気密シールパーケージ用のゲッタ前駆体

专利摘要:
気密シールパッケージは、パッケージの内部領域に配設されたゲッタ前駆体を含む。ゲッタ前駆体は、アルカリ金属陽イオン又はアルカリ土類金属陽イオンと、非酸化性陰イオンとを含み、陽イオンの酸化状態を０に変化させるために熱分解するように構成される。パッケージの壁面を画成する内側にゲッタ前駆体の溶液を塗工することによりパッケージを気密シールする方法も開示される。
公开号:JP2011515850A
申请号:JP2011500763
申请日:2008-12-30
公开日:2011-05-19
发明作者:デュガル，アニル・ラジャ；ファウスト，ドナルド・フランクリン；ホアン，シンラン；ボイド，リンダ・アン；ルイス，ラリー・ニール
申请人:ゼネラル・エレクトリック・カンパニイＧｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｍｐａｎｙ；
IPC主号:H01L23-26

专利说明:

[0001] 本発明は、一般に気密シールパーケージ用のゲッタ前駆体に関する。]
背景技術

[0002] 光電デバイスなどのデバイスの気密シールパッケージは、パッケージの中身を外部環境から保護するように設計される場合が多い。それらのデバイスの大半は、各々様々な機能を有する複数の異なる材料層を含む多層構造から形成される。かかるデバイスを保護する一般的な方法の１つは、多層構造にカプセル封入することである。通常、デバイスをカプセル封入する手順は、デバイスの周囲に連続的な周縁シールが形成されるように基板とカプセル封入層との間にデバイスを挟むことを含む。ガラス及び金属は優れた保護材料であるが、費用、重量、頑丈さ及び／又は透明度に関して欠ける面が多い。プラスチックは費用、重量、頑丈さ及び／又は透明度には優れているが、気密性では劣る。水分及び酸素の侵入を制限するために障壁を追加してもよいが、捕捉剤の添加により性能を向上させてもよい。さらに、すべての基板（金属、ガラス及びプラスチック）は、通常、多くの場合にエポキシ系である有機系接着剤を使用して組み立てられる。かかる接着剤は、水分及び酸素の侵入経路を形成してしまう。水分及び／又は酸素の浸透による劣化の影響を最小限に抑えるために、パッケージの内部にゲッタが添加されることが多い。]
[0003] パッケージに取り込まれるゲッタ材料は、一般に、既に活性である材料及び活性材料の前段階にある前駆体の２種類に分類される。既に活性である材料は、分子化合物と共にある特定の反応性金属及びその合金を含む。水分及び／又は酸素に対して反応性を示すため、それらの材料は不活性条件の下で処理されなければならない。ゲッタの前駆体は空気中で処理可能であるが、パッケージに取り込む前に活性化されなければならない。従来の前駆体の場合、活性化されることによって酸素及び／又は水分が排除される場合が多いので、パッケージ内部で活性化が起こることはありえない。活性化後、それらの材料は不活性条件の下で取り扱われなければならない。]
[0004] 従来のゲッタ材料の例は、金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫酸塩、金属ハロゲン化物、又は過塩素酸塩、モレキュラーシーブ、アルミナ、オーキサイト、粘土、シリカゲル、種々のゼオライトなどを含む。これらの材料は所期の目的を達成するという点では十分であるが、パッケージ内部に取り込む際に特殊な取り扱い及び処理を必要とする。]
先行技術

[0005] 米国特許第４７６８２９２号明細書]
発明が解決しようとする課題

[0006] 従って、パッケージ内部にゲッタを取り込むための改良された材料及び方法が必要とされる。]
課題を解決するための手段

[0007] 本発明は、気密シールパッケージ及びゲッタ前駆体を含むパッケージを気密シールする方法に関する。一実施形態では、気密シールパッケージは、パッケージの内部領域に配設されたゲッタ前駆体を具備し、ゲッタ前駆体は、アルカリ金属陽イオン又はアルカリ土類金属陽イオンと、非酸化性陰イオンとを含む。]
[0008] パッケージを気密シールする方法は、パッケージの壁面を画成する内側に、アルカリ金属陽イオン又はアルカリ土類金属陽イオンと、非酸化性陰イオンとを含むゲッタ前駆体を塗工することと、ゲッタ前駆体を熱分解し且つアルカリ金属陽イオン又はアルカリ土類金属陽イオンを還元するのに有効な温度までゲッタ前駆体を加熱することとから成る。]
[0009] 本発明の開示及びそれに含まれる実施例の種々の特徴を説明する以下の詳細な説明を参照することにより、本発明はさらに容易に理解されるだろう。]
図面の簡単な説明

[0010] 図１は本発明の一実施形態に係るゲッタ前駆体を含むカプセル封入ＯＬＥＤデバイスの一例を示した横断面図である。] 図１
[0011] 添付の図面は例示のみを目的とし、図面中、同じ要素は同じ図中符号により示される。]
[0012] 本発明は、一般にパーケージ用のゲッタ前駆体に関する。本明細書において説明されるように、ゲッタ前駆体は空気中でほぼ安定しているので、不活性雰囲気での処理は不要である。パッケージの内部にゲッタ前駆体を直接取り込み、次に、パッケージ内部で乾燥剤を活性化する方法も開示される。本明細書において使用される場合の用語「ゲッタ」（乾燥剤とも呼ばれる）は、一般に、水（水分）及び／又は酸素と反応する化学試薬である。特に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスなどの光電子デバイスとの組合せでの使用に関して説明するが、水分及び／又は酸素の除去が望まれる広範囲の実装用途でゲッタ前駆体を利用可能であることは明らかなはずである。ゲッタ前駆体は有機電子デバイスに限定されることを意図せず、従って、実装後のゲッタ前駆体の活性化が望まれるあらゆる実装用途で使用可能である。かかる用途は、例えば超小型電子機械センサ（ＭＥＭＳ）デバイス、フラットパネルディスプレイ、電界放出ディスプレイ、プラズマディスプレイ、電荷結合素子などが挙げられるが、それらに限定されない。]
[0013] 水分及び／又は酸素を吸収するためのゲッタ前駆体は、一般に陽イオン部分と、非酸化性であるように選択された陰イオン部分とを含む塩であり、ゲッタ前駆体の非酸化性陰イオンは、熱分解時にアルカリ金属陽イオン又はアルカリ土類金属陽イオンを還元可能である。一実施形態では、塩は水中で安定しており、水溶液として所望の基板面に塗工されてもよい。ゲッタ前駆体は、熱分解し、ゼロ酸化状態で対応する金属を形成するように構成される。この金属は、その後、パッケージ内部に残留する水分及び／又は酸素又はパッケージの中まで浸透した水分及び／又は酸素と反応するために使用されてもよい。いくつかの実施形態では、それらの材料の熱分解を容易にするために、他の形態のエネルギー（例えばＸ線、紫外線光）によって分解を促進してもよい。いくつかの実施形態では、ゲッタ前駆体の熱分解温度は２００℃未満である。別の実施形態では、ゲッタ前駆体は、１００℃〜２００℃の温度で熱分解し、さらに別の実施形態では、ゲッタ前駆体は、１００℃〜１８０℃で熱分解するように選択される。用途に応じて、これより高い温度又は低い温度を使用してもよい。例えば、パッケージ内部の素子が熱安定性を有する場合、高い分解温度を使用してもよい。このように、ゲッタ前駆体は、周囲条件の中で処理され、実装され、その後、対応するアルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属を形成するためにゲッタ前駆体を熱分解することにより活性化されてもよい。活性化によって形成された金属は、周知のように水分及び／又は酸素と反応する。]
[0014] 一実施形態では、陽イオン部分は、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、マグネシウム（Ｍｇ）などのアルカリ金属及びアルカリ土類金属を含む。例えば、モレキュラーシーブ及びシリカゲルを使用する場合などの単純な吸収メカニズムとは異なり、それらの金属は酸素及び水と化学反応して、酸素及び水を破壊する。反応性ゲッタは、吸収剤ゲッタと比較して残留水分レベル及び残留酸素レベルが低いという利点を有する。尚、水分汚染物質及び酸素汚染物質とさらに反応させるために、反応性金属の生成物を使用してもよい。一例としてバリウム金属を使用する場合、以下に示す反応が可能である。この場合、例えば残留水分レベルをさらに低下するために、生成物を水とさらに反応させてもよい。]
[0015] Ｂａ ＋ ２Ｈ2Ｏ → Ｂａ（ＯＨ）2 ＋ Ｈ2
２Ｂａ ＋ Ｏ2 → ２ＢａＯ
ＢａＯ ＋ Ｈ2Ｏ → Ｂａ（ＯＨ）2
Ｂａ（ＯＨ）2 ＋ ８Ｈ2Ｏ → Ｂａ（ＯＨ）2・８Ｈ2Ｏ
陰イオン部分は、水素化物、有機金属化合物、アジ化物及び窒化物などの窒素含有種、その誘導体などの非酸化物質から形成される。一例として、ゲッタ前駆体は第ＩＡ族又は第ＩＩａ族の金属アジ化物であってもよい。アジ化物系ゲッタ前駆体は、加熱されると窒素ガス及び対応する金属を形成する。アジ化物前駆体としては、アジ化バリウム（ＢａＮ6）、アジ化カルシウム（ＣａＮ6）、アジ化ストロンチウム（ＳｒＮ6）、アジ化ナトリウム（ＮａＮ3）などがあるが、それらに限定されない。種々の金属アジ化物の熱分解温度は、一般に約１１０℃〜約３６０℃の範囲である。本発明に適用される場合、２００℃未満の熱分解温度を有するアジ化物が選択される。]
[0016] 加熱時、適切な有機金属はゼロ酸化状態で陽イオンを放出する。一実施形態では、ゲッタ前駆体は式Ｒ2Ｍを有する。式中、Ｍはアルカリ金属又はアルカリ土類金属であり、Ｒは脂肪族基又は芳香族基である。かかる有機金属化合物としては、例えば、ビス（テトラ−イソプロピル−シクロペンタジエニル）バリウム、ビス（テトラ−イソプロピル−シクロペンタジエニル）カルシウム、ビス（ペンタ−イソプロピルシクロペンタジエニル）Ｍ（Ｍはカルシウム、バリウム又はストロンチウムである）及びビス（トリ−ブチルシクロペンタジエニル）Ｍ（Ｍはカルシウム、バリウム又はストロンチウムである）、並びにビス（フルオレニル）カルシウム又はビス（フルオレニル）バリウムなどのアルカリ土類金属のフルオレニル誘導体が挙げられるが、それらに限定されない。]
[0017] 適切な水素化物は、単純な二元水素化物並びに三元水素化物及び他の複合水素化物を含む。二元水素化物は、水素化ナトリウム（ＮａＨ）、水素化カリウム（ＫＨ）、水素化マグネシウム（ＭｇＨ2）などが挙げられるが、それらに限定されない。複合水素化物は、水素化リチウムアルミニウム（ＬｉＡｌＨ4）、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ4）などが挙げられるが、それらに限定されない。水素化物は分解して、それぞれ新生金属（nascent metal）とび水素を形成する。]
[0018] 熱分解前に又は熱分解と同時に、ゲッタ前駆体は任意に照射される。紫外線光への暴露、電子衝撃、Ｘ線、γ線などの放射源からの照射により熱分解を加速できることが判明している。]
[0019] 一実施形態では、ゲッタ前駆体は溶解されて溶液を形成する。この溶液はパッケージの内面に塗工される。パッケージの内部に気密シールされた後、ゲッタ前駆体は、加熱されることにより陰イオン部分を熱分解し且つ陽イオンを還元して、反応性金属ゲッタを形成する。通常、（水及び／又は酸素を捕捉する基板の機能を最大限にするために）基板材料の所望の物理的特性を大きく減少させることなく最大限の量のゲッタを採用することが望ましい。一例として、いくつかのＯＬＥＤデバイスでは、最大限の透明度が望まれる。この種の実施形態では、ＯＬＥＤにより放射される光の５０％未満、好ましくは１０％未満が基板で吸収されるように、ゲッタ前駆体を含む基板の透明度は通常選択される。用途が異なれば、透明度に要求される条件も異なってよい。ゲッタ前駆体の塗工を助けるために、水溶液に成膜剤を添加してもよい。かかる成膜剤の例は、ポリエチレンイミン及びポリエチレングリコールなどの水溶性ポリマーである。]
[0020] 他の実施形態では、ゲッタ前駆体の混合物が基板面に塗工されるか、あるいはパッケージの面を画成する内側の選択された部分が１種類のゲッタ前駆体で被覆され、他の部分は異なるゲッタ前駆体で被覆される。混合物としてパッケージの内側に塗工されるか又は選択された部分に塗工されるゲッタ前駆体の数は限定されることを意図しない。]
[0021] 次に図１を参照すると、パッケージの一例は、水分及び／又は酸化による劣化を受けやすい光電子デバイスを含んでもよい。光電子デバイスの一例はＯＬＥＤデバイス１０であるが、これは単なる例示にすぎない。実装後にゲッタ前駆体の活性化が望まれるあらゆる実装用途で、ゲッタ前駆体を使用してもよい。一般に、ＯＬＥＤデバイス１０はアノード１２と、アノード１２から離間して配置されたカソード１４と、アノードとカソードとの間に配設された有機発光層１６とを含み、それらはすべてベース基板１８の上に配設される。ＯＬＥＤデバイス１０の内部領域２２に水分及び／又は酸素が侵入するのを実質的に防止するように、基板１８の少なくとも一方の表面に障壁膜２０が任意に設けられてもよい。任意に設けられる障壁膜２０は、図示されるように基板と発光素子（すなわちアノード、カソード及び発光層）との間に位置してもよいが、基板の裏側に配設されてもよい。発光素子の周囲に沿って気密性を実現するために、縁部にシーラント２４が堆積されるか、又は固体充填材としてシーラント２４を堆積してもよい。シーラント２４により保護基板／層２６がベース基板１８に結合される。] 図１
[0022] 一実施形態では、ゲッタ前駆体２８を、パッケージの内部領域により画成される内面に塗工してもよい。例えば保護層２６の任意の部分、すなわち保護基板２６をベース基板１８に結合する際に形成されたポケットの中にゲッタ前駆体を塗工してもよい。ゲッタ前駆体は分散体としてではなく、溶液として塗工されるので、熱処理後に形成されるゲッタは相当に高い透明度を有する。このため、活性ゾーンの上、カソード面及びアノード面、透明ＯＬＥＤのすぐ上などを含めたデバイスの任意の場所にゲッタ前駆体を塗工してもよい。尚、ゲッタ前駆体の塗工場所は、ここで挙げた場所に限定されない。電源（図示せず）はアノード及びカソードに装着される。有機発光層１６を画成する複数の層の構造が反転され且つその場合に一番上に位置する電極が十分に透明であれば、アノード及びカソードの相対的な場所が基板１８に関して反転されてもよいことは理解されるだろう。基板１８は、電気接続部、電力調整素子及び面に装着するための装着要素などをさらに含んでもよい。]
[0023] 任意に塗工されるバリヤ皮膜２０は、約１０ｎｍ〜約１００００ｎｍの範囲、好ましくは約１０ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の厚さで配設されてもよい。適切なバリヤ皮膜組成は有機材料、無機材料又はセラミック材料を含む。それらの材料は、反応プラズマ種の反応生成物又は再結合生成物であり、可撓性基板の面に堆積される。通常、適切な有機皮膜材料は、炭素、水素、酸素を含み、さらに、反応物の種類に応じてイオウ、窒素、ケイ素などの他の微量元素を任意に含む。皮膜における有機組成で発生する適切な反応物は、炭素原子数１５以下の直鎖アルカン又は分枝アルカン、アルケン、アルキン、アルコール、アルデヒド、エーテル、アルキレン酸化物、芳香族などである。適切な無機皮膜材料及びセラミック皮膜材料は、通常、第ＩＩＡ族、第ＩＩＩＡ族、第ＩＶＡ族、第ＶＡ族、第ＶＩＡ族、第ＶＩＩＡ族、第ＩＢ族及び第ＩＩＢ族の元素の酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物又はそれらの組合せ、第ＩＩＩＢ族、第ＩＶＢ族及び第ＶＢ族の金属、及び希土類金属を含む。例えば、シラン（ＳｉＨ4）及びメタン又はキシレンなどの有機物質から発生するプラズマの再結合により、炭化ケイ素を基板に堆積してもよい。シラン、メタン及び酸素、又はシラン及びプロピレンオキシドから生成されるプラズマから、オキシ炭化ケイ素を堆積してもよい。さらに、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳＮ）及びオクタメチルシクロテトラシロキサン（Ｄ４）などの有機シリコーン前駆体から発生するプラズマから、オキシ炭化ケイ素を堆積してもよい。シラン及びアンモニアから発生するプラズマから、窒化ケイ素を堆積してもよい。酒石酸アルミニウム及びアンモニアの混合物から発生するプラズマから、オキシカルボ窒化アルミニウムを堆積してもよい。所望の皮膜組成を得るために、反応物の他の組合せを選択してもよい。特定の反応物をどのように選択するかは、当業者の技術の範囲内に十分含まれる。皮膜を形成するために反応生成物の堆積中に反応室に送り込まれる反応物の組成を変更することにより、皮膜の傾斜組成を得てもよい。]
[0024] さらに、バリヤ皮膜は混成有機／無機材料又は多層有機／無機材料を含んでもよい。有機材料は、アクリル酸エステル、エポキシ、エポキシアミン、キシレン、シロキサン、シリコーンなどを含んでもよい。特定のどの反応物を選択するかは当業者により理解可能である。可撓性基板の透明度が要求されない用途では、多くの金属もバリヤ皮膜に適する。気密シール基板を形成するために、バリヤ皮膜を取り込んだ組成を可撓性基板が含んでもよいことは理解できる。]
[0025] ＯＬＥＤの発光層１６は、一般に発光材料又は蛍光材料を含み、この材料の領域における電子−正孔対の再結合の結果としてエレクトロルミネッセンスが発生する。発光層１６は光を放射するように構成され、特定のスペクトルに限定されることを意図せず、スペクトルは一般に所期の用途に応じて決まる。発光層は、単一の材料から形成されてもよいが、複数の材料から形成されてもよい。例えば、発光層は、１つ以上のゲスト化合物を添加されたホスト材料を含んでもよく、その場合、発光は主にドーパントに由来し、任意の色であってもよい。発光層のホスト材料は、電子搬送材料、正孔搬送材料、又は正孔−電子の再結合を支援する別の材料又は材料の組合せであってもよい。同様に、所望のスペクトルを発生するために、発光層は１つ以上の発光体を含んでもよい。例えば白色の発光が望まれる場合、発光層１６は、補色又はほぼ補色に近い色を放射する第１の発光体及び第２の発光体を含んでもよい。有用な白色光を発生するために、可視スペクトルの大部分に対応するように２つの補色の発光の組合せを選択してもよい。例えば第１の発光体は黄色の光を放射し、第２の発光体は青色の光を放射してもよい。赤色とシアンなどの他の組合せも可能である。有用であることが知られている発光分子は、米国特許第４７６８２９２号、同第５１４１６７１号、同第５１５０００６号、同第５１５１６２９号、同第５２９４８７０号、同第５４０５７０９号、同第５４８４９２２号、同第５５９３７８８号、同第５６４５９４８号、同第５６８３８２３号、同第５７５５９９９号、同第５９２８８０２号、同第５９３５７２０号、同第５９３５７２１号、同第６０２００７８号及び同第６５３４１９９号に開示される分子であるが、それらに限定されない。]
[0026] アノード１２として一般に有用な材料は酸化インジウム−スズ及び酸化スズであるが、他の適切な金属酸化物は、アルミニウム又はインジウムが不純物として添加された酸化亜鉛、酸化マグネシウム−インジウム及び酸化ニッケル−タングステンであり、それらに限定されない。それらの酸化物に加えて、窒化ガリウムなどの金属窒化物、セレン化亜鉛などの金属セレン化物及び硫化亜鉛などの金属硫化物がアノード材料として使用されてもよい。所望のアノード材料は、蒸着、スパッタリング、化学気相成長又は電気化学手段などの任意の適切な方法により堆積されてもよい。さらに、薄膜抵抗を減少するために、超薄金属膜が単独で又は先に挙げた層のうち１つの層と組合せて使用されてもよい。アノード材料は、周知のフォトリソグラフィ処理及び／又は印刷処理を使用して選択的に堆積されるか又はパターニングされてもよい。]
[0027] カソード１４はアノード１２から離間して配置される。関心放射光に対してカソード材料が透明であるか又はほぼ透明でなければならない用途において、金属が使用される場合、金属は薄くなければならないか、透明導電性酸化物を使用しなければならないか、又はそれらの材料を含まなければならない。放射された光がアノード１２を通過する場合、カソード１４の材料はほぼどのような導電性材料から形成されてもよい。必要に応じて、スルーマスク堆積、一体シャドウマスキング、レーザーアブレーション及び選択的化学気相成長を含む多くの周知の方法によりパターニングを実現してもよいが、使用される方法はそれらに限定されない。カソードは、蒸着、スパッタリング又は化学気相成長により堆積されてもよい。所望の材料は、下方に位置する有機層との有効な接触を確保するように有効な成膜特性を有し、低電圧で電子注入を促進し且つ有効な安定性を有する。多くの場合、有用なカソード材料は低仕事関数金属（＜３．０ｅＶ）又は合金を含む。別の適切な種類のカソード材料は、導電性金属の厚い層で被覆された低仕事関数金属又は金属塩の薄い層から構成される２層構造を含む。]
[0028] パッケージのベース基板１８は、有機個体又は無機固体であってもよいが、有機固体及び無機固体を含んでもよい。同様に、基板は、剛性又は可撓性のいずれであってもよく、シート又はウェハのように個別の部材として処理されてもよいが、連続するロールとして処理されてもよい。典型的な基板材料は、ガラス、プラスチック、金属、セラミック、半導体、金属酸化物、半導体酸化物、半導体窒化物又はそれらの組合せを含む。同様に、基板は材料の均一な混合物、材料の複合体又は複数の材料層であってもよい。所期の用途に応じて、基板は光を透過してもよいし、あるいは不透明であってもよい。例に挙げられているＯＬＥＤに適用される場合、基板を通してエレクトロルミネッセント放射を見られるように、基板は光透過性であるのが望ましい。かかる場合、透明なガラス又はプラスチックが一般に採用される。上部電極を通して光の放射が観察されるような用途では、底部支持体の光透過性は重要ではない。従って、基板は光透過性、光吸収性又は光反射性のいずれであってもよい。この場合に使用される基板の材料は、ガラス、プラスチック、半導体材料、セラミック及び回路基板材料、又はＯＬＥＤデバイスの製造に一般に使用される他の任意の材料が挙げられるが、それらに限定されない。]
[0029] 基板１８を画成する材料は限定されることを意図しない。例に挙げられているＯＬＥＤに適用される場合、適切な基板材料はポリエチレンテレフタレート（「ＰＥＴ」）、ポリアクリレート、ポリカーボネート、シリコーン、エポキシ樹脂、シリコーン官能基化エポキシ樹脂、Ｍｙｌａｒ（Ｅ．Ｉ．ｄｕ Ｐｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ社製）などのポリエステル、Ｋａｐｔｏｎ Ｈ又はＫａｐｔｏｎ Ｅ（Ｅ．Ｉ．ｄｕ Ｐｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ社製）、Ａｐｉｃａｌ ＡＶ（鐘淵化学工業（株）製）、Ｕｐｉｌｅｘ（宇部興産（株）製）などのポリイミド、ポリエーテルスルホン（「ＰＥＳ」、住友化学（株）製）、Ｕｌｔｅｍ（ＳＡＢＩＣ Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ Ｐｌａｓｔｉｃｓ社製）などのポリエーテルイミド、及びポリエチレンナフタレン（「ＰＥＮ」）が挙げられるが、それらに限定されない。特定の用途に応じて、基板は相対的に剛性であるように選択されてもよいが、可撓性であってもよい。]
[0030] 保護基板２６は、基板１８に密封された後、完全な封入を実現する。先に説明したようにＯＬＥＤに適用される場合、保護基板２６は発光素子（すなわちアノード、カソード及び発光層）を完全に封入する。保護基板２６は、透明であってもよいが、透明でなくてもよく、用途に応じて任意の材料から形成されてよい。ＯＬＥＤに適用される場合、有機電子デバイスから放射される光を反射するために、保護基板２６は、金属箔などの反射性材料から形成されてもよい。実装ＯＬＥＤデバイスの保護基板２６は、アルミニウム箔、ステンレス鋼箔、銅箔、スズ、Ｋｏｖａｒ、Ｉｎｖａｒなどであってもよい。反射光がさほど重要ではない用途の場合、保護基板２６は、薄いガラス、サファイア、マイカ、又は透過度の低い被覆プラスチックであってもよい。あるいは、ベース基板を画成するのと同一の材料が保護基板に使用されてもよい。]
[0031] ベース基板１８を保護基板２６に結合するシーラント２４の機能が実現され、それにより、有機電子デバイスが完全に封入されるように、シーラント２４は接着材料を含む。従って、シーラント２４は、例えばエポキシ、アクリル酸エステル、Ｎｏｒｌａｎｄ ６８ＵＶ硬化性物質、熱硬化性接着剤、圧力感知接着剤、熱硬化性樹脂、並びにエチレンとアクリル酸のコポリマーなどの熱可塑性材料（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製のＰｒｉｍａｃｏｒ）又は室温加硫性（ＲＴＶ）接着剤から形成されてもよい。一般に、シーラント２４は、透過率が低く且つ接着を実現する任意の材料から形成される。]
[0032] 以下に示す非限定的な実施例を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。尚、以下の実施例は単なる例示であり、限定的な意味を持たない。]
[0033] ＩＴＯの堆積層をパターニングし、電気活性有機層を堆積し、カソードを堆積することにより、ガラス系基板の上にＯＬＥＤを形成した。これと並行して、１％のポリエチレングリコール（分子量３５０００）を含有するアジ化バリウムの１０％水溶液を使用して、厚さ７５μｍのアルミニウム箔の上に厚さ１００ｎｍのアジ化バリウムの層をスピン皮膜することにより、カソード障壁を形成した。対流乾燥器の中で皮膜を１００℃で１０分間焼成することにより、皮膜を乾燥させた。この積層構造を不活性雰囲気グローブボックスの中へ移し、１０分間にわたり１７５℃まで加熱することにより、アジ化バリウムをバリウム金属及び窒素ガスに変換した。この障壁の上に、厚さ４０μｍのＰｒｉｍａｃｏｒ ５９８０Ｉ（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製のエチレンとアクリル酸のコポリマー）の膜を積層した。次に、ＯＬＥＤを含むガラス基板の上に、この構造を１００℃で積層した。]
[0034] 関連する実施例において、ＩＴＯの堆積層をパターニングし、電気活性有機層を堆積し、カソードを堆積することにより、ガラス系基板の上にＯＬＥＤを形成した。これと並行して、１％のポリエチレングリコール（分子量３５０００）を含有するアジ化バリウムの１０％水溶液を使用して、厚さ７５μｍのアルミニウム箔の上に厚さ１００ｎｍのアジ化バリウムの層をスピン皮膜することにより、カソード障壁を形成した。対流乾燥器の中で皮膜を１００℃で１０分間焼成することにより、皮膜を乾燥させた。この障壁の上に、厚さ４０μｍのＰｒｉｍａｃｏｒ ５９８０Ｉ（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製のエチレンとアクリル酸のコポリマー）の膜を積層した。この複合膜を不活性グローブボックスの中へ移し、ＯＬＥＤを含むガラス基板の上に１００℃で積層した。この積層構造を１０分間にわたり１７５℃まで加熱することにより、アジ化バリウムをバリウム金属及び窒素ガスに変換した。]
[0035] 不活性雰囲気の必要なく、以上説明したようなゲッタ前駆体を周囲条件の下で気密シールパッケージの中に取り込むことが可能であるという利点が得られる。さらに、ゲッタ前駆体材料は広い面積に塗工可能である（フィールドと周囲）。前述のＯＬＥＤのような光電子デバイスに適用される場合、ゲッタ前駆体は、高い透明度を示すように構成されてもよく、デバイスのアノード側及びカソード側の双方に塗工されてもよく且つ透明なＯＬＥＤに直接塗工されてもよい。]
実施例

[0036] 以上、最良の態様を含めて本発明を開示し且つ当業者による本発明の製造及び使用を可能にするために、実施例を使用して本発明を説明した。本発明の特許性の範囲は特許請求の範囲により定義され、当業者には明らかである他の実施例を含んでもよい。かかる他の実施例は、特許請求の範囲の用語と相違しない構造要素を有する場合又は特許請求の範囲の用語と実質的に相違しない同等の構造要素を含む場合には特許請求の範囲の範囲内に含まれることを意図する。]
[0037] １０ＯＬＥＤデバイス
１２アノード
１４カソード
１６有機発光層
１８ベース基板
２０障壁膜
２２ 内部領域
２４シーラント
２６保護基板／層
２８ ゲッタ前駆体]

权利要求:

請求項1
気密シールパッケージの内部領域に配設され、アルカリ金属陽イオン又はアルカリ土類金属陽イオンと非酸化性陰イオンとを含むゲッタ前駆体を備える気密シールパッケージ。
請求項2
前記非酸化性陰イオンが有機金属基である、請求項１記載のパッケージ。
請求項3
前記非酸化性陰イオンがアジ化物である、請求項１記載のパッケージ。
請求項4
前記非酸化性陰イオンが水素化物である、請求項１記載のパッケージ。
請求項5
当該パッケージが可撓性ベース基板を備える、請求項１記載のパッケージ。
請求項6
当該パッケージが、プラスチック、金属箔又はガラスから形成された基板及び／又は保護層を備える、請求項１記載のパッケージ。
請求項7
当該パッケージが、内部領域に配設された光電子デバイスを備える、請求項１記載のパッケージ。
請求項8
前記ゲッタ前駆体が２００℃未満の熱分解温度を有する、請求項１記載のパッケージ。
請求項9
前記ゲッタ前駆体が空気中で安定している、請求項１記載のパッケージ。
請求項10
前記ゲッタ前駆体が水中で安定している、請求項１記載のパッケージ。
請求項11
前記ゲッタ前駆体が透明である、請求項１記載のパッケージ。
請求項12
前記ゲッタ前駆体がアジ化バリウムである、請求項１記載のパッケージ。
請求項13
パッケージを気密シールする方法であって、パッケージの壁面を画成する内側に、アルカリ金属陽イオン又はアルカリ土類金属陽イオンと非酸化性陰イオンとを含むゲッタ前駆体を塗工する工程と、ゲッタ前駆体を熱分解し且つアルカリ金属陽イオン又はアルカリ土類金属陽イオンを還元するのに有効な温度までゲッタ前駆体を加熱する工程とを含む方法。
請求項14
加熱前に又は加熱と同時にゲッタ前駆体を放射線に暴露することをさらに含む、請求項１３記載の方法。
請求項15
前記非酸化性陰イオンが有機金属基である、請求項１３記載の方法。
請求項16
前記非酸化性陰イオンがアジ化物である、請求項１３記載の方法。
請求項17
前記非酸化性陰イオンが水素化物である、請求項１３記載の方法。
請求項18
ゲッタ前駆体の溶液を塗工する工程が、大気中で皮膜を塗工することを含む、請求項１３記載の方法。
請求項19
前記溶液が水溶液である、請求項１３記載の方法。
請求項20
ゲッタ前駆体を熱分解するのに有効な温度が２００℃未満である、請求項１３記載の方法。
請求項21
前記パッケージが、パッケージの内部に配設された光電子デバイスをさらに備えており、光電子デバイスが、パッケージの壁面を画成する内側を含む外面を有する、請求項１３記載の方法。
請求項22
前記ゲッタ前駆体がアジ化バリウムである、請求項１３記載の方法。