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    • 专利摘要:
    Ein Verfahren zum Trocknen von Substraten gemäß der vorliegenden Erfindung weist die folgenden Schritte auf: DOLLAR A Anordnen einer flachen Platte (6), die eine Öffnung (61) hat und zumindest so groß ist wie ein Substrat (S), oberhalb des Substrats, so dass ein vorbestimmter Raum zwischen der flachen Platte und dem Substrat verbleibt, und Auslassen eines Gases aus der Öffnung, und Bewegen eines zu entfernenden Objekts auf dem Substrat nach außerhalb des Substrats mittels des Gases.
    公开号:DE102004029511A1
    申请号:DE200410029511
    申请日:2004-06-18
    公开日:2005-02-03
    发明作者:Masamitsu Yokohama Itoh
    申请人:Toshiba Corp；
    IPC主号:F26B11-18
    专利说明:
    [0001] Dievorliegenden Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtungzum Trocknen von Substraten sowie ein Verfahren zum Herstellen vonHalbleitereinrichtungen, und die Erfindung betrifft insbesondereein Verfahren und eine Vorrichtung zum Trocknen von Substraten undein Verfahren zum Herstellen von Halbleitereinrichtungen, die zumTrocknen eines Substrats nach einer Nassbearbeitung in beispielsweiseeinem Schritt zur Herstellung von Halbleitern, einem Schritt zurHerstellung von Photomasken oder einem Schritt zum Herstellen vonFlachdisplays verwendet werden.
    [0002] Inden letzten Jahren sind Probleme bei einem Photolithographieschrittin einem Verfahren zur Herstellung von Halbleitern offensichtlichgeworden. Da die Miniaturisierung von Halbleitereinrichtungen fortschreitet,bestehen steigende Anforderungen an die Miniaturisierung des Photolithographieschritts.Eine Gestaltungsregel der Einrichtung hat bereits eine Miniaturisierungvon 0,1 μmerreicht, und ungefähr6 nm sind erforderlich bei der Dimensionsgenauigkeit von Mustern,die gesteuert werden muss, was eine recht strenge Anforderung ist.Außerdembestehen stringentere Anforderungen bezüglich Defekten wie beispielsweiseFlecken auf den Substraten nach der Reinigung.
    [0003] Unterdiesen Umständenbesteht das Problem von Defekten, die in dem Substrat verursachtwerden, wenn das Substrat am Ende eines herkömmlichen Nassvorgangs, wiebeispielsweise Reinigungsvorgangs, getrocknet wird. Eine Spintrocknungist bisher ausgeführtworden, währendder ein zu behandelndes Substrat gedreht wird, um eine Flüssigkeitauf der Oberflächedes Substrats durch die Zentrifugalkraft oder Fliehkraft herunterzuschleudern.Gemäß diesemSpintrocknen kollidiert die weggeschleuderte Flüssigkeit mit einer Seitenwandeiner Trockenkammer und wird zerstäubt und bewegt sich als Nebelweiter fort und haftet so wieder an dem Substrat an. Da der Nebel,der wieder daran angehaftet ist, verdampft, werden sich in dem Nebelvorhandene Komponenten abscheiden und zu Defekten auf dem Substratwerden.
    [0004] Außerdem führt eineDrehung des Substrats dazu, dass sich die Flüssigkeit auf dem Substrat rasch bewegt,wenn die Flüssigkeitdurch die Zentrifugalkraft bewegt wird, so dass ein Teil der Flüssigkeitzu kleinen Flüssigkeitströpfchen wird,die auf dem Substrat verbleiben. Die Flüssigkeitströpfchen werden nicht durch die Fliehkraftnach außerhalbdes Substrats bewegt und verdampfen auf dem Substrat. Auch in diesemFall werden sich in den Flüssigkeitströpfchen vorhandeneKomponenten abscheiden und zu Defekten auf dem Substrat werden.
    [0005] Gemäß einemAspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Trocknen von Substratengeschaffen, das die folgenden Schritte aufweist: Vorsehen einerflachen Platte mit Öffnungen,die zumindest so groß istwie ein Substrat, oberhalb des Substrats, so dass ein vorbestimmterRaum zwischen der flachen Platte und dem Substrat verbleibt, undAuslassen eines Gases aus der Öffnungund Bewegen eines zu entfernenden Objekts auf dem Substrat nachaußerhalbdes Substrats durch das Gas.
    [0006] Gemäß einemanderen Aspekt der Erfindung wird eine Vorrichtung zum Trocknenvon Substraten geschaffen, die folgendes aufweist: eine flache Platte,die oberhalb eines Substrats vorgesehen ist und eine Öffnung hatund zumindest so groß istwie das Substrat, einen Auslassmechanismus, der ein Gas aus der Öffnung auslässt, undSteuerungsmittel zum Anordnen der flachen Platte so, dass ein vorbestimmterRaum zwischen der flachen Platte und dem Substrat besteht, und zumAnsteuern des Auslassmechanismus, um das Gas aus der Öffnung auszulassen.
    [0007] Gemäß einemanderen Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellungvon Halbleitereinrichtungen geschaffen, das die folgenden Schritteaufweist: Vorsehen einer flachen Platte, die eine Öffnung hat undzumindest so groß istwie ein Substrat füreinen Halbleiter, oberhalb des Substrats, so dass ein vorbestimmterRaum zwischen der flachen Platte und dem Substrat besteht, und Auslassenvon Gas aus der Öffnungund Bewegen eines zu entfernenden Objekts auf dem Substrat nachaußerhalbdes Substrats mittels des Gases.
    [0008] 1 ist eine Seitenansicht,die eine schematische Ausgestaltung einer Abtast-Reinigungsvorrichtungzeigt, auf welche eine Vorrichtung zum Trocknen von Substraten gemäß einerAusführungsformder vorliegenden Erfindung angewandt ist,
    [0009] 2A und 2B sind Diagramme, die eine schematischeAusgestaltung eines Substrathalters gemäß der Ausführungsform der vorliegendenErfindung zeigen,
    [0010] 3 ist eine Ansicht von unten,die eine schematische Ausgestaltung einer Abtastdüse gemäß der Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt,
    [0011] 4 ist eine Schnittansichtvon vorn, die die schematische Ausgestaltung der Abtastdüse gemäß der Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt,
    [0012] 5A, 5B und 5C sindDiagramme, die eine Arbeitsweise der Abtastdüse in einem Substratreinigungsschrittgemäß der Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigen,
    [0013] 6A und 6B sind Diagramme, die die schematischeAusgestaltung der Vorrichtung zum Trocknen von Substraten gemäß der Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigen, und
    [0014] 7A, 7B, 7C und 7D sind Schnittansichten,die eine Arbeitsweise der Vorrichtung zum Trocknen von Substratenin einem Substratreinigungsschritt gemäß der Ausführungsform der vorliegendenErfindung zeigen.
    [0015] EineAusführungsformder vorliegenden Erfindung wird nun mit Bezug auf die Zeichnungenbeschrieben.
    [0016] 1 ist eine Seitenansicht,die eine schematische Ausgestaltung einer Abtast-Reinigungsvorrichtung(einer Reinigungsvorrichtung für6-Quadratinch-Substrate) zeigt, auf welche eine Vorrichtung zumTrocknen von Substraten gemäß der vorliegendenErfindung angewandt ist.
    [0017] EinAbschnitt zum Zuführenvon Chemikalien (im folgenden bezeichnet als Abtastdüse) 2 istoberhalb eines runden Substrathalters 1 vorgesehen. DerSubstrathalter 1 ist zwischen Abtaststufen 3 platziert.Ein zu behandelndes Substrat (ein Maskensubstrat) S ist fast horizontalan dem Substrathalter 1 gelagert. Die Abtastdüse 2 erstrecktsich zwischen den Abtaststufen 3 über ein nicht dargestelltes Halteelement.Die Abtastdüse 2 kannsich in Vorwärts-und Rückwärtsrichtungin der Zeichnung an den Abtaststufen 3 entlang bewegen.
    [0018] Wiespäternoch beschrieben wird, ist ein vorbestimmter Zwischenraum zwischendem Substrathalter 1 und der Abtastdüse 2 vorgesehen. Außerdem hatder Substrathalter 1 eine Doppelscheibenstruktur, wie später nochbeschrieben wird. Zwei Spaltmesssysteme 4, die ein Laserlichtverwenden, sind an einer Seitenfläche der Abtastdüse 2 angebracht.die Spaltmesssysteme 4 messen den Abstand (den Spaltwert)zwischen dem Substrat S und der Abtastdüse 2.
    [0019] Mechanismen 5 zurEinstellung des Spalts sind zwischen jeweils einem Ende (Halteelement)der Abtastdüse 2 undjeweils einer Abtaststufe 3 plaziert. Die Spalteinstellmechanismen 5 bewegendie Abtastdüse 2 ineiner vertikalen Richtung mit einem Piezoelement. Die Spalteinstellmechanismen 5 stellendie Höheder Abtastdüse 2 soein, dass die von den Spaltmesssystemen 4 gemessenen Spaltwertebei gewünschtenWerte gehalten werden.
    [0020] Die 2A ist eine Draufsicht desSubstrathalters 1, und die 2B isteine Schnittansicht dieses Halters von vorn. Der Substrathalter 1 isteine doppelte Scheibe, bei welcher zwei Scheiben 11, 12 miteinem Durchmesser von ungefähr300 mm und einer Dicke von ungefähr2 mm mit einem Abstand von ungefähr5 mm gestapelt sind, und er hat eine Gesamtdicke von ungefähr 9 mm.Eine quadratische Öffnung 111,die 153 Quadratmillimeter groß ist,ist in der Mitte der oberen Scheibe 11 vorgesehen. Dieuntere Scheibe 12 weist mehrere Spannfutter 121 zumFesthalten des Substrats S unter Vakuum auf. Die obere Scheibe 11 istmit der unteren Scheibe 12 über mehrere nicht dargestellteStützenverbunden.
    [0021] 3 ist eine Ansicht der Abtastdüse 2 vonunten. Die Abtastdüse 2 hateine Breite von ungefähr5 cm in ihrer Bewegungsrichtung sowie eine Länge von ungefähr 18 cmin einer Richtung vertikal zu der Bewegungsrichtung. Außerdem isteine untere Flächeder Abtastdüse 2,die zu dem Substrat S hinweist, mit Schlitzöffnungen versehen.
    [0022] Einezentrale Öffnungist ein Schlitz 21 zum Zuführen von Chemikalien (ein Chemikalien-Schlitz),und sie gibt eine Chemikalie (eine Reinigungsflüssigkeit) aus. Öffnungenauf beiden Seiten dieses Schlitzes 21 zum Zuführen vonChemikalien sind Ansaugschlitze 22, und diese Ansaugschlitze 22 saugendie Chemikalie auf dem Substrat an. Öffnungen außerhalb der Ansaugschlitze 22 sindein Schlitz 23 zum Zuführeneiner Vorbefeuchtungsflüssigkeit(ein Vorbefeuchtungs-Schlitz) sowie ein Schlitz 24 zumZuführeneiner Spülflüssigkeit (einSpülflüssigkeits-Schlitz).Der Vorbefeuchtungs-Schlitz 23 gibt eine Vorbefeuchtungsflüssigkeitaus. Der Spülflüssigkeits-Schlitz 24 gibteine Spülflüssigkeitaus. In anderen Worten ist der Vorbefeuchtungs-Schlitz 23 aufeiner vorderen Seite vorgesehen, und der Spülflüssigkeits-Schlitz 24 istauf einer hinteren Seite in der Bewegungsrichtung der Abtastdüse 2 vorgesehen.
    [0023] DerSchlitz 21 zum Zuführenvon Chemikalien hat eine Längevon ungefähr150 mm und eine Breite von ungefähr1 mm. Die Ansaugschlitze 22 haben eine Länge vonungefähr155 mm und eine Breite von ungefähr1 mm. Der Vorbefeuchtungs-Schlitz 23 und der Spülflüssigkeits-Schlitz 24 habeneine Längevon ungefähr155 mm und eine Breite von ungefähr2 mm. Durch Ausbalancieren von Auslasskräften des Chemikalien-Schlitzes 21 mitder Ansaugkraft der Ansaugschlitze 22 auf beiden Seitenläuft dieChemikalie, die aus dem Chemikalien-Schlitz 21 austritt,nicht nach außerhalbder Ansaugschlitze 22. Die Vorbefeuchtungsflüssigkeit unddie Spülflüssigkeitwerden durch Pumpen aus dem Vorbefeuchtungs-Schlitz 23 bzw.dem Spülflüssigkeits-Schlitz 24 herauszugeführt.
    [0024] Die 4 ist eine Schnittansichtder Abtastdüse 2 vonvorn. In 4 sind Zwischenräume zwischen demChemikalien-Schlitz 21 und den Ansaugschlitzen 22 ungefähr 5 mmgroß,ein Abstand zwischen dem Ansaugschlitze 22 und dem Vorbefeuchtungs-Schlitz 23 sowieein Abstand zwischen dem Ansaugschlitze 22 und dem Spülflüssigkeits-Schlitz 24 sindungefähr5 mm groß.Ein Abstand zwischen der Oberflächedes Substrats S und der unteren Fläche der Abtastdüse 2 kannin einem Bereich von 0 bis 500 μmdurch die oben beschriebenen Spalteinstellmechanismen 5 variiertwerden, und kann gesteuert werden, währen die Abtastdüse 2 abtastet(sich bewegt), und zwar mittels einer Steuerung 100.
    [0025] Außerdem isteine Chemikalienleitung 211 mit dem Chemikalien-Schlitz 21 verbunden,Ansaugleitungen 22 sind mit den Ansaugschlitzen 22 verbundenen,eine Leitung 231 fürVorbefeuchtungsflüssigkeitist mit dem Vorbefeuchtungs-Schlitz 23 verbunden,und eine Spülflüssigkeitsleitung 241 istmit dem Spülflüssigkeits-Schlitz 24 gekoppelt.
    [0026] Die 5A, 5B und 5C sindDiagramme, die eine Arbeitsweise der Abtastdüse 2 in einem Substratreinigungsschrittzeigen. Der folgende Vorgang wird gesteuert durch die Steuerung 100 ausgeführt. DasSubstrat S wird in der Öffnung 111 deroberen Scheibe 11 in dem Substrathalter 1 platziert,und an der unteren Scheibe 12 vakuumverspannt. An diesemPunkt befinden sich eine obere Fläche des Substrathalters 1 (eine obereFlächeder oberen Scheibe 11) und eine obere Fläche desSubstrats S im wesentlichen in der gleichen Ebene. In diesem Zustandkann sich die Abtastdüse 2 voneinem Ende des Substrathalters 1 zu dem Substrat S hinbewegen und weiter zu dem anderen Ende des Substrathalters 1,wie in 5A, 5B und 5D dargestellt. Die Abtastdüse 2 wirdvon dem Substrathalter 1 entfernt, nachdem der Substratreinigungsschrittbeendet ist.
    [0027] Die 6A ist eine Draufsicht,die die schematische Ausgestaltung der Vorrichtung zur Trocknungvon Substraten gemäß der Ausführungsformder vorliegenden Erfindung zeigt, und 6B isteine Schnittansicht dieser Vorrichtung von vorn. Diese Vorrichtungzum Trocknen von Substraten besteht aus dem oben beschriebenen Substrathalter 1 sowieeiner Trockenscheibe 6.
    [0028] DieTrockenscheibe 6 besteht aus einer flachen Aluminiumplattemit einem Durchmesser von ungefähr 300mm und einer Dicke von ungefähr5 mm, und befindet sich fast horizontal oberhalb des SubstratesS, so dass sie das Substrat S vollständig bedeckt. Die metallischeflache Trockenplatte kann eine statische Elektrizität verhindern.Natürlichkönnenauch andere flache Platten verwendet werden, die eine Funktion zumVerhindern einer Elektrifizierung haben. Eine Öffnung 61 mit einemDurchmesser von ungefähr3 mm ist in der Mitte der Trockenscheibe 6 vorgesehen.Eine Leitung 62 zum Leiten eines Stickstoffgases auf dasSubstrat S ist an einem Außenumfangder Öffnung 61 inder oberen Flächeder Trockenscheibe 5 vorgesehen. Eine Kerbe 63,durch durchbrochene Linien angezeigt, kann an dem Außenumfangder Öffnung 61 aneiner unteren Flächeder Trockenscheibe 6 vorgesehen sein, um das Stickstoffgasauf das Substrat S in einem breiten Bereich hinauf zuleiten.
    [0029] Die 7A, 7B, 7C und 7D sind Schnittansichten,die eine Arbeitsweise der Vorrichtung zum Trocknen von Substratenin einem Substrattrocknungsschritt zeigen. Der folgende Vorgangwird gesteuert durch die Steuerung 100 ausgeführt. EineSpülflüssigkeitR wird auf das Substrat S aufgebracht, das bereits in dem Substratreinigungsschrittmittels der Abtastdüse 2 gereinigtworden ist. In dieser Trocknungssequenz wird die Trockenscheibe 6 vonoben mittels eines Antriebsmechanismus 200 abgesenkt undan einer Position 3 mm entfernt von der Oberfläche des Substrats S angehalten,wie dies in 7A dargestelltist, und dann wird ein Stickstoffgas N aus der Öffnung 61 ausgelassen.Dieses Stickstoffgas N wird von einer nicht dargestellten Einrichtungzum Zuführenvon Stickstoffgas zugeführtund aus der Öffnung 61 aufdie Oberflächedes Substrats S überdie Leitung 62 ausgegeben.
    [0030] Dadurchwird, wie in den 7B, 7C und 7D dargestellt, die SpülflüssigkeitR auf dem Substrat S von der Mitte des Substrats zum Ende des Substratsdurch das Stickstoffgas N weg getragen, so dass das Substrat S vonder Mitte aus hin zu dem Ende getrocknet wird. Die SpülflüssigkeitR, die das Ende des Substrats erreicht, fließt abwärts durch einen Zwischenraumzwischen dem Substrat S und der oberen Scheibe 11 des Substrathalters 1 hindurchund erreicht einen Raum zwischen der oberen Scheibe 11 undder unteren Scheibe 12.
    [0031] Nachdemdie SpülflüssigkeitR auf der Oberflächedes Substrats S fast vollständigentfernt worden ist, wird das Substrat S zusammen mit dem Substrathalter 1 mittelsdes Antriebsmechanismus 200 gedreht, während das Stickstoffgas N weiterausgegeben wird, um so die SpülflüssigkeitR von einer Endflächeund rückwärtigen Fläche desSubstrats zu entfernen.
    [0032] Funktionender vorliegenden Ausführungsformwerden nun beschrieben.
    [0033] Zunächst wirdein Photomaskensubstrat, bei welchem ein Cr Film auf einem Quarzsubstratmit einer Größe von 6Quadrat-Inch ausgeformtist, als das Substrat 5 genommen, und das Photomaskensubstrat wird durcheine Einrichtung M1320 (hergestellt von Lasertec Corporation) aufFremdkörperuntersucht, bevor es gereinigt wird. Als Ergebnis werden eine große Anzahlvon Fremdkörpernerfasst, wie in Tabelle 1 dargestellt.
    [0034] Anschließend wirddas Photomaskensubstrat an der oben beschriebenen Abtast-Reinigungsvorrichtungangebracht. Ozonwasser mit einer Konzentration von 5 ppm wird alsChemikalie verwendet. Gesteuert durch die Steuerung 100 tastetdann die Abtastdüse 2 dasPhotomaskensubstrat bei einer Geschwindigkeit von 3 mm/sec ab, unddas Photomaskensubstrat wird mit dem Ozonwasser gereinigt und mitder Spülflüssigkeitabgespült.Dabei wird die Spülflüssigkeitmit einer Dicke von ungefähr1,5 mm auf das Photomaskensubstrat aufgebracht.
    [0035] Gesteuertdurch die Steuerung 100 wird dann die oberhalb des Photomaskensubstratsbefindliche Trockenscheibe 6 abgesenkt und an einer Position3 mm oberhalb der Oberflächedes Maskensubstrats angehalten, und zwar mittels des Antriebsmechanismus 200.Anschließendbeginnt, gesteuert durch die Steuerung 100, die Einrichtungzum Zuführenvon Stickstoffgas, nach und nach aus der Öffnung 61 über dieLeitung 62, das Stickstoffgas auszugeben, das zumindesteine normale Temperatur hat (mindestens 23°C, eine Temperatur oberhalbder Umgebungstemperatur), beispielsweise 50°C, eingestellt durch ein elektromagnetisches Induktionsheizsystem 300.
    [0036] Anschließend wirddas Stickstoffgas fürdrei Minuten ausgegeben, währendeine Durchflussmenge gesteigert wird, so dass eine Beziehung zwischenZeit und der Durchflussmenge 1 1/(Minute)2 seinkann, und dann wird das Stickstoffgas kontinuierlich ausgegeben,wobei eine Durchflussmenge von 3 1/Minute beibehalten wird. DieAusgabe kann angehalten werden, oder die Durchflussmenge kann reduziertwerden, nachdem das Stickstoffgas für drei Minuten ausgegeben wordenist, währenddie Durchflussmenge gesteigert worden ist.
    [0037] Sobewegt sich die Spülflüssigkeitauf dem Photomaskensubstrat von der Mitte des Substrats aus nachaußenund strömtvon einem Zwischenraum zwischen dem Substrathalter 1 unddem Photomaskensubstrat hin zu einem Zwischenraum der Doppelscheibedes Substrathalters 1, wodurch das Photomaskensubstratnach und nach getrocknet wird. Auf dies Art und Weise kann ein Großteil derSpülflüssigkeitauf dem Photomaskensubstrat entfernt werden, während Nebel und Partikel inder Atmosphärenicht wieder an dem Photomaskensubstrat anhaften.
    [0038] Während dasStickstoffgas weiter ausgegeben wird, wird anschließend dasPhotomaskensubstrat für zehnMinuten bei einer Drehgeschwindigkeit von 300 U/min mittels desAntriebsmechanismus 200 gesteuert durch die Steuerung 100 gedreht,um so die an der Endflächeund der rückwärtigen Fläche desSubstrats anhaftende Spülflüssigkeitzu entfernen. Auch in diesem Fall strömt das frische Stickstoffgasimmer zwischen der Trockenscheibe 6 und dem Photomaskensubstrat,so dass das Photomaskensubstrat getrocknet werden kann, während Partikelund Nebel nicht wieder an dem Photomaskensubstrat anhaften.
    [0039] EieOberflächedes Photomaskensubstrats wird anschließend wieder mittels der EinrichtungM1320 auf Fremdobjekte untersucht, und es wurde festgestellt, dassdie Fremdobjekte fast vollständigentfernt worden sind, wie in Tabelle 1 dargestellt. Zu Vergleichszweckensind auch die Ergebnisse in Tabelle 1 dargestellt, wenn der Trocknungsschrittdurch herkömmlichesSpintrocknen ausgeführtwird. Wie sich aus diesen Ergebnissen ergibt, führt nur ein Unterschied desTrocknungsschritts schon zu einem großen Unterschied in der Anzahlvon Fremdobjekten, die nach der Reinigung auf dem Substrat verbleiben,obwohl exakt der gleiche Reinigungsschritt ausgeführt wurde.
    [0040] Beidem herkömmlichverwendeten Spintrocknen wird das Substrat gedreht, um die Flüssigkeitauf der Oberflächedes Substrats durch die Fliehkraft herunterzuschleudern, aber dieheruntergeschleuderte Flüssigkeitkollidiert mit einer Seitenwand einer Trockenkammer, wird zerstäubt undbewegt sich als Nebel weiter fort und haftet so wiederum an demSubstrat an. Da der Nebel, der wiederum daran angehaftet ist, verdampft,werden sich in dem Nebel vorhandene Komponenten abscheiden und werdenzu Defekten auf dem Substrat. Außerdem verursacht die Drehungdes Substrats es, dass die Flüssigkeitauf dem Substrat sich rasch bewegt, wenn die Flüssigkeit durch die Fliehkraftbewegt wird, so dass ein Teil der Flüssigkeit zu kleinen Tröpfchen wird,die auf dem Substrat verbleiben. Diese flüssigen Tröpfchen werden nicht nach außerhalbdes Substrats durch die Fliehkraft bewegt und verdampfen auf demSubstrat. Auch in diesem Fall werden sich in dem Flüssigkeitströpfchen vorhandeneKomponenten abscheiden und zu Defekten auf dem Substrat werden.Daher haften bei dem herkömmlichenSpintrocknen Nebel und Partikel, die in der Luft fliegen, wiederan dem getrockneten Substrat an, und erzeugen Defekte auf der Oberfläche desSubstrats.
    [0041] ImGegensatz dazu befindet sich in der vorliegenden Ausführungsformdie flache Platte, die zumindest so groß ist wie das Substrat, oberhalbdes Substrats, auf welchem die Flüssigkeit vorgesehen ist, undzwar bei einer Höhe,bei welcher die flache Platte die Flüssigkeit auf dem Substrat nichtberührt,und ein Inertgas wie beispielsweise das Stickstoffgas wird aus der Öffnung inder Mitte der flachen Platte ausgegeben, um die Flüssigkeitauf dem Substrat nach und nach von der Mitte des Substrats nachaußenzu bewegen. Dadurch können dieFlüssigkeitströpfchen zurAußenseitedes Substrats hin bewegt werden, ohne dass sie auf der Oberfläche verbleiben.Anschließendwird das Substrat gedreht, währenddas Gas weiter ausgegeben wird von der flachen Platte. Dies machtes möglich,zu verhindern, dass Nebel wieder an dem Substrat anhaftet, was jabei dem herkömmlichenSpintrocknen ein Problem war, und es kann außerdem auch verhindert werden,dass Wasserflecken, Wasserglas oder ähnliches verursacht werden,so dass eine signifikant gereinigt getrocknete Oberfläche erhaltenwerden kann.
    [0042] EinBeispiel des Substrathalters mit einer Gestalt der Doppelscheibeist in der vorliegenden Ausführungsformdargestellt worden, aber Substrathalter mit anderen Gestalten können auchverwendet werden. Außerdemist die Öffnungfür denGasauslass in der Trockenscheibe nicht exklusiv in der Mitte derTrockenscheibe vorgesehen, sondern kann auch an einer optionalenPosition vorgesehen sein, bei welcher die gesamte Oberfläche desSubstrats mittels des Gases getrocknet werden kann. Außerdem istdie Anzahl der Öffnungen nichtauf eine beschränkt,und eine optionale Anzahl ist möglich.Außerdemist der Raum zwischen der Trockenscheibe und dem Substrat nichtauf 3 mm beschränkt,sondern kann variiert werden abhängigvon der Dicke der Flüssigkeitauf dem Substrat und der Durchflussmenge des ausgegebenen Gases.Der Raum kann auch effektiv variiert werden, indem er während einerTrocknungsbehandlung nach und nach reduziert wird.
    [0043] Außerdem istin der vorliegenden Ausführungsformdie Anwendung eines Maskenherstellungsvorgangs auf den Reinigungsschrittdargestellt worden, aber ist nicht darauf beschränkt und kann auch auf einen Schrittzur Herstellung eines Flachdisplays angewandt werden oder auf jedenNassvorgang, wie beispielsweise das Entfernen oder Abschälen einesResists, das Entfernen eines natürlichenOxidfilms von der Oberfläche oderdas Reinigen in einem Waferverfahren eines Schritts zur Herstellungvon Halbleitereinrichtungen. Daher kann die oben beschriebene vorliegendeAusführungsformauf ein Substrat füreinen Halbleiter (ein Halbleitersubstrat) angewandt werden.
    [0044] Gemäß der Ausführungsformder vorliegenden Erfindung kann ein Trocknungsverfahren vorgesehen werden,das verhindert, dass Defekte verursacht werden, indem es verhindert,dass Nebel wieder an dem Substrat anhaftet, und indem verhindertwird, dass die Flüssigkeitströpfchen aufdem Substrat verbleiben, wenn das Substrat getrocknet wird.
    [0045] WeitereVorteile und Modifikationen werden Fachleuten recht schnell einfallen.Daher ist die Erfindung in ihren breiteren Aspekten nicht auf diehier dargestellten und beschriebenen spezifischen Details und repräsentativenAusführungsformenbeschränkt.Demzufolge könnenverschiedene Modifikationen gemacht werden, ohne dass der Bereichdes allgemeinen erfinderischen Konzepts verlassen wird, wie er durchdie anliegenden Ansprücheund ihre Äquivalentedefiniert ist.
    权利要求:
    Claims (13)
    [1] Verfahren zum Trocknen von Substraten, gekennzeichnetdurch die folgenden Schritte: Vorsehen einer flachen Platte(6), die eine Öffnung(61) hat und zumindest so groß ist wie ein Substrat (S), oberhalbdes Substrats, so dass ein vorbestimmter Raum zwischen der flachenPlatte und dem Substrat verbleibt, und Auslassen eines Gasesaus der Öffnungund Bewegen eines zu entfernenden Objekts auf dem Substrat mittels desGases nach außerhalbdes Substrats.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch dasDrehen des Substrats (S).
    [3] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Öffnung(61) in der Mitte des Substrats (S) vorgesehen ist.
    [4] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass das Gas sich zumindest auf einer normalen Temperatur befindet.
    [5] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass das Gas ein Inertgas ist.
    [6] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass das Gas ein Stickstoffgas ist.
    [7] Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch dasErhöheneiner Durchflussmenge des Gases mit der Zeit von dem Beginn derGasausgabe an, und durch das Beibehalten einer konstanten Durchflussmenge, nachdemdas Gas füreine vorbestimmte Zeit ausgegeben worden ist.
    [8] Vorrichtung zum Trocknen von Substraten, gekennzeichnetdurch: eine flache, Platte (6), die oberhalb einesSubstrats (S) vorgesehen ist und eine Öffnung (61) hat undzumindest so groß istwie das Substrat, einen Auslassmechanismus (62), derein Gas aus der Öffnung(61) auslässt,und Steuerungsmittel (100) zum Anordnen der flachenPlatte so, dass ein vorbestimmter Raum zwischen der flachen Platteund dem Substrat besteht, und zum Ansteuern des Auslassmechanismus,um das Gas aus der Öffnungauszulassen.
    [9] Vorrichtung nach Anspruch 8, gekennzeichnet durchMittel (200) zum Drehen des Substrats.
    [10] Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,dass die Öffnung(61) in der Mitte des Substrats vorgesehen ist.
    [11] Vorrichtung nach Anspruch 8, gekennzeichnet durchMittel (300) zum Einstellen des Gases auf zumindest einenormale Temperatur.
    [12] Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,dass die Steuerungsmittel (100) eine Durchflussmenge desGases mit der Zeit vom Beginn der Gasausgabe an erhöhen und,nachdem das Gas füreine vorbestimmte Zeit ausgegeben worden ist, eine konstante Durchflussmengebeibehalten.
    [13] Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen,gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Vorsehen einerflachen Platte (6), die eine Öffnung (61) hat undzumindest so groß istwie ein Substrat füreinen Halbleiter (S), oberhalb des Substrats, so dass ein vorbestimmterRaum zwischen der flachen Platte und dem Substrat besteht, und Auslassenvon Gas aus der Öffnungund Bewegen eines zu entfernenden Objekts auf dem Substrat nachaußerhalbdes Substrats mittels des Gases.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP3990322B2|2007-10-10|
    US20050050760A1|2005-03-10|
    JP2005011947A|2005-01-13|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-02-03| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2013-12-06| R002| Refusal decision in examination/registration proceedings|
    2014-04-10| R003| Refusal decision now final|Effective date: 20140114 |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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