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    • 专利摘要:
    DieErfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer übereinandergeschichteten Gate-Struktur in einem Halbleiterbauelement. Das Verfahrenumfasst folgende Schritte: nacheinander erfolgende Bildung einerdielektrischen Gate-Schicht, einer Polysilizium-Schicht, einer Titan-Schichtund einer WNx-Schicht auf einem Halbleitersubstrat,Durchführeneines schnellen Wärmebehandlungsprozesses(RTA) in einer Stickstoffumgebung, Bilden einer Silizium-Nitrid-Schichtauf der Wolfram-Schicht und Strukturieren der dünnen, vielschichtigen Strukturzu einer vorbestimmten Konfiguration.
    公开号:DE102004027065A1
    申请号:DE200410027065
    申请日:2004-06-03
    公开日:2005-06-16
    发明作者:Tzu-En Jiaosi Ho；Chang-Rong Banciao Wu
    申请人:Nanya Technology Corp；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen Verfahren zur Herstellungeiner übereinander geschichtetenGate-Struktur in einem Halbleiterbauelement. Insbesondere betrifftdie vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer übereinandergeschichteten Gate-Struktur in einem Feldeffekttransistor.
    [0002] Chip-Herstellerversuchen stets, höhereArbeitsgeschwindigkeiten fürBauelemente zu erzielen. Eine Minderung von Flächen- und Kontaktwiderstand einerGate-Elektrode ist eine effektive Möglichkeit, das vorgenannteZiel zu erreichen. Daher wird heute ein Polysilizium-/WN//W-Gateals potentielle Struktur in der DRAM-Technologie über die0,18μm-Generationhinaus betrachtet. Die WN-Schichtwird als Sperrschicht benutzt, um eine wechselseitige Diffusionzwischen den Siliziumatomen in der Polysiliziumschicht und den Wolframatomenin den WN/W-Schichten zu verhindern. Der Flächenwiderstand einer derartigenGate-Struktur beträgtweniger als 10Ω/χ, was besserist als derjenige der herkömmlichenPolysilizium-/WSi-Struktur.
    [0003] Die 1A und 1B sind Querschnittsansichten eines herkömmlichenVerfahrens zur Herstellung einer Polysilizium-/WN/W-Gate-Struktur.Eine dielektrische Gate-Schicht 102, eine Polysilizium-Schicht 104,eine Sperrschicht 106, eine Wolfram-Schicht (W) 108 undeine Silizium-Nitrid-Schicht 110 sind nacheinander aufeinem Halbleitersubstrat 100 ausgebildet, wie in 1A dargestellt. Danach werden einLithografie- und ein Ätzvorgangdurchgeführtund dann wird die Silizium-Nitrid-Schicht 110 so strukturiert,dass sie eine vorbestimmte Konfiguration bildet, wodurch ein hartesMaskenmuster 110A erreicht wird. Daraufhin werden die Wolfram-Schicht 108,die Sperrschicht 106, die Polysilizium-Schicht 104 und diedielektrische Gate-Schicht 102 so strukturiert, dass siedie vorbestimmte Konfiguration bilden, wodurch eine Gate-Strukturerreicht wird, die eine strukturierte dielektrische Gate-Schicht 102A,eine strukturierte Polysilizium-Schicht 104A,eine strukturierte Sperrschicht 106A und eine strukturierteWolfram-Schicht 108A aufweist, wie in 1B dargestellt.
    [0004] Normalerweisebesteht das bei der Bildung einer Sperrschicht 106 angewandteVerfahren darin, eine WNx-Schicht auf diePolysilizium-Schicht aufzubringen. Danach wird in einer Stickstoffumgebungein schneller Wärmebehandlungsprozess(RTA – Rapid ThermalHeating) durchgeführt,so dass Stickstoffatome aus der WNx-Schichtausdiffundieren. Daraus ergibt sich, dass die WNx-Schichtin die Wolfram-Schicht umgewandelt und dass eine aus WN/SiN zusammengesetzteSchicht zwischen der Polysilizium- und der Wolfram-Schicht gebildetwird. Allerdings ist SiN ein Isoliermaterial, durch den sich derWiderstand der WN-/SiN-Schicht erhöht.
    [0005] Aufgabeder vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellungeiner übereinandergeschichteten Gate-Struktur in einem Halbleiterbauelement zu schaffen.Die durch ein derartiges Verfahren hergestellte Gate-Struktur weisteinen geringeren Flächen-und Kontaktwiderstand auf.
    [0006] Umdiese Aufgabe erreichen zu können, schafftdie vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer übereinandergeschichteten Gate-Struktur. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: 1) nacheinander erfolgende Bildung einer dielektrischenGate-Schicht, einer Polysilizium-Schicht, einer Metallschicht undeiner WNx-Schicht auf einem Halbleitersubstrat; 2) Durchführeneines schnellen Wärmebehandlungsprozessin einer Stickstoffumgebung, wodurch eine Silizid-Schicht gebildet,ein Teil der WNx-Schicht in eine Wolfram-Schichtumgewandelt und eine Sperrschicht zwischen der Silizid-Schicht und der Wolfram-Schichtgebildet wird; 3) Strukturieren der Wolfram-Schicht, der Sperrschicht, derSilizid-Schicht und der Polysilizium-Schicht, um eine übereinandergeschichtete Gate-Struktur zu bilden.
    [0007] Fernerist durch die vorliegende Erfindung ein weiteres Verfahren zur Herstellungeiner übereinandergeschichteten Gate-Struktur geschaffen worden, wobei das Verfahrenfolgende Schritte umfasst: 1) nacheinandererfolgende Bildung einer dielektrischen Gate-Schicht, einer Polysilizium-Schicht, einerMetallschicht und einer WNx-Schicht aufeinem Halbleitersubstrat; 2) Strukturieren der WNx-Schicht, derMetallschicht und der Polysilizium-Schicht, um eine übereinander geschichtete Gate-Strukturzu bilden; 3) Durchführeneines schnellen Wärmebehandlungsprozessesin einer Stickstoffumgebung, wodurch eine Silizid-Schicht gebildet,ein Teil der WNx-Schicht in eine Wolfram-Schichtumgewandelt und eine Sperrschicht zwischen der Silizid-Schicht undder Wolfram-Schicht gebildet wird.
    [0008] Darüber hinausist durch die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellungeines Feldeffekttransistors geschaffen worden, wobei das Verfahrenfolgende Schritte umfasst: 1) Bilden einer übereinandergeschichteten Gate-Struktur unter Anwendung des vorgenannten Verfahrensaus einer Polysilizium-Schicht, einer Silizid-Schicht, einer Sperrschichtund einer Wolfram-Schicht; 2) Durchführeneiner Ionenimplantation, wobei die übereinander geschichtete Gate-Elektrodeals Maske verwendet wird, um voneinander beabstandete erste Source-/Drain-Zonenim Halbleitersubstrat zu bilden; 3) Bilden eines seitlichen Abstandshalters neben der übereinandergeschichteten Gate-Struktur; 4) Durchführeneiner weiteren Ionenimplantation, wobei der seitliche Abstandshalterals Maske verwendet wird, um voneinander beabstandete zweite Source-/Drain-Zonen einerhöherenDotierungskonzentration als bei den ersten Source-/Drain-Zonen zu bilden.
    [0009] 1A und 1B sindQuerschnittsansichten eines herkömmlichenVerfahrens zur Herstellung einer Polysilizium-/WN/W/-Gate-Struktur.
    [0010] 2A bis 2C sindQuerschnittsansichten eines Verfahrens zur Herstellung einer übereinandergeschichteten Gate-Struktur gemäß einerbevorzugten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung.
    [0011] 3A bis 3C sindQuerschnittsansichten eines Verfahrens zur Herstellung einer übereinandergeschichteten Gate-Struktur gemäß einerweiteren bevorzugten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung.
    [0012] 4 isteine Querschnittsansicht eines Verfahrens zur Herstellung einesFeldeffekttransistors mit einer übereinandergeschichteten Gate-Struktur gemäß einerbevorzugten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung.
    [0013] Die 2A–2C sindQuerschnittsansichten eines Verfahrens zur Herstellung einer übereinandergeschichteten Gate-Struktur gemäß einer bevorzugten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung. Eine dielektrische Gate-Schicht 202,eine Polysilizium-Schicht 204, eine Metallschicht 206 und WNx-Schicht 208 sind auf einem Halbleitersubstrat 200 ausgebildet,wie in 2A dargestellt. Die dielektrischeGate-Schicht 202 kann aus SiO2, SiNx, Si3N4, SiON, TaO2 oder TaON bestehen. Die Polysilizium-Schicht 204 istungefähr500-2000 Å dickund kann durch CVD-Verfahren hergestellt werden. Die Metallschicht 206 kannaus Titan (Ti), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Platin (Pt), Wolfram (W),Tantal (Ta), Molybdän(Mo), Hafnium (Hf) oder Niobium (Nb) bestehen und ist ungefähr 5-30 Å dick.Die Metallschicht 206 kann durch CVD-Verfahren oder PVD-Verfahren hergestelltwerden. Die WNx-Schicht 208 istungefähr 200-600 Å dick undkann durch PVD-Verfahren oder Sputtern hergestellt werden. Danachwird für60-120 Sekunden ein schneller Wärmebehandlungsprozess ineiner Stickstoffumgebung bei 750-1150°C durchgeführt. Während des schnellen Wärmebehandlungsprozesseswird, wie in 2B dargestellt, als Ergebnisder chemischen Reaktion zwischen der Metallschicht 206 undder Polysilizium-Schicht 204 eine Silizid-Schicht 205 gebildet.Durch die Bildung der Silizid-Schicht 205 kann der Flächenwiderstandder Gate-Elektrode gemindert und als Ergebnis der Reaktion zwischenden Stickstoffatomen in der WNx-Schicht 208 undden Siliziumatomen in der Polysilizium-Schicht 204 dieBildung von SiN verhindert werden, dessen Widerstand ziemlich hochist. Darüberhinaus diffundiert währenddes schnellen Wärmebehandlungsprozessesein Teil der Stickstoffatome in der WNx-Schicht 208 entlangder Korngrenzen und reagiert mit der Metallschicht. Daher wird eineMetall-Nitrid-Schicht gebildet und kann als sehr zuverlässige Diffusions-Sperrschicht 207 verwendetwerden, um eine wechselseitige Diffusion zwischen den Siliziumatomenin der Poly-Siliziumschicht und den Wolframatomen in der Wolfram-Schichtzu verhindern. Andererseits diffundiert ein Teil der Stickstoffatomein der WNx-Schicht 208 entlangder Korngrenzen und wird in die Stickstoffumgebung abgeführt. Es verbleibteine Wolfram-Schicht 209,und der Flächen- undder Kontaktwiderstand des Gates kann erheblich gemindert werden.Danach wird eine Silizium-Nitrid-Schicht auf die Wolfram-Schicht 209 aufgebracht. DieSilizium-Nitrid-Schicht ist ca. 500-3000 Å dick und kann durch Wachstumim Ofen oder CVD-Verfahren in der Kammer hergestellt werden. Zum Schlusswerden, wie in 2C dargestellt, ein Photolithografievorgangund ein Ätzvorgangdurchgeführt.Dadurch wird die Silizium-Nitrid-Schichtso strukturiert, dass sie eine harte Maske 210 bildet,die mit der vorbestimmten Konfiguration auf der Photomaske übereinstimmt.Als nächsteswird ein Ätzvorgangdurchgeführt,um eine übereinandergeschichtete Gate-Struktur 214 zuerhalten, die eine strukturierte dielektrische Schicht 202A,eine strukturierte Polysilizium-Schicht 204A, eine strukturierteSilizid-Schicht 205A, eine strukturierte Diffusions-Sperrschicht 207A undeine strukturierte Wolfram-Schicht 209A umfasst.
    [0014] Fernerist durch die vorliegende Erfindung auch ein weiteres Verfahrenzur Herstellung einer übereinandergeschichteten Gate-Struktur geschaffen worden, wobei das Verfahrenfolgende Schritte umfasst: nacheinander erfolgende Bildungeiner dielektrischen Gate-Schicht 302, einer Polysilizium-Schicht 304,einer Metallschicht 306, einer WNx-Schicht 308 undeiner Silizium-Nitrid-Schicht 310 auf einem Halbleitersubstrat 300,wie in 3A dargestellt. Die dielektrischeGate-Schicht 302 kann aus SiO2, SiNx, Si3N4, SiON, TaO2 oder TaON bestehen. Die Polysilizium-Schicht 304 istungefähr500-2000 Å dickund kann durch CVD-Verfahren hergestellt werden. Die Metallschicht 306 kannaus Titan (Ti), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Platin (Pt), Wolfram (W),Tantal (Ta), Molybdän(Mo), Hafnium (Hf) oder Niobium (Nb) bestehen und ist ungefähr 5-30 Å dick.Die Metallschicht 306 kann durch CVD-Verfahren oder PVD-Verfahrenhergestellt werden. Die WNx-Schicht 308 istungefähr 200-600 Å dick undkann durch PVD-Verfahren oder Sputtern hergestellt werden. Die Silizium-Nitrid-Schicht 310 istca. 500-3000 Å dickund kann durch Wachstum im Ofen oder CVD-Verfahren in der Kammerhergestellt werden. Danach werden ein Lithografie- und ein Ätzvorgangdurchgeführt.Die Silizium-Nitrid-Schicht ist so strukturiert, dass sie eine harteMaske bildet, die mit der vorbestimmten Konfiguration auf der Photomaske übereinstimmt.Als nächsteswird ein Ätzvorgangdurchgeführt,um eine übereinandergeschichtete Gate-Struktur 312 zu erhalten, die eine strukturiertedielektrische Schicht 302A, eine strukturierte Polysilizium-Schicht 304A, einestrukturierte Metallschicht 306A und eine strukturierteWNx-Schicht 308A umfasst. Außerdem weist die übereinandergeschichtete Gate-Struktur eine harte Maske, eine strukturierteSilizium-Nitrid-Schicht 310A,auf, wie in 3B dargestellt. Zum Schluss wirdfür 60-120Sekunden ein schneller Wärmebehandlungsprozessin einer Stickstoffumgebung bei 750-1150°C durchgeführt, wie in 3C dargestellt. Während desschnellen Wärmebehandlungsprozesseswird als Ergebnis der chemischen Reaktion zwischen der Metallschicht 306A undder Polysilizium-Schicht 304A eine Silizid-Schicht 305 gebildet. Durchdie Bildung der Silizid-Schicht 305 kann der Flächenwiderstandder Gate-Elektrode gemindert und als Ergebnis der Reaktion zwischenden Stickstoffatomen in der WNx-Schicht 308A undden Siliziumatomen in der Polysilizium-Schicht 304A dieBildung von SiN verhindert werden, dessen Widerstand ziemlich hochist. Darüberhinaus diffundiert während desschnellen Wärmebehandlungsprozessesein Teil der Stickstoffatome in der WNx-Schicht 308A entlang derKorngrenzen und reagiert mit der Metallschicht 306A. Daherwird eine Metall-Nitrid-Schicht gebildet und kann als sehr zuverlässige Diffusions-Sperrschichtverwendet werden, um eine Diffusion zwischen den Siliziumatomenin der Poly-Siliziumschicht 304A und den Wolframatomenin der Wolfram-Schicht 309 zu verhindern. Andererseitsdiffundiert ein Teil der Stickstoffatome in der WNx-Schicht 308A entlangder Korngrenzen und wird in die Stickstoffumgebung abgeführt. Esverbleibt eine Wolfram-Schicht 309, und der Flächen- undder Kontaktwiderstand des Gates kann erheblich gemindert werden.
    [0015] Darüber hinausist durch die vorliegende Erfindung auch ein Verfahren zur Herstellungeines Feldeffekttransistors geschaffen worden. Die Verfahrensschrittebeginnen, unter Anwendung eines der vorgenannten Verfahrens, mitder Bildung einer übereinandergeschichteten Gate-Struktur, die aus einer strukturierten dielektrischenSchicht 402, einer strukturierten Polysilizium-Schicht 404,einer strukturierten Schicht 405, einer strukturiertenSchicht 407 und einer strukturierten Wolfram-Schicht 408 aufdem Halbleitersubstrat 400 besteht. Die übereinandergeschichtete Gate-Struktur umfasst eine harte Maske, eine Silizium-Nitrid-Schicht 410,wie in 4 dargestellt. Die Ionen werden in das Halbleitersubstrat 400 implantiert,indem die übereinandergeschichtete Gate-Strukturals Maske benutzt wird, um voneinander beabstandete erste Source-/Drain-Zonen im Halbleitersubstratzu bilden. Ein seitlicher Abstandshalter 414 ist an denSeitenwändender übereinander geschichtetenGate-Struktur ausgebildet. Und danach werden Ionen in das Halbleitersubstrat 400 implantiert,indem der seitliche Abstandshalter als Maske benutzt wird, um voneinanderbeabstandete zweite Source-/Drain-Zonen einer höheren Dotierungskonzentrationals bei den ersten Source-/Drain-Zonen zu bilden.
    [0016] Gemäß der vorliegendenErfindung wird währenddes schnellen Wärmebehandlungsprozesseseine Silizid-Schicht als Ergebnis der chemischen Reaktion zwischender Metallschicht und der Polysilizium-Schicht gebildet. Durch dieBildung der Silizid-Schicht kann als Reaktion zwischen den Stickstoffatomenin der WNx-Schicht und den Siliziumatomenin der Polysilizium-Schicht der Flächenwiderstand des Gates gemindertund die Bildung von SiN verhindert werden, dessen Flächenwiderstandziemlich hoch ist. Daher kann eine größere Arbeitsgeschwindigkeitdes Bauelements erzielt werden.
    [0017] Obwohldie vorstehende Beschreibung viel Spezielles enthält, sollsie den Umfang der Erfindung nicht einschränken, sondern einige der momentan bevorzugtenAusführungsformender vorliegenden Erfindung darstellen. Der Umfang der vorliegenden Erfindungsollte daher eher den beigefügtenAnsprüchenund deren Entsprechungen als den gegebenen Beispielen entnommenwerden.
    权利要求:
    Claims (16)
    [1] Verfahren zur Herstellung einer übereinander geschichtetenGate-Struktur, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: a)nacheinander erfolgende Bildung einer dielektrischen Gate-Schicht,einer Polysilizium-Schicht, einer Metallschicht und einer WNx-Schicht auf einem Halbleitersubstrat; b)Durchführeneines schnellen Wärmebehandlungsprozesses(RTA), wodurch eine Silizid-Schicht gebildet, ein Teil der WNx-Schicht in eine Wolfram-Schicht umgewandeltund eine Sperrschicht zwischen der Silizid-Schicht und der Wolfram-Schichtgebildet wird; und c) Strukturieren der Wolfram-Schicht, derSperrschicht und der Silizid-Schicht und der Polysilizium-Schicht,um eine übereinandergeschichtete Gate-Struktur zu bilden.
    [2] Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei dieMetallschicht aus einem Metall aus einer Gruppe bestehend aus Titan,Kobalt, Nickel, Platin, Wolfram, Tantal, Molybdän, Hafnium oder Niobium besteht.
    [3] Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei dieSperrschicht eine aus Wolfram-Nitrid und Metall-Nitrid zusammengesetzteSchicht ist.
    [4] Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei derschnelle Wärmebehandlungsprozessin einer Stickstoffumgebung durchgeführt wird.
    [5] Verfahren zur Herstellung einer übereinander geschichteten Gate-Struktur,wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: a) nacheinandererfolgende Bildung einer dielektrischen Gate-Schicht, einer Polysilizium-Schicht,einer Metallschicht und einer WNx-Schichtauf einem Halbleitersubstrat; b) Strukturieren der WNx-Schicht, der Metallschicht und der Polysilizium-Schicht, um die übereinander geschichteteGate-Struktur zu bilden; und c) Durchführen eines schnellen Wärmebehandlungsprozesses(RTA), wodurch eine Silizid-Schicht gebildet, ein Teil der WNx-Schicht in eine Wolfram-Schicht umgewandeltund eine Sperrschicht zwischen der Silizid-Schicht und der Wolfram-Schichtgebildet wird.
    [6] Herstellungsverfahren nach Anspruch 5, wobei dieMetallschicht aus Metall aus einer Gruppe bestehend aus Titan, Kobalt,Nickel, Platin, Wolfram, Tantal, Molybdän, Hafnium oder Niobium besteht.
    [7] Herstellungsverfahren nach Anspruch 5, wobei dieSperrschicht eine aus Wolfram-Nitrid und Metall-Nitrid zusammengesetzteSchicht ist.
    [8] Herstellungsverfahren nach Anspruch 5, wobei derschnelle Wärmebehandlungsprozessin einer Stickstoffumgebung durchgeführt wird.
    [9] Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors,wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: a) nacheinandererfolgende Bildung einer dielektrischen Gate-Schicht, einer Polysilizium-Schicht,einer Metallschicht und einer WNx-Schichtauf einem Halbleitersubstrat; b) Durchführen eines schnellen Wärmebehandlungsprozesses(RTA), wodurch eine Silizid-Schicht gebildet, ein Teil der WNx-Schicht in eine Wolfram-Schicht umgewandeltund eine Sperrschicht zwischen der Silizid-Schicht und der Wolfram-Schichtgebildet wird; und c) Strukturieren der Wolfram-Schicht, derSperrschicht und der Silizid-Schicht und der Polysilizium-Schicht,um eine übereinandergeschichtete Gate-Struktur zu bilden; d) Durchführen einerIonenimplantation, wobei die übereinandergeschichtete Gate-Elektrode als Maske verwendet wird, um voneinanderbeabstandete erste Source-/Drain-Zonen im Halbleitersubstrat zu bilden; e)Bilden eines seitlichen Abstandshalters neben der übereinandergeschichteten Gate-Struktur; und f) Durchführen einer weiteren Ionenimplantation,wobei der seitliche Abstandshalter als Maske verwendet wird, umvoneinander beabstandete zweite Source-/Drain-Zonen einer höheren Dotierungskonzentrationals bei den ersten Source-/Drain-Zonenzu bilden.
    [10] Herstellungsverfahren nach Anspruch 9, wobei dieMetallschicht aus Metall aus einer Gruppe bestehend aus Titan, Kobalt,Nickel, Platin, Wolfram, Tantal, Molybdän, Hafnium oder Niobium besteht.
    [11] Herstellungsverfahren nach Anspruch 9, wobei dieSperrschicht eine aus Wolfram-Nitrid und Metall-Nitrid zusammengesetzteSchicht ist.
    [12] Herstellungsverfahren nach Anspruch 9, wobei derschnelle Wärmebehandlungsprozessin einer Stickstoffumgebung durchgeführt wird.
    [13] Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors,wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: a) nacheinandererfolgende Bildung einer dielektrischen Gate-Schicht, einer Polysilizium-Schicht,einer Metallschicht und einer WNx-Schicht; b)Strukturieren der WNx-Schicht, der Metallschicht undder Polysilizium-Schicht zu der übereinandergeschichteten Gate-Struktur; c) Durchführen eines schnellen Wärmebehandlungsprozesses(RTA), wodurch eine Silizid-Schicht gebildet, ein Teil der WNx-Schicht in eine Wolfram-Schicht umgewandeltund eine Sperrschicht zwischen der Silizid-Schicht und der Wolfram-Schichtgebildet wird; d) Durchführeneiner Ionenimplantation, wobei die übereinander geschichtete Gate-Elektrodeals Maske verwendet wird, um voneinander beabstandete erste Source-/Drain-Zonenim Halbleitersubstrat zu bilden; e) Bilden eines seitlichenAbstandshalters neben der übereinandergeschichteten Gate-Struktur; und f) Durchführen einer weiteren Ionenimplantation,wobei der seitliche Abstandshalter als Maske verwendet wird, umvoneinander beabstandete zweite Source-/Drain-Zonen einer höheren Dotierungskonzentrationals bei den ersten Source-/Drain-Zonenzu bilden.
    [14] Herstellungsverfahren nach Anspruch 13, wobei dieMetallschicht aus Metall aus einer Gruppe bestehend aus Titan, Kobalt,Nickel, Platin, Wolfram, Tantal, Molybdän, Hafnium oder Niobium besteht.
    [15] Herstellungsverfahren nach Anspruch 13, wobei dieSperrschicht eine aus Wolfram-Nitrid und Metall-Nitrid zusammengesetzteSchicht ist.
    [16] Herstellungsverfahren nach Anspruch 13, wobei derschnelle Wärmebehandlungsprozessin einer Stickstoffumgebung durchgeführt wird.
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-06-16| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2010-04-29| 8364| No opposition during term of opposition|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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