• 专利附录
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  • 权利要求
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  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    ZumCharakterisieren einer auf einem Trägersubstrat ausgebildeten Strukturwird ein Strukturelement der regelmäßigen Struktur mit einer elektromagnetischenStrahlung in einem ersten Betriebsmodus mit einer hohen Auflösung unterAufnehmen der vom Trägersubstratreflektierten Strahlung abgetastet, um eine Vorlage-Messsignaturdes Strukturelements zu erhalten. Weiterhin wird die regelmäßige Strukturentlang einer mehrere Strukturelemente enthaltenen Abtaststreckemit der elektromagnetischen Strahlung in einem zweiten Betriebsmodusmit einer niedrigen Auflösungunter Aufnahmen der vom Trägersubstratreflektierten Strahlung abgetastet, um Messsignaturen für die mehrerenStrukturelemente entlang der Abtaststrecke zu erhalten. Die jeweiligenMesssignaturen fürdie einzelnen Strukturelemente entlang der Abtaststrecke werdendann mit der Vorlage-Messsignatur des Strukturelements überlagert,um aus der Überlagerungsgenauigkeitder jeweiligen Messstruktur mit der Vorlage-Messstruktur auf Formunterschiedezwischen dem der jeweiligen Messsignatur zugeordneten Strukturelement unddem der Vorlage-Messsignatur zugeordneten Strukturelement zu schließen.
    公开号:DE102004030122A1
    申请号:DE200410030122
    申请日:2004-06-22
    公开日:2006-01-19
    发明作者:Thomas Marschner
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:G01N23-225
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft ein Verfahren zum Charakterisieren einer aufeinem Trägersubstratausgebildeten regelmäßigen Struktur.
    [0002] DieElektronik wird heutzutage von mikroelektronischen Halbleiterbauelementenmit hochintegrierten Schaltkreisen dominiert. Solche integrierten Schaltkreisebestehen aus einer komplexen Anordnung elektronischer Strukturen,die auf einem als Chip bezeichneten Halbleitersubstrat miteinander verschaltetsind. Die gemeinsame Herstellung von Chip auf einer Halbleiterscheibe,im Folgenden auch als Halbleiterwafer bezeichnet, ist gekennzeichnet durcheine großeAnzahl von aufeinander folgenden Prozessschritten.
    [0003] EineHauptanforderung der Halbleiterindustrie stellt die stetige Leistungssteigerungdurch immer schnellere Schaltkreise dar, verknüpft mit der Forderung, immerkleinere elektronische Strukturen auszubilden. Infolgedessen steigtdie Anforderung an die Genauigkeit und Zuverlässigkeit der Herstellungsprozessezur Ausbildung der elektronischen Schaltkreis auf den Halbleiterwafern.
    [0004] Dieswiederum fordert ein exaktes Kontrollverfahren zum Überwachender Herstellungsprozesse. Hierbei kommt insbesondere den Verfahrenzum Charakterisieren der auf den Halbleiterwafern ausgebildetenregelmäßigen Strukturenzwischen den einzelnen Prozessschritten große Bedeutung zu, um unerwünschte Abweichungenvon Strukturgrößen bzw. Defektein den Strukturen die fehlerhafte Herstellungsprozesse anzeigenund die Funktionsfähigkeit derelektronischen Schaltkreise beeinträchtigen können, aufzufinden.
    [0005] ZumCharakterisieren von regelmäßigen Strukturenin der Halbleiterbauelementfertigung werden üblicherweise Rasterelektronenmikroskopeeingesetzt. Um die regelmäßigen Strukturenauf dem Halbleiterwafer hochgenau vermessen zu können, ist es erforderlich dieRasterelektronenmikroskope mit hoher Auflösung, d. h. mit starker elektronenoptischerVergrößerung undhohen Energiedosen zu betreiben, was aber zu langen Messzeiten führt, wenn vieleStrukturen vermessen werden sollen. Bei regelmäßigen Strukturen auf Halbleiterwafernwerden deshalb mit Hilfe der Rasterelektronenmikroskope in der Regelimmer nur einzelne Strukturelemente vermessen, so dass die Messungoft nicht wirklich repräsentativfür dieQualitätder regelmäßigen Strukturist. Infolgedessen werden Prozessfehler bei der Strukturherstellungund deren Ursachen oft nicht erkannt.
    [0006] Nebenden langen Messzeiten, insbesondere dann, wenn mehr als nur Stichprobenmessungen zurCharakterisierung der regelmäßigen Struktur ausgeführt werdensollen, könnensich auch durch die mit einer hohen Auflösung verbundenen hohen Elektronenenergiedosenbei der Rasterelektronenmikroskopie nachteilhafte Effekte für die vermessenenStrukturelemente ergeben. Insbesondere dann, wenn diese StrukturelementeLackstrukturen sind, besteht die Gefahr, dass aufgrund der hohenElektronenenergiedosen Schrumpfungsprozesse auftreten.
    [0007] Umauch größere Bereicheeiner regelmäßigen Strukturmit Rasterelektronenmikroskopen schnell abtasten zu können, werdenzunehmend Abtastverfahren eingesetzt, bei denen mit geringer elektronenoptischerVergrößerung undniedriger Elektronendosen der gesamte Bereich der regelmäßigen Strukturabgerastert wird. Diese Vorgehensweise lässt jedoch aufgrund der verringertenMessgenauigkeit fürEinzelstrukturen nur eine Mittelwertbetrachtung bzgl. der Qualität der regelmäßigen Strukturz. B. bei Breite einer parallelen Lacklinienstruktur zu.
    [0008] Aufgabeder vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zumCharakterisieren einer auf einem Halbleitersub strat ausgebildetenregelmäßigen Struktur,insbesondere mithilfe eines Rasterelektronenmikroskops bereitzustellen,mit dessen Hilfe einfach, schnell, zerstörungsfrei und hochgenau eineauf einem Trägersubstratausgebildete regelmäßige Strukturcharakterisiert werden kann.
    [0009] DieseAufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst. VorteilhafteWeiterbildungen sind in den abhängigenAnsprüchenangegeben.
    [0010] Beimerfindungsgemäßen Verfahrenzum Charakterisieren einer auf einem Trägersubstrat ausgebildeten Strukturwird ein Strukturelement der regelmäßigen Struktur mit einer elektromagnetischen Strahlungin einem ersten Betriebsmodus mit einer hohen Auflösung unterAufnehmen der vom Trägersubstratreflektierten Strahlung abgetastet, um eine Vorlage-Messsignatur desStrukturelements zu erhalten. Weiterhin wird die regelmäßige Strukturentlang einer mehrere Strukturelemente enthaltenen Abtaststreckemit der elektromagnetischen Strahlung in einem zweiten Betriebsmodusmit einer niedrigen Auslösungunter Aufnehmen der vom Trägersubstrat reflektiertenStrahlung abgetastet, um Messsignaturen für die mehreren Strukturelementeentlang der Abtaststrecke zu erhalten. Die jeweiligen Messsignaturenfür dieeinzelnen Strukturelemente entlang der Abtaststrecke werden dannmit der Vorlage-Messsignaturdes Strukturelements überlagert,um aus der Überlagerungsgenauigkeitder jeweiligen Messstruktur mit der Vorlage-Messstruktur auf Formunterschiedezwischen dem der jeweiligen Messsignatur zugeordneten Strukturelementeund dem der Vorlage-Messsignatur zugeordneten Strukturelement zu schließen.
    [0011] Durchdie erfindungsgemäße Vorgehensweisebesteht die Möglichkeitmit elektromagnetischer Strahlung großflächig, hochgenau und schnelleine regelmäßige Strukturelementezu vermessen und gleichzeitig eine Beschädigung der Struktur zu vermeiden.Dies wird dadurch erreicht, dass die großflächige Abtastung der Strukturmit einer niedrigen Auflösung,d. h. beim Einsatz eines Rasterelektronenmikroskops mit niedrigerElektronenenergiedosis und/oder niedriger elektronenoptischer Vergrößerung durchgeführt wird,was geringe Messzeiten garantiert und gleichzeitig eine Beschädigung der Strukturelemente,insbesondere von Lackstrukturen durch hochenergetische Elektronenverhindert. Die erforderliche Messgenauigkeit wird durch Korrelation dermit niedriger Auflösungabgetasteten Strukturelemente mit einer Vorlage-Messsignatur erhalten,bei der ein Strukturelement mit einer hohen Auflösung, d. h. bei einem Rasterelektronenmikroskop-Betriebsmodusmit einer hohen Elektronenenergiedosis und/oder einer starken elektronenoptischenVergrößerung vermessenwird. Durch die Überlagerungder mit niedriger Auflösunggemessenen Messsignaturen mit einer hochaufgelösten Vorlage-Messsignatur kanndann auf Unterschiede zwischen dem Messsignaturen und damit aufFormunterschiede der zugeordneten Strukturelemente geschlossen werden.
    [0012] Erfindungsgemäß ist esdabei bevorzugt, wenn die Vorlage-Messsignatur und entlang der Abtaststreckenerhaltenen Messsignaturen jeweils eine geschlossene Messkurve ausden zugehörigenMesspunkten bilden, wobei auf den Messkurven jeweils zwei signifikanteMesspunkte ermittelt werden. Die Überlagerung der jeweiligenMesssignaturen fürdie einzelnen Strukturelemente entlang der Abtaststrecke mit derVorlage-Messstrukturerfolgt dann durch ein Verschieben der signifikanten Messpunkteder jeweiligen Messsignatur auf die signifikanten Messpunkte derVorlage-Messsignatur, wobei der sich ergebene Verschiebweg dannein Maß für die Formabweichungdes der jeweiligen Messsignatur zugeordneten Strukturelements vondem der Vorlage-Messsignatur zugeordneten Strukturelement ist. Diese Vorgehensweiseermöglichtein schnelles Korrelieren der nieder aufgelösten Messsignaturen mit derhoch aufgelöstenVorlage-Messsignatur und damit eine schnelle Auswertung der Messsignaturenbei hoher Messgenauigkeit.
    [0013] Bevorzugtist dabei weiterhin, dass dann, wenn die Strukturelemente ein Höhenprofilaufweisen, als signifikanten Messpunkte der Strukturelemente jeweilsdie zwei Messpunkte gewähltwerden, die die Profilkanten repräsentieren. Bevorzugt werdendabei als Messpunkte auf der Messkurve solche gewählt, beidenen eine Messwertänderungeine vorbestimmten Wert überschreitet.Mit dieser Vorgehensweise lassen sich die zwei signifikanten Messpunkte,die füreine Überlagerungder Messsignaturen erforderlich sind, einfach und schnell bestimmen.
    [0014] Daserfindungsgemäße Verfahrenwird weiterhin bevorzugt zur Charakterisierung einer parallelenLinienstruktur eingesetzt, bei der so vorgegangen wird, dass dieparallele Linienstruktur in ein Abtastraster mit parallelen voneinanderbeabstandeten senkrecht zu den Linien verlaufenden Abtastzeilen unterteiltwird, wobei die Abtastzeilen nacheinander im Betriebsmodus mit geringerAuflösungabgetastet werden. Aus der Überlagerungder Abtastmesssignatur mit der Vorlage-Messsignatur kann dann auf die Breiteder Linien im Bereich der Abtastung geschlossen werden.
    [0015] ImFolgenden wird die Erfindung anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Eszeigen:
    [0016] 1 schematischein Rasterelektronenmikroskop zur Verwendung bei einem erfindungsgemäßen Verfahren;
    [0017] 2 eineLacklinienstruktur auf einem Halbleitersubstrat, dass mit dem erfindungsgemäßen Verfahrenvermessen wird; und
    [0018] 3 schematisch Messsignaturen die mit demerfindungsgemäßen Verfahrenaufgenommen wurden, wobei 3A eineVorlage-Messsignatur, die mit hoher Auflösung abgetastet wurde, und 3B einetypischerweise verrauschte Messsignatur, die mit niedriger Abtastungaufgenommen wurde, zeigen.
    [0019] 1 zeigtschematisch ein Rasterelektronenmikroskop zur Ausführung deserfindungsgemäßen Verfahrenszur Charakteri sierung einer auf einem Trägersubstrat ausgebildeten regelmäßigen Struktur.
    [0020] DasRasterelektronenmikroskop weist ein Strahlenerzeugungssystem 1 auf,die eine Glühkatode 11 enthält, ausder Elektronen in einen Steuerzylinder 12 zum Bündeln abgegebenwerden. Diese Elektronen werden dann durch eine vorgeschaltete Anode 13 desStrukturerzeugungssystem 1 beschleunigt. Der aus dem Strahlenerzeugungssystem 1 abgegebenenElektronenstrahl 10 wird durch ein zweistufiges Linsensystem 2,das in der gezeigten Ausführungsformvier Kondensorelektronenlinsen 21, 22, 23, 24 aufweistfokussiert. In das Linsensystem 2 ist ein XY-Ablenksystem 3 zurErzeugung eines Zeilenrasters integriert. Das Ablenksystem 3 weist eineXY-Ablenkeinheit 31 auf, die von einem Rastergenerator 32 angesteuertwird.
    [0021] DergebündelteElektronenstrahl 10 wird durch eine Apeturblende 4 aufdas in einer Probenkammer 5 angeordnete Trägersubstrat 71 mitder regelmäßigen Struktur 72 gelenkt,wobei die durch die Wechselwirkung zwischen den schnellen Elektronen unddem Trägersubstrat 71 mitder regelmäßigen Strukturerzeugten Produkte mithilfe von Detektoren 6 erfasst werden. 1 zeigtals möglicheDetektoren einen Sekundärelektrodendetektor 61,der Sekundärelektronenregistriert, die beim Auftreten des Elektronenstrahls auf das Trägersubstrataus diesem herausgeschleudert werden. Als weiterer Detektor ist einRückstreuelektronendetektor 62 gezeigt,der die Elektronen erfasst, die von der Oberseite des Trägersubstratsgestreut werden. Dieser Rückstreuelektronendetektorkann auch Augerelektronen erfassen, die vom Elektronenstrahl durchIonisierung aus dem Trägersubstratabgelöstwerden. Als weiteres Produkt der Elektronen-Trägersubstrat-Wechselwirkung kannein Röntgenstrahldetektor 63 einRöntgenspektrumerfassen. Die von den einzelnen Detektoren erfassten Signale werdenvon einem Verstärkereinheit 64 verstärkt undeiner Steuer- und Auswerteeinheit 8 übermittelt. Diese Überwachungseinheit 8 steuertzugleich das Strahlungserzeugungssystem 1, das Linsensystem 2 unddas Ablenksystem 3.
    [0022] 2 zeigteinen Ausschnitt des zu untersuchenden Trägersubstrats 71 mitder zu vermessenen regelmäßigen Struktur 72.Diese regelmäßige Strukturist in der gezeigten Ausführungsformeine Lacklinienstruktur, die auf einem Halbleitersubstrat im Rahmender Herstellung von elektronischer Schaltkreisen erzeugt wurde.Mit dem erfindungsgemäßen Verfahrenist es jedoch möglich,beliebige regelmäßige Strukturenauf Trägersubstratenzu untersuchen. Im Ausführungsbeispielsoll ein Bereich von 10 × 10 μm2 hinsichtlich der Linienbreite der Lacklinienvermessen werden.
    [0023] Dazuwird der zu vermessende Trägersubstrat-Bereichmit den Lacklinien mit einer Rasterstruktur 9 belegt, dieaus parallel voneinander beabstandeten senkrecht zu den Lacklinienverlaufenen Abtastzeilen besteht. In der in 2 gezeigtenAusführungsformweist das Abtastraster 20 Abtastlinien auf, die jeweilsca. 0,5 μmvoneinander beabstandet sind.
    [0024] Beimerfindungsgemäßen Verfahrenzum Charakterisieren der Lacklinienstruktur auf dem Halbleitersubstratwird nun so vorgegangen, dass eine Lacklinie, vorzugsweise im Mittenbereichdes Abtastrasters 9 mit einer hohen Auflösung undzusätzlichdie gesamten Lacklinien im Abtastraster 9 mit einer niedrigenAuflösungabgetastet werden. Die Einstellung der Auflösung erfolgt dabei durch die Steuer-und Auswahleinheit 8, die das Strahlungserzeugungssystem 1,das Linsensystem 2 un das XY-Abtastsystem 3 ingewünschterWeise ansteuert.
    [0025] DerPrimärelektronenstrahl 10 zumAbtasten der Lacklinien 7 auf dem Trägersubstrat 71 wird durchErhitzen der Glühkatode 11 erzeugt,durch den Steuerzylinder 12 fokussiert und durch die Anode 13 beschleunigt. Über dieBeschleunigungsspannung, die im Bereich von keV-Bereich liegt, kanndas Auflösungsvermögen desabtastenden Elektronenstrahls 10 eingestellt wer den, wobeihöhereBeschleunigungsspannungen ein höheresAuflösungsvermögen nachsich ziehen. Der aus der Strahlungserzeugungseinheit 1 abgegebeneElektronenstrahl 10 erfährtdurch das Linsensystem 2 dann eine feine Bündlung undFokussierung auf den abzutastenden Bereich. Mithilfe des XY-Ablenksystems 3 wirdeine Ablenkung entsprechend dem gewünschten Abtastraster 9 durchgeführt, mitdem das Trägersubstrat 71 dannPunkt fürPunkt abgetastet werden kann. Die Einstellung des Abtastrastersund die Einstellung der Abtastgeschwindigkeit und damit der Anzahlder Abtastpunkte erfolgt dabei wiederum durch die Steuer- und Auswerteeinheit 8.
    [0026] Diedurch die Wechselwirkung zwischen Primärelektronenstrahl 10 undTrägersubstrat 71 mitder Lackstruktur 72 freigesetzten Produkte werden durch dieDetektoren 6 erfasst, wobei in der Regel nur die Sekundärelektronenaufgenommen werden. Die aufgenommenen Signale werden durch die Verstärkereinheit 64 elektrischrückgewandeltund verstärktund an die Steuer- und Auswerteeinheit 8 übertragen.
    [0027] 3A zeigtein Messsignal füreine Lacklinie, das im Betriebsmodus des Rasterelektronenmikroskopsmit hoher Auflösung,vorzugsweise im Mittenbereich der Lacklinienstruktur erfasst wurde.Bei hoher Auflösungergibt sich ein klar erkennbare Messkurve, die sich einfach auswertenlässt. 3B zeigtdagegen eine Messkurve im Bereich einer Lacklinie, die mit niedrigerAuflösungbeim Abfahren des Abtastrasters erfasst wurde. Diese Messkurve ist wesentlichverrauschter als die mit hoher Auflösung erfasste Messkurve unddeshalb nur sehr eingeschränktz. B. hinsichtlich der Linienbreite der Lacklinie auswertbar.
    [0028] Erfindungsgemäß wird,um eine diskrete Vermessung der Linienstruktur im gesamten Abtastrasterbereichvornehmen zu können,dann so vorgegangen, dass die Messkurve der Lacklinie mit hoherAuflösungals Vorlage-Messkurve dient, der die Messkurve mit niedriger Auflösung jeweils überlagert wird,wobei die Kanten der mit niedriger Auflösung aufgenommenen Messkurvesolange verschoben werden, bis die Messkurve maximale Übereinstimmungmit dem Vorlage-Messkurve zeigt. Der notwendige Verschiebweg derKanten gibt dann dem Linienbreiten-Unterschied zwischen dem Strukturelement, dasder Messkurve mit niedriger Auflösungzugeordnet ist, und dem Strukturelement, das der Vorlage-Messsignaturzugeordnet ist, an. Durch Korrelation der verrauschten Messkurve,das in niedriger Auflösungaufgenommen wurde, mit der Vorlage-Messkruve, das in hoher Auflösung aufgenommenwurde, besteht so die Möglichkeitdie Breite der Lacklinien im gesamten Abtastrasterbereich mit hoherMessgenauigkeit zu bestimmen.
    [0029] Beider Überlagerungder Messkurve wird dabei vorzugsweise so vorgegangen, dass zweisignifikante Messpunkte auf den Messkurven ermittelt werden, diedann durch Verschieben in Übereinstimmungmiteinander gebracht werden, wobei der Verschiebweg der Messpunkteein Maß für die Formabweichungzwischen den den jeweiligen Messkurven zugeordneten Strukturelementund dem Vorlage-Strukturelement ist. Als signifikante Messpunkte werdendabei vorzugsweise zwei Messpunkte gewählt, bei denen die Messwertänderungim Signalverlauf einem vorbestimmten Wert überschreitet und somit eineKante im Messsignal anzeigt.
    [0030] Mitdem erfindungsgemäßen Verfahrenzum Charakterisieren einer auf einem Trägersubstrat ausgebildeten regelmäßigen Struktur,bei dem die jeweiligen Messsignale für eine Strukturelemente, dieentlang einer Abtaststrecke mit einer elektromagnetischen Strahlungmit niedriger Auflösungaufgenommen werden, mit einer Vorlage-Messsignatur eines Strukturelements,das mit hoher Auflösungaufgenommen wurde, überlagertwerden, besteht die Möglichkeitrasterelektronenmikroskopisch schnell und zuverlässig eine große Anzahlvon Strukturelementen exakt ohne lange Messzeiten zu vermessen,die sich bei einem Betrieb des Rasterelektronenmikroskops ausschließlich inhoher Auflösungergeben, nach sich zu ziehen.
    1 Strahlenerzeugungssystem 2 Linsensystem 3 XY-Ablenksystem 4 Aperturblende 5 Probenkammer 8 Steuer-und Auswahleinheit 9 Rasterstruktur 11 Glühkatode 12 Steuerzylinder 13 Anode 21 Kondensorelektronenlinsen 22 Kondensorelektronenlinsen 23 Kondensorelektronenlinsen 24 Kondensorelektronenlinsen 31 Ablenkeinheit 32 Rastergenerator 50 Primärelektronenstrahl 61 Sekundärelektrodendetektor 62 Rückstreuelektronendetektor 63 Röntgenstrahldetektor 64 Verstärkereinheit 71 Trägersubstrat/Detektoren 72 Struktur
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] Verfahren zum Charakterisieren einer auf einemTrägersubstratausgebildeten regelmäßigen Struktur,umfassend die Verfahrensschritte: a) Abtasten eines Strukturelementsder regelmäßigen Strukturauf dem Trägersubstratsmit einer elektromagnetischen Strahlung in einem ersten Betriebsmodusmit einer hohen Auflösungunter Aufnehmen der vom Trägersubstratreflektierten Strahlung, um eine Vorlage-Messsignatur des Strukturelementszu erhalten; b) Abtasten der regelmäßigen Struktur auf dem Trägersubstratsentlang einer mehrere Strukturelemente enthaltenen Abtaststreckemit der elektromagnetischen Strahlung in einem zweiten Betriebsmodusmit einer niedrigen Auflösungunter Aufnehmen der vom Trägersubstratreflektierten Strahlung, um Messsignaturen für die mehreren Strukturelementeentlang der Abtaststrecke zu erhalten; und c) Überlagernder jeweiligen Messsignaturen fürdie einzelnen Strukturelemente entlang der Abtaststrecke mit derVorlage-Messsignaturdes Strukturelements, um aus der Überlagerungsgenauigkeit derjeweiligen Messsignatur mit der Vorlage-Messsignatur auf Formunterschiede zwischendem der jeweiligen Messsignatur zugeordneten Strukturelement und demder Vorlage-Messsignatur zugeordneten Strukturelement zu schließen.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Vorlage-Messsignatur undjede der entlang der Abtaststrecke erhaltenen Messsignaturen jeweilseinen geschlossene Messkurve aus den zugehörigen Messpunkten bilden, wobeiauf den Messkurven jeweils zwei signifikante Messpunkte ermitteltwerden und wobei das Überlagernder jeweiligen Messsignaturen fürdie einzelnen Strukturelemente entlang der Abtaststrecke mit derVorlage-Messsignatur des Strukturelements einem Verschieben derzwei signifikanten Messpunkte der jeweiligen Messsignatur auf die signifikantenMesspunkte der Vorlage-Messsignatur entspricht, wobei der sich ergebendeVerschiebweg der zwei signifikanten Messpunkte der jeweiligen Messsignaturein Maß für die Formabweichungdes der jeweiligen Messsignatur zugeordneten Strukturelements vondem der Vorlage-Messsignatur zugeordneten Strukturelement ist.
    [3] Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Strukturelementeein Höhenprofilaufweisen und als die zwei signifikante Messpunkte der Strukturelemente jeweilszwei die Profilkanten repräsentierendeMesspunkte gewähltwerden.
    [4] Verfahren nach Anspruch 3, wobei als die zwei signifikanteMesspunkte der Strukturelemente jeweils die zwei Messpunkte gewählt werden,bei denen die Messwertänderungeinen vorbestimmten Wert überschreitet.
    [5] Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, wobei die regelmäßigen Struktureine parallele Linienstruktur ist, die in eine Abtastraster mitparallelen, voneinander beabstandeten senkrecht zu den Linien verlaufenden Abtastzeilenunterteilt wird, wobei die Abtastzeilen nacheinander im zweitenBetriebmodus abgetastet werden, um aus der Überlagerungsgenauigkeit der jeweiligenMesssignatur im Bereich der einzelnen Linien mit der Vorlage-Messsignatureiner Linie auf die jeweiligen Linienbreite zu schließen.
    [6] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die elektromagnetischeStrahlung im ersten Betriebsmodus eine höhere Energiedosis und/oder einestärkereelektronenoptische Vergrößerung als imzweiten Betriebsmodus aufweist.
    [7] Verwendung eines Rasterelektronenmikroskops zur Durchführung einesVerfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    DE102004030122B4|2007-03-29|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2006-01-19| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2007-09-27| 8364| No opposition during term of opposition|
    2011-02-17| 8327| Change in the person/name/address of the patent owner|Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
    2015-06-05| R081| Change of applicant/patentee|Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
    2015-10-13| R081| Change of applicant/patentee|Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE |
    2016-01-01| R119| Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DE200410030122|DE102004030122B4|2004-06-22|2004-06-22|Verfahren zum Charakterisieren einer auf einem Tägersubstrat ausgebildeten regelmäßigen Struktur|DE200410030122| DE102004030122B4|2004-06-22|2004-06-22|Verfahren zum Charakterisieren einer auf einem Tägersubstrat ausgebildeten regelmäßigen Struktur|
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