台湾专利TW201301350A 噴嘴套組、包含該噴嘴套組之原子層沉積裝置以及使用其之有機發光裝置之密封方法

专利PDF首页>>台湾专利

专利附录

专利说明

权利要求

类似技术

同族专利

引用文献

法律状态

优先权

专利摘要:
揭露一種原子層沉積裝置以及使用其之有機發光裝置之密封方法。在一實施例中，原子層沉積裝置改善淨化氣體注入噴嘴之結構以增加原子層沉積製程中淨化氣體之排氣效率，而加速淨化製程的速度。結果，可於藉由使用原子層沉積而實施密封有機發光裝置之密封製程時改善沉積速度以及密封薄膜的品質。
公开号:TW201301350A
申请号:TW101113350
申请日:2012-04-13
公开日:2013-01-01
发明作者:Seung-Hun Kim；Sang-Joon Seo；Jin-Kwang Kim；Jun-Hyuk Cheon
申请人:Samsung Display Co Ltd；
IPC主号:C23C16-00

专利说明:
噴嘴套組、包含該噴嘴套組之原子層沉積裝置以及使用其之有機發光裝置之密封方法
所述技術一般係有關於一種噴嘴套組、包含該噴嘴套組之原子層沉積裝置、以及使用其之有機發光裝置之密封方法。
一般來說，基板上的薄膜之沉積製程係用於製造半導體裝置或平板顯示器。為了沉積具有預定厚度之薄膜於基板上，一些沉積方法，例如使用粒子之物理性碰撞之物理氣相沉積法(physical vapor deposition, PVD)或使用化學反應之化學氣相沉積法(chemical vapor deposition, CDV)等係經常地使用。
一發明態樣係為一種原子層沉積裝置，其係藉由改善排列於原子層沉積裝置之噴頭中的氣體注入噴嘴而改善氣體的注入效率以及排氣效率。
另一態樣係為一種藉由使用原子層沉積裝置以用於密封有機發光裝置之密封方法。
另一態樣為一種原子層沉積裝置中之部分淨化氣體注入噴嘴之結構，其係改善沉積製程中之沉積速度以及薄膜品質。
另一態樣為一種原子層沉積裝置，其具有部分淨化氣體注入噴嘴之改良結構。
另一態樣為一種原子層沉積裝置，其包含：反應室；基板支撐架，其安裝於反應室內側以支撐基板；以及噴頭，其包含一或多個噴嘴套組可注入第一來源氣體、第二來源氣體、以及淨化氣體於基板上，且設置於基板支撐架上。
於此，基板支撐架及噴頭之至少其一係以可於第一方向移動之方式而安裝。再者，各一或多個噴嘴套組包含用以沉積第一來源氣體之第一部分噴嘴套組、以及用以沉積第二來源氣體之第二部分噴嘴套組。第一部分噴嘴套組包含第一來源氣體注入噴嘴，第二部分噴嘴套組包含第二來源氣體注入噴嘴，且各個第一部分噴嘴套組與第二部分噴嘴套組包含淨化氣體注入噴嘴與淨化氣體排氣孔。
各個第一來源氣體注入噴嘴、第二來源氣體注入噴嘴、淨化氣體注入噴嘴、以及淨化氣體排氣孔係延伸於垂直第一方向之方向，且淨化氣體注入噴嘴具有朝向淨化氣體排氣孔傾斜之坡度。
在一實施例中，各個第一來源氣體注入噴嘴、第二來源氣體注入噴嘴、淨化氣體注入噴嘴、以及淨化氣體排氣孔係形成為沿伸於垂直於第一方向之方向的狹縫形狀。在此情況下，具有狹縫形狀之淨化氣體注入噴嘴的一端可具有坡度。
在一實施例中，形成於淨化氣體注入噴嘴上之坡度自垂直於第一方向的方向具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。若有需要，本技術領域中具有通常知識者可選擇在上述範圍內之適合的傾斜角度。舉例而言，考慮淨化氣體之注入速度與注入壓力，傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍內。
在一實施例中，第一來源氣體注入噴嘴與第二來源氣體注入噴嘴之至少其一具有朝向淨化氣體注入噴嘴傾斜之坡度。於此，此坡度自垂直於第一方向之方向具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。若有需要，本技術領域中具有通常知識者可選擇在上述範圍內之適合的傾斜角度。舉例而言，考慮來源氣體之注入速度與沉積速度，傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍內。
根據一實施例，各個第一來源氣體注入噴嘴、第二來源氣體注入噴嘴、淨化氣體注入噴嘴、以及淨化氣體排氣孔之長度可長於或等於垂直於第一方向之基板的寬度。
在一實施例中，噴頭包含依序地排列於第一方向之複數個噴嘴套組。
在一實施例中，噴頭包含噴嘴套組，其數目可對應於將沉積於基板上之薄膜的厚度。
在一實施例中，噴頭包含排列於噴頭中用以供應第一來源氣體至第一來源氣體注入噴嘴之第一來源氣體供應線、用以供應第二來源氣體至第二來源氣體注入噴嘴之第二來源氣體供應線、用以供應淨化氣體至淨化氣體注入噴嘴之淨化氣體供應線。
在一實施例中，第一來源氣體供應線、第二來源氣體供應線、以及淨化氣體供應線係彼此分隔。
在一實施例中，第一來源氣體供應線包含第一來源氣體主線，其係連接至位於反應室外側之第一來源氣體儲存槽、以及一或多條第一來源氣體支線，其係自第一來源氣體主線分支以連接至各第一來源氣體注入噴嘴，第二來源氣體供應線包含第二來源氣體主線，其係連接至位於反應室外側之第二來源氣體儲存槽、以及一或多條第二來源氣體支線，其係自第二來源氣體主線分支以連接至各第二來源氣體注入噴嘴。再者，淨化氣體供應線包含淨化氣體主線，其係連接至位於反應室外側之淨化氣體儲存槽、以及一或多條淨化氣體支線，其係自淨化氣體主線分支以連接至各淨化氣體注入噴嘴。
在一實施例中，噴頭係固定地安裝，且基板支撐架係以基板支撐架可於第一方向往復之方式而安裝。根據另一實施例，基板支撐架係固定地安裝，且噴頭係以噴頭可於第一方向往復之方式而安裝。
另一態樣為一種藉由使用原子層沉積裝置之有機發光裝置之密封方法。有機發光裝置之密封方法包含下列步驟：將欲密封之有機發光裝置放置於原子層沉積裝置之基板支撐架上；於第一方向移動基板支撐架以及噴頭之至少其一；以及在於第一方向移動基板支撐架以及噴頭之至少其一時，藉由透過噴頭注入第一來源氣體、第二來源氣體、以及淨化氣體而將一或多個第一原子層以及一或多個第二原子層沉積於欲密封之有機發光裝置上。於此，沉積一或多個第一原子層以及一或多個第二原子層之步驟包含下列步驟：第一步驟，其係注入第一來源氣體以將第一原子層沉積於欲密封之有機發光裝置上；第二步驟，其係於進行注入之第一步驟時或在注入之第一步驟後注入淨化氣體以移除殘留第一來源氣體；第三步驟，其係注入第二來源氣體以將第二原子層沉積於第一原子層上；及第四步驟，其係於進行注入之第三步驟時或在第三步驟後注入淨化氣體以移除殘留第二來源氣體。
在一實施例中，沉積一或多個第一原子層以及一或多個第二原子層之步驟係自欲密封之有機發光裝置之一端至另一端執行。
在一實施例中，第一步驟至第四步驟係執行複數次，而於第一方向移動基板支撐架以及噴頭之至少其一之步驟係執行一次。
在一實施例中，密封方法更包含在沉積一或多個第一原子層以及一或多個第二原子層之步驟後，使欲密封之有機發光裝置及噴頭之至少其一回復至原始位置。
在一實施例中，於第一方向移動基板支撐架以及噴頭之至少其一的步驟、沉積一或多個第一原子層以及一或多個第二原子層之步驟、以及回復欲密封之有機發光裝置及噴頭之至少其一至原始位置之步驟係反覆地執行。藉由重複地執行，其可獲得具有所需厚度之沉積薄膜。
在一實施例中，噴頭係固定的，而原子層沉積置於其上之基板係於執行沉積時於第一方向移動。
另一態樣為一種用於沉積之噴嘴套組，其包含：用於沉積第一來源氣體之第一部分噴嘴套組、以及用於沉積第二來源氣體之第二部分噴嘴套組，其中第一部分噴嘴套組包含第一來源氣體注入噴嘴，而第二部分噴嘴套組包含第二來源氣體注入噴嘴。各個第一部分噴嘴套組與第二部分噴嘴套組包含淨化氣體注入噴嘴以及淨化氣體排氣孔，而淨化氣體注入噴嘴具有朝向淨化氣體排氣孔傾斜之坡度。
第一來源氣體注入噴嘴、第二來源氣體注入噴嘴、淨化氣體注入噴嘴、以及淨化氣體排氣孔係形成為延伸於垂直第一方向之方向的狹縫形狀。在此情況下，具有狹縫形狀之淨化氣體注入噴嘴之一端可具有坡度。
在一實施例中，形成於淨化氣體注入噴嘴之坡度自垂直於第一方向之方向具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。若有需要，本技術領域中具有通常知識者可選擇在上述範圍內之適合的傾斜角度。舉例而言，考慮淨化氣體之注入速度與注入壓力，傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍內。
在一實施例中，第一來源氣體注入噴嘴與第二來源氣體注入噴嘴之至少之一具有朝向淨化氣體注入噴嘴傾斜之坡度。於此，坡度自垂直於第一方向之方向具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。若有需要，本技術領域中具有通常知識者可選擇在上述範圍內之適合的傾斜角度。舉例而言，考慮來源氣體之注入速度與沉積速度，傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍內。
用以沉積之噴嘴套組可有效應用於原子層沉積中。
另一態樣為一種原子層沉積裝置，其包含：反應室；基板支撐架，其安裝於反應室內側以支撐基板；以及噴頭，其包含一或多個噴嘴套組其可注入來源氣體與淨化氣體至基板上，且設置於基板支撐架上。在原子層沉積裝置中，基板支撐架與噴頭之至少其一係以其可於第一方向移動之方式而安裝。再者，噴嘴套組包含來源氣體注入噴嘴、淨化氣體注入噴嘴、以及淨化氣體排氣孔，各個來源氣體注入噴嘴、淨化氣體注入噴嘴、以及淨化氣體排氣孔係於垂直於第一方向之方向而延伸，且淨化氣體注入噴嘴具有朝向淨化氣體排氣孔傾斜之坡度。
在一實施例中，來源氣體噴嘴、淨化氣體噴嘴、以及淨化氣體排氣孔係形成為沿伸於垂直第一方向之方向的狹縫形狀。在此情況下，具有狹縫形狀之淨化氣體注入噴嘴的一端可具有坡度。
根據一實施例，形成於淨化氣體注入噴嘴之坡度自垂直於第一方向之方向具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。若有需要，本技術領域中具有通常知識者可選擇在上述範圍內之適合的傾斜角度。舉例而言，考慮淨化氣體之注入速度與注入壓力，傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍內。
在一實施例中，來源氣體注入噴嘴亦具有朝向淨化氣體注入噴嘴傾斜之坡度。於此，坡度自垂直於第一方向之方向可具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。舉例而言，考慮來源氣體之注入速度與沉積速度，傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍內。
另一態樣為藉由使用原子層沉積裝置之有機發光裝置之密封方法。有機發光裝置之密封方法包含下列步驟：將欲密封之有機發光裝置放置於原子層沉積裝置之基板支撐架上；於第一方向移動原子層沉積裝置之基板支撐架以及噴頭之至少其一；於移動基板支撐架以及噴頭之至少其一時，藉由透過噴頭注入來源氣體而將原子層沉積於欲密封之有機發光裝置上；以及藉由於沉積原子層於欲密封之有機發光裝置上時注入淨化氣體而移除殘留來源氣體。
另一態樣為用以沉積之噴嘴套組，其包含來源氣體注入噴嘴、淨化氣體注入噴嘴、以及淨化氣體排氣孔。在噴嘴套組中，來源氣體注入噴嘴、淨化氣體注入噴嘴、以及淨化氣體排氣孔係依序地排列，且淨化氣體注入噴嘴具有朝向淨化氣體排氣孔傾斜之坡度。
在一實施例中，來源氣體注入噴嘴、淨化氣體注入噴嘴、以及淨化氣體排氣孔係形成為沿伸於垂直第一方向之方向的狹縫形狀。在此情況下，具有狹縫形狀之淨化氣體注入噴嘴之一端可具有坡度。
在一實施例中，形成於淨化氣體注入噴嘴之坡度相對於淨化氣體注入方向具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。若有需要，本技術領域中具有通常知識者可選擇在上述範圍內之適合的傾斜角度。舉例而言，考慮淨化氣體之注入速度與注入壓力，傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍內。
在一實施例中，來源氣體注入噴嘴可具有朝向淨化氣體注入噴嘴傾斜之坡度。於此，坡度相對於來源氣體注入方向可具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。舉例而言，考慮來源氣體之注入速度與來源氣體之沉積速度，傾斜角度θ係更限制於約15度至約60度之範圍內。
用於沉積之噴嘴套組可有效應用於原子層沉積中。
近來，隨著半導體裝置或顯示裝置具有更精密的結構，係需要具有精密圖樣之薄膜。因此，目前的趨勢為拓展可以非常均勻地以原子層水平厚度沉積精密圖樣之原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)方法之應用。
原子層沉積方法係藉由注入一種來源氣體至處理室以使其物理性地吸附至基板上、清除殘留氣體以將其移除、以及接著注入另一種氣體至處理室中而執行。原子層沉積方法有效地避免兩種不同氣體之非必要的化學反應。
舉例而言，在藉由利用兩種來源氣體以沉積原子層之製程中，第一來源氣體係注入至反應室內而以第一來源氣體沉積原子層於基板上，淨化氣體係注入至反應室內以將未沉積之第一來源氣體自反應室移除，第二來源氣體係注入至反應室內以第二來源氣體沉積原子層於基板上，且接著淨化氣體係注入至反應室內以將未沉積之第二來源氣體自反應室移除，因此藉由第一來源氣體之原子層以及藉由第二來源氣體之原子層結合以形成具有預期特性之薄膜。如上所述，在原子層沉積製程中，第一來源氣體的注入與清除、以及第二來源氣體的注入與清除形成一循環。藉由重覆此循環，具有預期厚度與特性之薄膜係形成於基板上。
另一方面，有機發光裝置易受溼氣與氧氣的傷害，因此有必要在製造有機發光裝置後形成保護薄膜或層，以避免由於溼氣與氧氣造成的傷害。近來使用由玻璃製成之保護層，但為了密封效率與薄化需要研發新的密封方法。
模組式原子層沉積方法可應用於密封有機發光裝置。原子層沉積裝置具有如第1圖所示之結構。
參閱第1圖，原子層沉積裝置包含反應室600、安裝於反應室600中以支撐基板400之基板支撐架500、以及設置於基板支撐架500上以注入第一來源氣體、第二來源氣體、以及淨化氣體至基板400上之噴頭100。反應室600之內側係維持真空狀態。
基板支撐架500係設置於反應室600內側的下部分上以支撐將被處理之基板400。基板支撐架500與噴頭100之至少其一係以其可於掃描方向往復之方式而安裝。噴頭100包含一或多個噴嘴套組，其可同時地注入第一來源氣體、第二來源氣體、以及淨化氣體至基板400上。
第2圖係為排列於噴頭中之噴嘴套組110之範例。在第2圖中，噴嘴套組110包含彼此平行且以垂直於基板支撐架500移動方向之方向延伸之四個噴嘴。四個噴嘴係以一預定間距而彼此分隔。第一來源氣體注入噴嘴211、用以移除殘留第一來源氣體之淨化氣體注入噴嘴301、第二來源氣體注入噴嘴221、以及用以移除殘留第二來源氣體之淨化氣體注入噴嘴301係依序地排列。於此，第一來源氣體注入噴嘴211以及用以移除殘留第一來源氣體之淨化氣體注入噴嘴301形成第一部分噴嘴套組111，而第二來源氣體注入噴嘴221以及用以移除殘留第二來源氣體之淨化氣體注入噴嘴301形成第二部分噴嘴套組112。
第3圖係插入噴頭100中之噴嘴套組的另一範例之橫截面示意圖，其中繪示用以排出淨化氣體之淨化氣體排氣孔311。第4圖繪示透過淨化氣體注入噴嘴301注入淨化氣體Fi至基板以移除殘留來源氣體800之示意圖。再者，第4圖亦繪示在淨化氣體Fi透過淨化氣體支線306以及淨化氣體注入噴嘴301注入至基板後，淨化氣體Fo與殘留氣體共同排出之示意圖。
在原子層沉積中，第一來源氣體之供應、淨化氣體之供應、第二來源氣體之供應、淨化氣體之供應係依序地進行。為了沉積速度以及薄膜品質的改善，清除時間應簡短，而殘留氣體應藉由清除而充分地移除。然而，如第3圖與第4圖所示淨化氣體注入噴嘴301之下部分係正交地形成，因此，淨化氣體的流動並不流暢。結果，清除效率隨著淨化氣體部分地渦流(swirl)而劣化，而造成清除時間更長或清除不完善。當清除不完善時，可能由於殘留來源氣體800而造成薄膜品質的劣化。
後文中，將參閱附圖而描述實施例。在下列描述與圖式中，相同的參考符號係用以標示相同或相似的構件。
第1圖為一般的原子層沉積裝置之橫截面示意圖。根據實施例之原子層沉積裝置具有如第1圖所示之基本結構。
參閱第1圖，原子層沉積裝置包含反應室600、安裝於反應室600中以支撐基板400之基板支撐架500、以及設置於基板支撐架500上以注入第一來源氣體、第二來源氣體、以及淨化氣體至基板400上之噴頭100。
反應室600之內側係維持真空狀態。為了維持真空狀態，排氣孔610係形成於反應室600之壁上，且排氣孔610係連接至真空幫浦700。排氣孔610亦可用於排出第一來源氣體、第二來源氣體、以及淨化氣體。
基板支撐架500係設置於反應室600內側的下部分上以支撐將被處理之基板400。雖然未示於圖中，基板支撐架500可包含加熱工具以將基板400加熱至一預定溫度。
基板支撐架500與噴頭100之至少其一係以其可於掃描方向往復之方式而安裝。具體來說，基板支撐架500與噴頭100之至少其一係安裝以可移動於如箭頭所示之第一方向D。
後文中，實施例將基於結構而描述，其中噴頭100係固定地安裝，且基板支撐架500係以基板支撐架500可往復於第一方向D之方式而安裝。
根據實施例，可提供其中基板支撐架500係固定地安裝而噴頭100可移動之構造，或可提供其中基板支撐架500與噴頭100皆可移動之構造。然而，在下列敘述中，為了容易描述，將討論其中僅有基板支撐架500移動之結構。
第5圖繪示設置於原子層沉積裝置之噴頭100中的噴嘴套組以及連接噴嘴套組與氣槽之氣體供應線。再者，第6圖繪示插入至噴頭中之模組式噴嘴套組之範例。
具體來說，噴頭100係設置於基板支撐架500上且包含一或多個噴嘴套組(110、120等)，其可注入第一來源氣體、第二來源氣體、以及淨化氣體至基板400。
各一或多個噴嘴套組110、120包含用以沉積第一來源氣體之第一部分噴嘴套組111及121、以及用以沉積第二來源氣體之第二噴嘴套組112及122。於此，第一來源氣體注入噴嘴211以及用以移除殘留第一來源氣體之淨化氣體注入噴嘴301係設置於第一部分噴嘴套組111中，而第二來源氣體注入噴嘴221、以及用以移除殘留第二來源氣體之淨化氣體注入噴嘴301係設置於第二部分噴嘴套組112中。
具體來說，第一部分噴嘴套組111包含第一來源氣體注入噴嘴211、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311，而第二部分噴嘴套組112包含第二來源氣體注入噴嘴221、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311。
參閱第5圖及第6圖，噴頭可包含依序排列於第一方向D之複數個噴嘴套組(110、120等)。亦即，若有需要，噴嘴套組之數目可為一或更多。
噴頭可包含對應至將沉積於基板上之沉積薄膜之厚度之噴嘴套組數目。因此，當將沉積之薄膜的厚度較厚時，則噴嘴套組之數目增加。然而，較厚的薄膜並不總是需要較大數量的噴嘴套組。當將沉積之薄膜的厚度較厚時，若有需要可於基板支撐架500往復時重複沉積多次。
參閱第5圖，用以供應第一來源氣體至第一來源氣體注入噴嘴之第一來源氣體供應線、用以供應第二來源氣體至第二來源氣體注入噴嘴之第二來源氣體供應線、以及用以供應淨化氣體至淨化氣體注入噴嘴之淨化氣體供應線係排列於噴頭中。
第一來源氣體供應線、第二來源氣體供應線、以及淨化氣體供應線係彼此分隔。
具體來說，第一來源氣體供應線包含連接第一來源氣體儲存槽210之第一來源氣體主線215、以及自第一來源氣體主線215分支以連接各個第一來源氣體注入噴嘴211之一或多條第一來源氣體支線216。
又，第二來源氣體供應線包含連接第二來源氣體儲存槽220之第二來源氣體主線225、以及自第二來源氣體主線225分支以連接各個第二來源氣體注入噴嘴221之一或多條第二來源氣體支線226。
再者，淨化氣體供應線包含連接至淨化氣體儲存槽300之淨化氣體主線305、以及自淨化氣體主線305分支以連接各個淨化氣體注入噴嘴301之一或多條淨化氣體支線306。
淨化氣體排氣線並未繪示於第5圖。
參閱第6圖，淨化氣體可透過排列於噴嘴套組中之淨化氣體排氣噴嘴310而排出至噴嘴套組外側。於此，淨化氣體排氣噴嘴310係連接至淨化氣體排氣孔311。透過淨化氣體排氣噴嘴310排出至噴嘴套組外側之淨化氣體可藉由安裝於反應室600外側之真空幫浦700而排出至反應室600外側。
參閱第6圖，第一來源氣體支線216、第二來源氣體支線226、以及淨化氣體支線306係透過噴嘴套組前側而連接至噴嘴套組內側，且淨化氣體排氣噴嘴310係透過噴嘴套組之上部分而連接至噴嘴套組外側。
第7圖係繪示模組式噴嘴套組之另一範例。於此，第一來源氣體支線216、第二來源氣體支線226、以及淨化氣體支線306係透過噴嘴套組之上部分而連接至噴嘴套組內側，而淨化氣體排氣噴嘴310亦透過噴嘴套組之上部分而連接至噴嘴套組外側。
參閱第8圖至第10圖，各個第一來源氣體注入噴嘴211、第二來源氣體注入噴嘴221、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311係延伸於垂直第一方向D之方向Y₁。第8圖、第9圖、以及第10圖係為分別具有狹縫形狀之第一來源氣體注入噴嘴211、第二來源注入氣體噴嘴221、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311之範例。
第8圖與第9圖係為沿著寬度方向截取顯示於第7圖之噴嘴套組110之橫截面示意圖。於此，第一部分噴嘴套組111與第二部分噴嘴套組112係彼此分隔。
參閱第6圖，長度L之方向係對應至垂直於第一方向D之方向，而寬度W₁與W₂之方向係對應至平行於第一方向D之方向。L表示噴嘴套組之長度，W₁表示第一部分噴嘴套組111之寬度，而W₂表示第二部分噴嘴套組112之寬度。
相同地，噴嘴套組110、120之各個第一來源氣體注入噴嘴211、第二來源氣體注入噴嘴221、以及淨化氣體注入噴嘴301之縱向方向係垂直於第一方向D的移動，且其係與噴嘴套組的長度L方向相同。包含於噴嘴套組110、120之各個第一來源氣體注入噴嘴211、第二來源氣體注入噴嘴221、以及淨化氣體注入噴嘴301之橫向方向係平行於第一方向D，且其係相同於噴嘴套組之寬度方向。
各個第一來源氣體注入噴嘴211、第二來源氣體注入噴嘴221、以及淨化氣體注入噴嘴301之長度係相同或小於噴嘴套組之長度，且各個第一來源氣體注入噴嘴211、第二來源氣體注入噴嘴221、以及淨化氣體注入噴嘴301之寬度係相同或小於噴嘴套組之寬度。
基板400係設置於基板支撐架500上。基板400可移動於第一方向D，且更具體的是，基板400可移動於左邊方向D₁或右邊方向D₂。
基板移動於作為基板400之縱向方向的第一方向D，因而使基板400不斷地於縱向方向沉積。基板之橫向方向係垂直於第一方向D且對應於噴嘴套組之長度L方向。
根據一實施例，各個第一來源氣體注入噴嘴211、第二來源氣體注入噴嘴221、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311之長度可長於或相同於垂直於第一方向之基板的寬度。
參閱第8圖與第9圖，噴嘴套組110與噴嘴套組120之第一來源氣體注入噴嘴211、第二來源氣體注入噴嘴221、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311具有於基板支撐架500移動之第一方向D之垂直方向上平行延伸之多個狹縫形狀，且其係以一預定間距彼此分隔。狹縫形狀可參閱第2圖而輕易地理解。然而，根據實施例之噴嘴之結構並不一定與第2圖所示相同。
在應用於根據實施例之原子層沉積裝置的噴嘴套組中，淨化氣體注入噴嘴301具有如第8圖所示朝向靜化氣體排氣孔311傾斜之坡度。特別地，第8圖繪示形成於淨化氣體注入噴嘴301之一端上之坡度。
典型的淨化氣體注入噴嘴係僅形成於垂直於第一方向的方向上，因此當淨化氣體係於淨化氣體注入基板上後排出時，淨化氣體的流動並不流暢。因此，淨化氣體部分地渦流而導致淨化效率的劣化(參閱第4圖)。
根據實施例之淨化氣體注入噴嘴301具有朝向靜化氣體排氣孔311傾斜之坡度。在此情況下，淨化氣體係以對角線方向而注入至基板上，因而使淨化氣體的流動流暢，且特別地，淨化氣體流暢地移動至淨化氣體排氣孔311而使淨化氣體的排氣效率良好。當淨化氣體的排氣效率如上所述而改善時，淨化時間縮短且其可避免來源氣體殘留。據此，總製程時間縮短，且沉積薄膜之品質變得優異。
形成於淨化氣體注入噴嘴上之坡度自垂直於第一方向D之方向(第10圖之Y₁方向)具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。若有需要，本技術領域中具有通常知識者可選擇在上述範圍內適合的傾斜角度。舉例而言，考慮淨化氣體之注入速度與注入壓力，傾斜角度θ之範圍可限於約15度至約60度內。在以此範圍的傾斜角度而注入淨化氣體至基板上後，淨化氣體係流暢地透過排氣孔排出。
根據一實施例，第一來源氣體注入噴嘴211與第二來源氣體注入噴嘴221之至少其一具有朝向淨化氣體注入噴嘴301傾斜之坡度。第8圖及第9圖繪示第一來源氣體注入噴嘴211與第二來源氣體注入噴嘴221，其各具有狹縫形狀。在此情況下，坡度可形成於狹縫之一端上。
坡度可自垂直於第一方向D之方向(Y₁方向)具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。當然，傾斜角度θ之範圍可更限制於約15度至約60度。
第9圖繪示皆具有坡度之第一來源氣體注入噴嘴211與第二來源氣體注入噴嘴221之範例。
所揭露之實施例之至少其一提供一種藉由使用上述原子層沉積裝置密封有機發光裝置之密封方法。
第11圖繪示當藉由使用上述原子層沉積裝置於一方向D₁移動基板400時形成薄膜於基板上之製程。於此，欲密封之有機發光裝置對應至基板400。
根據實施例之有機發光裝置之密封方法包含將欲密封之有機發光裝置放置於原子層沉積裝置之基板支撐架500上之步驟；於第一方向上移動原子層沉積裝置之基板支撐架500與噴頭100之至少其一之移動步驟；以及藉由於移動基板支撐架500與噴頭100之至少其一的移動步驟時，透過噴頭100注入第一來源氣體、第二來源氣體、以及淨化氣體以將一或多個第一原子層701以及一或多個第二原子層702沉積於欲密封之有機發光裝置上之沉積步驟。
如上所述而沉積的第一原子層701與第二原子層702係彼此反應以形成具有預期厚度及特性之薄膜。
根據一實施例，薄膜的沉積係於欲密封之有機發光裝置移動時執行，以使薄膜的沉積自欲密封之有機發光裝置之一端進行至另一端。在移動步驟中，舉例來說，用以支撐欲密封之有機發光裝置，即基板400的基板支撐架500可移動於如上所述之第一方向的左邊方向D₁。
沉積步驟包含下列步驟1至4。首先，第一來源氣體係於欲密封之有機發光裝置於第一方向D₁移動時，透過排列於噴頭100之第一噴嘴套組110中之第一來源氣體注入噴嘴211注入以沉積第一原子層701於欲密封之有機發光裝置上(步驟1)。
接著，淨化氣體係於已進行步驟1後，透過排列於第一噴嘴套組110中之淨化氣體注入噴嘴301注入以移除殘留第一來源氣體(步驟2)。
接著，第二來源氣體係於已進行步驟1與步驟2後，透過排列於第一噴嘴套組110中之第二來源氣體注入噴嘴221注入以沉積第二原子層702於第一原子層701上(步驟3)。
且接著，淨化氣體係於已進行步驟1、步驟2、步驟3後，透過排列於第一噴嘴套組110中之淨化氣體注入噴嘴301注入以移除殘留第二來源氣體(步驟4)。
噴頭100可僅包含一個第一噴嘴套組110。在此情況下，當完成包含步驟1至4之沉積步驟時，包含一層第一原子層701以及一層第二原子層702之薄膜可形成於欲密封之有機發光裝置上。
如上所述，有機發光裝置可被密封且藉由使用根據實施例之原子層沉積方法而封裝。
另一方面，在沉積步驟後，則執行回復基板支撐架500與噴頭100之至少其一的回復步驟，例如，將其上設置有欲密封之有機發光裝置的基板支撐架500回復至原始位置。且接著可再次執行移動步驟與沉積步驟。亦即，移動步驟、沉積步驟、以及回復步驟可重複地執行。在此情況下，可形成較厚的薄膜。
再者，噴頭100可包含如第6圖中可見之複數個噴嘴套組(110、120等)。在此情況下，當執行欲密封之有機發光裝置之移動步驟一次時，亦即，當欲密封之有機發光裝置於第一方向D移動一次時，包含步驟1至4之沉積步驟可依次地執行數次。
具體來說，如上所述，氣體係透過第一噴嘴套組110之噴嘴211、301、以及221而注入以沉積第一原子層701以及第二原子層702於欲密封之有機發光裝置上。
接著，氣體係透過第二噴嘴套組120之噴嘴211、301、以及221而注入以再一次沉積第一原子層703於第二原子層702上以及第二原子層704於第一原子層703上。藉由第一噴嘴套組110之第一原子層701與第二原子層702的沉積、以及藉由第二噴嘴套組120之第一原子層703與第二原子層704的沉積可同時執行。如第6圖與第11圖可見的是，第二噴嘴套組120可包含用以沉積第一來源氣體之第一部分噴嘴套組121、以及用以沉積第二來源氣體之第二部分噴嘴套組122。第二噴嘴套組120之第一部分噴嘴套組121包含第一來源氣體注入噴嘴211以及淨化氣體注入噴嘴301，而第二噴嘴套組120之第二部分噴嘴套組122包含第二來源氣體注入噴嘴221以及淨化氣體注入噴嘴301。
當然，第一原子層與第二原子層之沉積可藉由使用額外配備之噴嘴套組而持續地執行。
如上所述，其可能藉由交替地沉積複數層第一原子層與複數層第二原子層而沉積具有較厚厚度的薄膜於欲密封之有機發光裝置上。
同時在此情況下，在沉積步驟後，係執行將其上設置有欲密封之有機發光裝置之基板支撐架500回復至原始位置之回復步驟。且接著可再次執行移動步驟與沉積步驟。亦即，其可藉由重複地執行移動步驟、沉積步驟、以及回復步驟而形成較厚的薄膜。當根據實施例之原子層沉積方法應用於有機發光裝置之密封製程時，其可能形成具有幾千埃米(A)厚度之密封薄膜。
至少一實施例亦提供一種用於沉積之噴嘴套組。
如第8圖所示，根據實施例之噴嘴套組包含用於沉積第一來源氣體之第一部分噴嘴套組111以及用於沉積第二來源氣體之第二部分噴嘴套組112，其中第一部分噴嘴套組111包含第一來源氣體注入噴嘴211、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311，而第二部分噴嘴套組112包含第二來源氣體注入噴嘴221、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311。於此，淨化氣體注入噴嘴301具有朝向淨化氣體排氣孔311傾斜之坡度。在第8圖中，特別地，第一來源氣體注入噴嘴211、第二來源氣體注入噴嘴221、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311具有狹縫形狀，且淨化氣體注入噴嘴301之一端具有坡度。
根據一實施例，形成於淨化氣體注入噴嘴上之坡度自垂直於第一方向D之方向(Y₁方向)可具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。考慮淨化氣體之注入速度與注入壓力，傾斜角度θ之範圍可更限制於約15度至約60度內。
根據一實施例，第一來源氣體注入噴嘴211與第二來源氣體注入噴嘴221之至少其一可具有朝向淨化氣體注入噴嘴301傾斜之坡度。第9圖繪示包含皆具有坡度之第一來源氣體注入噴嘴211與第二來源氣體注入噴嘴221的噴嘴套組。在此情況下，此傾斜自垂直於第一方向D之方向(Y₁方向)可具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。同時，考慮來源氣體之注入速度、注入壓力等，傾斜角度θ之範圍可更限制於約15度至約60度內。
至少一實施例提供一種包含顯示於第10圖中之單一噴嘴套組之原子層沉積裝置。原子層沉積裝置包含反應室600、安裝於反應室之內側以支撐基板400之基板支撐架500、以及包含設置於基板支撐架上側之一或多個的噴嘴套組111以注入來源氣體與淨化氣體至基板上之噴頭100。在原子層沉積裝置中，基板支撐架與噴頭之至少其一係以其可於第一方向D移動之方式而安裝，各一或多個噴嘴套組111包含來源氣體注入噴嘴211、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311，各來源氣體注入噴嘴211、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311係延伸於垂直第一方向之方向，其中淨化氣體注入噴嘴301具有朝向淨化氣體排氣孔311傾斜之坡度。
第10圖繪示具有狹縫形狀之來源氣體注入噴嘴211、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311。在此情況下，噴嘴的末端可具有坡度。
於此，形成於淨化氣體注入噴嘴上之坡度自垂直於第一方向D之方向(第10圖之Y₁方向)可具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。考慮淨化氣體之注入速度、注入壓力等，傾斜角度θ之範圍可更限制為約15度至約60度內。
根據一實施例，來源氣體注入噴嘴211可具有朝向淨化氣體注入噴嘴301傾斜之坡度。於此，坡度自垂直於第一方向D之方向可具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。考慮來源氣體之注入速度、注入壓力等，傾斜角度θ之範圍可更限制為約15度至約60度內。
至少一實施例提供一種藉由使用原子層沉積裝置以用於封裝有機發光裝置之有機發光裝置之密封方法。根據實施例之有機發光裝置之密封方法包含將欲密封之有機發光裝置放置於原子層沉積裝置之基板支撐架500上之步驟；於第一方向移動原子層沉積裝置之基板支撐架500與噴頭100之至少其一之移動步驟；當移動步驟進行後，藉由透過噴頭100注入來源氣體以將原子層沉積於欲密封之有機發光裝置上之沉積步驟；以及當沉積步驟已進行後，藉由注入淨化氣體以移除殘留來源氣體之淨化步驟。
如第10圖所示，一實施例提供一種包含來源氣體注入噴嘴211、淨化氣體注入噴嘴301、以及淨化氣體排氣孔311依序排列之用於沉積的噴嘴套組，其中淨化氣體注入噴嘴301具有朝向淨化氣體排氣孔311傾斜之坡度。
於此，形成於淨化氣體注入噴嘴上之坡度自垂直於第一方向D之方向(第10圖之Y₁方向)可具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。本技術領域中具有通常知識者若需要可選擇在該範圍內之適合的傾斜角度。舉例而言，考慮淨化氣體之注入速度、注入壓力等，傾斜角度θ之範圍可更限制為約15度至約60度內。
根據一實施例，第一來源氣體注入噴嘴211可具有朝向淨化氣體注入噴嘴301傾斜之坡度。在此情況下，此坡度自垂直於第一方向D之方向可具有大於約0度且小於約90度之傾斜角度θ。在一些情況下，傾斜角度θ之範圍可更限制於約15度至約60度內。
根據實施例之原子層沉積裝置改善部分淨化氣體注入噴嘴之結構以增加原子層沉積過程中之淨化氣體的清除效率，因而使淨化製程之速度可增加。結果，當使用根據實施例之原子層沉積裝置時，可改善沉積速度以及薄膜品質。
雖然實施例已對應附圖而描述，本技術領域中具有通常知識者將理解的是各種修改、添加、以及替換在未脫離後附之申請專利範圍之範疇與精神下係為可行的。
100．．．噴頭
110、120．．．噴嘴套組
111、121．．．第一部分噴嘴套組
112、122．．．第二部分噴嘴套組
211．．．第一來源氣體注入噴嘴
221．．．第二來源氣體注入噴嘴
301．．．淨化氣體注入噴嘴
210．．．第一來源氣體儲存槽
220．．．第二來源氣體儲存槽
300．．．淨化氣體儲存槽
215．．．第一來源氣體主線
216．．．第一來源氣體支線
225．．．第二來源氣體主線
226．．．第二來源氣體支線
305．．．淨化氣體主線
306．．．淨化氣體支線
310．．．淨化氣體排氣噴嘴
311．．．淨化氣體排氣孔
400．．．基板
500．．．基板支撐架
600．．．反應室
610．．．排氣孔
700．．．真空幫浦
701、703．．．第一原子層
702、704．．．第二原子層
800．．．殘留來源氣體
D．．．第一方向
D₁、D₂、Y₁．．．方向
Fi、Fo．．．淨化氣體
L．．．長度
W₁、W₂．．．寬度
θ．．．傾斜角度
第1圖繪示一原子層沉積裝置；第2圖係為原子層沉積裝置之噴頭以及排列於噴頭中之噴嘴套組之範例的透視示意圖；第3圖係為插入模組式原子層沉積裝置之噴頭的噴嘴套組之範例的橫截面示意圖；第4圖係繪示在根據第3圖之噴嘴套組中，淨化氣體透過淨化氣體注入噴嘴注入至基板以移除殘留來源氣體之示意圖；第5圖係繪示排列於原子層沉積裝置之噴頭的噴嘴套組以及連接噴嘴套組與氣槽之氣體供應線的示意圖；第6圖係繪示插入原子層沉積裝置之噴頭的模組式噴嘴套組之範例的外部透視圖；第7圖係插入原子層沉積裝置之噴頭的模組式噴嘴套組之另一範例的外部透視圖；第8圖係根據一實施例之應用於原子層沉積裝置之噴嘴套組範例之橫截面示意圖；第9圖係為根據一實施例之應用於原子層沉積裝置之噴嘴套組另一範例之橫截面示意圖；第10圖係根據一實施例之應用於原子層沉積裝置之噴嘴套組另一範例之橫截面示意圖；以及第11圖係繪示於移動基板於一方向時藉由使用根據一實施例之原子層沉積裝置而形成薄膜於基板上之製程示意圖。
100．．．噴頭
210．．．第一來源氣體儲存槽
220．．．第二來源氣體儲存槽
300．．．淨化氣體儲存槽
400．．．基板
500．．．基板支撐架
600．．．反應室
610．．．排氣孔
700．．．真空幫浦
D．．．第一方向

权利要求:
Claims (38)
[1] 一種原子層沉積裝置，其包含：一反應室；一基板支撐架，其係安裝於該反應室之內側以支撐一基板；以及一噴頭，其包含配置以注入一第一來源氣體、一第二來源氣體、以及一淨化氣體至該基板上之一或多個噴嘴套組，其中該噴頭係設置於該基板支撐架上，其中該基板支撐架及該噴頭之至少其一係安裝以於一第一方向移動，各該一或多個噴嘴套組包含配置以沉積該第一來源氣體之一第一部分噴嘴套組、以及配置以沉積該第二來源氣體之一第二部分噴嘴套組，該第一部分噴嘴套組包含一第一來源氣體注入噴嘴，該第二部分噴嘴套組包含一第二來源氣體注入噴嘴，各該第一部分噴嘴套組與該第二部分噴嘴套組包含一淨化氣體注入噴嘴以及一淨化氣體排氣孔，以及各該第一來源氣體注入噴嘴、該第二來源氣體注入噴嘴、該淨化氣體注入噴嘴、以及該淨化氣體排氣孔係延伸於實質上垂直於該第一方向之一方向，且其中該淨化氣體注入噴嘴具有朝向該淨化氣體排氣孔傾斜之一坡度。
[2] 如申請專利範圍第1項所述之原子層沉積裝置，其中形成在該淨化氣體注入噴嘴上之該坡度相對於實質上垂直於該第一方向的該方向具有大於約0度且小於約90度之一傾斜角度θ。
[3] 如申請專利範圍第2項所述之原子層沉積裝置，其中該傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍中。
[4] 如申請專利範圍第1項所述之原子層沉積裝置，其中該第一來源氣體注入噴嘴與該第二來源氣體注入噴嘴之至少其一具有朝向該淨化氣體注入噴嘴傾斜之一坡度。
[5] 如申請專利範圍第4項所述之原子層沉積裝置，其中該坡度相對於實質上垂直於該第一方向的該方向具有大於約0度且小於約90度之一傾斜角度θ。
[6] 如申請專利範圍第5項所述之原子層沉積裝置，其中該傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍中。
[7] 如申請專利範圍第1項所述之原子層沉積裝置，其中各該第一來源氣體注入噴嘴、該第二來源氣體注入噴嘴、該淨化氣體注入噴嘴、以及該淨化氣體排氣孔之長度係大於或實質上相同於實質上垂直於該第一方向之該基板的寬度。
[8] 如申請專利範圍第1項所述之原子層沉積裝置，其中該噴頭包含實質上依序地排列於該第一方向之複數個該噴嘴套組。
[9] 如申請專利範圍第8項所述之原子層沉積裝置，其中該噴頭包含該複數個噴嘴套組，該複數個噴嘴套組之數目係對應於將沉積於該基板上之一薄膜的厚度。
[10] 如申請專利範圍第1項所述之原子層沉積裝置，其中該噴頭包含排列於該噴頭中之i)一第一來源氣體供應線，其係配置以供應該第一來源氣體至該第一來源氣體注入噴嘴、ii)一第二來源氣體供應線，其係配置以供應該第二來源氣體至該第二來源氣體注入噴嘴、以及iii)一淨化氣體供應線，其係配置以供應該淨化氣體至該淨化氣體注入噴嘴。
[11] 如申請專利範圍第10項所述之原子層沉積裝置，其中該第一來源氣體供應線、該第二來源氣體供應線、以及該淨化氣體供應線係彼此分隔。
[12] 如申請專利範圍第10項所述之原子層沉積裝置，其中該第一來源氣體供應線包含一第一來源氣體主線，其係連接至位於該反應室外側之一第一來源氣體儲存槽、以及一或多條第一來源氣體支線，其係自該第一來源氣體主線分支以連接至各該第一來源氣體注入噴嘴；該第二來源氣體供應線包含一第二來源氣體主線，其係連接至位於該反應室外側之一第二來源氣體儲存槽、以及一或多條第二來源氣體支線，其係自該第二來源氣體主線分支以連接至各該第二來源氣體注入噴嘴；該淨化氣體供應線包含一淨化氣體主線，其係連接至位於該反應室外側之一淨化氣體儲存槽、以及一或多條淨化氣體支線，其係自該淨化氣體主線分支以連接至各該淨化氣體注入噴嘴。
[13] 如申請專利範圍第1項所述之原子層沉積裝置，其中該噴頭係固定地安裝，且該基板支撐架係安裝以於該第一方向中移動。
[14] 一種有機發光裝置之密封方法，其包含下列步驟：將欲密封之一有機發光裝置放置於如申請專利範圍第1項所述之原子層沉積裝置之該基板支撐架上；於該第一方向移動該基板支撐架以及該噴頭之至少其一；以及於該第一方向移動該基板支撐架以及該噴頭之至少其一時藉由透過該噴頭注入該第一來源氣體、該第二來源氣體、以及該淨化氣體而將一或多個第一原子層以及一或多個第二原子層沉積於欲密封之該有機發光裝置上，其中沉積該一或多個第一原子層以及該一或多個第二原子層包含：一第一步驟，其係注入該第一來源氣體以將該第一原子層沉積於欲密封之該有機發光裝置上；一第二步驟，其係於進行該第一步驟時或在該第一步驟後注入該淨化氣體以移除一殘留第一來源氣體；一第三步驟，其係注入該第二來源氣體以將該第二原子層沉積於該第一原子層上；及一第四步驟，其係於進行該第三步驟時或在該第三步驟後注入該淨化氣體以移除一殘留第二來源氣體。
[15] 如申請專利範圍第14項所述之有機發光裝置之密封方法，其中該沉積步驟係自該有機發光裝置之一端至另一端而執行。
[16] 如申請專利範圍第14項所述之有機發光裝置之密封方法，其中注入之該第一步驟、注入之該第二步驟、注入之該第三步驟、以及注入之該第四步驟係執行數次，而該移動步驟係執行一次。
[17] 如申請專利範圍第14項所述之有機發光裝置之密封方法，更包含在該沉積步驟後將該有機發光裝置及該噴頭之至少其一回復至原始位置。
[18] 如申請專利範圍第17項所述之有機發光裝置之密封方法，其中上述之移動、沉積、以及回復之步驟係反覆地執行。
[19] 如申請專利範圍第14項所述之有機發光裝置之密封方法，其中該噴頭係固定的，且該有機發光裝置放置於其上之該基板支撐架係於該第一方向移動。
[20] 一種用於沉積之噴嘴套組，其包含：一第一部分噴嘴套組，其係配置以沉積一第一來源氣體；以及一第二部分噴嘴套組，其係配置以沉積一第二來源氣體，其中該第一部分噴嘴套組包含一第一來源氣體注入噴嘴，該第二部分噴嘴套組包含一第二來源氣體注入噴嘴，各該第一部分噴嘴套組與該第二部分噴嘴套組包含一淨化氣體注入噴嘴與一淨化氣體排氣孔，以及該淨化氣體注入噴嘴具有朝向該淨化氣體排氣孔傾斜之一坡度。
[21] 如申請專利範圍第20項所述之噴嘴套組，其中形成於該淨化氣體注入噴嘴之該坡度相對於實質上垂直於一第一方向之一方向具有大於約0度且小於約90度之一傾斜角度θ。
[22] 如申請專利範圍第21項所述之噴嘴套組，其中該傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍中。
[23] 如申請專利範圍第20項所述之噴嘴套組，其中該第一來源氣體注入噴嘴與該第二來源氣體注入噴嘴之至少其一具有朝向該淨化氣體注入噴嘴傾斜之一坡度。
[24] 如申請專利範圍第23項所述之噴嘴套組，其中該坡度相對於實質上垂直於一第一方向之一方向具有大於約0度且小於約90度之一傾斜角度θ。
[25] 如申請專利範圍第24項所述之噴嘴套組，其中該傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍中。
[26] 一種原子層沉積裝置，其包含：一反應室；一基板支撐架，其係安裝於該反應室之內側以支撐一基板；以及一噴頭，其包含配置以注入一來源氣體以及一淨化氣體至該基板上之一或多個噴嘴套組，該噴頭係設置於該基板支撐架上，其中該基板支撐架與該噴頭之至少其一係安裝以於一第一方向移動，該噴嘴套組包含一來源氣體注入噴嘴、一淨化氣體注入噴嘴、以及一淨化氣體排氣孔，各該來源氣體注入噴嘴、該淨化氣體注入噴嘴、以及該淨化氣體排氣孔係延伸於實質上垂直於該第一方向之一方向，以及該淨化氣體注入噴嘴具有朝向該淨化氣體排氣孔傾斜之一坡度。
[27] 如申請專利範圍第26項所述之原子層沉積裝置，其中形成於該淨化氣體注入噴嘴上之該坡度相對於實質上垂直於該第一方向之該方向具有大於約0度且小於約90度之一傾斜角度θ。
[28] 如申請專利範圍第27項所述之原子層沉積裝置，其中該傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍中。
[29] 如申請專利範圍第26項所述之原子層沉積裝置，其中該來源氣體注入噴嘴具有朝向該淨化氣體注入噴嘴傾斜之一坡度。
[30] 如申請專利範圍第29項所述之原子層沉積裝置，其中該坡度相對於實質上垂直於該第一方向之該方向具有大於約0度且小於約90度之一傾斜角度θ。
[31] 如申請專利範圍第30項所述之原子層沉積裝置，其中該傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍中。
[32] 一種有機發光裝置之密封方法，其包含：將欲密封之一有機發光裝置放置於如申請專利範圍第26項所述之原子層沉積裝置之該基板支撐架上；於該第一方向移動該原子層沉積裝置之該基板支撐架與該噴頭之至少其一；於移動該基板支撐架以及該噴頭之至少其一時，藉由透過該噴頭注入該來源氣體而將一原子層沉積於欲密封之該有機發光裝置上；以及於沉積該原子層於欲密封之該有機發光裝置上時，藉由注入該淨化氣體而移除一殘留來源氣體。
[33] 一種用於沉積之噴嘴套組，其包含：一來源氣體注入噴嘴、一淨化氣體注入噴嘴、以及一淨化氣體排氣孔，其中該來源氣體注入噴嘴、該淨化氣體注入噴嘴、以及該淨化氣體排氣孔係實質上依序地排列，以及其中該淨化氣體注入噴嘴具有朝向該淨化氣體排氣孔傾斜之一坡度。
[34] 如申請專利範圍第33項所述之噴嘴套組，其中形成於該淨化氣體注入噴嘴上之該坡度相對於一淨化氣體注入方向具有大於約0度且小於約90度之一傾斜角度θ。
[35] 如申請專利範圍第34項所述之噴嘴套組，其中該傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍中。
[36] 如申請專利範圍第33項所述之噴嘴套組，其中該來源氣體注入噴嘴具有朝向該淨化氣體注入噴嘴傾斜之一坡度。
[37] 如申請專利範圍第36項所述之噴嘴套組，其中該坡度相對於一來源氣體注入方向具有大於約0度且小於約90度之一傾斜角度θ。
[38] 如申請專利範圍第37項所述之噴嘴套組，其中該傾斜角度θ係於約15度至約60度之範圍中。

类似技术:

公开号 | 公开日 | 专利标题

TWI552199B|2016-10-01|噴嘴套組、包含該噴嘴套組之原子層沉積裝置以及使用其之有機發光裝置之密封方法

KR20090122727A|2009-12-01|원자층 증착 장치와 이를 이용한 원자층 증착 방법

JP6591501B2|2019-10-16|回転式基板処理システム

TWI623993B|2018-05-11|具備紫外線處理之沉積室及其使用方法

JP4939563B2|2012-05-30|半導体装置の製造方法

JP5989682B2|2016-09-07|原子層堆積のための装置及びプロセス

JP2015512144A|2015-04-23|マルチチャンバ基板処理システム

US20130323422A1|2013-12-05|Apparatus for CVD and ALD with an Elongate Nozzle and Methods Of Use

KR101881894B1|2018-07-26|박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법

US9556520B2|2017-01-31|Method of depositing an atomic layer

WO2019019569A1|2019-01-31|用于镀膜的喷头、设备和相应方法

KR20190081002A|2019-07-09|증착 장치 및 그것을 이용한 증착 방법

KR20110106036A|2011-09-28|박막 증착 장치

US20090205570A1|2009-08-20|Gas supply unit and chemical vapor deposition apparatus

KR20070035864A|2007-04-02|원자층 증착 장치

KR101173085B1|2012-08-10|박막 증착장치

US20160138157A1|2016-05-19|Thin film deposition apparatus

KR101539095B1|2015-07-24|박막증착장치 및 그에 사용되는 리니어소스

KR101141069B1|2012-05-10|배치형 원자층 증착 장치

KR101533610B1|2015-07-06|박막증착장치

KR20190086236A|2019-07-22|원자층 증착장치

KR20200077655A|2020-07-01|원자층 증착장치

KR20140146890A|2014-12-29|박막증착장치 및 그에 사용되는 리니어소스

KR20180096853A|2018-08-30|박막 증착 장치

KR20160065071A|2016-06-08|기상 증착 장치, 기상 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법

同族专利:

公开号 | 公开日

US8735188B2|2014-05-27|

CN102851648A|2013-01-02|

CN102851648B|2016-08-03|

US20130005057A1|2013-01-03|

KR20130007192A|2013-01-18|

KR101830976B1|2018-02-22|

TWI552199B|2016-10-01|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

KR100444149B1|2000-07-22|2004-08-09|주식회사 아이피에스|Ald 박막증착설비용 클리닝방법|

KR100476370B1|2002-07-19|2005-03-16|주식회사 하이닉스반도체|배치형 원자층증착장치 및 그의 인시튜 세정 방법|

KR20060020194A|2004-08-31|2006-03-06|삼성전자주식회사|Ａｌｄ 박막 증착 장치 및 그를 이용한 증착 방법|

KR100596495B1|2004-12-13|2006-07-04|삼성전자주식회사|금속 화합물의 증착 방법 및 이를 수행하기 위한 장치|

KR20060076714A|2004-12-28|2006-07-04|에이에스엠지니텍코리아 주식회사|원자층 증착기|

US8057602B2|2007-05-09|2011-11-15|Applied Materials, Inc.|Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber|

KR100949914B1|2007-11-28|2010-03-30|주식회사 케이씨텍|원자층 증착 장치|

KR100960958B1|2007-12-24|2010-06-03|주식회사 케이씨텍|박막 증착 장치 및 증착 방법|

US8980101B2|2008-09-04|2015-03-17|Nalco Company|Method for inhibiting scale formation and deposition in membrane systems via the use of an AA-AMPS copolymer|

KR101028408B1|2008-12-29|2011-04-13|주식회사 케이씨텍|가스분사 유닛 및 이를 구비하는 원자층 증착장치|

KR101223489B1|2010-06-30|2013-01-17|삼성디스플레이 주식회사|기판 가공 장치|

KR20120137017A|2011-06-10|2012-12-20|삼성디스플레이 주식회사|인라인 증착 장치|KR101881894B1|2012-04-06|2018-07-26|삼성디스플레이 주식회사|박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법|

US20150376787A1|2013-05-17|2015-12-31|Universal Display Corporation|Spatial control of vapor condensation using convection|

US11220737B2|2014-06-25|2022-01-11|Universal Display Corporation|Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials|

KR102205399B1|2013-08-02|2021-01-21|삼성디스플레이 주식회사|기상 증착 장치|

KR102164707B1|2013-08-14|2020-10-13|삼성디스플레이 주식회사|원자층 증착 방법 및 원자층 증착 장치|

KR102173047B1|2013-10-10|2020-11-03|삼성디스플레이 주식회사|기상 증착 장치|

KR102150361B1|2014-02-19|2020-09-01|주식회사 케이씨텍|원자층 증착 장치|

KR102268959B1|2014-03-31|2021-06-24|삼성디스플레이 주식회사|원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법|

KR102337807B1|2014-11-14|2021-12-09|삼성디스플레이 주식회사|박막 증착 장치|

KR20170025417A|2015-08-28|2017-03-08|삼성전자주식회사|Cs-ald 장치의 샤워헤드|

US10566534B2|2015-10-12|2020-02-18|Universal Display Corporation|Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing |

WO2017103333A1|2015-12-17|2017-06-22|Beneq Oy|A coating precursor nozzle and a nozzle head|

KR101777689B1|2016-09-21|2017-09-12|에이피시스템 주식회사|복합막 증착장치 및 증착방법|

KR20180114581A|2017-04-10|2018-10-19|삼성디스플레이 주식회사|표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법|

US10190216B1|2017-07-25|2019-01-29|Lam Research Corporation|Showerhead tilt mechanism|

FI20175919A1|2017-10-18|2019-04-19|Beneq Oy|Nozzle and nozzle head|

US11033924B2|2018-01-31|2021-06-15|Universal Display Corporation|Organic vapor jet print head with orthogonal delivery and exhaust channels|

CN110656318B|2019-10-24|2020-07-10|华中科技大学|一种模块化密封式空间隔离原子层沉积薄膜设备|

法律状态:

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

KR1020110064229A|KR101830976B1|2011-06-30|2011-06-30|원자층 증착장치|

[返回顶部]