台湾专利TW201300984A 可變電壓產生電路

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可變電壓產生電路包含一放大器、一P型金氧半電晶體、至少一可變電阻及一下電阻。每一可變電阻包含M個電阻及M個開關，其中該M個開關之一第i開關，具有一第一端，耦接於該可變電阻的第一端，及一第二端；及一第i電阻，具有一第一端，耦接於該第i開關的第二端，及一第二端，耦接於一第i+1電阻的第一端，其中2≦M，1≦i≦M，i、M為自然數。因此，該可變電壓產生電路可根據一參考電壓、該至少一可變電阻及該下電阻，輸出至少一可變電壓。
公开号:TW201300984A
申请号:TW100122261
申请日:2011-06-24
公开日:2013-01-01
发明作者:Yen-An Chang
申请人:Etron Technology Inc；
IPC主号:G05F1-00

专利说明:
可變電壓產生電路
本發明係有關於一種可變電壓產生電路，尤指一種可根據至少一可變電阻，產生至少一可變電壓的可變電壓產生電路。
請參照第1圖，第1圖係為先前技術說明可變電壓產生電路100的示意圖。可變電壓產生電路100包含一放大器102、一P型金氧半電晶體104、一上電阻RU、一下電阻RD、一電阻R0及一可變電阻106，其中可變電阻106包含複數個串聯電阻R1-Rn以及複數個並聯開關S1-Sn，且每一電阻和一開關並聯。
如第1圖所示，當複數個並聯開關S1-Sn皆關閉時，可變電壓VINTREF可由式(1)決定。
VINTREF=IREF*((R1+R2+...+Rn)+RU+RD)IREF=VREF/RD　(1)
當開關S1開啟，S2-Sn皆關閉時，因為參考電流IREF流經開關S1取代流經電阻R1，因此可變電壓VINTREF可由式(2)決定。
VINTREF=IREF*((R2+...+Rn)+RU+RD)　(2)
因此，使用者可藉由控制複數個並聯開關S1-Sn的開啟與關閉，以調整可變電壓VINTREF。然而，每一電阻和一開關並聯，且開關的內電阻隨著半導體的製程、所受電壓及溫度而變化。所以，當與開關並聯的電阻的阻值越小時，產生的可變電壓VINTREF越不準確。
本發明的一實施例提供一種可變電壓產生電路。該可變電壓產生電路包含一放大器、一P型金氧半電晶體、一第一可變電阻及一下電阻。該放大器具有一第一輸入端，用以接收一第一電壓，一第二輸入端，用以接收一參考電壓，一第三輸入端，及一輸出端。該P型金氧半電晶體具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接於該放大器的輸出端，及一第三端。該第一可變電阻具有一第一端，耦接於該P型金氧半電晶體的第三端，用以輸出一第一可變電壓，及一第二端，耦接於該放大器的第三輸入端，其中該第一可變電阻包含M個電阻及M個開關，其中該M個開關之一第i開關，具有一第一端，耦接於該第一可變電阻的第一端，及一第二端；及其中該M個電阻之一第i電阻，具有一第一端，耦接於該第i開關的第二端，及一第二端，耦接於一第i+1電阻的第二端，其中一第M電阻的第二端，耦接於該第一可變電阻的第二端，2≦M，1≦i≦M，i、M為自然數。該下電阻具有一第一端，耦接於該放大器的第三輸入端，及一第二端，耦接於一地端。
本發明的另一實施例提供一種可變電壓產生電路。該可變電壓產生電路包含一放大器、一P型金氧半電晶體、一第一可變電阻及一下電阻。該放大器具有一第一輸入端，用以接收一第一電壓，一第二輸入端，用以接收一參考電壓，一第三輸入端，及一輸出端；該P型金氧半電晶體具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接於該放大器的輸出端，及一第三端；該第一可變電阻具有一第一端，耦接於該P型金氧半電晶體的第三端，用以輸出一第一可變電壓，及一第二端，耦接於該放大器的第三輸入端，其中該第一可變電阻包含M-1個電阻及M個開關，其中該M個開關之一第i開關具有一第一端，耦接於該第一可變電阻的第二端，及一第二端；其中該M-1個電阻之一第i電阻具有一第一端，耦接於該第i開關的第二端，及一第二端，耦接於一第i+1開關的第二端，其中一第一電阻的第一端耦接該第一可變電阻的第一端，一第M開關的第一端耦接該第一可變電阻的第二端，其中2≦M，1≦i≦M-1，i、M為自然數。該下電阻，具有一第一端，耦接於該放大器的第三輸入端，及一第二端，耦接於一地端。
本發明提供的一種可變電壓產生電路，係利用至少一可變電阻中的至少二串聯開關以選擇至少一可變電阻的阻值，產生至少一可變電壓。因此，可改善先前技術中每一電阻和一開關並聯，而造成該至少一可變電壓隨著半導體的製程、所受電壓及溫度而變化的缺點，可減少開關的內電阻的影響，以及可同時產生至少一可變電壓。
請參照第2圖，第2圖係為本發明的一實施例說明可變電壓產生電路200的示意圖。可變電壓產生電路200包含一放大器202、一P型金氧半電晶體204、一上電阻RU、一下電阻RD及一可變電阻206。放大器202具有一第一輸入端，用以接收一第一電壓VDD，一第二輸入端，用以接收一參考電壓VREF，一第三輸入端，及一輸出端。P型金氧半電晶體204具有一第一端，用以接收第一電壓VDD，一第二端，耦接於放大器202的輸出端，及一第三端。上電阻RU具有一第一端，耦接於P型金氧半電晶體204的第三端，及一第二端，用以輸出一可變電壓VINTREF，其中上電阻RU之阻值可為零。下電阻RD具有一第一端，耦接於放大器202的第三輸入端，及一第二端，耦接於一地端。可變電阻206具有一第一端，耦接於上電阻RU的第二端，及一第二端，耦接於放大器202的第三輸入端。另外，可變電阻206包含第一開關S11、第二開關S12、第三開關S13、第四開關S14和第一電阻R11、第二電阻R12、第三電阻R13、第四電阻R14，而每一開關的第一端皆耦接於可變電阻206的第一端，且第一電阻R11、第二電阻R12、第三電阻R13、第四電阻R14的阻值係為相同、部分相同或係為不同。第一開關S11的第二端係耦接於第一電阻R11的第一端，第二開關S12的第二端係耦接於第二電阻R12的第一端，第三開關S13的第二端係耦接於第三電阻R13的第一端，及第四開關S14的第二端係耦接於第四電阻R14的第一端。另外，第一電阻R11的第二端係耦接於第二電阻R12的第一端，第二電阻R12的第二端係耦接於第三電阻R13的第一端，第三電阻R13的第二端係耦接於第四電阻R14的第一端，及第四電阻R14的第二端係耦接於放大器202的第三輸入端。但本發明的可變電阻206並不受限於4個開關和4個電阻，只要可變電阻206的開關和電阻的數目大於或等於2，皆屬於本發明的範疇。
參考電流IREF係由式(3)決定。
IREF=VREF/RD　(3)
因此，當第一開關S11開啟，第二開關S12、第三開關S13及第四開關S14關閉時，可變電壓VINTREF係由式(4)決定。
VINTREF=IREF*(RD+R11+R12+R13+R14)　(4)
當第二開關S12開啟，第三開關S13及第四開關S14關閉時，可變電壓VINTREF係由式(5)決定。
VINTREF=IREF*(RD+R12+R13+R14)　(5)
當第三開關S13開啟，第四開關S14關閉時，可變電壓VINTREF係由式(6)決定。
VINTREF=IREF*(RD+R13+R14)　(6)
當第四開關S14開啟時，可變電壓VINTREF係由式(7)決定。
VINTREF=IREF*(RD+R14)　(7)
請參照第3圖，第3圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路300的示意圖。可變電壓產生電路300和可變電壓產生電路200的差別在於可變電壓產生電路300另包含一第一上電阻RFU，具有一第一端耦接於上電阻RU的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻206的第一端。因此，當第一開關S11開啟，第二開關S12、第三開關S13及第四開關S14關閉時，可變電壓VINTREF係由式(8)決定。
VINTREF=IREF*(RD+RFU+R11+R12+R13+R14)　(8)
另外，可變電壓產生電路300的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路200相同，在此不再贅述。
請參照第4圖，第4圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路400的示意圖。可變電壓產生電路400和可變電壓產生電路300的差別在於可變電壓產生電路400中的可變電阻206另包含一電阻R，具有一第一端耦接於第四電阻R14的第二端，及一第二端，耦接於放大器202的第三輸入端。因此，當第一開關S11開啟，第二開關S12、第三開關S13及第四開關S14關閉時，可變電壓VINTREF係由式(9)決定。
VINTREF=IREF*(RD+RFU+R+R11+R12+R13+R14)　(9)
另外，可變電壓產生電路400的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路300相同，在此不再贅述。
請參照第5圖，第5圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路500的示意圖。可變電壓產生電路500和可變電壓產生電路200的差別在於可變電壓產生電路500中的可變電阻206另包含一電阻R，具有一第一端耦接於第四電阻R14的第二端，及一第二端，耦接於放大器202的第三輸入端。因此，當第一開關S11開啟，第二開關S12、第三開關S13及第四開關S14關閉時，可變電壓VINTREF係由式(10)決定。
VINTREF=IREF*(RD+R+R11+R12+R13+R14)　(10)
另外，可變電壓產生電路500的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路200相同，在此不再贅述。
請參照第6圖，第6圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路600的示意圖。可變電壓產生電路600包含一放大器602、一P型金氧半電晶體604、一上電阻RU、一下電阻RD及二可變電阻606、608。放大器602具有一第一輸入端，用以接收一第一電壓VDD，一第二輸入端，用以接收一參考電壓VREF，一第三輸入端，及一輸出端。P型金氧半電晶體604具有一第一端，用以接收第一電壓VDD，一第二端，耦接於放大器602的輸出端，及一第三端。上電阻RU具有一第一端，耦接於P型金氧半電晶體604的第三端，及一第二端，用以輸出一第一可變電壓VINTREF1，其中上電阻RU之阻值可為零。下電阻RD具有一第一端，耦接於放大器602的第三輸入端，及一第二端，耦接於一地端。可變電阻606具有一第一端，耦接於上電阻RU的第二端，及一第二端，用以輸出一第二可變電壓VINTREF2。可變電阻608具有一第一端，耦接於可變電阻606的第二端，及一第二端耦接於放大器602的第三輸入端，用以輸出一第三可變電壓VINTREF3。另外，可變電阻606包含第一開關S11、第二開關S12、第三開關S13、第四開關S14和第一電阻R11、第二電阻R12、第三電阻R13、第四電阻R14。可變電阻606和可變電阻206相同，在此不再贅述。另外，可變電阻608包含第一開關S21、第二開關S22、第三開關S23、第四開關S24和第一電阻R21、第二電阻R22、第三電阻R23、第四電阻R24，其中第一電阻R21、第二電阻R22、第三電阻R23、第四電阻R24的阻值係為相同或係為不同。而可變電阻608的第一開關S21、第二開關S22、第三開關S23、第四開關S24和第一電阻R21、第二電阻R22、第三電阻R23、第四電阻R24之間的耦接關係和可變電阻606的4個開關S11-S14和4個電阻R11-R14之間的耦接關係相同，在此不再贅述。但本發明的可變電阻606、608並不受限於4個開關和4個電阻，只要可變電阻606、608的開關和電阻的數目大於或等於2，皆落入本發明的範疇。
可變電壓產生電路600的參考電流IREF係由式(3)決定。當可變電阻606的第一開關S11開啟，第二開關S12、第三開關S13及第四開關S14關閉和可變電阻608的第一開關S21開啟，第二開關S22、第三開關S23及第四開關S24關閉時，第一可變電壓VINTREF1、第二可變電壓VINTREF2和第三可變電壓VINTREF3，係分別由式(11)、式(12)和式(13)決定。
VINTREF1=IREF*(RD+R11+R12+R13+R14+R21+R22+R23+R24)　(11)
VINTREF2=IREF*(RD+R21+R22+R23+R24)　(12)
VINTREF3=IREF*(RD)　(13)
可變電壓產生電路600的其餘可變電壓的操作原理皆和可變電阻606的第一開關S11開啟，第二開關S12、第三開關S13及第四開關S14關閉和可變電阻608的第一開關S21開啟，第二開關S22、第三開關S23及第四開關S24關閉時，第一可變電壓VINTREF1、第二可變電壓VINTREF2和第三可變電壓VINTREF3產生的原理相同，在此不再贅述。
請參照第7圖，第7圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路700的示意圖。可變電壓產生電路700和可變電壓產生電路600的差別在於可變電壓產生電路700另包含一第一上電阻RFU，具有一第一端耦接於上電阻RU的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻606的第一端。另外，可變電壓產生電路700的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路600相同，在此不再贅述。
請參照第8圖，第8圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路800的示意圖。可變電壓產生電路800和可變電壓產生電路600的差別在於可變電壓產生電路800中的可變電阻606另包含一電阻RV1，具有一第一端耦接於可變電阻606的第四電阻R14的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻608的第一端。另外，可變電壓產生電路800的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路600相同，在此不再贅述。
請參照第9圖，第9圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路900的示意圖。可變電壓產生電路900和可變電壓產生電路600的差別在於可變電壓產生電路900中的可變電阻608另包含一電阻RV2，具有一第一端耦接於可變電阻608的第四電阻R24的第二端，及一第二端，耦接於放大器602的第三輸入端。另外，可變電壓產生電路900的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路600相同，在此不再贅述。
請參照第10圖，第10圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路1000的示意圖。可變電壓產生電路1000和可變電壓產生電路600的差別在於可變電壓產生電路1000另包含一第一上電阻RFU，具有一第一端耦接於上電阻RU的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻606的第一端，以及可變電壓產生電路1000中的可變電阻606另包含一電阻RV1，具有一第一端耦接於可變電阻606的第四電阻R14的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻608的第一端。另外，可變電壓產生電路1000的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路600相同，在此不再贅述。
請參照第11圖，第11圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路1100的示意圖。可變電壓產生電路1100和可變電壓產生電路600的差別在於可變電壓產生電路1100另包含一第一上電阻RFU，具有一第一端耦接於上電阻RU的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻606的第一端，以及可變電壓產生電路1000中的可變電阻608另包含一電阻RV2，具有一第一端耦接於可變電阻608的第四電阻R24的第二端，及一第二端，耦接於放大器602的第三輸入端。另外，可變電壓產生電路1100的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路600相同，在此不再贅述。
請參照第12圖，第12圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路1200的示意圖。可變電壓產生電路1200和可變電壓產生電路600的差別在於可變電壓產生電路1200中的可變電阻606另包含一電阻RV1，具有一第一端耦接於可變電阻606的第四電阻R14的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻608的第一端，以及可變電壓產生電路1200中的可變電阻608另包含一電阻RV2，具有一第一端耦接於可變電阻608的第四電阻R24的第二端，及一第二端，耦接於放大器602的第三輸入端。另外，可變電壓產生電路1200的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路600相同，在此不再贅述。
請參照第13圖，第13圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路1300的示意圖。可變電壓產生電路1300和可變電壓產生電路600的差別在於可變電壓產生電路1300另包含一第一上電阻RFU，具有一第一端耦接於上電阻RU的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻606的第一端，可變電壓產生電路1300中的可變電阻606另包含一電阻RV1，具有一第一端耦接於可變電阻606的第四電阻R14的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻608的第一端，以及可變電壓產生電路1300中的可變電阻608另包含一電阻RV2，具有一第一端耦接於可變電阻608的第四電阻R24的第二端，及一第二端，耦接於放大器602的第三輸入端。另外，可變電壓產生電路1300的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路600相同，在此不再贅述。
請參照第14圖，第14圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路1400的示意圖。可變電壓產生電路1400包含一放大器202、一P型金氧半電晶體204、一上電阻RU、一下電阻RD及一可變電阻1406。放大器202具有一第一輸入端，用以接收一第一電壓VDD，一第二輸入端，用以接收一參考電壓VREF，一第三輸入端，及一輸出端。P型金氧半電晶體204具有一第一端，用以接收第一電壓VDD，一第二端，耦接於放大器202的輸出端，及一第三端。上電阻RU具有一第一端，耦接於P型金氧半電晶體204的第三端，及一第二端，用以輸出一可變電壓VINTREF，其中上電阻RU之阻值可為零。下電阻RD具有一第一端，耦接於放大器202的第三輸入端，及一第二端，耦接於一地端。可變電阻1406具有一第一端，耦接於上電阻RU的第二端，及一第二端，耦接於放大器202的第三輸入端。另外，可變電阻1406包含第一開關S11、第二開關S12、第三開關S13、第四開關S14和第一電阻R11、第二電阻R12、第三電阻R13，其中每一開關的第一端皆耦接於可變電阻1406的第二端，且第一電阻R11、第二電阻R12、第三電阻R13、第四電阻R14的阻值係為相同、部分相同或係為不同。第一開關S11的第二端係耦接於第一電阻R11的第一端，第二開關S12的第二端係耦接於第二電阻R12的第一端，第三開關S13的第二端係耦接於第三電阻R13的第一端，及第四開關S14的第二端係耦接於第三電阻R13的第二端。另外，第一電阻R11的第二端係耦接於第二電阻R12的第一端，及第二電阻R12的第二端係耦接於第三電阻R13的第一端，及第三電阻R13的第二端係耦接於放大器202的第三輸入端。另外，可變電壓產生電路1400的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路200相同，在此不再贅述。
請參照第15圖，第15圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路1500的示意圖。可變電壓產生電路1500和可變電壓產生電路1400的差別在於可變電壓產生電路1500另包含一第一下電阻RFD具有一第一端，耦接於可變電阻1406的第二端，及一第二端，耦接於下電阻RD的第一端。另外，可變電壓產生電路1500的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路1400相同，在此不再贅述。
請參照第16圖，第16圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路1600的示意圖。可變電壓產生電路1600包含一放大器602、一P型金氧半電晶體604、一上電阻RU、一下電阻RD及二可變電阻1606、1608。放大器602具有一第一輸入端，用以接收一第一電壓VDD，一第二輸入端，用以接收一參考電壓VREF，一第三輸入端，及一輸出端。P型金氧半電晶體604具有一第一端，用以接收第一電壓VDD，一第二端，耦接於放大器602的輸出端，及一第三端。上電阻RU具有一第一端，耦接於P型金氧半電晶體604的第三端，及一第二端，用以輸出一第一可變電壓VINTREF1，其中上電阻RU之阻值可為零。下電阻RD具有一第一端，耦接於放大器602的第三輸入端，及一第二端，耦接於一地端。可變電阻1606具有一第一端，耦接於上電阻RU的第二端，及一第二端，用以輸出一第二可變電壓VINTREF2。可變電阻1608具有一第一端，耦接於可變電阻1606的第二端，及一第二端耦接於放大器602的第三輸入端，用以輸出一第三可變電壓VINTREF3。另外，可變電阻1606包含第一開關S11、第二開關S12、第三開關S13、第四開關S14和第一電阻R11、第二電阻R12、第三電阻R13。可變電阻1606的操作原理和可變電阻1406相同，在此不再贅述。另外，可變電阻1608包含第一開關S21、第二開關S22、第三開關S23、第四開關S24和第一電阻R21、第二電阻R22、第三電阻R23，其中第一電阻R21、第二電阻R22、第三電阻R23的阻值係為相同或係為不同。而可變電阻1608的第一開關S21、第二開關S22、第三開關S23、第四開關S24和第一電阻R21、第二電阻R22、第三電阻R23、第四電阻R24之間的耦接關係和可變電阻1606的4個開關S11-S14和3個電阻R11-R13之間的耦接關係相同，在此不再贅述。但本發明的可變電阻1606、1608並不受限於4個開關和3個電阻，只要可變電阻1606、1608的開關和電阻的數目大於或等於2，皆落入本發明的範疇。另外，可變電壓產生電路1600的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路600相同，在此不再贅述。
請參照第17圖，第17圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路1700的示意圖。可變電壓產生電路1700和可變電壓產生電路1600的差別在於可變電壓產生電路1700另包含一第一下電阻RFD1具有一第一端，耦接於可變電阻1608的第二端，及一第二端，耦接於下電阻RD的第一端。另外，可變電壓產生電路1700的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路1600相同，在此不再贅述。
請參照第18圖，第18圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路1800的示意圖。可變電壓產生電路1800和可變電壓產生電路1600的差別在於可變電壓產生電路1800另包含一第一下電阻RFD2具有一第一端，耦接於可變電阻1606的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻1608的第一端。另外，可變電壓產生電路1800的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路1600相同，在此不再贅述。
請參照第19圖，第19圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路1900的示意圖。可變電壓產生電路1900和可變電壓產生電路1700的差別在於可變電壓產生電路1900另包含一第一下電阻RFD2具有一第一端，耦接於可變電阻1606的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻1608的第一端。另外，可變電壓產生電路1900的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路1700相同，在此不再贅述。
請參照第20圖，第20圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路2000的示意圖。可變電壓產生電路2000包含一放大器602、一P型金氧半電晶體604、一上電阻RU、一下電阻RD及二可變電阻1606、608。放大器602具有一第一輸入端，用以接收一第一電壓VDD，一第二輸入端，用以接收一參考電壓VREF，一第三輸入端，及一輸出端。P型金氧半電晶體604具有一第一端，用以接收第一電壓VDD，一第二端，耦接於放大器602的輸出端，及一第三端。上電阻RU具有一第一端，耦接於P型金氧半電晶體604的第三端，及一第二端，用以輸出一第一可變電壓VINTREF1，其中上電阻RU之阻值可為零。下電阻RD具有一第一端，耦接於放大器602的第三輸入端，及一第二端，耦接於一地端。可變電阻1606具有一第一端，耦接於上電阻RU的第二端，及一第二端，用以輸出一第二可變電壓VINTREF2。可變電阻608具有一第一端，耦接於可變電阻1606的第二端，及一第二端耦接於放大器602的第三輸入端，用以輸出一第三可變電壓VINTREF3。另外，可變電阻608的第一開關S21、第二開關S22、第三開關S23、第四開關S24和第一電阻R21、第二電阻R22、第三電阻R23、第四電阻R24之間的耦接關係和可變電阻606的4個開關S11-S14和4個電阻R11-R14之間的耦接關係相同，在此不再贅述。另外，可變電壓產生電路2000的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路1600相同，在此不再贅述。
請參照第21圖，第21圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路2100的示意圖。可變電壓產生電路2100和可變電壓產生電路2000的差別在於可變電壓產生電路2100另包含一第一下電阻RFD1具有一第一端，耦接於可變電阻608的第二端，及一第二端，耦接於下電阻RD的第一端。另外，可變電壓產生電路2100的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路2000相同，在此不再贅述。
請參照第22圖，第22圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路2200的示意圖。可變電壓產生電路2200和可變電壓產生電路2000的差別在於可變電壓產生電路2200另包含一第一下電阻RFD2具有一第一端，耦接於可變電阻1606的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻608的第一端。另外，可變電壓產生電路2200的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路2000相同，在此不再贅述。
請參照第23圖，第23圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路2300的示意圖。可變電壓產生電路2300和可變電壓產生電路2100的差別在於可變電壓產生電路2300另包含一第一下電阻RFD2具有一第一端，耦接於可變電阻1606的第二端，及一第二端，耦接於可變電阻608的第一端。另外，可變電壓產生電路2300的其餘操作原理皆和可變電壓產生電路2100相同，在此不再贅述。
另外，在第20圖、第21圖、第22圖和第23圖的實施例中，可變電阻1606和可變電阻608的相關位置可互相對調。亦即可變電阻608的第一端，耦接於上電阻RU的第二端，及可變電阻608的第二端，用以輸出第二可變電壓VINTREF2。可變電阻1606的第一端，耦接於可變電阻608的第二端，及可變電阻1606的第二端耦接於放大器602的第三輸入端，用以輸出第三可變電壓VINTREF3。
此外，本發明並不受限於一個可變電阻或二個可變電阻，只要可變電壓產生電路包含至少一可變電阻，皆落入本發明的範疇。
綜上所述，本發明所提供的可變電壓產生電路，係利用至少一可變電阻中的至少二串聯開關以選擇至少一可變電阻的阻值，產生至少一可變電壓。因此，可改善先前技術中每一電阻和一開關並聯，造成至少一可變電壓隨著半導體的製程、所受電壓及溫度而變化的缺點，可減少開關的內電阻的影響，以及可同時產生至少一可變電壓。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900、2000、2100、2200、2300．．．可變電壓產生電路
102、202、602．．．放大器
104、204、604．．．P型金氧半電晶體
106、206、606、608、1406、1606、1608．．．可變電阻
R、R0、R1-Rn、RV1、RV2．．．電阻
S1-Sn．．．開關
R11、R21．．．第一電阻
R12、R22．．．第二電阻
R13、R23．．．第三電阻
R14、R24．．．第四電阻
S11、S21．．．第一開關
S12、S22．．．第二開關
S13、S23．．．第三開關
S14、S24．．．第四開關
VINTREF．．．可變電壓
VINTREF1．．．第一可變電壓
VINTREF2．．．第二可變電壓
VINTREF3．．．第三可變電壓
IREF．．．參考電流
VDD．．．第一電壓
VREF．．．參考電壓
RU．．．上電阻
RD．．．下電阻
RFU．．．第一上電阻
RFD、RFD1、RFD2．．．第一下電阻
第1圖係為先前技術說明可變電壓產生電路的示意圖。
第2圖係為本發明的一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第3圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第4圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第5圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第6圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第7圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第8圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第9圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第10圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第11圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第12圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第13圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第14圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第15圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第16圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第17圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第18圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第19圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第20圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第21圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第22圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
第23圖係為本發明的另一實施例說明可變電壓產生電路的示意圖。
200．．．可變電壓產生電路
202．．．放大器
204．．．P型金氧半電晶體
206．．．可變電阻
R11．．．第一電阻
R12．．．第二電阻
R13．．．第三電阻
R14．．．第四電阻
S11．．．第一開關
S12．．．第二開關
S13．．．第三開關
S14．．．第四開關
RU．．．上電阻
RD．．．下電阻
VDD．．．第一電壓
VREF．．．參考電壓
VINTREF．．．可變電壓
IREF．．．參考電流

权利要求:
Claims (13)
[1] 一種可變電壓產生電路，包含：一放大器，具有一第一輸入端，用以接收一第一電壓，一第二輸入端，用以接收一參考電壓，一第三輸入端，及一輸出端；一P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接於該放大器的輸出端，及一第三端；一第一可變電阻，具有一第一端，耦接於該P型金氧半電晶體的第三端，用以輸出一第一可變電壓，及一第二端，耦接於該放大器的第三輸入端，其中該第一可變電阻包含：M個電阻；及M個開關，其中該M個開關之一第i開關，具有一第一端，耦接於該第一可變電阻的第一端，及一第二端；及其中該M個電阻之一第i電阻，具有一第一端，耦接於該第i開關的第二端，及一第二端，耦接於一第i+1電阻的第二端；其中一第M電阻的第二端，耦接於該第一可變電阻的第二端，2≦M，1≦i≦M，且i、M為自然數；及一下電阻，具有一第一端，耦接於該放大器的第三輸入端，及一第二端，耦接於一地端。
[2] 如請求項1所述之可變電壓產生電路，另包含：一第二可變電阻，具有一第一端，耦接於該第一可變電阻的第二端，用以輸出一第二可變電壓，及一第二端，耦接於該放大器的第三輸入端，用以輸出一第三可變電壓，其中該第二可變電阻包含：M個電阻；及M個開關，其中該M個開關之一第i開關，具有一第一端，耦接於該第二可變電阻的第一端，及一第二端；及其中該M個電阻之一第i電阻，具有一第一端，耦接於該第i開關的第二端，及一第二端，耦接於一第i+1電阻的第二端；其中一第M電阻的第二端，耦接於該第二可變電阻的第二端，2≦M，1≦i≦M，且i、M為自然數。
[3] 一種可變電壓產生電路，包含：一放大器，具有一第一輸入端，用以接收一第一電壓，一第二輸入端，用以接收一參考電壓，一第三輸入端，及一輸出端；一P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接於該放大器的輸出端，及一第三端；一第一可變電阻，具有一第一端，耦接於該P型金氧半電晶體的第三端，用以輸出一第一可變電壓，及一第二端，耦接於該放大器的第三輸入端，其中該第一可變電阻包含：M-1個電阻；及M個開關，其中該M個開關之一第i開關，具有一第一端，耦接於該第一可變電阻的第二端，及一第二端；及其中該M-1個電阻之一第i電阻，具有一第一端，耦接於該第i開關的第二端，及一第二端，耦接於一第i+1開關的第二端；其中一第一電阻的第一端耦接該第一可變電阻的第一端，一第M開關的第一端耦接該第一可變電阻的第二端，2≦M，1≦i≦M-1，且i、M為自然數；及一下電阻，具有一第一端，耦接於該放大器的第三輸入端，及一第二端，耦接於一地端。
[4] 如請求項3所述之可變電壓產生電路，另包含：一第二可變電阻，具有一第一端，耦接於該第一可變電阻的第二端，用以輸出一第二可變電壓，及一第二端，耦接於該放大器的第三輸入端，用以輸出一第三可變電壓，其中該第二可變電阻包含：M-1個電阻；及M個開關，其中該M個開關之一第i開關，具有一第一端，耦接於該第二可變電阻的第二端，及一第二端；及其中該M-1個電阻之一第i電阻，具有一第一端，耦接於該第i開關的第二端，及一第二端，耦接於一第i+1開關的第二端；其中一第i電阻的第一端耦接該第二可變電阻的第一端，一第M開關的第一端耦接該第二可變電阻的第二端，2≦M，1≦i≦M-1，且i、M為自然數。
[5] 如請求項3所述之可變電壓產生電路，另包含：一第二可變電阻，具有一第一端，耦接於該第一可變電阻的第二端，用以提供一第二可變電壓，及一第二端，耦接於該放大器的第三輸入端，用以提供一第三可變電壓，其中該第二可變電阻包含：N個電阻；及N個開關，其中該N個開關之一第j開關，具有一第一端，耦接於該第二可變電阻的第一端，及一第二端；及其中該N個電阻之一第j電阻，具有一第一端，耦接於該第j開關的第二端，及一第二端，耦接於一第j+1電阻的第一端；其中一第N電阻的第二端，耦接於該第二可變電阻的第二端，2≦N，1≦j≦N，且j、N為自然數。
[6] 如請求項1或3所述之可變電壓產生電路，另包含：至少一第一下電阻，具有一第一端，耦接於該第一可變電阻的第二端，及一第二端，耦接於該下電阻的第一端。
[7] 如請求項2、4或5所述之可變電壓產生電路，另包含：至少一第一下電阻，具有一第一端，耦接於該第二可變電阻的第二端，及一第二端，耦接於該下電阻的第一端。
[8] 如請求項1或3所述之可變電壓產生電路，另包含：至少一上電阻，耦接於該P型金氧半電晶體的第三端及該第一可變電阻之第一端之間。
[9] 如請求項8所述之可變電壓產生電路，另包含：至少一第一上電阻，耦接於該上電阻及該第一可變電阻之第一端之間。
[10] 如請求項2或4所述之可變電壓產生電路，其中該第二可變電阻另包含：一電阻，耦接於一第M電阻的第二端與該第二可變電阻的第二端之間。
[11] 如請求項5所述之可變電壓產生電路，其中該第二可變電阻另包含：一電阻，耦接於一第N電阻的第二端與該第二可變電阻的第二端之間。
[12] 如請求項1或3所述之可變電壓產生電路，其中該第一可變電阻另包含：一電阻，耦接於一第M電阻的第二端與該第一可變電阻的第二端之間。
[13] 如請求項1或3所述之可變電壓產生電路，其中該M個電阻的阻值係為相同、部分相同或不同。

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同族专利:

公开号 | 公开日

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