之側的開口部排出。
    [26] 如申請專利範圍第25項之剝離裝置，其中，於該第3護罩設有離子化氣體供給部，用以對該第3護罩內供給藉由離化器而離子化之惰性氣體；該控制部，控制該離子化氣體供給部，以於至少該第1製程、該第2製程或該第3製程，由該離子化氣體供給部對該第3護罩內，供給藉由離化器而離子化之惰性氣體。
    [27] 如申請專利範圍第17至26項中任一項之剝離裝置，其中，包含多孔質部，該多孔質部係沿著該第1保持部之外周部環狀設置，且形成有複數孔，對保持被處理基板之該第1保持部之外周部供給惰性氣體；該控制部，控制該多孔質部，以於至少該第2製程或該第3製程，從該多孔質部對該第1保持部之外周部供給惰性氣體。
    [28] 如申請專利範圍第17至26項中任一項之剝離裝置，其中，該第1保持部具有多孔質體，該多孔質體形成有複數孔，且與被處理基板抵接而吸附保持該被處理基板；於該多孔質體，保持被處理基板之保持面的直徑，小於被處理基板的直徑。
    [29] 一種剝離系統，具備如申請專利範圍第17至26項中任一項之剝離裝置，其特徵在於：具有搬送裝置，搬送在該剝離裝置所剝離之被處理基板；該搬送裝置，具有噴射惰性氣體以保持被處理基板的白努利吸盤；該控制部，控制該白努利吸盤，以於該第3製程後，執行第4製程：將被處理基板從該第1保持部移交至白努利吸盤，從該白努利吸盤對該被處理基板供給惰性氣體，冷卻被處理基板。
    [30] 如申請專利範圍第29項之剝離系統，其中，該控制部，控制該氣體供給部，以於該第4製程，對於保持在該白努利吸盤之被處理基板，從該氣體供給部供給惰性氣體。
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